1

Cap. 1
Proprieti generale ale dispozitivelor electronice (DE)

Istoric
DE au aprut nc de la nceputul secolului anterior. Primul dispozitiv a fost dioda cu vid
(Fleming 1904), apoi trioda cu vid (Lee de Forest1907), tetroda (Walter Schotkz 1916), pentoda etc.,
tubul cinescop (Sworikyn 1920).
Tuburile cu vid au fost utilizate inclusiv la construirea calculatoarelor numerice (n timpul i
dup al II-lea rzboi mondial), ns nu s-au dezvoltat din cauza dimensiunilor i puterii acestora.
Dup 1940 este inventat dioda semiconductoare. n 1947, la Bell Laboratoire, s-a realizat primul
tranzistor bipolar (TB), ns foarte puin performant. Primele TB utilizate n aplicaii s-au fabricat prin
tehnologia alierii, semiconductorul de baz era germaniu impurificat, controlat cu donori pentavaleni
i acceptori trivaleni prin tehnologia alierii, fig.1


Fig.1

Evoluia actual a DE are la baz cercetrile privind siliciul i n mod deosebit proprietilor
dioxidului de siliciu. Acesta este un foarte bun izolator electric i se comport ca o masc excelent
pentru difuzia n Si solid a atomilor donori i acceptori, proprietate care st la baza tehnologiilor
planare.
Au aprut TB cu Si , apoi TU- tranzistoare unipolare i dezvoltarea tehnologiilor pe baz de
siliciu a condus ca astzi ntr-un volum mic (un cip) de Si s se realizeze un numr foarte mare de
tranzistoare, de exemplu fig.2 pentru tranzistoare unipolare.

2

Fig.2


1.1 DE sunt elemente de circuit neliniare

Se tie c un rezistor ideal conectat n circuit, are, ntre mrimile electrice v i i de la terminale :


Fig.1.1

1 1 1 v R* i , i G* v , G /R, ( . )
R R R R



Orice DE sau component electric poate fi caracterizat comportamental n circuit de funcii de
forma i = f(v) sau v = f(i). Relaiile de mai sus, pentru rezistorul ideal, au reprezentarea grafic sub
form de dreapt, exemplu n fig. 1.2:


Fig. 1.2
3

Cnd caracteristicile i = f(v) (sau v = f(i)) ale dispozitivului sunt drepte atunci dispozitivul este
liniar; n caz contrar este neliniar.
Prin comparaie cu rezistorul, dioda (fig. 1.3, fig. 1.4) are legtura curent-tensiune la terminale, i
D
= f(v
D
);
) . ( ), - (e I i
T
D
aV
v
S D
2 1 1


Fig. 1.3

i reprezentarea grafic din fig. 1.4.


Fig. 1.4

Ca i dioda, tranzistoarele bipolare sunt caracterizate de funcii i = i(v) exponeniale deci sunt
dispozitive neliniare.
Tranzistoarele unipolare (TU) sunt de dou categorii, TECMOS i TECJ (tranzistor cu efect de
cmp metal-oxid semiconductor respectiv tranzistor cu efect de cmp cu jonciuni). Acestea au funcii i
= i(v) ptratice i sunt de asemenea neliniare.
Dispozitivele neliniare n circuit au proprietatea de a distorsiona semnalele (semnale de ieire au
forme de variaie n timp diferite de cele de intrare spectrele energetice sunt diferite).
Analiza i proiectarea (sinteza) circuitelor cu DE este dificil deoarece conduce la ecuaii
transcendente. Calculatorul numeric calculeaz i nu proiecteaz ; proiectantul trebuie s introduc
parametrii componentelor din circuit ca rezultate a unor calcule care, pentru operativitate se fac de
obicei manual. Depirea dificultilor de analiz (rapid) de ctre proiectant se realizeaz prin
liniarizarea pe poriuni a caracteristicilor neliniare ale DE. Modelele DE din programele de simulare pe
calculator sunt neliniare i caracterizeaz mult mai real dispozitivele ( relaiile de forma (1.2) sunt mult
mai complexe).

1.2 Tipuri de mrimi electrice v i i pentru caracterizarea DE ale unui circuit

DE conectate n circuit prelucreaz mrimile electrice (tensiune i curent) de la bornele de
conectare. Normal, DE sunt pri dintr-un circuit electronic. Orice circuit electronic conine, mai
general, componente electronice pasive i active. Cele pasive sunt la rndul lor disipative i reactive.
Componentele pasive reale disip ntotdeauna i nu modific forma semnalului(dac i este perfect
4
armonic atunci i v va fi perfect armonic). Cele active pot crete puterea activ a semnalelor i, n plus,
modific i spectrul energetic al semnalelor din cauza neliniaritilor.
n fig. 1.5 este reprezentat o schema bloc a unui circuit electronic.



Fig. 1.5


Observaii referitoare la fig. 1.5:
- sursele (bateriile) sunt necesare pentru polarizarea circuitului; tranzistoarele i diodele i pot
exercita unele funcii ( la tranzistoare amplificarea de putere n regim aproximativ liniar, de
exemplu) dac i numai dac prin ele trec cureni cc nenuli i au ntre borne tensiuni de cc nenule; dac
se nltur sursele de cc din fig.4, mrimile electrice de curent continuu din circuit vor fi toate nule;
- prima observaie implic faptul c, fr semnale variabile i cu sursele de alimentare conectate,
toate mrimile electrice v, i sunt de curent continuu i le notm V, I (cu litere mari);
- n momentul cnd este pornit mcar un generator de la intrare (de semnal - mrime variabil n
timp) este clar c mrimile anterioare, de cc., ncep s se modifice devenind variabile, dar conin i
informaii despre starea anterioar, fr semnal.


