LUCREAREA NR.

2
CARACTERISTICILE STATICE ALE TRANZISTORULUI
BIPOLAR
1. Scopul lucr rii : Ridicarea caracteristicilor statice ale tranzistorului bipolar
n conexiunile emitor-comun (EC) i baz -comun (BC), determinarea unor
parametrii de curent continuu i de regim dinamic al tranzistorului bipolar.
2. n fig.2.1 este reprezentat simbolul unui tranzistor NPN
cu precizarea sensului curen ilor i tensiunilor aa cum vor fi
folosite n aceast lucrare. ntre aceste m rimi se pot scrie
rela iile
B C E
i i i + (2.1) i
BE CB CE
u u u + (2.2).
3. Comportarea tranzistorului bipolar n regim continuu
este definit de rela iile ce descriu dependen a curen ilor
C
i i
E
i
de tensiunile aplicate la bornele celor dou jonc iuni
BE
u i
CB
u . n
regiunea activ normal , jonc iunea emitor-baz polarizat direct i jonc iunea
colector-baz polarizat invers, relatiile de baz pentru curen i pentru un tranzistor
NPN sunt:
kT
u q
p n
E
BE
e
w
n qD
S i

(2.3) i
0 0 CB E C
I i i + (2.4). n aceste rela ii S este
suprafata jonc iunii baz -emitor,
n
D este constanta de difuzie a purt torilor
minoritari din baz (electronii) a c ror concentra ie este
p
n
,
q
kT
= 26 mV la
temperatura camerei,
w
este grosimea efectiv a bazei dat de rela ia
p n
p n
CB
p n
p n
q
u U
d w

+


) ( 2
0
(2.5) ( d este grosimea fizic a bazei,
0
U
este bariera
de poten ial a jonc iunii colector-baz dependent de concentra iile de purt tori
majoritari din baz
n
n i din colector
p
p
, iar

este permeativitatea electric a

materialului din care este confec ionat tranzistorul) ; se constat c , la creterea
tensiunii de polarizare invers a jonctiunii baz -colactor, grosimea efectiv a bazei
scade. Parametrul
0
este factorul de curent al tranzistorului n conexiunea baz
comun i are expresia aproximativ :

,
_

1
1
]
1

,
_

p n
p
n
L
w
L
w
1
2
1
1
2
0
(2.6), unde
n
L
i
p
L
sunt lungimile de difuzie ale electronilor (n baz ) respectiv ale golurilor (n
emitor) iar
p

i
n
sunt conductivit ile electrice ale bazei, respectiv emitorului.
Se remarc dependen a lui
0
de tensiunea colector baz prin intermediul lui
w
.
4. Din punct de vedere practic, pentru determinarea regimului de
func ionare in curent continuu, este necesar cunoaterea carcateristicilor statice
de intrare, de transfer direct i de ieire (numai dou dintr ele sunt independente),
cu particularit i specifice fiec rui mod de conexiune. n conexiunea baz comun ,
electrodul de referin este baza iar n conexiunea emitor comun electrodul de
referin va fi emitorul.
Din punct de vedere dinamic, la semnale mici (cnd caracteristicile statice
pot fi liniarizate in jurul; punctului static de func ionare), lent variabile,
tranzistorului poate fi caracterizat prin parametrii de cuadripol defini i prin ecua iile
B
i
u
C
C E
E
u
B E
u
C B
B
i
E
i
C
f i g . 2 . 1

'

+
+
2 22 1 21 2
2 12 1 11 1
U h I h I
U h I h U
(2.7) unde
1
U ,
2
U ,
1
I i
2
I sunt m rimile variabile sinusoidale, cu
sensurile obinuite acceptate pentru cuadripoli (fig.2.1). Parametrii h vor fi
indexa i b sau
e
dup cum tranzistorul este utilizat n conexiunea BC sau EC; de
multe ori se noateaz
ij ije
h h
.
5. Caracteristica de intrare a tranzistorului n conexiunea BC adic
) (
EB E E
u i i , se deduce din rela ia 2.3, n care se nlocuiete
EB BE
u u .
Reprezentarea grafic este dat n fig.2.2, unde s-a considerat ca parametru,
tensiunea
CB
u . Se constat caracterul exponen ial al caracteristicii de intrare i
influen a mic a tensiunii de colector asupra caracteristicii de intrare. Exponentul
poate fi afectat de coeficientul

