7

DIODA SEMICONDUCTOARE
1.1. Caracteristici statice
Dispozitivele electronice sunt componente electronice a cror
funcionare se bazeaz pe controlul micrii purttorilor de sarcin
n diferite medii (gaz, solid, lichid).
Dispozitivele electronice pot avea 2, 3 sau 4 borne de acces,
prin intermediul crora se realizeaz controlul purttorilor de
sarcin. n condiiile n care are 2 borne de acces se numete dipol
(figura 1.1, a), iar dac are 4 borne de acces se numete cuadripol
(figura 1.1, b).
Un circuit sau un dispozitiv cu trei borne de acces (spre
exemplu tranzistorul) se trateaz ca i un cuadripol, una din borne
fiind comun intrrii i ieirii. n figura 1.1,b borna 3 este notat cu
1

- born de intrare i cu 2

care este born de ieire.







a) b)
Fig. 1.1

Bornele de acces sunt numite de intrare (i notate cu 1) sau de
ieire (notate cu 2) n funcie de sensul transferului de putere sau n
funcie de sensul de circulaie al semnalului. La bornele de intrare
se conecteaz sursa de semnal iar la bornele de ieire se percepe
rezultatul prelucrrii semnalului de ctre cuadripol. n figura 1.1
sensul circulaiei puterii este figurat prin sgei.
Descrierea funcionrii circuitului n regim static se face prin
intermediul unor funcii numite caracteristici statice, care exprim
2 1
I
U
2 1

1 2
3

1
1



8
dependena mrimilor de ieire de semnalul aplicat la intrare i de
structura intern a circuitului.
Regimul static precizeaz faptul c mrimile sunt constante n
timp, ceea ce nseamn c timpul nu este o variabil - toate
mrimile rmn la aceeai valoare din momentul cnd s-a aplicat
semnalul la intrare i pn la infinit.
Caracteristicile statice ale dispozitivelor pot fi exprimate n
mai multe moduri:
- prin intermediul unor relaii analitice (matematice);
prin intermediul unor relaii grafice.
Caracteristicile statice reprezint un mod de exprimare a
modelului circuitului .
Modelele circuitelor arareori sunt liniare, de regul sunt
neliniare, ceea ce nseamn c i caracteristicile statice vor fi la fel.
Liniaritatea se refer la faptul c mrimile de ieire depind de
mrimile de intrare printr-o relaie de forma:
mrime de ieire = (coeticient
1
)

x (mrime de intrare) +
(coeficient
2
),
unde cei doi coeficieni depind de structura circuitului. n cazul
modelelor neliniare cei doi coeficieni depind de structura
circuitului i de mrimile de intrare (uneori nici nu poate fi
explicitat mrimea de ieire, ca n relaia de mai sus).
Spre exemplu n figura 1.2,a este prezentat un dipol (o diod
semiconductoare) pentru care caracteristica static poate fi
exprimat prin relaia ( ) U f I = .












Dac relaia ntre intrare i ieire este liniar caracteristica
static poate fi exprimat grafic ca n figura 1.2,c ceea ce nseamn
c dioda poate fi definit prin rezistena intern R. Caracteristica
static se exprim analitic prin relaia de definiie a rezistenei
electrice
neliniar
U
1
U
2
U
I
R
U
I =
liniar
I
U
I
1 2
U
D
a) b) c)

Fig. 1.2.


9
GU
R
U
I R = = ,
unde G este conductana.
Att modelele matematice ct i caracteristicile statice nu sunt
unice (spre exemplu exist modele matematice specifice zonelor de
funcionare). Uneori, putem avea un model matematic general i o
caracteristic static unic, dar datorit complexitii modelului se
prefer a se utiliza modelele matematice mai simple care s fie
valabile pentru anumite zone de funcionare.
Spre exemplu caracteristica static neliniar din figura 1.2,b
poate fi exprimat prin dou drepte, ca n figura 1.3 , sau poate fi
descris aproximativ prin dou ecuaii, (fiecare valabil pe
domeniul specificat)












2
0 U U < < U
r
1
I
on
= ,

0 < U U
r
1
I
off
= ,

unde ( ) = 1K 50 r
on
K este rezistena diodei la polarizarea direct i
( ) = 10M 100K K
off
r [4] reprezint rezistena intern a diodei la
polarizarea invers a dispozitivului.
n cazul cuadripolului, deoarece avem de-a face cu 4 borne,
deci 4 mrimi la borne (figura 1.4).






IN

OUT
C
I
1
I
2
V
1
V
2
1 2
1 2
Fig. 1.4.
off
r
U
I =
on
r
U
I =
U
1
U
2
U
I
Fig. 1.3.


10
Modelul matematic trebuie s conin 2 ecuaii care s exprime
dependena dintre mrimile de ieire i cele de intrare care poate fi

( )
( )

=
=
1 1 2 2
1 1 1 2
,
,
I V f I
I V f V
,
sau poate fi
( )
( )

=
=
2 1 2 2
2 1 1 1
,
,
I I g V
I I g V
.

n majoritatea aplicaiilor cele dou funcii (f
1
i f
2
) pot fi
liniarizate n raport cu mrimile de la bornele cuadripolului astfel
nct modelul este exprimat ca sum a contribuiei fiecrei variabile
independente

+ =
+ =
2 22 1 21 2
2 12 1 11 1
I Z I Z V
I Z I Z V
,

n care termenii Z
ij
-

numii parametrii de cuadripol (de natura unor
impedane) nu depind de mrimile independente de la borne
(cureni sau tensiuni ).
Dac drept variabile independente se adopt tensiunile la borne
modelul cuadripolar conine admitanele Y
ij

+ =
+ =
2 22 1 21 2
2 12 1 11 1
V Y V Y I
V Y V Y I
.

Sunt patru tipuri de modele cuadripolare, fiecare avnd alte
mrimi independente.
Not: Pentru a fixa noiunile n figura 1.5 este prezentat o
form de und (sinusoidal) a unei mrimi variabile n timp.










T
t
V
M
v
ef
V 2
v(t)
Fig. 1.5


11
Dac perioada T este suficient de mare, regimul este
cvasistaionar la fiecare timp (n T) mrimea v are aceeai
valoare, iar trecerea de la o valoare la alta are loc prin intermediul
unei succesiuni de regimuri staionare.
Mrimea este caracterizat, n afar de perioada T prin
valoarea efectiv V
ef
i valoarea medie V
M
, definite astfel

( )

=
T
ef
dt t v
T
V
0
2
1
,

( )

=
T
M
dt t v
T
V
0
1
.


Regimul static este regimul n care mrimile sunt aceleai la
orice moment de timp.
n cazul figurii 1.5, pentru regimul cvasistaionar, mrimile
constante n timp sunt V
M i
V
ef
.

1.2. Semiconductori intrinseci
Dispozitivele semiconductoare sunt realizate cu elemente din
grupa a IV-a datorit faptului c legtura dintre atomi este
covalent (legtur chimic care se realizeaz prin punerea n
comun a electronilor de valen a 2 atomi nvecinai). Dintre
elementele grupei se utilizeaz cu precdere Siliciul i apoi
Germaniul.
Caracteristic elementelor semiconductoare este faptul c
energia electronilor se gsete pe nivele energetice situate n benzi.
Banda de valen BV conine nivele energetice ale electronilor
de energie mic, electroni care sunt prini n legturi covalente.
Energia maxim a benzii de valen se noteaz W
v
.
Electronii care au posibilitatea s se deplaseze n spaiul
interatomic (electronii liberi) au energii situate pe nivele energetice
corespunztoare benzii de conducie BC. Energia minim a benzii
de conducie se noteaz Wc.
ntre cele dou benzi permise (BC i BI) se afl banda
interzis BI, (vezi figura 1.6) a crei lime energetic W = Wc -
W
v
, este o constant de material fiind specific naturii
semiconductorului spre exemplu Semiconductori realizai din Si
au limea benzii interzise 1,12 eV [2].


12
Un electron cu energia W
v ,
pentru a se desprinde din legtura
covalent, ca s devin electron liber, trebuie s primeasc pe o cale
oarecare (spre exemplu prin impuls, adic prin ciocnirea cu un
electron de vitez mai mare) o energie suplimentar de cel puin
W. n aceste condiii energia electronului va depi BI i va trece
pe un nivel din interiorul BC electronul este liber. Prsirea
legturii covalente de electronul care a primit suficient energie
determin o legtur covalent nesatisfcut n structura
semiconductorului numit gol.




n cazul metalelor, conducia curentului electric se face prin
electroni.
n cazul semiconductorilor, conducia curentului electric se
face att prin electroni ct i prin goluri.
nelegem prin conducie a curentului electric transferul de
sarcin electric printr-o suprafa .
Curentul electric este o micare ordonat a unor purttori de
sarcin printr-o suprafa , caracterizat prin intensitatea curentului
electric de conducie.
Intensitatea curentului electric i de conducie este definit
prin variaia a sarcinii electrice care trece prin suprafaa n
unitatea de timp.




Pentru figura 1.7, avnd n vedere c 3 goluri g trec de la
stnga la dreapta prin suprafaa i doi electroni e trec de la
dreapta spre stnga, rezult c prin suprafaa trece o sarcin
electric pozitiv egal cu sarcina electric transportat de un gol
(q
p
= - q
e
= 1,6 10
-23
C). Dac considerm c situaia se menine
dinamic pentru un interval de timp de 1 secund, prin suprafa va
circula un curent electric de conducie, cu sensul de la stnga spre
dreapta, cu intensitatea de 1,6 10
-23
A.

W [eV]
W
c
W
v
}BC
}
( )
( )

= =
Ge eV 67 , 0
Si eV 12 , 1
W BI
}BV
Fig. 1.6.

=
dt
dq
i



13










Conducia curentului este realizat de goluri (legturi
covalente nesatisfcute) prin intermediul electronilor prini n
legturi covalente ale atomilor nvecinai golului. Un electron dintr-
o legtur covalent, datorit unei fore (spre exemplu datorit
forei determinate de un cmp electric), pleac din legtur i se
poziioneaz la atomul cu legtur covalent nesatisfcut. Golul
din poziia veche nu mai exist - legtura a fost refcut de
electronul sosit, dar apare un gol n poziia din care aplecat
electronul. Aceast deplasare este echivalent cu deplasarea golului
n sens invers micrii electronilor. Electronul care s-a deplasat i a
ocupat legtura covalent nesatisfcut are o energie aflat n BV.
n condiiile n care legtura covalent nesatisfcut (golul)
este ocupat de un electron a crui energie este n banda de
conducie BC procesul se cheam de recombinare. Electronul nu a
plecat dintr-o legtur covalent, ca s determine formarea unui nou
gol. Dispare, pentru procesul de conducie, att electronul ct i
golul, pentru c electronul liber a fost prins n legtura covalent
nesatisfcut numit gol.
La temperatura camerei, numrul de electroni liberi este egal
cu numrul de goluri, pentru c fiecare electron devenit liber a
plecat dintr-o legtur covalent care a devenit nesatisfcut (gol).
Concentraia de electroni liberi
0
n egal cu concentraia de
goluri
0
p se numete concentraie intrinsec n
i
.

i
n p n = =
0 0
[numr de purttori/cm
3
].

S-au folosit notaiile
0
n i
0
p cu indice zero pentru a specifica
faptul c semiconductorul se afl la echilibru termodinamic.
Cele dou concentraii fiind egale semiconductorul este
electric neutru.

g
Fig.1.7.



14
Concentraia intrinsec poate fi exprimat n principal n
funcie de limea benzii interzise W i de temperatura T, prin
relaia


kT
W
i
e AT n
2 2
3

=

n relaie intervine constanta lui Boltzman (k = 1,38 10
-23
J/K) i
o constant (A) care s preia influenele factorilor nespecificai.
Orientativ n cazul unui semiconductor din Si, aflat la T = 300
K, care are o concentraie de atomi
22
10 =
i
n atomi/cm
3
, concentraia
intrinsec este
10
10 5 , 1 x n
i
= purttori/cm
3
, ceea ce nseamn c la
fiecare 10
12
atomi exist o legtur covalent nesatisfcut (un gol)
i un electron liber.
Relaia dintre concentraiile purttorilor, la echilibru
termodinamic,

2
i
n p n =

este valabil att n cazul semiconductoarelor intrinseci ct i n
cazul semiconductorilor extrinseci.
Modificarea numrului de purttori se face prin:

- creterea temperaturii semiconductorului;
- iradiere;
- iluminare;
- injecie de purttori din exterior.

Primele trei metode de modificare a concentraiei intrinseci
determin un aport energetic din exteriorul semiconductorului. O
parte din electroni, prin acest aport energetic, i cresc energia peste
W
c
, devenind electroni liberi. Se genereaz totodat i un gol
datorit apariiei unei legturi covalente nesatisfcute, legtur din
care a plecat electronul respectiv. Concentraia de electroni i
goluri fiind egal semiconductorul va fi tot neutru.
Numrul de purttori este condiionat n principal de
temperatur, pentru care concentraiile la echilibru termodinamic
sunt notate n
0
i p
0
. n condiiile n care apare o perturbare (injecie
de purttori din exterior ) astfel nct s se modifice concentraia
unuia dintre purttori, intervine procesul de generare sau
recombinare de purttori astfel nct concentraiile s revin la
echilibrul stabilit de valoarea temperaturii, respectiv n
0
i p
0
. Odat
cu ncetarea perturbaiei semiconductorul acioneaz n scopul


15
anulrii excesului de purttori pentru a ajunge n vechea stare de
echilibru.
Semiconductori intrinseci sunt folosii la realizarea rezistorilor
i a termistorilor (rezistoare a cror rezisten se modific cu
temperatura, proprietate utilizat la msurarea pe cale electric a
temperaturii).

1.3. Semiconductori extrinseci
Semiconductorul extrinsec este format dintr-un material
semiconductor intrinsec n structura cruia s-au introdus elemente
din grupa a III-a (Bo, Al, .a.) sau din grupa a V-a (P, As, St, .a.).
Concentraiile de elemente strine, voit introduse, sunt foarte mici
(10
12
...10
18
atomi/cm
3
) n raport cu numrul atomilor
semiconductorului ( 10
22
atomi) motiv pentru care sunt numite
impuriti [8].

Semiconductorul de tip N este realizat prin introducerea de
elemente din grupa a V-a ceea ce conduce la prinderea n legturi
covalente a 4 electroni ai impuritii cu atomii semiconductorului
de baz rmnnd un electron foarte slab legat de atomul de
impuritate, care electron la temperatura camerei este electron liber
(are energia n BC). Impuritile din grupa a V-a sunt donoare (de
electroni) i introduc un nivel energetic apropiat de banda de
conducie W
c
notat W
n
n figura 1.8.










Notm cu
18 14
D
10 10 N K = [atomi/cm
3
] concentraia de
impuriti introdus. Impuritile fiind ionizate (au pierdut un
electron) vor modifica numai concentraia de electroni liberi

= =
+ = + =

i
D D i D
n p p
N N n N n n
0
0


W
W
c
W
v
W
n
Fig. 1.8.


16
innd seam de relaia dintre concentraiile la echilibru se
obine

D
i i
i
N
n
n
n
p n p n
2 2
2
= = = .

Semiconductorul se numete N pentru c, conducia curentului
electric este asigurat n principal de electroni i anume de
electronii liberi furnizai de impuriti.

Semiconductorul de tip P realizeaz prin introducerea n
structura semiconductorului de baz de elemente din grupa a III-a,
ceea ce face ca cei 3 electroni ai impuritii s formeze legturi
covalente cu atomii semiconductorului, rmnnd o legtur
covalent nesatisfcut.
Impuritile introduc un nivel energetic W
p
n banda interzis
a semiconductorului de baz, nivel apropiat de limita benzii de
valen W
V
, ca n figura 1.9.










Notnd cu N
A
concentraia de impuritate introdus, obinem
concentraiile de purttori n semiconductorul de tip P

+ =
=
A a
A
i
N N p p
N
n
n
0
2


Semiconductorii intrinseci se numesc de tip P i de tip N dup
semnul sarcinii purttorilor majoritari, respectiv golurile de sarcin
pozitiv (pentru P) i electronii de sarcin negativ (pentru N).
Nivelul Fermi W
F
, este acel nivel energetic sub care se gsete
energia tuturor electronilor unui solid n condiiile n care
temperatura acestuia este de zero grade Kelvin.
W
W
c
W
v
W
p
Fig. 1.9.


17
Concentraia purttorilor de sarcin poate fi exprimat n
funcie de poziia nivelului Fermi prin relaiile
) exp(
2
3
0
kT
W W
AT n
F c

= ,
) exp(
2
3
0
kT
W W
AT p
v F

= ,
care verific condiia de echilibru termodinamic ( n p =
2
i
n ).
Deoarece nivelul Fermi al semiconductorului intrinsec este la
jumtatea benzii interzise se noteaz acest nivel cu

2
v c
i
W W
W
+
= ,

n funcie de nivelul intrinsec pot fi exprimate concentraiile
purttorilor pentru semiconductorul extrinsec

) exp(
0
kT
W W
n n
i F
i

= , ) exp(
0
kT
W W
n p
F i
i

= .

Se remarc faptul c la semiconductorii extrinseci nivelul Fermi
este diferit de nivelul Fermi al semiconductorului intrinsec, fiind
tras de impuriti.


1.4. Densiti de curent n semiconductori
Curentul electric de conducie este definit prin micarea
ordonat a purttorilor de sarcin printr-o suprafa dat.














