1 ATENUACIÓN DE LA

LINEA MICROSTRIP

• Efectos de las diferentes capas y de la atenuación en una línea

MICROSTRIP generalizada.
TENUACIÓN DEL CONDUCTOR
• Para una frecuencia de
operación por debajo de la
frecuencia estática límite los
resultados pueden presentar
• Estas relaciones se obtuvieron
un error de 8%.
• Siendo: en base al Principio del
• ρ La Impedancia Incremento de la Inductividad
específica.
• δ La profundidad de
penetración.
El Coeficiente de Atenuación.
• Aρ el factor geométrico
enSedB
• puede calcular la
independiente de εr y
anchura
dependiente
equivalente delde la La Impedancia Superficial.
relación w/hweq,0
conductor
con las ecuaciones
siguientes:

Ecuación analítica Ecuación sintética

• Coeficiente de Atenuación normado α* ρ del MICROSTRIP
para f=1GHz, εr=1, h=1mm y ρ=1,72.10-6Ωcm para el
cobre en función de la anchura normada del conductor
 • Con la relación siguiente se EFECTO DE LA SUJECIÓN SUPERFICIAL
obtiene la atenuación real
partiendo del valor normado α*
ρ, para cualquier valor de
“f” en GHz, “h” en mm,
εr,eff(w/h, εr) y ρ en Ωcm,
αρ se expresa en dB/cm.

• La Profundidad de
Conductor con capa de sujeción.
penetración está dada por:

• Para cobre es válido:

• Por lo tanto:
para 100GHz. Conductor sin capa de sujeción.
Incremento de la Atenuación del conductor dependiente de la
capa de sujeción αρ,efec/ αρ,efec en función del grosor
normado de la capa de sujeción.
FECTO DE LA ASPEREZA SUPERFICIAL
• Todos los sustratos presentan a • Se generan más pérdidas como
nivel
microscópico superficies consecuencia de la distribución
• La superficie superior y el límite
ásperas. no
lateral
homogénea de la densidad de
de la cinta conductora
presentan
corriente, la cual es modulada
también cierta aspereza.
por el
ritmo de la aspereza
superficial, Debido
al incremento de la densidad
de
corriente causado por el efecto
piel.
 representa el valor medio
cuadrático de la Aspereza
Superficial.

• Algunos valores prácticos de

σeff son:
• Para Cerámica pulida
Al2O3:
• Para Cerámica sin
pulimento
Al2O3:
• Para sustrato de plástico: • Impedancia
superficial
específica
efectiva en
función de la
profundidad de
aspereza
efectiva
normada.
TENUACIÓN DEL DIELÉCTRICO
• Se generan pérdidas
dieléctricas
debido a las pérdidas por
descargas
• Válido para frecuencias no
en el sustrato
muy
altas y que
aproximadamente es
• Para los Dieléctricos
independiente de es
la válido:
frecuencia

• La Atenuación Superficial en
dB/cm para cualquier
frecuencia f en GHz y para
todo Factor de Pérdidas, se
obtiene con la expresión
• Anchura normada del conductor
siguiente: • Atenuación superficial normada del
dieléctrico α*ε del MICROSTRIP para
f=1GHz, tanδε=0,001 en función de
la anchura normada del conductor
PÉRDIDAS POR DERIVACIÓN
• Las pérdidas por derivación la
genera el valor finito de la
conductividad eléctrica
específica κ del material
usado como sustrato.
• Para la Atenuación Superficial
se obtiene para κ in (Ωcm)-1
la relación:

Conductividad de algunos
materiales
semiconductores:

• Atenuación Superficial de
Derivación normada α* κ de la
línea MICROSTRIP
para κ=0,001(Ωcm)-1 en función
MPLIFICADORES DE ALTAS FRECUENCIAS
• Clasificación de acuerdo
Clasificación de acuerdo a la aplicación.
al circuito equivalente
idealizado

AMPLIFICADORES DE ALTAS FRECUENCIAS

DE DOS
• Básicamente PUERTOS
se puede
describir
un Amplificador con la
representación de la
figura a
continuación:
AMPLIFICADORES DE ALTAS FRECUENCIAS DE DOS
PUERTOS. CIRCUITOS BÁSICOS.
Representación de tres • Las ecuaciones siguientes
puertos de un sistema de describen la relación entre
dos puertos la onda de entrada y de
salida,
• Se toma como referencia
para la deducción de las
ecuaciones la figura
anterior.

• Representación de tres puertos

de un sistemas de dos puertos
 RETROALIMENTACIÓN. a) Serie-Serie.
• Se obtiene una
retroalimentación si en
un sistema activo de
dos puertos, por ejemplo
un amplificador, las
magnitudes de
salidas retornan a la
entrada.
b) Paralelo-Paralelo. c) Serie-Parelelo.
 d) Paralelo-serie.

a) FET retroalimentado
negativamente.
b) Diseño práctico en técnica
MICROSTRIP.