Componente elementare de circuit

Un circuit electric de curent continuu sau de curent alternativ este format din surse de
curent şi/sau tensiune şi componente pasive (rezistoare, condensatoare, bobine) interconectate
prin intermediul unor conductoare. Fiecărei componente i se poate determina tensiunea la
borne și curentul prin componentă prin aplicarea adecvată a legilor lui Kirchhoff și Ohm.

Un circuit electronic conţine, pe lângă elementele menţionate la circuitul electric, și

componente active de circuit.
 Componenta activă este elementul de circuit care, alimentat în curent continuu, se
comportă ca o sursă de putere electrică comandată de o mărime electrică (i sau u). O
componentă activă poate îndeplini o funcţie de prelucrare (amplificare, reducere) a mărimilor
de comandă. Componentele active reprezintă cuadripoli.

Observaţii:

 Componentele pasive nu pot prelucra semnalul, ci doar conduc, disipă sau

înmagazinează energie. Sunt reprezentate prin dipoli.
 În anumite condiţii (cu ipoteze simplificatoare) componentele active se pot înlocui cu
circuite formate din surse și elemente pasive interconectate astfel încât sa
îndeplinească o funcţie.

Întotdeauna energia totală în componenta pasivă este mai mică decât energia
consumată de la sursă. Componentele active realizează un control energetic, putându-se
obţine o putere mai mare decât puterea de comandă.
Dioda, deşi este un dipol din punct de vedere energetic şi ar trebui clasificată ca şi
componentă pasivă, datorită caracteristicii sale curent-tensiune neliniară şi unidirecţională
permite prelucrarea semnalului aplicat asupra sa (redresarea). Deci dioda este considerată o
componentă activă de circuit.

Clasificarea din punct de vedere al tehnologiei de realizare a circuitelor:

- circuite discrete: componente active și pasive încapsulate separat sunt legate între ele
prin cablaje imprimate;

- circuite integrate: componente active, pasive şi interconexiunile lor sunt realizate

inseparabil, încapsulate unitar;

- circuite hibride: parţial cu componente discrete, parţial cu componente integrate, dar

capsulate împreună într-un întreg inseparabil.

DISCUȚII Diverse
 Rezistoare
Sunt componentele pasive cel mai des utilizate în aparatura electronică. Rezistorul este
un dipol pentru care impedanţa are un caracter rezistiv. Parametrul principal este rezistenţa
electrică.

Legea lui Ohm ur = i · R; R [Ω]

Reprezentarea sub formă grafică a relaţiei dintre curentul care străbate rezistorul și
tensiunea la bornele ei reprezintă caracteristica i-u a rezistorului.
Rezistorul ideal se comportă la fel şi în curent continuu şi în curent alternativ.
În regim armonic (sinusoidal) i şi u sunt în fază. Rezistorul nu înmagazinează energie,
el fiind capabil să o transporte şi să o disipe.

P = uR·iR = R·iR2 =
uR, iR – valori în curent continuu;
– valori efective.

Puterea absorbită de rezistor este transformată în căldură, rezistorul ideal fiind un

element disipator.
Clasificare:
a) Din punct de vedere constructiv:
- rezistoare fixe;
- rezistoare variabile:
 semi-reglabile;
 potențiometre (există senzori potențiometrici utilizați
pentru determinarea unghiului de rotație);
b) După modul realizării elementelor rezistive:
- rezistoare peliculare: elementul rezistiv este o peliculă
conductoare din carbon, compuși metalici sau metale cu
rezistivitate mare, depusă pe un material dielectric;
- rezistoare bobinate: conductor bobinat pe un suport izolator;
- rezistoare de volum: elementul rezistiv este întreg corpul său
(amestec de materiale conductoare și izolatoare, aportul
concentrațiilor determinând valoarea rezistențelor).
c) Din punct de vedere al caracteristicii i-u:
- liniare;
- neliniare: rezistența electrică depinde de:
 temperatură (termistori);
 tensiune (varistoare);
 solicitare mecanică (mărci tensometrice);
 flux luminos (fotorezistoare).

Simboluri Fix, reglabil și semireglabil

Una din formele de manifestare a efectului fotoelectric intern la materialele

semiconductoare consta in apariția purtătorilor de sarcina si ca urmare creșterea
conductivității electrice a semiconductorului. Aceasta proprietate se numește
FOTOCONDUCTIVITATE iar dispozitivul optoelectronic care funcționează pe baza acestui
fenomen se numește FOTOREZISTOR.
In funcție de materialul semiconductor din care este realizat, sensibilitatea lui
spectrala poate varia din ultraviolet până in infraroșu. Fotorezistorii se obțin prin depunerea
unui strat din material semiconductor pe un suport izolator, prevăzut la capete cu doua
contacte ohmice pentru lipirea terminalelor.
Termorezistență (termistor)

Varistor
Marcă tensometrică

Caracteristici ale rezistoarelor fixe:

1) Rezistența nominală Rn și toleranţa acesteia:

t = ± max | |;

 Completare – se acceptă toleranţe

 Cod culori carte pag. 22 –> analog cod culori => produse și identificate în circuite
integrate

http://www.bobtech.ro/tutoriale/componente-electronice/45-codculori-calculator-online

2) Puterea de disipație nominală Pn

 Puterea de disipație nominală reprezintă puterea electrică maximă [W] pe care o poate
dezvolta rezistorul în regim de funcţionare normală continuă fără să-şi modifice
caracteristicile (depăşirea conduce la ardere).

Observație: siguranțele fuzibile.

Tensiunea nominală

Tensiunea maximă care se poate aplica la bornele rezistorului se numeşte tensiune

nominală.
Observaţie: Zgomotul [μV] este datorat mişcării haotice a electronilor.

Interval de temperatură
Observaţie: Clase de precizie – etalon, de precizie, de uz curent (pag 5)

În condiţii obişnuite rezistorul ideal este o bună aproximare pentru rezistorul real, dar
în situaţii deosebite (de exemplu: frecvenţă ridicată) elementele parazite nu mai pot fi
neglijate.