F
r


a) b)

Fig. 1.10
F
r

e
F
r

n
q
p
q
e
F
r



18
n general, dac nu acioneaz nici o for curentul este zero.
Curentul electric de conducie apare n condiiile n care asupra
purttorilor de sarcin acioneaz o for (electric sau de difuzie)
care s orienteze vitezele
purttorilor ctre suprafaa n cauz, ca n figura 1.10a.
Fora electric este datorat prezenei unui cmp electric de
intensitate E n semiconductor.
Valoarea forei electrice cu care acioneaz cmpul electric de
intensitate E asupra unui purttor de sarcin q
e
este

E q F
e
r r
= ,

unde C 10 6 , 1 q
23
e

= (semnul minus pentru electroni i plus pentru
goluri).
Fora de difuzie este acea for care apare datorit
neuniformitii de concentraie a purttorilor n diferite zone ale
semiconductorului fiind proporional cu gradientul concentraiei

n
d
F grad
r


Pentru a caracteriza local starea de conducie electric se
folosete densitatea j a curentului electric de conducie. Integrala
de suprafa a densitii de curent exprim valoarea curentului
electric de conducie care strbate respectiva suprafa

= A d j i j
r r r
.

n condiiile unei densiti de curent uniforme avem

I
S
i
j const j = = ,

unde S
j
este aria suprafeei .
Fora electric determin apariia unei densiti de curent prin
suprafa care este proporional cu V
m
(viteza medie a
purttorilor), concentraia purttorilor p i sarcina electric
transportat de un purttor q
p

m p p
V p q j
r r
= .



19
Viteza medie a purttorilor poate fi exprimat prin intermediul
coeficientului u
p
numit mobilitate

E V
p m
u =

Se obine expresia densitii de curent a golurilor aflate ntr-un
cmpului electric
E q p j
p p p
r r
u =

Sub influena cmpului electric electronii vor determina o
densitate de curent
E n q j
n n n
r r
u = ,

Semnul minus se datoreaz faptului c electronii se mic
invers liniilor de cmp electric, ca n figura 1.10b. Cele dou
densiti de curent se nsumeaz dac exist dou tipuri de purttori
de sarcin.

( ) ( ) E n p q E n q p q j j j
n p e n n p p n p e
r r r r r
+ = = + = u u u u .

Expresia din final se obine deoarece
e n e p
q q q q = = , .
Legea de material a conduciei poate fi utilizat pentru a stabili
expresia rezistivitii a unui semiconductor

E E j
r r r

1
= =
( )
n p e
n p q u u

+
=
1
.

Expresie care sugereaz modalitile de modificare a
rezistenei unui semiconductor, i anume prin modificarea
concentraiei de impuriti.
Mobilitatea purttorilor este afectat
- de temperatur crescnd odat cu creterea
temperaturii,
- de concentraia de impuriti care determin scderea
mobilitii,
- de intensitatea cmpului electric aplicat din exterior (la
intensiti mari mobilitatea scade).
Fora de difuzie determin densiti de curent n semiconductor
a cror expresii se pot exprima



20

=
=
n D q j
p D q j
n e nd
p e pd
grad
grad
r
r
,

n funcie de gradientul de concentraie, de sarcina purttorilor i de
coeficienii de difuzie D
p
, D
n
ai fiecrui tip de purttor de sarcin.
Coeficienii de difuzie sunt mrimi dependente de materialul
semiconductorului, fiind corelate cu mobilitatea purttorilor prin
relaiile Euler

n
e
p
e
p
q
KT
q
KT
D u u = =
n
D ; .

Densitile de curent ale celor doi purttori de sarcin se
nsumeaz

pn pd d
j j j
r r r
+ = .

Densitatea de curent care se stabilete printr-o suprafa a unui
semiconductor cnd acioneaz att fora electric ct i fora de
difuzie sumeaz efectul celor dou fore

dt
E d
j j j
d e
r
r r
+ + = ,

Expresia densitii de curent conine un termen (ultimul)
dependent de viteza de variaie n timp a cmpului electric

dt
E d
j
v
r
= ,

care poart numele de densitate de curent de deplasare.
Densitatea curentului de deplasare este semnificativ cnd
intensitatea cmpului electric are o vitez mare de variaie n timp.

Generarea i recombinarea purttorilor de sarcin
Fenomenul de recombinare const n scderea energiei unui
electron liber sub valoarea nivelului W
v
, ceea ce determin fixarea
acestuia ntr-o legtur covalent nesatisfcut.
Dac legtura covalent provine de la materialul
semiconductor de baz rezult dispariia a 2 purttori de sarcin
(att un electron ct i un gol).


21
Dac electronul este prins ntr-o legtur a impuritii sau a
unui centru de recombinare se pierde numai un electron pentru
procesul de conducie, vezi figura 1.11a, deoarece atomul de
impuritate este ionizat i primind un electron devine neutru.








Generarea purttorilor de sarcin se poate face n perechi (un
electron i un gol) dac electronul provine dintr-o legtur
covalent.
Se genereaz numai un purttor dac electronul provine de la
un atom de impuritate care, prin cedarea sau acceptarea, unui
purttor se ionizeaz. Semiconductorul rmne neutru pentru c
sarcina purttorului generat este egal i de semn opus sarcinii
ionului format, vezi figura 1.11.
Viteza net de recombinare a purttorilor U este definit drept
variaia excesului de sarcin n unitatea de timp fa de sarcina
stabilit de echilibrul termodinamic
) ( ) (
2
t p t n
i
p p n n
n pn
U
+ + +

=

,

unde
n
i
p
reprezint timpul de via al electronului i respectiv
al golului, n i p sunt concentraiile de purttori iar n
t
i p
t

reprezint concentraii fictive de purttori dac acetia ar avea
energia corespunztoare nivelului de captur (n cazul recombinrii
prin neutralizarea unei impuriti ionizate, energia nivelului de
captur corespunde nivelului energetic introdus de impuritate ca
n 1.11 a).
La echilibru termodinamic ntre concentraiile de purttori
avem relaia

n p = n
i
2

U= 0,
W
W
c
W
v
recombinare cu
centru de captur
(1 e
-
)
recombinare
band-band
(2 purttori)
W
W
c
W
v
Ion pozitiv
(1 purttor
generat)
gol
(2 purttori)
Fig. 1.11.
a)
b)


22

pentru c U este viteza net de recombinare, adic diferena ntre
viteza de recombinare a purttorilor i viteza de generare a acestora,
viteze care la echilibru termodinamic sunt egale.

1.5. Jonciunea p-n la echilibru termodinamic
Jonciunea PN este linia care separ dou zone
semiconductoare diferite - una de tipul P i cealalt de tipul N -
care au fost puse n contact.
La echilibru termodinamic temperatura este constant i nu
exist schimb de energie cu exteriorul.
Concentraiile purttorilor n cele dou zone semiconductoare
sunt prezentate n tabelul de mai jos.










Datorit faptului c n zona P avem multe goluri, n condiiile
n care se pune n contact cu N, apare fenomenul de difuzie care
determin transferul de goluri din zona P n zona N.
La fel se pune problema pentru electronii din zona N, aa nct
plecnd golurile de la suprafaa semiconductorului de tip P aceast
zon este srcit n purttori i plecnd electroni de la suprafaa
semiconductorului din zona N aceasta este srcit n sarcini
negative, ca n figura 1.12.









n zona de jonciune, datorit plecrii purttorilor de sarcin,
rmn numai ionii de impuritate.
dp
E
r

-l
p
+l
n
N P
Fig. 1.12
P N

=
+ =
A
2
i
A 0 A
N
n
n
goluri N p N p

=
+ =
D
2
i
D 0
N
n
p
electroni N n N n
D

goluri - majoritare
electroni - minoritari
electroni - majoritari
goluri - minoritare



23
Ionii de impuritate de la suprafaa semiconductorului de tip N
sunt sarcini pozitive (pentru c au cedat un electron) i determin o
densitate de sarcin

q = q
e
N
D
pe intervalul 0,..., l
n
,

(se nmulete sarcina ionului cu densitatea ionilor din zona
semiconductoare N).
Ionii de impuritate de la suprafaa semiconductorului de tip P
sunt sarcini negative (pentru c au primit un electron) i determin
o densitate de sarcin q = -q
e
N
A
pe intervalul -l
p
,..., 0 (se
nmulete sarcina ionului cu densitatea ionilor din zona
semiconductoare P).
Prezena celor dou acumulri de sarcin la jonciune conduce
la apariia unui cmp electric de intensitate notat cu E.
Intensitatea cmpului electric poate fi calculat pe baza legii
fluxului electric, care stabilete faptul c fluxul induciei D a
cmpului electric printr-o suprafa nchis este egal cu cantitatea
de electricitate-sarcin electric din volumul delimitat de suprafaa
respectiv

grad () = q .

n condiiile din figura 1.12, cnd intensitatea cmpului se
modific numai pe OX gradientul conine numai derivata pe axa x

q
dx
dE
=
.
Separnd variabilele se obin expresiile cmpului electric


n
D
n e
p
A
p e
l x pentru
N
x l q x E
x l pentru
N
x l q x E
=
+ =
0 ) ( ) (
0 ) ( ) (

,
ca n figura 1.13.
Din condiia de continuitate a cmpului n origine

E(-0) = E(+0),

se obine o relaie ntre limile zonelor de golire in cele dou zone
semiconductoare
N
A
l
p
= N
D
l
n
.


24














Considernd drept referin a tensiunii zona neutr a
semiconductorului P (V(-l
p
) = 0) i plecnd de la definiia cderii de
tensiune

=
1
0
p
p
r d E U
r
r
,

particularizat pentru jonciune

=
p
n
I
I
r d E U
r
r
0
,

se obine expresia tensiunii pe jonciune cunoscut sub numele de
barier de potenial
2 2
0 n
D e
p
A e
l
N q
l
N q
U

+ =


care se opune transferului de purttori prin jonciune.
De fapt cmpul electric determin fora electric F
e
, din figura
1.14, care este de sens opus forei de difuzie F
d
.






La conectarea celor dou zone ncepe procesul de difuzie a
purttorilor, zona de golire se extinde, sarcina de fiecare parte a
jonciunii crete, cmpul electric crete i fora electric crete aa
nct

-l
p
0 l
n

Fig. 1.13.
E
E
0
U
0
U
x[m]
x
Zona P Zona N
E q F
e e
r r
=
d
F
r

Fig. 1.14.


25
e d e
F F a m =

diferena celor dou fore se micoreaz.
Transferul de sarcin i extinderea zonelor golite n purttori
nceteaz cnd fora electric egaleaz fora de difuzie.
Notnd limea total a zonei de golire l = l
p
+ l
n
din ecuaia
barierei de potenial se obine

0
D A e
U
N
1
N
1
q
2
l
|
|

\
|
+

= .

Deoarece avem dou acumulri de sarcini opuse separate
printr-o zon de lime l n care se stabilete un cmp electric,
rezult c avem un condensator a crei capacitate
l
S
C
J
B

= ,

este numit capacitate de barier.
Expresia barierei de potenial poate fi dedus pe baze energetice,
innd seam de faptul c energiile benzilor de conducie din cele
dou zone semiconductoare trebuie s se racordeze

W
c
(-l
p
) = W
c
(+l
n
) + q
e
U
0


aa ca nivelul Fermi W
F
s fi acelai n toat structura (ca n figura
1.15).










Energiile benzilor de conducie se expliciteaz din expresia
purttorilor majoritari din zona semiconductoare N

)
) (
exp(
kT
W l W
A N n
F n c
D

= =

-l
p
0 +l
n
W
c
(-l
p
) W
c
(+l
n
)
q
e
U
0

Fig. 1.15
W
F


26
din care se determin W
c
(+l
n
) .
Din expresia purttorilor minoritari din zona semiconductoare P se
determin W
c
(-l
p
)
)
) (
exp(
2
kT
W l W
A
N
n
n
F p c
A
i

= =

nlocuind se obine expresia barierei de potenial ca funcie
numai de caracteristicile zonelor semiconductoare (N
D
, N
A
)

) (
2
0
i
D A
e n
N N
In
q
kT
U =

unde
i
n reprezint concentraia intrinsec i are valoarea

KT
W
i
e AT n
2 2
3

= .


1.6. Polarizarea jonciunii P-N

Polarizarea jonciunii P-N const n aplicarea din exterior a
unei surse de tensiune electromotoare cu bornele sursei pe zonele
neutre ale semiconductorului.
Dac borna pozitiv a sursei se aplic pe zona P polarizarea
este direct, iar cnd pe zona P se aplic borna negativ polarizarea
este invers.
n cazul polarizrii directe a jonciunii t.e.m. E
AA
determin
apariia unui cmp electric notat E
A
care este de sens invers
cmpului electric intern notat E
0
. Rezult c valoarea cmpului
electric care acioneaz asupra purttorilor se micoreaz, ceea ce
nseamn c o parte din purttori vor traversa datorit forei de
difuzie zona de golire. Golurile din zona P vor ajunge n zona N
pn la o distan L
p
= l
p
+ p (vezi figura 1.16), numit lungime
medie de difuzie a golurilor i definit drept acea distan pe care o
parcurge un golul pn la recombinarea cu un electron.
Lungimea medie de difuzie poate fi exprimat

p p p
D L =
prin
p
D - coeficientul de difuzie i
p
- timpul de via al golurilor
(definit drept timpul ct golul se mic n zona N de la intrare i
pn la recombinare).


27
Golurile, provenind din zona P, vor modifica, pe distana p,
concentraia purttorilor minoritari din zona N.













Concentraia de goluri, pe distana p, va diferi de concentraia
impus de echilibrul termodinamic. Vom avea o sarcin
suplimentar numit sarcin n exces.
Aceleai considerente se fac pentru electronii provenii din
zona N i injectai n zona P.
Acumulrile de sarcin excedentar determin definirea unei
capaciti numit capacitate de difuzie

AA
d
E
q
C

= .

Aceast teorie este valabil n cazul nivelelor mici de injecie
adic atunci cnd curentul electric de conducie prin semiconductor
nu are valori foarte mari, ceea ce nseamn c numrul de purttori
care sunt injectai prin suprafaa semiconductorului este mic n
raport cu numrul de purttori majoritari din zona respectiv.
Exemplu numeric:

=

12
18 15
10
10 10
inj
pot
P
P K


n zona P: ( ) + = + = +
15 3 12 12 15
10 1 10 10 10 10
inj pot
P P
la nivele mici concentraia de purttori majoritari (goluri
n zona P) nu se modific prin injecie de purttori minoritari.
Dar golurile care ajung n zona N (unde sunt minoritari) vor
modifica concentraia de purttori minoritari (pe distane mici). La
fel se prezint situaia pentru electronii care ajung n zona P.
0
E
r

-l
n
+l
p
N P
A
E
r

AA
E
0
p
P
D n
N n
0

0 P -l
n

+l
p

n p
Fig. 1.16.


28
Sursa de t.e.m. furnizeaz numai purttorii care au fost
injectai (spre exemplu furnizeaz electroni pentru zona N), dar
numrul acestora este mic fa de ce exist deja n zon, rezult c
vor determina un curent de valoare mic n zonele neutre (unde sunt
plasate bornele sursei). Curentul de valoare mic determin cderi
de tensiune mici, motiv pentru care se neglijeaz cderile de
tensiune pe zonele neutre. Reformulnd putem spune c ntreaga
tensiune furnizat de sursa de t.e.m. se aplic jonciunii.
La polarizarea invers a jonciunii intensitatea cmpului
intern
0
E are acelai sens cu valoarea cmpului
A
E - determinat de
sursa de t.e.m.
AA
E (vezi figura 1.17).












n acest caz, cmpul electric este favorabil micrii
purttorilor minoritari, micarea purttorilor majoritari fiind blocat
att de bariera de potenial ct i de cmpul stabilit n materialul
semiconductor de sursa extern.
Constatm c avem de-a face cu un transfer de goluri din
zona N n zona P care determin un curent electric de conducie de
valoare mic (pentru c exist puini purttori de sarcin goluri n
zona N).
La polarizarea invers curenii prin dispozitiv sunt determinai
de fenomenul de generare de purttori n zona de trecere sau n
zonele neutre.
n figura 1.18 se prezint densitile curenilor care circul
prin jonciunea P-N a)la polarizarea direct i separat b) la
polarizarea invers.
La polarizarea direct intervin densitile de curent datorate
difuziei purttorilor, care pot fi exprimate n funcie de tensiunea V
A

de pe jonciune (la nivele mici de injecie V
A
= E
AA
)

0
E
r

-l
n
+l
p
N P
A
E
r

AA
E
Fig. 1.17.


29
|
|

\
|
= 1
0
KT
A
qV
d
e j j .
Densitile de curent j
r
,reprezint curenii de recombinare
direct a purttorilor de sarcin (n zona de golire) i pot fi
exprimai prin relaia
|
|

\
|
= 1
2
0
KT
qV
r r
A
e j j .












Densitile j
0
i j
0r
sunt constante, dependente de natura
semiconductorului de baz i doparea acestuia cu impuriti.
Curentul prin dispozitiv se obine nmulind densitatea de
curent cu suprafaa transversal a semiconductorului.
Att pentru polarizarea direct ct i pentru polarizarea
invers, curentul prin jonciune poate fi descris de ecuaia

|
|

\
|
= 1
0
mKT
A
qV
e I I

unde m este coeficientul de neidealitate, 2 1 m K = iar
A
V este
valoarea tensiunii aplicate pe jonciune. Dispozitivul este ideal
pentru m=1.
n figura 1.19 este prezentat caracteristica static a jonciunii
P-N, conform cu modelul exponenial (caracteristica static
exprimat analitic).
La polarizarea direct curentul este mic pn cnd tensiunea de
polarizare ajunge la valoarea tensiunii V
p
numit tensiune de prag.
Tensiunea de prag are valori diferit n funcie de tipul
semiconductorului de baz V
p
= 0,7 V la Si,
V
p
= 0,3 V la Ge, V
p
= 1,0 V la As.
n
L
n
l
p
l
p
L
pd
j
nd
j
r
j
r
j

J
r

J
r
)
`

J
r
J
r

p
l
p
L
a) b)
Fig. 1.18.


30
La polarizarea invers curentul are valori foarte mici i crete
puin la creterea tensiunii inverse.













n figura 1.20 este prezentat jonciunea P-N n coresponden
cu dispozitivul semiconductor numit diod semiconductoare
realizat pe baza unei jonciuni P-N. Anodul diodei A este pe zona P
a jonciunii iar catodul K este pe zona semiconductoare N a
jonciunii.











Aplicarea tensiunii de polarizare pe jonciunii se face prin
intermediul unor electrozi metalici.

