DIODA SEMICONDUCTOARE

Diodele semiconductoare sînt dispozitive electronice formate dintr-o

joncţiune p-n şi două contacte ohmice (metal-semiconductor). Funcţie de
structura şi de profilul de dopare cu impurităţi a domeniilor
semiconductoare, rezultă o serie de proprietăţi specifice, puse în evidenţă la
joncţiunea p-n. Aceste proprietăţi stau la baza realizării unei game foarte
variate de diode semiconductoare: diode stabilizatoare, diode de comutaţie,
diode pentru frecvenţe înalte cu contact punctiform, diode tunel, diode
varicap, fotodiode etc.
La o diodă ideală, curentul invers se numeşte curent de saturaţie I S şi
este constant, depinzînd de concentraţiile purtătorilor minoritari din cele
două zone.
Caracteristica teoretică a unei diode ideale poate fi exprimată printr-o
relaţie de forma:

  q  VA  
I A  IS  exp   1 (3.1)
  k T  
unde:
VA – tensiunea aplicată la borne;
k – constanta lui Boltzmann;
T – temperatura absolută.
k T
Se defineşte tensiunea termică VT  q şi se exprimă dimensional în volţi
(25 mV la T = 300 K).

IF [mA]

T2>T1
T1 [0C]

VR [V] 150 50
0,2 0,6 1,0 VF [V]
IS 1
2
3
IR [mA]

Figura 3.1 Caracteristica statică a diodei

În Figura 3.1 este ilustrată caracteristica unei diode. Cu linie întreruptă

este redată caracteristica diodei corespunzătoare unei temperaturi mai
ridicate la care funcționează dioda respectivă. Pe lîngă dispersia tehnologică
a parametrilor diodei, dependența acestora de temperatură justifică
aproximările de calcul în analiză și proiectare care se pot face.
 O analiză sumară arată că pe porțiuni relația (3.1) poate fi aproximată
prin expresii mai simple. Pentru tensiuni inverse mari în raport cu V T,

 q  VA 
exp   1 şi IA = IS.
 k T 

La polarizarea în sens direct, dacă VA > > VT, atunci

 q  VA   q  VA 
exp   1 şi I A  IS  exp .
 k T   k T 

Expresia (3.1) a caracteristicii statice a diodei conține implicit

influența temperaturii, prin parametrii Is și respectiv VT. Cu o bună
aproximare, în practică se consideră că la fiecare creștere a temperaturii cu
10o C, curentul rezidual se dublează.
De asemenea, se constată că dacă temperatura crește acelați curent
direct prin diodă corespunde unei tensiuni VD mai mică. Această comportare
se reflectă printr-un coeficient de temperatură negativ:

∆ VD / ∆T = - 2,5 mV / oC pentru ID constant.

În legătură cu efectul temperaturii asupra caracteristicii diodei, este

importantă rezistența termică a dispozitivului. Rezistența termică dintre
joncțiune și mediul ambiant, RthJA, caracterizează capacitatea dispozitivului
de a evacua căldura de la nivelul joncțiunii spre mediul înconjurător.
În regim staționar, între joncțiune ți mediul ambiant (capsulă) se stabilește o
diferență de temperatură ∆TJA proporțională cu puterea electrică PD disipată
pe dispozitiv:

∆TJA = PD . RthJA (3.2)

Relația (3.2) este asemănătoare ca formă cu legea lui Ohm,

coeficientul de proporționalitate fiind rezistența termică R thJA . Diferența de
temperatură ∆TJA joacă rolul tensiunii și se măsoară în în grade (Celsius – C
sau Kelvin - ), iar puterea disipată PD, asimilată unui curent, se măsoară în W.
Ca urmare, rezistența termică se exprimă în C/W sau K/W.
Dacă componenta electronică, dioda în cazul nostru, funcționează în
aer liber, rezistența termică are valori destul de mari (evacuarea căldurii este
mai dificilă). Dacă se folosește un ventilator de răcire (aer forțat), rezistența
termică scade mult. Cele mai mici rezistențe termice, de ordinul a 0,5 oC / W,
se obțin în cazul folosirii unor radiatoare (heat sink) eficiente, metodă
folosită în cazul dispozitivelor electronice de putere.
 Fie un circuit electric format dintr-o diodă, înseriată cu o rezistenţă R
şi o sursă de t.e.m. E.

