Diode si tranzistori

Proiect
Fizica

Dioda semiconductoare
Dioda

semiconductoare este un dispozitiv electronic

constituit dintr-o jonciune pn prevzut cu contacte
metalice la regiunile p i n i introdus ntr-o capsul din
sticl, metal, ceramic sau plastic.

Regiunea

p a jonciunii constituie anodul diodei, iar

jonciunea n , catodul.

Dioda

semiconductoare se caracterizeaz prin

conductivitate unidirecional, ca i dioda cu vid:

- n cazul polarizrii n sens direct permite trecerea unui

curent mare (curent direct),
- n cazul polarizrii n sens invers permite trecerea unui
curent mic (curent invers).

Clasificare:
Dup

materialul din care se realizeaz:

- diod cu germaniu,
diod cu siliciu.
Dup

caracteristicile jonciunii:
diod redresoare
diod stabilizatoare de tensiune (diod Zener)
diod de comutaie
diod cu capacitate variabil (varactor sau
varicap)
diod tunel
diod diac
diod Gunn

Dioda Redresoare
Cele

mai des folosite diode semiconductoare sunt diodele

redresoare .

Ele

funcioneaz datorita proprietii de a se comporta

diferit la tensiuni de polarizare directe i tensiuni de
polarizare inverse.

Astfel

la tensiuni de polarizare directe rezistena direct

este foarte mic iar la polarizarea invers rezistena
invers este foarte mare.

Datorit

acestei proprieti la aplicarea unei tensiuni

alternative ele funcioneaz pe alternana pozitiv
conducnd un curent mare.
Pe alternana negativ se vor bloca lsnd s treac
cureni foarte mici.

 Acest

proces de transformare a unui semnal alternativ ntrun semnal continuu poarta numele de REDRESARE.
Aceste diode sunt folosite la construcia redresoarelor care
lucreaz cu semnale mari i frecvene mici (50Hz )
Se pot realiza att din germaniu ct i din siliciu .
Cele

cu siliciu au urmtoarele avantaje fa de cele cu

germaniu:
1. Curentul invers este mult mai mic.
2. Tensiunea de strpungere este mult mai mare
3. Temperatura maxim de lucru de 190 grade fa de 90
grade la germaniu
Dezavantaj- se consider tensiunea de deschidere puin mai
mare.
Performanele

unei diode redresoare sunt caracteristice prin

2 mrimi limit care nu trebuie depite n timpul
funcionrii :
- Intensitatea maxim a curentului direct
- Tensiunea invers maxim.

Dioda Zener
Este

o diod stabilizatoare de tensiune. Funcionarea ei

se bazeaz pe proprietatea jonciunii p-n de a avea in
regiunea de strpungere o tensiune la borne constant
ntr-o gam larg de variaie a curentului invers.

Dioda

funcioneaz intr-un regim de strpungere

controlat n care att curentul ct i puterea disipat
sunt meninute la valori pe care dioda le poate suporta
n regim permanent fr s se distrug.

Dioda

zener este construit din siliciu

-cnd este polarizat direct (+ pe anod i pe catod)
funcioneaz ca o diod cu jonciune.
-cnd este polarizat invers (- pe anod i + pe catod)
funcioneaz n regim de strpungere.

Funcionarea

diodei zener este caracteristic urmtoarelor

mrimi:
1 Tensiunea de stabilizare ( este tensiunea la care apare
regimul de strpungere; poate avea valori ntre 4-200 V)
2 Rezistena dinamic (este rezistena intern a diodei n
regiunea de strpungere) Rd = U/I
- cu ct rezistena dinamic este mai mic cu att
tensiunea diodei este mai mic.
3 Curentul invers maxim (este valoare maxim a curentului
pe care o poate suporta dioda fr s se deterioreze)
4 Putere maxim disipat (este produsul dintre tensiunea
de strpungere i curentul invers maxim; are valori cuprinse
ntre 0,2-50 W)
5 Coeficientul de temperatur a tensiunii de stabilizare
care reprezint variaia tensiunii de stabilizare pentru o
variaie a temperaturii de 1grad C
Sz = U/T Uz
- acest coeficient este negativ pentru tensiunea la bornele
diodei adic Uz mai mic de 6V i pozitiv pentru tensiuni mai
mari de 6V.