, ca la dioda semiconductoare, determinarea lui

experimental f cndu-se n acelai mod.
6. Caracteristica de transfer
) (
E C C
i i i
este descris de ecua ia (2.4) i
este reprezentat grafic n fig.2.3; factorul de curent
0
, care d panta acestei
drepte, variaz foarte pu in cu tensiunea
CB
u (prin intermediul lui
w
) i cu curentul
de colector (sc dere att la curen i mici ct i la curen i mari, dependen care nu
rezult din traiectoria elementar a tranzistorului). Factorul de curent al
tranzistorului n conexiunea baz comun ,
0
, se calculeaz cu rela ia
E
CB C
i
I i
0
0


(2.8) dar precizia acestei rela ii este puternic afectat de imprecizia
m sur rilor curen ilor
C
i i
E
i , de valori foarte apropiate. Pentru m surarea
factorului de curent
0
se prefer rela ia (2.15), dup m surarea factorului de
curent n conexiunea EC,
0
.
0 CB
I este curentul jonctiunii colector-baz polarizate invers cu emitorul n
gol, de valoare foarte mic pentru tranzistoarele realizate din siliciu i dependent
de tensiunea
CB
u .
7. Caracteristicile de ieire
) (
CB C C
u i i
, sunt determinate de rela iile (2.4) i
(2.6) i sunt reprezentate grafic n fig.2.4. Se constat dependent foarte mic a
curentului de colector de tensiunea
CB
u n regiunea activ normal , caracteristicile
fiind practic orizontale i echidistante, pentru trepte constante ale curentului de
i
u
E
B E
f i g . 2 . 2
f i g . 2 . 3
M
U = 0
B E
C B
U
U = 5 V
C B
I
E
i
C
i
E
I
C
I
E
I
C B 0
f i g . 2 . 4
i
C
u
C B
M
i
E
i
E
= I
E
E
C
E
C
R
C
I
C
C B
U
i
E
= 0
-
- -
E B
U
C B
U
I
E
I
C
R
C
f i g . 2 . 5
E
C
emitor (ceea ce confer tranzistorului n conexiunea BC caracterul de generator de
curent). Pentru tensiuni
CB
u < 0, curentul de colector scade datorit polariz rii in
conduc ie direct i a jonctiunii colector-baz , ceea ce duce la func ionarea
tranzistorului n regiunea de saturatie.
8. n circuitul elementar din fig.2.5, punctul static de func ionare se
determin prin rezolvarea grafo-analitic a sistemului de ecua ii

'

CB C C C
CB E C C
u i R E
u i i i ) , (

(2.9) unde valoarea curentului de emitor este fixat de circuitul de intrare (n
lucrare, de c tre generatorul de curent). n fig.2.4 n planul caracteristicilor statice,
se traseaz drepte de sarcin i, pentru
E E
I i , se ob ine punctul static de
func ionare M cu coordonatele ) , , (
CB C E
U I I M ; pe carcateristica de intrare punctul
static de func ionare este ) , (
EB E
U I M
.
n punctul static de func ionare, se pot m sura parametrii h pentru
caracterizarea function rii tranzistorului la semnale variabile mici, conform
rela iilor :
M
E
BE
b
i
u
h

11
,
M
E
C
b
i
i
h

21
,
M
CB
C
b
u
i
h

22
(2.10).
Parametrii
b
h
11
i
b
h
21
se dau i rela iile teoretice deduse din ecua iile (2.3) i
(2,4) sub forma
C E
b
I q
kT
I q
kT
h

