31

3.

Diode semiconductoare

Diodele semiconductoare sunt dispozitive electronice formate dintr-o jonciune pn, dou contacte metal-semiconductor nchise ermetic ntr-o capsul de protecie prevzut cu dou terminale. Terminalul corespunztor regiunii de tip p se numete anod (A) iar cel corespunztor regiunii de tip n se numete catod (K). Ele se utilizeaz n circuitele electronice unde ndeplinesc diverse funcii. Principalele tipuri de diode semiconductoare frecvent ntlnite n circuitele electronice sunt diodele redresoare, diodele stabilizatoare (Zener), diodele varicap, diodele tunel, diodele Schottky. Exist de asemenea fotodiode, diode emitoare de lumin (LED) sau diode laser dar aceste tipuri se vor prezenta n cadrul dispozitivelor optoelectronice. 3.1. Diode redresoare 3.1.1. Caracteristici, punct static de funcionare, parametrii Diodele redresoare (DR) se bazeaz pe proprietatea de conducie unilateral a jonciunii p-n la frecvene joase ( max .15 20kHz ) . Ele sunt utilizate n special pentru conversia curentului alternativ de valoare medie zero ntr-un curent a crui valoare medie este diferit de zero (curent continuu). Caracteristica ideal a unei diode redresoare este dat n fig. 3.1.a, i exprim dependena ntre curentul care circul prin diod i tensiunea aplicat la borne. IA = f ( U A )
IA IA A K

a Fig. 3.1

32

n polarizare direct o diod redresoare ideal are o rezisten egal cu zero, funcionarea sa corespunznd regimului de scurtcircuit iar n polarizare invers are o rezisten infinit , ceea ce determin un curent nul prin ea. Caracteristica real i simbolul unei diode redresoare sunt date n fig. 3.1.b. Se constat c n conducie direct dioda prezint o rezisten diferit de zero, care determin o cdere de tensiune pe ea. n conducie invers dioda prezint o rezisten foarte mare, un curent rezidual mic iar pentru o anumit valoare a tensiunii inverse exist pericolul strpungerii. n mod uzual diodele semiconductoare redresoare se realizeaz din Si. Caracteristica curent-tensiune pentru o diod redresoare din Si este dat n fig. 3.2. IA [A] 0,5 0,4 0,3 0,2 UA [V] Ustr 300 200 1000,1 10 0,2 0,4 0,6 0,8 1 UA [V] 20 30 40 [A] Fig. 3.2 Din fig. 3.2. se constat c n conducie direct cderea de tensiune pe diod este de (0,6 ... 0,8)V iar curentul invers este de ordinul nA. Pentru determinarea punctului static de funcionare al unei diode redresoare se consider un circuit electric format dintr-o diod nseriat cu o rezisten R i cu o surs de tensiune E, ca n fig. 3.3 UA A K E D IA R

Fig. 3.3

33

Dndu-se valorile lui E i R se cere curentul prin diod i tensiunea la bornele acesteia. Pentru rezolvarea problemei se utilizeaz caracteristica static a diodei, I A = f ( U A ) i relaia obinut prin scrierea teoremei a doua a lui Kirchhoff pe circuitul din fig. 3.3 E = R IA + U A (3.1) Se reprezint ecuaia 3.1, la tieturi, pe caracteristica E static rezultnd punctele de coordonate I A = (pentru UA = 0) R i UA = E (pentru IA = 0), fig. 3.4. Dreapta care unete cele dou puncte, de pe abscis i ordonat, se numete dreapt de sarcin static i este notat cu (). IA IA=E/R

() IA
P

tg =

I A0

I A 1 = U A R i

UA U A0
UA=E

UA

Fig. 3.4
Intersecia dreptei de sarcin ( ) cu caracteristica static a diodei determin punctul static de funcionare (PSF) al diodei, notat cu P. Coordonatele punctului P, IA0 i UA0 reprezint soluia problemei. Dac pe caracteristica static se pun n eviden rezistena n conducie direct, numit i rezisten intern notat cu Ri i rezistena n conducie invers, notat cu Rr, atunci se obine modelul liniar pe poriuni al caracteristicii diodei redresoare, fig.3.5.a. Pe aceast caracteristic UD0 reprezint tensiunea de deschidere i are valoarea tipic cuprins ntre 0,6 0,8 V pentru diode din Si de putere mic.

