Lefter Bogdan - Ionut

clasa a XII-a E
Liceul de Informatica “Grigore Moisil”,Iași

Tranzistorul cu efect de câmp

   Tranzistorul este un dispozitiv semiconductor realizat, în general, din două joncțiuni
pn, având trei terminale de legătură. După modelul de realizare, există mai multe tipuri
de tranzistoare, cum ar fi: tranzistoare cu efect de câmp, tranzistoare bipolare,
tranzistoare unijoncțiune etc.

 Tranzistoarele cu efect de câmp (TEC) se bazează pe controlul efectuat de un câmp

electric asupra curentului electric ce trece prin dispozitiv. Curentul electric trece printr-
un canal conductor a cărui conductanță Gc( ) depinde de intensitatea E a unui câmp
electric de control, perpendicular pe canal, de lungime L și secțiune S0(). Curentul
electric este format de un singur tip de purtători de sarcină mobili, care se deplasează,
de la un capăt al canalului numit sursă (S) către celălalt capăt numit drenă (D).
 Deplasarea purtătorilor are loc datorită diferenței de potențial (tensiunii) aplicate între drenă și
sursă, UDS. Câmpul electric care modifică conductanța canalului provine din tensiunea aplicată pe
un al treilea electrod, UGS, electrodul de control numit grilă (G) (”gate”, în limba engleză).
 Tranzistoarele cu efect de câmp se mai numesc și tranzistoare unipolare, deoarece la conducția
curentului electric participă un singur tip de purtători mobili și anume purtătorii majoritari din
canal.
 După tipul de purtători care formează curentul, tranzistoarele cu efect de câmp se împart în două
categorii: TEC cu canal n și TEC cu canal p.
 După modul de realizare a controlului conductanței canalului, TEC se împart în:
-TEC cu joncțiuni (TEC-J)
-TEC cu grilă (poartă) izolată, având la bază structura metal-oxis-semiconductor (MOS), numite
prescurtat TEC-MOS sau MOSFET, în engleză.
Tranzistorul cu efect de câmp cu joncțiuni (TEC-J)

 Modificarea conductanței canalului într-un TEC-J are la bază

următoarele proprietăți ale unei joncțiuni:
-regiunea de trecere (de sarcină spațială, săracă în purtători liberi) se
comportă ca un mediu izolator;
-adâncimea de pătrundere a regiunii de trecere într-o zonă a unei joncțiuni
este cu atât mai mare, cu cât concentrația impurităților, în zona respectivă,
este mai mică decât în cealaltă zonă;
-lățimea regiunii de trecere crește odată cu tensiunea inversă aplicată
joncțiunii.
  În figura 1, se ilustrează structura și
funcționarea TEC-J cu canal n. Canalul este
realizat în volumul substratului p. Grila G este
o joncțiune obținută prin difuzia unei regiuni p
în zona de la suprafață a canalului. Astfel,
modificată prin ”efect de câmp”, este
constituit din porțiunea centrală a regiunii n,
de lungime L, cuprinsă între cele două
joncțiuni pn.
 Substratul p constituie cea de-a doua
Fig 1
grilă, terminalul sau G’ fiind conectat
la G. Deci, tensiunea UGS se aplică
simultan ambelor joncțiuni (JP N),
polarizate invers.
 În figura 2 se reprezintǎ caracteristicile curent-tensiune: ID = f(UDS), pentru UGS parametru.
 Comanda privind intensitatea curentului de drenǎ ID se obţine variind secţiunea canalului,
deci conductanţa lui, prin modificarea extinderii regiunilor golite (suprafeţele haşurate
orizontal) ale celor douǎ JP N corespunzǎtor tensiunii de polarizare inverse UGS < 0.
 În descrierea funcţionǎrii TEC-J existǎ o anumitǎ valoare a tensiunii de grilǎ
 UGS = VP, numitǎ „tensiune de prag” (sau penetraţie). Tensiunea de prag VP este acea
tensiune de grilǎ începând de la care cele douǎ regiuni golite de purtǎtori liberi se separǎ,
apǎrând canalul n şi, totodatǎ, curentul de drenǎ (UD≈0, ID ≠ 0).