Caracteristicile rezistoarelor variabile:

- Rezistenţa inițială;
- Rezistenţa de contact;
- Legea de variaţie (liniară, logaritmică şi invers logaritmică).

Gruparea rezistoarelor

Gruparea se face in serie sau în paralel.

Divizoare cu rezistenţe

Fig. 5.1

De tensiune: v0 = R2·i = R2 ·
v0 = vi ·

Fig. 5.2

De curent: i0 · R1 = ii ·
= + =
Condensatoare
Condensatorul este un dipol care are impedanţa cu caracter în special capacitiv.
Parametrul principal al condensatorului este capacitatea electrică C exprimată în Farazi [F].
Ea este definită ca raportul dintre sarcina q acumulată pe una dintre armăturile sale şi
tensiunea uc între armături.

C= [F] Fig. 6.1

dar ic = (curentul prin condensator este determinat de variaţia în timp a sarcinii electrice q
acumulată pe armăturile condensatorului)
q = C · uc → ic = C · => uc = ∫ 𝑖𝑐 𝑑𝑡

Condensatorul ideal nu permite salturi de tensiune la bornele sale, deoarece uc(t) =

funcţie continuă.

𝒅𝒖𝒄
În curent continuu, deoarece uc(t) = constantă => = 0 => ic=0, condensatorul
𝒅𝒕
ideal se comportă ca un circuit deschis (rezistenţă de valoare ∞), întrerupând circulaţia
curentului prin circuit.

În curent alternativ, în regim armonic cu o variaţie sinusoidală a curentului ic=Icsin(ωt)

cu Ic = valoarea maximă (amplitudinea) a curentului prin condensator, se obţine prin
integrarea expresiei uc:

=> uc = ∫ 𝑖𝑐 𝑑𝑡
uc = · Ic·sin(ωt - ) = Uc·sin(ωt - )

Expresiile în timp ale uc şi ic arată că în regim armonic (sinusoidal) tensiunea la

bornele condensatorului ideal este defazată cu în urma curentului care străbate
condensatorul.

În curent alternativ, condensatorul ideal este caracterizat printr-o rezistenţă aparentă

numită reactanţă capacitivă.
 Xc [Ω] => Xc = = și uc = Xc · Ic

Fig. 7.1

Pentru 𝜔 = constantă => caracteristica u-i este o dreaptă, deci condensatorul ideal este o
componentă liniară

Fig. 7.2

Se observă că la frecvenţe mari (→ ∞) condensatorul se comportă ca un scurtcircuit

Xc → 0, iar în curent continuu (f → 0) el este un circuit deschis (xc → ∞).
Condensatorul ideal nu disipă energie, ci poate transmite şi înmagazina energie
·
electrică. Energia electrică acumulată de un condensator cu uc la borne: Wc = .

Clasificarea condensatoarelor:
a) Constructiv:
- fixe: cu capacitate stabilită in procesul de fabricaţie;
- variabile:
 semi-reglabile (trimmer);
 variabile propriu-zise (referinţe de curent);
b) După natura dielectricului utilizat:
- Condensator din hârtie: este condensatorul al cărui dielectric este format din
una sau mai multe folii de hârtie cu armăturile din folie de aluminiu subţire
(folii bobinate împreună);
- Condensator cu peliculă din plastic: este condensatorul al cărui dielectric este
construit din plastic;
 - Condensator cu ceramică: este condensatorul al cărui dielectric este sub formă
plană sau cilindrică şi armăturile sunt depuneri metalice (Ag) pe cele două feţe
ale dielectricului;
- Condensator cu mică;
- Condensator cu sticlă (sticlă silicat);
Obs.Cele din Ceramică, mică şi sticla pot fi realizate sub formă de multi strat.

- Condensator cu peliculă de oxid (electrolitic): are ca dielectric o peliculă foarte

subţire de oxid unipolar al metalului din care este realizată o armătură, cealaltă
armătură fiind cu electrolit lichid sau solid impregnat în dielectricul poros.

Fig. 8.1.

Caracteristici condensatoare fixe:

1) Capacitatea nominală + toleranţa => marcate clar, sau cod culori;

 2) Tensiunea nominală – tensiunea continuă maximă sau tensiunea eficace cea mai mare
a tensiunii alternative care se poate aplica pe bornele condensatorului în regim de
funcţionare îndelungată fără modificarea parametrilor acesteia.
3) Rezistenţa de izolaţie Riz:
Dielectricul nu este un izolator perfect, astfel încât între armături apare o rezistenţă
nedorită – Riz. Ea reprezintă raportul dintre tensiunea continuă aplicată unui condensator și
curentul care se stabileşte după un minut de la aplicarea tensiunii.

Plus:
- tangenta unghiului de pierdere;
- interval temperatura de lucru;
- coeficient de variaţie cu variaţia diferiților parametri de mediu;
- performanța (pag. 36).
Circuite simple cu condensatoare

Grupare pentru obținerea altor valori

Serie =∑

Paralel Ce = ∑ 𝐶𝑘

Încărcarea condensatorului printr-o rezistenţă sub tensiune continuă constantă

Există circuite de temporizare ce folosesc încărcarea și descărcarea unor

condensatoare pentru stabilirea unor intervale de timp.

i/I

t = 0, se închide k =>
𝑈−𝑢 𝑑𝑞 𝑑𝑢
𝑖= = =𝐶
𝑅 𝑑𝑡 𝑑𝑡

𝑑𝑢 𝑢 𝑈
→ + =
𝑑𝑡 𝑅𝐶 𝑅𝐶
(ecuație diferențială de ordinul I)
Soluţia: uc = u(1 - 𝑒 ), unde τ = R.C constanta de timp

𝑢
= 1−𝑒
𝑢
𝑖
=𝑒
𝐼
Observație:

Bobina
Bobina (inductorul) este un dipol pentru care impedanţa are un caracter în special
inductiv. Parametrul principal este inductanţa electrică L [H - Henry].
L= ,
unde ΦL este fluxul magnetic al bobinei şi iL este intensitatea curentului prin bobină

Fig 10.1.

uL = =𝐿 →𝑖 = ∫ 𝑢 𝑑𝑡.

