Atenuación de las

líneas MICROSTRIP
 Atenuación de la Línea
MICROSTRIP

Las causas mas importantes de atenuación son:

Atenuación del Conductor
Las principales causas de
atenuación son:
 La resistencia finita de la
línea MICROSTRIP y la
metalización de masa.
 Debido a que la operación
ocurre por debajo de la
frecuencia de
 Aceptancia
 La Impedancia superficial
específica RF debido al
efecto piel.
 La dependencia de la
frecuencia que presentan
las densidades de corriente
Longitudinales y
transversales, no es tan
precisa.
 Efecto de la Sujeción
Superficial
 En la técnica MICROSTRIP
de película fina se necesita
aplicar una delgada capa
de sujeción de unos 0,02-
0,1μm de grosor entre el
sustrato y la cinta
conductora de la línea así
como entre el sustrato y la
Conductor con capa de sujeción capa metalizada de masa.
 Esta cinta conductora esta
hecha con un material con
elevada conductividad
como el Oro.
 Para la capa de sujeción se
usan materiales con muy
baja conductividad como el
Cromo.

Conductor sin capa de sujeción

Efecto de la Sujeción
Superficial
 Con esta tecnología se
eleva la atenuación del
conductor en
dependencia con la
relación entre el grosor
de la capa de sujeción
respecto a la
profundidad de
penetración tH/δH entre
la relación de la
Impedancia del
conductor respecto a la
Impedancia de la capa
de sujeción ρL/ ρH.

 En la figura se muestra
el resultado del cálculo
estático
 Efecto de la Aspereza
Superficial
 Todos los sustratos presentan a nivel
microscópico superficies ásperas.
 La superficie áspera aparece después de
la metalización del sustrato tanto del lado
de la cinta conductora como del lado de
masa.
 Efecto de la Aspereza
Superficial
 La superficie superior y el límite lateral de
la cinta conductora presentan también
cierta aspereza.
 Se generan más pérdidas como
consecuencia de la distribución no
homogénea de la densidad de corriente,
la cual es modulada por el ritmo de la
aspereza superficial, debido al incremento
de la densidad de corriente causado por el
efecto piel.
 Este efecto se expresa con un incremento
de la Atenuación superficial del conductor.
 Efecto de la Aspereza
Superficial

 Impedancia superficial específica efectiva en

función de la profundidad de aspereza efectiva
normada.
Atenuación del Dieléctrico
 Se generan pérdidas
dieléctricas debido a las
pérdidas por descargas
en el sustrato
 Pueden determinarse
con el Factor de
Pérdidas o Tangente de
Pérdidas
 Es válido para
frecuencias no muy
altas y que
aproximadamente sean
independientes de la
frecuencia
 En la figura: tenuación
superficial normada del
dieléctrico del
MICROSTRIP para
f=1GHz, tanδε=0,001 en
función de la anchura
normada del conductor
w/h
Perdidas por Derivación
 La genera el valor finito
de la conductividad
eléctrica específica κ
del material usado
como sustrato.
 En la figura:
Atenuación Superficial
de Derivación normada
de la línea MICROSTRIP
para κ=0,001(Ωcm)-1
en función de la
Anchura normada del
conductor w/h.
Amplificadores de
Altas Frecuencias
 Amplificadores de Altas
Frecuencias

 Son sistemas activos de uno,

dos o múltiples puertos.
 Amplifican las señales de
entrada con ayuda de fuentes
de energía externas.
 Son usados con mucha
frecuencia.
 Características Importantes

 Nivel de saturación de
salida.
 Impedancia de entrada y de
salida.
 Factor de transferencia en
función de la frecuencia.
 Características Importantes
El diseño de los Amplificadores depende de:
 Separación señal a ruido.
 Distorsión.
 Eficiencia.
 Consumo de Potencia para corriente
continua.
 Estabilidad respecto a:
 La variación de la Impedancia de carga.
 La variación de la Temperatura.
 El envejecimiento de los componentes.
Clasificación Respecto a la
Aplicacion
Clasificación Respecto al Circuito
Idealizado
 Amplificadores de Altas
Frecuencias de Dos Puertos

