2.

ELEMENTE ELECTRONICE DE PUTERE, UTILIZATE ÎN ACŢIONĂRI ELECTRICE 60

2.2 Tranzistoare şi exemple simplificate de aplicaţii ale lor

2.2.1 Caracteristica şi clasificarea generală a tranzistoarelor

Tranzistoarele constituie cele mai răspândite elemente semiconductoare cu 2

joncţiuni p-n, care stau la baza multor dispozitive electronice complexe, atât de
putere mică (microelectronică), cât şi de putere mare (electronica de putere),
deoarece posedă un număr mai mare de proprietăţi (funcţii), faţă de diode şi
tiristoare. În particular:
 Diodele clasice, descrise în punctul precedent, au la bază un regim discret de
comutaţie şi funcţionare cu rezistenţă interioară Ri→∞ - în stare blocată şi Ri≈0 -
în stare de conducţie, pe când tranzistoarele pot asigura orice regim de funcţionare,
atât discret, cât şi analogic (continuu şi reglabil) cu o rezistenţă interioară reglabilă
0≤Ri≤∞, adică sunt universale în raport cu regimurile principale de funcţionare;
 În regim continuu tranzistoarele pot amplifica curentul circuitului de intrare;
 Diodele clasice sunt elemente necomandate, pe când tranzistoarele pot fi
complet comandate, adică pot închise, sau deschise în orice moment de timp sub
acţiunea unei semnal exterior, aplicat la electrodul de comandă;
 Frecvenţa de comutaţie (rapiditatea) tranzistoarelor este mai mare decât cea
a diodelor, deoarece se blochează prin electrodul de comandă şi nu tensiunea UAK;
 Tranzistoarele posedă aceeaşi funcţie de conducţie unilaterală a curentului,
adică într-o singură direcţie, la fel ca şi diodele şi tiristoarele.
 Tranzistoarele însă cedează tiristoarelor numai în raport cu tensiunea
maximă admisibilă şi curentul maxim admisibil.
Există mai multe tipuri de tranzistoare, de aceea ele se clasifică după anumite
criterii. După curentul nominal şi după frecvenţa de funcţionare tranzistoarele se
clasifică la fel ca şi diodele - în 3 grupe (mici, medii şi mari). După structura
interioară şi principiul de funcţionare tranzistoarele pot fi grupate în 3 grupe:
1) Tranzistoare Bipolare (TB) (cu 2 tipuri de sarcini libere de
conductibilitate pozitivă (goluri) şi negativă (electroni));
2) Tranzistoare unipolare (cu un singur tip de sarcini libere, precum şi cu
efect de câmp TEC (FET), MOSFET);
3) Tranzistoare hibride (intrare unipolară şi ieşire bipolară, sau
tranzistoare bipolare cu grilă izolată IGBT).
Tranzistoarele bipolare (TB) permit curenţi şi tensiuni mai mari, însă sunt
comandate prin curent, servesc ca surse de curent, de aceea necesită un consum
relativ mare de energie electrică. Tranzistoarele unipolare se comandă prin
tensiune (câmp), de aceea necesită un consum de energie mult mai mic, iar ca
urmare – o alimentate de la baterii mici. Aceste tranzistoare asigură o frecvenţă de
comutaţie mai înaltă, însă puterea lor maximă este limitată.
Tranzistoarele hibride IGBT îmbină avantajele ambelor grupe şi exclud
dezavantajele, de aceea se folosesc mai mult în electronica de putere (de curenţi
mari). În acest caz tranzistoarele trebuie să aibă rezistenţe şi pierderi interioare cât
mai mici, ceea ce este posibil în regim discret de chei (comutaţii), când
concentraţia sarcinilor libere din zonele principale p-n este maximă.
2.ELEMENTE ELECTRONICE DE PUTERE, UTILIZATE ÎN ACŢIONĂRI ELECTRICE 61
2.2.2 Tranzistoare bipolare

2.2.2.1 Scheme structurale

Aceste tranzistoare au 3 zone consecutive de conductibilitate pozitivă (p) şi

negativă (n), fiind realizate în 2 variante identice: n-p-n, sau p-n-p (fig.2.2.1).
Fiecare zonă are electrodul său de conexiuni exterioare: zonele marginale se
numesc EMITOR (E) şi COLECTOR (C), iar zona de mijloc – BAZĂ (B).

