Dispozitive Si Circuite Electronice

UNIVERSITATEA DIN PETROȘANI
Departamentul Automatică, Calculatoare, Inginerie Electrica și Energetică

Curs postuniversitar de conversie profesională ELECTRONICĂ SI AUTOMATIZARI
DISPOZITIVE SI CIRCUITE ELECTRONICE

NOTE DE CURS
SCURT ISTORIC
Definiţie. Electronica este un domeniu al ştiinţei şi tehnicii ce se ocupă cu studiul

fenomenelor ce se petrec la trecerea purtătorilor de sarcină printr-un mediu (vid, gaz, cristal)
precum şi cu realizarea dispozitivelor electronice, a aparatelor şi echipamentelor bazate pe
aceste fenomene.
- vechime ≅120 ani
- începutul în 1895 când s-a realizat prima transmisie la distanţă a undelor
electromagnetice fără fir;
- se dezvoltă rapid prin construirea de dispozitive electronice
1904 – dioda cu vid – descoperită de Fleming
1906 – trioda, primul amplificator – descoperită de Lee de Forest
- urmează pentoda, tetroda
- fenomenele electronice în cristale sunt mai puţin studiate în această perioadă
1924 – dioda cu cristal descoperită de Losev
- bazele dispozitivelor construite în baza fenomenului de mişcare a electronilor în
cristale sunt puse odată cu prezentarea modelului energetic al electronului în cristale în 1930 –
Strult
- 1947 – efectul de tranzistor – descoperit de Schokley
- 1948 – tranzistorul – descoperit de Barden şi Brattain
- 1950-1960 – se înlocuiesc tuburile cu dispozitive semiconductoare
- după 1960 – cablaj imprimat
- 1964 – Texas Instruments – prima serie de circuite integrate
- 1974 – microprocesoare – Intel – 8 biţi
România
- 1905 – telegrafia fără fir
- 1924 – primul emiţător radio
- 1954 – televiziunea
1
Cap 1
ELEMENTE DE CIRCUIT
Def. Elementul de circuit este o parte sau un subansamblu dintr-un circuit ce

produce sau consumă energie electrică.
Def. Dispozitivul electronic este un element de circuit realizat în baza principiilor
electronicii şi la care utilizatorul are acces doar la terminale (picioruşe, pini).
Def. Circuitul electronic este un circuit electric în care există cel puţin un dispozitiv
electronic.
Elementele de circuit pot fi : - surse – de tensiune
- de curent
- receptori - pasivi
- activi
1.1 Surse
Sursele ca elemente de circuit sunt elemente de tip generatoare şi sunt prezentate
sursele ideale de tensiune şi curent
Sursa de tensiune
U
Simbol >
U0
Sursa de tensiune este elementul de circuit cu
proprietatea că este un element generator şi tensiunea la I
bornele acesteia U este constantă, adică U = U0 = constant
altfel spus în orice moment tensiunea la bornele sale este Fig.1.1. Caracteristica
independentă de curentul furnizat. Această proprietate este statică a sursei de tensiune
evidenţiată de caracteristica statică, fig.1.1. aceasta
reprezentând dependenţa dintre tensiunea şi curentul la bornele sursei.
Rezistenţa internă Ri, în conformitate cu legea lui Ohm, este definită ca reprezentând
variaţia elementară a tensiunii raportată la variaţia elementară a curentului. Ţinând seama că
tensiunea este constantă rezultă: Ri=dU/dI=0. Deci o sursă de tensiune are o rezistenţă internă
neglijabilă
Sursa de curent
U
Simbol >>
Sursa de tensiune este elementul de circuit cu I0 I

proprietatea că este un element generator şi curentul la
bornele acesteia I este constant, adică I = I0 = constant altfel
spus în orice moment curentul la bornele acesteia este Fig.1.2. Caracteristica
independentă de tensiunea la borne. Această proprietate este statică a sursei de tensiune
evidenţiată de caracteristica statică, fig.1.2. aceasta reprezentând dependenţa dintre tensiunea
şi curentul la bornele sursei. dU 1
Rezistenţa internă, definită ca şi în cazul sursei de tensiune va fi: R i = =
dI
→∞
dI
Infinită având în vedere că curentul este constant în raport cu tensiunea
Deci o sursă de curent are o rezistenţă internă foarte mare, dU
2
teoretic infinită.
În electronică se folosesc ca surse de energie surse combinate, adică surse ce pot
genera atât tensiune cât şi curent. Sursele prezentate sunt surse ideale şi se utilizează în
modelarea dispozitivelor şi circuitelor electronice, fără a avea aplicabilitate practică. Cu toate
acestea sunt cazuri în care se ţine seama de proprietăţile acestor surse ideale
1.2. Receptori
Receptorii sunt elemente de circuit ce primesc o w we
i
anumită energie la intrare, de valoare wi şi o transferă către Receptor
ieşire la valoarea we.
În funcţie de raportul între cele două energii, de intrare şi ieşire receptorii se clasifică
astfel:
1. wi > we – receptor pasiv de circuit, caracterizat prin faptul că diferenţa dintre energii
wi – we > 0 este datorată pierderilor pe aceste elemente
2. wi < we – receptor activ, caracterizat prin faptul că diferenţa dintre energii we – wi > 0
este preluată de la o sursă de alimentare, un astfel de receptor nu poate funcţiona fără
aport energetic de la o sursă
3. wi = wi – receptor ideal, întâlnit numai în modelarea dispozitivelor şi circuitelor
electronice
Din categoria receptorilor pasivi fac parte: rezistorul, condensatorul, bobina şi transformatorul
1.2.1. Rezistorul
R
Simbol
Rezistor fix Rezistor variabil Rezistor semivariabil
(potenţiometru)
Rezistorul este un element pasiv de circuit caracterizat prin mărimea fizică rezistenţă
electrică notată simbolic cu litera R
Unitatea de măsură, în sistem internaţional, SI, pentru rezistenţa electrică este ohm,
simbolizat Ω, [R]SI= Ω
În determinarea valorii rezistenţei electrice a unui rezistor se utilizează, de regulă multiplii,
astfel:
• 1kΩ = 103 Ω,
• 1MΩ = 103 kΩ = 106 Ω,
• 1GΩ = 103 MΩ = 106 kΩ = 109 Ω
Marcarea valorii rezistenţei electrice pe corpul rezistorului se poate face:
¾ în clar, adică pe corpul rezistorului se notează 10k 10 kΩ
valoarea rezistenţei acestuia 150 150 Ω
exemplu: 4k7 4,7 kΩ
¾ prin codul culorilor, pe corpul rezistorului se marchează valoarea prin benzi sau
puncte colorate având următoarea
semnificaţie:
1 – prima cifră semnificativă;
poate lipsi
2 – a doua cifră semnificativă;
3 – a treia cifră semnificativă; Fig.1.3 Marcarea rezistoarelor în codul culorilor
m – multiplicator;
t – toleranţa;
Semnificaţia culorilor este prezentată în tabelul următor
3
Valoarea marcată pe corpul rezistorului fie în clar fie în codul culorilor reprezintă
valoarea nominală a rezistenţei RN. Valoarea reală sau măsurată a acesteia R poate diferi de
valoarea nominală şi diferenţa celor două valori este reprezentată de toleranţă T reprezentând
valoarea absolută a abaterii valorii reale faţă de valoarea nominală, exprimată procentual şi
definită prin relaţia:
RN −R
T [%] = ⋅100 (1.1)
RN
Un alt parametru al rezistorului este reprezentat de puterea disipată Pd şi aceasta
reprezintă puterea cedată corpului rezistorului prin efect Joule şi evidenţiată prin încălzirea
acestuia. Valoarea acestui parametru depinde de valoarea rezistenţei şi a curentului I prin
rezistor fiind un parametru care indică valoarea maximă a curentului la care poate fi utilizat
respectivul rezistor Pd = R ⋅ I 2 . Există valori standardizate ale acestui parametru, câteva dintre
acestea fiind următoarele Pd = 0,125W; 0,25 W; 0,5W; 1W; 2W; 3W.
Într-un circuit electric un rezistor are două aplicaţii fundamentale:
1. limitarea curentului I R
se observă că valoarea curentului I
este determinată de valoarea U U
∆U I = ; ∆U = R ⋅ I
rezistenţei R dacă valoarea U a R
tensiunii este constantă
I (1.2)
2. divizor de tensiune
U
prin intermediul unui grup rezistiv R1 I=
R1 şi R2 se pot obţine valori de R1 + R 2
tensiune ∆U diferite de valorile U R2
∆U = R 2 ⋅ I = ⋅U
tensiunii de alimentare U dar R1 + R 2
întotdeauna mai mici decât R2 ∆U
aceasta, ∆U < U
Fig.1.4. Aplicaţii ale rezistorului
4
1.2.2. Condensatorul
Simbol
fix electrolitic variabil semivariabil
(trimer)
Condensatorul este un element pasiv de circuit caracterizat prin mărimea fizică
capacitate electrică notată simbolic cu litera C
Unitatea de măsură, în sistem internaţional, SI, pentru capacitatea electrică este farad,
simbolizat F, [C]SI= F
În determinarea valorii capacităţii electrice a unui condensator se utilizează, submultiplii
deoarece capacitatea de 1F este foarte mare, astfel:
• 1mF = 10-3 F,
• 1µF = 10-3 mF = 10-6 F,
• 1nF = 10-3 µF = 10-6 mF = 10-9 F
• 1pF = 10-3 nF = 10-6 µF = 10-9 mF = 10-12 F
Marcarea valorii rezistenţei electrice pe corpul rezistorului se poate face: 20 µF
¾ în clar, adică pe corpul condensatorului se notează valoarea capacităţii 50 V
acestuia. Se utilizează în cazul condensatoarelor electrolitice sau cu tantal - +
acestea având capacităţi de ordinul microfarazilor (µF) sau milifarazilor (mF)
astfel de condensatoare sunt polarizate astfel că se specifică şi polaritatea
pentru conectarea în circuit a acestora precum şi valoarea maximă a tensiunii
la care pot fi utilizate.
¾ prin codul culorilor, pe corpul rezistorului se marchează valoarea e
prin benzi sau puncte colorate având următoarea semnificaţie şi este d
utilizat de regulă la condensatoarele ceramice: c
semnificaţia culorilor pentru marcarea valorii capacităţii electrice este b
prezentată în tabelul următor unde se remarcă şi codificări pentru a
coeficientul de temperatură şi toleranţă:
5
Pentru identificarea aplicaţiilor tipice ale condensatoarelor se consideră relaţiile de definire a
capacităţii electrice în raport cu sarcina Q acumulată pe armăturile acestuia şi tensiunea U la
care este conectat condensatorul precum şi curentului electric instantaneu i definit ca viteză de
variaţie a sarcinii electrice, rezultând astfel:
Q 1 ⎫
C= ⇒ U = ⋅Q ⎪ t
U C ⎪ 1
dQ
t ⎬
⎪
⇒ U=
C ∫idt (1.3)
i= ⇒ dQ = idt; ⇒ Q = ∫ idt 0
dt ⎪
0 ⎭
adică tensiunea pe un condensator se obţine prin integrarea curentului, aceasta ajungând la
valoarea tensiunii sursei la care este conectat condensatorul după un timp t ce depinde de
valoarea curentului de încărcare i. Această proprietate determină utilizarea condensatorului ca
element de netezire a pulsaţiilor de tensiune mai ales în schemele surselor de alimentare
realizate prin redresarea curentului alternativ (filtru c.a.).
Având în vedere relaţiile (1.3) rezultă succesiv:
dQ d(C ⋅ U) dU dU
i= = =C ; i=C (1.4)
dt dt dt dt
deci, pentru o tensiune constantă în timp U =constant rezultă i=0 adică curentul continuu nu
străbate condensatorul sau altfel spus un condensator blochează componentele continuii ale
curentului.
În curent alternativ condensatorul de capacitate C este caracterizat prin reactanţa
capacitivă XC definită prin relaţia:
1 1 ω – pulsaţia mărimii alternative
XC = = (1.5) unde
ω⋅ C 2 ⋅ π ⋅ f ⋅ C f – frecvenţa mărimii alternative
1.2.3. Bobina
L L L LV
Simbol
fixe cu miez variabilă
Bobina este un element pasiv de circuit caracterizat prin mărimea fizică inductanţa
electrică notată simbolic cu litera L
Unitatea de măsură, în sistem internaţional, SI, pentru capacitatea electrică este
Henry, simbolizat H, [L]SI = H
Pentru identificarea aplicaţiilor tipice ale condensatoarelor se consideră relaţiile de
definire a inductanţei în raport cu fluxul magnetic Φ ce înfăşoară bobina şi curentul i ce
determină acest flux precum şi tensiunea instantanee u definit ca viteză de variaţie a fluxului
conform legii inducţiei electromagnetice, rezultând astfel:
Φ ⎫
L= ⇒ Φ = L⋅i ⎪⎪ t
i 1
⎬ ⇒ i = ∫ u ⋅ dt (1.5)
dΦ d (L ⋅ i) di ⎪ L0
u= = = L ⋅ ; u ⋅ dt = L ⋅ di
dt dt dt ⎭⎪
6
adică curentul prin bobină se obţine prin integrarea tensiunii. Această proprietate determină
utilizarea bobinei ca element de netezire a pulsaţiilor de curent mai ales în schemele surselor
de alimentare realizate prin redresarea curentului alternativ (filtru c.a.).
Având în vedere relaţiile (1.5) rezultă succesiv:
dΦ d (L ⋅ i) di di
u= = =L ; u=L (1.6)
dt dt dt dt
deci, pentru un curent constantă în timp i =constant rezultă u=0 adică un curentul continuu nu
determină cădere de tensiune pe o bobină dacă se neglijează rezistenţa internă a acesteia.
În curent alternativ bobina de inductanţă L este caracterizată prin reactanţa inductivă
XL definită prin relaţia:
XL = ω⋅ L = 2 ⋅ π ⋅ f ⋅ L (1.7) ω – pulsaţia mărimii alternative
unde
f – frecvenţa mărimii alternative
1.2.4. Transformatorul
Transformatorul este un element pasiv de circuit a cărui principală aplicaţie o
constituie modificarea amplitudinii unei tensiuni electrice alternative, acesta putând fi
ridicător sau coborâtor de tensiune. Această aplicaţie este
reprezentată de prezenţa acestuia în structura surselor de înfăşurare primară
alimentare cu rolul în principal de coborâtor de tensiune. miez magnetic
În continuare se prezintă a altă aplicaţie şi anume
aceea de adaptare de impedanţă. înfăşurare secundară
Un transformator este format din două înfăşurări i1 i2
obţinute prin bobinare pe un miez magnetic. Se consideră
un astfel de element conform fig.1.5 în care înfăşurarea
primară are n1 spire şi înfăşurarea secundar are n2 spire.
Prin alimentarea înfăşurării primare cu tensiunea u 1 Rs
cu valoarea momentană u1 acesta va fi parcursă de un
curent i1 acesta pe baza principiului inducţiei
electromagnetice va determina apariţia unei tensiuni u2 în u2
înfăşurarea secundară, tensiune care în circuitul închis
format de această înfăşurare şi rezistenţa de sarcină RS va Fig.1.5. Transformatorul
determina apariţia curentului i2.
Considerând puterea P1 din primar, P2 puterea din secundar şi randamentul η al
transformatorului, care este o mărime adimensională şi subunitară (η ≈0,8) şi având în vedere
relaţia de definire a puterii electrice ( P = u ⋅ i )se poate scrie
P2 = η ⋅ P1
(1.8)
u 2 ⋅ i 2 = η ⋅ u1 ⋅ i1
În secundar conform legii lui Ohm se poate scrie u 2 = R s ⋅ i 2 şi prin înlocuire în relaţia (1.8):
R S ⋅ i 22 = η ⋅ u1 ⋅ i1 (1.9)
Prin împărţire cu i12 se obţine:
2
⎛i ⎞ 1
R S ⋅ ⎜⎜ 2 ⎟⎟ = η ⋅ u1 ⋅ (1.10)
⎝ i1 ⎠ i1
7
n1 u1 i 2 1
Raportul = = = k reprezintă raportul de transformare iar u 1 ⋅ = r1
n 2 u 2 i1 i1
reprezintă rezistenţa echivalentă sau reflectată (nu este o rezistenţă fizică) din primar.
Prin înlocuiri se obţine:
1 2
R S ⋅ k 2 = η ⋅ r1 deci r1 = ⋅ k ⋅ RS (1.10)
η
Se observă din relaţia (1.10) că valoarea rezistenţei reflectate în primarul
transformatorului este dependentă de rezistenţa din secundarul acestuia RS multiplicată cu
pătratul raportului de transformare k şi cu cantitatea supraunitară 1/η astfel că prin
modificarea raportului de transformare, ceea ce însemnă modificarea raportului numărului de
spire între înfăşurări, se pot realiza rapoarte corespunzătoare aplicaţiei între r1 şi RS adică
adaptarea de impedanţă
8
Cap 2
ELEMENTE DE FIZICA SEMICONDUCTORILOR
2.1 Nivele, benzi de energie şi purtători de sarcină în corpuri cristaline

În construcţia dispozitivelor electronice se utilizează materialele semiconductoare
siliciu (Si) şi germaniu (Ge). Aceste materiale, în funcţie de valoarea conductivităţii electrice,
ocupă o poziţie intermediară între materialele conductoare şi cele dielectrice sau izolatoare.
Conducţia electrică în acest tip de materiale se realizează prin două categorii de
purtători de sarcină:
¾ electroni
¾ goluri,
spre deosebire de conducţia în materialele conductoare şi vid care se realizează printr-un
singur tip de purtători de sarcină şi anume electroni sau ioni.
Purtătorii au o anumită mobilitate astfel că sub influenţa unui câmp electric aceştia
primesc o mişcare dirijată de orientarea câmpului electric generând astfel un curent electric.
Din punct de vedere al generării purtătorilor de sarcină, semiconductoarele pot fi:
¾ de conductibilitate intrinsecă
¾ de conductibilitate extrinsecă.
Semiconductorul de conductibilitate intrinsecă este un material pur din punct de
vedere chimic. În conformitate cu modelul atomic al lui Bohr, electronii sunt aşezaţi pe nivele
energetice în jurul nucleului şi cu cât un nivel energetic este mai depărtat de nucleu cu atât
acesta este mai instabil din punct de vedere energetic deoarece electronii pot să părăsească
uşor acest nivel. Ultimul nivel energetic pe care se mai găsesc încă electroni se numeşte nivel
de valenţă. Toate nivelele energetice situate deasupra acestuia poartă denumirea de nivele de
conducţie deoarece un electron ajuns aici prin aport de energie din afara structurii devine
electron liber şi constituie un purtător de sarcină electrică.
Deoarece într-o structură cristalină atomii sunt apropiaţi, nivele energetice se suprapun
şi devin benzi de energie sau benzi energetice care vor fi formate deci din totalitatea nivelelor
energetice de acelaşi fel. Se disting astfel banda de valenţă şi banda de conducţie.
Între cele două benzi : de valenţă şi de conducţie, se află o bandă numită zona interzisă
pe care nu se pot găsi electroni.
w Ge Ge Ge
⎫
⎬Bandă de conductie e −
⎭
Ge Ge Ge
∆W Bandă interzisă
⎫ Ge Ge Ge
⎬Bandă de valenţa
⎭
Fig.2.1. Benzi energetice în semiconductori intrinseci

