TRANZISTORUL BIPOLAR

La tranzistoarele bipolare mecanismul conduciei este determinat de distribuia de purttori majoritari ct i de purttorii minoritari din tranzistor. Tranzistoarele bipolare sunt dispozitive semiconductoare cu dou jonciuni formate dintr-o succesiune de trei zone: npn sau pnp.

Figura 1. Tranzistorul bipolar. Structur i simbol. Zona din mijloc a tranzistorului se numete BAZ (B), este foarte ngust i cu o dopare cu impuriti mult mai mic fa de zonele laterale. Celelalte dou zone se numesc EMITOR (E) (are concentraia de impuriti cea mai mare) i COLECTOR (C). Jonciunile formate se numesc jonciunea emitorului i jonciunea colectorului. Tranzistorul bipolar se evideniaz prin proprietile de amplificare care se obin la funcionarea n regiunea activ a caracteristicilor statice. n aceast regiune jonciunea emitorului este polarizat n sens direct iar jonciunea colectorului n sens invers. CARACTERISTICI STATICE n circuitele electronice tranzistorul este tratat ca un cuadripol activ, avnd dou borne de intrare i dou borne de ieire. Tranzistorul fizic avnd doar trei borne, este necesar ca o born s fie comun att circuitului de intrare ct i circuitului de ieire. Funcie de electrodul utilizat ca born comun se disting trei scheme de utilizare.

Figura 2. Scheme de conectare ale tranzistorului. La simbolul tranzistorului sgeata nclinat indic prezena unei jonciuni. Sensul ei corespunde sensului n care este injectat curentul. S-au figurat i sensurile normale ale curenilor i tensiunilor pentru polarizarea tranzistorului n regiunea activ.

Figura 3. Tranzistorul bipolar n conexiune EC.

Caracteristicile descriu funcionarea unui dispozitiv semiconductor prin cunoaterea dependenei dintre mrimile macroscopice msurabile la borne, fcnd abstracie de fenomenele fizice din dispozitiv. Caracteristicile statice ale unui tranzistor exprim legturile dintre curenii prin tranzistor i tensiunile aplicate, n regim staionar (de curent continuu). Dei se pot exprima analitic (ecuaiile EBERS-MOLL), cel mai frecvent caracteristicile statice ale tranzistorului bipolar se dau i se utilizeaz sub forma grafic Cele mai folosite caracteristici sunt : - caracteristicile de intrare, reprezentnd dependena curentului din circuitul de intrare n funcie de tensiunea de intrare i de tensiunea la bornele de ieire iB=f(uBE,uCE).

- caracteristicile de ieire, reprezentnd dependena curentului din circuitul de ieire n funcie de tensiunea la bornele de ieire i de curentul din circuitul de intrare: iC=f(uCE,iB). Caracteristicile tranzistorului depind de schema de conexiune a acestuia. Cea mai utilizat este schema de conectare cu emitorul comun (EC). n figura 4.b sunt puse n eviden regiunea de saturaie i regiunea de blocare. n regiunea de saturaie, caracteristicile de ieire sunt foarte apropiate reducndu-se practic la o dreapt apropiat de axa curenilor (axa Y), numit dreapta de saturaie. Regiunea de blocare corespunde situaiilor de polarizare invers a jonciunii emitor-baz i a jonciunii baz-colector. Riguros, regimul de tiere se obine pentru iB=-IBCO (curentul rezidual de

Figura 4. Caracteristicile de intrare-ieire ale tranzistorului bipolar n conexiunea EC. colector). DREAPTA DE SARCIN Dreapta de sarcin descrie funcionarea tranzistorului n legtur cu circuitului exterior tranzistorului. Ea se reprezint pe caracteristica de ieire a tranzistorului i este locul geometric al punctelor de funcionare a tranzistorului, n cazul n care rezistena din colector Rc rmne constant. Referitor la figura 3, scriind teorema pentru tensiuni a lui Kirchhoff n circuitul de ieire obinem: VCC - UCE IC= (1) RC n planul caracteristicilor (iC,uCE) relaia (1) reprezint ecuaia unei drepte reprezentat n figura 5. Interseciile cu axele sunt la VCC/RC i VCC.

PUNCTUL STATIC DE FUNCIONARE Punctul static de funcionare (PSF) caracterizeaz funcionarea tranzistorului, n cazul cnd nu se aplic dect tensiuni continue i se obine prin rezolvarea sistemului de ecuaii: iC=f(uCE,iB) IC=(VCC-UCE)/RC (ecuaia dreptei de sarcin) Soluia sistemului de mai sus (iC0,uCE0) reprezint punctul de intersecie dintre dreapta de sarcin i caracteristica de ieire corespunztoare valorii date a curentului de baz IB0.

Figura 5. Stabilirea punctului static de funcionare la tranzistorul bipolar. Pentru funcionarea corect a tranzistorului bipolar ntr-un etaj de amplificare, punctul static de funcionare trebuie plasat n regiunea activ de funcionare. Acest lucru presupune polarizarea n sens direct a jonciunii emitorului i n sens de blocare a jonciunii colectorului i se poate realiza cu ajutorul a dou surse: EC i EB (fig. 3). Rezistorul RB din circuitul bazei este impus astfel nct pentru o valoare a rezistorului de sarcin RS=RC i o tensiune de alimentare EC date, s se impun tranzistorului un punct de funcionare situat n regiunea activ a caracteristicii sale statice.

INFLUENA TEMPERATURII ASUPRA CARACTERISTICILOR STATICE ntruct concentraia purttorilor minoritari din cele trei regiuni ale tranzistorului bipolar depinde exponenial de temperatura cristalului, temperatura determin o influen important asupra caracteristicilor statice ale tranzistorului bipolar concretizat n : - creterea curentului de colector cu temperatura, avnd ca rezultat deplasarea n sus a curbelor reprezentnd familia caracteristicilor de ieire (fig. 6.b). Un aport deosebit la creterea lui Ic datorit temperaturii l are curentul rezidual al jonciunii colectorului ICB0. La tranzistoarele cu Si curentul rezidual este extrem de mic (nA), astfel nct ponderea lui este mai mic dect la tranzistoarele cu Ge. Este unul din motivele pentru care tranzistoarele cu Si sunt mult mai folosite dect cele cu Ge; - micorarea tensiunii baz-emitor (fig. 6.a)

Figura 6. Influena temperaturii asupra caracteristicilor de intrare-ieire ale tranzistorului bipolar.

Prof: Hentes Benone Nume: Voisea Alexandra Clasa: a X-a C