Fig. 2.2.1.Structura zonală interioară, parametrii şi notaţiile tranzistoarelor bipolare

Denumirile electrozilor de conexiuni exterioare provin de la destinaţia lor. În

particular, Emitorul are funcţia de emitere (livrare, injectare) a purtătorilor de
sarcină (golurilor, sau electronilor liberi), iar Colectorul asigură colectarea
(acumularea) acestor purtători şi transmiterea lor mai departe în circuitul exterior.
Funcţia Bazei constă în dirijarea (comanda şi reglarea) procesului de transmitere a
acestor purtători de sarcină de la Emitor spre Colector, iar apoi spre exterior.
În schemele electrice ambele variante de conductibilitate ale TB se notează
identic, evidenţiind Emitorul prin săgeată, direcţia căreia indică direcţia curentului,
care coincide cu cea a sarcinilor pozitive (golurilor). Dacă săgeata Emitorului este
îndreptată dinspre Bază spre exterior, atunci acest tranzistor este n–p–n, care se
deschide printr-o tensiune pozitivă la Bază în raport cu Emitorul şi care asigură un
curent pozitiv IBE>0. Dacă săgeata Emitorului este îndreptată invers (din exterior
spre Bază), atunci tranzistorul este de tip p–n–p, care se deschide cu o tensiune
negativă la Bază, care condiţionează un curent IBE<0 (fig.2.2.1).
2.ELEMENTE ELECTRONICE DE PUTERE, UTILIZATE ÎN ACŢIONĂRI ELECTRICE 62
Aşadar, cele 3 zone de conductibilitate ale tranzistoarelor bipolare alcătuiesc 2
joncţiuni p-n: joncţiunea Bază-Emitor (BE) şi joncţiunea Bază-Colector (BC),
ceea ce permitea reprezentarea lor simbolică prin 2 diode p-n, conectate paralel (în
raport cu Baza B) şi în serie, cu sensuri opuse ale curentului (în raport cu Emitorul
şi Colectorul) (fig.2.2.2). Însă în cazul TB aceste diode sunt nişte diode speciale,
care se deosebesc de cele tradiţionale, descrise în punctul precedent, prin 2
particularităţi principale:
1) zona de mijloc are o grosime relativă mult mai
mică, faţă de zonele marginale (lăţimea ei în figura
precedentă nu este întâmplătoare);
2) zona de mijloc este dopată cu impurităţi de o
concentraţie mult mai mică a sarcinilor libere
majoritare p, sau n, faţă de zonele marginale;
Fig.2.2.2. Reprezentarea TB prin 2 diode BE şi BC

Diodele speciale, spre deosebire de diodele de putere, pot funcţiona la curenţi şi

tensiuni foarte mici. În aceste cazuri ele pot trece lin din regimul de blocare în
regimul liniar de saturaţie, trecând
printr-un regim intermediar
neliniar (activ) (fig.2.2.3).
Pentru dioda 1N4005, de
exemplu, acest regim are loc când
UP(0,6-0,7V)<UAK<USAT(1,5V).
În regim de saturaţie, când
UAK>USAT, căderea de tensiune pe
diodă IDRI este minimă, iar în
regim activ este mai mare.
Această cădere determină, la
rândul ei, pierderile interioare şi
încălzirea diodei.

Fig.2.2.3. Caracteristica reală ID(UAK) a diodei 1N4005

Regimuri asemănătoare pot avea loc şi în cele 2 diode convenţionale (joncţiuni)
ale tranzistoarelor bipolare. Fiecare joncţiune (diodă) BE şi BC, necesită o tensiune
exterioară de alimentare şi polarizare. În figura 2.2.4 este arătată polaritatea tipică
a acestor 2 tensiuni de polarizare pentru tranzistorul n-p-n. În acest caz tensiunea
primei joncţiuni (diode) UBE (VBE) este directă UBE>0 („+” la Baza p şi „-„ la
Emitorul n), iar tensiunea diodei BC este inversă UCE<0 („+” la Colectorul n şi „-
„ la Baza p şi Emitorul n). În serie cu aceste tensiuni sunt conectare câte o
rezistenţă RB şi RC de limitare a curenţilor IB şi IC. Prima tensiune de alimentare
UBB şi joncţiune BE alcătuiesc circuitul de intrare, iar a doua tensiune UCC şi
joncţiune CE– circuitul de ieşire. Această schemă se numeşte schemă cu Emitor
comun, deoarece Emitorul este comun pentru ambele circuite.
La tranzistoarele p-n-p polaritatea tensiunilor de alimentare şi polarizare este
inversă. Ca urmare, ele pot fi deschise cu semnale negative la Bază.
2.ELEMENTE ELECTRONICE DE PUTERE, UTILIZATE ÎN ACŢIONĂRI ELECTRICE 63