Bobina ideală nu permite salturi de curent deoarece iL trebuie să fie funcţie continuă.
În curent continuu, deoarece iL(t) = constant → = 0 → uL= 0 → bobina ideală se
comportă în curent continuu ca un scurtcircuit.
În curent alternativ, în regim armonic cu o variaţie sinusoidală a curentului,
iL=IL sin(ωt) (IL este valoarea maximă – amplitudinea).

uL = ωL · IL· sin(ωt + ) = UL · sin(ωt + )

=> Rezistenţa aparentă XL = ω . L = 2πfL

UL=XLIL

Bobina ideală este o componentă liniară. Expresiile integrale ale ωL și IL arată că în

regim armonic (sinusoidal) UL este defazat cu înaintea curentului care străbate bobina.
 Fig. 10.1 Fig. 11.1

f → ∞ → bobina se comportă ca un circuit deschis (XL → ∞);

f → 0 → scurtcircuit.

Bobina ideală nu disipă energie, ci transmite şi înmagazinează energie.

WL =

Bobinele se deosebesc prin: forma geometrică a bobinei şi spirelor, numărul de spire

al înfășurării, utilizarea sau neutilizarea carcasei, existența sau neexistența miezului magnetic,
posibilitatea de modificare a inductanței, etc.

Fig. 11.2

Filtre cu componente pasive

Filtrul este un dispozitiv care permite trecerea unor semnale în funcţie de frecvenţele lor.
FILTRU TRECE JOS
Fig. 12.1

FTJ (filtrul trece jos) este de fapt un divizor de tensiune dependent de frecvenţă.
Pentru semnale de frecvenţe înalte Xc<< R şi deci ue<< ui. Pentru semnale de joasă frecvenţă
Xc>>R => ue ≈ ui.

( ) ⁄
Amplificarea este: A(ω) =
( )
= =
 |A(ω)| =

ωT =

fT =

ωT este pulsaţia; fT este frecvenţa de tăiere.

FTS

Fig 12.2
Dacă de inversează locul condensatorului cu rezistenţa.
COMPONENTE ACTIVE - Dioda
 Joncţiunea p-n reprezintă un monocristal de semiconductor în care se află două zone
dopate diferit, una de tip p (goluri) şi una de tip n (electroni).
Dioda este o joncţiune p-n împreună cu ansamblul mecanic constituit din terminale și
carcasă. Contactul la regiunea p se numește anod și cel de la regiunea n se numește catod.
Există și diode care au la bază contact metal-semiconductor numite diode Schotky.
Fig. 12.3

Ecuația diodei:
iD = is · (𝑒 − 1)
unde Is este curentul de saturaţie al diodei.
10 − 10 A pentru siliciu
10 − 10 A pentru germaniu

𝑘𝑇
= 𝑈𝑡 = 𝑡𝑒𝑛𝑠𝑖𝑢𝑛𝑒𝑎 𝑡𝑒𝑟𝑚𝑖𝑐ă = 25𝑚𝑉 𝑙𝑎 300 𝐾
𝑞
Reprezentarea grafică a ecuaţiei se numeşte caracteristica diodei.

Polarizarea directă constă în aplicarea unei tensiuni pozitive UD > 0 (+ la anod și – la

catod) la bornele diodei.
Polarizarea inversă constă în aplicarea unei tensiuni negative UD < 0 (– la anod și + la
catod) la bornele diodei.
La polarizarea directă dioda conduce, valoarea curentului fiind in general determinată
de circuitul exterior. Pentru o gamă de variaţie 1:10 a curentului debitat, tensiunea la borne
variază relativ puţin. În multe cazuri se poate considera căderea de tensiune la bornele diodei
ca fiind constantă, 0,6V (uD) pentru diodele cu siliciu și 0,15V pentru diodele cu germaniu.
La polarizarea inversă dioda este blocată, curentul prin diodă fiind practic nul (iD≈0).
Dependenţa inversă (tensiune-curent) este dată de:

UD = UT · ln( + 1) = · ln +1

La polarizarea directă, când curentul prin diodă este mult mai mare decât cel de
saturaţie relaţiile se pot scrie:

(aceste relații pun în evidență posibilitatea folosirii diodei ca element de exponențiere sau de
logaritmare.)

Dioda ideală
Fig.14.1
 Dioda ideală se comportă ca un comutator ideal comandat de tensiunea la borne.
Pentru tensiuni negative dioda este un circuit întrerupt, iar când tensiunea are tendinţa de a
deveni pozitivă dioda devine un scurtcircuit, forţând tensiunea la borne la valoarea 0.
Străpungerea unei diode reprezintă apariţia unui curent invers prin diodă mult mai
mare decât curentul de saturaţie IS, la polarizarea inversă. Dioda Zener este o diodă care
lucrează în mod curent in străpungere.

Fig. 14.2

În conducţie inversă tensiunea la bornele diodei Zener este aproximativ constantă (Uz
tensiune de străpungere a diodei).
În conducţie directă dioda Zener se comportă ca o diodă obişnuită.