IA R
+
E
-
D VA IA
E
R tg= R

Figura 3.2
IA0
α
Dându-se valorile E, R, precum şi caracteristica statică a diodei I A = VA
f(VA), se cere curentul prin diodă şi tensiunea la bornele acesteia.
Pentru rezolvarea problemei se utilizează caracteristica Vstatică a
diodei şi relaţia obţinută prin aplicarea teoremei a II-a a lui KirchhoffA0:

IA = f(VA) (3.3)

R∙IA + VA = E (3.4)

Soluţia sistemului constituie curentul prin diodă şi tensiunea la

bornele acesteia, în cadrul schemei analizate.
Deoarece una din relaţii este dată în forma grafică, soluţia sistemului
de ecuaţii se poate obţine grafic. Reprezentarea celei de-a doua ecuaţii în
planul IA – VA se numeşte dreapta statică de sarcină.
Intersecţia dreptei statice de sarcină cu caracteristica diodei se
numeşte punct static de funcţionare al diodei, coordonatele acestuia, I A0 şi
VA0, reprezentînd soluţia problemei.

DIODA REDRESOARE

Aceste diode utilizează proprietatea joncţiunii p-n de a conduce

curentul, practic numai atunci cînd este polarizată direct.
Se construiesc din Si sau Ge trebuind să aibă caracteristici cît mai
apropiate de caracteristica ideală.
Diodele de putere medie şi mare au o construcţie care permite
montarea lor pe radiatoare, în vederea creşterii suprafeţei de disipare a
căldurii.
Parametrii diodelor redresoare sunt:
 curentul mediu redresat I0, reprezintă valoarea medie a
curentului direct, calculată pe o perioadă completă pentru redresarea
monoalternanţă monofazată;
  curentul direct de vîrf IFRM, reprezintă valoarea maximă a
curentului direct în regim permanent, incluzînd toate componentele
repetitive şi excluzîndu-le pe cele nerepetitive. Acest curent apare fie
datorită unor deformaţii permanente ale undei redresate, fie în cazul
redresoarelor cu sarcină capacitivă. De regulă diodele pot prelua astfel de
curenţi de pînă la 4...10 I0;
 tensiunea inversă de vîrf repetitivă VRRM, reprezintă valoarea
maximă a tensiunii inverse instantanee, incluzînd toate componentele
repetitive;
 tensiunea de străpungere VBR, reprezintă tensiunea inversă VR
pentru care curentul invers IR devine mai mare decît valoarea specificată I BR;
 tensiunea inversă continuă VR, tensiunea pe care o poate
suporta dioda, mai mică decît VBR şi căreia îi corespunde IR;
 temperatura maximă a joncţiunii Tjmax;
 rezistenţa termică Rth, constanta de material, care determină
transferul de căldură cu exterior.
Curentul invers la Si este mult mai mic decît la Ge datorită lăţimii mai
mari a benzii interzise.
Căderea de tensiune directă este cuprinsă între 0,1...0,3 V la Ge şi
0,6...0,8 V la Si, pentru valori mici şi medii ale curenţilor direcţi. Pentru valori
mari şi foarte mari ale curenţilor direcţi, căderile de tensiune pot ajunge pînă
la 0,7 V la Ge şi 1,4 V la Si.
Tensiunea de străpungere este determinată de lăţimea regiunii de
trecere, care poate fi controlată prin profilul de impurităţi şi geometria
structurii semiconductoare. Diodele din Si se pot realiza cu tensiuni de
străpungere mai mari ca cele de Ge.
Temperatura de lucru maximă admisă pentru joncţiune este de
200...220ºC la Si şi 85...90ºC la Ge.