Fig.2.2.4. Polarizarea joncţiunilor TB n-p-n cu 2 tensiuni diferite de alimentare

În multe cazuri este raţional de utilizat o singură tensiune de alimentare şi

polarizare ale ambelor circuite. În figura 2.2.5 sunt arătate 2 variante de alimentare
şi polarizare a circuitului de intrare prin intermediul tensiunii circuitului de ieşire
UCC şi a unei singure rezistenţe RB (fig.2.2.5,a), sau a două rezistenţe R1-R2
(fig.2.2.5,b). În primul caz polarizarea directă a circuitului de intrare se face în
R2 R1 R2
curent; UBE=UCC-IBRB, iar în al 2-lea caz – în tensiune: U BE U CC IB
R1 R2 R1 R2

a)
Fig.2.2.5. Alimentarea şi polarizarea TB n-p-n cu o singură tensiune UCC

2.2.2.2 Principii de funcţionare

Tranzistoarele bipolare pot funcţiona fie în regim de comutaţie (închis/deschis

complet), fie în regim intermediar activ (parţial deschis): Acest regim se determină
în funcţie de amplitudinea curentului circuitului de intrare IB, care depinde, la
rândul sau, de tensiunile UBE şi UCE.. În raport cu aceste tensiuni pot fi 4 cazuri:
1) Dacă UBE este mai mică decât tensiunea minimă de prag UBE<UP (UP=0,6-
0,7V), curentul Bazei IB=0 şi joncţiunea BE este blocată, la fel ca la orice diodă de
redresare (fig.2.2.6,a). În acest caz joncţiunea BC, de asemenea, este blocată,
indiferent de tensiunea circuitului de ieşire UCE.
2) Dacă UP<UBE<UCE, ambele joncţiuni BE BC sunt parţial deschise (regim activ
– Jnct BE, BC - passante), curentul IB>0.. Ca urmare, electronii liberi din zona
Emitorului trec graniţa în zona Bazei, însă puţini din ei recombină cu golurile din
această zonă, cauzând un curent IB relativ mic, deoarece concentraţia acestor goluri
este foarte mică. În plus la aceasta, grosimea Bazei este, de asemenea, foarte mică,
2.ELEMENTE ELECTRONICE DE PUTERE, UTILIZATE ÎN ACŢIONĂRI ELECTRICE 64
de aceea majoritatea electronilor liberi, veniţi din Emitor, sunt atraşi de potenţialul
pozitiv al ionilor impurităţilor zonei Colectorului (+Ei) şi de tensiunea exterioară
pozitivă UCE>0. Aceşti electroni cauzează un curent de ieşire IC, care creşte direct
proporţional cu tensiunea UCE, deoarece ambele joncţiuni BE şi BC sunt deschise
(fig.2.2.6,b):
IC=IE-IB≈IE, deoarece IB=(0,01-0,05)IE.
Proprietatea de amplificare a TB este confirmată de raportul acestor curenţi,
sau, mai bine zis, de coeficientul de raportare : α=IC/IE≈0,95-0,99 – coeficientul de
raportare a curentului Colectorului şi Emitorului;
β=IC/IB≈20-200 – coeficientul de amplificare în curent (ieşire/intrare) al TB.

a) b)
Fig.2.2.6. Caracteristici Amper-Tensiune ale circuitelor de intrare (a) şi ieşire (b)
ale TB
3) Dacă tensiunea circuitului de ieşire UCE>UBE<USAT, joncţiunea BC se
blochează (Jnct BC blocante), iar creşterea tensiunii UCE puţin influenţează
asupra curentului Colectorului IC. Creşterea acestui curent poate fi obţinută efectiv
doar prin ridicarea curentului circuitului de intrare IB (fig.2.2.6,b).
4) Dacă UBE>UBE.SAT, ambele joncţiuni BE şi BC trec în regim de saturaţie şi
conducţie a purtătorilor de sarcini microelectronice, ceea ce permite o creştere
ulterioară a curenţilor de intrare şi ieşire (acesta din urmă este limitat de rezistenţa
exterioară RC) şi o deschidere completă a TB, când căderea interioară de tensiune
UCE=UCE.MIN=2RiIC≈(1-2)V. Acest regim se utilizează în convertoarele electronice
de putere cu funcţionare prin impulsuri discrete, deoarece minimizează pierderile
interioare din aceste convertoare, adică ridică randamentul lor.
În figura 2.2.7 sunt arătate unele tranzistoare bipolare reale de diferiţi curenţi
şi cu diferite variante constructive ale corpului de protecţie. Tranzistoarele de
curenţi mici se execută, de regulă, într-un corp plat din masă plastică cu cei 3
electrozi de conexiuni exterioare B,E,C, iar tranzistoarele de curenţi mari - într-un
2.ELEMENTE ELECTRONICE DE PUTERE, UTILIZATE ÎN ACŢIONĂRI ELECTRICE 65
corp metalic, legat cu colectorul C, care se montează pe un radiator de răcire.
Parametrii principali şi caracteristicile de intrare/ieşire ale fiecărui tranzistor se
indică în cataloagele firmelor producătoare.

