Documente Academic
Documente Profesional
Documente Cultură
Tranzistoare bipolare
2.1. Clasificare. Tipuri de tranzistoare bipolare.
Definiie
Tranzistoarele sunt dispozitive semiconductoare active ce ndeplinesc condiiile necesare
amplificrii, alternativ dopate.
Clasificare
Dup tipul de purttori de sarcin ce contribuie la funcionarea lor, exist dou tipuri de
tranzistoare:
Tranzistoare bipolare ( la care intervin n funcionare att electroni ct i goluri)
Tranzistoare unipolare ( la care intervin n funcionare electroni sau goluri)
Tranzistoarele bipolare sunt de dou tipuri :
Tranzistorul bipolar este format dintr-un monocristal de germaniu sau siliciu , n care se
creeaz prin impurificare trei regiuni alternativ dopate.
Cele trei regiuni se numesc astfel:
-
COLECTOR (C) colecteaz cea mai mare parte a purttorilor de sarcin emii de
emitor
Structura fuzic
Reprezentarea
tranzistorului
convenional
Tranzisorul pnp
Tranzistorul npn
Regimul de saturaie
Regimul de blocare
IE = IB + IC
unde IE este curentul de emitor, IB este curentul de baz, iar I C este curentul de
colector.
IE + ICBO
IC = IB + ICEO
( =0,9 - 0,99 )
-
Regimul de saturatie
n acest regim
curentul ce trece prin tranzistor are valori mari dar mai mici dect n regimul activ
normal
Regimul de blocare
n acest regim
Tipuri de conexiuni
Un tranzistor bipolar privit ca un cuadripol poare avea trei tipuri de conexiuni :
Conexiunea CC
Conexiunea EC
2. Tranzistoare bipolare
2.2. Date de catalog . TB)
Marcare.
Date de catalog : parametrii specifici, mrimi limit
Parametrii specifici
UCEsat - tensiunea de saturaie colector emitor
hFE,
fT frecvena de tranziie
Mrimi limit
Parametrii principali ce limiteaz funcionarea tranzistorului sunt :
Marcarea
pe capsula
tranzistorului . Exist foarte multe coduri pentru marcarea tranzistoarelor , dar cele mai
utilizate sunt :
Sistemul european
Exemplu:
B C 107
A
indicaii diverse
materialul de baz
numrul de serie
funcia de baz
C tranzistor de JF de mic putere
D - tranzistor de JF de putere
S - tranzistor de comutaie de mic putere
Sistemul american
Exemplu :
3333
Structura
numrul de identificare
1 - diod
2 - tranzistor
3 MOSTEC
4 dispozitiv optoelectronic
Natura
Aspect fizic
Tipuri de capsule
Utilizri
Tranzistorul bipolar este unul dintre cele mai utilizate dispozitive semiconductoare i este
folosit aproape n toate circuitele electronice de baz:
n amplificatoarele electronice
n circuite de protecie
ca i comutator comandat
n oscilatoare
n circuite basculante
Defecte specifice
Pentru practic este important posibilitatea de verificare a tranzistoarelor cu ohmetrul.
O jonciune fr defect prezint o rezisten neglijabil dac este polarizat direct i o
rezisten foarte mare dac este polarizat invers.
O jonciune scurtcircuitat prezint rezisten neglijabil n ambele sensuri, iar
o jonciune ntrerupt are, pentru ambele sensuri, o rezisten infinit.
3. Tranzistoare unipolare
Clasificare. Tipuri de tranzistoare unipolare.
Definiie
Tranzistoarele cu efect de cmp (numite uzual TEC sau FET Field Effect Transistor )
sunt dispozitive electronice a cror funcie se bazeaz pe modificarea conduciei unui
canal semiconductor sub influena unui cmp electric. Deoarece conducia electric este
determinat de un singur tip de purttori i anume purttorii majoritari, tranzistoarele cu
efect de cmp se mai numesc i tranzistoare unipolare.
Clasificare
6
semiconductor)
Tranzistorul cu efect de cmp este un dispozitiv cu trei terminale active, fiind format din
urmtoarele domenii : canalul, sursa, drena, poarta i substratul.
Canalul este o regiune semiconductoare a crei conductibilitate poate fi comandat i
prin care circul curentul tranzistorului cu efect de cmp.
Drena (D) este regiunea semiconductoare ctre care migreaz purttorii de sarcin
majoritari, prin canal.
Sursa (S) - este regiunea semiconductoare din care i ncep migraia lor purttorii de
sarcin majoritari, n interiorul canalului.
Poarta (G sau P)
Marcare
Marcarea se face printr-o succesiune de litere i cifre imprimate pe capsula diodei . Exist
foarte multe coduri pentru marcarea tranzistoarelor , dar cele mai utilizate sunt :
Sistemul european
Exemplu:
B F 245
A
indicaii diverse
materialul de baz
numrul de serie
funcia de baz
C tranzistor de JF de mic putere
D - tranzistor de JF de putere
S - tranzistor de comutaie de mic putere
F - tranzistor de . F. de mic putere
Sistemul american
Exemplu :
4091
Structura
numrul de identificare
1 - diod
2 - tranzistor ,tiristor
Natura
Valori limit
UGS tesiunea dintre surs i gril ( TEC-J care nu sunt protejate n interior pot fi distruse
uor prin depirea tensiunii directe pe jonciunea gril - surs)
Ca orice dispozitiv semiconductor i la TEC depirea limitelor admise ale tensiunilor de
alimentare sau polarizare duce la distrugere.
UDS tensiunea dren- surs
ID curentul de dren, este curentul de dren la U GS i UDS specificate, aproape de
blocare.
Pd puterea disipat maxim care este specificat pentru o temperatur ambiant de 25
C
Parametrii specifici
g m transconductana direct, este panta tranzistorului la variaii de semnal mic a TEC
rDS rezistena dren surs, este rezistena ntre dren i surs la UGS i ID specificate
IDSS curentul de dren de saturaie, este curentul de dren la o tensiune U DS specificat.
Tranzistoare TEC-J
Tranzistoare TEC-J
reprezentri convenionale
TEC-J cu canal n
TEC-j cu canal p
Funcionare i utilizri
conductive
ale
suprafeei
semiconductorului
sunt
TEC-MOS
cu canal indus
de tip n
cu canal iniial
de tip p
de tip n
de tip p
Funcionare i utilizri
Defecte
Un dezavantaj al TEC-MOS este marea fragilitate fa de apariia unor tensiuni
accidentale pe poart. Sarcini extrem de mici pot determina tensiuni de ordinul sutelor
care pot distruge tranzistorul . Din aceast cauz la utilizarea TEC-MOS trebuie luate
precauii speciale de punere la mas a tuturor elementelor cu care iau contact ( mna
operatorului, ciocanul de lipit) .
Pentru a evita distrugerea componentelor MOS
este indicat folosirea unei brri metalice prin care mna operatorului s fie
conectat la potenialul de referin
11
12