CURS 1

COMPONENTE, CIRCUITE ȘI SEMNALE

1.1. SURSE ELECTRICE

1.2. COMPONENTE PASIVE DE CIRCUIT
1.2.1. Rezistoare
1.2.2. Condensatoare
1.2.3. Bobine
1.2.4. Transformatoare
1.3. LEGI ŞI TEOREME ALE CIRCUITELOR ELECTRICE
1.3.1. Legea lui Ohm si teoremele lui Kirchhoff
1.3.2. Teoremele lui Thevenin şi Norton
1.4. FAZORI ŞI IMPEDANŢE ÎN CURENT ALTERNATIV
1.4.1. Fazori
1.4.2. Impedanţe
1.5. SEMNALE

În acest curs introducem noţiunile elementare privind circuitele electrice

şi electronice, sursele şi componentele lor pasive şi active, legile şi teoremele
pe baza cărora funcţionează, precum şi mărimile electrice operante, numite în
continuare semnale.
Un circuit electric este alcătuit din surse de alimentare de curent şi / sau
tensiune interconectate cu componente pasive (electrotehnice) – rezistoare,
condensatoare şi bobine. Dacă circuitul respectiv conţine, pe lângă
componentele menţionate, şi componente active (electronice), de exemplu
dispozitive semiconductoare, acesta devine un circuit electronic.
Funcţionarea circuitelor electrice, în general, are la bază legile lui Ohm
şi Kirchhoff, în completarea cărora pentru analiza de circuit sunt utilizate o
serie de teoreme derivate din legile fundamentale, ca teoremele lui Thevenin
şi Norton.

1.1. SURSE ELECTRICE

Prin definiţie, o sursă electrică este un element de circuit capabil să
furnizeze putere electrică la ieşirea sa, adică p=u·i, unde p – puterea, u –
tensiunea şi i – curentul.
Sursele electrice pot genera curent / tensiune continue sau alternative,
având putere fixă sau controlată. În fig.1.2. sunt prezentate câteva din
simbolurile uzuale pentru diverse tipuri de surse electrice.

1/19
Fig.1.2. Simboluri pentru sursele electrice independente: (a) baterie sau sursă electrică
de tensiune continuă; (b) sursă de tensiune electrică; (c) sursă de curent; (d) sursă de
tensiune alternativă; (e) sursă de curent alternativ

Sursele de tensiune montate in serie sunt traversate de acelasi

curent si sunt echivalente cu o singura sursa de tensiune a carei valoare
este suma valorilor surselor individuale. Sursele de tensiune identice
montate in paralel au la borne aceeasi tensiune, iar curentii individuali se
aduna pe sarcina.

1.2. COMPONENTE PASIVE DE CIRCUIT

Un circuit electronic conţine atât componente denumite active – diode,
tranzistoare, circuite integrate ş.a. cât şi componente pasive – rezistoare,
condensatoare şi bobine. În cadrul acestui curs ne limităm la prezentarea
componentelor pasive de circuit.

1.2.1. Rezistoare
Rezistorul este un dipol (componentă cu două terminale), caracterizat
prin aceea că pentru un model idealizat numit rezistenţă are tensiunea uR la
bornele sale dată de legea lui Ohm:
1
u R  R  iR  i R ( u R )  uR , (1.6)
R
care este fi reprezentată grafic printr-o semidreaptă de pantă (tangenta) 1/R
din fig.1.7, unde R este rezistenţa electrică măsurată în Ohmi [Ώ], uR este
tensiunea prin R măsurată în Volți [V] și iR este curentul prin R măsurat în
Amperi [A].

Fig.1.7. Caracteristica i(u)=u/R pentru rezistor

2/19
 Rezistoarele sunt clasificate din punct de vedere constructiv (fig.1.8) în:
rezistoare fixe, anume cele care nu se modifică pe durata funcţionării (fig.1.8
(a) şi (b) şi rezistoare variabile, a căror rezistenţă poate fi modificată în cadrul
unor limite stabilite, fig.1.8 (c) şi (d).

(a) (b) (c) (d)

Fig.1.8. Rezistoare – simboluri utilizate

(a) rezistor fix, simbol preferat; (b) rezistor fix; (c) rezistor potenţiometric;
(d) rezistor semireglabil
Din punct de vedere al tehnologiei de fabricaţie a elementului rezistiv,
rezistoarele pot fi:
- bobinate, anume pe un suport dielectric se bobinează un material
conductor de rezistivitate ridicată;
- peliculare, obţinute prin depunerea unei pelicule rezistive pe suport
dielectric de tip ceramic;
- de volum, elementul rezistiv fiind depus în întreaga masă a rezistorului.
Conectarea in serie, respectiv in paralel a doua rezistoare este
prezentata in figura de mai jos:

a) conectarea in serie a rezistoarelor

b) conectarea in paralel a rezistoarelor

Fig. Conectarea rezistoarelor in serie si in paralel

Generalizand pentru n rezistoare, legarea in serie se face dupa relatia:

n
Rech   Rk  R1  R2  ...  Rn ,
k 1

3/19
iar legarea in paralel se face dupa relatia:
1 n 1 1 1 1
     ... 
Rech k 1 Rk R1 R2 Rn
Un rezistor este un consumator de putere electrică, puterea instantanee
disipata pe acesta avand expresia cunoscută:
pR  u R  iR  RiR2 ,
puterea medie putând fi calculată cu expresia:
1t t
PR   pR dt   u R  iR dt
tt t
0 0
iar energia medie disipată în rezistorul de rezistenţă R la trecerea curentului
electric putând fi calculată cu expresia:
t t t
WR  t  PR   pR dt   u R  iR dt   R  iR2 dt , (1.9)
t0 t0 t0
unde pR – puterea instantanee şi t0 – momentul de timp iniţial.

1.2.2. Condensatoare
Condensatorul este un dipol care are, pentru un model idealizat,
tensiunea la borne uC dependentă de curentul iC:
1 t
uC ( t )   iC dt  U C0 (1.10)
C t0
respectiv curentul iC dependent de tensiunea uC la bornele sale:
duC
iC  C , (1.11)
dt
în care C – capacitatea condensatorului, având ca unitate de măsură Farad-ul
[F], iC – curentul prin condensatorul C, UC0=uC(t0=0) – tensiunea iniţială pe
condensator la momentul initial t0.
În curent continuu, când uC(t)=constant, curentul iC=CduC/dt=0 şi
condensatorul se comportă ca un circuit deschis (gol) prin care nu circulă
curent.

Fig.1.9. Simboluri pentru condensatoare

(a) condensator fix; (b) condensator variabil (trimer); (c) condensator electrolitic
Constructiv, condensatoarele pot fi: condensatoare fixe, condensatoare
variabile şi condensatoare electrolitice (fig.1.9). În funcţie de natura
materialului dielectric introdus între armăturile sale, condensatoarele sunt

4/19
clasificate în: condensatoare cu dielectric gazos, lichid şi respectiv solid (cu
mică, sticlă, ceramică, peliculă plastică etc).
Conectarea in serie, respectiv in paralel a doua condensatoare este
prezentata in figura de mai jos, regula fiind inversa legarii in serie, respectiv in
paralel a celei de la rezistoare:

a) conectarea in serie a condensatoarelor

b) conectarea in paralel a condensatoarelor

Fig. Conectarea condensatoarelor in serie si in paralel

Generalizand pentru n condensatoare, legarea in serie se face dupa

relatia:
1 n 1 1 1 1
     ... 
Cech k 1 Ck C1 C2 Cn ,
iar legarea in paralel se face dupa relatia:
n
Cech   Ck  C1  C2  ...  Cn
k 1
Energia într-un condensator nu este disipată ca în rezistor, ci are un
caracter reactiv, fiind acumulată sau retrocedată. Pentru energia capacitivă
WC avem expresia finală cunoscută:
t t duC Cu 2 t CU C2
WC   uC iC dt   uC  C dt  C  (1.13)
0 0 dt 2 0 2

1.2.3. Bobine
Bobina este un dipol, care are, pentru un model idealizat, tensiunea uL
la bornele sale în funcție de curentul său iL:
diL
uL ( t )  L , (1.14)
dt
respectiv curentul iL dependent de tensiunea uL la borne:
1 t
iL   u L dt  I 0 , (1.15)
L t0

5/19
unde L – inductanţa electrică a bobinei exprimată în Henry [H], iL – curentul
prin bobină, iar I0 este curentul la momentul t0 iniţial, anume iL(t0)=I0.
În curent continuu, iL=constant, deci tensiunea la bornele sarcinii devine
uL=LdiL/dt=0, bobina comportându-se ca o rezistenţă nulă (scurtcircuit).
Tehnologic, pentru diferite aplicaţii, bobinele se deosebesc prin forma
geometrică, numărul de straturi al înfăşurării, numărul de spire, dispunerea
straturilor de bobine, tipul miezului magnetic, posibilitatea de reglaj a valorii
inductanţei ş.a. Simbolurile folosite în reprezentarea lor grafică sunt arătate în
fig.1.11.

(a) (b) (c) (d) (e)

Fig.1.11. Simboluri pentru bobine
(a), (b) simboluri tolerate pentru bobină fără miez magnetic; (c) bobină cu miez
magnetic; (d) bobină variabilă; (e) bobină cu miez reglabil

Conectarea in serie, respectiv in paralel a doua bobine este prezentata

in figura de mai jos, fiind similara cu cea de la rezistoare:

a) conectarea in serie a bobinelor

b) conectarea in paralel a bobinelor

Fig. Conectarea bobinelor in serie si in paralel

Generalizand pentru n bobine, legarea in serie se face dupa relatia:

n
Lech   Lk  L1  L2  ...  Ln ,
k 1
iar legarea in paralel se face dupa relatia:

6/19
 1 1 n1 1 1
     ... 
Lech k 1 Lk L1 L2 Ln
Ca și la condensator, energia printr-o bobină nu este disipată ca în
rezistor, ci are un caracter reactiv, fiind acumulată sau retrocedată. Energia
acumulată în bobină are expresia finală cunoscută:
t
t t di
L
t LiL2 LI L2
WL   u L iL dt   L iL dt   Li L diL   (1.20)
0 0 dt 0 2
0
2

Aplicaţia A1.1.
Circuitul din fig.A1.1a) este alimentat de la un generator de curent i(t)
reprezentat în fig.A1.1b). Se dau: R=100Ω, L=0,15H, C=20μF, I1=0,2A,
t1=1ms, t2=2ms. Se cer:
a) expresiile matematice ale tensiunilor uR, uL şi uC şi reprezentarea lor
în timp;
b) energiile disipate prin componentele R, L şi C, notate WR, WL şi WC.
uR uL
i i
R L
i C
uC I1

(a) t t t[ms]
uR [v] 1 (b) 2
i[A]

0,2 20

t1 t2 t[ms] t t t[ms]
(c) 1 (d) 2
uL[v] uC[v]

30 15
5
t1 t2 t[ms] t t t[ms]
(e) 1 (f) 2
Fig.A1.1. Circuit RLC serie alimentat cu curentul continuu i:
(a) schemă; (b), (c) curentul prin circuit; (d) tensiunea la bornele rezistenţei, uR;
(e) tensiunea la bornele inductanţei, uL; (f) tensiunea pe condensator, uC

Soluţie:
a) Curentul prin circuit este:
 I1
 t t, pentru 0  t  t1
 1
i( t )  iR ( t )  iL ( t )  iC ( t )   I1 , pentru t1  t  t2
0, pentru t  t
 2

Tensiunea la bornele rezistenţei R este:

7/19
  I1
 R  t t , pentru 0  t  t1
 1
u R ( t )  R  iR ( t )   RI1 , pentru t1  t  t2
0 , pentru t  t
 2

Tensiunea la bornele inductanţei L este:
 LI1
diL  , pentru 0  t  t1
uL ( t )  L   t1 ,
dt 
0, pentru t  t1
iar tensiunea la bornele condensatorului C este:
0 , pentru t  0
 I
 1 t 2 , pentru 0  t  t1
 2Ct1
1 t 
uC ( t )   idt  U C 0   I 2 ,
C t0 1 t  t   I1t1 , pentru t  t  t
 1 1 2
C 2C
I 2
1 t  t   I1t1 , pentru t  t
 2 1 2
C 2C
în care UC0 este tensiunea pe condensator la momentul iniţial t0 considerat,
care in aceasta problema este UC0 =uC(0)=0V.
Pentru valorile numerice atribuite mărimile electrice respective sunt
reprezentate în fig.A1(c), (d), (e) şi (f).
b) Energia disipată pe rezistenţă este:
t
WR   Ri 2 dt ,
0
iar pentru intervalul considerat avem:
2
t1 I  t2  I 2t
WR   R  1 t  dt   RI12 dt   R  0 2 dt  R 1 1  RI12  t2  t1   6mJ
0  t1  t1 t2 2
Deoarece IL=I1, energia acumulată în bobina L este:
LI L2 LI12
WL    3mJ ,
2 2
iar în condensator avem energia :
CU C2
WC   2 ,25mJ ,
2
unde UC=uC(t2).

1.2.4. Transformatoare
Două sau mai multe bobine, care pot transfera energie în mod reciproc,
prin intermediul unei reactanţe de cuplaj formează un ansamblu de bobine
cuplate, ca în fig.1.13(a). Două bobine cuplate dispuse pe acelaşi miez
8/19
magnetic alcătuiesc un transformator, ca în fig. 1.13(b). Bobina alimentată de
la sursa de tensiune alternativă sinusoidală u1 al cărui număr de spre este n1
și care este traversată de curentul i1 se numește primarul transformatorului,
cealaltă bobină al cărui număr de spre este n2 și care este traversată de
curentul i2 se numește secundarul transformatorului.

Fig. 1.13.(a) Fig.1.13.(b)

Bobine cuplate Transformator

Pentru un transformator ideal, fără pierderi (adică puterea din primarul

transformatorului P1=u1i1 este egală cu puterea din secundarul
transformatorului P2=u2i2), se cunoaște relația:
u 2 i1 n2
  n (1.23)
u1 i2 n1
unde n=n2/n1 se numește raport al numărului de spire sau raport de
transformare al transformatorului.

1.3. LEGI ŞI TEOREME ALE CIRCUITELOR ELECTRICE

1.3.1. Legile lui Kirchhoff

Distribuţia de curent şi tensiuni într-un circuit electric este guvernată de
legile lui Kirchhoff (1824-1887), care reprezintă instrumentul de bază pentru
rezolvarea circuitelor electrice. Analiza oricărui circuit electric are la bază
legile privind curenţii prin noduri (prima lege a lui Kirchhoff) şi respectiv
tensiunile pe ochiuri (a doua lege a lui Kirchhoff).
 Prima lege a lui Kirchhoff are enunţul: ”Suma algebrică a curenţilor
într-un nod este zero”, care se scrie matematic:
n
 ii  0 (1.25)
i 1
O formulare echivalentă mai des utilizata a acestei legi este: “Suma
curentilor care intra intr-un nod este egala cu suma curentilor care ies
din nod”.
De exemplu, pentru nodul din fig.1.14.(a), se poate scrie:
iC  iS  iR  iL  0  iC  iS  iR  iL (1.26)

9/19
 Fig.1.14(a) Ilustrarea KCL
 A doua lege a lui Kirchhoff are enunţul: ”Suma algebrică a tensiunilor
pe o buclă de curent este zero”, care se scrie matematic:
m
 uk  0 (1.27)
k 1
O formulare echivalentă mai des utilizata a acestei legi este: “Suma
algebrică a surselor de tensiune este egala cu suma algebrica a
căderilor de tensiune pe o buclă de curent”.
Dacă, de exemplu, alegem sensul de parcurgere ca în fig.1.14.(b),
pentru tensiunile ce corespund sensului de parcurgere acestea sunt
considerate pozitive şi respectiv negative pentru sens opus, obţinând pentru
bucla I:
 E  u R1  uC  0  E  uR1  uC , (1.28)
iar pentru bucla II avem:
 uC  u R 2  u L  0 (1.29)
OBS: Dacă adunăm ecuaţiile (1.27) şi (1.28), se obţine:
 E  u R1  u R 2  u L  0 , (1.29)
relaţie asociată buclei mari de circuit. Bucla mare de circuit este compusă
practic din două cele bucle independente (I si II), care nu includ alte bucle,
așa numitele ochiuri.
R1 R2

uR1 uR2
C
E I uc II L uL

Fig.1.14(b) Ilustrarea KVL

Aplicaţia A1.2.
Pentru circuitul din fig.A1.2. să se scrie ecuaţiile independente Kirchhoff
asociate.

Soluţie:
Circuitul are n=3 noduri şi m=3 ochiuri, iar numărul de ecuaţii
independente care pot fi scrise este N=(n-1)+m=5, anume:
10/19
 (1) i1  i2  i3  0  i1  i2  i3
(2) i3  i4  i5  0  i3  i5  i4
(3)  E1  R1i1  R2i2  0  E1  R1i1  R2i2
(4) E2  R2i2  R3i3  0  E2  R2i2  R3i3
(5)  E2  R4 i4  0  E2  R4 i4

i1 R1 i3 R3 i4
i2 i5

E1 R2 E2 R4

Fig.A1.2 Exemplu de circuit electric pentru ilustrarea legilor lui Kirchhoff

1.3.2. Teoremele lui Thevenin şi Norton

În analiza circuitelor electrice un element important îl constituie
conceptul de circuit echivalent. Circuitele aparent complicate pot fi reduse la
circuite mai simple topologic, care au în componenţă sursa echivalentă şi
sarcina. Între sursele de curent şi cele de tensiune există o corespondenţă
furnizată de principiul dualităţii (fig.1.16), in care rezistența R este aceeași.

Fig.1.16. Ilustrarea teoremelor lui Thevenin şi Norton

(a) circuit iniţial; (b) circuit echivalent Thevenin; (c) circuit echivalent Norton
 Teorema lui Thevenin se enunță astfel: “Orice reţea liniară cu două
terminale (diport) având surse independente de tensiune/curent şi rezistenţe
poate fi reprezentată printr-o singură sursă de tensiune ET în serie cu o
rezistenţă RT”. Principiul teoremei Thevenin este ilustrat în fig.1.16(b).
Tensiunea echivalentă a sursei ET (denumită şi sursă de tensiune
Thevenin) se determină în condiţiile unui circuit deschis în sarcină (în gol).
Rezistenţa echivalentă RT (denumită şi rezistenţă Thevenin) şi măsurată la
terminale este determinată prin pasivizarea surselor de tensiune/curent, adică
sursele de tensiune sunt înlocuite cu un scurtcircuit, iar sursele de curent sunt
11/19
lăsate în circuit deschis, adică în gol. Aceasta este echivalent cu aducerea la
zero a tuturor surselor de tensiune/curent.
 Teorema lui Norton se enunță astfel: “Orice reţea liniară cu două
terminale, având surse independente de tensiune/curent şi rezistenţe poate fi
reprezentată printr-o singură sursă de curent IN în paralel cu o rezistenţă
echivalentă RN”. Principiul teoremei Norton este ilustrată în fig.1.16.(c).
Sursa echivalentă de curent IN (denumită şi sursă de curent Norton) se
determină în condiţiile de scurtcircuit a sarcinii, iar rezistenţa echivalentă RN
(denumită şi rezistenţă Norton), măsurată la terminale, se determină identic cu
rezistenţa Thevenin RT, deci RN=RT.
În prezentarea făcută au fost tratate circuite de c.c. cu componente
rezistive. Teoremele Thevenin şi Norton pot fi aplicate în acelaşi mod pentru
circuitele cu surse de curent alternativ şi impedanţe.

Aplicaţia A1.3.
Pentru reţeaua din fig.A1.3.(a) să se determine circuitele echivalente
Thevenin şi Norton.

Soluţie:
1. Determinarea rezistenţelor echivalente RT şi RN, fig.A1.3(b)
Acesta este pasul iniţial pentru realizarea circuitelor echivalente
Thevenin şi Norton:
a) înlăturarea sarcinii RS (regim de funcţionare în gol);
b) pasivizarea (anularea) surselor de tensiune/curent;
c) determinarea rezistenţei echivalente între cele două terminale (a, b).
Obţinem pentru rezistenţa RT sau RN:
R1  R2
RT  RN  R3  R1llR2  R3 
R1  R2
2. Determinarea surselor echivalente ET, respectiv IN
a) ET – sursa de tensiune Thevenin
Tensiunea sursei echivalente ET, fig.A1.3(c) este tensiunea între
terminalele (a, b) în condiţiile înlăturării sarcinii, deci cu circuitul în gol:
R2
ET  U ab  E
R1  R2
Circuitul echivalent Thevenin este cel din fig.A1.3.(d).
b) IN – sursa de curent Norton
Sursa IN este definită ca sursa de curent echivalentă având valoarea
unui curent de scurtcircuit Isc a sarcinii. În condiţiile date pentru circuitul din
fig.A1.3(e) obţinem sistemul de ecuaţii:

 R1I1  R2 I 2  E  0

 R3 I 3  R2 I 2  0
I  I  I  0
1 2 3
Rezolvarea sistemului de ecuaţii în raport cu I3 dă:

12/19
 ER 2
I N  I sc  I 3 
R1 R3  R2 R3  R1 R 2
Circuitul echivalent Norton este cel din fig.A1.3.(f).

R1 R3 R1 R3 a
a

Sarcina Ua b
E R2 E R2

b (b) b
(a)

R1 R3 a a

RT
R T(N)
R2 ET Sarcina

(c) b (d) b
I1 I3
a
R1 R3
E R2 I SC IN RN Sarcina
I2

(e) (f) b

Fig.A1.3. Circuit aplicaţie a teoremelor lui Thevenin şi Norton

(a) reţeaua iniţială; (b) circuit în gol pentru determinarea tensiunii ET; (c) reţea în gol
pentru determinarea RT(N); (d) circuit echivalent Thevenin; (e) reţea în scurtcircuit
pentru determinarea IN; (f) circuit echivalent Norton

1.4. FAZORI ŞI IMPEDANŢE ÎN CURENT ALTERNATIV

1.4.1. Fazori
Mărimile electrice, curenţi şi tensiuni alternative armonice (sinusoidale)
pot fi reprezentate ca mărimi complexe, astfel simplificându-se analiza
circuitelor electrice în curent alternativ sinusoidal.
Reamintim în continuare câteva noţiuni elementare de algebră si
trigonometrie a numerelor complexe. Orice numar complex z poate fi scris
algebric sub forma z=a+jb si poate fi scris trigonometric sub forma
z  A  e j  A   cos   j sin   , in care j reprezinta o alta notatie utilizata in
electrotehnica a numarului complex i din matematica.
Numarul complex z poate fi reprezentat in coordonate polare ca in
j
Fig.1.17, printr-un fazor (vector), notat in electrotehnica prin Z  A  e , in care
A este modulul fazorului si φ este faza acestuia. Din matematica se cunosc
13/19
relatiile de legatura intre formele algebrica si trigonometrica ale numarului
complex z, anume:
b
a  A  cos  , b=B  sin , A= a 2  b 2 , =arctg
a

Fig.1.17. Reprezentarea fazoriala vectoriala în planul complex a numarului complex z

Astfel, in circuitele electrice alimentate cu tensiune de c.a. sinusoidală

sursele de tensiune pot fi reprezentate în domeniul timp sub forma
u( t )  A sin  t    si în domeniul frecvenţă sub formă fazorială U    Ae j ,
in care frecvenţa unghiulara ω=2πf nu apare scrisa explicit.

Aplicaţia A1.4
Pentru a arăta modul de aplicare a tehnicilor fazoriale, să considerăm
două surse de tensiune u1 şi u2 care se constituie într-o sursă echivalentă uS
     
(fig.A1.4). Fie, de exemplu, u 1 ( t )  1 0 sin   t   şi u 2 ( t )  15 sin   t   .
 3   2
Să se determine expresia sursei echivalente uS:
a) în domeniul frecvenţă, prin reprezentare fazorială;
b) în domeniul timp.

Soluţie :
a) Se porneste de la reprezentările fazoriale ale celor două surse de
tensiune u1 şi u2:
 
j j
j 60 j90
U 1  10e 3
şi U 2  15e 2  15e
 10e
care apoi se scriu algebric sub forma:
   1 3
U 1  10  cos  j sin   10   j   5  j  6 ,73
 3 3 2 2 

  
U 2  15  cos  j sin   15 0  j  1  j  15
 2 2

14/19
 u1 uS

u2

Fig.A1.4. Echivalarea a două surse de tensiune de c.a. sinusoidal, u1(t) şi u2(t)

cu una singura, uS(t)

Astfel, tensiunea sursei echivalente uS se obtine simplu, prin calcul

algebric, urmat apoi de repunerea rezultatului sub forma fazoriala:
U s  U 1  U 2  ( 5  j  6 ,73 )  j  15  5  j  21,73  22,3  e j77 ,

in care 22 ,3  52  21,732 este modulul (amplitudinea) fazorului U s , iar

77  arctg 21,73 / 5  este faza sa.
b) În final, de la forma fazoriala obtinuta la punctul a) se revine la forma
sinusoidala specifica domeniului timp:
us ( t )  22,3  sin  t  77  
OBS: Metoda utilizată foloseşte mărimi ce au aceeaşi frecvenţă unghiulară ω.
Pentru mărimile sinusoidale de frecvenţe diferite se poate utiliza metoda
superpoziţiei pentru sinteza de semnale, considerându-se efectul produs de
fiecare în parte.

1.4.2. IMPEDANŢE ÎN CURENT ALTERNATIV

În curent alternativ sinusoidal componentele R, L şi C prezentate în
subcapitolul 1.2 sunt înlocuite cu impedanţe (notate prin Z ), care sunt mărimi
dependente de frecvenţa unghiulară ω a sursei de alimentare (pentru L şi C)
și care se măsoară în Ohmi [Ώ]. Scopul acestora este ca și circuitele
alimentate in curent alternativ sinusoidal să se poată rezolva ușor folosind tot
legile lui Kirchhoff prezentate mai sus, care au fost utilizate pentru rezolvarea
circuitelor alimentate în curent continuu.
Astfel, în circuitele alimentate de la surse de c.a. sinusoidal definim:
 impedanţa asociată rezistorului, numită impedanță rezistivă:
U
ZR   R, (1.36)
IR
care este intotdeauna pozitivă, ca orice rezistență. Impedanta rezistiva
Z R  R (practic, rezistenta) se reprezinta in planul numerelor complexe ca
un fazor (vector) orizontal
 impedanța asociată bobinei ideale, numită impedanță inductivă:

15/19
 U( )
ZL( )   Le j 90  jL  jX L (1.40)
I L( )
Z L se reprezinta in planul numerelor complexe ca un fazor (vector) vertical,
orientat cu varful in sus. Mărimea XL=ωL se numește reactanţa inductivă, iar j
este in literatura circuitelor electrice o alta notare a operatorului i de la numere
complexe.
 impedanţa asociată condensatorului ideal, numită impedanță capacitivă:
U 1 j( 90 ) 1 j
ZC   e    j  (  XC ), (1.43)
IC C jC C
se reprezinta in planul numerelor complexe ca un fazor (vector) vertical,
orientat cu varful in jos. Mărimea XC=1/ωC se numește reactanţa capacitivă.
Impedantele au marele avantaj ca pot fi tratate in curent alternativ
sinusoidal ca niste rezistente, fiind valabile relatiile uzuale de la legarea
rezistente in serie, respectiv in paralel. Pentru 2 rezistente, legarea in serie
si in paralel este ilustrata in figura de mai jos:

a) conectarea in serie a impedantelor

b) conectarea in paralel a impedantelor

Fig. Conectarea impedantelor in serie si in paralel

Aplicaţia A1.5
Să se calculeze impedanţa echivalentă Z ech a reţelei din fig. A1.5, ce
lucrează la frecvenţa ω=103 rad/s.

Soluţie:
Din circuitul din figură se observă că R1 şi L sunt in serie, iar R2 şi C sunt
conectate în paralel şi rezultă pentru impedanţa de ieşire :
1 1
R2  100 
Z R2  Z C jC j  102 0
Z ech  Z R1  Z L   R1  j L   100  j  10   150  j  40  155,24e j( 15 )
Z R2  Z C 1 1
R2  100 
jC j  102

16/19
 Fig.A1.5. Circuit aplicaţie pentru calculul impedanţei în c.a.:
(a) reţea R, L şi C;
(b) reprezentarea fazorială în planul complex a impedanţei Ze

1.5. SEMNALE
Mărimea – curent, tensiune sau putere – ce caracterizează un proces şi
este operantă într-un circuit electric este în continuare denumită generic
semnal. Circuitul electric prelucrează semnalele aplicate la intrarea sa funcţie
de cerinţe, structura sa internă şi de caracteristicile elementelor externe.
 În raport cu evoluţia lor, semnalele pot fi clasificate in:
a) semnale aleatoare – ce aparţin unui proces fizic ce se desfăşoară în
timp şi este generat de legi probabilistice, fiind purtătoare de informaţie;
b) semnale deterministe – având o evoluţie temporală previzibilă,
nefiind purtătoare de informaţie.
 Semnalele, în funcţie de forma de variaţie, pot fi clasificate si in:
semnale continue şi semnale discrete, fig.1.19. Semnalele continue
fig.1.19 (a), (b) sunt reprezentate prin prin funcţii continue de timp.
Semnalele discrete au variabila independentă discretă, fiind o
succesiune temporală de impulsuri fig.1.19 (c), (d). În cazul în care sunt
prelevate numai valorile acestuia la intervale discrete de timp, semnalul
se numeşte eşantionat fig.1.19(c), iar dacă ia valori discrete pentru
ambele variabile (dependentă – de amplitudine şi dependentă – de
timp) semnalul este discret, eşantionat şi cuantizat fig.1.19(d).
 În cele ce urmează ne limităm numai la semnale de tip determinist, care
sunt clasificate în periodice şi neperiodice, fig.1.20. Cele periodice se
împart la rândul lor în semnale armonice (sinusoidale, cosinusoidale) şi
semnale periodice oarecare. Cele aperiodice se clasifică în semnale
cvasiperiodice şi tranzitorii (singulare).

17/19
 Fig1.19. Semnale continue şi discrete: (a) semnal continuu;
(b) semnal continuu cuantizat; (c) semnal discret; (d) semnal eşantionat şi cuantizat

Fig.1.20. Tipuri de semnale deterministe: (a) armonic;

(b) dreptunghiular periodic; (c) periodic oarecare; (d) aperiodic (singular) tranzitoriu

Mărimile caracteristice oricărui semnal periodic x(t) sunt:

1. Valoarea medie (componenta de c.c.):

def
1T Aria x(t )
X   x (t )dt 
T0 T (1)
Interpretarea geometrică a valorii medii: valoarea medie X (numită şi „componentă de
c.c. a semnalului”) este înălţimea dreptunghiului de aceeaşi arie cu aria semnalului
x(t), calculate o perioadă T.

2. Dezvoltarea în serie Fourier (SF) se poate scrie intr-una din urmatoarele forme:
 seria Fourier generalizată:

x(t )  X   xn (t )
,
n 1 (2)
unde xn(t) se numeşte armonica de rang n a semnalului x(t)
 seria Fourier trigonometrică (SFT):

x(t )  X   (a n sin nt  bn cos nt )
n 1 (3)
 seria Fourier armonică (SFA):

x(t )  X   X n sin(nt   n )
n 1 , (4)
unde:

18/19
 def 1T
X   x( t )dt (valoarea medie, numita si componenta de c.c.) (5)
T0
def 2T
an   x( t )  sin nt  dt (componenta în sinus a armonicii xn) (6)
T0
def 2T
bn   x( t )cos nt  dt (componenta în cosinus a armonicii xn) (7)
T0

X n  an2  bn2 (amplitudinea armonicii xn) (8)

b
n  arctg n (faza armonicii xn) (9)
an
Obs: 1) Armonica n=1 se numeşte fundamentala semnalului x(t);
2) Graficul dependenţei X n  X n ( n ) se numeşte spectrul semnalului

3. Valoarea efectivă:
def 1T 2
X ef   x (t )dt
T0
(10)
Obs: Daca se cunoaste dezvoltarea in SFA a semnalului x(t), valoarea efectiva se mai
poate calcula si cu formula:
def  not Xn
X ef  X 2   X n,ef
2
, unde X n,ef  (11)
n 1 2

4. Gradul de distorsiune THD (Total Harmonic Distorsion):

Este o marime care arata cat este de distorsionat (deformat) graficul unui
semnal de la graficul unei sinusoide. El se mai numeste si coeficient de distorsiune si
se defineste prin formula:

2
def  Xn
n2
THD   100 %  (12)
X1
Obs: 1) Pentru x( t )  A sin t avem THD = 0[%]
2) Pentru orice semnal diferit de cel sinusoidal, THD>0%

19/19
 CURS 2
SEMICONDUCTOARE ŞI DIODE

2.1. CONDUCTIBILITATEA ELECTRICĂ ÎN SEMICONDUCTOARE

2.1.1. Conductibilitatea în semiconductoarele intrinseci
2.1.2. Conductibilitatea în semiconductoarele extrinseci
2.2. JONCŢIUNEA PN ŞI DIODA SEMICONDUCTOARE
 Structură internă și simbol
 Polarizarea diodei
 Caracteristica statică a diodei
 Punctul static de funcționare a diodei
2.3. MODELE LINIARIZATE ALE DIODEI
• Liniarizările caracteristicii statice reale ale diodei
 Puterea medie disipata pe o diodă
2.4. TIPURI DE DIODE
2.4.1. Diode redresoare
2.4.2. Diode stabilizatoare de tensiune
2.4.3. Diode speciale (tunel si varicap)
2.4.4. Fotodioda
2.4.5. Dioda Schottky

2.1. CONDUCTIBILITATEA ELECTRICĂ ÎN

SEMICONDUCTOARE

Din punct de vedere al rezistivităţii electrice, corpurile solide se împart

în 3 categorii: conductoare (au rezistivitatea electrică mai mică de
10  2   cm ), izolatoare (au rezistivitatea electrică mai mare de 10 18   cm ) şi
semiconductoare (au rezistivitatea electrică situată între cele două valori
menţionate anterior). Rezistivitatea electrică a semiconductoarelor se modifică
cu temperatura şi cu gradul de impurificare cu anumite substanţe, această
proprietate fiind folosită la fabricarea dispozitivelor semiconductoare.

2.1.1. Conductibilitatea în semiconductoarele intrinseci

Tehnologia dispozitivelor semiconductoare se bazează pe utilizarea pe
scară largă a două elemente tetravalente: siliciul şi germaniul. În reţeaua lor
cristalină fiecare atom este aşezat in centrul unui tetraedru regulat, la distanţă
egală de alţi 4 atomi vecini situati in varfurile tetraedrului, cu care formează
patru perechi de legături covalente (fig.2.0). Un astfel de semiconductor, pur
din punct de vedere chimic se numeşte semiconductor intrinsec şi se află în
regim de echilibru termic, adică dacă nu se intervine cu nici o excitaţie externă
(bombardament cu radiaţii electromagnetice sau cu particule) şi temperatura
rămâne coborâtă, legăturile covalente se menţin. La creşterea temperaturii
sau la aplicarea unei excitaţii exterioare, electronii de valenţă capătă
suficientă energie încât să rupă legăturile covalente, devenind electroni liberi
ce circulă liber prin reţeaua cristalină, sarcina lor electrică fiind negativă şi de
valoare absolută 1.6  10 19 C. Prin eliberarea unui electron dintr-o legătură
covalentă, locul rămas liber se numeşte gol şi este privit ca o particulă fictivă
cu sarcină electrică pozitivă egală în modul cu cea a electronului. Spunem că
a avut loc un proces de generare a unei perechi electron-gol. Procesul invers,
de refacere a unei perechi electron-gol se numeşte proces de recombinare a
perechii electron-gol.

Fig.2.0. Reteaua cristalină in semiconductoare

Conductibilitatea electrică în semiconductoarele intrinseci se produce

astfel: să presupunem că un electron a părăsit o legătură covalentă devenind
electron liber şi lăsând în locul său un gol. Sub influenţa unui câmp electric, un
alt electron de valenţă din apropiere rupe legătura sa covalentă şi se
deplasează în reţeaua cristalină pentru a se recombina cu golul creat de
primul electron liber şi a reface prima legătură covalentă ruptă. Astfel, rămâne
o a doua legătură covalentă nesatisfăcută şi un al treilea electron se rupe
dintr-o a treia legătură covalentă pentru a reface a doua legătură covalentă
ş.a.m.d. Deplasarea electronilor de valenţă poate fi considerată ca deplasarea
inversă (în sensul câmpului electric) a golurilor.
În cazul semiconductoarelor intrinseci, în orice moment numărul de
electroni liberi este egal cu numărul de goluri, sarcina electrică a
semiconductorului intrinsec fiind nulă.

2.1.2. Conductibilitatea în semiconductoarele extrinseci

Procesul de introducere a unui număr infim de atomi străini, numiţi
impurităţi, în reţeaua cristalină a semiconductorului intrinsec se numeşte
dopare, iar semiconductorul dopat cu impurităţi se numeşte semiconductor
extrinsec. Doparea se poate face cu atomi pentavalenţi (de exemplu stibiu,
arseniu, bismut), caz în care semiconductorul extrinsec se numeşte
semiconductor de tip n sau cu atomi trivalenţi (de exemplu, indiu, galiu,
aluminiu), caz în care semiconductorul extrinsec se numeşte semiconductor
de tip p.
Conductibilitatea electrică în semiconductoarele de tip n este asigurată
de al cincilea electron al atomului de impuritate pentavalent, numit atom donor
sau, simplu, donor care, nemaiputând forma o a cincea pereche covalentă cu
cei patru atomi tetravalenţi vecini, circulă liber prin reţeaua cristalină, la
temperatura camerei, în lipsa oricărei excitaţii externe. Sarcina electrică a unui
semiconductor de tip n este negativă, datorită numărului de electroni în exces
faţă de goluri, de unde şi numele acestui tip de semiconductor. În acest caz
purtătorii mobili de sarcină majoritari sunt electronii de conducţie proveniţi de
la atomii pentavalenţi de impuritate şi care se găsesc în număr mare în
reţeaua cristalină a semiconductorului de tip n, în timp ce purtătorii mobili de
sarcină minoritari sunt golurile, care se găsesc în număr foarte mic în reţea,
fiind generate prin mecanismul descris la semiconductoarele intrinseci.
Conductibilitatea electrică în semiconductoarele de tip p este asigurată
de golul corespunzător celei de a patra legături covalente nesatisfăcută de
atomul de impuritate trivalent înconjurat de patru atomi tetravalenţi vecini.
Sarcina electrică a semiconductorului de tip p este pozitivă, datorită golurilor
în exces faţă de electronii liberi, de unde şi denumirea acestui tip de
semiconductor. În acest caz golurile sunt purtătorii mobili de sarcină majoritari
şi electronii sunt purtătorii mobili de sarcină minoritari, produşi prin ruperea
legăturilor covalente datorată creşterii temperaturii.

2.2.JONCŢIUNEA PN ŞI DIODA SEMICONDUCTOARE

 Structura interna si simbol
Prin doparea unui semiconductor intrinsec cu impurităţi de natură
diferită astfel încât o regiune să devină semiconductor de tip p şi regiunea
alăturată să devină semiconductor de tip n se obţine o joncţiune pn (fig.2.1.a),
care reprezintă elementul principal în fabricația diodelor şi tranzistoarelor.
Zona de contact al regiunilor p si n se numește regiune de sarcină spațială.
Metalizând extremităţile unei joncţiuni p-n şi ataşându-i electrozi numiţi
anod A (la extremitatea semiconductorului de tip p, devenind electrodul
pozitiv) şi catod K (la extremitatea semiconductorului de tip n, devenind
electrodul negativ) pentru a putea fi conectată într-un circuit electric, se obţine
dioda semiconductoare cu joncţiune pn (fig.2.1.b), ca dispozitiv semiconductor
elementar. Ea este cea mai simplă diodă semiconductoare, având simbolul
dat în figura 2.1.c, în care i A este curentul anodic, iar u AK este tensiunea
anod-catod.

a) structura b) structura internă a c) simbolul diodei

internă a joncţiunii pn diodei cu joncţiune pn semiconductoare cu joncţiune pn
Fig.2.1. Joncţiunea pn şi dioda semiconductoare

 Polarizarea diodei se realizează prin conectarea ei la o sursă de

tensiune continuă E (fig.2.3).
  Polarizarea directă presupune legarea bornei   a sursei de tensiune
E la anodul diodei şi a bornei   la catodul diodei, fapt ce permite unui
număr mai mare de electroni să traverseze regiunea de sarcină spaţială
(fig.2.3.b). În acest caz curentul i A creşte şi este cu atât mai mare cu
cât E este de valoare mai mare; spunem că dioda conduce.
 Polarizarea inversă presupune legarea bornei   a sursei E la catodul
diodei şi a bornei   la anodul acesteia, fapt ce determină ca număr tot
mai mic de purtători majoritari să traverseze zona de sarcină spaţială.
Când E este mare, ajungem în situaţia când i A scade mult până când
dioda se blochează

a) dioda nepolarizată b) dioda polarizată direct c) dioda polarizată invers

Fig.2.3. Polarizarea diodei semiconductoare cu joncțiune pn

In concluzie, putem avea următoarele 3 cazuri: a) dioda nepolarizată

E  0  sau cu bornele în scurtcircuit i A  0  . Avem: i A  0 , u AK  0 şi
dioda e blocată; b) dioda polarizată direct E  0  . Avem: i A  0 , u AK  0 şi
dioda conduce; c) dioda polarizată invers E  0  . Avem: i A  0 , u AK  0 , şi
dioda e blocată.
 Caracteristica statică a diodei semiconductoare reprezintă
dependenţa i A  i A u AK  atât ca relaţie matematică cât şi ca grafic, la
alimentarea diodei cu o sursă de tensiune continuă E reglabilă în trepte de la
valori negative la zero şi apoi la valori pozitive. Experimental, perechile de
puncte u AK ,i A în planul i A  i A u AK  au alura din fig.2.4.

Fig.2.4. Caracteristica statică a diodei semiconductoare

 Ecuaţia matematică generală a diodei este:
 qu AK  not 
  qu  
i A  MI s  e mkT  1   MI s exp  AK   1 , (2.3)
    mkT  
 
unde M se numeşte coeficient de multiplicare în avalanşă a purtătorilor de
sarcină electrica ( M  1 ), I s se numeşte curentul invers de saturaţie in
polarizare inversa a diodei (foarte mic, de ordinal nA...A , in funcție de
materialul semiconductor din care este fabricată dioda), q – sarcina
 
electronului q  1.6  10 19 C , m – coeficient tehnologic de fabricatie a diodei
 
(m=1…2), k – constanta lui Boltzman k  1.33  10  23 J / K , T – temperatura
absolută a mediului ambiant în care funcţionează dioda.
Dacă se consideră temperatura mediului ambiant în care funcționează
dioda t  27 o C , adică T=t+273°C=300K, atunci notăm prin:
kT
VT  T 300 K  26 mV , (2.4)
q
o tensiune numită potenţial termic. Relaţia (2.3.) devine:
 u  
i A  MI s exp AK   1 (2.5)
  mVT  
Coeficientul de multiplicare în avalanşă M a purtătorilor de sarcină
electrica are expresia empirică (adica dedusa experimental):
 u  
n
M  1 / 1   AK
 
  U BR   , (2.6)
 
unde n   4 ; 7  este un coeficient tehnologic de fabricaţie a diodei, iar U BR
este tensiunea inversă de străpungere a diodei, ambele date în catalog. În
practică în locul utilizării relației (2.6), empiric (experimental) se consideră
M  1 dacă u AK  0 ,7U BR , în timp ce dacă u AK  U BR se consideră M   .
Coeficientul M   indică pericolul producerii fenomenului de multiplicare în
avalanşă a purtătorilor de sarcină care apare la tensiuni inverse ridicate
( u AK  U BR ), când câmpul electric din regiunea de sarcină spaţială atinge valori
mari şi imprimă o energie crescută purtătorilor de sarcină care trec pe acolo.
În urma ciocnirii cu atomii reţelei cristaline, un purtător de sarcină poate avea
suficientă energie pentru a rupe o legătură covalentă şi a forma o pereche
electron-gol, purtători de sarcină care vor fi la rândul lor acceleraţi de câmpul
electric, vor forma noi perechi electron-gol ce vor fi la rândul lor accelerate
ş.a.m.d.. La u AK  U BR multiplicarea purtătorilor devine teoretic infinită, ducând
la creşterea nelimitată a curentului. În realitate, la o anumită valoare negativă
a curentului prin diodă dat în catalog dioda se va distruge.
Pe graficul din fig.2.4. se pot distinge următoarele regiuni:
- zona 1, ce corespunde cadranului I al caracteristicii statice a diodei, în care
( u AK  0 ; i A  0 ), deci dioda e polarizată direct şi conduce. În polarizare
directă fenomenul de multiplicare în avalanşă a purtătorilor de sarcină nu
 u 
există deci M=1. Dacă, în plus, u AK  VT , atunci exp  AK   1 şi relaţia
 mVT 
(2.5) devine aproximativ exponențială:
u 
i A  I s exp AK  (2.7)
 mVT 
şi ecuaţia obţinută corespunde graficului exponențial din fig.2.4, zona 1.
- in originea O(0,0) avem dioda nepolarizată (gol sau scurtcircuit), deci
u AK  0 şi i A  0 , ce se obţine şi cu relaţia (2.2.5).
- zona 2 din cadranul III al caracteristicii statice din fig.2.4. ilustrează dioda
polarizată invers ( u AK  0 şi i A  0 ), la tensiuni inverse u AK  0 care nu se
apropie de tensiunea de străpungere U BR , deci M=1. Dacă u AK  VT ,
u 
atunci exp  AK   1 şi relaţia (2.5) devine aproximativ constantă:
 mVT 
i A  I s , (2.8)
ceea ce corespunde zonei orizontale constante din fig.2.4, zona 2.
- zona 3 este zona de distrugere prin străpungere a diodelor obişnuite,
polarizate invers la o tensiune u AK  U BR , când M   . Cum u AK  VT ,
u 
atunci exp AK   1 şi relaţia (2.5) devine:
 mVT 
i A   MI s   , (2.9)
deci curentul i A creşte nelimitat.
Menţionăm că există diode special fabricate pentru a funcţiona în zona
3 de polarizare inversă, acolo unde diodele obisnuite se distrug, numite diode
Zener sau diode stabilizatoare de tensiune si care pentru a functiona corect
trebuie polarizate invers cu tensiunea u KA  u AK  U BR  constant.

Aplicaţia A2.1
Calculaţi curentul i A printr-o diodă semiconductoare şi stabiliţi zona de
funcţionare de pe caracteristica statică dacă I s  1 pA , m=1,5, VT  26mV ,U BR  20V ,
n=4 în următoarele situaţii: a) u AK  1V ; b) u AK  0,1V ; c) u AK  0V ; d)
u AK  1V ; e) u AK  19.998V .

Soluţie:
Se vor aplica relaţiile (2.5) şi (2.6) în fiecare caz:
1 1
a) M    1 . Rezultă:
n 4
u   1V 
1   AK  1 
 U BR    20V 
  u     1V  
i A  MI S exp AK  1  1  10 12 Aexp   1  0,136 A ,
  mVT     1,5  26  10 V  
  3

deci dioda funcţionează în zona 1 având u AK  1V  VT  26mV , deci termenul

u 
1 faţă de exp AK  a putut fi neglijat in relatia (2.3).
 mVT 
b) pentru valorile numerice date calculăm:
  0.1V  4 
M  1 / 1     1
   20V  
  0.1V  
Rezultă i A  1  10 12 Aexp   1  10 12 A  12.98  1  12 pA,
  1.5  26  10 3  
deci dioda funcţionează tot în zona 1 dar mai aproape de originea O(0,0) şi
u 
termenul 1 faţă de exp AK  nu mai poate fi neglijat.
 mVT 
c) pentru valorile numerice date calculăm:
1
u AK  0  M   1  i A  1  10 12 Aexp 0  1  0, deci dioda e
10
nepolarizată, punctul ei de funcţionare fiind O(0,0).
1
d) M   1 , atunci:
4
  1V 
1  
  20V 
   1V  
i A  1 10 12 Aexp   1  1 pA   I s ,

 3
  1.5  26 10 V  
deci dioda funcţionează în zona 2, fiind polarizată invers.
1 1
e) M    1250.375 
4 1  0.9992
  19.998V 
1 
  20V 
   19.998  
 i A  1250.375  10 12 Aexp   1  1250.375 pA  MI s
3 
  1 . 5  26  10  
deci dioda se apropie de zona 3 deoarece u AK  19.998V  U BR  20V .

 Punctul static de funcţionare (PSF) al diodei reprezintă un punct de

pe caracteristica statică i A  i A u AK  a diodei plasate într-un circuit alimentat
cu tensiune continuă. PSF-ul diodei se poate determina calitativ (prin metoda
grafică) sau cantitativ (prin metoda analitică iterativă), rezolvând sistemul
neliniar de ecuaţii format din ecuaţia neliniară a diodei dată de relaţia (2.2.5) şi
ecuaţiile Kirchhoff ale circuitului în care e plasată dioda.
 Aplicaţia A.2.2
Se consideră circuitul cu diodă din fig.A.2.1 în care E=12V, R=3K şi
9
I s  10 A,VT  kT / q  25mV , m=1,5. Să se determine PSF-ul diodei.

Soluţie:
Se scriu ecuaţia diodei şi ecuaţia Kirchhoff a circuitului, care alcătuiesc
sistemul neliniar de ecuaţii:
i A  I s expu AK mVT 
(S)  (A2.1)
 E  u AK  Ri A
în care s-au ales M=1 deoarece dioda e polarizată direct şi s-a neglijat termenul
1 faţă de exponenţială în relaţia (2.5) pentru simplificarea calculului,
presupunere ce va trebui în final verificată.

IA

U AK

Fig.A.2.1. Determinarea PSF-ului diodei pe un exemplu de circuit

A. Metoda grafică necesită scrierea sistemului (A2.1) sub forma:

i A  I s expu AK mVT 

(S)   1 E (A2.2)
i A    R u AK  R
  
în care a doua ecuaţie reprezintă o dreaptă situată în planul caracteristicii
statice i A  i A u AK  a diodei, numită dreapta de sarcină. PSF-ul diodei se află
grafic la intersecţia celor două ecuaţii ale sistemului (A2.2), conform figurii
A2.2.a). Această metodă e calitativă, orientativă, iar citirea PSF-ului de pe grafic
nu e precisă.
 iA

E
R

IA

U AK E u AK

b) metoda analitică iterativă

a) metoda grafică calitativă
cantitativă
Fig. A2.2. Determinarea PSF-ului diodei

B. Metoda analitică iterativă permite determinarea PSF-ului folosind

sistemul (A2.2) în paşi.
Pasul 1: Se alege o valoare de plecare a algoritmului, de exemplu originea
O(0, 0) din fig.A2.2.b), în care u AK 1  0 . Din a doua relaţie a
 1 E E 12V
sistemului (A2.2) se obţine: I A1    u AK1     4mA .
 R R R 3 K
Rezultă coordonatele punctului 1, anume
 u AK1  0V ; I A1  4mA  .
Pasul 2: Înlocuind curentul IA1 obținut in prima relaţie (A2.2) se obţine o a
doua valoare pentru tensiune, anume:
I A1 4  10  2 A
u AK 2  mVT ln  1.5  0.025V ln  0.57V ,
Is 10 9 A
deci coordonatele punctului 2 sunt u AK 2  0.57V ; I A1  4 mA .
Pasul 3: Din a doua relaţie (A2.2) se obţine a doua valoare pentru curent:
 1 E  1  12V
I A2    u AK 2       0.57V   3.81mA ,
 R R  3 K  3 K
rezultând astfel coordonatele punctului 3, anume:
u AK 2  0.57V ; I A2  3.81mA .
Pasul 4: Similar obţinem:
I A2 3.81  10 3 A
u AK 2  mVT ln  1.5  0.025V ln  0.5682V ,
Is 10 9 A
rezultând coordonatele punctului 4, anume:
u AK 2  0.5682V ; I A2  3.81mA .
Pasul 5: Similar, obţinem:
 1 E  1  12V
I A3    u AK 3       0.56824V   3.81058 mA ,
 R R  3 K  3 K
 coordonatele punctului 5 fiind:
u AK 3  0.56824V ; I A3  3.81058mA .
Pasul 6: Similar obţinem:
I A3 3.81058  103 A
uAK3  mVT ln  1.5  0.025V ln  0.5682 V  uAK2.
Is 109 A
Algoritmul se opreşte aici, căci u AK 3  u AK 2 , deci coordonatele PSF-ului
diodei sunt PSF u AK  0.57V ; I A  3.81mA , fiind suficientă aproximarea cu
două zecimale. Ilustrarea grafică a algoritmului metodei analitice iterative este
dată prin fig. A2.2.b).
în final, vom verifica ipoteza simplificatoare exp  u AK / mVT   1 , care
a permis neglijarea termenului 1 faţă de exponenţială în prima relaţie a
sistemului (A2.1) faţă de relaţia completă (2.5).
 0.57V  15.2
Într-adevăr, exp e  4  10 6  1 .
 1.5  0.025V 
Ca observaţie finală, dacă ipoteza simplificatoare nu se verifica, trebuia
reluată problema folosind relaţia completă (2.5) în locul celei simplificate.