Id []

Id Vi [V] Vstr 200 100 Vd [V]

Id [mA]

Vd 100 Ge Si
Si Ge
50
Vd [V]
0,2Figura
0,4 0,6
3.30,8

Diodele redresoare se utilizează pînă la frecvenţe de cca. 10...20 kHz,

deoarece la frecvenţe mai înalte capacitatea de barieră produce un puternic
efect de şuntare a rezistenţei interne, şi proprietăţile de redresare sînt
puternic diminuate, sau chiar dispar.
DIODA REDRESOARE RAPIDĂ

Deoarece trecerea diodei din starea de conducţie, la un curent I F, în

starea blocată la un curent I R, nu are loc instantaneu, fiind necesar un timp
pentru deplasarea purtătorilor, se defineşte timpul de comutare invers t rr:

I
IF trr

t
IR

Figura 3.4

Obişnuit, timpul de comutare invers este mai mare de 10 μs. În echipamente

pentru comutare rapidă, în surse de alimentare fără transformator şi în
televizoare, sînt necesare diode cu timp de comutare invers mic (0,1...1 μs).
Acestea sînt diodele rapide.
Construcţia lor este asemănătoare, dar la o aceeaşi capsulă
corespund puteri mai mici.
DIODA DE COMUTARE

Se pot realiza cu joncţiuni, prin tehnologia planar epitaxială, prin

contacte metal-semiconductor (diode Schottky) sau cu contact punctiform.
Diodele de comutare planar-epitaxiale au o construcţie specială: zona
n slab dopată cu impurităţi, este foarte îngustă şi dopată cu atomi de aur în
vederea măririi vitezei de recombinare a purtătorilor minoritari proveniţi prin
difuzie.
Aceste particularităţi au ca efect micşorarea timpilor de trecere din
starea de conducţie în starea de blocare şi invers (valori uzuale de ordinul
ns sau zeci de ns).
Servesc la comutarea benzilor de frecvenţă sau de canale, în
televiziune şi în tehnica audio. Constituie echivalentul electronic al
contactelor mecanice ale comutatoarelor de canale.
În conducţie, la un curent direct de 2...10 mA, au o rezistenţă dinamică
ri foarte mică, sub 1 Ω la 100 MHz, în serie cu inductanţa neglijabilă a
terminalelor.

ri [Ω]

100
10 10MHz
1
100MHz If
10 100 [mA]

Figura 3.5
În această stare ele înlocuiesc contactul mecanic închis (figura 3.5 a).

+ - - +

ri < 1Ω ri > 1 MΩ

a b
Figura 3.6

La polarizare inversă, la o tensiune de cca. 15 V, dioda se comportă ca

o rezistenţă foarte mare (> 1 MΩ), în paralel cu capacitatea totală a diodei
(1...2 pF). În această stare ea materializează contactul mecanic deschis.
DIODA CU CONTACT PUNCTIFORM

W
A K
n

Figura 3.7

Sînt diode de mică putere utilizate în circuitele de detecţie şi de

comutare.
Pe suprafaţa materialului semiconductor de tip n se fixează vîrful unui
fir de wolfram. În procesul de fabricaţie se transmite prin dispozitiv un
impuls de curent, de valoare mare, care modifică tipul de conductibilitate a
semiconductorului în jurul vîrfului de wolfram.
Se formează astfel o microjoncţiune p-n, de suprafaţă foarte mică
(cca. 10-4 mm2), avînd capacitatea de barieră mai mică de 1 pF, ceea ce
permite utilizarea diodei în circuitele de detecţie, la frecvenţe înalte, precum
şi în circuitele de comutare.

DIODA TUNEL

Diodele tunel au o caracteristică electrică în polarizare directă în

formă de N, ilustrată în figura 3.7 a.

IA

ElementulP itunel
de noutate îl constituie porţiunea P-V a caracteristicii,
EFncare
ilustrează o comportare asemenea unei rezistenţe diferenţiale negativă.
Constructiv, dioda tunel este o joncţiune p +n+, adică are concentraţii mari de
impurităţi în ambele
V EFp
regiuni. Datorită concentraţiilor mari de impurităţi,
V
nivelul 0Fermi din regiunea p (E Fp) intră
A în banda de valenţă, iar nivelul Fermi
din regiunea n (EFn) intră în banda de conducţie. În acelaşi timp, regiunea de
sarcină spaţială area o lăţime foarte mică (regiunea barierei de b potenţial este
foarte îngustă). Apare ca urmare posibilitatea
Figura 3.8 trecerii electronilor din banda
de conducţie a regiunii n, prin efect tunel direct în banda de valenţă a
regiunii p (la energie constantă). Curentul corespunzător, I tunel se adună
curentului obişnuit al joncţiunii pn (linia întreruptă 0V). Acest curent există
numai la tensiuni directe mici, pentru care se asigură “suprapunerea” celor
două benzi energetice.
Electronul ajuns prin efect tunel în regiunea p, se află de la început în
banda de valenţă, deci nu mai este supus proceselor de recombinare. Din
această cauză, diodele tunel au o viteză de comutaţie foarte mare.