Aplicând din exterior o energie a cărei cantitate este cel puţin egală cu lăţimea benzii
interzise ∆W care, pentru Si este de 1,12 eV, iar pentru Ge de 0,76 eV, un electron poate
părăsi banda de valenţă trecând în banda de conducţie astfel că se rupe legătura covalentă a
atomului de Ge de la care acesta provine. Dacă structura se află situată într-un câmp electric,
electronul primeşte o mişcare orientată de sensul câmpului electric şi dă naştere unui curent
de conducţie. Legătura covalentă rămasă nesatisfăcută în urma ruperii corespunde unei sarcini
electrice care va fi considerată pozitivă prin analogie cu sarcina negativă a electronului ce
9
părăseşte legătura şi se numeşte gol (fig.2.1). Golul rezultat în urma mişcării unui electron
poate fi ocupat de electronul unui atom vecin astfel încât apare o deplasare de goluri în sens
invers deplasării de electroni, formându-se astfel un curent de electroni ini şi un curent de
goluri ipi, Între cei doi curenţi de purtători de sarcină există relaţia ini >ipi datorită mobilităţii
diferite ale celor două tipuri de purtători.
La realizarea dispozitivelor electronice se utilizează tipul de conductibilitate extrinsecă
care se obţine prin introducerea în reţeaua cristalină pentavalentă (câte 4 electroni în banda de
valenţă) a germaniului sau siliciului a unor atomi cu 5 sau 3 electroni în banda de valenţă,
denumiţi impurităţi. Procedeu tehnic de introducere a acestor atomi se numeşte dopare.
Dacă un semiconductor pur este dopat cu atomi pentavalenţi (Arseniu, As sau Fosfor,
P)în urma formării legăturilor covalente cu atomii semiconductorului (Ge sau Si)
înconjurători rămâne un electron care nu va fi cuprins în nici-o legătură covalentă. Acesta
w
⎫
⎬BC
Ge Ge
−
Ge
+
− +
− +
−
e
⎭
+− + − −
∆Wd Nivel
Ge As + Ge + +
+−
donor
⎫ +− +−
⎬BV Ge Ge Ge
⎭
Fig.2.2. Semiconductorul de tip “n”

poate părăsi atomul cu un aport extern foarte mic de energie (0,01 – 0,05 eV) devenind
electron liber e-
Atomii impurităţilor pentavalente se numesc donori şi introduc un nivel energetic în
banda interzisă numit nivel donor situat foarte aproape de banda de conducţie.
Cu un aport energetic corespunzător temperaturii ambiante, practic toţi atomii donori
furnizează câte un electron liber aceştia reprezentând purtătorii majoritari, iar
semiconductorul obţinut astfel se numeşte semiconductor de tip “n”. Şi în acest caz avem
purtători de sarcină goluri care constituie însă purtători minoritari reprezentaţi de goluri. Prin
pierderea electronului atomul impurificator devine un ion pozitiv. Se obţine astfel o structură
semiconductoare în care există electroni liberi ce constituie purtători majoritari de sarcină şi
ioni pozitivi formaţi din atomii ce au pierdut aceşti electroni. Deci un semiconductor de tip
„n” este format din goluri ca purtători de sarcină (convenţional pozitivă) majoritari şi ioni
negativi (fig.2.2)
Prin doparea unui semiconductor cu atomi trivalenţi (Aluminiu, Al sau Indiu, In)
aceştia captează câte un electron de la un atom semiconductor vecin pentru satisfacerea
legăturii conducând la apariţia unui gol în structura acestuia adică a unei legături covalente
nesatisfăcute.
w
⎫ Ge
⎬BC
⎭ -
+ - + -+
Nivel -
∆Wa Ge In − Ge
-
+ -+ - + -
acceptor
⎫
-
+ -+ -+
⎬BV Ge
⎭
Fig.2.3. Semiconductorul de tip “p”
10
Aceşti atomi se numesc acceptori, se transformă în ioni negativi imobilizaţi în reţeaua
cristalină şi introduce un nivel energetic în banda interzisă foarte aproape de banda de valenţă.
Astfel, cu un aport energetic corespunzător temperaturii ambiante, practic toţi atomii
acceptori captează câte un electron de la atomii vecini, formându-se un număr de goluri egal
cu numărul acestora. În acest semiconductor, purtătorii majoritari sunt golurile, iar purtătorii
minoritari electronii şi se numeşte semiconductor de tip. Prin acceptarea electronului atomul
impurificator devine un ion negativ. Deci un semiconductor de tip „p” este format din goluri
ca purtători de sarcină (convenţional pozitivă) majoritari şi ioni negativi (fig.2.3).
2.2. Joncţiunea p – n. polarizarea joncţiunii

Joncţiunea p – n este o structură fizică obţinută într-un monocristal prin trecerea
bruscă de la un tip de semiconductor la un alt tip de semiconductor.
p n NA - ND
x
NA = număr atomi acceptori
Joncţiunea metalurgică NA > ND x ND= număr atomi donori
NA < ND
Prin unirea celor două regiuni de-a lungul joncţiunii metalurgice apare fenomenul de
difuziune prin care golurile din semiconductorul de tip “p” (regiunea “p”) se vor recombina
cu electronii majoritari din regiunea “n”.
Astfel în jurul joncţiunii metalurgice se va forma în regiunea “p” o zonă cu exces de
sarcină negativă iar în regiunea “n” o zonă cu exces de sarcină pozitivă şi prezenţa celor două
zone determină apariţia unui câmp electric orientat de la regiunea “n” la regiunea “p” care se
opune difuziei în continuare de electroni din
p jonctiune n “n” în “p” şi a golurilor din “p” în “n” prin
−
- + - + - + E+ + transportarea în sens invers de purtători.
−+ Se formează în structură trei regiuni
-+ -+ - + + astfel:
-
+ - + - + + −+ ¾ regiune de trecere în care nu există
purtători de sarcină datorită fenomenului
lp ln de recombinare dar există ioni pozitivi şi
negativi de o parte şi de alta a joncţiunii
regiune regiune de regiune metalurgice. Câmpul electric este maxim
neutră trecere neutră în dreptul joncţiunii metalurgice şi are
E x valoarea E0.
¾ două regiuni neutre din punct de vedere
dreapta de dreapta de electric în care există atât purtător de
aproximare D1 aproximare D2 sarcină cât şi ioni, astfel că în aceste
regiuni câmpul electric este nul
distribuţia Pentru studiul potenţialului electric φ
E0 câmpului electric E de-a lungul structurii se pleacă de la relaţia
dintre acesta şi câmpul electric E ştiind că
Fig.2.4. Structura joncţiunii p – n şi potenţialul electric se obţine prin integrarea
distribuţia câmpului electric câmpului electric de-a lungul direcţiei de
orientare a acestuia:
ϕ = − ∫ Edx (2.1)
11
Experimental s-a observat o variaţie în formă de clopot a distribuţiei câmpului electric
de-a lungul joncţiunii şi pentru uşurinţa calculului şi cu o bună aproximaţie se poate considera
o variaţie liniară deci curbele vor fi înlocuite cu dreptele D1 şi D2 a căror ecuaţii se determină
prin tăieturi astfel:
x E ⎛x ⎞
D1 : − − −1 = 0 de unde E = − E 0 ⎜ − 1⎟
lp E0 ⎜ lp ⎟
⎝ ⎠ (2.2)
x E ⎛x ⎞
D2 : − −1 = 0 de unde E = E 0 ⎜⎜ − 1⎟⎟
ln E 0 ⎝ ln ⎠
Ţinând seama de relaţiile (2.2) care exprimă variaţia aproximată a câmpului electric în
regiunea de trecere şi de absenţa câmpului electric în regiunile neutre, rezultă
⎧ E = 0, x < −l n
⎪ ⎛ ⎞
⎪E = − E 0 ⎜ x + 1⎟, − l n ≤ x ≤ 0
⎪ ⎜l ⎟
⎝ p ⎠ (2.3)
⎨
⎛ ⎞
⎪ E = E ⎜ x − 1⎟, 0 < x ≤ l
0⎜ ⎟
⎪ ⎝ ln ⎠
p
⎪ E = 0, x > l p
⎩
Astfel prin integrare se obţine distribuţia de potenţial:
⎧ ϕ = C1 = −ϕ1
⎪ E x 2
E
⎪ ϕ=+ 0 + E0 ⋅ x = 0 x 2 + E0 ⋅ x
⎪ lp 2 2l p
⎨ 2
(2.4)
⎪ϕ = − E 0 x + E ⋅ x = − E 0 x 2 + E ⋅ x
⎪ ln 2
0
2l n
0
⎪ ϕ = C2 = ϕ2
⎩
care reprezentată grafic va fi:
φ φ
x
φ2 x φ0= φ2 - φ1
-φ1
Fig.2.5. Potenţialul electric al joncţiunii p – n

unde ϕ0 = ϕ2 - ϕ1 reprezintă bariera de potenţial a joncţiunii care se opune străpungerii
acesteia de către purtătorii de sarcină.
Se numeşte polarizare electrică sau pe scurt polarizare a joncţiunii alimentarea
acesteia cu tensiune astfel
În funcţie de modul de conectare a sursei joncţiunii la sursa de tensiune există două
tipuri de polarizări
1. dacă polaritatea „+” a sursei este aplicată semiconductorului de tip “p” iar
polaritatea „–”a sursei este aplicată semiconductorului de tip “n” se numeşte
polarizare directă
12
2. dacă polaritatea „–” a sursei este aplicată semiconductorului de tip “p” iar
polaritatea „+” a sursei este aplicată semiconductorului de tip “n” se numeşte
polarizare inversă.
p E n p E n
ES ES
+ - - +
U U
φ φ
x x
φ0 φ0-U φ0
φ0+U
U
a) U b)
Fig.2.6. Distribuţia potenţialului în joncţiuni polarizate

În cazul polarizării directe (a) cele două câmpuri electrice: al joncţiunii E şi al sursei
ES vor fi de sensuri opuse deci potenţialul joncţiunii va scădea de la valoarea maximă ϕ0
cu cantitatea U reprezentând potenţialul sursei de alimentare la valoarea ϕ0 – U. Această
polarizare are ca efect reducerea puternică a lăţimii joncţiunii astfel încât un număr mare de
purtători de sarcină o vor putea străbate şi prin structură apare un curent important numit
curent direct I.
În cazul polarizării inverse (b) cele două câmpuri sunt de acelaşi sens deci şi
potenţialul joncţiunii va creşte de la valoarea ϕ0 cu cantitatea U reprezentând potenţialul
sursei de alimentare ceea ce are ca efect creşterea lăţimii joncţiunii şi sarcina de potenţial a
acesteia va fi învinsă de un număr foarte mic de electroni care formează un curent
nesemnificativ din punct de vedere practic, numit curent invers Ii.
Rezultă calitatea esenţială a unei joncţiuni p-n de a permite curgerea curentului numai
la polarizarea directă îndeplinind rolul de supapă electronică.
13
Cap 3
DIODE
3.1. Dioda semiconductoare cu joncţiune

Dioda semiconductoare cu joncţiune este un dispozitivul electronic construit în baza
joncţiunii p-n la care utilizatorul are acces la 2 terminale
¾ anodul A de la semiconductorul de tip „p”
¾ catodul C de la semiconductorul de tip „n”.
A C A C A C
p n
Structură Simbol
Sensul săgeţii din simbol indică sensul de curgere al curentului (convenţional), de la „+”
la „-” adică de la semiconductorul de tip „p” la semiconductorul de tip „n”.
Joncţiunea se încapsulează în plastic pentru puteri mici sau metal pentru puteri mari.
Diodele por fi: - redresoare - putere mică
- putere medie
- putere mare
- de detecţie
- speciale - Zener
- Tunel
- Gunn
- Pin
- Varicap D I
În aprecierea unui dispozitiv electronic
este foarte importantă caracteristica statică a
acestui denumită şi caracteristică volt –
U
ampermetrică. Aceasta reprezintă dependenţa
R
curentului I ce curge prin acel dispozitiv de
cădere de tensiune măsurată la bornele acestuia. E
Pentru determinarea caracteristicii statice
a diodei se consideră următoarea schemă şi deci Fig.3.1. Schema pentru determinarea
caracteristica statică va reprezenta caracteristicii statice
dependenţa I = f(U). I
În cazul diodei ecuaţia U
caracteristicii statice dedusă având în I
vedere densitatea şi mobilitatea
purtătorilor de sarcină este:
⎛ U ⎞
⎜
I = Ii e − 1⎟
UT polarizare polarizare
⎜ ⎟ (3.1) inversă directă
⎝ ⎠ experimentală
teoretică U
UST
kT II
unde U T = (3.2)–potenţial termic
q
k-constanta lui Boltzman Fig.3.2. Caracteristica statică
T-temperatura în oK
q-sarcina elementară a electronului
14
Pentru T = 300 oK (27 oC), UT ≅0,025 V
Deosebirea dintre cele 2 caracteristici teoretică şi experimentală se manifestă în
domeniul tensiunilor inverse mari unde la atingerea unei valori UST datorită câmpului electric
invers vor fi smulşi electroni de legăturile covalente care antrenaţi de câmp vor lovi alţi atomi
smulgând şi de la aceştia electroni fenomenul devenind cumulativ şi se numeşte multiplicare
în avalanşă şi dacă nu se iau măsuri de limitare a curentului dispozitivul se poate străpunge.
În domeniul tensiunilor directe apar deosebiri mai pronunţate în domeniul valorilor
mici ale curenţilor prin dispozitiv şi se ţine seama de acestea prin introducerea unui coeficient
η în ecuaţia caracteristicii statice:
⎛ ηUU ⎞
I = I i ⎜ e T − 1⎟ unde η=2 pentru tensiuni; η=1 pentru tensiuni mari (3.3)
⎜ ⎟ I
⎝ ⎠
În anumite aplicaţii mai puţin pretenţioase se
realizează o liniarizare a caracteristicii pe porţiuni. Aceasta
constă în aproximarea caracteristicii statice prin două α
segmente de dreaptă (fig.3.3) definite prin intermediul a doi
parametrii U0 şi Rd U
U0 se numeşte tensiune de deschidere şi reprezintă U0
valoarea căderii de tensiune pe dioda polarizată direct Fig.3.3. Liniarizarea
pentru care curentul prin aceasta are o valoare semnificativă caracteristicii statice
(practic I > 1 mA). Valoarea cestui parametru depinde de
tipul de semiconductor utilizat la realizarea joncţiunii diodei astfel:
U 0 = 0,2 ÷ 0,3V pentru Ge
U 0 = 0,6 ÷ 0,7 V pentru Si
Un alt parametru definitoriu al caracteristicii liniarizate îl constituie rezistenţa internă
Rd, se mai numeşte şi rezistenţa dinamică a acesteia deoarece după cum se va vedea valoarea
acestui parametru este dependentă de valoarea curentului prin diodă. Acest parametru
defineşte panta celui de-al doilea segment de dreaptă din aproximarea prin liniarizare a
caracteristicii statice a diodei. Ţinând seama de modul de definire al pantei unei drepte
rezultă:
1 1 dI
R d = tgα sau = = (3.4)
R d tgα dU
Ţinând seama de definirea caracteristicii statice prin ecuaţia (3.1) se obţine:
U
dI 1
= I i e UT (3.5)
dU U T
Considerând neglijabil curentul invers Ii prin joncţiune în ecuaţia caracteristicii statice
(3.1), rezultă:
U
dI I UT
I = Ii e UT
deci = si deci R d = (3.6)
dU U T I
Se observă că valoarea lui Rd este funcţie de curentul ce curge prin diodă; se mai
numeşte rezistenţă dinamică.
Pe baza caracteristicii liniarizate şi a celor doi parametrii ce o definesc se poate
construi un model al diodei reprezentat în fig.3.4.
15
Dioda ideală din structura modelului dioda
reprezintă numai proprietatea de conducţie U0 ideală
unilaterală a joncţiunii p – n şi are atât A I Rd
+ - C
rezistenţa dinamică cât şi tensiunea de
deschidere nule (Rd = 0, U0 = 0)
Conform modelului diodei atâta timp U
cât căderea de tensiune pe diodă U este mai
Fig.3.4. Modelul diodei semiconductoare
mică decât tensiunea de deschidere U < U0
dioda ideală este polarizată învers de către
sursa U0 deci curentul prin acesta va fi nul. Atunci când U ≥ U 0 tensiunea U anulează valoarea
sursei U0 şi dioda ideală va fi polarizată direct astfel prin aceasta curentul este determinat
numai de valoarea rezistenţei Rd
Principala aplicaţie a diodei rezultă din funcţionarea joncţiunii p-n şi este de redresor,
aceasta conducând numai pe durata unei semialternanţa a tensiuni alternative corespunzătoare
cazului când este polarizată direct astfel încât pe sarcină polaritatea tensiunii rămâne
neschimbată.
3.2. Dioda Zener

Este construită astfel încât să lucreze în domeniul în care apare fenomenul de generare
de perechi electroni-gol prin multiplicare în avalanşă numit domeniu Zener. Acesta este un
fenomen de multiplicare în avalanşă al purtătorilor de sarcină.
A C A C A C
p n
Structură Simbol
Ca urmare a creşterii tensiunii inverse aplicate diodei ceşte şi intensitatea câmpului
electric din joncţiune astfel că cel puţin una din legăturile covalente din structura regiunilor
semiconductoare se va rupe. Se generează astfel 2 electroni liberi care antrenaţi de prezenţa şi
intensitatea câmpului electric vor căpăta o mişcare ciocnind atomi vecini cărora le cedează
energie. Ca urmare al acestui aport energetic se va rupe o legătură covalentă a atomului
ciocnit. În acest fel fiecare electron liber în mişcare generează doi electroni liberi prin ruperea
legăturii covalente. Aceştia la rândul lor vor genera alţi 4 electroni liberi şi fenomenul se
repetă prin multiplicare în avalanşă al purtătorilor de sarcină. Efectul acestei multiplicări în
avalanşă constă într-o creştere pronunţată a curentului prin dispozitiv la o tensiune practic
constantă la bornele acestuia. Pentru a putea funcţiona în domeniul Zener cele două regiuni
sunt puternic dopate pentru a obţine o lăţime cât I
mai mică a joncţiunii, dioda să intre în zona de Polarizare inversă Polarizare directă
străpungere la tensiuni la tensiuni relativ mici şi
creşterea curentului să fie periculoasă pentru
Uzmax Uzmin U
dispozitiv.
Domeniul de funcţionare este domeniul Izmin
A – B (fig.3.5) unde dispozitivul este polarizat A
invers şi se observă aici că la variaţii pronunţate
ale curentului în limitatele Izmin şi Izmax tensiunea
la borne se modifică foarte puţin (Uzmin ÷ Uzmax)
de unde rezultă că prin conectarea unei sarcini în B
paralel cu dioda se obţine o tensiune practic Izmax
constantă pe sarcină şi aceasta numită stabilizare
a tensiunii este principala aplicaţie a didei Fig.3.5. Carateristica de funcţionare a
Zenner. diodei Zenner
16
La polarizare directă se comportă ca o diodă obişnuită.
Se consideră aplicaţia tipică a diodei Zenner reprezentată de schema unui stabilizator
parametric conform fig.3.6. în care
• Unestab reprezintă tensiunea nestabilizată de la intrare
• Ustab reprezintă tensiunea stabilizată ce se va obţine pe rezistenţa de sarcină RS
• IZ reprezintă curentul prin dioda Zenner;
• IZ reprezintă curentul prin rezistenţa de sarcină;
• R reprezintă rezistenţa de balast şi rolul acesteia este de limitare a curentului prin
dioda Zenner adică de limitare a efectului de multiplicare în avalanşă a purtătorilor de
sarcină
Prin aplicarea legilor circuitelor electrice se pot scrie succesiv relaţiile, (3.7):
Unestab = R ⋅ I + Ustab
R Is Ustab
+ I = Iz + Is = Iz +
Iz Rs
I
⎛ U ⎞
Unestab Unestab = R ⋅ ⎜⎜ Iz + stab ⎟⎟ + Ustab
RS Rs ⎠ (3.7)
⎝
Ustab
⎛R ⎞
− Unestab = R ⋅ Iz + ⎜⎜ + 1⎟⎟ ⋅ Ustab
⎝ Rs ⎠
Fig.3.6. Stabilizator parametric de
tensiune cu diodă Zenner Rs R ⋅ Rs
Ustab = ⋅ Unestab − ⋅ Iz
R + Rs R + Rs
Ultima relaţie poartă denumirea de ecuaţia dreptei de sarcină.
Pentru determinarea relaţiilor de proiectare a unui stabilizator cu diodă Zener numit
stabilizator parametric se roteşte caracteristica statică în cadranul I şi se pune condiţia ca
punctul static de funcţionare rezultat prin intersecţia dreptei de sarcină cu caracteristica statică
să fie cuprins între două limite extreme, limite impuse de valorile tensiunii inverse aplicate
diodei astfel încât aceasta să funcţioneze în domeniului Zener.
Rs U stab Proiectarea unui astfel de
U nestab stabilizator presupune cunoscute:
R + Rs
¾ valoarea rezistenţei de sarcină Rs,
U max
nestab ¾ tensiunea stabilizată impusă Ustab,
U min A
B
¾ limitele U min şi respectiv U max
nestab PSF nestab nestab
Iz ale tensiunii nestabilizate Unestab de la
I z min U stab I z max intrare cu condiţia esenţială:
R U min
nestab > Ustab
Fig.3.7. Explicativă pentru determinarea Proiectarea stabilizatorului impune
relaţiilor de dimensionare a stabilizatorului calculul rezistenţei de balast R şi alegerea
diodei Zener astfel încât să fie îndeplinite simultan
condiţiile:
1. Izmax ≤ IzT
2. Ustab = UzT
unde IzT şi UzT reprezintă valori de catalog corespunzătoare valorii nominale pentru curentul
prin dioda Zenner respectiv valoarea nominală a tensiunii pe diodă astfel încât aceasta să
funcţioneze în domeniu Zenner.
Determinarea celor două valori R şi Izmax se face punând condiţia ca punctul static de
funcţionare PSF să atingă cele două puncte extreme A şi B ale domeniului Zenner astfel că
rezultă:
17
⎧ Rs min R ⋅Rs
⎪⎪U stab = R + R ⋅ U nestab − R + R ⋅ I z max
s S (3.8)
⎨ Rs R ⋅ R
⎪ U stab = ⋅ U max
nestab −
s
⋅ I z min
⎪⎩ R + Rs R + Rs
Cunoscând faptul că valoarea minimă a curentului prin dioda Zenner, Izmin astfel încât
să se declanşeze fenomenul de multiplicare în avalanşă al purtătorilor de sarcină este constant
pentru toate diodele Zenner şi că valoarea acestuia este cuprinsă în domeniul Izmin = 3 ÷ 5 mA,
prin alegerea unei valori din acest domeniu şi rezolvarea sistemului (3.8) rezultă cele două
necunoscute: R şi Izmax.
18
Cap 4
TRANZISTORUL BIPOLAR CU JONCŢIUNI
4.1. Structură şi funcţionare