11
(2.11) i
0 21

b
h (2.12).
Parametrul
b
h
12
nu poate fi determinat printr-o aceeai metod deoarece
variatiile foarte mici ale tensiunii
EB
u (la varia ii mari ale tensiunii
CB
u ) sunt
afectate de fenomene secundare, cum ar fi modificarea regimului termic al
tranzistorului la varia ia tensiunii de colector.
9. Caracteristica de intrare pentru tranzistorul n conexiunea EC, dat de
func ia ) (
BE B B
u i i are ca parametru tensiunea
CE
u , care intervine, n principal, prin
parametrul
w
. Ecua ia acestei caracteristici se ob ine din relatiile (2.1), (2.3) i
(2.4) sub forma :
0 0
) 1 (
CB
kT
u q
p n
B
I e
w
n D q S
i
BE

(2.13) i este reprezentat grafic

n fig.2.6.
Se constat forma exponen ial a carateristicii, cu o influen redus a
tensiunii
CE
u (prin intermediul varia iei grosimii efective a bazei,
w
) i anularea
curentului de baz pentru o valoare diferit de 0 a tensiunii
BE
u .
10. Caracteristica de transfer este dat de rela ia ( 2.14) :
0 0 CE B C
I i i +

unde
0
este factorul de curent n conexiune EC a c rui expresie dedus din
i
u
B
B E
f i g . 2 . 6
U = 5 V
B E
C E
U
U = 1 V
C E
I
B
f i g . 2 . 7
i m A ( )
C
2 0 0
1 0 0
0 . 1 1 0

0
i ( 0 )
B
rela iile (2.1) i (2.4) este :
0
0
0
1

(2.15), iar
0 CE
I este curentul de colector
m surat cu baza in gol i determinat prin rela ia :
0 0 0
) 1 (
CB CE
I I + (2.16) .
Factorul de curent al tranzistorului n conexiunea EC depinde de tensiunea
colector-emitor (prin intermediul grosimii efective a bazei,
w
) i de curentul de
colector (aceast dependen este mai puternic dect a factorului de curent
0
)
ca n fig.2.7.
Factorul de curent
0
se determin din rela ia (2.14) sub forma
B
CE C
i
I i
0
0



(2.17).
11. Caracteristicile de ieire dau dependen a curentului de colector de
tensiunea
CE
u avnd ca parametru curentul de baz ,
B
i , i sunt descrise de rela ia
(2.14); dependen a mai puternic a factorului de curent al tranzistorului,
0
, de
CE
u , determin o inclinare mai puternic a caracteristicilor fa de orizontal .
n zona tensiunilor
CE
u mici, ecua ia (2.14) nu mai este valabil , tranzistorul
func ionnd n regiunea de satura ie.
12. Pentru circuitul elementar din fig.2.9, punctul static de func ionare se
determin prin metoda grafo-analitic de rezolvare a sistemului format din
ecua iile :

'

CE C C C
CE B C C
u i R E
u i i i ) , (
(2.18), curentul
B
i fiind determinat de circuitul de
intrare (in cazul lucr rii, prin generator de curent constant).
n punctul static de func ionare, M , caracterizat prin parametrii
) , , , (
CE BE B C
U U I I M , se pot definii parametrii h pentru semnal mic, lent variabil :
M
B
BE
e
i
u
h

11
,
M
B
C
e
i
i
h

21
,
M
CE
C
e
u
i
h

22
(2.19).
La fel ca i
b
h
12
, parametrul
e
h
12
nu se poate m sura prin aceast metod .
ntre parametrii h n conexiunea EC i cei n conexiunea BC exist
urm toarele rela ii aproximative :
C
b e e
qI
kT h
h h h
21
11 21 11
) 1 ( +
(2.20) ,
e
e
b
h
h
h
21
21
21
1+