Es importante analizar detalladamente las

características de los amplificadores para
Altas Frecuencias (f>100MHz).
 En esta región de frecuencias se puede
modelar las características de los
componentes con Parámetros de
dispersión “S”.
 Triodos al vacío y Transistores como
elementos amplificadores clásicos
favorecen el montaje de amplificadores de
dos puertos
 Amplificadores de Altas
Frecuencias de Dos Puertos

Debido a su estructura interna de tres

polos tienen un electrodo común
para la entrada y la salida y pueden
ser representados como una red de
dos puertos
 Amplificadores de Altas
Frecuencias de Dos Puertos
oPara operación de pequeña
señal en el análisis del uso
de componentes en
configuraciones circuitales
mas complejas es suficiente
el uso de la matriz de
dispersión [S(ω)].

oSon válidas las siguientes

condiciones ideales:
 Amplificadores de Altas
Frecuencias de Dos Puertos.
Circuitos Básicos
 Amplificadores de Altas
Frecuencias de Dos Puertos.
Circuitos Básicos
 Para convertir una configuración básica en
otra se parte de una representación de
tres puertos, como se observa en la figura

 Lo cual resulta en altas frecuencias

tomando la representación de dos polos.
 Amplificadores de Altas
Frecuencias de Dos Puertos.
Circuitos Básicos
 Dado que los Parámetros S, se
refieren siempre a un espacio
 geométrico definido, la
simplificación de este cálculo se
permite solo hasta
aproximadamente 10GHz.
 Para aplicaciones de mas altas
frecuencias se debe realizar una
medición independiente y separada
para cada configuración básica.
 Amplificadores de Altas
Frecuencias de Dos Puertos.
Circuitos Básicos
 Las siguientes ecuaciones describen la
relación entre la onda de entrada y de
salida.

Para determinar los parámetros de

Dispersión del Sistema de dos
puertos del transistor Stki. Se
cortocircuita uno de los puertos,
dependiendo este cortocircuito de la
configuración básica para la cual se
determinaron los parámetros.
 Retroalimentación
 Se obtiene una retroalimentación si en un sistema
activo de dos puertos, por ejemplo un amplificador, las
magnitudes de salidas retornan a la entrada.

En un sistema de dos puertos eléctrico activo:

 Pueden una o ambas magnitudes de salida como:
 Tensión de salida,
 Corriente de salida
 Variar una o ambas magnitudes de entrada como:
 Tensión de entrada,
 Corriente de entrada.
 Se pueden dos tipos de retroalimentaciones:
 Retroalimentación positiva, en fase, y
 Retroalimentación negativa, en contra fase.
 Retroalimentación.
Aplicaciones
 Incremento del ancho de banda.
 Acoplamiento de Impedancias,
 Estabilización,
 Disminución de la distorsión no
lineal de los amplificadores.
 Limitando la aplicación al caso:
Donde una sola magnitud de salida
controla una sola magnitud de
entrada.
Retroalimentación
a) Serie-Serie.
b) Paralelo-Paralelo.
c) Serie-Parelelo.
d) Paralelo-serie.

• [Sa] Sistema de dos

puertos activo.
• [Sb] Sistema de dos
puertos de
retroalimentación
Retroalimentación. Determinación
de la Matriz de Dispersión
 Se convierten para tal fin los Parámetros de
Dispersión en los Parámetros adecuados para el
 tipo de aplicación,
c) en parámetros Z;
d) en parámetros Y;
e) En parámetros H;
f) en parámetros P
 • Por medio de este procedimiento se obtiene
 una matriz Z, Y, H, P de forma sencilla de la
 suma de las matrices parciales.
Retroalimentación. Determinación
de la Matriz de Dispersión
 Haciendo uso de
la
transformación
inversa se
obtiene la
matriz de
dispersión total
[SR] buscada.

Con:
• ΔS=S11S22-S12S21
Retroalimentación. Determinación
de la Matriz de Dispersión

 Ecuaciones
para las
transformacion
es inversas,
con:
ΔY=Y11Y22-Y12Y21
 Retroalimentación. Determinación
de la Matriz de Dispersión

a) FET retroalimentado negativamente.

b) Diseño práctico en técnica MICROSTRIP.
 La Impedancia Z3 se realiza como un
circuito abierto con una línea reactiva
alargable por pasos