2.3. MODELE LINIARIZATE ALE DIODEI

Pentru simplificarea calculelor din circuitele cu diode, se înlocuieşte
dioda cu un model liniarizat al său, adica alcătuit din componente pasive
(electrice) de circuit, ce permit înlocuirea ecuaţiei exponenţiale a diodei dată
de relaţia (2.3) cu o ecuaţie liniară provenită din scrierea teoremelor lui
Kirchhoff. Astfel, vom liniariza ecuația exponențială a diodei din sistemul de
ecuații (A2.1) si întreg sistemul devine liniar și este usor de rezolvat.
Pentru aceasta, caracteristica statică reală a diodei din fig.2.4 se
aproximează prin segmente de dreaptă, ca în fig.2.5.

a) model liniarizat b) model liniarizat prin d) model

c) model liniarizat
de dioda ideala, prin RON  0, ROFF  ,V D  0 liniarizat prin
prin RON  0, ROFF ,VD 0
RON0, ROFF,VD0V RON  0, ROFF ,VD 0

Fig.2.5. Caracteristicile statice ale unor modele liniarizate de diode

  Liniarizările caracteristicii statice reale ale diodei din fig.2.5 au fost
făcute gradat, începând cu modelarea diodei ca un comutator ideal (fig.2.5.a)
închis când dioda conduce şi deschis când dioda este blocată până la modelul
mai complex din fig.2.5.d în care dioda în conducţie a fost modelată printr-un
comutator închis înseriat cu o sursă de tensiune continuă VD numită tensiune
de prag şi cu o rezistenţă în conducţie RON , iar dioda blocată a fost modelată
printr-o rezistenţă în blocare, ROFF .
Tensiunea de prag VD este un parametru de catalog la diodei, având
uzual valori de (0,2÷0,4)V pentru diodele din germaniu şi de (0,5÷0,8)V pentru
diodele din siliciu. Rezistenţa în conducţie RON se mai numeşte şi rezistenţă
internă şi se defineşte ca inversul pantei caracteristicii în punctul plasat la
mijlocul intervalului de curent pentru care se face aproximarea:
def 1 1 mkT 1
RON  Ri     (2.10)
di A du AK q  qu  q IA
I s exp AK 
mkT  mkT 
Dacă dioda are coeficientul tehnologic m=1 şi lucrează la t=27˚C, atunci
ţinând cont şi de relaţia (2.4) relaţia (2.10) devine:
V
RON  Ri  T (2.11)
IA
Atât relaţia (2.10) cât şi expresia ei particulară (2.11) arată că RON depinde
de valoarea curentului I A unde a fost masurata panta. De regulă, R i este de
ordinul ohmilor. Ambii parametri, VD şi RON , se aleg astfel încât
caracteristica liniarizată să aproximeze cât mai bine caracteristica reală prin
segmente de dreaptă.
Mai simplu, geometric (fig. 2.5c), expresia rezistentei RON se citeste ca
fiind tangenta unghiului α, iar expresia rezistentei ROFF se citeste ca fiind
tangenta unghiului β:
RON  ctg  ; ROFF  ctg 
 Puterea medie PD disipată pe o diodă este data de relatia:
def 1T 1T
PD  p
 D (t )dt   u AK iA(t )dt (2.13)
T0 T0
Pentru modelul liniarizat de dioda din fig.2.5c), expresia tensiunii in
functie de curentul prin dioda este:
u AK ( i A )  VD  RON i A ,
care introdusa in relatia anterioara permite determinarea puterii medii PD
disipate pe dioda astfel:
def 1T 1T 1T
PD   pon (t )dt   u AK iA( t )dt   VD  RON  iA(t )  iAdt 
T0 T0 T0
1T 1T 2
(2.13bis)
2
 VD   iA( t )dt  RON   iA( t )dt VD I A  RON I A.ef
T0 T0
unde I A este valoarea medie (de c.c.) a curentului i A t  şi I Aef este valoarea
sa efectivă, asa cum au fost ele definite in Cursul 1 la sectiunea de semnale.

Aplicaţia A2.2.3
a) Să se determine PSF-ul diodei din fig.A2.2.1 dacă dioda a fost înlocuită
cu modelul liniarizat din fig.2.5.c) având R ON=6,58 şi VD=0,55V;
b) Calculaţi puterea medie disipată pe diodă.

Soluţie:
a) În urma înlocuirii diodei în conducţie cu modelul liniarizat din
fig.2.5.c), rezultă circuitul electric echivalent din fig.A2.3.

Fig.A2.3. Circuit electric echivalent cu cel din fig.A2.2.1

Ecuaţiile Kirchhoff sunt:

 E  VD   RON  R  I A
(S)  (A2.3)
 E  U AK  R A I A
Comparând relaţiile (A2.1) şi (A2.3) observăm că ecuaţia neliniară
(exponenţială) a diodei ce complica mult calculul a fost înlocuită cu o ecuaţie
liniară simplă ce corespunde modelului liniarizat al diodei.
Din ecuaţiile sistemului liniar (A2.3) obţinem PSF-ul diodei având
componentele:
E  VD 12V  0,54V 11,46V
IA     3,812mA
RON  R 6 ,58   3K  3,00658K 
U AK  E  RI A  12V  3 K  3,812 mA  0,564V ,
valorile fiind foarte apropiate de cele din aplicaţia A2.2.
b) Conform relaţiei (2.13bis), puterea medie disipată pe diodă este:
1T 1T 2
PD  V D   i A t dt  RON   i A t dt 2,0966mW  0,091mW  2,188mW
T 0 T 0
Ca observaţie, la acelaşi rezultat se putea ajunge fără a mai integra,
ştiind că la alimentarea în c.c. (regim static de funcţionare) I Aef  I A , deci
relaţia (2.13) devine:
2  I V  R
PD  VD  I A  RON  I A A D ON  I A 
 2.4. TIPURI DE DIODE

Diodele semiconductoare au o largă întrebuinţare în circuitele

electronice, îndeplinind diverse funcţiuni. Astfel, în funcţie de domeniul de
utilizare, există: diode redresoare, diode stabilizatoare de tensiune, diode de
semnal, diode speciale, fotodiode etc. Din categoria diodelor speciale fac
parte: diodele tunel, diodele varicap, diodele detectoare de frecvenţă
ultraînaltă etc. Toate aceste funcţiuni au la bază proprietăţile joncţiunii pn.
Există şi diode care nu au la bază joncţiunea pn cum ar fi diodele Schotky,
care au la bază contactul metal-semiconductor redresor.
În continuare se vor prezenta pe scurt unele dintre aceste tipuri de
diode, mai des întâlnite în practică.

2.4.1. Diode redresoare

Diodele redresoare sunt folosite în funcţia realizată de circuitul
electronic numit redresor pentru transformarea (conversia) curentului
alternativ în curent continuu. Ele au un domeniu restrâns de frecvenţe de
lucru. Astfel, de exemplu, pentru redresoarele alimentate de la reţea frecvenţa
de lucru este frecvenţa industrială de 50Hz sau 60Hz. Principalii lor parametri
sunt: curentul în polarizare directă maxim admisibil ( I FM ) şi tensiunea
maximă inversă admisibilă ( U RM ), mai mică decât tensiunea de străpungere
U BR . Realizările actuale permit curenţi I FM până la sute de amperi şi
tensiuni U RM de mii de volţi. Puterea medie disipată pe dioda în conducţie
este PD  VD  I A , unde VD este tensiunea de prag şi I A este valoarea
medie a curentului prin diodă.

2.4.2. Diode stabilizatoare de tensiune

Se numesc astfel deoarece, polarizate invers, menţin la borne o
tensiune constantă egală cu tensiunea de străpungere:
U z  U AK  U BR  const.  0 (2.16)
această proprietate a sa făcând-o să fie utilizată în circuite electronice numite
stabilizatoare de tensiune, ca referinţă de tensiune, în circuitele de protecţie la
supratensiune etc. Acest tip de diode funcţionează în zona 3 a caracteristicii
statice a diodei (fig.2.4), acolo unde diodele obişnuite se distrug prin
străpungere. Ele mai sunt denumite şi diode Zener, simbolul şi modelul
du KA
electric echivalent fiind date în fig.2.9, în care rz  este rezistenţa sa
dt
dinamică, numită şi rezistenţă Zener.
 K K
 Uz

Uz
rz

A A
a) simbol b) modelul liniarizat al diodei Zener
Fig. 2.9. Dioda Zener (numită și diodă stabilizatoare de tensiune)

Se construiesc diode Zener cu U z  3V ;400V  , rz  10 ,100  şi

puteri disipate  0,25W ,50W  . Problema diodelor Zener o constituie variaţia
cu temperatura a parametrului U z . Pentru compensarea variaţiei cu
temperatura se montează înserie cu dioda Zener una sau mai multe diode cu
siliciu polarizate direct pe care căderea de tensiune scade cu aproximativ
2mV/˚C, ansamblul fiind numit diodă Zener compensată sau diodă referinţă
de tensiune.

2.4.3. Diode speciale

Dioda tunel (fig.2.10) are o caracteristică statică în polarizare directă
sub forma literei N (fig.2.10b).
du AK
K K ri  0
iA P di A


V

A A u AK

a) simbol b) caracteristica statică

Fig.2.10. Dioda tunel

Particularitatea acestei caracteristici o constituie zona dintre punctele P

şi V, numită zonă de rezistenţă dinamică negativă deoarece
ri  du AK / di A  0 , fapt ce îi conferă avantajul obţinerii unei viteze de
comutaţie foarte mare, putând lucra până la frecvenţe foarte înalte din
domeniul microundelor. Ea mai e utilizată în circuite de comutare rapidă
precum şi ca element activ în oscilatoare şi amplificatoare cu rezistenţă
negativă.

Dioda varicap se mai numeşte şi diodă varactor sau diodă parametrică

şi se bazează pe modelul de semnal mic al joncţiunii pn polarizată invers, care
constă în capacitatea de barieră Cb a cărei valoare variază odată cu variaţia
căderii de tensiune u AK pe diodă. Cel mai supărător element din circuitul
echivalent al diodei varicap este rezistenţa serie Rs (fig.2.8.b) deoarece ea
scade factorul de calitate, limitează frecvenţa de lucru şi constituie o sursă de
zgomot. În prezent se produc diode varicap având C b  1 pF , 100 pF  .
Domeniile lor de utilizare dau numele acestor tipuri de diode: diode
varicap, dacă sunt utilizate la acordul automat al circuitelor oscilante şi diode
parametrice, dacă sunt utilizate în amplificatoarele parametrice şi în
generarea de armonici la frecvenţe foarte înalte etc.

2.4.4. Fotodioda
Fotodiodele sunt dispozitive optoelectronice realizate fie pe baza unei
joncţiuni pn, fie pe baza unui contact metal-semiconductor. În continuare se
va considera numai cazul fotodiodelor realizate pe baza joncţiunii pn
(fig.2.11).
Absorbind lumina de lungime de undă situată între radiaţiile vizibilă şi
infraroşu apropiat, fotodioda generează purtători de sarcină electrică.
Caracteristica statică a diodei (fig.2.11.b) este:
  qu  
i A  I 0 exp AK   1  I L (2.17)
  mkT  
unde I L este curentul purtătorilor generaţi de lumină, având iluminarea E ,
ce ajung în zona metalurgică a joncţiunii pn, iar I 0 este curentul prin
joncţiunea pn polarizată invers în condiţii de întuneric.
A

K
a) simbol b) caracteristicile fotodiodei
fig.2.11. Fotodioda cu joncţiune pn

2.4.5. Dioda Schottky

Contactul metal-semiconductor este o structură fizică care intră în
construcţia tuturor dispozitivelor electronice. Principala sa funcţie este de a
contacta diverse regiuni semiconductoare în vederea conectării la terminalele
capsulei. În acest caz contactul trebuie să prezinte o rezistenţă foarte mică în
ambele sensuri de polarizare, contactul fiind numit contact ohmic. Dar
contactul metal-semiconductor poate avea şi conducţie unilaterală, caz în
care se numeşte contact redresor. Contactele ohmice sunt specifice
dispozitivelor semiconductoare bazate pe joncţiunea pn (deci şi diodele
studiate până acum), în timp ce contactele redresoare stau la baza
construcţiei diodelor Schottky. Obţinerea funcţionării ohmice sau redresoare
a contactului metal-semiconductor se face prin alegerea metalului, a
semiconductorului şi a gradului de impurificare.
A A
Al
iA SiO2 SiO2

n
u AK
n Si

Au
K K

a) Simbol b) Structură internă

Fig.2.12. Dioda Schottky

Dioda Schottky este un dispozitiv electronic realizat pe baza unui

contact metal-semiconductor redresor. Simbolul diodei Schottky şi o variantă
constructivă de realizare sunt prezentate în fig.2.12. Metalizarea superioară
realizată din aluminiu (Al) realizează efectul de contact redresor în contact cu
siliciul (Si) de tip n. Pe spatele dispozitivului se realizează un contact ohmic
între siliciul de tip n  şi aur (Au).
Principalul avantaj al diodei Schottky faţă de joncţiunea pn îl constituie
posibilitatea de lucru la frecvenţe mult mai ridicate, timpii de comutaţie pentru
diodele Schottky putând ajunge până la 100ps. Se simplifică şi circuitul
echivalent de semnal mic al acestei diode, dispărând capacitatea de difuzie
C d , iar rezistenţa internă Ri şi capacitatea de barieră Cb fiind definite prin
aceleaşi relaţii ca la joncţiunea pn.
Diodele Schottky sunt utilizate în detectoarele de frecvenţe foarte
ridicate, în redresoarele de putere ce lucrează la frecvenţe ridicate şi în
circuitele integrate realizate în tehnologie TTL-Schottky pentru creşterea
vitezei de comutaţie a tranzistoarelor bipolare.
 CURS 3
TRANZISTOARE – partea I

3.1. TRANZISTORUL BIPOLAR CU JONCŢIUNI (TBJ)

3.1.1. Simbol, structură, funcţionare
3.1.2. Caracteristici statice. Aria de funcţionare sigură (AFS)
3.1.3. Modelul de semnal mic cu parametri hibrizi al TBJ
3.1.4. Circuite de polarizare ale TBJ
3.1.5. Surse de curent constant

Tranzistoarele cu joncţiuni reprezintă clasa cea mai larg folosită de

dispozitive electronice. Denumirea de tranzistor provine de la cuvintele din
limba engleză transfer – resistor, cuvinte care exprimă funcţia de bază a
dispozitivului.
Familia tranzistoarelor cu joncţiuni se împarte în două categorii:
tranzistoare bipolare cu joncţiuni (notate pe scurt TBJ) şi tranzistoarele
unipolare, numite şi tranzistoare cu efect de câmp (notate pe scurt TEC).
Tranzistoarele bipolare cu joncţiuni au funcţionarea bazată pe ambele
categorii de purtători (majoritari şi minoritari, de unde şi denumirea lor de
tranzistoare bipolare.
Spre deosebire de TBJ-uri, TEC-urile au funcţionarea bazată pe un
singur tip de purtători (majoritari), de unde şi denumirea lor de tranzistoare
unipolare. În funcţie de modul de realizare a grilei, există două tipuri de TEC-
uri: TEC cu Joncţiune (sau cu grilă Joncţiune, pe scurt notate TEC-J) și TEC
cu grilă izolată (sau TEC Metal-Izolator-Semiconductor, pe scurt notate TEC-
MIS). Totuși, deoarece în cele mai multe cazuri izolatorul utilizat in fabricația
tranzistoarelor TEC-MIS este SiO2 (dioxid de siliciu), denumirea cea mai
comună sub care se întâlnesc acestea este TEC-MOS (Metal-Oxid-
Semiconductor).
Comparativ cu TBJ-urile bipolare, TEC-urile unipolare prezintă
avantajele unei rezistenţe de intrare mai mare, au derivă termică mult mai
mică şi o tehnologie de fabricaţie mai simplă, ocupând astfel o arie de siliciu
redusă în structurile integrate. Ca dezavantaj, ele prezintă însă inconvenientul
unei pante mici a caracteristicilor statice si o putere de iesire mai mica.

3.1. TRANZISTORUL BIPOLAR CU JONCŢIUNI (TBJ)

3.1.1. Simbol, structură, funcţionare

TBJ este un dispozitiv semiconductor realizat tehnologic dintr-un
monocristal semiconductor (siliciu sau germaniu) care prezintă o succesiune
de trei regiuni distincte (pnp sau npn), regiunea din mijloc fiind mult mai
subţire şi dopată cu impurităţi de tip diferit faţă de regiunile laterale. Regiunea
centrală se numeşte bază (notată B), iar regiunile laterale se numesc emitor
(notat E), respectiv colector (notat C), după rolul pe care îl au în funcţionarea
tranzistorului. Pe fiecare dintre regiuni este realizat un contact ohmic pe care
se sudează conductoarele terminale. Cele trei regiuni semiconductoare
formează două joncţiuni pn: joncţiunea emitor-bază, numită şi joncţiunea
emitorului (notată J E ) şi joncţiunea collector-bază, numită şi joncţiunea
colectorului (notată J C ). Structura internă şi simbolurile celor două tipuri de
tranzistoare bipolare cu joncţiuni (pnp şi npn) sunt prezentate în fig. 3.1.

u EC uCE

iE p n p iC iE iC
E C E n p n C
u EB iB uCB iB
u BE u BC
B B
u EC uCE

iE iC iE iC
E C E C

u EB iB uCB iB
u BE u BC
B B
a) b)
Fig.3.1. Structurile interne şi simbolurile TBJ-urilor de tip:
a) pnp; b) npn

Relaţia generală între curenţii oricarui tip de TBJ (pnp sau npn) este:
iE  i B  iC , (3.1)
iar relaţia generală între tensiunile dintre cei trei electrozi se află scriind
teorema Kirchoff II în jurul tranzistorului. Astfel, pentru tranzistorul pnp din fig.
3.1.a putem scrie:
u EC  u EB  uCB  0 , (3.2.a)
unde s-a notat prin u EC  VE  VC , u EB  VE  VB , uCB  VC  VB , în care VB, VE,
VC sunt potențialele electrozilor baza, emitor si colector ai tranzistorului.
Similar, pentru tranzistorul npn din fig. 3.1.b putem scrie:
uCE  u BE  u BC  0 (3.2.b)
în care s-a notat prin uCE  VC  VE , u BE  VB  VE , u BC  VB  VC
Cum u EC  u CE , u EB  u BE , u CB  u BC rezultă că relaţiile
(3.2.a) şi (3.2.b) coincid. Prin convenţie, s-au considerat sensurile tensiunilor
celor două joncţiuni J E şi J C dinspre zona p spre zona n.
 Menţionăm că un TBJ nu este echivalent cu două joncţiuni pn ( J E şi
J C ) ci funcţionează independent una faţă de cealaltă, montate în serie şi în
sensuri opuse. Pentru crearea efectului de tranzistor, prin cele două joncţiuni
ce se influenţează reciproc trebuie îndeplinite simultan următoarele condiţii
tehnologice:
1. grosimea W a bazei tranzistorului (fig.3.2) trebuie să fie mult mai
mică decât grosimile regiunilor de emitor şi de colector, de ordinul
W=(1÷10)µm;
2. emitorul trebuie să fie dopat mult mai puternic decât baza;
3. joncţiunile J E şi J C trebuie să fie plane şi paralele între ele
pentru ca toate mărimile electrice să varieze în structură după normala la
joncţiuni (axa x).

Fig. 3.2. TBJ tip pnp în funcţionare normală de amplificator

Funcţionarea TBJ depinde de modul de polarizare (directă sau

inversă) a celor două joncţiuni pn ( J E şi J C ). Astfel există 4 (patru) regimuri
de funcţionare ale TBJ, prezentate în tabelul 3.1.

Tabelul 3.1. Regimurile de funcţionare ale TBJ

Polarizările J E şi J C Regimul de funcţionare Domenii de utilizare ale TBJ
JE polarizată direct Regimul activ normal
Amplificatoare
JC polarizată invers (RAN)
JE polarizată invers Regimul activ inversat
Circuite integrate digitale
JC polarizată direct (RAI)
J E şi J C
Regimul de saturaţie
polarizate direct
Circuite de comutaţie
J E şi J C
Regimul de blocare
polarizate invers

Funcţionarea TBJ în RAN permite acestuia realizarea funcţiei de

amplificare, ilustrată în fig.3.2. Pentru aceasta se aplică joncţiunii emitor-bază
( J E ) o tensiune E E de ordinul zecimilor de volt pentru a o polariza direct
 uEB  EE  0  , iar joncţiunii colector-bază ( J C ) i se aplică o tensiune EC de
ordinul volţilor până la zeci de volţi pentru a o polariza invers  uCE   EC  0  .
Efectul de tranzistor constă în transferul aproape integral în colector al
golurilor difuzate de bază, adică curentul de colector iC va reprezenta o
fracţiune foarte mare  uzual   0,95;0,995 din curentul de emitor iE , la
care se adaugă curentul invers de saturaţie al joncţiunii colector-bază, notat
I CB0 , datorat purtătorilor minoritari de sarcină antrenaţi de câmp, uzual de
ordinal nA-pA. De multe ori I CB0 e neglijabil, deci putem scrie relaţia valabilă
doar la funcționarea TBJ in RAN, ca amplificator:
iC    i E  I CB0    i E (3.3)
Dacă în relaţia (3.3) se neglijează ICB0, se poate defini parametrul  al
TBJ în RAN, numit factor de amplificare în curent static:
def
  iC i E , (3.4)
ce ilustrează ce fracţiune din curentul de emitor ajunge în colector.
În cataloagele de TBJ-uri este definit un alt factor de amplificare în
curent  , uzual de ordinul zeci-sute, care arată de câte ori este amplificat
curentul de colector iC faţă de curentul de bază iB :
def
  iC / i B (3.5),
bazata pe relatia:
iC    iB  ICE0    iB
Relaţia matematică ce exprimă legătura între  şi  se poate
determina folosind relaţiile (3.1) şi (3.3) astfel:
 1 not
iC    iE  ICB0     iB  iC   ICB0  iC  iB  ICB0    iB  ICE0 , (3.6)
1 1
în care se identifică:
i  i  not 1
 c    c  şi I CE 0  I C I 0  I CB 0 , (3.7)
iB 1  iE   1 B 1
ICE0 fiind numit curent rezidual emitor-colector.
Sintetizând cele de mai sus, reţinem faptul că în toate cele patru
regimuri de funcţionare ale TBJ, indiferent de tipul acestuia (pnp sau npn),
sunt valabile relaţiile generale între curenţi date de (3.2). În plus, exclusiv la
funcționarea TBJ în regimul activ normal (RAN) – numit şi regim liniar de
funcţionare al TBJ, când acesta îndeplineşte funcţia de amplificator, apare şi
relaţia suplimentară (3.3) datorită efectului de transistor, factorii de amplificare
în curent  şi  fiind definiţi prin relaţiile (3.4) şi (3.5), iar relaţia de legătură
între ei find dată de relația (3.7).

3.1.2. Caracteristici statice. Aria de funcţionare sigură (AFS)

În schemele practice, unul dintre cei 3 electrozi ai tranzistorului bipolar
cu joncţiuni (E, B sau C) este bornă comună, intrării şi ieşirii TBJ, astfel încât
acesta poate fi privit ca un cuadripol (diport) (Tabelul 3.2). Borna comună dă
numele modului fundamental de conectare a TBJ în montajele practice,
existând astfel conexiunile EC (emitor comun), BC (bază comună) şi CC
(colector comun). Fiecare dintre aceste conexiuni, în funcţie de tipul de TBJ,
are propriile mărimi de intrare (curent și tensiune de la bornele portului de
intrare notat in. în tabelele 3.2 si 3.3), mărimi de ieşire (curent și tensiune de
la bornele portului de ieșire notate ies. în Tabelele 3.2 si 3.3.), şi mărimi de
transfer (curentul de iesire și tensiunea de intrare). Relaţiile matematice între
acestea (ca dependenţă curent-tensiune) precum şi graficele lor se numesc
caracteristici statice ale TBJ, fiind determinate în regim static de c.c.
Reamintim că regimul static presupune ca între electrozii TBJ să se aplice
tensiuni continue. Modurile fundamentale de conectare, mărimile şi
caracteristicile statice ale unui TBJ tip pnp sunt date în tabelul 3.2. În mod
similar, ţinând cont de notaţiile curenţilor şi tensiunilor din fig. 3.1.b. se
constituie tabelul 3.3 al TBJ de tip npn.

Tabelul 3.2. Moduri fundamentale, mărimi şi caracteristici pentru TBJ de tip pnp
iE iC iE
E C iB E
Modul B
fundamental
u EB uCB u EC
de conectare iB iC
al TBJ tip
pnp B B C C

a) Conexiune EC b) Conexiune BC c) Conexiune CC

Mărimi de
iB, uEB iE, uEB IB, uCB
intrare
Mărimi de
iC, uEC iC,uCB IE,uEC
ieşire
Mărimi de
iC, uEB iC,uEB IE,uCB
transfer
Caracteristici
iB=iB(uEB)/iC, uEC=const. iE=iE(uEB)/iC,,uCB= const. iB=iB(uCB)/iE,uEC=const.
intrare
Caracteristici
iC=iC(uEC)/iB,uEB=const. iC=iC(uCB)/iE,uEB= const. iE=iE(uEC)/iB,uCB= const.
ieşire
Caracteristici
iC=iC(uEB)/iB,uEC=const. iC=iC(uEB)/iE,uCB= const. iE=iE(uCB)/iB,uEC= const.
transfer

Tabelul 3.3. Moduri fundamentale, mărimi şi caracteristici pentru TBJ de tip npn
iC iE iC iE
C E
iB E C iB
Modul B B
fundamental de uCE
conectare al TBJ in. u BE iE ies. u BE iB u BC uCB iC
uCE
tip pnp
E E B B C C

a) Conexiune EC b) Conexiune BC c) Conexiune CC

Mărimi de intrare iB,uBE iE,uBE IB,uBC
Mărimi de ieşire iC,uCE iC,uBC IE,uCE
Mărimi de
iC,uBE iC,uBE IE,uBC
transfer
Caracteristici
iB=iB(uBE)/iC, uCE=const. iE=iE(uBE)/iC,,uBC= const. IB=iB(uBC)/iE,uCE=const.
intrare
Caracteristici
iC=iC(uCE)/iB,uBE=const. iC=iC(uBC)/iE,uBE= const. IE=iE(uCE)/iB,uBC= const.
ieşire
Caracteristici
IC=iC(uBE)/iB,uCE=const. iC=iC(uBE)/iE,uBC= const. IE=iE(uBC)/iB,uCE= const.
transfer
 Caracteristicile statice ale TBJ tip pnp şi npn pentru fiecare tip de
conexiune se găsesc în cataloage. Cum fiecare dintre ele este definită având
două mărimi constante, rezultă că se poate lua o mărime drept parametru şi
cea de a doua constantă şi invers, rezultând că fiecare dintre caracteristici se
poate împărţi la rândul ei în alte două familii de caracteristici.
Deoarece TBJ în conexiunea EC îndeplineşte cel mai bine funcţia de
amplificator comparativ cu conexiunile BC şi CC, în figura 3.3. sunt
prezentate, ca exemplu, familiile de caracteristici de intrare şi de ieşire ale
unui TBJ pnp, respectiv npn cu germaniu. Familia de caracteristici de transfer
are, de regulă, aceeaşi alură cu familia de caracteristici de intrare, dar alte
valori pe axa verticală a curentului (înmulţite cu  ) deoarece iC    i B ,
conform relaţiei (3.5).

i B A iC mA i B  80 A iC mA

uCE  1V uCE  1V
80 8 8
i B  60 A
60 6 i B  40 A 6

u CE  5V 4 i B  20 A uCE  5V

40 4
iB  0 2
20 2

0 V  0
2 4 6 8 V  0 V 
u EB  pnp u EC  pnp 0 .1 0 .2 0.3u EB  pnp
0.1 0.2 0.3u npn
BE uCE npn u BE npn

b) familia de caracteristici
a) familia de caracteristici de ieşire iC  iC u EC  c) familia de caracteristici
de intrare iB  i B u
EB
  pentru TBJ tip pnp şi de transfer iC  iC u EB 
pentru TBJ tip pnp şi iC  iC uCE  pentru npn, pentru TBJ tip pnp şi
iB  i B u BE  pentru npn, având uEB= const. pentru iC  iC u EB  pentru
având iC= const. şi uCE= pnp, respectiv uBE= const. npn, având iB= const. şi
const.= parametru. pentru npn şi iB= const. = uCE= const.= parametru.
parametru.
Fig.3.3 Familiile de caracteristici statice ale unui TBJ din Ge, având   10

Principalele limitări în funcţionarea TBJ, pentru ca acesta să nu se

distrugă, sunt:
1. curentul de colector iC al unui TBJ să nu depăşească o valoare
maximă admisă ICM, dată în catalog, deci:
iC  I CM (3.8)
În planul caracteristicilor de ieşire iC  iC uCE  din figura 3.3.b), graficul
iC  iCM  const . reprezintă o dreaptă orizontală.
2. tensiunea colector-emitor uCE a TBJ să nu depăşească o
valoare maximă admisă U CEM , dată în catalog, deci:
uCE  U CEM (3.9)
În planul caracteristicilor de ieşire iC  iC uCE  din fig.3.3.b, graficul
uCE  uCEM  cons tan t reprezintă o dreaptă verticală.
3. puterea disipată pe TBJ, notată p D  uCE  iC să nu depăşească
o valoare maximă admisă PdM , dată în catalog, deci:
uCE  iC  PdM (3.10)
În planul caracteristicilor de ieşire (numite şi caracteristici externe)
iC  iC uCE  din figura 3.3 b), graficul iC  PdM u CE  iC u CE  reprezintă
o hiperbolă numită hiperbola de disipaţie a TBJ.
Puterea disipată maximă admisibilă este o mărime care depinde de
temperatura mediului ambiant şi de modul de cum este evacuată căldura de la
joncţiune în mediul ambiant. În cazul tranzistoarelor de putere medie şi mare,
acestea se montează pe un radiator cu o suprafaţă de disipare aleasă
corespunzător pentru o evacuare mai uşoară a căldurii.
4. numai în cazul TBJ de putere, care se utilizează în circuitele
electronice de putere ca elemente de comutaţie bilaterală sau ca
amplificatoare de putere în circuitele cu sarcină rezonantă, poate apărea
fenomenul de străpungere secundară, datorat gradientelor transversale de
câmp electric. Datorită distribuţiei neuniforme a impurităţilor sau a
neuniformităţii profilului joncţiunii, distribuţia densităţii de curent prin joncţiune
este neuniformă, apărând zone de concentrare a curentului numite şi puncte
fierbinţi unde temperatura creşte şi determină generarea termică de purtători.
Acestea contribuie la creşterea densităţii de curent, deci la creşterea în
continuare a temperaturii concomitent cu scăderea tensiunii uCE .
Temperatura în punctele fierbinţi poate creşte peste valoarea maximă
admisibilă (85° C pentru TBJ cu Ge şi 180° C pentru TBJ cu Si) şi tranzistorul
se distruge ireversibil prin efect termic (se topeşte local) la o putere disipată
mai mică decât puterea maximă admisibilă PdM .
Fenomenul de străpungere secundară are un caracter statistic,
cataloagele oferind o relaţie empirică de forma:
iC    uCE  n , (3.11)
unde  şi n sunt parametri tehnologici de fabricaţie ai dispozitivului.
Graficul acestei curbe arată că ea delimitează caracteristica externă
iC  iC uCE  în două zone: în zona de sub această curbă probabilitatea de
apariţie a fenomenului de străpungere secundară este acceptabil de mică
(1%) în timp ce pentru perechi ( uCE ,iC ) situate deasupra acestei curbe
producătorii nu garantează că TBJ nu se poate distruge prin străpungere
secundară. Grafic, curba (3.11) este mai înclinată decât hiperbola de disipaţie
a TBj. În concluzie, TBJ de putere trebuie să satisfacă şi condiţia
suplimentară:
iC    uCE  n (3.12)
Condiţiile (3.8), (3.9) şi (3.10) pentru TBJ obişnuite, la care se adaugă
condiţia suplimentară (3.12) pentru TBJ de putere delimitează o zonă din
planul caracteristicilor statice iC  iC uCE  în care trebuie să se găsească
perechile de valori ( uCE ,iC ) ale TBJ pentru ca acesta să nu se distrugă nici
prin depăşirea I CM , nici a U CEM , nici a P şi nici să nu apară fenomenul
dM
de străpungere secundară. Această zonă de funcţionare sigură a TBJ poartă
numele de arie de funcţionare sigură (AFS) şi este ilustrată în fig. 3.4.

a) TBJ uzual b) TBJ de putere

Fig. 3.4. Aria de funcţionare sigură a TBJ

3.1.3. Modelul de semnal mic cu parametri hibrizi al TBJ

Prin semnal mic se înţelege semnalul de valoare comparabilă cu
potenţialul termic VT   25mV, 26mV  definit la diodă în cursul anterior. Prin semnal
mare se înţelege semnalul de valoare mult mai mare decât potenţialul termic,
practic de ordinul volţi – zeci de volţi.
Modelul de semnal mic cu parametri hibrizi ai TBJ ţine cont de faptul că un
TBJ poate fi reprezentat în general ca în fig.3.7, unul dintre electrozi fiind comun
intrării şi ieşirii, pe baza tabelelor 3.2 şi 3.3. În fig.3.7. se remarcă existenţa a 4
borne ( 1, 1, 2, 2 ), de unde şi denumirea TBJ de cuadripol, ele formând două câte
două 2 porturi (bornele 1 şi 1’ alcătuiesc portul de intrare, iar bornele 2 și 2’
alcătuiesc portul de ieşire), de unde şi denumirea de diport.

1 ii io 2

ui uo

1 2
Fig.3.7. TBJ ca cuadripol

În total există 4 mărimi electrice corespunzătoare diportului: 2 tensiuni (u 1

şi u2), respectiv 2 curenţi (i1 şi i2), între care se pot stabili 6 sisteme diferite de
ecuaţii, în funcţie de mărimile electrice alese independente, caracterizate de 4
parametri, numiţi parametri de cuadripol. Dintre cele 6 variante posibile, la
frecvenţe joase şi-au câştigat popularitatea parametrii hibrizi. Ei se măsoară
convenabil şi sunt specificaţi în cataloage de regulă la frecvenţa joasă de 1 KHz,
la temperature de 25° C şi pentru un anumit punct de pe caracteristica statică de
ieşire (de exemplu, U CE  5V si I C  1mA ).
Sistemul de ecuaţii cu parametri hibrizi h este definit alegând ca mărimi
electrice independente curentul de intrare ii şi tensiunea de ieşire u o , din care se
obțin celelalte 2 mărimi electrice, ui şi io astfel:
ui  h11ii  h12uo
 (3.31)
io  h21ii  h22uo
Sistemul (3.31) permite definirea parametrilor h în mod direct:
- impedanţa de intrare cu ieşirea în scurtcircuit:
not u
h11  hi  i u 0 , (3.32)
ii o
- factorul de amplificare (transfer) invers în tensiune:
not u
h12  hr  i i 0 , (3.33)
uo i
- factorul de amplificare (transfer) direct în curent
cu ieşirea în scurtcircuit:
not i
h21  h f  o u 0 , (3.34)
ii o
- admitanţa de ieşire cu intrarea în gol:
not i
h22  ho  o i 0 . (3.35)
uo i
Sistemul de ecuaţii (3.31) este modelat prin circuitul echivalent de
cuadripol cu parametri h din fig.3.8.

ii io

hi h f ii 1 ho
ui uo

hr u o


Fig.3.8. Circuit echivalent cu parametri h

Menţionăm că parametrii h depind de modul fundamental de conectare a

TBJ în circuitele electrice, existînd 3 seturi:
1. hie , hre , h fe , hoe pentru conexiunea EC;
2. hib , hrb , h fb , hob pentru conexiunea BC;
 3. hic , hrc , h fc , hoc pentru conexiunea CC.
De aceea în conexiunea BC (vezi şi tabelele 3.2 şi 3.3), care are ii  ie
i
şi io  ic , parametrul h fb  c   , cel definit de relaţia (3.4). De asemenea, în
ie
conexiunea EC având i i  ib şi io  ic , parametrul h fe  ic ib   , cel definit în
relaţia (3.5). Ca şi în cazul circuitului echivalent natural parametrii h din fig.3.8,
prin neglijarea parametrului hre  0 şi h0 e  0 .

3.1.4. Circuite de polarizare ale TBJ. Surse de curent constant

Conform celor anterioare, funcţia îndeplinită de un TBJ care
funcţionează în RAN este funcţia de amplificator. Calculul amplificării unui
amplificator realizat cu TBJ pornește de la rezolvarea circuitului de curent
continuu în care este plasat acesta, numit circuit de polarizare, pe care se
calculează un punct PSF U CE ,IC  numit punct static de funcţionare (PSF) al
TBJ. Acesta este situat pe caracteristica de ieşire a TBJ și trebuie să se afle
în AFS pentru a nu se distruge tranzistorul.
În fig.3.9 sunt prezentate 3 variante de polarizare cu 2 surse de
alimentare a TBJ de tip pnp sau npn în conexiune EC, BC şi CC.

uCB
iC
iB
u EC RE RC RB RE
RB u EB RC
EE  E
iE 
C EB  EC 
EB  E   
  C

a) TBJ în conexiune EC b) TBJ în conexiune BC c) TBJ în conexiune CC

Fig.3.9. Circuite de polarizare a TBJ cu două surse de alimentare

Calculul PSF al TBJ dintr-un circuit de polarizare are la bază scrierea și

rezolvarea unui sistem de ecuații ce conține atât ecuațiile specifice TBJ
(relația între curenți, relația între tensiuni și relația specifică între curenții TBJ
la funcționarea acestuia in RAN ca amplificator) cât și ecuațiile Kirchhoff ale
circuitului de polarizare în care este plasat TBJ.

Aplicaţia 3.1
Se consideră circuitul de polarizare din fig.3.9a) în care se cunosc:
E B  10V , EC  20V , RB  1M , RC  2 . Parametrii TBJ tip pnp sunt:
V EB  0,7V ,  F  100 , iar valorile maxime admisibile pentru acesta date in
catalog sunt: I CM  10 mA , VECM  30V şi PdM  50 mW .
a) determinaţi toţi curenţii ce circulă prin TBJ;
b) determinaţi toate căderile de tensiune pe TBJ;
 c) scrieţi ecuaţia dreptei de sarcină şi determinaţi grafic, calitativ, PSF;
d) verificaţi ipoteza iniţială că TBJ funcţionează în RAN;
e) verificaţi dacă PSF se află în AFS
f) indicați clasa de funcționare a TBJ

Soluţie:
a) si b) Pe fig.3.9.a) au fost reprezentaţi curenţii iB , iC ,i E şi căderile
de tensiune u EB , u EC ,uCB conform convenţiei din fig.3.1.a) pentru TBJ tip
pnp. Folosind datele problemei pentru TBJ şi modelul Ebers-Moll simplificat
pentru funcţionarea în RAN, schema electrică echivalentă a fig.3.9a) este cea
din fig.A3.1.1. Parametrii TBJ ce nu au fost daţi se neglijează.
Folosind relaţiile (3.1), (3.2.a) şi (3.5) ale TBJ în RAN precum şi
ecuaţiile Kirchoff scrise pe circuitul din fig.3.9a) sau din fig.A3.1.1. rezultă
următorul sistem de ecuaţii, in care prima relatie reprezinta relatia generala
intre curentii unui TBJ, a doua relatie reprezinta relatia generala intre
tensiunile TBJ-ului tip pnp din fig.3.9a, a treia relatie reprezinta relatia
spectifica intre curentii TBJ-ului la functionarea in RAN (ca amplificator),
relatia a patra rezulta din aplicarea teoremei Kirchhoff II pe ochiul din stanga
al circuitului din fig.3.9a si relatia a cincea rezulta din aplicarea teoremei
Kirchhoff II pe ochiul din dreapta al circuitului din fig.3.9a:
 I E  I B  IC

u EC  u EB  uCB  0

 IC    I B
E  u  R  I (A.3.1)
 B EB B B
 EC  RC  I C  U EC
Curenţii I B , I C si I E se află pe rand respectiv din a patra, apoi a treia şi
apoi prima relaţie a sistemului (A.3.1):
E B  U EB 10V  0.7V
IB    9,3 A
RB 1M
I C   F  I B  100  9,3 A  0,93mA
I E  I B  I C  9,3A  0,93mA  0,9393mA
In continuare, stiind u EB  0.7V din datele problemei, celelalte două
căderi de tensiune pe TBJ se află din ultima, respectiv din a doua ecuaţie a
sistemului (A.3.1):
U EC  E C  RC  I C  20V  2  0,93mA  19,99814V
U CB  U EC  U EB  19,99814V  0,7V  19,29814V
c) PSF U EC  19,99814V ; I C  0,93mA a fost determinat analitic
calitativ prin relaţii matematice la punctele a) şi b). Grafic, calitativ, PSF se
poate determina prin intersecţia caracteristicii externe a TBJ care este
dependenţa iC  iC u EC  , măsurată la u EB  0,7V  const . şi
i B  9,3A  cons tan t ca parametru, luată din catalog cu ecuaţia:
  1  E
iC  iC u EC     u EC  C , (A.3.2.)
 RC  RC
rezultată prin rescrierea celei de-a patra ecuaţii a sistemului (A3.1), care este
o dreaptă de pantă negativă, numită ecuaţia dreptei de sarcină (fig.A3.1.2). În
concluzie, dreapta de sarcină depinde de circuitul în care este plasat TBJ-ul.
Soluţia grafică a PSF-ului este dată în fig.A3.1.2.
iC

Ec
 10 A
Rc
I B  9,3A  const.
PSF 19,99814 V ;0,93mA 

Ec  20V u EC
 pnp
Fig. A3.1.2. Determinarea grafică a PSF

Comparând fig.A.3.1.2. cu fig. A.3.4.a) se observă că PSF-ul obţinut

corespunde încă funcţionării TBJ în RAN, dar foarte aproape de zona de
blocare caracterizată de I B  0 , I C  0 şi U EC  E B  20V .
d) Conform tabelului 3.1. TBJ funcţionează în RAN dacă J E e
polarizată direct şi J C e polarizată invers. Pentru un TBJ de tip pnp J E e
polarizată direct dacă u EB  0 şi J C e polarizată invers dacă uCB  0 .
Cu valorile numerice date in problema, cum u EB  0,7V  0 şi
uCB  19,29814V  0 , rezultă că TBJ funcţionează în RAN.
e) Pentru un TBJ funcţionând în RAN, condiţiile ca TBJ să se afle în
aria de funcţionare sigură (AFS) reprezentată în fig. A.3.4.a) sunt date de
relaţiile (3.8), (3.9) şi (3.10). În cazul nostru, cu datele din problemă, avem:
iC  0,93mA  ICM  10mA ;
u EC  19,99814V  U ECM  30V ;
Pd  U EC  IC  18,6mW  PdM  50mW ,
deci PSF se situează corect în AFS, fiind astfel protejat contra distrugerii.
f) Daca un TBJ are PSF situat la jumatatea dreptei de sarcină se spune
că funcționează în clasă A. Daca un TBJ are PSF situat la intersecția dreptei
de sarcină cu axa orizontală se spune că funcționează în clasă B. Daca un
TBJ are PSF situat între PSF-urile claselor A și B se spune că funcționează în
clasă AB.
Cele spuse anterior se aplică în cazul acestei aplicații astfel (vezi fig.
A3.1.2): pentru a funcționa in clasă A trebuie ca PSF al TBJ să aibă
coordonatele M  Ec / 2; Ec / 2Rc   M ( 10V ; 5A ) , iar pentru a funcționa in clasă B
trebuie ca PSF-ul TBJ să aibă coordonatele M  Ec / 2; 0   M ( 20V ; 0A ) . PSF-ul
calculat la punctul c) are coordonatele PSF U EC  19,99814V ; IC  0,93mA  , ce îl
plasează între PSF-urile claselor A și B, deci TBJ funcționează clasă AB, dar
foarte aproape ca valori numerice de PSF-ul clasei B de funcționare.
 Schemele practice folosesc o singură sursă de alimentare pentru
polarizarea colectorului şi a bazei. Două astfel de variante sunt prezentate în
fig. 3.10, cea mai des folosită fiind cea din fig. 3.10.b) cu divizor rezistiv de
tensiune în bază, cunoscută ca fiind schema clasică de polarizare a unui TBJ.

RB RC R B1 RC

 E
 EC 
C

RE RB2 RE

b) Circuit clasic de polarizare cu divizor

a) Circuit simplu de polarizare a TBJ
rezistiv de tensiune în bază
Fig.3.10. Circuite de polarizare a TBJ cu o singură sursă de alimentare

Aplicaţia 3.2.
Se consideră circuitul de polarizare din fig.3.10.b), în care se dau:
EC  12V , RB1  36 K , R B 2  6 K , RC  1K , RE  200 . Tranzistorul
tip npn are   100 şi u BE  0,7V . Se cer:
a) calculaţi toţi curenţii şi tensiunile prin TBJ şi determinaţi PSF;
b) verificaţi ipoteza că TBJ funcţionează în RAN;
c) scrieţi ecuaţia dreptei de sarcină.

Fig. A.3.2. Circuit echivalent cu cel din Fig. A.3.3. Circuit echivalent cu cel din
fig.3.10.b), pe care se va aplica teorema fig.A.3.2, pe care s-a aplicat teorema
Thevenin (vezi Cursul 1) Thevenin

Soluţie:
a) Aplicând teorema Thevenin, descrisă în capitolul 1, pentru circuitul
electric liniar format din elementele EC , R B1 şi RB 2 dintre bază şi masă (fig.
 echivalenta A.3.2), se obţine circuitul echivalent de calcul din fig. A3.3, având
componentele:
RB2 6 K
ET  EC   12V  1,714V (A.3.3.)
RB1  RB2 36 K   6 K 
R R 36 K   6 K 
RT  B1 B2   5,143K  (A.3.4.)
RB1  RB2 36 K   6 K 
Sensurile curenţilor şi tensiunilor au fost alese ca în fig. 3.1.b) valabilă
pentru TBJ tip npn. Folosind relaţiile (3.1.), (3.2.b) şi (3.5.), valabile la
funcţionarea TBJ în RAN, precum şi ecuaţiile Kirchoff ale circuitului din
fig.A.3.1.3, se crează sistemul de ecuaţii:
iE  iB  iC

iC    iB

uCE  uBE  u BC  0 (A.3.5.)
E  U  R I  R I
 T BE E E T B
 EC  RC I C  U CE  RE I E
Din prima, a doua şi a patra ecuaţie (A.3.5.) rezultă ecuaţia pentru
determinarea curentului I B :
ET  U BE  RE  iB   I B   RT I B , (A.3.6.)
obţinând:
ET  U BE 1,714V  0.7V
IB    40  A .
RE  1     RT 200    1  100   5143
Imediat se determină I C şi I E din prima şi a doua relaţie (A.3.5.):
I C  I B  100  40 A  4 mA
I E  I B  I C  40 A  4 mA  4,04 mA
Tensiunile U CE şi U BC rezultă apoi din a treia şi din a cincea relaţie
(A.3.5):
U CE  EC  RC I C  R E I E  12V  1K  4 mA  0,2 k  4,04 mA  7 ,2V
U BC  U BE  U CE  0,7V  7 ,2V  6 ,5V
b) TBJ tip npn funcţionează în RAN deoarece J E e polarizată direct
U BE  0,7V  0  şi J C e polarizată invers U BC  6 ,5V  0  , conform tabelului
3.1.
c) Ecuaţia dreptei de sarcină se deduce din ultima relaţie (A.3.5) în care
se exprimă toţi curenţii în funcţie de I C :
EC  RC IC  U CE  RE  I C /   IC   U CE   RC  RE  1 /   1  I C ,

de unde rezultă ecuaţia dreptei de sarcină:

 1  EC
iC  iC  uCE      U CE  (A.3.7.)
 RC  RE  1 /   1  RC  RE  1 /   1
Se observă că ecuaţia dreptei de sarcină (A.3.7.) diferă de ecuaţia dreptei
de sarcină (A.3.2.) din aplicaţia A.3.1. anterioară deoarece s-a modificat circuitul,
deci ecuaţiile Kirchoff sunt altele.
 3.1.5. Surse de curent constant
În schemele electronice cu componente discrete, dar şi în circuitele
integrate analogice apar frecvent surse (generatoare) de curent constant
folosite pentru polarizarea tranzistoarelor. Trei astfel de variante sunt
prezentate în fig.3.11.
Uo Uo E
Io Uo Uo
Io
RB1 U oM R
I1 I2
 U CBM I B2
EC  T2
I B1
T1 U BE 2
RB 2 U BE 1
I E1 IE2
RE RE
ETH R1 R2

I o  const . I  EE Io
o

b) sursă de curentc) exemplu de

a) sursă de curent constant cu generator de curent
constant cu sursă de
rezistenţă în emitor şi divizor de tensiune reactivă în circuitele
tensiune pentru polarizarea bazei integrate cu două
(  E E ) în emitor.
TBJ împerecheate.
Fig. 3.11. Surse de curent constant şi caracteristicile lor tensiune-curent uo  u o io 

 Curentul constant I o generat cu sursa din fig.3.11.a) are expresia:

E  U EB ET
Io  IC  I E  T   const. (3.41)
RE RE
unde ET este sursa de tensiune Thevenin dată de relaţia (A.3.3).
Tranzistorul nu intră în saturaţie cât timp potenţialul colectorului faţă de
masă Uo  U EB , valoarea sa maximă, notată U oM , fiind:
U oM  RE I o  U CEM (3.42)
 Curentul constant I o generat de sursa din fig.3.11.b) are expresia:
EE  U BE EE
I o  IC  I E    const. (3.43)
RE RE
Acest circuit este folosit în construcţia amplificatoarelor diferenţiale.
 Sursa din fig.3.11.c) are tranzistoarele T1 şi T2 împerecheate, adică au
parametri aproape identici (de exemplu, u BE1  u BE2  uBE ).
T1 funcţionează ca diodă, având colectorul şi baza scurtcircuitate (sunt
legate impreuna); aceasta este modalitatea folosită în circuitele
integrate de a crea tehnologic uşor diode. Se remarcă faptul că TBJ nu
este încercuit în circuitele integrate, cercul simbolizând capsula în care
este împachetat acesta. Se scriu teoremele Kirchhoff pentru curenţi şi
relaţiile între curenţii ce circulă prin T1, respectiv prin T2 :
  I 1  I B1  I B 2  I C1

 I E1  I B1  I C1
I
 E 2  I B2  I 2
Din sistemul de ecuaţii de mai sus şi aplicând pe circuit teorema
Kirchhoff pentru tensiuni, rezultă că faptul că curentul I2 al lui T2 “copiază” (de
unde şi numele de “oglindă de curent”) curentul I1 al lui T1 deoarece:
E  U BE1 E
I 2  I C 2  I E 2  I1  I B2  I1    cons tan t (3.44)
R  R1 R
În obţinerea relaţiei (3.44) s-au neglijat I B1 şi U EB1 .
 CURS 4
TRANZISTOARE – Partea a II-a

3.1. TRANZISTORUL BIPOLAR CU JONCŢIUNI (TBJ) - continuare

3.1.6. Funcţionarea în regim de comutaţie
 Parametrii de impuls ai TBJ în regim de comutație
 Comutația TBJ pe sarcină rezistivă
 Comutația TBJ pe sarcină puternic inductivă
3.2. TRANZISTORUL UNIJONCŢIUNE (TUJ)

3.1.6. Funcţionarea în regim de comutaţie

Conform tabelului 3.1 din cursul anterior, un TBJ funcţionează în regim
de comutaţie dacă pe un interval de timp Tc, numit timp de conducţie, el
funcţionează în regim de saturaţie şi pe un alt interval de timp Tb , numit timp
de blocare, funcţionează în regim de blocare, perioada de comutaţie a TBJ
fiind definită prin relaţia:
1
T  Tc  Tb , (3.50)
f
unde prin f s-a notat frecvenţa de comutaţie a TBJ.
În continuare, vom defini parametrii de impuls ai TBJ tip npn şi apoi
vom studia comutaţia TBJ pe sarcină rezistivă (R) şi pe sarcină rezistiv-
inductivă (R-L).

 Parametrii de impuls ai TBJ în regim de comutație

Datorită fenomenelor de stocare, recombinare şi deplasare a
purtătorilor de sarcină în regiunea bazei şi în regiunea colector-bază, intrarea
în conducţie şi blocarea tranzistorului în circuitul de sarcină se produc cu o
anumită întârziere faţă de intrarea în conducţie şi blocarea în regiunea bazei.

Fig.3.3. Diagrame funcţionale la comutarea tranzistorului bipolar

 Timpii ce caracterizează comutatia tranzistorului la aplicarea unui
curent de baza iB avand forma din fig.3.3 si durata tp (masurata la 0,9ICM pe
frontul crescator, respectiv descrescator al lui iB) sunt numiti parametrii de
impuls ai TBJ si se definesc astfel:
 td – timpul de întârziere intre aparitia curentului de colector iC si aplicarea
curentului de baza iB, măsurate conform standardelor de fabricatie între
0,1IBM şi 0,1ICM;
 tr – timpul de creştere a curentului iC, măsurat pe frontul crescator al
acestuia între 0,1ICM şi 0,9ICM;
 ton=td+tr – timp de comutaţie directă (ON), adica timpul de comutatie a
acestuia din blocare in conductie a TBJ;
 ts - timpul de evacuare a sarcinii stocate din baza TBJ, măsurat între
0,9IBM şi 0,9ICM;
 tf – timpul de cădere a curentului iC, măsurat pe frontul descrescator al
acestuia între 0,9ICM şi 0,1ICM.
 toff=ts+tf – timp de comutatie inversa (OFF), adica timpul de comutatie din
saturatie in blocare a TBJ;
Experimental, se constata ca cel mai mic dintre acesti timpi este td,
motiv pentru care in aplicatiile urmatoare cu TBJ el va fi neglijat si se va
accepta aproximarea ton=td+tr  tr. In plus, in fig.3.3 se constata ca iB are si
valori negative in vederea evacuarii mai rapide a sarcinii stocate in baza
TBJ la comutatia OFF; astfel, timpul de evacuare a sarcinii stocate ts scade
si devine comparabil ca ordin de marime cu ceilalti 3 timpi (td, tr si tf).