DIODA STABILIZATOARE DE TENSIUNE

Numită şi diodă de străpungere sau diodă Zener, utilizează

proprietatea joncţiunii pn de a avea o tensiune inversă aproximativ
constantă la borne, atunci cînd lucrează în regiunea de străpungere, la
creşterea curentului prin diodă. Spre deosebire de dioda redresoare la care
străpungerea inversă are ca efgect distrugerea joncțiunii, la dioda
stabilizatoare se manifestă o străpungere nedistructivă, caracterizată prin
creșterea puternică a curentului invers (iz) în condițiile menținerii aproape
constante a tensiunii inverse (vz) la bornele dispozitivului.
Două efecte determină această comportare: efectul Zener și efectul
multiplicării în avalanșă a purtătorilor de sarcină. Efectul Zener este
predominant la tensiuni inverse cuprinse în plaja 2,7 V și 5 V.
Datorită cîmpului electric intens la nivelul joncțiunii, electronii sînt
puternic accelerați și interacțiunea lor cu atomii din rețea duce la formarea
de noi perechi electron – gol. Repetarea fenomenului are ca efect
multiplicarea în avalanșă a purtătorilor de sarcină.
În majoritatea aplicațiilor, dioda Zener este polarizată invers (iR < 0 și
respectiv vR < 0) adică în regiunea de străpungere. Catodul diodei utilizate în
cadrul experimentelor este marcat printr-o bandă.
Din Figura 3.9 se observă că în zona de străpungere tensiunea pe
diodă este aproximativ constantă într-o plajă largă de variație a curentului
prin diodă. Practic aici tensiunea vz crește ușor cu creșterea cuentului iz, fapt
ilustrat prin rezistența dinamică (dynamic Zener resistance):

rz = ∆ vz / ∆ iz
Valorile acestei rezistențe sînt în plaja unităților și zecilor de ohmi, depinzînd
de curentul prin diodă și de tensiunea V z. Tensiunea Vz poate dfi controlată
prin tehnologie, putînd lua valori de la unități de volți la sute de volți.
Datorită dispersiei de fabricație, foaia de catalog specifică valorile minimă,
nominală și maximă pentru diodele de un anumit tip. Dacă dioda este
polarizată direct, ea se comportă ca o diodă redresoare.
 IF [mA]

Vz

VR[V] 6 4 2 0.5 1 VF [V]

Izmin
Iz
Iz

din Si, deoarece Iacesta

Se realizeazăΔV zmax prezintă o serie de avantaje faţă
z
de Ge: IR[mA]
 curentul invers înainte de intrarea în regiunea de străpungere mult
mai mic; Figura 3.9
 intrarea în străpungere se face brusc, începînd de la valori mici ale
curentului;
 caracteristica inversă este aproape verticală;
 rezistă la temperaturi mai mari.
Prin dopare puternică semiconductoarele obţinute au tensiunea de
străpungere mică, iar creşterea curentului la străpungere foarte mare. Se
observă că tensiunea care cade pe ele rămîne practic constantă într-un
domeniu larg de variaţie a lui IR.
Dacă se urmăreşte obţinerea unei tensiuni stabilizate cît mai
constante cu temperatura se recomandă utilizarea unor tensiuni care
conduc la valori minime ale lui αVz, fie conectarea în serie a două diode cu
coeficient de temperatură de semn opus.
Uneori în serie cu dioda Zener, cu coeficient pozitiv de temperatură, se
poate lega o diodă redresoare polarizată direct.
Pentru a se obţine tensiuni stabilizate, de valoare diferită de ale
diodelor Zener disponibile, se poate recurge la legarea în serie a mai multor
diode, tensiunea de străpungere rezultantă V BR fiind suma tensiunilor de
străpungere individuale.