Tranzistorul bipolar cu joncţiuni sau pe scurt tranzistorul este o structură
semiconductoare realizată din două joncţiuni pentru care regiunile semiconductoare sunt
dispuse în ordinea p – n – p sau n – p – n astfel (fig.4.1.):
¾ una din regiunile semiconductoare exterioare este puternic dopată pentru a emite
purtătorii de sarcină şi este denumită emitor (E)
¾ regiunea semiconductoare interioare are o lăţime foarte mică şi este foarte slab dopată
astfel încât să se evite cât mai mult fenomenul de recombinare al purtătorilor de
sarcină în aceasta şi este denumită bază (B)
¾ a treia regiune semiconductoare exterior are o suprafaţă mult mai mare decât celelalte
două pentru a colecta purtătorii care generaţi din emitor şi trecând prin baza ajung aici
şi este denumită colector (C).
Cele două joncţiunii sunt j1 numită joncţiunea emitorului, j2 numită joncţiunea
colectorului.
j1 j2 j1 j2
p n p n p n
E C E C
B B
+ - + - - + - +
UEB UBC UBE UCB
ϕ ϕ
U CB
x x
ϕ0 ϕ0
U EB U BE
U BC
C C
B B
E E
Fig.4.1. Structura, diagrama de potenţial şi simbolul tranzistorului bipolar

În funcţie de modul de realizare a polarizării celor două joncţiuni tranzistorul poate să
funcţioneze în regiunea activă normală sau în regiunea activă inversă. Cum modul obişnuit de
funcţionare al tranzistorului bipolar este în regiunea normală cele două joncţiunii sunt
polarizate astfel:
¾ joncţiunea emitorului j1 se polarizează direct prin intermediul surselor UEB respectiv UBE,
¾ joncţiunea colectorului j2 se polarizează invers prin intermediul surselor UBC respectiv
UCB
19
În absenţa alimentării cu tensiune a joncţiunilor (polarizărilor) potenţialul electric în
aceste joncţiuni este ϕ0 iar în cazul alimentării cu tensiune potenţialul joncţiunii emitorului
care este polarizat direct scade cu UEB iar cel al emitorului care este polarizat invers creşte cu
UBC. Această polarizare determină modificări ale regiunilor de trecere ale celor două
joncţiuni.
Analizând cele două tipuri de tranzistore se poate spune că din punct de vedere
funcţional sunt identice numai sensurile curenţilor şi tensiunilor de polarizare sunt inversate.
Datorită polarizării inverse a joncţiunii colectorului (j2) regiunea de trecere a acestei regiuni
are o lărgime mare ce se extinde mult în zona bazei, aceasta fiind mult mai slab dopată cu
impurităţii decât zona colectorului. Prezenţa acestei regiuni de trecere extinsă în zona bazei
asigură transferul aproape integral al purtătorilor de sarcină difuzaţi din regiunea emitorului în
regiunea bazei în colector datorită prezenţei câmpului electric al regiunii de trecere. Acest
fenomen de transferare al purtătorilor se numeşte efect de tranzistor.
După calităţile constructive tranzistorii se pot clasifica astfel:
a) în funcţie de frecvenţa de lucru: - de joasă frecvenţă JF, fmax < 200MHz
- de înaltă frecvenţă IF, fmax < 1GHz
- de ultra înaltă frecvenţă UIF, fmax >1GHz
b) în funcţie de putere: - de putere mică, PD < 0,5 W
- de putere medie PD < 1W
- de putere PD < 10W
- de putere mare PD > 10W
c) după timpul de propagare a purtătorilor de sarcină: - obişnuiţi
- de comutaţie
4.2. Ecuaţiile de funcţionare ale tranzistorului bipolar

Se consideră un tranzistor bipolar p – n – p funcţionând în regiunea activă normală,
adică polarizat astfel încât joncţiune emitorului să fie polarizată direct iar joncţiunea
colectorului să fie polarizată invers, şi în regim staţionar. Datorită polarizării directe a
joncţiunii emitorului sursa UEB aceasta va fi străbătută de un curent de goluri, IE, care sunt
purtătorii majoritarii în semiconductorul ce formează emitorul, curent care va fi orientat către
colector, fig.4.2..
p n p În bază o parte din
IE acest curent se transformă
I 'C în curent de bază IB iar
E C cealaltă parte ajunge în
colector sub forma I 'C .
IE IB I CB0 IC Datorită grosimii mici a
bazei recombinarea va fi
B foarte mică, astfel un
IB tranzistor este cu atât mai
+ − + − bun cu cât recombinarea
U EB U BC în bază este mai mică,
cazul ideal ar fi IE = I 'C .
Fig.4.2. Distribuţia curenţilor în structura tranzistorului Curentul ICB0 numit curent
rezidual de colector
reprezintă de fapt curentul
invers al joncţiunii colectorului care este polarizată invers, deci:
I C = I 'C + I CB0 (4.1)
20
Pe circuitul exterior tranzistorului, aplicând teorema I a lui Kirchhoff:
IE = IC + IB (4.2)
După cum s-a văzut I 'C < I E datorită recombinărilor de purtători în zona bazei şi se
defineşte factorul de transfer în curent emitor-colector:
I 'C
α= <1 (4.3)
IE
astfel că valoarea acestui coeficient va fi: α = 0.9 K 0.999
şi se poate scrie:
I 'C = α ⋅ I E (4.4)
Ţinând seama de (4.1) şi (4.2) rezultă, succesiv:
I C = I 'C + I CB0 = α ⋅ I E + I CB0
(4.5)
I E = I C + I B = α ⋅ I E + I CB0 + I B
Prin gruparea variabilelor şi împărţire cu (1 − α ) a celei de-a doua ecuaţii se obţine

succesiv:
I E (1 − α ) = I B + I CB0 / : (1 − α )
1 1 (4.6)
IE = ⋅ IB + ⋅ I CB0
1− α 1− α
Având în vedere relaţiile (4.5) şi (4.6) rezultă:
α α α ⎛ α ⎞
IC = ⋅ IB + ⋅ I CB0 + I CB0 = ⋅ I b + ⎜1 + ⎟ ⋅ I cb0 (4.7)
1− α 1− α 1− α ⎝ 1− α ⎠
α
Se notează = β şi această valoare reprezintă factor de transfer sau coeficient de
1− α
transfer în curent bază-colector. Având în vedere valorile coeficientului α rezultă pentru
coeficientul β = [10,1000], deci:
I C = β ⋅ I B + (β + 1) ⋅ I CB0
(4.8)
I E = I C + I B = (β + 1) ⋅ I B + (β + 1) ⋅ I CB0 = (β + 1) ⋅ (I B + I CB0 )
Relaţiile (4.2) şi (4.8) constituie ecuaţiile de funcţionare ale tranzistorului bipolar.
Deoarece β > 100 şi ICB0 << IB , de exemplu IB=50 µA; ICB0=2÷3 nA, ICB0 se poate
neglija şi atunci se pot obţine ecuaţiile de funcţionare ale tranzistorului bipolar simplificate:
⎧ IE = IC + IB
⎪
⎨ IC = β ⋅ IB (4.9)
⎪I = (β + 1) ⋅ I
⎩ E B
4.3. Regimul static de funcţionare al tranzistorului bipolar

Regimul static de funcţionare al tranzistorului bipolar este acel regim de lucru în care
mărimile electrice (curenţi şi tensiuni) măsurate la borne acestuia sunt lent variabile sau
constante în timp.
21
dI i dU i
≅0 ≅ 0, i = 1 ÷ 3 (4.10)
dt dt
Asupra unui tranzistor bipolar, prin
C măsurarea la terminale se pot pune în evidenţă 6
UCB
IC mărimi electrice, astfel (fig.4.3):
• 3 tensiuni: UBE, UCB, UCE
B IB • 3 curenţi IB, IC, IE
UCE
Aplicând teoremele lui Kirchhoff între aceste
mărimi se pot scrie 2 relaţii, astfel:
IE
UBE E IE = IC + IB
(4.11)
U CE = U CB + U BE
Fig.4.3. Mărimi electrice măsurate la Astfel, prin scrierea celor două relaţii din
terminalele tranzistorului cele 6 mărimi electrice două sunt dependente (IE
şi UCE) iar patru vor fi independente (UBE, UCB şi
IB, IC)
Pentru a reduce numărul de mărimi independente de la 4 la 3 mărimi independente se
consideră câte unul din cele 3 terminale conectat la potenţialul de referinţă, denumit masă
electrică a conexiunii sau montajului sau pe scurt masă. masă În acest fel acest terminal devine
referinţă şi celelalte mărimi electrice, de fapt tensiuni electrice se vor raporta la acesta.
Considerând în continuare una din cele trei mărimi rămase independente ca fiind un
parametru, se pot trasa nişte curbe numite caracteristice statice. În funcţie de terminalul
conectat la masă avem următoarele tipuri de conexiuni ale tranzistorului:
C IE IC E
IC IE
B IB B IB
UCE UCE
UEB UCB
UBE UBE
E C
Conexiunea emitor – comun Conexiunea bază – comună Conexiunea colector – comun

EC BC CC
Fig.4.3. Conexiuni tipice ale tranzistorului
Pentru fiecare tip de conexiune există câte două familii de caracteristici statice.
Dependenţa între curentul de la intrare şi tensiunea de la intrare formează caracteristicile
statice de intrare, iar dependenţa dintre curentul de la ieşire şi tensiune de la ieşire formează
caracteristicile statice de ieşire.
a) Pentru conexiunea BC IE UCBn UCB1 caracteristica de intrare

I E = f (U EB ) UCB =cons tan t
U CBi < U CBi+1
UEB
22
IC
IEn caracteristica de ieşire
I C = f (U CB ) IE =cons tan t
IE1
Ucb I Ei < I Ei+1
b) Pentru conexiunea EC
IB
DUC - UCE1
caracteristica de intrare
I B = f (U BE ) U ce =cons tan t
U CEi < U CEi +1
UBE
IC -
I Bn
caracteristica de ieşire
I C = f (U CE ) I B = cons tan t
I B1 I Bi < I Bi +1
U CE
c) Pentru conexiunea CC
IB U
CEn
U CE1
caracteristica de intrare
I B = f (U BC ) U CE = cons tan t
U BC U ECi < U ECi +1
IE
IBn
caracteristica de ieşire
IE = f (UEC) IB =constant
I B1
IBi < IBi+1
UEC
23
În foaia de catalog pentru fiecare tip de tranzistor în parte pe lângă alte date cum ar fi
valorile limită ale curenţilor, tensiunilor şi frecvenţei de lucru sunt trasate şi aceste curbe de
regim staţionar.
4.4 Regimul dinamic de funcţionare al tranzistorului

Regimul dinamic este acel regim de funcţionare al tranzistorului în care mărimile
electrice măsurate la terminale au variaţii pronunţate în timp:
dI i dU i
≠ 0, ≠0 (4.12)
dt dt
Pentru studiul regimului dinamic se consideră joncţiunile unui tranzistor de tip n – p –
n în conexiune bază comună înlocuite de două diode ideale. Pentru dioda D1 care modelează
joncţiune emitorului şi care după cum se ştie este polarizată direct se poate adapta relaţia
caracteristicii statice a unei diode pentru cazul acestei joncţiuni astfel că rezultă:
D1 D2
E IE C ⎛ U BE ⎞
⎜ ⎟
I E = I i ⎜ e U T − 1⎟ (4.13)
⎜ ⎟
⎝ ⎠
UBE B în care Ii reprezintă curentul invers al
Fig.4.4. Modelarea joncţiunilor tranzistorului joncţiunii iar UT potenţialul termic al
acesteia
Analiza regimului dinamic pe baza relaţiei (4.13) este dificilă datorită exponenţialei
U BE
UT
e şi de aceea se caută o formă simplificată obţinută prin liniarizarea acesteia. Pentru a
putea liniariza exponenţială aceasta se dezvoltă într-o serie Taylor din care să considerăm
doar primii doi termeni adică:
2 3
U BE ⎛ U BE ⎞ ⎛ U BE ⎞
U BE ⎜⎜ ⎟⎟ ⎜⎜ ⎟⎟ 2 3
e UT
= 1+
UT
+⎝ T
U ⎠ + ⎝ UT ⎠ + K = 1 + U BE + 1 ⋅ ⎛⎜ U BE ⎞⎟ + 1 ⋅ ⎛⎜ U BE ⎞⎟ + K
1! 2! 3! U T 2 ⎜⎝ U T ⎟⎠ 6 ⎜⎝ U T ⎟⎠ (4.14)
U BE
UT U BE
e ≅ 1+
UT
astfel că relaţia (4.13) de dependenţă dintre curentul de emitor IE şi tensiunea bază – emitor
devine o ecuaţia liniară:
U BE
I E = Ii ⋅ (4.15)
UT
Pentru ca aproximaţia făcută prin neglijarea termenilor de ordin superior să introducă
erori cât mai mici este necesar ca rapoartele să fie subunitare
U BE
<< 1 ⇒ U EB << U T (4.16)
UT
Îndeplinirea condiţiei (4.16) înseamnă că mărimile electrice au variaţii restrânse într-
un domeniu în jurul unui punct, numit punct static de funcţionare, acest regim de funcţionare
se numeşte regim dinamic de semnal mic.
În situaţia funcţionării la semnal mic a tranzistorului acesta poate fi modelat ca un
cuadripol (fig.4.5), adică un bloc la care utilizatorul are acces la 2 borne de intrare şi la 2
24
borne de ieşire. Pentru acesta dependenţele între
cuadripol mărimile electrice de intrare notate cu indice 1 şi cele
I2 de ieşire notate cu indice 2 sunt liniare.
Prin modelarea tranzistorului ca un cuadripol
I1 şi considerând cazul funcţionării acestuia la joasă
U2 frecvenţă (JF) analiza regimului dinamic se face
U1 ⎧U1 = h 11I1 + h 12 U 2
⎨ (4.17)
⎩ I 2 = h 21I1 + h 22 U 2
utilizând ecuaţiile cu parametrii hibrizi:
Fig.4.5. Tranzistorul ca un unde hij reprezintă parametrii hibrizi, numiţi astfel
cuadripol deoarece au semnificaţii fizice diferite, astfel aceştia
sunt:
1. impedanţa de intrare cu ieşire în scurtcircuit
U1
h 11 = U 2 =0 (4.18)
I1
2. coeficient invers de transfer în tensiune cu intrare în gol
U1
h 12 = I1 = 0 (4.19)
U2
3. coeficient de transfer în curent cu ieşirea în scurtcircuit
I2
h 21 = U 2 =0 (4.20)
I1
4. admitanţa de ieşire cu intrare în gol
I2
h 22 = I1 = 0 (4.21)
U2
În baza acestor ecuaţii cu parametrii hibrizi se poate construi schema echivalentă sau
modelul pentru regimul dinamic al
h 22
I1 h 11 h 12 U 2 I2 tranzistorului, conform fig.4.6
> La realizarea modelului cu
<< parametrii hibrizi se consideră prima
U1 U2
h 21 I1 ecuaţie din relaţiile (4.17) ca fiind
aplicarea teoremei II a lui Kirchhoff
ţinând seama de natura parametrului
Fig.4.6. Modelul cu parametrii hibrizi h11 iar cea de-a doua ecuaţie din
aceleaşi relaţii se consideră ca fiind
aplicarea teoremei I a lui Kirchhoff ţinând seama de natura parametrului h22. h12 ⋅ U 2 este o
sursă de tensiune iar h 21 ⋅ I1 este o sursă de curent.
Deoarece valoarea rezistenţei interne a sursei de tensiune h12 ⋅ U 2 este foarte mică în
( )
raport cu impedanţa de intrare h11 R h 12 ⋅ U << h11 şi cele două sunt conectate aceasta se
2
poate neglija. Valoarea rezistenţei interne a sursei de curent este foarte mare în raport cu
1
admitanţa de ieşire R h 21 ⋅ I1 >> şi cele două sunt conectate în paralel admitanţa se poate
h 22
neglija faţă de rezistenţa sursei de curent.
25
Introducând o rezistenţă suplimentară în bază
E C care să ţină seama de rezistenţa internă a bazei se
<<
rE β ⋅ IB obţine schema echivalentă sau modelul în T a
rB tranzistorului, care de exemplu pentru conexiunea
BC este prezentat în fig.4.7.
unde h11 = rE
B h21 = β
Fig.4.7 Modelul în T al tranzistorului
Deşi circuitul echivalent de cuadripol are aceiaşi structură pentru toate cele 3
conexiuni valoarea parametrilor hij depind de tipul acestora. Funcţie de tipul conexiunii
tranzistorului parametrii hibrizi se notază cu un indice ce permite identificarea conexiunii
astfel se utilizează indicii:
• b pentru conexiunea bază comună (BC), hijb
• e pentru conexiunea emitor comun (EC), hije
• c pentru conexiunea colector comun (EC), hijc
Dacă se cunosc valorile unui grup de parametrii pentru un tip de conexiune de regulă
pentru conexiunea emitor comun pentru care aceştia sunt daţi în foaia de catalog a tipului de
tranzistor respectiv prin calcule algebrice pot fi determinate şi valorile corespunzătoare
celorlalte două tipuri de conexiuni.
În tabelul 4.1. este prezentată dependenţa parametrilor hijb şi hijc în funcţie de parametrii
hije.
Tabel 4.1
Conexiune BC Conexiunea CC
h11b h12b h21b h22b h11c h12c h21c h22c
h11e h11e ⋅ h 22e h h 22e
− h12e − 21e h11e 1-h12e − (1+ h 21e ) h22e
1 + h 21e 1 + h 21e 1 + h 21e 1 + h 21e
4.5. Limitări în funcţionarea tranzistorului