Fig. 1.6

5
Dac notm cu x a o ramur din circuit, ntre bornele acesteia avem: i
X
= I
X
+ i
x
iar la bornele
acesteia avem v
X
= V
X
+ v
x
.
n concluzie sunt logice urmtoarele definiii i notaii:
y
A
(t) - component total ,y este i sau v , A este notaie pentru ramur;
Y
A
- componenta de cc;
y
a
(t) - componenta de semnal (nu conine component continu)
Dac semnalul total , y
A
(t), este funcie periodic de timp sunt foarte importani doi parametri ai
acestuia.

a) Valoarea medie, definit prin:
0
1
1 3
T
Amed A
Y y (t)dt, ( . )
T

Componenta de semnal y
a
(t), a componentei totale, are valoarea medie nul deoarece este
mrime armonic sau sum infinit de mrimi armonice. Dou exemple de astfel de semnale, periodice
i cu valoare medie nul, sunt reprezentate n fig. 1.7.





Fig. 1.7

Din observaiile anterioare va rezulta, pentru componenta medie a semnalului total:

0 0
1 1
1 4
T T
Amed A A A
Y y (t)dt Y dt Y , Y este I sau V, ( . )
T T




b) Valoarea efectiv, se definete prin:

) . ( , (t)dt y
T
Y
T
A Aef
5 1
1
0
2

6

Valoarea efectiv este asociat efectului disipativ (nclzire) i conform (1.5) att Y
A
ct i y
a
(t)
nclzesc dispozitivul.

1.3.Caracteristici ale DE ,tipuri de legturi i = i(v) sau v = v(i)

Pentru circuitele electronice reprezentate ca n fig. 1.5, utiliznd o metod de analiz din teoria
circuitelor electrice , se pot obine urmtoarele tipuri de legturi:

( ) 0 0
1 1
0 0
1 1
1 1 6
I I I I
k k m m
I I I I
k k m m
v v v ,...,v ,i ,...,i
i i (v ,...,v ,i ,...,i )
,k ...n, ( . )
....................

'

, acestea pot fi reprezentate grafic i se numesc caracteristici statice de transfer.
Legturile dintre o mrime de ieire i alte mrimi de ieire definesc caracteristici statice de
ieire iar legturile dintre o mrime de intrare i alte mrimi de intrare definesc caracteristici statice
de intrare.

1.4. Simboluri pentru DE

a) DIODA semiconductoare
Diodele semiconductoare le ntlnim sub 2 forme:
a
1
) dioda-component individual, are capsul proprie fig. 1.8- a1),
a
2
) dioda n circuit integrat nu are capsul proprie, fig. 1.8- a2).



Fig. 1.8-a1 Fig. 1.8-a2

n fig. 1.9 sunt precizate denumirile terminalelor, i mrimile electrice aferente.


Fig. 1.9

Mrimile electrice au semnificaiile:
v
D
= v
A
- v
k
(diferena de potenial ntre A i K),
i
D
= i
AK
(curentul cu sensul de la A la K), respect ecuaia (1.2) Schokley.
Asupra mrimilor electrice parametri, din ecuaia (1.2), se precizeaz:
7
- I
s
este de valoare foarte mic, o diod fabricat ( practic-real ) are parametrul I
s

care depinde de geometria diodei i de semiconductorii utilizai n procesul tehnologic de fabricaie,
- orice diod are o jonciune p-n n interiorul ei (n semiconductor); I
s
este proporional
cu aria activ a jonciunii,
- V
T
- se numete tensiune termic pentru c V
T
=
kT
q
(la T=300K se obine
V
T
=26[ ] mV ) k-constanta lui Boltzman, T-temperatura n grade K iar q este sarcina electronului.

b) Tranzistorul bipolar (TB)

Are trei terminale B-baz , E- emitor , C-colector. Exist dou tipuri de TB:
b1) npn (simbolul n fig. 1.10)


Fig. 1.10

b2) pnp (simbolul n fig. 1.11)

Fig. 1.11

TB poate fi de asemenea discret sau integrat, ns pentru ambele vom folosi ulterior acelai
simbol (fr cerc).
Pentru tranzistorul npn , cu referinele mrimilor din fig. 1.10, din modelarea fenomenelor
fizice rezult ecuaia curentului de emitor (i
E
= i
C
+ i
B
),

) . ( ), - (e I i
T
BE
aV
v
ES E
7 1 1 ,

unde I
ES
- este curentul de saturaie al jonciunii emitoare.
a - parametru adimensional , a=12 n funcie geometria i materialele jonciunii.
8
Observaie. De reinut c sgeata marcheaz emitorul i sensul sgeii indic sensul tehnic al
curentului ntre C i E, n regim normal de funcionare n circuit.

c) Tranzistorul unipolar

TU- re pot fi mprite astfel: - metal oxid semiconductor MOS-FET.
- cu jonciuni J-FET.
Cele de tip MOS FET (tranzistoare cu efect de cmp) pot fi:
- cu canal n - indus
n - iniial
- cu canal p - indus
p iniial



Fig. 1.12

MOS-FET n indus au simbolul reprezentat n fig.11, D - dren , S - surs , B - Body (substrat) , G
gril. Curentul de dren, i
D
= i
D
( v
DS
; v
GS
; v
BS
), este dependent ptratic de tensiunile v
GS
, v
BS


.
Echivalena funcional de tip intrare-ieire cu TB este
G Baza
D Colector
S Emitor
Dac se inverseaz sensul sgeii de pe terminalul B se obine simbolul pentru tranzistorul MOS
canal p indus. La tranzistoarele cu canal iniial, cele trei segmente ngroate conectate la B, D, S, sunt
unite. n literatur se ntlnesc i alte simboluri pentru tranzistoare unipolare.
