Fig.2.2.7. Modificaţii constructive de tranzistoare bipolare industriale

2.2.2.3 Exemple simplificate de utilizare a TB în acţionări electrice

În acţionări electrice, cu diferite tipuri de motoare, tranzistoarele bipolare se

utilizează mai des ca elemente de interfaţă (legătură) dintre partea microelectronică
de măsurare a unui senzor de proximitate şi bobina unui releu de sarcină, sau a
unui contactor electromagnetic de putere. În figura 2.2.8 este arătat un exemplu de
utilizare a TB p-n-p, ca element de ieşire al senzorului fotoelectric (optoelectronic)
E3Z al companiei Omron. La picioruşul 1 se aplică tensiunea pozitivă de
alimentare a senzorului +(12-24)V DC, la picioruşul 3 – minusul acestei tensiuni,
iar la picioruşele 4 (la colectorul tranzistorului de ieşire) şi 3 se conectează bobina
releului de ieşire (sarcină Load). În serie cu colectorul (picioruşele 3-4 sunt
conectate câte o diodă de protecţie la o alimentare cu o polaritate greşită. Unii
senzori au la ieşire un tranzistor n-p-n, bobina releului de sarcină a căruia se
conectează la picioruşele 4 şi 1 (la +(12-24)V).

Fig.2.2.8. Tranzistor bipolar p-n-p ca element de ieşire al senzorului E3Z Omron

2.ELEMENTE ELECTRONICE DE PUTERE, UTILIZATE ÎN ACŢIONĂRI ELECTRICE 66
În figura 2.2.9 este arătat un tranzistor bipolar n-p-n, utilizat pentru comanda
unui motor asincron trifazat M1 prin intermediul unui releu intermediar K,
contactul de ieşire al căruia este
conectat în serie cu bobina
contactorului Q11 al motorului.
Bobina releului în acest caz este
şuntată de o diodă inversă D1,
care protejează tranzistorul
bipolar de tensiunea de inducţie
eL=-Ldi/dt, generată de bobină
la deconectarea tranzistorului,
când derivata di/dt→∞.
Circuitul de intrare al
tranzistorului poate fi comandat,
la rândul său, de orice sistem
electronic de automatizare.

Fig.2.2.9. Comanda discretă a

unui motor asincron printr-un releu intermediar şi un tranzistor bipolar n-p-n

În figura 2.2.10 este prezentat un alt exemplu de utilizare a tranzistoarelor

bipolare (ca elemente de interfaţă), pentru comanda unui motor de curent continuu
MCC de putere mică. Pornirea motorului se efectuează prin intermediul
tranzistorului de ieşire p-n-p T1, care conectează motorul la o sursă de c.c. de 48V.
Acest tranzistor se deschide cu ajutorul semnalului discret de intrare Vcde=12V şi
al tranzistorului intermediar de amplificare n-p-n T3. Semnalul Vcde=12V se
inversează concomitent printr-un circuit logic de inversare NU (NOT), care
blochează tranzistorul T2 de frânare dinamică a motorului. Acesta din urmă se
deschide în caz, când se anulează semnalul Vcde=0 şi după ce se deconectează
tranzistorul T1. În regim de frânare, sub acţiunea t.e.m. E0=kФω, are loc
schimbarea sensului curentului Ii=(Ui-E0)/Ri=-E0/Ri şi a cuplului M=-kФIi.

