5.

TRANZISTOARE
5.1. TRANZISTOARE BIPOLARE - GENERALITI
5.1.1 STRUCTURA I SIMBOLUL TRANZISTORULUI BIPOLAR
Tranzistorul bipolar este un dispozitiv electronic realizat din material semiconductor,
format din trei regiuni (EMITOR, BAZ, COLECTOR) separate prin dou jonciuni pn.
n funcie de tipul regiunilor, tranzistoarele bipolare se mpart n dou categorii:
NPN i PNP
C
E
B
P
N
P C
B
E
N P
N



C B E
C
B E

B
E
C
B
E C



a b
Figura 5.1.1 Structura i simbolul tranzistorului bipolar
a - tranzistor NPN ; b tranzistor PNP
Tranzistorul bipolar de tip NPN este format din dou regiuni N separate de o regiune P
Tranzistorul bipolar de tip PNP este format din dou regiuni P separate de o regiune N
Regiunea bazei este mai subire i mai slab dopat n comparaie cu regiunea
emitorului(puternic dopat) i cu regiunea colectorului( dopat moderat)
ntre dou regiuni nvecinate se formeaz o jonciune. ntre baz i emitor este jonciunea
baz-emitor, iar ntre baz i colector este jonciunea baz-colector
Fiecare regiune are ataat cte un terminal care se noteaz cu E(emitor) , B(baz),
C(colector).
n structura tranzistorului bipolar, purttorii de sarcin electric sunt att golurile ct i
electronii. Deoarece conducia este realizat de dou tipuri de purttori, tranzistorul se
numete bipolar. COLECTOR EMITOR
SUBSTRAT
BAZ
jonciunea baz-emitor
jonciunea baz-colector
OXID
COLECTOR
BAZ
EMITOR





Figura 5.1.2 Seciunea de principiu printr-un tranzistor

http://eprofu.ro/electronica

5.1.2 NCAPSULAREA TRANZISTOARELOR I IDENTIFICAREA TERMINALELOR
a. ncapsularea tranzistoarelor
Tranzistoarele, n funcie de destinaia lor se realizeaz ntr-o gam larg de capsule.
Tranzistoarele pot avea capsule din metal sau material plastic, care au dimensiuni mai
mici sau mai mari n funcie de destinaia care o au.
n funcie de destinaia lor tranzistoarele se mpart n 3 mari categorii:
tranzistoare de semnal mic se utilizeaz la frecvene joase (sub 100 kHz) i
cureni mici (sub 1 A)






Figura 5.1.3 Capsule de tranzistoare de semnal mic (uz general)

tranzistoare de putere se utilizeaz la cureni mari (peste 1 A)







Figura 5.1.4 Capsule de tranzistoare de putere


tranzistoare de radio-frecven (RF) se utilizeaz la frecvene foarte nalte











Figura 5.1.5 Capsule de tranzistoare de radio-frecven





http://eprofu.ro/electronica

b. Identificarea terminalelor tranzistoarelor bipolare.
b1. Identificarea terminalelor n funcie de tipul capsulei
tranzistoare de uz general n capsul metalic la majoritatea tranzistoarelor din
aceast categorie Emitorul este terminalul de lng chei, Colectorul este n
partea opus iar Baza este la mijloc. Terminalele sunt dispuse sub forma unui
triunghi echilateral.



B

B
E
C E C
E
E
B
C
B

C





Figura 5.1.6 Dispunerea terminalelor la tranzistoarele n capsul metalic



tranzistoare de uz general n capsul din material plastic la tranzistoarele din
aceast categorie terminalele sunt dispuse liniar cu baza n mijloc. La majoritatea,
terminalele sunt dispuse ca n figura 5.1.7, dar sunt si familii de tranzistoare din
aceast categorie la care Emitorul i Colectorul sunt dispuse invers fa de cum
sunt prezentate n figura 5.1.7


E
B
C
E B C

E
B
C
E
B
C









Figura 5.1.7 Dispunerea terminalelor la tranzistoarele n capsul din plastic









http://eprofu.ro/electronica



tranzistoare de putere la tranzistoarele din aceast categorie Colectorul este
conectat la partea metalic a tranzistorului. La majoritatea tranzistoarelor din
aceast categorie terminalele sunt dispuse liniar iar Colectorul este la mijloc. La
tranzistoarele care au numai 2 terminale (vezi 2N3055), Colectorul este corpul
metalic al tranzistorului.