1.7. Fenomene care modific caracteristica static
a jonciunii P-N

A: Efectul nivelelor mari de injecie
n condiiile n care curentul prin dispozitiv are valori mari,
acesta fiind dat de purttorii injectai nseamn c putem spune c
dispozitivul funcioneaz la nivele mari de injecie.
K

A
I
A
V
AK
P

N

A K
Fig. 1.20
Polarizare
direct
Polarizare
invers
2000A
Fig. 1.19
I
V
V
P


31
Nu mai pot fi neglijate cderile de tensiune V
l
pe zonele
neutre ale fiecrui semiconductor, rezistena acestora se noteaz R
N

n figura 1.21a [8, 9].
Pe jonciune nu mai ajunge toat tensiunea sursei ci numai V
j

1 1
V V V V
j AK
+ + = ,
j AK
V V V + =
1
2 ,

ceea ce conduce la modificarea caracteristicii statice ca n figura
1.21,b.
Curentul prin dispozitiv se obine din sistemul de ecuaii

|
|

\
|
=
+ =
1
2
0
mKT
qV
A A
j A N AK
j
e I I
V I R V
( )
AK A
V I f =







B: Efectul creterii temperaturii
Temperatura determin concentraia intrinsec de purttori de
unde rezult c va crete numrul de purttori (minoritari i
majoritari) i curentul rezidual
0
A
I - se dubleaz curentul rezidual
la fiecare cretere cu 10C a temperaturii jonciunii.
Tensiunea pe jonciune V
AK
=V
j
scade cu 2mV (1,1...2,1mV) la
fiecare cretere de 1C a temperaturii.
Tensiunea la temperaturi uzuale este mV V V
AK
650 65 , 0 = = .
Efectul temperaturii asupra cderii de tensiune pe jonciune
este utilizat la realizarea traductoarelor de temperatur, pentru o
gam de temperaturi din domeniul 10,..,+100
0
C.
P N
V
1
V
1 V
j
R
N
R
N
V
AK
AK
V
0
A
I
L 1
I
real
A
I
Fig. 1.21.
a)
b)


32
Temperatura jonciunii este limitat la T
jmax
= 125
0
C n cazul n
care semiconductorul de baz este Si. O temperatur mai mare
conduce la ambalarea termic a dispozitivului cu efecte ireversibile.

C: Efectul prelucrrii suprafeei semiconductorului
Prelucrarea necorespunztoare a suprafeei
semiconductorului determin absorbia pe suprafaa acestuia de
elemente strine, care se constituie n impuriti nedorite. Acestea
vor determin nivele energetice aflate n interiorul benzii interzise
BI a semiconductorului, numite centre de recombinare. Se modific
astfel necontrolat proprietile electrice ale semiconductorului
(crete curentul rezidual i curentul de recombinare).

D: Efectul creterii tensiunii inverse aplicate dispozitivului
Creterea tensiunii inverse aplicat jonciunii determin o
cretere a curentului invers. Pentru o anumit valoare a tensiunii
inverse notat cu
BR
U numit tensiune de strpungere (vezi figura
1.22), apare un canal conductor ntre anod i catod. Spunem c
dispozitivul s-a strpuns. Se comport n circuit ca un rezistor de
valoare foarte mic.
Strpungerea are loc prin 3 fenomene fizice:
- multiplicarea n avalan a curentului;
- tunelarea (efectul Zener);
- atingere.
1. Multiplicarea n avalan const n creterea
curentului datorit faptului c sub influena cmpului electric extern
crete energia electronului ( )
c
W astfel nct ciocnirea acestuia de un
atom neutru s determine smulgerea unui electron. Se genereaz
astfel doi purttori de sarcin, un electron i a unui gol.
La rndul lui electronul secundar poate s genereze prin
acelai mecanism ali puttori de sarcin.












Fig. 1.22.


33
Creterea numrului de purttori determin creterea curentului
n dispozitiv.
Dac curentul prin dispozitiv nu depete o anumit valoare
maxim fenomenul este reversibil - adic la scderea tensiunii
inverse curentul scade, altfel canalul conductor este permanent i
dispozitivul se comport rezistiv.
2. Efectul de tunelare se obine la dispozitivele
semiconductoare a cror concentraie de impuriti este mare
( )
3 18 16
imp/cm at 10 10 K . n aceste condiii, limitele benzii de valen
din una din zone ( )
c
W este apropiat de limitele benzii de conducie
din zona cealalt. Un electron dintr-o legtur covalent trecnd
peste zona de golire va deveni n cealalt zon electron liber (pentru
c energia lui corespunde energiei benzii de conducie BC). Apar
astfel puttori de sarcin suplimentari care determin creterea
brusc a curentului fr ca tensiunea s se fi modificat [18].
3. Fenomenul de atingere apare n condiiile n care
dispozitivul semiconductor este realizat cu zone semiconductoare
subiri. Creterea tensiunii inverse determin att o cretere a
cmpului electric intern ct i creterea limii zonei de golire,
astfel c la o valoare a tensiunii aplicate (notate cu
BR
V ), zona de
golire ajunge s ating electrodul de injectare. Cmpul electric
intern, datorat polarizrii inverse a jonciunii va fi favorabil
transferului n semiconductor a purttorilor de la sursa de t.e.m.
direct n zona de purttori majoritari (electroni furnizai de surs
sunt injectai n zona N). Curentul crete puternic determinnd
deteriorarea dispozitivului prin topirea jonciunii.

1.8. Circuite echivalente ale jonciunii P-N n regim
static

Un circuit echivalent este un circuit realizat cu elemente
pasive i surse comandate sau necomandate, care poate nlocui
dispozitivul semiconductor fr ca regimul de tensiuni i cureni s
se modifice n exteriorul dispozitivului. Altfel spus aplicnd un
semnal la intrarea dispozitivului i acelai semnal la intrarea
circuitului echivalent cele dou rspunsuri vor fi identice, pentru un
anumit domeniu al semnalului de intrare sau pentru tot domeniul
permis.
n figura 1.23 a) este prezentat caracteristica static sub
form grafic a dispozitivului numit diod semiconductoare
(jonciunea PN), al crui simbol i model matematic sunt reluate n
1.23b.


34
Pornind de la caracteristica static se pot realiza scheme echivalente
pentru diferite domenii de funcionare al cror rspuns s fie
suficient de aproape de rspunsul real.















Caracteristica static din figura 1.23a poate fi liniarizat ca n 1.24.












Se definesc :
- tensiunea de prag, ca fiind tensiunea de la care dispozitivul este n
conducie (circul un curent semnificativ)

=
Si 0,7V
Ge V 3 , 0
V
p
;
- rezistena intern n conducie, este rezistena dispozitivului
pentru V
AK
> V
P
p A d AK
V V
A
AK
D
d
V I R V
I
V
R
p AK
+ = =
>
;

- rezistena intern n blocare, este rezistena pentru

P

N

K

A
I
A
V
AK
|
|

\
|
= 1 e I I
mKT
qV
A A
AK
0

V
AK
I
0
(I
R
)
I
A
(I
F
)
a) b)
Fig. 1.23.
R
inv
I
A
V
AK
V
P
R
d
Fig. 1.24.


35
V
AK
< V
P
,
p AK
V V
A
AK
D
inv
I
V
R
<
= .

Schema echivalent corespunztoare caracteristicii statice din figura
1.24 este prezentat n figura 1.25.











Circuitul din figura 1.25 conine dou comutatoare care
lucreaz n opoziie cnd este unul nchis cellalt este deschis.
Deasupra fiecrui comutator este nscris condiia care dac este
ndeplinit determin nchiderea comutatorului. Dac ntre cele
dou tensiuni exist relaia V
AK
< V
P
numai comutatorul de jos este
nchis i

V
AK
= R
inv
I
A
.

Pentru V
AK
> V
P
numai comutatorul de sus este nchis i

V
AK
= R
d
I
A
+ V
P
.












K A
V
AK
>V
p
V
AK
>V
p
R
d
R
inv

I
A
K A
V
AK
>V
p R
d
I
A
a) b)
Fig. 1.26.
K A
V
AK
>V
p
V
AK
<V
p
R
d
R
inv

+ -
V
p
I
A
Fig. 1.25.


36
n condiiile n care tensiunea de prag V
P
este mic n raport
cu tensiunea aplicat la bornele dispozitivului se poate folosi una
din schemele echivalente din figura 1.26 n care se consider
V
P
= 0.
Rezistenele interne au valori din domeniile
| | sute R
d
K , | | M K sute R
inv
K .
Dac rezistena la polarizarea invers este foarte mare se
folosete schema echivalent din figura 1.26b, considernd R
inv
=
infinit ,
pentru V
AK
> 0 , comutatorul este nchis i n circuit rmne
rezistena intern de la polarizarea direct R
d
,
pentru V
AK
< 0 , comutatorul este deschis i circuitul va fi n
gol (curentul I
A
= 0 ).

1.9. Circuite echivalente ale jonciunii P-N n regim
cvasistaionar

Regimul cvasistaionar este caracterizat prin faptul c viteza
de variaie a mrimilor cmpului electromagnetic este suficient de
mic pentru a considera c trecerea de la un regim la altul se face
printr-o succesiune de regimuri staionare.
Regimul cvasistaionar se obine n cazul n care tensiunea
care se aplic este format prin suprapunerea a dou semnale - un
semnal de c.c. V
A
i un semnal de c.a. ( ) t v
a


( ) ( ) t v V t v
a A A
+ = .
Semnalul variabil n timp este un semnal periodic de perioad
T [s] sau de frecven | | Hz
T
f
D
1
= , a crei valoare medie
( ) 0
1
0
= =

T
a med
dt t v
T
V este nul.










T
f(t)
t
Fig. 1.27.


37
Semnalul din figura 1.27 este periodic, de perioad T
pentru c oricare ar fi momentul de timp t avem
egalitatea ( ) ( ) t f T t f = + .











Orice semnal periodic se poate descompune, cu ajutorul
seriilor Fourier, ntr-o sum format din componenta de curent
continuu i un numr de semnale sinusoidale de amplitudini diferite
i frecvene multiplii ai frecvenei semnalului. Rezult c este
suficient s aflm rspunsul sistemului liniar la un semnal format
din componenta de curent continuu i o singur sinusoid de
frecven neprecizat
( ) ( ) t v V t v
a A A
+ = ,

n care ( ) t V v
a
sin
max
= .
n figura 1.28 este prezentat a)semnalul aplicat i b) simbolul
diodei semiconductoare.
Pentru c tensiunea are variaii att pozitive ct i negative
modelul dispozitivului electronic folosit este modelul complet

|
|

\
|
= 1 ) (
0
mkT
qv
A A
A
e I t i .

Dac se aplic numai semnalul de curent continuu v
a
= 0

( ) ( )
A a A A
V t v V t v = + = ,

pentru curentul continuu prin dispozitiv I
A
se obine expresia

( )
mkT
qV
A
mkT
qV
A A A A
A A
e I e I I V v
0 0
1 c.c.
|
|

\
|
= = .

T
t
V
max
v
A
V
A
v
a D
i
A
v
A
(t)
a) b)
Fig. 1.28.


38
n condiiile n care se aplic semnalul complet (c.c +c.a),
curentul prin dispozitiv poate fi scris sub forma

( )
|
|

\
|
=
|
|

\
|
=
|
|

\
|
=
+
1 1 1
0 0
0
mkT
qv
mkT
qV
A
mkT
v V q
A
mKT
qv
A A
A A A A A
e e I e I e I i .

Se noteaz tensiunea termic

q
mkT
V
D
T
= ,

i se scriu primii termeni ai dezvoltrii n serie de puteri

K +
|
|

\
|
+ +
2
2
1
1
T
a
T
a V
v
V
v
V
v
e
T
A

Constatnd inegalitatea de mai jos se pot reine numai primii
doi termeni din dezvoltarea n serie de puteri
<1
T
a
V
v

T
a V
v
V
v
e
A
a
+ 1 .
n condiiile aproximrii de mai sus expresia curentului

a A
T
a V
V
A
. c . c
V
V
A
V
V
T
a
A A
i I
V
v
e I 1 e I 1 e
V
v
1 I i
T
A
0
T
A
0
T
A
0
+ = +
|
|

\
|
=

|
|

\
|
+ =
43 42 1
,

va conine componenta de curent continuu I
A
(a crei expresie am
stabilit-o) i o component variabil, notat i
a
.
n expresia componentei variabile a curentului intervine
partea variabil a tensiunii i conform legii lui Ohm

a
ca
a
T
T
V
A
V
A
a
v
R
v
V
e I
i
1
0
=
|
|
|
|

\
|
= ,

putem identifica expresia rezistenei diodei n regim variabil
mkT
qI
q
mkT
I
V
e I
R
A A
T
V
V
A
D
ca
T
A
= = =
0
1



39
n condiii de regim variabil, dioda semiconductoare se
exprim la polarizarea direct printr-o rezisten notat cu
ca
R a
crei valoare

|
|

\
|
=
A
ca
qI
mkT
R ,

depinde de valoarea componentei de curent continuu ( )
A
I .
Rezistena invers a dispozitivului este de cele mai multe ori
considerat foarte mare, aa nct pentru regimul cvasistaionar se
utilizeaz schema echivalent din figura 1.29,a .






n cazul n care frecvena semnalului este mare, schema
echivalent se completeaz cu cele dou capaciti, i anume la
polarizarea direct cu capacitatea de difuzie i la polarizarea invers
cu capacitatea de barier. Se obine schema echivalent din figura
1.29,b .
Diodele semiconductoare se utilizeaz la realizarea circuitelor
redresoare, a detectoarelor de nivel a stabilizatoarelor de tensiune
continu (diode Zener) .a.

1.10. Tipuri de diode semiconductoare cu jonciune
n prezentul paragraf se trec n revist principalele tipuri de
diode utilizate curent n aplicaii. Diferenierea se face n funcie de
zona de funcionare pe care o folosete aplicaia [3, 4, 26 ]
A. diode la care se utilizeaz caracteristica static de la
polarizarea n conducie a diodei, cealalt ramur a caracteristicii
fiind utilizat pentru blocarea curentului (ideal ar fi ca rezistena s
fie infinit)
B. diode se utilizeaz caracteristica static de la polarizarea
invers a diodei, cealalt ramur nefiind utilizat (dioda Zener)
A K
R
ca
C
d
C
B
A K
V
AK
>0 R
ca
R
inv
=
a) b)
Fig. 1.29.
V
AK
>0


40
Notaii:
F
I - curentul la polarizare direct;
F
V - cderea de tensiune la polarizarea direct;
max
R
V - tensiunea invers maxim ( )
BR
V ;

R
I - curentul la polarizare invers.

A. Diode n polarizare direct
Diode de comutaie sunt caracterizate prin viteza mare de
rspuns, pentru c evacuarea sarcinii stocate se face rapid. Pot lucra
la frecvene mari ale tensiunii de alimentare.
mA I
F
200
max
= ; mA I
F
100 10K = ; V 75 V
max
R
= ; V V
F
1 = ;
Diode de uz general
mA I
F
150
max
= ; mA I
F
800 = ; V 50 20 V
max
R
K = ; V V
F
1 = ;
Diode de nalt tensiune sunt caracterizate prin faptul c
suport tensiuni mari de polarizare invers. Spre exemplu TV13,
TV18, .a.
mA I
F
2 , 0
max
= ; kV V
R
13
max
= ;
Diode de putere sunt realizate pentru a vehicula puteri mari
i foarte mari.
A I
F
5500
max
= ; A I
F
1100 = ; mA I
R
6 = ; V V
R
1800 1300
max
K = ; V V
F
4 , 1 = ;

B. Diode n polarizare invers
Diode stabilizatoare sunt realizate aa fel nct s poat
funciona n zona reversibil de strpungere. Este cunoscut sub
numele de diod Zener.
V V
Z
200 75 , 0
max
K = ; A I
Z
700 5K = ; = 1500 2K
Z
r ; Puteri disipate
0,4W | 1W | 4W | 10W | 20W.
n figura 1.30 este prezentat caracteristica static a diodei
Zener.
Zona de polarizare invers, corespunztoare strpungerii
reversibile poate fi aproximat prin ecuaia


Z Z Z Z
I r V V + =
0
,

n care apar V
z0
tensiunea de stabilizare i r
z
rezistena intern a
diodei.
Rezistena intern se definete prin relaia

Z
Z
D
Z
I
V
r = .



41
Tensiunea de stabilizare
0
Z
V se modific cu temperatura
conform ecuaiei:

( ) T V V
Z T Z Z
+ = 1
0 0
,

n care coeficientul de variaie cu temperatura are valori din
domeniul

| | C
Z
=

/ 10 8 2
4
K
















Diodele Zener se construiesc pentru tensiuni cuprinse n
domeniul 1,5...,200V.
0
L cu tensiunea < 5V avem
z
negativ pentru
c predomin fenomenul de tunelare, iar pentru tensiuni > 5V
z

este pozitiv pentru c predomin fenomenul de avalan.

1.11. Principiul superpoziiei

n cazul general circuitele electronice primesc la intrare un
semnal variabil a crui component de curent continuu este nenul.
Semnalul poate fi considerat ca fiind format prin suprapunerea unui
semnal de c.c. V
A
i un semnal periodic v
a
(t) fr component de
curent continuu, altfel spus a crui valoare medie este nul.
Fie semnalul
V
A
(t)=V
A
+ v
a
(t),

unde V
med
=

=
T
A a
V dt t v
T
0
) (
1
.
AK
V
A
I
0
Z BR
V V
min
I
max
I
Z
I
Z
V
NU

Zona de
strpungere
reversibil
Fig. 1.30


42
n figura 1.31 este prezentat un astfel de semnal unde componenta
variabil este sinusoidal
v
a
(t)= V
max
sin( t ), v
a
(t)= 2 V
ef
sin( t )

a crui frecven este f = ] [
1
Hz
T
.














