1.

ELEMENTE FUNDAMENTALE ALE ELECTRONICII DE PUTERE 52

1.3 Tranzistoare şi exemple de aplicaţii ale lor în acționări electrice

1.3.1 Caracteristica şi clasificarea generală a tranzistoarelor

Tranzistoarele constituie cele mai răspândite elemente semiconductoare cu 2

joncţiuni p-n, care stau la baza multor dispozitive electronice complexe, atât de
putere mică (microelectronică), cât şi de putere mare (electronica de putere),
deoarece posedă un număr mai mare de proprietăţi (funcţii), faţă de diode şi
tiristoare. În particular:
➢ Diodele clasice, descrise în punctul precedent, au la bază un regim discret de
comutaţie şi funcţionare cu rezistenţă interioară Ri→∞ - în stare blocată şi Ri≈0 -
în stare de conducţie, pe când tranzistoarele pot asigura orice regim de funcţionare,
atât discret, cât şi analogic (continuu şi reglabil) cu o rezistenţă interioară reglabilă
0≤Ri≤∞, adică sunt universale în raport cu regimurile principale de funcţionare;
➢ În regim continuu tranzistoarele pot amplifica curentul circuitului de intrare;
➢ Diodele clasice sunt elemente necomandate, pe când tranzistoarele pot fi
complet comandate, adică pot închise, sau deschise în orice moment de timp sub
acţiunea unei semnal exterior, aplicat la electrodul de comandă;
➢ Frecvenţa de comutaţie (rapiditatea) tranzistoarelor este mai mare decât cea
a diodelor, deoarece se blochează prin electrodul de comandă şi nu tensiunea UAK;
➢ Tranzistoarele posedă aceeaşi funcţie de conducţie unilaterală a curentului,
adică într-o singură direcţie, la fel ca şi diodele şi tiristoarele.
➢ Tranzistoarele însă cedează tiristoarelor numai în raport cu tensiunea
maximă admisibilă şi curentul maxim admisibil.
Există mai multe tipuri de tranzistoare, de aceea ele se clasifică după anumite
criterii. După curentul nominal şi după frecvenţa de funcţionare tranzistoarele se
clasifică la fel ca şi diodele - în 3 grupe (mici, medii şi mari). După structura
interioară şi principiul de funcţionare tranzistoarele pot fi grupate în 3 grupe:
1) Tranzistoare Bipolare (TB) (cu 2 tipuri de sarcini libere de
conductibilitate pozitivă (goluri) şi negativă (electroni));
2) Tranzistoare unipolare (cu un singur tip de sarcini libere, precum şi cu
efect de câmp TEC (FET), MOSFET);
3) Tranzistoare hibride (intrare unipolară şi ieşire bipolară, sau
tranzistoare bipolare cu grilă izolată IGBT).
Tranzistoarele bipolare (TB) permit curenţi şi tensiuni mai mari, însă sunt
comandate prin curent, servesc ca surse de curent, de aceea necesită un consum
relativ mare de energie electrică. Tranzistoarele unipolare se comandă prin
tensiune (câmp), de aceea necesită un consum de energie mult mai mic, iar ca
urmare – o alimentate de la baterii mici. Aceste tranzistoare asigură o frecvenţă de
comutaţie mai înaltă, însă puterea lor maximă este limitată.
Tranzistoarele hibride IGBT îmbină avantajele ambelor grupe şi exclud
dezavantajele, de aceea se folosesc mai mult în electronica de putere (de curenţi
mari). În acest caz tranzistoarele trebuie să aibă rezistenţe şi pierderi interioare cât
mai mici, ceea ce este posibil în regim discret de chei (comutaţii), când
concentraţia sarcinilor libere din zonele principale p-n este maximă.
1. ELEMENTE FUNDAMENTALE ALE ELECTRONICII DE PUTERE 53
1.3.2 Tranzistoare bipolare

1.3.2.1 Scheme structurale

Aceste tranzistoare au 3 zone consecutive de conductibilitate pozitivă (p) şi

negativă (n), fiind realizate în 2 variante identice: n-p-n, sau p-n-p (fig.1.3.1).
Fiecare zonă are electrodul său de conexiuni exterioare: zonele marginale se
numesc EMITOR (E) şi COLECTOR (C), iar zona de mijloc – BAZĂ (B).

Fig. 1.3.1.Structura zonală interioară, parametrii şi notaţiile tranzistoarelor bipolare