Dioda cu contact
punctiform
Este folosit pentru frecvene nalte. Este alctuit

din: o capsul de sticl strbtut de 2 electrozi

metalici. La captul unui electrod se gsete un
monocristal de germaniu (semiconductor de tip n).
Cellalt electrod se continu cu un conductor de
wolfram care vine n contact cu monocristalul.
Dac se trece un impuls de curent scurt dar puternic
la contactul dintre conductori i monocristal n
interiorul acestuia din urm se formeaz o regiune de
tip p .
Apare astfel o jonciune de tip p-n de suprafa foarte
mic, cu o capacitate foarte mic ( 1pF )
Datorit acestei jonciuni dioda funcioneaz la
frecvene foarte nalte. Acest tip de diod poate fi
folosit ca detector, schimbtor de frecven sau ca
diod de comutaie.

Diodele VARICAP
Sunt

diode cu jonciune care funcioneaz n regim de polarizare

inversa pn la valoarea de strpungere .

Aceste

diode utilizeaz proprietatea jonciunii p-n de a se

comporta ca o capacitate ce depinde de tensiunea continu de
polarizare invers (acesta este capacitatea de barier).

Aceast

posibilitate de a varia o capacitate ntr-un circuit prin

varierea unei surse de polarizare este necesar n circuitele de
schimbare a frecvenei. Circuitele de reglaj automat al frecvenei
precum i modulaia frecvenei.

Diodele

varicap au capaciti de ordinul pF sau zecilor de pF i se

construiesc din siliciu pentru a avea o rezisten intern mai
mare n polarizarea invers.
n acest fel ele pot fi asimilate cu un condensator cu pierderi
neglijabile.

Dioda Tunel

Are o concentraie mare de impuriti ducnd la

micorarea limi regiunii de trecere pn la (10la-2
microni).
Datorit acestei limi mici a barierei de potenial;
apare un fenomen numit efectul tunel. Datorit
acestui efect electronii pot nvinge bariera de
potenial chiar dac lipsete energia suplimentar.

Datorit acestui efect apare curentul tunel care se

suprapune peste curentul normal al unei jonciuni p-n
modificnd caracteristica curent-tensiune,
caracteristic ce se deosebete de cea a unei diode
semiconductoare prin:
- n regiunea de polarizare invers dependena curenttensiune este liniar deci dioda nu prezint conducie
unilateral
- n regiunea polarizrii directe pentru valori mici ale
tensiunii caracteristica are form de N.

n acest domeniu dioda prezint o rezisten

negativ care de obicei este de valoarea zecilor de
ohmi
Pentru o bun funcionare este de dorit ca raportul
dintre curentul maxim i curentul minim s fie ct
mai mare.
Dioda tunel lucreaz la puteri mici de ordinul watilor.

Caracteristica diodei nu depinde de variaiile de

temperatur de aceea ea poate lucra la frecvene
foarte nalte de ordinul 10 la a 4 MHz.
Datorit caracteristicii n N i a funcionrii la
frecvene aceast diod este folosit la realizarea
urmtoarelor circuite:
1. Amplificatoare de frecvene foarte nalte
2. Oscilatoare de frecvene foarte nalte

3. circuite basculante monostabile, bistabile i astabile

Dezavantajul diodei tunel este c are numai dou
borne i deci nu se poate face separarea ntre
circuitul de intrare i cel de ieire.

Caracteristici
Principalele caracteristici ale diodelor, trecute n cataloage,
sunt urmtoarele:

VRRM - tensiunea invers repetitiv maxim, este

tensiunea maxim invers la care poate rezista dioda, atunci
cnd aceast tensiune este atins n mod repetat. Ideal,
aceast valoare ar fi infinit.

