DIODA SEMICONDUCTOARE

REDRESAREA CURENTULUI
ALTERNATIV
 JONCTIUNEA P-N.DIODA
SEMICONDUCTOARE
• Dioda semiconductoare este un dispozitiv electronic constituit dintr-o joncțiune pn prevăzută cu contacte metalice la
regiunile p și n și introdusă într-o capsulă din sticlă, metal, ceramică sau plastic.

• Regiunea p a joncțiunii constituie anodul diodei, iar joncțiunea n , catodul.

• Dioda semiconductoare se caracterizează prin conductivitate unidirecțională, ca și dioda cu vid:

• - în cazul polarizării în sens direct permite trecerea unui curent mare (curent direct),

• - în cazul polarizării în sens invers permite trecerea unui curent mic (curent invers).

Simbolul
diodei
 ANALIZAREA PROCESELOR IN REGIUNEA UNUI CONTACT ELECTRIC DINTRE DOI
SEMICONDUCTORI UNUL DE TIP N SI ALTUL DE TIP P
• La 0 absolut: e- impuritatiilor donoare din regiunea de tip
n si golurile din regiunea de tip p sunt legati de atomii
impuritate fixate in nodurile retelei.

• Daca temperature creste datorita energiei termice se

elibereaza toti electronii si golurile atomiilor impuritate
si se creeaza in plus perechi electron-gol;

• Concentratia electroniilor din regiunea n > concentratia

electroniilor din regiunea p / concentratia golurilor din
regiunea p > concentratia golurilor din regiunea n =>
aparitia unor curenti de difuzie care anuleaza diferenta
dintre concentratia celor doua tipuri de purtatori.

• Limita de separare dintre semiconductori = 10-6 m ;

• Aceasta regiune se numeste simplu jonctiunea p-n ;

• In regiunea contactului dintre cei doi semiconductori

apare un strat dublu de sarcini electrice de semn contrar
orientat dinspre + (regiunea n) spre – ( regiunea p);

• Se stabileste astfel o stare de echilibru dinamic in care

densitatiile de current asociate difuziei purtatoriilor
majoritari care trec dintr-o regiune in alta si se
recombine sunt egale cu cele din sens invers
determinate de actiunea campului electric (j)
 În reprezentările grafice calitative de sub joncţiunea
semiconductoare din fig.2.1 se pot observa distribuţiile unor
mărimi caracteristice în lungul structurii semiconductoare
considerate:
• densitatea de sarcină în exces ρ(x). Aici trebuie menţionat
faptul că datorită mobilităţii mai mari a electronilor faţă de goluri
ei difuzează pe o lungime mai mare, dar ariile suprafeţelor din
grafic care corespund celor două tipuri de sarcini sunt egale.
• densităţile de goluri, ng şi electroni ne.
• potenţialul electric, V(x). Se poate observa existenţa unei
bariere de potenţial care se opune difuziei purtătorilor majoritari
prin joncţiune.
• intensitatea câmpului electric, E(x) = -dV(x)/dx
O astfel de structură semiconductoare este denumită diodă. Ea
este cea mai simplă componentă electronică şi are simbolul
prezentat în fig.2.2.
 EFECTUL CAMPULUI ELECTRIC J IL PUTEM ILUSTRA SI MAI BINE DACA CONSIDERAM DIFERENTA DE
POTENTIAL

• In figura este reprezentata structura de benzi a

celor doi semiconductori in contact;
• Energia potetiala a electroniilor creste astfel incat
pentru ca electronii sa treaca din regiunea n in
regiunea p trebuie sa posede o energie cel putin
egala cu e;
 APLICAREA UNEI DIFERENTE DE POTENTIAL EXTERIOARA PENTRU
JONCTIUNEA P-N
• Potentialul este aplicat in sens direct (borna pozitiva a
unei surse exterioare se leaga la zona p,iar borna
negative la zona n)
• Bariera de potential scade la valoarea 0-va(va=potentialul
exterior aplicat in jonctiune)
• Potentialul este aplicat in sens invers;
• Densitatea curentului total prin jonctiune are expresia • Bariera de potential creste;
• Fluxurile celor doua tipuri de purtatori obtinut i prin generarea perechiilor electron-gol nu
(j0=densitatea curentului de saturatie): sunt afectate de cresterea barierei de potential;
• Pentru o temperature data curentul prin jonctiune va fi constant si foarte slab
 Considerând circuitul de polarizare în curent continuu din fig.2.4, expresia
curentului prin diodă este