Denumirile electrozilor de conexiuni exterioare provin de la destinaţia lor. În

particular, Emitorul are funcţia de emitere (livrare, injectare) a purtătorilor de
sarcină (golurilor, sau electronilor liberi), iar Colectorul asigură colectarea
(acumularea) acestor purtători şi transmiterea lor mai departe în circuitul exterior.
Funcţia Bazei constă în dirijarea (comanda şi reglarea) procesului de transmitere a
acestor purtători de sarcină de la Emitor spre Colector, iar apoi spre exterior.
În schemele electrice ambele variante de conductibilitate ale TB se notează
identic, evidenţiind Emitorul prin săgeată, direcţia căreia indică direcţia curentului,
care coincide cu cea a sarcinilor pozitive (golurilor). Dacă săgeata Emitorului este
îndreptată dinspre Bază spre exterior, atunci acest tranzistor este n–p–n, care se
deschide printr-o tensiune pozitivă la Bază în raport cu Emitorul şi care asigură un
curent pozitiv IBE>0. Dacă săgeata Emitorului este îndreptată invers (din exterior
spre Bază), atunci tranzistorul este de tip p–n–p, care se deschide cu o tensiune
negativă la Bază, care condiţionează un curent IBE<0 (fig.1.3.1).
1. ELEMENTE FUNDAMENTALE ALE ELECTRONICII DE PUTERE 54
Aşadar, cele 3 zone de conductibilitate ale tranzistoarelor bipolare alcătuiesc 2
joncţiuni p-n: joncţiunea Bază-Emitor (BE) şi joncţiunea Bază-Colector (BC),
ceea ce permitea reprezentarea lor simbolică prin 2 diode p-n, conectate paralel (în
raport cu Baza B) şi în serie, cu sensuri opuse ale curentului (în raport cu Emitorul
şi Colectorul) (fig.1.3.2). Însă în cazul TB aceste diode sunt nişte diode speciale,
care se deosebesc de cele tradiţionale, descrise în punctul precedent, prin 2
particularităţi principale:
1) zona de mijloc are o grosime relativă mult mai
mică, faţă de zonele marginale (lăţimea ei în figura
precedentă nu este întâmplătoare);
2) zona de mijloc este dopată cu impurităţi de o
concentraţie mult mai mică a sarcinilor libere
majoritare p, sau n, faţă de zonele marginale;
Fig.1.3.2. Reprezentarea TB prin 2 diode BE şi BC

Diodele speciale, spre deosebire de diodele de putere, pot funcţiona la curenţi şi

tensiuni foarte mici. În aceste cazuri ele pot trece lin din regimul de blocare în
regimul liniar de saturaţie, trecând
printr-un regim intermediar
neliniar (activ) (fig.1.3.3).
Pentru dioda 1N4005, de
exemplu, acest regim are loc când
UP(0,6-0,7V)<UAK<USAT(1,5V).
În regim de saturaţie, când
UAK>USAT, căderea de tensiune pe
diodă IDRI este minimă, iar în
regim activ este mai mare.
Această cădere determină, la
rândul ei, pierderile interioare şi
încălzirea diodei.

Fig.1.3.3. Caracteristica reală ID(UAK) a diodei 1N4005

Regimuri asemănătoare pot avea loc şi în cele 2 diode convenţionale (joncţiuni)
ale tranzistoarelor bipolare. Fiecare joncţiune (diodă) BE şi BC, necesită o tensiune
exterioară de alimentare şi polarizare. În figura 1.3.4 este arătată polaritatea tipică
a acestor 2 tensiuni de polarizare pentru tranzistorul n-p-n. În acest caz tensiunea
primei joncţiuni (diode) UBE (VBE) este directă UBE>0 („+” la Baza p şi „-„ la
Emitorul n), iar tensiunea diodei BC este inversă UCE<0 („+” la Colectorul n şi „-
„ la Baza p şi Emitorul n). În serie cu aceste tensiuni sunt conectare câte o
rezistenţă RB şi RC de limitare a curenţilor IB şi IC. Prima tensiune de alimentare
UBB şi joncţiune BE alcătuiesc circuitul de intrare, iar a doua tensiune UCC şi
joncţiune CE– circuitul de ieşire. Această schemă se numeşte schemă cu Emitor
comun, deoarece Emitorul este comun pentru ambele circuite.
La tranzistoarele p-n-p polaritatea tensiunilor de alimentare şi polarizare este
inversă. Ca urmare, ele pot fi deschise cu semnale negative la Bază.
1. ELEMENTE FUNDAMENTALE ALE ELECTRONICII DE PUTERE 55

Fig.1.3.4. Polarizarea joncţiunilor TB n-p-n cu 2 tensiuni diferite de alimentare

În multe cazuri este raţional de utilizat o singură tensiune de alimentare şi

polarizare ale ambelor circuite. În figura 1.3.5 sunt arătate 2 variante de alimentare
şi polarizare a circuitului de intrare prin intermediul tensiunii circuitului de ieşire
UCC şi a unei singure rezistenţe RB (fig.1.3.5,a), sau a două rezistenţe R1-R2
(fig.1.3.5,b). În primul caz polarizarea directă a circuitului de intrare se face în
R2 R R
curent; UBE=UCC-IBRB, iar în al 2-lea caz – în tensiune: U BE = U CC − 1 2 I B
R1 + R2 R1 + R2

a)
Fig.1.3.5. Alimentarea şi polarizarea TB n-p-n cu o singură tensiune UCC

1.3.2.2 Principii de funcţionare

Tranzistoarele bipolare pot funcţiona fie în regim de comutaţie (închis/deschis

complet), fie în regim intermediar activ (parţial deschis): Acest regim se determină
în funcţie de amplitudinea curentului circuitului de intrare IB, care depinde, la
rândul sau, de tensiunile UBE şi UCE.. În raport cu aceste tensiuni pot fi 4 cazuri:
1) Dacă UBE este mai mică decât tensiunea minimă de prag UBE<UP (UP=0,6-
0,7V), curentul Bazei IB=0 şi joncţiunea BE este blocată, la fel ca la orice diodă de
redresare (fig.1.3.6,a). În acest caz joncţiunea BC, de asemenea, este blocată,
indiferent de tensiunea circuitului de ieşire UCE.
2) Dacă UP<UBE<UCE, ambele joncţiuni BE BC sunt parţial deschise (regim activ
– Jnct BE, BC - passante), curentul IB>0.. Ca urmare, electronii liberi din zona
Emitorului trec graniţa în zona Bazei, însă puţini din ei recombină cu golurile din
această zonă, cauzând un curent IB relativ mic, deoarece concentraţia acestor goluri
este foarte mică. În plus la aceasta, grosimea Bazei este, de asemenea, foarte mică,
1. ELEMENTE FUNDAMENTALE ALE ELECTRONICII DE PUTERE 56
de aceea majoritatea electronilor liberi, veniţi din Emitor, sunt atraşi de potenţialul
pozitiv al ionilor impurităţilor zonei Colectorului (+Ei) şi de tensiunea exterioară
pozitivă UCE>0. Aceşti electroni cauzează un curent de ieşire IC, care creşte direct
proporţional cu tensiunea UCE, deoarece ambele joncţiuni BE şi BC sunt deschise
(fig.1.3.6,b): IC=IE-IB≈IE, deoarece IB=(0,01-0,05)IE.
Proprietatea de amplificare în curent a TB este specificată prin 2 coeficienți
de raportare: α=IC/IE≈0,95-0,99 – coeficientul de raportare a curentului
Colectorului şi Emitorului; β=IC/IB≈20-200 – coeficientul de amplificare în curent
(ieşire/intrare) al TB.