VR sau VDC - tensiunea maxim invers de curent

continuu, este valoarea maxim a tensiunii la care dioda
poate funciona nentrerupt, fr distrugerea acesteia. Ideal,
aceast valoare a fi infinit.

VF - tensiunea (de polarizare) direct maxim, de obicei

este specificat mpreun cu valoarea curentului direct. Ideal,
aceast valoare ar fi zero: ideal, dioda nu ar prezenta niciun fel
de opoziie n faa deplasrii electronilor. n realitate, tensiunea
direct este descris de ecuaia diodei.

IF(AV) - valoarea maxim (medie) a curentului direct,

valoarea maxim medie a curentului pe care bobina o poate
suport la polarizarea direct. Aceast limitarea este practic o
limitare termic: ct cldur poate suporta jonciunea P-N,
avnd n vedere c puterea disipat reprezint produsul dintre
curent i tensiune, iar tensiunea de polarizare direct depinde

 IFSM

sau if(vrf) - curentul de polarizare direct maxim,

reprezint curentul de vrf maxim pe care dioda l poate conduce la
polarizare direct, fr ca acest curent s duc la distrugerea diodei.
Din nou, aceast valoare este limitat de capacitatea termic a
jonciunii diodei, i este de obicei mult mai mare dect valoarea
curentului mediu datorit ineriei termice. Ideal, aceast valoare ar fi
infinit.
PD - puterea maxim disipat total, reprezint valoarea puterii
(n Watt) pe care dioda o poate disipa fr ca aceast putere s duc
la distrugerea diodei. Aceast valoare este limitat de capacitatea
termic a diodei. Ideal, aceast valoare ar fi infinit.
TJ - temperatura de funcionare a jonciunii, reprezint
temperatura maxim admis a jonciunii P-N a diodei, valoare dat de
obicei n oC. Cldura reprezint punctul critic al dispozitivelor
semiconductoare: acestea trebuie meninute la o temperatur ct mai
apropiat de temperatura camerei pentru funcionarea lor corect i o
durat de funcionare ct mai lung.
TSTG - temperatura de depozitare, reprezint valoarea
temperaturii
CJ - capacitatea tipic a jonciunii, reprezint capacitatea
intrinsec jonciunii, datorit comportrii zonei de golire precum un
dielectric ntre anod i catod. Aceast valoare este de obicei foarte
mic, de ordinul picofarazilor (pF). de stocare a diodelor (nepolarizate).

 R()

- rezistena termic, reprezint diferena dintre temperatura

jonciunii i temperatura aerului exterior diodei (R()JA), sau dintre
jonciune i contacte (R()JL), pentru o anumit putere disipat. Valoarea
este exprimat n oC/W. Ideal, aceast valoare ar fi zero, ceea ce ar
nseamna c nveliul (carcasa) diodei ar fi un conductor i radiator
termic perfect, fiind capabil s transfere energie sub form de cldur
dinspre jonciune spre mediul exterior (sau spre contacte) fr nicio
diferen de temperatur existent n grosimea carcasei. O rezisten
termic ridicat se traduce prin faptul c dioda va stoca o temperatur
excesiv n jurul jonciunii (punctul critic), n ciuda eforturilor susinute de
rcire a mediului exterior diodei; acest lucru duce la limitarea puterii
maxime disipate.
IR - curentul maxim de polarizare invers, reprezint valoarea
curentului prin diod la polarizarea invers i aplicarea tensiunii de
polarizare invers maxim de curent continuu(VDC). Mai este cunoscut i
sub numele de curent de scpri. Ideal, aceast valoare ar fi zero,
deoarece o diod perfect ar bloca toi curenii atunci cnd este
polarizat invers. n realitate, aceast valoarea este mic n comparaie
cu valoarea curentului maxim de polarizare direct.
trr - timpul de revenire invers, reprezint durata de timp necesar
stingerii diodei atunci cnd tensiunea la bornele sale alterneaz ntre
polarizare direct i polarizare invers. Ideal, aceast valoare ar fi zero:
dioda se stinge imediat dup inversarea polaritii. Pentru o diod
redresoare tipic, timpul de revenire este de ordinul zecilor de
microsecunde (ms); pentru o diod de comutaie rapid, acest timp poate
ajunge la doar cteva nanosecunde (ns).

