Dioda semiconductoare referat

Dioda semiconductoare
Scopul lucrarii:
Masurarea caracteristicilor statice ale unor diode semiconductoare si analizarea comportarii
diodelor in regim dinamic la semnal mic, joasa frecventa.
Considerente teoretice:
Diodele semiconductoare sunt dispozitive formate dintr-o jonctiune pn. Analizand fenomenele
fizice care apar intr-o jonctiune pn ideala la aplicarea unui tensiuni din exterior se deduce relatia de
legatura:

unde I0 este curentul de saturatie al diodei;

este un coeficient care ia valori intre 1 si 2
Pentru VD>0 dioda este polarizata direct si curentul depinde exponential de tensiune:

Reprezentarea la scara logaritmica a dependentei curent/tensiune permite determinarea

curentului de saturatie prin extrapolare pana la V D=0, iar prin calcularea contrapantei se obtine

valoarea lui :
La curenti mari apare o tensiune mai mare datorita rezistentei materialului adiacent

jonctiunii, Rs:

Pentru vD<0 dioda este polarizata invers iar pentru vD<-(34)kT/q rezulta iD= -I0.
La o anumita valoare a tensiunii inverse aplicate (tensiunea de strapungere poate apare
efectul Zenner sau fenomenul de multiplicare in avalansa, care se manifesta printr-o crestere abrupta
a curentului acesta nu mai poate fi limitat decat de circuitul exterior.
Faptul ca in strapungere tensiunea este practic constanta a dus la folosirea diodelor ca
stabilizatoare de tensiune (Zenner).

In cazul in care tensiunea prin dioda prezinta mici variatii v d cu amplitudinea Vd in jurul p.s.f.ului, curentul prin dioda va prezenta deasemenea variatii in jurul valorii statice I D.
Daca frecventa este relativ mica si amplitudinea indeplineste conditia de semnal mic atunci :
vd(t) =Riid(t).
Ri = Rezistenta interna (dinamica).

Dioda

RK (k)

ED (V)

VD (V)

ID (mA)

lg(ID)

D1

0.025

15

0.372

585.120

2.767

0.025

10

0.343

386.280

2.587

0.1

20

0.312

196.880

2.294

0.1

11

0.279

107.210

2.030

11

0.178

10.822

1.034

10

11

0.089

1.091

0.038

100

11

0.032

0.110

-0.960

1000

11

0.005

0.011

-1.959

11

0.697

10.303

1.013

10

11

0.585

1.042

0.018

100

11

0.467

0.105

-0.977

1000

11

0.368

0.011

-1.973

D2

Dioda

RK (k)

VR=-VD (
V)

ED (V)

IR=-ID (m
A)

VD (V)

ID (mA)

D1

100

5.9

-0.069

-1

0.069

100

7.01

-0.0901

-2

0.0901

100

10.16

-0.1516

-5

0.1516

100

10

15.36

-0.2536

-10

0.2536

100

20

25.7

-0.457

-20

0.457

100

40

46.3

-0.863

-40

0.863

1000

1.1

-0.0021

-1

0.0021

1000

2.2

-0.0042

-2

0.0042

1000

5.5

-0.0105

-5

0.0105

1000

10

11

-0.021

-10

0.021

1000

20

22

-0.042

-20

0.042

1000

40

44

-0.084

-40

0.084

Rk[k]

VZ[V]

IZ[mA]

D2

ED[V]

20

10

5.69

1.431

18

10

5.69

1.231

16

10

5.69

1.031

14

10

5.68

0.832

10

5.68

0.632

10

10

5.68

0.432

10

5.62

0.238

10

5.29

0.071

12

1.Polarizare directa VD>0;

2. Determinare VP=VD(IDM) din grafic : IDM=200mA si =0.01 => IDM=0.2mA

=> VP=VD()
3.Pentru ca tensiunea depinde de rezistenta materialului adiacent jonctiunii p-n . pentru siliciu
este mai mare.

4.
5. Prin extrapolare pana la VD=0 putem calcula curentul I0 aprox. - 2 .

=> =0.022

6.Polarizare inversaVD<0;

7. Pentru ca in primul caz , la scara logaritmica , s-a extras I0 prin extrapolare la VD=0 si s-a
neglijat ultimul termen din formula logaritmica 1.3 .
8.Dioda stabilizatoare de tensiune ; Dioda 3

Dioda electroluminescenta :
Iled = 0.25 mA
Rled=1K
Vled=2.51
ED=3.03