Structura şi funcţionarea joncţiunii p-n

Formarea unei joncţiuni p-n reprezintă o distribuţie neuniformă de impurităţi care

produce o trece o trecere abruptă de la un material semiconductor de tip p (goluri) la unul de
tip n (electroni), în volumul aceluiaşi cristal.
Fig. 14.3
Se numește joncţiune metalurgică suprafața de
separare unde doparea efectivă se schimbă de la atomi
acceptori la atomi donori. Depunerile metalice de la
extremitatea jocţiunii, care asigură contactul electric dintre
circuitul extern și semiconductor constituie Anodul şi
Catodul (K).
Fig. 15.1

Zona haşurată în jurul joncţiunii metalurgice se numește zonă de trecere. Există o

porţiune p şi una n a zonei de trecere. Porţiunile p şi n rămase în afara zonei de trecere se
numesc zone neutre.
Pentru regiunea p, concentrația golurilor este mult mai mare decât concentrația
electronilor.
Pentru regiunea n, concentrația electronilor este mult mai mare decât concentrația
golurilor.
 În regiunea de trecere este o lipsă de purtători mobili, care fie au difuzat, fie s-au
recombinat.
Reducerea numărului de purtătorilor mobili în regiunea de trecere produce un
dezechilibru de sarcini electrice. Sarcina electrică a atomilor de impurităţi ionizaţi nu mai este
compensată de sarcină electrică a purtătorilor mobili (de exemplu în regiunea p sarcina
electrică a atomilor acceptori ionizaţi negativ nu mai este compensată de sarcina electrică
pozitivă a golurilor). Acest fenomen provoacă prezenţa unei sarcini negative fixe
necompensate în apropierea joncţiunii metalurgice. Similar, pentru regiunea n unde se
formează o sarcină electrică pozitivă fixă. Cele două sarcini determină apariţia unui câmp
electric intern îndreptat de la n la p, în interiorul regiunii de trecere.
La echilibru, curentul total de goluri și curentul total de electroni trebuie să fie zero.
Regiunea de trecere se extinde atât cât este necesar pentru a asigura egalitatea dintre cele două
componente.
La aplicarea unei tensiuni din exterior, câmpul electric produs de aceasta se suprapune
peste câmpul electric intern. În funcţie de semnul tensiunii aplicate, câmpul creşte sau scade
în raport cu câmpul intern.
- Polarizare directă: + la p şi – la n, câmpul electric produs de tensiunea aplicată este de
sens contrar câmpului electric intern. Câmpul electric total se mişorează, echilibrul se strică și
prin diodă circulă un curent mare (dioda conduce).
- Polarizare inversă: – la p și + la n, câmpul electric produs de tensiunea aplicată la borne
este în acelaşi sens cu câmpul electric intern. Câmpul total crește. Rezultă un curent foarte
mic prin joncţiune (dioda este blocată).

Abateri de la caracteristica ideală a diodei

Cauze:
I. Căderi de tensiune datorate rezistenței regiunilor neutre – deoarece materialul
semiconductor nu are rezistenţă nulă, de-a lungul regiunilor neutre p şi n apar
căderi de tensiune suplimentare de natură rezistivă, astfel încât tensiunea aplicată
la borne este definită ca tensiunea de la bornele regiunii de trecere.
UD = UJ + (rP + rn) · iD unde rp si rn = rezistenţa regiunii neutre p şi n

Fig. 16.1

II. Generarea şi recombinarea de purtători în regiunea de trcere

Generarea de purtători în regiunea de trecere se manifestă în special la tensiuni inverse

aplicate diodei, când lăţimea regiunii de trecere poate creşte mult.
Fig. 16.2

Influenţa temperaturii asupra caracteristicii diodei

La polarizare inversă.
Fig. 16.3

Variaţia relativă pe grad a curentului invers pe diodă este constantă. Curentul de

saturaţie se dublează la fiecare creştere a temperaturii cu 4°C la siliciu și 6°C la germaniu.

La polarizare directă.

Creşterea curentului direct prin diodă la UD=constantă odată cu creşterea temperaturii

este semnificativă. Din acest motiv, un circuit în care dioda este alimentată la tensiune
constantă este extrem de sensibil la variaţia temperaturii şi trebuie evitat. Dimpotrivă,
alimentarea unei diode sub curent constant sau cu o rezistenţă serie suficient de mare duce la
o stabilitate mult mai mare cu temperatura.

Rezolvarea unui circuit simplu cu diodă

Fig. 17.1

U = R · ID + UD (dreapta de sarcină)
ID = IS · (𝑒 − 1) (caracteristica diodei)
Acest sistem poate fi rezolvat grafic sau numeric.

Rezolvare grafică (nu este recomandată pentru rezolvarea unui caz concret, nefiind
precisă şi nici rentabilă din punct de vedere al volumului de lucru).
Fig. 17.2
R = panta dreptei de sarcină
U = variație drepte paralele

Rezolvare numerică
a) iD =
b) UD = UT · ln( + 1)

1) UD = 0 → iD din a)
2) iD → UD din b)
3) UD → iD ……………………

Aproximaţii ale caracteristicilor diodei

Dioda ideală.
iD = {0, UD < 0; dioda blocată
{Nedefinit, UD = 0; dioda conduce→ UD = 0

Fig. 17.3

Dioda ideală este echivalentă unui comutator comandat de tensiunea la borne. Fig.
17.4

Dioda ideală cu cădere de tensiune la borne

Fig. 18.1 + Fig. 18.2

Dioda cu caracteristică idealizată

Fig. 18.3

tgα = RD

Fig. 18.4

Liniarizarea caracteristicilor in jurul unui punct de funcţionare.

Pentru cazurile în care dioda funcționează numai în conducție, la variații mici și lente
de U şi I în jurul unui punct de funcționare, caracteristica diodei se poate aproxima cu
tangenta la curbă în punctul de funcționare.

