Laborator 06 (DEEA 09_10) – Polarizarea tranzistorului bipolar

Laborator 6. Polarizarea tranzistorului bipolar

Tranzistorul bipolar este un dispozitiv cu trei terminale, furnizat de către producători sub diverse
forme (capsule), iar în Figura 1 sunt prezentate variantele de capsule ]nt\lnite cel mai frecvent. Cele trei
terminale ale tranzistorului bipolar au “roluri” diferite, motiv pentru care poartă denumiri diferite şi anume:
• EMITOR notat E,
• BAZĂ notată B,
• COLECTOR, notat C.
Cele trei terminale ale tranzistorului bipolar sunt dispuse pe capsulă în ordinea specificată mai sus. La
tranzistoarele utilizate în aplicaţiile studiate în cadrul lucrărilor de laborator, emitorul este indicat ca în
Figura 2.

Figura 1. Tranzistoare bipolare. Figura 2. Emitorul tranzistoarelor bipolare.

În funcţie de structură, există două tipuri de tranzistoare

bipolare:
 NPN
 PNP
În circuitele electronice, tranzistoarele bipolare sunt
simbolizate ca în Figura 3.

Figura 3. Simbolul electronic al tranzistoarelor bipolare.

La nivelul tranzistorului apar 6 mărimi electrice:

 3 curenţi – curenţii prin cele 3 terminale:
o iE – curentul de emitor
o iB – curentul de bază
o iC – curentul de colector
 3 tensiuni – tensiunile între terminalele tranzistoarelor:
o vBE – tensiunea bază-emitor
o vBC – tensiunea bază-colector
o vCE – tensiunea colector-emitor
Sensul curenţilor este acelaşi cu sensul săgeţii care indică în simbolul electronic EMITORUL.
Referinţele tensiunilor depind de tipul tranzistorului bipolar. Astfel, sensul curenţilor, respectiv referinţele
tensiunilor sunt prezentate în Figura 4.

1
 Laborator 06 (DEEA 09_10) – Polarizarea tranzistorului bipolar

Figura 4. Mărimile electrice ale tranzistoarelor bipolare.

Tensiunile, respectiv curenţii tranzistorului bipolar respectă relaţiile:
vBC = vCE + vBE
1
iE = iB + iC
Tranzistorul bipolar poate funcţiona în patru moduri distincte, denumite regiuni de funcţionare,
stabilite de semnul tensiunilor BAZĂ-EMITOR, respectiv BAZĂ-COLECTOR. Astfel, pentru un tranzistor
bipolar de tip NPN, cele patru regiuni de funcţionare sunt:
 REGIUNEA ACTIVĂ NORMALĂ (RAN):
o condiţia de funcţionare: vBE > 0V şi vBC < 0V
o în această regiune tranzistorul bipolar poate fi utilizat pentru prelucrarea analogică a
semnalelor (informaţiilor), fiind singura regiune de funcţionare în care tranzistorul bipolar
poate AMPLIFICA LINIAR semnale (se va reveni asupra acestui amănunt, care stă la baza
construirii amplificatoarelor cu tranzistoare bipolare);
 REGIUNEA DE SATURAŢIE:
o condiţia de funcţionare: vBE > 0V şi vBC > 0V
o în această regiune de funcţionare vCE < 0,1V
o este o regiune de funcţionare în care tranzistorul bipolar poate fi utilizat pentru prelucrarea
digitală a semnalelor sau pentru generarea semnale digitale (biţi);
 REGIUNEA DE BLOCARE:
o condiţia de funcţionare: vBE < 0V şi vBC < 0V
o în această regiune de funcţionare toţi curenţii sunt zero
o este o regiune de funcţionare în care tranzistorul bipolar poate fi utilizat pentru prelucrarea
digitală a semnalelor sau pentru generarea semnale digitale (biţi);
 REGIUNEA ACTIVĂ INVERSĂ:
o condiţia de funcţionare: vBE < 0V şi vBC > 0V
o în această regiune de funcţionare, tranzistorul poate fi utilizat pentru prelucrarea analogică a
semnalelor (informaţiilor), dar, datorită amplificării foarte slabe a semnalelor, se evită
utilizarea tranzistorului în această regiune;

