Scopul lucrrii:

Familiarizarea cu principiul de funcionare a diodei tunel, parametrii de

baz i utilizarea in circuitele electronice

Structura,principiul de funcionare i parametrii de baz:

Diodele tunel sunt diode speciale, de mic putere, destinate oscilatoarelor de
foarte nalt frecven. Efectul tunel, pe care se bazeaz construcia acestui tip
de diode, se produce pentru tensiuni foarte mici de polarizare direct i invers.
Dioda tunel (Esaki) Leo Esaki fizician japonez, laureat al premiului Nobel n
1973 mpreun cu B. Josephson i I. Giaver. A obinut pentru prima dat efectul
tunel n 1957.ntr-o jonciune de arseniur de germaniu sau galiu foarte puternic
dopat, efectul Zener poate fi obinut i la tensiuni pozitive mai mici dect
tensiunea de deschidere a jonciunii. Datorit doprii puternice, regiunea srcit
este foarte ngust i purttorii de sarcin pot strpunge bariera de potenial prin
efect tunel la tensiuni directe foarte mici, rezultnd o cretere brusc a curentului
(poriunea OA a caracteristicii volt-amperice din figur).

Caracteristica static a diodei tunel este net diferit de aceea a unei diode
redresoare de aceeai putere . Dioda tunel este un excelent conductor att pentru
o polarizare direct, ct i pentru o polarizare invers. O diod cu o astfel de
comportare nu poate fi folosit pentru redresarea unei tensiuni alternative.

Pentru o tensiune direct de polarizare, curentul prezint dou extreme: un

maxim P (Ip,Up) i un minim V (Iv,Uv ). La tensiuni mici, apropiate de Uv,
curentul direct este asigurat prin efect tunel, iar la tensiuni directe ridicate,
curentul direct crete exponential cu tensiunea aplicat, prin difuzia purttorilor.
Pe caracteristic, se observ o regiune de rezisten diferential

negativ,

proprietate important a diodei tunel. Aceast regiune este portiunea de

caracteristic static cuprins ntre cele dou extreme P i V . Cnd dioda
functioneaz n regiunea P V, modelul de semnal mic i frecvente nalte, n
care rezistenta rd este nlocuit de o conductant diferential negativ g j, al
crei modul are valori de ordinul x0,01 .

Diodele tunel, sunt un tip de diode semiconductoare capabile de operare la

viteze foarte mari.
anod

catod

Simbolul diodei tunel

La baza funcionrii diodelor tunel st aa - numitul efect tunel.
Efectul tunel const n faptul c un electron cu energie mai mic dect bariera
energetic corespunztoare barierei de potenial reuete s treac dincolo de
aceasta nu peste barier ci prin ea (ca printr-un tunel).

Diodele tunel au concentraii mari de impuriti att n zona p ct i n zona n

(jonciune de tip p+n+). De aceea, regiunea de trecere este foarte ngust n raport
cu diodele obinuite.
La polarizare direct caracteristica curent - tensiune (Fig. 1.2.5) are forma literei
N i posed o zon p-v de rezisten negativ de valoarea zecilor de ohmi. La
polarizare invers dioda tunel nu are regim de saturaie, ci are o rezisten
intern foarte mic. De aceea o inversare a tensiunii pe dioda tunel poate duce la
distrugerea acesteia. Diodele tunel au o vitez de comutare foarte mare.

Caracteristica curent tensiune a diodei tunel

Pentru o bun funcionare este de dorit ca raportul dintre curentul maxim i
curentul minim s fie ct mai mare. Dac se folosete ca material semiconductor,
arseniura de galiu acest raport depete valoare 15.
Dioda tunel lucreaz la puteri mici de ordinul wailor. Caracteristica diodei nu
depinde de variaiile de temperatur de aceea ea poate lucra la frecvene foarte
nalte de ordinul 104 MHz.
Parametrii diodei tunel sunt:

 Punctul de vale corespunztor curentului Iv i tensiunii Uv;

Punctul de vrf corespunztor curentului Ip i tensiunii Up.
Aceast diod este folosit la realizarea urmtoarelor circuite:
- amplificatoare de frecvene foarte nalte;
- oscilatoare de frecvene foarte nalte;
- circuite basculante monostabile, bistabile i astabile.
Avantaje
1) Foarte mare vitez: viteza mare de operare nseamn c dioda tunel poate fi

folosit pentru aplicaii RF microunde.