Fig 2
 Tranzistoare cu efect de câmp (TEC) cu poartǎ izolatǎ

 Tranzistoarele cu efect de câmp cu poartǎ izolatǎ au o structurǎ de tip metal-izolator-

semiconductor (MIS). Electrodul metalic poartǎ (grilǎ) G al acestor tranzistori este
separat de semiconductor printr-un strat izolator foarte subţire (tipic, sub 2,5 mm). În
cazul în care stratul izolator este realizat din oxid (SiO2) tranzistorii poartǎ numele de
TEC-MOS (MOSFET, în englezǎ). Dupǎ modul de formare a canalului de conducţie
al curentului electric, tranzistorii TEC-MOS se clasificǎ în douǎ categorii:
 a) TEC cu canal indus sau cu strat de inversiune sau îmbogǎţit;
 b) TEC cu canal iniţial sau cu strat sǎrǎcit.
 Canalele pot fi de tip n sau de tip p.
 Circuitele integrate actuale au ridicat tranzistorul TEC-MOS la rangul de
dispozitiv reprezentativ al electronicii. Aceste tranzistoare sunt frecvent
utilizate în realizarea rezistoarelor de sarcinǎ cu rezistenţǎ comandatǎ prin
tensiune şi în realizarea circuitelor logice.
 Din punct de vedere istoric, primul tranzistor propus spre realizare a fost
tocmai cel de tip TEC-MOS (1960). Necesitând o tehnologie pretenţioasǎ,
realizarea lui a început abia în anul 1960.
 În acest paragraf, TEC-MOS va fi prezentat în varianta canal n indus.
TEC-MOS cu canal indus tip n*
 Elemente constructive – Tranzistorul MOS este o
componentǎ electronicǎ activǎ cu patru
terminale: sursa (S), poarta (G), drena (D) şi
substratul (B). Al patrulea terminal (B) conectat
la substratul p se numeşte bazǎ şi se leagǎ
electric, de obicei, la sursǎ (S), acesta fiind şi
referinţǎ de potenţial (VS = 0). În figura 3 se
prezintǎ o structurǎ de tranzistor MOS cu canal
n, ale cǎrui date geometrice sunt:
 L – lungimea canalului, Z – lǎţimea canalului,
tox – grosimea oxidului de sub poartǎ, h –
Fig 3 grosimea canalului.
 Drena se defineşte ca fiind acel capǎt al
canalului care are un potenţial (VD) mai mare
decât al celuilalt capǎt (VS), care devine, astfel,
sursǎ (V ≥ V , cu V = 0 potenţial de referinţǎ).
 Fig. 4. a, b, c, d.
U >V
GS P

a b
 Creşterea tensiunii UDS determinǎ creşterea în continuare a intensitǎţii curentului
de drenǎ ID, dar mai slab decât în variaţia liniarǎ. Acest fapt se explicǎ prin aceea cǎ
potenţialul canalului Vc variazǎ crescǎtor de la sursǎ la drenǎ, întrucât creşte
cǎderea de tensiune IDRc pe canal, care devine semnificativǎ (ID a crescut). Atunci,
tensiunea pe oxid Uox = UGS – VS scade pe aceeaşi direcţie (Oy), ducând la
scǎderea sarcinii | QI | din canal. Sǎrǎcirea de electroni cǎtre drenǎ determinǎ
creşterea rezistenţei canalului şi, implicit, limitarea creşterii intensitǎţii curentului de
drenǎ, ID. Mǎrind tensiunea UDs la o anumitǎ valoare UDS sat pentru un UGS dat,
canalul se stranguleazǎ (tensiunea pe oxid lângǎ drenǎ Uox = UGS – Vc, devenind
insuficientǎ pentru menţinerea stratului de inversiune), instalându-se saturaţia
curentului de drenǎ, ID sat ≈ const. (figurile 4, b, c) canalul luând forma unei pene.
 Pentru tensiuni de drenǎ UDS > UDS sat are loc efectul de scurtare a canalului (fig.
4, d) iar intensitatea curentului de drenǎ rǎmâne aproximativ constantǎ şi egalǎ cu
ID sat.
 TEC-MOS cu canal iniţial tip n

 Tehnologia TEC-MOS cu canal iniţial diferǎ de cea a tranzistoarelor cu strat de

inversiune în sensul cǎ între sursǎ şi drenǎ se realizeazǎ fizic un canal iniţial, aşa
cum se observǎ în figura 5, a.