(2.21).
13. n anumite circuite electronice, tranzistorul bipolar poate fi folosit n
conexiune invers prin schimbarea rolurilor terminalelor emitor i colector.
Parametrul ce caracterizeaz aceast func ionare este factorul de curent n
conexiune invers ,
i
sau
i
. Cu excep ia unor tranzistoare special construite,
factorul de curent
i
, este foarte mic, de obicei, subunitar.
f i g . 2 . 8
i
C
u
C E
M
i
B
i
B
= I
B
E
C
E
C
R
C
I
C
C E
U
i
B
= 0
-
- -
B E
U
C E
U
I
C
I
B
R
C
f i g . 2 . 9
E
C
DESF URAREA LUCR RII
1. Se identific montajul din fig.2.10, n care se folosete un circuit ajut tor
n calitate de generator de curent reglabil din poten iometrul P . Pentru curen ii de
baz necesari tanzistorului NPN n conexiune EC se alimenteaz schema cu +5 V
(aproximativ) la borna 2 fa de borna de mas (borna 1) i se ob ine la borna 3
un curent reglabil (n sensul s ge ii) ntre
0 200 A ; pentru curen ii de emitor necesari
aceluiai tanzistor NPN n conexiune BC se
alimenteaz schema cu -5V la borna 2 fa de
borna 1 (borna de mas ) i se ob ine la borna
4 un curent reglabil ntre 0 50 mA.
2. Se traseaz caracteristica de intrare
a tranzistorului n conexiunea BC conform
schemei de m sur din fig.2.11. Pentru
aceasta, generatorul de curent se va alimenta cu 5 V la borna 2 fa de borna de
mas (borna 1), ieirea generatorului de curent fiind borna 4. Pentru curentul de
emitor se vor lua valorile: 0.1; 0.2; 0.5; 1; 2; 5; 10; 20; 50; mA, iar tensiunea
colector-baz va fi de 5 V. Rezultatele se trec n tabelul 2.1 i se traseaz
caracteristica de intrare att la scar liniar ct i la scar logaritmic (pentru
curent) pentru determinarea parametrului