Depăşirea anumitor valori limită impuse mărimilor electrice sau neelectrice la
terminalele tranzistorului poate determina funcţionarea incorectă a dispozitivului sau în
anumite condiţii chiar distrugerea acestuia. Aceste valori limită sunt specificate de către
producătorul dispozitivului şi sunt prezentate în foaia de catalog de catalog al acestuia.
Principalele mărimi asupra valorilor cărora se impun limitări sunt:
• tensiunea colectorul – emitor, UCE;
• curentul de colector IC;
• puterea dezvoltată pe tranzistor.
Depăşirea unei valori maxime admise a tensiunii UCE poate conduce la multiplicarea
prin avalanşă a purtătorilor de sarcină în joncţiunea colectorului care fiind polarizată invers se
comportă din acest punct de vedere ca şi joncţiunea unei diode Zener.
Ştiind că curentul de colector este dat de valoarea curentului de difuzie din regiunea
emitorului IE şi curentul rezidual al joncţiunii colectorului ICB0, în cazul generării fenomenului
de multiplicare prin avalanşă relaţia acestui curent devine:
I C = M ⋅ (α ⋅ I E + I CB0 ) (4.22)
în care M (fig.4.8) este factorul de multiplicare în avalanşă a cărui valoare depinde de
valoarea tensiunii colector – emitor şi a cărui expresie este:
26
M 1
M= n
(4.23)
⎛ U ⎞
1 − ⎜⎜ CE ⎟⎟
1 ⎝ U CEstr ⎠
U CE unde n = 3÷7 şi UCEstr reprezintă valoarea tensiunii
U CEstr colector – emitor de la care apare fenomenul ireversibil
de străpungere a joncţiunii. Astfel dacă valoarea tensiunii
Fig.4.8. Factorul de colector – emitor UCE este inferioară valorii tensiunii de
multiplicare în avalanşă străpungere adică UCE < UCEstr rezultă o valoare a
factorului de multiplicare în avalanşă aproape unitară
(M≈1), ceea ce înseamnă că relaţia (4.22) va fi similară relaţiei (4.5)
Prima limitare se impune în domeniul caracteristicilor de ieşire asupra tensiunii UCE
prin realizarea condiţiei:
U CE ≤ U CE max (4.24)
în care Ucemax reprezintă valoarea maxim admisibilă a tensiunii UCE şi este un parametru de
catalog al tranzistorului. Valoarea acestui parametru îndeplineşte condiţia UCEmax < UCest.
Relaţia (4.24) reprezintă în domeniul caracteristicilor statice de ieşire, IC = f(UCE), o
semidreaptă paralelă cu ordonată având punctul de intersecţie cu abscisa UCE = Ucemax
(fig.4.9).
Rezultă că funcţionarea tranzistorului trebuie să corespundă unui punct situat în stânga
acestei semidrepte.
Se impun de asemenea limitări şi asupra şi asupra celorlalte tensiunii ale
tranzistorului, astfel:
U BE ≤ U BE max
(4.25)
U CB ≤ U CB max
A doua limitare se impune asupra curentului de colector prin realizarea condiţiei:
I C ≤ I C max (4.26)
care evită pe lângă distrugerea joncţiunii şi funcţionarea într-o zonă a caracteristicii cu
performanţe reduse ( β mic).
Relaţia (4.26) reprezintă în domeniul caracteristicilor statice de ieşire, IC = f(UCE), o
semidreaptă paralelă cu abscisa având punctul de intersecţie cu ordonata IC = Icmax (fig.4.9)
Rezultă că funcţionarea tranzistorului trebuie să corespundă unui punct situat sub
această semidreaptă.
A treia limitare se impune puterii dezvoltate în tranzistor, având în vedere că puterea
consumată la sursa de alimentare se transformă în putere a semnalului util şi căldură disipată
pe tranzistor. Puterea disipată pe tranzistor duce la o creştere a temperaturii joncţiunii Tj care
este limitată la Ge la 85 0C iar la Si la 150 0C. Valoarea acesteia este dată de produsul
tensiunii şi curentului pe circuitul de ieşire al tranzistorului care pentru conexiunea emitor
comun EC este circuitul colector – emitor. Depăşirea puterii disipate maxime admisibile Pdmax
conduce la fenomenul de ambalare termică care poate iniţia fenomenul de multiplicare în
avalanşă al purtătorilor de sarcină.
Limitarea impusă puterii dezvoltate în tranzistor înseamnă realizarea condiţiei:
Pd ≤ Pd max
(4.27)
U CE ⋅ I C ≤ Pd max
27
Puterea disipată Pd depinde de temperatura mediului şi de modul de transfer al
căldurii de la joncţiune la mediu caracterizat de rezistenţa termică, rezistenţa termică
joncţiunea – mediu poate fi scăzută prin utilizarea de radiatoare.
Din relaţia (4.27) rezultă:
Pd max
IC = (4.28)
U CE
şi această relaţie într-un sistem IC = f(UCE) reprezintă o hiperbolă numită hiperbolă de
disipaţie. Rezultă că funcţionarea tranzistorului trebuie să corespundă unui punct situat sub
această hiperbolă.
Având în vedere limitările impuse tensiunii Uce, curentului Ic şi puterii Pd pe
caracteristicile de ieşire se poate trasa un domeniu admisibil de funcţionare, numit zonă activă
normală, ZAN (fig.4.9.a) în care se poate fixa punctul static de funcţionare (PSF).
dreapta de sarcina
IC U CE = U CE max
+ EC
EC
RC RC
I C max I C = I C max
hiperbola de disipatie IC
T
UCE
domeniu PSF
admisibil ZAN U CE
U EC max E C a) b)
Fig.4.9. Definirea domeniului admisibil de funcţionare (a) şi alegerea punctului static de

funcţionare (b)
Poziţia punctului static de funcţionare este determinată de intersecţia dreptei de
sarcină cu cuba reprezentând caracteristica de ieşire corespunzătoare unui anumit curent de
bază IB. Pentru reprezentarea dreptei de sarcină se consideră circuitul de ieşire al
tranzistorului reprezentat în acest caz de circuitul colector – emitor (fig.4.9.b) pe care aplicând
teorema II Kirchhoff se poate scrie:
1 1
E C = R C ⋅ I C + U CE ⇒ IC = ⋅ EC − ⋅ U CE (4.29)
RC RC
Relaţia obţinută reprezintă ecuaţia dreptei de sarcină, în sistemul de axe IC = f(UCE)
este ecuaţia unei drepte a cărei reprezentare se face prin tăieturi (pe baza intersecţiilor cu
axele) astfel intersecţia cu abscisa (pentru IC = 0) este dată de punctul UCE = EC iar intersecţia
E
cu ordonata (pentru UCE = 0) este dată de punctul I C = C
RC
4.6. Polarizarea şi stabilizarea termică a tranzistorului
4.6.1. Definire
Polarizarea unui tranzistor constă în totalitatea măsurilor care se iau pentru asigurarea
funcţionării acestuia într-un punct bine definit în domeniul caracteristicilor de ieşire denumit
punct static de funcţionare PSF care va avea coordonatele: UCE0, IC0, IB0 (indicele 0 indică
valorile acestor mărimi electrice corespunzătoare punctului static de funcţionare).
Stabilizarea termică reprezintă un ansamblu de măsuri care se iau pentru a elimina
influenţa variaţiilor de temperatură asupra punctului static de funcţionare.
28
Cea mai mare influenţă o are temperatura asupra curentului ICB0 care orientativ se
dublează la fiecare creştere a temperaturii tranzistorului cu 10 0C şi asupra factorului de
amplificare β.
Aprecierea stabilizării termice se face printr-o mărime numită coeficient de
stabilizare termică S ce ţine seama de influenţa curentului rezidual ICB0 asupra poziţiei
punctului static de funcţionare prin intermediul valorii curentului de colector IC şi este definit
prin relaţia:
dI C
S= (4.30)
dI CB0
Influenţa temperaturii asupra poziţiei punctului static de funcţionare este cu atât mai
mică cu cât valoarea coeficientului de stabilizare termică este mai aproape de 1 (S → 1).
Deoarece curentul rezidual ICB0 este un curent de structură al tranzistorului şi nu poate fi
măsurat se caută o relaţie de calcul al coeficientului de stabilizare termică pe baza valorilor
mărimilor electrice măsurabile la terminalele tranzistorului.
Se consideră relaţia de definire a curentului de colector conform ecuaţiilor de
funcţionare ale tranzistorului:
I C = β ⋅ I B + (β + 1) ⋅ I CB0 (4.31)
care prin derivare în raport cu temperatura T cu neglijarea în această etapă a influenţei
dI
temperaturii asupra coeficientului de transfer β şi împărţire cu C devine:
dT
dI C dI dI dI C
= β ⋅ B + (β + 1) ⋅ CB0 /:
dT dT dT dT
dI dI
1 = β ⋅ B + (β + 1) ⋅ CB0 (4.32)
dI C dI
12C3
1
S
1
şi se observă că cel de-al doilea termen al membrului drept al ecuaţiei conţine cantitatea
S
astfel că relaţia (4.31) devine:
dI B β + 1
1− β ⋅ = (4.33)
dI C S
de unde rezultă expresia coeficientului de stabilizare termică definit prin mărimi electrice
măsurabile la terminalele tranzistorului:
β +1
S= (4.34)
dI
1− β ⋅ B
dI C
Se observă din relaţia (4.33) că pentru îndeplinirea condiţiei la limită de stabilitate
dI
termică absolută adică S = 1 este necesară îndeplinirea condiţiei B = −1 ceea ce înseamnă
dI C
că dI B = −dI C . Această dependenţă dintre cei doi curenţi se interpretează astfel: variaţia
curentului de bază IB trebuie să fie inversă variaţiei curentului de colector IC.
Îndeplinirea acestei condiţii presupune realizarea unei legături între cei doi curenţi
legătură ce se numeşte reacţie. Datorită sensului de variaţie reacţia se numeşte negativă.
29
Este necesar ca prin schema de polarizare să se asigure şi stabilizarea termică a
poziţiei punctului static de funcţionare.
Din punct de vedere al polarizării şi stabilizării termice există următoarele scheme de
polarizare:
¾ polarizarea independentă;
¾ polarizarea cu reacţie din colector;
¾ polarizarea cu reacţie din emitor;
¾ polarizarea automată sau cu divizor rezistiv în bază.
Analiza acestor scheme din punct de vedere al polarizării şi stabilizării termice
presupune calculul mărimilor electrice ce definesc poziţia punctului static de funcţionare
adică valorile UCE0, IC0, IB0 şi coeficientului de stabilizare termică al schemei
4.6.2. Polarizarea independentă

În cazul acestei scheme de polarizare (4.10) baza tranzistorului este conectată la sursa
de alimentare +EC prin intermediul rezistenţei de limitare RB care stabileşte valoarea
curentului de bază IB.
Aplicând teorema II Kirchhoff pe circuitul bază – emitor al
+ EC
tranzistorului rezultă:
RC
RB E C = R B ⋅ I B + U BE (4.35)
IC
IB T de unde rezultă expresia curentului de bază:
UCE E − U BE
I B = I B0 = C (4.36)
RB
UBE
şi se observă că valoarea curentului IB nu este determinată de
variaţia curentului IC deci:
Fig.4.10. Polarizarea
dI B β +1
independentă =0 ⇒ S= = β + 1 >> 1 (4.37)
dI C dI B
1− β ⋅
dI C
Deoarece valoarea parametrului β este mult mai mare decât 1 ( β ∈ [10K1000 ] rezultă
că şi coeficientul de stabilizare termică S este mult mai mare decât 1 ceea ce înseamnă că
această schemă nu asigură stabilizarea termică. De fapt acest lucru se poate observa şi din
schema circuitului de polarizare prin faptul că nu există legătură electrică între curenţii de
bază IB şi colector IC. Deci variaţia
IC temperaturii tranzistorului va determina
dreapta de sarcina variaţii ale mărimilor electrice ce
EC
RC definesc punctul static de funcţionare şi
deci şi poziţia acestuia, putând la limită
să aducă acest punct în zona de saturaţie
PSF I B0 sau de blocare determinând funcţionarea
I C0
necorespunzătoare a tranzistorului.
Valoarea curentului de bază IB
U CE este determinată de valoarea tensiunii
de alimentare EC, de valoarea tensiunii
U CE0 EC UBE care reprezintă căderea de tensiune
pe joncţiunea emitorului şi care se
Fig.4.11. Fixarea punctului static de funcţionare
polarizează direct astfel că valoarea
acestei tensiuni este U BE ≅ 0,6 V precum şi de valoarea rezistenţei RB presupusă cunoscută.
30
Prin determinarea valorii curentului IB, în punctul static de funcţionare IB0, pe baza
ecuaţiilor de funcţionare ale tranzistorului se poate determina valoarea curentului de colector,
IC, în punctul static de funcţionare, IC0:
I C = I C0 = β ⋅ I B0 + (β + 1) ⋅ I CB0 ≅ β ⋅ I B0 (4.38)
Prin aplicarea teoremei II Kirchhoff pe circuitul colector – emitor rezultă, expresia
tensiunii colector – emitor în punctul static de funcţionare, UCE0:
E C = R C ⋅ I C + U CE
(4.39)
U CE = U CE 0 = E C − R C ⋅ I C0
deci poziţia punctului static de funcţionare este determinată de valorile calculate IB0, IC0, UCE0,
fig.4.11.
4.6.3. Polarizarea cu reacţie din colector

În cazul schemei de polarizare cu reacţie din colector
+ EC (fig.4.11) curentul IB din baza tranzistorului este o fracţiune din
RC curentul I obţinut prin conectarea rezistenţei RC la sursa de
alimentare +EC.
RB I Aplicând teorema II Kirchhoff pe circuitul bază – emitor
al tranzistorului rezultă:
IC
IB T E = R ⋅I + R ⋅I + U (4.40)
C C B B BE
UCE dar curentul I este determinat de curenţii IB şi IC, conform
teoremei I Kirchhoff:
UBE
I = IC + I B (4.41)
Fig.4.12. Polarizarea cu astfel că după înlocuirea (4.41) în (4.40), rezultă:
reacţie din colector
E C = R C ⋅ (I C + I B ) + R B ⋅ I B + U BE =
(4.42)
= (R C + R B ) ⋅ I B + R C ⋅ I C + U BE
de unde prin explicitarea curentul IB se obţine:
1 RC
IB = ⋅ (E C − U BE ) − ⋅ IC (4.43)
RC + RB RC + RB
astfel că:
dI B RC
=− (4.44)
dI C RC + RB
Expresia coeficientului de stabilizare termică devine:
β +1 β +1
S= = (4.45)
dI RC
1− β ⋅ B 1+ β ⋅
dI C RC + RB
Analizând relaţia (4.45) se observă că îndeplinirea condiţiei de stabilitate absolută
RC
(S = 1) presupune îndeplinirea condiţiei = 1 realizabilă numai dacă R B = 0 ceea ce
RC + RB
înseamnă un scurtcircuit între colector şi bază adică eliminarea (şuntarea) joncţiunii
colectorului, ceea ce nu poate fi posibil pentru că nu mai sunt îndeplinite condiţiile de
31
funcţionare ale tranzistorului. Deci valoarea rezistenţei RB trebuie să fie diferită de zero
( R B > 0 ) conducând la înrăutăţirea stabilizării termice cu cât valoarea acestei rezistenţe este
mai mare. Deoarece o valoare prea mică a acestei rezistenţe determină un curent în baza
tranzistorului prea mare care multiplicat cu β generează valoarea curentului de colector şi care
poate depăşi valoarea maxim admisibilă ICmax, astfel că se realizează un compromis între
asigurarea polarizării şi stabilizării termice corespunzătoare a tranzistorului.
Pentru determinarea poziţiei punctului static de funcţionare se determină expresia
curentului din bază plecând de la relaţia (4.43) şi ţinând seama de ecuaţiile de funcţionare ale
tranzistorului ( I C = β ⋅ I B ):
1 RC
IB = ⋅ (E C − U BE ) − ⋅β ⋅ IB (4.46)
RC + RB RC + RB
de unde:
⎛ R C ⎞ E C − U BE
I B ⋅ ⎜⎜1 + β ⋅ ⎟= (4.47)
⎝ R C + R B ⎟⎠ R C + R B
astfel că expresia curentului din bază, corespunzător punctului static de funcţionare IB0 va fi:
E C − U BE
I B = I B0 = (4.48)
R C ⋅ (β + 1) + R B
Valoarea curentului de bază IB este determinată de valoarea tensiunii de alimentare EC,
de valoarea tensiunii UBE care reprezintă căderea de tensiune pe joncţiunea emitorului şi care
se polarizează direct astfel că valoarea acestei tensiuni este U BE ≅ 0,6 V precum şi de
valoarea rezistenţelor RB şi RC presupuse cunoscute şi a parametrului constructiv al
tranzistorului, coeficientul β.
I C = I C0 = β ⋅ I B0 + (β + 1) ⋅ I CB0 ≅ β ⋅ I B0 (4.49)
tensiunii colector – emitor în punctul static de funcţionare,
UCE0:
+ EC
E C = R C ⋅ I + U CE = R C ⋅ (I C + I B ) + U CE
(4.50)
RB U =U CE = E − R ⋅ (I + I )
CE 0 C C C0 B0
IB T
deci poziţia punctului static de funcţionare este determinată de
UCE valorile calculate IB0, IC0, UCE0, fig.4.11.
UBE 4.6.4. Polarizarea cu reacţie din emitor

RE În cazul acestei scheme de polarizare (fig.4.13) baza
tranzistorului este conectată la sursa de alimentare +EC prin
IE intermediul rezistenţei de limitare RB care stabileşte valoarea
curentului de bază IB şi se introduce o rezistenţă RE între
emitorul tranzistorului şi masa circuitului.
Fig.4.13. Polarizarea
Aplicând teorema II Kirchhoff pe circuitul bază – emitor
cu reacţie din emitor
al tranzistorului rezultă:
32
E C = R B ⋅ I B + U BE + R E ⋅ I E (4.51)
şi ţinând seama de ecuaţiile de funcţionare ale tranzistorului ( I E = I B + I C ) se obţine:
E C = R B ⋅ I B + U BE + R E ⋅ (I B + I C ) = (R B + R E ) ⋅ I B + U BE + R E ⋅ I C
de unde prin explicitarea curentul IB se obţine:
1 RE
IB = ⋅ (E C − U BE ) − ⋅ IC (4.52)
RB + RE RB + RE
astfel că:
dI B RE
=− (4.53)
dI C RB + RE
Expresia coeficientului de stabilizare termică devine:
β +1 β +1
S= = (4.54)
dI RE
1− β ⋅ B 1+ β ⋅
dI C RB + RE
Analizând relaţia (4.54), similară relaţiei (4.45), se observă că îndeplinirea condiţiei de
RE
stabilitate absolută (S = 1) presupune îndeplinirea condiţiei = 1 realizabilă numai
RB + RE
dacă R B = 0 ceea ce înseamnă un scurtcircuit între colector şi bază adică eliminarea
(şuntarea) joncţiunii colectorului, ceea ce nu poate fi posibil pentru că nu mai sunt îndeplinite
condiţiile de funcţionare ale tranzistorului. Deci valoarea rezistenţei RB trebuie să fie diferită
de zero ( R B > 0 ) conducând la înrăutăţirea stabilizării termice cu cât valoarea acestei
rezistenţe este mai mare. Deoarece o valoare prea mică a acestei rezistenţe determină un
curent în baza tranzistorului prea mare care multiplicat cu β generează valoarea curentului de
colector şi care poate depăşi valoarea maxim admisibilă ICmax, astfel că se realizează un
compromis între asigurarea polarizării şi stabilizării termice corespunzătoare a tranzistorului.
tranzistorului ( I C = β ⋅ I B ):
1 RB
IB = ⋅ (E C − U BE ) − ⋅β ⋅ IB (4.55)
RB + RE RB + RE
de unde:
⎛ RE ⎞ E C − U BE
I B ⋅ ⎜⎜1 + β ⋅ ⎟⎟ = (4.56)
⎝ RB + RE ⎠ RB + RE
astfel că expresia curentului din bază, corespunzător punctului static de funcţionare IB0 va fi:
E C − U BE
I B = I B0 = (4.57)
R E ⋅ (β + 1) + R B
33
valoarea rezistenţelor RB şi RC presupuse cunoscute şi a parametrului constructiv al
I C = I C0 = β ⋅ I B0 + (β + 1) ⋅ I CB0 ≅ β ⋅ I B0 (4.58)
E C = U CE + R E ⋅ I E = U CE + R E ⋅ (I C + I B )
(4.59)
U CE = U CE 0 = E C − R E ⋅ (I C0 + I B0 )
conform fig.4.11. se observă o similitudine perfectă între schemele de polarizare cu reacţie
din emitor şi din colector diferenţa fiind dată de înlocuirea rezistenţelor RC şi RE în expresiile
coeficientului de stabilizare termică şi ale coordonatelor punctului static de funcţionare.
4.6.5. Polarizarea automată