9

Cap. 2
Dioda semiconductoare

2.1 Structura intern, caracteristica i
D
= f(v
D
)


Fig. 2.1-a


Fig. 2.1-b


Fig. 2.1-c

Diodele se fabric ntr-o plaja foarte mare a curenilor i tensiunilor, valori extreme la bornele
A, K. Curenii maximi permii prin diode de mare putere ajung pn mii amperi iar tensiunile inverse
maxime la mii de voli.
10
In Fig. 2.1-a este reprezentat forma fizic a unei diodei discrete fabricate. Ea conine capsula
i terminalele anod-catod din cupru sau acoperite cu un metal ce poate fi lipit uor (pentru conectare n
circuit). Pe capsul este marcat tipul diodei precum i un terminal, n clar (simbol) sau codificat (inel
colorat care marcheaz terminalul catod K). n interiorul capsulei se gsete cipul de siliciu care
conine jonciunea pn. Capsula are rol de protecie pentru cip (mpotriva agresivitii mediului) i de
rigidizare a structurii.
In Fig. 2.1-b este reprezentat simbolul diodei pe care sunt precizate mrimile electrice aferente
unei diode in circuit, i
AK
= - i
KA
= i
D
, v
AK
= -v
KA
= v
A
- v
K
= v
D.
Simbolul din figura 2.1-b este utilizat pentru diodele obinuite. Mai ntlnim :

Dioda zenner, cu simbolul din fig.2.2,


Fig. 2.2

Dioda tunel, cu simbolul din fig. 2.3,



Fig. 2.3

Dioda varicap, cu simbolul din fig. 2.4.


Fig. 2.4

Mecanismele (fenomenele) fizice din jonciunea p-n conduc la ecuaia curentului prin diod:

1 2 1
D
T
v
aV
D S
i I (e - ), ( . )

Ecuaia (2.1) este scrisa cu componente totale i ia n consideraie doar fenomenele fizice
principale din diod. Comportarea diodei la cureni mari (valori apropiate de cele maxime precizate de
fabricant), precum i la tensiuni inverse mari (valori apropiate de cele maxime precizate de fabricant),
nu este descris de ecuaia (2.1).
11
n fig. 2.5 este reprezentarea grafic a ecuaia (2.1), valabil cu aproximaie pn ncep
fenomenele de strpungere. Se precizeaz c:



Fig. 2.5

0
D
v definete polarizarea direct (
A K
v v ) iar 0 <
D
v definete polarizarea invers.
Specific polarizrii directe, din graficul de mai sus rezult:
Pentru v
D
[0, 0.4 V(la Si)] : i
D
0 (dioda nu este practic deschis, i
D
este foarte mic) ;
Pentru v
D
> 0.45 V variaii mici ale v
D
provoac variaii foarte mari ale curentului i
D
, deci
rezistena dinamic a diodei (raportul
D
D
i
v

) are valoare mic. Se poate spune c la polarizare

direct dioda las s treac uor curentul prin ea i se comporta ca un ntreruptor electric nchis.
ntruct a[1,2] pentru jonciuni p-n cu siliciu i C la mV V
T
o
27 25 , rezult c pentru
mV V v
D
400 4 . 0 < , 1 1
D
T
v
av
e
_



,
; deci la polarizri inverse, v
D
< - 0.4 V , curentul prin
diod este foarte mic,
S D
I i .
Curentul
S
I , la temperatur constant depinde numai de fabricaie i are valori foarte mici.
Acest curent fiind n modul foarte mic, se poate afirma c la polarizare invers dioda are comportare
similar cu un ntreruptor electric deschis.
Un parametru foarte important al diodei este tensiunea (negativ) de strpungere, 100V
(exemplu) n fig. 2.5.
Nu orice diod semiconductoare poate funciona n regim de strpungere. Fenomenul de
strpungere o data nceput este autonom; cu elementele exterioare de circuit (rezistoare) se poate limita
doar valoarea maxim a curentului de strpungere.
Diodele obinuite se distrug, n regim de strpungere, nu din cauza valorii puterii disipate totale
la terminale n regim de strpungere,
inv InvLimit Dinv
V I P . Cu un rezistor extern puterea disipat
poate fi limitat la o valoare dorit.
Chiar dac
Dinv
P < puterea din catalog, (
Dinv
P < P
log Tcata
(400 mW, de exemplu)), dioda

12

Fig. 2.5

se distruge din cauza curentului invers care nu este preluat uniform de toata aria jonciunii pn.
Fenomenul de strpungere nu se declaneaz simultan n toate punctele din aria jonciunii. Din acest
motiv locul de unde ncepe strpungerea se nclzete exagerat la curent invers mic la terminale,
temperatura local crete brusc i ntreine fenomene fizico-chimice ce degradeaz ireversibil structura
n acel loc.
Prin comparaie cu dioda obinuita, dioda Zenner este fabricat astfel nct curentul total de
strpungere de la terminale s fie preluat uniform de toata aria jonciunii. De fapt, dioda zenner este
fabricat pentru a funciona n regim de strpungere.
Concluzie : Att relaia (2.1) ct i graficul din fig. 2.5, justific neliniaritatea dispozitivului
diod (mrimile i, v nu sunt legate liniar). Ecuaia diodei, (2.1), este valabil la polarizare direct i la
polarizare invers dar nu foarte puternic.

