El transistor bipolar

Clase # 9 y 10

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 El Transistor Bipolar
 Es un dispositivo electrónico de estado sólido consistente en dos
uniones PN muy cercanas entre sí, que permite controlar el paso
de la corriente a través de sus terminales. Los transistores
bipolares se usan generalmente en electrónica analógica. También
en algunas aplicaciones de electrónica digital como la tecnología
TTL o BICMOS. Un transistor de unión bipolar está formado por
dos Uniones PN en un solo cristal semiconductor, separados por
una región muy estrecha. De esta forma quedan formadas tres
regiones:
 Emisor : Esta fuertemente dopada comportándose como un metal
 Base : Es muy estrecha y separa al emisor del colector
 Colector: Es de extensión muy mayor

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 Características estáticas del
transistor
 Símbolos del transistor de unión

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 Características estáticas del
transistor bipolar
 Colector común : se polariza de forma que el
transistor este en activa para que este en su
funcionamiento.

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 Base común : se polariza tomando (Vb<Vc)

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 Emisor común: se polariza en región activa.

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 Función de transferencia para el dtl

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 Ecuaciones entre relaciones de
corriente-voltaje
 Relación entre corriente voltaje.

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 El punto de polarizacion se muestra entre la
intersección de Vce y Ic segmento

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 Ganancia de voltaje
 Se define como la relación entre amplitudes de
salida y de entrada cuya expresión es:

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 …La ganancia de corriente
En esta figura se deja notar el calculo de la
corriente basándose en IC (corriente del
colector)

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Regiones del BJT
 Región de corte:
Un transistor esta en
corte cuando:
corriente de colector =
corriente de emisor =
0, (Ic = Ie = 0)
 En este caso el voltaje
entre el colector y el
emisor del transistor es
el voltaje de
alimentación del
circuito.

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 Región de saturación: Un
transistor está saturado cuando:
corriente de colector = corriente de
emisor = corriente máxima, (Ic = Ie
= I máxima)
 En este caso la magnitud de la
corriente depende del voltaje de
alimentación del circuito y de los
resistores conectados en el colector o
el emisor o en ambos 13
 Cuando un transistor no está ni en
su región de saturación ni en la
región de corte entonces está en una
región intermedia, la región activa.
 En esta región la corriente de
colector (Ic) depende principalmente
de la corriente de base (Ib), de β
(ganancia de corriente de un
amplificador, es un dato del
fabricante) y de las resistencias que 14
 Configuraciones de los
amplificadores
 Hay tres tipos de configuraciones típicas en los
amplificadores con transistores, cada una de ellas con
características especiales que las hacen mejor para cierto
tipo de aplicación. y se dice que el transistor no está
conduciendo. Normalmente este caso se presenta cuando
no hay corriente de base (Ib = 0)

- Amplificador emisor común

- Amplificador colector común
- Amplificador base común

 Nota: Corriente de colector y corriente de emisor no son

exactamente iguales, pero se toman como tal, debido a la
pequeña diferencia que existe entre ellas, y que no afectan
en casi nada a los circuitos hechos con transistores.

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Fuente darlington

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 El efecto de la temperatura en el
transistor bipolar
 Un factor muy importante, capaz de
desestabilizar a los transistores y que todavía
no se ha tomado en cuenta, es la temperatura.

 Se sabe que los semiconductores pueden

permitir el paso de corriente, pero necesitan
una pequeña ayuda; se les puede dopar, o
aumentar la temperatura, para que circulen los
electrones. Pues bien, los transistores son
uniones PN, y los materiales tipo P y tipo N
son semiconductores dopados, luego van a
permitir el paso de la corriente. Pero, por ser 17
semiconductores, les va a influir mucho una
 Modelo Eber-moll
Es un modelo que se basa en efecto Early (una vez
polarizado el transistor en su región activa se
producen variaciones de corrientes) y la relación
de las tensiones aplicadas con la corriente del
colector, incluyendo la carga en la base del
transistor.

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El transistor bipolar en microondas
 Se denomina microondas a unas ondas
electromagnéticas definidas en un rango de
frecuencias determinado; generalmente de entre
300 MHz y 300 GHz, que supone un período de
oscilación de 3 ns (3×10-9 s) a 3 ps (3×10-12 s) y
una longitud de onda en el rango de 1 m a 1 mm.
Otras definiciones, por ejemplo las de los
estándares IEC 60050 y IEEE 100 situan su rango
de frecuencias entre 1 GHz y 300 GHz, es decir,
longitudes de onda de entre 30 cm a 1 mm.

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 Movimiento de las cargas en el
interior del transistor BJT
 Proceso de recombinación en la corriente de
base.

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Relación de portadores, huecos y
corrientes

21
Fin de la clase 9 y 10

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Contacto metal - semiconductor
Clase # 9 y 10

23
El contacto del material
semiconductor
 Esta relación
depende
principalmente del
dopaje de la
función de trabajo
semiconductor y
del metal.

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 Modelo de bandas de energías
 Tipos de
polarizaciones
en los
semiconductore
s..

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 Tipos de semiconductores
Semiconductor tipo N
Equilibrio térmico Polarizacion
activa

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Semiconductor tipo P
Equilibrio térmico Polarización

Activa

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 El efecto Schottky
 Se origina una región de acumulación de portadores en el cual
la función trabajo del semiconductor es mayor que la del
metal. En la siguiente figura se presenta la banda de energía
entre una superficie metálica y el vació .

28
 El proceso de transporte de la
corriente
 Contacto túnel : se forma cuando el efecto de
la barrera se hace despreciable esto sucede
cuando se llena de dopado el semiconductor,
posee una resistencia .se produce este efecto
para las dos polarizaciones

29
 Proceso de emisión termoiónica y de difusión:
en el se ve el transporte básico en polarizacion
directa

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 La barrera potencial
 La concentración de portadores alcanza un
equilibrio dinámico cuando la fuerza del
campo eléctrico equilibra la difusión campo
eléctrico produce así una barrera potencial
presente en toda la zona de transición.

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 Fin de clase 11 y 12

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