Fig.2.2.10. Utilizarea TB pentru comanda discretă a unui motor de curent continuu

2.ELEMENTE ELECTRONICE DE PUTERE, UTILIZATE ÎN ACŢIONĂRI ELECTRICE 67
În figura 2.2.11 este arătată schema şi diagramele temporale ale unui invertor
autonom monofazat cu 2 tranzistoare T1-T2 n-p-n şi 2 tranzistoare p-n-p T3-T4,
comandate simetric şi şuntate de diode inverse D1-D4, care transformă tensiunea
de c, c. E în tensiune alternativă dreptunghiulară uC(t) de o frecvenţă 50Hz
(perioada T=1/f=1/50=20ms),
aplicată la o sarcină activ-
inductivă RL. În momentul
iniţial t=0 se blochează
perechea aflată în conducţie
T2,T4 şi se aplică impulsuri de
comandă la baza T1,T3. Însă
această pereche nu se poate
deschide în acest moment,
deoarece la o închidere
momentană a curentului
tranzistoarelor T2,T4, apare o
tensiune de autoinducţie a
inductivităţii de sarcină eL(t)=-
L(-diC/dt)=LdiC/dt, care
deschide mai întâi diodele
iD1,D3<0, pentru a susţine
acelaşi sens negativ al
curentului iC(t)<0 şi a recupera
energia reactivă acumulată de
inductivitatea L în etapa
precedentă iT2,T4<0 .
Tranzistoarele T1,T3 se
deschid abia când iD1,D3=0,
preluând curentul iC(t)=iT1,T3>0
şi conducând până în
momentul t=T/2=10ms, când
se anulează impulsurile lor de
comandă. În acest moment se
activează comanda
tranzistoarelor T2,T4, însă
acestea la fel nu se pot
deschide, deoarece energia
reactivă acumulată la creşterea
curentului pozitiv şi tensiunea
eL=Ldi/dt deschid mai întâi
diodele D2,D4. Când iD2,D4=0,
se deschid T2,T4, care conduc
până la sfârşitul perioadei.
Tensiunea UC(0<t<T)=±E.
Fig.2.2.11.Invertor monofazat cu 4 TB, o sarcină RL şi comandă simetrică
2.ELEMENTE ELECTRONICE DE PUTERE, UTILIZATE ÎN ACŢIONĂRI ELECTRICE 68
Dacă este necesară o micşorare a tensiunii de sarcină UC,EF<E, se aplică o
comandă asimetrică a tranzistoarelor T1-T4. La o astfel de comandă, la sfârşitul
perioadei precedente, numai tranzistorul T2 se închide, iar tranzistorul T4 mai
rămâne deschis un interval de timp τ, conducând curentul cu dioda D3 şi
scurtcircuitând sarcina R-L, când UC(t)=0 (fig.2.2.12,a). În momentul t=τ
tranzistorul T4 se blochează, iar curentul negativ de sarcină iC<0 este preluat de
ambele diode iC=iD1,D3<0. În momentul, când curentul acestor diode devine egal cu
iD1,D3=0, se deschid tranzistoarele T1,T3, care conduc curentul iC(t)>0 până în
momentul t=T/2=10ms. În acest moment se închide tranzistorul T3, iar tranzistorul
T1mai rămâne deschis un interval de timp t=τ, şuntând circuitul de sarcină
împreună cu dioda D2 şi condiţionând o tensiune nulă a tensiunii uC(t)=0. Reglând
decalajul 0<τ<T/2, se obţine o caracteristică de reglare E>UC(τ)>0(fig.2.2.12,b).

a)

b)
Fig.2.2.12. Comanda asimetrică şi caracteristica de reglare a invertorului autonom
2.ELEMENTE ELECTRONICE DE PUTERE, UTILIZATE ÎN ACŢIONĂRI ELECTRICE 69
2.2.3 Tranzistoare unipolare cu comandă prin câmp electric