E
B
C
E B C
E B C
E
B
C





E
B
C
E
B
C
E
B
C










Figura 5.1.8 Dispunerea terminalelor la tranzistoarele de putere

OBSERVAIE IMPORTANT!
La unele familii de tranzistoare terminalele pot fi dispuse altfel dect sunt
prezentate n figurile de mai sus chiar dac capsulele sunt identice. Metoda
cea mai sigur de identificare a terminalelor este msurarea rezistenei
electrice ntre terminalele tranzistorului, metod ce va fi prezentat n cele ce
urmeaz.


http://eprofu.ro/electronica

b2. Identificarea terminalelor prin msurarea rezistenei electrice dintre ele
Pentru identificarea terminalelor tranzistorului prin aceast metod se parcurg 3 etape:
n prima etap se identific baza tranzistorului

NPN
E
B C
E B
C
PNP

Figura 5.1.9 Structura tranzistoarele bipolare cu diode

Din structura tranzistoarelor cu diode se observ c rezistenele electrice ntre baz i
celelalte dou terminale ale tranzistorului trebuie s fie egale, ntr-un sens au valoare
mic iar n sens opus au valoare foarte mare. Prin cele dou sensuri se nelege modul
de plasare a tastelor multitesterului fa de terminalele tranzistorului (ntr-un sens se
plaseaz cu borna plus pe baz iar n cellalt sens se plaseaz cu borna minus pe
baz)
o Se fixeaz comutatorul unui multitester digital pe poziia (pentru
msurarea rezistenei electrice)
o Se plaseaz o tast a multitesterului pe unul din terminalele tranzistorului iar
cu cealalt tast se msoar rezistenele electrice fa de celelalte dou
terminale. Dac rezistenele electrice sunt aproximativ egale (ntr-un sens
rezistene mici iar n cellalt sens rezistene foarte mari) tasta multitesterului
este plasat pe baza tranzistorului.















B
B
Figura 5.1.10 Identificarea BAZEI tranzistorului bipolar

http://eprofu.ro/electronica

n a doua etap se identific tipul tranzistorului
Se plaseaz o tast a multitesterului pe baz i cealalt tast pe unul din celelalte
dou terminale ale tranzistorului n sensul n care multitesterul indic rezisten mic.
Dac pe BAZ este tasta COM(MINUS) tranzistorul este de tip PNP
Dac pe BAZ este tasta PLUS tranzistorul este de tip NPN
Deoarece BAZA este n mijloc, se pune n mijloc litera corespunztoare polaritii care
este pe baz (N pentru MINUS i P pentru PLUS) iar pe margini literele
corespunztoare celeilalte polariti (doi de P sau doi de N) i astfel se obine PNP sau
NPN.

NPN
E B C E B C
PNP
+ + +














Figura 5.1.11 Identificarea tipului de tranzistor (PNP sau NPN)

n a treia etap se identific Emitorul i Colectorul.
Rezistena electric dintre Baz i Emitor este ntotdeauna mai MARE dect rezistena
electric dintre Baz i Colector.
Se plaseaz o tast a multitesterului pe baz iar cu cealalt tast se msoar i se
noteaz valoarea rezistenelor fa de celelalte dou terminale. Terminalul fa de care
rezistena este mai mare va fi Emitorul tranzistorului iar cellalt Colectorul tranzistorului.
Rezistena BAZ-EMITOR este mai MARE dect rezistena BAZ-COLECTOR.