Fig. 18.5

Circuite cu diode
Redresor mono alternanță

Fig. 18.6
Redresor dublă alternanță

Fig. 18.7
COMPONENTE ACTIVE

Tranzistorul bipolar

https://s3.amazonaws.com/lowres.cartoonstock.com/science-electronics-electrician-engineers-gadgets-transistors-dbcn441_low.jpg

Tranzistorul bipolar a fost inventat în 1948. Denumirea sa provine de la transfer rezistor

(rezistență de transfer). Este de fapt vorba despre generatorul de curent din colector comandat
de tensiunea bază-emitor prezentat de tranzistorul bipolar atunci când este polarizat în regiunea
activă normală (RAN).
Tranzistorul bipolar este o structură npn sau pnp realizată în volumul aceluiași cristal
semiconductor, având trei terminale: E, B, C (emitor, bază, colector). Emitorul este mult mai
puternic dopat decât baza.
Fig. 20.1

EN = regiunea neutră a emitorului

BN = regiunea neutră a bazei
CN = regiunea neutră a colectorului
RTE = regiunea de trecere a joncțiunii BE
RTC = regiunea de trecere a joncțiunii CB
E, B, C, terminale

Zona centrală (baza) este mult mai subțire față de grosimile celorlalte două regiuni,
aceasta fiind ea însăși o condiţie de funcţionare a tranzistorului. Această condiție însemnă de
fapt că purtătorii injectați de emitor traversează baza şi în cea mai mare parte ajung în colector,
generând astfel curentul colector. Tensiunile pe cele două joncţiuni se notează de la p la n.

Simboluri
Fig. 20.2

Un tranzistor bipolar este polarizat în regiunea activă normală (RAN), dacă

joncțiunea BE este polarizată direct şi joncțiunea BC este polarizată invers.
Pentru npn aceasta corespunde cu VBC ≤ 0, VBE ≥ 0.
Această regiune este cea în care tranzistorul bipolar funcționează ca amplificator. Faţă
de colector el se comportă ca generator de curent comandat de curentul pe E sau B în funcţie
de conexiune.
Ecuaţiile de funcţionare în curent continuu al tranzistorului bipolar în RAN sunt:
- ecuațiile de ieșire: iC = αF iE + iCB0;
𝑉𝐵𝐸
- ecuațiile de intrare: iE = iES 𝑒 𝑉𝑇 ; unde αF 𝜖 [0,95 ... 0,995]. În conexiune Bază Comună

SAU

- ecuaţiile de ieşire: iC = βF iB + iCE0; În conexiune Emitor Comun

𝑉𝐵𝐸
- ecuaţiile de intrare: iB = (1 – αF) iES 𝑒 𝑉𝑇 ; unde βF = αF/(1 – αF) 𝜖 [20 ... 300].

αF = factor de amplificare în curent, conexiune bază comună (partea din curentul de emitor care
ajunge în colector)
βF = factor de amplificare în curent în conexiune emitor comun.
Tranzistorul bipolar este un dispozitiv neliniar.
Scheme echivalente de curent continuu ale tranzistorului bipolar în RAN
Fig. 21.1 + Fig. 21.2

Un tranzistor se află în regiunea de blocare dacă ambele joncțiuni sunt polarizate

invers. În acest caz curenții sunt aproape nuli şi tranzistorul este echivalentul unui circuit
întrerupt.
Un tranzistor se află în zona de saturație dacă ambele joncțiuni sunt polarizate
direct. În această situație curenții prin tranzistor au valori mari, fiind limitați de componentele
externe. Căderile de tensiune pe joncțiuni corespund unei diode polarizate direct:
VBE ≈ VBC ≈ 0,6V; VCE ≈ 0.

Un tranzistor care este comandat succesiv la blocare şi saturație poate fi utilizat între
colector şi emitor ca un comutator comandat.

Condiția pentru saturație a unui tranzistor este: iCsat ≤ βsat iBsat (ICsat, IBsat sunt curenți de
saturație).
Punctul de funcționare al tranzistorului este definit ca perechea (iC, uCB) sau (iC, uCE), iar
punctul static de funcționare este perechea (IC, UCB) sau (Ic, UCE) cu mărimi componente
continue.
Un tranzistor bipolar privit ca un cuadripol poate avea trei tipuri de conexiuni:
- Emitor comun (EC) Fig. 22.3 / Bază comună (BC) Fig. 22.4 / Colector comun (CC)
Fig. 22.5

Comportarea în curent continuu a unui tranzistor bipolar este uzual descrisă de

caracteristicile acestuia. În funcție de tipul de conexiune, caracteristicile diferă puțin.
Există două tipuri de caracteristici:
1) Caracteristici de ieșire
Dependența dintre mărimile de ieșire este parametrizată în funcție de una dintre
mărimile de intrare. Avem caracteristica de ieșire în conexiune bază-comună (BC): ic (uCB,
iE), cu iE parametru şi în conexiune emitor-comun (EC): ic (uCE, iB), cu iB parametru.
Pentru fiecare valoare a parametrilor se obține cate o caracteristică, rezultând astfel o
familie de caracteristici.

2) Caracteristica de intrare
Dependența dintre mărimile de intrare este parametrizată în funcție de una dintre
mărimile de ieșire.
Puterea disipată medie într-un tranzistor conectat într-un circuit este valoarea medie a
produsului ic(t) · uCE(t).
1 𝑇
Pd med = ∫0 𝑖𝑐 𝑢𝐶𝐸 𝑑𝑡
𝑇
Puterea disipată în punctul static de funcţionare este Pd = Ic · UCE.
Observaţie:
𝑄
iB = 𝐵 ,
𝜏𝐵𝐹
𝜏BF este timpul mediu de viață al purtătorilor minoritari în bază;
QB este sarcina electrică a bazei;
2 𝐷𝑢
iC = · QB , W este lăţimea efectivă a regiunii neutre a bazei;
𝑊2
Du este constanta de difuzie.
 Dependențele între iC, iB şi QB arată un permanent echilibru între aceste mărimi. Nu se
poate crește curentul în colector fără a avea în prealabil o creștere a sarcinii electrice a curenților
în bază şi implicit o creștere a iB. Similar, orice modificare a lui iB este asociată cu o schimbare
a lui QB şi deci a lui iC. Această dependență face posibil ca printr-un curent de valoare mică iB
să se controleze un curent de o valoare mult mai mare iC, deci să se obțină o amplificare de
curent.

Concluzii:
o Distribuția purtătorilor minoritari în bază are rol determinant în funcționarea
tranzistorului bipolar. Cunoașterea ei înseamnă cunoașterea QB și a valorilor iB și iC.
o iB de valori mici poate controla iC de valori mari.