2.2.3.1. Clasificarea şi caracteristica generală

Aceste tranzistoare asigură conducţia curentului electric printr-un singur tip
de purtători de sarcină: sau n, sau p. Funcţionarea lor se bazează pe variaţia
conductibilităţii unui canal de tip n, (sau p), dimensiunile transversale ale căruia
pot fi modificate cu ajutorul câmpului electric transversal, creat printr-o tensiune
exterioară între un electrod de comandă şi canalul iniţial, sau indus. În legătură cu
aceasta tranzistoarele unipolare se mai numesc tranzistoare cu efect de câmp
electric TEC (în engleză Fild Electric Transistor FET, iar în limba rusă –
полевые транзисторы) . Această tehnologie este mai simplă decât cea bipolară,
asigură un consum de curent foarte mic şi o frecvenţă maximă mai înaltă.
Aceste tranzistoare pot fi de două tipuri:
1) cu canal iniţial n (sau p) şi grilă joncţiune p–n;
2) cu canal iniţial, sau indus n (sau p) şi grilă izolată.
Tehnologia a doua este mai simplă, ceea i-a cauzat o utilizare mai largă. Din
cauza principiului constructiv, ea se mai numeşte şi tehnologie „metal–oxid–
semiconductor MOS”, de unde vine şi denumirea MOSFET, divizată în 2 clase:
- tranzistoare MOSFET de curenţi mici pentru dispozitive microelectronice;
- tranzistoare MOSFET de putere (de curenţi mari) în electronica de putere.
Primul tip de tranzistoare are la bază un canal de tip n, cu o concentraţie a
electronilor liberi mult mai mică, faţă de 2 straturi de conductibilitate opusă p,
puternic dopate cu goluri (fig.2.2.13,a). Deplasarea electronilor liberi prin canal are
loc sub influenţa tensiunii exterioare EDS, aplicată între electrozii de la capetele
canalului, numiţi corespunzător Sursă S (adecvată Emitorului) şi Drenă D
(adecvată Colectorului). Însă conductibilitatea canalului depinde de secţiunea lui
transversală şi de numărul electronilor liberi din el. Secţiunea transversală a
canalului poate fi micşorată prin polarizarea inversă a joncţiunilor laterale p–n,
aplicând la electrodul de comandă (Grilă) (zonele p), o tensiune inversă EGS.
Dacă tensiunea de comandă a grilei U GS 0 , canalul este deschis şi curentul de
ieşire al Drenei este egal cu curentul nominal (de saturaţie) I D I DS . Dacă U GS 0 ,
canalul se îngustează, deoarece barierele inverse ale joncţiunilor p-n se lărgesc, iar
curentul I D se micşorează, iar pentru o valoare de prag U GS U p - canalul se
blochează complet, I D 0 , adică tranzistorul se închide (fig.2.2.13,c).
D
ID
n RD

G p p I DS
EDS U DS RD
D
EGS
G EDS
S EGS
U GS Up 0 U GS
a) b) c)

Fig.2.2.13. Structura, schema şi caracteristica TEC cu joncţiune p-n

2.ELEMENTE ELECTRONICE DE PUTERE, UTILIZATE ÎN ACŢIONĂRI ELECTRICE 70
Aşadar, tranzistoarele unipolare cu canal iniţial n şi grilă joncţiune p-n pot
asigura nu numai o comandă discretă a canalului de conducţie a curentului D-S.
La o variaţie a tensiunii Grilei, aceste tranzistoare pot, de asemenea, regla lin
rezistenţa interioară a canalului D-S în limitele 0-100%, adică îndeplinesc funcţia
unui potenţiometru reglabil (fig.2.2.14). Funcţionarea lor este asemănătoare cu cea
a unui robinet în circuitele hidraulice, care
reglează debitul apei în diapazonul 0-100%.

Fig.2.2.14. Reprezentarea tranzistoarelor

FET cu grilă joncţiune p-n în scheme
electrice şi funcţia lor echivalentă

Tranzistoarele MOSFET cu grilă izolată, de asemenea, conţin un canal

între Sursa S şi Drena D, însă acest canal poate fi injectat iniţial (la fabricare), sau
poate fi indus prin fenomenul de atracţie electrică la aplicaţia tensiunii electrodului
de comandă (Grilei). Acest canal se injectează, sau se induce, la suprafaţa unei
pastile semiconductoare de conductibilitate pozitivă p, numită Substrat
(подложка), care poate avea un electrod propriu, specificat printr-o săgeată, care
indică direcţia curentului. Substratul în majoritatea cazurilor se conectează la
electrodul Sursei S (fig.2.2.15).
O particularitate deosebită a acestor tranzistoare o constituie stratul dielectric
(izolator) de SiO2 între Grilă G şi canal, ceea ce măreşte rezistenţa de intrare şi
micşorează aproape până la zero curentul Grilei ( I G 0 ). Câmpul electric al Grilei
însă trece prin acest izolator, acţionând asupra electronilor canalului, sau
substratului. În particular, dacă tensiunea de comandă a Grilei este pozitivă U GS 0 ,
din substrat sunt atraşi adăugător în canal electroni liberi, mărind astfel secţiunea
canalului şi valoarea curentului I D . În regim de saturaţie rezistenţa interioară a
canalului se micşorează aproape de zero (ca la un contact de releu normal-închis).
Dacă tensiunea Grilei este negativă U GS 0 , electronii sunt respinşi din canal în
substrat, micşorând secţiunea şi curentul Drenei, inclusiv până la starea de blocare
totală, când ID=IS=0 (echivalentă cu un contact normal-deschis). Aşadar,
caracteristica ID(UGS) a acestor tranzistoare este asemănătoare cu cea precedentă.

