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P+
Fuente (S)
NP+
Canal
Drenador (D)
Puerta (G)
G
JFET (canal N) Smbolo
D
Otros smbolos
G
G
canal N
D S
D S
S canal P
ATE-UO Trans 82
P+
Fuente (S)
NP+
Puerta (G)
Drenador (D)
Zona de transicin en zona muy dopada estrecha Zona de transicin en zona poco dopada ancha
ATE-UO Trans 83
P+
(S)
(D)
P+
(G)
V1 < V2
V12 V
Segn aumenta la tensin drenador-fuente, aumenta la resistencia del canal, ya que aumenta la zona de transicin, que es una zona de pocos portadores.
ATE-UO Trans 84
VDS Evolucin real en un JFET (la resistencia cambia con la tensin aplicada). V1 V2
ATE-UO Trans 85
P+
(S)
NP+
VPO
(D) VDS
(G)
VDS=VPO > V2
Si se aumenta ms la tensin drenador-fuente, la zona de transicin llega a dejar una parte del canal con muy pocos portadores. La corriente de drenador no cesa (si cesara no se formara el perfil de zona de transicin que provoca esta situacin). La tensin VDS a la que se produce la contraccin total del canal recibe el nombre de tensin de contraccin (pinch-off), VPO. ATE-UO Trans 86
P+
(S)
LC P+
(G)
LZTC
(D) VDS
Si se aumenta la tensin drenador-fuente por encima de VPO, va aumentando la parte del canal que ha quedado con muy pocos portadores, LZTC (longitud de la zona de transicin en el canal). Sin embargo, el aumento de LZTC al aumentar VDS es pequeo comparado con la longitud del canal, LC.
ATE-UO Trans 87
P+ (S)
VPO
-
+ LZTC LZTC
(D) VDS
P+
(G)
VDS=V4 > V3
Si LZTC << LC (hiptesis de canal largo) y admitimos que el perfil de portadores en la parte no contrada del canal no ha cambiado, tenemos que admitir que la tensin en dicha parte es VPO. Luego la corriente que circula es la necesaria para dar la misma cada de tensin sobre el mismo perfil de canal misma corriente que cuando aplicbamos VPO corriente constante por el canal cuando VDS>VPO.
ATE-UO Trans 88
ID
VDS V1 V2 VPO V3 V4
P+ (S) N
-
P+ (G)
Con VGS=0, la contraccin ocurre cuando VDS = VDSPO =VPO. VDS=VPO El canal es siempre ms estrecho, al estar polarizado ms inversamente mayor resistencia UA La contraccin se produce cuando: VDS=VDSPO=VPO + VGS Es decir: VDSPO = UA = VPO - UB
P (S)
N-
VPO
P+ (G)
+ -
(D)
+
VDS
UB
+ VGS -
Cuando VGS < 0, la corriente que circula es menor y la contraccin se produce a una VDS menor. ATE-UO Trans 90
ID D + VDS 4 2
G + VGS -
VDS [V]
Muy importante
La tensin VPO
P+ (S) P+ (G) N(D)
UB1
+ VGS -
UB1< UB2
+ VGS = -VPO -
Cuando la tensin VGS alcanza un valor negativo suficientemente grande, la zona de transicin invade totalmente el canal. Este valor es el de contraccin del canal, VPO.
ATE-UO Trans 92
12 VDS [V]
VGS = -2,5V Muy importante
VGS = 0V > -0,5V > -1V > -1,5V > -2V > -2,5V
Comportamiento resistivo Comportamiento como fuente de corriente Comportamiento como circuito abierto
ATE-UO Trans 93
ID [mA] 4
Tambin se conoce la tensin de contraccin del canal, VPO Ecuacin ya conocida:
ID0PO IDPO
12 VDS [V]
VGS = -VPO
Muy importante
ATE-UO Trans 94
R
IB B (P) C (N) V2 E (N)
Muy importante
R
D N S V2
IG 0 G (P) V1
V1
+ VBE -
+ VGS -
En ambos casos, las tensiones de entrada (VBE y VGS) determinan las corrientes de salida (IC e ID). En zona de comportamiento como fuente de corriente, es til relacionar corrientes de salida y entrada (transistor bipolar) o corriente de salida con tensin de entrada (JFET). La potencia que la fuente V1 tiene que suministrar es mucho ms pequea en el caso del JFET (la corriente es casi cero, al estar polarizada inversamente la unin puerta-canal).
ATE-UO Trans 95
N-
(transistor unipolar)
(D)
+
UA
Muy importante
UB
+ VGS -
VDS
El JFET es ms rpido al ser un dispositivo unipolar (conduccin no determinada por la concentracin de minoritarios). El JFET puede usarse como resistencia controlada por tensin, ya que tiene una zona de trabajo con caracterstica resistiva. Para conseguir un comportamiento tipo cortocircuito hay que colocar muchas celdas en paralelo.
ATE-UO Trans 96
S
N+ N-
G
P+
D
N+ P+ Contactos metlicos Canal N
R
D P S V2
-ID
+ VGS -
S
N+ N-
D
N+
ID GaAs
GaAs aislante
Contactos hmicos
VGS<0
VDS
Tensin GS nula
S
N+
G
N+
+
G D
Metal
xido
Semiconductor
P-
Substrato Smbolo D
G Substrato S MOSFET de enriquecimiento
(acumulacin) de canal N
Smbolo
G
S ++ ++
N+ P+ + +
D
- N+
+
- -
Substrato
S +++ +++ ++ ++
-
Substrato
N+ -P-
- --
- N+ +
V2 > V1
S ++++
N+ -- - -- -- N+ P+
V3 = V TH > V2
Esta capa es una zona de transicin (no tiene casi portadores de carga)
Substrato
Cuando la concentracin de los electrones en la capa formada es igual a la concentracin de los huecos de la zona del substrato alejada de la puerta, diremos que empieza la inversin. Se ha creado artificialmente una zona N tan dopada como la zona P del substrato. La tensin a la que esto ocurre es llamada tensin umbral (threshold voltage), VTH.