Fig 5
 Datoritǎ existenţei canalului iniţial, în cazul de faţǎ de tip n, rezistenţa circui- tului sursǎ-
drenǎ este scǎzutǎ, între sursǎ şi drenǎ putând curge curent în cazul aplicǎrii unei tensiuni
UDS > 0, chiar dacǎ UGS = 0.
 La aplicarea unei tensiuni de poartǎ negative, UGS < 0 (fig. 5, b) electrodul negativ poartǎ
respinge electronii liberi din canalul n, astfel încât la interfaţa oxid-canal apare o zonǎ fǎrǎ
purtǎtori mobili (sarcina zonei fiind pozitivǎ da- toritǎ ionilor donori imobili).
 Sǎrǎcirea canalului în purtǎtori mobili majoritari, care sunt electronii, mǎreşte rezistenţa
acestuia. La mǎrirea în continuare a negativǎrii porţii, canalul se îngusteazǎ tot mai mult
pânǎ la strangularea completǎ, când se instaleazǎ regimul de saturaţie al curentului, ID
sat ≈ const. (fig. 6).
 La aplicarea unei tensiuni pozitive, UGS > 0, vor fi atraşi din substratul p-Si
 un numǎr suplimentar de electroni liberi, fapt echivalent cu descreşterea rezistenţei
 şi cu creşterea intensitǎţii ID a curentului din canal. Se spune cǎ tranzistorul funcţioneazǎ în
„regim de îmbogǎţire”, conductanţa canalului crescând.
 Din cele spuse reiese cǎ TEC-MOS-ul, ca şi TEC-J,
funcţioneazǎ ca un rezistor cu rezistenţa comandatǎ de
tensiunea porţii, UGS, pentru intervalul de variaţie
liniarǎ a caracteristicilor ID(UDS)|UGS=const.Din aceste
caracteristici rezultǎ cǎ funcţionarea lor, în principiu,
este asemǎnǎtoare: „acţiunea de comandǎ” a
intensitǎţii curentului de drenǎ prin efectul de câmp
creat de tensiunea de poartǎ, UGS, singura deosebire
constând în faptul cǎ TEC-MOS poate funcţiona şi cu
tensiune de poartǎ pozitivǎ, UGS > 0 (fig. 6).
 Datorită rezistenței foarte mari a stratului subțire
izolator, rezistența de intrare a tranzistorului MOS
Fig 6
este foarte ridicatǎ (10÷10) Ω. Ca atare, comanda
curentului de drenǎ se realizeazǎ cu o cheltuiala foarte
micǎ de putere, ceea ce constituie un principal avantaj
al TEC-MOS-urilor. Rezistenţa ridicatǎ de intrare
permite utilizarea lor şi într-o serie de aplicaţii
 Polarizarea pentru TEC în montaj amplificator*

 De obicei, alimentarea întregului circuit al tranzistorului se face de la o singură sursă.

Aceasta sursă, ED, se pune în circuitul de drenă și va trebui să asigure polarizarea
corespunzătoare drenei unui TEC.
 În ceea ce privește polaritatea necesară alimentării porții distingem două situații. Prima
situație este cea a tranzistoarelor care lucrează într-un regim de golire a canalului
existent la UGS=0ș TEC-J lucrează întotdeauna într-un regim, iar un TECMOS cu canal
inițial lucrează astfel dacă UGS este cuprins intre 0 si VP. Tensiunea de poartă necesară
acestui regim este de semn opus tensiunii de alimentare de drenă.
 Soluția negativării automate pentru negativitatea grilei pentru un TEC se exemplifică în
schema de alimentare pe un TEC-J cu canal n în figura 6. Tensiunea pozitivă de drenă se
obține de la sursa ED. Curentul de drena ID trece și prin rezistorul RS, pe care apare o
cădere de tensiune cu polaritatea figurată, prin R g necirculând curent deorarece curentul
de poartă este nul, iar condensatorul de blocare C g împiedică trecerea curentului continuu
din circuitul exterior, căderea de tensiune pe R g este zero și, prin urmare UGS=RsID.
Fig 7 Fig 8
 Rezistorul Rg este necesar pentru a asigura o legătură galvanică la poartă și are valori de MΩ. Condensatorul CS
decuplează în curent alternativ rezistorul RS în regim dinamic de funcționare. În general, se poate afirma că
rezistorii RS din circuitele de poartă realizează o polaritate automata a TEC respective.
 A doua situație ce poate surveni în alimentarea porții unui TEC este cea a tranzistoarelor care lucrează într-un