La tranzistorul
BC 547 de tip NPN:
R
BE
= 5,32 M
R
BC
= 5,17 M
R
BE
> R
BC
E
C
B
E
C
B
Figura 5.1.12 Identificarea EMITORULUI i COLECTORULUI

http://eprofu.ro/electronica



5.1.3 FUNCIONAREA TRANZISTORULUI BIPOLAR
Un tranzistor bipolar funcioneaz corect, dac jonciunea baz-emitor este polarizat
direct cu o tensiune mai mare dect tensiunea de prag, iar jonciunea baz-colector este
polarizat invers cu o tensiune mult mai mare dect tensiunea baz-emitor.
Emitorul este sursa de purttori care determin curentul prin tranzistor, iar colectorul
colecteaz purttorii ajuni aici. Baza controleaz curentul prin tranzistor n funcie de
valoarea tensiunii de polarizare a jonciunii baz-emitor.
Jonciunea emitor-baz (polarizat direct) injecteaz un curent de emitor I
E
care este
colectat n cea mai mare parte de jonciunea colector-baz (polarizat invers), acest
proces definind efectul de tranzistor.
Tranzistorul bipolar transfer curentul din circuitul de intrare de rezisten mic, n circuitul
de ieire de rezisten mare, de unde denumirea TRANsfer reZISTOR TRANZISTOR.

a. Funcionarea tranzistorului NPN.
La acest tip de tranzistor purttorii majoritari sunt electronii.









EMITOR
(N)
BAZ
(P)
COLECTOR
(N)
jonciunea BE
polarizat direct
jonciunea BC
polarizat invers
+
+
I
E
I
B
I
C
I
E
= I
C
+ I
B

Figura 5.1.13 Prezentarea funcionrii tranzistorului NPN

Regiunea de tip n a emitorului este puternic dopat cu electroni liberi. Regiunea de tip p
a bazei este foarte subire i slab dopat cu goluri. Prin polarizarea direct a jonciunii BE
electronii din regiunea emitorului difuzeaz cu uurin prin jonciunea BE ctre regiunea
bazei. Aici un procent foarte mic de electroni se combina cu golurile din baz i formeaz
curentul de baz. Prin polarizarea invers a jonciunii BC majoritatea electronilor difuzeaz
prin jonciunea BC i sunt atrai ctre regiunea colectorului de ctre tensiunea de
alimentare a colectorului, formndu-se astfel curentul de colector.



http://eprofu.ro/electronica


b. Funcionarea tranzistorului PNP.
La acest tip de tranzistor purttorii majoritari sunt golurile.









EMITOR
(P)
BAZ
(N)
COLECTOR
(P)
jonciunea BE
polarizat direct
jonciunea BC
polarizat invers
Figura 5.1.14 Prezentarea funcionrii tranzistorului PNP

Regiunea de tip p a emitorului este puternic dopat cu goluri. Regiunea de tip n a bazei
este foarte subire i slab dopat cu electroni. Prin polarizarea direct a jonciunii BE
golurile din regiunea emitorului difuzeaz cu uurin prin jonciunea BE ctre regiunea
bazei. Aici un procent foarte mic de goluri se combina cu electronii din baz i formeaz
curentul de baz. Prin polarizarea invers a jonciunii BC majoritatea golurilor difuzeaz
prin jonciunea BC i sunt atrai ctre regiunea colectorului de ctre tensiunea de
alimentare a colectorului, formndu-se astfel curentul de colector.

















+
I
E
I
B
I
C
+
I
E
= I
C
+ I
B

http://eprofu.ro/electronica

5.1.4 PARAMETRII I CARACTERISTICILE TRANZISTORULUI BIPOLAR
a. Parametrii tranzistorului bipolar
a1. Factorul de amplificare al tranzistorului
Factorul de amplificare n curent din baz n colector (
cc
) reprezint raportul
dintre curentul continuu prin colector (I
C
) i curentul continuu prin baz (I
B
)

(1)
C
CC
B
I
I
=
este o mrime static de curent continuu, care indic de cte ori este mai mare curentul
prin colectorul tranzistorului dect curentul prin baza tranzistorului. Acest parametru mai
poart denumirea de ctig n curent al tranzistorului.
Valoarea acestui parametru este menionat de ctre productor n foile de catalog, ca
parametru echivalent hibrid h
FE

FE CC
h =

(2)

Valorile parametrului sunt cuprinse ntre 10 i 1000, n funcie de tipul tranzistorului.