 Comutația TBJ pe sarcină rezistivă

În continuare, se va calcula puterea medie disipată pe TBJ in comutatie
pe sarcina rezistiva R într-o perioadă de comutaţie T (in tot calculul se va
neglija U CEsat  0 ):
1  tr  not
def Tc ts Tc ts t f T
1 T
PTBP,R  0 pTBP (t )dt   pON ( t )dt   psat (t )dt   pOFF (t )dt   pbl ( t )dt  
T T 0 tr Tc ts Tc ts t f 
 
not
 PON  Psat  POFF  Pbl

 pentru t  0,tr  : TBJ e în comutaţie ON, iar expresiile curentului iC si

tensiunii uCE pe acest interval sunt:
t  t 
iC  ICM  şi uCE  t   U CEM
1 
tr  tr 
1 tr 1 tr t  t  I  U CEM
 PON   p ON ( t )dt   I CM  U CEM 1  dt  CM  tr
T0 T0 tr  t r 6 T
(3.1)
 pentru t  tr ,Tc  t s  : TBJ e saturat, iar iC capata valoarea maxima ICM
ce se va calcula scriind teorema Kirchoff a circuitului din fig.3.4a cu TBJ
saturat, in timp ce uCE=UCEsat se poate neglija:
Ec  U CEsat Ec
Ec  RI CM  U CEsat  I CM    iC  I CM şi U CEsat  0
R R
(aproximativ zero, deci neglijabil in aplicatiile unde nu se ia in consideratie
comparativ cu valoarea sursei de alimentare Ec)
1 Tc  ts 1 T t
 Psat  tr iC ( t )  uCE ( t )dt  t c s I CM  0dt  0 (3.2)
T T r
 EC iB

iC 0 Tc Tb t
uCE
T 1 f
iB

iC
I CM

a) schema electrica 0 tf t
tr ts
uCE toff
U CEM

pTBP  iC  uCE t
pON pOFF
psat pbl

tr tf
T

c) evolutia PSF a TBJ b) forme de unda explicative

Fig.3.4. Comutatia TBJ pe sarcina rezistiva R

 pentru t  Tc  t s ,Tc  t s  toff  : TBJ e în comutaţie OFF.

Pentru un calcul matematic mai usor se muta originea axei timpului din
originea O(0, 0) in momentul t  Tc  ts , deci se face o schimbare de
not
variabila t'  t  ( Tc  ts ) iar expresiile curentului iC(t’) si tensiunii uCE(t’) pe
acest interval devin:
 t'  t'
i C  I CM 1   şi u CE  U CEM 
 tf  tf
1 t  t'  t' I U
 POFF  0 f I CM  1   U CEM  dt'  CM CEM  t f (3.3)
T  f  tf 6T
  pentru t  Tc  t s  tOFF ,T  : TBJ e blocat, avand iC=0 si UCE =UCEM ce se
va calcula scriind ecuaţia Kirchoff a circuitului din fig.3.4a cu TBJ blocat:
E c  R  0  U CEM ; i Cbl  0  U CEM  E c
1 1
 Pbl  TT  t t iC ( t )  uCE ( t )dt  TT t 0  U CEM dt  0 (3.4)
T c s off T c off
Adunând relaţiile (3.1), (3.2), (3.3) şi (3.4), obţinem puterea medie
disipată pe TBJ pe durat unei perioade de comutaţie T:
1T I CM  U CEM
PTBP   p TBP ( t )dt  PON  Psat  POFF  Pbl   t r  t f 
T0 6T
(3.5)
In plus, daca se tine cont că pentru UCE,sat=0 (se poate neglija)
ICM  Ec R şi U CEM  Ec se obtine expresia simplificata:
I  U CEM E2 t  t
PTBP  CM t r  t f   c  r f
6T R 6T .
Energia medie disipată pe TBJ este:
def I U
WTBP  0T p TBP t dt  PTBP  T  CM CEM t r  t f 
6 . (3.6)
Aplicația 3.1. Comutatia TBJ pe sarcină R
Se consideră circuitul din fig.3.4. Se cere:
a) calculaţi UCE şi PEc dacă TBJ este blocat şi EC=30V;
b) calculaţi IC, PTBJ,sat şi PR dacă TBJ e saturat şi UCE,sat=0,2V, R=40Ω;
c) dacă UCE,sat=0V, tr=0,1µs, tf=0,5µs şi perioada de comutaţie a TBJ este
T=2ms, calculaţi puterea medie disipată pe TBJ;
d) ce valoare are PTBJ dacă tr=tf=0? Cum arată formele de undă in acest
caz comparativ cu cele din fig.3.4.b?;
e) calculaţi uCE(t=tr/2) şi iC(t’=tf/2).

Soluţie:
Utilizand formulele de mai sus, se obtine:
not
a) U CE bl  U CEM  EC  30V si PEc  EC  IC bl  30V  0 A  0W ;
not EC  U CE sat 30V  0.2V
b) IC sat  ICM     0,745 A ;
R 40
PTBP sat  U CE sat  I C sat  U CE sat  I CM  0,2V  0,745A  0,149W
;
2
2
Atunci PR  R  ICM  40   0,745 A  22.201W ;
ICM U CEM 0,745 A  30V
c) PTBP 
6T

tr  t f  
6  2ms
  0,1 s  0,5  s   1,125mW ;
I U
d) PTBP  CM CEM 0  0   0W .
6T
Formele de undă (dacă tr=tf=0) ale lui iC şi uCE devin dreptunghiulare
faţă de formele trapezoidale din fig.3.4 (în care tr  0, t f  0 ). Cu tr  t f  0 ,
forma de undă a puterii instantanee pe TBJ devine nulă în permanenţă, adică
pTBP  iC  uCE  0 pentru orice moment de timp t  0,  ;
e) Conform formulelor, pentru t  0,tr  avem:
 t   t 2
uCE  t   U CEM  1    uCE  tr 2   U CEM   1  r  
 tr   tr 
,
 
 uCE  U CEM 1  1  CEM 
2
U
2
30V
2
 15V

iar pentru t  0,t f  , când TBJ este în comutaţie OFF, avem:

 t   t 2 I 0,745A
i C t   ICM 1    i C t  t f 2  ICM 1  f   CM   0,372A
 tf   tf  2 2

 Comutația TBJ pe sarcină puternic inductivă (ωL>>R)

În continuare, se va calcula puterea medie disipată pe TBJ in comutatie
pe sarcina LR puternic inductiva (ωL>>R) într-o perioadă de comutaţie T (in
tot calculul, de asemenea se va neglija U CEsat  0 ):
1 T 1 tr Tc  t s Tc  t s  t f T  not
PTBP, LR  0 p TBP dt    p ON ( t )dt   p sat ( t )dt   p OFF ( t )dt   p bl ( t )dt  
T T 0 Tc  t s Tc  t s  t f
 tr 
not
 PON  Psat  POFF  Pbl
Schema electrica a circuitului analizat, excursia punctului static de
functionare (PSF) si formele de unda explicative sunt prezentate in fig.3.5, in
care tr s-a renotat tON, iar tf s-a renotat tOFF sau trev, noile notatii fiind specifice
comutatiei pe sarcina RL.
 TBJ blocat:
di
Ec  L c  RiC  uCE , care în blocare devine:
dt
d0
EC  L  R  0  uCEM , deoarece iCbl  0
dt
 U CEM  EC  pTBP bl ( t )  iC ( t )  uCE ( t )  0  Pbl  0
 TBJ saturat:
dICM E C  U CE sat EC
EC  L  R  ICM  U CE sat  ICM  
dt R R
EC EC
Deci ICM   pTBP sat  iC  uCE  U CE sat  0  Psat  0
R R
  EC

iC

uCE

iB

a) schema electrica
iC iC    uCE
n
curba strap. sec 

I CM TBPON

TBPsat

TBPbl

EC uCE
TBPOFF U CE sus  U CE 0

c) evolutia PSF a TBJ b) forme de unda explicative

Fig.3.5. Comutatia TBJ pe sarcina RL puternic inductiva (ωL>>R)

 TBJ în comutaţie ON:

Se înlocuieşte TBJ din fig.3.5a cu un comutator ce comută de pe poziţia 1
(TBJ blocat) pe poziţia 2 (TBJ saturat), ca in fig.3.6.
iC R L

OFF ON
1 2 E
TBP blocat TBP TBP saturat C
  
U CE sus  U CE sat


Fig.3.6. Schema electrica echivalenta a circuitului de iesire al TBJ

valabil pentru comutatiile ON si OFF

Ecuatia Kirchhoff este:

di
EC  L C  R  iC  U CE sat , cu condiţia iniţială iC  t  0   0 , (3.7)
dt
deoarece pe poziţia iniţială 1 TBJ fusese blocat.
Se rezolvă ecuaţia:
 iC  iCt  iCp , (3.8)
unde solutia de regim tranzitoriu iCt se determina ca solutie a ecuatiei omogene atasata
ecuatiei (3.7):
di R not 1
L C  R  iC  0  L  R  0       ,
dt L 
not
unde   L R este constanta de timp a circuitului.
Solutia de regim tranzitoriu este:
iCt  ke t  k  et /  (3.9)
Solutia de regim permanent este de tipul ICp=constant deoarece
alimentarea este o marime (tensiune) continua:
di Cp E C  U CE sat
EC  L  R  i Cp  U CE sat  ICp   ICM
dt R (3.10)
(3.9), (3.10) t E C  U CE sat
 iC  k  e  
in (3.8) R
(3.11
Se pune condiţia iniţială pentru determinarea constantei k:
E C  U CE sat E C  U CE sat
iC (0)  0  k  k
R R (3.12)
(3.12) in (3.11) E C  U CEsat t E C  U CE sat
 i C (t)   e  
R R ,
deci:
EC  U CE sat  t 
iC ( t )   1  e  
R  , (3.13).
a carei reprezentare grafica este data in fig.3.5b.
not
Cum   L R  t   s  , oricare ar fi valoarea timpului t din intervalul de
timp analizat t  0,tON  de comutaţie ON, putem aproxima et /   1  t /  în
urma dezvoltării în serie Taylor şi menţinerea primilor doi termeni.
 x x x 2 x3 not t 
 Obs.: e  1     ...  1  x, deoarece x   1  
 1! 2! 3!  
 
(3.14),
EC  U CE sat   t   EC  U CE sat t E
 iC ( t )  1   1      C t
R     R L
R
L
obţinând astfel ecuaţia liniarizată a expresiei (3.13) a lui iC ( t ) , de asemenea
reprezentata grafic in fig.3.5b.
Putem afla timpul de comutaţie tON punând condiţia de la sfarsitul
acestui interval de comutatie ON, anume:
iC ( t  tON )  ICM (3.15)
EC EC
Din înlocuirea (3.15) în (3.14) obtinem ICM    tON , deci:
R L
L not
tON   (3.16)
R
 Puterea instantanee disipata in acest interval de comutatie ON este:
E  t
pTBP ON ( t )  iC ( t )  uCE ( t )   C  t  U CE sat  tCM   0  0  pON  0 ,
 L  tON
deci si puterea medie va fi implicit nula:
1 tON 1 tON
PON  p
 ON ( t )dt   0dt  0 (3.17)
T 0 T 0
 TBJ în comutaţie OFF: Se urmeaza aceiasi pasi de la comutatia ON
anterioara.
TBJ se echivalează cu un comutator ce comută de pe poziţia 2 (TBJ
saturat) pe poziţia 1 (TBJ blocat). Ecuaţia circuitului echivalent este :
di E
EC  L C  R  iC  U CE sus , cu condiţia iniţială iC ( 0 )  ICM  C , (3.18)
dt R
deoarece TBJ era iniţial saturat. Se rezolvă similar ecuaţia, obtinandu-se:
t EC  U CE sus
iC  iCt  iCp  k '  e   (3.19).
R
Se pune condiţia iniţială pentru aflarea constantei k ' :
EC E C  U CEsus UCE sus
iC (0)  ICM   k '  k' 
R R R (3.20).
Introducând (3.20) în (3.19), rezultă expresia reala de tip exponential:
U CE sus t EC  U CE sus EC U CE sus  t 
iC (t )  e 
    1  e 
R R R R  , (3.21)
not L t
data in fig.3.5b. Cum    t  0,toff   e   1  t , deoarece t <<1 , deci:
R  
U CE sus U U
E
iC  t   C 
R R   R

1  1  t   EC  CE sus  t  i  t   EC  CE sus  t (3.22)
  R L C
R L
R
care este expresia liniarizata a ecuaţiei (3.21), de asemenea reprezentata in
fig.3.5b..
Acum putem afla timpul de comutaţie tOFF punând condiţia de la finalul
intervalului studiat, anume iC  t  tOFF   0 conform fig.3.5b si obtinem:
EC U CE sus EC L EC
  tOFF  0  tOFF     (3.23)
R L U CE sus R U CE sus
Relatia (3.23) se mai poate scrie si sub forma:
U CE sus E 1
 C (3.24)
L R tOFF
si inlocuind relaţia (3.24) în relaţia (3.22) rezulta:
E E t E  t 
iC  t   C  C   C 1  (3.25)
R R tOFF R  tOFF 
Puterea instantanee disipata in acest interval este:
E  t 
pOFF ( t )  iC ( t )  uCE ( t )  C   1    U CE sus , (3.26)
R  tOFF 
deci puterea medie disipata pe acest interval de comutatie OFF este:
 1 t OFF E C  U CE sus t OFF
POFF   p OFF t dt  
T 0 R 2T
(3.27)
In concluzie, puterea medie disipata pe TBJ pe sarcina LR este disipata
in special in intervalul de comutatie OFF al TBJ:
EC  U CE sus tOFF E2 t  t
PTBP,LR  Pbl  Psat  PON  POFF  POFF    PTBP,R  C  ON OFF
R 2T R 6T

Aplicația 3.2. Comutatia TBJ pe sarcină L-R

Se consideră circuitul din fig.3.5a. Se cere:
a) calculaţi iC dacă TBJ e saturat şi UCE,sat =0,2V, R=40Ω;
b) calculaţi UCE,M al TBJ blocat si EC=30V;
c) calculaţi energiile disipate pe bobina L în cazul TBJ blocat, respectiv
saturat, unde L=25mH;
d) calculaţi timpul de comutaţie ON, notat tON dacă UCE,sus=400V;
e) calculaţi timpul de comutaţie OFF, notat tOFF  trev şi puterea medie
disipată pe TBJ, dacă perioada de comutaţie a TBJ este T=2ms;
f) comparaţi puterea medie disipată pe TBJ pe sarcină RL cu aceeaşi
putere medie pe sarcina R din Aplicația 3.1, având tr  0,1 s, t f  0,5  s .

Soluţie:
a) TBJ saturat:
di Csat
 EC  L  Ri C sat  U CE sat 
dt
not E C  U CE sat 30V  0,2V
 i C sat  I CM    0,745A
R 40
b) TBJ blocat:
di Cbl
 EC  L  Ri Cbl  U CEM  U CEM  E C  30V
dt ;
2
2
LI Csat 25mH   0,745 A 
c) WL sat    7mW
2 2
LI 2 25mH  0 2
WL bl  Cbl   0W
2 2
L 25mH
d) Conform formulei demonstrate, tON      0,625ms
R 40 
not EC L 30V not
e) tOFF  trev    0,625ms  tOFF  trev  46 ,875  s ;
U CEsus R 400V
Conform formulei demonstrate, puterea medie disipată pe TBJ pe sarcină L-R
este:
E C U CE sus 30V 400V
PTBP,LR    t OFF    46,875s  3,515W
R 2T 40 2  2ms
f) Conform formulei demonstrate la comutarea TBJ pe sarcină R din
Aplicația 3.1, puterea medie disipată pe sarcina rezistiva R este:
 2
EC2 tr  t f  30V  0,1 s  0,5  s
PTBP,R      1,125mW .
R 6T 40 6  2ms
Comparând rezultatele numerice obţinute se observă că
PTBP,LR  3,515W  PTBP,R  1,125mW deci pe sarcină LR se disipă mult mai
multă putere decât pe sarcină R (aici, de 3124 ori mai mare). De aceea, la
comutarea TBJ pe sarcină LR, atât pentru protecţie cât şi pentru diminuarea
puterii medii disipate PTBP,LR , se introduc in circuit snubbere, mai ales dacă
TBP este de putere.

Din punct de vedere practic, snubberele sunt circuite auxiliare realizate

ca grupuri de componente pasive (rezistente, condensatoare si bobine) si/sau
diode, montate toate in serie, paralel sau mixt si introduse in jurul TBJ din
cadrul circuitelor de comutatie realizate cu TBJ pe sarcina R dar mai ales R-L
cu urmatoarele scopuri:
- mentinerea PSF a TBJ in AFS;
- micsorarea timpilor de comutatie ai TBJ in vederea micsorarii puterii
medii disipate pe TBJ intr-o perioada de comutatie T;
- protectia TBJ contra altor fenomene secundare specifice TBJ
nementionate anterior, cum ar fi „efectul du/dt”, „efectul di/dt”, „efectul
Joule” etc.

3.2. TRANZISTORUL UNIJONCŢIUNE (TUJ)

Este un dispozitiv semiconductor de medie putere utilizat în comanda
amorsării pe poartă a tiristoarelor convenţionale. În literatură mai e întâlnit şi
sub denumirea de diodă cu două baze. Simbolul, structura interna si schema
electrica echivalenta ale unui TUJ sunt prezentate în figura 3.29.
La capetele zonei n – uniform dopată – există două contacte ohmice
care poartă denumirea de bază 1 (B1) şi bază 2 (B2). Joncţiunea pn, situată
între B1 şi B2, poartă denumirea de joncţiune de emitor (E).
Schema echivalentă simpificată a TUJ-ului cuprinde dioda D, care
modelează joncţiunea pn, şi două rezistenţe distribuite R B1 şi R B 2 . Rezistenţa
R BB interbaze este definită prin relaţia:
R BB  RB1  RB 2 (3.70)
 I B2
B2
B2
p
E IE

 emitor 
 UE  U BB
B1 I B1 B1

c) schema echivalentă
a) simbol b) structura internă
simplificată
Fig.3.29. Tranzistorul unijoncţiune (TUJ)

Caracteristica curent-tensiune a TUJ-ului are trei regiuni distincte

(fig.3.30): de rezistenţă mare, specifică stării de blocare (OFF), de rezistenţă
joasă, când dispozitivul se află în conducţie directă (ON) și de rezistenţă
dinamică negativă.
Principiul de funcţionare a TUJ-ului poate fi urmărit în conjuncţie cu
caracteristica sa i E u E  din fig.3.30. Potenţialul emitorului E este determinat
de U BB şi divizorul rezistiv R B1 , R B 2 conform relaţiei obtinuta prin aplicarea
teoremei Kirchhoff pe circuitul din fig.3.29.c:
RB1 R not
UE  UD  U BB  B1 U BB  U BB , (3.71)
RB1  RB2 RBB
unde fracţiunea  a tensiunii interbaze U BB este:
RB1 R
  B1 (3.72)
R B1  RB 2 R BB
si poartă denumirea de raport de divizare intrinsec al TUJ, avand valori tipice
cuprinse între 0,5 şi 0,8.
iE

IV V

IP P
UV
U P uE

Fig.3.30. Caracteristica statică curent ( i E ) – tensiune ( u E ) a TUJ-ului

 Atât timp cât tensiunea de pe emitor u E este inferioară valorii U BB ,
joncţiunea pn a TUJ este polarizată invers. În consecinţă, prin circuitul
emitorului trece un curent invers de valoare redusă. Dacă se continuă
creşterea tensiunii u E peste valoarea U BB , atunci joncţiunea pn se
polarizează direct şi prin circuitul de emitor trece un curent direct de valoare
redusă, care creşte cu u E . Dacă tensiunea aplicată pe emitor u E depăşeşte
valoarea U BB cu o valoare egală cu căderea de tensiune U D în direct pe
joncţiunea pn de emitor U E  U BB  U D  U Pr ag , atunci se va declanşa o
injecţie puternică de goluri din stratul p în baza n de siliciu. Acestui fenomen îi
 
corespunde punctul de vârf P de coordonate U p , I p de pe caracteristica
i E u E  a dispozitivului. Golurile injectate în stratul n se deplasează înspre
contactul B1 . Rezistenţa zonei cuprinsă între A şi B1 scade mult faţă de
valoarea specifică zonei de blocare. Ca urmare, dispozitivul traanzitează prin
regiunea P-V de rezistenţă dinamică negativă a caracteristicii sale. Pentru
curenţi care depăşesc valoarea curentului de vale IV , specific punctului de
vale V tranzistorul se află în zona de conducţie.
Aplicaţia clasică a tranzistorului unijoncţiune o constituie oscilatorul de
relaxare cu TUJ, utilizat ca circuit pentru comanda pe poartă a tiristoarelor, ce
urmează sa fie prezentat in cadrul cursului de oscilatoare.
 CURS 5
AMPLIFICATOARE DE C.A. ȘI C.C.

5.1. AMPLIFICATOARE
5.1.1. Parametri. Clasificare
5.1.2. Amplificatoare de curent alternativ
5.1.3. Amplificatoare de curent continuu
5.1.4. Amplificatorul diferenţial

Amplificatoarele sunt circuite electronice analogice deoarece

prelucrează semnale analogice, adică semnale continue in timp. Ele
îndeplinesc funcţia de amplificare, care constă în mărirea puterii semnalului
aplicat la intrare (de tensiune ui şi curent ii), rezultând un semnal de ieşire de
putere mai mare (de tensiune u0 şi curent i0) pe baza puterii furnizate de o
sursă de alimentare, de obicei de curent continuu (fig.5.1).
ii io
ui uo

Fig.5.1. Schema bloc principială a unui amplificator

Privind amplificatorul ca un cuadripol (diport), se poate scrie relaţia:

p0  u 0 i0  p i  u i ii , (5.1.)
unde pi este puterea instantanee a semnalului de la intrarea amplificatorului,
iar p0 este puterea instantanee a semnalului de la ieşirea amplificatorului.

5.1.1. Parametri. Clasificare

Parametrii amplificatoarelor sunt:
1) Coeficienţii de amplificare:
Pentru orice amplificator, se pot defini 5 coeficienţi de amplificare:
- amplificarea în tensiune, definită astfel:
- pentru amplificatoarele de c.c.:
def U
Au  0 (5.2)
Ui
- pentru amplificatoarele de c.a.:
ju
def U0 U0 e 0 U 0 j u0 ui  not j
Au    e  Au e Au (5.3)
Ui j Ui
U i e ui
- amplificarea în curent, definită astfel:
 - pentru amplificatoarele de c.c.:
def
I
Ai  0 (5.4)
Ii
- pentru amplificatoarele de c.a.:
j
def I0
Ai  
I0 e i0 
I j i i not j
 0 e 0 i  Ai e Ai

I ji I (5.5)
i i
Ii e i
- amplificarea în putere, definită astfel:
- pentru amplificatoarele de c.c.:
def U 0 I0
Ap   Au  Ai (5.6)
U i Ii
- pentru amplificatoarele de c.a.:
def U 0  I0 j j j  A  A  not j
Ap   Au  Ai  Au e Au  Ai e Ai  Au Ai e u i  A e Ap
Ui  Ii
p (5.7)

Unele amplificatoare amplifică în tensiune (de exemplu, se poate

demonstra că etajul de amplificare cu TBJ în conexiune BC amplifică în
tensiune, având Au>>1, dar nu amplifică în curent, având Ai≤1), altele
amplifică în curent (de exemplu, etajul cu TBJ în conexiune CC are Au  1 şi
Ai>>1), iar altele amplifică şi în tensiune şi în curent, deci în putere (de
exemplu, etajul cu TBJ în conexiune EC are Au>1 şi Ai>1, deci Ap>1,
comportându-se cel mai bine ca amplificator dintre toate cele 3 conexiuni
posibile).
Uneori coeficienţii de amplificare pot avea valori mari (de exemplu,
amplificatoarele operaţionale au Au  10 4 ...107 ) şi, de aceea, se preferă
exprimarea mărimii coeficienţilor de amplificare în decibeli [dB], definiţi astfel:
def
Au [ dB ]  20 lg Au (5.8)
def
Ai [ dB ]  20 lg Ai (5.9)
def
Ap [ dB ]  20 lg Ap (5.10)
De exemplu, un amplificator operaţional având Au  10 5 are, în
def
decibeli, o amplificare Au [ dB ]  20 lg 10 5  100dB .
- amplificarea transimpedanta, definită astfel:
- pentru amplificatoarele de c.c.:
def U0
Az 
Ii
- pentru amplificatoarele de c.a.:
 ju
def U0 U0 e 0 U 0 j u0 ii  not j
Az    e  Az e Az
Ii ji Ii
Ii e i

- amplificarea transadmitanta, definită astfel:

- pentru amplificatoarele de c.c.:
def I
Ay  0
Ui
- pentru amplificatoarele de c.a.:
j
Ay 
def I0

I0 e i0

I0 j i0 ui not
e 
  Ay e
j A
y
Ui U e i Uij u
i

2) Banda de frecvenţă:
Teoretic, coeficientul de amplificare A al unui amplificator ideal nu
depinde de frecvenţa f   / 2 a semnalului de intrare aplicat
ui  U i sin  t    . În realitate, coeficientul de amplificare se menţine constant
doar într-un anumit domeniu de frecvenţe, în afara acestui domeniu modulul
acestuia A , notat cu A, scăzând ca în fig.5.2, valabilă pentru un amplificator
de medie frecvenţă.
A
 B  f s  fi
A0 fi fs

A0 2
 4
 2
fi fs f
B  f s  fi

a) ilustrarea pe caracteristica amplitudine-

b) ilustrarea pe caracteristica fază-frecvenţă
frecvenţă
Fig.5.2. Ilustrarea benzii de frecvenţă a unui amplificator de medie frecvenţă

Conform standardelor internaţionale, se defineşte banda de frecvenţă a

amplificatorului prin relaţia:
B  f s  fi , (5.11)
unde fi este frecvenţa limită inferioară de lucru a amplificatorului, fs este
frecvenţa limită superioară, ambele fiind definite ca frecvenţele la care
amplificarea A scade la 1 / 2  0,707 din valoarea sa maximă ideală A0, ceea
ce în decibeli înseamnă o scădere cu 3 dB. Domeniul de frecvenţe de lucru al
amplificatorului este definit ca intervalul  fi , f s  .
3) Impedanţele de intrare şi de ieşire:
- impedanţa de intrare este definită astfel:
- pentru amplificatoarele de c.c.:
def Ui
Zi  (5.12)
Ii
- pentru amplificatoarele de c.a.:
j
def U i U i e ui U i j ui ii  not j
Zi    e  Z i e Zi (5.13)
Ii j Ii
Ii e ii
- impedanţa de ieşire este definită astfel:
- pentru amplificatoarele de c.c.:
def Uo
Zo  (5.14)
Io
- pentru amplificatoarele de c.a.:
ju
def Uo Uoe o U o j uo io  not j
Zo    e  Z0 e Z o (5.15)
Io ji Io
Io e o

4) Gradul de distorsiune:
Ideal, semnalul x0(t) de la ieşirea unui amplificator (tensiune, curent sau
chiar putere) se obţine printr-o multiplicare de k ori şi o întârziere  a
semnalului xi(t) de la intrarea amplificatorului:
xo ( t )  k  xi ( t   ) , (5.16)
unde x0(t) păstrează forma graficului semnalului xi(t). În realitate,
amplificatoarele reale pot introduce distorsiuni, adică se strică (se modifică)
forma sinusoidală a semnalului de la intrare.
Distorsiunile se clasifică în distorsiuni liniare şi distorsiuni neliniare.
Distorsiunile liniare se subclasifică la rândul lor în distorsiuni de
amplitudine şi distorsiuni de fază. Ambele sunt datorate variaţiei coeficientului
de amplificare A cu frecvenţa unghiulară  , ca amplitudine A respectiv ca
fază  A ( ) (fig.5.2). Evitarea distorsiunilor liniare se face dacă amplificatorul
lucrează în banda sa de frecvenţă, unde amplificarea se consideră
aproximativ constantă.
Distorsiunile neliniare se datorează neliniarităţilor caracteristicilor
dispozitivelor electronice ce intra in componenta schemei amplificatorului şi
sunt evaluate prin gradul de distorsiune THD (Total Harmonic Distorsion):

2
def  Pn
 100 %  ,
n2
THD  (5.17)
P1
parametru specific semnalelor (vezi Cursul 1) în care P2, P3, ... sunt puterile
corespunzătoare armonicelor superioare de rang n  2 , iar P1 este puterea
fundamentalei (armonica n=1), toate referitoare la semnalul de ieşire.
 În diferite domenii de aplicatie ale electronicii, THD poate lua anumite
valori dintr-un domeniu admisibil. De exemplu, pentru aparate de măsură şi
control gama de variaţie acceptabilă a gradului de distorsiune este
THD  0,01%...0,05%, în radiocomunicaţii THD  1%...5% , iar în telefonie
THD  5%...15%.

5) Randamentul unui amplificator se defineşte prin relaţia:

P
  sarcina  100 [%] , (5.18)
Psursa
în care Psarcina este puterea utila furnizata sarcinii (la ieşirea amplificatorului),
iar Psursa este puterea generata de sursa de alimentare. În funcţie de tipul de
amplificator (de c.c. sau de c.a.), puterile se calculează ca valori medii pentru
amplificatoarele de c.c., respectiv ca valori efective pentru amplificatoarele de
c.a.

Clasificarea amplificatoarelor se poate se poate face după mai multe

criterii, pe baza parametrilor amplificatorului, definiţi anterior:
a) în funcţie de natura semnalului de intrare şi a celui de ieşire, există:
- amplificatoare de c.a., dacă semnalele amplificate sunt de c.a. şi pot fi
în continuare clasificate, în regim liniar în RAN, în funcţie de clasa de
amplificare A, B, AB ş.a.; o categorie aparte este constituită de
amplificatoarele în care dispozitivul lucrează în regim neliniar de
impulsuri etc.
- amplificatoare de c.c., dacă semnalele sunt fie continue (de c.c.), fie de
c.a. lent variabile în timp;
b) în funcţie de mărimile electrice alese ca semnale de intrare şi de ieşire,
precum şi de valorile coeficienţilor de amplificare şi impedanţelor de intrare şi
de ieşire, există de exemplu:
- amplificatoare de tensiune, caracterizate prin coeficientul de amplificare
în tensiune definit prin una dintre relaţiile (5.2) sau (5.3), Z i cât mai
mare (ideal Z i   ) şi Z 0 cât mai mică (ideal Z 0  0 );
- amplificatoare de curent, caracterizate prin coeficientul de amplificare
în curent definit printr-una dintre relaţiile (5.4) sau (5.5), Zi cât mai mică
(ideal Z i  0 ) şi Z 0 cât mai mare (ideal Z 0   );
Exista si amplificatoare de putere, amplificatoare transimpedanta si
amplificatiare transadmitanta. De asemenea, menţionăm că tipurile de
amplificatoare definite mai sus se apropie de valorile ideale prin
aplicarea teoriei reacţiei, ce va fi explicată în Cursul 6 imediat următor.
De asemenea menţionăm şi existenţa amplificatoarelor de putere, în
caz că amplificatorul e simultan şi amplificator de tensiune şi ampificator
de curent.
c) în funcţie de lăţimea benzii de frecvenţă, există:
- amplificatoare de bandă îngustă, cum ar fi amplificatoarele radio;
 - amplificatoare de bandă largă, cum ar fi, de exemplu, amplificatorul
pentru semnalul video, cu banda situată în gama (0 Hz , 6MHz) ;
d) în funcţie de poziţia benzii de frecvenţă, există:
- amplificatoare de joasă frecvenţă (JF), cu frecvenţa limită superioară
f s  100 kHz ;
- amplificatoare de medie frecvenţă (MF);
- amplificatoare de înaltă frecvenţă (ÎF), având f s  zeci de MHz ;
- amplificatoare de foartă înaltă frecvenţă (FIF), având
 
f s  10 2 MHz, 10 4 MHz , utilizate în comunicaţii spaţiale.
e) în funcţie de amplitudinea semnalelor de intrare, implicit de existenţa sau
nu a distorsiunilor, există:
- amplificatoare de semnal mic, la care amplitudinea semnalului de
kT
intrare U i  VT   25mV , unde VT este potenţialul termic,
q T 300 K
definit în Cursul 2, care sunt implicit amplificatoare liniare deoarece nu
apar distorsiunile liniare, amplificatorul încadrându-se în banda de
frecvenţă unde coeficientul de amplificare e aproximativ constant;
- amplificatoare de semnal mare, numite şi amplificatoare neliniare
datorită existenţei distorsiunilor ce strică forma semnalului de ieşire
comparativ cu forma sinusoidală a semnalului de intrare.
f) în funcţie de tipul dispozitivelor electronice utilizate în construcţia
amplificatorului, există: amplificatoare realizate cu TBJ, amplificatoare
realizate cu TEC, amplificatoare mixte (cu TBJ şi TEC) etc.
g) în funcţie de modul de realizare a amplificatorului, există: amplificatoare
realizate cu componente discrete și amplificatoare integrate, realizate sub
formă de circuit integrat analogic liniar.
h) în funcţie de numărul de etaje de amplificare, există: amplificatoare
realizate cu un singur etaj de amplificare şi ampificatoare cu mai multe etaje
de amplificare, realizate prin conectarea în cascadă (unul dupa altul) a mai
multor etaje de amplificare cu sau fără reacţie negativă.
De regulă, amplificatoarele integrate sunt amplificatoare cu mai multe
etaje de amplificare (fig.5.3). Etajul de intrare (preamplificator) este un
amplificator diferenţial. Etajul de amplificare intermediar poate fi realizat cu
TBJ în conexiune emitor comun (EC) sau cu TEC în conexiune sursă comună
(SC). Datorită amplificării în tensiune nu prea mari, de ordinul zecilor, pot fi
conectate în cascadă (puse unul după altul) şi 2 sau 3 astfel de etaje.
Amplificarea în tensiune a acestui grup intermediar se calculează ca produsul
amplificării în tensiune a fiecărui etaj, rezultând astfel o amplificare mărită.
Etajul de ieşire (etajul de putere) poate fi un etaj în clasă A de funcţionare, sau
un etaj în clasă B, cuplajul între etaje putând fi de tip cuplaj direct (printr-un
simplu fir), cuplaj prin transformator sau cuplaj RC.
ui uo

Fig.5.3. Exemplu de amplificator realizat cu 3 etaje de amplificare

5.1.2. Amplificatoare de curent alternativ

Acestea sunt circuite destinate amplificării semnalelor, care au
componente alternative de frecvenţă f  0 . Au aplicaţii în amplificarea
semnalelor de audio sau videofrecvenţă, în acţionările motoarelor de c.a., în
sisteme de automatizări ş.a.
În lanţul de amplificare pot fi întâlnite etaje de amplificare cu
funcţionare în diverse clase şi regimuri de funcţionare. De asemenea,
interconectarea între etajele de amplificare, între sursa de semnal şi intrare,
sau între ieşirea amplificatorului şi sarcină sunt astfel realizate încât să fie
create căi de separare între circuitele de curent continuu, care au rolul de a
fixa independent punctele de funcţionare în regim static pentru tranzistoare şi
circuitele de curent alternativ.
În cele ce urmează, prezentăm principiile de realizare a etajelor de
curent alternativ şi analiza privind eficienţa acestora în regim liniar de
funcţionare în clasa A şi B, realizate cu elemente de cuplaj RC sau inductiv
prin transformator.

Amplificatoare cu funcţionare în clasa A

În mod obişnuit sunt utilizate ca etaje de semnal mic la intrarea în
lanţul de amplificare pentru obţinerea unor semnale amplificate cu distorsiuni
minime, dar pot fi folosite şi ca etaje finale pentru puteri moderate  10W . Pot
fi realizate cu tranzistoare bipolare sau unipolare.

Amplificator clasă A cu cuplaj RC

Schema unui etaj de amplificare cu tranzistor bipolar TNJ tip npn este
dată în fig.5.4.a. Etajul de amplificare are cuplate capacitiv atât sursa de
semnal de intrare ui , cât şi ieşirea uo la circuitul de sarcină – care poate fi şi
un alt etaj amplificator.
  Ec
ui

R B1 RC
CS
io  2 t
Ri Ci
T
uo io uo
ui uo RS io
RB 2 RE CE
t
2

b) Forme de undă pentru semnalele de intrare

a) Schema etaj de amplificare
şi ieşire
ic
1  Ec
ic md   I CM
Ic
Rc Rs R t
M
m  1 R
U CE
M 1 ic
Ic ms   Ec uCE
Rc  RE T uCE

U CE Ec uCE U CEM

uCE
t
c) Dreptele de sarcină statică şi d) Model elementar de amplificator şi formele
dinamică în planul ic uCE  de undă la ieşire.
Fig.5.4. Amplificator clasă A cu cuplaj RC

Tranzistorul amplificator se găseşte în regim liniar de amplificare în

clasa A cu un ecart unghiular 2  2 , adică pe tot intervalul în care acesta
este aplicat etajului de amplificare, fig.5.4.b).
Punctul static de funcţionare în circuitul de intrare este determinat de
divizorul R B1 , R B 2 , iar în circuitul de ieşire de rezistenţele RE şi RC . În c.c.
panta dreptei de sarcină este m s = -1/ RC  RE . Semnalul util de c.a. la ieşire,
uo este cules la bornele unei rezistenţe echivalente de sarcină R  RC RS . În
regim de c.a. reactanţele condensatoarelor Ci , C E şi C S la frecvenţa de
lucru  a amplificatorului sunt de valori foarte mici. Condensatorul Ci asigură
separarea galvanică în c.c. a sursei de semnal ui , cu circuitul de polarizare
EC , R B1 şi R B 2 . Condensatorul C S separă circuitul de colector şi sarcina RS
în c.c., iar condensatorul C E conectează în c.a. emitorul tranzistorului la
masă, scurtcircuitând rezistenţa R E introdusă pentru stabilizarea punctului
static de funcţionare la variaţiile de temperatură. Prezenţa condensatoarelor
C S şi C E determină pante diferite ale dreptelor de sarcină în c.c. şi respectiv
în c.a. (fig.5.4.c). Panta dreptei de sarcină în c.a. este m d  1 / ( RC RS )
 Determinarea randamentului amplificatorului în clasă A cu cuplaj RC
este efectuată în ipoteza amplificatorului ideal din fig.5.4.d), care are sarcina
statică şi cea dinamică de valoare R. În c.c. punctul static de funcţionare M
are coordonatele I c , U CE . La aplicarea unui semnal alternativ sinusoidal ui
la intrarea acestuia, la ieşire în circuitul de sarcină se obţine un curent:
iC  kI CM sin t , (5.19)
unde k  0, 1 este un coeficient ce arată cât din amplitudinea maxim posibila
ICM a curentului iC(t) este folosită la un moment dat, iar I CM  I C  U CE / R
este valoarea maximă a curentului amplificat. Randamentul este definit ca
raportul dintre puterea utilă de semnal şi puterea consumată de la sursa de
c.c., de tensiune EC .
Puterea de semnal (pe sarcina) este:
2
1 2 k 2 I CM
2
R k 2 EC I C
PS   kI CM sin t  Rd t    , (5.20)
2 0 2 4
iar puterea generata de la sursa de c.c. este:
Pcc  EC I C , (5.21)
Rezultă randamentul amplificatorului clasă A cu cuplaj RC:
Ps k 2
  , (5.22)
Pcc 4
valoarea maximă obţinându-se pentru k=1, anume   25% .
Randamentul este influenţat de mărimea semnalului amplificat
  0  0 ,25  , având o valoare maximă destul de mică. Puterea de c.c.
consumată de la sursă şi care nu este transformată în putere de semnal se
disipă pe tranzistorul amplificator, PT :
k 2 Ec I c  k 2   k 2 
PT  Pcc  Ps  Ec  I c  
 Ec I c 1  P  1 (5.23)
4  4  cc max  4 
  
Puterea disipată pe tranzistor este maximă în absenţa semnalului de
intrare (k=0), PT max  Pcc max şi este minimă pentru semnal maxim (k=1),
PT min  0 ,75 Pcc max .

Amplificator clasă A cu cuplaj prin transformator

Cuplajul de tip inductiv reprezintă o altă modalitate de izolare galvanică
între diverse componente ale unui amplificator. Astfel, în fig.5.5.a) este
prezentat un etaj de de amplificare în clasă A, având sarcina cuplată prin
transformator.
În c.c., în absenţa semnalului de intrare, tranzistorul se găseşte în
punctul static de funcţionare, panta dreptei de sarcină fiind ms  1 R E , în
condiţia de neglijare a rezistenţei de curent continuu a primarului
transformatorului. În curent alternativ, având la frecvenţa de lucru reactanţa
1 CE  RE , panta dreptei de sarcină în regim dinamic este md   1 R* ,
unde R*  n1 n2 2 R este rezistenţa de sarcină R reflectată în primarul
transformatorului, fig.5.5.b).
ui

 Ec  2 t
n1 : n2

R
ic ic
RB1 ic Tr 2 I CM ms   1 RE
Ci Ic I CM
T Ic
md  1 R*

ui RB 2 RE CE
t
Ec 2 Ec uCE
uCE
U CEM
Ec

t

b) dreptele de sarcină în
a) Schema electrică c) forme de undă
regim static şi dinamic
Fig.5.5. Etaj de amplificare clasă A cu cuplaj prin transformator al sarcinii

Aplicând la intrare un semnal sinusoidal ui , la ieşire în colectorul

tranzistorului se obţin, în condiţii ideale, tensiuni şi curenţi sinusoidali
(fig.5.5.c). Dacă rezistenţa R E este foarte mică, atunci în punctul static
U CE  EC excursia maximă în c.a. a tensiunii în colectorul tranzistorului T
este U CE max  2 EC .

Aplicaţia A5.1.
Pentru circuitul de amplificare, având cuplaj cu transformator ideal cu
raport de transformare n2 n1  1 , din fig.5.5.a) să se determine: a) puterea
de semnal în regim sinusoidal; b) puterea absorbită de la sursa de alimentare;
c) randamentul; d) puterea disipată de tranzistor şi valoarea maximă a
acesteia.
Semnalul aplicat la intrarea etajului de amplificare este de forma
ui  kU sin t , k  0 ; 1 , tensiunea la saturaţie U CEsat  0 , iar curentul
rezidual I co  0 .

Soluţie:
În condiţiile menţionate semnalul în colector este:
ic  kICM sin t , I CM  I C , U CEM  EC şi I CM  EC R .
a) Puterea de semnal se calculează:
 1 2 k 2 I CM R k 2 EC I CM
 kI CM sin t  Rd t  
2
Ps  
2 0 2 2
b) Puterea de c.c. rezultă:
Pcc  Ec I c  Ec I CM
c) Randamentul se obţine:
Ps k 2
  ,
Pcc 2
având k  0, 1 ,   0  0 ,5  , maximul acestuia de 50% fiind obținut pentru
k=1.
d) puterea disipată de tranzistor este:
k2  k2 
PT  Pcc  Ps  Ec I CM  I CM Ec  Pcc  1  
2  2 
 
PT max  PT k 0  Pcc .

Etaje de amplificare în clasă B

În acest regim de funcţionare fiecare tranzistor amplificator conduce o
semialternanţă din semnalul aplicat la intrare, randamentul obţinut fiind
superior celui obţinut în clasă A. Acest lucru determină utilizarea etajelor de
amplificare în clasă B ca etaje finale de putere în lanţul de amplificare.

Etaj de amplificare clasă B în contratimp

În fig 5.6.a) este reprezentată schema de principiu a unui amplificator
clasă B cu cuplaj direct. Formele de undă reprezentate în fig.5.6.b) relevă
principiul care stă la baza funcţionării amplificatoarelor în clasă B, anume
deoarece curentul în sarcina R este suma curenţilor de colector ai celor două
tranzistoare iar fiecare tranzistor conduce câte o semialternanţă a semnalului
de intrare sinusoidal, rezultă că şi curentul în sarcină, în condiţii idele, îşi va
păstra forma sinusoidală, cele două tranzistoare T1 și T2 funcţionând în
contratimp (pe rând, când unul conduce o semialternanță celălalt este blocat
și reciproc în cealaltă semialternanță).
ic1 iB

RB  2 t
iB
T1 Ec1
ui iC
i R
 2 t
Ec 2 i
T2 I CM
 2 t
ic 2

a) schema de principiu b) forme de undă

Fig.5.6. Amplificator în clasă B in contratimp
 Calculul randamentului
Considerând un semnal de curent sinusoidal i  kI CM sin t , unde
I CM  Ec R şi k  0 ,1 , în circuitul de sarcină se disipă puterea medie:
1 2 k 2 Ec2
Ps   2  kI CM sin t  Rd t  
2
, (5.24)
2 0 2R
În regim de curent continuu, componenta furnizată de sursa de
alimentare este egală cu suma valorilor medii ale curenţilor prin fiecare
tranzistor:
I c  I c1  I c 2 , (5.25)
1 2 kI CM kEc
I c1  I c 2   kI CM sin t d t    , (5.26)
2 0  R
iar puterea de curent continuu se obţine:
2 kEc2
Pcc  Ec  I c  , (5.27)
R
Randamentul amplificatorului în clasă B este:
P 
 s k , (5.28)
Pcc 4
pentru k  0, 1 rezultând randamente   0 ; 78,5 % , mai mari decât cele
obținute cu amplificatoarele clasă A.
Puterea PT disipată de cele două tranzistoare, considerate aici ca fiind
simetrice ca parametri, este:
2 kEc2 k 2 Ec2  k 2 
PT  Pcc  Ps   
 Pcc max k  , (5.29)
R 2R  4 
 
unde Pcc max  Pcc  2 Ec2 R . Puterea maximă disipată este
k 1

1
PT max  PT 2  Pcc max , fiecare tranzistor, în condiţii de simetrie,
k 

disipând jumătate din această putere.
Comparând expresiile puterilor maxime disipate în clasele A şi B pe un
tranzistor amplificator rezultă, în aceleaşi condiţii de sarcină şi semnal, o
solicitare mai mare în clasă A faţă de clasa B de aproximativ  ori, aceasta
confirmând utilizarea în etajele de ieşire (de putere) a amplificatoarelor în
clasă B.

Etaj de amplificare clasă B cu tranzistoare serie

Pentru eliminarea dezavantajului privind utilizarea a două surse de
alimentare poate fi utilizată o topologie de amplificator cu tranzistoare
complementare conectate în serie (fig.5.7.a). Cele două tranzistoare finale T1
şi T2 au sarcina cuplată prin condensator. Pentru a menţine simetria de
funcţionare în acest tip de circuit, semnalul aplicat în baze trebuie să fie
identic. La alternanţa pozitivă a semnalului de intrare ui (fig.5.7.b) conduce
T1, iar la cea negativă T2. Ambele tranzistoare lucrează ca repetoare pe
emitor, comanda acestora făcându-se cu tranzistorul T3 cu funcţionare în
clasă A. Cele două diode D1 şi D2 au căderea de tensiune u BB şi asigură un
regim liniar de funcţionare necesar polarizării tranzistoarelor T1 şi T2, în
vederea reducerii distorsiunilor.
 Ec
ui
RB
 2 t
B1 T1
D1 i1 i1 i1 i2
C
u BB i   i2
D2 i 2 uc  2 t
B2 T2 R i
I CM
T
ui  2 t

a) circuit b) forme de undă

Fig.5.7. Etaj de amplificare clasă B cu tranzistoare serie si sarcină cuplată prin
condensator

În regim staţionar de funcţionare condensatorul electrolitic (polarizat) C

are la bornele sale componenta continuă U c0  Ec 2 , acesta izolând galvanic
sarcina de sursă.

5.1.3. Amplificatoare de curent continuu

Amplificatoarele de curent continuu au limita inferioară a benzii de
frecvenţă zero. Acestea pot reda la ieşire componenta continuă a semnalului
de intrare, cât şi variaţiile lente de semnal în curent alternativ, având o largă
aplicabilitate în sistemele de reglare automată. Amplificatoarele analizate
anterior (de exemplu, amplificatorul cu cuplaj RC) nu pot fi utilizate deoarece
componenta de c.c. nu poate fi transmisă printr-un condensator real, de
valoare finită. Astfel un model elementar de amplificator din fig.5.8.a) cu
sarcină cuplată prin condensator are amplificarea:
U2 j RC
 A0 e   ,
RI j 
A   (5.30)
U1 ( R  1
)I 1  j RC
jC
unde A0  U 2 / U 1 este modulul coeficientului de amplificare in tensiune A al
amplificatorului,    este faza sa, U1 este reprezentarea fazorială a tensiunii
de intrare sinusoidală u1( t )  U 1 sin t , iar U 2 este reprezentarea fazorială a
tensiunii de intrare sinusoidală u2 ( t )  U 2 sin t ,.
 În reprezentare exponenţială avem:
 0
A A e    e  ,
j  j 
0 12
(5.31)
1    2 
0 
 
not
în care 0  1 RC , iar     arctg(  / 0 ) este faza funcţiei de amplificare.
Reprezentarea din fig.5.8.b) a modulului amplificării funcţie de frecvenţă
arată că la frecvenţa   0 , acesta descreşte semnificativ, iar la frecvenţe
joase – în curent continuu – semnalul de ieşire devine zero. Rezultă că
amplificatoarele de c.c. reale pot fi realizate numai cu circuite de cuplaj direct,
de tip rezistiv, asigurându-se transmiterea variaţiilor lente ale semnalului de
intrare inclusiv componenta continuă a acestuia.

A0
C
A0

A0
A0  u1 u2 2
R

1 10 100  o

a) circuit b) amplificarea
Fig.5.8. Model de amplificator având cuplaj RC între sursă şi sarcină

Prezentăm în continuare metode şi circuite de cuplare directă a

amplificatoarelor de c.c. În fig.5.9 sunt ilustrate câteva moduri de cuplare
directă a etajelor de amplificare.

 EC

 EC Rc1 Rc 2

Rc1 Rc 2 T1
U CE1

T1 T2 U2 Uz
U CE1 T2
U1 U2
U1 U BE 2
RB1 U BE 2

 EB

a) cuplaj colector-bază b) cuplaj prin divizor rezistiv c) cuplaj cu diodă Zener

Fig.5.9. Etaje de amplificare în c.c. cu cuplaj direct
 Etaje nesimetrice cu cuplare directă (fig.5.9.a)
Tranzistoarele T1 şi T2 alcătuiesc două etaje de amplificare cu emitor
comun. Deoarece polarizarea tranzistorului T2 se obţine direct din colectorul
lui, T1 limitează valoarea maximă a tensiunii la valoarea
U CE 1 max  U BE 2 sat  0.6V când T1 intră în saturaţie, deci în regim neliniar de
amplificare. Amplificarea A a amplificatorului este
U 2 U CE 1 U 2
A    A1 A2 , (5.32)
U 1 U 1 U CE 1
unde A1 şi A2 sunt amplificările individuale ale celor două etaje.

Etaje de amplificare cu cuplaj prin divizor rezistiv (fig.5.9.b)

Pentru eliminarea dezavantajului privind limitarea semnalului
amplificat, se poate utiliza un divizor rezistiv cu RB1 ,RB2 între etajele de
amplificare. Amplificarea rezultată este:
U 2
A  A1  A2  k , (5.33)
U 1
unde k  RB1 ( RB1  RB2 )  0, 1
Deşi amplificarea este mai mică decât în cazul precedent, tensiunea
maximă la ieşirea primului amplificator (în condiţiile neglijării curentului de
bază al tranzistorului T2 faţă de curentul prin divizorul RB1 ,RB2 ) este:
U BE 2 sat  kE B
U CE 1 max  , (5.34)
1 k
deci rezultă U CE 1 max  U BE 2 sat .

Etaje de amplificare cu cuplaj prin diodă Zener (fig.5.9.c)

Dacă în locul rezistenţei RB2 este introdusă o diodă Zener
stabilizatoare de tensiune, variaţiile de tensiune ce apar în colectorul lui T1 se
transmit aproape integral în baza lui T2, deoarece rezistenţa dinamică a diodei
Zener este foarte mică în comparaţie cu RB2 . Factorul de divizare k  1 , iar
amplificarea este redusă nesemnificativ faţă de prima situaţie, tensiunea
maximă în colectorul primului tranzistor fiind mai mare decât în cazul
cuplajului direct:
U CE max  U z  U BE 2 sat , (5.35)

Influenţa variaţiei cu temperatura a parametrilor dispozitivelor de

amplificare asupra tensiunii de ieşire constituie dezavantajul major al acestor
amplificatoare. Pentru a evidenţia fenomenul, să considerăm amplificatorul din
fig.5.10.a) şi caracteristicile i B  f u BE  , la parametri de temperatură  2   1 ,
fig.5.10.b).
  EC
Rc1 Rc 2

I B RB1 T1 T2 U2
U CE1
U BE 1 U BE 2
EB

b) influenţa cu temperatura în
a) schemă nesimetrică cu cuplaj direct caracteristicile de intrare
i B  f u BE 
Fig.5.10. Influenţa variaţiei cu temperatura a parametrilor tranzistoarelor în cuplajul
direct

Ecuaţia Kirchhoff în circuitul de intrare al lui T1 este:

EB  RB1 I B  U BE1 (5.36)
Dreapta de sarcină dată de relaţia (5.36) intersectează caracteristicile
de intrare i B  f u BE  în punctele I B  1  . Variaţia în
 1  şi respectiv I B
1 2
curentul de intrare I B1  I B  1  I B
 1 în condiţiile tensiunii de intrare
u1  E B  const determină o variaţie U BE 1 a tensiunii de ieşire deci nu ca
urmare a variaţiei tensiunii de intrare ci datorită variaţiei cu temperatura a
joncţiunii BE a tranzistorului T1. Se obţine la ieşirea tranzistorului T1 un
semnal de c.c. care nu e determinat de variaţia semnalului de intrare, ceea ce
se constituie într-un element de eroare.
Erori similare pot fi determinate şi de variaţiile surselor de alimentare,
ale parametrilor componentelor rezistive ş.a., acestea constituind principalele
elemente de dificultate în realizarea amplificatoarelor de c.c. cu etaje
nesimetrice cuplate direct.