ca la dioda semiconductoare.
3. Se traseaz cracteristica de transfer
) (
E C C
i i i
folosind schema de m sur
din fig.2.12. ntruct valorile curen ilor
C
i i
E
i sunt foarte apropiate, se prefer
m surarea curentului de baz pentru fiecare valoare a curentului de emitor, iar
curentul de colector se deduce din rela ia (2.1). tensiunea
CB
u este de 5 V. Pentru
curentul de emitor se vor lua aceleai valori ca la punctul precedent. Rezultatele se
trec n tabelul 2.2 i se traseaz caracteristic de transfer la scar liniar . Pentru
E
i
=2 mA, se determin factorul de curent al tranzistorului n conexiunea BC,
0
, cu
rela ia (2.8) n care
0 CB
I este valoarea curentului de colector ob inut cu emitorul n
gol .
Se vor compara valorile ob inute pentru
0
i
0 CB
I cu valorile rezultate din
rela iile (2.15) i (2.16), n care
0
are valoarea determinat n acelai punct de
func ionare la punctul 7.
0 0.1 0.2 0.5 1 2 5 10 20 50
5V
Tabelul 2.1
CB
U ) mA (
E
i
) mV (
EB
u
0 0.1 0.2 0.5 1 2 5 10 20 50
5V
Tabelul 2.2
) mA (
E
i
) A (
B
i
) mA (
C
i
CB
U
P
1
2
3
5
4
6
7
8
T
T T
R
f i g . 2 . 1 0
I
B
I
E
-
- -
E B
u
C B
U
i
E
f i g . 2 . 1 1
-
-
+
+
-
- -
C B
U
i
E
f i g . 2 . 1 2
-
-
+
+
-
+
i
B
4. Se traseaz caracteristicile statice de ieire n conexiunea BC cu schema
de m sur din fig.2.12. Pentru tensiunea de ieire se vor lua valorile 0.1; 0.5; 1; 2;
5; 10; V, iar curentul de emitor va fi fixat la valorile 2; 4; 6; 8; 10; mA . Rezultatele
se trec n tabelul 2.3.
Pentru
E
i =2 mA, se inverseaz semnul tensiunii
CB
U i se determin
valoarea acestei tensiuni pentru care curentul de colector se anuleaz ;
m sur toarea se va face cu aten ie, deoarece anularea curentului de colector se
produce la valori mici ale tensiunii colector baz (circa 0.6 0.7 V)
5. n planul caracteristicilor ridicate la punctul precedent, se traseaz
dreapta static de func ionare, conform rela iei (2.9) n care
C
R = 3.6 k i
C
E =12
V i se determin coordonatele punctului static de func ionare, tiind c
E
I = 2 mA.
Se realizeaz monttajul elementar din fig.2.5 cu
C
R = 3.6 k i
C
E =12 V i
se m soar coordonatele punctului static de func ionare pentru
E
I = 2 mA.. Se
compar rezultatele ob inute prin cele dou metode. n punctul de func ionare
astfel determinat, se calculeaz parametrul
b
h
11
pe caracteristica de intrare, iar
parametrii
b
h
21
i
b
h
22
se calculeaz folosind rezultatele din tabelel corespunz toare,
avnd n vedere dificultatea m sur rii unor varia ii foarte mici ale curentului de
colector direct pe grafic. Se vor folosi rela iile (2.10)
6. Se alimentaez generatorul de curent cu +5
V la borna 2 (fa de borna 1); se traseaz
caracteristica de intrare n conexiunea EC, ) (
BE B B
u i i ,
conform schemei de m sur din fig.2.13 (bornele 1 i 6
sunt legate mpreun iar miliampermetrul se
conecteaz ntre bornele 3 i 5); tensiunea
BE
u se va
m sura cu un voltmetru electronic, de preferin
numeric. Se va m sura tensiunea
BE
u pentru urm toarele valori ale curentului de
baz :
B
i = 0; 10; 20; 30; 40 i 50 A. ntruct caracteristica de intrare ) (
BE B
u i pleac
de la valori negative ale curentului de baz , se vor pune n scurt circuit baza cu
emitorul i se va m sura ) 0 (
B
i (schimbnd bornele miliampermetrului). Se men ine
curentul de baz la valoarea constant
B
I = 50 A i se m soar tensiunea baz -
emitor pentru urm toarele valori ale tensiunii colector-emitor : 0; 1; 5 i 10 V.
5 0.1 1 10
0 10 20 30 40 50 50 50 50
0
Tabelul 2.4
) V (
CE
U
) A (
B
i
) mV (
BE
u
0 0.1 0.5 1 2 5 10
2
4
6
8
10
Tabelul 2.3
) mA (
E
i ) V (
CB
u
) A (
) A (
C
B
i
i
) mA (
) A (
C
B
i
i
) mA (
) A (
C
B
i
i
) mA (
) A (
C
B
i
i
mA) (
) A (
C
B
i
i
-
- -
B E
u
f i g . 2 . 1 3
U
C E
-
- +
+
Rezultatele se vor trece n tabelul 2.4. Se va trasa graficul ) (
BE B
u i cu
CE
U =5V, la
scar liniar .
7. Se m soar m rimile necesare pentru ridicarea caracteristicii de transfer,
conform schemei de m sur din fig.2.14. Tensiunea colector-emitor va fi
CE
u = 5 V.
Se va nota, mai nti, valoarea curentului de colector cu baza n gol,
0 CE
I . Se
va regla apoi curentul de baz pentru a se ob ine curen i de colector de valoare
0.5; 1; 2; 5; 10; 20; 50 mA, rezultatele fiind trecute n tabelul 2.5.
n acelai tabel, se va trece factorul de curent al tranzistorului,
0
, calculat
cu rela ia (2.7).
Se m soar factorul de curent al tranzistorului n conexiunea EC la alte dou
tensiuni colector-emitor,
CE
u =1 V i
CE
u =10 V. Pentru fiecare dintre aceste valori,
se determin , mai nti
0 CE
I (cu baza n gol) i apoi curentul de baz necesar
ob inerii ac eluiai curent colector
C
I = 2 mA. Se va trasa graficul func iei de
transfer ) (
B C
i i , la scar liniar .
8. Se determin caracteristicle de ieire ale tranzistorului n conexiune EC
cu parametru
B
i , conform schemei de m sur din fig.2.15. Pentru curentul de
baz ,
B
i , se vor lua valorile 10; 20; 30; 40; 50 A, iar curentul colector se va
m sura pentru urm toarele valori ale tensiunii colector-emitor care asigur
func ionarea tranzistorului n regiunea activ normal : 0.5; 1; 2; 5; 10 V i se
traseaz familia de caracteristici ) (
CE C
u i la scar liniar .
Se efectueaz m sur torile pentru ridicarea caracteristicilor de ieire n zona
de satura ie a tranzistorului i n zona activ normal nvecinat , pentru tensiuni
mici ntre colector i emitor. Se va folosi acelai montaj i se vor considera aceleai
valori ale curentului de baz iar tensiunea colector-emitor se regleaz la valorile
5 1 10
0 0 0
0.5 1 2 5 10 20 50 2 0 2
-
Tabelul 2.5
0