2) Longevitatea: Studiile au fost efectuate de diode tunel i performana sa a
fost demonstrat de a rmne stabile pe perioade lungi de timp, n cazul n care
alte dispozitive semiconductoare pot fi degradate.

Dezavantaje
Reproductibilitatea: Nu a fost posibil s se fac dioda tunel cu performane ca
reproductibilitatea nivelurilor de multe ori necesare.
Vrf sczut la raportul curent vale: Regiunea rezisten negativ i de vrf
pentru curent vale nu este la fel de mare ca se fi adesea necesar pentru a produce
niveluri de performan care pot fi atinse cu alte dispozitive.

Dezavantajul diodei tunel este c are numai dou borne i deci nu se poate face
separarea ntre circuitul de intrare i cel de ieire.

Caracteristica statica a diodei tunel este net diferita de aceea a unei diode
redresoare de aceeasi putere (fig. 2). Dioda tunel este un excelent conductor atat
pentru o polarizare directa, cat si pentru o polarizare inversa. O dioda cu o astfel
de comportare nu poate fi

folosita pentru redresarea unei tensiuni alternative.

Fig. 1. Caracteristica statica a diodei tunel

Pentru o tensiune directa de polarizare, curentul prezinta doua extreme: un
maxim

( ,

) si un minim

). La tensiuni mici, apropiate de

curentul direct este asigurat prin efect tunel, iar la tensiuni directe ridicate,
curentul direct creste exponential cu tensiunea aplicata, prin difuzia purtatorilor.
Pe caracteristica, se observa o regiune de rezistenta diferentiala negativa,
proprietate importanta a diodei tunel. Aceasta regiune este portiunea de
caracteristica statica cuprinsa intre cele doua extreme
denivelare

al

material. Pentru

curentilor,

este

si

. Raportul de

caracteristica

de

, exista trei valori ale tensiunii directe, pentru care

se obtine acelasi curent. Tensiunea

este tensiunea directa la care se atinge

valoarea curentului de varf ( ), pentru a doua oara. In tabelul 3, sunt date

valorile tipice ale marimilor semnificative ale caracteristicii statice, pentru diode
tunel realizate din Ge, Si si GaAs.
Tabelul 2. Marimile semnificative ale caracteristicii statice
Marimi

[V]
[V]
[V]

Material
Ge
8
0,055
0,35

Si
3,5
0,065
0,42

GaAs
15
0,15
0,5

0,5

0,7

1,1

Pentru studiul comportarii diodei tunel in regim de variatii mici si de frecvente

inalte, in jurul unui p.s.f. fixat pe ramura

a caracteristicii, se foloseste

modelul cu circuit echivalent din fig. 4. In acest model,

jonctiunii (
),

),

este capacitatea

este modulul conductantei diferentiale a diodei (

este rezistenta serie a jonctiunii (

conductoarelor de conexiune (

), iar

este inductivitatea serie a

).

Fig. 3. Modelul de semnal mic al diodei tunel

Folosind expresia impedantei acestui circuit echivalent,

,
pot fi definite doua frecvente caracteristice ale diodei tunel si anume:

- frecventa de taiere rezistiva,

, reprezentand frecventa maxima pentru care se

mai poate obtine o conductanta negativa,

;
- frecventa proprie de rezonanta,

.
Cele doua frecvente caracteristice ale diodei tunel au valori tipice de

Foile de catalog ale acestor produse prezinta valorile limita absoluta

termice

obisnuite

pentru

dispozitivele

semiconductoare

si puterea maxima disipata la frecvente inalte (

) si in regim de impulsuri (

). Dintre valorile limita absoluta electrice, sunt mentionate tensiunea

continua directa maxima

si tensiunile inverse maxime

si

Dintre caracteristicile electrice, sunt prezentate: raportul de denivelare al

curentilor, coordonatele punctelor extreme ale caracteristicii statice, capacitatea
jonctiunii, conductanta diferentiala, rezistenta serie maxima, inductivitatea serie,
frecventele de taiere rezistiva si proprie de rezonanta.
Aplicaii
Dei dioda tunel a aprut promitoare n urm cu civa ani, el a fost curnd
nlocuit cu alte dispozitive semiconductoare, cum ar fi diode IMPATT pentru
aplicaii de oscilator i FET-uri atunci cnd este utilizat ca un amplificator. Cu
toate acestea dioda tunel este un dispozitiv util pentru anumite aplicaii.

