Lucrarea 6.

Polarizarea tranzistorului bipolar

Scopul lucrării
a. Introducerea unor noţiuni elementare despre funcţionarea tranzistoarelor bipolare
b. Prezentarea circuitelor de polarizare ale tranzistoarelor bipolare

Cuprins
I. Noţiuni introductive.
II. Evaluarea performanţelor circuitelor de polarizare elementare prin simularea acestora în Orcad.

I. Noţiuni introductive
Regiunile de funcționare ale tranzistorului bipolar
Tranzistorul bipolar este un dispozitiv electonic cu trei terminale, furnizat de către producători sub
diverse forme (capsule), iar în Figura 1 sunt prezentate variantele de capsule întâlnite cel mai
frecvent în cazul tranzistoarelor bipolare de mică putere.

Figura 1. Tranzistoare bipolare.

Cele trei terminale ale tranzistorului bipolar se numesc:

• EMITOR, notat E,
• BAZĂ, notată B,
• COLECTOR, notat C.
Structura tranzistorului bipolar este compusă din două joncțiuni pn, denumite joncțiunea emitorului,
notată JE, respectiv joncțiunea colectorului, notată JC, care pot fi alternate în două moduri,
prezentate în Figura 2. Rezultă că, în funcţie de structura fizică, există două tipuri de tranzistoare
bipolare şi anume:
• tranzistor bipolar de tip NPN
• tranzistor bipolar de tip PNP

-1-
 Lucrarea 6. Polarizarea tranzistorului bipolar

Tranzistorul bipolar NPN Tranzistorul bipolar PNP

Figura 2. Structura tranzistoarelor bipolare.

În circuitele electronice, tranzistoarele bipolare sunt reprezentate prin intermediul simbolurilor

electronice indicate în Figura 3.

Figura 3. Simbolul electronic al tranzistoarelor bipolare.

La nivelul tranzistorului bipolar apar 6 mărimi electrice:

➢ 3 curenţi electrici – curenţii electrici prin cele 3 terminale:
• iE – curentul de emitor
• iB – curentul de bază
• iC – curentul de colector
➢ 3 tensiuni electrice – tensiunile între terminalele tranzistoarelor:
• vBE – tensiunea bază-emitor
• vBC – tensiunea bază-colector
• vCE – tensiunea colector-emitor

Sensul curenţilor este acelaşi cu sensul săgeţii care indică în simbolul electronic emitorul.
Referinţele tensiunilor depind de tipul tranzistorului bipolar. Sensul curenţilor, respectiv referinţele
tensiunilor celor două tipuri de tranzistoare bipolare sunt prezentate în Figura 4.

-2-
 Lucrarea 6. Polarizarea tranzistorului bipolar

Figura 4. Mărimile electrice ale tranzistoarelor bipolare.

Tensiunile, respectiv curenţii electrici ai tranzistorului bipolar respectă relaţiile generale:

vBC = vBE − vCE ( NPN )

vCB = vEB − vEC ( PNP ) 1
iE = iB + iC

Tranzistorul bipolar poate funcţiona în patru moduri distincte, denumite regiuni de funcţionare,
stabilite de către modul în care sunt polarizate cele două joncțiuni ale tranzistorului, identificate prin
JE = joncțiunea emitorului, respectiv JC = joncțiunea colectroului. Cele patru regiuni de
funcţionare ale unui tranzistor bipolar sunt:
• regiunea activă normală
• regiunea de saturație
• regiunea de blocare
• regiunea activă inversă

Modul în care se controlează funcționarea tranzistorului, precum și principalele caracteristici ale

acestuia în fiecare regiune de funcționare, sunt indicate în continuare:
• Regiunea Activă Normală (RAN):
o condiţia de funcţionare: JE = polarizată direct și JC = polarizată invers;
o în această regiune tranzistorul bipolar poate fi utilizat amplificarea liniară a
semnalelor; este regiunea de funcționare în care este utilizat tranzistorul bipolar, în
sistemele analogice.
• Regiunea de Saturaţie:
o condiţia de funcţionare: JE = polarizată direct și JC = polarizată direct;
o în această regiune de funcţionare vCE < 0,5[V] (în mod ideal, se consideră că în
regiunea de saturație tensiunea vCE → 0 [V]);