a) b)
Fig.1.3.6. Caracteristici Amper-Tensiune ale circuitelor de intrare (a) şi ieşire (b)
ale TB
3) Dacă tensiunea circuitului de ieşire UCE>UBE<USAT, joncţiunea BC se
blochează (Jnct BC blocante), iar creşterea tensiunii UCE puţin influenţează
asupra curentului Colectorului IC. Creşterea acestui curent poate fi obţinută efectiv
doar prin ridicarea curentului circuitului de intrare IB (fig.1.3.6,b).
4) Dacă UBE>UBE.SAT, ambele joncţiuni BE şi BC trec în regim de saturaţie şi
conducţie a purtătorilor de sarcini microelectronice, ceea ce permite o creştere
ulterioară a curenţilor de intrare şi ieşire (acesta din urmă este limitat de rezistenţa
exterioară RC) şi o deschidere completă a TB, când căderea interioară de tensiune
UCE=UCE.MIN=2RiIC≈(1-2)V. Acest regim se utilizează în convertoarele electronice
de putere cu funcţionare prin impulsuri discrete, deoarece minimizează pierderile
interioare din aceste convertoare, adică ridică randamentul lor.
În figura 1.3.7 sunt arătate unele tranzistoare bipolare reale de diferiţi curenţi
şi cu diferite variante constructive ale corpului de protecţie. Tranzistoarele de
curenţi mici se execută, de regulă, într-un corp plat din masă plastică cu cei 3
electrozi de conexiuni exterioare B,E,C, iar tranzistoarele de curenţi mari - într-un
corp metalic, legat cu colectorul C, care se montează pe un radiator de răcire.
1. ELEMENTE FUNDAMENTALE ALE ELECTRONICII DE PUTERE 57
Parametrii principali şi caracteristicile de intrare/ieşire ale fiecărui tranzistor se
indică în cataloagele firmelor producătoare.

Fig.2.3.7. Modificaţii constructive de tranzistoare bipolare industriale

1.3.2.3 Exemple simplificate de utilizare a TB în acţionări electrice

În acţionări electrice tranzistoarele bipolare se utilizează mai des ca elemente

de interfaţă (legătură) dintre partea microelectronică de măsurare a unui senzor de
apropiere şi bobina unui releu de sarcină, sau a unui contactor electromagnetic de
putere. În figura 1.3.8 este arătat un exemplu de utilizare a TB p-n-p, ca element
de ieşire al senzorului optoelectronic E3Z al companiei Omron. La picioruşul 1 se
aplică tensiunea pozitivă de alimentare a senzorului +(12-24)V DC, la picioruşul 3
– minusul acestei tensiuni, iar la picioruşele 4 (la colectorul tranzistorului de ieşire)
şi 3 se conectează bobina releului de ieşire (sarcină Load). În serie cu colectorul
(picioruşele 3-4 sunt conectate câte o diodă de protecţie la o alimentare cu o
polaritate greşită. Unii senzori au la ieşire un tranzistor n-p-n, bobina releului de
sarcină a căruia se conectează la picioruşele 4 şi 1 (la +(12-24)V).

Fig.1.3.8. Tranzistor bipolar p-n-p ca element de ieşire al senzorului E3Z Omron

În figura 1.3.9 este arătat un tranzistor bipolar n-p-n, utilizat pentru comanda
1. ELEMENTE FUNDAMENTALE ALE ELECTRONICII DE PUTERE 58
unui motor asincron trifazat M1 prin intermediul unui releu intermediar K,
contactul de ieşire al căruia este
conectat în serie cu bobina
contactorului Q11 al motorului.
Bobina releului în acest caz este
şuntată de o diodă inversă D1,
care protejează tranzistorul
bipolar de tensiunea de inducţie
eL=-Ldi/dt, generată de bobină
la deconectarea tranzistorului,
când derivata di/dt→∞.
Circuitul de intrare al
tranzistorului poate fi comandat,
la rândul său, de orice sistem
electronic de automatizare.

Fig.1.3.9. Comanda discretă a

unui motor asincron printr-un releu intermediar şi un tranzistor bipolar n-p-n

În figura 1.3.10 este prezentat un alt exemplu de utilizare a tranzistoarelor

bipolare (ca elemente de interfaţă), pentru comanda unui motor de curent continuu
MCC de putere mică. Pornirea motorului se efectuează prin intermediul
tranzistorului de ieşire p-n-p T1, care conectează motorul la o sursă de c.c. de 48V.
Acest tranzistor se deschide cu ajutorul semnalului discret de intrare Vcde=12V şi
al tranzistorului intermediar de amplificare n-p-n T3. Semnalul Vcde=12V se
inversează concomitent printr-un circuit logic de inversare NU (NOT), care
blochează tranzistorul T2 de frânare dinamică a motorului. Acesta din urmă se
deschide în caz, când se anulează semnalul Vcde=0 şi după ce se deconectează
tranzistorul T1. În regim de frânare, sub acţiunea t.e.m. E0=kФω, are loc
schimbarea sensului curentului Ii=(Ui-E0)/Ri=-E0/Ri şi a cuplului M=-kФIi.