În cazul acestei scheme de polarizare (fig.4.14) baza tranzistorului este conectată la
sursa de alimentare +EC prin intermediul unui divizor rezistiv format din grupul R1 şi R2 care
stabileşte valoarea curentului de bază IB.
Pentru determinarea expresiei curentul din bază se aplică teoremele I şi II Kirchhoff pe
nodurile şi ochiurile de reţea din circuitul bază – emitor al tranzistorului, rezultând astfel:
I1 = I 2 + I B
E C = R1I1 + R 2 I 2 (4.60)
0 = R E I E + U BE − R 2 I 2
Înlocuind în ecuaţia a 3 – a curentul de emitor IE în funcţie de curenţii IB şi IC pe baza
ecuaţiilor de funcţionare ale tranzistorului, se obţine:
IC R 2 ⋅ I 2 = R E ⋅ (I B + IC ) + U BE (4.61)
+ EC
RC de unde rezultă expresia curentului I2:
R1 RE R 1
I2 = ⋅ I B + E ⋅ IC + ⋅ U BE (4.62)
R2 R2 R2
I1 IB T Ţinând seama de relaţia (4.62) şi de prima
U CE ecuaţie din relaţiile (4.60) se obţine:
I2
U BE
RE + R2 R 1
I1 = ⋅ I B + E ⋅ IC + ⋅ U BE (4.63)
EB R2 R2 R2 R2
RE
Având expresiile curenţilor I1 şi I2 prin
IE substituirea acestora în ecuaţia a 2 – a relaţiilor (4.60)
se obţine:
E C = R E ⋅ I B + R E ⋅ IC + U BE + K
Fig.4.14. Polarizarea automată R1 R R (4.64)
⋅ (R E + R 2 ) ⋅ I B + 1 ⋅ R E ⋅ IC + 1 ⋅ U BE
K+
R2 R2 R2
După efectuarea calculelor şi gruparea termenilor se obţine:
⎛ R + R2 ⎞ R + R2 R + R2
E C = ⎜⎜ R E ⋅ 1 + R1 ⎟⎟ ⋅ I B + R E ⋅ 1 ⋅ IC + 1 ⋅ U BE (4.65)
⎝ R2 ⎠ R2 R2
34
R2
Prin înmulţirea relaţiei (4.65) cu expresia ≠ 0 se obţine:
R1 + R 2
R2 ⎛ R ⋅R ⎞
⋅ E C = ⎜⎜ R E + 1 2 ⎟⎟ ⋅ I B + R E ⋅ IC + U BE (4.66)
R1 + R 2 ⎝ R1 + R 2 ⎠
R2
Analizând relaţia (4.66) se observă că ⋅ E C reprezintă expresia divizorului de
R1 + R 2
tensiune format de grupul R1 şi R2 faţă de tensiunea de
R1 ⋅ R 2
alimentare EC şi că reprezintă rezistenţa + EC
R1 + R 2
echivalentă a conexiunii paralel a rezistenţelor R1 şi R2. RC
Din punct de vedere rezistiv, prin pasivizarea
circuitului, şi având în vedere rezistenţa internă IC
T
neglijabilă a sursei de tensiune EC faţă de masă cele IB
două rezistenţe R1 şi R2 sunt conectate în paralel. U CE
Dacă se introduc notaţiile: U BE
R2 RB
EB = ⋅ EC
R1 + R 2 RE
(4.67)
R ⋅R EB
RB = 1 2 IE
R1 + R 2
se poate obţine o schema echivalentă a circuitului de
polarizarea automată a cărei structură este prezentată în Fig.4.15. Schema echivalentă a
fig.4.15 circuitului de polarizarea automată
Prin explicitarea curentului de bază IB din
expresia (4.66) se obţine:
R2
⋅ E C − U BE
R1 + R 2 RE
IB = − ⋅I (4.68)
R1 ⋅ R 2 R1 ⋅ R 2 C
RE + RE +
R1 + R 2 R1 + R 2
şi prin derivare în raport cu IC, rezultă:
dI B RE
=− (4.69)
dI C R ⋅R
RE + 1 2
R1 + R 2
de unde coeficientul de stabilizare termică:
β +1 β +1
S= = (4.70)
dI B RE
1− β ⋅ 1+ β ⋅
dI C R ⋅R
RE + 1 2
R1 + R 2
Se observă că îndeplinirea condiţiei de stabilitate absolută (S = 1) presupune
RE R ⋅R
îndeplinirea condiţiei = 1 realizabilă numai dacă 1 2 = 0 , adică fie R1 = 0
R ⋅R R1 + R 2
RE + 1 2
R1 + R 2
35
fie R2 = 0. Îndeplinirea condiţiei R1 = 0 înseamnă conectarea bazei direct la +EC ceea ce
înseamnă că tranzistorul va fi în regim de saturaţie permanentă iar îndeplinirea condiţiei R2 =
0 înseamnă conectarea bazei direct la masă ceea ce înseamnă că tranzistorul va fi în regim de
blocare permanentă. Deci valorile rezistenţelor R1 şi R2 trebuie să fie diferite de zero
( R 1 > 0; R 2 > 0 ) Prin alegerea corespunzătoare a raportului dintre rezistenţele R1 şi R2 se
poate realiza un compromis între asigurarea polarizării şi stabilizării termice corespunzătoare
a tranzistorului.
Această schemă de polarizare asigură cele mai bune condiţii tehnice pentru asigurarea
stabilizării termice deoarece presupune realizarea unui raport dintre două valori de rezistenţe.
tranzistorului ( I C = β ⋅ I B ), astfel că relaţia (4.68) devine:
R2
⋅ E C − U BE
R1 + R 2 RE
IB = −β⋅ ⋅I (4.71)
R1 ⋅ R 2 R1 ⋅ R 2 B
RE + RE +
R1 + R 2 R1 + R 2
Prin explicitarea curentului IB din această relaţie se obţine valoarea acestui curent
corespunzătoare punctului static de funcţionare:
R2
E C − U BE
R1 + R 2
I B = I B0 = (4.72)
R1 ⋅ R 2
+ (β + 1) ⋅ R E
R1 + R 2
valoarea rezistenţelor R1, R2 şi RE presupuse cunoscute şi a parametrului constructiv al
I C = I C0 = β ⋅ I B0 + (β + 1) ⋅ I CB0 ≅ β ⋅ I B0 (4.73)
E C = R C ⋅ I C + U CE + R E ⋅ I E = R C ⋅ I C + U CE + R E ⋅ (I C + I B )
(4.74)
U CE = U CE 0 = E C − (R C + R E ) ⋅ I C0 − R E ⋅ I B0
conform fig.4.11.
4.7. Metode neliniare de polarizare şi stabilizare

Metodele neliniare de polarizare şi stabilizare utilizează elemente neliniare a căror
caracteristică este dependentă de temperatură, cele mai utilizate astfel de elemente fiind dioda
36
şi termistorul. Termistorul are o rezistenţă neliniară a cărei valoare se modifică în funcţie de
temperatură, si de regulă aceasta scade cu creşterea temperaturii.
Principiile de polarizare şi stabilizare ce utilizează diode semiconductoare sunt
prezentate în fig.4.16.a şi respectiv fig.4.16.b
IC + EC IC + EC
RC RC R
R1 R1
T T
I1 IB I1 IB
U CE
I2 U BE I
Ii U BE U CE
IE
ED D R2
RE
D
IE a) UD b)
Fig.4.16. Polarizarea şi stabilizarea cu diodă semiconductoare
În cazul schemei din fig.4.16.a. rezistenţa R2 din schema de polarizare automată se

înlocuieşte cu o diodă semiconductoare D polarizată invers şi aleasă astfel încât joncţiunea
acesteia să fie de acelaşi tip cu cea a tranzistorului. În acest fel curentul invers al diodei Ii şi
curentul invers al joncţiunii ICBO au aceiaşi variaţie cu temperatura. Cele două dispozitive se
montează astfel încât să fie la aceiaşi temperatură.
Aplicând teorema I Kirchhoff şi teorema II Kirchhoff pe circuitul bază – emitor şi
ţinând seama de ecuaţiile de funcţionare ale tranzistorului se pot scrie următoarele relaţii:
E C = R1 ⋅ I1 + U BE + R E ⋅ I E
I1 = I B + Ii
(4.75)
IE = IC + IB
I C = β ⋅ I B + (β + 1) ⋅ I CB0
Eliminând între aceste ecuaţii curenţii I1, IB şi IE se obţine:
β +1 β +1
EC = ⋅ (R 1 + R E ) ⋅ I C − ⋅ (R1 + R E ) ⋅ I CB0 + R1 ⋅ Ii + U BE (4.76)
β β
De unde rezultă expresia curentului de colector:
β E C − U BE β R1
IC = ⋅ + I CB0 − ⋅ ⋅ Ii (4.77)
β + 1 R1 + R E β + 1 R1 + R E
Compensarea absolută a variaţiei curentului ICB0 cu temperatura se poate obţine când
termenii relaţiei (4.77) ce conţin variabilele ICB0 şi Ii sunt egali, adică:
β R1
I CB0 − ⋅ ⋅ Ii = 0 (4.78)
β + 1 R1 + R E
Din această relaţie se va obţine curentul invers al diodei necesar compensării
37
β + 1 R1 + R E ⎛ 1⎞ ⎛ 1 ⎞
Ii = ⋅ ⋅ I CB0 = ⎜⎜1 + ⎟⎟ ⋅ ⎜⎜1 + ⎟⎟ ⋅ I CB0 (4.79)
β RE ⎝ β ⎠ ⎝ RE ⎠
În concluzie este necesară alegerea unei diode care are la aceiaşi temperatură cu
tranzistorul a cărei compensare termică o realizează un curent invers dat de relaţia (4.79)
astfel încât curentul de colector IC nu va mai fi dependent de ICB0. Dacă această condiţie nu
poate fi îndeplinită riguros se conectează rezistenţe în serie sau paralel cu dioda astfel încât să
se realizeze o compensare cât mai aproape de cea ideală.
Schema de compensare din fig.4.16.b. utilizează o diodă D conectată în serie cu
emitorul tranzistorului a cărei compensare
+ EC urmează să o realizeze. Dioda este polarizată
R direct prin rezistenţa R.
Prin dioda D va curge curentul IE şi
IC curentul I a cărui valoare este stabilită prin
T rezistenţa R destul de mare astfel încât acesta să
IB I
U CE fie practic constant.
Se consideră schema echivalentă a
U BE
IE circuitului de polarizare automată conform
RB fig.4.15 completată cu elementul de stabilizare
termică rezultând schema echivalentă conform
EB RE fig.4.17 unde UD reprezintă căderea de tensiune
UD pe dioda D. Aplicând teorema II Kirchhoff pe
circuitul bază – emitor se obţine:
E B = R B ⋅ I B + U BE + U D (4.80)
Fig.4.17. Schema echivalentă a circuitului
de polarizare şi stabilizare cu diodă de unde rezultă:
E B − U BE U D
IB = − (4.81)
RB RB
Se observă din relaţia obţinută că tendinţele de creştere ale curentului IC(deci implicit
si ale curentului IE=IC+IB) determină (având în vedere caracteristica diodei) creşterea căderii
de tensiune pe aceasta UD şi implicit scăderea curentului IB. La rândul său scăderea curentului
IB determină pe baza ecuaţiilor de funcţionare ale tranzistorului scăderea deci compensare
creşterii curentului IC. Această schemă realizează o compensare mai pronunţată a variaţiei
tensiunii UBE cu temperatura.
Principiile de polarizare şi stabilizare ce utilizează diode semiconductoare sunt
prezentate în fig.4.18.a şi respectiv fig.4.18.b
Schema din fig.4.18.a reprezintă o variantă modificată a schemei de polarizare
automată în care divizorul rezistiv este format din rezistenţa R1 şi termistorul RT iar în cazul
considerat este eliminată rezistenţa RE. Aplicând teorema II Kirchhoff şi teorema I Kirchhoff
pe circuitul bază – emitor rezultă:
E C = R 1 ⋅ I1 + U BE ⎫
⎬ ⇒ E C = R 1 ⋅ (I B + I T ) + U BE (4.82)
I1 = I B + I T ⎭
U BE
Din aceiaşi schemă rezultă că R T ⋅ I T = U BE deci I T = şi ţinând seama de relaţia
RT
(4.82) se poate explicita curentul de bază IB a cărui expresie va fi:
38
EC ⎛ 1 1 ⎞
IB = − ⎜⎜ + ⎟ ⋅ U BE (4.83)
R1 ⎝ R T R 1 ⎟⎠
Creşterea temperaturii determină creşterea curentului de colector şi scăderea
rezistenţei RT ceea ce va determina conform relaţiei (4.83) scăderea curentului IB. La rândul
său scăderea curentului IB determină pe baza ecuaţiilor de funcţionare ale tranzistorului
scăderea deci compensare creşterii curentului IC. Această schemă realizează o compensare
mai pronunţată a variaţiei tensiunii UBE cu temperatura.
IC + EC IC + EC
RC RC
IT
R1 R1
RT
T I1 IB T to
I1 IB
I2
IT U BE U BE IE termistor
o
t R2
RT RE RE
termistor URE
a) a)
Fig.4.18. Polarizarea şi stabilizarea cu termistor

Schema din fig.4.18.b utilizează un termistor RT conectat în emitorul tranzistorului a
cărei stabilizare termică urmează să o realizeze acesta. Atunci când temperatura creşte apare
tendinţa de creştere a curentului IC concomitent însă cu scăderea rezistenţei termistorului RT.
Curentul IT injectat prin termistor creşte ca urmare a scăderii rezistenţei RT determinând
creşterea căderii de tensiune pe rezistenţa din emitor URE ( U RE = R E ⋅ (I E + I T ) ).
Ţinând seama de schema echivalentă similară celei a circuitului de polarizare automată din
fig.4.15 se poate scrie:
E B = R B ⋅ I B + U BE + U RE
E − U BE U RE (4.84)
IB = B −
RB RB
şi se observă că o creştere a căderi de tensiune URE determină reducerea curentului IB. La
rândul său scăderea curentului IB determină pe baza ecuaţiilor de funcţionare ale tranzistorului
scăderea deci compensare creşterii curentului IC
4.8. Analiza unui amplificator elementar cu un tranzistor

Pentru analiza unui amplificator elementar se consideră schema unui astfel de circuit
cu tranzistorul în conexiune emitor comun conform fig.4.19. şi prin analiza acestui circuit se
urmăreşte determinarea următoarelor mărimi caracteristice:
- rezistenţă de intrare Ri,
- rezistenţă de ieşire Ro,
- amplificare în curent AI,
- amplificare în tensiune AU.
39
Capacităţile CB şi CC reprezintă capacităţi de cuplare cu sursa de semnal care
generează semnalul de intrare u şi respectiv
+ EC cu sarcina amplificatorului căreia îi este
RC aplicat semnalul de ieşire y. Rolul acestor
R1 CC capacităţi este de permite numai semnalului
CB util (semnal variabil în timp să treacă prin
acestea şi de a bloca componentele
T
continue).Valorile acestor capacităţi se
aleg astfel încât reactanţa capacitivă a
R2 CE y acestora:
u 1
RE XCB = =0
2 ⋅ π ⋅ f ⋅ CB
(4.85)
1
X CC = =0
Fig.4.19. Schema amplificatorului elementar 2 ⋅ π ⋅ f ⋅ CC
să fie nulă şi să se comporte ca scurtcircuite
+EC pentru gama de frecvenţă f a semnalului de
R1 RC intrare u în care lucrează amplificatorul.
CB rB β IB C C Capacitatea CE reprezintă
capacitatea de decuplare a emitorului şi are
rolul de a pune la masă variaţiile tensiunii
rE colector – emitor. Şi valoarea acestei
R2
T - model cu capacităţi se alege astfel încât să fie nulă
parametrii pentru gama de frecvenţă f în care lucrează
CE naturali amplificatorul.
RE Prin înlocuirea tranzistorului T cu
schema acestuia corespunzătoare regimului
dinamic de funcţionare al tranzistorului
bipolar se obţine schema echivalentă din
Fig.4.20. Utilizarea modelului tranzistorului fig.4.20.
B rB Rezistenţele RC şi R1 se consideră
C
conectate la masă din punct de vedere
rE rezistiv dacă se consideră neglijabilă
β IB rezistenţa internă a sursei de alimentare EC,
R2 R1 RC care este o sursă de tensiune. Prin
RB scurtcircuitarea capacităţii CE este scoasă
E E din circuitul echivalent pentru regim
dinamic şi rezistenţa RE, astfel că schema
Fig.4.21. Modelul echivalent al echivalentă se transformă conform fig.4.21.
amplificatorului Rezistenţa de intrare este rezistenţa
măsurată între bază B şi emitor E adică:
Ri = RB {r + [r (R
B E βIB + RC ) ]} (4.86)
unde RB este rezistenţa echivalentă a rezistenţelor R1 şi R2 conectate în paralel adică:

R1 ⋅ R 2
R B = R1 R 2 = (4.87)
R1 + R 2
iar RβIB este rezistenţa internă a sursei de curent din colectorul tranzistorului.
40
Deoarece:
R βIB + R C >> rE
(4.88)
rB + rE << R B
relaţia rezistenţei de intrare Ri devine
R i = rB + rE′ (4.89)
În relaţia (4.89) s-a introdus rezistenţa echivalentă a emitorului rE′ ≠ rE deoarece
conform relaţiei (4.86) reduse prin îndeplinirea condiţiilor (4.88) ar rezulta că rezistenţele
emitorului rE şi bazei rB sunt conectate în serie adică sunt parcurse de acelaşi curent IB. În
realitate numai rezistenţa rB este parcursă de acest curent iar rezistenţa rE este parcursă de
curentul de emitor IE. Datorită acestui fapt rezistenţa rE se înlocuieşte cu echivalentul acesteia
r’E şi între aceste două rezistenţe este aceiaşi relaţie care există între curenţii de emitor IE şi
respectiv de bază IB adică:
I E = (β + 1) ⋅ I B (4.90)
şi deci:
rE′ = (β + 1) ⋅ rE (4.91)
astfel că rezistenţa de intrare devine:
R i = rB + (β + 1) ⋅ rB (4.92)
adică o rezistenţă de intrare relativ mare datorită parametrului β.
Rezistenţa de ieşire este rezistenţa măsurată între bază C şi emitor E adică:
Ro = R C {R βIB + [rE (rB + R B ) ] } (4.93)
Având în vedere rezistenţa internă a sursei de curent adică RβIB rezultă:

R βIB + [rE (rB + R B ) >> R C ] (4.94)
adică rezistenţa echivalentă este dată de valoarea rezistenţei din colector deci:
RO = RC (4.95)
Amplificarea în tensiune este dată de raportul dintre tensiunea la ieşire y (dată de
produsul dintre rezistenţa de ieşire Ro şi curentul de ieşire IC) şi tensiunea de la intrare u (dată
de produsul dintre rezistenţa de intrare Ri şi curentul de ieşire IB):
y R o ⋅ IC R C ⋅ IC R C ⋅ β ⋅ IB RC
AU = = = = = β⋅ (4.96)
u R i ⋅ I B [rB + (β + 1) ⋅ rE ]⋅ I B [rB + (β + 1) ⋅ rE ]⋅ I B [rB + (β + 1) ⋅ rE ]
Amplificarea în curent este raportul dintre curentul de ieşire IC şi curentul de la intrare IB:
IC β ⋅ IB
AI = = =β (4.97)
IB IB
4.9. Regimul de comutaţie al tranzistorului bipolar
Regimul de comutaţie al unui dispozitiv semiconductor este definit ca reprezentând
trecerea bruscă din starea de blocare în starea de conducţie (conducţie directă) şi invers din
starea de conducţie în starea de blocare (conducţie inversă). Starea de conducţie înseamnă
deschiderea joncţiunii colectorului astfel încât curentul de colector are valoarea maximă iar
starea de blocare blocarea joncţiunii colectorului astfel încât curentul de colector este practic
nul.
41
Acest regim este întâlnit în aplicaţii privind formarea, generarea şi prelucrarea
impulsurilor şi reprezintă un caz particular al funcţionării tranzistorului în regim variabil de
semnal mare unde nu se mai poate neglija comportarea neliniară a acestuia.
Semnalul de comandă variază foarte rapid în timp astfel că problema de rezolvat este o
problemă neliniară la frecvenţe mari. Tranzistorul bipolar se comportă foarte bine în regim de
comutator funcţionând în conexiune emitor – comun (EC), fig.4.22.a
IC dreapta de sarcina
+ EC EC
RC
RC
B
IC I CS B1
IB RB
T UCE IB = 0
u A1
A
U CES b) EC U CE
a)
Fig.4.22. Tranzistorul bipolar în regim de comutaţie
Tranzistorul este blocat când ambele joncţiuni sunt polarizate invers, curentul de
colector al tranzistorului fiind curentul invers al joncţiunii colectorului adică I C = I CB0 practic
nul, iar în conexiunea EC I C = I CE 0 = (β + 1) ⋅ I CB0 ceea ce înseamnă că valoarea curentului în
baza tranzistorului IB trebuie să fie nul, deoarece din ecuaţiile de funcţionare ale tranzistorului
se ştie că:
I C = β ⋅ I B + (β + 1) ⋅ I CB0 ⎫ conditii îndeplinite simul tan numai dacă
⎬ ⎯⎯ ⎯ ⎯ ⎯ ⎯ ⎯ ⎯ ⎯ ⎯ ⎯⎯→ I B = 0 (4.98)
I C = I CE 0 ⎭
acesta corespunzând punctului A1 pe caracteristica de ieşire prezentată în fig.4.22.b. Deoarece
la tranzistorii din Si valoarea curentului ICB0 este foarte mică practic punctele A1 şi A
coincid.
Starea de conducţie a tranzistorului corespunde funcţionării acestuia în zona de
saturaţie sau la limita dintre zona activă normală şi zona de saturaţie, punctului B pe
caracteristica de ieşire prezentată în fig.4.22.b. La intrarea în saturaţie tensiunea UCES are
valori cuprinse în intervalul U CE = (0,2 K 0,5) V şi această valoare poate fi neglijată în raport
cu valoarea tensiunii de alimentare, EC astfel că valoarea curentului de colector la saturaţie ICS
va fi:
E C − U CES E C
I CS = = (4.99)
RC RC
La limita dintre zona activă normală şi regiunea de saturaţie (UCB=0, saturaţie
incipientă), acestui curent de colector îi va corespunde un curent de bază de saturaţie, IBS:
I CS EC
I BS = = (4.100)
β β⋅ RC
Oricât de mult ar creşte curentul de bază peste valoarea IBS curentul de colector rămâne la
valoarea ICS, astfel în regiunea de saturaţie este îndeplinită condiţia:
IC ≤ β ⋅ IB (4.101)
42
Pentru analiza regimului de comutaţie se consideră că tranzistorul este supus unei
mărimi de intrare u de tip impuls (fig.4.23.a) şi se studiază calitativ efectele induse în
funcţionarea tranzistorului în aceste condiţii:
Până în momentul t0 se
u
E1 presupune tranzistorul blocat
a) (IB=0, IC=0) şi în acest moment
t trensiunea de la intrare u îşi
schimbă valoarea printr-un salt de
E2
la valoarea E 2 ≤ 0 la o valoare
E1>0. Curentul de bază IB are şi el
un salt de la valoarea 0 la valoarea
IB1 b) E
I B1 = 1 şi acest salt se petrece
RB
t
într-un timp td, până în momentul
IB2
t1 (fig.4.23.b)
tcd tci Curentul de colector
IC td tr ts tc începe să crească după un timp
ICmax (momentul t1) necesar ca
0,9ICmax purtătorii de sarcină injectaţi de
ti c) emitor în bază să ajungă în
colector, şi acesta reprezintă
0,1ICmax t timpul de întârziere ti.
După ce tranzistorul intră
t0 t1 t2 t3 t4 t5 t6 în zona activă normală
(reprezentat de momentul t1)
Fig.4.23. Formele de undă în regim de comutaţie curentul de colector nu creşte
brusc la valoarea ICmax, atingând
valoarea 0,9 ⋅ I C max după un interval de timp, tr, numit timp de creştere sau de ridicare. Acest
timp de ridicare se defineşte ca fiind intervalul de timp scurs din momentul aplicării comenzii
de comutaţie până în momentul când curentul de colector ajunge la 0,9 din valoarea finală
ICmax. Dacă ICmax<ICS comutaţia se va realiza în zona activă normală şi valoarea timpului de
creştere este determinată de parametrii joncţiunii, în special capacitatea electrică a joncţiunii
dintre bază şi colector şi de durata de viaţă a purtătorilor de sarcină.
Având în vedere definirea celor trei intervale de timp se poate defini timpul de
comutaţie directă (tcd) ca fiind intervalul de timp din momentul aplicării comenzii până în
momentul t3 în care curentul de colector ajunge la 0,9 din valoarea finală ICmax:
t cd = t d + t i + t r (4.102)
După atingerea valorii ICmax tranzistorul rămâne în starea de conducţie atâta timp cât
tensiunea de la intrare u se menţine constantă la valoarea E1.
Considerând că la momentul t4 tensiunea de la intrare variază brusc de la valoarea E1
la valoarea E2 (care pentru tranzistorii cu Si poate fi şi 0), joncţiune emitorului se polarizează
E (= 0 pentru Si )
invers şi curentul de bază se modifică brusc la valoarea I B2 = 2 .
RB
Dacă punctul static se afla în zona activă normală (punctul B1) acesta începe să se
deplaseze către punctul A. Aceasta determină scăderea într-un anumit timp (după curba
punctată în fig.4.23.c) curentului de colector de la ICmax<ICS către 0.
Se defineşte timpul de cădere tc ca fiind intervalul de timp în care curentul de colector
scade de la valoarea ICmax la o valoare 0,1⋅ I C max .
43
Timpul de comutaţie inversă tci reprezintă intervalul de timp dintre momentul aplicării
comenzii de comutaţie inversă până când curentul de colector scade la 0,1 din valoarea
iniţială.
Acesta va fi egal cu timpul de comutaţie directă dacă comutaţia se va face din zona
activă normală (t ci = t cd ) .
Dacă punctual static de funcţionare se află în zona de saturaţie (punctul B) curentul de
colector va rămâne constant un timp ts până la eliminarea surplusului de sarcină electrică
acumulat în regiunea bazei în regim de saturaţie.
Acest timp este denumit timp de stocare, ts şi se defineşte ca fiind timpul scurs de la
momentul aplicării comenzii de comutaţie inversă până când curentul de colector începe să
scadă. În acest caz ICmax = ICS iar timpul de comutaţie inversă va fi:
t ci = t s + t c (4.103)
Pentru reducerea timpilor de comutaţie se iau măsuri constructive cum ar fi:
• timp de viaţă al purtătorilor de sarcină redus;
• capacităţi de barieră cât mai mici ale joncţiunilor;
• grosime mică a bazei.
Pe lângă aceste măsuri luate în procesul de fabricaţie există şi posibilităţi de reducere a
acestora prin îmbunătăţiri aduse circuitului de către
+ EC utilizator (fig.4.24).
RC
D Una dintre aceste posibilităţi constă în
conectarea unui condensator CB care la comutarea
directă se comportă ca un scurtcircuit realizând un
IC curent de bază iniţial IB>IBS reducând astfel timpul
IB RB
T de creştere tr după care rezistenţa RB menţine
UCE
tranzistorul la saturaţie incipientă (UCB=0) deci
sarcină stocată mică. La comutarea inversă se va
u reduce timpul tc ca urmare a unui curent invers
CB
- EB iniţial IB2 mare.
Altă posibilitate constă în utilizarea unei
diode D polarizată invers şi a unei tensiuni - EB
Fig.4.24. Îmbunătăţirea comutaţiei pentru polarizarea inversă a joncţiunii emitorului
tranzistorului bipolar prin rezistenţa R. Prin alegerea diodei D şi a
rezistenţei RB astfel încât la polarizarea directă a
joncţiunii emitorului să fie îndeplinită condiţia:
IB ⋅ R B = UD (4.104)
unde UD reprezintă tensiunea de deschidere a diodei, tranzistorul va fi menţinut în saturaţie
incipientă reducând timpul de stocare, ts.
44
Cap 5
TRANZISTORUL CU EFECT DE CÂMP
5.1. Structură şi funcţionare

Spre deosebire de tranzistorul bipolar la care participă ambele tipuri de purtători de
sarcină (electroni şi goluri) la realizarea fenomenului de conducţie în cazul tranzistorului cu
efect de câmp participă numai un singur tip de purtători de sarcină. De asemenea dacă în cazul
tranzistorului bipolar curentul de conducţie se stabileşte prin joncţiuni, în cazul tranzistorului
cu efect de câmp acest curent se stabileşte printr-o zonă mărginită de joncţiuni numită
„canal”.
După modul de realizare tranzistorul cu efect de câmp poate fi:
- tranzistor cu efect de câmp cu grilă joncţiune – JFET,
- tranzistor cu efect de câmp cu grilă izolată prin oxid metalic – MOSFET,
- tranzistor cu efect de câmp cu straturi subţiri – TFET
Faţă de tranzistorul bipolar, un tranzistor cu efect de câmp are câteva avantaje printre care:
- admite tensiuni mai mari la terminale,
- stabilitate bună de variaţii de temperatură
- datorită timpului de tranziţie mai mic poate lucra la frecvenţe mai mari,
- are mare imunitate la zgomote electrice,
- are o construcţie mai simplă.
Se prezintă în continuare principiul constructiv şi funcţional al tranzistorului cu efect
de câmp de tip MOSFET, acest tip de tranzistor fiind cel mai utilizat în cadrul circuitelor
electronice.
Structura MOSFET conţine un semiconductor de tip p în care sunt realizate două
regiuni semiconductoare de tip n acestea formând cu structura de bază de tip p două joncţiuni
j1 şi respectiv j2 (fig.5.1.)
Simboluri
Canal indus
UDS
D
UGS D
drenă grilă sursă G G
oxid de siliciu S S
ID SiO2 Canal iniţial
n n D
j1 j1 D
p G G
canal
S S
Fig.5.1. MOSFET, structură şi simboluri canal n canal p
De la cele două joncţiuni se scot prin intermediul cate unui contact metalic două
terminale numite drenă (D) respectiv sursă (S). Cel de-al treilea terminal numit grilă (G) se
obţine prin acoperirea cu oxid de siliciu (SiO2) a zonei dintre cele două joncţiuni astfel că
acest terminal este izolat faţă de semiconductorul p numit şi substrat.
Conectând grila la o tensiune UGS pozitivă faţă de sursă se creează un câmp electric
care conduce la inversarea naturii sarcinilor electrice în semiconductorul p prin migrarea
electronilor care sunt sarcini negative către zona grilei, formând aici o zonă cu excedent de
electroni care va constitui canalul. În cazul existenţei unei tensiuni între drenă şi sursă UDS cu
polul pozitiv al acesteia la terminalul drenă electronii vor fi orientaţi în mişcare datorită
45
câmpului electric creat prin această tensiune. Se obţine astfel un curent ID numit curent de
drenă.
Pentru UGS = 0 rezultă un curent ID = 0 şi care va creşte cu cât creşte tensiune UGS
până la o valoare la care rămâne practic constant numită valoare de saturaţie a curentului.
Deci prin intermediul tensiunii de grilă UGS se poate controla valoarea curentului de drenă ID.
Substratul se conectează intern prin intermediul unui terminal intern la sursa S.
Datorită acestui principiu funcţional şi constructiv un MOSFET se caracterizează
printr-o impedanţă de intrare (a circuitului grilă – sursă) foarte mare (>1010Ω).
Sursa împreună cu substratul S0 se leagă la masă şi prin structura tranzistorului va
exista o circulaţie de curent dacă tensiunile UGS şi UDS sunt pozitive ceea ce are ca efect
realizarea canalului şi existenţa unui câmp electric care să orienteze mişcarea purtătorilor de
sarcină.
Dacă UGS < Up unde Up este tensiunea de prag nu se realizează inversia purtătorilor de
sarcină care de fapt creează canalul pe toată suprafaţa substratului dintre cele două joncţiuni şi
deci acest canal nu se va extinde între cele două joncţiuni.
La valori mici ale lui UDS canalul este extins între cele două joncţiuni dacă UGS > Up si
curentul ID prin canal creşte aproape proporţional cu valoarea tensiunii UDS obţinându-se o
caracteristică liniară de funcţionare în acest domeniu.
La valori mari ale lui UDS canalul fiind extins între cele două joncţiuni datorită
extinderii regiunilor de trecere ale celor două joncţiuni curentul de drenă rămâne practic
constant (ID = ct.). Tensiunea de la care se extinde canalul între cele două regiuni de trecere se
numeşte tensiune de drenă de saturaţie
5.2. Regimul static al tranzistorului cu efect de câmp MOSFET

Regimul static al MOSFET este caracterizat de variaţii neînsemnate ale curentului de
dI D
drenă în timp: I D ≅ ct sau ≅ 0.
dt
Ca şi în cazul tranzistorului bipolar şi pentru tranzistorul cu efect de câmp regimul
static este definit de două familii de caracteristici:
regiune de
regiune nesaturată saturaţie regiune de străpungere
- caracteristici de III
ID II UGS3
ieşire sau
I
caracteristici de UGS2
drenă, I D = f (U DS ) U GS = ct
reprezentate de
UGS1
graficul şi
respectiv ecuaţia
UDS
din fig.5.2.:
Fig.5.2. Caracteristici de ieşire
- caracteristici de UDS2
transfer sau ID UDS3 UDS1
caracteristici de
grilă, I D = f (U GS ) U DS = ct
reprezentate de
graficul şi
respectiv ecuaţia
din fig.5.3.: UGS
Fig.5.3. Caracteristici de transfer
46
Pe caracteristica de ieşire se disting trei zone:
¾ zona corespunzătoare regiunii nesaturată corespunde proporţionalităţii dintre curentul
de drenă ID şi tensiunea drenă – sursă UDS pentru UDS având valori mici, este zona
corespunzătoare formării canalului;
¾ zona corespunzătoare regiunii de saturaţie corespunde unui curent de drenă constant
pentru UDS având valori mari. Funcţionarea tranzistorului în această zonă are loc dacă
tensiunea de drenă UDS depăşeşte valoarea tensiunii de drenă de saturaţie UDSS
(U DS > U DSS ) . Valoarea constantă a curentului de drenă în această zonă este dată de
relaţia:
(
I DS = K ⋅ U GS − U p )2 (5.1)
¾ zona corespunzătoare regiunii de străpungere este zona la care se poate ajunge atunci
când tensiunea drenă – sursă UDS depăşeşte o valoare maxim admisibilă.
Pentru polarizarea tranzistorilor cu efect de câmp MOSFET sunt utilizate două principii
prezentate în fig.5.4.a şi fig.5.4.b
+ED +ED
R1 RD R1 ID dreapta de sarcină
CD CD ED
ID ID RD
CG CG A UGS0
ID0
UDS UDS
UGS UGS UDS

R2 R2 CS
RS UDS0 ED
a) b) c)
Fig.5.4. Polarizarea MOSFET, într-un etaj de amplificare
Capacităţile CG şi CD sunt capacităţi de cuplaj cu sursa de semnal respective cu sarcină
etajului de amplificare cu MOSFET iar polarizarea este realizată prin grupul rezistiv R1, R2.
Tensiunea de polarizare a grilei corespunzătoare schemei din fig.5 4.a rezultă prin aplicarea
relaţiei divizorului de tensiune rezultând:
R2
U GS0 = ⋅ ED (5.2)
R1 + R 2
Aplicând teorema II Kirrchhoff pe circuitul drenă – sursă rezultă:
E D = R D ⋅ I D + U DS (5.3)
de unde rezultă expresia curentului de drenă ID, reprezentând şi ecuaţia dreptei de sarcină:
E D U DS
ID = − (5.4)
RD RD
Prin intersecţia dreptei de sarcină cu caracteristica de ieţire corespunzătoare tensiunii
UGS0 şi obţine punctul static de funcţionare A de coordonate (UGS0, IDO, UDS0).
Această schemă de polarizare este specifică pentru MOSFET cu canal indus la care grila
şi drena au potenţiale de aceiaşi polaritate.
47
Pentru MOSFET cu canal iniţial la care tensiunea de grila UGS poate avea atât valori
pozitive cât şi negative se utilizează schema de polarizare din fig.5.4.b. ce permite obţinerea
acestei tensiuni prin utilizarea unei singure surse de alimentare.
Având în vedere căderea de tensiune pe rezistenţa RS şi faptul că I D = I S deoarece
I G = 0 rezultă expresia tensiunii de grilă:
R2
U GS0 = ⋅ E D − R S ⋅ ID (5.5)
R1 + R 2
Nu este necesar ca circuitele de polarizare pentru MOSFET să realizeze şi stabilizarea
termică deoarece la acest tip de tranzistor există o dependenţă slabă a caracteristicilor faţă de
variaţiile de temperatură.
5.3. Regimul dinamic al tranzistorului cu efect de câmp

Regimul dinamic este caracterizat de variaţii pronunţate în raport cu timpul precum şi
cu tensiunile drenă – sursă UDS respectiv grilă – sursă UGS ale curentului de drenă ID. Pe baza
regimului dinamic de funcţionare al tranzistorului cu efect de câmp se determină schema
echivalentă de regim dinamic a acestuia în condiţii de semnal mic.
Pentru aceasta se consideră ecuaţia caracteristicii de transfer a tranzistorului scrisă pe
baza dependenţei dintre curentul de drenă ID şi respectiv tensiunile drenă – sursă UDS şi grilă –
sursă UGS, dată de relaţia funcţională:
I D = f ( U DS , U GS ) (5.6)
Prin derivarea acestei relaţii având în vedere că ID este o funcţie de două variabile se
obţine:
∂f ∂f
dI D = ⋅ dU DS + ⋅ dU GS (5.7)
∂U DS ∂U GS
Dacă se consideră aşa cum s-a menţionat mai sus lucrul la semnal mic, adică pentru
valori mici ale tensiunii UDS, rezultă funcţionarea tranzistorului în regiunea nesaturată
corespunzătoare caracteristicilor liniare şi datorită liniarităţii acestora variaţiile mărimilor
electrice sunt constante pe întreg domeniul astfel că rezultă identităţile:
dU GS = U g
dU DS = U d (5.8)
dI D = I d
Se introduc următoarele notaţii:
∂f ∆I D
gm = = UDS=cons tan t
∂U GS ∆U GS
(5.9)
1 ∂f ∆ID
gd = = = UGS=cons tan t
rd ∂U DS ∆UDS
unde gm reprezintă panta tranzistorului sau transconductanţa, gd reprezintă conductanţa de
drenă iar rd reprezintă rezistenţa dinamică.
Ţinând seama de acestea ecuaţia de funcţionare a tranzistorului cu efect de câmp în
condiţiile lucrului la semnal mic devine:
dI D = g m ⋅ d UGS + g d ⋅ d UDS (5.10)
48
Dacă se consideră regimul dinamic ca o succesiune de regimuri statice adică punctul
static de funcţionare îşi schimbă poziţia din punctul de coordonate (UGSi, UDSi, IDi) într-un alt
punct de coordonate (UGSj, UDSj, IDj) tensiunile pe terminale având variaţiile:
⎧⎪U GS = U GSj − U GSi
⎨ (5.11)
⎪⎩U DS = U DSj − U DSi
şi aceste puncte statice fiind pe caracteristica liniară (gm şi gd constante) se poate integra
relaţia (5.10) rezultând:
1
I d = g m ⋅ U GS + ⋅ U DS (5.12)
rd
IG ID Această relaţie permite circuitului

G Dechivalent al MOSFET – ului pentru semnal mic
şi joasă frecvenţă
Datorită proprietăţilor electroizolante ale
UGS=Ug UDS=Ud stratului de oxid de siliciu (SiO2) grila este practic
rd
izolată faţă de structură iar valoarea curentului de
gmUg grilă (IG = 10-14 … 10-16) A astfel că acest curent
este neglijabil. Pe baza acestei observaţii şi a
S S relaţiei (5.12) schema echivalentă de regim
dinamic a tranzistorului cu efect de câmp este
Fig.5.5. Schema echivalentă de regim prezentată fig.5.5.
dinamic a MOSFET Expresia pantei gm poate fi dedusă având
în vedere legea de variaţie a curentului de drenă
în zona saturată dată de relaţia (5.1) prin derivarea căreia conform primei relaţii din grupul
(5.9) se obţine:
2 ⋅ I DSS ⎛ U ⎞ ⎛ U ⎞
gm = − ⋅ ⎜⎜1 − GS ⎟⎟ = g m 0 ⋅ ⎜⎜1 − GS ⎟⎟ (5.13)
UP ⎝ UP ⎠ ⎝ UP ⎠
unde gm0 reprezintă transconductanţa pentru U GS = 0 .
Prin explicitarea cantităţii 1− U GS U P din relaţia (5.1) se obţine:
1
⎛ U GS ⎞ ⎛ I D ⎞ 2
⎜⎜1 − ⎟=⎜ ⎟ (5.14)
⎝ U P ⎟⎠ ⎜⎝ I DSS ⎟⎠
şi prin înlocuire în relaţia (5.13) se obţine:
1
⎛ I ⎞2
g m = g m 0 ⋅ ⎜⎜ D ⎟⎟ (5.15)
⎝ I DSS ⎠
şi această relaţie evidenţiază dependenţa pantei tranzistorului de curentul prin acesta
Având schema echivalentă şi parametrii dependenţi se poate face analiza comportării
MOSFET – ului în diverse circuite electronice.
49
Cap 6
TRANZISTORUL UNIJONCŢIUNE
6.1. Structură, funcţionare, caracteristici