34

IA Ri

A U D0 Ri UA

A Rr K

Rr a

U D0

c Fig. 3.5 Plecnd de la aceast caracteristic se poate determina modelul diodei n conducie direct, fig. 3.5.b i n conducie invers, fig. 3.5.c, utilizate n calculul circuitelor n care intervin aceste diode. Parametrii principali ai diodelor redresoare indicai n cataloage i prospecte sunt urmtorii: - curentul mediu redresat este valoarea medie a I0 curentului diodei n conducie direct, calculat pe o perioad complet pentru redresare monofazat monoalternan; IFM - curentul de vrf maxim admis, este amplitudinea unui curent sinusoidal n sens direct, n regim permanent, n absena oricrei tensiuni continue; UBR - tensiunea de strpungere, este tensiunea invers pentru care curentul invers devine mai mare dect o valoare specificat; URM - tensiunea invers maxim admis. De obicei U RM = 0,5 0,8 U BR ; IRM - curentul invers maxim admis, este amplitudinea curentului invers pentru o tensiune invers specificat; - rezistena intern (dinamic) n conducie direct. Ri Ea reprezint o aproximare de semnal mare a pantei de cretere a tensiunii la bornele diodei odat cu creterea curentului i este definit prin relaia: U A Ri (3.2) I A PSF

K b

35

unde: i A ( t ) = I A0 + I A ( t ) este curentul prin diod determinat

de tensiunea u A ( t ) = U A0 + U A ( t ) . Aceast rezisten

este un parametru de semnal mare i nu trebuie s fie confundat cu rezistena intern de semnal mic a diodei.
3.1.2. Aplicaii simple cu diode redresoare

a) circuite de redresare Datorit proprietii de conducie unilateral dioda redresoare se poate utiliza ca redresor de tensiune alternativ. Schema unui circuit redresor monoalternan este dat n fig. 3.6.a ui(t) D ~ ui(t) a Fig. 3.6 ur Rs ur t

t b

Tensiunea obinut la ieire (ur), fig. 3.6.b, este o tensiune pulsatorie dar prin utilizarea unor filtre adecvate se obine o tensiune ct mai aproape de forma de c.c. Utiliznd mai multe diode redresoare, precum i scheme diferite se obin redresoare dubl alternan cu performane superioare redresorului monoalternan. b) element de protecie la polaritate i supratensiune n fig. 3.7.a. este reprezentat un exemplu de protecie la supratensiune a unui amplificator operaional integrat cu ajutorul diodelor din siliciu D1 i D2. Tensiunea la intrarea amplificatorului operaional nu poate depi valoarea de aproximativ 0, 65V care este tensiunea de deschidere a diodelor din siliciu. Cu ajutorul diodelor se poate realiza i protecia la polaritate i supratensiuni

36

de comutaie, fig. 3.7.b. Dioda D3 evit ptrunderea semnalelor negative pe baza tranzistorului T. n cazul n care sarcina este de natur inductiv (cazul inductivitii L din colectorul tranzistorului T), fig. 3.7.b, la blocarea tranzistorului pot apare supratensiuni periculoase care pot deteriora tranzistorul. Protejarea tranzistorului mpotriva acestor supratensiuni se realizeaz prin conectarea diodei D4 n modul indicat n figur. + Vcc R3 R1 Intrare D
1

L D2 AO Ieire u1 u2 a Fig. 3.7 b AO R D3 T

D4

R2

c) circuite de limitare Un circuit de limitare unilateral este compus dintr-o diod D1 i un rezistor R conectate ca n fig. 3.8.a. R
ui(t) ui D2 u0(t) t u0 0,65 V t a b Fig. 3.8 Acest circuit limiteaz semialternana pozitiv, limitarea fcndu-se pn la 0,65V valoare care reprezint tensiunea de deschidere a diodei D1, fig. 3.8.b. Dac se conecteaz antiparalel cu D1 o alt diod D2, reprezentat punctat n fig. 3.8.a, se obine un circuit de limitare bilateral simetric. O alt variant de circuit de limitare este dat n fig. 3.9.a,

D1

37

unde n serie cu dioda D1 a fost conectat o surs de tensiune continu E ref1 ui E ref1 R ui(t) D1 E ref1 a t u0(t) u0 E ref1 b t

Fig. 3.9 Circuitul realizeaz limitarea semialternanei pozitive a tensiunii de intrare ui, fig. 3.9.b, la valoarea E ref1 a sursei de tensiune nseriat cu dioda D1. Dac se conecteaz antiparalel cu dioda D1 i sursa E ref1 o alt diod D2, nseriat cu o surs de tensiune E ref 2 , de aceiai valoare cu E ref1 , se obine un limitator bilateral simetric.