Fig.1.3.10. Utilizarea TB pentru comanda discretă a unui motor de curent continuu

1. ELEMENTE FUNDAMENTALE ALE ELECTRONICII DE PUTERE 59
În figura 1.3.11 este arătată schema şi diagramele temporale ale unui invertor
autonom monofazat cu 2 tranzistoare T1-T2 n-p-n şi 2 tranzistoare p-n-p T3-T4,
comandate simetric şi şuntate de diode inverse D1-D4, care transformă tensiunea
de c, c. E în tensiune alternativă dreptunghiulară uC(t) de o frecvenţă 50Hz
(perioada T=1/f=1/50=20ms),
aplicată la o sarcină activ-
inductivă RL. În momentul
iniţial t=0 se blochează
perechea aflată în conducţie
T2,T4 şi se aplică impulsuri de
comandă la baza T1,T3. Însă
această pereche nu se poate
deschide în acest moment,
deoarece la o închidere
momentană a curentului
tranzistoarelor T2,T4, apare o
tensiune de autoinducţie a
inductivităţii de sarcină eL(t)=-
L(-diC/dt)=LdiC/dt, care
deschide mai întâi diodele
iD1,D3<0, pentru a susţine
acelaşi sens negativ al
curentului iC(t)<0 şi a recupera
energia reactivă acumulată de
inductivitatea L în etapa
precedentă iT2,T4<0 .
Tranzistoarele T1,T3 se
deschid abia când iD1,D3=0,
preluând curentul iC(t)=iT1,T3>0
şi conducând până în
momentul t=T/2=10ms, când
se anulează impulsurile lor de
comandă. În acest moment se
activează comanda
tranzistoarelor T2,T4, însă
acestea la fel nu se pot
deschide, deoarece energia
reactivă acumulată la creşterea
curentului pozitiv şi tensiunea
eL=Ldi/dt deschid mai întâi
diodele D2,D4. Când iD2,D4=0,
se deschid T2,T4, care conduc
până la sfârşitul perioadei.
Tensiunea UC(0<t<T)=±E.
Fig.1.3.11.Invertor monofazat cu 4 TB, o sarcină RL şi comandă simetrică
1. ELEMENTE FUNDAMENTALE ALE ELECTRONICII DE PUTERE 60
Dacă este necesară o micşorare a tensiunii de sarcină UC,EF<E, se aplică o
comandă asimetrică a tranzistoarelor T1-T4. La o astfel de comandă, la sfârşitul
perioadei precedente, numai tranzistorul T2 se închide, iar tranzistorul T4 mai
rămâne deschis un interval de timp τ, conducând curentul cu dioda D3 şi
scurtcircuitând sarcina R-L, când UC(t)=0 (fig.1.3.12,a). În momentul t=τ
tranzistorul T4 se blochează, iar curentul negativ de sarcină iC<0 este preluat de
ambele diode iC=iD1,D3<0. În momentul, când curentul acestor diode devine egal cu
iD1,D3=0, se deschid tranzistoarele T1,T3, care conduc curentul iC(t)>0 până în
momentul t=T/2=10ms. În acest moment se închide tranzistorul T3, iar tranzistorul
T1 mai rămâne deschis un interval de timp t=τ, şuntând circuitul de sarcină
împreună cu dioda D2 şi condiţionând o tensiune nulă a tensiunii uC(t)=0. Reglând
decalajul 0<τ<T/2, se obţine o caracteristică de reglare E>UC(τ)>0(fig.1.3.12,b).

a)

b)
Fig.1.3.12. Comanda asimetrică şi caracteristica de reglare a invertorului autonom
1. ELEMENTE FUNDAMENTALE ALE ELECTRONICII DE PUTERE 61
1.3.3 Tranzistoare unipolare cu comandă prin câmp electric