Se definesc mrimile
dt t v
T
V
rad t
s rad f
T
A ef
) (
1
] [
] / [ 2
0
2

=
=
=


,
numite pulsaie, t = faz i V
ef
valoarea efectiv.
Orice semnal variabil poate fi exprimat printr-o sum de
semnale sinusoidale de frecvene (pulsaii) diferite:
v
a
(t)=

+ ) sin(
k ak
t k V =V
1
sin( t +
1
)+ V
2
sin( t +
2
)+... ,
unde tg
k
=
K
K
A
B
; V
ak
=
2 2
K K
B A + ,
iar termenii A
k
i B
k
provin din dezvoltarea n serie Fourier a
semnalului i pot fi calculai cu relaiile

A
K
=

tdt k t v
T
a
sin ) (
2
, B
K
=

tdt k t v
T
a
cos ) (
2
.
Valoarea efectiv i respectiv valoarea medie a semnalului se
calculeaz cu relaiile
V
ef
=

=
n
k
ak
V
1
2
, V
med
=
A
T
A
V dt v
T
=

0
1
.

V
A
(t)
T
V
max


t
t
Fig. 1.31.
V
A
v
a
(t)
,



43
Forma de und este caracterizat, din punctul de vedere al
apropierii acesteia de o mrime continu, de unul din factorii
factorul de form i de factorul ondulaie
A
ef
V
V
= ,
A
aef
V
V
= .
Pentru un semnal continuu factorul de form este zero iar factorul
de ondulaie este 1.
Principiul suprapuneri efectelor sau al superpoziiei afirm faptul
c rspunsul unui sistem este dat de suma rspunsurilor sistemului
la aplicarea mrimii de c.c. si la aplicarea mrimii de c.a.. astfel:
- se calculeaz mai nti rspunsul sistemului la aplicarea unei
tensiuni de curent continuu ;
- se calculeaz rspunsul sistemului la aplicarea unei tensiuni
de curent alternativ ;
- rspunsul sistemului este dat de suma celor doua rspunsuri.

pulsatia
T
perioada s T
tesiunii la fundamenta V
n k ordin de armonica V
c c de componenta este V
t k V V t v
k k
a x a

2
; ] [
,
,... 2
. .
) sin( 2 ) (
0
0
0
=
= + + =



Rezolvarea circuitelor neliniare
Exist dou metode consacrate i anume metoda grafic i
metoda analitic.
n cadrul metodelor grafice se utilizeaz caracteristici statice
ale dispozitivelor exprimate sub forma grafic.
n cadrul metodelor analitice se utilizeaz caracteristici statice
ale dispozitivelor exprimate sub forma unor ecuaii matematice.
Se exemplific ambele metode pentru circuitul cu diod
semiconductoare din figura 1.32.










V
A
I
A


V
I

R
V
AK

D
Fig. 1.32.


44
Metoda grafic
Teorema a II-a a lui Kirchhoff RI
A
+ V
AK
= V
A
, determin ecuaia
dreptei de sarcin.
Dreapta de sarcin se reprezint prin interseciile cu axele de
coordonate
I
A
=0, V
AK
=V
A
pentru

(V
A
, 0), V
AK
=0I
A
= |

\
|
R
V
R
V
A A
0 , ,
n planul caracteristicilor statice ale dispozitivului semiconductor
(n acest caz ale diodei). Soluia se obine la intersecia celor dou
curbe. Spunem c soluia determin punctul static de funcionare
al dispozitivului P.S.F. (V
Ao
,I
Ao
).














Metoda analitic
Ecuaiile din care se determin PSF sunt
1. V
1
+V
AK
=RI
A
+ V
AK
(dreapta de sarcin)
2. I
A
= I
o
(e
mKT
qV
AK
-1) (modelul analitic al dispozitivului)

Sistemul se rezolv printr-o metod oarecare spre exemplu direct

<
+
>
+
=
0 ;
0 ;
AK
inv
AK
AK
d
AK
v
R R
v
v
R R
v
i

Dac semnalul este cvasistaionar soluia analitic se obine
cu ajutorul transformrii n complex a circuitului.
Dac frecvena este mare, sau n condiiile tranziiei de la o
stare la alta a circuitului se folosete transformata Laplace.

V
Ao
V
A
V
AK

I
A


R
V
A


I
Ao

P.S.F.

Fig. 1.33.


45
1.12. Circuite de redresare

Circuitele de redresare au rolul de a transforma mrimea
alternativa de la intrare ntr-o mrime a crei component medie
este nenul.
Redresoarele pot fi monofazate sau polifazate, n funcie de
tensiunea aplicat la intrarea circuitului.
Dup modul de utilizare a alternanelor tensiunii variabile de
la intrare redresoarele pot fi:
- monoalternan, cnd numai una din alternanele tensiunii
de intrare particip la obinerea tensiunii de pe sarcin;
- bialternan, cnd ambele alternane sunt utilizate la
formarea tensiunii de curent continuu.

Redresorul monofazat monoalternan cu sarcin rezistiv

Redresorul din figura 1.34 este monofazat pentru c se
alimenteaz cu o singur tensiune ) sin( 2 t V v
i i
= , este
monoalternan pentru c avnd un singur element neliniar de
circuit, i anume dioda D, poate prelucra o singur alternan a
tensiunii de intrare v
i
(ca n figura 1.35) i este cu sarcin rezistiv
pentru c la ieire se afl rezistorul R
S
.








Dioda semiconductoare este modelat prin rezistena intern


R
int
=

<
>
0 ,
0 ,
AK inv
AK d
V R
V R
.


n circuitul avem un singur curent, circuitul fiind neramificat

i
=

<
+
> >
+
=
+


2 ; 0 0 , 0
0 ; 0 0 ,
int
t V v
R R
v
t V v
R R
v
R R
v
AK i
inv S
i
AK i
d S
i
S
i

v
i

i

V
L

R
S

V
AK

D
Fig. 1.34.


46
Valoarea de curent continuu este valoarea medie a curentului

+

+
= = =

2 ,
) sin( 2
0 ,
) sin( 2
) ( ) (
2
1
) (
1
2
0
2
0 0
0
t
R R
t V
t
R R
t V
t d t i t i
T
I
inv s
i
d s
i
T
,

max 0
0
2
0
2
0
0
2
) (
2
) ( 2
2 2
) cos(
) ( 2
2
) ( d ) sin(
2
2
1
) ( d ) sin(
2
2
1
) ( d
) sin( 2
) ( d
) sin( 2
2
1
I I
R R
V
R R
V
t
R R
V
t t
R R
V
t t
R R
V
t
R R
t V
t
R R
t V
I
d s
i
d s
i
d s
i
inv s
i
d s
i
inv s
i
d s
i

=
+
=
+

=
+

=
+
+
+
=
|
|

\
|
+
+
+
=











0 2 3 4



















S-a notat cu I
max
valoarea maxim a curentului n decursul
unei perioade a tensiunii de alimentare.
t
t

t
t

t
t

V
i
i
L

I
0

v
L

V
0
Fig. 1.35.


47
Din figura 1.35 se constat c valoarea medie se obine prin
egalarea ariei mrginit de curba i = f(t) cu aria unui dreptunghi
de lungime 2 i nlime I
0
nlime numit valoarea medie a
curentului.
Componenta de curent continuu a tensiunii se afl cu relaia
lui Ohm

i
s
d s
i
s
V
R
R R
V
I R V
2
) (
2
0 0

+
= = .

Din figura 1.35 constatm c tensiunea pe sarcin nu este
tocmai continu ci are variaii n jurul valorii medii. De fapt este un
curent (i tensiune) variabil n timp. Valoarea efectiv a acestui
curent este
2
2
2
2
0 2
2
0
2
2
0
2
2
0
2
2
0
2 2
) ( 2 ) ( 2
2
2 sin
2
) ( 2
) (
2
2 cos 1
) (
) ( ) sin(
2
2
1
) (
) sin( 2
2
1
) ( ) (
2
1
d s
i
d s
i
d s
i
d s
i
d s
i
d s
i
ef
R R
V
R R
V
t
t
R R
V
t d
t
R R
V
t td t
R R
V
t d
R R
t V
t d t i I
+
=
+

=
=

+
=

+
=
+

=
|
|

\
|
+
= =

De unde avem expresia valorii efective a curentului

) ( 2
d s
i
ef
R R
V
I
+
= .
Pentru a efectua o comparaie ntre valoarea efectiv i
valoarea de curent continuu se exprim una n funcie de cealalt

0
2
I I
ef

= .
Din reeaua de curent alternativ circuitul absoarbe numai
putere activ (pentru c nu conine dect rezistoare, ceea ce
nseamn c defazajul dintre tensiune i curent este nul)

0
2
cos I V I V UI UI P
i ef i ca

= = = = .
Randamentul este definit prin eficiena conversiei puterii de
curent alternativ (a puterii active) n putere de curent continuu.
Puterea n regim de curent continuu conine valorile medii


48
0 0 0
2
I V I V P
i CC

= = .
Randamentul este mic %) 40 ( = =
ca
cc
P
P
.

.










Pentru a exprima continuitatea tensiunii altfel spus ct de
aproape de o linie paralel cu axa timpului este tensiunea - se
folosete factorul de form [13, 14 ]

2
0 0

= = =
I
I
I R
I R
V
V
D
ef
S
ef S
A
Act
,

a crei valoare ar trebui (n condiii perfecte) s fie egal cu 1, sau se
folosete factorul de ondulaie

2
1 = ,

a crei valoare ar trebui s fie ct mai aproape de zero.
Dependenta dintre tensiunea de la ieire i curentul absorbit de
sarcin reprezint caracteristica extern a redresorului.
Caracteristica extern ne spune ce se ntmpl cu valoarea tensiunii
furnizate de o surs cnd crete numrul consumatorilor conectai
(n paralel) la respectiva surs, conform figurii 1.36.
Dioda este solicitat la valoarea medie a curentului
max 0
2
I I

=
i la o tensiune inversa egal cu valoarea maxima a
tensiunii de alimentare ( )
i AKinv
V V 2 = .

Caracteristicile reale ale dispozitivului semiconductor vor
modifica, n anumite condiii de funcionare, forma de und a
semnalului de pe sarcin.
I
L
V
L
V
0
Fig. 1.36.


49
Dioda nu ncepe sa conduc curentul de la o tensiune de 0V ci
de la o tensiune mai mare (0,5V) n aceste condiii forma de und
se modific n sensul c vom avea curent nul i n alternana
pozitiv a tensiunii de intrare. Curentul ncepe s creasc cnd
dioda intr n conducie i anume cnd v
i
depete pragul de
(0,5V).
La valori mici ale tensiunii de alimentare (pn la 1V) nu se
mai poate neglija modul de variaie al tensiuni care decurge dup
o lege exponeniala ceea ce nseamn c la tensiuni mici

|
|

\
|
= 1
mKT
AK
qV
AB A
e I I ,

curentul are o form exponenial i nu (ca tensiunea de intrare) o
form sinusoidal.
Daca inem seama ca R
inv
finita, n aceste condiii prin
dispozitiv va circula un curent i n alternana negativ a tensiunii
de alimentare, ca n figura 1.37.






















Orice form de und nesinusoidal (exponenial) poate fi
descompus ntr-o sum de sinusoide numite armonici ale
t
t
t
t
t
t
V
L
V
L
V
L
Fig. 1.37.


50
fundamentalei, de frecvene multiplu ntreg al frecvenei
fundamentalei. Este de dorit s nu apar armonici pentru c
deranjeaz ali consumatori.
n cazul circuitelor de redresare cu diode semiconductoare
avantajul este c armonicile apar la tensiuni mici, ceea ce nseamn
c amplitudinea lor este mic i acest fenomen poate fi neglijat n
majoritatea cazurilor. (Nu poate fi neglijat dac tensiunea de
alimentare este prea mic.)


Circuite de redresare bialternan

Circuitele de redresare monofazate bialternan sunt realizate
n dou variante:
- cu transformator cu priz median, ca n figura 1.38;
- cu diode n punte ca n figura 1.40.
n figura 1.38 este prezentat redresorul monofazat
bialternan cu transformator cu priz median, iar n figura
1.38 sunt prezentate formele de und asociate.












Transformatorul TR n fiecare alternan a tensiunii din primar
induce n fiecare seciune a secundarului o tensiune de aceeai
polaritate cu tensiunea de intrare.
Tensiunea din primar V
i
= t Vi sin 2 n alternana pozitiv
polarizeaz n conducie, prin tensiunea din secundar, dioda D
1
, iar
n alternana negativ polarizeaz n conducie dioda D
2
.

nseamn c n intervalul (0, ) conduce curent prin sarcin D
1

iar n intervalul 2 t conduce curent prin sarcin D
2
.
n alternana (+) tensiunea v
i

blocat
D
D
conductie n este
2
1


i
L
=i
D1
; 0 t
Fig. 1.38.
D1
D
2

V
i
V
L
i
1

i
2

i
L
R
S

TR


51






















n alternana (-) tensiunea v
i

conductie n este
blocat este
2
1
D
D

i
L
=i
D2
; 2 t

Tensiunea de pe sarcin

V
L
=R
s
i
L
V
L
=

i
L
V
dt t V
T
2
2 ) (
1
,
este de dubl fa de cazul redresorului monofazat monoalternan.
Solicitrile diodelor sunt diferite n funcie de schema
utilizat, n cazul redresorului monofazat bialternan cu
transformator fiecare diod este solicitat la valoarea medie a
curentului I
med
i la tensiunea invers V
inv max
=
i
V 2

Redresorul monofazat bialternan n punte este prezentat n
figura 1.39.
Formele de und sunt cele din figura 1.39.
t
t
t
t
t
t
i
L
U
L
V
L
Fig. 1.39.
D
1
D
2
D
1
D
2


52
n timpul alternanei pozitive (+) diodele D
1
i

D
4
sunt
polarizate

direct, pentru c avem (1)=(+) curentul se nchide pe
calea (1) D
1
R D
4
(2).
n timpul alternanei pozitive (-) diodele D
2
i

D
3
sunt
polarizate

direct pentru c avem (1)=(-) (2) D
2
R
D
3
(1).













Nici n acest caz nu avem o tensiune continu ci o tensiune
pulsatore, numai c pulsaiile tensiunii n jurul valorii medii sunt
mai mici dect n cazul redresorului monoalternan.
Valoarea tensiunii pe sarcin V
L
are aceeai expresie la
redresorul cu transformator i la redresorul n punte

V
L
=2

i
V 2
.

n cazul redresoarelor in punte diodele sunt solicitate la o tensiune
invers V
inv
=
2
2
i
V

mai mic dect n cazul redresorului cu transformator.
Diodele sunt solicitate la valoarea medie a curentului.



Filtre de netezire

Pentru micorarea ondulaiilor tensiunii pe sarcin se
utilizeaz filtre sau , ca n figura 1.41,a sau b.



D
2
D
4
D
3
D
1
I
2
V
L
i
L
R
(1)

V
i

(2)
Fig. 1.40.


53







Filtrele se intercaleaz ntre sarcin i circuitul de redresare.
Pot fi realizate cu condensatori i rezistori sau cu condensatori
i inductiviti.
Cel mai simplu filtru este reprezentat de un condensator n
paralel cu sarcina R
S
.

Redresorul monofazat monoalternan cu filtru capacitiv
( ) este prezentat n figura 1.42, cu formele de und din figura
1.43.









Calitatea de filtrare se bazeaz pe proprietatea capacitii C de
a nmagazina energia n timp ce prin dioda D trece curent i de a
ceda energia ctre sarcin ct timp dioda nu conduce.
n intervalul
a
-
b
dioda conduce, determin ncrcarea
condensatorului i asigur curentul prin sarcin. Condensatorul se
ncarc ctre valoarea maxim a tensiunii de intrare.
Dup ce tensiunea v
i
ajunge la valoarea maxim
i
V 2 ,
tensiunea v
i
ncepe sa scad. La
b
tensiunea de alimentare a
sczut sub valoarea la care s-a ncrcat condensatorul.
Dioda se blocheaz i circuitul va fi format dintr-o capacitate care
se descarc prin sarcin cu un curent scztor exponenial.
n cazul unor elemente ideale de circuit condensatorul se va
ncrca pan la
i
V 2 dup care se va descrca cu o constanta de
timp C R
S
= .
Plecnd de la definiia capacitii electrice i de la definiia
curentului electric de conducie se obine ecuaia diferenial a
circuitului.
a) b)
Fig. 1.41.
D
R
S
C
v
i
Fig. 1.42.


54


















C=
c
u
q
, i=
dt
dq

dt
di
C R i R
dt
d
C
dt
dv
C i C R V
dt
du
C i
L
s L s
c
c L s L c
= = = = = ) ( ,
C R
t
C R
t
k C R
t
k
c
S
c
S
C
c
S S S
e k e e e i k t
C R
i dt
C R
i
di
2
) (
1
ln = = = + = =
+
.

Factorul de form n cazul prezenei condensatorului este
C R
S

= .

Se constat c valoarea factorului de ondulaie scade la
creterea capacitii condensatorului, motiv pentru care circuitele de
filtraj au n componen capaciti de valori mari (mii de uF).

1.13. Stabilizatorul parametric (cu diod Zener)

Stabilizatoarele de tensiune continu sunt circuite electronice
care au rolul de a menine constant tensiunea pe sarcin n
condiiile n care se modific valoarea tensiunii de intrare V
i
,
curentul absorbit de sarcin I
L
sau temperatura mediului ambiant de
funcionare al circuitului [5, 7, 26]

( ) . , , consant T I V f V
i i L
= =
Datorit cauzelor menionate tensiunea pe sarcin se modific

t
t
t
i
L
V
L
t

b
Fig. 1.43.


55
de la V
L
la
L L L
V V V + = , unde V
L
are att valori pozitive ct i
negative. Deoarece scopul circuitului de stabilizare este s menin
constant tensiunea V
L
rezult c se impune 0
L
V .