Tranzistorul unijoncţiune (TUJ) este un dispozitiv electronic de tip semiconductor
realizat dintr-o structură paralelipipedică de Si monocristalin de tip n şi de-a lungul căreia se
difuzează o regiune p formând astfel o joncţiune p – n. De la extremităţile structurii se scot
prin contacte metalice două terminale numite Baza 1 (B1) şi Baza 2 (B2) iar de la regiunea p
difuzată în structură cel de-al treilea terminal numit Emitor (E). Structura tranzistorul
unijoncţiune (TUJ) şi simbolul acestuia şi schema echivalentă a acestuia sunt prezentate în
fig.6.1:
B2 E B2
B2
IB2 rB2
n
l2 E
rB2 UB2B1 T1
E IE
p IB1
l1 T2 rB1
rB1 B1
UEB1
B1 B1
structură simbol schemă echivalentă
Fig.6.1. Tranzistor unijoncţiune structură, simbol şi schema echivalentă
Lungimilor l1 şi respectiv l2 măsurate între joncţiune şi cele două baze le corespund
rezistenţele rB1 şi respectiv rB2 ale structurii paralelipipedice de Si astfel că rezistenţa măsurată
între cele două baze va fi:
rB = rB1 + rB2 (6.1)
Se introduce mărimea adimensională η numită raport intrinsec de divizare al bazei
definit prin raportul:
rB1 r
η= = B1 (6.2)
rB1 + rB2 rB
având valori cuprinse în domeniul η = 0,5 ... 0,8.
Dacă tensiunea interbază UB2B1 este pozitivă (UB2B1 > 0) joncţiune p – n formată între
emitor (E) şi baza 1 (B1) este:
- polarizată invers dacă UEB1 < ∆U;
- polarizată direct dacă UEB1 > ∆U,
unde ∆U reprezintă căderea de tensiune pe rezistenţa rB1, adică:
rB1
∆U = ⋅ U B2B1 = η ⋅ U B2B1 (6.3)
rB
Deci va exista un curent IE în circuitul E – B1 atunci când tensiunea între emitor (E) şi
baza 1 (B1) este:
U EB1 = ∆U + U 0 = U P (6.4)
unde U0 reprezintă tensiunea de deschidere a unei joncţiuni p – n (U0 = 0,6 ... 0,7 V) iar UP se
numeşte tensiune de pisc.
50
Pentru valori UEB1 < UP curentul prin joncţiunea polarizată invers este neînsemnat iar
la atingerea valorii de pisc a acestei tensiuni urmează pe caracteristica statică de funcţionare o
zonă în care odată cu creşterea curentului prin joncţiune scade căderea de tensiune pe aceasta
şi această zonă se numeşte cu rezistenţă dinamică negativă (∆UEB1/∆IE < 0). Acest fenomen se
datorează faptului că odată cu creşterea curentului are loc o injecţie puternică de goluri în
regiunea bazei B1 însoţită de o injecţie puternică de electroni la contactul bazei B1 astfel că
rezistenţa rB1 scade şi odată cu aceasta scade şi tensiunea UEB1 până la o valoare pe
caracteristica statică numită tensiune de vale UV. După punctul determinat de valoarea acestei
tensiuni are loc o creştere pronunţată a curentului de emitor IE pentru o tensiune UEB1 practic
constantă.
Având în vedere IE
principiul funcţional al
tranzistorului
I = f (U EB1 ) U B 2 B1 = ct UB2B1=0
unijoncţiune prezentat E
mai sus caracteristica (6.5) U1B2B1< U2B2B1< U3B2B1
statică a acestuia este
dată de relaţia IV
funcţională (6.5) şi are
forma prezentată în Ip UEB1
fig.6.2. UV UP1 UP2 UP3
Pentru o tensiune
Fig.6.2. Caracteristica statică a tranzistorului unijoncţiune
interbază nulă (UB2B1 =
0) dispozitivul se comportă ca o diodă polarizată direct cu menţiunea că in acest caz căderea
de tensiune este de aproximativ 2 V.
6.2. Aplicaţie TUJ. Oscilatorul de relaxare

Datorită porţiunii cu rezistenţă dinamică negativă pe caracteristica statică principala
aplicaţie a acestui dispozitiv o reprezintă generatoarele de oscilaţii în dinte de ferăstrău numite
şi oscilatoare de relaxare, a căror schemă de principiu este prezentată în fig.6.3.
EB
R RB2
IE
I IB2
IV
UB2B1 EB V deapta de sarcină
IE IB1 R M
UEB1
Ip P UEB1
UC RB1 y UV UP EB
C
Fig.6.3. Oscilator de relaxare cu TUJ

Pentru amorsarea oscilaţiilor este necesară poziţionarea punctului de funcţionare M
determinat de intersecţia dreptei de sarcină cu caracteristica statică pe porţiunea cu rezistenţă
dinamică negativă a caracteristicii adică între punctele P şi V. Ecuaţia dreptei de sarcină se
obţine prin aplicarea teoremei II Kirchhoff pe circuitul emitorului:
51
EB = R ⋅ I + UC (6.5)
astfel că rezultă valorile minime Rmin şi maxime Rmax necesare ale rezistenţei R pentru ca
punctul M să se menţină în zona P – V:
EB − UC EB − UC
R min = ; R max = (6.6)
IP IV
Rezistenţele RB1 şi RB2 sunt utilizate pentru stabilizarea raportului intrinsec de
divizare al bazei cu temperatura. UC=UEB1
Funcţionarea oscilatorului este U
P
descrisă calitativ prin diagrama de
semnale prezentată în fig.6.4.
Condensatorul C se încarcă UV t
datorită curentului I a cărui valoare este tînc tdesc
stabilită de valoarea rezistenţei de limitare T
R, astfel acest curent şi tensiunea UC pe y
condensator sunt:
U
I = B1 t
R
t (6.7)
1 Fig.6.4. Diagrama de semnale a oscilatorului
U C = ⋅ ∫ I ⋅ dt
C 0
Deoarece această tensiune este egală cu tensiunea UEB1 a tranzistorului şi aceasta
creşte în timpul încărcării condensatorului tînc în momentul când este îndeplinită condiţia UEB1
= UP tranzistorul se deschide (joncţiunea polarizată direct) şi condensatorul devine legat in
paralel cu rezistenţa RB1. Tensiunea UC de pe condensator este transferată pe RB1 şi
condensatorul de descarcă într-un timp tdesc după care tensiunea pe acesta va fi egală cu
valoarea de vale a tensiunii emitor – bază 1 astfel că TUJ –ul se blochează din nou, se reia
procesul de încărcare al condensatorului urmată de descărcarea acestuia pe rezistenţa RB1,
fenomenul repetându-se ciclic. Fiecare descărcare a condensatorului pe rezistenţa RB1
determină apariţia unui salt al mărimii de ieşire y al generatorului de oscilaţii. Notând cu tînc
timpul de încărcare al condensatorului şi cu tdesc timpul de descărcare al condensatorului,
perioada T şi frecvenţa f a oscilaţiilor vor fi:
1 1
T = t înc + t desc ; f= = (6.8)
T t înc + t desc
Semnalul de ieşire al unui astfel de generator de oscilaţii poate fi utilizat pentru
realizarea de temporizări sau pentru comanda tiristoarelor.
Determinarea R
constantelor de timp tînc şi tdesc + I I
se va face considerând circuitul UC +
echivalent de încărcare şi EB C C UC RB1
circuitul echivalent de -
descărcare al condensatorului -
prezentate în fig.6.5.
încărcare descărcare
Fig.6.5. Circuitele de încărcare şi descărcare
52
Fenomenele tranzitorii reprezentând procesele de încărcare şi descărcare pentru
dU C
R ⋅C⋅ + UC = EB
dt
(6.9)
dU
R B1 ⋅ C + U C = 0
dt
condensator sunt descrise de ecuaţiile diferenţiale următoare:
Prin rezolvarea primei ecuaţii din ecuaţiile (6.9) în condiţiile:
• pentru momentul iniţial: t = 0 → U C = U V
• pentru momentul final: t = t înc → U C = E B
se obţine valoarea intervalului de timp necesar încărcării condensatorului C:
EB − UV 1
t înc = R ⋅ C ⋅ ln = R ⋅ C ⋅ ln (6.10)
E B ⋅ (1 − η) 1− η
Prin rezolvarea celei de-a doua ecuaţii din ecuaţiile (6.9) în condiţiile:
• pentru momentul iniţial: t = 0 → U C = η ⋅ U B
• pentru momentul final: t = t desc → U C = U V
se obţine valoarea intervalului de timp necesar descărcării condensatorului C:
η⋅ EB
t desc = R 1 ⋅ C ⋅ ln (6.11)
UV
Deoarece t desc << t înc în calculele practice tdesc se poate neglija astfel că frecvenţa
oscilaţiilor va fi:
1 1 1
f= ≅ = (6.12)
t înc + t desc t înc R ⋅ C ⋅ ln 1
1− η
şi depinde de valorile elementelor de circuit R şi C.
53
Cap 7
DISPOZITIVE ELECTRONICE MULTIJONCŢIUNE
7.1. Diacul
Diacul este un dispozitiv semiconductor multijoncţiune format din 5 regiuni
semiconductoare şi 4 joncţiuni a cărui structură şi simbol sunt prezentate în fig.7.1.
p A1 A2
A1 n A2
p
n
p
structură simbol
Fig.7.1. Diacul, structură şi simbol
Diacul este un dispozitiv cu IA
doua borne anod A1 şi anod A2 (un
dipol) realizat pentru a produce pulsuri
de curent necesare la amorsarea unor
IH
dispozitive de comutaţie, cum sunt
I
tiristoarele si triacele. Momentul la care - UB0 B0 UA1A2
apar aceste pulsuri este determinat de UREZ UB0
atingerea tensiunii de amorsare - IB0
Forma caracteristicii statice sunt - IH
prezentate în fig. 7.2. Se observă
neliniaritatea şi simetria caracteristicii;
astfel, cele două borne ale diacului,
numite anozi, sunt perfect echivalente, Fig.7.2. Caracteristica statică a diacului
fapt reflectat şi in simbolul utilizat
pentru dispozitiv. In plus, caracteristica statică a diacului mai prezintă o particularitate: există
regiuni în care panta sa este negativă; aici rezistenţa dinamică definită într-un punct al
caracteristicii prin rd = dU/dI, este negativă şi acesta este elementul cheie în funcţionarea şi
utilizarea diacului.
In primul cadran, caracteristica statică a diacului este specifică dispozitivelor cu
rezistenta dinamică negativă. La creşterea de la 0 a tensiunii sursei de alimentare, dispozitivul
este, deci, blocat, până când tensiunea pe el ajunge aproximativ la valoarea "de intoarcere" a
caracteristicii, când are loc comutaţia în starea de conducţie (amorsarea diacului). Pentru diac,
aceasta valoare "de întoarcere" a caracteristicii poarta numele de tensiune de amorsare sau de
aprindere (breakover voltage in limba engleza), UBO; este, de fapt, corespondenta tensiunii de
vârf de la caracteristica de intrare a tranzistorilor unijoncţiune. Cele mai utilizate valori pentru
tensiunea de amorsare sunt între 30 si 40 V, fiind alese +E
astfel datorită aplicaţiei sale tipice, in circuite alimentate
la 220 Vef. A
După amorsare, tensiunea pe diac rămâne practic R
constanta şi valoarea ei este numită tensiune reziduala, A1 A2 C
UREZ; aceasta este cu ∆U = U B0 − U REZ mai mică decât
C
cea de amorsare. Aceasta diferenţă, cu valoarea tipică de
5 V, este numită tensiune dinamică de amorsare (dynamic
breakover voltage). Pentru ca diacul să rămână în
conducţie este necesar ca valoarea curentului să nu Fig.7.3. Aplicaţia tipică a diacului
54
coboare sub curentul de menţinere IH; acesta este echivalentul curentului de vale de la TUJ.
Aplicaţia tipică a diacului este generarea unor pulsuri de curent pentru comanda tiristoarelor si
triacelor, într-o schemă similară unui oscilator de relaxare. De exemplu in Fig. 2.28 pulsul de
curent, fiind injectat in poarta tiristorului, comanda deschiderea acestuia si astfel se
controleaza comutarea unor curenti de zeci si sute de amperi.
7.2. Tiristorul
7.2.1. Structură, funcţionare
Tiristorul este un dispozitiv semiconductor realizat din trei joncţiuni dispuse în
ordinea p – n – p – n. Cele două regiuni p şi n de la extremităţi sunt puternic dopate şi de la
acestea se scot două terminale numite anod (A) de la semiconductorul de tip p marginal
respectiv catod (C) de la semiconductorul de tip n marginal. De la semiconductorul de tip p
interior care este în contact cu stratul p dinspre catod se scoate cel de-al treilea terminal numit
grilă (G) sau poartă.
Structura, simbolul şi polarizarea tiristorului sunt prezentate în fig.7.4.
J1 J3 Pentru polarizarea
J2
A C C directă (polul pozitiv al sursei
+ - A pe anod şi polul negativ al
p n p n
sursei pe catod) joncţiunile J1 şi
G J3 vor fi polarizate direct dar
G joncţiunea J2 va fi polarizată
invers aşa că prin structură
curentul este practic nul. Pentru
polarizarea inversă fenomenul
este cu atât mai evident cu cât
două joncţiuni (J1 şi J3) vor fi
polarizate invers. Deci cea mai
bună soluţie de a determina
deschiderea (amorsarea)
dispozitivului o constituie
polarizarea directă combinată
cu anularea barierei de
potenţial al joncţiunii J2 care
Fig.7.4. Tiristorul: structură, simbol, polarizare este polarizată invers în acest
caz. Anularea barierei de
potenţial al acestei joncţiuni se poate realiza prin două procedee.
1. prin creşterea tensiunii de polarizare directă dintre anod şi catod (amorsare prin
circuitul anodic). Odată cu creşterea acestei tensiuni apare un câmp electric din ce în
ce mai intens în joncţiune care determină fenomenul de multiplicare în avalanşă al
purtătorilor de sarcină în joncţiunea J2 astfel că la un moment dat se atinge o valoare a
acestei tensiuni numită valoare de autoamorsare pentru care purtătorii de sarcină
străbat bariera de potenţial a joncţiunii şi prin această joncţiune se stabileşte un curent
însemnat ceea ce este echivalent cu polarizarea directă a joncţiunii. Acest tip de
amorsare nu are aplicaţii practice dar poate apare în timpul funcţionării tiristorului şi
pentru a anula acest tip de amorsare se iau măsuri tehnice speciale cum ar fi
conectarea în paralel cu tiristorul a unui grup R – C.
2. prin injectarea unui curent în grila tiristorului (amorsare prin circuitul grilei) de la o
sursă auxiliară numită sursă de grilă SG.
55
Indiferent de metoda utilizată odată adus tiristorul în stare de conducţie (amorsat)
acesta rămâne în această stare, când curentul prin acesta are valoarea maximă şi căderea de
tensiune pe acesta este minimă până când este îndeplinită una din următoarele condiţii:
a. tensiunea anodică UAC devine nulă:
U AC = 0 (7.1)
b. curentul anodic IA scade sub o valoare I0 numită curent de menţinere:
IA < I0 (7.22)
Dacă este îndeplinită una dintre aceste condiţii curentul prin tiristor devine nul şi se
spune că tiristorul este blocat sau stins şi pentru a-l aduce din nou în stare de conducţie se reia
procesul de amorsare.
7.2.2. Amorsarea tiristorului prin circuitul grilei

Deoarece amorsare prin circuitul grilei are utilizări practice se prezintă în continuare
principiul acestei metode prin asimilarea structurii tiristorului cu două tranzistoare
complementare conectate în paralel, conform fig.7.5:
UAC
A C IA T1
IE1=IA IC1 IG
IG
UA IB2=IC1+IG UG
G UG R
IB1=IC2
UA T2
E B C R
A G
p n p
IE2=IA+IG
T1
T2
C
n p n
C B E
Fig.7.5. Explicativă privind amorsarea tiristorului prin circuitul grilei

Pe baza schemei echivalente realizată cu tranzistorii T1 şi T2 se pot scrie următoarele
relaţii:
I E1 = I A
I B1 = I C 2 (7.3)
I E 2 = I A + IG
Pe baza ecuaţiilor de funcţionare ale tranzistorului bipolar şi pe baza relaţiilor (7.3) se poate
scrie:
I C1 = α1 ⋅ I E1 + I CB01 = α1 ⋅ I A + I CB01
I C 2 = α 2 ⋅ I E 2 + I CB02 = α 2 ⋅ (I A + I G ) + I CB02
(7.4)
I E1 = I C1 + I B1 = I C1 + I C 2
I A = α1 ⋅ I A + I CB01 + α 2 ⋅ (I A + I G ) + I CB02
de unde rezultă expresia curentului anodic IA:
56
α 2 ⋅ I G + I CB0
IA = (7.5)
1 − (α1 + α 2 )
unde s-a utilizat notaţia:
I CB0 = I CB01 + I CB02 (7.6)
Se observă din relaţia (7.5) posibilitatea creşterii nelimitate a curentului anodic IA dacă
este îndeplinită condiţia de amorsare:
α1 + α 2 = 1 (7.7)
caz în care numărătorul expresiei devine 0.
Injecţia unui curent IG face să crească curentul în baza lui T2 (IB2 =IC1+IG) deci şi a
curentului în colectorul lui T2 (IC2 = β2 · IB2). Deoarece IC2 = IB1 creşte şi curentul injectat în
baza lui T1 (IB1) şi deci şi a curentului în colectorul lui T1 (IC1 = β1 · IB1). Această creştere a
curentului în baza lui T1 (IB1) determină creşterea în continuare a curentului în colectorul lui
T2 (IC2 = IB1). Fenomenul este cumulativ şi efectul final al acestuia este creşterea curentului în
colectorul lui T2 şi de asemenea creşterea şi a curentului în emitorul lui T2 (IE2 = IB2 + IC2).
Deoarece curentul anodic IA este dependent de curentul din emitorul lui T2 (IA = IE2 - IG)
rezultă o creştere corespunzătoare a curentului prin structura care modelează structura
tiristorului astfel încât acesta într-un timp rapid (câteva microsecunde) trece în stare de
conducţie. Fenomenul poate determina o creştere nelimitată a curentului anodic IA dacă nu se
iau măsuri de limitare a acestuia respectiv conectarea rezistenţei R în serie cu tiristorul. Odată
realizat fenomenul de amorsare curentul de grilă poate deveni nul şi tiristorul rămâne în
conducţie până la realizarea unei din cele două condiţii de stingere a acestuia astfel că pentru
aducerea în stare de conducţie a tiristorului este aplicarea unui impuls de curent pe grilă având
durata necesară (câteva microsecunde) de amorsare a tiristorului.
Caracteristica statică a acestui dispozitiv electronic împreună cu forma grafică a
acesteia sunt prezentate în figura următoare în care UAC0 reprezintă tensiunea de
autoamorsare:
IA
IG1 > IG2 > IG3 I A = f (U AC ) I G =ct .