regim în care UGS crește conductanța canalului față de valoarea de la U GS= 0; TECMOS cu canal indus
lucrează întotdeauna într-un astfel de regim, iar TECMOS cu canal inițial lucrează astfel dacă UGS este de semn
opus tensiunii prag VP. Tensiunea de poartă necesară acestui regim este de același semn cu tensiunea de alimentare
a drenei și se poate obține din aceasta printr-un divizor de tensiune (fig. 7). De remarcat că este în general necesar
un divizor pentru a obține tensiunea de poartă la valoarea dorită; legarea porții la sursa de alimentare printr-un
rezistor determină o tensiune de poartă egală cu tensiunea de alimentare deoarece curentul de poartă este nul.
Pentru tranzistorul cu canal n din figura 7 rezultă:
 În tabelul 1 sunt prezentate schematic simbolurile utilizate pentru TEC.
 Existența canalului UGS=0 este simbolizată printr-o linie plină și absența lui printr-o linie întreruptă. Sensul
săgeții de la borna de substrat indică joncțiunea p-n canal-substrat. Linia de poartă (grilă) este reprezentată
despărțit de cea de canal, iar terminalul de grilă, G, este scos printr o linie perpendicular pe linia de poartă la
mijlocul ei, sau la capătul dinspre sursă.
 Tranzistorul bipolar cu joncțiuni p-n*
 Tranzistorul bipolar a fost inventat de J. Bardeen, W. H. Brattain (1948) și modificat și explicat
de W. Shockley (1949). Tranzistorul bipolar are trei borne și este mult utilizat in circuite de
amplificare, separate, sau în ciurcuite integrate. Este numit bipolar pentru că în procesele fizice
din acest transistor un rol important îl joaca atât purtătorii majoritari cât și purtătorii minoritari. În
comparație cu tranzistorul cu efect de camp (TEC), tranzistorul bipolar are o amplificare mare
și o impedanță de intrare mult mai mica.
 Regiunea semiconductoare mijlocie contribuie simultan la formarea unei regiuni de trecere cu
fiecare dintre regiunile semiconductoare marginale. Regiunile extreme cu același tip de
conducție se numesc emitor, E, și respective collector, CC, iar regiunea central cu conducție de
tip contrat se numește bază B.
 Considerăm un tranzistor pnp.
 Pentru funcționarea tranzistorului, regiunea de trecere emitor-bază se polarizează în
acest sens direct, iar regiunea de trecere collector-bază se polarizează invers
 Pentru obtinerea unor performanțe superioare, concentrațiile impurităților țn tranzistoare
diferă mult în cele trei regiuni emitorul este puternic dopat, în bază concentrația
impuritățillor donoare are o valoare medie iar în collector concentrația acceptorilor este
mica.
 Regiunea de trecere emitor va fi străbătută de un current intens, IE, determinat de
deplasarea dintr-o regiune în alta a purtătorilor de sarcină majoritari. Deoarece, prin
construcție, concentrația impurităților în bază este mai mica decât în emitor, IE, se
datorează in special golurilor care trec din emitor in bază, numărul electronilor care trec
din bază în emitor fiind mult mai mic.
 Datorită grosimii foarte mici a bazei (10,25mm), mult mai mica decât lungimea de difuzie
a golurilor (10-2cm), golurile injectate de emitor în bază nu au timp să se recombine cu
electronii din bază și difuzează în cea de-a doua regiune de trecere cu excepția unei
părți infirme care se recombine în bază.
 Bibliografie

 Bibliografie: Fizica, Manual pentru clasa a XII-a F1, autori: Cleopatra Gherbanovschi,
Nicolae Gherbanovschi, editura NICULESCU ABC, 2016