2.2 Modelarea diodei in circuit (pentru semnalele mari)

Majoritatea circuitelor electronice conin diode. Cnd se analizeaz sau proiecteaz un circuit cu
diode trebuie s se apeleze la modele simplificate (aproximative) pentru diod, scopul fiind rapiditatea
calculelor. Se pot gsi modele de acest tip pentru dou situaii: regimul cu semnale mari i
D
i v
D
, i
regimul cu semnale mici i
D
, v
D

Semnal mare nseamn amplitudini pentru i si v care pun n eviden neliniaritile introduse de
caracteristica diodei, fig. 2.6.


13
Fig. 2.6

Fr semnale i i v prin diod circul un curent continuu de polarizare, I
D
, care determin
punctul static de funcionare Q(V
D
; I
D
). Dac peste regimul de cc se suprapune un regim de semnal,
curent de semnal armonic cu amplitudinea de 1mA- exemplu n fig. 2.6, acesta va determina tensiune
de semnal nearmonic la bornele diodei (tensiunea are amplitudini diferite n cele dou alternane).
Dac amplitudinea curentului armonic scade foarte mult se va obine excursia lui Q pe o poriune
aproximativ dreapt situat pe curba exponenial. De exemplu, n fig. 2.7, pentru amplitudini al
curentului de 100uA se obin amplitudini ale tensiunii de semnal pe diod de 2mV i aproximativ egale
n ambele alternane. Regimul de acest tip se numete regim de semnal mic (curentul de semnal
armonic determin tensiune de semnal aproximativ armonic, sau invers)

Fig. 2.7

Pentru regimuri, cu semnale mari, cu ce putem nlocui dioda n circuit ?
Cea mai simpl (dar i cea mai deprtat de realitate) aproximare a graficului fig.2.5 (fr
strpungere) este reprezentat n fig.2.8, n care se pune n eviden dou poriuni liniare; pentru
0 <
D
v prin diod nu trece nici un curent iar pentru 0
D
i tensiunea la bornele diodei este nul.
Modelul neliniar (dar cu dou poriuni liniare) din fig. 2.8 definete dioda ideal.

Fig. 2.8


Fig.2.9
14

Pentru c la polarizarea direct circul cureni msurabili ntre cele dou terminale dac
v
D
>0.45V, definind un prag de deschidere V
D
= 0.6V se obine un model liniarizat mai bun (fa de
fig.2.8) ca n fig.2.9 n care se accept tensiune de deschidere V
D
constant, iar n regim de conducie
dioda are rezisten electric nul.

Fig. 2.10

Mai apropiat de realitate este modelul din fig. 2.10 unde, dup depirea tensiunii de
deschidere V
D
= 0.6V, dioda este modelat printr-o rezisten constant R
D

Dioda ideal are urmtoarele proprieti (conform graficului din fig. 2.8):
- la polarizarea direct, tensiunea la borne este de 0V si rezistena ntre terminale este 0 ;
- la polarizarea invers dioda este blocat ideal - are rezisten infinit.
Acest model simplificat se utilizeaz n analiza i proiectarea redresoarelor de putere (tensiuni de
intrare mai mari de zeci de voli i cureni n conducie importani).
La redresoarele de puteri mici unde tensiunea de intrare este mai mic de 5V aproximarea
diodelor reale cu cele ideale determin erori de calcul nepermise motiv pentru care se recomand
utilizarea diodei cu prag de deschidere, fig. 2.9 sau fig. 2.10.


Fig. 2.11

Pentru dioda ideal se utilizeaz simbolul din fig. 2.11, iar mrimile i
D
, v
D
respect, conform
graficului din fig. 2.8,

0 . 0
(2.2)
0 . 0
D D
D D
i pt v
v pt i
<
'

Pentru dioda cu prag de deschidere se utilizeaz circuitul echivalent din fig. 2.12, iar mrimile i
D

, v
D
respect, conform graficului din fig. 2.9, ecuaiile (2.3).


Fig. 2.12

15
0 . 0.6
(2.3)
. 0
D D D
D D D
i pt v V V
v V pt i
<
'

Pentru dioda cu prag de deschidere i rezisten n conducie se utilizeaz circuitul echivalent din
fig. 2.13, iar mrimile i
D
, v
D
respect, conform graficului din fig. 2.10, ecuaiile (2.4).



Fig. 2.12


0 . 0.6
(2.4)
.
D D D
D D
D D D
D
i pt v V V
v V
i pt v V
R
<

'

Diodele zenner sunt fabricate pentru a funciona n regim de strpungere deci, obinuit, o vom
ntlni n circuitul alimentat cu v
D
< 0, mai exact v
D
= - V
Z
= constant - dat de catalog . Dac se
polarizeaz direct, dioda zenner se comport ca o diod obinuit i rmn valabile modelele anterioare
de la polarizare direct.
n fig. 2.13 este reprezentat caracteristica static a unei diode zenner reale, pe care sunt puse n
eviden mrimile: curentul minim (n regim de strpungere) de la care dioda intr n regim de
stabilizare a tensiunii, curentul zenner de test (valoare la care fabricantul a testat dioda n scopul
determinrii celorlali parametri precizai n catalog), i curentul maxim permis n regim de
strpungere valoare corelat cu puterea total pe care poate s o disipe capsula diodei.