3.2. Diode stabilizatoare (Zener) 3.2.1. Caracteristici, punct static de funcionare, parametrii
Diodele stabilizatoare, numite i diode Zener, sunt realizate dintr-o jonciune p-n cu proprietatea de control a tensiunii de prbuire. n majoritatea aplicaiilor dioda Zener este utilizat n polarizare invers, proprietatea principal a ei fiind aceea de a menine cderea de tensiune ntre bornele ei la o valoare constant, la variaii n limite largi ale curentului invers. Caracteristica i simbolul unei diode Zener sunt date n fig. 3.10. Caracteristica unei diode Zener prezint trei regiuni distincte, i anume: regiunea de conducie direct, care se obine polariznd n mod direct dioda. n acest caz dioda Zener se comport ca o diod obinuit, caracteristica diodei n conducie direct fiind descris de ecuaia:

38

eU Id = Iinv.sat exp d (3.3) KT KT unde: = 0, 025V e Iinv.sat - curentul invers de saturaie. regiunea curenilor inveri, care se obine aplicnd unei diode Zener o tensiune invers mai mic dect tensiunea de prbuire. n aceast regiune comportarea diodei Zener este identic cu cea a unei diode redresoare polarizat invers; regiunea de prbuire, care se obine aplicnd diodei Zener o tensiune invers peste o anumit valoare, numit tensiune Zener i notat cu Uz. n acest caz curentul invers prin diod crete brusc i el trebuie limitat prin rezistene exterioare pentru a evita deteriorarea diodei. Aceast zon n care tensiunea la bornele diodei rmne constant la variaii ale curentului invers se mai numete i zon Zener. n aceast zon dioda este folosit n mod uzual. Idir [mA]
Uz nom Uz max Uz min Uinv [V] Iz min Iz nom A Pz max III Iz max Iinv [mA] II Fig. 3.10 DZ K Iinv. sat. I Udir [V]

39

Pentru stabilirea punctului static de funcionare al diodei Zener se consider circuitul din fig.3.11, n care sursa E polarizeaz invers dioda DZ. Iz R E Uz DZ

Fig. 3.11 Dndu-se valorile lui E i R se cere curentul Iz i tensiunea Uz. Folosind teorema a doua a lui Kirchhoff pentru acest circuit, rezult: E = R Iz + U z (3.4) Aceast ecuaie conine dou necunoscute (Iz i Uz) pentru a cror determinare se face apel la caracteristica diodei, pe care se reprezint aceast ecuaie, fig. 3.12, rezultnd punctele I z = E / R (pentru U z = 0 ) i U z = E (pentru I z = 0 ). Dreapta care unete cele dou puncte, de pe abscis i ordonat, se numete dreapt de sarcin static i este notat cu (). Iz Uz=E Uz0 Uz Q () Iz=E/R Iz0

Fig. 3.12 La intersecia dreptei de sarcin () cu caracteristica diodei Zener se obine punctul static de funcionare Q, ale crui coordonate sunt Uz0 i Iz0. Caracteristica liniarizat a diodei Zener i modelul n polarizare invers i direct folosit n calcule sunt date n fig. 3.13

40

ID U z0 Uz U D0 UD rz U z0 U D0 Ri

rz =

U z Iz

Iz Fig. 3.13

Principalii parametrii ai unei diode Zener sunt urmtorii: Uz - tensiunea stabilizat nominal; - valoarea curentului pentru care se specific n Iz catalog Uz; Iz min - valoarea minim a curentului la care dioda ncepe s stabilizeze; Iz max - valoarea maxim a curentului prin diod pentru care nu se depete puterea disipat maxim admisibil (Pd.max ad.); maxim disipat de diod: Pz max - puterea Pz.max = I z.max U z.max ; rz - rezistena dinamic (diferenial) definit prin relaia: U U z rz = z = tg (3.5) I I z PSF z PSF Valoarea medie a rezistenei dinamice se situeaz ntre civa ohmi i zeci (sute) de ohmi n funcie de puterea diodei i de mrimea tensiunii Zener. - coeficient de variaie cu temperatura a tensiunii stabilizate Uz, definit prin relaia: U z mV / o C z = (3.6) T Iz =ct.