Putem diferenia funcia care exprim tensiunea de pe sarcin

T
T
f
I
I
f
V
V
f
V
T
S
ct
L
I
i
V
L
R
ct T
i
V
L
i
V
S
ct T
L
I
i
L

=
=
= =
43 42 1
43 42 1 43 42 1
,
0
,
1
,
.
Derivatele pariale au un corespondent fizic motiv pentru care
se noteaz astfel


ct T
L
I
i
L
ct T
L
I
i V
V
V
V
f
S
= =

=
, ,
1
sau altfel scris
ct T
L
I
L
i
V
V
V
S
=

=
,
numit coeficient de stabilizare a tensiunii;

ct T V
L
L
i
I
V
R
=

=
,
0
numit rezistena intern;

ct
i
I
i
V
L
T
T
V
S
=

=
,
numit coeficient de variaie cu temperatura;

Cu aceste notaii, variaia tensiunii pe sarcin se poate scrie,
evideniind condiiile pe care trebuie s le ndeplineasc schema
electronic a stabilizatorului pentru ca tensiunea de pe sarcin s
aib variaii ct mai mici, sub forma

I
i

V
i
ST
I
L
R
L
V
L
Fig. 1.44


56

+ +

=
mic S
mic R
mare S
T S I R
S
V
V
T
0
V
T L
i
L 0
]

Stabilizatorul se bazeaz pe caracteristice static a diodei
Zener, din figura 1.45, care poate fi exprimat printr-o ecuaie
liniar

V
Z
=V
Zo
+r
Z
I
Z




















Tensiunea de stabilizare (se modific cu temperatura dup o relaie
liniar

V
Zo
=V
Zo

(1+
z
T)

unde
z
=(1..8)10
-4
/
0
C are valoare negativ sau pozitiv.


Schema stabilizatorului parametric cu diod Zener este prezentat
n figura 1.46.









Fig. 1.46

I
Zmin

I
Zmax

V
Z

V
Z0

I
Z

D
Z


R
R

R
R
L


R
V
i


R
I
i

R
I
L


R
V
L


R
V
Z


R
Fig. 1.45.


57

Curentul prin rezistorul R se scrie prin diferena de potenial de
la capetele rezistorului
I
i
=
R
V V
R
V
L i R

= .

Suma curenilor n nod este

I
i
= I
Z
+ I
L
I
i
- I
Z
- I
L
=0.

Curentul prin diod poate fi exprimat din ecuaia caracteristicii
statice
V
2
=V
Zo
+r
Z
+I
Z
I
Z
=
L Z
Z
Zo L
Z
Zo Z
V V
r
V V
r
V V
=

,

Succesiv se determin expresia tensiunii pe sarcin.

0 =

L
Z
Zo L L i
I
r
V V
R
V V


L
Z
Zo i
L
I
V
V
R
V
R R
V + =
|
|

\
|
+
0
1 1

se nmulete cu
Z
Z
r R
Rr
+


Z
Z
L
Z Z
Zo
Z
Z
i L
r R
Rr
I
r R V
R
V
r R
r
V V
+

+
+
+
=
) (

Variaia tensiunii pe sarcin se obine prin difereniere

V
L
=
Zo
Z Z
Z
I
Z
Z
V
r R
R
I
r R
Rr
V
R r
r

+
+
+

+
2
,

de unde se determin parametrii stabilizatorului


Z Z
Z
CT T I
L
i
u
r
R
r
r R
v
V
S
L
+ =
+
=

=
=
1 ,


z
z
i
r R
r R
R
+
= ,


z z
z
T
V
r R
R
S
0
+
= .



58
Pentru ca S
u
s aib o valoare mare se impune a adopta un
rezistor R de valoare mare i o diod Zener cu rezisten intern
mic.
Rezistorul R este conectat n serie cu sarcina la sursa de alimentare.
Pentru ca pe sarcin s avem tensiunea nominal se impune a
crete tensiunea sursei aa ca s asigure i cderea de tensiune de pe
rezistorul R.
Pentru ca s nu se utilizeze surse de tensiune cu valori mult
mai mari ca tensiunea de pe sarcin se va adopta o valoare a
rezistorului R care s preia 20,...,30% din tensiunea furnizat de
surs.


































59





TRANZISTORI

Tranzistorii sunt elemente de circuit cu trei electrozi avnd
posibilitatea de modificare a puterii de la ieire printr-un consum
energetic mic.
n funcie de principiul de funcionare pot fi tranzistori bipolari
sau tranzistori cu efect de cmp.

2.1. Teoria elementar a TBP

Tranzistorul bipolar este un dispozitiv electronic cu trei
jonciuni realizat prin implementarea pe o pastil semiconductoare a
trei zone semiconductoare n ordinea PNP sau NPN, ca n figura
2.1.











S-au notat cu E zona semiconductoare a emitorului, B zona
semiconductoare a bazei, C zona semiconductoare a colectorului.
La fel se noteaz i terminalele, prin intermediul crora avem acces
la zonele semiconductoare asociate.
Pentru ca dispozitivul s poat funciona corespunztor se iau
urmtoarele msuri constructive:
- zona semiconductoare a emitorului se dopeaz mai puternic
dect celelalte zone (indicat n figur prin puterea +);

Fig. 2.1.
2
2



60
- zona bazei este mai subire dect celelalte zone
semiconductoare, teoretic trebuie s fie mai mic dect drumul
mediu pe care l poate strbate un purttor minoritar n aceast zon
[8, 9 ].
n figura 2.2 sunt prezentate, n coresponden cu figura 2.1,
simbolurile celor dou tipuri de tranzistori bipolari (tipul PNP i
tipul NPN) precum i regulile de asociere a curenilor i tensiunilor.











Se constat c simbolul tranzistorului conine o sgeat care
indic sensul curentului prin terminalul emitorului i tipul
tranzistorului. Dac sgeata este orientat ctre simbol tranzistorul
este PNP.
Sensurile celorlali doi cureni sunt invers dect sensul
curentului de emitor, aa nct s avem relaia

I
E
=I
C
+I
B
.

Tensiunile se noteaz cu indici n ordinea primul indice de
unde pleac iar al doilea unde ajunge ( s.ex. V
CE
= V
EC
) aa nct
avem relaia pentru tensiuni

V
EB
+V
BC
+V
CE
= 0.

Pentru a descrie comportarea dispozitivului trebuie s avem
relaiile dinte mrimile (3 cureni i 3 tensiuni) asociate
tranzistorului. Cele dou relaii elimin dou din variabile aa nct
rmn numai 4 mrimi.
De regul att modelele ct i caracteristicile statice consider
dou din mrimi independente (urmnd a fi impuse din exterior) iar
celelalte dou se exprim analitic sau grafic n funcie de mrimile
independente.
Teoria elementar a tranzistorului consider structura
tranzistorului din figura 2.3 cu jonciunile polarizate de cele dou

Fig. 2.2.


61
surse una n conducie (jonciunea EB emitor baz) i cealalt n
polarizare invers (jonciune CB colector baz).
Tensiunea pentru polarizarea direct a unei jonciuni este mic
(n jurul valorii de 0,65V) iar tensiunea de polarizare invers poate
fi mult mai mare, motiv pentru care considerm inegalitatea
V
BB
<<V
CC
.
Datorit polarizrii directe a jonciunii emitor baz (J
EB
)
apare un curent de goluri I
EB
care se transfer n zona bazei.
Grosimea bazei fiind mic (mai mic dect lungimea de
difuzie purttorilor minoritari - a golurilor n baz)puine goluri
se vor recombina cu electronii din zona bazei (fapt exprimat prin
curentul de recombinare notat cu i
r
n figura 2.3).

















Golurile, provenind din zona emitorului, ajunse n zona bazei
vor intra sub influena cmpului electric E
0
(datorat polarizrii
inverse a jonciunii colector baz J
CB
de ctre sursa V
CC
).
Cmpul electric E
0
este favorabil tranzitului golurilor din zona
bazei n zona colectorului pentru c cmpul electric al jonciunii
CB
J polarizate invers se opune transferului de electroni din zona N
n zona P.
Efectul de tranzistor consta in modificarea curentului de
goluri (care pleac de la emitor i ajunge la colector) prin
modificarea tensiunii de polarizare a unei jonciuni polarizate
direct i anume tensiunea de polarizare a jonciunii emitor baz.
Curentul de emitor nu este format numai din golurile i
EP
ci i
din electronii care traverseaz jonciunea i
En
din baz ctre emitor
Fig. 2.3.


62

En Ep E
i i I + = .

Se definete eficiena emitorului, drept capacitatea acestuia
de a emite goluri, prin intermediul coeficientului de injecie a
golurilor n baz

1 <
+
= =
En Ep
Ep
E
Ep
E
i i
i
I
i
.

Nu toate golurile care ajung (din zona emitorului) n zona
bazei vor reui s trac n zona colectorului, pentru c o parte se vor
recombina cu electronii (majoritari) din zona bazei. Recombinarea
se exprim prin curentul de recombinare i
r
al golurilor i avem
relaia

r Ep Cp
i i i = .

Se definete factorul de transport al golurilor prin baz

1 <
+
= =
r Cp
Cp
Ep
Cp
T
i i
i
i
i
.

Curentul de colector I
C
este format din golurile provenite din
emitor baz la care se adaug curentul rezidual al jonciunii
colector baz J
CB
(format din electronii minoritari din colector,
care sunt deplasate ctre baz de cmpul E
0
i din golurile
minoritare din zona bazei care vor trece n zona colectorului) notat
I
CB0

0 CB Cp C
I i I + = .
Putem exprima curentul prin intermediul coeficienilor mai sus
definii

0 0 0 CB E E T CB Ep T CB Cp C
I I I i I i I + = + = + = .

Se definete

E T F
= ;
F
) 999 . 0 ; 9 . 0 (



63
factorul static de amplificare n curent direct n conexiunea baz
comun cu ieirea n scurtcircuit (colectorul conectat la baz).
Aa nct avem relaia


0 CB E F C
I I I + = ,

care reprezint modelul matematic al tranzistorului bipolar n regim
static, pentru zona activ de funcionare; model dedus pe baza
teoriei simplificate a tranzistorului.

2.2 Modele n regim static

Regimul static este acel regim n care mrimile de stare a
cmpului electromagnetic nu se modific n decursul timpului.

Modelul general al tranzistorului bipolar
Tranzistorul are n componen dou jonciuni (emitor baz
i colector baz) i cele dou jonciuni determin att curentul de
emitor i
E
ct i curentul de colector i
C
.
Curentul unei jonciuni PN este:

) 1 (
0
=
kT
V
j
e I i .

Plecnd de la aceste observaii se construiete modelul general
al tranzistorului bipolar

|
|
|

\
|

|
|
|

\
|
=
|
|
|

\
|

|
|
|

\
|
=


1 1
1 1
22 21
12 11
KT
V q
KT
V q
C
KT
V q
KT
V q
E
CB EB
CB EB
e a e a i
e a e a i
,

curenii fiind condiionai de ambele jonciuni, prin intermediul
unor factori de pondere.
Deoarece tranzistorul este simetric n raport cu zonele extreme
PNP, rezult c va funciona i dac se inverseaz zona
semiconductoare P alocat emitorului cu zona semiconductoare P
alocat colectorului (regimul de funcionare se cheam inversat).


64
Performanele vor fi sczute n acest regim fa de regimul direct,
pentru c emitorul nu va mai fi P
+
i generarea de goluri va fi mai
slab.

21 12
a a = .

Coeficienii a
ij
depind de elemente constructive ale
tranzistorului (tipul semiconductorului, impuriti, dopri, .a.).

Modelul Ebbers-Moll al tranzistorului bipolar
Modelul Ebbers-Moll se construiete plecnd de la observaia
c modelul general al tranzistorului nu ine seam de polarizarea
jonciunilor [8, 32].

In cazul polarizrii RAD (regiunea activa direct),
jonciunea emitor
- baz este polarizata direct
EB
V > 0 ,
- jonciunea colector baz este polarizat invers
0 <
CB
V .
Pe de alt parte avem

CE CB EB
V V V << i 1 <<

KT
V q
CB
e .

nlocuind n ecuaiile modelului generalizat acesta se rescrie

22 21
11
12
12 11
1
1 1
a e a i
a
a i
e a e a i
KT
V q
C
E
KT
V q
KT
V q
E
EB
EB EB
+
|
|
|

\
|
=

= +
|
|
|

\
|
=

.

n continuare se expliciteaz curentul


11
21
11
21 12 22 11
11
21
22
11
21
21
a
a
a
a a a a
i
a
a
a
a
a I
a i
F
E
E
C
=

+ = +

i prin identificare cu relaia anterior dedus ( i
C
=
F
i
E
+ I
CB0
), se
obin

11
0
a
I
CB

= ,
11
21
a
a
F
= ,


65
unde:

2
12 22 11 21 12 22 11
a a a a a a a = = .

n cazul polarizrii in RAI (regiunea activ inversat),
jonciunea emitorbaz este polarizata invers, iar jonciunea
colectorbaz este polarizat direct (atenie zona colectorului este
n locul zonei emitorului) motiv pentru care avem ca variabil
independent curentul i
C
(colectorul emite purttori)


0 EB C R E
I i i = .

Modelul generalizat, pentru RAI se simplific pentru c
1 <<

KT
V q
EB
e , > 0
CB
V

) 1 (
) 1 (
22 21
12 11
=
=
kT
qV
C
kT
qV
E
CB
CB
e a a i
e a a i
.

Prin identificarea celor dou relaii ale curentului i
E
se obine


22
0
22
12
,
a
I
a
a
EB R

= = .

Modelul Ebbers-Moll se obine din modelul general,
explicitnd termenii a
ij
din cele 4 ecuaii subliniate.
Sistemul de ecuaii asociat modelului Ebbers-Moll este


R F F C
R R F E
i i i
i i i
=
=

,

n care apar notaiile


CS
KT
V
q
R
ES
KT
V
q
F
I e i
I e i
EC
EB
|
|

\
|
=
|
|

\
|
=

1
1
,

unde i
F
este curentul furnizat de emitor cnd tranzistorul este n
RAD, iar i
R
este curentul furnizat de jonciunea polarizat direct
cnd tranzistorul este n RAI.


66
Curenii
CS ES
I I , sunt curenii de saturaie.
Corespunztor modelului n figura 2.4 este prezentat
schema echivalent.

















O parte din curentul i
F
se pierde n circuitul bazei aa nct la
colector ajunge o fraciune a acestuia
F F
i , din care se mai pierde
o parte prin dioda D
R
n polarizare invers.











Polarizarea in zona de blocare RB se face cu surse care s
polarizate invers ambele jonciuni < < 0 , 0
EB CB
V V apare o
bariera de potenial si la jonciunea EBnu avem transfer de goluri
din emitor n baz 0 =
E
i ,
0 CB B
I i = , ca n figura 2.5.
Starea de blocare este caracterizat prin

0 =
E
i , ,
0 CB B
I i =
0 CB C
I i = .

Fig. 2.4.
I
CB0
I
C
= I
CB0
0 =
E
i

B
i

Fig. 2.5.


67
Polarizarea n regiunea de saturaie RS se face trecnd n
conducie ambele jonciuni > > 0 , 0
EB CB
V V exist un curent de
goluri care pleac de la emitor la colector i un curent de goluri de
la colector la emitor astfel nct tranzistorul se comport ca o
rezisten de valoare mic.
Cderea de tensiune pe tranzistor ntre colector i emitor este
de valoare mic V
CEsat
fiind dependent de tipul i natura
materialului semiconductor.

2.3. Caracteristici statice ale TBP

Deoarece teoremele lui Kirchhoff determin dou relaii ntre
mrimile externe tranzistorului, este suficient s dispunem de relaii
ntre patru mrimi pentru a cunoate comportarea dispozitivului.
Se obinuiete s se declare drept variabile independente
(mrimi stabilite de circuitele exterioare dispozitivului) dou din
mrimile asociate tranzistorului, iar celelalte dou s fie exprimate
n funcie de mrimile independente.
Dac exprimarea este analitic spunem c dispunem de un
model matematic al tranzistorului.
Dac exprimarea este grafic spunem c dispunem de
caracteristici statice ale tranzistorului.
Dac exprimarea este realizat prin intermediul unor scheme
electronice spunem c dispunem de o schem echivalent a
tranzistorului.
Deoarece mrimile independente pot fi considerate oricare
dou din cele patru, caracteristicile statice nu sunt unice, depinznd
de modul n care s-au adoptat mrimile independente.
Tranzistorul avnd trei electrozi devine cuadripol dac unul din
electrozi este comun att intrrii ct i ieirii, astfel c tranzistorul
poate fi conectat n baz comun (BC), emitor comun (EC) sau
colector comun (CC).










I
E
V
CE
V
BE
I
C
I
B
Fig. 2.6


68

Caracteristicile statice pentru conexiunea EC din figura 2.6 sunt
exprimate prin familiile de curbe I
B
= f(V
EB
, V
CB
), I
C
= f(V
EB
, V
CB
).
Pentru c intrarea, n cazul conexiunii emitor comun EC, este
ntre baz i emitor, caracteristicile statice de intrare, sunt
reprezentate prin familia de curbe I
B
= f(V
BE
) cu parametrul V
CB
,
curbe prezentate n figura 2.7a. De fapt caracteristicile sunt ale unei
jonciuni (baz emitor) polarizate direct.
















Caracteristicile de ieire, din figura 2.7b, reprezint dependena
curentului de ieire (I
C
curentul de colector) de tensiunea de
polarizare invers a jonciunii colector baz n condiiile injectrii
unui curent constant I
B
= constant prin baz.
n regiunea activ de funcionare avem modelul

0 CB E F C
I I I + = .

ntre cureni exist relaia

C B E
I I I + = .

n conexiunea emitor comun curentul de ieire este I
C
, motiv
pentru care din cele dou relaii se elimin I
E
i se obine relaia
pentru conexiunea EC
0 CE B F C
I I I + = , ] 2000 .... 10 [
F
, unde

F
F
F

=
1

V
CE
I
C
I
B
=100
I
B
= 10
I
B
=0
I
B
V
BE
V
CE
=0 V
CE
>0
a) b)
Fig. 2.7


69

este factorul static de amplificare n conexiunea EC a TBP, iar
curentul I
CE0
este n relaie cu I
CB0


F
CB
CE
I
I

=
1
0
0
.
n figura 2.8 este prezentat o caracteristic tipic de intrare,
care permite separarea aproximativ a regimurilor de funcionare,
prin tensiunea de polarizare a bazei:
V
BE
< 0,5 V regiunea de blocare RB;
0,5 V<V
BE
< 0,8 V regiunea activ direct
RAD;
V
BE
> 0,8 V regiunea de saturaie RS.













