Cap III: Tranzistoare bipolare

3.1 Structura fizic. Funcionare n fig.3.1 este reprezentat structura fizic de principiu a unui tranzistor npn discret. Tranzistorul discret din figur este de tip dublu difuzat - difuzia tip p a bazei n substratul tip n dopat uniform cu donori i difuzia tip n++ a emitorului n difuzia p a bazei . Tranzistorul bipolar npn integrat este triplu difuzat, necesitatea unei difuzii suplimentare fiind determinat de faptul c n circuitele integrate terminalul de colector este n acelai plan cu cele de B i E curentul principal (ntre terminalele C i E) circulnd paralel cu suprafaa cipului i nu transversal prin cip ca la TB discret - fig. 3.2

Fig. 3.1 Privit de deasupra aria ocupat de TB , n fig. 3.1, este de form dreptunghiular sau ptrat i are valoarea dependent de curentul maxim permis prin structur. Din fig. 3.2 s observm c dispozitivul are dou jonciuni : - jonciunea n+p emitoare (JE ) ; - jonciunea np colectoare (JC) ; Pentru obinerea celor dou jonciuni se pleac de la placheta de siliciu monocristalin (disc mare) de tip n (concentraia atomilor pentavaleni este relativ mic i uniform n tot volumul plachetei),

N D ( substrat ) (1012....1013 )

, i la temperatura absolut T=300K (temperatura mediului ambiant aproximativ 270C) va rezulta aceeai concentraie de electroni liberi n tot volumul plachetei, n = ND. Urmeaz o difuzie n stare solid cu atomi acceptori n locuri precis delimitate prin fotolitografie (rmn guri n Si02 prin care se vede suprafaa siliciului prin care se face difuzia acceptorilor, atomi trivaleni). Aceast difuze este pentru implementarea zonei p a bazei tranzistorului npn. Concentraia atomilor trivaleni difuzai este mai mare fa de concentraia donorilor pentavaleni din substrat astfel nct se obine inversarea tipului de semiconductor; a fost nainte de tip n i dup difuzie devine de tip p.

atomi = const . cm3

N A(baza ) (1014....1015 )

atomi cm3

Dup alte procese tehnologice care includ i o nou fotolitografie se delimiteaz locurile n care se realizeaz zona n+ a emitorului. Aceast difuzie va inversa de asemenea tipul zonei n care este implementat (emitorul tip n+ este implementat n baza de tip p). i din punct de vedere funcional este necesar o dopare mult mai puternic a emitorului fa de doparea bazei.

N D ( emitor ) (1016....1018 )

atomi cm3

Cele dou jonciuni ale TB rezult prin schimbarea tipului de semiconductor. n toat literatura de tip didactic, pentru explicarea fenomenelor fundamentale din TB i modelarea matematic a acestora se consider doar o zon de tipul celei din fig.3.2 n care zonele de curbur ale jonciunii emitoare nu sunt luate n consideraie.

Fig. 3.2 Tranzistorul bipolar de tip pnp se obine similar i are structura didactic di fig. 3.3.

Fig. 3.3 Tranzistorul npn (sau pnp) i realizeaz funcia principal i anume amplificarea curentului de baz, numai dac jonciunea emitoare este direct polarizat, iar jonciunea colectoare este invers polarizat. Funcionarea tranzistoarelor cu JE polarizat direct i JC polarizat invers definete regimul activ normal de funcionare (RAN). n circuitele electronice gsim tranzistorul funcionnd i n celelalte regimuri: JE invers polarizat i JC polarizat direct (regimul activ inversat RAI - n acest regim parametrul principal ,

amplificarea n curent, este foarte slab fa de regimul anterior), ambele jonciuni polarizate direct (regimul saturat) i ambele jonciuni polarizate invers(regimul blocat). Fenomenele fizice principale din TB, care asigur proprietatea de amplificare, pot fi urmrite pe fig. 3.4 unde sursa VBB polarizeaz direct JE iar sursa VCC VBB polarizeaz invers JC (se asigur regimul activ normal).