41

3.2.2. Aplicaii simple cu diode Zener.

a) stabilizator de tensiune Un astfel de circuit asigur la ieire o tensiune constant la variaii ale tensiunii de intrare. Schema unui stabilizator de tensiune simplu, realizat cu o diod Zener este dat n fig. 3.14 R1 Ui DZ Fig. 3.14 Rezistena R1 asigur curentul minim, Iz min, la care dioda DZ lucreaz n regim de stabilizator de tensiune. b) surs de curent constant Schema unei astfel de surse, realizat cu dioda Zener DZ i tranzistorul T, este dat n fig. 3.15. RE IE T I
c

Ust

RS

DZ Ui

UBE RS RB

Fig. 3.15 Indiferent de variaia tensiuni de intrare Ui curentul Ic se menine constant deoarece dioda DZ asigur o valoare constant pentru tensiunea UBE. Rezistena RB asigur Iz min pentru dioda DZ. c) circuit de limitare Schema unui circuit de limitare nesimetric realizat cu diod Zener este dat n fig. 3.16.a.

42

R ui (t) DZ a Uz

ui (t), u0 (t) Uz u0 (t) Fig. 3.16 b t

Tensiunea la ieirea circuitului este limitat la valoarea tensiunii Uz, fig. 3.16.b. Dac se monteaz dou diode n contratimp se obine un circuit de limitare bilateral simetric.

3.3. Dioda varicap 3.3.1. Caracteristici, parametrii

Dioda varicap, numit i diod cu capacitate variabil, este o jonciune p-n realizat din siliciu, la care este exploatat proprietatea jonciunii de a-i modifica capacitatea de barier Cb cu tensiunea invers aplicat pe jonciune, conform relaiei: k Ct C b = (3.7) 1/ n ( UR U0 )
unde: - constant ce depinde de caracteristicile constructive ale diodei; UR - tensiunea invers aplicat jonciunii; U0 - bariera de potenial pe jonciune; n - coeficient; n = 2, pentru o jonciune abrupt i n = 3, pentru o jonciune gradat liniar. Ea este astfel realizat nct capacitatea de barier s aib o dependen dorit de tensiunea invers aplicat, UR, fig. 3.17.a, iar rezistena invers , Rr s aib valori foarte mari astfel nct efectul acesteia n schema echivalent a diodei s fie neglijabil, fig. 3.17.b. n serie cu capacitatea Cb apare o rezisten parazit rs, avnd valori de ordinul 0,5 ... 1 . Efectul parazit al rezistenei rs este apreciat prin intermediul factorului de calitate al diodei varicap, Q, la o k

43

frecven de referin, f, el avnd expresia: 1 Q= 2f rs Cb Cb [pF] Cb 15 10 5 UR [V] 10 a rs LS b c Rr

(3.8)

Fig. 3.17 Inductana LS apare datorit terminalelor diodei i are valori de ordinul nH. Frecvena de rezonan a diodei varicap este: 1 (3.9) f0 = 2 LS C b Datele de catalog ale diodei varicap, al crui simbol este dat n fig. 3.17.c, sunt: Ctot (3V) - capacitatea total a diodei la UR = 3V; Ctot (25V) - capacitatea total a diodei la UR = 25V; Y = Ctot (3V) / Ctot (25V) - raportul de capacitate; UBR - tensiunea de strpungere rs - rezistena serie LS - inductivitatea serie; f0 - frecvena de rezonan. Diodele varicap se utilizeaz pentru acordarea automat a circuitelor radioelectronice, la realizarea unor filtre, a unor modulatoare din amplificatoarele de c.c. cu modulare-demodulare.

3.4. Dioda tunel 3.4.1. Funcionare, caracteristici, parametrii

Dioda tunel este format dintr-o jonciune p-n, la care cele dou regiuni sunt foarte puternic dopate cu impuriti (1019 - 1020 atomi/cm3 fa de 1015 - 1016 atomi/cm3 la diodele obinuite).

44

Datorit concentraiei ridicate, regiunea de trecere este foarte ngust, nivelul Fermi ( WF ) , care separ nivelele energetice ocupate, de nivelele energetice neocupate cu electroni, la 0o K , situndu-se n interiorul benzii de conducie la semiconductoarele de tip n i n banda de valen la semiconductoarele de tip p, fig. 3.18.a. iA p n iA itunel BC P W Ip uA BV V Iv