Funcţionarea în regim static a tranzistorului bipolar

Ecuațiile de funcționare ale tranzistorului bipolar sunt deduse prin superpoziția

sarcinilor electrice în bază:

Ecuaţiile EBERS-MOLL:
𝑈𝐵𝐸 𝑈𝐵𝐶
iE = iES · (𝑒 𝑞 𝐾𝑇 – 1) – αR · iCS · (𝑒 𝑞 𝐾𝑇 − 1)
𝑈𝐵𝐸 𝑈𝐵𝐶
iC = αF ·iES · (𝑒 𝑞 𝐾𝑇 − 1) − iCS · (𝑒 𝑞 𝐾𝑇 − 1)
αF ·iES = αR ·iCS
𝐾𝑇
𝑞
= UT iES , iCS curenți de saturație ; αR, αF sunt factori de amplificare subunitari.

Caracteristica de ieşire idealizată în conexiune bază-comună (BC) ic (UCE, iE)

𝑉𝑏𝑒
𝐾𝑇
Pornind de la ecuațiile EBERS-MOLL se notează UT = şi se elimină iES · ( 𝑒 𝑉𝑡 – 1)
𝑞
între primele două ecuații.
𝑈𝐵𝐶
iC = αF · iE – iCS · (1 – αF · αR) (𝑒 𝑈𝑇 − 1)

iCS · (1 – αF · αR) este notat cu iCB0 şi este curentul rezidual în conexiune bază comună.
𝑼𝑩𝑪
iC = αF · iE – iCB0 · (𝒆 𝑼𝑻 − 𝟏)
Fig. 25.1

Pentru:
𝑈𝐵𝐶
UBC < 0 → 𝑒 𝑈𝑇 ≈ 0 → iC ≈ αF · iE + iCB0
𝑈𝐵𝐶
UBC > 0 → - iCB0 · (𝑒 𝑈𝑇 – 1) produce o scădere mare a lui iC

Caracteristica de ieşire idealizată în conexiune emitor-comun (EC) ic (UCE, iB)

𝑈𝐵𝐶 Fig. 26.1
iC = αF · iE – iCB0 · (𝑒 𝑈𝑇 – 1)
iE = iC + iB
UBC = – (UCE – UBE)
𝛼𝑓 𝐼𝐶𝐵0
Se notează βF = și iCE0 = = iCB0 (1 + βF)
1−𝛼𝑓 1−𝛼𝑓
Substitui iE din a doua relație și înlocuiesc în
prima
𝑈𝐵𝐶
iC = βF · iB – iCE0 · (𝑒 𝑈𝑇 – 1)
−𝑈𝐶𝐸−𝑈𝐵𝐸
iC = βF ·iB – iCE0 · ( 𝑒 𝑉𝑡 − 1),
βF 𝜖 [30 ... 300], iB << iC

BC polarizată invers: UBC < 0 |UBC| >> UT →

iC = βF · iB + iCE0

Caracteristica de intrare în conexiune bază-comună (BC)

Această caracteristică este interesantă doar când joncțiunea bază-colector este polarizată
invers.
Pornind de la (1), UBC < 0
|UBC| >> UT ,
𝑈𝐵𝐸
din acestea rezultă că iE ≈ iES · ( 𝑒 𝑈𝑇 − 1)
Caracteristica de intrare în conexiune emitor-comun (EC)
Reprezentarea se face tot când regiunea bază-colector este polarizată invers.
iB = iE – iC
iC = αF · iE + iCBO ≈ αF · iE
𝑈𝐵𝐸
iB = (1 – αF) · iE = (1 – αF) · iES · (𝑒 𝑈𝑇 – 1)
Influenţa temperaturii
αF crește cu temperatura;
βF are o creștere de aproximativ 0,25% / oC;
iCS și iES cresc exponențial cu temperatura.
Tranzistorul cu siliciu: fiind mici se pot neglija până la 100 oC (mai puțin tranz. de putere);
Tranzistorul cu germaniu: nu pot fi neglijate temperaturi peste 40 oC.
Comportarea tranzistorului bipolar la tensiuni colector-bază mari
Fie un tranzistor bipolar în regiunea activă normală. Creșterea bruscă a curentului de
colector odată cu depășirea unei anumite valori a tensiunii bază-colector UBC se numește
străpungerea tranzistorului.
Străpungerea tranzistorului bipolar are la bază două fenomene fizice:
 a) multiplicarea în avalanșă în regiunea de trecere a joncțiunii colector-bază (similară cu
străpungerea diodei Zener);
b) anularea grosimii regiunii neutre a bazei (w → 0) și întrepătrunderea joncțiunilor emitor-
bază și colector-bază.

Circuite de curent continuu cu tranzistor bipolar

Un circuit de polarizare în regiunea activă normală asigură punctul de funcționare în
această regiune, ceea ce înseamnă satisfacerea condițiilor:
- UCE > UCEsat și < UCEmax
- curentul de colector să nu depășească valoarea maximă admisă și în același timp să fie
pozitiv: 0 < iC < iCmax
- puterea disipată de tranzistor să nu depășească puterea maximă admisă pentru tipul
respectiv de tranzistor
Punctul de funcționare trebuie să fie stabil în această zonă în raport cu variațiile
temperaturii sau ale altor parametri ai tranzistorului bipolar.