) V (
CE
U
) A (
B
i
) mA (
C
i
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 1 2 5 10
10
20
30
40
50
Tabelul 2.6
) mA (

C
i
) A (
B
i
) V (
CE
u
-
- -
V N
f i g . 2 . 1 4
U
C E
-
-
+
+
A
-
+
m A
-
- -
f i g . 2 . 1 5
U
C E
-
+
A
- +
m A
0.1; 0.2; 0.3; 0.4 i 0.5 V. Rezultatele se trec n acelai tabelul 2.6 i se va trasa un
grafic separat pentru aceast zon la o scar convenabil pentru
CE
u .
9. Se realizeaz schema din fig.2.9 pentru determinarea punctului static de
func ionare Se fixeaz
C
E = 12 V i se regleaz curentul de baz pn cnd
C
I = 2
mA. Se vor nota coordonatele punctului static de func ionare (
C
I ,
B
I ,
CE
U ,
BE
U ).
Pe caracteristicile statice de ieire ale tranzistorului desenate la punctul
precedent, se traseaz prin interpolare, cu aproxima ie, caracteristica static
corespunz toare curentului de baz m surat anterior i dreapta de sarcin
descris de ecua ia (2.18). La intersec ia lor se ob ine punctul static de func ionare
ale c rui coordonate trebuie s fie apropiate de cele m surate.
n acest punct static de func ionare, se vor determina parametrii
e
h
11
(pe
caracteristica de intrare),
e
h
21
(pe caracteristica de transfer),
e
h
22
(pe caracteristica
de ieire) conform rela iilor (2.19).
Se vor verifica rela iile de leg tur ntre parametrii h n cele dou conexiuni
(2.20) i (2.21), punctele de func ionare fiind apropiate.
10. Se m soar factorul de curent al
tranzistorului n conexiune invers , conform schemei
de m sur din fig.2.16 i folosind rela ia
B
EC E
i
i
I i
0

,
unde
E
i este curentul nregistrat de ampermetrul din
emitor pentru
B
i = 200 A, iar
0 EC
I este curentul
nregistrat de acelai aparat pentru
B
i = 0 (baza n gol).
11. Se vor vizualiza, pe caracterograf, caracteristicile statice de intrare i de
ieire pentru ambele conexiuni ale tranzistorului. Se vor vizualiza i deform rile
caracteristicilor de ieire la tensiuni de colector apropizte de tensiunea de
str pungere, pentru ambele conexiuni.
12. Referatul va con ine: schemele de m sur pentru parametrii i pentru
caracteristicile statice ale tranzistorului n cele dou conexiuni, tabelele cu
rezultatele m sur torilor, graficele corespunz toare i determin rile f cute pe
baza acestora aa cum se indic la modul de lucru; schemele elementare cu
tranzistoare pentru determinarea punctelor statcie de func ionare respective. n
cazul unor neconcordante ntre rezultatele teoretice i cele experimentale se vor
da scurte justific ri.
f i g . 2 . 1 6
-
- -
U
C E
-
+
A
-
+
m A
I
B
I
E