Hecho Por:

Molina R., Franklin O.

V-17.810.058
 Modelo de Bandas de Energía. Modelo Ideal
y Estado Superficial
Formulas

 Relación de energía electrónica para un contacto ideal entre un metal y un

semiconductor tipo n en ausencia de estados superficiales.
 Inicialmente se muestra que el metal y el semiconductor sin contacto y el sistema no se
encuentra en equilibrio térmico.
 Si se un conductor conecta al semiconductor con el metal se establece equilibrio
térmico los niveles de Fermi se alinean.
 En relación al nivel de Fermi en el metal, el nivel de Fermi en el semiconductor es mas
bajo en una cantidad igual a la diferencia de las dos Funciones de Trabajo.
Modelo de Bandas de Energía.
Región de Vaciamiento

Vaciamiento: Esta situación se

produce para VG<0 y de valor pequeño.
Desde el punto de vista de cargas, al ser
VG<0, se depositan cargas negativas en la
puerta de la capacidad MOS y en
consecuencia el incremento de cargas
positivas en las proximidades de la
interfaz semiconductor-aislante se
traduce, al tratarse de un semiconductor
tipo n, en una neutralización de
electrones.
Límite Vaciamiento- Inversión:
Esta situación se produce para VG<0 y de
valor tal que el incremento de cargas
positivas en las proximidades de la
interfaz semiconductor-aislante neutralice
exactamente todos los electrones.
 EL EFECTO SCHOTTKY
Cuando se establece el contacto,
los niveles de Fermi de ambos materiales se
nivelan, y como consecuencia se forma en el
semiconductor una barrera de potencial a
partir de la cual los portadores de corriente se
reducen considerablemente. La barrera está
creada, principalmente, por los estados de
superficie del semiconductor y por la
inducción de estados en el Gap o banda de
energías prohibidas entre la banda de
conducción y la de valencia en el
semiconductor.
También, aunque en menor medida,
influye la diferencia de funciones de trabajo en
ambos materiales. Esta reducción es llamada
superficie o capa de deflexión. Esta barrera es
la que deben superar los electrones que fluyan
del metal al semiconductor. En equilibrio, el
flujo de electrones de metal a semiconductor y
de semiconductor a metal se igualan, aunque
los electrones del semiconductor deben
vencer, por medio de la activación térmica, su
propio Gap.
 Transporte de Corriente

La emisión termoiónica, conocida

arcaicamente como efecto Edison es el flujo
de partículas cargadas llamadas termoiones
desde una superficie de metal (u óxido de
metal) causada por una energía termal de tipo
vibracional que provoca una fuerza
electrostática que empuja a los electrones
hacia la superficie. La carga de los termiones
(que pueden ser positivos o negativos) será la
misma a la carga del metal u óxido de metal.
El efecto aumenta dramáticamente al subir la
temperatura (1000–3000 K).
 Transporte de Corriente

Difusión: Al unir estos dos

semiconductores comienza un
movimiento de portadores de una
región a otra, se puede observar que
los electrones o portadores
mayoritarios de la región N pasan a
la región P y viceversa. La corriente
de difusión que se genera, es la
suma de la corriente de huecos y
electrones, y es debido a esta
corriente es que se crea la región de
deflexión
Diagrama de
Banda de
Energía La Constante
incorporando efectiva de
el efecto Richardson
Schottky. La calculada A**
energía en función el
potencial del campo
electrón es eléctrico de
qψ(x), y el Barreras para
Pseudo nivel metal-Silicio
de Fermi es
qΦ(x).
 Corriente Túnel
Corriente túnel It: Son densidades de
estados, aproximación de bajas temperaturas.
Los materiales candidatos a
constituir nuevos dieléctricos de puerta son los
llamados dieléctricos de alta permitividad o
dieléctricos de alta-k, basados en óxidos de
hafnio y de zirconio. Son capaces de reducir la
corriente túnel en más de cien veces en
comparación con el óxido de silicio, pero
presentan el inconveniente de que la interfase
que forman con el polisilicio del contacto no es
todo lo buena que se desearía, pues contiene
una gran cantidad de defectos.
 Inyección de Portadores

Usualmente el emisor está compuesto por una banda de material más larga
que la base. Esto ayuda a reducir la inyección de portadores minoritarios desde la base
cuando la juntura emisor-base está polarizada en directa y esto aumenta la eficiencia de
la inyección del emisor. La inyección de portadores mejorada en la base permite que ésta
pueda tener un mayor nivel de dopaje, lo que resulta en una menor resistencia.
 Barrera de Potencial
Características Generales
La Barrera de Potencial, es la tensión que hay entre los extremos de la
zona de deplexión. Esta tensión se produce en la unión pn, ya que es la diferencia de
potencial entre los iones a ambos lados de la unión. En un diodo de silicio es
aproximadamente de 0,7 V
 Barrera de Potencial
Características Generales

Ubicación del nivel de Fermi superficial para algunos

metales y el oxígeno sobre GaAs, GaSb y InP. Se
observa una pequeña dependencia de la naturaleza
química de los metales y del oxígeno.
 Barrera de Potencial
Características Generales
Barrera de Potencial
Corriente-Voltaje
 Barrera de Potencial
Energía de Activación Capacitancia-Tensión
Franklin Omar Molina Rosales

V – 17.810.058

Electrónica del Estado Sólido

Clases 11 y 12

Semana 6