I0
IG = 0
UAC
UAC0
Se observă că odată cu creşterea valorii curentului de grilă IG tensiunea anod – catod
UAC necesară amorsării tiristorului poate fi din ce în ce mai mică.
Principala aplicaţie a acestui dispozitiv o reprezintă realizarea circuitelor de redresare
comandate caz în care stingerea se face în mod natural la trecerea prin zero a tensiunii
alternative supuse redresării iar amorsarea se face prin impulsuri aplicate pe grilă.
57
Cap. 8.
DISPOZITIVE SEMICONDUCTOARE SPECIALE ŞI OPTOELECTRONICE
8.1. Dispozitive semiconductoare speciale

Dispozitivele semiconductoare speciale sunt dispozitive electronice realizate fie din
pulberi metalice fie din semiconductori de tip intrinsec dar a căror funcţionare se bazează tot
pe principiul joncţiunilor p – n. Din categoria acestor dispozitive fac parte: termistorul,
varistorul şi generatorul Hall.
Termistorul este un dispozitiv semiconductor realizat din pulberi de oxizi metalici
prin sinterizare (presare la cald) astfel încât fiecare particulă constituie o regiune de tip
semiconductor. Între totalitatea particulelor ce formează structura dispozitivului se formează o
mulţime de joncţiuni având o conexiune mixtă serie – paralel.
Proprietatea de bază a acestui dispozitiv
Simbolul termistorului este sensibilitatea pe care o are faţă de
to variaţiile de temperatură evidenţiată
prin variaţia rezistenţei acestuia cu variaţiile de temperatură. În funcţie de sensul de variaţie al
rezistenţei cu temperatura termistoarele pot fi:
- cu coeficient pozitiv de temperatură (PTC) la care rezistenţa creşte cu creşterea
temperaturii,
- cu coeficient negativ de temperatură (NTC) la care rezistenţa scade cu creşterea
temperaturii.
Dintre cele două categorii cele mai utilizate sunt cele cu coeficient negativ de
temperatură la care variaţia rezistenţei cu temperatura este dată de o lege neliniară
(exponenţial descrescătoare)
R având expresia R = f(t) şi forma
RN grafică conform fig.8.1. unde
⎛1 1 ⎞
RN reprezintă rezistenţa
B⎜⎜ − ⎟⎟ nominală a termistorului
T TN ⎠
R = RN ⋅e ⎝ măsurată la temperatura
t nominală TN care de regulă este
temperatura corespunzătoare
o
valorii de 0 C iar B este o
Fig.8.1. Caracteristica de temperatură a termistorului
constantă de material. În relaţia
corespunzătoare rezistenţei termistorului este utilizată temperatura absolută T (măsurată în
grade Kelvin), între aceasta şi temperatura relativă (măsurată în grade Celsius) existând
relaţia:
T [ K ]= t [ C] + 273,15
o o
(8.1)
Pentru determinarea caracteristicii statice a termistorului se consideră circuitul din
fig.8.2. în care se măsoară căderea de tensiune pe termistor U şi curentul I ce se stabileşte prin
acesta. Până în punctul A pe caracteristică statică termistorul se comportă ca o rezistenţă
electrică astfel că tensiunea U
U I este proporţională cu curentul I
I (porţiunea de caracteristică este o
t o
A dreaptă). După punctul A
E datorită fenomenului de
U autoîncălzire al termistorului
(puterea electrică disipată pe
Fig.8.2. Caracteristica statică a termistorului acesta se transformă în căldură
prin efect Joule – Lentz)
58
rezistenţa începe să scadă astfel că scade căderea de tensiune pe acesta concomitent cu
creşterea curentului. Fenomenul este cumulativ şi poate conduce la distrugerea dispozitivului
dacă nu se iau măsuri de limitare a curentului fie prin menţinerea acestuia astfel încât în
timpul funcţionării să nu se atingă punctul A fie prin conectarea în serie cu acesta a unei
rezistenţe de limitare a curentului.
Datorită proprietăţii de variaţie a rezistenţei electrice cu temperatura principala
aplicaţie a acestui dispozitiv este aceea de senzor de temperatură.
Varistorul este ca şi termistorul realizat din pulberi de oxizi metalici prin sinterizare
astfel încât fiecare particulă constituie o regiune de tip semiconductor.
Proprietatea de bază a acestui
Simbolul varistorului dispozitiv este sensibilitatea pe care o
U are faţă de variaţiile de tensiune
evidenţiată prin variaţia rezistenţei
acestuia cu variaţiile de tensiune electrică. Rezistenţa electrică a dispozitivului scade ca şi la
termistor după o lege exponenţială odată cu creşterea tensiunii la bornele acestuia.
Caracteristica de variaţie a rezistenţei cu tensiunea se manifestă atât în cadranul I (polarizare
directă) cât şi în cadranul III (polarizare inversă) şi de asemenea caracteristica statică este
reprezentată în cele două cadrane. Reprezentările grafice ale celor două caracteristici sunt
prezentate în fig.8.3.
Datorită proprietăţii
R I de variaţie a rezistenţei
electrice cu tensiunea
principala aplicaţie este
U U aceea de element de
protecţie la supratensiuni
pentru alte dispozitive sau
circuite electronice. Este
utilizat de exemplu ca
Fig.8.3. Caracteristicile varistorului element de protecţie faţă de
descărcările atmosferice
pentru echipamente de telefonie fixă.
Generatorul Hall este un dispozitiv semiconductor realizat dintr-o structură
semiconductoare de tip n de formă paralelipipedică. De-a lungul acestui semiconductor (între
cele două feţe frontale) curge un curent constant I furnizat de o sursă E şi dacă între două feţe
opuse se aplică un câmp magnetic de inducţie B perpendicular pe acestea între celelalte două
feţe ale structurii este generată o tensiune electrică numită tensiune Hall UH.
Explicaţia generării acestei
tensiuni este dată de acumularea
d
sarcinilor electrice adică a purtătorilor
I majoritari care în cazul
UH
semiconductorului de tip n sunt
E electronii către una din feţele structurii
ca urmare a interacţiunii dintre câmp
B magnetic de inducţie B şi curentul
electric I. Interacţiunea dintre cele două mărimi dă naştere unei forţe de tip Lorentz care va
“împinge” electronii către una din feţe în conformitate cu sensul forţei Lorentz (dat de regula
mâinii stângi). Valoarea tensiunii Hall, UH generate este dată de relaţia:
unde kH reprezintă o constantă de material numită constantă Hall iar d
B⋅I
UH = kH ⋅ reprezintă grosimea semiconductorului.
d
59
Principala aplicaţie a acestui dispozitiv semiconductor o constituie senzorul de câmp
magnetic dar se poate utiliza şi pentru sesizarea altor mărimi fizice care generează un astfel de
câmp magnetic cum ar fi de exemplu un curent variabil printr-un conductor.
8.2. Dispozitive optoelectronice

Funcţionarea acestor dispozitive electronice se bazează pe relaţia dintre proprietăţile
unei joncţiuni p – n şi un flux situat în spectrul vizibil sau în infraroşu şi se clasifică în funcţie
de această relaţie de şi principiul de funcţionare în:
- dispozitive fotoreceptoare la care proprietăţile joncţiunii sunt influenţate de un flux
situat în spectrul vizibil sau în infraroşu aplicat acesteia,
- dispozitive fotoemiţătoare la care prin trecerea curentului prin joncţiune este generat
un flux situat în spectrul vizibil sau în infraroşu.
Fotorezistenţa este un dispozitiv fotoreceptor format din pulberi semiconductoare
depuse pe un strat de sticlă şi care sub influenţa unui fascicul luminos îşi modifică rezistenţa
electrică. Acest dispozitiv are faţă de fotodiodă avantajul unei caracteristici liniare de
funcţionare.
Simbolul caracteristica de funcţionare şi caracteristica statică sunt prezentate în
fig.8.4.
R I[mA] Φ1 > Φ 2 > Φ 3
Φ R0
Φ1 Φ2
Φ3
R Φ U[V]
Fig.8.4. Fotorezistenţa: simbol caracteristica funcţională şi caracteristica statică

Fotodioda este un dispozitiv fotoreceptor realizat dintr-o joncţiune p – n. La
polarizarea inversă a acestui dispozitiv curentul ce se stabileşte prin joncţiune este neînsemnat
(se numeşte curent de întuneric) dar dacă asupra joncţiunii se focalizează un flux luminos sau
un flux în infraroşu are loc un fenomen de generare a perechilor electron-gol ceea ce
determină creşterea pronunţată a curentului invers, fenomen echivalent cu deschiderea
joncţiunii pentru curentul electric.
Acelaşi dispozitiv poate funcţiona fără alimentare externă când generează tensiune
electrică, şi deci curent într-un circuit închis. O astfel de funcţionare este specifică
dispozitivului denumit celulă solară.
Structura, simbolul, circuitul pentru determinarea caracteristicii statice precum şi
reprezentarea grafică a familiei de caracteristici statice sunt prezentate în fig.8.5.
I Φ1 Φ2
Φ3
Φ
A C A C U
p n I
j
U R celulă
A C solară
fotodiodă
I = f (U ) Φ = ct
Fig.8.5. Fotodioda: structură, simbol, caracteristica statică
60
Chiar şi în lipsa luminii prin circuitul din fig.8.5. circulă un curent ce reprezintă
curentul invers Ii al joncţiunii numit şi curent de întuneric, dependent şu de temperatură. În
prezenţa fluxului luminos apare o generare suplimentară de electroni deci un curent
suplimentar IL astfel că rezultă un curent invers data de relaţia:
I = Ii + I L (8.1)
Caracteristica statică prezentată în fig.8.5. poate fi descrisă de o expresie de forma:
⎛ U ⎞
I = I i ⋅ e − 1⎟ − I L
⎜ UT
(8.2)
⎜ ⎟
I[mA] ⎝ ⎠
1 O caracteristică importantă a
fotodiodei o reprezintă caracteristica
0,8 spectrală (fig.8.6) care indică
0,6 răspunsul relativ al fotodiodei funcţie
0,4 de lungimea de undă (λ) al radiaţiei
luminoase. Maximul sensibilităţii este
0,2 plasat în domeniul lungimilor de undă
λ[mm]
specifice radiaţiilor roşu şi infraroşu
600 700 800 900 1000
Fig.8.6. Caracteristica spectrală
Fototranzistorul este un dispozitiv fotoreceptor constituit dintr-un tranzistor bipolar

cu structură n – p – n realizat astfel încât la nivelul joncţiunii emitorului se transmite un
fascicul luminos sau un flux în infraroşu focalizat ce îndeplineşte rolul de comandă al
curentului de bază la un tranzistor bipolar obişnuit. De cele mai multe ori terminalul bază nu
este accesibil rolul acestuia fiind preluat de fasciculul luminos. Spre deosebire de fotodiodă,
fototranzistorul are sensibilitatea (∆IC/∆Φ) mult mai ridicată. Acesta este străbătut de un
curent de întuneric:
I CE 0 = (β + 1) ⋅ I CB0 (8.3)
corespunzător conexiunii emitor comun şi unui curent de bază nul
Structura, simbolul şi reprezentarea grafică a familiei de caracteristici statice de ieşire
sunt prezentate în figura următoare:
IC Φ3
Φ C
Φ2
E C Φ
p n p
Φ1
jE
E UCE
B
I C = f (U CE ) Φ=ct
Fig.8.7. Fototranzistorul: structură, simbol, caracteristica statică

Toate elementele fotoreceptoare sunt utilizate în special ca senzori pentru radiaţii
luminoase sau în infraroşu.
61
Fotoelementul este un dispozitiv optoelectronic ce realizează conversia energiei
luminoase în energie electrică. Constructiv acest dispozitiv este similar unei fotodiode
deosebirea fiind dată de aria regiunilor semiconductoare mult mai mare astfel încât să ofere o
suprafaţă mai mare de iluminare şi deci energie electrică crescută. Dacă suprafaţa este sub 1
cm2 sunt denumite celule fotovoltaice iar pentru suprafeţe mai mari sunt denumite celule
solare.
Apariţia unei tensiuni electromotoare E la o joncţiune p – n fără sarcină se deduce şi
din graficul din fig.8.5. Din relaţia (8.2) pentru un curent nul (I = 0 ) se obţine expresia
tensiunii electromotoare generate:
U[V] ⎛ I ⎞
I[mA] E = U = U T ⋅ ln⎜⎜1 + L ⎟⎟ (8.4)
⎝ Ii ⎠
U=f(Φ)
Caracteristicile principale
ale fotoelementului şi simbolul
acestuia sunt prezentate în fig.8.8
I=f(Φ)
Φ[lx]
Fig.8.8. Fotoelementul: simbol, caracteristică
Dioda LED (Light Emitting Diode)

Dioda LED este un dispozitiv fotoemiţător realizat dintr-o joncţiune p – n, polarizată
direct, cu regiunile semiconductoare formate din săruri de galiu (GaAs, GaAsP) cu
proprietatea că la stabilirea unui curent prin joncţiune de 10 ... 20 mA recombinarea
purtătorilor de sarcină la nivelul joncţiunii se face prin generarea de fotoni. Această generarea
de fotoni înseamnă formarea unei radiaţii cu lungimea
Φ de undă situată atât în spectru vizibil (roşu, galben,
Simbol diodă LED A C portocaliu, verde sau albastru) cât şi în spectrul
invizibil (infraroşu).
a Datorită consumului redus de energie, faptului
că lumina generată este rece acest dispozitiv este utilizat în special
f ca element de semnalizare.
b
g O combinaţie de 8 diode LED aranjate conform figurii
următoare numită celulă de afişaj cu 7 segmente sau digit este
utilizată pentru afişarea cifrelor 0 ... 9 ale sistemului zecimal de
e c numeraţie. Afişarea cifrei se face prin selecţia cu circuite
PZ electronice specializate a segmentelor a ... g corespunzătoare iar cea
d de-a 8-a diodă LED este utilizată pentru eventuala afişare a
Fig.8.9. Celula de afişaj
anod comun catod comun
7 x LED
7 x LED
a b c d e f g h a b c d e f g h
Fig.8.10. Structura celulelor de afişaj cu anod comun respectiv cu catod comun
62
punctului zecimal, PZ.
În cazul celulei de afişaj cu anod comun acesta se va conecta la polul pozitiv al sursei
de alimentare iar selecţia LED – urilor corespunzătoare afişării cifrelor se face prin conectarea
catozilor acestora la masa electrică a circuitului. În cazul celulei de afişaj cu catod comun
acesta se va conecta la masa electrică a circuitului polul pozitiv al sursei de alimentare iar
selecţia LED – urilor corespunzătoare afişării cifrelor se face prin conectarea anozilor
acestora la polul pozitiv al sursei de alimentare.
Φ Ca şi în cazul LED – urilor utilizate ca elemente
ILED R A de semnalizare şi în cazul celor montate în structura
C
celulelor de afişaj este necesară limitarea curentului.
Aceasta se realizează prin conectarea în serie cu fiecare
U ULED LED a unei rezistenţe de limitare R a cărei valoare se
calculează conform fig.8.11
Considerând curentul nominal al unui LED care
Fig.8.11. Limitarea curentului
se poate considera I LED = 15 mA şi o tensiune nominală
a LED – ului care de asemenea se poate considera U LED = 1,2 V , prin aplicarea teoremei II
Kirchhoff U = R ⋅ I LED + U LED rezultă:
U − U LED
R= (8.5)
I LED
Optocuplorul este un dispozitiv electronic realizat printr-o combinaţie dintre un
element fotoemiţător care poate fi o diodă LED şi un element fotoreceptor care poate fi o
fotodiodă FD sau un fototranzistor FT.
I La trecerea curentului I având valoarea
IC corespunzătoare prin dioda LED aceasta va emite un flux
necesar pentru a deschide fototranzistorul FT care trece în
LED starea de conducţie şi prin acesta se stabileşte un curent IC
FT
reprezentând curentul de colector ala cestuia.
Funcţionarea aceasta corespunde funcţionării ca releu
optic a optocuplorului care asigură o izolare galvanică
perfectă între două circuite electrice. Deoarece intensitatea curentului prin LED determină
intensitatea fluxului Φ emis de acesta iar curentul de colector este dependent de intensitatea
fluxului aplicat joncţiunii emitorului rezultă posibilitatea comenzii fototranzistorului prin
intermediul curentului prin LED acesta fiind principiul transmisiei informaţiei sub formă de
flux printr-un canal de comunicaţie special numit fibră optică.
63

Dispozitive Si Circuite Electronice

Încărcat de

Informații document

Titlu original

Drepturi de autor

Formate disponibile

Partajați acest document

Partajați sau inserați document

Opțiuni de partajare

Vi se pare util acest document?

Este necorespunzător acest conținut?

Drepturi de autor:

Formate disponibile

Dispozitive Si Circuite Electronice

Încărcat de

Drepturi de autor:

Formate disponibile

UNIVERSITATEA DIN PETROȘANI

Departamentul Automatică, Calculatoare, Inginerie Electrica și Energetică

DISPOZITIVE SI CIRCUITE ELECTRONICE

Definiţie. Electronica este un domeniu al ştiinţei şi tehnicii ce se ocupă cu studiul

Def. Elementul de circuit este o parte sau un subansamblu dintr-un circuit ce

Sursa de tensiune este elementul de circuit cu I0 I

Fig.1.4. Aplicaţii ale rezistorului

2.1 Nivele, benzi de energie şi purtători de sarcină în corpuri cristaline

Fig.2.1. Benzi energetice în semiconductori intrinseci

Fig.2.2. Semiconductorul de tip “n”

Fig.2.3. Semiconductorul de tip “p”

2.2. Joncţiunea p – n. polarizarea joncţiunii

Fig.2.5. Potenţialul electric al joncţiunii p – n

Fig.2.6. Distribuţia potenţialului în joncţiuni polarizate

3.1. Dioda semiconductoare cu joncţiune

3.2. Dioda Zener

4.1. Structură şi funcţionare

Fig.4.1. Structura, diagrama de potenţial şi simbolul tranzistorului bipolar

4.2. Ecuaţiile de funcţionare ale tranzistorului bipolar

Prin gruparea variabilelor şi împărţire cu (1 − α ) a celei de-a doua ecuaţii se obţine

4.3. Regimul static de funcţionare al tranzistorului bipolar

Conexiunea emitor – comun Conexiunea bază – comună Conexiunea colector – comun

Fig.4.3. Conexiuni tipice ale tranzistorului

a) Pentru conexiunea BC IE UCBn UCB1 caracteristica de intrare

4.4 Regimul dinamic de funcţionare al tranzistorului

4.5. Limitări în funcţionarea tranzistorului

Fig.4.9. Definirea domeniului admisibil de funcţionare (a) şi alegerea punctului static de

4.6.2. Polarizarea independentă

4.6.3. Polarizarea cu reacţie din colector

UBE 4.6.4. Polarizarea cu reacţie din emitor

4.6.5. Polarizarea automată

4.7. Metode neliniare de polarizare şi stabilizare

Fig.4.16. Polarizarea şi stabilizarea cu diodă semiconductoare

În cazul schemei din fig.4.16.a. rezistenţa R2 din schema de polarizare automată se

Fig.4.18. Polarizarea şi stabilizarea cu termistor

4.8. Analiza unui amplificator elementar cu un tranzistor

unde RB este rezistenţa echivalentă a rezistenţelor R1 şi R2 conectate în paralel adică:

Având în vedere rezistenţa internă a sursei de curent adică RβIB rezultă:

5.1. Structură şi funcţionare

5.2. Regimul static al tranzistorului cu efect de câmp MOSFET

UGS UGS UDS

5.3. Regimul dinamic al tranzistorului cu efect de câmp

IG ID Această relaţie permite circuitului

6.1. Structură, funcţionare, caracteristici

6.2. Aplicaţie TUJ. Oscilatorul de relaxare

Fig.6.3. Oscilator de relaxare cu TUJ

Fig.6.5. Circuitele de încărcare şi descărcare

7.2.2. Amorsarea tiristorului prin circuitul grilei

Fig.7.5. Explicativă privind amorsarea tiristorului prin circuitul grilei

IG1 > IG2 > IG3 I A = f (U AC ) I G =ct .

8.1. Dispozitive semiconductoare speciale

8.2. Dispozitive optoelectronice

Fig.8.4. Fotorezistenţa: simbol caracteristica funcţională şi caracteristica statică

Fig.8.6. Caracteristica spectrală

Fototranzistorul este un dispozitiv fotoreceptor constituit dintr-un tranzistor bipolar

Fig.8.7. Fototranzistorul: structură, simbol, caracteristica statică

Fig.8.8. Fotoelementul: simbol, caracteristică

Dioda LED (Light Emitting Diode)

Fig.8.10. Structura celulelor de afişaj cu anod comun respectiv cu catod comun

S-ar putea să vă placă și