Caracteristicile statice ale tranzistorului sunt modificate de valorile
parametrilor sau de condiiile de funcionare.
Efectul creterii tensiunii inverse aplicate jonciunii CB
determin multiplicarea n avalan a purttorilor, ceea ce poate
conduce la strpungerea jonciunii. Se limiteaz valoarea tensiunii
de polarizare invers a jonciunii
) ( 0 BR CB CB
V V < , sub valoarea
tensiunii de strpungere
) ( 0 BR CB
V .
n cazul conexiunii EC, pe lng aceast tensiune de
strpungere
) ( 0 BR CB
V se mai definete o tensiune numita tensiune de
susinere, cu referitoare la spaiul C-E care are valoarea
) ( 0 ) ( 0
) 3 . 0 ..... 1 . 0 ( |
BR CB sust CE BR CE
V V V = = .
Depirea acestei tensiuni duce la creterea tensiunii de
colector dar fr s conduc la strpungerea vreunei jonciuni a
tranzistorului.
0,5 0,8 V
BE
[V]

Fig. 2.8.
I
B


70
Temperatura determina scderea tensiunii cu 2mV la
creterea cu 1 grad Celsius, rezultnd creterea curentului
rezidual
0 CB
I , care se dubleaz la o cretere de 10 grade a
temperaturii si afecteaz factorul de amplificare static in
curent in modificrii dup relaia

|
|

\
|
+ =
P
T
F T
K
1 ,K
P
=50C.

Efectul creterii curentului de intrare determin o cretere
a curentului de colector care, dac depete o anumita
valoare
max C
I , poate conduce la strpungerea tranzistorului,
prin topirea jonciunii.
Se limiteaz
max C C
I I

.
Puterea disipata
C CE d
I V P = este o consecin a
necesitii de limitare a temperaturii jonciunii P
d
< P
dmax
, ceea ce
este echivalent cu

=
=
max
max
d C CE
d C CE
P I V
ct P I V


CE CE
d
C
V
ct
V
P
I = =
max














Relaia definete n planul caracteristicilor de ieire o curb
numit hiperbol de disipaie, marcat n figura 2.9.
n concluzie punctul static de funcionare al tranzistorului
trebuie s nu depeasc hiperbola de disipaie.
I
C


I
Cmax
V
CEmax
V
CE


Fig. 2.9.
hiperbola


71
Puterea maxim pe care o poate disipa tranzistorul indicat de
productor, pentru un tip de tranzistor, este puterea pe care o poate
disipa capsula fr radiator.
Montarea unui radiator termic permite creterea puterii
maxime pe care o poate suporta tranzistorul.

2.4. Polarizarea TBP n zona activ de funcionare

Polarizarea tranzistorului n zona activ de funcionare
nsemn proiectarea elementelor unei scheme electronice, aa nct
jonciunile tranzistorului s fie polarizate corespunztor RAD
(regiunii active de funcionare), adic jonciunea emitor - baz s
fie polarizat direct iar jonciunea colector baz s fie polarizat
invers. Se impune de asemeni s fie respectate toate limitrile
tranzistorului privind valorile tensiunilor i curentului (vezi
paragraful 2.3).
Se vor prezenta schemele de polarizare a TBP n conexiunea
emitor comun EC, pentru c schemele de polarizare pentru
celelalte moduri de conectare (BC i CC) au aceeai topologie.

Polarizarea TBP n conexiune EC
Polarizarea tranzistorului n zona activ de funcionare se
poate face cu dou surse de t.e.m. V
BB
i V
CC
, ca n figura 2.10, sau
cu o singur surs V
CC
, ca n figura 2.12.












Pentru ochiurile care conin sursele de t.e.m. se scrie teorema a
II-a a lui Kirchhoff

CC CE C C
BB BE B B
V V I R
V V I R
= +
= +

B
BB
B
BE BB
B
R
V
R
V V
I
65 . 0

=

C
R
BE
V
E
I

+
BB
V
-
B
R
CE
V
+
CC
V
-
C
I

I
B
Fig. 2.10.



72
Deoarece tranzistorul este n RAD tensiunea de polarizare a
bazei este n jurul valorii V
BE
= 0,65 V. Pentru c sursa V
BB
se
adopt de valoare mult mai mare ca V
BE
, n relaia de mai sus
termenul V
BE
poate fi neglijat, aa nct

B
BB
B
R
V
I = .

Curentul I
B
stabilete curba din planul caracteristicilor de ieire
pe care se va gsi punctul static de funcionare PSF.
n zona activ de funcionare curentul de colector poate fi
determinat n funcie de curentul injectat n baz

0 CE B F C
I I I + = ,

unde
F
este factorul static de amplificare n conexiunea EC
(cunoscut pentru un tranzistor dat), iar I
CE0
este curentul rezidual de
colector care poate fi neglijat n majoritatea aplicaiilor, ceea ce
nsemn c se va folosi relaia
B F C
I I = .
Din teorema a II-a a lui Kirchhoff scris pentru ochiul de
ieire se poate exprima tensiunea

C C CC CE
I R V V = .















Valoarea tensiunii V
CE
i valoarea curentului I
C
stabilesc
punctul static de funcionare al tranzistorului PSF de coordonate
(V
CE
, I
C
) n planul caracteristicilor statice de ieire.
C
R
BE
V
E
I
+
BB
V
-
B
R
CE
V
+
CC
V
-
C
I

I
B
Fig. 2.11.

E
R


73
n scopul stabilizrii PSF cu temperatura se introduce un
rezistor n emitorul tranzistorului, ca n figura 2.11 [8, 34].
Relaiile se completeaz astfel:

CC CE C C
BB E E BE B B
V V I R
V I R V I R
= +
= + +

, ,
B F C C B E
I I I I I = + = ,

Din ultimele relaii avem
B F E
I I ) 1 ( + = i curentul prin baz
devine

E F B
BB
B
R R
V
I
) 1 ( + +
=

,

restul elementelor rmnnd neschimbate (ca expresiile de mai sus).
Schemele de polarizare cu o singur surs de alimentare
utilizeaz un rezistor, ca n figura 2.12,a sau un divizor de tensiune,
ca n figura 2.12,b, pentru a forma sursa V
BB
din sursa de t.e.m. V
CC
















Pentru figura 2.12,a curentul de baz se determin din ecuaia

= +
CC BE B B
V V I R
B
BE CC
B
R
V V
I

= ,
unde V
BE
= 0,65 V.
Pentru figura 2.12,b curentul de baz se neglijeaz n raport cu
I
D
, ceea ce nseamn c I
D
circul i prin rezistorul
1
B
R . Se pot scrie
relaiile
a) b)

Fig 2.12

R
C
R
B
V
CC
R
C
R
B1
I
D
R
B2
V
CC
T

T



74
2 1
B B
CC
D
R R
V
I
+
= ,
D B CC BE
I R V V
1
= .
De fapt se putea aplica direct regula divizorului de tensiune

CC
B B
B
BE
V
R R
R
V
2 1
1
+
= .

Impunnd o valoare pentru curentul I
D
i considernd
V
BE
= 0,65 V, se obin dou ecuaii prin intermediul crora se
calculeaz cele dou rezistoare din baza tranzistorului.

















n condiiile n care se cere ca impedana de intrare a
tranzistorului (cu circuitul de polarizare) s aib o valoare impus
s.ex. s fie ct mai mare calculele circuitului de polarizare se vor
face lund n considerare curentul care este absorbit de baza
tranzistorului.
n cele mai multe aplicaii schema de polarizare din figura
2.12b, va conine i o rezisten pentru stabilizare termic n
emitorul tranzistorului, ca n figura 2.13.

Polarizarea TBP n conexiune BC i CC

n figura 2.14 sunt prezentate circuitele de polarizare pentru
conexiunile a) colector comun CC i b) baz comun BC.
Constatm c modul de polarizare este identic tuturor
conexiunilor ( BC, EC, CC) ceea ce nseamn c metodologia de
Fig. 2.13.


75
proiectare a circuitelor de polarizare este aceeai indiferent de
conexiunea tranzistorului.
n cazul proiectrii elementelor de polarizare se cunosc
tensiunea pe V
BE0
,
0 0
,
C CE
I V , (s-a folosit n indice i zero pentru a
specifica faptul c mrimile sunt cele din punctul static de
funcionare). Deoarece PSF este plasat n zona n care
caracteristicile de ieire sunt paralele cu axa tensiunii, curentul de
colector nu va mai fi funcie dect de curentul bazei, aa nct se
utilizeaz dependena liniar a curentului de colector de curentul
bazei
0 CE B F C
I I I + = .
Condensatorii
B E
C C , sunt condensatori decuplare a
rezistoarelor pe care sunt conectai (n paralel) avnd rolul de
scurcircuitare a respectivelor rezistoare n regim variabil, motiv
pentru care reactana acestora se adopt mult mai mic dect
rezistena pe care o scurcircuiteaz.















Pentru a elimina perturbaiile datorate modificrii temperaturii
se utilizeaz diode sau termistori care s compenseze variaia cu
temperatura a elementelor schemei sau a parametrilor (n cele mai
multe cazuri) tranzistorului.
Termistorul i modifica rezistenta cu temperatura, motiv
pentru care poate fi conectat in locul uneia din rezistentele de
polarizare a bazei tranzistorului pentru a corecta variaia cu
temperatura a tensiunii V
BE
. O dioda de acelai tip cu tranzistorul,
polarizata direct, conectat n emitorul tranzistorului poate
compensa variaia cu temperatura a tensiunii
BE
V . O diod, n
polarizare invers, montat n circuitul bazei tranzistorului
compenseaz variaia cu temperatura a curentului rezidual
0 CB
I .

a) b)

Fig. 2.14.


76
2.5. Regimul variabil al TBP

Regimul variabil se consider regim de semnal mic dac
semnalele aplicate la intrare sunt suficient de mici pentru a nu
deplasa PSF din zona liniara a caracteristicilor ( PSF s nu intre n
zona de saturaie sau n zona de blocare ci s rmn tot timpul n
zona activ a caracteristicilor statice RAD).
n figura 2.15 se ncearc o explicare a regimului de semnal
mic.
La intrarea unui tranzistor (spre exemplu n conexiune EC, ca
n figura 2.13) se aplic o tensiune variabil ) sin( 2 ) ( t V t v v
i i BE
= = ,
care pe baza caracteristicii de intrare determin un curent i
B
.
Curentul i
B
, innd seam de ecuaia din figura 6.15 determin un
curent i
C
, care la rndul su, pe baza caracteristicilor statice de
ieire i a dreptei de sarcin determin o tensiune v
0
de ieire.
Dac PSF se deplaseaz ctre cureni mai mari, spre exemplu
aa nct n PSF curentul s fie
C
CC
C
R
V
I =
0
, alternana pozitiv a
curentului va fi tiat i tensiunea de la ieire va avea numai
alternana negativ.














Tensiunea de intrare este periodic dar de o form oarecare.
Pe baza dezvoltrii n serie Fourier orice tensiune periodic
poate fi scris sub forma

i i I
k
ik i
V v V t k V v
a
+ = + =

0
) sin( 2 , ( ) f V v
ik i
a

unde primul termen exprim regimul variabil iar al doilea regimul
de curent continuu.

Fig. 2.15.


77
Tensiunile sinusoidale determin pentru k=1 fundamentala
tensiunii, iar pentru alte valori ale lui k sinusoidele determin
armonicile semnalului.

Modele i scheme echivalente cuadripolare

n cazul regimului de curent alternativ se recurge la
transformarea n complex a semnalelor.
Transformarea n complex este valabil pentru o frecven
dat, dar se poate aplica principiul suprapunerii efectelor, rezult c
putem aplica transformarea n complex pentru orice frecven cu
observaia c schema echivalent a tranzistorului trebuie s fie
valabil pentru frecvena respectiv. Tranzistorul poate fi tratat ca
un cuadripol, cu structura din figura 2.16.
Descrierea lui se poate face prin intermediul unor ecuaii sau a
unei scheme echivalente. Datorit faptului c ntre cureni avem o
relaie I
E
=I
C
+I
B
i ntre tensiuni o alt relaie V
EB
+V
BC
+V
CE
=0.
rezult c din cele 6 mrimi asociate tranzistorului (vezi figura 2.2)
rmn 4 cu care avem 6
2
4
= C posibiliti de descriere a
cuadripolului, prin alegerea a dou mrimi independente.









Dac se iau ca mrimi independente tensiunile V
i
i V
0
ecuaiile care descriu cuadripolul sunt:

0
V y V y I
r i i i
+ =
0 0 0 0
V y V y I
i
+ =

Se noteaz cu y datorit faptului c reprezint raportul dintre
un curent i o tensiune. Dac se face tensiunea de ieire V
0
= 0 se
obin
0
V
i
i
i
V
I
y = admitana de intrare i
0
0
V
i
f
V
I
y = admitana de
transfer de la intrare la ieire. Similar pentru V
i
= 0 .


i
V

0
V
1`

2`
2
1

I
0
I
i
C
Fig. 2.16.


78











Corespunztor descrierii cuadripolului prin parametrii y n
figura 2.17 avem schema echivalent.
Cel mai folosit model cuadripolar al tranzistorului este modelul
cu parametri h pentru care mrimile independente sunt curentul
de intrare
i
I i tensiunea de ieire
0
U (s-a folosit sublinierea pentru a
specifica faptul c sunt mrimi vectoriale n complex, transformate
ale mrimilor variabile n timp).
n continuare toate mrimile cuadripolare i mrimile de la
bornele cuadripolului cu toate c sunt mrimi n complex nu vor fi
notate cu subliniere! Motiv - pentru a nu ngreuna scrierea.
Ecuaiile modelului cu parametri h sunt:

+ =
+ =
0 0 0
0
V h
i
I
f
h I
V
r
h
i
I
f
h
i
V


Semnificaia parametrilor modelului poate fi stabilit prin
anularea succesiv a mrimilor independente:
- impedana de intrare cu ieirea n scurcircuit
0
0
=
=
V
i
i
i
I
V
h ;
- admitana i respectiv rezistena de ieire cu intrarea n gol
0
0
0
0
=
=
i
I
V
I
h =>
0
0
0
0
0
1
=
= =
i
I
I
V
h
r ;
- factorul de amplificare n curent cu ieirea n scurcircuit

0
0
0
=
=
V
i
f
I
I
h ;
- factorul de reacie n tensiune cu ieirea n gol

i
V

1
0
V
I
i
1` 2`
2
i
Y
0
Y
0
V Y
r

i f
V Y
Fig. 2.17.


79

0
0
=
=
i
I
i
r
V
V
h .

Schema echivalent asociat modelului este n figura 2.18.









Parametrii de cuadripol depind de conexiunea tranzistorului iar
n cataloage se indic valorile pentru tranzistorul n conexiune
emitor comun EC.
Datorit faptului c, n cazul conexiunii EC, factorul de reacie
h
r
are valori mici influena lui poate fi neglijat i modelul se
rescrie,





iar schema echivalent asociat se poate urmri n figura 2.19.













Parametrii de cuadripol ai tranzistorului depind de conexiunea
n care au fost definii. n cataloage sunt indicai parametri de
cuadripol pentru tranzistorul aflat n conexiunea emitor comun EC.

+ =
=
0 0 0
V h
i
I
f
h I
i
I
f
h
i
V

1
i
V

1`
I
i
h
i
0
V
2`
2
0
1
h

h
f
I
i
I
0
Fig. 2.19.
i
V
I
i
0
V
h
i
h
r
V
0
h
f
I
i
Fig. 2.18.
0
1
0
h
r =
I
0


80
Circuitul echivalent natural al TBP

Circuitul echivalent, prezentat n figura 2.20, se numete
natural pentru c a fost dedus pe baza fenomenelor fizice ce stau
la baza modificrii concentraiilor de purttori n zona bazei.
Schema echivalent este valabil pentru frecvene
4

f
f ,
unde

f este frecvena pn la care factorul static de amplificare n
conexiune BC cu ieirea n scurcircuit nu scade cu mai mult de 3dB
fa de valoarea medie.
Elementele schemei echivalente sunt:
- '
bb
r este rezistena distribuit a bazei ; are valori mai mici
de 50 .
-

R - rezistena unei jonciuni polarizate direct; 0,1,2 k.

-

C
- capacitatea de difuzie a jonciunii emitor baz:
100,,500pF.
-
u
r - rezistena jonciunii polarizate invers: 10,..,20 M.
-
u
C - capacitatea de barier a jonciunii colector baz:
1,...,10pF.
-
0
r - rezistena dintre colector i emitor: 1,..,2 M.
-
CE
C - capacitatea dintre electrozii specificai: 0,5,,1 pF.
-g
m
panta tranzistorului; se determin n funcie de curentul
de colector din PSF cu relaia
PSF C
e
m
I
kT
q
g = .















0
r
B

R
E
B`
e b m
V g '
CE
C
u
c
u
r
C
Fig. 2.20.
'
bb
r

C

be
V


81
Frecvena de tiere (la care
F
=1) stabilete prin pulsaia de
tiere o relaie ntre capaciti
u

C C
g
m
T
+
= .
Factorul static de amplificare n curent n conexiunea EC
stabilete valoarea rezistenei jonciunii n conducie
m
F
g
r

= .
La frecvene medii, la care capacitile prezint reactan mare,
circuitul se simplific, ca n figura 2.21 (desenul este pentru
conexiunea EC).











Circuitul natural din figura 2.21 este echivalent cu circuitul
cuadripolar cu parametri h pentru relaiile de echivalen



Se va folosi circuitul natural sau circuitul echivalent exprimat sub
form de cuadripol n funcie de aplicaie, pentru a calcula mai
comod.

