D-1

CARACTERISTICA STATIC A DIODEI SEMICONDUCTOARE

1. CONDUCIA ELECTRIC N SEMICONDUCTOARE Semiconductoarele ocup o poziie intermediar, din punct de vedere al conductivitii electrice, ntre materialele conductoare (metale) i materialele dielectrice (izolatoare). Dac la metale exist o singur categorie de purttori de sarcin, electronii, la semiconductoare curentul electric de conducie este generat de dou categorii de purttori de sarcin: electroni i goluri. Dup modul de generare a purttorilor, semiconductoarele pot fi de conducie intrinsec i de conducie extrinsec. Un semiconductor de conductibilitate intrinsec este un material pur, din punct de vedere chimic. n construcia dispozitivelor semiconductoare cele mai utilizate materiale

Figura 1. Structura benzilor energetice la un semiconductor semiconductoare sunt siliciul (Si) i germaniul (Ge). Dac semiconductorul nu primete energie din exterior, toi electronii de valen rmn n legturi covalente i materialul se comport ca un dielectric. Cnd un electron de valen primete energie din exterior, mai mare dect nlimea zonei interzise, el poate rupe legtura covalent devenind electron liber. Legtura nesatisfcut corespunde unei sarcini pozitive, numit gol. Atunci cnd un electron prsete atomul, devenind electron liber, are loc generarea unei perechi electron-gol. ntr-un semiconductor de conductibilitate intrinsec are loc un proces continuu de generare a perechilor electron-gol. Simultan se produc i recombinri electron-gol, rezultnd atomi neutri. Rezult pentru un semiconductor intrinsec c conductibilitatea sa electric este apropiat de cea a unui material izolator. Dac semiconductorul este impurificat cu mici adaosuri, are loc modificarea conductivitii. Dac este dopat cu impuriti pentavalente (stibiu, arsen etc.), atomii de impuriti cedeaz cu uurin cte un electron, care devine electron liber. Chiar i n concentraii foarte mici, impuritile produc o mrire considerabil a numrului de purttori negativi, care sunt n acest caz purttori majoritari. Semiconductoarele cu purttori majoritari negativi se numesc semiconductoare de tip n. Cnd semiconductorul este dopat cu impuriti trivalente (indiu, aluminiu etc.), atomii impuritilor capteaz cte un electron, provenind de la atomii vecini din semiconductor, conducnd la apariia de goluri. n acest semiconductor, golurile sunt purttori majoritari, iar electronii sunt purttori minoritari. Semiconductoarele cu purttori majoritari pozitivi se numesc semiconductoare de tip p. Notnd cu n i p concentraiile electronilor liberi, respectiv a golurilor, se poate arta c la echilibru termic exist relaia: np =ni2 , unde ni este concentraia purttorilor (goluri sau electroni) la un semiconductor intrinsec. 2. JONCIUNEA p-n Poriunea dintr-un semiconductor n care se realizeaz trecerea, pe o distan foarte mic, de la o zon de conducie de tip n la o zon de conducie de tip p, se numete jonciune p-n. Majoritatea dispozitivelor semiconductoare au cel puin o jonciune p-n. n cazul cel mai simplu, jonciunea p-n poate fi utilizat la realizarea diodelor semiconductoare.

D-2

n vecintatea suprafeei de separaie a zonelor p i n exist o variaie puternic a concentraiei purttorilor majoritari, ce determin difuzia purttorilor majoritari dintr-o zon n alta, din zona cu concentraie ridicat spre zona cu concentraie mic. Ca urmare, sarcina ionilor imobili ai impuritilor rmne necompensat, determinnd apariia, n vecintatea suprafeei de separaie, a unei sarcini spaiale fixate n reeaua cristalin. Regiunea n care apare sarcina spaial se numete regiune de trecere. Celelalte dou zone, fr sarcin spaial, se numesc regiuni neutre. Sarcina spaial determin apariia unui cmp electric intern al regiunii de trecere, care se opune difuziei purttorilor majoritari. Se constat apariia unei bariere de potenial n regiunea de trecere, care se opune difuziei purttorilor majoritari. Exist totui un curent de difuzie, produs de acei purttori majoritari care au o energie suficient de mare pentru a nvinge bariera de potenial U0 din regiunea de trecere: id=ipM+inM. Cmpul intern al jonciunii antreneaz dintr-o zon n alta purttorii minoritari, formnd un curent de conducie ic=ipm+inm. n regimul de echilibru termic al unei jonciuni nepolarizate, curentul de difuzie este egal i de sens contrar cu curentul de conducie ic , astfel nct curentul rezultat prin jonciune este nul.