5.1.4. Amplificatorul diferenţial

Eliminarea deficienţelor privind influenţa cu temperatura a parametrilor
dispozitivelor de amplificare poate fi realizată prin simetrie electrică
materializată la amplificatoarele diferenţiale. Schema elementară a
amplificatorului diferenţial şi modelul de analiză sunt prezentate în fig.5.11.a)
şi b).
 E

RC1 RC 2

ic1 Uo ic 2
RB1 RB 2

U i1 Ui2
iE1 iE 2

iE

RE

E

b) model de analiză, echivalat cu generator

a) circuit
de curent comandat
Fig.5.11. Amplificator diferenţial

La acest amplificator variaţiile simetrice de parametri produc variaţii

simetrice la ieşiri. Astfel, la modificarea temperaturii ambiante, cele două
tensiuni bază-emitor UBE1 şi UBE2 variază simultan, la ieşire efectul în
tensiunea diferenţială fiind anulat. Curentul prin rezistenţa RE rămâne
constant, acest fapt putând fi evidenţiat în modelul de analiză printr-un
generator de curent constant, de valoare 2I0 .

Calculul amplificării diferenţiale

Curenţii de ieşire pentru cele două tranzistoare sunt:
 u BE1 VT i
ic1  I0  i0   iE1   I s e  u BE1  VT ln c1
  Is

i  I  i   i   I eu BE2 VT  u ic2 , (5.37)
 V ln
 c2 0 0 E2 s BE2 T
 Is
în care in expresiile curentilor iC1 si iC2 au fost evidenţiate atat componentele
lor de curent continuu (notate I 0 ) cat şi variaţiile acestora de semnal mic
(notate i0 ), VT fiind potentialul termic.
Neglijand curenţii de bază, obţinem (vezi pe fig.5.11b):
iE1  iE2  iC1  iC2  2I0  cons tan t (5.38)
Aplicand teorema Kirchhoff pe fig.5.2b), se obtine tensiunea diferentiala
de intrare:
i I i
ui  u BE1  u BE2  VT  ln C1  VT  ln 0 0 (5.39)
iC 2 I0  i0
din care rezulta expresia curentului i0 :
 ui
VT  u 
e  1 not
io  I o  I0  th  i 
ui
 2VT  , (5.40)
VT
e 1
unde th( ui 2VT ) este functia matematica numita tangenta hiperbolica, care se
defineste pentru un argument oarecare σ astfel:
def e2  1 i
not u
th(  )  , in cazul nostru σ fiind notata expresia   2V .
2
e 1 T
Aplicand teorema Kirchhoff pe fig.5.2b) se obtine si tensiunea
diferenţială la ieşire:
uo  Rc  I o  i0   Rc  I o  i0   2Rc i0 , (5.41)
In final, inlocuind (5.40) in (5.41) se obţine expresia tensiunii de iesire:
u
2 i
2VT
 1 not
e u
uo  2I o Rc   2I o Rc  th( i )
u
2 i 2VT (5.41)
2VT
e 1
OBS: Pentru variaţii mici ale semnalului de intrare situate în jurul originii, se
 ui  ui
poate face aproximarea th   , amplificarea etajului diferenţial fiind:
 2VT  2VT
ui not u R I
u0  2Rc I0   Ad  o  c o (5.42)
2VT ui VT
Relatia (5.42) imediat anterioara arata ca amplificatorul diferenţial are
amplificarea dependentă de valoarea generatorului de curent constant I 0 ,
fapt ce permite utilizarea acestuia în circuitele de multiplicare analogică.
Astfel, dacă înlocuim generatorul de curent 2 I o cu un generator de curent
constant comandat (reglabil) - de exemplu cu un circuit de tip amplificator
repetor pe emitor (fig.5.11b, zona punctată) -, obţinem un multiplicator
analogic. Astfel, daca se considera ca mărimile analogice de multiplicat au
expresiile ui  x (necomandat) si u y  y (comandat), ieşirea circuitului este:
R I
uo  z  Ad  ui  c o  ui  k  x  y , (5.43)
VT
în care y  2 RI o și k  Rc 2RVT , demostrandu-se astfel proprietatea de
multimplicare analogica ponderata cu constanta k a doua semnale aplicate la
intrarea amplificatorului diferential, anume a tensiunii diferenţiale de intrare
ui  x şi a tensiunii de comandă a generatorului de curent constant u y  y
(vezi fig.5.11.b).
Amplificatorul diferenţial este utilizat atât în aplicaţiile privind
amplificarea semnalelor de c.c. cât şi a celor de c.a. Acest circuit, remarcabil
ca performanţe şi stabilitate, este utilizat ca circuit de intrare la majoritatea
amplificatoarelor operaţionale.
 CURS 5
AMPLIFICATOARE DE C.A. ȘI C.C.

5.1. AMPLIFICATOARE
5.1.1. Parametri. Clasificare
5.1.2. Amplificatoare de curent alternativ
5.1.3. Amplificatoare de curent continuu
5.1.4. Amplificatorul diferenţial

Amplificatoarele sunt circuite electronice analogice deoarece

prelucrează semnale analogice, adică semnale continue in timp. Ele
îndeplinesc funcţia de amplificare, care constă în mărirea puterii semnalului
aplicat la intrare (de tensiune ui şi curent ii), rezultând un semnal de ieşire de
putere mai mare (de tensiune u0 şi curent i0) pe baza puterii furnizate de o
sursă de alimentare, de obicei de curent continuu (fig.5.1).
ii io
ui uo

Fig.5.1. Schema bloc principială a unui amplificator

Privind amplificatorul ca un cuadripol (diport), se poate scrie relaţia:

p0  u 0 i0  p i  u i ii , (5.1.)
unde pi este puterea instantanee a semnalului de la intrarea amplificatorului,
iar p0 este puterea instantanee a semnalului de la ieşirea amplificatorului.

5.1.1. Parametri. Clasificare

Parametrii amplificatoarelor sunt:
1) Coeficienţii de amplificare:
Pentru orice amplificator, se pot defini 5 coeficienţi de amplificare:
- amplificarea în tensiune, definită astfel:
- pentru amplificatoarele de c.c.:
def U
Au  0 (5.2)
Ui
- pentru amplificatoarele de c.a.:
ju
def U0 U0 e 0 U 0 j u0 ui  not j
Au    e  Au e Au (5.3)
Ui j Ui
U i e ui
- amplificarea în curent, definită astfel:
 - pentru amplificatoarele de c.c.:
def
I
Ai  0 (5.4)
Ii
- pentru amplificatoarele de c.a.:
j
def I0
Ai  
I0 e i0 
I j i i not j
 0 e 0 i  Ai e Ai

I ji I (5.5)
i i
Ii e i
- amplificarea în putere, definită astfel:
- pentru amplificatoarele de c.c.:
def U 0 I0
Ap   Au  Ai (5.6)
U i Ii
- pentru amplificatoarele de c.a.:
def U 0  I0 j j j  A  A  not j
Ap   Au  Ai  Au e Au  Ai e Ai  Au Ai e u i  A e Ap
Ui  Ii
p (5.7)

Unele amplificatoare amplifică în tensiune (de exemplu, se poate

demonstra că etajul de amplificare cu TBJ în conexiune BC amplifică în
tensiune, având Au>>1, dar nu amplifică în curent, având Ai≤1), altele
amplifică în curent (de exemplu, etajul cu TBJ în conexiune CC are Au  1 şi
Ai>>1), iar altele amplifică şi în tensiune şi în curent, deci în putere (de
exemplu, etajul cu TBJ în conexiune EC are Au>1 şi Ai>1, deci Ap>1,
comportându-se cel mai bine ca amplificator dintre toate cele 3 conexiuni
posibile).
Uneori coeficienţii de amplificare pot avea valori mari (de exemplu,
amplificatoarele operaţionale au Au  10 4 ...107 ) şi, de aceea, se preferă
exprimarea mărimii coeficienţilor de amplificare în decibeli [dB], definiţi astfel:
def
Au [ dB ]  20 lg Au (5.8)
def
Ai [ dB ]  20 lg Ai (5.9)
def
Ap [ dB ]  20 lg Ap (5.10)
De exemplu, un amplificator operaţional având Au  10 5 are, în
def
decibeli, o amplificare Au [ dB ]  20 lg 10 5  100dB .
- amplificarea transimpedanta, definită astfel:
- pentru amplificatoarele de c.c.:
def U0
Az 
Ii
- pentru amplificatoarele de c.a.:
 ju
def U0 U0 e 0 U 0 j u0 ii  not j
Az    e  Az e Az
Ii ji Ii
Ii e i

- amplificarea transadmitanta, definită astfel:

- pentru amplificatoarele de c.c.:
def I
Ay  0
Ui
- pentru amplificatoarele de c.a.:
j
Ay 
def I0

I0 e i0

I0 j i0 ui not
e 
  Ay e
j A
y
Ui U e i Uij u
i

2) Banda de frecvenţă:
Teoretic, coeficientul de amplificare A al unui amplificator ideal nu
depinde de frecvenţa f   / 2 a semnalului de intrare aplicat
ui  U i sin  t    . În realitate, coeficientul de amplificare se menţine constant
doar într-un anumit domeniu de frecvenţe, în afara acestui domeniu modulul
acestuia A , notat cu A, scăzând ca în fig.5.2, valabilă pentru un amplificator
de medie frecvenţă.
A
 B  f s  fi
A0 fi fs

A0 2
 4
 2
fi fs f
B  f s  fi

a) ilustrarea pe caracteristica amplitudine-

b) ilustrarea pe caracteristica fază-frecvenţă
frecvenţă
Fig.5.2. Ilustrarea benzii de frecvenţă a unui amplificator de medie frecvenţă

Conform standardelor internaţionale, se defineşte banda de frecvenţă a

amplificatorului prin relaţia:
B  f s  fi , (5.11)
unde fi este frecvenţa limită inferioară de lucru a amplificatorului, fs este
frecvenţa limită superioară, ambele fiind definite ca frecvenţele la care
amplificarea A scade la 1 / 2  0,707 din valoarea sa maximă ideală A0, ceea
ce în decibeli înseamnă o scădere cu 3 dB. Domeniul de frecvenţe de lucru al
amplificatorului este definit ca intervalul  fi , f s  .
3) Impedanţele de intrare şi de ieşire:
- impedanţa de intrare este definită astfel:
- pentru amplificatoarele de c.c.:
def Ui
Zi  (5.12)
Ii
- pentru amplificatoarele de c.a.:
j
def U i U i e ui U i j ui ii  not j
Zi    e  Z i e Zi (5.13)
Ii j Ii
Ii e ii
- impedanţa de ieşire este definită astfel:
- pentru amplificatoarele de c.c.:
def Uo
Zo  (5.14)
Io
- pentru amplificatoarele de c.a.:
ju
def Uo Uoe o U o j uo io  not j
Zo    e  Z0 e Z o (5.15)
Io ji Io
Io e o

4) Gradul de distorsiune:
Ideal, semnalul x0(t) de la ieşirea unui amplificator (tensiune, curent sau
chiar putere) se obţine printr-o multiplicare de k ori şi o întârziere  a
semnalului xi(t) de la intrarea amplificatorului:
xo ( t )  k  xi ( t   ) , (5.16)
unde x0(t) păstrează forma graficului semnalului xi(t). În realitate,
amplificatoarele reale pot introduce distorsiuni, adică se strică (se modifică)
forma sinusoidală a semnalului de la intrare.
Distorsiunile se clasifică în distorsiuni liniare şi distorsiuni neliniare.
Distorsiunile liniare se subclasifică la rândul lor în distorsiuni de
amplitudine şi distorsiuni de fază. Ambele sunt datorate variaţiei coeficientului
de amplificare A cu frecvenţa unghiulară  , ca amplitudine A respectiv ca
fază  A ( ) (fig.5.2). Evitarea distorsiunilor liniare se face dacă amplificatorul
lucrează în banda sa de frecvenţă, unde amplificarea se consideră
aproximativ constantă.
Distorsiunile neliniare se datorează neliniarităţilor caracteristicilor
dispozitivelor electronice ce intra in componenta schemei amplificatorului şi
sunt evaluate prin gradul de distorsiune THD (Total Harmonic Distorsion):

2
def  Pn
 100 %  ,
n2
THD  (5.17)
P1
parametru specific semnalelor (vezi Cursul 1) în care P2, P3, ... sunt puterile
corespunzătoare armonicelor superioare de rang n  2 , iar P1 este puterea
fundamentalei (armonica n=1), toate referitoare la semnalul de ieşire.
 În diferite domenii de aplicatie ale electronicii, THD poate lua anumite
valori dintr-un domeniu admisibil. De exemplu, pentru aparate de măsură şi
control gama de variaţie acceptabilă a gradului de distorsiune este
THD  0,01%...0,05%, în radiocomunicaţii THD  1%...5% , iar în telefonie
THD  5%...15%.

5) Randamentul unui amplificator se defineşte prin relaţia:

P
  sarcina  100 [%] , (5.18)
Psursa
în care Psarcina este puterea utila furnizata sarcinii (la ieşirea amplificatorului),
iar Psursa este puterea generata de sursa de alimentare. În funcţie de tipul de
amplificator (de c.c. sau de c.a.), puterile se calculează ca valori medii pentru
amplificatoarele de c.c., respectiv ca valori efective pentru amplificatoarele de
c.a.

Clasificarea amplificatoarelor se poate se poate face după mai multe

criterii, pe baza parametrilor amplificatorului, definiţi anterior:
a) în funcţie de natura semnalului de intrare şi a celui de ieşire, există:
- amplificatoare de c.a., dacă semnalele amplificate sunt de c.a. şi pot fi
în continuare clasificate, în regim liniar în RAN, în funcţie de clasa de
amplificare A, B, AB ş.a.; o categorie aparte este constituită de
amplificatoarele în care dispozitivul lucrează în regim neliniar de
impulsuri etc.
- amplificatoare de c.c., dacă semnalele sunt fie continue (de c.c.), fie de
c.a. lent variabile în timp;
b) în funcţie de mărimile electrice alese ca semnale de intrare şi de ieşire,
precum şi de valorile coeficienţilor de amplificare şi impedanţelor de intrare şi
de ieşire, există de exemplu:
- amplificatoare de tensiune, caracterizate prin coeficientul de amplificare
în tensiune definit prin una dintre relaţiile (5.2) sau (5.3), Z i cât mai
mare (ideal Z i   ) şi Z 0 cât mai mică (ideal Z 0  0 );
- amplificatoare de curent, caracterizate prin coeficientul de amplificare
în curent definit printr-una dintre relaţiile (5.4) sau (5.5), Zi cât mai mică
(ideal Z i  0 ) şi Z 0 cât mai mare (ideal Z 0   );
Exista si amplificatoare de putere, amplificatoare transimpedanta si
amplificatiare transadmitanta. De asemenea, menţionăm că tipurile de
amplificatoare definite mai sus se apropie de valorile ideale prin
aplicarea teoriei reacţiei, ce va fi explicată în Cursul 6 imediat următor.
De asemenea menţionăm şi existenţa amplificatoarelor de putere, în
caz că amplificatorul e simultan şi amplificator de tensiune şi ampificator
de curent.
c) în funcţie de lăţimea benzii de frecvenţă, există:
- amplificatoare de bandă îngustă, cum ar fi amplificatoarele radio;
 - amplificatoare de bandă largă, cum ar fi, de exemplu, amplificatorul
pentru semnalul video, cu banda situată în gama (0 Hz , 6MHz) ;
d) în funcţie de poziţia benzii de frecvenţă, există:
- amplificatoare de joasă frecvenţă (JF), cu frecvenţa limită superioară
f s  100 kHz ;
- amplificatoare de medie frecvenţă (MF);
- amplificatoare de înaltă frecvenţă (ÎF), având f s  zeci de MHz ;
- amplificatoare de foartă înaltă frecvenţă (FIF), având
 
f s  10 2 MHz, 10 4 MHz , utilizate în comunicaţii spaţiale.
e) în funcţie de amplitudinea semnalelor de intrare, implicit de existenţa sau
nu a distorsiunilor, există:
- amplificatoare de semnal mic, la care amplitudinea semnalului de
kT
intrare U i  VT   25mV , unde VT este potenţialul termic,
q T 300 K
definit în Cursul 2, care sunt implicit amplificatoare liniare deoarece nu
apar distorsiunile liniare, amplificatorul încadrându-se în banda de
frecvenţă unde coeficientul de amplificare e aproximativ constant;
- amplificatoare de semnal mare, numite şi amplificatoare neliniare
datorită existenţei distorsiunilor ce strică forma semnalului de ieşire
comparativ cu forma sinusoidală a semnalului de intrare.
f) în funcţie de tipul dispozitivelor electronice utilizate în construcţia
amplificatorului, există: amplificatoare realizate cu TBJ, amplificatoare
realizate cu TEC, amplificatoare mixte (cu TBJ şi TEC) etc.
g) în funcţie de modul de realizare a amplificatorului, există: amplificatoare
realizate cu componente discrete și amplificatoare integrate, realizate sub
formă de circuit integrat analogic liniar.
h) în funcţie de numărul de etaje de amplificare, există: amplificatoare
realizate cu un singur etaj de amplificare şi ampificatoare cu mai multe etaje
de amplificare, realizate prin conectarea în cascadă (unul dupa altul) a mai
multor etaje de amplificare cu sau fără reacţie negativă.
De regulă, amplificatoarele integrate sunt amplificatoare cu mai multe
etaje de amplificare (fig.5.3). Etajul de intrare (preamplificator) este un
amplificator diferenţial. Etajul de amplificare intermediar poate fi realizat cu
TBJ în conexiune emitor comun (EC) sau cu TEC în conexiune sursă comună
(SC). Datorită amplificării în tensiune nu prea mari, de ordinul zecilor, pot fi
conectate în cascadă (puse unul după altul) şi 2 sau 3 astfel de etaje.
Amplificarea în tensiune a acestui grup intermediar se calculează ca produsul
amplificării în tensiune a fiecărui etaj, rezultând astfel o amplificare mărită.
Etajul de ieşire (etajul de putere) poate fi un etaj în clasă A de funcţionare, sau
un etaj în clasă B, cuplajul între etaje putând fi de tip cuplaj direct (printr-un
simplu fir), cuplaj prin transformator sau cuplaj RC.
ui uo

Fig.5.3. Exemplu de amplificator realizat cu 3 etaje de amplificare

5.1.2. Amplificatoare de curent alternativ

Acestea sunt circuite destinate amplificării semnalelor, care au
componente alternative de frecvenţă f  0 . Au aplicaţii în amplificarea
semnalelor de audio sau videofrecvenţă, în acţionările motoarelor de c.a., în
sisteme de automatizări ş.a.
În lanţul de amplificare pot fi întâlnite etaje de amplificare cu
funcţionare în diverse clase şi regimuri de funcţionare. De asemenea,
interconectarea între etajele de amplificare, între sursa de semnal şi intrare,
sau între ieşirea amplificatorului şi sarcină sunt astfel realizate încât să fie
create căi de separare între circuitele de curent continuu, care au rolul de a
fixa independent punctele de funcţionare în regim static pentru tranzistoare şi
circuitele de curent alternativ.
În cele ce urmează, prezentăm principiile de realizare a etajelor de
curent alternativ şi analiza privind eficienţa acestora în regim liniar de
funcţionare în clasa A şi B, realizate cu elemente de cuplaj RC sau inductiv
prin transformator.

Amplificatoare cu funcţionare în clasa A

În mod obişnuit sunt utilizate ca etaje de semnal mic la intrarea în
lanţul de amplificare pentru obţinerea unor semnale amplificate cu distorsiuni
minime, dar pot fi folosite şi ca etaje finale pentru puteri moderate  10W . Pot
fi realizate cu tranzistoare bipolare sau unipolare.

Amplificator clasă A cu cuplaj RC

Schema unui etaj de amplificare cu tranzistor bipolar TNJ tip npn este
dată în fig.5.4.a. Etajul de amplificare are cuplate capacitiv atât sursa de
semnal de intrare ui , cât şi ieşirea uo la circuitul de sarcină – care poate fi şi
un alt etaj amplificator.
  Ec
ui

R B1 RC
CS
io  2 t
Ri Ci
T
uo io uo
ui uo RS io
RB 2 RE CE
t
2

b) Forme de undă pentru semnalele de intrare

a) Schema etaj de amplificare
şi ieşire
ic
1  Ec
ic md   I CM
Ic
Rc Rs R t
M
m  1 R
U CE
M 1 ic
Ic ms   Ec uCE
Rc  RE T uCE

U CE Ec uCE U CEM

uCE
t
c) Dreptele de sarcină statică şi d) Model elementar de amplificator şi formele
dinamică în planul ic uCE  de undă la ieşire.
Fig.5.4. Amplificator clasă A cu cuplaj RC

Tranzistorul amplificator se găseşte în regim liniar de amplificare în

clasa A cu un ecart unghiular 2  2 , adică pe tot intervalul în care acesta
este aplicat etajului de amplificare, fig.5.4.b).
Punctul static de funcţionare în circuitul de intrare este determinat de
divizorul R B1 , R B 2 , iar în circuitul de ieşire de rezistenţele RE şi RC . În c.c.
panta dreptei de sarcină este m s = -1/ RC  RE . Semnalul util de c.a. la ieşire,
uo este cules la bornele unei rezistenţe echivalente de sarcină R  RC RS . În
regim de c.a. reactanţele condensatoarelor Ci , C E şi C S la frecvenţa de
lucru  a amplificatorului sunt de valori foarte mici. Condensatorul Ci asigură
separarea galvanică în c.c. a sursei de semnal ui , cu circuitul de polarizare
EC , R B1 şi R B 2 . Condensatorul C S separă circuitul de colector şi sarcina RS
în c.c., iar condensatorul C E conectează în c.a. emitorul tranzistorului la
masă, scurtcircuitând rezistenţa R E introdusă pentru stabilizarea punctului
static de funcţionare la variaţiile de temperatură. Prezenţa condensatoarelor
C S şi C E determină pante diferite ale dreptelor de sarcină în c.c. şi respectiv
în c.a. (fig.5.4.c). Panta dreptei de sarcină în c.a. este m d  1 / ( RC RS )
 Determinarea randamentului amplificatorului în clasă A cu cuplaj RC
este efectuată în ipoteza amplificatorului ideal din fig.5.4.d), care are sarcina
statică şi cea dinamică de valoare R. În c.c. punctul static de funcţionare M
are coordonatele I c , U CE . La aplicarea unui semnal alternativ sinusoidal ui
la intrarea acestuia, la ieşire în circuitul de sarcină se obţine un curent:
iC  kI CM sin t , (5.19)
unde k  0, 1 este un coeficient ce arată cât din amplitudinea maxim posibila
ICM a curentului iC(t) este folosită la un moment dat, iar I CM  I C  U CE / R
este valoarea maximă a curentului amplificat. Randamentul este definit ca
raportul dintre puterea utilă de semnal şi puterea consumată de la sursa de
c.c., de tensiune EC .
Puterea de semnal (pe sarcina) este:
2
1 2 k 2 I CM
2
R k 2 EC I C
PS   kI CM sin t  Rd t    , (5.20)
2 0 2 4
iar puterea generata de la sursa de c.c. este:
Pcc  EC I C , (5.21)
Rezultă randamentul amplificatorului clasă A cu cuplaj RC:
Ps k 2
  , (5.22)
Pcc 4
valoarea maximă obţinându-se pentru k=1, anume   25% .
Randamentul este influenţat de mărimea semnalului amplificat
  0  0 ,25  , având o valoare maximă destul de mică. Puterea de c.c.
consumată de la sursă şi care nu este transformată în putere de semnal se
disipă pe tranzistorul amplificator, PT :
k 2 Ec I c  k 2   k 2 
PT  Pcc  Ps  Ec  I c  
 Ec I c 1  P  1 (5.23)
4  4  cc max  4 
  
Puterea disipată pe tranzistor este maximă în absenţa semnalului de
intrare (k=0), PT max  Pcc max şi este minimă pentru semnal maxim (k=1),
PT min  0 ,75 Pcc max .

Amplificator clasă A cu cuplaj prin transformator

Cuplajul de tip inductiv reprezintă o altă modalitate de izolare galvanică
între diverse componente ale unui amplificator. Astfel, în fig.5.5.a) este
prezentat un etaj de de amplificare în clasă A, având sarcina cuplată prin
transformator.
În c.c., în absenţa semnalului de intrare, tranzistorul se găseşte în
punctul static de funcţionare, panta dreptei de sarcină fiind ms  1 R E , în
condiţia de neglijare a rezistenţei de curent continuu a primarului
transformatorului. În curent alternativ, având la frecvenţa de lucru reactanţa
1 CE  RE , panta dreptei de sarcină în regim dinamic este md   1 R* ,
unde R*  n1 n2 2 R este rezistenţa de sarcină R reflectată în primarul
transformatorului, fig.5.5.b).
ui

 Ec  2 t
n1 : n2

R
ic ic
RB1 ic Tr 2 I CM ms   1 RE
Ci Ic I CM
T Ic
md  1 R*

ui RB 2 RE CE
t
Ec 2 Ec uCE
uCE
U CEM
Ec

t

b) dreptele de sarcină în
a) Schema electrică c) forme de undă
regim static şi dinamic
Fig.5.5. Etaj de amplificare clasă A cu cuplaj prin transformator al sarcinii

Aplicând la intrare un semnal sinusoidal ui , la ieşire în colectorul

tranzistorului se obţin, în condiţii ideale, tensiuni şi curenţi sinusoidali
(fig.5.5.c). Dacă rezistenţa R E este foarte mică, atunci în punctul static
U CE  EC excursia maximă în c.a. a tensiunii în colectorul tranzistorului T
este U CE max  2 EC .

Aplicaţia A5.1.
Pentru circuitul de amplificare, având cuplaj cu transformator ideal cu
raport de transformare n2 n1  1 , din fig.5.5.a) să se determine: a) puterea
de semnal în regim sinusoidal; b) puterea absorbită de la sursa de alimentare;
c) randamentul; d) puterea disipată de tranzistor şi valoarea maximă a
acesteia.
Semnalul aplicat la intrarea etajului de amplificare este de forma
ui  kU sin t , k  0 ; 1 , tensiunea la saturaţie U CEsat  0 , iar curentul
rezidual I co  0 .

Soluţie:
În condiţiile menţionate semnalul în colector este:
ic  kICM sin t , I CM  I C , U CEM  EC şi I CM  EC R .
a) Puterea de semnal se calculează:
 1 2 k 2 I CM R k 2 EC I CM
 kI CM sin t  Rd t  
2
Ps  
2 0 2 2
b) Puterea de c.c. rezultă:
Pcc  Ec I c  Ec I CM
c) Randamentul se obţine:
Ps k 2
  ,
Pcc 2
având k  0, 1 ,   0  0 ,5  , maximul acestuia de 50% fiind obținut pentru
k=1.
d) puterea disipată de tranzistor este:
k2  k2 
PT  Pcc  Ps  Ec I CM  I CM Ec  Pcc  1  
2  2 
 
PT max  PT k 0  Pcc .

Etaje de amplificare în clasă B

În acest regim de funcţionare fiecare tranzistor amplificator conduce o
semialternanţă din semnalul aplicat la intrare, randamentul obţinut fiind
superior celui obţinut în clasă A. Acest lucru determină utilizarea etajelor de
amplificare în clasă B ca etaje finale de putere în lanţul de amplificare.

Etaj de amplificare clasă B în contratimp

În fig 5.6.a) este reprezentată schema de principiu a unui amplificator
clasă B cu cuplaj direct. Formele de undă reprezentate în fig.5.6.b) relevă
principiul care stă la baza funcţionării amplificatoarelor în clasă B, anume
deoarece curentul în sarcina R este suma curenţilor de colector ai celor două
tranzistoare iar fiecare tranzistor conduce câte o semialternanţă a semnalului
de intrare sinusoidal, rezultă că şi curentul în sarcină, în condiţii idele, îşi va
păstra forma sinusoidală, cele două tranzistoare T1 și T2 funcţionând în
contratimp (pe rând, când unul conduce o semialternanță celălalt este blocat
și reciproc în cealaltă semialternanță).
ic1 iB

RB  2 t
iB
T1 Ec1
ui iC
i R
 2 t
Ec 2 i
T2 I CM
 2 t
ic 2

a) schema de principiu b) forme de undă

Fig.5.6. Amplificator în clasă B in contratimp
 Calculul randamentului
Considerând un semnal de curent sinusoidal i  kI CM sin t , unde
I CM  Ec R şi k  0 ,1 , în circuitul de sarcină se disipă puterea medie:
1 2 k 2 Ec2
Ps   2  kI CM sin t  Rd t  
2
, (5.24)
2 0 2R
În regim de curent continuu, componenta furnizată de sursa de
alimentare este egală cu suma valorilor medii ale curenţilor prin fiecare
tranzistor:
I c  I c1  I c 2 , (5.25)
1 2 kI CM kEc
I c1  I c 2   kI CM sin t d t    , (5.26)
2 0  R
iar puterea de curent continuu se obţine:
2 kEc2
Pcc  Ec  I c  , (5.27)
R
Randamentul amplificatorului în clasă B este:
P 
 s k , (5.28)
Pcc 4
pentru k  0, 1 rezultând randamente   0 ; 78,5 % , mai mari decât cele
obținute cu amplificatoarele clasă A.
Puterea PT disipată de cele două tranzistoare, considerate aici ca fiind
simetrice ca parametri, este:
2 kEc2 k 2 Ec2  k 2 
PT  Pcc  Ps   
 Pcc max k  , (5.29)
R 2R  4 
 
unde Pcc max  Pcc  2 Ec2 R . Puterea maximă disipată este
k 1

1
PT max  PT 2  Pcc max , fiecare tranzistor, în condiţii de simetrie,
k 

disipând jumătate din această putere.
Comparând expresiile puterilor maxime disipate în clasele A şi B pe un
tranzistor amplificator rezultă, în aceleaşi condiţii de sarcină şi semnal, o
solicitare mai mare în clasă A faţă de clasa B de aproximativ  ori, aceasta
confirmând utilizarea în etajele de ieşire (de putere) a amplificatoarelor în
clasă B.

Etaj de amplificare clasă B cu tranzistoare serie

Pentru eliminarea dezavantajului privind utilizarea a două surse de
alimentare poate fi utilizată o topologie de amplificator cu tranzistoare
complementare conectate în serie (fig.5.7.a). Cele două tranzistoare finale T1
şi T2 au sarcina cuplată prin condensator. Pentru a menţine simetria de
funcţionare în acest tip de circuit, semnalul aplicat în baze trebuie să fie
identic. La alternanţa pozitivă a semnalului de intrare ui (fig.5.7.b) conduce
T1, iar la cea negativă T2. Ambele tranzistoare lucrează ca repetoare pe
emitor, comanda acestora făcându-se cu tranzistorul T3 cu funcţionare în
clasă A. Cele două diode D1 şi D2 au căderea de tensiune u BB şi asigură un
regim liniar de funcţionare necesar polarizării tranzistoarelor T1 şi T2, în
vederea reducerii distorsiunilor.
 Ec
ui
RB
 2 t
B1 T1
D1 i1 i1 i1 i2
C
u BB i   i2
D2 i 2 uc  2 t
B2 T2 R i
I CM
T
ui  2 t

a) circuit b) forme de undă

Fig.5.7. Etaj de amplificare clasă B cu tranzistoare serie si sarcină cuplată prin
condensator

În regim staţionar de funcţionare condensatorul electrolitic (polarizat) C

are la bornele sale componenta continuă U c0  Ec 2 , acesta izolând galvanic
sarcina de sursă.

5.1.3. Amplificatoare de curent continuu

Amplificatoarele de curent continuu au limita inferioară a benzii de
frecvenţă zero. Acestea pot reda la ieşire componenta continuă a semnalului
de intrare, cât şi variaţiile lente de semnal în curent alternativ, având o largă
aplicabilitate în sistemele de reglare automată. Amplificatoarele analizate
anterior (de exemplu, amplificatorul cu cuplaj RC) nu pot fi utilizate deoarece
componenta de c.c. nu poate fi transmisă printr-un condensator real, de
valoare finită. Astfel un model elementar de amplificator din fig.5.8.a) cu
sarcină cuplată prin condensator are amplificarea:
U2 j RC
 A0 e   ,
RI j 
A   (5.30)
U1 ( R  1
)I 1  j RC
jC
unde A0  U 2 / U 1 este modulul coeficientului de amplificare in tensiune A al
amplificatorului,    este faza sa, U1 este reprezentarea fazorială a tensiunii
de intrare sinusoidală u1( t )  U 1 sin t , iar U 2 este reprezentarea fazorială a
tensiunii de intrare sinusoidală u2 ( t )  U 2 sin t ,.
 În reprezentare exponenţială avem:
 0
A A e    e  ,
j  j 
0 12
(5.31)
1    2 
0 
 
not
în care 0  1 RC , iar     arctg(  / 0 ) este faza funcţiei de amplificare.
Reprezentarea din fig.5.8.b) a modulului amplificării funcţie de frecvenţă
arată că la frecvenţa   0 , acesta descreşte semnificativ, iar la frecvenţe
joase – în curent continuu – semnalul de ieşire devine zero. Rezultă că
amplificatoarele de c.c. reale pot fi realizate numai cu circuite de cuplaj direct,
de tip rezistiv, asigurându-se transmiterea variaţiilor lente ale semnalului de
intrare inclusiv componenta continuă a acestuia.

A0
C
A0

A0
A0  u1 u2 2
R

1 10 100  o

a) circuit b) amplificarea
Fig.5.8. Model de amplificator având cuplaj RC între sursă şi sarcină

Prezentăm în continuare metode şi circuite de cuplare directă a

amplificatoarelor de c.c. În fig.5.9 sunt ilustrate câteva moduri de cuplare
directă a etajelor de amplificare.

 EC

 EC Rc1 Rc 2

Rc1 Rc 2 T1
U CE1

T1 T2 U2 Uz
U CE1 T2
U1 U2
U1 U BE 2
RB1 U BE 2

 EB

a) cuplaj colector-bază b) cuplaj prin divizor rezistiv c) cuplaj cu diodă Zener

Fig.5.9. Etaje de amplificare în c.c. cu cuplaj direct
 Etaje nesimetrice cu cuplare directă (fig.5.9.a)
Tranzistoarele T1 şi T2 alcătuiesc două etaje de amplificare cu emitor
comun. Deoarece polarizarea tranzistorului T2 se obţine direct din colectorul
lui, T1 limitează valoarea maximă a tensiunii la valoarea
U CE 1 max  U BE 2 sat  0.6V când T1 intră în saturaţie, deci în regim neliniar de
amplificare. Amplificarea A a amplificatorului este
U 2 U CE 1 U 2
A    A1 A2 , (5.32)
U 1 U 1 U CE 1
unde A1 şi A2 sunt amplificările individuale ale celor două etaje.

Etaje de amplificare cu cuplaj prin divizor rezistiv (fig.5.9.b)

Pentru eliminarea dezavantajului privind limitarea semnalului
amplificat, se poate utiliza un divizor rezistiv cu RB1 ,RB2 între etajele de
amplificare. Amplificarea rezultată este:
U 2
A  A1  A2  k , (5.33)
U 1
unde k  RB1 ( RB1  RB2 )  0, 1
Deşi amplificarea este mai mică decât în cazul precedent, tensiunea
maximă la ieşirea primului amplificator (în condiţiile neglijării curentului de
bază al tranzistorului T2 faţă de curentul prin divizorul RB1 ,RB2 ) este:
U BE 2 sat  kE B
U CE 1 max  , (5.34)
1 k
deci rezultă U CE 1 max  U BE 2 sat .

Etaje de amplificare cu cuplaj prin diodă Zener (fig.5.9.c)

Dacă în locul rezistenţei RB2 este introdusă o diodă Zener
stabilizatoare de tensiune, variaţiile de tensiune ce apar în colectorul lui T1 se
transmit aproape integral în baza lui T2, deoarece rezistenţa dinamică a diodei
Zener este foarte mică în comparaţie cu RB2 . Factorul de divizare k  1 , iar
amplificarea este redusă nesemnificativ faţă de prima situaţie, tensiunea
maximă în colectorul primului tranzistor fiind mai mare decât în cazul
cuplajului direct:
U CE max  U z  U BE 2 sat , (5.35)

Influenţa variaţiei cu temperatura a parametrilor dispozitivelor de

amplificare asupra tensiunii de ieşire constituie dezavantajul major al acestor
amplificatoare. Pentru a evidenţia fenomenul, să considerăm amplificatorul din
fig.5.10.a) şi caracteristicile i B  f u BE  , la parametri de temperatură  2   1 ,
fig.5.10.b).
  EC
Rc1 Rc 2

I B RB1 T1 T2 U2
U CE1
U BE 1 U BE 2
EB

b) influenţa cu temperatura în
a) schemă nesimetrică cu cuplaj direct caracteristicile de intrare
i B  f u BE 
Fig.5.10. Influenţa variaţiei cu temperatura a parametrilor tranzistoarelor în cuplajul
direct

Ecuaţia Kirchhoff în circuitul de intrare al lui T1 este:

EB  RB1 I B  U BE1 (5.36)
Dreapta de sarcină dată de relaţia (5.36) intersectează caracteristicile
de intrare i B  f u BE  în punctele I B  1  . Variaţia în
 1  şi respectiv I B
1 2
curentul de intrare I B1  I B  1  I B
 1 în condiţiile tensiunii de intrare
u1  E B  const determină o variaţie U BE 1 a tensiunii de ieşire deci nu ca
urmare a variaţiei tensiunii de intrare ci datorită variaţiei cu temperatura a
joncţiunii BE a tranzistorului T1. Se obţine la ieşirea tranzistorului T1 un
semnal de c.c. care nu e determinat de variaţia semnalului de intrare, ceea ce
se constituie într-un element de eroare.
Erori similare pot fi determinate şi de variaţiile surselor de alimentare,
ale parametrilor componentelor rezistive ş.a., acestea constituind principalele
elemente de dificultate în realizarea amplificatoarelor de c.c. cu etaje
nesimetrice cuplate direct.

5.1.4. Amplificatorul diferenţial

Eliminarea deficienţelor privind influenţa cu temperatura a parametrilor
dispozitivelor de amplificare poate fi realizată prin simetrie electrică
materializată la amplificatoarele diferenţiale. Schema elementară a
amplificatorului diferenţial şi modelul de analiză sunt prezentate în fig.5.11.a)
şi b).
 E

RC1 RC 2

ic1 Uo ic 2
RB1 RB 2

U i1 Ui2
iE1 iE 2

iE

RE

E

b) model de analiză, echivalat cu generator

a) circuit
de curent comandat
Fig.5.11. Amplificator diferenţial

La acest amplificator variaţiile simetrice de parametri produc variaţii

simetrice la ieşiri. Astfel, la modificarea temperaturii ambiante, cele două
tensiuni bază-emitor UBE1 şi UBE2 variază simultan, la ieşire efectul în
tensiunea diferenţială fiind anulat. Curentul prin rezistenţa RE rămâne
constant, acest fapt putând fi evidenţiat în modelul de analiză printr-un
generator de curent constant, de valoare 2I0 .

Calculul amplificării diferenţiale

Curenţii de ieşire pentru cele două tranzistoare sunt:
 u BE1 VT i
ic1  I0  i0   iE1   I s e  u BE1  VT ln c1
  Is

i  I  i   i   I eu BE2 VT  u ic2 , (5.37)
 V ln
 c2 0 0 E2 s BE2 T
 Is
în care in expresiile curentilor iC1 si iC2 au fost evidenţiate atat componentele
lor de curent continuu (notate I 0 ) cat şi variaţiile acestora de semnal mic
(notate i0 ), VT fiind potentialul termic.
Neglijand curenţii de bază, obţinem (vezi pe fig.5.11b):
iE1  iE2  iC1  iC2  2I0  cons tan t (5.38)
Aplicand teorema Kirchhoff pe fig.5.2b), se obtine tensiunea diferentiala
de intrare:
i I i
ui  u BE1  u BE2  VT  ln C1  VT  ln 0 0 (5.39)
iC 2 I0  i0
din care rezulta expresia curentului i0 :
 ui
VT  u 
e  1 not
io  I o  I0  th  i 
ui
 2VT  , (5.40)
VT
e 1
unde th( ui 2VT ) este functia matematica numita tangenta hiperbolica, care se
defineste pentru un argument oarecare σ astfel:
def e2  1 i
not u
th(  )  , in cazul nostru σ fiind notata expresia   2V .
2
e 1 T
Aplicand teorema Kirchhoff pe fig.5.2b) se obtine si tensiunea
diferenţială la ieşire:
uo  Rc  I o  i0   Rc  I o  i0   2Rc i0 , (5.41)
In final, inlocuind (5.40) in (5.41) se obţine expresia tensiunii de iesire:
u
2 i
2VT
 1 not
e u
uo  2I o Rc   2I o Rc  th( i )
u
2 i 2VT (5.41)
2VT
e 1
OBS: Pentru variaţii mici ale semnalului de intrare situate în jurul originii, se
 ui  ui
poate face aproximarea th   , amplificarea etajului diferenţial fiind:
 2VT  2VT
ui not u R I
u0  2Rc I0   Ad  o  c o (5.42)
2VT ui VT
Relatia (5.42) imediat anterioara arata ca amplificatorul diferenţial are
amplificarea dependentă de valoarea generatorului de curent constant I 0 ,
fapt ce permite utilizarea acestuia în circuitele de multiplicare analogică.
Astfel, dacă înlocuim generatorul de curent 2 I o cu un generator de curent
constant comandat (reglabil) - de exemplu cu un circuit de tip amplificator
repetor pe emitor (fig.5.11b, zona punctată) -, obţinem un multiplicator
analogic. Astfel, daca se considera ca mărimile analogice de multiplicat au
expresiile ui  x (necomandat) si u y  y (comandat), ieşirea circuitului este:
R I
uo  z  Ad  ui  c o  ui  k  x  y , (5.43)
VT
în care y  2 RI o și k  Rc 2RVT , demostrandu-se astfel proprietatea de
multimplicare analogica ponderata cu constanta k a doua semnale aplicate la
intrarea amplificatorului diferential, anume a tensiunii diferenţiale de intrare
ui  x şi a tensiunii de comandă a generatorului de curent constant u y  y
(vezi fig.5.11.b).
Amplificatorul diferenţial este utilizat atât în aplicaţiile privind
amplificarea semnalelor de c.c. cât şi a celor de c.a. Acest circuit, remarcabil
ca performanţe şi stabilitate, este utilizat ca circuit de intrare la majoritatea
amplificatoarelor operaţionale.
 CURS 6
TEORIA REACȚIEI

5.2. REACŢIA ÎN AMPLIFICATOARE

5.2.1. Principiul reacţiei. Tipuri de circuite cu reacţie
5.2.2. Amplificarea amplificatoarelor cu reacţie
5.2.3. Avantajele reacţiei negative
5.2.4. Topologii de amplificatoare cu reacţie

5.2. REACŢIA ÎN AMPLIFICATOARE

5.2.1. Principiul reacţiei. Tipuri de circuite cu reacţie

Prin reacţie se înţelege preluarea (operaţie numită eşantionare) unei
fracţiuni  din semnalul X 0 de la ieşirea unui amplificator şi aducerea sa la
intrarea acestuia pentru a fi comparată cu semnalul X i de la intrarea
amplificatorului. Se obţine astfel un circuit cu reacţie (fig.5.12) compus dintr-un
amplificator fără reacţie şi un circuit realizat cu componente pasive de precizie
numit atenuator de precizie sau reţea de reacţie.

Xo
A
Xi

Xi X
Xo Xo
Ao 
X

Xr

Xr
 Xo

Fig.5.12. Schema bloc principială a unui circuit cu reacţie

În schema bloc principială a unui circuit cu reacţie din fig.5.12 s-au

j
utilizat următoarele notaţii: X i  X i e i - semnalul de intrare în amplificatorul
j o
cu reacţie, X o  X o e - semnalul de ieşire atât din amplificatorul fără

reacţie cât şi din amplificatorul cu reacţie, X r  X r e jr - semnalul de la

 j
ieşirea reţelei de reacţie, X   X i  X r  X  e  - semnalul de eroare de la
ieşirea elementului de comparaţie EC realizat cu sumatorul Σ), ca semnal de
intrare în amplificatorul fără reacţie, A0  X 0 / X  - amplificarea
amplificatorului fără reacţie, A  X 0 X i - amplificarea amplificatorului cu
reacţie și   X r X 0 - funcţia de transfer a reţelei de reacţie.
În aceeaşi fig.5.12 se observă că semnalul de eroare X  se obţine prin
sumarea algebrică realizată practic de comparatorul Σ a semnalului de intrare
X i şi a semnalului de la ieşirea reţelei de reacţie X r . Se pot defini două
tipuri de circuite cu reacţie:
 oscilatoare cu reacţie: în care caz X r se adună cu X i pentru a se
obţine X  (se ia semnul + în fig.5.12), iar reacţia se numeşte pozitivă;
 amplificatoare cu reacţie: în care caz X r se scade din X i pentru a se
obţine X  (se ia semnul – în fig.5.12), iar reacţia se numeşte negativă.
În concluzie, există oscilatoare cu reacţie pozitivă şi amplificatoare cu
reacţie negativă. De regulă, în practică nu se mai menţionează tipul de reacţie
(pozitivă sau negativă), subînţelegându-se că teoria reacției specifică acestor
circuite este cunoscută.
În cadrul subcapitolului 5.2. ne vom ocupa exclusiv de amplificatoare cu
reacţie.

5.2.2. Amplificarea amplificatoarelor cu reacţie

Expresia matematică a amplificării unui amplificator cu reacţie se poate
deduce scriind relaţiile matematice între mărimile din fig.5.12:
A  X0 Xi

 A0  X 0 X 
 (5.44)
  X r X 0
X  X  X
  i r

Rezultă succesiv expresia matematică a dependenţei A  A A0 ,  : 
X0 X0 X0 X A0
A   
Xi X  X r  
1  X r X0  X0 X 1    A0
(5.45)

Relaţia (5.45) arată că:

- amplificarea A a amplificatorului cu reacţie este întotdeauna mai mică decât
amplificarea A0 a amplificatorului fără reacţie, deci introducerea reacţiei are
ca singur dezavantaj scăderea amplificării A0 de ( 1    A0 ) ori. Se notează
prin:
T    A0 (5.46)
transmisia pe buclă şi prin:
 F  1    A0  1  T (5.47)
factorul de reacţie, astfel încât cu aceste notaţii relaţia (5.45) devine:
A0 A0
A  (5.48)
1T F
- pentru amplificatoarele fără reacţie care au modulul amplificării A0 foarte

mare (cazul amplificatoarelor operaţionale, care au  

A0  10 4 , 107 ),
expresia amplificării A0 se simplifică, devenind:
A0 1
A  lim  , (5.49)
A0  1    A0 
deci amplificarea nu mai depinde de A0 ci doar de funcţia de transfer  a
reţelei de reacţie. Pentru a obţine amplificarea A  1 trebuie ca   1 , adică
reţeaua de reacţie să fie un atenuator. Pentru ca valoarea amplificării cu
reacţie A să fie stabilă în timp şi cu temperatura, trebuie ca reţeaua de reacţie
să fie realizată cu componente electrice pasive de precizie. Acesta este
motivul pentru care reţeaua de reacţie mai este denumită şi atenuator de
precizie.
- amplificarea amplificatorului cu reacţie A se poate deduce foarte simplu cu
relaţia (5.45) dacă se cunosc expresiile lui A0 şi  . Din păcate, în practică
blocurile amplificator fără reacţie şi reţea de reacţie din fig.5.12 sunt dificil de
separat şi calculul matematic efectiv al amplificării A poate fi laborios astfel
încât relaţia (5.45) are o valoare mai mult teoretică. Totuşi, ea se aplică pe
unele scheme de amplificatoare mai simple (de exemplu, unele amplificatoare
cu tranzistoare şi diverse scheme cu amplificatoare operaţionale) şi, mai ales,
se foloseşte în demonstrarea avantajelor reacţiei negative.

5.2.3. Avantajele reacţiei negative

În prezent, marea majoritate a amplificatoarelor sunt cu reacţie datorită
efectelor benefice ale reacţiei asupra performanţelor amplificatorului. Astfel,
un amplificator cu reacţie are valori ale parametrilor care nu ar putea fi
obţinute direct, de la amplificatoarele fără reacţie. De aceea, amplificatoarele
integrate sunt şi ele amplificatoare cu reacţie.
Cu preţul scăderii amplificării A a amplificatorului cu reacţie de F ori
faţă de amplificarea A0 a amplificatorului fără reacţie, reacţia negativă aduce
numai avantaje amplificatoarelor fără reacţie, după cum vom demonstra în
continuare în acest subcapitol.

1) Desensibilizarea amplificatorului
Amplificarea A0 a amplificatorului fără reacţie este sensibilă la
modificarea condiţiilor de funcţionare (variaţia tensiunilor de alimentare,
variaţia temperaturii etc) precum şi la dispersia în timp şi cu temperatura a
parametrilor dispozitivelor electronice. Amplificarea A a amplificatorului cu
reacţie este mai puţin sensibilă, deoarece variaţia sa relativă d A / A este:
d A d A d A0 d  A0 

d A0 1 d A0
     
A d A0 A d A0  1    A0  A0 / 1    A0 
F A0
(5.50)

Relaţia (5.50) arată că variaţia relativă d A / A a amplificatorului cu
reacţie este de F ori mai mică decât variaţia relativă d A0 / A0 a
amplificatorului fără reacţie.

Aplicaţia A5.2
Se consideră un amplificator cu reacţie format dintr-un amplificator fără
reacţie având modulul amplificării fără reacţie A0  A0  100 şi o reţea de
reacţie având modulul funcţiei de transfer     0,09 . Se cer: a) modulul
transmisiei pe buclă, T; b) modulul factorului de reacţie, F; c) de câte ori s-a
micşorat variaţia relativă a modulului amplificării amplificatorului cu reacţie faţă
de variaţia relativă a modulului amplificării amplificatorului fără reacţie?

Soluţie:
a) Aplicăm relaţia (5.46) pentru modul:
T   A0  0,09  100  9
b) Amplicăm relaţia (5.47) pentru modul:
F  1  T  1  9  10
c) Conform relaţiei (5.50), variaţia relativă a modulului amplificării
amplificatorului cu reacţie dA/A s-a micşorat de F=10 ori faţă de variaţia
relativă dA0 / A0 a modulului amplificării amplificatorului fără reacţie.

2) Creşterea benzii de frecvenţă a amplificatorului

Produsul amplificare-bandă al unui amplificator este constant, adică:
A0  B0  A  B =constant (5.51)

A A
A0 A0
B0  f 0 s  f 0i
A0 2 A0 2 B0  f 0 s

A A
B  f s  f i  F  B0
A 2 A 2 B  f s  F  B0
f i f0i f0 s f s f
f 0i  f i  0 f0 s f s f

b) amplificator de joasă frecvenţă (JF),

a) amplificator de medie frecvenţă (MF)
de exemplu amplificatorul operaţional
Fig.5.13. Creşterea benzii de frecvenţă a unui amplificator cu reacţie
 În relaţia (5.51) s-au notat prin B0   f 0i , f os  banda de frecvenţă a
amplificatorului fără reacţie, unde f0i este frecvenţa limită inferioară şi f0s este
frecvenţa limită superioară ale amplificatorului fără reacţie. Similar, prin
B   f i , f s  s-a notat banda de frecvenţă a amplificatorului cu reacţie, unde fi
este frecvenţa limită inferioară şi fs este frecvenţa limită superioară ale
amplificatorului cu reacţie, ambele măsurate când amplificarea scade la
1 / 2  0,707 din valoarea maximă (fig. 5.13).
Din relaţiile (5.45), (5.47) şi (5.51) rezultă expresia benzii de frecvenţă B
a amplificatorului cu reacţie:
A0 A0
B  B0  B0  B0 1  A0   F  B0 (5.52)
A A0 / 1  A0 
Relaţia (5.52) arată că banda B a amplificatorului cu reacţie este de F
ori mai mare decât banda B0 a amplificatorului fără reacţie.