Fig. 2.13

16
n regim de strpungere, dioda zenner are o rezisten dinamic r
z
aproximativ constant; de la
zecimi de ohm la zeci de ohmi valoare dependent de puterea diodei. O aproximare a caracteristicii
din fig. 2.13 este reprezentat n fig. 2.14 unde pentru polarizare direct s-a aproximat comportare de
diod ideal. Schema echivalent aproximativ a unei diode zenner, n aceste condiii, (respect fig.
2.14) este ca n fig. 2.15




Fig. 2.14



Fig. 2. 15



Revenim la fig. 2.13 pentru a defini parametrul r
z
(foarte important) al diodei zenner numit
rezisten dinamic n regim de stabilizare ;

) . ( -I i -I ,
i
v
r
zm D ZM
D
D
z
5 2

z
r
1
reprezint panta dreptei din fig. 2.14.
ntre dioda semiconductoare n conducie, care are o rezistena dinamic (r
D
=
D
D
i
v

), i dioda
zenner n regim de strpungere exist o mare deosebire. n timp ce rezistena r
z
este aproximativ
constant ntre I
zm
i I
ZM
, r
D
depinde foarte mult de curentul continuu ce trece prin diod.

Dioda
semiconductoare n conducie direct are foarte multe aplicaii i n regim de semnal mic.

17

2.3 Circuite cu diode (semnale mari)
2.3.1 Redresoare

Redresoarele sunt circuite pentru conversia puterii electrice ; la intrare primesc putere electric de
curent alternativ, iar la ieire livreaz sarcinii putere electric de curent continuu. Redresoarele sunt de
o foarte mare diversitate de tipuri. Pentru a vedea una din cele mai simple aplicaii ale diodei n regim
de semnal mare ne vom referi doar la cele mai simple circuite de redresare care sunt cele monofazate.
Redresoarele monofazate se mpart n:
a) monoalternan ;
b) bialternan, care se subdivid n dou tipuri :
- n punte ;
- cu transformator cu priz median.
Tipurile de redresoare enumerate mai sus se pot realiza n variantele: - cu filtru la ieire sau -
fr filtru la ieire. Ce precauii trebuiesc luate la utilizarea diodelor din circuitele de redresare ?. Este
ca toate solicitrile electrice ale diodelor (putere electric, tensiune electric, curent electric) sa nu
depeasc valorile maxime precizate n catalog .
Cel mai simplu circuit de redresare este,
a1) Redresorul monofazat fr filtru, are schema electric reprezentat n fig.2.16.

Fig. 2.16

O analiza cantitativ rapid a redresoarelor utilizeaz modelul diodei ideale. La bornele
secundare ale transformatorului ideal de tensiune, cobortor, se obine tensiunea de intrare n redresor:

( ) sin , 2 , 50 2 6
i im
v t V t f f Hz ( . )


Fig. 2.17
18

Din fig. 2.16 rezult:
( ) ( ) ( ) 2 7
D I O
v t v t v t ( . )

La momentul t = 0, v
I
ncepe sa creasc i dioda D va ncepe s conduc. Cu model ideal
pentru dioda n conducie, intervalul de timp (0; / 2] t T schema echivalent a redresorului este ca n
fig. 2.18 (dioda are comportarea unui comutator electric ideal n starea ON).


Fig. 2.18

Tensiunea de la terminalele diodei se inverseaz la / 2 t T , dioda trece n starea OFF,
fig.2.19, curentul prin sarcin devine nul, stare care se menine pn la sfritul perioadei
( / 2; ] t T T .


Fig. 2.19

La orice redresor intereseaz parametrii tensiunii (curentului) pe sarcin i solicitrile electrice
ale diodelor. Pentru redresorul monofazat monoalternan fr filtru se obine:
- tensiunea medie redresat:

/ 2
0 0
1 1
( ) sin( ) .45 , (2.8)
T T
im
Omed O im ief
V
V v t dt V t dt V
T T

,

- tensiunea invers maxim pe diod: fig. 2. 20,

max max
( ) ( ) 2 , (2.10)
D inv im ief
v V V V

19

Fig. 2.20

- curentul maxim repetitiv prin diod:

max
( ) / 2 / , (2.11)
D im L ief L
I V R V R ,

- curentul efectiv prin diod:

/ 2
2 2
0 0
1 1
( ) ( ) = , (2.12)
2
T T
im im
Def D D Dmed
I I
I i t dt i t dt I
T T
>



De observat c nclzirea rezistorului de sarcin este determinat de
/
Lef Def Lmed Omed L
I I I V R > ; prin sarcin circul componenta total a curentului prin diod
componenta medie plus componenta de semnal (conine o infinitate de armonici).
Orice tensiune continu obinut prin conversie energetic este caracterizat de un factor de
ondulaie; semnalul total are variaii n jurul valorii medii, msurabile cu un voltmetru de c.c. Dac
semnalul de ieire are componenta medie V
Omed
i diferena maxim ntre extremele semnalului total,
v
O
, se definete factorul de ondulaie prin:

% *100, (2.14)
O
ond
Omed
v
V

.