-3-
 Lucrarea 6. Polarizarea tranzistorului bipolar

o este o regiune de funcţionare în care tranzistorul bipolar poate fi utilizat pentru

prelucrarea semnalelor digitale;
• Regiunea de Blocare:
o condiţia de funcţionare: JE = polarizată invers și JC = polarizată invers;
o în această regiune de funcţionare toţi curenţii electrici de terminal ai tranzistorului
bipolar sunt nuli;
o este o regiune de funcţionare în care tranzistorul bipolar poate fi utilizat pentru
prelucrarea semnalelor digitale;
• Regiunea Activă Inversă:
o condiţia de funcţionare: JE = polarizată invers și JC = polarizată direct;
o în această regiune de funcţionare, tranzistorul poate fi utilizat pentru prelucrarea
semnalelor analogice, dar, datorită amplificării foarte slabe a acestora, se evită
utilizarea tranzistorului în această regiune.
Observație: condițiile de funcționare indicate mai sus reprezintă condiții ideale; în circuitele
practice, pragul de decizie, în funcție de care se stabilește polarizarea unei jonțiuni pn, nu este 0[V],
ci tensiunea de prag a joncțiunii pn, care este aproximativ 0,6[V].

Polarizarea tranzistorului bipolar

Regiunea în care funcţionează un tranzistor bipolar este stabilită prin polarizarea acestuia, care este
realizată prin intermediul unui circuit electronic special, numit circuit de polarizare. De regulă, în
sistemele electronice analogice, polarizarea tranzistoarelor bipolare se realizează astfel încât acesta
să funcţioneze în RAN, regiune în care tranzistorul bipolar poate amplifica liniar semnalele. În
RAN, curentul de colector depinde de curentul de bază prin relaţia:

iC =   iB 2

unde  reprezintă un parametru al tranzistorului bipolar, numit factor de amplificare în curent

(valoarea uzuală a acestuia, pentru tranzistoarele bipolare de tip NPN de mică putere, fiind de
ordinul sutelor). După cum se observă din relaţia de mai sus, tranzistoarelor bipolare au proprietatea
de a amplifica curentului din bază, factorul de amplificare în curent al tranzistorului bipolar fiind
egal cu . În consecinţă, curentul de bază este mult mai mic decât cel din colector şi din acest
motiv, pe baza relaţiei 1 se poate aproxima:

iC  iE 3

Deoarece polarizarea tranzistorului se realizează de la o sursă de tensiune continuă (sursa de

alimentare a circuitului), în urma polarizării tranzistorului, prin, respectiv pe terminalele acestuia se
-4-
 Lucrarea 6. Polarizarea tranzistorului bipolar

stabilesc curenţi electrici continui, respectiv tensiuni electrice continue, astfel încât, de fapt, se
stabileşte regiunea de funcţionare a tranzistorului respectiv.
Regiunea de funcţionare a tranzistorului este caracterizată complet prin intermediul unei
perechi de mărimi electrice continue de tipul curent-tensiune, (restul mărimilor electrice ale
tranzistorului fiind determinate din relaţiile 1-3, în care se ţine cont că tensiunea continuă VBE este
aproximativ egală cu 0,6[V] pentru tranzistoarele realizate din siliciu.
De obicei, identificarea regiunii de funcţionare a tranzistorului bipolar în regim de curent continuu
este realizată prin intermediul perechii de mărimi electrice IC-VCE. Cele două mărimi electrice
stabilesc ceea ce se numeşte punctul static de funcţionare al tranzistorului (prescurtat PSF).
În Figura 5 se prezintă cel mai simplu circuit de polarizare (în continuare se consideră numai
cazul tranzistorului bipolar de tip NPN, pentru tranzistorul bipolar de tip PNP singura modificare
care trebuie adusă circuitelor prezentate constă în inversarea polarităţii sursei de alimentare VCC).
Curentul din baza tranzistorului bipolar este asigurat de către rezistorul de polarizare RB, de la sursa
de tensiune continuă VCC, care reprezintă sursa de alimentare a circuitului. Punctul Static de
Funcţionare al acestui circuit se calculează cu relaţiile:

V − VBE
I C =  F  CC 4.a
RB

VCE = VCC − RC  I C 4.b

Figura 5. Circuite de polarizare pentru tranzistorul bipolar.

După cum se observă din relațiile 4, valoarea Punctului Static de Funcționare al tranzistorului este
determinat de către valorile componentelor circuitului, RB și RC și de către tensiunea de alimentare
VCC. Rezultă că Punctul Static de Funcționare și implicit regiunea în care tranzistorul funcționează,
pot fi modificate prin intermediul acestor elemente. Variind valorile acestor elemente, rezultă că
Punctului Static de Funcționare se deplasează pe o dreaptă în semiplanul IC-VCE, care se numește
dreapta de sarcină statică a tranzistorului.