Figura 2.1. Jonciunea p-n

Figura 2.2. Jonciunea p-n nepolarizat

2.3. JONCIUNEA p-n POLARIZAT DIRECT

D-3

O tensiune electric Ua aplicat cu plus la zona p i cu minus la zona n, determin apariia unui cmp electric de sens opus cmpului electric intern, astfel nct bariera de potenial scade de la valoarea U0 la valoarea U0-Ua. Curentul prin jonciune este practic egal cu curentul de difuzie, format din purttori majoritari, reprezentnd curentul direct al jonciunii.

Figura 2.3. Jonciunea p-n polarizat direct 2.4. JONCIUNEA p-n POLARIZAT INVERS Dac tensiunea aplicat Ua < 0, cmpul electric extern are acelai sens cu cmpul electric intern, astfel nct bariera de potenial crete.

Figura 2.4. Jonciunea p-n polarizat invers Curentul de difuzie scade practic la zero, iar prin jonciune va circula curentul de purttori minoritari ic, care este foarte mic i reprezint curentul invers al jonciunii. 3. CARACTERISTICA STATIC A JONCIUNII p-n Prin analogie cu dioda cu vid (tub electronic), electrodul care are potenial pozitiv n timpul conduciei directe se numete anod, iar cellalt se numete catod.

D-4

Figura 3.1. Dioda semiconductoare. Structur i simbolizare Caracteristica static a diodei semiconductoare reprezint dependena curentului prin dioda de tensiune dintre anod i catod. Caracteristica este figurat n figura 3.2 cu observaia c s-au adoptat scri diferite n semiaxele abscisei i ordonatei. Pentru tensiuni Ua >0, corespunznd polarizrii directe, se obine caracteristica din cadranul unu. Tensiunea direct are valori foarte mici ( 0.2-0.5 V la diodele cu Ge i 0.6-0.9 V la diodele cu Si) iar curentul direct poate avea valori foarte mari. Pentru tensiuni Ua <0, corespunznd polarizrii inverse, se obine caracteristica din cadranul trei. Tensiunile aplicate diodei pot avea valori mari, ns curentul prin diod este practic constant i foarte mic pn la atingerea valorii de strpungere Ustr., datorit multiplicrii n avalan a purttorilor de sarcin. Curentul invers al jonciunii se numete curent de saturaie i este constant, depinznd de concentraiile purttorilor minoritari din cele dou zone.

Figura 3.2. Caracteristica static a diodei semiconductoare Expresia analitic a caracteristicii diodei este de forma:
Ua i a = I s ( e k T - 1) , n care Ua - tensiunea aplicat la borne , e - sarcina electronului, Te

temperatura (K), k- constanta lui Boltzmann. Factorul kT/e are dimensiune de voli i se numete tensiune termic Vt. Pentru temperatura T=300K se obine Vt = 26mV. Dintre parametrii externi, temperatura influeneaz cel mai mult curentul prin diod, n sensul creterii acestuia, att la polarizarea direct, ct mai ales la polarizarea invers. 4. SCHEMA ECHIVALENT, DE SEMNAL MIC, A DIODEI SEMICONDUCTOARE Dac tensiunea anodic are variaii de joas frecven, mici n comparaie cu tensiunea termic Vt, comportarea diodei este descris de rezistena intern a diodei, definit de ecuaia: Ri=Vt/(Is+ia0) pentru ua0 = constant.