0 a Fig. 3.18

Up Uv b

uA

Bariera de potenial care apare n zona de trecere are o lime redus i apare posibilitatea trecerii electronilor din banda de conducie a regiunii n, prin efect tunel direct n banda de valen a regiunii p ( la energie constant). Aceti electroni, care genereaz un curent de tunel, itunel, au energia mai mic dect cea necesar escaladrii barierei de potenial U0. Electronul ajuns prin efectul tunel n regiunea p, se afl de la nceput n banda de valen i nu mai este supus proceselor de recombinare. Din acest motiv, diodele tunel au o vitez de comutaie foarte mare, fiind folosite la frecvene foarte nalte. Caracteristica curent - tensiune i simbolul diodei tunel sunt prezentate n fig. 3.18.b. Caracteristica diodei prezint o poriune de rezisten dinamic negativ, PV, datorit curentului itunel care se adun caracteristicii obinuite a jonciunii p-n (poriunea ntrerupt OV). Acest curent de tunel exist numai la tensiuni directe mici, pentru care se realizeaz suprapunerea celor dou benzi energetice. Parametrii principali ai unei diode tunel, evideniai pe caracteristica din fig. 3.18.b, sunt urmtorii: IP - curentul de vrf (pisc), care poate avea valori de la civa A la civa A;

45

UP - tensiunea de vrf (pisc), cu valori curente cuprinse ntre 0,06 ... 0,15V; IV - curentul de vale, care trebuie s aib valori ct mai reduse; UV - tensiunea de vale, care are valori de 0,35V pentru diodele cu Ge i 0,5 ... 0,6 V pentru diodele cu Si. Rin - rezistena dinamic negativ a diodei, delimitat de punctele P i V, definit prin relaia: U UP R in = V (3.10) IV IP Rin are valori n jur de 50 i este o consecin a efectului de tunel. Datorit rezistenei dinamice negative, dioda tunel poate fi utilizat n circuite de comutaie, oscilatoare i amplificatoare, frecvena de lucru fiind de ordinul 0,5 - 5 GHz.

3.5. Dioda Schottky 3.5.1. Particulariti constructive, aplicaii

Dioda Schottky este un dispozitiv electronic la care funcionarea este diferit fa de cea a diodelor prezentate anterior. Ea se bazeaz pe fenomenele ce apar n anumite condiii la contactul dintre un metal i un semiconductor. Aadar la dioda Schottky jonciunea p-n se formeaz la contactul dintre un metal, care va prelua rolul regiunii p i un semiconductor de tip n. n regiunea de trecere metal - semiconductor apare un cmp electric nsoit de o barier de potenial care poate fi modificat prin aplicarea unei tensiuni de polarizare din exterior. n polarizare direct ( + pe metal i pe semiconductor) crete componenta de electroni care trece din semiconductor n metal, iar n polarizare invers, curentul net prin jonciune va fi determinat de curentul de electroni care trece din metal n semiconductor i are o valoare mic. Deci conducia curentului este asigurat numai de electroni, care sunt purttori de sarcin majoritari. Aceast structur determin absena injeciei purttorilor minoritari din regiunea p n regiunea n ceea ce determin micorarea capacitii totale a jonciunii (datorit absenei

46

capacitii de difuzie, Cd = 0). n consecin timpul de comutare al diodei este foarte redus, de ordinul ns, asigurnd o frecven de lucru ridicat, de ordinul zecilor de GHz. Pe baza acestei proprieti se utilizeaz n circuitele de comutaie de nalt i foarte nalt frecven. Cderea de tensiune direct pe o diod Schottky este de numai ( 0,3 0,5 ) V fa de ( 0,6 0,8 ) V la jonciunile din Si, la cureni egali. Aceast particularitate este deosebit de util, pe baza ei realizndu-se tranzistoare prevzute cu diode Schottky pentru evitarea saturaiei numite tranzistoare Schottky. Pe aceast proprietate se bazeaz utilizarea ei n circuitele logice integrate din familia TTL - S (Schottky) i TTL LS (Low Schottky). Poarta fundamental a seriei TTL cu diode i tranzistoare Schottky este dat n fig. 3.19.a +5V U0[V] R1 R2 R6 5 T5 4 T3 3 T1 T2 R5 AB 2 A T4 U0 1 B 0,5 R 3 R4 Ui T6 1 2 3 4 Ui[V] a b Fig. 3.19 Structura porii NAND este similar cu a unei pori TTL din seria rapid cu deosebirea c T1, T2, T4, T5 i T6 sunt tranzistoare Schottky. Tranzistorul T3 nu este de tip Schottky deoarece intr n componena unui etaj Darlington i din aceast cauz nu se poate satura. La intrrile porii se folosesc n locul diodelor obinuite, diode Schottky care comut mai rapid. Datorit tranzistorului Schottky T6 poarta prezint o caracteristic de transfer U 0 = f ( Ui ) cu o pant mult mai abrupt, fig. 3.19.b, dect seria rapid TTL. Datorit timpului de propagare foarte mic (aproximativ 3ns) poarta TTL cu diode Schottky se folosete n aplicaii cu comutaii foarte rapide.