S G D S G D
SiO2 SiO2
D D
n n n n
G G
canal initial canal indus
p substrat S p substrat S

a) b)
Fig.2.2.15. Structura interioară a tranzistoarelor MOSFET cu grilă izolată şi canal
n injectat (a) sau indus (b)
2.ELEMENTE ELECTRONICE DE PUTERE, UTILIZATE ÎN ACŢIONĂRI ELECTRICE 71
2.2.3.2. Exemple simplificate de utilizare a tranzistoarelor MOSFET

Tranzistoarele microelectronice MOSFET se utilizează mai mult pentru

realizarea mai multor circuite integrate, iar tranzistoarele MOSFET de putere - ca
elemente de interfaţă în etajele de ieşire ale convertoarelor electronice ale
acţionărilor electrice de curent continuu şi de curent alternativ. În figura 2.2.16
sunt arătate 2 variante de conexiune D-S a unui tranzistor MOSFET cu canal n şi
cu canal p pentru comanda unui motor curent continuu de tensiune şi putere mică.

Fig.2.2.16. Principii de comanda a MCC. cu tranzistoare MOSFET cu canal n şi p

Aceste principii sunt utilizate în schema simplificată a unui convertor cu

funcţionare prin impulsuri (în engleză chopper), destinat pentru comanda
reversibilă de 4 cadrane şi reglarea vitezei motorului de c. c. prin reglarea tensiunii
lui de alimentare (fig.2.2.17). Această schemă este realizată cu 4 tranzistoare
MOSFET, conectate într-o punte monofazată. Ele se deschid încrucişat T1,T4
pentru un sens al curentului şi vitezei, sau T2,T3 - pentru alt sens al curentului şi
vitezei motorului. Toate tranzistoarele trebuie să fie şuntate de diode inverse, care
trebuie să preia curentul activ-inductiv al motorului în momentul închiderii tr-lor.

Fig.2.2.17. Comanda reversibilă şi reglarea vitezei în 4 cadrane a motorului de

curent continuu cu 4 tranzistoare MOSFET, conectate în punte monofazată
2.ELEMENTE ELECTRONICE DE PUTERE, UTILIZATE ÎN ACŢIONĂRI ELECTRICE 72
2.2.4 Tranzistoare hibride IGBT

Aceste tranzistoare hibride (Unipolare-Bipolare, sau Tranzistoare Bipolare

cu Grilă Izolată IGBT) au fost concepute pentru a îmbina avantajele şi diminua
dezavantajele fiecărui tip în parte. Ele sunt constituite din 2 etaje diferite. În
particular, etajul de intrare este realizat cu un tranzistor MOSFET cu canal n indus,
iar etajul de ieşire – cu 2 tranzistoare bipolare (unul p-n-p şi altul n-p-n)
(fig.2.2.18). În legătură cu aceasta, structura zonelor interioare p şi n este mai
complicată.