Funcţia id = id(ud) din relaţia precedentă reprezintă o dreaptă, numită dreapta

de sarcină (fig.2.5). Punctul de intersecţie al dreptei de sarcină cu caracteristica
volt-amperică a diodei este punctul static de funcţionare al diodei (M). Se
numeşte “static” pentru că atâta timp cât tensiunea de e 34 alimentare a
circuitului E şi valoarea rezistenţei R rămân constante, coordonatele punctului
static de funcţionare, udo şi ido, nu se modifică.

Panta caracteristicii volt-amperice într-un punct de pe porţiunea

corespunzătoare stării de conducţie (în particular în punctul static de
funcţionare) se notează cu g m şi este:
Astfel, dacă se cunoaşte valoarea intensităţii curentului prin dioda aflată în stare
de conducţie, se poate calcula foarte simplu panta caracteristicii volt-amperice
în punctul static de funcţionare. Inversul pantei reprezintă rezistenţa diodei în
curent continuu în punctul static de funcţionare, rd. Valoarea ei depinde de
poziţia punctului static de funcţionare pe caracteristica volt-amperică.

În practică, în funcţie de valorile concrete ale tensiunilor pe celelalte elemente

de circuit din ramura de reţea în care este conectată dioda, caracteristica ei volt-
amperică poate fi liniarizată în diferite moduri. Pentru calculul reţelei în care se
află conectată, dioda poate fi înlocuită cu un întrerupător deschis (diodă
blocată) sau închis (diodă în conducţie). Cele mai folosite caracteristici
liniarizate şi modalităţile de reprezentare ale diodei sunt prezentate în fig.2.6.
Astfel, în fig.2.6a este prezentată caracteristică volt-amperică a diodei ideale
pentru care se poate neglija atât căderea de tensiune joncţiune cât şi rezistenţa
opusă de aceasta trecerii curentului electric. De aceea, în polarizare directă
dioda poate fi înlocuită în circuit cu un întrerupător ideal închis.
Există situaţii în care căderea de tensiune pe joncţiunea polarizată
direct nu poate fi neglijată în raport cu celelalte tensiuni din ramura
de reţea, dar poate fi neglijată rezistenţa diodei în curent continuu.
Caracteristica volt-amperică idealizată, corespunzătoare acestei
situaţii este prezentată în fig.2.6b. În polarizare directă dioda poate
fi înlocuită în circuit cu un întrerupător închis pe care apare o cădere
de tensiune de aproximativ 0,65V (tensiunea pe joncţiunea aflată în
stare de conducţie deplină).

O situaţie mai apropiată de comportarea reală a diodei este cea din

fig.2.6c. Aici se ţine seama atât de căderea de tensiune pe joncţiunea
polarizată direct cât şi de rezistenţa diodei în curent continuu. În
polarizare directă dioda poate fi înlocuită în circuit cu un
întrerupător închis pe care apare o cădere de tensiune de
aproximativ 0.65V conectat în serie cu o rezistenţă cu valoarea r d.
 IN FIGURA ESTE
PREZENTATA
CARACTERISTICA
CURRENT-TENSIUNE
• Daca unei jonctiuni ii aplicam o tensiune
alternative,ea va permite stabilirea unui curent
in circuitul sursei doar pentru alternanta care
polarizeaza in sens direct jonctiunea;

• Dispozitivele formate din asemenea jonctiuni p-

n se numesc diode semiconductoare;

• Curentul maxim admisibil pentru diodele de

Germaniu este de pana la 100 A si tensiunea
inversa maxima ia valoarea pana la 400 V;

• Curentul maxim admisibil pentru diodele de

Siliciu este de pana la 1000 A respective 1500 V
in tensiune inversa;

• Domeniul de utilizare al diodelor:

- in constructia unei extreme de variate game

de circuite cu ajutorul carora se realizeaza
redresarea curentului alternativ
 CARACTERISTICA STATIC A DIODEI
REDRESOARE
• Caracteristica static a diodei reprezinta graficul dependentei curentului prin diode in functie de tensiunea la bornele sale
uA ;