3) Creşterea raportului semnal-zgomot al amplificatorului

În sens larg, prin zgomot se înţelege orice semnal parazit (perturbator,
nedorit) X z care poate intra în amplificatorul cu reacţie. Pot să apară 2
situaţii:
- dacă zgomotul intră în amplificatorul cu reacţie suprapus peste
semnalul util X i , atunci reacţia negativă nu are nici un efect asupra raportului
semnal-zgomot X i / X z deoarece cele două semnale sunt combinate şi
reacţia nu poate face deosebirea între ele. În acest caz, este necesară
introducerea unui filtru la intrarea amplificatorului cu reacţie care să reţină
semnalul util şi să elimine (filtreze) semnalul de zgomot;
- dacă zgomotul apare într-un punct din interiorul amplificatorului fara
reacţie, atunci reacţia are efect de micşorare a raportului semnal-zgomot,
după cum vom demonstra în continuare.
Să considerăm amplificatorul fără reacţie ca fiind alcătuit din două etaje
de amplificare (un preamplificator şi un amplificator final de putere) conectate
în cascadă, ca în fig.5.14.
Xz

X
Xi  X1  X2 Xo
Xo
Ao1 
X X1 Ao 2 
X2

Xr
Xo
Ao 
X

Xr
 Xo

Xo
A
Xi

Fig.5.14. Schema bloc a unui amplificator cu reacţie în care zgomotul apare între cele
două etaje componente ale amplificatorului fără reacţie
 În absenţa zgomotului ( X z =0), amplificarea amplificatorului fără reacţie
este:
A0  A01  A02 , (5.53)
unde prin A01 s-a notat amplificarea primului etaj şi prin A02 s-a notat
amplificarea celui de-al doilea etaj, ca în fig.5.14.
În prezenţa zgomotului ( X z  0 ), amplificarea amplificatorului cu
reacţie se poate calcula folosind principiul superpoziţiei conform căruia
semnalul X 0 de la ieşirea amplificatorului cu reacţie se obţine prin sumarea
efectelor separate X 0 (i ) , respectiv X 0 (z ) ale celor 2 semnale de intrare X i ,
respectiv X z :
A01  A02 A02
X 0  X 0( i )  X 0( z )  Xi  Xz , (5.54)
X z 0 X i 0 
1    A01  A02   
1    A01  A02
Raportul semnal-zgomot de la ieşirea amplificatorului cu reacţie se
calculează folosind relaţia (5.54):
X 0( i )
X z 0 Xi
 A01  (5.55)
X 0( z ) Xz
X i 0

Relaţia (5.55) arată că raportul semnal-zgomot de la ieşirea

amplificatorului cu reacţie este de A01 ori mai mare decât raportul semnal-
zgomot de la intrarea amplificatorului cu reacţie.

4) Reducerea neliniarităţilor caracteristicii de transfer a

amplificatorului
Caracteristica de transfer X 0  X 0 ( X  ) a amplificatorului fără reacţie
din fig.5.12 este neliniară datorită neliniarităţilor caracteristicilor de transfer ale
dispozitivelor semiconductoare care le compun. De exemplu, această
caracteristică reală de transfer pentru un amplificator operaţional este dată în
fig.5.15.a), aspectul ei ideal liniar dorit fiind cel din fig.5.15.b).

Xo Xo

X X

a) b)
Fig.5.15 Caracteristica de transfer a unui amplificator operaţional
(a) caracteristica reală neliniară; (b) caracteristica liniarizată ideală
 Caracteristica reală neliniară poate fi liniarizată pe porţiuni, de exemplu
prin 3 semidrepte/segmente de pante diferite (fig.5.16.a), anume:
semidreptele notate cu (1), de pantă tg 1  tg 0   0  A01 ; segmentele
notate cu (2), de pantă tg 2  A02 ; segmentul notate cu (3), de pantă
tg 3  A03 .
Notaţiile anterioare se referă la cazul în care amplificatorul operaţional
face parte dintr-o schema de amplificator cu reacţie, având rolul de
amplificator fără reacţie, respectivele pante reprezentând chiar amplificările
fără reacţie ale diferitelor zone ale caracteristicii de transfer.
Xo Xo
1  0  1  0

2  2
3  3
1 X
1 X
3 3

2 2

a) b)
Fig.5.16. Caracteristici de transfer
(a) caracteristica reală liniarizată prin 3 semidrepte/segmente a amplificatorului
operaţional, ca amplificator fără reacţie; (b) caracteristica liniarizată a
amplificatorului cu reacţie realizat cu amplificatorul operaţional descris prin (a)

Caracteristica de transfer liniarizată a amplificatorului cu reacţie

X 0  X 0 ( X i ) (fig.5.16.b) are pantele (amplificările) obţinute prin aplicarea
relaţiei (5.20) semidreptelor-segmentelor anterioare: semidreptele notate cu

(1’), de pantă: tg1  tg0  A1  A01 /  1   A01   0 ; segmentele notate cu (2’),
'

de pantă: tg 2  A2  A02 /  1   A02  ; segmentul notate cu (3’), de pantă

'

tg 3'  A3  A03 /  1   A03  .

Se observă că reacţia nu are efect asupra zonelor de pantă 0 în care
amplificatorul fără reacţie nu amplifică (în acele zone amplificatorul lucrează în
saturaţie). În zonele cu pantă nenulă, reacţia apropie între ele valorile pantelor
nenule astfel încât caracteristica liniarizată a amplificatorului cu reacţie
(fig.5.16.b) se apropie de cea ideală liniară a amplificatorului fără reacţie
(fig.5.15.b), cu preţul micşorării amplificării amplificatorului fără reacţie,

Aplicaţia A5.3
În fig.5.16.a) se consideră amplificările celor 3 semidrepte/segmente
prin care s-a liniarizat amplificatorul fără reacţie având valorile: A01  0 ,
A02  100 şi A03  1000 . Calculaţi amplificările corespunzătoare A1, A2 şi A3
ale amplificatorului cu reacţie, dacă reţeaua de reacţie are funcţia de transfer
  0,1 . Ce observaţi?

Soluţie:
Aplicând relaţia (5.45) în modul pentru fiecare dintre 3
semidrepte/segmente, obţinem noile amplificări:
A01 0 A02 100 A03 1000
A1    0 , A2    9,1 , A3    9,9
1   A01 1  0,1  0 1   A02 1  0,1  100 1    A03 1  0,1  1000
Se observă că reacţia nu a avut efect pentru amplificarea A01  0 unde
amplificatorul este saturat, dar a micşorat şi apropiat mult valorile numerice
ale pantelor din porțiunile (2) și (3), anume A2  9,1  A3  9,9 , comparativ cu
valorile iniţiale A01  100  A02  1000 . Astfel, caracteristica amplificatorului
cu reacţie se apropie mult de caracteristica amplificatorului fără reacţie ideal
dorită.

5) Modificarea impedanţelor de intrare şi de ieşire ale

amplificatorului
Amplificatorul cu reacţie are impedanţa de intrare notată Z i şi
impedanţa de ieşire notată Z 0 modificate (mai mari sau mai mici) faţă de
impedanţa de intrare Z i0 şi impedanţa de ieşire Z 00 a amplificatorului fără
reacţie în funcţie de modul de conectare (în serie sau în paralel) la intrare sau
la ieşire ale blocurilor amplificator fără reacţie şi reţea de reacţie (fig.5.12),
după cum vom demonstra în continuare.

 Modificarea impedanţei de intrare

a) Creşterea impedanţei de intrare la conectarea în serie la intrare a
blocurilor amplificator fără reacţie şi reţea de reacţie
Schema de calcul a impedanţei de intrare Z i a amplificatorului cu
reacţie în acest caz (fig.5.17) a fost obţinută din fig.5.12 în care au fost
conectate serie la intrare prin intermediul generatorului sinusoidal de tensiune
U i blocurile amplificator fără reacţie şi reţea de reacţie, iar ieşirea nu a fost
detaliată deoarece nu intervine în calcul.
Pe fig.5.17 se pot scrie următoarele relaţii matematice:
U i  U   U r

I i  I   I r
A  X / U
 0 0 
 (5.56)
  U r / X 0
Z  U / I
 i0  
Z i  U i / I i

 Ii I
Xo
Ui U Z io
Xo
Ao 
U

Ir

Xo
Ur
Ur
 Xo

Zi
A  Xo
Ui

Fig.5.17. Schema bloc de calcul a impedanţei de intrare a amplificatorului cu reacţie

la conectarea în serie pe intrare a blocurilor amplificator cu reacţie şi reţea de reacţie

Din relaţiile (5.31) şi (5.22) se deduce succesiv expresia impedanţei de

intrare Z i a amplificatorului cu reacţie:
Ui U  U r U     A0  U  U
Zi    F  F  Z i0 , (5.57)
Ii I I I
Relaţia (5.57) arată că la conectarea în serie pe intrare a blocurilor
amplificator fără reacţie şi reţea de reacţie impedanţa de intrare Z i a
amplificatorului cu reacţie creşte de F ori faţă de impedanţa de intrare Z i0 a
amplificatorului fără reacţie.

b) Scăderea impedanţei de intrare la conectarea în paralel la intrare a

blocurilor amplificator fără reacţie şi reţea de reacţie
Schema de calcul a impedanţei de intrare Z i a amplificatorului cu
reacţie pentru acest caz (fig.5.18) a fost obţinută din fig.5.12 în care au fost
conectate paralel la intrare prin intermediul generatorului sinusoidal de curent
I i blocurile amplificator fără reacţie şi reţea de reacţie, iar ieşirea nu a fost
detaliată deoarece nu intervine în calcul.
 Ii I
Xo
Ii Ui U Z io
Xo
Ao 
I

Ir

Ur Xo
I
 rX
o
Zi

Xo
A
Ii

Fig.5.18. Schema bloc de calcul a impedanţei de intrare a amplificatorului cu reacţie

la conectarea în paralel pe intrare a blocurilor amplificator cu reacţie şi reţea de
reacţie

Pe fig.5.18 se pot scrie următoarele relaţii matematice:

U i  U   U r

I i  I   I r
A  X / I
 0 0 
 (5.58)
  I r / X 0
Z  U / I
 i0  
Z i  U i / I i

Din relaţiile (5.58) şi (5.47) se deduce succesiv expresia impedanţei de
intrare Z i a amplificatorului cu reacţie:
Ui U U 1 U Zi0
Zi      
Ii I  I r I    A0  I F I F , (5.59)

Relaţia (5.59) arată că la conectarea în paralel pe intrare a blocurilor

amplificator fără reacţie şi reţea de reacţie impedanţa de intrare Z i a
amplificatorului cu reacţie scade de F ori faţă de impedanţa de intrare Z i0 a
amplificatorului fără reacţie.

 Modificarea impedanţei de ieşire

Tehnica de măsurare a impedanţei de ieşire Z 0 a amplificatorului cu
reacţie este de a pasiviza intrarea (adică de a anula semnalul de intrare
X i  0 ) şi de a conecta la ieşire un generator extern sinusoidal în locul
sarcinii.
c) Creşterea impedanţei de ieşire la conectarea în serie la ieşire a
blocurilor amplificator fără reacţie şi reţea de reacţie
Schema de calcul a impedanţei de ieşire Z 0 a amplificatorului cu
reacţie în acest caz (fig.5.19) a fost obţinută din fig.5.12 în care au fost
conectate serie la ieşire prin intermediul generatorului sinusoidal de curent I 0
blocurile amplificator fără reacţie şi reţea de reacţie, iar intrarea nu a fost
detaliată deoarece nu intervine în calcul.
Ao X 

X
Xi 0 Z oo
Ao  I o X 
Uo Io
Xr

  Xr Ir

A Io Xi Zo

Fig.5.19. Schema bloc de calcul a impedanţei de ieşire a amplificatorului cu reacţie

la conectarea în serie pe ieşire a blocurilor amplificator cu reacţie şi reţea de reacţie

Pe fig.5.19 se pot scrie următoarele relaţii matematice:

X i  0

X   X i  X r
  X / I
 r r
 (5.60)
I r  I 0
Z  U / I
 0 0 0

U 0  Z 00  I 0  A0  X 
 
Din relaţiile (5.60) şi (5.47) se deduce succesiv expresia impedanţei de
ieşire Z 0 a amplificatorului cu reacţie:

Z0 
U0


Z00  I0  A0  X   Z00  I0  A0    I0   F  Z
00 (5.61)
I0 I0 I0
 Relaţia (5.61) arată că la conectarea în serie pe ieşire a blocurilor
amplificator fără reacţie şi reţea de reacţie impedanţa de ieşire Z 0 a
amplificatorului cu reacţie creşte de F ori faţă de impedanţa de ieşire Z 00 a
amplificatorului fără reacţie.
d) Scăderea impedanţei de ieşire la conectarea în paralel la ieşire a
blocurilor amplificator fără reacţie şi reţea de reacţie
Schema de calcul a impedanţei de ieşire Z 0 a amplificatorului cu
reacţie în acest caz (fig.5.20) a fost obţinută din fig.5.12 în care au fost
conectate paralel la ieşire prin intermediul generatorului sinusoidal de
tensiune U 0 blocurile amplificator fără reacţie şi reţea de reacţie, iar intrarea
nu a fost detaliată deoarece nu intervine în calcul.
Pe fig.5.20 se pot scrie următoarele relaţii matematice:
X i  0

X   X i  X r

  X r / U 0 (5.62)

Z 0  U 0 / I 0
U  A  X  Z  I
 0 0  00 0
Din relaţiile (5.62) şi (5.47) se deduce succesiv expresia impedanţei de
ieşire Z 0 a amplificatorului cu reacţie:
U0 U0 Z 00  U 0 Z 00
Z0    
I0 U 0  A0  X   / Z 00  
U 0  A0     U 0 F
(5.63)

Z oo Io

X
Xi 0 Uo
Ao X 
Ao  I o X 
Xr

Zo
  Xr Uo

A Uo X i

Fig.5.20. Schema bloc de calcul a impedanţei de ieşire a amplificatorului cu reacţie

la conectarea în serie pe ieşire a blocurilor amplificator cu reacţie şi reţea de reacţie
 Relaţia (5.63) arată că la conectarea în paralel pe ieşire a blocurilor
amplificator fără reacţie şi reţea de reacţie impedanţa de ieşire Z 0 a
amplificatorului cu reacţie scade de F ori faţă de impedanţa de ieşire Z 00 a
amplificatorului fără reacţie.

5.2.4. Topologii de amplificatoare cu reacţie

În funcţie de modul de conectare în serie (numit şi în buclă) sau în
paralel (numit şi în nod) la intrarea sau la ieşirea unui amplificator cu reacţie
ale blocurilor amplificator fără reacţie şi reţea de reacţie, rezultă cele 4
topologii posibile ale amplificatoarelor cu reacţie, anume topologiile de reacţie
serie-serie, serie-paralel, paralel-serie şi paralel-paralel.
Deoarece operaţia de scădere X   X i  X r efectuată de
comparatorul Σ (fig.5.12) se numeşte comparare, operaţia de preluare a unei
fracţiuni  din semnalul de ieşire X 0 se numeşte eşantionare, conexiunea în
serie se mai numeşte şi conexiune în buclă şi cea în paralel conexiune în nod.
De aceea, topologiile de reacţie enunţate se mai întâlnesc în literatura de
specialitate şi sub următoarele denumiri:
- topologie de reacţie serie-serie sau reacţie cu eşantionare în buclă şi
comparare în buclă sau reacţie de curent serie;
- topologie de reacţie serie-paralel sau reacţie cu eşantionare în nod şi
comparare în buclă sau reacţie de tensiune serie;
- topologie de reacţie paralel-serie sau reacţie cu eşantionare în buclă şi
comparare în nod sau reacţie de curent paralel;
- topologie de reacţie paralel-paralel sau reacţie cu eşantionare în nod şi
comparare în nod sau reacţie de tensiune paralel.
Topologiile de reacţie permit amplificatoarelor cu reacţie să se apropie
respectiv de noţiunile teoretice de amplificatoare transadmitanţă, de tensiune,
de curent şi transimpedanţă definite in Cursul 5 anterior, după cum vom vedea
în continuare.

 Topologia de reacţie serie-serie

Topologia de reacţie serie-serie este prezentată în fig.5.21.
Relaţiile matematice valabile pentru această topologie de reacţie
deduse pe baza informaţiilor din acest subcapitol sunt următoarele:
 A0 y
 Ay  I0 / U i 
 1   z  A0 y

 A0 y  I0 / U 

  z  U r / I0

 
(5.64)
 Z i  Zi0  1   z  A0 y  F  Z i0


 
 Z0  Z00  1   z  A0 y  F  Z00

 Ii Io

U
Aoy  I o U 
Zs
Uo
Ui

Ur
 z Ur Io

Ay  I o U i

Fig.5.21. Schema bloc a amplificatorului transadmitanţă obţinut cu topologia de

reacţie serie-serie

După cum se poate observa în relaţiile (5.64), topologia serie-serie se

utilizează când se doreşte obţinerea amplificatoarelor transadmitanţă
deoarece funcţia de transfer a amplificatorului cu reacţie A y este o admitanţă.
Pentru aceasta, se observă că funcţia de transfer a amplificatorului fără
reacţie trebuie să fie o admitanţă A0 y , iar funcţia de transfer a reţelei de
reacţie trebuie să fie o impedanţă  z . De asemenea, din ultimele două relaţii
(5.64) se observă că această topologie determină creşterea de F ori atât a
impedanţei de intrare Z i0 cât şi a impedanţei de ieşire Z 00 ale
amplificatorului fără reacţie.

 Topologia de reacţie serie-paralel

Topologia de reacţie serie-paralel este prezentată în fig.5.22.
Relaţiile matematice valabile pentru această topologie de reacţie
deduse pe baza informaţiilor din acest subcapitol sunt următoarele:
 A0u
 Au  U 0 / U i 
 1  u  A0u

 A0u  U 0 / U 

 u  U r / U 0
 (5.65)
 
 Zi  Zi0  1  u  A0u  F  Zi0

00 
Z  Z / 1    A  Z / F
 0 u 0u  00

 Ii Io

U Uo Zs
Aou  U o U 

Ui

Ur
u Ur Uo

Au  U o U i

Fig.5.22. Schema bloc a amplificatorului de tensiune obţinut cu topologia de reacţie

serie-paralel

După cum se poate observa în relaţiile (5.65), topologia serie-paralel se

utilizează când se doreşte obţinerea amplificatoarelor de tensiune deoarece
funcţia de transfer a amplificatorului cu reacţie Au este o amplificare în
tensiune. Pentru aceasta, se observă că funcţia de transfer a amplificatorului
fără reacţie trebuie să fie o amplificare în tensiune A0u , ca şi funcţia de
transfer a reţelei de reacţie  u . De asemena, din ultimele două relaţii (5.65)
se observă că această topologie determină creşterea de F ori a impedanţei
de intrare Z i0 şi scăderea tot de cât F ori a impedanţei de ieşire Z 00 ale
amplificatorului fără reacţie.

 Topologia de reacţie paralel-serie

Topologia de reacţie paralel-serie este prezentată în fig.5.23.
Relaţiile matematice valabile pentru această topologie de reacţie
deduse pe baza informaţiilor din acest subcapitol sunt următoarele:
 A0i
 Ai  I0 / Ii 
 1  i  A0i

 A0i  I0 / I

  i  I r / I0
 (5.66)
 
 Zi  Zi0 / 1  i  A0i  Zi0 / F

00 i 
Z  Z  1    A  F  Z
 0 0i 00

 I
Io

Ii Ui U
Aoi  I o I 

Uo Zs
Ir

Ur
  Ir Io

Ai  I o I i

Fig.5.23. Schema bloc a amplificatorului de curent obţinut cu topologia de reacţie

paralel-serie

După cum se poate observa în relaţiile (5.66), topologia paralel-serie se

utilizează când se doreşte obţinerea amplificatoarelor de curent deoarece
funcţia de transfer a amplificatorului cu reacţie Ai este o amplificare în curent.
Pentru aceasta, se observă că funcţia de transfer a amplificatorului fără
reacţie trebuie să fie o amplificare în curent A0i , ca şi funcţia de transfer a
reţelei de reacţie  i . De asemena, din ultimele două relaţii (5.66) se observă
că această topologie determină scăderea de F ori a impedanţei de intrare
Z i0 şi creşterea tot de cât F ori a impedanţei de ieşire Z 00 ale
amplificatorului fără reacţie.

Aplicaţia A5.4
Se consideră un amplificator de curent obţinut dintr-un amplificator fără
reacţie având amplificarea A0i  100 , impedanţa de intrare Z i0  100 k ,
impedanţa de ieşire Z 00  10  şi banda de frecvenţe B0  10 Hz şi o reţea
de reacţie având funcţia de transfer  i  0,1 . Se cer: a) desenaţi schema bloc
a acestui amplificator, punând în evidenţă topologia de reacţie; b) calculaţi
banda de frecvenţă a amplificatorului cu reacţie; c) calculaţi impedanţele de
intrare şi de ieşire ale amplificatorului cu reacţie.

Soluţie:
a) Fiind un amplificator de curent, topologia de reacţie este de tip
paralel-serie şi schema bloc a amplificatorului cu reacţie ce pune în evidenţă
această topologie este cea din fig.5.23.
b) Banda de frecvenţă a amplificatorului cu reacţie este dată de relaţia
(5.52):
B  B0   1  i  A0i   10Hz  ( 1  0,1  100 )  110Hz
c) Pentru topologia paralel-serie, impedanţele de intrare şi de ieşire ale
amplificatorului cu reacţie sunt date de ultimele două formule (5.66):
Zi  Zi0 /  1  i  Aoi   100k  /  1  0,1  100   9,091k 
Z0  Z00   1  i  Aoi   10    1  0,1  100   110  ,
căci, așa cum s-a demonstrat anterior, conectarea în serie (indiferent dacă
impedanța este de intrare sau de ieșire) crește respectiva impedanță de F ori,
iar conectarea în paralel (de asemenea, indiferent dacă impedanța este de
intrare ssau de ieșire) scade respectiva impedanță de F ori.

 Topologia de reacţie paralel-paralel

Topologia de reacţie paralel-paralel este prezentată în fig.5.24.

I Io

Ii Ui U Uo Zs
Aoz  U o I 

Ir

Ur  y  Ir Uo

Az  U o I i

Fig.5.24. Schema bloc a amplificatorului transimpedanţă obţinut cu topologia de

reacţie paralel-paralel

Relaţiile matematice valabile pentru această topologie de reacţie

deduse pe baza informaţiilor din acest subcapitol sunt următoarele:
 A0 z
 Az  U 0 / I i 
 1   y  A0 z

 A0 z  U 0 / I

  y  I r / U0
 (5.67)
i0 
Z  Z / 1    A  Z / F
 i y 
0z i0

 

 Z0  Z00 / 1   y  A0 z  Z00 / F

 După cum se poate observa în relaţiile (5.67), topologia paralel-paralel
se utilizează când se doreşte obţinerea amplificatoarelor transimpedanţă
deoarece funcţia de transfer a amplificatorului cu reacţie Az este o impedanţă.
Pentru aceasta, se observă că funcţia de transfer a amplificatorului fără
reacţie trebuie să fie o impedanţă A0 z , iar funcţia de transfer a reţelei de
reacţie o admitanţă  y ca produsul lor să fie adimensional pentru a se putea
aduna cu numărul 1 în ultimele două relaţii (5.67). De asemena, din ultimele
două relaţii (5.66) se observă că această topologie determină scăderea de F
ori atât a impedanţei de intrare Z i0 cât şi a impedanţei de ieşire Z 00 ale
amplificatorului fără reacţie.

Aplicaţia A5.5
Se consideră un amplificator cu reacţie din fig.A5.1.a) compus dintr-un
amplificator ideal fără reacţie având amplificarea A0   şi o reţea de reacţie
format din rezistenţele R1  10 k şi R2  30 k . Se cer: a) redesenaţi
schema acestui amplificator pentru a identifica topologia de reacţie; b)
specificaţi tipul amplificatorului cu reacţie; c) calculaţi amplificarea
amplificatorului cu reacţie

Soluţie:
a) Schema din fig. A.5.1.a) se poate redesena ca în fig. A.5.1.b) în care
se pune în evidenţă topologia serie-paralel, rezultată ca urmare a comparării
fig. A.5.1.a) cu schema bloc a topologiei serie-paralel din fig.5.22.
b) Reacţia fiind serie-paralel, amplificatorul cu reacţie este de tip
amplificator de tensiune.
c) Conform celei de-a treia relaţii (5.65), pe baza fig.A.5.1.b) şi folosind
teorema Kirchhoff, se poate calcula funcţia de transfer a reţelei de reacţie:
Ur R1 10 k
u     0,25
U 0 R1  R2 10 k  30 k
R2

i R1

Uo

Ui

Fig.A.5.1.a) Amplificator cu reacţie: schemă dată

 U
Uo
Ui
I R2
Ur R1 Uo

I
u U r Uo












Fig.A.5.1.b) Amplificator cu reacţie:

schemă redesenată pentru a pune în evidenţă topologia de reacţie

Deoarece amplificarea amplificatorului fără reacţie A0   , pentru

determinarea amplificării amplificatorului cu reacţie se poate folosi relaţia
(5.49) adaptată amplificatorului de tensiune:
A0 1 1
A  lim   4
A0  1   u  A0 u 0,25
Observatie: Amplificatorul fără reacție din fig.A.5.1.a) poate fi un amplificator
operațional ideal (vezi Cursul 7 următor), iar schema dată reprezintă schema
(configurația) clasică de amplificator operațional neinversor, a cărui
amplificare A a fost calculată în cadrul acestui Curs 6 folosind teoria reacției.
 CURS 7
AMPLIFICATORUL OPERAȚIONAL

5.3. AMPLIFICATORUL OPERAŢIONAL (AO)

5.3.1. Modelul electric echivalent şi parametrii AO real
5.3.2. Amplificatorul operaţional ideal
5.3.3. Scheme elementare cu AO ideale

5.3. AMPLIFICATORUL OPERAŢIONAL

Amplificator operaţional (notat, pe scurt, AO) este un amplificator de

curent continuu deoarece amplifică semnale de curent continuu dar şi
semnale de curent alternativ lent variabile în timp, gama de frecvenţe admise
ale semnalului de intrare de c.c./c.a. fiind 0Hz…20Hz. Amplificatorul
operaţional are performanţe deosebite: amplificare proprie în buclă deschisă
ad foarte mare, rezistenţă de intrare Ri foarte mare şi rezistenţă de ieşire R0
foarte mică. Astfel, el se apropie de noţiunea de amplificator ideal de tensiune,
reprezentat de AO ideal, care are a   , Ri   şi R0  0 .
Datorită performanţelor sale din ce în ce mai ridicate, puţine scheme de
aparatură electronică nu conţin în prezent AO. De asemenea, AO este utilizat
în sistemele de achiziţie de date şi automatizare.
AO este realizat industrial sub forma unui circuit integrat analogic, al
cărui simbol este reprezentat în fig.5.25.

E
I p
U AO
U Uo

U Ip
E
Fig.5.25. Simbolul AO

În fig.5.25 s-au utilizat următoarele notaţii specifice AO: U  - potenţialul

bornei pozitive (+), numită şi bornă neinversoare a AO, U  - potenţialul bornei
negative (-), numită şi bornă inversoare a AO, U   U   U  - tensiunea de
intrare diferenţială, U0 - tensiunea de ieşire din AO, I p și I p curenții de

ăpolarixare ai AO, E  şi E  - tensiunile de alimentare diferenţială ale AO.

 5.3.1. Modelul electric echivalent şi parametrii AO real
AO real are o structură internă complexă, fiind alcătuit din mai multe
etaje de amplificare interconectate prin reacţie negativă. Modelul electric
echivalent complet de curent alternativ al AO real este prezentat în fig.5.26, în
care nu au mai fost reprezentate și alte borne ale AO, cum ar fi borna de
masă, bornele pentru compensarea offset-ului, bornele pentru compensarea
cu frecvenţa ale AO etc pentru a nu încărca inutil figura.

U I p 
2 Z imc
ad U 
Zo
U Z id
amcU imc
2 Z imc
Uo

U I p 

Fig.5.26. Modelul electric echivalent complet al AO real

În fig.5.26 s-au folosit următoarele notaţii: I p - curentul de polarizare al

bornei neinversoare (+), I p - curentul de polarizare al bornei inversoare (-),

Zid - impedanţa de intrare diferenţială, Z imc - impedanţa de intrare de mod
comun, U  - tensiunea de intrare diferenţială, U imc - tensiunea de intrare de
mod comun, U0 - tensiunea de ieşire din AO, a d - amplificarea diferenţială
(amplificarea în buclă deschisă) a AO, a mc - amplificarea de mod comun a
AO şi Z 0 - impedanţa de ieşire din AO.
Mărimile denumite mai sus, alături de alte mărimi care derivă din
acestea, alcătuiesc parametrii specifici ai AO, care vor fi detaliaţi în cele ce
urmează. Valorile ideale ale acestor parametri permit definirea noţiunii de AO
ideal, pe baza căruia se pot aprecia performanţele şi se pot compara între ele
AO reale.
Curenţii de polarizare ( I p şi I p ) sunt curenţii tranzistoarelor folosite

în etajele diferenţiale de intrare ale AO. Ideal, I p  I p  0 . În realitate,

curenţii de polarizare nu sunt nuli şi nici egali ca valoare, fiind cuprinşi pentru
tranzistoare bipolare cu joncţiuni în gama 3nA100nA, pentru TEC-J în gama
5pA10nA şi pentru TEC-MOS în gama 0,1pA1nA.
 Curentul de offset ( I off ) se obţine din curenţii de polarizare, ca fiind

curentul de decalaj (diferenţa) între cei doi curenţi de polarizare I p şi I p şi

se defineşte prin relaţia:
I off  I p  I p (5.43)
Curentul de offset este nenul dar mai mic decât curenţii de polarizare,
având valori uzuale cuprinse între 10%50% din valorile acestora.
Impedanţa de intrare diferenţială Zid şi impedanţa de intrare de
mod comun Z imc . Cele două impedanţe Zid şi Z imc alcătuiesc impedanţa
de intrare Zi a amplificatorului operaţional. Datorită caracterului rezistiv al
acestora, deseori se utilizează termenii de rezistenţă de intrare diferenţială
Rid , rezistenţă de intrare de mod comun Rimc şi rezistenţă de intrare a AO,
Ri . Uzual, Ri este de ordinul M pentru AO realizate cu TBJ şi de ordinul
10 12  pentru AO realizate cu TEC.
Tensiunea de intrare diferenţială ( U  ) se defineşte prin relaţia:
U  U   U  (5.68)
Tensiunea de intrare diferenţială U  este tensiunea utilă, care se
doreşte a fi amplificată de către AO. Gama tipică de variaţie a acestui
parametru este domeniul tensiunilor de alimentare diferenţiale ale AO, adică
 
U   E  , E  , dar există şi AO la care această gamă este mai restrânsă şi
depăşirea domeniului specificat de fabricant duce la distrugerea AO.
Tensiunea de intrare de mod comun ( U imc ) se defineşte prin relaţia:


U imc  U   U  / 2  (5.69)
Tensiunea de intrare de mod comun U imc este tensiunea nedorită, care
se doreşte a fi eliminată de către AO. Gama tipică de variaţie a acestui
parametru este mai restrânsă decât domeniul tensiunilor de alimentare
diferenţiale ale AO, iar depăşirea ei conduce la comportări ciudate ale AO şi,
în final, la distrugerea acestuia.
Tensiunea de offset ( U off ) este tensiunea diferenţială U  nenulă ce
trebuie aplicată la intrarea AO pentru a obţine la ieşirea acestuia tensiunea
U 0  0 . Se poate scrie o relaţie de definiţie de forma:

0

U off  U  U 0  U   U  
U 0 0
(5.70)

Ideal, la aplicarea unei tensiuni de intrare diferenţială U  =0, tensiunea

de ieşire este U 0  0 . Real, valorile uzuale ale tensiunii de offset sunt de
ordinul milivolţilor şi se explică prin nesimetriile etajului diferenţial de la
intrarea AO datorate procesului tehnologic. Tensiunea de offset poate fi
pozitivă sau negativă, ea decalând caracteristica de transfer spre dreapta sau
spre stânga (fig.5.27.a) şi b)).
 Tensiunea de ieşire U 0 , amplificarea diferenţială a d şi
amplificarea de mod comun a mc
Tensiunea de ieşire U 0 a unui AO se poate exprima prin formula:
U 0  a d U   a mcU imc  U off , (5.71)
în care amplificarea diferenţială a d reprezintă coeficientul de amplificare al
tensiunii de intrare diferenţiale U  , amplificarea de mod comun a mc
reprezintă coeficientul de amplificare al tensiunii de intrare de mod comun
U imc iar U off este tensiunea de offset. Gama tipică de variaţie a tensiunii de
ieşire U 0 este mai mică decât domeniul tensiunilor de alimentare diferenţiale
ale AO, adică U 0  U 0 min , U omax  , unde U o min  E  şi U o max  E  .
Amplificarea diferenţială a d are uzual valori cuprinse în gama 10 5  10 6 , iar
amplificarea de mod comun a mc este situată în gama 1  10 .
Impedanţa de ieşire Z 0 are practic un caracter predominant rezistiv,
astfel încât se utilizează noţiunea de rezistenţă de ieşire, situată în gama
50  200 .
Factorul de rejecţie de mod comun (CMRR - Common Mode Rejection
Ratio) se defineşte în decibeli prin relaţia:
CMRR [dB]  20  lg  ad / amc  , (5.72)
având uzual valori de 80 dB  120 dB .
Caracteristica de transfer U 0  U 0 (U  )
Graficul caracteristicii neliniare de transfer a unui AO real este prezentat
în fig.5.18.a), iar caracteristica liniarizată are forma din fig.5.18.b). S-a ţinut
cont de amplificarea diferenţială a d finită, de tensiunea de offset U off nenulă
şi de fenomenul de saturaţie al AO când U 0  U 0 (U  ) = constant indiferent
de valoarea lui U  .
Uo Uo

U o max  E  U o max

tg   a d finita
U off  0 U U off  0 U

U o min  E  U o min

a) b)
Fig.5.27. Caracteristica de transfer
(a) caracteristica neliniară a AO real cu tensiune de offset pozitivă
(b) caracteristica liniarizată a AO cu tensiune de offset negativă
 Banda de frecvenţă B0
AO este un amplificator de curent continuu ce funcţionează în curent
continuu dar şi curent alternativ de joasă frecvenţă (de regulă, banda AO este
domeniul de frecvenţe 0Hz...20Hz). De aceea, banda sa de frecvenţe se va
concentra în jurul frecvenţelor joase (fig.5.28).

Fig.5.28. Ilustrarea benzii de frecvenţă a AO real

5.3.2. Amplificatorul operaţional ideal

Parametrii şi modelul electric echivalent ai AO real definiţi în anterior
permit definirea noţiunii de AO ideal caracterizat prin:
- curenţii de polarizare ( I p şi I p ) nuli;
- curent de offset ( I off ) nul;
- impedanţe (rezistenţe) de intrare Zid şi Z imc infinite;
- tensiunea de intrare diferenţială ( U  ) nulă, deoarece potenţialele bornelor
neinversoare şi inversoare sunt egale, U   U  ;
- tensiunea de intrare de mod comun ( U imc ) nu este fixată de AO ci de
circuitul în care este montat AO, deci nu se poate evalua la nivel de AO ideal
ci la nivel de circuit cu AO ideal;
- tensiunea de offset ( U off ) nulă;
- tensiunea de ieşire U 0 de asemenea nu se poate evalua la nivel de AO
ideal ci la nivel de circuit cu AO ideal;
- amplificarea diferenţială a d infinită;
- amplificarea de mod comun a mc nulă;
- Impedanţa de ieşire Z 0 nulă;
- factorul de rejecţie de mod comun (CMRR) infinit;
- caracteristica de transfer U 0  U 0 (U  ) dată în fig.5.29 în care s-a ţinut cont
că AO ideal are amplificarea diferenţială infinită, tensiunea de offset nulă şi nu
există fenomenul de saturaţie al AO;
- banda de frecvenţă B0 infinită, oricare ar fi frecvenţa de lucru a AO ideal;
- modelul electric echivalent al AO ideal este dat în fig. 5.30, în care s-a ţinut
cont de parametrii AO ideal indicaţi în acest subcapitol.
 ua I p  0
U
ad  U 
U  0
Uo
I p|  0
U |

ui
Fig.5.29. Caracteristica de transfer a Fig.5.30. Modelul electric echivalent al
AO ideal AO ideal

În continuare vom studia diferite scheme elementare realizate cu AO

ideal. În rezolvarea schemelor electronice realizate cu AO ideal se folosesc
următoarele două relaţii specifice acestuia
I   I   0
 p p
 , (5.73)

U  U 

5.3.3. Scheme elementare cu AO ideale

Schemele cu AO se rezolvă scriind relaţiile specifice (5.73) ale AO ideal
şi teoremele Kirchhoff pe ochiurile şi în nodurile de circuit. Demonstrarea
relaţiilor matematice ale schemelor clasice elementare realizate cu AO ideal
ce urmează are la bază această metodologie generală.

1) Schema de AO neinversor este prezentată în fig.5.31.

Pe fig.5.31 se aplică relaţiile (5.73) specifice AO ideal şi teoremele
Kirchhoff:
 u  u-

u   u i
 (5.74)
u   R1  i

u o  R1  R2   i
R2
i
R1
i
u AO ideal
u uo

ui

Fig.5.31. Schema de AO neinversor

 Eliminând curentul i din sistemul de ecuaţii (5.74) rezultă expresia
tensiunii de ieşire:
 R2 
u 0   1    u i (5.75)
 R1 
precum şi amplificarea în tensiune a configuraţiei neinversoare:
u R2
Au  0  1  (5.76)
ui R1
Pe baza fig.5.31 şi a relaţiei (5.76) putem justifica denumirea
„neinversoare” a acestei scheme, anume tensiunea de intrare u i se aplică pe
borna neinversoare a AO, iar polaritatea (semnul) tensiunii de ieşire u 0 este
aceeaşi (neinversată) faţă de polaritatea tensiunii de intrare u i .
Schema de AO neinversor se poate generaliza punând în locul
rezistenţelor R1 şi R 2 impedanţele complexe Z 1 şi Z 2 ale unor componente
pasive (rezistenţe, bobine, condensatoare) independente sau în diferite
combinaţii serie şi/sau paralel. În această situaţie, amplificarea în tensiune
(5.76) se transformă în funcţia de transfer a circuitului cu AO:
U0 Z2
H  j   1 (5.77)
Ui Z1

2) Schema de AO repetor de tensiune se numeşte astfel deoarece

tensiunea de ieşire u 0 “repetă” (adică este egală cu) tensiunea de intrare u i ,
deci:
u0 = ui (5.78)
Evident, din relaţia (5.78) va rezulta:
Au  u 0 / u i  1 (5.79)
Urmărind relaţiile (5.75) şi (5.76) ale schemei de AO neinversor,
observăm că putem obţine din ele relaţiile (5.78) şi (5.79) dacă alegem
R2  0 (scurtcircuit) şi R1 de valoare oarecare, de ce nu chiar lipsa lui R1
(gol), adică R1   . Cu aceste modificări, schema de AO neinversor din
fig.5.31se transformă în schema de AO repetor de tensiune din fig.5.32.

u
AO ideal
u uo

ui

Fig.5.32. Schema de AO repetor de tensiune

(nu exista in aceasta schema puncte virtuale de masa, pvm)
 Deşi nu amplifică în tensiune ( Au  u 0 / u i  1 ), schema de AO repetor
în tensiune se foloseşte în practică pentru impedanţa de intrare Z i teoretic
infinită şi impedanţa de ieşire Z 0 teoretic nulă pe care le oferă. Practic, rolul
său este acela de adaptor de impedanţă, inclusiv în curent continuu, adică
permite conectarea unei surse de impedanţă internă mare la o sarcină de
valoare mică.

Aplicaţia A5.6
Se consideră schema de AO neinversor din fig.5.31 în care U i  10V ,
R1  15 k şi R2  30 k . Se cer: a) calculaţi valoarea tensiunii de ieşire
U 0 ; b) calculaţi amplificarea în tensiune Au a acestei scheme; c) dacă în
locul rezistenţei R1 se pune un condensator C, care este expresia funcţiei de
transfer H ( j ) a circuitului cu AO obţinut? d) dacă R1   (gol) şi R2  0
(scurtcircuit), recalculaţi punctele a) şi b). Ce devine schema de AO
neinversor în acest caz?

Soluţie:
a) Tensiunea de ieşire U 0 se calculează cu relaţia (5.50):
 R2   30 k 
U 0   1    U i   1    10V  30V
 R1   15 k 
Se observă că polaritatea (semnul) tensiunii de ieşire U 0  30V este
aceeaşi cu polaritatea tensiunii de intrare U i  10V , deci AO neinversor nu
inversează polaritatea tensiunii de ieșire față de polaritatea tensiunii de
intrare.
b) Amplificarea în tensiune Au se calculează cu relaţia (5.51):
R 30 k
Au  1  2  1  3
R1 15k
c) Expresia funcţiei de transfer H ( j ) a circuitului cu AO obţinut dacă
se înlocuieşte rezistenţa R1 cu un condensator C se scrie particularizând
relaţia (5.77):
U0 Z2 R2
H  j   1 1  1  jR2 C
Ui Z1 1 jC
d) În acest caz, schema de AO neinversor din fig.5.31 se înlocuieşte cu
schema de AO repetor de tensiune din fig.5.32, iar mărimile de la punctele a)
şi b) au valorile U 0  U i  10V şi Au  U 0 / U i  1 .
 3) Schema de AO inversor este prezentată în fig.5.33.
Pe fig.5.33 se aplică relaţiile (5.73) specifice AO ideal şi teoremele
Kirchhoff:
 u  u-

u   0
 (5.80)
u i  R1  i

0  R 2  i  u 0
Observatie importanta: Fara a fi legata la masa, borna minus (–) a AO are
acelasi potential de 0V cu borna plus (+) care este legata la masa, adica
u   u   0V . Astfel de puncte care, fara a fi legate cu fir la masa, au acelasi
potential de 0V ca si cum ar fi legate cu fir la masa se numesc puncte
virtuale de masa (pvm) (vezi fig.5.33). Ele sunt foarte importante pentru
rezolvarea circuitului in care apar deoarece permit scrierea de ecuatii
Kirchhoff mai simple, de exemplu asa cum au fost scrise penultima relatie si
ultima relatie din (5.80) de mai sus.

Fig.5.33. Schema de AO inversor

(borna minus a AO este punct virtual de masa, pvm)

Eliminând curentul i din sistemul de ecuaţii (5.80) rezultă expresia

tensiunii de ieşire:
R
u0   2  ui (5.81)
R1
precum şi amplificarea în tensiune a configuraţiei neinversoare:
u R
Au  0   2 (5.82)
ui R1
Pe baza fig.5.33 şi a relaţiei (5.81) putem justifica denumirea
„inversoare” a acestei scheme, anume tensiunea de intrare u i se aplică pe
borna inversoare a AO, iar polaritatea (semnul) tensiunii de ieşire u 0 este
inversat faţă de polaritatea tensiunii de intrare u i .
Schema de AO inversor se poate generaliza punând în locul
rezistenţelor R1 şi R 2 impedanţele complexe Z 1 şi Z 2 ale unor componente
pasive (rezistenţe, bobine, condensatoare) independente sau în diferite
combinaţii serie şi-sau paralel. În această situaţie, amplificarea în tensiune
(5.82) se transformă în funcţia de transfer a circuitului cu AO:
U0 Z2
H  j    (5.83)
Ui Z1

4) Schema de AO inversor de polaritate se numeşte astfel deoarece

tensiunea de ieşire u 0 este egală dar de polaritate (semn) inversă faţă de
tensiunea de intrare u i , deci:
u0 =  ui (5.84)
Evident, din relaţia (5.84) va rezulta:
Au  u 0 / u i  1 (5.85)

Fig.5.34. Schema de AO inversor de polaritate

(borna minus a AO este punct virtual de masa, pvm)

Urmărind relaţiile (5.81) şi (5.82) ale schemei de AO inversor, observăm

not
că putem obţine din ele relaţiile (5.84) şi (5.85) dacă alegem R1  R2  R . În
consecinţă, schema de AO inversor de polaritate coincide cu schema de AO
inversor din fig.5.33 dacă se pun în loc de R1 şi R 2 două rezistenţe egale,
notate R, ca în fig.5.34.

Aplicaţia A5.7
Se consideră schema de AO inversor din fig.5.33 în care U i  10V ,
R1  15 k şi R2  30 k . Se cer: a) calculaţi valoarea tensiunii de ieşire
U 0 ; b) calculaţi amplificarea în tensiune Au a acestei scheme; c) dacă în
locul rezistenţei R 2 se pune un condensator C, care este expresia funcţiei de
transfer H ( j ) a circuitului cu AO obţinut? d) dacă R1  R2 recalculaţi
punctele a) şi b). Ce devine schema de AO inversor în acest caz?

Soluţie:
a) Tensiunea de ieşire U 0 se calculează cu relaţia (5.81):
R 30 k
U0   2 Ui   10V  20V
R1 15k
 Se observă că polaritatea (semnul) tensiunii de ieşire U 0  20V este
invers faţă de polaritatea tensiunii de intrare U i  10V , deci schema de AO
inversor inversează polaritatea tensiunii de intrare față de polaritatea tensiunii
de ieşire.
b) Amplificarea în tensiune Au se calculează cu relaţia (5.82):
R 30 k
Au   2    2
R1 15k
c) Expresia funcţiei de transfer H ( j ) a circuitului cu AO obţinut (dacă
se înlocuieşte R1 cu condensatorul C) se obţine particularizând relaţia (5.83):
U0 Z2 1 jC 1
H  j     
Ui Z1 R1 jR1C
d) În acest caz, schema de AO inversor din fig.5.33 se înlocuieşte cu schema
de AO inversor de tensiune din fig.5.34, iar mărimile de la punctele a) şi b) au
valorile U 0  U i  10V şi Au  U 0 / U i  1 .

5) Schema de AO sumator este prezentată în fig.5.35.

După cum îi spune şi numele, această schemă are rolul de a suma
(aduna) n tensiuni de intrare notate u i1 , u i 2 , ..., u in .

Fig.5.35. Schema de AO sumator

(borna minus ale AO1 si AO2 sunt puncte virtuale de masa, pvm)

Pe fig.5.35 se aplică relaţiile (5.83) ale AO ideal şi teoremele Kirchhoff:

  u  u-

u   0

u i1  R1  i1
u  R  i
 i2 2 2 (5.86)
...
u  R  i
 in n n
i  i1  i 2  ...  i n

0  R0  i  u 0
Eliminând curenţii i1 , i 2 , ..., i n din sistemul de ecuaţii (5.86) rezultă
expresia tensiunii de ieşire:
n u
ik
u 0   R0   (5.87)
k 1 R k
Relaţia (5.83) poate fi particularizată dacă R0  R1  R2  ...  R n
astfel:
n
u 0    u ik , (5.88)
k 1
obţinându-se tensiunea de ieşire ca suma cu semn schimbat a celor n tensiuni
de intrare u i1 , u i 2 , ..., u in . În concluzie, am obţinut o schemă cu AO1
sumator inversor de polaritate. Pentru a se obţine suma tensiunilor de intrare
fără schimbare de semn, s-a completat fig.5.35 la ieşire cu o schemă de AO2
inversor de polaritate ca cea din fig.5.34, obţinându-se la ieşirea acestuia
suma (5.81) fără schimbare de semn:
n
u 0'  u 0   u ik (5.89)
k 1

Aplicaţia A5.8
Se consideră schema de AO1 sumator inversor din fig.5.35 pentru n=2
tensiuni de intrare U i1  2V şi U i 2  3V . Se dau R1  4 k , R2  6 k şi
R0  12 k . Se cer: a) calculaţi valoarea tensiunii de ieşire U 0 ; b) cu ce
trebuie completată la ieşire schema de AO1 sumator inversor pentru a obţine
tensiunea de ieşire U 0'  36V ?

Soluţie:
a) Se aplică relaţia (5.56) pentru n=2:
U U   2V 3V 
U 0   R0   i1  i 2   12k     12V
 R1 R2   4 k 6 k 
b) Pentru a obţine tensiunea de ieşire U 0'  36V pornind de la tensiunea
de intrare U 0  12V , schema de AO1 sumator inversor trebuie completată
cu o schemă de AO2 inversor (fig.5.24) în care rezistenţele notate R1' şi R 2'
trebuie alese astfel încât să aibe raportul R 2' / R1'  3 (de exemplu, R1'  10 k
şi R2 '  30 k ) pentru ca, aplicând relaţia (5.81) adaptată noilor notaţii
tensiunea de ieşire cerută:
R' 30 k
U0 '   2 U0     12V   36V
'
R1 10 k
Schema completă, incluzând valorile numerice ale componentelor, este
cea din fig.A5.2, ceea ce înseamnă că s-a facut proiectarea schemei.

R1 Ro
R2
ui1 4 K 12K
2V R1 30 K
AO1 ideal
R2
10 K AO2 ideal
U o  12V U o  36V
ui 2 6 K
3V

Fig.A.5.2. Schema completă a circuitului din aplicaţia A5.7

(borna minus ale AO1 si AO2 sunt puncte virtuale de masa, pvm)

6) Schema de AO diferenţial este prezentată în fig.5.36. După cum îi

spune şi numele, această schemă are rolul de a face diferenţa (scăderea)
între două tensiuni de intrare notate u i1 şi u i 2 .
R2
i1

i1 R1 I p  0
u
R3 AO ideal
ui1 i2 u uo
I p  0
ui 2
R4
i2

Fig.5.36. Schema de AO diferenţial

(nu exista in aceasta schema puncte virtuale de masa, pvm)
 Pe fig.5.36 se aplică relaţiile (5.73) specifice AO ideal şi teoremele
Kirchhoff:
 u  u-

i p  i p  0

u   R i
 4 2 (5.90)
u   u  R i
 i1 11
u i1  R1  R 2   i1  u 0

u i 2  R3  R4   i 2
Eliminând curenţii i1 şi i 2 din sistemul de ecuaţii (5.90) rezultă expresia
tensiunii de ieşire:
R R  R2 R
u0  4  1  u i 2  2  u i1 (5.91)
R1 R3  R4 R1
Relaţia (5.91) poate fi particularizată astfel:
- dacă între rezistenţe există relaţia de proporţionalitate R1 / R 2  R3 / R4 ,
atunci relaţia (5.91) se simplifică astfel:
R
u 0  2  u i 2  u i1  (5.92)
R1
Se poate defini în acest caz şi o amplificare de tensiune diferenţială:
u0 R
Au   2 (5.93)
u i 2  u i1 R1
- dacă între rezistenţe există relaţia de egalitate totală R1  R2  R3  R4 ,
atunci relaţia (5.91) se simplifică şi mai mult, devenind:
u 0  u i 2  u i1 , (5.94)
justificând astfel denumirea de AO “diferenţial” dată acestei scheme.

Aplicaţia A5.9
Se consideră schema de AO diferenţial din fig.5.36 în care tensiunile de
intrare sunt U i1  2V şi U i 2  3V . Să se determine tensiunea de ieşire U 0 pentru
următoarele cazuri:
a) R1  10 k , R2  40 k , R3  20 k , R4  30 k ;
b) R1  30 k , R2  150 k , R3  20 k , R4  100 k ;
c) R1  R 2  R3  R4  70 k

Soluţie:
a) În acest caz nu există nici o relaţie de proporţionalitate între rezistenţe,
astfel încât trebuie aplicată formula completă (5.91):
 R R  R2 R 30 k 10 k  40 k 40 k
U0  4  1  U i 2  2  U i1    3V   2V  1V
R1 R3  R4 R1 10 k 20 k  100 k 10 k
b) În acest caz între rezistenţe există relaţia de proporţionalitate
R1 / R 2  R3 / R4  1 / 5 , deci putem aplica formula simplificată (5.92):
R 150 k
U 0  2  U i 2  U i1    3V  2V   5V
R1 30 k
c) În acest caz între rezistenţe există relaţia de egalitate, deci putem aplica
cea mai simplă relaţie, anume (5.94):
U 0  U i 2  U i1  3V  2V  1V
Evident, aplicaţia poate fi rezolvată şi folosind exclusiv relaţia generală (5.91).

7) Schema de AO derivator este prezentată în fig.5.37. Se numeşte

astfel deoarece tensiune de ieşire u 0 (t ) este derivata cu semn schimbat a
tensiunii de intrare u i (t ) , aşa cum vom demonstra în continuare.

Fig.5.37. Schema de AO derivator

(borna minus a AO este punct virtual de masa, pvm)

Pe fig.5.37 se aplică relaţiile (5.73) specifice AO ideal, teoremele

Kirchhoff precum şi relaţia între curentul şi tensiunea pe un condensator
prezentate în capitolul 1 introductiv:
  -
u u
 
u  0

u i  u C (5.95)
0  Ri  u
 C 0
 du C
iC  C
 dt
Eliminând tensiunea u C şi curentul iC din sistemul de ecuaţii (5.95)
rezultă expresia tensiunii de ieşire:
 du i
u 0   RC (5.96)
dt
Relaţia (5.96) poate fi particularizată astfel:
- dacă rezistenţa R şi condensatorul C sunt alese de valori astfel încât
produsul RC=1, atunci relaţia (5.96) devine:
du i
u0   (5.97)
dt
- dacă RC=1 şi, în plus, ieşirea schemei de AO derivator se completează cu o
schemă de AO inversor de polaritate (fig.5.34), atunci relaţia (5.96) se
simplifică şi mai mult:
du i
u 0'  u 0  , (5.98)
dt
deci tensiunea de ieşire este acum derivata tensiunii de intrare.

Aplicaţia A5.10
Se consideră schema de AO derivator din fig.5.37 în care tensiunea de
intrare este u i (t )  10 sin 100t [V] . Valorile rezistenţei şi condensatorului
sunt R  1M şi C  1F . Să se determine tensiunea de ieşire u 0 (t ) :

Soluţie:
Se aplică relaţia (5.96) şi se obţine:
dui d 10 sin 100t 
u0   RC  106   10 6 F   1000  cos 100t [V]
dt dt

8) Schema de AO integrator este prezentată în fig.5.38. Se numeşte

astfel deoarece tensiune de ieşire u 0 (t ) este integrala cu semn schimbat a
tensiunii de intrare u i (t ) , aşa cum vom demonstra în continuare.