ATE-UO Trans 101
S +++++ +++++
D
V4 > V TH
N+ -- - -- - - -- N+ PVDS ID Substrato P
S +++++ +++++
D
VGS
Conectamos la fuente al substrato. Conectamos una fuente de tensin entre los terminales fuente y drenador.
N+ -- - -- - - -- N+ PSubstrato
VDS 0
ID 0
S +++++ +++++
N+ -- - -- - - -- N+ PSubstrato
ID
El canal se empieza a contraer segn aumenta la tensin VDS. La situacin es semejante a la que se da en un JFET.
S +++++ +++++
D
VGS
- N+ -- - -- - - - N+ PSubstrato
VDS2=VDSPO >VDS1 ID
S +++++ +++++
N+ P- - -------
D
N+ VGS
VDS3 >VDSPO ID
Substrato
Cuando VDS > VDSPO, el MOSFET se comporta como una fuente de corriente (como en el caso de los JFET).
ATE-UO Trans 104
S +++++ +++++
N+ P- - -------
D
N+ VGS
Substrato
S
N+ PSubstrato
D
N+
S
N+ PSubstrato
D
N+
Si VGS = 0, la corriente de drenador es prcticamente nula. En general, si VGS <VTH, no hay casi canal formado y, por tanto, no hay casi corriente de drenador.
ATE-UO Trans 105
ID 4 2
G + VGS -
+ VDS S -
VDS [V]
Muy importante
ATE-UO Trans 106
ID + VDS -
ID [mA] 4 2
VGS = 4,5V VGS = 4V VGS = 3,5V
VGS = 3V VGS = 2,5V
+ -
10V 0 4 8
VGS
12 VDS [V]
VGS < VTH = 2V Muy importante
Comportamiento resistivo Comportamiento como fuente de corriente Comportamiento como circuito abierto
Clculo de las corrientes en la zona de fuente de corriente (canal contrado) y de la tensin umbral
Ecuaciones no demostradas:
Z = longitud en el eje perpendicular a la representacin. Cox = Capacidad del xido por unidad de rea de la puerta. rs, rox y 0 = permitividades relativas del semiconductor y del xido y permitividad absoluta. xox = grosor del xido debajo de la puerta.
F
=VTln(NA/ni)
ATE-UO Trans 108
D
N+
+
PSubstrato
Existe canal sin necesidad de aplicar tensin a la puerta. Se podr establecer circulacin de corriente entre drenador y fuente sin necesidad de colocar tensin positiva en la puerta.
S
PN+
N-
G
+++ +++ - - - - - -
D
N+
+ VGS=V1 V1
Substrato
Modo ACUMULACIN: Al colocar tensin positiva en la puerta con relacin al canal, se refuerza el canal con ms electrones procedentes del substrato. El canal podr conducir ms.
ATE-UO Trans 109
S
PN+
N-
G
--- --+ + + + + +
D
N+
+
+ VGS=-V1 V1
Substrato
Operacin en modo DEPLEXIN: Se debilita el canal al colocar tensin negativa en la puerta con relacin al substrato. El canal podr conducir menos corriente.
ATE-UO Trans 110
S
PN
+
-
G
+++ +++
D
N+
- +
S
V1 PN+
N-
G
--- --+ + + + + + + +
D
N+
+
-N - - -
V1
Substrato
Substrato
Modo acumulacin
Modo deplexin
ATE-UO Trans 111
Enriquecimiento
VGS = 4,5V VGS = 4V
Muy importante
4 2
VGS = 3,5V
VGS = 3V VGS = 2,5V
ID [mA]
4 2
6 VDS [V]
VGS = 0V
VGS = -0,5V VGS = -1V
6 VDS [V]
ATE-UO Trans 112
Comparacin entre los smbolos de los MOSFET de enriquecimiento y de deplexin con ambos tipos de canal
D G S Tipo enriquecimiento G S Tipo deplexin D
Canal N
D G S Tipo enriquecimiento G
D S Tipo deplexin
Canal P
Comparacin de los circuitos de polarizacin para trabajar en zona resistiva o en zona de fuente de corriente con MOSFET de ambos tipos de canal
ID -ID
R
D G
R
D G
+ V1 -
+ VDS -
V2 V1
+ -
+ VDS -
V2
VGS
VGS
Canal N
Canal P
Hay que invertir los sentidos reales de tensiones y corrientes para operar en los mismas zonas de trabajo.
ATE-UO Trans 114
R IG 0
V1 D G V2
R IG = 0
+ V1
D G S
V2
MOSFET, canal N
VGS
La potencia que la fuente V1 tiene que suministrar estticamente en un MOSFET es cero. Por tanto, la corriente IG es ms pequea an que en el caso del JFET (que es casi cero, al estar polarizada inversamente la unin puerta-canal). La tensiones V1 y V2 comparten terminales del mismo signo en el caso del MOSFET. Esto facilita el control.
Muy importante
ATE-UO Trans 115
D
N+
+
D G S
Substrato
El terminal puerta al aire es muy sensible a los ruidos. El xido se puede llegar a perforar por la electricidad esttica de los dedos. A veces se integran diodos zener de proteccin. Existe un diodo parsito entre fuente y drenador en los MOSFET de enriquecimiento.
ATE-UO Trans 116