r E

Fig. 3.4 n zona n+ a emitorului din apropierea jonciunii emitoare, existnd foarte muli electroni liberi, polarizarea direct a acesteia va determina injecie de electroni (prin jonciune) n zona p a bazei mai slab dopate. Exist i injecie invers, de goluri din baz spre emitor, dar cu cteva ordine de mrime mai redus din cauza doprilor foarte diferite ale celor dou zone. Concluzia este c din emitor pleac spre colector un flux de purttori liberi de electroni. Electronii trecui de VBB prin jonciune sunt n exces i totui minoritari n baza de tip p (se numete nivel mic de injecie) unde exist multe goluri libere. Purttorii n exces se vor deplasa prin difuzie prin baza p (direcia de difuzie a purttorilor liberi este dinspre zona unde sunt muli spre zonele unde sunt puini purttori liberi de acelai tip) spre jonciunea colectoare invers polarizat i vor fi captai de cmpul electric din regiunea golit de purttori a acesteia. Electronii de tip n exces care ajung la regiunea golit de purttori liberi a jonciunii colectoare vor fi trecui prin micare de drift electric spre zona n neutr a colectorului, zon n care se vor recombina cu goluri sosite n flux constant (regim staionar) de la sursa VCC prin terminalul colector al TB. Nu toi electronii fluxului de electroni care traverseaz jonciune emitoare ajung n regiunea neutr a colectorului pentru c o parte din aceti electroni se recombin cu goluri din baza p. Dei baza este subire, curgerea prin difuzie necesit o anumit durat de timp care este mai mare fa de timpul mediu de via al electronilor n exces n baz. Consumul de goluri n baz, pentru recombinri, este completat n regim staionar de goluri care sosesc prin terminalul baz, de la sursa

VBB i apare astfel un curent de goluri prin terminalul baz. Pe lng aceast component de curent de goluri, prin terminalul baz vin goluri care asigur i injecia slab de goluri prin jonciunea emitoare polarizat direct. Aceast component a curentului de baz este nesemnificativ ca mrime fa de cea anterioar care ntreine recombinrile din baz cu electroni n exces sosii din emitor. De mai sus se rein urmtoarele aspecte eseniale: - polarizri directe ale jonciunii emitoare, VBE = 0.5V .....0.7V pentru dispozitive realizate n siliciu, asigur un flux de electroni prin terminalul emitor, cu att mai important cu ct polarizarea direct este mai puternic, - o parte din electronii acestui flux ajung pn n zona neutr n a colectorului unde se recombin cu goluri care asigur un curent de colector, - curentul de emitor (flux de electroni) este mai mare fa de curentul de colector, - curentul de colector (curentul principal al dispozitivului) este determinat de modul de deplasare prin structur att a electronilor liberi ct i a golurilor, motiv pentru care dispozitivul este de tip bipolar. - n TB tip npn curentul principal, transversal prin cipul TB discret, este de fapt flux de electroni (cele dou jonciuni sunt parcurse de electroni). - controlul curentului principal (mrimea curentului de colector) se poate face prin modificarea polarizrii directe care de fapt nseamn modificarea curentului de goluri cerut prin terminalul baz (curentul de baz). - orice TB poate fi caracterizat de un factor de pierderi totale n baz ( n cazul npn pierderi de electroni injectai din emitor). Acest factor, se noteaz cu i este cuprins ntre 0.001 i 0.1 la tranzistoarele practice. 3.2 Ecuaiile curenilor TB n fig. 3.5 sunt definite mrimile electrice eseniale de la terminalele TB npn respectiv pnp.

Fig. 3.5 Pentru determinarea curenilor tranzistorului vom utiliza ecuaia Schokley pentru curentul total al jonciunii emitoare:

vBE iE = I ES (e VT - 1 ), pentru TB npn vEB V iE = I ES (e T - 1 ), pentru TB pnp

( 3.1 )

Jonciunile emitoare fiind dopate puternic asimetric (este necesar doparea mult mai puternic a emitorului fa de baz pentru ca emitorul s fie eficient - variaii mici ale tensiunii directe pe jonciunea emitoare s determine variaii mari ale concentraiilor de purttori injectai), n relaiile (3.1) s-a considerat a = 1. Curenii IES au semnificaia curentului de saturaie IS al diodei. Proprietatea fundamental a TB, de a amplifica, este specificat de fabricanii de tranzistoare bipolare prin factorul de amplificare care este definit pe baza valorilor curenilor la terminale (acetia se pot msura). Pentru regimul RAN se definete,

F =

iC , cu J E pol. direct si cu JC pol. invers iB

(3.2) ,

,iar pentru regimul inversat se definete,

R =

/ iE / , cu JC pol. direct si cu J E pol. invers iB

(3.3)

Factorul de amplificare n curent este o mrime pozitiv adimensional i n RAN 1/ . n RAI jonciunea colectorului devine emitore i colectorul fiind slab dopat fa de baz injecia de electroni din colector n baz nu va fi eficient. Orice TB are iE = iB + iC . Curentul de colector poate fi privit ca un rezultat al mrimii curentului de emitor i din acest motiv se mai definete un factor (coeficient) de transport al curentului de emitor sau factor de amplificare al curentului de emitor, notat .