Conversia este cu att mai reuit cu ct factorul de ondulaie este mai mic, pentru conversie ideal
este nul. Pentru redresorul monofazat monoalternan fr filtru factorul de ondulaie este dezastruos
(314%) i totui acest tip de redresor are utilizri practice (de exemplu ncrcarea bateriilor de
acumulatoare unde este recomandabil curent de ncrcare ciclic cu pulsaii mari). Componenta medie a
curentului prin nfurarea secundar a transformatorului de reea (curentul mediu redresat prin sarcin
se nchide prin secundar) este un dezavantaj important al acestui tip de redresor, curentul mediu
schimb punctul de funcionare al materialului magnetic pe curba B(H) spre saturaie magnetic.
Acest motiv face improprie utilizarea redresorului la cureni mari prin sarcin.

a2) Redresorul monofazat monoalternan cu filtru capacitiv, C
F



Pentru mbuntirea factorului de ondulaie, la puteri mici necesare pe sarcin, se recomand
circuitul de redresare simplu, reprezentat n fig. 2.21.

20

Fig. 2.21

Acceptnd componente ideale n fig. 2.21 i regim permanent de funcionare, mrimile electrice
definite pentru redresorul din figur vor avea variaii n timp ca n fig.2.22.


Fig. 2.22

n regim permanent de funcionare condensatorul determin mbuntirea factorului de ondulaie;
cu att mai mult cu ct constanta de descrcare a condensatorului de filtrare este mai mare. Dac
F L
C R , componenta medie a tensiunii redresate pe sarcin,
Omed im
V V , timpul de conducie
al diodei, 0
ON
t , tensiune invers maxim pe diod (din momentele de vrf ale alternanelor
negative ale tensiunii de intrare),
max
( ) 2
inv im
V V iar curentul maxim (repetitiv) prin diod va avea
valori foarte mari (n ipoteza c transformatorul este ideal i dioda de asemenea ideal, curentul
max
( )
D
I ).
Funcionarea redresorului real n gol
L
R asigur constant de timp infinit pentru orice
valoare a capacitii condensatorului de filtrare i deci solicitarea maxim n tensiune invers a diodei
va fi real
max
( ) 2
inv im
V V .
Se poate determina o valoare aproximativ a curentului maxim repetitiv prin diod n ipotezele:
- curentul prin sarcin este aproximativ constant:
im
Lmed
L
V
I
R
,
- factorul de ondulaie este mic deci descrcarea condensatorului este de tip aproximativ liniar,
( ) (1 )
F L
t
C R
O im im
F L
t
v t V e V
C R

, (referina timpului este ca n fig. 2.23 ). n plus, factor de

ondulaie mic permite i aproximarea
ON
T t T ,
21
- curentul prin diod n duratele t
ON
este constant i aproximativ egal cu
max
( )
D
I ,



Fig.2.23


Utiliznd fig. 2.23 se poate scrie:

2 4 2
(1 ) cos[ ( )] cos( )
cos 1 ........ 1 (2.15)
2! 4! 2
2
1/ , =
ON
im im ON im ON
F L
ON ON ON
T t
V V T t V t
C R
x x x
x
T t T f x t t
T

+
'

,

relaii din care se poate determina t
ON
, durata de rencrcare a condensatorului de filtrare pentru un
factor de ondulaie mic i impus. n relaiile (2.15) s-a utilizat paritatea funciei armonice cosinus,
cos(x)=cos(-x) i dezvoltarea n serie Mac-Laurian a acesteia, din care s-au reinut numai primii doi
termeni . Prelucrarea relaiilor conduce la:

1 1 1
, (2.16)
2* 2 *
ON
F L F L
t T
T C R f C R
.

ntruct prin condensator nu circul component medie de curent, curenii medii prin diod i
sarcin vor fi identici. Dac acceptm ipoteza curent constant (i maxim) prin diod pe durata t
ON
,
valoarea maxim a curentului prin diod va fi:

max
( ) 2 * * 2 * * , (2.17)
im
D Omed L F Omed L F
ON L
T V
I I f R C I f R C
t R

22

Se pot determina solicitrile electrice mai apropiate de realitate rezolvnd ecuaiile anterioare
(transcendente) cu ajutorul calculatorului.
Redresoarele monoalternan, cu i fr filtru, se utilizeaz in practic doar la puteri mici (10 ..
100W) deoarece componenta continu a curentului prin sarcin circul i prin bobina secundar a
transformatorului de reea. Evitarea saturaiei magnetice a materialului magnetic la puteri mai mari
necesit transformatoare scumpe (cu gabarit mare).

b) Redresoare monofazate bialternan

Dezavantajele redresoarelor monoalternan sunt diminuate de redresoarele bialternan. Cele mai
simple redresoare monofazate bialternan sunt:
b1) n punte (4 diode)
b2) cu transformator cu priz median (2 diode).

b1) Redresor monofazat bialternan n punte

Schema de principiu a unui redresor de acest tip este reprezentat n fig. 2.24. Obinuit, un
redresor de acest tip este alimentat cu energie de curent alternativ de la secundarul unui transformator
de reea cobortor care furnizeaz tensiunea de intrare n redresor, v
i
(t)=V
im
sint.


Fig. 2.24

Discutm funcionarea redresorului:

o n intervalul t(0;T/2] (alternana pozitiv a tensiunii de intrare) conduc diodele D
1
si D
3

iar diodele D
2
si D
4
sunt blocate. Rezult schema echivalent din fig.2.25 pe care s-e
determin ( ) ( ) 0
O I
v t v t > n acest interval.