Fig.2.2.18. Schema simplificată, schema echivalentă şi structura zonelor de

conductibilitate p şi n ale unui tranzistor hibrid IGBT
Tranzistoarele hibride industriale moderne, la fel ca şi diodele, sau tiristoarele,
se produc în formă constructivă modulară, care presupune o integrare interioară
a mai multor elemente de putere, iar în cazul puterilor mici - inclusiv şi a unor
draivere de interfaţă, realizate cu tranzistoare bipolare. Aceste module simplifică
substanţial construcţia convertoarelor electronice de putere, micşorează masa şi
gabaritele, ridică fiabilitatea de funcţionare a lor. Numărul şi configuraţia lor
depinde de puterea convertorului. În funcţie de puterea maximă, aceste module pot
fi împărţite în 3 grupe principale:
- module de puteri mici (curenţi 5-50A, tensiuni 600-1200V, puteri <10kW);
- module de puteri medii (20-600 A, 600–1700V), necesare pentru variatoare
de frecvenţă cu tensiuni 230-690V şi motoare asincrone 220-660 V);
- module de puteri mari (400-6000A) şi tensiuni înalte (High Voltage PM)
(1200-10000) V pentru invertoare şi motoare de tensiuni înalte (3-6kV).
În figura 2.2.19,a este prezentată schema tipică a unui variator de frecvenţă
(VF), destinat pentru reglarea lină a vitezei motoarelor trifazate asincrone şi
sincrone de putere mică. El este realizat cu un singur modul-redresor de putere
mică cu 6 diode şi un singur modul-invertor cu 6 tranzistoare IGBT, şuntate de
diode inverse. Redresorul necomandat transformă tensiunea reţelei industriale de
amplitudine şi frecvenţă constantă în tensiune constantă de curent continuu, filtrată
de un condensator, iar invertorul o transformă apoi în tensiune alternativă trifazată
de amplitudine U=var şi frecvenţă variabilă f=var. Turaţia motoarelor trifazate de
curent alternativ este direct proporţională cu frecvenţa tensiunii de alimentare şi
invers proporţională cu numărul perechilor de poli „p” ai înfăşurărilor acestor
motoare: n=60f/p.
2.ELEMENTE ELECTRONICE DE PUTERE, UTILIZATE ÎN ACŢIONĂRI ELECTRICE 73
În figura 2.2.19,b este prezentată schema tipică a unui variator de tensiune
(VT) de curent continuu cu funcţionare prin impulsuri (chopper) de putere mică,
destinat pentru reglarea lină a vitezei motoarelor de c. c. (MCC) prin variaţia
valorii medii a tensiunii lui de alimentare. Acest variator este realizat, de
asemenea, cu un singur modul-redresor cu 6 diode şi un modul cu 4 tranzistoare
IGBT, şuntate de diode inverse şi conectate în punte monofazată. Într-o diagonală
a acestei punţi se aplică tensiunea de alimentare de la ieşirea redresorului
necomandat cu diode, iar în altă diagonală se conectează motorul de curent
continuu, înseriat cu 1 filtru inductiv (în această schemă el nu este arătat). La
ieşirea redresorului mai este conectat un tranzistor, care se deschide doar în
regimul de frânare electrică a motorului. Energia electrică, generată de maşina
electrică în regim de generator, în acest caz se transformă în căldură în rezistenţa
de frânare, înseriată cu tranzistorul de frânare.

Fig. 2.2.19. Module integrate ale tranzistoarelor IGBT de puteri mici pentru
variatoare de frecvenţă şi choppere

Modulele redresoarelor şi invertoarelor motoarelor electrice de puteri medii se

execută cu 2-3 tranzistoare IGBT, conectate în serie, sau în paralel, iar modulele
motoarelor de puteri mari – cu un singur tranzistor IGBT de curent mare. În
figura 2.2.20,a sunt reprezentate unele module IGBT de puteri mijlocii ale
companiei ABB, care conţin câte 2 tranzistoare conectate în serie, sau câte 3
tranzistoare conectate paralel. Un invertor autonom trifazat tipic (fig.2.2.19,a) în
aceste cazuri necesită 2 module cu câte 3 tranzistoare paralele (fig.2.2.20,b), sau 3
module cu câte 2 tranzistoare, conectate în serie (câte unul pentru fiecare fază).
În figura 2.2.20,c este reprezentată construcţia şi notarea în schemele
electrice a unui modul de tranzistor IGBT de putere mare (2000A şi 2500V al
companiei ABB, care are o formă de pastilă cu următoarele dimensiuni :
236x150x26mm. Un astfel de curent mare este obţinut prin cuplarea paralelă a 6
tranzistoare, care se evidenţiază pe suprafaţa superioară a modulului. Colectorul şi
Emitorul, amplasaţi pe părţile plate ale pastilei, se strâng între 2 radiatoare, iar
2.ELEMENTE ELECTRONICE DE PUTERE, UTILIZATE ÎN ACŢIONĂRI ELECTRICE 74
Grila şi Emitorul auxiliar, de aplicare a impulsului de comandă de 20V, sunt
amplasaţi lateral. În această pastilă este integrată, de asemenea, o diodă inversă,
care este necesară pentru funcţionarea tuturor convertoarelor electronice de putere,
destinate pentru reglarea motoarelor trifazate de curent alternativ (fig.2.2.20,d).

a) b)

c) d)
Fig.2.2.20. Module de tranzistoare IGBT de puteri mijlocii şi mari ale companiei
ABB şi notarea lor în schemele electrice

Variatoarele moderne de frecvenţă, realizate cu aceste module integrate,

montate pe un singur radiator de răcire, în prezent au primit o răspândire foarte
largă, fiind utilizate, de exemplu, pentru acţionările electrice reglabile ale
strungurilor şi maşinilor unelte de prelucrare a metalului, lemnului şi maselor
plastice, pentru compresoarele şi ventilatoarele instalaţiilor frigorifice şi de
condiţionare a aerului, pentru pompele staţiilor de pompare şi canalizare, pentru
ascensoare şi macarale, pentru troleibuze, tramvaie, trenuri şi automobile şi pentru
toate liniile tehnologice automatizate. De aceea aceste variatoare vor fi descrise
mai detaliat în capitolele următoare.