IB3

IB2

IB1

Fig. 28.1

I. Polarizarea tranzistorului bipolar de la o singură sursă

Fig. 28.2

Stabilirea valorii curentului pe colector se face cu rezistențele R1, R2, R3. Rezistența R4
participă la stabilirea valorilor tensiunii colector-emitor. Calculul unui astfel de circuit se poate
face scriind ecuațiile Kirchhoff şi rezolvând sistemul obținut.
Un alt mod de rezolvare, cel numeric, este simplu de aplicat, și este asemănător
calculului curentului prin diodă. Se calculează punctul de funcționare pornind de la valori
inițiale pentru curentul de bază și UBE. Se fac corecturi ce modifică valorile inițiale, se reia
calculul.
Un circuit pentru care calculul converge rapid (2÷4 iterații) este puțin sensibil la
modificarea iB şi UBE, deci puțin sensibil la variații de temperatură (deziderat).
 𝑅2 𝑅1 𝑅2
UB = US+ − · iB
𝑅1+𝑅2 𝑅1+𝑅2
𝑈𝐵 −𝑈𝐵𝐸
iE = 𝑅3
iC = iE – iB
UCE = US+ – R4 · iC – R3 · iE
𝐼
UBE ≈ UT ln 𝐸
𝐼𝐸𝑆
𝐼𝐶
iB = 𝛽𝐹 − iCE0 (rezidual)

Calculul punctului de funcţionare

- se consideră iB = 0, UBE = 0,6V
- se calculează UB și iE
- se determină UBE, iB din ecuaţiile tranzistorului
- se reia calculul pentru noul set de valori

II. Circuit de polarizare al tranzistorului bipolar cu două surse

Fig. 29.1
Rezistența R1 din bază nu este necesară la
polarizarea tranzistorului. Ea este însă
indispensabilă dacă se dorește aplicarea unui
semnal în bază. Curentul prin tranzistor este în
cea mai mare parte determinat de valorile sursei
de tensiune VS- şi rezistenței R2.

UE = – R1 · iB – UBE
𝑈𝐸−𝑈𝑠 −
iE = 𝑅2
UCE = US+ – R3 · iC

Procedând ca în cazul anterior, se

calculează punctul de funcționare al
tranzistorului bipolar.

Exemplu componenta
STMicroelectronics BUL1102EFP NPN Bipolar Transistor, 4 A, 8 (Peak) A, 450 V, 3-Pin TO-
220FP € 0,86
https://ro.rsdelivers.com/product/stmicroelectronics/bul1102efp/stmicroelectronics-
bul1102efp-npn-bipolar/1888269

OBS.
Animație funcționare : https://www.youtube.com/watch?v=7ukDKVHnac4

Tranzistorul cu efect de câmp cu poartă-joncțiune (TEC-J)

(în engleză JFET - field effect transistor, FET)

Tranzistorul cu efect de câmp cu poartă-joncțiune a apărut după tranzistorul bipolar.

Tranzistorul cu efect de câmp cu poartă-joncțiune este utilizat în circuite integrate, dar și ca o
componentă distinctă datorită obținerii unor performanțe ridicate, și anume: impedanțe de
intrare mari, liniaritate bună a circuitului și nivel de zgomot redus.
Ele sunt utilizate în etaje de amplificare de semnal mic la joasă și înaltă frecvență. De
asemenea, pot fi utilizate, la variații mici de tensiune și curent, ca rezistențe cu valoare
comandată pe cale electrică de tensiunea grilă-sursă.
Nu acoperă însă domeniul de aplicații de puteri mari, rezervat tranzistoarelor bipolare
și TEC-MOS de putere.

Fig. 30.1

Două tipuri:

1) TEC-J canal n
- tensiunea grilă-sursă VGS, ( Vp ≤ VGS ≤ 0)
- tensiunea drenă-sursă VDS ≥ 0
- Vp este tensiunea de prag (→ negativ)

2) TEC-J canal p
- 0 <= VGS <= Vp
- VDS < 0
- Vp pozitiv (Vp are valori cuprinse între 0 și 10V)

Caracteristicile de ieșire
 Caracteristicile de ieșire sunt definite cu dependențele dintre curentul de drenă și
tensiunea drenă-sursă pentru diferite valori ale tensiunii grilă-sursă.
iD = iD(VDS) (la VGS constantă)

Caracteristica de transfer
Caracteristica de transfer este definită de dependența dintre curentul de drenă și
tensiunea grilă-sursă, trasată la tensiuni drenă-sursă mari.
iD = iD(VGS) (la VDS constantă)

Un tranzistor cu efect de câmp cu poartă-joncțiune are trei regiuni de funcționare:

- La VDS mic (-300 mV ÷ 300 mV): zonă în care între drenă și sursă tensiunea se comportă
ca o rezistență de valoare controlată de tensiunea VGS
- La VDS mediu: caracteristică neliniară (neaplicabilă)
- La VDS mare: VDS > VGS – Vp → tranzistorul se comportă față de drenă ca un generator
de curent comandat de tensiunea VGS. Tranzistorul cu efect de câmp este saturat.

Principalele aplicații includ etaje de amplificare de zgomot mic și impedanțe de intrare

mari și liniaritate bună (circuite HiFi), comutatoare de semnal analogic folosite în circuite de
eșantionare și memorare sau multiplicare sau de multiplexare a semnalelor analogice și
generatoare de curent continuu fix.

Funcționarea TEC-J

Fig. 32.1
Exemplu din figură este TEC-J cu canal n. Pe același principiu este și cel cu canal p.
Conducția curentului se face de la sursă către drenă. Pentru a ajunge la drenă curentul
trece printr-un canal (zona n) sub zona dopată p+. În funcție de lățimea acestei zone, conducția
este mai ușoară sau mai dificilă. Tensiunea aplicată între grilă și substrat Sp modulează
conducția canalelor și curentul drenă-sursă al tranzistorului cu efect de câmp cu poartă-
joncțiune.
 Obținerea unor valori scăzute pentru grosimea canalului w0, a constituit una dintre
principalele dificultăți de realizare a tranzistorului cu efect de câmp cu poartă-joncțiune la
început.