Regiunea în care funcţionează un tranzistor bipolar este stabilit prin polarizare, care este realizată prin
intermediul unui circuit electronic special, numit circuit de polarizare. De regulă, în sistemele electronice
analogice, polarizarea tranzistoarelor se face în RAN, regim în care tranzistorul poate amplifica liniar
semnalele. În RAN, curentul de colector este legat de curentul de bază prin relaţia:
iC = β F ⋅ iB 2
unde β F reprezintă factorul de amplificare în curent al tranzistorului bipolar (valoarea uzuală a acestuia fiind
de ordinul sutelor). După cum se observă din relaţia de mai sus, tranzistoarelor bipolare le este caracteristic
fenomenul de amplificare a curentului din bază, factorul de amplificare în curent fiind egal cu β F. În
consecinţă, curentul de bază este mult mai mic decât cel din colector şi din acest motiv, pe baza relaţiei (1) se
poate aproxima:
iC ≅ iE 3

În urma polarizării tranzistorului, prin, respectiv pe tranzistor se stabilesc curenţi continui, respectiv
tensiuni continue (deoarece polarizarea se realizează de la o sursă de tensiune continuă). Funcţionarea
tranzistorului în regim de curent continuu poate fi caracterizată complet prin intermediul unei perechi de
mărimi electrice continue curent-tensiune, restul mărimilor electrice ale tranzistorului putând fi determinate

2
 Laborator 06 (DEEA 09_10) – Polarizarea tranzistorului bipolar

din relaţiile (1-3), în care se ţine cont că tensiunea V BE este egală aproximativ 0.6V. De obicei, caracterizarea
completă a funcţionării tranzistorului în regim staţionar este realizată prin intermediul perechii de mărimi
electrice IC-VCE. Cele două mărimi electrice definesc punctul static de funcţionare al tranzistorului
(prescurtat PSF). În Figura 5.a. se prezintă cel mai simplu circuit de polarizare, curentul în baza
tranzistorului bipolar fiind asigurat de către rezistenţa de polarizare RB, de la sursa de tensiune continuă –
sursa de alimentare VCC. Pentru determinarea curentului IB se aplică teorema lui Kirkhoff 2 pe bucla de
circuit care conţine numai tensiunea VBE a tranzistorului:
VCC = RB ⋅ I B + VBE 4
relaţie din care, apelând la relaţia (2), rezultă curentul IC:
V − VBE
IC = β F × CC 5
RB
Pentru a determina tensiunea VCE se aplică teorema lui Kirkhoff 2 pe bucla care conţine această tensiune:
RC ⋅ I C + VCE − VCC = 0 a
6
= > VCE = VCC − RC ⋅ I C b

Figura 5. Circuite de polarizare pentru tranzistoul bipolar.

3
 Laborator 06 (DEEA 09_10) – Polarizarea tranzistorului bipolar

Figura 6. Determinarea grafică a PSF-ului.