Factorul de amplificare n curent din emitor n colector (
cc
) reprezint
raportul dintre curentul continuu prin colector (I
C
) i curentul continuu prin emitor (I
E
)
C
CC
E
I
I
=

(3)

Acest parametru este ntotdeauna subunitar deoarece curentul de colector (I
C
) este
ntotdeauna mai mic dect curentul de emitor (I
E
) .
Valorile paramentului sunt cuprinse ntre 0,95 i 0,99 n funcie de tipul tranzistorului.
ntre parametrii i sunt urmtoarele relaii:
1
CC
CC
CC

1
CC
CC
CC

= (4) (5)
+

a2. Valorile maxime absolute
Sunt valori care nu trebuie depite n timpul funcionrii tranzistorului, deoarece pot
produce defectarea acestuia. De regul n aceast grup apar:
Tensiunile maxime ntre terminale: V
CBO
, V
CEO
, V
EBO

Curentul maxim de colector i de baz: I
CM
, I
BM

Puterea maxim disipat: P
tot

Temperatura maxim a jonciunii: T
jM
(este cuprins ntre 175C i 200C)
n practic se recomand ncrcarea tranzistorului la cel mult 0,75 din valorile de catalog
ale acestor parametrii.

http://eprofu.ro/electronica

b. Caracteristicile tranzistorului bipolar.
b1. Caracteristicile electrice


B BB BE
B
I = =
R
B B
V
V V
R R

C CC B
I I = (3)
E C B
I I I = + (4)
C
CE CC R CC C C
V V V V I R = =
(5)
CB CE BE
V V V
(6)
=
0,7
BE
V V =
(1)











+
V
CC
+
R
B
R
C
V
BB
Ic
I
B
I
E
V
CE
V
CB
V
BE
I
B
curentul continuu de baz
I
C
curentul continuu de colector
I
E
curentul continuu de emitor
V
CB
tensiunea colector-baz
V
BE
tensiunea baz-emitor
V
CE
tensiunea colector-emitor
V
BB
surs de tensiune continu
care polarizeaz direct
jonciunea baz - emitor

V
BB
surs de tensiune continu
care polarizeaz invers
jonciunea baz - colector
Figura 5.1.15 Curenii i tensiunile tranzistorului




(2)












http://eprofu.ro/electronica

b2. Caracteristicile statice
Aceste caracteristici sunt grafice ce reprezint dependena dintre curenii ce trec prin
terminalele tranzistorului i tensiunile ce se aplic la aceste terminale. Fiecare schem de
conectare a unui tranzistor se caracterizeaz prin patru familii de caracteristici:
I
IE
= f (U
IE
) la I
INT
= constant caracteristici de ieire;
U
INT
= f (I
INT
) la U
IE
= constant caracteristici de intrare;
I
IE
= f (I
INT
) la U
IE
= constant caracteristici de transfer a curentului;
U
INT
= f (U
IE
) la I
INT
= constant caracteristici de reacie invers dup tensiune.














Figura 5.1.16 Caracteristicile statice ale tranzistorului bipolar n conexiunea EC
n cataloagele de tranzistoare sunt prezentate caracteristica de intrare i caracteristica de
ieire, deoarece aceste caracteristici sunt mai importante. Pe caracteristica de ieire se
pot delimita regiunile de funcionare a tranzistorului i se poate trasa dreapta de sarcin.

I
C
[mA]
Regiunea de satuaraie
I
B
=0 A
V
CE
[V]
I
B
=10 A
I
B
=20 A
I
B
=30 A
I
B
=40 A
I
B
=50 A
Regiunea de blocare
Regiunea activ normal




(RAN)
V
CC

I
C(sat)

PSF









Figura 5.1.17 Caracteristica de ieire a tranzistorului bipolar n conexiunea EC

http://eprofu.ro/electronica

(I
C(su
C

n regiunea de blocare tranzistorul funcioneaz n regim de blocare (tiere):
jonciunea baz emitor este polarizat invers (sau direct cu o tensiune mai mic
dect tensiunea de prag)
jonciunea baz colector este polarizat invers
curenii prin tranzistor sunt foarte mici, practic I
C
=0
tensiunea de ieire are valoare mare, practic V
CE
= V
CC

tranzistorul se comport ca un ntreruptor deschis.