-5-
 Lucrarea 6. Polarizarea tranzistorului bipolar

Figura 6. Dreapta de sarcină statică a tranzistorului.

Dreapta de sarcină statică furninzează informații despre poziția Punctului Static de Funcționare a
tranzistorului, reprezentarea acesteia fiind redată în Figura 6, în care se scot în evidență Regiunea
Actică Normală, respectiv Regiunile de Blocare și de Saturație. Un tranzistor bipolar funcționează
în Regiunea Activă Normală dacă tensiunea sa determinată între colector și emitor, notată VCE,
satisface condiția:

0,5V   VCE  VCC − 0,5V 

condiția de funcționare în RAN

Pe lângă rolul de a stabili regiunea de funcționare a tranzistorului, circuitul de polarizare mai are
rolul de a menţine PSF-ul acestuia constant la variaţiile condiţiilor de funcţionare ale circuitului
(variaţii ale temperaturii de lucru, ale tensiunii de alimentare sau ale parametrilor dispozitivelor
electronice). Deoarece factorul de amplificare în curent  al tranzistorului bipolar prezintă
fenomenul de dispersie tehnologică (variaţia valorii sale într-un domeniu larg, pentru aceeaşi serie
de tranzistoare) precum şi o puternică dependenţă de temperatura de lucru, circuitele de polarizare
trebuie să fie astfel proiectate încât curentul IC să fie cât mai puţin dependent de parametrul . În
circuitele de polarizare se mai are în vedere anularea efectelor determinate de variaţia tensiunii VBE
cu temperatura (acestă tensiune scade cu 2[mV]/[0C]).
Revenind la anularea efectului parametrului , circuitul din Figura 5 nu este capabil să
stabilizeze PSF-ul, datorită relaţiei direct proporţionale dintre curentul IC şi F (relaţia 4.a). O
stabilizare mai bună a PSF-ului se obţine pentru circuitul de polarizare din Figura 8.b. În acest caz,
expresia curentului IC devine:
-6-
 Lucrarea 6. Polarizarea tranzistorului bipolar

V − VBE
I C =   CC 5
  RE + RB

Dacă în relaţia de mai sus termenul dominant al numitorului ar fi produsul RE, atunci curentul IC
nu ar mai depinde de  şi ar rezulta mai stabil la variaţiile condiţiilor de lucru sau la dispersia
parametrului . Pentru aceasta trebuie îndeplinită condiţia:

RB   F  RE 6

În realizările practice ale circuitului din Figura 8.b, pentru valori uzuale ale curenţilor prin
tranzistorul bipolar (valori de ordinul miliamperilor pentru un tranzistor polarizat în RAN),
rezistenţa RB rezultă de valori foarte mari, (ordinul sutelor de [k]  câţiva [M]), iar valorile
maxime ale lui RE nu pot depăşi câţiva kiloohmi. Aşadar, condiţia 6 este dificil de îndeplinit într-un
circuit practic de tipul celui din Figura 8.b. Din acest motiv, se propune circuitul de polarizare
prezentat în Figura 8.c, în care polarizarea tranzistorului se realizează prin intermediul unui divizor
rezistiv compus din rezistoarele RB1 și RB2, conectat în baza acestuia. În acest caz curentul de
colector IC rezultă:

V −V
I C =   BB BE
  RE + RB
7
RB1
VBB =  VCC RB = RB1 RB 2
RB1 + RB 2

unde VBB şi RB reprezintă tensiunea echivalentă, respectiv rezistenţa echivalentă, deteminate prin
teorema lui Thevenin, aplicată pentru divizorul rezistiv. Se observă că relaţia 7 are aceeaşi formă ca
relaţia 5, deci, pentru ca IC să nu depindă de  este necesar a fi îndeplinită condiţia 6. Spre deosebire
de dificultăţile întâmpinate în cazul circuitului de polarizare din Figura 8.b, acum, această condiţie
este uşor de îndeplinit, datorită faptului că pentru valoarea rezistenței electrice a rezistorului RB1 se
poate alege suficient de mică, fără a afecta polarizarea în RAN a tranzistorului bipolar.