Niciodată pentru preluarea unui curent mai mare nu trebuie conectate

mai multe diode Zener în paralel, deoarece ele nu au exact aceeaşi tensiune

Figura 3.10
de străpungere, aşa încît cea cu tensiune mai mică va prelua tot curentul, şi
supraîncălzindu-se se va distruge.
Multe diode Zener, lucrînd în regiunea de străpungere, generează
zgomot într-o bandă largă de frecvenţe, aşa încît se recomandă conectarea
unui condensator în paralel cu dioda.
Condensatorul electrolitic, avînd capacitate mare, atenuează
zgomotele foarte joase, pe cîtă vreme condensatoarele nepolarizate,
zgomotele foarte înalte.

Figura 3.11

Proprietatea tensiunii inverse de străpungere de a nu varia cu

intensitatea curentului invers IR este utilizată pentru realizarea unor tensiuni
de referinţă sau pentru stabilizarea tensiunii.
Parametrii importanţi:
 VBR – tensiunea nominală de stabilizare V ZT, care variază de la un tip
de diodă la altul şi se măsoară la un anumit curent continuu invers
IZT, numit curent de control.
 tensiunea de stabilizare VZT variază între anumite limite pentru
diodele cu acelaşi simbol, limite de asemenea prescrise în
cataloage.
 rezistenţa dinamică de stabilizare; variază funcţie de construcţia
diodei între (25...2000) Ω. Cu cît este mai mică, cu atît tensiunea
stabilizată se menţine mai constantă:

dVZ
rZT  (3.5)
dI Z

 puterea maximă disipată Pmax; variază între 0,3 şi zeci de waţi.

Pmax = VZ ∙ IZmax (3.6)

 domeniul de curenţi IZmin/IZmax în care se asigură stabilizarea tensiunii.

IZmin este necesar pentru a trece de zona neliniară a caracteristicii
(1...10 mA); IZmax este limitat de puterea maximă disipată pe dioda (50
mA...2 A).
 coeficientul de temperatură al tensiunii de stabilizare α Vz
(Temperature Coeficient of VZ) caracterizează dependenţa tensiunii
stabilizate de temperatură; pentru dioda PL9V1Z are valoarea 5,1. 10-4
/ oC.
 VZT /T
α Vz 
VZT
(3.7)

Se constată că pentru tensiuni VZ < 5V, αVZ este negativ, adică VZ

scade cu creșterea temperaturii. Dimpotrivă, pentru V Z > 5V αVZ este
pozitiv, adică VZ crește cu temperatura.
Pentru realizarea unui stabilizator de tensiune cu diodă Zener, cel mai
comun, dioda Zener se conectează în paralel cu sarcina R L, iar tensiunea de
intrare Vg se aplică prin intermediul rezistenţei R g. Valoarea acestei
rezistenţe se alege astfel ca dioda să lucreze în regiunea de stabilizare
pentru întreg domeniul de variaţie a tensiunii de intrare şi a curentului de
sarcină.

Ri Ri

Iin Iz IL
Vi RL Vi Vz RL Vout = Vz
DZ

a b
Figura 3.12

Dioda Zener este folosită pentru a menţine o tensiune constantă la

ieşire, Vout = VZ, independent de variaţiile rezistenţei de sarcină R L şi
tensiunea neregulată Vi > VZ.
În circuitul echivalent am considerat RZ = 0 şi deci

Vi  VZ VZ
I Z  Iin  I L   (3.8)
Ri RL

VZ
Se observă că I L  creşte (descreşte) cu descreşterea (creşterea)
RL
rezistenţei de sarcină.
Oricum Iin este independent de RL. Prin urmare, IZ se modifică cu
variaţiile sarcinii, dar ieşirea rămâne constantă la V Z. Domeniul lui IZ este
limitat atît la valori superioare cît şi inferioare.
Limitarea superioară a lui IZ rezultă din puterea de disipare maximă
capabilă a fi suportată de diodă. Curentul I Zmin reprezintă valoarea cea mai
coborîtă a curentului prin diodă pentru care reglarea are loc. Mai jos de Izmin
reglarea este înrăutăţită şi tensiunea de ieşire deviază de la valoarea V Z.
 Domeniul permis de valori pentru I z limitează valorile sarcinii pentru
care reglarea este atinsă. Pentru o diodă dată, aceste limite ale lui I Z sînt de
asemenea impuse de valorile minime şi maxime ale lui V i pentru
funcţionarea circuituilui propriu-zis.