D-5

Dac variaia tensiunii la bornele diodei este de frecven ridicat, curentul prin diod este determinat i de capacitile proprii ale jonciunii p-n: capacitatea de barier Cb i capacitatea de difuzie Cd. Capacitatea de barier corespunde sarcinii spaiale acumulate n regiunea de trecere i depinde C b0 Cb = de tensiunea anodic aplicat, dup relaia: U , unde n este un coeficient care depinde de 1- a U0 profilul doprii i Cb0 este capacitatea de barier la jonciunea nepolarizat. Capacitatea de difuzie corespunde efectului acumulrii de sarcin, datorit procesului de difuzie a purttorilor minoritari n regiunile neutre ale jonciunii. Capacitatea de difuzie are legea de variaie:
Ua C d = C d0 e k T . e

La polarizarea n sens direct, rezistena Ri a diodei este foarte mic astfel nct efectul capacitilor Cb si Cd poate fi neglijat. La polarizarea invers a diodei, rezistena Ri este mare, deci capacitatea jonciunii, egal practic cu Cb, are un efect de untare, care nu poate fi neglijat.

Figura 4.1. Schema echivalent, de semnal mic, a diodei

Figura 4.2. Variaia capacitii diodei cu tensiunea aplicat 5. APARATE NECESARE - panou experimental, surs stabilizat de tensiune 0-30V; - voltmetru electronic de c.c., miliampermetru; - conductoare cu banane la ambele capete pentru legturi electrice. 6. DESCRIEREA PANOULUI EXPERIMENTAL Panoul conine dou diode, una cu siliciu i una cu germaniu, i un set de rezistoare cu valori cuprinse ntre 30 ohmi i 10 megaohmi. Cu ajutorul rezistoarelor se poate selecta curentul de la valori foarte mici pn la valori mari (valoarea maxim este aproximativ de 0,6A ). 7. DESFURAREA LUCRRII

D-6

7.1. Se execut, cu ajutorul conductoarelor cu banane la ambele capete, legturile electrice conform schemelor electrice din figurile 7.1 sau 7.2 (dac panoul experimental are sursa inclus). Se va efectua mai nti legtura 3-4 pentru dioda cu siliciu. 7.2. Se conecteaz n circuit rezistorul de 10 Mohmi i, variind tensiunea de alimentare de la 0 V la 30 V se regleaz curentul prin diod la prima valoare din tabelul 1. Se citete tensiunea pe diod, cu voltmetrul electronic conectat la bornele 1-2, i se trece valoarea msurat n tabel. Valorile urmtoare se obin prin creterea tensiunii. Dac s-a ajuns la valoarea maxim, se aduce la zero tensiunea sursei, dup care se comut pe rezistorul cu valoare mai mic. n tabelul 1 se impun valorile Id pentru ax logaritmic natural. Valorile Id din tabel se reprezint la distane egale pe axa logaritmic ln(Ia). Poriunea exponenial din caracteristica diodei n coordonate Ia-Ud devine liniar n coordonatele ln(Ia)-Ud. Tabelul 1. Valorile Id pentru ax logaritmic pentru caracteristica diodei ln(Ia)-Ud. Id( A) 1 1.8 3.2 5.6 10 18 32 56 100 180 320 560 Ua(V) Id(mA) 1 1.8 3.2 5.6 10 18 32 56 100 180 320 560 Ua(V) 7.3. Se reprezint grafic caracteristica diodei cu siliciu n coordonate Ia-Ud i ln(Ia)-Ud.

Figura 7.1. Schema electric a montajului pentru ridicarea caracteristicii statice a diodei 7.4. Se desface legtura 3-4 i se execut legtura 4-5. Se efectueaz punctele 7.2, 7.3 pentru a ridica caracteristica diodei cu germaniu, completnd un tabel identic cu tabelul 1.

Figura 7.2. Schema unei variante a montajului experimental pentru ridicarea caracteristicii statice a diodei 8. BIBLIOGRAFIE 8.1. Ceang E., .a.- Electronic industrial. E.D.P. Bucureti,1981.

D-7

8.2. Ceang E., .a.- ndrumar de laborator pentru electronic. Universitatea din Galai,1978. 8.3. Aiordchioaie D., .a. Electronic. ndrumar de laborator. Universitatea din Galai,1994. 8.4. Iliev Mircea, Popa Rustem, Iliev Voichia-Marcela - Dispozitive i circuite electronice partea I-a. Editura Fundaiei Universitare Dunrea de Jos, Galai, 2001.