2.6. Caracteristici ale tranzistorilor cu efect de
cmp

Tranzistorul este un dispozitiv electronic care are rolul de a
modifica un curent electric important prin modificarea tensiunii de
polarizare a unui electod de comand sau prin modificarea
curentului absorbit de electrodul de comand. Scopul este atins cu
cheltuieli minime dac puterea cerut de electrodul de comand este
mult mai mic dect puterea din circuitul principal, exprimat aici
prin intermediul curentului important.
0
r
B

r
BE m
V g
C
E
bE
V
Ce
V
Fig. 2.21.
. ,
1
,
0
0 i m i f i
V g I h
h
r h r = =

82
Tranzistorul bipolar utilizeaz pentru formarea curentului
comandat dou tipuri de purttori de sarcin (goluri i electroni),
ceea ce determin anumite inconveniente.
Tranzistorii cu efect de cmp utilizeaz un singur tip de
purttori de sarcin, care circul printr-un canal semiconductor.
Electrodul de comand are rolul de a modifica conductivitatea
canalului, n acest fel modificndu-se valoarea curentului comandat
[12 ].
(Reamintim faptul c GU
R
U
I = = , iar rezistena canalului este
S
l
R = , unde l este lungimea canalului, S seciunea canalului.)
De fapt electrodul de comand acioneaz asupra seciunii canalului
S (prin modificarea limii), care determin modificarea rezistenei
R i care rezisten determin modificarea curentului I.
Tranzistorii cu efect de cmp se numesc astfel pentru c
modificarea conductivitii (inversul rezistenei electrice) canalului
se face cu ajutorul unui cmp electric mai intens sau mai slab n
funcie de potenialul electrodului de comand, numit gril.
Curentul se nchide printr-o zon semiconductoare (care reprezint
nsi canalul) ntre doi electrozi unul numit surs - pentru c
furnizeaz purttorii de sarcin i cellalt numit dren - pentru c
are rolul de a colecta purttorii.
De notat c prin canal circul purttorii majoritari. (Circul i cei
minoritari dar contribuia lor la curentul din canal este mic.)
n funcie de principiul conform cruia se modific
conductivitatea canalului tranzistorii cu efect de cmp pot fi
realizai n dou variante
- TEC-J , tranzistor cu efect de cmp cu jonciune,
- TEC-MOS, tranzistor cu efect de cmp de tipul
Metal-Oxid-Semiconductor.

Tranzistorul TEC-J are canalul dintr-un tip de semiconductor
(s.ex. de tipul N) iar grila este conectat la canal prin intermediul
unui semiconductor cu alt tip de purttori majoritari (pentru
exemplul dat, semiconductorul grilei este de tipul P). n figura 2.22
canalul este de tipul N iar grila este conectat la canal prin
intermediul unui strat semiconductor de tipul P
+
. Tranzistorul este
TEC-J cu canal n. Grila este polarizat aa fel ca jonciunea care
apare ntre canal i zona semiconductoare a grilei s fie blocat
(polarizare invers). n cazul figurii 2.22. grila trebuie s fie
negativ n raport cu canalul.


83
Jonciunea fiind polarizat invers zona de golire se extinde mai
mult n semiconductorul mai slab dopat, se extinde deci n zona
canalului. Extinderea zonei de golire micoreaz seciunea
canalului, adic micoreaz seciunea de trecere a electronilor care
pleac de la surs, prin canal, ctre dren. Pentru c electronii
trebuie s plece de la surs, cmpul electric din interiorul canalului
trebuie s fie orientat de la dren ctre surs (electronii au sarcin
negativ i se deplaseaz invers liniilor de cmp). Aceast
necesitate impune ca drena s fie polarizat pozitiv fa de surs.

















Zona P din figura 2.22 se numete substrat.
Grila este legat la electrodul substratului S
S
,aa nct
seciunea canalului s se modifice i prin intermediul acestei
jonciuni aflat n polarizare invers.
n figura 2.23 este prezentat simbolul TEC-J cu canal N
precum i polaritatea tensiunilor care se aplic electrozilor pentru ca
s poat fi modificat curentul prin canal curentul care se nchide
de la dren la surs (electronii avnd sarcin negativ circul invers
dect curentul pe care l determin).








V
DS
n
P
p
+
n
+
n
+
golire
canal
+
G
D
S

Ss
Fig. 2.22.
G
D
S
V
GS
< 0
Fig. 2.23.

D
I
V
DS
>0


84
Seciunea canalului se micoreaz crescnd tensiunea de
polarizare invers a jonciunii gril canal.

Tranzistorul TEC-MOS are dou zone semiconductoare de
acelai fel (de tipul N pentru tranzistorul din figura 2.24) alocate
una sursei i cealalt drenei, separate printr-un strat de tipul cellalt
(n cazul nostru de tipul P). Orice polaritate a tensiunii am aplica
ntre dren i surs una din jonciunile P-N va fi blocat aa nct nu
se va nchide nici un curent fr aportul electrodului de comand
respectiv grila tranzistorului.

















Grila este n contact cu semiconductorul de tipul P, fiind
separat de acesta printr-un izolator, care n cazul tranzistorului
MOS este un strat de oxid de siliciu ca n figura 2.24.
n condiiile aplicrii unei tensiuni pe gril pozitiv n raport
cu substratul, aceast tensiune, prin cmpul electric orientat de al
gril ctre S
S
mpinge golurile majoritare din zona P i atrage la
suprafaa de separaie a metalului grilei electronii minoritari. n
zona P, ntre cele dou zone N
+
apare un strat de electroni
minoritari care formeaz un strat de inversie a conduciei.
Creterea potenialului grilei determin creterea limii
stratului de inversie. Aplicnd o diferen de potenial ntre dren i
surs electronii din stratul de inversie se vor deplasa pe calea N
+

(surs) canal format din stratul de inversie - N
+
(dren),
determinnd curentul important al tranzistorului.
Tranzistorul descris mai sus se numete TEC-MOS cu canal n
- indus.
n
+
n
+
G
D
S

Ss
+
P
Fig. 2.24.


85
n figura 2.25 este prezentat simbolul tranzistorului TEC-MOS cu
canal N indus. Notaiile au semnificaiile : S - surs, D - dren,
Ss - substrat, G - gril (poart).











Tensiunea de polarizare a grilei este V
GS
pozitiv ca s formeze
canalul materializat prin stratul de inversie iar tensiunea V
DS

este pozitiv ca s antreneze electronii de la surs ctre dren -
pentru ca n circuit s se stabileasc curentul I
D
orientat de la D spre
S.
Not: Se construiesc tranzistori de tip MOS cu canal iniial
pentru care, (datorit doprii zonei P) exist un strat de inversie a
conduciei la suprafaa semiconductorului fr aplicarea unui
potenial pe gril (la V
GS
=0 ) .

Caracteristici de transfer

Funcia tranzistorului este s modifice curentul care circul de
la dren la surs, curent notat I
D
n figura 2.26, prin modificarea
potenialului V
GS
a grilei fa de surs. Caracteristicile de transfer
ilustreaz modul de variaie al curentului de ieire cnd se modific
tensiunea de comand.
Se noteaz V
T
tensiunea de tiere, care are semnificaii diferite n
funcie de tipul tranzistorului TEC:
- n cazul TEC-MOS tensiunea V
T
este tensiunea V
GS
de la
care ncepe s circule curentul I
DS
, (vezi caracteristica din figura
2.27,a) reprezentnd potenialul grilei de la care s-a format stratul
de inversie;
- n cazul TEC-J tensiunea V
T
este tensiunea V
GS
la care
curentul I
DS
se anuleaz, (vezi caracteristica din figura
2.27 ,b) reprezentnd potenialul grilei pentru care zona de
golire s-a extins n ntreg canalul (purttorii de sarcin
provenind de la surs ntlnesc n calea ctre dren o zon
de nalt rezisten).
Fig. 2.25.
V
DS
G
D
S
V
GS
< 0


86
















Principiile de modificare a curentului I
D
, n cazul TEC-J prin
modificarea tensiunii unei jonciuni polarizate invers iar n cazul
TEC-MOS prin modificarea tensiunii aplicate unui condensator,
determin valoarea foarte mic a curentului absorbit de electrodul
de comand (grila), rezultnd un consum foarte mic de putere
pentru comand (specific acestui tip de tranzistor).

Caracteristici de ieire
Caracteristicile de ieire sunt familii de curbe care prezint
dependena curentului de dren I
D
de tensiunea aplicat canalului
V
DS
, pentru diferite valori ale potenialului aplicat grilei V
GS
, ca n
figura 2.27.















V 2 =
T
V | | V
GS
V
D
I

a)
V
T
= - 5 V
GS
I
D
I
DS
b)
Fig. 2.26.
V
GS
= -2V
20
I
D
V
GS
= 0
V
V
DS
0.
V
GS
= - 4V
a)TEC-J
20
I
D
V
GS
= 5
V
V
DS
0.
V
GS
= 2
V
b)TEC-MOS
Fig. 2.27


87

Caracteristicile de ieire prezint dou zone de funcionare [12, 27]
- o zon liniar, n care pentru o tensiune V
GS
impus,
curentul de dren I
D
crete la creterea tensiunii aplicate
canalului V
DS
;
- o zon de saturaie, n care pentru o tensiune V
GS
impus,
curentul de dren I
D
nu se modific la creterea tensiunii
aplicate canalului V
DS
.

n zona de saturaie curentul de dren nu se schimb prin
modificarea V
DS
ci numai prin modificarea potenialului grilei V
GS
.
Aceast dependen este exprimat astfel relaii n care apar


2
) 1 (
T
GS
DSS D
V
V
I I = pentru TEC-J ,
( ) | | 2 , 1 , = m V V I
m
T GS D
pentru TEC-MOS,

mrimi dependente de tipul tranzistorului i de modul de realizare
practic a acestuia, numite dup cum urmeaz:
I
DSS
- curentul de saturaie,
- coeficient specific tranzistorului cu dimensiunea
1
,
V
T
- tensiunea de tiere,
m = 2 - coeficient teoretic are valoarea specificat.
Datele de catalog ale unui tranzistor dat specific, pe lng alte
caracteristici, setul de parametri (V
T
, I
DSS
) pentru TEC-J i (V
T
, )
pentru TEC-MOS.

n zona liniar a caracteristicilor statice curentul de dren I
D

, pentru o tensiune aplicat grilei constant (V
GS
= constant), se
modific liniar cu tensiunea V
DS
, ceea ce nseamn c dispozitivul
ntre dren i surs se comport ca o rezisten.
Pentru tranzistorul TEC-J zona liniar a caracteristicilor de ieire se
afl la tensiuni mici aplicate canalului V V
DS
1 , 0 .
Curentul de dren respect relaia lege lui Ohm pentru rezistene


DS
canal
DS
D
GV
R
V
I = = ,

unde G este conductana canalului (drenei).
Conductana drenei poate fi exprimat n funcie de mrimea
care o determin - i anume tensiunea V
GS
prin relaia


88

, 1
0 |
|

\
|
=
T
V
GS
V
G G














unde G
0
este o dat de catalog, specific modului de realizare a
tranzistorului TEC-J.

2.7. Polarizarea tranzistorului cu efect de cmp

n figura 2.29 sunt prezentate schemele clasice de polarizare
a tranzistorului cu efect de cmp n zona activ de funcionare.















Structurile de polarizare, constatm c sunt aceleai indiferent
de tipul tranzistorului fie bipolar, fie cu efect de cmp.
I
D
V
GS
= - 4V
V
DS

0,1V
V
GS
= 0 V
V
GS
= - 2V
Fig. 2.28.
-
+
S
C
D
R
D
G
G
R S
R
S
DD
V
+
S
C
D
G
1
G
R
S
R
S
DD
V
2
G
R
S
R
Fig. 2.29.


89
Condensatorul C
S
n regim de curent alternativ decupleaz
rezistorul R
S
.
n cazul tranzistorului TEC-J, tensiunea de polarizare a grilei
este negativ, motiv pentru care rezistorul R
S
este obligatoriu
prezent n schem.
Considernd curentul absorbit de gril neglijabil, pentru
schema cu o singur rezisten n circuitul grilei tensiunea de
polarizare a grilei este
V
GS
= - R
S
I
D
,

iar pentru chema cu dou rezistene
DD
G G
G
D S GS
V
R R
R
I R V
2 1
1
+
+ = .

Tensiunea aplicat canalului, pentru ambele scheme din figura 2.29
este
V
DS
= V
DD
(R
S
+ R
D
) I
D
.


2.8. Circuite echivalente ale TEC

Circuitul echivalent de semnal mic al TEC la frecvene medii
Indiferent de tipul tranzistorului (TEC-J sau TEC-MOS), n
regim variabil schema echivalent se construiete plecnd de la
faptul c numai tensiunile modific valoarea curentului

( )
DS GS D
V V I , f = .

Variaia curentului de dren poate fi exprimat prin diferenierea
funciei f

DS
ct
GS
V
DS
GS
ct
DS
V
GS
D
V
V
f
V
V
f
i

=
= =
,



DS d GS m D
V g V g I + = .

Relaia pe baza creia se construiete schema echivalent
(prezentat n figura 2.9) conine notaiile derivatelor pariale
g
m
panta tranzistorului,
g
d
conductana drenei,


90
I
D
amplitudinea variaiei curentului de dren n jurul
punctului
static de funcionare.
Valorile n care se ncadreaz parametrii de regim variabil ai
tranzistorilor cu efect de cmp sunt
g
m
= 0,1 ... 10 mA/V;
r
d
= 0,1 ... 1 M.












Schema echivalent a TEC la nalt frecven

Cnd frecvena tensiunii de intrare este mare ncep s conteze
capacitile dintre electrozi, motiv pentru care schema echivalent
de la frecvene medii se completeaz cu capacitile C
GS
, C
GD
, C
DS

ca n figura 2.31.












Exist ntre gril i dren o legtur (ntre ieire i intrare) motiv
pentru care nu se utilizeaz aceast schem echivalent, ci se
transform, pe baza teoremei lui Miller, ntr-o alt schem
echivalent fr transfer de la ieire la intrare.


d
d
g
r
1
=
GS m
V g
GS
V
G
S
DS
V
Fig. 2.30.
I
D
GS
C
GD
C
D
D
I
GS
V
GS m
V g
G
S
d
r
DS
V
S
DS
C
Fig. 2.31


91






DISPOZITIVE MULTIJONCIUNE

Dispozitivele multijonciune sunt dispozitive semiconductoare
cu mai mult de dou jonciuni.
Tehnologia actual permite realizarea unor dispozitive
compuse avnd mai multe jonciuni (spre exemplu tranzistori
Darlington, sau tranzistori cu efect de cmp cuplai cu tranzistori
bipolari sau cu tiristori, .a.). n cadrul capitolului vor fi prezentate
dispozitivele clasice care pot constitui structuri de sine stttoare i
anume:
- dioda PNPN;
- tiristorul;
- triacul;
- tranzistorul unijonciune realizat aa cum spune numele cu
structuri unijonciune.

3.1. Dioda PNPN

Dioda PNPN este format din patru zone semiconductoare,
ca n figura 3.1a - zonele de conectare a electrozilor fiind mai
puternic dopate cu impuriti.
Accesul la dispozitiv se face prin electrozii A anod i K
catod.
Aplicnd tensiunea de alimentare
AA
V , jonciunile J
1
i J
3
vor
fi polarizate direct pentru c J
1
primete tensiune pozitiv pe zona
P
+
iar J
3
primete tensiune negativ pe zona N
+
a jonciunii.
Tensiunea pozitiv a sursei
AA
V se aplic prin rezistena mic
a jonciunii J
1
(n conducie) pe zona N a jonciunii J
2
. Tensiunea
negativ a sursei se aplic prin rezistena mic a jonciunii J
3
(n
conducie) pe zona P a jonciunii J
2
. Rezult c jonciunea J
2
va fi
polarizat invers.
Simbolul dispozitivului este prezentat n figura 3.1b.
3
3



92
Polarizarea invers a jonciunii J
2
determin zone de golire
n semiconductorii centrali N i P ceea ce conduce la apariia
cmpului electric intern E
0
ce se opune transferului de electroni din
N n P i transferului de goluri din P n N.
Odat cu creterea tensiunii ( )
AK AA
V V , zona de golire se
extinde i intensitatea cmpului E
0
crete; J
1
i J
3
fiind polarizate
direct rezult c exist un transfer de goluri din zona P
+
n N i de
electroni din zona N
+
n P.













n figura 3.2 este prezentat caracteristica static a diodei
PNPN [8].
n condiiile n care V
AK
ajunge la
0
m
A
V intensitatea cmpului
E
0
a crescut suficient pentru ca golurile provenite din zona P
+
s fie
preluate de fora datorat cmpului E
0
i s fie transferate n zona P
a jonciunii J
2
. La fel se petrec lucrurile cu electronii provenii din
zona P
+
care vor fi transferai n zona N a jonciunii J
2
.














+
J
1
p
+
AA
V
AK
V
p n n
+
A
I
J
2
J
3
K A
AA
V
K A
a) b)
Fig. 3.1.
AK
V

0
AB
V
A
B
m
I

A
I
D
BR
V
O
C
J
1/2/3
dir
J
1
, J
3
dir,J
2
inv J
1
, J
2
,J
3
inv
E
Fig. 3.2.


93


S-a stabilit un transfer de electroni i goluri prin J
2
=> J
2
a
basculat n conducie, astfel apare un curent de goluri care se
nchide de la zona P
+
la catodul K i un curent de electroni de la N
+

la anodul A.
Astfel vom avea de-a face cu trei jonciuni polarizate direct
(n conducie) care determin saltul din A n B.
Scderea tensiunii n punctul B este datorat faptului c toate
jonciunile sunt n conducie i V
B
ar trebui s fie 3x0,65V = 1,95 V.
Poriunea BC reprezint creterea curentului celor trei
jonciuni cnd tensiunea aplicat crete.
Curba ODE se obine pentru toate trei jonciunile n
polarizare invers.
Recapitulnd avem:
OA zon de blocare la polarizarea direct a dispozitivului,
pentru tensiunea
0
m
A AK
V V < (
0
m
A
V se numete tensiunea de
amorsare)
OD zon de blocare la polarizarea invers a dispozitivului
(se obine pentru tensiuni negative <
BR
V (tensiunea de
strpungere).
n ambele zone, OA i OD curenii sunt mici.
DE zona de multiplicare n avalane a purttorilor
BC zona de conducie a dispozitivului .
Funcionarea dispozitivului mai poate fi explicat pe baza
teoriei tranzistorului, constatnd c structura semiconductoare poate
fi descompus ca n figura 3.3.