1.3.3.1. Clasificarea şi caracteristica generală

Aceste tranzistoare asigură conducţia curentului electric printr-un singur tip
de purtători de sarcină: sau n, sau p. Funcţionarea lor se bazează pe variaţia
conductibilităţii unui canal de tip n, (sau p), dimensiunile transversale ale căruia
pot fi modificate cu ajutorul câmpului electric transversal, creat printr-o tensiune
exterioară între un electrod de comandă şi canalul iniţial, sau indus. În legătură cu
aceasta tranzistoarele unipolare se mai numesc tranzistoare cu efect de câmp
electric TEC (în engleză Fild Electric Transistor FET, iar în limba rusă –
полевые транзисторы) . Această tehnologie este mai simplă decât cea bipolară,
asigură un consum de curent foarte mic şi o frecvenţă maximă mai înaltă.
Aceste tranzistoare pot fi de două tipuri:
1) cu canal iniţial n (sau p) şi grilă joncţiune p–n;
2) cu canal iniţial, sau indus n (sau p) şi grilă izolată.
Tehnologia a doua este mai simplă, ceea i-a cauzat o utilizare mai largă. Din
cauza principiului constructiv, ea se mai numeşte şi tehnologie „metal–oxid–
semiconductor MOS”, de unde vine şi denumirea MOSFET, divizată în 2 clase:
- tranzistoare MOSFET de curenţi mici pentru dispozitive microelectronice;
- tranzistoare MOSFET de putere (de curenţi mari) în electronica de putere.
Primul tip de tranzistoare are la bază un canal de tip n, cu o concentraţie a
electronilor liberi mult mai mică, faţă de 2 straturi de conductibilitate opusă p,
puternic dopate cu goluri (fig.1.3.13,a). Deplasarea electronilor liberi prin canal are
loc sub influenţa tensiunii exterioare EDS, aplicată între electrozii de la capetele
canalului, numiţi corespunzător Sursă S (adecvată Emitorului) şi Drenă D
(adecvată Colectorului). Însă conductibilitatea canalului depinde de secţiunea lui
transversală şi de numărul electronilor liberi din el. Secţiunea transversală a
canalului poate fi micşorată prin polarizarea inversă a joncţiunilor laterale p–n,
aplicând la electrodul de comandă (Grilă) (zonele p), o tensiune inversă EGS.
Dacă tensiunea de comandă a grilei U GS = 0 , canalul este deschis şi curentul de
ieşire al Drenei este egal cu curentul nominal (de saturaţie) I D = I DS . Dacă U GS  0 ,
canalul se îngustează, deoarece barierele inverse ale joncţiunilor p-n se lărgesc, iar
curentul I D se micşorează, iar pentru o valoare de prag − U GS = −U p - canalul se
blochează complet, I D = 0 , adică tranzistorul se închide (fig.1.3.13,c).
D
ID
n RD

G p p I DS
EDS U DS RD
D
EGS
G EDS
S EGS
− U GS = U p 0 + U GS
a) b) c)

Fig.1.3.13. Structura, schema şi caracteristica TEC cu joncţiune p-n

1. ELEMENTE FUNDAMENTALE ALE ELECTRONICII DE PUTERE 62
Aşadar, tranzistoarele unipolare cu canal iniţial n şi grilă joncţiune p-n pot
asigura nu numai o comandă discretă a canalului de conducţie a curentului D-S.
La o variaţie a tensiunii Grilei, aceste tranzistoare pot, de asemenea, regla lin
rezistenţa interioară a canalului D-S în limitele 0-100%, adică îndeplinesc funcţia
unui potenţiometru reglabil (fig.1.3.14). Funcţionarea lor este asemănătoare cu cea
a unui robinet în circuitele hidraulice, care
reglează debitul apei în diapazonul 0-100%.

Fig.1.3.14. Reprezentarea tranzistoarelor

FET cu grilă joncţiune p-n în scheme
electrice şi funcţia lor echivalentă

Tranzistoarele MOSFET cu grilă izolată, de asemenea, conţin un canal

între Sursa S şi Drena D, însă acest canal poate fi injectat iniţial (la fabricare), sau
poate fi indus prin fenomenul de atracţie electrică la aplicaţia tensiunii electrodului
de comandă (Grilei). Acest canal se injectează, sau se induce, la suprafaţa unei
pastile semiconductoare de conductibilitate pozitivă p, numită Substrat
(подложка), care poate avea un electrod propriu, specificat printr-o săgeată, care
indică direcţia curentului. Substratul în majoritatea cazurilor se conectează la
electrodul Sursei S (fig.1.3.15).
O particularitate deosebită a acestor tranzistoare o constituie stratul dielectric
(izolator) de SiO2 între Grilă G şi canal, ceea ce măreşte rezistenţa de intrare şi
micşorează aproape până la zero curentul Grilei ( I G  0 ). Câmpul electric al Grilei
însă trece prin acest izolator, acţionând asupra electronilor canalului, sau
substratului. În particular, dacă tensiunea de comandă a Grilei este pozitivă U GS  0 ,
din substrat sunt atraşi adăugător în canal electroni liberi, mărind astfel secţiunea
canalului şi valoarea curentului I D . În regim de saturaţie rezistenţa interioară a
canalului se micşorează aproape de zero (ca la un contact de releu normal-închis).
Dacă tensiunea Grilei este negativă U GS  0 , electronii sunt respinşi din canal în
substrat, micşorând secţiunea şi curentul Drenei, inclusiv până la starea de blocare
totală, când ID=IS=0 (echivalentă cu un contact normal-deschis). Aşadar,
caracteristica ID(UGS) a acestor tranzistoare este asemănătoare cu cea precedentă.

S G D S G D
SiO2 SiO2
D D
n n n n
G G
canal initial canal indus
p − substrat S p − substrat S

a) b)
Fig.1.3.15. Structura interioară a tranzistoarelor MOSFET cu grilă izolată şi canal
n injectat (a) sau indus (b)
1. ELEMENTE FUNDAMENTALE ALE ELECTRONICII DE PUTERE 63
1.3.3.2. Exemple simplificate de utilizare a tranzistoarelor MOSFET