În planul caracteristicilor de ieşire IC=IC(VCE) ale tranzistorului bipolar, ecuaţia (6.a) reprezintă ecuaţia
unei drepte care se numeşte dreapta de sarcină statică şi este locul geometric al tuturor PSF-urilor posibile,
în funcţie de valorile componentelor circuitului de polarizare (compus în acest caz din rezisteţele R B, RC şi
sursa de tensiune continuă VCC).
Din punct de vedere grafic, PSF-ul tranzistorului (caracterizat de perechea de mărimi electrice I C-VCE)
se determină la intersecţia dreptei de sarcină statică exprimată prin ecuaţia (6.a) cu caracteristica statică de
ieşire, corespunzătoare curentului din bază stabilit de valorile componentelor circuitului de polarizare, aşa
cum este prezentat şi în Figura 6.
În circuitele de amplificare realizate cu tranzistoare bipolare, în baza sau în emitorul tranzistoarelor se
aplică un semnal care determină o variaţie a tuturor mărimilor electrice ale tranzistoarelor în jurul valorii
continue, stabilite prin polarizare. Drept urmare, curentul de colector şi tensiunea colector-emitor vor varia în
jurul valorilor din PSF. Dacă semnalul din baza tranzistorului este sinusoidal, atunci aceste mărimi se vor
deplasa de-a lungul dreptei de sarcină dinamică (determinată ca în regimde curent continuu, dar pe circuitul
valabil în regim variabil) în stânga şi în dreapta valorii din PSF. Pentru ca variaţia acestor mărimi să fie cât
mai mare fără a se intra în regiunile de saturaţie sau de blocare ale tranzistorului (caz în care forma de undă a
semnalului de la ieşirea amplificatorului ar rezulta DISTORSIONATĂ), PSF-ul se alege de regulă cât mai
aproape de mijlocul dreptei de sarcină (VCE=VCC/2).

Pe lângă rolul de a asigura polarizarea tranzistorului în regiunea de funcţionare dorită, circuitul de

polarizare mai are rolul de a menţine PSF-ul constant la variaţiile condiţiilor de funcţionare (variaţii
ale temperaturii de lucru, ale tensiunii de alimentare sau ale parametrilor dispozitivelor electronice).
Deoarece factorul de amplificare în curent al tranzistorului β F prezintă fenomenul de dispersie tehnologică
(variaţia valorii într-un domeniu larg, pentru aceeaşi serie de tranzistoare) şi o puternică dependenţă de
temperatură, circuitele de polarizare trebuie să fie astfel concepute încât curentul IC să fie cât mai puţin
dependent de β F. În circuitele de polarizare se mai are în vedere anularea efectelor determinate de variaţia
tensiunii VBE cu temperatura (acestă tensiune scade cu 2mV/0C).
Revenind la anularea efectului lui β F, se observă că circuitul din Figura 5.a nu este capabil să
stabilizeze PSF-ul, datorită relaţiei direct proporţionale dintre curentul IC şi β F (5). O stabilizare mai bună a
PSF-ului se obţine pentru circuitul de polarizare din Figura 5.b. În acest caz, expresia curentului IC devine:
VCC − VBE
IC = β F × 7
β F × RE + RB
Dacă în relaţia de mai sus termenul dominant al numitorului ar fi produsul β F× RE atunci curentul IC
nu ar mai depinde de β F şi ar rezulta mai stabil la variaţiile condiţiilor de lucru sau ale dispersiei
parametrului β F. Pentru aceasta trebuie îndeplinită condiţia:

4
 Laborator 06 (DEEA 09_10) – Polarizarea tranzistorului bipolar

RB〈 βF ⋅ RE 〈 8

În realizările practice ale circuitului din Figura 5.b, pentru valori uzuale ale curenţilor prin tranzistor
(de ordinul miliamperilor pentru un tranzistor polarizat în RAN), rezistenţa RB rezultă de valori foarte mari,
(ordinul sutelor de kΩ ÷ câţiva MΩ ), iar valorile maxime ale lui RE nu pot depăşi câţiva kiloohmi. Aşadar
condiţia (8) este dificil de îndeplinit. Din acest motiv se propune circuitul de polarizare prezentat în
Figura5.c, în care polarizarea tranzistorului se realizează prin intermediul unui divizor rezistiv RB1-RB2
conectat în baza acestuia. În acest caz curentul de colector IC rezulă:
VBB − VBE
IC = β F ×
β F × RE + RB
9
RB1
VBB = × VCC RB = RB1 RB 2
RB1 + RB 2
unde VBB şi RB sunt tensiunea echivalentă, respectiv rezistenţa echivalentă deteminate prin teorema lui
Thevenin aplicată pentru divizorul rezistiv. Se observă că relaţia (9) are aceeaşi formă ca relaţia (7), deci
pentru ca IC să nu depindă de β F este necesar a fi îndeplinită condiţia (8). Spre deosebire de dificultăţile
întâmpinate în cazul circuitului de polarizare din Figura 5.b, acum această condiţie este uşor de îndeplinit
datorită faptului că pentru rezistenţa RB1 se pot alege valori suficient de mici fără a afecta polarizarea în RAN
a tranzistorului. În afară de circuitele elementare de polarizare prezentate în Figura 5, există şi alte metode de
stabilizare a PSF-ului la variaţiile condiţiilor de lucru, cum ar fi introducerea în circuit a unor diode de
compensare termică sau a termistoarelor.