=/

Cu definiiile de mai sus pentru , i legtura ntre cei cureni la terminale, iE = iB + iC , se pot scrie:

iC /, iE

(3.4)

F ( R) <1 F ( R ) = 1 + F (R) , F (R) = >1 F ( R) 1 F ( R )

(3.5) .

De asemenea dac avem n vedere i ecuaiile (3.1) vor rezulta expresii curenilor de colector:

vBE iC = ICS (e VT - 1 ), pentru TB npn vEB V iC = ICS (e T - 1 ), pentru TB pnp ICS = I ES = I ES 1+

( 3.6 ) ,

iar pentru curenii de baz,

vBE iB = I BS (e VT - 1 ), pentru TB npn vEB V iB = I BS (e T - 1 ), pentru TB pnp 1 I BS = (1 ) I ES = I ES 1+

( 3.7 ) .

S observm c toi curenii la terminale sunt proporionali cu mrimea tehnologic IES, curentul de saturaie al jonciunii emitoare, mrime direct proporional cu aria jonciunii. 3.3 TB n circuit. Moduri de conectare Dei tranzistorul bipolar are trei terminale pentru conectare n circuit, n majoritatea situaiilor poate fi analizat ca un cuadripol cu patru terminale, fig. 3.6. n toate aceste situaii un terminal al tranzistorului trebuie s fie born comun intrrii i ieirii cuadripolului.

Fig. 3.6 Conexiunile de acest tip sunt: - TB n conexiune emitor comun (EC), fig. 3.7; - TB n conexiune baz comun (BC), fig. 3.8; - TB n conexiune colector comun (CC), fig. 3.9.

Fig. 3.7

Fig. 3.8

Fig. 3.9 n toate cele trei tipuri de conexiuni (se pot reprezenta i pentru pnp) se observ c n circuitul de ieire (pe ochiul de ieire) este inclus terminalul colector, prin care se furnizeaz curentul comandat al tranzistorului bipolar. De asemenea, pe ochiul de intrare apare tot timpul terminalul baz pe (prin) care se aplic mrimea electric de comand. 3.4 Caracteristici statice de ieire n conexiunea EC. Performanele unui TB n circuit pot fi apreciate cantitativ dac se cunosc caracteristicile statice de ieire definite de familiile de curbe din planul (vCE ,O, iC).

iC = iC (vCE ) I B =const

(3.8) .

Un circuit simplu care permite preluare de date experimentale pentru trasarea grafic a caracteristicilor de ieire este reprezentat n fig. 3.10.

Fig. 3.10 Din sursa dea alimentare VCC reglabil se fixeaz valori pentru vCE (axa absciselor) iar din sursa de polarizarea a bazei VBB, prin rezistorul RB, se fixeaz parametrul (de comand) IB =const. O caracteristic de ieire rezult astfel: - din VBB se regleaz o valoare IB =constant, de exemplu IB =2uA, - se modific VCC cresctor de la 0V i pentru fiecare valoare VCC se msoar i se reine curentul de colector iC. Reprezentarea grafic a familiilor de caracteristici de ieire , pentru cureni de baz cresctori cu acelai pas 2uA, este ca n fig. 3.11. n figur, reprezentat pentru tensiuni colector - emitor nu foarte mari, se pot pune n eviden urmtoarele:

Fig. 3.11 - caracteristicile reale nu corespund modelului matematic al curenilor prin TB. Ideal o caracteristic ar trebui s fie paralel ca axa absciselor. Fenomene de ordinul II, ce vor fi

explicate ntr-un paragraf ulterior, determin nclinarea caracteristicilor, cu att mai mult cu ct parametrul IB este mai mare; - pentru o valoare IB = constant, la scderea tensiunii vCE sub 0.5V curentul de colector scade rapid deci scade rapid factorul de amplificare . Tranzistorul intr n regim saturat (zona haurat) dac cele dou jonciuni devin polarizate direct (scderea tensiunii vCE sub 0.5V determin trecerea jonciunii colectoare n regim de polarizare direct; Caracteristicile reale nu sunt echidistante dei pasul de cretere al curentului parametru este acelai, 2uA n exemplul din fig. 3.11. Acest aspect implic valori diferite pentru amplificarea curentului de baz n regim continuu fa de regimul variabil. Pentru un punct de funcionare Q din planul caracteristicilor statice de ieire se definesc: factorul de amplificare static al curentului de baz,