Tranzistoarele cu efect de câmp FET se utilizează pentru realizarea multor

circuite integrate, iar tranzistoarele MOSFET de putere – pentru diferite
convertoare electronice și driverele (elementele de interfaţă) ale lor pentru motoare
de curent continuu şi curent alternativ. Compania americană INFINEON s-a
specializat în domeniul Automobilelor, producând multe dispozitive micro
electronice, inclusiv microcontrolere AURIX cu procesoare centrale de 8, 16, 32
biți și 1-6 nuclee (MultiCore), precum și tranzistoare de putere 20-300A,300V
utilizate în vehicule cu motoare termice, electrice și hibrid-electrice (fig.1.3.16,a).
În figura 1.3.16,b este prezentat un exemplu de utilizare a modulelor
CoolMOS pentru un dispozitiv de încărcare a bateriilor cu 300-500V DC ale unui
automobil electric, pe baza unui convertor DC/DC. Acest dispozitiv are la intrare
un redresor monofazat cu 4 diode (Bridge Rectifier), un chopper rezonant L-C de
ridicare a tensiunii joase (PFC Stage) (în caz de necesitate), un invertor monofazat
în punte (modulator de frecvență înaltă) de convertire DC/AC, un transformator de
separare/ridicare/coborâre a tensiunii de ieșre, redresate de o punte cu 4 diode și
filtrate de un filtru L-C (DC-DC Stage). Tranzistorul chopperului de ridicare a
tensiunii de intrare are o frecvență de funcționare înaltă și ciclică. La început el
este blocat, permițând încărcarea condensatorului de intrare până la o tensiune
joasă. Apoi el se deschide pentru o perioadă scurtă de conducție, în timpul căreea
inductivitatea de intrare înmagazinează o anumită energie reactivă. La închiderea
bruscă a tranzistorului energia acumulată de inductivitate este transmisă
condensatorului, ridicându-i tensiunea până la o valoare de 300V DC. Diodele
inverse ale tranzistoarelor invertorului nu sunt arătate în acest desen, însă ele sunt
și preiau același sens al curentului transformatorului, sub acțiunea tensiunilor de
autoinducție Ldi/dt, recuperând energia inductivă acumulată în condensatorul de
intrare, iar transformatorul o ridică (dacă este necesar) până la 500 V DC.

a)

b)
Fig.1.3.16. Dispozitiv de încărcare a unei baterii Auto de acumulatoare cu chopper,
invertor cu tranzistoare CoolMOS și transformator de separare a tensiunei de ieșire
1. ELEMENTE FUNDAMENTALE ALE ELECTRONICII DE PUTERE 64
Motoarele de curent continuu, alimentate de o tensiune de alimentare 12 V,
sunt reglate de choppere reversibile în punte monofazată MOSFET și de un sistem
de reglare automată a tensiunii și poziției, limitând totodată curentul maxim al
indusului (fig.4.4.9). Protecția punții este efectuată prin tranzistorul din circuitul de
alimentare +12 V. Ca senzor de curent se folosește un șunt, conectat în serie cu
puntea H cu 4 tranzistoare MOSFET.
a)

Fig.1.3.17. Scheme bloc ale driverelor TLE 986x și TLE 42xx de reglare a
tensiunii, curentului și poziției unui motor de curent continuu
1. ELEMENTE FUNDAMENTALE ALE ELECTRONICII DE PUTERE 65
Drivere asemănătoare au fost elaborate, de asemenea, de compania Infineon și
pentru motoare trifazate de curent alternativ. În figura 1.3.18,a este arătat driverul
integrat TLE 987x, destinat pentru controlul unui motor trifazat hibrid (sincron-
curent continuu) BLDC, iar în figura 1.3.18,b – pentru un motor asincron trifazat.

a)

Fig.1.3.18. Scheme bloc ale driverului TLE 987x de comandă și reglare a unui
motor trifazat hibrid BLDC și motor asincron
Driverele integrate pentru comanda motoarelor asincrone sunt mai simple.
Puntea trifazată a invertorului de tensiune în acest caz este realizată cu un modul
exterior de putere MOSFET. Grupa tranzistoarelor pozitive THS1-THS3 și
negative TLS1-TLS3 sunt comandate de 2 drivere separate HS și LS.
1. ELEMENTE FUNDAMENTALE ALE ELECTRONICII DE PUTERE 66
1.3.4 Tranzistoare hibride IGBT

Aceste tranzistoare hibride (Unipolare-Bipolare, sau Tranzistoare Bipolare

cu Grilă Izolată IGBT) au fost concepute pentru a îmbina avantajele şi diminua
dezavantajele fiecărui tip în parte. Ele sunt constituite din 2 etaje diferite. În
particular, etajul de intrare este realizat cu un tranzistor MOSFET cu canal n indus,
iar etajul de ieşire – cu 2 tranzistoare bipolare (unul p-n-p şi altul n-p-n)
(fig.1.3.19). În legătură cu aceasta, structura zonelor interioare p şi n este mai
complicată.