n regiunea de saturaie tranzistorul funcioneaz n regim de saturaie:
jonciunea baz emitor este polarizat direct
jonciunea baz colector este polarizat direct
curentul prin colector atinge o valoare apropiat de valoarea maxim posibil
t)
=
v
CC
R
) i nu mai este proporional cu curentul de comand din baz
(creterea curentului din baz nu influeneaz curentul din colector)
tensiunea de saturaie este forte mic V
CE(sat)
= 0,2 0,3 V
tranzistorul se comport ca un ntreruptor nchis.

n regiunea activ normal tranzistorul funcioneaz n regim activ normal (RAN):
jonciunea baz emitor este polarizat direct
jonciunea baz colector este polarizat invers
curentul prin tranzistor este mare I
C
= I
B

tensiunea de ieire (V
CE
) este mic
tranzistorul se comport ca un amplificator de semnal.

Pe graficul caracteristicii de ieire (figura 5.1.17) dac se unete punctul de blocare (V
CC
)
cu punctul de saturaie (I
C(sat)
) se obine dreapta de sarcin n curent continuu. De-a
lungul dreptei de sarcin ntre cele dou puncte se afl regiunea activ normal de
funcionare a tranzistorului. La intersecia unei caracteristici de ieire cu dreapta de
sarcin se afl punctul static de funcionare (PSF).












http://eprofu.ro/electronica

5.1.5 FUNCIILE TRANZISTORULUI BIPOLAR.
Din graficul caracteristicii de ieire a tranzistorului se observ c tranzistorul bipolar are
dou funcii importante:
Funcia de amplificare cnd tranzistorul funcioneaz n regim activ normal
Funcia de comutare cnd tranzistorul funcioneaz n regim de blocare i n
regim de saturaie.
a. FUNCIA DE AMPLIFICARE.
Cnd tranzistorul este polarizat astfel nct s lucreze n regiunea activ, acesta poate
amplifica att un semnal de form continu ct i un semnal de form alternativ.
n circuitul de curent continuu tranzistorul amplific curentul din baz (figura 5.1.18 a)
C CC B
I I = (1)
n circuitul echivalent de curent alternativ tranzistorul amplific tensiunea alternativ din
baz (figura 5.1.18 b)

(2)



















a b

Figura 5.1.18 Funcia de amplificare a tranzistorului bipolar n conexiunea EC











+
V
CC
+
R
B
R
C
V
BB
Ic
I
B
I
E
C
V
B
V
A
V
=

R
B
R
C
V
in
Vc
V
B
http://eprofu.ro/electronica

b. FUNCIA DE COMUTARE.
Tranzistorul bipolar cnd lucreaz n regim de comutaie, trece alternativ din starea de
blocare n starea de saturaie.
n starea de blocare, cnd jonciunea baz-emitor nu este polarizat direct, tranzistorul se
comport ca un ntreruptor deschis i prin el nu circul curent (figura 5.1.19 a)
n aceast situaie tensiunea colector-emitor este maxim:
( ) CE blocare CC
V V = (3)
n starea de saturaie, cnd jonciunea baz-emitor este polarizat direct, tranzistorul se
comport ca un ntreruptor nchis i prin el circul un curent (fig. 5.1.19 b)
( )
CC
C sat
C
V
I
R
=
Valoarea curentului care circul de la colector spre emitor este:
(4)

Valoarea minim a curentului de baz pentru a aduce tranzistorul n saturaie este:
( )
(min)
C sat
B
CC
I
I

= (5)




+
V
CC
+
R
B
R
C
V
BB
I
C(sat)
I
B
+
V
CC
C
E
Rc
R
B
R
C
0V

Ic=0
I
B
=0
+
V
CC +
V
CC
C
E
Rc













(a) Blocare ntreruptor deschis (b) Saturaie ntreruptor nchis

Figura 5.1.19 Funcia de comutare a tranzistorului bipolar n conexiunea EC














http://eprofu.ro/electronica