Cererile pentru dioda tunel inclus utilizri ca un oscilator, dei a fost, de

asemenea, utilizat ca un amplificator i un mixer.
Unul dintre avantajele majore ale diodei tunel care este n prezent ncep s fie
experimentat este longevitatea.Odat fabricat performanele sale rmne stabil
pe perioade lungi de timp, n ciuda utilizrii sale. Alte dispozitive pot degrada
uor n timp.
Tunelul diod este un tip de sc diod care este capabil de banda de frecvene de
microunde foarte rapid i n. A fost efectul mecanic cuantic care este cunoscut
sub numele de tunele.Este ideal pentru oscilatoare rapide i receptoare pentru
caracteristicile sale negative pant.Dar nu poate fi folosit n circuitele integrate
mari - de aceea este o aplicaii sunt limitate.
Cnd tensiunea este aplicat mai nti de curent electric stele curg prin
ea. Curentul electriccrete cu creterea de tensiune. Odat ce tensiunea crete
suficient de mare brusc curentul electric din nou ncepe n cretere i
tunel dioda stele se comport ca o diod normal. Din cauza acestui
comportament neobinuit, acesta poate fi utilizat n multe aplicaii speciale
nceput de mai jos.
Circuite oscilator: diode tunel poate fi folosit ca oscilatoare de nalt frecven
ca tranziia ntre conductivitatea electric ridicat este foarte rapid. Ele pot fi
folosite pentru a crea oscilaie fel de mare ca 5Gz. Chiar acestea sunt capabile de
creativitatea oscilaie pn la 100 GHz n doar circuite digitale adecvate.
Utilizat n circuite de microunde: Normal diode tranzistori nu funcioneaz bine
n funciune cu microunde. Deci, pentru generatoare de microunde i
amplificatoare tunel diode sunt. n valuri cu microunde i echipamente de
comunicaii prin satelit care au fost utilizate pe scar larg, dar acum o zi de
utilizare a acestora este n scdere rapid ca tranzistor pentru a lucra n val
domeniu de frecven disponibile n pia.

Rezistent la radiaii nucleare: diode tunel sunt rezistente la efectele cmp

magnetic s, temperatur ridicat i radioactivitatea. De aceea, acestea pot fi
utilizate n echipament militar modern. Acestea sunt utilizate n main nuclear
de resurse magnetic, de asemenea.Dar cel mai important domeniu de
echipamente de comunicare prin satelit utilizare.
Tunnel Diode Oscilator
Dioda tunel poate face un circuit oscilator foarte stabil atunci cnd acestea sunt
cuplate la un circuit sau cavitate reglabil, prtinitoare in punctul central
de rezisten negativ.Aici este un exemplu de circuit oscilant.

Dioda tunel oscilatoare care are menirea de a fi operat la frecvene de

microunde, folosit n general o form de linii de transport ca circuitul de
tunel. Aceste oscilatoare sunt utile n aplicaii care necesit cteva millwatts de
putere, oscilatoare locale exemplu pentru microunde receptor.

Concluzie:

Examinnd amnunit caracteristicile principale precum la fel si parametrii de

baza a diodei tunel am ajuns la concluzia ca acest dispozitiv a avut un impact
major asupra dezvoltrii dispozitivelor semiconductoare, precum a facut posibil
construirea unor circuite electrice care au frecvena de lucru foarte nalta i a
fost posibil confecionarea aparatelor electronice bazate pe aceste diode care
fr s tim noi ne folosim zi de zi nelund n considerare c aceste diode nu sunt
pe larg folosite,dar sunt unele exceptii unde fr ele nu se obine ceea ce e
necesar.

Bibliografie:

http://www.rfcafe.com/references/popular-electronics/tunnel-diodeseptember-1960-popular-electronics.htm
http://www.phys.ubbcluj.ro/~anghels/teaching/Electronics/capitole
%20electronica%20pdf/Dioda%20semiconductoare.pdf
http://www.radioelectronics.com/info/data/semicond/tunneldiode/tunneldiode.php
http://www.electrical4u.com/tunnel-diode
http://rfanat.ru/s5/rk-d01.html