Fig.5.38. Schema de AO integrator

(borna minus a AO este punct virtual de masa, pvm)

Pe fig.5.38 se aplică relaţiile (5.73) specifice AO ideal, teoremele

Kirchhoff precum şi relaţia între curentul şi tensiunea pe un condensator
prezentate în Cursul 1 introductiv:
 
 u  u-

u   0

u i  RiC (5.99)
0  u  u
 C 0
 1t
 C
u  u C (0 )   iC (t )dt
 C0
Eliminând tensiunea u C şi curentul iC din sistemul de ecuaţii (5.99)
rezultă expresia tensiunii de ieşire:
1 t
u 0  u C (0 )   u i (t )dt (5.100)
RC 0
Relaţia (5.100) poate fi particularizată astfel:
- dacă rezistenţa R şi condensatorul C sunt alese de valori astfel încât
produsul RC=1 şi condensatorul este iniţial descărcat, adică u C (t  0 )  0 ,
atunci relaţia (5.100) devine:
t
u 0    u i (t )dt (5.101)
0
- dacă RC=1, u C (t  0 )  0 şi în plus ieşirea schemei de AO integrator se
completează cu o schemă de AO inversor de polaritate (fig.5.34), atunci
relaţia (5.101) se simplifică şi mai mult:
t
'
u 0  u 0   u i (t )dt , (5.102)
0
deci tensiunea de ieşire este acum integrala tensiunii de intrare.

Aplicaţia A5.11
Se consideră schema de AO integrator din fig.5.38 în care tensiunea de
intrare este u i (t )  10 sin 100t [V] . Valorile rezistenţei şi condensatorului
sunt R  1M şi C  1F , iar condensatorul este încărcat cu tensiunea
u C (t  0 )  3V iniţială . Să se determine tensiunea de ieşire u 0 (t ) :

Soluţie:
Se aplică relaţia (5.100) şi se obţine:
1 t 1 t
u 0  u C (0 )  u
 i (t ) dt   3V 
6 6
 10 sin 100tdt 
RC 0 10   10 F 0
 cos 100t 
  3   [V]
 10 
 9) Schema de AO exponenţial
Schema de AO exponenţial (numită în unele cărţi şi schemă de
antilogaritmare) realizată cu diodă este prezentată în fig.5.39. Menţionăm că
schema se poate realiza şi cu TBJ cu baza conectată la masă, plasat în locul
diodei, rezultând relaţii matematice similare.
Schema se numeşte astfel deoarece tensiune de ieşire u 0 (t ) se obţine
ca exponenţială a tensiunii de intrare u i (t ) , aşa cum vom demonstra în
continuare.

Fig.5.39. Schema de AO exponenţial realizată cu diodă

(borna minus a AO este punct virtual de masa, pvm)

Pe fig.5.39 se aplică relaţiile (5.73) specifice AO ideal, teoremele

Kirchhoff precum şi ecuaţia diodei polarizată direct prezentată în Cursul 2:

u   u 

u   0

ui  u AK
0  Ri  u (5.103)
 A 0
 u AK
 mVT
i A  I S  e
Eliminând tensiunea u AK şi curentul i A din sistemul de ecuaţii (5.103)
rezultă expresia tensiunii de ieşire:
ui
mVT
u0   RI S  e (5.104)
Relaţia (5.104) arată dependenţa exponenţială a tensiunii de ieşire
u 0 (t ) în funcţie de tensiunea de intrare u i (t ) .

Aplicaţia A5.12
Se consideră schema de AO exponenţial din fig.5.39 în care tensiunea
de intrare este U i  0.5V . Se cunosc R  10k , curentul invers de saturaţie al
diodei I S  1 pA , coeficientul tehnologic de realizare a diodei m=1 şi
potenţialul termic VT  26 mV . Să se determine tensiunea de ieşire u 0 (t ) :

Soluţie:
Se aplică relaţia (5.104) şi se obţine:
 ui 0,5V
u 0   RI S  e VT
 10 4  10 12 A  e 26mV  2,12V

10) Schema de AO logaritmic natural realizată cu diodă este

prezentată în fig.5.40. Menţionăm că schema se poate realiza şi cu TBJ cu
baza conectată la masă, plasat în locul diodei, rezultând relaţii matematice
similare.
Schema se numeşte astfel deoarece tensiune de ieşire u 0 (t ) se obţine
ca logaritmul natural al tensiunii de intrare u i (t ) , aşa cum vom demonstra în
continuare.

Fig.5.40. Schema de AO logaritmic realizată cu diodă

(borna minus a AO este punct virtual de masa, pvm)

Pe fig.5.40 se aplică relaţiile (5.73) specifice AO ideal, teoremele

Kirchhoff precum şi ecuaţia diodei polarizate direct prezentată în Cursul 2:

u   u 

u   0

ui  Ri A
0  u  u (5.105)
 AK 0
 u AK
 mVT
i A  I S  e
Eliminând tensiunea u AK şi curentul i A din sistemul de ecuaţii (5.105)
rezultă expresia tensiunii de ieşire:
u
u0  mVT  ln i (5.106)
RI S
Relaţia (5.106) arată dependenţa logaritmică a tensiunii de ieşire u 0 (t )
în funcţie de tensiunea de intrare u i (t ) .
 CURS 8
OSCILATOARE

5.4. OSCILATOARE
5.4.1. Principiul de generare al oscilaţiilor armonice. Clasificare
5.4.2. Oscilatoare armonice cu reacţie
 Oscilatoare RC
 Oscilatoare LC
 Oscilatoare cu cristal de cuarț
5.4.3. Oscilatoare de relaxare
 Oscilator de relaxare cu TUJ
 Oscilatoare de relaxare bipolar si unipolar

5.4. OSCILATOARE

Oscilatoarele sunt circuite electronice neliniare care realizează

conversia (transformarea) parţială a energiei furnizată de o sursă de c.c. în
energie de semnal de periodic, de diferite forme (sinusoidală, dreptunghiulară,
exponenţială etc). Formele de undă pot fi bipolare (cu 2 alternanțe, una
pozitivă și una negativă) sau unipolare (cu o singura alternanță, pozitivă).

5.4.1. Principiul de generare al oscilaţiilor armonice. Clasificare

Oscilaţiile libere apar în sistemele fizice descrise prin ecuaţii diferenţiale
de ordinul II cum ar fi, de exemplu, un circuit RLC serie, ca în fig.5.41.

Fig. 5.41. Circuit oscilant RLC serie

Cu comutatorul S pe poziţia 1, condensatorul C se încarcă complet

până la tensiunea uC = E. Se alege apoi ca moment iniţial t = 0 momentul în
care comutatorul S comută de pe poziţia 1 pe poziţia 2, condiţiile iniţiale ale
circuitului fiind uC(t=0) = E şi i(t=0) = 0.
Ecuaţia diferenţială ataşată ochiului de circuit din circuitul de mai sus în
fig.5.41 este:
uC  u L  u R  0 , (5.107)
unde u C 0   E şi iC 0   0 . Dar:
di du
u R  Ri , u L  L şi iC  C C (5.108)
dt dt
Înlocuind relaţiile (5.108) în relaţia (5.107), obţinem ecuaţia diferenţială de
ordinul II ataşată circuitului RLC serie, anume:
d 2 uC du C
u C  LC  RC 0, (5.109)
dt 2 dt
cu condiţiile iniţiale u C 0   E şi iC 0   0 .
Împărţind ecuaţia (5.109) prin LC şi notând prin 0  1 LC - pulsația
de rezonanţă a circuitului şi prin   R 20 L - coeficientul de amortizare a
oscilaţiilor, ecuaţia (5.109) devine:
d 2 uC du
 2 0  C   02 u C  0 , (5.110)
dt dt
Ecuaţia caracteristică ataşată ecuaţiei (5.110) este:
s 2  20 s  02  0 ,
rădăcinile sale fiind:
s1,2   0   j0 1   2 (5.111)
Aceste soluţii trebuie să fie numere complexe pentru ca circuitul să
oscileze, deci coeficientul de amortizare  să îndeplinească condiţia -1<  < 1.
Soluţia ecuaţiei este de tipul:
u C t   A1 e s1t  A2 e s2t , (5.112)
unde A1 şi A2 sunt constante care se determină din condiţiile iniţiale indicate în
relaţia (5.109):
u C (0 )  E  A1  A2

 du C (5.113)
i C (0 )  0  C  C  A1 s1  A2 s 2 
 dt t 0
Înlocuind (5.111) în (5.113) şi rezolvând sistemul de ecuaţii (5.113),
obţinem valorile constantelor A1 şi A2, pe care apoi le înlocuim în (5.112) şi
obţinem expresia:
E
uC ( t )  e0t  sin  0 1   2 t    , (5.114)
1 2  

în care s-a notat   arctg  1   2   .

 
 Notând prin  r   0 1   2 pulsaţia circulară şi împărţind relaţia
(5.114) la amplitudinea E 1   2 , obţinem expresia ei normată:
not u C (t )
u Cn (t )   e 0t  sin  r t    , (5.115)
E / 1  2
0 t
care reprezintă o oscilaţie sinusoidală înmulţită cu exponenţiala e .
Exponenţiala poate fi crescătoare, egală cu 1 sau descrescătoare în
funcţie de semnul coeficientului de amortizare notat   R 20 L , deci de fapt
în funcţie de semnul rezistenţei R, deoarece 0 şi L nu pot fi decât pozitive.
Astfel, pot să apară 3 cazuri:
a) cazul  <0 (deci R<0), când se obţin oscilaţii supraamortizate, adică cu
amplitudinea crescătoare în timp;
b) cazul  =0 (deci R=0), când se obţin oscilaţii neamortizate (întreținute) în
timp, adică amplitudinea lor e constantă în timp;
c) cazul  >0 (deci R>0), când se obţin oscilaţii subamortizate, adică cu
amplitudinea descrescătoare în timp, care la un moment dat se anulează.
Aceste 3 cazuri sunt exemplificate în fig. 5.42 pentru valori numerice
alese fiecărui caz anume: pentru a)   0,05  0 , pentru b)  =0 şi pentru c)

 =0,05>0, cazuri pentru care se obţine   arctg  1   2    90  . Atunci

 
expresia (5.90) devine:
 
uCn (t)  e 0t  sin r t  90  e 0t  cosr t (5.116)

b) oscilaţii neamortizate (întreținute)

a) oscilaţii supraamortizate

c) oscilaţii subamortizate
Fig.5.42. Forma de undă a tensiunii normate u C n pentru:
a)  =-0,05; b)  =0; c)  =0,05
 În sistemele fizice reale, cazul a) al oscilaţiilor supraamortizate nu
există, cazul c) al oscilaţiilor subamortizate fiind cel întâlnit datorită pierderilor
de energie prin circuit din cauza rezistenţei R>0. Chiar dacă nu există o
rezistenţă fizică R montată în circuit, există rezistenţele de pierderi ale bobinei
(rb >0) şi condensatorului (rc >0) înseriate cu aceste componente, care conduc
la acelaşi caz c) al oscilaţiilor subamortizate.
Oscilatoarele sinusoidale (sau cosinusoidale), numite si oscilatoare
armonice, sunt construite pentru a obţine cazul b) al oscilaţiilor neamortizate,
numite şi oscilaţii întreţinute. Pentru a menţine (întreţine) constantă
amplitudinea oscilaţiilor trebuie eliminate pierderile de energie. Practica oferă
2 soluţii pentru obţinerea oscilaţiilor întreţinute:
a) utilizarea reacţiei pozitive în proiectarea schemelor de oscilatoare, care
compensează pierderile de energie datorate rezistenţei R>0 prin
întoarcerea unei părţi din energia semnalului periodic de la ieşirea
oscilatorului la intrarea acestuia (figura 5.43.a);
b) utilizarea de dispozitive semiconductoare cu rezistenţa dinamică negativă
(de exemplu, un TUJ sau o diodă tunel), care au rolul de a anula
(compensa) rezistanţa R>0 a circuitului (figura 5.43.b).
Oscilatoarele realizate pe principiul primei soluţii se numesc oscilatoare
cu reacţie sau oscilatoare cu surse comandate, iar oscilatoarele realizate pe
principiului celei de-a doua soluţii se numesc oscilatoare de relaxare sau
oscilatoare cu rezistenţă dinamică negativă. Menţionăm că în practică
oscilatoarele cu reacţie sunt mai des întâlnite deoarece asigură o mai bună
stabilitate în timp şi cu temperatura a frecvenţei de oscilaţie, dar şi
oscilatoarele cu rezistenţa dinamică negativă au domeniile lor specifice de
utilizare.

L i
L
i

R0
R
C C
R ' 0
W

a) b)
Fig. 5.43. Principiile de compensare a pierderilor de energie în circuitul RLC serie: a)
prin înserierea unei surse de energie suplimentară, folosind reacţie pozitivă; b) prin
înserierea unei rezistenţe negative cu rezistenţa R>0 a circuitului

5.4.2. Oscilatoare armonice cu reacţie

Oscilatoarele armonice cu reacţie au aceeaşi schemă bloc ca şi
amplificatoarele cu reacţie cu două deosebiri:
1) semnalul de reacţie Xr se adună cu semnalul de intrare Xi în blocul
element de compensare EC (spre deosebire de amplificatoarele cu reacţie
 unde Xr e scăzut din Xi în blocul EC), astfel încât semnalul de eroare
devine: X   X i  X r
2) nu există semnal de intrare, deci Xi =0, căci oscilatoarele generează
oscilaţii conectându-se iniţial la o sursă de c.c. de la care apoi se
deconectează (vezi rolul comutatorului S din fig.5.41).
În concluzie, schema bloc a unui oscilator cu reacţie este cea din figura
5.44.

Fig. 5.44. Schema bloc a unui oscilator cu reacţie

Pe schema bloc din fig.5.44 a fost notată amplificarea amplificatorului

fără reacţie:
A0  X 0 X r , (5.117)
funcţia de transfer a oscilatorului cu reacţie:
A  X0 X i (5.118)
şi funcţia de transfer a reţelei de reacţie:
  Xr X0 (5.119)
Din relaţiile (5.117) ÷ (5.119) şi prin împărţire la X  deducem:
X0 X0 X0 X A0
A   
Xi X  X r  
1  X r X 0  X0 X  1    A0 (5.120)

Dar X 0 e un semnal finit, fiind o oscilaţie de amplitudine finită şi

X i  0 deoarece oscilatorul îşi produce propria oscilaţie fără a avea nevoie
de semnal de intrare (sursă de alimentare) X i . Se obţine A   şi din relaţia
(5.120) rezultă:
  A0  1 (5.121)
 Relaţia (5.121) se numeşte condiţia de oscilaţie a lui Barkhausen şi cum
j j
  e  şi A0  A0 e A0 pentru semnale armonice, rezultă că relaţia
(5.96) se poate descompune în alte două relaţii, anume:
  A0  1
    2 k (5.122)
  A0
Prima relaţie (5.122) este numită condiţia Barkhausen pentru
amplitudine iar a doua relaţie (5.122) este numită condiţia Barkhausen pentru
fază, unde k este un număr întreg. Condiţia Barkhausen pentru amplitudine
permite determinarea valorii minime a amplificării A0 a amplificatorului fără
reacţie, necesară autoamorsării oscilaţiilor, iar condiţia Barkhausen pentru
fază permite determinarea frecvenţei de oscilaţie.
Luând drept criteriu natura elementelor pasive de precizie din reţeaua
de reacţie, oscilatoarele armonice cu reacţie se pot clasifica la rândul lor în:
- oscilatoare cu rețea de reacție RC numite, pe scurt, oscilatoare RC;
- oscilatoare cu rețea de reacție LC numite, pe scurt, oscilatoare LC;
- oscilatoare cu cristal de cuarţ.
Oscilatoarele RC sunt utilizate în joasă frecvenţă (JF).
Reproductibilitatea lor tehnologică e simplă, plaja de valori a frecventei de
oscilaţie este largă şi poate fi reglată prin modificarea valorilor componentelor
electrice R sau C, dar stabilitatea ei e scăzută.
Oscilatoarele LC au frecvenţe de oscilaţie mai mare şi mai stabile şi
furnizează semnale cu conţinut mare de armonici, iar plaja de valori în care
poate fi reglată frecvenţa de oscilaţie e mai redusă decât la rezistoarele RC.
Oscilatoarele cu cristal de cuarţ au frecvenţele de oscilaţie aproape fixe
şi sunt foarte stabile în funcţionare în timp și la variațiile temperaturii mediului
ambiant.
În continuare, vom prezenta exemple de oscilatoare din fiecare
categorie:

 Oscilatoare RC
În funcţie de topologia reţelei de reacţie (adică de poziţia componentelor
pasive R şi C în schema electrică a reţelei de reacţie) există oscilatoare RC cu
reţea Wien, cu reţea de defazare trece-jos, cu reţea în T-podit, etc.
Oscilatorul cu reţea Wien realizat cu AO, ca exemplu de oscilator RC,
numit şi oscilator în punte Wien este prezentat în fig. 5.45.a). Schema sa
echivalentă de calcul, în care se pun în evidenţă blocurile amplificator fără
reacţie şi reţea de reacţie (ca în fig.5.44), este cea din fig. 5.45.b), completată
(cu linie punctată) cu diodele D1 şi D2 de limitare a amplitudinii oscilaţiilor la
valorile tensiunilor lor de intrare în conducţie. Potenţiometrul RR1 asigură
practic dimensionarea funcţiei de transfer β a retelei de reacţie în vederea
îndeplinirii condiţiei Barkhausen pentru amplitudine.
În figura 5.45.b) se recunoaşte ca amplificator fără reacţie schema de
AO neinversor, a cărui amplificare în tensiune este:
U0 RR2
A0   1 , (5.123)
Ur RR1
care este un număr real.
În vederea calculului funcţiei de transfer  a reţelei de reacţie, vom
desena reţeaua RC de reacţie tip Wien ca în figura 5.46, tensiunea ei de
intrare fiind U0 şi tensiunea de ieşire fiind Ur, conform schemei bloc din
fig.5.44.

a)

b)
Fig. 5.45. Oscilator cu AO şi reţea RC de reacţie tip Wien:
a) schema pentru evidenţierea punţii Wien; b) schema echivalentă de calcul

Ecuaţiile Kirckhoff ataşate circuitului din figura 5.46 sunt:


 I  I1  I 2

  1 
U 0    R1  I  U r (5.124)
  jC1 
 1
U r  I1  R 2 I 2
 jC 2
 Fig. 5.46. Schema electrică a reţelei de reacţie în vederea calculului funcţiei de
transfer, 

Eliminând pe rând curenţii I , I 1 și I 2 din sistemul de ecuaţii (5.124),

obţinem funcţia de transfer a reţelei de reacţie:
Ur 1
  , (5.125)
U0 C R  1 
1  2  1  j  R1C 2  
C1 R2  R2 C1 
care este un număr complex.
Pentru ca circuitul cu reacţie să devină un oscilator cu reacţie, el trebuie
să îndeplinească condiţia de oscilaţie a lui Barkhausen   A0  1 , dată de
relaţia (5.121). Dar A0 dat de relaţia (5.123) e un număr real, iar  dat de
relaţia (5.125) e un număr complex. Pentru ca produsul lor să fie numărul real
1, trebuie ca la pulsaţia de oscilaţie, notată 0 , partea complexă a lui  să se
anuleze, adică:
1
0 R1C 2  0 (5.126)
0 R2 C1
Relaţia (5.126) permite determinarea frecvenţei de oscilaţie:
 1
f0  0  (5.127)
2 2  R1 R2 C1C 2

Aplicaţia A.5.13
Pentru oscilatorul Wien din fig.5.45.b) se dau: RR1  12 k ,
RR2  24 k , R1  R 2  10 k , C1  C 2  33nF şi tensiunea iniţială
uC1(t=0)=2V pe condensatorul C1. Se cer: a) amplificarea amplificatorului fără
reacţie, A0; b) modulul funcţiei de transfer a reţelei de reacţie  la frecvenţe de
oscilaţie; c) verificaţi condiţia Barkhousen pentru amplitudine; d) frecvenţa de
oscilaţie, f0 şi perioada de oscilaţie, T0; e) amplitudinea tensiunii de oscilaţie, U0;
f) graficul tensiunii armonice, u0(t).

Soluţie:
a) Aplicând relaţia (5.123) obţinem:
RR 24k 
A0  1  2  1  3
RR1 12k 
 b) Aplicând relaţia (5.125) şi ţinând cont de relaţia (5.126) valabilă la
frecvenţa de oscilaţie, obţinem:
1 1 1
  
C 2 R1 33nF 10 k 3
1  1 
C1 R2 33nF 10 k
c) Condiţia Barkhausen pentru amplitudine dată de prima dintre relaţiile
(5.122) este A0  1 . În cazul nostru:
A0  1 3   3  1 ,
deci se verifică. În fig. 5.45.b) în locul unei simple rezistenţe practic se
foloseşte un potenţiometru pentru a îndeplini condiţia Barkhausen pentru
fază la variaţie în timp şi cu temperatura a componentelor schemei electrice
a oscilatorului.
d) Aplicând relaţia (5.127), obţinem:
1 1
f0    5 kHz
2  R1 R2 C1C 2 2 10k   3nF 
2 2

Perioada de oscilaţie este:

1 1
T0    0,2 ms
f 0 5 kHz
e) Deoarece condensatorul C1 a fost preîncărcat la tensiunea
uC1(t=0)=2V folosind o sursă iniţială de tensiune de c.c., care apoi a fost
deconectată din circuit, amplitudinea tensiunii de oscilaţie se calculează
astfel:
U 0  A0  u C 1 (t )  3  2V  6V
f) Graficul tensiunii armonice u0(t) este, alegând de exemplu ca moment
inițial t=0 momentul când u0(t) e sinusoidală, de amplitudine U0=6V şi
perioadă de oscilaţie T0=0.2 ms, ca în fig. A.5.3.
Pulsaţia de oscilaţie este:
0  2f 0  2  5kHz  10 4  rad/s
u o t 

U o  6V

o t
 U o  6V

To  0 ,2 ms

Fig. A.5.3. Graficul tensiunii sinusoidale u0 ( t )  U 0 sin 0 t

 Oscilatoare LC
Din această categorie, ca exemplu vom prezenta în continuare
Oscilatoare LC „în 3 puncte” realizate cu TBJ. Aceste tipuri de oscilatoare au
o arie largă de aplicaţii în încălzirile dielectrică şi inductivă. Cele „3 puncte”
sunt electrozii TBJ-ului (emitorul E, baza B şi colectorul C) între care se
conectează în c.a. 3 impedanţe Z 1 , Z 2 şi Z 3 ca în fig.5.50, neprecizate
deocamdată ca natură. În vederea calculului, se va face ipoteza că curentul
de bază este neglijabil, adică I B  0 , acesta având în practică valoare foarte
mică comparativ cu ceilalți curenți din circuit.
Amplificarea amplificatorului fără reacţie este:
U0 U0 I0
A0     , (5.130)
Ui I0 U i
unde semnul – provine din faptul că TBJ e conectat EC şi defazează pe U0
fată de U i cu  .

Fig. 5.50. Schema electrică generală a oscilatorului LC în „3 puncte”

Primul raport din relaţia (5.130) reprezintă impedanţa „văzută” la ieşirea

TBJ-ului, anume Z 1 în paralel cu Z 2 şi Z 3 montate în serie:

Z
U0


Z1  Z 2  Z 3
,
 (5.131)
I0 Z1  Z 2  Z 3
iar al doilea raport, I 0 U i este o mărime numită panta TBJ-ului, notată cu S,
ce va fi determinată în continuare.
Folosind divizorul rezistiv de tensiune, funcţia de transfer  a reţelei de
reacţie este:
U3 Z3
  , (5.132)
U1 Z2  Z3
Înlocuind relaţiile (5.130), (5.131), (5.132) în relaţia (5.121) care reprezintă
relaţia de oscilaţie a lui Barkhousen, rezultă:

A0    1   S 

Z1  Z 2  Z 3

Z3  (5.133)
Z1  Z 2  Z 3 Z 2  Z 3
În final, rezultă:
Z1  Z 2  Z 3  S  Z1  Z 3  0 (5.134)
Considerând că impedanţele complexe:
Z 1  R1  jX 1 , Z 2  R 2  jX 2 , Z 3  R3  jX 3 (5.135)
au pierderi mici ( R1  X 1 , R2  X 2 şi R3  X 3 ), putem aproxima:
Z 1  Z 3  R1  jX 1   R3  jX 3   j 2 X 1 X 3   X 1 X 3 (5.136)
Înlocuind relaţia (5.135) în (5.134) şi ţinând cont de (5.136) obţinem:
R1  jX 1  R2  jX 2  R3  jX 3  SX 1 X 3  0 (5.137)
Egalând părţile reală şi imaginară în (5.137), obţinem:
 R  SX 1 X 3  0
 , (5.138)
 X1  X 2  X 3  0
unde prin R s-a notat R  R1  R 2  R3 . Din (5.138) rezultă:
 R
S 
 X1X3 (5.139)
 X   X  X 
 2 1 3
 EC
RC
L2
RB1

T
CB

C1 C3
+

RE CE
RB 2

a) schemă electrică b) schemă electrică echivalentă de c.a.

Fig.5.51. Oscilator Colpitts

A doua relaţie a sistemului (5.139) arată că X1 şi X3 sunt de aceeaşi

natură şi X2 trebuie să fie de altă natură, existând două situaţii posibile:
a) Z 1 şi Z 3 sunt de tip capacitiv şi Z 2 este de tip inductiv, caz în care
oscilatorul obţinut se numeşte oscilator Colpitts (fig.5.51).
b) Z 1 şi Z 3 sunt de tip inductiv şi Z 2 este de tip capacitiv, caz în care
oscilatorul obţinut se numeşte oscilator Hartley (fig.5.52).
OBS: Menţionăm că in fig.5.51 si 5.52 nu au fost desenate şi rezistenţele serie
de pierderi R1 , R 2 , R3 ale componentelor reactive Z 1 , Z 2 , Z 3 .
  EC

L1 R1  L3 R3 
RB1
C2

T
CB

RE CE
RB 2

a) schemă electrică b) schemă electrică echivalentă de c.a.

Fig.5.52. Oscilator Hartley

În continuare, vom determina frecvenţa de oscilaţie f 0 şi panta S a TBJ

pentru ambele tipuri de oscilatoare:
a) pentru oscilatorul Colpitts:
1 1
X1   X   L X  
 C1 , 2 2, (5.140)
3
C3
Înlocuind (5.140) în (5.139), obţinem frecvenţa de oscilaţie
 1
f0  0  (5.141)
2 2  L2 C
şi panta TBJ-ului, calculată la pulsaţie de oscilaţie 0 :
R C C
S  R 1 3 (5.142)
X1X3 L2 C
1 1 1
unde   .
C C1 C 3
OBS: Un caz particular al oscilatorului Colpitts este oscilatorul Clapp. Se
obţine din oscilatorul Colpitts montând în serie cu L2 un condensator C2 de
valoare mult mai mică decât cele ale condensatoarelor C1 şi C3 în vederea
obţinerii unei frecvenţe de oscilaţie mai mare faţă de oscilatorul Colpitts,
anume sute de MHz. Atunci:
1  1  1
X1   , X 2   L2     , X3   (5.143)
C1   C2  C3
Înlocuind (5.143) în (5.142) obţinem frecvenţa de oscilaţie:
 1 1
f 0'  0   (5.144)
2 2  L2 C 2  L2 C 2
şi panta TBJ-ului:
R C C
S'  R 1 3 (5.145)
X1X3 L2 C
 1 1 1 1 1
unde     deoarece C 2  C 1 şi C 2  C 3 .
C C1 C2 C3 C2
b) pentru oscilatorul Hartley, avem:
1
X 1   L1 , X 2   , X 3   L3 (5.146)
C2
Înlocuind (5.122) în (5.121) obţinem frecvenţa de oscilaţie:
 1
f0  0  , (5.147)
2 2  LC 2
unde L  L1  L2 şi panta TBJ-ului, calculată la pulsaţia de oscilaţie 0 :
R LC 2
S  R (5.148)
X1X3 L1 L3

Aplicaţia A.5.14
Se consideră un oscilator Colpitts cu TBJ având reţeaua de reacţie LC
alcătuită din componentele: C 1  0,25 nF , L2 , C 3  27 nF , fiecare cu
rezistenţele de pierderi proprii R1  1 , R2  2 şi R3  3 . Se cunoaşte
frecvenţa de oscilaţie f 0  3,2 MHz . Se cer: a) calculaţi valoarea inductanţei
L2; b) dimensionaţi TBJ-ul ce asigură amorsarea oscilaţiilor; c) cum trebuie
modificată schema pentru a obţine o frecvenţă de oscilaţie f 0'  100 MHz ?

Soluţie:
a) Se foloseste relaţia (5.141) pentru expresia f0 ' a oscilatorului Colpitts:
1
f0   3,2 MHz ,
9,25nF  27 nF
2  L2 
0,25nF  27 nF
din care rezultă valoarea inductanţei L2  10 H .
b) Pentru determinarea pantei S a TBJ-ului, se foloseşte relaţia (5.142)
precum şi relaţiile:
R  R1  R 2  R3  1  2  3  6 
şi:
1 1 1
  ,
C C1 C 3
C1C 3 0,25nF  27 nF
din care rezultă C    0,2477 nF . Obţinem:
C1  C 3 0,25nF  27 nF
R C C 0,25nF  27 nF mA
S  R  1 3  6   16 ,35
X1X 3 L2 C 10 H  0,2477 nF V
c) Deoarece f0 '  100MHz , se poate folosi un oscilator Clapp, montând
în serie cu L2 un condensator C2 de valoare C 2  C 1 şi C 2  C 3 . Valoarea
lui C2 se calculează folosind relaţia (5.144):
 1 1 1
f 0'  100 MHz    ,
2  L2 C 2  L2 C 2 2  10 H  C 2
din care rezultă C 3  0,25 pF . Se observă într-adevăr că valoarea lui C2
îndeplineşte condiţiile: C 2  0,25 pF  C1  0,25 nF şi
C 2  0,25 pF  C 3  27 nF .
În plus, conform relaţiei (5.142) pentru panta S, acesta are aceeaşi
expresie de la punctul b), adică rămâne acelaşi TBJ-ul ales la oscilatorul
Colpitts anterior.

 Oscilatoare cu cristal de cuarţ

Când se doreşte o bună stabilitate a frecvenţei de oscilaţie în timp și cu
temperatura trebuie să se folosească oscilatoarele cu cuarţ care pot asigura
factori de calitate Q de ordinul 10 4 ...10 6 .
Cristalul de cuarţ, tăiat tehnologic în anumite moduri, capătă proprietăţi
piezoelectrice, adică aplicând plăcuţei de cristal forţe mecanice pe feţele
solicitate mecanic apar sarcini electrice (efect piezoelectric direct), respectiv
aplicând plăcuţei o tensiune de curent alternativ între electrozi apar vibraţii
mecanice şi plăcuţa îşi modifică dimensiunile (efect piezoelectric invers).
Simbolul unui cristal de cuarţ şi schema sa electrică echivalentă sunt
prezentate în figura 5.53, în care Cp este capacitatea parazită între electrozi,
Rs este echivalentul electric al pierderilor prin fiecare, Ls este echivalentul
electric al masei cristalului şi Cs este echivalentul electric al elasticităţii.
Se fabrică cristale de cuarţ, cu frecvenţa de rezonanţă (oscilaţie) fixă,
cuprinsă în gama 100kHz ... 40MHz. La frecvenţe de rezonanţă mai mici,
dimensiunile plăcuţei de cuarţ devin prea mari, iar la frecvenţe mai mari decât
cele din gama specificată, plăcuţa de cuarţ ar deveni prea subţire, deci
friabilă.
În schemele de oscilatoare, cristalul de cuarţ are o comportare
predominant inductivă. De exemplu, în oscilatorul Colpitts din fig.5.42 el poate
înlocui bobina L2. Deoarece cristalul de cuarţ nu are posibilitate de reglare a
frecvenţei de oscilaţie, o schemă practică de oscilator cu cuarţ tip Colpitts este
cea din fig.5.54, în care reglajul frecvenţei de oscilaţie este realizat folosind
bobina de inductantă L reglabilă.
 a) b)
Fig. 5.53. Cristal de cuarţ: Fig. 5.54. Oscilator Colpitts cu
a) simbol; b) schema electrică echivalentă XTAL

5.4.3. Oscilatoare de relaxare (cu rezistenţă dinamică negativă)

Spre deosebire de oscilatoarele armonice cu reacţie, a căror formă de
undă este sinusoidală, forma de undă a oscilatoarelor de relaxare este
nesinusoidală (uzual, dreptunghiulară, triunghiulară sau exponenţială). În cele
ce urmează vom trata oscilatoarele de relaxare exponenţiale/dreptunghiulare.

 Oscilator de relaxare cu TUJ

Oscilatorul de relaxare cu TUJ (notat OR-TUJ) prezentat în fig. 5.55
este un circuit simplu de comandă pe poartă a tiristoarelor şi triacelor, care
sunt dispozitive semiconductoare de putere. De exemplu, în fig.5.55, OR-TUJ
comandă un tiristor Th prin tensiunea sa de ieşire notată U com . OR-TUJ este
format dintr-un TUJ, trei rezistenţe R, R1 şi R2 şi un condensator C.

Fig. 5.55. Schema OR-TUJ

Calculul perioadei de oscilaţie T a OR-TUJ ţine cont de următoarele

condiţii de proiectare:
1) R1  R B1 şi R2  R B2 , unde R B1 şi R B2 sunt rezistenţele interne ale
bazelor B1 şi B2 ale TUJ-ului, pentru ca U B2 B1  E c , deci tensiunea de vârf Up
a TUJ-ului are valoarea aproximativă:
U p  U B2 B1  E c (5.149)
2) rezistenţa R are o valoare suficient de mare încât condensatorul C să se
încarce lent când TUJ-ul e blocat, astfel încât perioada de oscilaţie T să fie
aproximată astfel:
T  Ti  Td  Ti , (5.150)
pentru ca Td  Ti , unde Ti este timpul de încărcare al condensatorului C, iar
Td este timpul său de descărcare.
Funcţionarea OR-TUJ este următoarea: când TUJ-ul este blocat, C se
încarcă prin R de la sursa de tensiune continuă +EC până când TUJ-ul
amorsează și u C  u EB1  U p . Atunci C se descarcă prin R1 până când
u C  u EB1  U v , unde U v  0 (neglijabilă) este tensiunea de vale a TUJ-ului,
când TUJ-ul se blochează din nou şi procesul se reia. Fig.5.56.a) prezintă
dinamica deplasării punctului de funcţionare la OR-TUJ, iar fig. 5.56.b)
prezintă formele de undă ale tensiunilor uC  t  şi ucom  t  .
Pentru calculul perioadei de oscilaţie T  Ti , conform relaţiei (5.140),
este suficientă analiza intervalului t  0, Ti  de încărcare a condensatorului C
prin rezistenţa R de la sursa de alimentare de c.c. +EC. Schema electrică
echivalentă pentru acest interval este cea din figura 5.48.
Ecuaţia Kirckhoff a circuitului din fig.5.56 este:
EC  u R  u C , (5.151)
cu condiţia iniţială u C (t  0 )  U v  0 .
du C
Cum u R  RiC şi iC  C , relaţia (5.151) devine:
dt
du C
E C  RC  uC , (5.152)
dt
unde u C (0 )  0

a) b) Fig. 5.57. Schema

Fig. 5.56. Grafice specifice OR-TUJ: a) evoluţia PSF a OR-TUJ; b) echivalentă a
formele de undă ale tensiunilor uC şi ucom fig.5.56 pentru
 t  0, Ti 

Soluţia este de forma:

u C  u Ct  u Cp , (5.153)
unde u Ct este soluţia de regim tranzitoriu, care se determină rezolvând
du C
ecuaţia omogenă 0  RC  u C şi are expresia:
dt
u Ct  ke t /  , (5.154)
unde s-a notat prin   RC este constanta de timp a circuitului. Soluţia de
regim permanent u Cp este obţinută practic după terminarea regimului
tranzitoriu şi teoretic (matematic) când t   , când condensatorul C s-a
încărcat complet la valoarea:
u Cp  E C (5.155)
Înlocuind relaţiile (5.154) şi (5.155) în relaţia (5.153) obţinem:
u  ke t /   E
C C (5.156)
Pentru aflarea constantei k punem condiţia iniţială:
u C (0 )  0  k  E C  k   E C (5.157)
Înlocuind (5.133) în (5.132) obţinem soluţia finală:
C C 
u (t )  E 1  e t /   (5.158)
Pentru aflarea perioadei T  Ti punem condiţia ca la sfârşitul
intervalului t  0, Ti  analizat să avem:
u (T  T )  E  E 1  e T /  ,
C i C C   (5.159)
conform formei de undă a lui u C (t ) din figura 5.56.b).
În final, din (5.159) deducem formula de calcul a perioadei OR-TUJ:
1
T  RC ln (5.160)
1 
Perioada T poate fi reglată din rezistenţa variabilă R (vezi fig.5.55), din
care se reglează de obicei unghiul de amorsare   T a tiristorului Th (sau a
unui triac), unde  este pulsaţia reţelei de c.a. care alimentează dispozitivul
semiconductor de putere, adică   2  50 Hz  100 rad/s.

Aplicaţia A.5.15
OR-TUJ fig. 5.55 are raportul de divizare intrinsec al TUJ-ului   0,6 .
Se dau: R  2 k , R1  120  , C  1F , EC  12V şi   100 rad/s .
Calculaţi: a) frecvenţa de oscilaţie f; b) unghiul  de amorsare al tiristorului Th

Soluţie:
a) Folosind relaţia (5.160) obţinem perioada de oscilaţie:
1 1
T  RC ln  2  10 3   10 6 F  ln  1,83ms ,
1  1  0 ,6
deci frecvenţa de oscilaţie va fi:
f  1 / T  1 / 1,83ms  546 ,45 Hz
b) Unghiul de amorsare al tiristorului Th este:
rad
  T  100  1,83  10 3 s  0,574 rad  33 
s

Uneori nu este suficientă modificarea lui R pentru varierea lui  , ci este

necesar să se acţioneze asupra lui  prin intermediul unei tensiuni de
comandă U0 a bazei TBJ ce permite reglarea curentului de bază, deci şi a
curentului de colector a TBJ ce va încărca condensatorul pe durata t  0, Ti ,
ca în fig.5.58. Se poate demonstra că perioada de oscilaţie în acest caz poate
fi reglată prin intermediul tensiunii de comandă U0 pe baza relaţiei:
EC
T  RC ln (5.161)
U0

Fig. 5.58. Variantă de OR-TUJ comandat cu tensiune continuă reglabilă U0

 Oscilator de relaxare bipolar din fig.5.59.a) permite obţinerea unor

oscilaţii dreptunghiulare (rol de circuit basculant astabil), precum şi a unor
oscilaţii exponenţiale bipolare. Formele de undă sunt cele din figura 5.59.b).
Menţionăm că generatoarele de tensiune dreptunghiulară au o arie deosebit
de mare de utilizare, inclusiv în aplicaţiile privind prelucrarea digitală a
semnalelor. Amplificatorul operaţional (AO) din 5.59.a) saturat utilizat este
alimentat la valori apropiate dar mai mici de tensiunile de alimentare
diferenţiale  E , el căpătând astfel funcţia de comparator.
R ic
ic C  Ip  0

u c u  AO saturat
u uo
Ip  0
i i
R2
u  R1

a) b)
Fig. 5.59. Oscilator de relaxare bipolar realizat cu AO saturat:
a) schema electrică; b) oscilaţiile dreptunghiulare (u0) şi exponenţiale bipolare (uC)
 Funcţionarea unui AO saturat poate fi descrisă matematic prin relaţia:
 E , daca u   u 
u0 ( t )   (5.162)
 E , daca u   u 
Cu schema din figura 5.59.a) oscilaţia dreptunghiulară care se obţine
este bipolară (de c.a.) deoarece, conform fig.5.59.b) forma de undă pentru
u 0 (t ) este pozitivă pe jumătate din perioada T de oscilaţie şi negativă pentru
cealaltă jumătate de perioadă.
În continuare, vom explica funcţionarea schemei electrice. Să
presupunem că la momentul considerat ca iniţial t=0 la ieşirea AO saturat
condensatorul C se încarcă prin R de la u0 până când
R1
uC  u   u   u 0  mE , unde am notat prin m raportul
R1  R2
R1
m , când comparatorul, conform legii lui de funcţionare (5.162),
R1  R2
sare de la valoarea u0   E la valoarea u 0   E . Atunci condensatorul C se
R1
descarcă prin R până când u C  u   u    m   E    mE , când
R1  R 2
comparatorul, conform legii de funcţionare (5.162), sare din nou la valoarea
u0   E şi procesul se repetă.
Pentru calculul perioadei T de oscilaţie, este suficientă analiza
circuitului pe prima jumătate de perioadă t  0, T 2 când, conform formelor
de undă explicative din figura 5.59.b), u0   E şi C se încarcă prin R, condiţia
iniţială fiind u C (t  0 )   mE . Rezultă ecuaţia diferenţială pe acest interval:
 E  RiC  u C , unde uC  0   mE (5.163)
du
Cum iC  C C , rezultă că (5.163) devine:
dt
du
 E  RC C  u C , cu condiţia iniţială u C (0 )   mE (5.164)
dt
Această ecuaţie a mai fost rezolvată la OR-TUJ, soluţia ei fiind:
u C  ke t /   E C , unde   RC este constanta de timp. (5.165)
Punem condiţia iniţială (5.141) pentru aflarea constantei k:
u C (0 )   mE  k  E  k  m  1E (5.166)
Înlocuind (5.142) în (5.141) obţinem soluţia finală:
 
u (t )  E  1  m  1  e t / 
C (5.167)
Punem condiţia finală de la sfârşitul acestui interval t  0, T 2 pentru
determinarea perioadei de oscilaţie:
 
u C T 2    mE  E  1  m  1  e T / 2 (5.168)
Rezultă perioada de oscilaţie:
 1 m  2R 
T  2 RC ln  2 RC ln 1  1  (5.169)
1 m  R2 

Aplicaţia A.5.16
Pentru oscilatorul de relaxare bipolar din fig.5.59.a) se cunosc:
R1  R2  20k  , R  5k  şi C  0.1 F . Aflaţi m,  şi frecvenţa de oscilaţie f.

Soluţie:
Pentru oscilator bipolar avem:
R1 20k 
m   0.5
R1  R2 20k   20k 
  RC  5  109   10 7 F  0.5ms
Conform relaţiei (5.169), perioada de oscilaţie este:
1 m 1  0.5
T  2RC ln  2  5  103   10 7 F ln  1.1ms ,
1 m 1  0.5
deci frecvenţa de oscilaţie este f  1  1  0.91kHz .
T 1.1ms

 Oscilatorul de relaxare unipolar, care are aceeaşi schemă cu cel

bipolar din fig.5.59.a) cu deosebirea că tipul de comparator utilizat este diferit,
fiind alimentat la tensiunea +E şi având masă (0 Volţi) în loc de –E, astfel că
legea sa de funcţionare devine:
 E , daca u   u 
u0 ( t )   (5.170)
0 , daca u   u 
Schema electrică şi formele de undă ale tensiunilor u0 şi uC devin cele
din fig.5.60. Se observă unipolaritatea tensiunilor u0 şi uC, în fig.5.60.b (au
semn pozitiv).

b)
a)
Fig. 5.60. Oscilator de relaxare unipolar:
a) schema electrică; b) oscilaţiile dreptunghiulare (u0) şi exponenţiale (uC) unipolare
 CURS 9
REDRESOARE MONOAFAZATE SI BIFAZATE.
FILTRE DE NETEZIRE – Partea I

8.1. REDRESOARE
8.1.1. Redresoare cu diode (necomandate)
8.1.2. Redresoare cu tiristoare (comandate)

8.1. REDRESOARE

Redresoarele sunt cunoscute în electronica energetică (electronica

conversiei de energie electrică) şi sub denumirea de convertoare c.a.-c.c. Sunt
folosite în alimentarea cu curent continuu a aparaturii electronicii industriale, a
echipamentelor de calcul şi telecomunicaţii, a motoarelor de c.c., a diverselor plăci
de PC etc.
Schema bloc completă a unei surse de alimentare de c.c. ce foloseşte un
redresor este dată în fig.8.1. Sursa de energie de c.a. (reţeaua de distribuţie
naţională de c.a. sinusoisal de amplitudine 230Vef şi frecvenţă 50Hz) este adusă
la amplitudinea dorită de transformator (la o altă valoare mai mică sau mai mare
decît amplitudinea de 230Vef, dar tot de frecvență 50Hz), apoi redresorul
realizează funcţia de redresare care constă în conversia (transformarea)
curentului alternativ în curent continuu, rezultând o formă de undă aproape
continuă ce prezintă ondulaţii. Filtru trece jos (FTJ) ce urmează are rolul de
micşorare al ondulaţiilor (ideal, de eliminare totală a acestora) – în cazul
redresoarelor polifazate sau pentru sarcini mai puţin sensibile, el poate lipsi din
schema bloc. Pentru aplicaţiile în care este necesară reducerea şi mai mult a
ondulaţiilor, după FTJ urmează un stabilizator de tensiune la care se conectează
sarcina.

c.c. cu c.c. cu
c.a.
c.c.cu ondulatii ondulatii
c.a. ondulatii mai mici si mai mici
220Vef
50 Hz

Fig.8.1. Schema bloc completă a unei surse de alimentare de c.c. cu redresor

 In continuare vom studia redresoarele (anume cele monoalternanta si
bialternanta necomandate, comandate si semicomandate) si filtrele de netezire a
tensiunii si curentului redresat.
Redresoarele se clasifică după mai multe criterii:
a) după numărul <m> de infasurari (numite faze) ale secundarului
transformatorului, există:
- redresoare monofazate, care au m=1;
- redresoare bifazate, care au m=2;
- redresoare trifazate, care au m=3;
- redresoare polifazate, ca un caz general în care m  2. In practica se fabrica
transformatoare avand m  { 1, 2, 3, 4, 6 , 12, 24 } faze;
b) după numărul de alternanţe redresate ale tensiunii de alimentare cu c.a. ale
reţelei, există:
- redresoare monoalternanta, ce redresează doar una dintre cele 2 alternanţe
(fie cea pozitivă, fie cea negativă);
- redresoare bialternanta, ce redresează ambele alternanţe.
c) după natura dispozitivelor electronice din componenţa schemei
redresorului, există:
- redresoare necomandate, realizate exclusiv cu diode;
- redresoare comandate, realizate exclusiv cu tiristoare;
- redresoare semicomandate, în care jumătate din numărul de dispozitive
semiconductoare sunt diode şi cealaltă jumătate sunt tiristoare.
OBS: Schema electronica a redresorului se mentine aceeasi, doar
dispozitivele semiconductoare se modifica in cele 3 tipuri de redresoare
mentionate la punctul c).
d) după posibilitatea de reglare sau nu a valorii medii a tensiunii redresate,
există:
- redresoare cu valoarea medie a tensiunii redresate fixă, deci imposibil de
reglat - acesta este cazul redresoarelor necomandate;
- redresoare care au posibilitatea de reglare a valorii medii a tensiunii
redresate - acesta este cazul redresoarelor comandate şi semicomandate,
la care reglajul este realizat prin modificarea unghiului de amorsare  al
tiristoarelor, reglabil teoretic intre 0º si 180º.
e) după topologia schemei, există:
- redresoare cu punct median, numite şi redresoare în stea;
- redresoare în punte, obtinute prin înserierea a doua redresoare cu punct
median;
- redresoare cu transformator interfază, obţinute prin conectarea în paralel a
două redresoare cu punct median.
În continuare, studiul redresoarelor monoalternanţă şi bialternanţă se va
face pe sarcină pur rezistivă.
 8.1.1. Redresoare cu diode
 Redresor monofazat monoalternanţă necomandat
Schema redresorului monofazat monoalternanţă necomandat cu sarcină
rezitivă este prezentată în fig.8.2a), iar schema electrică echivalentă acesteia în
fig.8.2.b). Formele de undă specifice ale tensiunii redresate u d la bornele sarcinii
rezistive R precum şi a curentului redresat id ce traversează sarcina sunt
prezentate în fig.8.2.c).
D D
1 :1
id id

u R ud u R ud

220Vef
50 Hz

c) formele de undă ale

b) schemă electrică tensiunii de alimentare,
a) schemă electrică reală
echivalentă curentului şi tensiunii
redresate
Fig.8.2. Redresorul monofazat monoalternanţă necomandat cu sarcină pur rezistivă R

Se observă că schema electrică echivalentă de calcul din fig.8.2.b) a fost

obţinută din schema electrică reală din fig.8.2.a) prin considerarea doar a
secundarului transformatorului (raportul de transformare este ales 1:1) ce a fost
not
echivalat cu o sursă de c.a. u 2  u 1  u  U sin t . Sursa (faza) u justifică
denumirea de monofazat a acestui redresor. Formele de undă din fig.8.2.c) arată
că doar alternanţa pozitivă a tensiunii de alimentare u1 a fost redresată, de unde
denumirea de monoalternanţă a acestui redresor. Redresorul este realizat cu o
singură diodă, deci este necomandat. Sarcina este reprezentată doar prin
rezistenţa R, deci este o sarcină pur rezistivă.
Mărimile caracteristice ale redresării se referă la:
a) tensiunea redresată ud, ai cărei parametri alcătuiesc regimul de tensiune;
b) curentul redresat id, al cărui parametri alcătuiesc regimul de curent;
c) puterea instantanee redresată pd=udid, ale cărei parametri alcătuiesc regimul
de putere.
Determinarea regimurilor de tensiune, curent şi putere ale redresorului
permit analiza performanţelor redresorului comparativ cu un alt redresor sau cu
noţiunea teoretică de redresor ideal.
a) Regimul de tensiune este alcătuit din următorii parametri specifici
tensiunii redresate ud:
  Valoarea medie a tensiunii redresate, notată prin Ud, care se
calculează aplicând formula generală (1.61):
def 1T 1 T 1  U
Ud   ud ( t )dt   ud (  t )d   t    U sin  td  t    0,318U (8.1)
T 0 T 0 2 0 
Ideal, valoarea medie ar trebui să fie egală cu amplitudinea U.
 Dezvoltarea în serie Fourier trigonometrica a tensiunii redresate ud(t)
este:
def  U U 2U
ud (t )  Ud    an cosnt  bn sinnt    sint  cos2t  ... , (8.2)
n1  2 3
Redresorul ideal nu are decât componenta continuă (valoarea medie) U d şi
nu are armonici, deci coeficienţii a n  bn  0 .
 Valoarea efectivă a tensiunii redresate, notată prin Ud,ef care se
calculează aplicând formula:
def 1T 2 1 T 2 1  U
 U sin t  d  t    0,5U
2
U d ,ef   ud ( t )dt   ud ( t )d( t )  (8.3)
T0 T 0 2 0 2
Obs: Ţinând cont că, dacă se cunoaşte dezvoltarea în serie Fourier a tensiunii
ud(t), valoarea efectivă se poate exprima şi aplicând relaţia:
def 
U d ,ef  U d2   U dn,ef
2
n 1
şi că redresorul ideal are doar componenta continuă (valoarea medie U d), toate
armonicile sale u dn (t )  U dn sin nt fiind nule, valoarea efectivă ideală ar trebui
să fie egală cu valoarea medie Ud.
 Factorul de redresare Dr(u) se defineşte prin relaţia:
/
𝐷( )= = = ≅ 0,318 (8.4)
Ideal, Ud=U, deci Dr ideal ar trebui să aibă valoarea 1.
 Factorul de ondulaţie  se defineşte prin relaţia:

2
 U dn ,ef U d2 ,ef  U d2
n 1 U / 2 2  U /  2
    1,21 (8.5)
Ud Ud U /
Ideal, valoarea medie Ud coincide cu valoarea efectivă Ud,ef, deci factorul de
ondulaţie ar trebui să fie egal cu 0.

b) Regimul de curent este alcătuit din parametri specifici similari tensiunii

redresate ud. Ţinând cont că pentru sarcină pur rezistivă există o dependenţă
liniară între tensiunea redresată ud şi curentul redresat id exprimată prin relaţia:
u (t )
i d (t )  d , (8.6)
R
se pot calcula în mod similar valoarea medie a curentului redresat I d, dezvoltarea
în serie Fourier a curentului redresat id(t) şi valoarea efectivă a curentului redresat
Id,ef printr-o simplă împărţire la R a relaţiilor (8.1), (8.2) şi (8.3). Fiind rapoarte,
factorul de redresare Dr şi factorul de ondulaţie  au aceleaşi formule (8.4),
respectiv (8.5) şi pentru tensiunea redresată ud(t) şi pentru curentul redresat id(t).

c) Regimul de putere se caracterizează prin următorii parametri specifici:

 Puterea medie furnizată în sarcină Pd:
U U U2
Pd  U d  I d    (8.7)
 R  2 R
2
Această putere este de dorit să fie cât mai mare, ideal U / R .
 Puterea medie furnizată de sursa de alimentare (secundarul
transformatorului), Ps:
1T 1 U U2
Ps   u (t )i d (t )dt   U sin t  sin td t   (8.8)
T0 2 0 R 4R
 Randamentul redresorului,  :
Pd U 2 /  2 R 4
    0,405  40,5% (8.9)
Ps U 2 / 4R  2
După cum se observă, randamentul redresorului monofazat monoalternanţă
necomandat cu sarcină rezistivă este mic. În vederea îmbunătăţirii lui, fie se
menţine schema dar se utilizează un filtru trece jos (FTJ) introdus suplimentar
după redresor ca în fig.8.1, fie se renunţă la acest tip de redresor şi se utilizează
unul mai performant.