Fig. 2.25
23
o n intervalul t(T/2;T] (alternana negativ a tensiunii de intrare) conduc diodele D
2
si D
4

iar diodele D
1
si D
3
sunt blocate. Rezult schema echivalent din fig.2.26 pe care s-e
determin ( ) ( ) 0
O I
v t v t > , de asemenea numai cu valori pozitive i n acest interval.


Fig. 2.26

n urma explicaiilor de mai sus, formele de und ale tensiunilor de la intrarea i ieirea
redresorului rezult ca n fig. 2.27.


Fig. 2.27

Parametrii electrici ai redresorului sunt:
- tensiune medie redresat pe sarcin,

2
0.9 , (2.18)
Omed ief ief
V V V

,
- tensiune efectiv pe sarcin,

, (2.19)
Oef ief
V V ,

- solicitarea diodelor la tensiune invers,

max
( ) , (2.20)
inv im
V V ,
24

- solicitarea diodelor n curent,

max
( ) , (2.21)
ief
im
D Def
L L
V
V
I I
R R

,

i acest redresor poate fi mbuntit, n privina factorului de ondulaie al tensiunii pe sarcin, prin
introducerea unui condensator de filtrare la bornele de ieire ale redresorului.
Spre deosebire de redresorul monofazat monoalternan cu filtru capacitiv la ieire, la redresorul
bialternan cu filtru capacitiv solicitarea n tensiune invers a diodelor nu se modific fa de situaia
fr filtrare i mai important este faptul c prin secundarul transformatorului nu circul
componenta medie a curentului a curentului prin sarcin.
Redresorul monofazat bialternan cu transformator cu priz median utilizeaz numai dou diode
care vor fi ns solicitate dublu n tensiune invers, fa cazul redresorului n punte. ...........
..........................................................................................................................



2.4 Dioda n regim de semnal mic

2.4.1. Polarizarea diodei in punct static de funcionare

Pentru a se nelege regimul de semnal mic ne vom referi la circuitul din fig.2.28.


Fig.2.28

n funcie de starea surselor ( de tensiune continu i de semnal), se pot pune n eviden trei
regimuri de funcionare:
V
CC
si v
g
oprite, vor determina i
D


i v
D
nule,
v
g
oprit si V
CC
n funciune vor determina regimul de curent continuu; exist pentru diod
I
D
si V
D
,

V
CC
si v
g
n funciune vor determina semnale totale prin diod (peste regimul de curent
continuu se suprapune i regimul de semnal).
Din cele de mai sus rezult ca avem pentru regimul de curent continuu, cu generatorul de
semnal oprit:

25
, (2.22)
CC D
D D
D D
V V
i I
R
v V

'

Ne punem problema ce se ntmpl pe caracteristica diodei dac se modific V
CC
sau R:
- se va modifica poziia punctului de funcionare Q(V
d
,I
D
).
- dac V
CC
i R sunt precizate - au valori invariante in timp, Q este fixat deci putem spune ca s-
a stabilit un punct static de funcionare (PSF).
Fixarea n circuit a unui punct Q dorit, n planul ( )
D D D
i i v , definete polarizarea diodei.
Circuitul din fig.2.28, cu v
g
oprit, este un circuit de polarizare (sunt multe posibiliti de polarizare).
Dac pentru o diod parametrii sunt cunoscui, dai n catalog ecuaia diodei cunoscut, atunci,
cu V
CC
i R precizate PSF al diodei este determinat.


Fig.2.29

Utiliznd circuitul de polarizare din fig.2.28, se poate controla PSF al diodei utiliznd metoda
grafic , ca n fig. 2.29. Punctul static se gsete la intersecia dreptei determinat de ecuaia,

1
, (2.23)
CC
D D
V
i v
R R
+

i ecuaia exponenial a diodei, ( )
D D D
i i v , ecuaia (1.2). Dreapta descris de (2.23) se numete
dreapt de sarcin static i poate fi modificat ca poziie n plan ( prin modificarea valorilor V
CC
i
R astfel nct s fixm Q ntr-o poziie impus de performanele cerute diodei pentru funcionarea n
regim de semnal, v
g
n funciune .

2.4.2.Modelarea diodei n regim de semnal mic.

n fig. 2.28, fixnd cte o valoare pentru V
CC
i R va rezulta un punct static de funcionare. Dac
n continuare se pornete generatorul de semnal, prin modificarea amplitudinii semnalului se poate
obine un regim cu semnale totale descris de fig. 2.30; unde Q al diodei are excursia n regim de
semnal ntre punctele M i N de pe graficul exponenial iar punctele M Q N sunt situate
aproximativ pe o dreapt. Regimul de acest tip este regimul de semnal mic i s reinem c M Q N
fiind aproximativ coliniare circuitul din fig. 2.28 se comport, n acest regim, aproximativ liniar. .