Evaluarea experimentală a circuitelor de polarizare elementare

I. Determinarea caracteristcii de transfer a unui etaj de amplificare cu tranzistor bipolar

a. se verifică la sursa de alimentare HM8040 dacă ledul ON este stins, dacă nu este stins, atunci se apasă
butonul OUTPUT al sursei de alimentare HM8040 ⇒ se stinge ledul, iar sursa este deconectată;

b. se setează multimetrul digital pe gama 20V din secţiunea DCV.

c. se realizează circuitul din Figura 7 (în care se prezintă şi modul în care trebuie introdus voltmetrul digital
pentru măsurarea mărimilor electrice de interes). Circuitul este compus din 2 surse de tensiune continuă,
VCC şi VBB, (care provin de la sursa HM8040 – cele 2 sursele din lateral, de pe panoul frontal) şi
rezistoarele RB1, RB2, RB, RC. Sursa de tensiune VCC reprezintă sursa de alimentare a circuitului. Regiunea
de funcţionare a tranzistorului este impusă de valoarea sursei de tensiune reglabilă V BB, care controlează
punctul static de funcţionare al tranzistorului. Sursele de tensiune se vor seta iniţial la valorile VCC=10V, iar
VBB=0V.
Funcţionarea circuitului:
Modul în care sursa VBB controlează regiunea de funcţionare a tranzistorului este evident trasând caracteristica de
transfer a circuitului, care furnizează informaţii despre modul în care tensiunea de ieşire VOUT (=VCE) îşi modifică
valoarea, în funcţie de tensiunea de intrare VIN – vezi figura 7 pentru identificarea acestor tensiuni. Astfel, atât timp cât
tensiunea VBB are valori suficient de mici, tranzistorul funcţionează în regiunea de blocare, iar prin acesta curentul fiind
nul, caz în care tensiunea pe RC este 0, iar tensiunea VOUT este egală cu cea de alimentare VCC. Pe măsură ce valoarea
tensiunii VBB creşte, funcţionarea tranzistorului trece din regiunea de blocare în cea activă normală – RAN. Tensiunea
de intrare la care are loc acest fenomen este VIN_MIN. Prin intrarea în RAN a funcţionării tranzistorului, prin acesta apare
un curent electric, care creşte pe măsură ce tensiunea VBB (şi în consecinţă VBE) creşte. Astfel, pe RC apare o tensiune
care creşte pe măsură ce VBB creşte, caz în care se constată că în RAN, tensiunea VOUT scade la creşterea lui VBB. O dată
cu creşterea lui VBB, la un moment dat, funcţionarea tranzistorului trece din RAN în regiunea de saturaţie. Tensiunea de
intrare la care are loc acest fenomen este VIN_MAX. În acest caz, curentul prin tranzistor nu mai prezintă o creştere
semnificativă, atingând valoarea sa maximă, iar căderea de tensiune pe RC devine maximă şi aproximativ egală cu V CC.
În consecinţă, în acest caz, tensiunea de ieşire VOUT este aproximativ 0 (≅ 0.1V). Caracteristica de transfer a circuitului
din Figura 7 este schiţată în Figura 8. Panta caracteristicii de transfer a circuitului reprezintă amplificarea în tensiune a
circuitului.

5
 Laborator 06 (DEEA 09_10) – Polarizarea tranzistorului bipolar

Figura 7 – Circuit practic pentru determinarea caracteristicii de transfer a unui circuit de amplificare cu tranzistor
bipolar.

