Surse de curent constant, cu tranzistoare MOS

Sursele de curent constant se realizeaz cu tranzistoare i au rolul de a furniza curen i independen i de impedan a de sarcin i pe ct posibil de tensiunea de alimentare i de temperatur . In configura ia CIA, sursele de curent constant ndeplinesc urm toarele func ii:  de polarizare a altor etaje, de exemplu a celor diferen iale;  de sarcini active;  de re ele de reac ie de mare impedan (re ele de reac ie active);  de deplasare a nivelului de c.c. Deoarece rezisten ele de valori mari ocup o parte nsemnat din aria cipului de siliciu (de exemplu pentru o rezisten de 1k, n func ie de rezisten a pe p trat a zonei din cipul de siliciu n care s-a realizat rezistorul, se poate consuma o suprafa echivalent cu cea a dou tranzistoare), sursele de curent din CIA con in mai multe tranzistoare dect echivalentele lor realizate cu componente discrete. `In func ie de tehnologia de fabricare a CI, sursele de curent se pot realiza cu tranzistoare bipolare sau cu tranzistoare cu efect de cmp de tipul MOS, ob inute prin tehnologiile MOS i CMOS. Principalele surse de curent constant ntlnite n structura CIA i realizate cu tranzistoare bipolare sunt:  sursele de curent cu dou tranzistoare, numite i surse simple de curent sau oglinzi de curent (dac cele dou tranzistoare au ariile de emitor egale);  sursele (oglinzile) de curent cu trei tranzistoare;  sursa standard de curent;  sursa de curent Widlar;  sursa de curent cascod ;  sursa de curent multipl ;  sursa de curent cu tranzistoare cu efect de cmp (TEC-J). In tehnologia MOS de realizare a CI se utilizeaz n principal:  sursa simpl de curent cu dou tranzistoare;  sursa de curent Wilson;  sursa de curent cascod . Deoarece aceste surse de curent au rol n polarizarea unor etaje ale CIA iar impedan ele lor de ie ire intervin n analiza de semnal mic a unor structuri integrate complexe, este foarte important s se cunoasc valoarea de c.c. a curentului generat (Io) i valoarea impedan ei de ie ire (Ro). In cele ce urmeaza vom analiza ca pe un exemplu o sursa simpla de curent cu doua tranzistoare. Aceasta constituie un circuit propriu structurii integrate i reprezint un generator de curent comandat n curent, cu aspectul din fig.1.

Fig.1. Schema sursei simple de curent, realizat cu dou tranzistoare (oglinda de curent cu dou tranzistoare).
Tranzistorul Q1 este conectat ca diod , for ndu-se astfel o valoare nul pentru tensiunea colector-baz . n acest fel, la jonc iunea colector-baz nu exist injec ie (deoarece nu este polarizat ) i tranzistorul se comport ca i cum ar fi regiunea activ direct . n continuare vom neglija curen ii reziduali ai jonc iunilor i vom presupune ca tranzistoarele sunt identice i c rezisten a de ie ire a tranzistorului Q2 este infinit . Deoarece tranzistoarele Q1 i Q2 au aceea i tensiune baz -emitor curen ii lor de colector sunt egali IC1=IC2 (1)
Scriind suma curen ilor n colectorul tranzistorului Q1 se ab ine

Surse de curent realizate cu TEC-J Sursele de curent realizate cu tranzistoare cu efect de cmp cu gril jonc iune (TEC-J) sunt surse concepute pentru curen i mici de polarizare, de ordinul microamperilor. Aceste surse nl tur un dezavantaj al sursei simple de curent sau al sursei Widlar care const n aceea c rezistorul R, de fixare a curentului de referin , este practic legat n paralel cu sursa de alimentare EC dac UBE se neglijeaz n raport cu EC. Dac se dore te putere disipat mic , atunci rezisten a R trebuie s fie de valoare mare, ceea ce este o solu ie costisitoare (arie mare de siliciu). Se poate evita aceast situa ie prin folosirea n loc de rezistorul R a unui TEC-J cu canal n. Rezult schema din fig.3.13,a.

Metoda prezint urm toarele avantaje: n locul unei arii mari de siliciu, ocupat de rezistorul R, acum suprafa a consumat este echivalent cu cea a unui singur tranzistor npn; TEC-J lucreaz n regiunea de satura ie (pentru UDS"UP, UP fiind tensiunea de prag) astfel c Iref practic nu depinde de UDS i deci de tensiunea de alimentare EC, deoarece EC=UDS+UBE,UDS. O alt solu ie convenabil pentru ob inerea unor curen i de polarizare mici, de valoare bine determinat i reproductibil , independent de tensiunile de alimentare, de temperatur i insensibil la varia iile datorate procesului tehnologic, o constituie utilizarea unui TEC-J cu canal p, ob inut prin implantare ionic (fig.3.13,b).