26

Fig.2.30

Modelarea diodei pentru acest regim utilizeaz ecuaia diodei, cu observaia c pentru tensiuni
de polarizare direct normale,

0.45[ ] 0.75[ ] (2.24)
D D
V v V V < < ,

se poate scrie, n plaja temperaturilor normale,

( -1) , semnale totale
(2.25)
( -1) , in PSF
D D
T T
D D
T T
v v
aV aV
D S S
V V
aV aV
D S S
i I e I e
I I e I e

'

n regim de semnal, pentru componenta total a curentului prin diod, ( ) ( )
D D d
i t I i t +
(componenta de PSF plus componenta de semnal) vom obine la bornele diodei tensiunea total
( ) ( )
D D d
v t V v t + . Conform ecuaiei (2.25) se poate scrie,

( ) ( )
( ) = * (2.26)
D d D d
T T T
V v t V v t
aV aV aV
D d S S
I i t I e I e e
+
+

Regimul de semnal mic este acela in care putem aproxima
( ) 25 ....50
d T
v t aV mV mV la temperatura de 27
0
C. Prelucrarea relaiei (2.26) pentru regim de
semnal mic (amplitudini ale tensiunii pe diod de civa mV) determina legtura ntre componentele de
semnal ,

( ) ( ) * ( ), (2.27)
T
d d
D
aV
v t i t
I
,

care justific nlocuirea diodei n regim de semnal mic cu un rezistor parametric (depinde de tensiunea
termic (de temperatur) i de curentul de polarizare n PSF) avnd rezistena,

, (2.28)
T
d
D
aV
r
I

27

De reinut c pentru semnale mici, la temperatur constant, dioda este un rezistor aproximativ
liniar avnd rezistena controlat de curentul continuu de polarizare (curentul de PSF).
Un exemplu de utilizare a diodei n regim de semnal mic este prezentat n circuitul din fig. 2.31.


Fig. 2.31

Circuitul de polarizare n PSF al diodelor D
1
si D
2
este format din sursa V
CC
, poteniometrul P i
rezistorul R
1
. Modificnd valoarea rezistenei poteniometrului se modifica curentul continuu de
polarizare al diodelor.
Analiza circuitului conine doua etape:
- a) analiza de curent continuu care nseamn determinarea PSF pentru cele dou
diode, D
1
si D
2.
Diodele sunt n serie i dac le presupunem identice vor avea PSF
identice. Pentru analiza de curent continuu, n cel mai general caz, orice
condensator ideal se consider gol (nu trece curent continuu prin el), orice
bobin ideal se consider scurtcircuit (inexistena variailor de curent
determin tensiune nul la bornele bobinei) i toate generatoarele de semnal se
pasivizeaz.
Din circuitul iniial, fig.2.31, pentru analiza de curent continuu rmne circuitul din fig. 2.32, de
unde se poate determina curentul de PSF al celor dou diode,

1
2
,
(2.29)
0.6[ ]
CC D
D
D
V V
I
P R
V V

+
'

Cu V
CC
= 20V (de exemplu), modificnd valoarea rezistenei poteniometrului se obine o plaj
mare de variaia a curentului de PSF al celor dou diode i implicit o plaj mare de variaie a
rezistenelor de semnal mic ale acestora.
28

Fig. 2.32

- b) analiza de ca - semnal mic. care nseamn determinarea PSF pentru cele dou
diode, D
1
si D
2.
Diodele sunt n serie i dac le presupunem identice vor avea PSF
identice. Pentru analiza de curent continuu, n cel mai general caz, orice condensator
ideal se consider gol (nu trece curent continuu prin el), orice bobin ideal se
consider scurtcircuit (inexistena variailor de curent determin tensiune nul
la bornele bobinei) i toate generatoarele de semnal se pasivizeaz.

Pentru regimul de semnal mic se obine un circuit echivalent liniar al circuitului iniial din fig.2.31.
n domeniul circuitelor electronice se utilizeaz cel mai mult regimul armonic care presupune semnal
armonic de la generatorul de intrare i cu frecvena variabil ntr-o plaj foarte larg. La modificarea
frecvenei generatorului n sens cresctor, ncepnd cu o anumit valoare f
min
condensatoarele din fig.
2.31 au reactane mult mai mici fa de rezistena elementelor cu care sunt n serie i se vor comporta,
la creterea n continuarea a frecvenei, ca scurtcircuite fa de acestea. n fig. 2.33 este reprezentat
schema de semnal mic a circuitului pentru frecvene superioare frecvenei f
min
.


Fig. 2.33
29

Sursa de tensiune continu de alimentare V
CC
este de asemenea scurtcircuit pentru semnale de
tensiune (la bornele ei nu exist variaii de tensiune - tensiunea este constant).
Analiza n regim de semnal mic a circuitului presupune determinarea, n primul rnd, a
transferului de semnal de la intrare le ieire (raportul v
o
/ v
i
).
Schema din fig. 2.33 este echivalent cu cea din fig. 2.34.,


Fig. 2.34

Din care rezult:

1
1
2 || || ( )
, (2.30)
2 || || ( )
o d L
i d L
v r R R P
v R r R R P
+

+ +


Dac diodele au a = 1.6 , cu V
T
= 25mV, i neglijnd cderile de tensiune de PSF pe diode se
obine pentru valoare rezistenei dinamice de semnal mic a unei diode o plaj de variaie (din
poteniometrul P) delimitat de:
min
max
max
min
80( )
4
20( )
, (2.31)
80( )
2
40( )
T
d
D
T
d
D
aV mv
r
I mA
aV mv
r k
I A

'

.

Deci pentru cea mai mare valoare se satisface 2 r
d
<<R
L
= 1M, i este rezonabil aproximarea
2r
d
||R
L
||(R
1
+P) 2r
d
|| (R
1
+P). Cu aceste observaii, calculele numerice ale transferului (relaia (2.30)
conduc la :
min 1 max 1
min 1 max 1
2 || 2 || ( )
2 || 2 || ( )
, (2.32)
0.008 0.8

d o d
d i d
o
i
r R v r R P
R r R v R r R P
v
v
+

+ + +

'

n urma acestei analize se observ c funcia realizat de circuit este atenuator de semnal
comandat n curent continuu (curentul de PSF al celor dou diode).