Figura 8 – Caracteristica de transfer a circuitului din Figura 7.

d. după realizarea circuitului se va chema cadrul didactic pentru verificarea acestuia;

e. cu voltmetrul introdus în circuit în poziţia 1 - vezi Figura 7 (testerul conectat la plusul voltmetrului se va
aplica pe terminalul superior al rezistorului RB1, iar testerul conectat la minusul voltmetrului se va aplica pe
terminalul inferior al rezistorului RB1), se va măsura tensiunea VIN , iar data obţinută se va introduce în
Tabelul 1.

f. cu voltmetrul introdus în circuit în poziţia 2 - vezi Figura 7 (testerul conectat la plusul voltmetrului se va
aplica pe colectorul tranzistorului, iar testerul conectat la minusul voltmetrului se va aplica pe emitorul
tranzistorului), se va măsura tensiunea VOUT , iar data obţinută se va introduce în Tabelul 1.

g. se va observa momentul în care tranzistorul trece din regiunea de blocare în regiunea activă normală,
procedând astfel: cu voltmetrul păstrat în circuit în poziţia 2 - vezi Figura 7, se va creşte progresiv tensiunea
VBB, urmărind cu voltmetrul valoarea tensiunii VOUT. Trecerea tranzistorului din regiunea de blocare în RAN
are loc atunci când VOUT începe să descrească sub valoarea lui VCC (VCC=10V); când se remarcă începutul
acestei descreşteri, voltmetrul se va introduce în circuit în poziţia 1 - vezi Figura 7 şi se va măsura tensiunea
VIN, care reprezintă valoarea VIN_MIN din Figura 8. Valoarea măsurată se introduce în Tabelul 1.

6
 Laborator 06 (DEEA 09_10) – Polarizarea tranzistorului bipolar

h. cu voltmetrul introdus din nou în circuit în poziţia 2 - vezi Figura 7, se creşte progresiv tensiunea V BB,
urmărind cu voltmetrul valoarea tensiunii VOUT. Se va observa descreşterea continuă a acestei valori. Atât
timp cât se remarcă acest fenomen, tranzistorul funcţionează în RAN. Descreşterea va continua până în
momentul în care tranzistorul va ieşi din regiunea activă normală şi va trece în regiunea de saturaţie. În
momentul în care tranzistorul va ajunge în regiunea de saturaţie, tensiunea V OUT va rămâne la o valoare
constantă, mai mică decât aproximativ 0.15V; în momentul în care se va remarca că valoarea lui VOUT rămîne
constantă, se va reveni cu voltmetrul în poziţia 1 - vezi Figura 7 şi se va măsura tensiunea VIN, care
reprezintă valoarea VIN_MAX din Figura 8. Valoarea măsurată se introduce în Tabelul 1.

i. micşorând valoarea lui VBB, se revine cu funcţionarea tranzistorului în regiunea activă normală şi se
măsoară în intervalul VIN_MIN-VIN_MAX, 5 perechi de valori VOUT-VIN. Datele obţinute se vor introduce în
Tabelul 1.