Tranzistorul
Tranzistorul

este un dispozitiv electronic din categoria

semiconductoarelor care are cel puin trei terminale (borne sau
electrozi), care fac legtura la regiuni diferite ale cristalului
semiconductor. Este folosit mai ales pentru a amplifica i a comuta
semnale electronice i putere electric.

Aspectul

tranzistoarelor depinde de natura aplicaiei pentru care

sunt destinate. n 2013 nc unele tranzistori sunt ambalate
individual, dar mai multe sunt gsite ncorporate n circuite
integrate.

Tranzistorul

este componenta fundamental a dispozitivelor

electronice moderne, i este omniprezent n sistemele electronice.
Ca urmare a dezvoltrii sale la nceputul anilor 1950, tranzistorul a
revoluionat domeniul electronicii, i a deschis calea pentru
echipamente electronice mai mici si mai ieftine cum ar fi aparate
de radio, televizoare, telefoane mobile, calculatoare de buzunar,
computere i altele.

Istoric
Tranzistorul

a fost inventat n laboratoarele Bell Telephone din New

Jersey la data de 16 decembrie 1947 de ctre John Bardeen,
Walter Houser Brattain, i William Bradford Shockley de la Bell
telephone Laboratories care au ncercat s creeze un dizpozitiv
electronic capabil s inlocuiasc tuburile electronice cu catod
nclzit.

Acesta urma s fie utilizat n amplificatoarele folosite n

telefonia la mare distan , ncercrile au durat aproape 8 ani, iar
noul dispozitiv era format dintr-o plcu de germaniu de tip n i
dou firioare metalice care fceau cte un contact punctiform cu
plcua. Acest dispozitiv a cptat numele de trazistor prin unirea
a dou cuvinte transfer i resistor . Primul tranzistor avea o
amplificare egal cu 40 la o frecven de 1000 hz. Astfel de
tranzistoare nu se mai fabric astzi , n timpul care s-a scurs de la
inventarea tranzistorului au fost elaborate o serie de tehnologii de
fabricaie i deci i de tipuri de tranzistoare . metodele cunoscute
sunt :tehnica alierii , tehnica difuziei , metoda planar , epitaxialplanar i mesa-planar.

Metode de obtinere

n tehnologia de aliere , punctul de plecare l

constituie o plcu dintr-un monocristal de germaniu
dotat cu impuriti de tip n. De o parte i de alta a
plcuei se fixeaz cte o bil de indiu , care pentru
germaniu este o impuritate de tip p .
Ansamblu
se nclzete la temperatura de topire a indiului .
Indiul ptrunde n reeaua cristalin a
semiconductorului astfel nct dup racire sub bilele
de indiu apar zone de tip p.Perla care formeaz
colectorul este mai mare dect cea a emitorului i
mai slab dotat .
Grosimea bazei depinde i de durata procesului de
aliere . Pe cele trei regiuni ale tranzistorului se
sudeaz firele de conexiuni sistemul este fixat pe o
plcu suport i apoi ncapsulat . Tot astfel se pot
fabrica tranzistoare de tip npn prin alierea a dou
perle de antimoniu pe o placu de germaniu de tip
p . Principalul dezavantaj al trazistoarelor aliate este

Tranzistoarele sunt dispozitive

semiconductoare care ndeplinesc condiiile
necesare amplificarii unor semnale .

