JOSE ANGEL FLORES AAMURO

El JFET de canal n est constituido por una barra de silicio de material semiconductor de tipo n con dos regiones (islas) de material tipo p situadas a ambos lados. Es un elemento tri-terminal cuyos terminales se denominan drenador (drain), fuente (source) y puerta (gate). En la figura 1.10.a se describe un esquema de un JFET de canal n, en la 1.10.b el smbolo de este dispositivo y en la 1.10.c el smbolo de un JFET de canal P La polarizacin de un JFETexige que las uniones p-n estn inversamente polarizadas. En un JFET de canal n, o NJFET, la tensin de drenador debe ser mayor que la de la fuente para que exista un flujo de corriente a travs de canal. Adems, la puerta debe tener una tensin ms negativa que la fuente para que la unin p-n se encuentre polarizado inversamente. Ambas polarizaciones se indican en la figura 1.11. Las curvas de caractersticas elctricas de un JFET son muy similares a las curvas de los transistores bipolares. Sin embargo, los JFET son dispositivos controlados por tensin a diferencia de los bipolares que son dispositivoscontrolados por corriente. Por ello, en el JFET intervienen como parmetros: ID (intensidad drain o drenador a source o fuente), VGS (tensin gate o puerta a source o fuente) y VDS (tensin drain o drenador a source o fuente). Se definen cuatro regiones bsicas de operacin: corte, lineal, saturacin y ruptura. A continuacin se realiza una descripcin breve de cada una de estas regiones para el caso de un NJFET.

Principio de operacin. C-MOS FET es la abreviacin de Complementary Metal OxideSemiconductor Field Effect Transistor Complementary MOS FET MOSFET complementario. Este circuito es la combinacin de un MOSFET de canal P y un MOSFET de canal N. Funcionamiento: - Cuando la entrada tiene un nivel de tensin negativo (L), el MOSFET de canal P conduce y el MOSFET decanal N no lo hace - Cuando la entrada tiene un nivel de tensin positivo (H), el MOSFET de canal N conduce y el MOSFET decanal P no lo hace Se puede ver que el funcionamiento de ambos es siempre opuesto. Una caracterstica importante de este circuitos es que la corriente de salida, que se puede considerar relativamente alta, es controlada con facilidad. Cuando la entrada est en nivel bajo (L), la salida est conectada directamente a la fuente de alimentacin a travs del MOS FET de canal P y se tiene un nivel alto (H). Cuando la entrada est en nivel alto (H), la salida est conectada directamente a la tierra a travs del MOS FET de canal N y se tiene un nivel bajo (L). El nivel de salida de la salida es siempre el inverso que el de la entrada (hay inversin de fase). En el circuito C-MOS FET el MOSFET de canal P y el de canal N podran no iniciar o dejar la conduccin bajo las mismas condiciones, esto debido a que la tensin en la compuerta, que hace que el MOSFET deje de conducir, tiene un valor que va de 1 a 2 voltios. Esta caracterstica depende de cada MOSFET en particular y es comn observar que la corriente de drenaje de un MOSFET es cero (MOSFET en corte) an cuando la tensin en la compuerta no lo sea.

Un fototransistor es, en esencia, lo mismo que un transistor normal, slo que puede trabajar de 2 maneras diferentes: - Como un transistor normal con la corriente de base (IB) (modo comn) - Como fototransistor, cuando la luz que incide en este elemento hace las veces de corriente de base. (IP) (modo de iluminacin). Se pueden utilizar las dos en forma simultnea, aunque el fototransistor se utiliza principalmente con la patita de la base sin conectar. (IB = 0) La corriente de base total es igual a corriente de base (modo comn) + corriente de base (por iluminacin): IBT = IB + IP Si se desea aumentar la sensibilidad del fototransistor, debido a la baja iluminacin, se puede incrementar la corriente de base (IB), con ayuda de polarizacin externa El circuito equivalente de unfototransistor, es un transistorcomn con un fotodiodo conectado entre la base y el colector, con el ctodo del fotodiodo conectado al colector del transistor y el nodo a la base. El fototransistor es muy utilizado para aplicaciones donde la deteccin de iluminacin es muy importante. Como el fotodiodo, tiene un tiempo de respuesta muy corto, solo que su entrega de corriente elctrica es mucho mayor. En el grfico se puede ver elcircuito equivalente de unfototransistor. Se observa que est compuesto por un fotodiodo y un transistor. La corriente que entrega el fotodiodo (circula hacia la base del transistor) se amplifica veces, y es la corriente que puede entregar el fototransistor.

Llamado tambin transistor de punta de contacto, fue el primer transistor capaz de obtener ganancia, inventado en 1947 por J. Bardeen y W. Brattain. Consta de una base de germanio, semiconductor para entonces mejor conocido que la combinacin cobre-xido de cobre, sobre la que se apoyan, muy juntas, dos puntas metlicas que constituyen el emisor y el colector. La corriente de base es capaz de modular la resistencia que se "ve" en el colector, de ah el nombre de "transfer resistor". Se basa en efectos de superficie, poco conocidos en su da. Es difcil de fabricar (las puntas se ajustaban a mano), frgil (un golpe poda desplazar las puntas) y ruidoso. Sin embargo convivi con el transistor de unin (W. Shockley, 1948) debido a su mayor ancho de banda. En la actualidad ha desaparecido.

El transistor de unin bipolar, o BJT por sus siglas en ingls, se fabrica bsicamente sobre un monocristal de Germanio, Silicio o Arseniuro de galio, que tienen cualidades de semiconductores, estado intermedio entre conductores como los metales y los aislantes como el diamante. Sobre el sustrato de cristal, se contaminan en forma muy controlada tres zonas, dos de las cuales son del mismo tipo, NPN o PNP, quedando formadas dos uniones NP. La zona N con elementos donantes de electrones (cargas negativas) y la zona P de aceptadores o "huecos" (cargas positivas). Normalmente se utilizan como elementos aceptadores P al Indio (In), Aluminio (Al) o Galio (Ga) y donantes N al Arsnico (As) o Fsforo (P). La configuracin de uniones PN, dan como resultado transistores PNP o NPN, donde la letra intermedia siempre corresponde a la caracterstica de la base, y las otras dos al emisor y al colector que, si bien son del mismo tipo y de signo contrario a la base, tienen diferente contaminacin entre ellas (por lo general, el emisor est mucho ms contaminado que el colector). El mecanismo que representa el comportamiento semiconductor depender de dichas contaminaciones, de la geometra asociada y del tipo de tecnologa de contaminacin (difusin gaseosa, epitaxial, etc.) y del comportamiento cuntico de la unin.