II. Determinarea factorului de amplificare în curent β F al tranzistorului.

Factorul β F de amplificare în curent al tranzistorului este definit de relaţia:
I
βF = C 11
IB
a. se va regla valoarea lui VBB astfel încât tranzistorul să funcţioneze în RAN. Acest lucru se verifică astfel:
se introduce voltmetrul în poziţia 1 - vezi Figura 7 şi se reglează valoarea lui V BB astfel încât valoarea
indicată pe ecranul voltmetrului, care reprezintă valoarea lui VIN, să fie undeva în intervalul [VIN_MIN,VIN_MAX].
b. cu voltmetrul introdus în circuit în poziţia 3 - vezi Figura 7 (testerul conectat la plusul voltmetrului se va
aplica pe terminalul stâng al rezistorului RB, iar testerul conectat la minusul voltmetrului se va aplica pe
terminalul drept al rezistorului RB), se va măsura tensiunea V RB de pe rezistorul RB, apoi se va calcula
curentul din baza tranzistorului cu ajutorul legii lui Ohm:
V
I B = RB
RB
Datele obţinute se vor introduce în tabelul 3.
c. cu voltmetrul introdus în circuit în poziţia 4 -vezi Figura 7 (testerul conectat la plusul voltmetrului se va
aplica pe terminalul superior al rezistorului RC, iar testerul conectat la minusul voltmetrului se va aplica pe
terminalul inferior al rezistorului RC), se va măsura tensiunea VRC de pe rezistorul RC, apoi se va calcula
curentul din colectorul tranzistorului cu ajutorul legii lui Ohm:
V
I C = RC
RC
Datele obţinute se vor introduce în tabelul 3.
d. cu relaţia 11 se va calcula factorul de amplificare în curent, iar rezultatul se va introduce în Tabelul 3.

Evaluarea prin simulare în Spice a performanţelor circuitelor de polarizare elementare

a. se va edita circuitul din Figura 9.a. Sursa VCC este de tip VDC şi are valoarea VCC=10V sau VCC=15V.
b. se va determina valoarea curentului continuu din colector; în acest scop, asupra circuitului se va realiza
analiza Bias Point. Curentul astfel obţinut este valabil la temperatura implicită de 250C. Valoarea
obţinută se introduce în Tabelul 4, în coloana IC(250C).
c. se activează ferestra Simulation Settings prin comanda: Pspice → Edit Simulation
Profile şi se bifează caseta Temperature (Sweep), iar în caseta corespunzătoare secţiunii Run the
simulation at temperature se setează temperatura la care se va simula circuitul la valoarea 75
(grade celsius).
d. se reface simularea şi se citeşte din nou curentul de colector, valoarea obţinută fiind trecută în Tabelul 4,
în coloana IC(750C).
e. se va determina variaţia curentului de colector cu relaţia:
I [ 750 C ] − IC [ 250 C ]
∆I C = C
I C [ 250 C ]
iar rezultatele se vor introduce în Tabelul4.
f. punctele a-e se vor repeta şi pentru circuitele din figurile 9.b, respectiv 9.c.

7
 Laborator 06 (DEEA 09_10) – Polarizarea tranzistorului bipolar

Figura 9 – Circuite specifice pentru polarizarea tranzistorului bipolar.

Figura 9.a Figura 9.b Figura 9.c

RB RC RB RC RE RB1 RB2 RC RE
Masa1 620K 1K 620K 1K 220 12K 56K 1K 220
Masa2 820K 2,2K 820K 2,2K 510 27K 81K 2,2K 510
Masa3 910K 1,2K 910K 3,3K 470 5,6K 37K 1,2K 470
Referat Laborator 06 - Polarizarea tranzistorului bipolar

Tabelul 1:
VBB 0V ......... 20V
VIN VIN_MIN VIN_MAX
[V] = =

VOUT
[V]

Să de deseneze caracteristica de transfer şi să se indice pe figură regiunile de funcţionare ale tranzistorului.

Pe baza datelor obţinute, completaţi Tabelul 2:

Care este domeniul de valori a tensiunii VIN în care tranzistorul
funcţionează în regiunea de blocare?
Care este domeniul de valori a tensiunii VIN în care tranzistorul
funcţionează în regiunea activă normală?
Care este domeniul de valori a tensiunii VIN în care tranzistorul
funcţionează în regiunea de saturaţie?

Tabelul 3.

8
 Laborator 06 (DEEA 09_10) – Polarizarea tranzistorului bipolar

VRB IB VRC IC β F

Tabelul 4:
Figura 9.a Figura 9.b Figura 9.c
IC(250C) IC(750C) ∆ IC IC(250C) IC(750C) ∆ IC IC(250C) IC(750C) ∆ IC

Care este cel mai performant circuit de polarizare din variantele simulate? Să se explice de ce.

DATA:
Nume prenume (grupa)
1.
2.
3.