Fig.1.3.19. Schema simplificată, schema echivalentă şi structura zonelor de

conductibilitate p şi n ale unui tranzistor hibrid IGBT
Tranzistoarele hibride industriale moderne, la fel ca şi diodele, sau tiristoarele,
se produc în formă constructivă modulară, care presupune o integrare interioară
a mai multor elemente de putere, iar în cazul puterilor mici - inclusiv şi a unor
draivere de interfaţă, realizate cu tranzistoare bipolare. Aceste module simplifică
substanţial construcţia convertoarelor electronice de putere, micşorează masa şi
gabaritele, ridică fiabilitatea de funcţionare a lor. Numărul şi configuraţia lor
depinde de puterea convertorului. În funcţie de puterea maximă, aceste module pot
fi împărţite în 3 grupe principale:
- module de puteri mici (curenţi 5-50A, tensiuni 600-1200V, puteri <10kW);
- module de puteri medii (20-600 A, 600–1700V), necesare pentru variatoare
de frecvenţă cu tensiuni 230-690V şi motoare asincrone 220-660 V);
- module de puteri mari (400-6000A) şi tensiuni înalte (High Voltage PM)
(1200-10000) V pentru invertoare şi motoare de tensiuni înalte (3-6kV).
În figura 1.3.20,a este prezentată schema tipică a unui variator variabil de
frecvenţă (VVF), destinat pentru reglarea lină a vitezei motoarelor trifazate
asincrone şi sincrone de putere mică. El este realizat cu un singur modul-redresor
de putere mică cu 6 diode şi un singur modul-invertor cu 6 tranzistoare IGBT,
şuntate de diode inverse. Redresorul necomandat transformă tensiunea reţelei
industriale de amplitudine şi frecvenţă constantă în tensiune constantă de curent
continuu, filtrată de un condensator, iar invertorul o transformă apoi în tensiune
alternativă trifazată de amplitudine U=var şi frecvenţă variabilă f=var. Turaţia
motoarelor trifazate de curent alternativ este direct proporţională cu frecvenţa
tensiunii de alimentare şi invers proporţională cu numărul perechilor de poli „p” ai
înfăşurărilor acestor motoare: n=60f/p.
1. ELEMENTE FUNDAMENTALE ALE ELECTRONICII DE PUTERE 67
În figura 1.3.20,b este prezentată schema tipică a unui variator de tensiune
(DC SERVO) de curent continuu cu funcţionare prin impulsuri (chopper) de putere
mică, destinat pentru reglarea lină a vitezei motoarelor de c. c. (MCC) prin variaţia
valorii medii a tensiunii lui de alimentare. Acest variator este realizat, de
asemenea, cu un singur modul-redresor cu 6 diode şi un modul cu 4 tranzistoare
IGBT, şuntate de diode inverse şi conectate în punte monofazată. Într-o diagonală
a acestei punţi se aplică tensiunea de alimentare de la ieşirea redresorului
necomandat cu diode, iar în altă diagonală se conectează motorul de curent
continuu, înseriat cu 1 filtru inductiv (în această schemă el nu este arătat). La
ieşirea redresorului mai este conectat un tranzistor, care se deschide doar în
regimul de frânare electrică a motorului. Energia electrică, generată de maşina
electrică în regim de generator, în acest caz se transformă în căldură în rezistenţa
de frânare, înseriată cu tranzistorul de frânare.

Fig. 1.3.20. Module integrate ale tranzistoarelor IGBT de puteri mici pentru
variatoare de frecvenţă şi choppere

Modulele redresoarelor şi invertoarelor motoarelor electrice de puteri medii se

execută cu 2-3 tranzistoare IGBT, conectate în serie, sau în paralel, iar modulele
motoarelor de puteri mari – cu un singur tranzistor IGBT de curent mare. În
figura 1.3.21,a sunt reprezentate unele module IGBT de puteri mijlocii ale
companiei ABB, care conţin câte 2 tranzistoare conectate în serie, sau câte 3
tranzistoare conectate paralel. Un invertor autonom trifazat tipic (fig.1.3.21,a) în
aceste cazuri necesită 2 module cu câte 3 tranzistoare paralele (fig.1.3.21,b), sau 3
module cu câte 2 tranzistoare, conectate în serie (câte unul pentru fiecare fază).
În figura 1.3.21,c este reprezentată construcţia şi notarea în schemele
electrice a unui modul de tranzistor IGBT de putere mare (2000A şi 2500V al
companiei ABB, care are o formă de pastilă cu următoarele dimensiuni :
236x150x26mm. Un astfel de curent mare este obţinut prin cuplarea paralelă a 6
tranzistoare, care se evidenţiază pe suprafaţa superioară a modulului. Colectorul şi
Emitorul, amplasaţi pe părţile plate ale pastilei, se strâng între 2 radiatoare, iar
1. ELEMENTE FUNDAMENTALE ALE ELECTRONICII DE PUTERE 68
Grila şi Emitorul auxiliar, de aplicare a impulsului de comandă de 20V, sunt
amplasaţi lateral. În această pastilă este integrată, de asemenea, o diodă inversă,
care este necesară pentru funcţionarea tuturor convertoarelor electronice de putere,
destinate pentru reglarea motoarelor trifazate de curent alternativ (fig.1.3.21,d).

a) b)

c) d)
Fig.1.3.21. Module de tranzistoare IGBT de puteri mijlocii şi mari ale companiei
ABB şi notarea lor în schemele electrice

Variatoarele moderne de frecvenţă, realizate cu aceste module integrate,

montate pe un singur radiator de răcire, în prezent au primit o răspândire foarte
largă, fiind utilizate, de exemplu, pentru acţionările electrice reglabile ale
strungurilor şi maşinilor unelte de prelucrare a metalului, lemnului şi maselor
plastice, roboților industriali, pentru compresoarele şi ventilatoarele instalaţiilor
frigorifice şi de condiţionare a aerului, pentru pompele staţiilor de pompare şi
canalizare, pentru ascensoare şi macarale, pentru troleibuze, tramvaie, trenuri şi
automobile, pentru majoritatea liniilor tehnologice automatizate și altele. Exemple
concrete de utilizare a acestor variatoare vor fi vor fi aduse și în capitolele
următoare. În acest capitol este descris doar algoritmul clasic de comandă
simplificată și funcționare al unui invertor trifazat tipic cu 6 tranzistoare, șuntate de
diode inverse, schema căruia este reprezentată în figura 1.3.20,a.
1. ELEMENTE FUNDAMENTALE ALE ELECTRONICII DE PUTERE 69
1.3.5 Invertor trifazat tipic cu 6 tranzistoare și algoritm clasic de comandă
a unui motor asincron
Invertoarele clasice, la fel ca şi invertoarele moderne de tensiune şi
frecvenţă variabilă, destinate pentru reglarea vitezei motoarelor de curent
alternativ, au aceiaşi schemă tipică de putere cu 6 tranzistoare T1–T6 şi 6 diode
inverse D1–D6 (fig. 1.3.22, a). Însă modulul de comandă al invertoarelor clasice şi
moderne este diferit, în particular: cel clasic era realizat cu circuite integrate
analogice şi discrete, iar algoritmul de comutaţie al tranzistoarelor era rigid și
prevedea frecvenţe joase, egale cu frecvenţele dorite de rotaţie a motorului. În
particular, acest algoritm prevedea o durată de conducţie constantă, egală cu o
jumătate de perioadă 180˚, precum şi o funcţionare a 3 tranzistoare din faze diferite
în fiecare moment de timp (fig.1.3.22,b).