• Caracteristica diodei redresoare reale se abate atat de la forma ideala (fig. 4.17) cat si de la alura caracteristicii statice
ideale a jonctiunii p-n (fig. 4.18) ;

• Prima este descrisa de ecuatia iA=0, pentru uA<0

uA=0, pentru iA0

• Iar cea de a doua ecuatie iA= I0[exp()-1]

• I0-current de saturatie,reprezentand valoarea constanta catre care tinde i A la tensiuni UA negative, de modul mare.
DIODA REALA PREZINTA O REZISTENTA ELECTRICA MICA IN SENS DIRECT SI UNA FOARTE MARE IN SENS
INVERS, CARACTERISTICA AVAND ASPECT NELINIAR SI CONDUCTIA FIIND UNIDIRECTIONALA

• In figura se reprezinta caracteristica static experimentala tipica

pentru o diode cu Ge si una cu Si, functionand aproximativ in
acelasi domeniu de tensiuni si curenti;

• In sens direct curentul prin dioda apare numai de la o anumita

tensiune aplicata numita tensiunea de deschidere UD cu valori de
0.2-0.3 V la Ge si 0.6-0.7 V la Si;

• In sens invers pentru diode cu Si curentul invers IR=1-100 μA, iar

la cea cu Ge intre 0.1-100 μA;

• Cresterea curentului invers IR cu tensiunea UR este foarte lenta

intr-un interval larg ;

• La atingerea unei tensiuni UB numita de strapungere(breakdown)

curentul creste brusc si poate fi limitat doar de rezistenta
circuitului exterior,altfel exista riscul ca strapungerea sa devina
termica, deci ireversibila, deteriorand diode;

• Rezistenta diodelor de Si > rezistenta diodelor de Ge;

 CARACTERISTICA
LINIARIZATA(MODELUL DE SEMNAL • In figura 4.20 caracteristica static a diodei se
MARE).CIRCUITE CU DIODE IN REGIM DE aproximeaza (se liniarizeaza) => modelul de semnal
CURRENT CONTINUU SAU LENT VARIABIL mare al diodei;

• In figura 4.21este reprezentarea electrica a modelului

echivaland cu o diode ideala inseriata cu o rezistenta
care reprezinta rezistenta dinamica a diodei, egala cu
tensiunea de deschidere UD;

• Rezistenta dinamica se calculeaza din relatia R DM=ΔUA/ΔiA

si da tg unghiului de inclinare portiunii respective
(RDM=tg γ);

• Daca aplicam o tensiune uA >UD diode se deschide, iar iA

creste linear cu panta I/RDM.

• Analitic, modelul este descries de functia :

• Ia=0, pentru uA < UD;

• Ia=, pentru uA UD ;
 MODELUL DE SEMNAL MIC
• În foarte multe circuite diodele sunt supuse simultan atât unei
tensiuni continue cât şi uneia variabile. Tensiunea continuă
stabileşte punctul static de funcţionare iar tensiunea
alternativă determină “plimbarea” acestuia pe caracteristica
volt-amperică (dreapta de sarcină rămânând paralelă cu ea
însăşi). Dacă porţiunea de caracteristică pe care se deplasează
punctul static de funcţionare poate fi considerată liniară atunci
semnalul este considerat mic. Când vorbim de un semnal mic
ne referim la amplitudinea sa. Panta unei caracteristici volt-
amperice pe porţiunea liniară considerată se numeşte panta
de semnal mic. Observaţii:

• În fig.2.7 este prezentat un regim de funcţionare ca cel descris
mai sus. Peste tensiunea continuă Udo, care determină curentul
Ido, este aplicată o tensiune sinusoidală u = Usinωt. Aceasta
determină apariţia prin diodă a unui curent variabil de forma i
= gmUsinω), curent care se suprapune peste curentul de
polarizare în curent continuu ido. Astfel, tensiunea totală la
bornele diodei şi curentul total prin ea sunt descrise de
ecuaţiile:
• modelul de semnal mic nu se poate aplica mărimilor
statice. Între tensiunea continuă de polarizare şi
curentul continuu nu este valabilă o relaţie de tipul
Ido = gmUdo.
• modelul de semnal mic se poate aplica atunci când
amplitudinea tensiunii variabile este mult mai mică
decât tensiunea continuă de polarizare în curent
continuu.