F (Q ) =
-

IC IB

(3.9) ;
Q

factorul de amplificare dinamic al curentului de baz,

f (Q ) =

iC iC

(3.10) ;
Q

Pentru punctul static ales ca n fig. 3.11, se obine F(Q) = 105 iar f(Q) = 110. Trebuie observat c parametrul principal al unui TB, factorul de amplificare , depinde (n afar de procesul de fabricaie-mprtiere tehnologic specificat de fabricant) de punctul de funcionare care este determinat de circuitul n care tranzistorul i realizeaz sarcinile. n fig. 3.11 regimul descris de iC 0 definete regimul de funcionare TB blocat. 3.5 Punctul static de funcionare Q. Dreapta de sarcin. Zona permis pentru Q Un TB n circuit funcioneaz, cel mai des, n regim cu mrimi electrice la terminale variabile n jurul unor valori continue. Dac semnalele variabile de intrare n circuit sunt pasivizate vom gsi tranzistorul n regim static de funcionare, determinat total de poziia punctului Q(VCE; IC) n planul caracteristicilor statice de ieire. Q se numete punct static de funcionare, PSF, i este determinat de sursele de alimentare de cc i componentele nereactive din circuit. Poziia PSF n planul (vCE ,O, iC) are influen determinant asupra funcionarii circuitului n regim de semnal. n fig. 3.12 este reprezentat un circuit foarte simplu n care se pot urmri regimurile de funcionare static i dinamic ale TB. Cu sursa de semnal pasivizat (oprit) se obine regimul static determinat de cele dou surse de alimentare VBB i VCC i de rezistoarele din circuit, iar la pornirea generatorului de semnal peste regimul static se suprapune i regimul dinamic obinndu-se regimul cu semnale electrice totale la terminalele TB.

Fig. 3.12 Cu generatorul de semnal oprit, modificarea parametrilor elementelor din circuit care sunt pe ochiul ce conine terminalele baz - emitor poate conduce TB n regim blocat, regim saturat sau regim activ normal - RAN.

Fig. 3.13

Poriunea din cadranul I a caracteristicii statice de intrare a TB este reprezentat n figura 3.13; curentul total de baz depinde exponenial de tensiunea total vBE . n acelai cadran s-au reprezentat i dreptele determinate de diverse valori ale VBB i o valoare pentru RB .

1 vI iB = vBE + RB RB , v = V + v I BB i

(3.11) .

Punctul static de funcionare QB, n acest plan, este determinat de oprirea generatorului de semnal. Cnd generatorul pornete determin variaii ale curentului de baz total ntre valorile IBM i IBm iar punctul de funcionare QB se deplaseaz pe poriunea marcat de pe curba exponenial. Modificarea poziiei lui QB ca n fig. 3.13 (curentul de baz are variaii n jurul componentei continue IB) va determina variaii ale mrimilor vCE i iC n planul caracteristicilor de ieire ale TB, fig. 3.14. n regim cu generatorul din circuitul bazei oprit, pentru valoarea IB din fig. 3.13, se obine n planul caracteristicilor de ieire punctul Q(VCE ; IC) punctul static de funcionare. La poziionarea acestuia n plan contribuie i valorile VCC i RC.

Fig. 3.14 Pe ochiul care conine sursa VCC , RC i terminalele C E ale TB, se poate scrie:

VCC = RC iC + vCE 1 V , iC = vCE + CC RC RC

(3.12) .

Dreapta determinat de ecuaia (3.12) este reprezentat grafic n fig. 3.13 i se numete dreapt de sarcin static (poate fi determinat experimental punct cu punct). Punctul static de funcionare se gsete pe aceast dreapt i pentru regimul cu semnale totale (dup pornirea generatorului de semnal) Q se deplaseaz pe zona marcat de pe dreapta de sarcin dac generatorul de semnal modific curentul total de baz ntre valorile IBM i IBM i IBm precizate n fig. 3.13. La creterea plajei de variaie a curentului total de intrare (scderea valorii IBm i mrirea valorii IBM) punctul static de funcionare Q va avea excursia limitat ntre punctele B (TB se blocheaz - curentul de colector nu mai scade) i S (TB se satureaz - curentul de colector nu mai poate crete).

Teoretic, punctul de funcionare Q (controlabil de proiectantul circuitului prin valorile mrimilor VBB ,vi ,VCC , RB ,RC) se poate plimba n tot cadranul I din fig.3.14.din care se elimin zona haurat n care TB este saturat. Pentru un TB concret (real) zona permis pentru PSF este mult mai mic ntruct un TB real funcioneaz corect n circuit numai dac sunt ndeplinite condiiile:

iC I C max dat in catalog vCE VCE max data in catalog , p = i v P data in catalog D C CE T

(3.13) .

Restriciile din (3.13) sunt precizate n reprezentarea din fig. 3.15. Ultima ecuaie din (3.13) se numete hiperbol de disipaie (PT este puterea total pe care poate s o disipe capsula tranzistorului la o temperatur precizat a acesteia tipic 25 0C)

Fig. 3.15