Aplicaţia 8.1
Pentru circuitul din fig.8.2 se cunosc: u( t )  100 sin t [V] şi R  20  .
Calculaţi mărimile specifice regimului de curent al redresorului.

Soluţie:
a) Valoarea medie a curentului redresat Id se află folosind relaţiile (8.1) şi
(8.6):
Ud U 100V
Id     1,6 A
R  R   20
b) Dezvoltarea în serie Fourier a curentului redresat id(t) se află aplicând
relaţiile (8.2) şi (8.6):
u (t ) U U 2U
id (t )  d   sint  cos2t  ...  1,6V  2,5sint  2,72cos2t  ...
R  R 2R 3 R
c) Valoarea efectivă a curentului redresat Id,ef se află aplicând relaţiile (8.3)
şi (8.6):
 U d ,ef U
I d ,ef    2,5 A
R 2R
d) Factorul de redresare al curentului redresat se află aplicând similar
relaţiile (8.4) şi (8.6):
𝑈
𝐼 𝑈 1
𝐷()= = 𝑅 = = 𝐷 ( ) = ≅ 0,318,
𝐼 𝑈 𝑈 𝜋
𝑅
fiind identic cu factorul de redresare al tensiunii redresate deoarece sarcina este
rezistivă.
e) Factorul de ondulaţie al curentului redresat, identic pentru sarcină
rezistivă cu factorul de ondulaţie al tensiunii redresate se află aplicând
relaţiile (8.5) şi (8.6):
I d2,ef  I d2 2,5V 2  1,6V 2
   1,21
Id 1,6V
fiind, de asemenea, identic cu factorul de ondulatie al tensiunii redresate
deoarece sarcina este rezistivă.

 Redresoare bialternanţă necomandate

Pentru îmbunătăţirea parametrilor redresoarelor monoalternanţă se
utilizează redresoare bifazate bialternanţă cu punct median (numite şi redresoare
bifazate bialternanţă în stea) sau redresoare monofazate bialternanţă în punte.
Schemele electrice, schemele electrice echivalente şi formele de undă ale tensiunii
redresate pentru sarcină pur rezistivă a ambelor categorii de redresoare sunt
prezentate în fig.8.3,respectiv în fig.8.4.
u1  u
 
D1  2
0 
3 t
D1 u1 D1
1: 2
     
 u1 u2 u 2  u
u1 R id id D2

0   
R
u 
    2 3 t
u2 0  
     
ud u2
ud
R id
ud
D2 ud ud id  u d R
id
D2
D1 D2 D1
0  2 3 t

c) formele de undă ale

b) schemă electrică
a) schemă electrică tensiunilor de alimentare şi
echivalentă
a tensiunii redresate
Fig.8.3. Redresorul bifazat bialternanţă necomandat cu punct median (in stea)
cu sarcină rezistivă R
 u
D1 D4  
 2 3 t
   R id
0 
u
   ud ud
D2 D3 D1 D2 D1
D3 D4 D3
0 t

c) formele de undă ale

a) schemă electrică si ilustrarea b) schemă electrică
tensiunii de alimentare şi
inserierii celor 2 redresoare, R+ si R- echivalentă
a tensiunii redresate
Fig.8.4. Redresorul monofazat bialternanţă necomandat în punte
cu sarcină rezistivă R

A. Redresorul bifazat bialternanţă cu punct median (în stea) din fig.8.3.a) se

numeşte bifazat deoarece transformatorul are două secundare (numite faze) egale
ca număr de spire între ele şi cu primarul, ceea ce face să existe relaţiile între
tensiuni:
u1  u 2  u  U sin t (8.10)
Cele 2 faze au fost înlocuite în schema electrică echivalentă din fig.8.3.b) cu
două surse de tensiune de c.a., u1 şi u2. Redresorul se numeşte bialternanţă
deoarece în fig.8.3.c) se observă că au fost redresate atât alternaţa pozitivă (+)
cât şi alternanţa negativă (-) a tensiunii de alimentare u. Redresorul este
necomandat deoarece conţine ca dispozitive semiconductore diode, care nu pot fi
comandate căci nu au nici un electrod de comandă. Redresorul este cu punct
median deoarece secundarul transformatorului a fost împărţit în două părţi egale
de punctul median notat O din fig.8.3 a) şi b). El se mai numeşte şi în stea
deoarece din punctul O se desprind ca dintr-o stea ramurile redresorului, aşa cum
se vede în fig.8.3.b) ce reprezinta schema echivalentă redesenată.
Funcţionarea acestui redresor este următoarea:
- când alternanţa tensiunii de alimentare u este pozitivă (semnul + sus şi
semnul – jos, fără paranteze) se deschide dioda D1 care devine polarizată
direct, dioda D2 fiind blocată deoarece este polarizată invers. Va funcţiona
jumătatea de circuit de sus (u1, D1 şi R) a redresorului;
- când alternanţa tensiunii de alimentare u este negativă (semnul - sus şi
semnul + jos, cu paranteze) se deschide dioda D 2 care devine polarizată
direct, dioda D1 fiind blocată deoarece este polarizată invers. Va funcţiona
jumătatea de circuit de jos (u2, D2 şi R) a redresorului.
Din descrierea funcţionării de mai sus rezultă dezavantajul acestei scheme
de a utiliza în fiecare moment doar jumătate de transformator (fie jumătatea de
sus, fie jumătatea de jos), deci gabaritul transformatorului este mare şi nejudicios
folosit.
 Forma de undă a tensiunii redresate este prezentată în fig.8.3.c), în care se
indică ce diodă funcţionează pe fiecare din respectivele alternanţe.

B. Redresorul monofazat bialternanţă în punte din fig.8.4.a) se numeşte

mofazat deoarece transformatorul are doar un singur secundar (numit fază) egal
ca număr de spire cu primarul. Tot în fig.8.4.a) se observă că redresorul în punte
 
a fost obţinut prin înserierea a două redresoare în stea, notate R şi R .
Secundarul a fost înlocuit în schema electrică echivalentă din fig.8.4.b) cu
sursa u de tensiune de c.a. Redresorul se numeşte bialternanţă deoarece în
fig.8.4.c) se observă că au fost redresate atât alternaţa pozitivă (+) cât şi alternanţa
negativă (-) a tensiunii de alimentare u. Redresorul este necomandat deoarece
conţine ca dispozitive semiconductore numai diode, care nu pot fi comandate căci
nu au niciun electrod de comandă.
Funcţionarea acestui redresor este următoarea:
- când alternanţa tensiunii de alimentare u este pozitivă (semnul + sus şi
semnul – jos, fără paranteze) se deschid diodele D 1 şi D3 care sunt
polarizate direct, diodele D2 şi D4 fiind blocate deoarece sunt polarizate
invers;
- când alternanţa tensiunii de alimentare u este negativă (semnul - sus şi
semnul + jos, cu paranteze) se deschid celelalte două diode, D 2 şi D4,
diodele D1 şi D3 fiind polarizate invers.
Din descrierea funcţionării de mai sus rezultă avantajul acestei scheme de
a utiliza în fiecare moment integral transformatorul, deci gabaritul acestuia este
mai mic decât la redresorul în stea şi este judicios folosit. De aceea, desi mai
scump deoarece conţine 4 diode în loc de 2 ca la redresorul în stea, acest tip de
redresor este folosit cel mai des în schemele practice.
Forma de undă a tensiunii redresate este prezentată în fig.8.4.c), în care se
indică ce diode funcţionează pe fiecare din respectivele alternanţe.
Comparând formele de undă ale tensiunii redresate u d din fig.8.3.c) şi 8.4.c),
se constată că deşi diferite ca schemă, cele 2 tipuri de redresoare bialternanţă
prezentate sunt echivalente funcţional deoarece formele de undă ale tensiunii
redresate ud sunt identice. În consecinţă, regimurile de tensiune, curent şi putere
redresată vor fi tratate identic pentru cele 2 redresoare în cele ce urmează,similar
cu cele de la redresorul monoalternanţă.
a) Regimul de tensiune:
 Valoarea medie a tensiunii redresate se calculează aplicând formula
generală:
T 
1 1 2U
Ud   u d (t ) dt   U sin td t    0,636U (8.11)
T 0  0 
Se constată că valoarea ei este dublă faţă de cea a redresorului
monoalternanţă dată de relaţia (8.1), deci acest redresor este mai performant.
  Dezvoltarea în serie Fourier a tensiunii redresate ud(t) se află aplicând
relaţia generală:
 2U 4U 4U
ud (t )  Ud    an cosnt  bn sinnt    cos2t  cos3t  ... (8.12)
n1  3 15
Comparativ cu redresorul monoalternanţă se constată dispariţia unora dintre
armonicile impare şi scăderea amplitudinii lor, deci performanţe mai bune
 Valoarea efectivă a tensiunii redresate se calculează aplicând formula
generală (1.62):
T 
1 2 1 U
  U sin t  d t  
2
U d ,ef  u d (t )dt   0,707U (8.13)
T 0  0 2
Se constată o îmbunătăţire prin creşterea valorii medii spre valoarea ideală U.
 Factorul de redresare Dr(u) este acum:
U d 2U /  2
Dr    (8.14)
U U 
Ţinând cont că ideal este ca Ud=U, deci Dr ideal ar trebui să aibă valoarea
1, Dr al redresoarelor bialternanţă este mai bun (a crescut) faţă de D r al
redresorului monoalternanţă
 Factorul de ondulaţie  este acum:

2
 U dn,ef
 n1

U d2,ef  U d2

U / 2
2 2  2U /  2
 0,483(8.15)
Ud Ud 2U / 
Factorul de ondulaţie a scăzut faţă de cazul redresorului monoalternanţă şi
cum ideal factorul de ondulaţie ar trebui să fie egal cu 0, din nou acest redresor
este mai bun.
b) Regimul de curent se calculează pe baza aceloraşi observaţii de la
redresorul monoalternanţă.
c) Regimul de putere are:
 Puterea medie furnizată în sarcină Pd:
2U 2U 4U 2
Pd  U d  I d    (8.16)
 R  2 R
Această putere a crescut de 4 ori faţă de cea a redresorului monoalternanţă
2
şi cum este de dorit să fie cât mai mare, ideal U / R , din nou redresoarele
bialternanţă sunt mai performante comparativ cu cele monoalternanţă.
 Puterea medie furnizată de sursa de alimentare (secundarul
transformatorului), Ps:
1T 1 2 U U2
Ps   u( t )id ( t )dt   U sin  t  sin  td  t   (8.17)
T0 2 0 R 2R
  Randamentul redresorului,  :
Pd 4U 2 /  2 R 8
    0,81  81% (8.18)
Ps 2 2
U / 2R 
După cum se observă, randamentul redresoarelor bialternanţă necomandat
cu sarcină rezistivă este dublu faţă de redresorul monoalternanţă cu acelaşi tip de
sarcină. În concluzie, redresoarele bialternanţă sunt superioare ca performanţe
redresorului monoalternanţă.
Ca şi în cazul redresorului monoalternanţă, în vederea îmbunătăţirii
performanţelor redresoarelor bialternanţă, fie se menţine schema dar se utilizează
un filtru de netezire de tip trece jos (FTJ) suplimentar introdus după redresor ca în
fig.8.1 ( mentionam ca o bobină de valoare cât mai mare – ideal de valoare infinit
- în serie cu rezistenţa de sarcină R filtreaza curentul redresat id, respectiv un
condensator tot de valoare cât mai mare – ideal de valoare tot infinit - în paralel pe
R filtreaza tensiunea redresata ud), fie se renunţă la acest tip de redresor şi se
utilizează unul mai performant.
Redresoarele polifazate au performanţe îmbunătăţite faţă de redresoarele
studiate până acum. În practică se utilizează redresoare cu un număr de faze m
egal cu 1, 2, 3, 4, 6, 12 şi 24. Cu cât numărul de faze este mai mare cu atât
tensiunea redresată este mai aproape de o tensiune continuă astfel încât la un
moment dat devine inutilă utilizarea filtrului trece jos (FTJ) precum şi a
stabilizatorului din fig.8.1.

Aplicaţia A8.2
Pentru redresorul monofazat bialternanţă necomandat in punte cu sarcină
rezistivă din fig.8.4 având u  100 sin  t [V] şi R  20  , calculaţi regimul de putere.

Soluţie:
a) Conform relaţiei (8.16), puterea medie aplicată pe sarcină este:
2U 2U 4U 2 4  100V 2
Pd  U d  I d      202,85W
 R  2 R  2  20
b) Conform relaţiei (8.17), puterea medie furnizată de sursa de alimentare este:
1T 1 2 U U 2 100V 2
Ps   u (t )i d (t )dt   U sin t  sin td t     2,75 kW
T0 2 0 R 2 R 2  20 
c) Conform relaţiei (8.18) randamentul redresorului este acelaşi, indiferent de
valorile numerice date:
Pd 4U 2 /  2 R 8
    0,81  81%
Ps U 2 / 2R 2
 8.1.2. Redresoare cu tiristoare (comandate)
După cum s-a menţionat la clasificarea redresoarelor, redresoarele cu
tiristoare pot fi redresoare comandate dacă sunt realizate exclusiv cu tiristoare sau
redresoare semicomandate dacă sunt realizate cu jumătate din dispozitivele
semiconductoare diode (care sunt dispozitive necomandabile în conducţie sau în
blocare deoarece nu au nici un electrod de comandă) şi cealaltă jumătate tiristoare
(sunt dispozitive semiconductoare comandabile în conducţie prin electrodul lor de
comandă numit poartă si notat cu litera G).
Ca observaţie generală, menţionăm că schemele de redresoare comandate
şi semicomandate sunt aceleaşi de la redresoarele necomandate în care s-au
înlocuit toate diodele cu tiristoare (pentru a obţine redresorul similar comandat)
sau doar jumătate din diode cu tiristoare – acolo unde este posibil - (pentru a obţine
redresorul similar semicomandat).
De asemenea, trebuie observat faptul că valoarea medie a tensiunii şi
curentului redresate ale tuturor redresoarelor necomandate este fixă, fără nici o
posibilitate de reglare. Aici intervine rolul tiristorului/tiristoarelor din schemele
similare de redresoare comandate sau semicomandate care, prin modificarea
unghiului de amorsare   0 ,   al acestui dispozitiv semiconductor de catre
circuitul de comanda atasat lui permite reglarea valorilor medii ale tensiunii şi
curentului redresate, deci inclusiv a puterii redresate pe sarcină.

 Redresoare comandate
A. Redresor monofazat monoalternanţă comandat
Redresorul monofazat monoalternanţă necomandat din fig.8.2 se
transformă în redresor monofazat monoalternanţă comandat dacă se înlocuieşte
dioda D cu un tiristor T, rezultând fig.8.5.

T iG G T iG
G
1:1 id id

u u ud ud
R u R

c) formele de undă ale

b) schemă electrică tensiunii de alimentare,
a) schemă electrică
echivalentă curentului şi tensiunii
redresate
Fig.8.5. Redresorul monofazat monoalternanţă comandat
 Tiristorul primeşte pe electrodul poartă un curent de comandă i G sub forma
unui impuls la momentul unghiular  fără de care, chiar dacă tiristorul este
polarizat direct, nu poate intra în conducţie. Formele de undă explicative sunt
prezentate în fig.8.5.c) pe care se indicate unghiul  de comanda al tiristorului
reglabil, prin circuitul de comandă al tiristorului teoretic în intervalul unghiular
maxim   0 ,  , unghiul  de stingere al tiristorului (în cazul sarcinii rezistive R
avem    , ca în fig.8.5.b) şi unghiul de conducţie      al tiristorului.
Ca circuit de comandă a porţii se poate folosi un oscilator de relaxare cu
TUJ - ca exemplul cel mai simplu -, sau variante din ce în ce mai evoluate în
complexitate cum ar fi circuitele integrate specializate pentru comanda pe poartă
a tiristoarelor, microcontrolere, procesoare digitale de semnal (uzual, numite in în
limba engleză Digital Signal Processors si prescurtate DSP-uri) sau chiar
programe de comanda implementate pe calculatoare.
Pentru redresorul monofazat monoalternanţă comandat, urmărind
comparativ formele de undă ale tensiunii şi curentului redresate din fig.8.2.c)
corespunzătoare redresorului necomandat cu cele similare din fig.8.5.c) ale
redresorului similar comandat, deducem că se pot calcula uşor mărimile specifice
regimurilor de tensiune, curent şi putere dacă în relaţiile (8.1)  (8.9) specifice
redresorului similar necomandat integralele se fac de la  la  în loc de la 0 la 
. De exemplu:
 Valoarea medie a tensiunii redresate se calculează direct aplicând
relaţia generală sau modificând relaţia (8.1) astfel:
1T 1  U
U d   u d (t )dt   U sin td t   1  cos   , (8.19)
T0 2  2
 Valoarea efectivă a tensiunii redresate, se calculează direct aplicând
relaţia generală sau modificând relaţia (8.3) astfel:
1T 2 1  U sin 2
 U sin t  d t  
2
U d ,ef   u d (t )dt     (8.20)
T0 2  2 2
 Valoarea medie a curentului redresat pentru cazul sarcinii rezistive se
calculează pornind de la relaţia (8.6) astfel:
1T 1 T u d (t ) U U
Id  i
 d ( t ) dt   dt  d  1  cos   , (8.21)
T0 T0 R R 2R
 Puterea medie furnizată în sarcină Pd:
U2
Pd  U d  I d  1  cos  2 (8.22)
4 2 R
Lăsăm ca temă calculul matematic al celorlalte mărimi specifice regimurilor
de tensiune, curent şi putere ale redresorului monofazat monoalternanţă
comandat.
 Ca observaţie, dacă unghiul de comandă al tiristorului este   0 atunci
tiristorul se comportă ca o diodă, iar redresorul redevine necomandat.
Dacă în relaţiile de mai sus se variază din circuitul de comandă al porţii
tiristorului unghiul de comandă  al acestuia în gama maximă   0 ,  , valoarea
medie a tensiunii redresate va putea fi reglată în gama U d  0; U   , valoarea
medie a curentului redresat în gama I d  0; U R  şi puterea medie furnizată în

sarcină în gama Pd  0; U  R .
2 2

În concluzie, spre deosebire de redresorul necomandat, redresorul similar
comandat nu are performante mai bune, dar are posibilitatea de reglare (variere)
a tensiunii, curentului, deci a puterii medii redresate prin varierea unghiului de
comandă  al tiristorului, proprietate foarte importantă în practică.
Aplicaţia A8.4
Pentru redresorul monofazat monoalternanţă comandat cu sarcină
rezistivă din fig.8.5 se cunosc u  100 sin  t [V] , R  20  şi unghiul de comandă
al tiristorului    / 3 . Se cer:
a) valoarea medie Ud a tensiunii redresate;
b) valoarea medie Id a curentului redresat;
c) puterea medie furnizată în sarcină P d;
d) pentru ce valoare a unghiului  puterea medie furnizată în sarcină este
minimă Pd,min? Dar maximă Pd,max?

Soluţie:
a) Se aplică relaţia (8.19):
U 100V  1
Ud  1  cos     1    23,885V
2 2  2
b) Se aplică relaţia (8.21):
U d 23,885V
Id    1,194 A
R 20
c) Se aplică relaţia (8.22):
Pd  U d  I d  23,885V  1,194 A  28,52W
d) Observând relaţia (8.22) se constată că Pd este minimă când cos este
minim, anume la    , când se obţine Pd,min=0.
Din aceeaşi relaţie se observă că Pd este maximă când cos este maxim,
anume la   0 , când tiristorul funcţionează ca o diodă, redresorul
transformându-se în redresorul similar (adică tot monofazat monoalternanţă) dar
necomandat. Atunci relaţia (8.22) se transformă în:
2
Pd ,max  U d  I d 
U2

 100V 
 50,71W
 2 R  2  20

Se constată că Pd  28,52W  Pd ,min  0W , Pd,max  50,7W 
 B. Redresor bifazat bialternanţă comandat cu punct median
Schema redresorului bifazat bilaternanţă comandat cu punct median obţine
înlocuind în schema din fig.8.3 diodele D1 şi D2 cu tiristoarele T1 şi T2, schema
devenind cea din fig.8.6.a) şi b), iar formele de undă explicative fiind cele din
fig.8.6.c)
T1

1: 2
     

u1 R id
u   
0  u2
     
ud

T2

a) schemă electrică

T1 iG1

u1
R id
0

ud
u2

T2 iG 2

c) formele de undă ale tensiunii

b) schemă electrică echivalentă de alimentare, curentului şi
tensiunii redresate
Fig.8.6. Redresorul bifazat bilaternanţă comandat cu punct median

Cele două tiristoare T1 şi T2 din fig.8.6.a) şi b) pot fi comandate, de exemplu,

de acelaşi circuit integrat specializat. Formele de undă din fig.8.6.c) arată că pe
alternanţa pozitivă a tensiunii de alimentare u conduce tiristorul T 1 care este
comandat în conducţie la momentele unghiulare  , 2   , 4   ,... iar pe
alternanţa pozitivă conduce T 2 comandat la momentele    , 3   , ... Similar
cu redresorul anterior studiat, relaţiile de calcul specifice regimurilor de tensiune,
curent şi putere redresate se pot calcula pornind de la cele ale redresorului similar
(bialternanţă) necomandat schimbând limitele de calcul ale integralelor de la  la
 în loc de la 0 la  .
De exemplu:
  Valoarea medie a tensiunii redresate se calculează astfel:
1T 1 U
U d   u d ( t )dt   U sin td t   1  cos   , (8.23)
T0  
 Valoarea efectivă a tensiunii redresate este:
1T 2 1 U sin 2
 U sint  d t  
2
U d ,ef  u
 d ( t )dt     (8.24)
T0  2 2
 Valoarea medie a curentului redresat pentru cazul sarcinii rezistive se
calculează pornind de la relaţia (8.6) astfel:
1T 1 T ud ( t ) U U
I d   id ( t )dt   dt  d  1  cos   , (8.25)
T0 T0 R R R
 Puterea medie furnizată în sarcină Pd:
U2
Pd  U d  I d  1  cos 2 (8.26)
 2R
Lăsăm ca temă calculul matematic al celorlalte mărimi specifice regimurilor
de tensiune, curent şi putere ale redresorului monofazat monoalternanţă
comandat.
Expresiile valorilor medii ale tensiunii, curentului şi puterii medii redresate
conţin unghiul de comandă   0 ,   al tiristorului, deci ele pot fi reglate respectiv

în gamele U d  0; 2U   , I d  0; 2 U R  şi Pd  0; 4U  R .
2 2

 CURS 10
REDRESOARE MONOAFAZATE SI BIFAZATE.
FILTRE DE NETEZIRE – Partea a II-a

8.1. REDRESOARE
8.1.3. Redresoare cu diode si tiristoare (semicomandate)
8.1.4. Filtre de netezire

8.1.3. Redresoare cu diode si tiristoare (semicomandate)

După cum am mai menţionat, schemele de redresoare semicomandate se obţin
din schemele de redresoare necomandate în care jumătate din numărul diodelor (care
sunt dispozitive electronice necomandabile) se înlocuiesc cu tiristoare (care sunt
dispozitive electronice comandabile prin electrodul poartă). Devine clar de ce nu există
redresor monofazat monoalternanţă semicomandat, care conţine un singur dispozitiv
electronic ce poate fi fie o diodă – cazul redresorului necomandat – fie un tiristor – cazul
redresorului comandat. De asemenea, nu se folosesc redresoare monofazate
bialternanţă în punte comandate ci doar redresoare monofazate bialternanţă cu punct
median (in stea) si în punte semicomandate deoarece nu se merită folosirea a 4
tiristoare când aceleaşi forme de undă ale tensiunii şi curentului redresate se poate
obţine cu 2 tiristoare şi 2 diode, câte o diodă şi un tiristor funcţionând pe fiecare
alternanţă. De exemplu, în fig. 8.4.a) se pot alege ca diode D 1 şi D2 şi ca tiristoare T3 şi
T4, forma de undă a tensiunii redresate fiind aceeaşi cu cea din fig.8.6.c). De aceea,
vom studia în continuare cazul redresorului bifazat bialternanţă semicomandat cu punct
median a cărui schemă conţine o diodă (de exemplu, D1) şi un tiristor (T2), ca în fig.8.7.
Dioda conduce pe întreaga alternanţă pozitivă t  0,   a tensiunii de
alimentare u atunci ea fiind polarizată direct, iar tiristorul pe alternanţa negativă
t     ,2  după ce primeşte curentul de comandă iG2 sub formă de impuls la
momentul  t     atunci el fiind polarizat direct. Formele de undă explicative ale
funcţionării acestui tip de redresor sunt cele din fig.8.7.c). Ele permit şi calculul mărimilor
specifice regimurilor de tensiune, curent şi putere redresate.
De exemplu:
 Valoarea medie a tensiunii redresate se calculează astfel:
1T 1  2  U
Ud   ud ( t )dt    U sintdt     U sint d t   3  cos  , (8.27)
T0 2 0    2
 Valoarea medie a curentului redresat pentru cazul sarcinii rezistive se
calculează pornind de la relaţia (8.6) astfel:
 1T 1 T ud ( t ) U U
Id   id ( t )dt   dt  d  3  cos   , (8.28)
T0 T0 R R 2R

D1
u1  u
1: 2 

     
 0  2 3 t
u1 R id 
u   
0   u2
     
ud
u 2  u

T2 0  2 3 t
 
a) schemă electrică
D1 iG 2

u1  
0 t
R id
0
ud
u2
ud id
D1 T2 D1
T2 iG 2 0     2 3 t

c) formele de undă ale tensiunii de

b) schemă electrică echivalentă alimentare, curentului şi tensiunii
redresate
Fig.8.7. Redresorul bifazat bialternanţă semicomandat cu punct median (in stea)

 Puterea medie furnizată în sarcină Pd:

U2
Pd  U d  I d  3  cos  2 (8.29)
4 2 R
Lăsăm ca temă calculul matematic al celorlalte mărimi specifice regimurilor de
tensiune, curent şi putere ale redresorului monofazat monoalternanţă semicomandat.
Relaţiile de mai sus depind şi ele de unghiul de comandă   0,   al tiristorului, deci
valorile medii ale tensiunii, curentului şi puterii redresate sunt reglabile, ca şi la
redresoarele comandate.
De asemenea, lăsăm ca temă desenarea schemei electrice şi a formelor de undă
ale redresorului bifazat bialternanţă a cărui schemă conţine tiristorul T 1 şi dioda D2. La
efectuarea calculelor, se va constata că rezultatele sunt identice cu cele de mai sus.
 Aplicaţia A8.4
Refaceți aplicaţia A8.3 cu aceleaşi date şi cerinţe pentru redresorul bifazat
bialternanţă semicomandat cu sarcină rezistivă din fig.8.7.

Soluţie:
a) Se aplică relaţia (8.27):

Ud 
U
3  cos    100V  3  1   55,732V
2 2  2
b) Se aplică relaţia (8.28):
U d 55,732V
Id    2,786 A
R 20
c) Se aplică relaţia (8.29):
Pd  U d  I d  55,732V  2,786 A  155,27W
d) Observând relaţia (8.29) se constată că Pd este minimă când cos  este
U2 100
minim, anume la    , când se obţine Pd ,min 
2
 W  0,507W (formele de
 R 3,14 2  20
unde sunt cele din cazul redresorului monofazat monoalternanta necomandat)
Din aceeaşi relaţie se observă că P d este maximă când cos  este maxim,
anume la   0 , când tiristorul funcţionează ca o diodă, redresorul transformându-se
în redresorul similar (adică tot monofazat monoalternanţă) dar necomandat. Atunci
relaţia (8.29) se transformă în:
4U 2 4  100V 2
Pd ,max  U d  I d    202,85W ,
2 2
 R   20 
(formele de unde sunt cele din cazul redresoarelor bialternanta necomandate).
Se constată că Pd  155,27W   Pd ,min  0,507W , Pd,max  202,85W 

8.1.4. Filtre de netezire

Formele de undă ale tensiunii redresate ud şi curentului redresat id pentru toate
tipurile de redresoare studiate arată că ele nu sunt continue ci prezintă ondulaţii numite
pulsaţii. Acest lucru se reflectă şi în dezvoltarea în serie Fourier a tensiunilor redresate
care arată că, pe lângă componenta continuă (valoarea medie) U d utilă, apar armonicile
nedorite udn unde n  1,   . De regulă, componenta fundamentală (armonica n=1) are
cea mai mare amplitudine şi de aceea se defineşte factorul de pulsaţie K p , ca fiind
raportul procentual dintre amplitudinea componentei fundamentale a tensiunii redresate
Ud1 şi valoarea medie a tensiunii redresate Ud:
U d1
Kp   100 %  (8.30)
Ud
Mărimea admisă a factorului de pulsaţie depinde de tipul sarcinii. De exemplu,
dacă sarcina este un amplificator de putere clasă B factorul de pulsaţie maxim admisibil
are valori cuprinse între 0,5% şi 2%, iar dacă sarcina este un amplificator de tensiune
de joasă frecvenţă atunci K p  0,01%, 0,05%  .
La redresoarele monofazate kp depăşeşte cu mult gama de valori admisibile şi de
aceea între redresor şi sarcină trebuie să se introducă un filtru trece jos (FTJ) (vezi
fig.8.1) al cărui rol este să reţină componenta continuă şi să elimine teoretic toate
armonicile tensiunii redresate, respectiv ale curentului redresat..
Variantele cele mai simple de FTJ conţin fie bobină L de valoare mare în serie cu
sarcina R ce filtrează curentul redresat i d, fie un condensator C de valoare mare în
paralel cu sarcina ce filtrează tensiunea redresată ud. În practică se utilizează filtre
complexe (compuse) pentru redresarea ambelor mărimi redresate ud şi id, ce se prezintă
sub forma unui cuadripol compus din diferite componente pasive (R, L, C).
Eficacitatea tuturor acestor categorii de filtre poate fi apreciată prin coeficientul de
netezire K net ce se defineşte ca raportul dintre factorul de pulsaţie K p1 de la ieşirea
redresorului (care coincide cu intrarea în FTJ) şi factorul de pulsaţie K p 2 de la ieşirea
filtrului:
K p2
K net  , (8.31)
K p1
care, evident, trebuie să fie subunitar şi cât mai mic posibil (ideal, nul).

A. FTJ simplu pentru filtrarea curentului redresat i d

Schema electrică echivalentă a redresorului monofazat monoalternanţă
necomandat cu sarcină rezistivă R care are ca FTJ pentru filtrarea curentului redresat
id o bobină L de valoare mare înseriată cu ea este prezentată în fig.8.8.a), iar formele
de undă explicative în fig.8.8.b). Astfel sarcina devine de tip inductiv-rezistivă L-R cu
caracter puternic inductiv, adică L>>R.
ud
id
D ud
id
id

0  2 t
u  
L
b) formele de undă explicative
ud  
360 
R
300 

240 

180 
1 2 5 10  L R

a) schemă electrică c) curba de variaţie unghiurilor de conducţie  şi de

echivalentă stingere  în funcţie de L / R
Fig.8.8. Redresorul monofazat monoalternanţă necomandat
cu sarcină inductiv-rezistivă L-R
 Ecuaţia diferenţială a circuitului din fig.8.8.a) este:
di
L d  Rid  U sint , cu condiţia iniţială i d (t  0 )  0 (8.32)
dt
Rezolvând ecuaţia de mai sus se obţine soluţia:
 t 
U 
id ( t )  sint     e   sin  , (8.33)
Z 
 
în care s-au notat:
-unghiul de fază al sarcinii R-L:
L
  arctg (8.34)
R
- impedanţa sarcinii:
Z  R 2  L 2 (8.35)
- constanta de timp a circuitului:
  L/R (8.36)
- unghiul de conducţie al diodei  definit ca intervalul unghiular în care dioda este
în conducţie şi unghiul său de stingere  definit ca momentul unghiular când dioda se
blochează, care în acest caz sunt egale, se determină prin rezolvarea numerică a
ecuaţiei transcendente:


sin     e   sin  0 , (8.37)
ce se obţine punând condiţia de anulare a curentului i d prin diodă la momentul unghiular
 . Unghiurile    sunt reprezentate grafic în funcţie de raportul L / R în fig. 8.8.c).
care arată că efectul de netezire a curentului redresat i d de către inductanţă este mai
important la valori mici ale rezistenţei de sarcină. În concluzie, o bobină în serie cu o
sarcină rezistivă R are rol de filtru trece jos (FTJ) al curentului redresat id. Ideal, o bobină
de valoare L   menţine prin ea şi, implicit prin sarcina R, doar valoarea medie
(componenta continuă) Id a curentului redresat id.
Cunoscând unghiul de stingere  la care se anulează atât tensiunea redresată
ud cât şi curentul redresat id, se poate calcula valoarea medie a tensiunii redresate Ud,
aplicând aceeaşi relaţie generală de calcul a valorii medii (1.61):
1T 1 
U d   u d ( t )dt   U sin td t  (8.38)
T0 2 0
Curentul mediu redresat se calculează cu formula:
 t 
1T 1 U  
I d   id ( t )dt   sint     e   sin  d t  (8.39)
T0 2 0 Z
  
 Formele de undă ale mărimilor ud şi id din fig.8.8.b) arată că în cazul sarcinii
rezistiv-inductive, datorită energiei acumulate în inductanţă prin efect de autoinducţie,
este prelungită circulaţia curentului prin diodă faţă de situaţia sarcinii pur rezistive.
În general, o formulă practică de calcul a inductanţei L care să asigure în un
coeficient de netezire K net impus prin proiectare pentru orice tip de redresor ales
este:
K net R
L , (8.40)
F
unde  F  2f F iar fF este frecvenţa pulsaţiei.

B. FTJ simplu pentru filtrarea tensiunii redresate U d

Schema electrică echivalentă a redresorului monofazat monoalternanţă
necomandat cu sarcină rezistivă R care are ca FTJ pentru filtrarea tensiunii redresate
ud un condensator C de valoare mare în paralel cu ea este prezentată în fig.8.9.a), iar
formele de undă explicative în fig.8.9.b).

D
iA
iC iR
u AK

u uC C uR R ud

a) schemă electrică echivalentă b) formele de undă explicative

Fig.8.9. Redresorul monofazat monoalternanţă necomandat
cu sarcină rezistiv-capacitivă

Funcţionarea schemei din fig.8.9.a) este următoarea: condensatorul C se incarcă

în perioada de timp în care trece curent prin elementul redresor (diodă) şi se descarcă
prin rezistenţa de sarcină R când dioda este blocată din cauză că potenţialul catodului
său este mai pozitiv decât potenţialul anodului. Aplicând teorema Kirchhoff pentru
tensiuni pe ochiul din stânga al circuitului din fig.8.9.a), tensiunea la bornele diodei este:
u AK  u  u C , (8.41)
motiv pentru care dioda nu este străbătută de curent în tot timpul alternanţei pozitive ci
numai în intervalul în care u>uC. În intervalul în care u<uC condensatorul se descarcă
exponenţial pe rezistenţa de sarcină, tensiunea la bornele sale fiind:
u C (t )  Ue t /  , (8.42)
unde prin  s-a notat constanta de timp a acestui circuit cu sarcină R-C:
  RC (8.43)
 În intervalul de conducţie al diodei D, curentul iA care o străbate se află aplicând
teorema Kirchhoff pentru curenţi în fig.8.9.a):
i A  iC  i R , (8.44)
în care:
duC du
iC  C  C  CU cost (8.45)
dt dt
u u U
i R  R   sin t (8.46)
R R R
Prin introducerea ultimelor 2 relaţii în expresia lui i A şi apoi restrângerea relaţiei
obţinute, rezultă:
1
iA  U  C 2 sin t    , (8.47)
R2
unde unghiul de fază al sarcinii R-C a fost notat prin:
  arctgRC (8.48)
Dacă se notează prin  unghiul la care începe încărcarea condensatorului C
(numit şi unghi de amorsare a condensatorului - vezi fig.8.9.b) şi prin  unghiul cât
durează conducţia condensatorului (numit unghi de conducţie), atunci unghiul
     la care încetează conducţia condensatorului (numit şi unghi de stingere) se
determină punând condiţia ca iA=0 expresia lui  obţinem:
     arctgRC  arctg  RC  (8.48)
Relalaţia de mai sus arată că dacă circuitul are o constată de timp   RC
suficient de mare, descărcarea se efectuează destul de lent. Ideal, dacă C   atunci
   şi din expresia lui uC(t) rezultă că uC=U=constantat, deci condensatorul nu se
mai descarcă deloc odată ce a atins amplitudinea maximă U a tensiunii de alimentare.
În concluzie, un condensator în paralel pe o sarcină rezistivă R are rol de filtru
trece jos (FTJ) al tensiunii redresate u d. Ideal, un condensator de valoare C  
menţine la bornele sale şi, implicit la bornele sarcinii R, doar valoarea medie
(componenta continuă) a tensiunii redresate Ud.

În practică, dacă unghiul de conducţie  al tiristorului este mai mic de 60
atunci pentru un factor de pulsaţie K p impus prin proiectare relaţiile aproximative de
calcul ale condensatorului C sunt:
- pentru redresoare monoalternanţă:
200
C (8.49)
 F RK p
- pentru redresoare bialternanţă:
50
C (8.50)
 F RK p
 C. FTJ compuse
Atunci când valorile L şi C rezultate din calcul sunt prea mari se utilizează filtre
complexe prezentate în fig.8.10, compuse din diverse filtre simple sau compuse. FTJ
compuse pot avea aspectul literei greceşti gamma mare (  ) ca în fig.8.10.a), sub forma
literei greceşti  (fig.8.10.b), pot fi filtre complexe compuse prin conectarea în cascadă
a 2 filtre tip  (fig.8.10.c) sau chiar filtre RC cu performanţe modeste pentru unele
redresoare de puteri foarte mici. De exemplu, filtrul tip  a apărut din necesitatea
corectării dezavantajului FTJ format doar din inductanţa L care poate crea supratensiuni
în circuit în cazul deconectării bruşte a sarcinii din cauza eliberării energiei acumulate
în câmpul magnetic al bobinei. Filtrul în  corectează acest dezavantaj, coeficientul de
netezire al acestui filtru fiind:
K net   F2 LC (8.51)

id L id L

ud C R ud C1 C2 R

 

a) FTJ tip  (pe schema topologia L-C în

 e răsucită cu 180 grade față de o axă b) FTJ tip 
verticală imaginară)

id L1 L2 id R1

ud C1 C2 C3 R ud C1 C2 R2




b) FTJ compus din 2 filtre 

d) FTJ de tip RC complex
conectate în cascadă
Fig.8.10. FTJ compuse complexe

Filtrul tip  poate fi considerat un filtru compus, alcătuit dintr-un filtru simplu cu
capacitate C1 urmat de un filtru  format din componentele L şi C2, fiind superior ca
performanţă acestora. Filtrul complex din fig.8.10.c) are performanţe de filtrare şi mai
bune, fiind compus din două filtre în  dintre care primul este compus din componentele
C1, L1, C2 şi este conectat în cascadă de al doilea FTJ compus din C 2, L2, C3,
condensatorul C2 fiind componenta de legătură între cele două filtre.
Exemplul 9.1: Pentru un redresor monofazat monoalternanta necomandat pe sarcina rezistiva se cere
dezvoltarea in serie Fourier armonica a tensiunii redresate.

Fig. 9.1a. Schema electrica Fig.9.1b. Formele de unda pentru u si uR

Solutie:
Dezvoltarea in serie Fourier trigonometrica a tensiunii redresate are expresia:

u (t) = U + (a sinnωt + b cosnωt)

unde:
ωt = π
U ≝ ∫ u (t)dt = ∫ u (ωt)d(ωt) = ∫ Usinωtd(ωt) = (−cosωt)| =
ωt = 0
Obs: Interpretarea geometrica a valorii medii (componentei de c.c.) UR este data in fig.9.1b, anume
valoarea medie este inaltimea dreptunghiului de arie egala cu cea a tensiunii u (t) intr-o perioada
unghiulara ωT = 2π.
2 2
a ≝ u (t) ∙ sinnωtdt = u (ωt) ∙ sinnωtd(ωt) =
T ωT

2 U cos(1 − n) ωt − cos(1 + n) ωt
= Usinωt ∙ sinnωtd(ωt) = d(ωt) =
2π π 2
U sin(n − 1) ωt sin(n + 1) ωt
= | + | = 0, pentru (∀)n ≥ 2
2π n−1 n+1
Obs: Aceasta expresie nu este valabila si pentru n=1 deoarece se anuleaza numitorul penultimei fractii.
De aceea, termenul a1 va trebui calculat separat, prin integrare directa.
2 2
b ≝ u (t) ∙ cosnωtdt = u (ωt) ∙ cosnωtd(ωt) =
T ωT

2 U sin(1 + n) ωt + sin(1 − n) ωt
= Ucosωt ∙ sinnωtd(ωt) = d(ωt) =
2π π 2
U cos(n + 1) ωt π cos(n − 1) ωt π
= − + =
2π n+1 ωt = 0 n−1 ωt = 0
U −cos(n + 1) π + 1 cos(n − 1) π − 1
= +
2π n+1 n−1
2U
U −(−1) + 1 (−1) −1 − , pt n par
= + = (n − 1)π
2π n+1 n−1
0, pt n impar
Obs: Nici aceasta expresie nu permite calculul pentru n=1 deoarece se anuleaza numitorul ultimei
fractii. De aceea, termenul b1 va trebui calculat separat, prin integrare directa.
Dezvoltarea in serie Fourier armonica a tensiunii redresate are expresia:

u (t) = U + U sin(nωt + φ ) = U + U sin(ωt + φ ) + U sin(2ωt + φ ) + ⋯

unde:
2U
, pt n par
U = a +b = 0 + b = |b | = (n − 1)π
0, pt n impar
φ = arctg = arctg(−∞) = − , pentru (∀)n ≥ 2
In continuare se vor calcula primele 4 armonice din dezvoltarea in serie Fourier armonica a tensiunii
uR :
 pentru n=1: calculul se face prin integrare directa:
a ≝ ∫ u (t) ∙ sinωtdt = ∫ u (ωt) ∙ sinωtd(ωt) = ∫ Usin ωtd(ωt) =
π π
∫ d(ωt) = ωt| − =
ωt = 0 ωt = 0
2 2
b ≝ u (t) ∙ cosωtdt = u (ωt) ∙ sinωtd(ωt)
T ωT

2 U sin2ωt U cos2ωt ωt = π
= Usinωt ∙ cosωtd(ωt) = d(ωt) = − =0
2π π 2 2π 2 ωt = 0
Rezulta:
U = a +b = ,
b 0
φ = arctg = arctg = arctg0 = 0
a U⁄2
deci fundamentala este: u (t) = U sin(ωt + φ ) = sin(ωt + 0) = sinωt
 pentru n=2 (par): Se folosesc relatiile generale deduse mai sus pentru U Rn si φn:
U =( )
= , φ = arctg = arctg(−∞) = − ⇒ u (t) = U sin(2ωt + φ ) =
sin 2ωt − =− cos2ωt
 pentru n=3 (impar): Se folosesc relatiile generale deduse mai sus pentru U Rn si φn:
U = 0, φ = arctg = arctg(−∞) = − ⇒ u (t) = U sin(3ωt + φ ) =
0 sin 3ωt − =0
 pentru n=4 (par): Se folosesc relatiile generale deduse mai sus pentru U Rn si φn:
U =( )
= , φ = arctg = arctg(−∞) = − ⇒ u (t) = U sin(4ωt + φ ) =
sin 4ωt − = − cos4ωt
In concluzie, seria Fourier armonica a tensiunii redresate pe sarcina R are expresia
desfasurata ce punme in evidenta valoarea medie si primele 4 armonice:
𝑢 (𝑡) = + sinωt − cos2ωt − cos4ωt − ⋯
Exemplul 9.2: Un redresor monofazat bialternanta comandat cu punct median (in stea) pe sarcina
rezistiva este alimentat in primar cu tensiunea sinusoidala de c.a. u(t)=Usin𝜔𝑡, unde U=200V. Cele
doua tiristoare utilizate au urmatorii parametri de catalog:
- timpul de dezamorsare 𝑡 = 100𝜇𝑠;
- viteza maxima admisibila de variatie a tensiunii u AK data in catalog (du⁄dt) , =
65V/μs.
Se cer:
a) unghiul de amorsare 𝛼 al tiristoarelor necesar pentru a obtine pe sarcina o tensiune medie
redresata 𝑈 = 300/𝜋 [𝑉];
b) expresia matematica si graficul caracteristicii de reglaj normate R u a tensiunii redresate;
c) frecventa maxima admisibila a tensiunii de alimentare pentru care timpul de polarizare inversa
ti al tiristoarelor indeplineste conditia din catalog prin t i>tq, necesara pentru ca tiristoarele
blocate prin polarizare inversa (uAK<0) sa ramana blocate si dupa disparitia polarizarii inverse;
d) valoarea maxima a tensiunii uAK pe tiristoarele in stare de blocare;
e) sa se verifice daca tiristoarele amorseaza parazit prin efect du/dt la frecventa maxima obtinuta
la punctul b).
Solutie:

a) schema redresorului

b) graficul caracteristicii de reglaj normata a

tensiunii redresate
c) formele de unda explicative
Fig.9.2. Schema electrica echivalenta a redresorului, caracteristica de reglaj normata a tensiunii
redresate si formele de unda

a) Valoarea medie a tensiunii redresate este:

1 1 1 U ωt = π
U ≝ u (t)dt = u (ωt)d(ωt) = Usinωtd(ωt) = (−cosωt)| =
T ωT π π ωt = α
∙( / )
= (1 + cosα) ⟹ cosα = −1 = = −1= ⟹ α = 60°;
 b) Caracteristica de reglaj nenormata reprezinta dependenta unei marimi de iesire in functie de
marimea de comanda - in cazul nostru, dependenta tensiunii redresate in functie de unghiul de
comanda α al tiristoarelor 𝑈 (𝛼), notata 𝑈 :
U ≝ U (α)= (1 + cosα),
determinata la punctul a). Normarea pentru redresoare inseamna impartirea caracteristicii nenormate
la expresia tensiunii pe sarcina, corespunzatoare redresorului similar necomandat (cu diode), care are
𝛼 = 0°, notata:
U ≝ 𝑈 (α = 0)= (1 + cos0) = ,
deci caracteristica de reglaj normata a tensiunii redresate, notata R u este:
( / )∙( )
𝑅 ≝ = = ,
/
al carei grafic este reprezentat in fig. 9.2.
c) Conform graficului tensiunii uAK1 din fig.9.2a, tiristorul T1 este blocat prin polarizare inversa pe
intervalul 𝛼𝜖[𝜋, 2𝜋 + 𝛼], al carui minim 𝛼𝜖[𝜋, 2𝜋] se obtine pentru 𝛼 = 0° si reprezinta jumatate
din perioada tensiunii sinusoidale de alimentare u(t), adica timpul de polarizare invers al tiristorului
T1 este :
𝑇 1 1 1
𝑡, = = >𝑡 ⟹ 𝑓 < ⟹ 𝑓 < ⟹ 𝑓 < 5𝐾𝐻𝑧
2 2∙𝑓 2𝑡 2 ∙ 100𝜇𝑠
Obs: Conditia de catalog ti>tq confera siguranta blocarii tiristoarelor prin polarizare inversa (u AK<0);
in caz contrar, tiristoarele vor reveni in conductie dupa disparitia tensiunii negative u AK aplicata.
d) Aplicand teorema Kirchhoff II pe schema electrica echivalenta pe durata alternantei negative a
tensiunii de alimentare u(t), graficului tensiunii u AK1 este cel din fig.9.2a. Pe grafic se observa ca
valoarea maxima a tensiunii uAK1 pe tiristorul T1 in stare de blocare se obtine pe durata alternantei
negative a tensiunii de alimentare u(t) la valoarea α=π/2 a unghiului de amorsare al tiristorului,
cand se obtine valoarea numerica:
uAK1= -2U = -2∙200V = -400V
( )
e) u(t)=Usin𝜔𝑡 ⟹ = 𝜔𝑈𝑐𝑜𝑠𝜔𝑡| = 2𝜋𝑓 ∙ 𝑈𝑐𝑜𝑠𝜔𝑡| = 2𝜋 ∙ 5𝑘𝐻𝑧 ∙ 200𝑉 ∙
( )
𝑐𝑜𝑠0 = 6,28 < = 65V/μs,
,
deci este indeplinita conditia ca tiristoarele sa nu amorseze parazit prin fenomenul numit „efect du/dt”.

Exemplul 9.3: Un redresor monofazat bialternanta semicomandat in punte incarca sub curentul
mediu I=10A o baterie de acumulatoare avand rezistenta interna r=1,2Ω. Se cer:
a) daca la sfarsitul incarcarii tensiunea bateriei este E=60V, calculati unghiul 𝜃 de inceput al
incarcarii bateriei precum si valorile efective ale tensiunii U ef si curentului Ief ale secundarului
transformatorului;
b) daca la inceputul incarcarii tensiunea bateriei este E’=40V, calculati unghiul α de amorsare al
tiristoarelor si noua valoare efectiva I’ef a curentului prin secundar.

Solutie:
a) Bateria se incarca doar cand este indeplinita conditia u(t)=Usin𝜔𝑡 ≥E. Conform figurii 9.3.c),
unghiul 𝜃 fiind notat unghiul de la care incepe incarcarea bateriei, care verifica ecuatia:
𝑈𝑠𝑖𝑛𝜃 = 𝐸 (9.3.1)
Pe schema electrica echivalenta din fig. 9.3b) se scrie teorema Kirchhoff:
𝑈𝑠𝑖𝑛𝜔𝑡 = 𝐸 + 𝑟𝑖,
pe baza careia se calculeaza valoarea medie a curentului prin secundarul transformatorului:
 𝐼 ≝ ∫ 𝑖(𝑡)𝑑𝑡 = ∫ 𝑑(𝜔𝑡) = (9.3.2)
Ecuatiile (9.3.1) si (9.3.2) alcatuiesc un sistem de doua ecuatii cu doua necunoscute, 𝜃 si U:
𝑈𝑠𝑖𝑛𝜃 = 𝐸
(S)
𝑈𝑐𝑜𝑠𝜃 = 𝑟𝐼 + 𝐸 − 𝜃
Rezolvarea sistemului (S) se face impartind a doua ecuatie la prima, rezultand ecuatia
transcendenta din care se determina unghiul 𝜃 si apoi amplitudinea U a tensiunii secundarului
transformatorului ce alimenteaza bateria:
𝑐𝑡𝑔𝜃 + 𝜃 = 1 + ⟹ 𝜃 = 40,2° ⟹ 𝑈 = ≅ 92,3𝑉
Valoarea efectiva Uef a tensiunii de alimentare a secundarului transformatorului va fi:
𝑈 ≝ ∫ 𝑢 (𝑡) = ∫ (𝑈𝑠𝑖𝑛𝜔𝑡) 𝑑(𝜔𝑡) = √ = 65,9𝑉,
iar valoarea efectiva Ief a curentului sau va fi:
( )∙( )
𝐼 ≝ ∫ 𝑖 (𝑡) = ∫ 𝑑(𝜔𝑡)= =15,4A

a) schema redresorului b) schema echivalenta c) formele de unda

Fig.9.3. Schema electrica echivalenta a redresorului si formele de unda

b) Conform formelor de unda explicative din fig.9.3c), conductia tiristoarelor are loc intre
momentele unghiulare α si 𝜋 − 𝜃′, in care:
Usinθ = E′ ⟹ θ = 25,4°
Din expresia valorii medii a curentului de incarcare a bateriei:
I= ∫ d(ωt) =
rezulta ecuatia transcendenta pentru obtinerea unghiului α de amorsare al tiristoarelor:
Ucosα + E α = πrI − Ucosθ − E (θ − π) ⟹ α = 91°
Noua valoarea efectiva I’ef a curentului va fi:

1 1 𝑈𝑠𝑖𝑛𝜔𝑡 − 𝐸
𝐼′ ≝ 𝑖 (𝑡) = 𝑑(𝜔𝑡) =
𝑇 𝜋 𝑟

1 𝑈 𝑠𝑖𝑛2𝜃′ 𝑠𝑖𝑛2𝛼
= 𝜋−𝜃 −𝛼+ + − 2𝑈𝐸′(𝑐𝑜𝑠𝜃 + 𝑐𝑜𝑠𝛼) + 𝐸 (𝜋 − 𝜃 − 𝛼) = 18,3𝐴
𝑟 √𝜋 2 2 2
 CURS 11
SURSE LINIARE DE TENSIUNE

8.2. SURSE LINIARE DE TENSIUNE

8.2.1. Stabilizatoare parametrice
8.2.2. Stabilizatoare cu reacţie
8.2.3. Stabilizatoare de tensiune integrate

8.2. SURSE LINIARE DE TENSIUNE

Stabiizatoarele electronice de tensiune continuă sunt utilizate pentru

alimentarea cu tensiune continuă a majorităţii echipamentelor şi aparatelor
electronice din domeniul tehnicii de calcul, comunicaţiilor, aparaturii de
măsurat, bunurilor de larg consum etc. Ele se clasifică în stabilizatoare liniare
de tensiune numite şi surse liniare şi stabilizatoare cu funcţionare în
comutaţie, numite pe scurt şi surse în comutaţie.
Sursele liniare sunt circuite electronice conectate între sursa primară de
energie electrică şi sarcină (consumator), având rolul de a menţine constantă
tensiunea de ieşire u0 faţă de variaţiile tensiunii sursei ui, ale curentului debitat
în sarcină io=u0/R, ale temperaturii absolute a mediului ambiant T şi ale altor
factori mai puţin importanţi (fig.8.11).

ii io

E 
ui uo R

ri
t t

Fig.8.11. Schema bloc a stabilitorului liniar de tensiune continuă

Stabilizarea tensiunii continue poate fi realizată fie înainte de redresor

prin stabilizarea tensiunii alternative de la reţea fie după redresor şi FTJ
(fig.8.1) prin stabilizarea tensiunii continue. Prima variantă stabilizează
tensiunea continuă numai la variaţiile tensiunii de c.a. ale reţelei, în timp ce a
doua variantă efectuează stabilizarea şi la variaţiile curentului prin sarcină,
fiind mai cel mai des folosită în practică.
  Parametrii specifici stabilizatoarelor de tensiune
Aprecierea unei surse linare de tensiune se face uzual prin trei
parametri de bază. Pentru definirea acestora se porneşte de la faptul că
tensiunea continuă de ieşire u0 variază la modificarea mărimilor ui, i0 şi T, deci
matematic poate fi scrisă ca o funcţie matematică de trei variabile:
u 0  u 0 u i , i0 , T  (8.52)
Diferenţiind funcţia (8.52) obţinem:
 u   u   u 

du0   0  
dui   0 di   0 dT (8.53)

 u i i , T const.   i0 u , T const. 
0  T 
 0   i   ui , i0 const. 
Prima derivată parţială din relaţia (8.53) reprezintă primul parametru al
stabilizatorului liniar numit factor de stabilizare în tensiune S 0 , a doua derivată
parţială cu semn schimbat este al doilea parametru numit rezistenţă internă
R0 a stabilizatorului, iar a treia derivată parţială este al treilea parametru
numit coeficient de variaţie cu temperatura K T . Cu aceste notaţii şi trecând la
diferenţe finite, relaţia (8,53) devine:
u0  S0  ui  R0  i0  KT  T (8.54)
Relaţia (8.54) ne arată că pentru o sursă liniară ideala aceşti parametri
au valoarea zero pentru ca oricare ar variaţiile u i a tensiunii continue
nestabilizate de alimentare (fig.8.11), i0 a curentului prin sarcina R şi T a
temperaturii mediului ambiant măsurată în grade Kelvin (sau grade Celsius),
tensiunea de ieşire u 0 trebuie să fie perfect constantă deci variaţiile sale să
fie u 0  0 . În realitate, aceşti parametri nu sunt nuli şi un exemplu numeric
de sursă liniară considerata a fi de bună calitate ar fi: S 0  0,1mV / V ,
R0  1mV / A şi K T  0,1mV /  C .
Parametrii menţionaţi sunt comuni pentru majoritatea stabilizatoarelor de
tensiune continuă. În funcţie de particularitaţile diferitelor tipuri de
stabilizatoare, mai sunt utilizaţi şi alţi parametrii cum ar fi:
 valorile limită ale mărimilor de intrare şi de ieşire: (Ui max ) - valoarea
maximă a tensiunii de intrare, U0 – tensiunea nominală de ieşire, I0 max -
valoarea maximă a curentului de ieşire, I0, sc - valoarea curentului de
ieşire în scurtcircuit, puterea maximă disponibilă la ieşire etc;
 randamentul stabilizatorului, definit ca raportul dintre puterea debitată la
iesire pe sarcina şi puterea absorbită de la sursa de alimentare. Acest
parametru este important în cazul surselor de putere mare, valoarea sa
situându-se în gama 3090 %;
 factorul de ondulaţie al tensiunii de ieşire U0 reprezentând raportul
dintre valoarea efectivă a componentelor alternative ale tensiunii de
ieşire şi valoarea medie a acestei tensiuni;
 factorul de rejecţie a tensiunii de ondulaţie definit de raportul dintre
valorile vârf la vârf (riplul) ale tensiunii de ondulaţie de la ieşire şi
intrare, măsurate pentru o frecvenţă specificată;
  tensiunea de zgomot de la ieşire definită ca valoarea efectivă a tensiunii
de zgomot, măsurată la ieşirea stabilizatorului într-o bandă de
frecvenţe specificată, în absenţa tensiunii de ondulaţie şi dar menţinerii
constante a tensiunii de intrare şi a curentului prin sarcină etc.