Tensiuni aplicate
VGS – joncțiunea grilă-canal cu polarizare totdeauna inversă (VGS ≤ 0)
VGD – trebuie să fie negativă pentru a asigură o joncțiune grilă-canal blocată
VDS – poate fi ușor negativă cu condiţia ca VGD să rămână negativă
VDS = VGS – VGD

Funcționarea la VDS mici

Fie scurtcircuitată drena cu sursa. De aici rezultă VGS și VGD egale. Dacă în această
situație se aplică o tensiune negativă grilă-sursă, marginile regiunilor de trecere grilă-canal și
substrat-canal se apropie, de aici rezultând că lățimea efectivă a canalului scade.
Se poate ajunge la situația în care lățimea efectivă devine zero, conductanța curentului
devine zero și rezistența infinită. Tensiunea grilă-sursă la care apare acest fenomen se numește
tensiune de prag (Vp).
La VDS mici, între drenă și sursă tranzistorul se comportă ca o rezistență a cărei valoare
poate fi controlată pe cale efectivă prin tensiunea VGS.

Funcționarea de la VDS mari

Acest regim de funcționare apare atunci când VGD devine egală sau mai mică decât
tensiunea de prag (Vp): VGD ≤ Vp < VGS < 0.
Pentru că VGD < Vp canalul se închide la capătul dinspre drenă. La capătul dinspre sursă
canalul rămâne deschis. În această situație curentul de drenă nu mai poate să crească odată cu
creșterea tensiunii VDS, rămânând constant.
Tranzistorul se comportă față de drenă ca un generator de curent comandat de VGS.

EXEMPLU COMPONENTA:
NXP PMBFJ309,215 N-Channel JFET, 25 V, Idss 12 → 30mA, 3-Pin SOT-23 € 0,12

https://ro.rsdelivers.com/product/nxp/pmbfj309215/nxp-pmbfj309215-n-channel-jfet-25-v-
idss-12-30ma/1791061

ANIMATIE funcționare https://www.youtube.com/watch?v=uea-BxQR71A

Tranzistorul cu efect de câmp cu poartă izolată (TEC-MOS)
(în engleză MOSFET Metal Oxid Semiconductor - field effect transistor)

Tranzistoarele TEC-MOS (MOS – Metal – Oxid – Semiconductor) sunt foarte utilizate

în circuitele integrate, în special în cele de tip LSI (large scale integration) și VLSI (very large
scale integration). Ele sunt utilizate atât ca dispozitive active, cât și pe post de componente
pasive, precum rezistențe.
Circuitele integrate cu TEC pot fi produse la un nivel înalt de complexitate și preț redus.
Performanțele cu frecvența nu sunt deosebite, dar creșterea gradului de integrare prin
micșorarea dimensiunilor duce la reducerea capacităților parazite și la creșterea vitezei de lucru.
Zgomotul este destul de mare și de aceea nu sunt adecvate în aplicații cu semnale mici.
În general, tranzistoarele bipolare sunt mai performante decât TEC-MOS, însă la puteri
mari acestea din urmă nu prezintă fenomenul de ambalare termică și au o mai bună liniaritate
decât tranzistoarele bipolare. TEC-MOS au o comutare mai rapidă.

Fig. 34.1

Descriere: Există două tipuri de bază: TEC-MOS cu îmbogățire și TEC-MOS cu sărăcire.

Deosebirea este dată la conducția la tensiune grilă-sursă nulă.
TEC-MOS cu îmbogățire nu conduce curent la VGS = 0, în timp ce unul cu sărăcire conduce.
Aceasta face ca primul să poarte denumirea de TEC-MOS fără canal inițial și cel de-al doilea
TEC-MOS cu canal inițial.

Descriere TEC-MOS canal p:

 În substratul slab dopat (n-) sunt create două regiuni puternic dopate (p+) care constituie
sursa (S) și drena (D). Lungimea canalului este dată de distanța dintre zonele laterale ale celor
două joncțiuni. Grila (G) izolată de substrat printr-un strat subțire de oxid de siliciu (SiO2) se
întinde deasupra stratului dintre cele două regiuni p+ și acoperă puțin aceste regiuni.

La VDS mici
TEC-MOS canal p și substratul TEC conectat la sursă.

Între drenă și sursă avem un comportament precum două diode conectate în serie și
opoziție. Aplicând tensiuni pozitive sau negative între cele două terminale nu există circulație
de curent la început deoarece cel puțin una dintre diode este blocată.
Aplicarea unor tensiuni negative între grilă și substrat determină într-o zonă îngustă de
la suprafața semiconductorului respingerea electronilor și înmulțirea golurilor. Dacă tensiunea
aplicată este suficient de mare, este posibil ca numărul golurilor să fie mai mare decât al
electronilor.
Astfel într-o zonă foarte îngustă de la suprafața semiconductorului se produce o
inversiune de tip, formându-se un canal de tip p. Astfel cele două zone p+ vor fi interconectate
printr-o zonă de tip p. Aplicând acum o tensiune VDS ≠ 0 prin canal se poate închide un curent.
Dacă VDS este mică, atunci VGS și VGD sunt egale. Aceasta înseamnă că lățimea canalului este
aceeași la capetele dinspre drenă și sursă.
VGS la care apare formarea canalului se numește tensiune de prag (Vp). Pentru acest tip
tensiunea de prag este negativă.

µp · 𝐶0
iD = · (VGS – Vp) · VDS
𝐿2
µp = mobilitatea golurilor în canal
C0 = capacitatea grilă-substrat
L = lungime canal

VDS – medii → comportare neliniară

VDS – mari → TEC lucrează în regim de saturație a curenților de drenă
Străpungerea TEC-MOS apare la aplicarea unor VDS mari pentru VGS constantă. Se
observă o creștere bruscă a curentului de drenă → străpungerea TEC. Cauze:

- străpungerea prin avalanșă a joncțiunii DS

- străpungere prin anularea lungimii canalului

EXEMPLU Componentă

N-Channel MOSFET, 5.6 A, 100 V, 3-Pin TO-220AB Vishay IRF510PBF € 0,93

https://ro.rsdelivers.com/product/vishay/irf510pbf/n-channel-mosfet-56-a-100-v-3-pin-to-
220ab-vishay/7085134

ANIMATIE funcționare - https://www.youtube.com/watch?v=8Np0qawbbCI

1
2
Reactia în
amplificatoare

3
Amplificator operațional

4
5
Aplicații liniare ale AO

6
7
8
9