Dup tipul de purttori ce contribuie la

funcionarea lor ele sunt:

Bipolare purttori de ambele polariti

-majoritari (electroni)
-minoritari (goluri)

Unipolare Purttori de o singur

polaritate electroni sau goluri.

Utilizare

Tranzistoarele pot fi folosite n echipamentele

electronice cu componente discrete n amplificatoare
de semnal (n domeniul audio, video, radio),
amplificatoare de instrumentatie, oscilatoare,
modulatoare si demodulatoare, filtre, surse de
alimentare liniare sau n comutaie sau n circuite
integrate, tehnologia de astzi permind integrarea
ntr-o singur capsul a milioane de tranzistori.

Simbolurile folosite n mod curent pentru tranzistori:

Clasificare

Tranzistoare de mic putere - Aceste tranzistoare sunt

ncapsulate n plastic sau metal i nu sunt destinate montrii pe
radiator.

Tranzistoare de putere - Aceste tranzistoare sunt ncapsulate

n plastic sau metal i sunt destinate montrii pe radiator.

Tranzistoare de joas frecven - Sunt tranzistoare

destinate utilizrii pn la frecvena de circa 100kHz, n circuite
audio i de control al puterii.

Tranzistoare de nalt frecven - Sunt tranzistoare

destinate aplicaiilor la frecvene peste 100kHz, cum este
domeniul radio TV, circuite de microunde, circuite de
comutaie etc.

Tranzistorul bipolar principiul de funcionare

n funcionare normal jonciunea emitorbaz este polarizat
direct, iar jonciunea colectorbaz este polarizat invers.

-Jonciunea emitorbaz, fiind polarizat direct, este parcurs de

un curent direct(curent de difuzie) IE, mare n raport cu
curentul invers (rezidual) i, ntr-o plaj larg de cureni, UEB
const, cu valori tipice de 0,6 - 0,7 V (Si) sau 0,2 -0,3V (Ge).
-Jonciunea colectorbaz, fiind polarizat invers, este
caracterizat de un curent propriu, invers, foarte mic, de
ordinul nanoamperilor pentru tranzistoarele de siliciu i de
ordinul microamperilor pentru tranzistoarele de germaniu.

Parametrii specifici
tranzistoarelor
Factorul

de amplificare (f)

Temperatura

maxim a jonciunilor - Valoarea

temperaturii maxime a jonciunilor pn la care
tranzistorul funcioneaz normal depinde de natura
semiconductorului folosit. Astfel, tranzistoarele realizate
din siliciu funcioneaz corect pn spre 200 grade C, n
timp ce cele realizate din germaniu sunt limitate n
funcionare n jurul valorii de 100 grade C.

Observaie: La temperaturi mai mari dect cele

menionate, are loc creterea extraordinar de rapid a
concentraiei purttorilor minoritari i semiconductorul
se apropie de unul intrinsec, dispozitivul pierzndu-si
proprietile iniiale.

 Puterea

maxim disipat - Puterea disipat de tranzistor

apare datorit trecerii curentului prin dispozitiv. O parte din
aceast putere este radiat n mediul ambiant i o parte
produce nclzirea tranzistorului. Puterea disipat de un
tranzistor este , n principal, puterea disipat n cele dou
jonciuni ale acestuia

Curentul

de colector maxim - Reprezint valoarea

maxim pe care o poate atinge curentul de colector al unui
tranzistor fr ca acesta s se distrug. El este indicat n
cataloage i depinde de particularitile tehnologice ale
tranzistorului.

Tensiunea

maxim admis - Reprezint valoarea cea

mai mare a tensiunii pe care o poate suporta un tranzistor
fr ca acesta s se deterioreze. Aceast valoare este
limitat de tensiunea de strpungere a jonciunii colector
baz (polarizat invers).
Acest parametru are valori diferite n funcie de conexiunea
tranzistorului i este prezentat n foile de catalog pentru
fiecare situaie n parte.