 Clasificarea stabilizatoarelor liniare de tensiune

Sursele liniare se clasifică după mai multe criterii:
- după principiul de realizare al stabilizării, există:
- stabilizatoare parametrice (fără reacţie);
- stabilizatoare cu reacţie;
- după modul de conectare a elementului regulator (ER) în raport cu
sarcina:
- stabilizatoare serie;
- stabilizatoare paralel;
- după posibilitatea de ajustare a tensiunii de ieşire:
- stabilizatoare cu tensiune de ieşire fixă;
- stabilizatoare de uz general, la care nivelul tensiunii de ieşire u0
poate fi reglat într-un anumit domeniu specificat;
- după puterea maximă disponibilă la ieşire:
- stabilizatoare de mică putere, la care puterea pe sarcină nu
depăşeşte 1W;
- stabilizatoare de putere medie, la care puterea pe sarcină se
situează în gama 20W...30W;
- stabilizatoare de mare putere, la care puterea pe sarcină
depăşeşte 30W.

8.2.1. Stabilizatoare parametrice

Stabilizatoarele parametrice conţin diode Zener (vezi Cursul 2), numite
şi diode stabilizatoare de tensiune deoarece polarizate invers păstrează la
borne o tensiune Uz dată în catalog, egală cu tensiunea de străpungere UBR a
dispozitivului, care este aproximativ constantă (fig.8.12a):
U z  u AK  U BR  cons tan ta (8.55)
Această proprietate a diodei Zener face ca atunci cănd o conectăm în
paralel cu sarcină R, ea să menţină la bornele acesteia o tensiune constantă.
De aceea, schema electrică a stabilizatorului parametric simplu realizat cu o
diodă Zener Dz este cea din fig.8.12.b), iar schema electrică echivalentă este
cea din fig.8.12.c), în care s-a înlocuit dioda Zener cu o sursă de tensiune
constantă Uz în serie cu rezistenţa diferenţială rz a diodei Zener dată în
catalog, de valoare mică (rz<<Rb):
u z
rz   ctg (8.56)
iz
Ideal, rz=0 şi caracteristica diodei Zener este verticală. Real, există o
uşoară înclinaţie a caracteristicii, cotangenta unghiului  de înclinaţie fiind
chiar rz. Ca valori orientative de catalog, dacă U z  6V , 7V  atunci
rz  1 , 2  , iar dacă U z  100V , 200V  atunci rz  300  , 1500   .
 iA ii Rb io ii Rb io
U z  U BR  const .  
 U
U z max U z min  z

u AK
U z ui uz DZ R uo ui uz rz R uo
I z min
 iz
iz
Iz
i z  

I z max

a) caracteristica curent- b) schema electrică a c) schemă electrică

tensiune a diodei Zener stabilizatorului parametric echivalentă a schemei b)
Fig.8.12. Stabilizatorul parametric simplu

Rezistenţa Rb poartă denumirea de rezistenţă de balast şi rolul ei este

de a prelua diferenţa dintre tensiunea de intrare ui şi tensiunea de ieşire u0
limitând curentul prin Dz care, în lipsa Rb, s-ar distruge prin încălzirea excesivă
a joncţiunii.

 Calculul rezistenţei de balast Rb

Pe schema electrică echivalentă din fig.8.12.c) se aplică teoremele
Kirchhoff, rezultând următorul sistem de ecuaţii:
u0  rz iz  u z

ui  Rb ii  u0 , (8.57)
i  i  i
i z 0
din care rezultă expresia rezistenţei de balast:
u  u z  rz i z
Rb  i (8.58)
i z  i0
Deoarece mărimile electrice din relalaţia (8.58) au variaţii, dacă se
consideră rz=0 la numarator deci si Uz se considera constanta, atunci Rb
poate lua valori în intervalul:
 
 U 
i,max  U z U i,min  U z
Rb   , 
(8.59)
I Uz U 
 z ,max  R I z ,min  z 
 max Rmin 

 Calculul parametrilor stabilizatorului parametric simplu

Aplicând teorema Kirchhoff pentru tensiuni in fig.8.12.c), rezultă:
u  u z  Rb i0
iz  i (8.60)
rz  Rb
care se inlocuieste in ecuaţiile sistemului (8.57) si rezultă:
 rz rR Rb u
uo  ui  z b i0   z T (8.61)
rz  Rb rz  Rb rz  Rb T
Se dau variaţii finite  tensiunilor şi curenţilor din relaţia (8.61):
rz rR Rb u
uo  ui  z b i0   z  T
rz  Rb rz  Rb rz  Rb T
si apoi comparând ecuaţia imediat anterioara cu relaţia (8.54), se deduc
parametrii stabilizatorului parametric, care (daca in practica dioda Zener are
rz<<Rb) pot fi apoi aproximati prin relatiile:
rz r
S0   z (8.62)
r z  Rb Rb
r R
R0  z b  rz (8.63)
r z  Rb
Rb u u z
KT   z  , (8.64)
rz  Rb T T
unde coeficientul de variaţie cu temperatura al diodei Zener u z / T este dat
în catalog.
Relaţia (8.62) arată că factorul de stabilizare S0 este cu atât mai bun
(mic) cu cât rezistenţa de balast Rb creşte, dar astfel scade randamentul
stabilizatorului prin creşterea puterii disipate pe Rb. În plus, relaţiile (8.62),
(8.63) şi (8.64) confirmă că dacă dioda Zener ar fi ideală (rz=0 şi u z / T =0)
s-ar obţine toti parametrii stabilizatorului nuli – ceea ce am dori de la orice
stabilizator liniar. De aceea, acest tip de stabilizator are performanţe modeste,
fiind de regulă utilizat la puteri mici sau ca referinţă de tensiune în schemele
de stabilizatoare cu reacţie realizate cu componente discrete sau sub formă
de circuit integrat analogic specializat.

Aplicaţia A8.5
Se consideră stabilizatorul parametric simplu din fig.8.12 pentru care se
cunosc: rezistenţa dinamică de diodei Zener rz  10  , coeficientul de variaţie
cu temperatura al diodei Zener u z / T  2 mV /  C , iar rezistenţa de balast
a stabilizatorului Rb  140  .
a) calculaţi parametrii stabilizatorului;
b) verificati ca Rb se incadreaza in gama de variatie maxima posibila
dacă, în intervalul sau de valori, se consideră ca rz=0,
Uz=4V=constant, u i  12V , 18V  , i z  10 mA, 100mA şi
R  100 , 400  .

Soluţie:
a) Parametrii stabilizatorului parametric simplu vor fi calculaţi cu relaţiile
(8.62), (8.63) şi (8.64) complete, fără aproximaţii:
rz 10 
S0    15
rz  Rb 10   140 
 r z Rb 10   140 
R0    9 , 3
rz  Rb 10   140 
Rb u z 140 
KT     2 mV /  C  1,8 mV /  C
rz  Rb T 10   140 
b) Se foloseşte relaţia (8.59) în care, înlocuind valorile valorile numerice
date date la punctul b) din enunţul problemei ( U i ,min  12V , U i ,max  18V ,
I z ,min  10 mA I z ,max  100mA R  100 si Rmax  400 ), obţinem intervalul de
, , min
valori posibile: Rb  121m , 160  , iar R =140Ω dat in enuntul aplicatiei se
b
incadreaza in acest interval maxim posibil.

 Variante de stabilizatoare parametrice cu performanţe îmbunătăţite

În fig.8.13 sunt prezentate diferite variante de stabilizatoare parametrice
complexe, compuse din stabilizatoare simple sau pe alte principii de obţinere
a unor performanţe superioare stabilizatorului parametric simplu.

ii io Rb ii A
 ii ib 
Rb1 Rb 2 R1 R2

ui
DZ 1
ui u z1 R uo
DZ1 DZ 2 R
ui uo
DZ R3
D2

B


S o1 So 2  uo 

b) stabilizator cu
a) stabilizator în cascadă compensarea efectului c) stabilizator în punte
termic
Fig.8.13. Stabilizatoare parametrice complexe cu performanţe îmbunătăţite

Stabilizatorul în cascadă din fig.8.13.a) este compus din două celule de

stabilizare, anume grupul (Rb1, Dz1) care are factorul de stabilizare scris în
diferenţe finite:
u z 1
S 01  (8.65)
u i
şi grupul (Rb2, Dz2) care are factorul de stabilizare:
u 0
S 02  , (8.66)
u z 1
deci factorul de stabilizare S0 al stabilizatorului compus va fi:
u 0 u 0 u z 1
S0     S 02  S 01 (8.67)
u i u z 1 u i
Generalizând pentru un stabilizator cu n celule de stabilizare, obţinem
factorul de stabilizare S0 ca produsul celor n factori de stabilizare individuali:
 n
S 0   S 0i (8.68)
i 1
Stabilizatorul cu compensarea efectului termic din fig.8.13.b) se
numeşte astfel deoarece rolul său este de a reduce efectul temperaturii
asupra tensiunii de prag a diodei Zener prin dispunerea în serie a unei diode
normale cu siliciu având coeficient de temperatură de semn contrar. Dioda
Zener are coeficient de temperatură negativ, iar dioda cu siliciu polarizată
direct are coeficientul pozitiv. Sunt disponibile pe piaţă şi diode Zener
compensate termic, realizate dintr-o diodă Zener şi mai multe diode cu siliciu
încapsulate împreună.
Stabilizatorul parametric în punte din fig.8.13.c) are performanţe de
stabilizare bune în raport cu variaţia tensiunii de intrare ui. Se observă că şi
acesta este un stabilizator compus deoarece ramura din stânga a punţii poate
fi considerată ca un stabilizator simplu cu rezistenţă de balast, iar ramura din
dreapta ca un divizor rezistiv. Pentru explicarea funcţionării schemei, vom
considera R1=R2 şi R3=rz. Rezultă că între punctele A şi B, pe cele două laturi
ale punţii, rezistenţele sunt egale. Dacă tensiunea de intrare ui creşte, curenţii
între cele două ramuri ale punţii cresc în mod egal, deci căderile de tensiune
pe rezistenţele R3 şi rz sunt egale, adica UR3=Urz. Astfel, aplicand teorema
Kirchhoff II pe ochiul format din u0, DZ (care se inlocuieste cu modelul sau
echivalent format din Uz si rz) si R3=rz, rezulta ca tensiunea de ieşire u0 are
expresia:
u0  U R3  U z  urz  U z  cons tan ta (8.69)

8.2.2. Stabilizatoare cu reacţie

Sursele liniare cu reacţie negativă sunt cele mai utilizate în prezent, mai
ales sub formă de circuit integrat liniar. Ele sunt de două tipuri: stabilizatoare
serie, la care elementul regulator (ER) este în serie cu sarcina R şi
stabilizatoare parale, la care ER este montat în paralel cu sarcina. Schemele
bloc ale acestor tipuri de stabilizatoare sunt prezentate în fig.8.14, ambele
respectând schema bloc tipică a sistemelor de reglaj automat.

io ii R io
 ER 

 
a Trad Trad
AE  ER AE 
a
 
ui uo ui uo
R R
U ref U ref

 

a) stabilizator serie b) stabilizator paralel

Fig.8.14. Schemele bloc ale stabilizatoarelor cu reacţie
  Blocurile componente ale schemei bloc a stabilizatoarelor cu reacţie
Ambele scheme din fig.8.14.a) şi b) conţin aceleaşi blocuri:
 ER – element regulator (poate fi realizat cu un tranzistor de putere sau
cu un grup de tranzistoare care funcţionează în regim liniar, adică în
regiunea activă normală, de unde şi denumirea de “liniare” a acestor
tipuri de surse de tensiune);
 AE – amplificator de eroare (poate fi realizat, de exemplu cu un simplu
tranzistor dar şi cu un amplificator diferenţial realizat cu tranzistoare
bipolare cu jonctiuni sau cu tranzistoare TEC-J sau TEC-MOS, o
schemă de amplificator operaţional diferenţial etc);
 Uref – referinţa de tensiune (poate fi realizată cu o simplă diodă Zener,
unul dintre stabilizatoarele parametrice simple sau complexe prezentate
etc);
 Trad – traductor (poate fi realizat cu un simplu divizor de tensiune etc).
De regulă, proiectanţii firmelor producatoare de stabilizatoare cu reacţie
sunt cei care decid ce scheme electronice concrete pentru blocurile ER, AE,
Uref şi Trad să aleagă în vederea obtinerii unui stabilizator de tensiune integrat
cu performante cat mai ridicate.
În schemele bloc din fig.8.14 nu au fost figurate la circuitele de protecţie
la supracurenţi (protecţia prin limitarea curentului sau protecţia prin
întoarcerea curentului) şi protecţia la supratensiuni (prin scurtcircuitarea ieşirii
la detectarea unei supratensiuni), care sunt foarte cunoscute şi aplicate în
practică.

 Principiul de funcţionare al stabilizatoarelor cu reacţie

Este acelaşi pentru ambele tipuri de stabilizatoare cu reacţie şi va fi
explicat în continuare. Parametrul reglat este tensiunea de ieşire u0, din care
traductorul Trad preia o fracţiune ku0 (unde k  0, 1 ), care apoi este
comparata cu tensiunea de referinţă generată de blocul Uref, rezultând prin
diferenţă tensiunea de eroare:
  ku 0  U ref (8.70)
Eroarea  rezultată se aplică la intrarea amplificatorului de eroare AE,
rezultând la ieşirea acestuia eroarea amplificată de a ori, adică a care, la
rândul ei, va comanda elementul regulator ER ce va modifica tensiunea de
ieşire u0 în sensul compensării ei. Concret, dacă la un moment dat apar
variaţii în tensiunea de intrare, sarcină, temperatură ambiantă etc care
modifică (creşte/scade) tensiunea de ieşire u0 faţă de valoarea ei nominală
constantă U0, atunci sistemul acţionează elementul regulator în vederea
anulării semnalului de eroare (   0 ), astfel că din relaţia (8.70) rezultă
valoarea continuă dorită a tensiunii de ieşire:
U ref
U0   const. (8.71)
k
În continuare se vor studia, pentru exemplificare, funcţionarea unei
scheme electrice de stabilizator serie (fig.8.15.a) şi a uneia de stabilizator
paralel (fig.8.15.b).
 a) funcţionarea stabilizatorului serie din fig.8.15.a)
Comparând schema bloc din fig.8.14.a) cu schema electrică din
fig.8.15.b) se constată că tranzistorul T1 îndeplineşte rolul de ER, tranzistorul
T2 de AE, dioda Zener Dz de Uref şi divizorul rezistiv format din rezistenţele R3
şi R4 de Trad. Eroarea este în acest caz o tensiune:
  u BE2  ku 0  U ref , (8.72)
în care k  R4 /  R3  R4   0, 1 şi U ref  u z . Eroarea amplificată a este
curentul de colector al tranzistorului T2, anume iC 2   2 i B 2 unde  2 este
factorul de amplificare în curent al lui T2.

 ii R1
i iR 2
io
iR 3

R1 iB1 R2 R3 ic iz

U ref  U z Dz
ic 2
Ui T2 iB 2 R Uo
Ui T R Uo
u BE 2
u BE
R4 kU o
DZ
R2
U ref  U z




a) exemplu de schemă electrică de b) exemplu de schemă electrică de stabilizator

stabilizator serie paralel
Fig.8.15. Schemele bloc ale stabilizatoarelor cu reacţie

Pentru a explica funcţionarea schemei din fig.8.15.a) să presupunem că

la un moment dat tensiunea de ieşire u0 creşte. Atunci fracţiunea ku0 creşte şi
ea, deci eroarea   u BE2  ku 0  U ref creşte. Tranzistorul T2 ca conduce în
regiunea sa liniară (RAN) la curenţi IC2 mai mari în detrimentul curentului de
bază a lui T1 care are expresia iB1=i-iC2 şi va scădea. Astfel, tranzistorul T1
conduce mai puţin, curentul de emitor al lui T1 care este i E 1   1i B1 va
scădea şi atunci curentul prin sarcina R care este i0=iE1-iR2-iR3 va scădea şi el.
Această ultimă scădere determină scăderea tensiunii de ieşire u0=Ri0. În
concluzie, schema compensează în final (adică, aici determină scăderea)
creşterea iniţială a tensiunii de ieşire u0. Evident, dacă vom presupune că la
un alt moment tensiunea de ieşire u0 scade, reluand judecata anterioara in
sens invers, în final schema va determina creşterea (compensarea, aici) a
aceleiaşi tensiuni u0.

a) funcţionarea stabilizatorului paralel din fig.8.15.b)

Ca remarcă generală, analizând comparativ cele două scheme din
fig.8.15. se constată că schema electrică a stabilizatorului paralel este mai
simplă deci şi mai ieftină decât schema electrică a stabilizatorului serie, dar
performanţele sale sunt mai modeste deoarece aceleaşi componente
îndeplinesc mai multe roluri simultan. Astfel, acum tranzistorul T îndeplineşte
şi rolul de ER şi rolul de AE, iar dioda Zener are tot rolul de referinţă de
tensiune Uref dar şi, împreună cu rezistenţa R2, alcătuiesc traductorul Trad,
fracţiunea k având aici valoarea 1. Scriind teoremele Kirchhoff ale circuitului,
eroarea va fi:
  u BE  u 0  U ref (8.73)
Pentru a explica funcţionarea schemei din fig.8.15.b) să presupunem că
la un moment dat tensiunea de ieşire u0 creşte. Atunci   u BE  u 0  U ref
creşte. Tranzistorul T ca conduce în regiunea sa liniară (RAN) la curenţi IC mai
mari în detrimentul curentului prin sarcină i0=ii-iC-iz care va scădea
determinând astfel scăderea tensiunii u0=R0i0 prin sarcina R. Ca şi în schema
anterioară, schema compensează astfel (adică aici determnină scăderea)
creşterii iniţiale a tensiunii de intrare u0. Evident, similar se judecă
funcţionarea dacă la un moment tensiunea u0 scade, schema determinând în
final creşterea ei până la anularea erorii  .

8.2.3. Stabilizatoare de tensiune integrate

Stabilizatoarele de tensiune integrate monolitice se încadrează în
categoria stabilizatoarelor serie. Ca şi stabilizatoarele realizate cu
componente discrete, ele conţin toate blocurile funcţionale din fig.8.14.a). În
plus, există şi blocuri funcţionale adiţionale cum ar fi reţeaua de polarizare şi
circuitul de protecţie la supracurenti (prin limitare sau prin întoarcere), care le
conferă performanţe mai ridicate decât cele ale stabilizatoarelor realizate cu
componente discrete. Schema bloc a unui stabilizator de tensiune integrat
este cea din fig.8.16, în care borna CL (Current Limit) este terminalul de
limitare a curentului şi borna CS (Current Sense) este terminalul de sesizare a
curentului.

VC
 VOUT

 VZ
Ui CL

Rsc
 CS

Vref IN   Io
IN COMP
C RA Uo

RB 

Fig.8.16. Schema bloc a unui stabilizator de tensiune integrat

Prima generaţie de stabilizatoare integrate (de exemplu, LM723,

LM304, LM305 etc) permite accesul utilizatorului la toate intrările şi ieşirile
blocurilor funcţionale. Ele au avantajul de a putea fi utilizate în multe variante
(pentru obţinerea de tensiuni de ieşire u0 pozitive, negative, programabile în
limite largi, şi chiar ca stabilizatoare în comutaţie !!) – aşa cum reiese din
aplicaţiile tipice din foile lor de catalog, dar prezintă dezavantajul major al unui
curent pe sarcină i0 mic.
A doua generaţie de stabilizatoare integrate (de exemplu, LM338K, şi
LM350K pentru obţinerea de tensiuni de ieşire u0 pozitive şi LM337K pentru
obţinerea de tensiuni de ieşire u0 pozitive) prezintă performanţe electrice
superioare primei generaţii gradul de integrare fiind mărit, căci schemele de
protecţie şi reţeaua de compensare cu frecvenţa sunt conţinute în circuitul
integrat. Ele prezintă avantajul obţinerii de curenţi de ordinul amperilor şi
puteri de ordinul 10W...100W.
Ca exemplu clasic datorită multiplelor sale aplicaţii tipice, vom prezenta
pe scurt stabilizatorul integrat LM723 şi două dintre aplicaţiile sale, informaţiile
fiind preluate de pe pagina de web www.national.com a firmei National
Semiconductor. Pentru informaţii suplimentare consultaţi pagina de web
indicată.
Schema bloc şi configuraţia terminalelor acestui stabilizator sunt
prezentate în fig.8.17.

V

COMP VC
NC 1 14 NC
CL 2 13 COMP
IN  
VREF
T1
CS 3 12 V
Ui
 VO IN 4 11 VC
IN  IN 
5 10 VO
T2 DZ UO
VREF6 9 VZ
V7 8 NC
VZ
V CL CS

a) schema bloc echivalentă b) configuraţia terminalelor

Fig.8.17. Schemele bloc ale stabilizatoarelor cu reacţie

Ca date tehnice generale, LM723 acceptă o tensiune de intrare ui

situată în gama 9,5V...40V, iar tensiunea de ieşire u0 poate fi programată în
limitele 2V...37V. Curentul de ieşire maxim I0, max=150mA, el fiind curentul de
emitor al tranzistorului T1, dar folosind tranzistoare externe în conexiune
Darlington se pot atinge 10A. Dintre informaţiile necesare în proiectarea
schemelor cu LM723 selectăm următoarele:
- curentul maxim admis la borna VREF este de 15mA, iar la terminalul VZ
este de 25mA;
- amplificatorul de eroare AE are amplificarea de 60dB şi permite
aplicarea la intrarea sa a unei tensiuni diferenţiale de maxim 5V; pentru
a evita intrarea în oscilaţie a amplificatorului de eroare AE între bornele
IN- şi COMP se conectează un condensator de 5nF...20nF;
- referinţa internă de tensiune Uref=7,5V, dar folosind un divizor rezistiv
R1, R2 conectat în exterior între bornele VREF şi masă ea poate coborî
până la valoarea de 2V;
- un tranzistor extern de protecţie T2 poate fi conectat fie pentru protecţia
la supracurenţi prin limitare, fie prin întoarcere.
 În fig.8.18 sunt prezentate modurile de conectare a LM723 în circuit
pentru obţinerea unor tensiuni stabilizate de ieşire u0<Uref=7,15V (fig.8.17a),
respectiv u0>Uref=7,15V (fig.8.17b), ambele situate în gama u 0  2V , 37V  .

V VC V VC VO
VREF VO VREF
RSC RSC
R1 CL R3 CL

IN   A723 IN   A723
UI UI
0.1F CS UO CS UO
R2
R1
R3
IN  IN 
V  COMP V 
R2
COMP
100 pF
100 pF

a) obţinerea tensiunii u0<Uref=7,15V b) obţinerea tensiunii u0>Uref=7,15V

Fig.8.18. Aplicaţii tipice cu LM723

Proiectarea schemelor implică calculul componentelor exterioare

circuitului integrat analogic specializat LM723, după relaţiile indicate de
producător, anume:
 rezistenţa Rsc se calculează folosind relaţia:
0,65V 0,65V
R sc    4,33 (8.74)
I 0,max 150 mA
 rezistenţele R1 şi R2 ale divizorului de tensiune, folosind relaţiile:
- pentru stabilizatorul din fig.8.18.a), care are U 0   2V , 7,15V  :
U0 R1
 (8.75)
U ref  7 ,15V R1  R2
- pentru stabilizatorul din fig.8.18.b), care are U 0  7 ,15V , 37V  :
U0 R  R2
 1 (8.76)
U ref  7 ,15V R2
 rezistenţa R3, folosind relaţia:
R1 R2
R3  (8.77)
R1  R2
Lăsăm ca temă căutarea pe internet a altor stabilizatoare de tensiune
integrate ale aceleiaşi sau altor firme.
 CURS 12
SURSE DE TENSIUNE ÎN COMUTAȚIE

8.3. SURSE ÎN COMUTAŢIE

8.3.1. Principiul de funcţionare a convertoarelor c.c.-c.c.
8.3.2. Topologii clasice de convertoare c.c.-c.c.
8.3.3. Principiul de funcţionare al surselor în comutaţie cu
comandă PWM
8.4. COMPARAȚIE ÎNTRE SURSELE LINIARE ȘI IN COMUTAȚIE

8.3. SURSE ÎN COMUTAŢIE

Blocul principal al schemei bloc a unei surse de tensiune cu
funcționare in comutație este convertorul c.c.-c.c., motiv pentru care
acesta va fi prezentat mai întâi.

8.3.1. Principiul de funcţionare al convertoarelor c.c.-c.c.

Principiul de funcţionare al convertoarelor c.c.-c.c. constă în
acumularea energiei furnizată de sursa de c.c. într-un anumit interval de timp
şi transferul ei în sarcină în alt interval de timp.
Schema principială a convertorului c.c.-c.c. elementar (fig.8.19) este
realizată cu un contactor static de c.c., notat CS, montat în serie cu sarcina R
şi sursa de alimentare de tensiune U1. Contactorul static (CS) realizează
închiderea, respectiv deschiderea circuitului sub controlul circuitului de
comandă (C.C). CS sunt realizate fizic cu diferite dispozitive semiconductoare
de putere, cum ar fi: tiristorul convenţional, tiristorul GTO, tranzistoare bipolare
sau MOS de putere.

Fig.8.19. Schema principială a convertorului c.c.-c.c. elementar

 Când contactorul static ideal este închis (conduce), sarcina este
alimentată la tensiunea sursei u0=Ui , iar curentul prin sarcină este egal cu cel
furnizat de sursa de alimentare i0=ii. La deschiderea (blocarea) contactorului
static i0=0, u0=0 şi tensiunea sursei se regăseşte la bornele CS, anume
uCS=Ui. Formele de unda sunt prezentate în fig.8.20 si deoarece tensiunea u0
este dreptunghiulara convertoarele c.c.-c.c. directe se mai numesc in literatura
si variatoare de c.c. sau choppere.

Fig.8.20. Formele de undă ale tensiunilor de intrare ui=Ui=constanta si de iesire u0

dreptunghiulara a unui convertor c.c.-c.c.

Dacă T=Tc+Tb este perioada de comutatie (comandă) a CS ce cuprinde

un interval de conducţie al CS (TC) şi un interval de blocare a acestuia (Tb),
valoarea medie (componenta continuă) a tensiunii în sarcină este (fig.8.20):
def 1 T def Aria 1 Tc T  1 Tc T
U 0   u0 ( t )dt     U i dt   0dt    U i dt  c  U i  DU i
T0 T T 0  T 0 T
 Tc
(8.78)
unde:
D  Tc T (8.79)
se numeşte raport de conducţie al contactorului static CS sau factor de
umplere al contactorului static CS. Pe baza relaţiei (8.78) şi a fig.8.20,
valoarea medie a tensiunii u0(t) poate fi interpretată geometric ca raportul
dintre aria suprafeţei haşurate şi perioada T, care reprezintă aici şi o variantă
mai simplă de calcul a valorii medii U0. Cum Tc  0, 1 , rezultă că
D  Tc T  0, 1 şi din relaţia (8.78) rezultă că U 0  0 , U i . În concluzie,
valoarea medie a tensiunii medii de ieşire poate fi reglată prin intermediul
raportului de conducţie D fixat de circuitul de comandă al CS prin care se
stabilesc duratele pentru T şi Tc. În funcţie de modul său de realizare practică,
circuitul de comandă poate modifica D dat de relaţia (8.79) în trei moduri
posibile:
- modificând intervalul de conducţie Tc şi păstrând perioada T constantă,
caz în care spunem că CS a fost comandat prin modulaţia impulsurilor
în durată, denumită în electronica industrială a conversiei de energie
 comandă PWM (Pulse Width Modulation) a CS, ilustrată în fig.8.21.a),
în care forma de undă iniţială este desenată în staânga şi forma de
undă modificată prin comandă PWM este desenată în dreapta;
- modificând perioada T şi păstrând intervalul de conducţie Tc constant,
caz în care spunem că CS a fost comandat prin modulaţia impuslurilor
în frecvenţă, denumită în electronica industrială a conversiei de energie
comandă PFM (Pulse Frequency Modulation) a CS, ilustrată în
fig.8.21.b);
- modificând simultan Tc şi T, caz în care avem comandă mixtă a CS
(PWM şi PFM), obţinută ca o combinaţie între figurile 8.21.a) şi 8.21.b)
în care ambele intervale Tc şi T se modifică.

a) ilustrarea modulatiei in durata/latime (PWM), in care Tc=variabil si T=constanta

b) ilustrarea modulatiei in frecventa (PFM), in care Tc= constant si T= variabila

Fig.8.21. Metode de comandă ale contactoarelor statice (CS) de c.c.

Din relaţia (8.78) rezultă că între Ui şi U0 se stabileşte un raport de

transformare în c.c. similar cu al unui transformator ideal (de c.a.). În acest
sens, variatorul de c.c. poate fi privit ca un transformator de c.c. având
raportul de transformare N al convertorului c.c.-c.c. dat de relaţia de definiţie:
U0
N (8.80)
Ui
care poate fi egal sau nu cu raportul de conducţie D, în funcţie de topologia de
convertor c.c. aleasă.
Tensiunea de ieşire u0(t) din fig.8.20 se poate dezvolta în serie Fourier:
  sin nD
u0 (t )  U 0   u 0 n (t )  DU i  2U i   cos nt , (8.81)
n 1 n 1 nD
în care   2 / T este pulsaţia de comutaţie. Primul termen al dezvoltării
U 0  DU i reprezintă valoarea medie calculată în cadrul relaţiei (8.78), care
nu depinde de timp şi este componenta utilă. Termenii următori ai sumei
u 0 n (t ) sunt armonicele de ordinul n ale tensiunii de ieşire u0(t), care depind de
variabila timp şi sunt componentele nedorite.
 Atât armonicile de tensiune u 0 n (t ) cât şi armonicele de curent
i0 n (t )  u 0 n (t ) / R influenţează negativ atât funcţionarea sursei cât şi a
sarcinii. Din acest motiv, convertorul trebuie prevăzut în practică cu filtre de
netezire atât pe partea sursei de alimentare (filtru de tip FTJ pe intrare) cât şi
pe partea sarcinii (filtru de tip FTJ pe ieşire), care atenuează influenţele
acestor armonici (fig.8.22). De obicei, în practică se utilizează filtre L-C, în
care bobina filtrează armonicele de curent, iar condensatorul filtrează
armonicele de tensiune.

Fig.8.22. Schema bloc a convertorului c.c.-c.c. completată cu filtre de netezire

8.3.2. Topologii clasice de convertoare c.c.-c.c.

Privind expresia raportului de conducţie D  Tc T  0, 1 şi expresia
(8.78) în care U 0  DU i  0, U i , am fi tentaţi să credem că există doar
convertoare coborâtoare de tensiune (adică având U 0  U i ) aşa cum e cazul
la sursele de tensiune liniare. În realitate, se construiesc:
- convertoare coborâtoare de tensiune ( U 0  U i ), numite şi convertoare
cu raport de transformare N subunitar deoarece N  U 0 U i  1 , din
topologiile clasice făcând parte convertorul Buck (fig.8.23.a) fără izolare
galvanică (adică fără transformator în componenţa schemei) şi
convertorul forward (fig.8.23.b), ca variantă a sa cu izolare galvanică.
Se poate demonstra că raportul de transformare al convertorului
forward este:
n
N forward  2  N Buck , (8.82)
n1
unde n2/n1 este raportul de transformare al transformatorului din
componenţa convertorului forward.
io ii D1 L io
ii CS iL L io n3
* *
      D2 C Z Uo
Ui n1 n2
  
U i  D C Uo *
Z
  

CS D3
Uo

a) convertorul Buck b) convertorul forward

Fig.8.23. Topologii clasice de convertoare cu raport de transformare subunitar
 - convertoare ridicătoare de tensiune ( U 0  U i ), numite şi convertoare cu
raport de transformare N supraunitar deoarece N  U 0 U i  1 , din
topologiile clasice făcând parte convertorul Boost (fig.8.24) fără izolare
galvanică;

ii L D io

Ui  C
 CS Z Uo

Uo

Fig.8.24. Convertorul Boost cu raport de transformare supraunitar

- convertoare cu raport de transdformare oarecare deoarece

N  U0 Ui poate lua orice valoare mai mică, egală sau mai mare ca 1,
pozitivă sau negativă. Din topologiile clasice fac parte convertorul Buck-
Boost (fig.8.25.a) fără izolare galvanică, convertorul Cuk (fig.8.25.b) şi
convertorul flyback (fig.8.25.c), ultimul ca variantă cu izolare galvanică a
convertorului Buck-Boost. Convertorul Cuk are ca element de
acumulare/retrocedare a energiei un condensator C spre deosebire de
convertorul Buck-Boost care are o bobină L. Raportul să de
transformare este:
N Cuk  N Buck  Boost (8.83)
Se poate demonstra că raportul de transformare al convertorului
flyback este:
n
N flyback  2  N Buck  Boost , (8.84)
n1
unde n2/n1 este raportul de transformare al transformatorului din
componenţa convertorului flyback.

CS D L1 C L2 D
ii io *
ii io

Ui  n1 n2

Ui C Ui CS D C Z Uo C Z Uo
 L Z Uo *
io

CS

a) convertor Buck-Boost b) convertor Cuk c) convertor flyback

Fig.8.25. Topologii clasice de convertoare cu raport de transformare oarecare

În cadrul acestui subcapitol ne vom ocupa exclusiv de convertoarele

Buck, Boost şi Buck-Boost. Se observă că toate au în componenţa schemelor
electrice trei componente de bază dispuse sub forma literei T, anume:
 1) un dispozitiv semiconductor de putere comandat în comutaţie cu rol de
contactor static de c.c., notat CS;
2) o bobină L cu rol de acumulare/retrocedare de energie;
3) o diodă de conducţie liberă, notată D, ce asigură circulaţia curentului
prin rezistenţa de sarcină Rs în intervalul de timp când CS este blocat.
În funcţie de dispunerea celor trei componente pe laturile T-ului se
formează una dintre cele trei topologii menţionate.
Fiecare dintre cele trei convertoare poate funcţiona în regim de
conducţie continuă, în regim limită (numit şi regim de graniţă sau regim critic)
şi în regim de conducţie discontinuă. Recunoaşterea acestor regimuri (numite
şi moduri de funcţionare) se poate face după forma de undă a curentului iL
prin bobina L:
 în regimul de conducţie continuă curentul iL prin bobina L nu se
anulează niciodată (curentul minim Im>0 în permanenţă) în decursul
unei perioade de comutaţie T a CS (fig.8.26). Acest regim de
funcţionare este cel dorit (corect) în funcţionare.

Fig.8.26. Forma de undă a curentului iL prin bobina L la funcţionarea variatorului în

regim de conducţie continuă

 în regimul de graniţă curentul iL prin bobina L se anulează (Im=0) într-un

singur punct în decursul unei perioade de comutaţie T a CS (fig.8.27),
anume la multipli de T. Acest regim este utilizat în proiectarea surselor
în comutaţie deoarece relaţiile matematice sunt mai simple.

Fig.8.27. Forma de undă a curentului iL prin bobina L la funcţionarea variatorului în

regim de graniţă
  în regimul discontinuu curentul iL prin bobina L se anulează (Im=0) într-
'
un întreg interval de timp ( Tb  T  ton  toff ) dintr-o perioadă de
comutaţie T a CS (fig.8.28), anume când nu conduc nici CS şi nici dioda
de conducţie liberă D. Acest regim este nedorit în funcţionare.

Fig.8.28. Forma de undă a curentului iL prin bobina L la funcţionarea variatorului în

regim de conducţie discontinuă

Analiza matematică simplificata a convertoarelor Buck, Boost şi Buck-

Boost ce urmează îşi propune doar să demonstreze afirmaţiile anterioare
conform cărora ele au raporturile de trasformare respectiv subunitar,
supraunitar şi oarecare, fără a avea pretenţia de proiectare a componentelor
electrice ale convertorului. Se fac următoarele ipoteze simplificatoare:c
1. Regimul de funcţionare al variatoarelor este regimul de conducţie
contiunuă a curentului iL prin bobină L.;
2. Forma de undă a curentului iL prin bobină L e liniară, ca în fig.8.26. În
realitate, aceasta este exponenţial crescătoare pe intervalul de
conducţie ton al CS şi exponenţial descrescătoare pe intervalul de
blocare toff=T- ton al CS;
3. Contactoarele statice de c.c. şi diodele de conducţie liberă sunt
comutatoare statice ideale.
4. Condensatorul de filtrare al tensiunii de ieşire u0 este C   (FTJ
ideal) astfel încât tensiunea de ieşire poată fi considerată constantă,
egală cu valoarea sa medie U0.

 Analiza matematică simplificată a convertorului Buck

Se scriu ecuaţiile Kirchhoff pe fiecare dintre cele două intervale de
comutaţie t  0, Tc  şi t  Tc , T  ale convertorului Buck (fig.8.23.a),
corespunzătoare celor două stări ale contactorului static CS , anume de
saturaţie şi blocare.
 Pe intervalul t  0, Tc  : se comandă CS în saturaţie, ceea ce determină
blocarea diodei D, ea fiind polarizată invers pe acest interval de
comutaţie:
di L i L IM Im
Ui  L  U0  L  U0  L  U0 (8.85)
dt t Tc  0
 Pe intervalul t  Tc , T  : se comandă CS în blocare CS, fapt ce
determină intrarea în conducţie a diodei D (fiind polarizată direct ca
 urmare a tensiunii de autoinducţie apărută pe bobina L la scăderea
curentului prin aceasta):
di L i L ImI M
0L  U0  L  U0  L  U0 (8.86)
dt t T  Tc
Din relaţiile (8.85) şi (8.86) se elimină termenul comun L(IM – Im).
Rezultă :
L(IM – Im) = (Ui – U0 )Tc = U0(T-Tc) (8.87)
Deoarece D  Tc T  0, 1 , din relaţia (8.87) rezultă că raportul de
transformare al convertorului Buck este subunitar, ceea ce ne doream să
demonstrăm:
U 0 Tc
N   D  0,1 (8.88)
Ui T
Din relaţia (8.88) rezultă tensiunea medie de ieşire U0 care este mai
mică decât tensiunea de intrare Ui, deci convertorul Buck este într-adevăr
coborâtor de tensiune:
U 0  NU i  DU i  0, U i  (8.89)
În mod similar, se va face în continuare analiza matematică a celorlalte
două convertoare, Boost şi Buck-Boost.

Aplicaţia A8.6
Un convertor Buck (fig.8.23.a) are Ui=24V şi D=0,4. Calculaţi:
a) raportul de transformare N al convertorului;
b) valoarea medie U0 a tensiunii de ieşire.

Soluţie:
a) Se aplică relaţia (8.88):
U 0 Tc
N   D  0 ,4  1 ,
Ui T
deci raportul de transformare al acestui convertor s-a obţinut subunitar, aşa
cum trebuia să fie.
b) Se aplică relaţia (8.89):
U 0  NU i  0 ,4  24V  9,6V  U i  24V ,
deci tensiunea de ieşire este mai mică decât tensiunea de intrare, verificându-
se prin acest exemplu că acest tip de convertor este coborâtor de tensiune.

 Analiza matematică simplificată a convertorului Boost

Se scriu ecuaţiile Kirchhoff pe fiecare dintre cele două intervale de
comutaţie t  0, Tc  şi t  Tc , T  ale convertorului Boost (fig.8.24),
corespunzătoare celor două stări ale contactorului static CS , anume de
saturaţie şi blocare.
 Pe intervalul t  0, Tc  : se comandă CS în saturaţie, ceea ce determină
blocarea diodei D, ea fiind polarizată invers pe acest interval de
comutaţie:
 di L i L IM Im
Ui  L L L , (8.90)
dt t Tc  0
unde i L  I M  I m se numeşte riplul (variaţia vârf la vârf) a
curentului iL prin bobină (vezi fig.8.26).
 Pe intervalul t  Tc , T  : se comandă CS în blocare CS, fapt ce
determină intrarea în conducţie a diodei D (fiind polarizată direct ca
urmare a tensiunii de autoinducţie apărută pe bobina L la scăderea
curentului prin aceasta):
di L i L I m I M
Ui  L  U0  L  U0  L  U0 (8.91)
dt t T  Tc
Din relaţiile (8.90) şi (8.91) se elimină termenul comun L(IM – Im).
Rezultă :
L(IM – Im) = UiTc = (U0-Ui)(T-Tc) (8.92)
Deoarece D  Tc T  0, 1 , din relaţia (8.92) rezultă că raportul de
transformare al convertorului Boost este supraunitar, ceea ce ne doream să
demonstrăm:
U0 1
N  1 (8.93)
Ui 1  D
Din relaţia (8.93) rezultă tensiunea medie de ieşire U0 care este mai
mare decât tensiunea de intrare Ui, deci convertorul Booost este într-adevăr
ridicător de tensiune:
1
U 0  NU i  Ui  Ui (8.94)
1 D

Aplicaţia A8.7
Se va relua aplicaţia (8.6) cu aceleaşi date şi cerinţe pentru convertorul
Boost din fig.8.24.

Soluţie:
a) Se aplică relaţia (8.93):
U0 1 1 5
N     1,67  1 ,
U i 1  D 1  0 ,4 3
deci raportul de transformare al acestui convertor s-a obţinut supraunitar, aşa
cum trebuia să fie.
b) Se aplică relaţia (8.94):
5
U 0  NU i   24V  40V  U i  24V ,
3
deci tensiunea de ieşire este mai mică decât tensiunea de intrare, verificându-
se prin acest exemplu că acest tip de convertor este ridicător de tensiune.

 Analiza matematică simplificată a convertorului Buck-Boost

Se scriu ecuaţiile Kirchhoff pe fiecare dintre cele două intervale de
comutaţie t  0, Tc  şi t  Tc , T  ale convertorului Buck-Boost (fig.8.25.a),
corespunzătoare celor două stări ale contactorului static CS , anume de
saturaţie şi blocare.
 Pe intervalul t  0, Tc  : se comandă CS în saturaţie, ceea ce determină
blocarea diodei D, ea fiind polarizată invers pe acest interval de
comutaţie:
di L i L IM Im
Ui  L L L (8.95)
dt t Tc  0
 Pe intervalul t  Tc , T  : se comandă CS în blocare CS, fapt ce
determină intrarea în conducţie a diodei D (fiind polarizată direct ca
urmare a tensiunii de autoinducţie apărută pe bobina L la scăderea
curentului prin aceasta):
di L i L I m I M
0L  U0  L  U0  L  U0 (8.96)
dt t T  Tc
Din relaţiile (8.95) şi (8.96) se elimină termenul comun L(IM – Im).
Rezultă :
L(IM – Im) = UiTc = (-U0)(T-Tc) (8.97)
Deoarece D  Tc T  0, 1 , din relaţia (8.97) rezultă că raportul de
transformare al convertorului Buck-Boost este negativ și oarecare:
U0 D
N    ,0  (8.98)
Ui 1 D
Din relaţia (8.98) rezultă tensiunea medie de ieşire U0:
D
U0  NU i   Ui (8.99)
1 D
În primul rând, analizând relaţia (8.99) constatâm că la convertorul
Buck-Boost tensiunea U0 este de polaritate (semn) inversă faţă de tensiunea
de intrare Ui, spre deosebire de cazurile convertoarelor Buck şi Boost (vezi
relaţiile (8.89) şi (8.94)) la care U0 are aceeaşi polaritate cu Ui.
În al doilea rând, analizând relaţiile (8.98)şi (8.99) constatăm că:
- dacă D  0,5 , atunci N  0,5 , deci U 0  U i ;
- dacă D  0,5 , atunci N  0,5 , deci U 0  U i , deci convertorul pur şi
simplu inversează la ieşire semnul tensiunii de la intrare, deci este un
simplu inversor de polaritate;
- dacă D  0,5 , atunci N  0,5 , deci U 0  U i ;
În concluzie, din analiza convertorului Buck-Boost rezultă că acesta
este inversor de polaritate şi cu raport de transformare N oarecare, deci
raportul de transformare al acestui convertor s-a obţinut subunitar, aşa cum
trebuia să fie.

Aplicaţia A8.8
Un convertor Buck-Boost (fig.8.25.a) are Ui=24V şi raportul de
conducţie într-una din situaţiile: 1) D=0,4<0,5, 2) D=0,5 şi D=0,6>0,5. Calculaţi
pentru fiecare situaţie dată:
a) raportul de transformare N al convertorului;
 b) valoarea medie U0 a tensiunii de ieşire.

Soluţie:
a) Se aplică relaţiile (8.98) şi (8.99):
U0 D
N    ,0 
Ui 1 D
D
U 0  NU i   Ui Ui
1 D
Astfel:
1) pentru cazul D=0,4<0,5 obţinem:
0,4 2 2
N    , deci N   1
1  0,4 3 3
şi
2
U 0  NU i    24V  16V U0  16V  U i  24V ;
3
, deci
2) pentru cazul D=0,5 obţinem:
0,5
N   1 , deci N  1
1  0,5
şi
U0  NU i  ( 1 )  24V  24V  U i
deci în această situaţie convertorul Buck-Boost este un simplu inversor de
polaritate al tensiunii de ieşire U0= -24V faţă de tensiunea de intrare Ui=+24V
3) pentru cazul D=0,6>0,5 obţinem:
0,6 3
N     1,5 , deci N  1,5  1
1  0,6 2
3
şi U 0  NU i    24V  36V U0  36V  U i  24V ;
2 , deci

Menţionăm că pentru a putea proiecta unul dintre convertoarele studiate

trebuie să renunţăm la ipotezele simplificatoare, considerând condensatorul C
de valoare finită, componentele pasive cu rezistenţe de pierderi etc.

8.3.3. Principiul de funcţionare al surselor în comutaţie cu

comandă PWM
Schema bloc a unui stabilizator de tensiune cu funcţionare în comutaţie
şi comandă PWM este prezentată în fig.8.29. Blocul de bază al stabilizatorului
îl constituie convertorul c.c.-c.c. având componentele de bază: contactorul
static de c.c. notat CS, bobina L de acumulare/retrocedare de energie, dioda
de conducţie liberă D şi condensatorul C de filtrare a componentei continue a
tensiunii de ieşire U 0 .
Fig.8.29. Schema bloc a unui stabilizator de tensiune în comutaţie cu comandă PWM

Principiul de funcţionare este următorul: amplificatorul diferenţial (realizat,

de exemplu, cu o schemă de AO diferențial sau cu un etaj de amplificare
diferențial realizat cu TBJ) are rolul de a face diferenţa între tensiunea de
referinţă Uref şi o fracţiune K u0 din tensiunea de ieşire u0 , la ieşirea lui
rezultând tensiunea de eroare u  U ref  Ku0 care este apoi comparată cu cea
a unui generator de tensiune liniar variabilă (GTLV), anume un oscilator ce
generează la ieşire o tensiune triunghiulară de perioadă T egală cu perioada
de comutaţie a CS. Se formează astfel impulsuri de comandă PWM care se
aplică pe electrodul de comandă al dispozitivului semiconductor de putere
utilizat ca CS, acesta fiind astfel comutat în saturaţie atunci când tensiunea de
ieşire este scade sub valoarea dorită U 0 = Uref K , respectiv în blocare atunci
când tensiunea de ieşire creşte peste valoarea U 0 = Uref K .
Comparând principiul de funcţionare al stabilizatoarelor liniare cu reacţie
serie sau paralel descris în Cursul 11 cu principiul de funcţionare al
stabilizatoarelor cu funcţionare în comutaţie, se constată că ele sunt
asemănătoare cu deosebirea că ER de la stabilizatorul liniar este comandat în
permanenţă de tensiunea de eroare analogică în timp ce contactorul static de
c.c. din cadrul convertorului c.c.-c.c. este comandat în comutaţie
(saturat/blocat) cu tensiunea de eroare digitală prin rezultată la ieşirea
comparatorului COMP.

8.4. COMPARAȚIE ÎNTRE SURSELE LINIARE ȘI IN COMUTAȚIE

O comparaţie (avantaje si dezavantaje) între sursele liniare de tensiune

şi sursele în comutaţie este prezentată în Tabelul 8.1.
Pentru a combina avantajele celor două tipuri de stabilizatoare se pot
cupla în cascadă un stabilizator în comutaţie cu un stabilizator liniar. Rezultă
sisteme de alimentare cu performanţe de stabilizare foarte bune şi cu
randament ridicat al transferului de energie.
 Tabelul 8.1. Comparaţie între sursele liniare şi sursele în comutaţie
Stabilizatoarele liniare Stabilizatoarele în comutaţie
- are randamente  70% , deoarece
ER lucrează în comutaţie (ON/OFF) şi
nu disipă putere;
Avantaje

- au performanţe bune, reflectate - gabarit scăzut, prin micşorarea

în parametrii S0, R0 , K0 dimensiunii radiatoarelor elemente-lor
de putere;
- poate produce US mai mică, mai
mare, oarecare sau de polaritate
inversă faţă de Ui ;
- au randament scăzut de 3040%
datorită funcţionării ER în RAN, în - răspuns mai lent la variaţile mai
care el disipă putere; rapide ale curentului de ieşire IS ;
- o limitare severă a domeniilor de - prezenţa unei componente
Dezavantaje

utilizare; alternative (armonice) în tensiunea de

- nu pot fi utilizate când diferenţa ieşire cu amplitudinea vârf la vârf
de tensiune intre intrare şi ieşire |Ui (riplul) de ordinul zecilor de mV şi
– U0| este mare; frecvenţa de ordinul zecilor de kHz ;
- sunt limitate la U0  40V şi - necesitatea filtrelor EMI pentru
I0  0,5A, ceea ce le face de eliminarea radiaţiei de radiofrecvenţă
neutilizat in calculatoare; generată în timpul funcţionării.
- au gabarit mare, datorită
radiatoarelor de gabarit mare