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
Id
T1 D1 T 3 D3 T 5 D5  2t

Ud Cd
T1 180 360 T 1  2t
id
T4 D4 T 6 D6 T 2 D2 0 T4
60
120
a) T3 T3  2t
0
MA T6
180
T6

T5 180 T5  2t
1 0
T2 T2
Ud ZA ZC 60
3
Ud U A (t )
2
2 3
Ud
Ud / 3  2t
Ud ZB
3 0

U B (t )
c)

 2t
2 0
Ud ZA
3
Ud
1
Ud ZB ZC  2t
3 0
U AB (t )
d) b)
Fig . 3.2
Fig.1.3.22. Diagrame de funcţionare a invertorului trifazat cu algoritm clasic de
comandă a tranzistoarelor
1. ELEMENTE FUNDAMENTALE ALE ELECTRONICII DE PUTERE 70
Conducţia de 180º a fiecărui tranzistor era împărţită în 3 tacte egale de 60º cu
o numeraţie consecutivă şi ordinară, în care la deschiderea următorului tranzistor,
ultimul din cele trei tranzistoare se blochează. În ca urmare, în fiecare perioadă de
360° se obţin 6 tacte de 60º: ...T1,T2,T3 - T2,T3,T4 - T3,T4,T5 – T4,T5,T6 –
T5,T6,T1 – T6,T1,T2 .... Pentru o sarcină pur rezistivă durata de conducţie a
tranzistoarelor constituie exact 180 (  -radiani), iar la o sarcină activ-inductivă
această durată λ puţin se micşorează λ<180º, datorită intrării în conducţie a
diodelor inverse (de curent reactiv), care asigură descreşterea curentului fazei
deconectate până la zero, după care intră în conducţie tranzistorul opus al fazei
respective. De exemplu, în momentul deconectării tranzistorului T1, sub acţiunea
tensiunii de autoinducţie eLA=-LAdiA/dt, se deschide mai întâi dioda D4, care preia
conducţia descrescătoare a curentului fazei A în aceiaşi direcţie, recuperând
condensatorului de la intrarea invertorului energia reactiv-inductivă, acumulată de
faza A, şi blocând (prin căderea proprie de tensiune UAK) deschiderea tranzistorului
T4. Datorită diodelor inverse în timpul blocării tranzistoarelor, curenții de fază nu
se întrerup brusc (di/dt˂˂ꝏ), de vaceea nu apar supratensiuni mari de autoinducție
eL=–Ldi/dt, generate de inductivitățile motorului.
Întrucât în fiecare tact de comutaţie sunt deschise 3 tranzistoare (câte unul din
fiecare fază a sarcinii trifazate ZA ZB ZC), tensiunea Ud de la intrarea Invertorului
se aplică către o fază, înseriată cu alte două faze, conectate paralel (fig.1.3.22,c-d).
Ca urmare, pe fazele paralele cade Ud/3, iar pe faza în serie - 2Ud/3. De exemplu,
în tactul T1,T5,T6 schema echivalentă este arătată în figura 1.3.22, c, pentru care
u A (t ) = u C (t ) = U d ; u B (t ) = − U D
1 2
3 3
 2 
u AB (t ) = u A (t ) − u B (t ) = U d −  − U d  = U d
1
3  3 
În următorul interval de conducţie T1,T2,T6, schema echivalentă este
asemănătoare (fig. 1.3.22,d), însă tensiunile de fază îşi schimbă valorile:
u A (t ) = U d ; u B (t ) = u C (t ) = − U d
2 1
3 3
 1 
u AB (t ) = U d −  − U d  = U d ;
2
3  3 
Celelalte patru intervale de conducţie sunt asemănătoare.
Ca urmare a acestui algoritm, tensiunile de fază au o formă de piedestal cu
două trepte de U d / 3 şi o treaptă de 2U d / 3 , iar tensiunile liniare au o formă
dreptunghiulară cu o amplitudine U d , durată de 120 şi o pauză nulă de 60
între alternanţele pozitive şi negative (fig. 1.3.22,b). Având forme nesinusoidale,
aceste tensiuni condiţionează un număr relativ mare de armonici superioare, care
influenţează negativ asupra motorului asincron, mai ales la frecvenţe mici şi medii.
Armonicile superioare micşorează randamentul şi factorul de putere al motorului
cu 3-5%, ceea ce constituie un dezavantaj principal al algoritmului clasic de
comandă cu o durată constantă de conducţie a tranzistoarelor de λ=180º. În prezent
acest dezavantaj a fost practic înlăturat, ridificând frecvenţa de comutaţie a
tranzistoarelor în fiecare semiperioadă a tensiunii de ieşire.