II. Simularea în Orcad a circuitelor elementare de polarizare ale tranzistorului bipolar

Scopul acestei analize constă în determinarea valorii curentului de colector IC din Punctul Static de
Funcționare al tranzistorului, pentru fiecare din circuitele de polarizare elementare ale tranzistorului
bipolar și totodată a variaţiei valorii curentului IC, în funcţie de variaţia temperaturii de lucru. Se
reaminteşte că un circuit de polarizare este cu atât mai performant cu cât variaţia curentului IC este
mai mică la variaţia temperaturii de lucru.

-7-
 Lucrarea 6. Polarizarea tranzistorului bipolar

1. Se editează circuitul din Figura 8.a, în care, pentru modelul tranzistorului bipolar se alege din
librăria Bipolar (care trebuie ataşată proiectului). Valorile componentelor circuitului sunt precizate
în specificațiile de proiectare, iar sursa de tensiune continuă VCC este de tip VDC şi are valoarea
10[V].
2. Se determină valoarea curentului continuu din colector IC, respectiv din bază IB: în acest scop,
asupra circuitului se realizează analiza Bias Point (analiza este prezentată în lucrarea de laborator
2); valorile celor doi curenți electrici sunt afișate la temperatura implicită de simulare, care este
considerată 25[0C]. Valoarea obţinută pentru curentul de colector se introduce în Tabelul 1, în
coloana ICmăsurat, care corespunde liniei 250C.
3. Pe baza rezultatelor obținute la punctul 2, se calculează valoarea factorului de amplificare în
curent  al tranzistorului utilizat, cu ajutorul relației de mai jos, iar valoarea astfel determinată se
trece în Tabelul 1, pe linia 250C.

IC
=
IB

4. Se calculează valoarea teoretică a curentului de colector; valoarea astfel calculată, se introduce în

Tabelul 1, în coloana ICteoretic, care corespunde liniei 250C; în calculul efectuat, se utilizează relația
de calcul a curentului IC prezentată în cadrul secțiunii I a laboratorului, pentru circuitul din Figura
8.a (relația 4.a); valorile componentelor circuitului sunt cele furnizate de specificații, VCC = 10[V],
VBE = 0,6[V], iar factorul de amplificare în curent  are valoarea determinată la punctul 3.
5. Se refac punctele 24 pentru temperatura de lucru T = 75[0C]. În acest scop, se activează ferestra
Simulation Settings prin comanda: Pspice → Edit Simulation Profile şi se bifează caseta
Temperature (Sweep), apoi, în caseta corespunzătoare secţiunii Run the simulation at
temperature se setează temperatura de simulare a circuitului, la valoarea 75 (grade celsius). În
continuare, se reface simularea circuitului şi se afișează din nou curentul de colector, respectiv de
bază, apoi se procedează așa cum s-a procedat la punctele 24, iar rezultatele se trece în Tabelul 1,
pe linia care corespunde temperaturii de 75[0C].
6. Se determină variaţia teoretică, respectiv măsurată, a curentului de colector IC, la variaţia
temperaturii de lucru cu relaţia:

IC = IC [750 C ] − IC [250 C ]

iar rezultatele obținute se introduc în Tabelul 1.

7. Punctele 16, cu excepția punctului 3, se repetă şi pentru circuitele din figurile 8.b, respectiv 8.c.
În calculele teoretice ale curentului de colector se ține cont de relația de calcul a curentului IC,

-8-
 Lucrarea 6. Polarizarea tranzistorului bipolar

specifică circuitului de polarizare analizat (relația 5 respectiv 7); pentru factorul de amplificare în
curent  se vor utiliza valorile determinate pentru circuitul de polarizare din Figura 8.a, la cele 2
temperaturi de simulare.

Figura 8. Circuite elementare de polarizare a tranzistorului bipolar.

-9-
 Lucrarea 6. Polarizarea tranzistorului bipolar

Data
NUME GRUPA

Tabelul 1. Analiza în Orcad a circuitelor elementare de polarizare ale tranzistorului bipolar.

Circuite Orcad + rezultate la temperatura T = 25[0C]

Circuite Orcad + rezultate la temperatura T = 75[0C]

Figura 8.a Figura 8.b Figura 8.c

 IC_teoretic IC_masurat IC_teoretic IC_masurat IC_teoretic IC_masurat

T = 250C

T = 750C

ICteoretic ICmasurat ICteoretic ICmasurat ICteoretic ICmasurat

- 10 -