Se constat c dioda PNPN este format din doi tranzistori
diferii Unul PNP i cellalt NPN interconectai.
n figura 3.4 sunt prezentate conexiunile celor doi tranzistori.
A
I
K
A
n p
n p
p
+
n
+
E
1
B
1
C
1
C
2
B
2
E
2
Fig. 3.3.


94












n figura 3.5 este prezentat variaia factorului static de
amplificare n conexiunea baz comun
F
la modificarea
curentului de emitor (de fapt curentul anodic al diodei PNPN).

F1
se refer la tranzistorul PNP

F2
se refer la tranzistorul NPN














Curenii de colector se exprim n funcie de curenii de emitor.

1 1 1
02 2 2 2
01 1 1 1
B C E A
CB E F C
CB E F C
i i i i
I i i
I i i
+ = =
+ =
+ =

.

Dar succesiv avem

2 1
C C A
i i i + = ,
02 2 2 01 1 1
CB E F CB E F A
I i I i i + + + = .
2 1
B C
I I =
1
E A
i I =
K
A
E
1
B
1
C
1
C
2
B
2
E
2
A E
I I =
2

2 1
C B
I I =
Fig. 3.4.
2 1
F F
+

2
F

1
F

1
1
E
i
0 0
Am E
V i
Fig. 3.5.


95

Conform relaiei de mai sus dintre curenii de emitor i curentul
anodic obinem:
02 2 01 1
CB A F CB A F A
I i I i i + + + = ,
( )
2 1
02 01
1
F F
CB CB
A
I I
i
+
+
= .

Expresia curentului anodic permite o explicaie a saltului
curentului cnd tensiunea V
AK
atinge valoarea tensiunii de amorsare.
Creterea V
AK
=> creterea i
A
,ceea ce conduce la creterea sumei
(
2 1
F F
+ ), conform figurii 3.5. Cnd tensiunea
0
Am AK
V V =
, curentul
i
A
(i
E
) a crescut suficient pentru ca (
2 1
F F
+ ) s fie egal cu
unitatea. Anulndu-se numitorul din expresia curentului i
A

efectueaz un salt din punctul A al caracteristicii statice n punctul
B . Curentul crete n continuare pe ramura BC a caracteristicii
statice. Creterea curentului se oprete la o valoare stabilit de
elementele externe dispozitivului.











Spre exemplu dac circuitul arat ca n figura 3.6 se poate scrie
teorema K II pe ochiul de circuit
AA A S AK
V I R V = + , relaie numit
dreapt de sarcin. Ecuaia dreptei de sarcin mpreun cu ecuaia
caracteristicii statice determin punctual static de funcionare (PSF),
determin de fapt valoarea la care se stabilete curentul n circuit
( )
AK A
V I PSF ,
0
.
n figura 3.7 este rezolvat grafic sistemul. Prin intersecia
dreptei de sarcin cu graficul caracteristicii statice se determin
poziia punctului static de funcionare, notat pe figur PSF.
Ieirea din conducia dispozitivului se face numai prin
scderea curentului prin dispozitiv sub valoarea curentului de
meninere I
m
.
Intrarea n conducie a dispozitivului poate avea loc:
AK
V
AA
V
A
I
D
R
S
Fig. 3.6.


96
- prin creterea tensiunii V
AK
peste valoarea tensiunii de
amorsare V
Am0
, cum s-a vzut mai sus;
- prin creterea temperaturii, care conduce la creterea
factorilor statici de amplificare i a curentului i
A
(prin
creterea curenilor reziduali
2
0
1
0
,
CB CB
I I
) determinnd
anularea numitorului i bascularea n conducie;
- prin viteze mari de cretere a tensiunii V
AK
(prin efectul
dt
dV
C I
dt
dV
AK
j A
AK
= (C
j
capacitatea jonciunii) care
conduce la creterea
2 1
,
F F
i la bascularea n conducie a
jonciunii J
2
.



















Ultimele dou moduri de intrare n conducie a dispozitivului
nu sunt dorite i se iau msuri pentru a fi prevenite.
Dispozitivul este utilizat la protecia mpotriva
supratensiunilor accidentale aplicate circuitelor, montndu-se n
paralel cu circuitul protejat. n condiiile n care tensiunea de
alimentare a circuitului protejat depete
0
Am
V , dispozitivul intr
n conducie i tensiunea scade la valoarea tensiunii de
amorsare
0
Am
V (n jur de 2V).



AK
V

AA
V
AA
V
0
Am
V
0
AK
V
PSF
A
I
0
A
I
m
I
( )
S
AA
AK
S
A
R
V
V
R
I + =
1

S
R
Fig. 3.7.


97

3.2. Tiristorul convenional

Tiristorul este realizat ca dioda PNPN, dar n apropierea
catodului, pe zona semiconductoare de tip P este montat un terminal
(electrod) cu funcia de comand numit gril sau poart, ca n
figura 3.8 a [4, 13, 14, 15 ].
Simbolul dispozitivului este prezentat n figura 3.8a.
Electrodul de comand al tiristorului (grila) injecteaz purttori
n zona jonciunii polarizate invers a structurii PNPN. Cmpul
electric intern crete ceea ce face ca purttorii din zona P
+
s intre
sub influena cmpului electric la tensiuni V
AK
mai mici i
jonciunea s basculeze din blocare n conducie. Rezult c grila,
prin curentul injectat, scade tensiunea de amorsare. Curentul I
A
se
stabilete n circuit pentru valori mai mici ale tensiunii aplicate.






















De aici ideea care a condus la aplicaiile tiristorului folosind
tensiuni de alimentare V
AA
< V
Am0
tiristorul nu va intra n conducie
dect dac se aplic un semnal de comand pe grila tiristorului,
altfel tiristorul rmne blocat.
Anularea curentului I
A
i ieirea dispozitivului din conducie se
face numai prin scderea, pe o cale oarecare, a valorii curentului I
A

K p+ n p n+
IG
G
A
VAK
I
A
Fig. 3.8 a
G
VGK
VAK
I
A
A K
Fig. 3.8 b


98
sub valoarea curentului de meninere (I
A
< I
m
). Grila nu are nici un
rol n blocarea tiristorului convenional.
Pentru a realiza blocarea exist dou posibiliti:
- scderea ctre zero a tensiunii de alimentare;
- aplicarea unei tensiuni de polaritate opus circuitului anod
catod.
Valori maxime:
I
Amax
= 5,500 A
V
AK inv max
= V
BR
= V
B0
=6,500 V
Utilizri : circuite de redresare, circuite pentru conversia puterii,
invertoare, circuite de control a puterii transmise sarcinii, circuite
pentru comanda acionrilor electrice, circuite pentru mbuntirea
factorului de putere.
Domeniul: circuite de putere mare i de putere foarte mare.

3.3. Triacul

Triacul este un dispozitiv semiconductor realizat ca s
ndeplineasc funcia a doi tiristori conectai antiparalel [19, 22,
23].











n figura 3.9,a sunt evideniate zonele semiconductoare iar n
figura 3.9,b este prezentat schema echivalent a triaclui.






Fig. 3.10

Pentru c circulaia curentului poate avea loc n ambele sensuri
electrozii principali sunt numii anozi A
1
i A
2
, iar electrodul de
Fig. 3.9 a
A
1
p
+
n
+
A
2
n

p

n

G
A
2
A
1
A

Fig. 3.9 b
G
A
2 A
1


99
comand pstreaz numele de G gril, n figura 3.10 fiind prezentat
simbolul triacului.
Caracteristica static a triacului este format din caracteristicile
statice ale celor doi tiristori cuplai. Pentru tensiuni V
AK
= V
A1A2

pozitive caracteristica static este prezentat n figura 3.7.
Semnalul de comand aplicat pe gril poate avea orice
polaritate fa de anodul A
2
, dar sensibilitatea maxim a comenzii
se obine dac polaritatea tensiunii de comand V
GA2
este aceeai cu
polaritatea tensiunii V
A1A2
.
Valori maxime:
I
Amax
= 500 A
V
AK inv max
= V
BR
= V
B0
=4,500 V
Utilizri: circuite pentru comanda mainilor electrice,
invertoare, circuite de control a puterii transmise sarcinii, circuite
pentru comanda iluminatului.
Domeniul: circuite de putere mic i medie.

3.4. Tranzistorul unijonciune

Tranzistorul unijonciune este un dispozitiv electronic avnd
o caracteristic static, prezentat n figura 3.11, care prezint o
zon de rezisten negativ.
Constatm c n zona AB panta curbei este negativ

( GV
R
V
I =

= ).
Tensiunea V
V
se numete tensiune de vale , corespunznd
punctului limit pn la care exist o rezisten negativ n
caracteristica static a dispozitivului.














VP
IV
IP
VV
VE
I
B
A
B
Fig. 3.11.


100
Tensiunea V
P
se numete tensiune de prag i delimiteaz,
npreun cu tensiunea de vale V
V
, zona de rezisten negativ.
Dispozitivul electronic numit TUJ are o implementare practic
n dou variante, una conine o singur jonciune numit TUJ clasic
(fig. 3.12a) iar cealalt conine trei jonciuni i se cunoate sub
numele de TUJ programabil (fig. 3.12b).












a) b)
Fig. 3.12

Electrozii dispozitivului se numesc baze B
1
i B
2
iar
electrodul de comand se numete emitor.
TUJ ul clasic, prezentat n figura 3.12a, este realizat dintr-o
bar semiconductoare de tipul N (formnd cele dou baze), iar la o
distan controlat de unul din capete s-au difuzat impuriti
acceptoare aa fel nct s se realizeze jonciunea PN a emitorului.
Baza semiconducuctoare prezint rezistena
1 B
r sub jonciune i
rezistena
2 B
r deasupra jonciunii, ca n figura 3.13. Jonciunea
emitorului este reprezentat de dioda din schema echivalent [21,
25, 30].








Fig. 3.13

Ct timp tensiunea de alimentare a emitorului V
E
este mic dioda,
constituita din jonctiunea PN, este blocata, ceea ce nseamna ca
+

R
s
I
0
B
2
V
CC n

B
1
V
E V
E
+
I
E

p

B
1
B
2
E

J
1
J
2
J
3
n

n

p

p

V
E
I
E
V
D
B
1

r
r
B
2

V
CC
R
S I
B


101
avem de-a face cu o zon de golire care se extinde cu precadere n
semiconductorul de tipul N.
Dida intr n conducie cnd este ndeplinit condiia
V
E
V
D
+V
A
, unde tensiunea V
A
se exprim n funcie de tensiunea de
alimentare V
CC

CC
B B
B
CC
S B B
B
A
V
r r
r
V
R r r
r
V
2 1
1
2 1
1
+

+ +
= .

Se poate face aproximarea de mai sus pentru c prin dispozitiv
circul un curent mic i cderea de tensiune pe R
S
poate fi neglijat.
Jonciunea PN intr n conducie determinind injectarea de
purttori n spatiul definit de rezistenta
1 B
r . Crescnd numrul de
purttori va crete conductivitatea zonei N aflata sub jonciune,
determinnd o scdere brusc a rezistenei
1 B
r , ceea ce conduce la
cresterea curentului I
E
.
Constatm c la tranziia din blocare n conducie a
dispozitivului nu avem o multiplicare n avalan a purttorilor ci
numai cu o scdere a rezistenei
1 B
r .
Se definete raportul intrinsec de divizare a bazelor prin

2 1
1
B B
B
r r
r
+
= .

n figura 3.14 sunt prezentate simbolurile celor dou tipuri de
tranzistori unijonciune:
a) tranzistorul unijonciune clasic;
b) tranzistorul unijonciune programabil.












a) b)
Fig. 3.14
B
2
B
1
E

R
2
R
1
+V
CC


102
Deosebirea ntre cele dou tipuri const n faptul c raportul
intrinsec de divizare a bazelor n cazul TUJ-ului clasic este fix, pe
cnd la TUJ-ul programabil raportul intrinsec de divizare se
stabilete din exterior, cu cele dou rezistoare din figura 3.14b,
avnd expresia
2 1
2
R R
R
+
= .
























Fig. 3. 15

n figura 3.15 se prezint schema i formele de und asociate
unui oscilator de relaxare cu TUJ [21, 30].
La conectarea sursei de alimentare, dispozitivul este blocat i
condensatorul C se ncarc, de la Vcc cu o tensiune, care tinde ctre
valoarea tensiunii de alimentare ntr-un timp notat cu T
0
.
Momentrul T
0
reprezint momentul de timp cnd tensiunea pe
condensator este suficient de mare pentru ca doda din schema
echivalent s intre n conducie, determinind scaderea rezistenei
de sub emitor.
Tensiunea pe condensator are valoarea:
n
2
B
2
B
1
E

R

C

+


TR

V
CC
n1

V
0
V
CC
V
CB
T0
V
CI
T
T0
k

T = T
0
+ T
B


103

V
C
(T
0
)=Vs+V
CC
= V
CC
.

La T
0
ncepe procesul rapid de descrcare a sarcinii de pe
condensator prin rezistena de valoare mic de sub zona emitorului
i primarul transformatorului TR.
Din condiia de mai sus se deduce valoarea timpului de
cretere a
impulsului
)
1
1
ln(
0

= T ,
unde s-a notat constanta de timp cu RC = .

3.5.Tiristorul MOS (MOS Controlled Thyristor)

Este o structur format din doi tranzistori care modeleaz un
tiristor, la care se adaug un tranzistor MOS care s realizeze
blocarea structurii.
Schema de principiu a dispozitivului este prezentat n figura
3.16. Tranzitorii bipolari complementari Q
1
, Q
2
modeleaz
tiristorul.
Dac se aplic un impuls pozitiv pe G
1
fa de K, tiristorul intr n
conducie. Tranzistorul MOS Q
3
este blocat, tensiunea V
DS
fiind
mic i anume egal cu V
G1K
. Pentru a bloca structura se impune
a aduce n conducie tranzistorul Q
3,
ceea ce se realizeaz

prin
aplicarea unui impuls pe G
2
(fa de K). Tranzistorul Q
2
se
blocheaz i astfel se anuleaz curentul anodic.
















G
1









G
2

Q
1




Q
2
Q
3
K
A
I
A

Fig. 3.16.


104

n figura 3.17 este prezentat a) o realizare fizic a MCT i b)
schema structural a MCT [40].


















Tranzistorul NPN este n paralel cu un canal de tipul N (on
FET) avnd rolul de a iniia procesul regenerativ de intrare n
conducie a structurii.
Tranzistorul PNP este n paralel cu un canal de tipul P (off
FET) avnd rolul de a iniia procesul regenerativ de blocare a
structurii.
Un impuls de tensiune pozitiv aplicat pe gril determin
acumularea de purttori de sarcin electroni - n canalul de tipul N
(care devine conductor). Se realizeaz astfel o legtur
conductoare ntre K N
+
- P(canalul) N
-
.
Apare o jonciune polarizat direct ntre A i K, ceea ce
nseamn c dispozitivul a basculat n conducie (se nchide un
curent ntre anod i catod).
Un impuls negativ aplicat pe gril V
GK
acioneaz asupra
canalului de tipul P determinnd ieirea din conducie a
dispozitivului.
Procesul de intrare n conducie i de blocare fiind regenerativ
nu este necesar s fie meninut tensiunea de comand pe gril.



3.6. Tiristorul GTO cu blocare pe poart (Gate turn off thyristor)
a) b)
Fig. 3.17.




105

Tiristorul cu blocare pe poart GTO este o structura
multijonciune similar cu cea a tiristorului convenional SCR
(Silicon controlled rectifiers), prezentat n figura 3.18a, dar
factorul de amplificare n curent al tranzistorului NPN din structur
este mult mai mare dect al tranzistorului PNP.
Factorul de amplificare n curent este sczut tehnologic, ceea
ce se reflect n schema echivalent din figura 3.18b, prin rezistena
R
s
, cu rol de untare a curentului ce se injecteaz n structur.
Att tiristorul convenional SCR ct i tiristorul cu blocare pe
poart GTO intr n conducie, cnd tensiunea V
AK
> 0, dac grila
primete un impuls pozitiv.















Procesul de intrare n conducie este regenerativ i se face ntr-
un timp foarte scurt (curentul injectat este amplificat de tranzistorul
NPN, care aplicat n baza tranzistorului PNP este amplificat din nou
i curentul de colector rezultat este adunat la intrare, rezult astfel o
reacie pozitiv sau altfel spus un proces regenerativ).
Blocarea structurii se face ntr-un timp relativ lung, dup
eliminarea sarcinii stocate, ceea ce stabilete frecvena maxim de
lucru la 1,.., 2 kHz.
Pentru blocarea tiristorului convenional SCR se recurge la
anularea curentului anodic sau la inversarea polaritii tensiunii
anodice V
AK
< 0 (ceea ce conduce, de fapt, tot la anularea curentului
anodic).
Pentru blocarea tiristorului GTO se aplic un impuls negativ pe
gril, la un curent de gril de 10,...,20% I
AK
din valoarea curentului
anodic.

a) b) c)

Fig. 3.18.


106
Rezult c factorul de amplificare n curent al GTO este mai
mic dect al SCR i consumul de putere pentru comand este mai
mare dar poate fi blocat cu impulsuri negative aplicate pe gril,
ceea ce nseamn c schema de comand este mai simpl.

















Dac n serie cu tiristorul se afl o inductivitate L atunci
blocarea acestuia este lent. Cu toate c s-a aplicat o comand de
blocare, curentul anodic nu se anuleaz pn nu s-a epuizat toat
energia acumulat n cmpul magnetic al inductivitii.
Pentru a creste viteza de blocare, n paralel cu tiristorul se
conecteaz o reea Snubber un circuit de accelerare a blocrii
prezentat n figura 3.19.
n timpul conduciei tiristorului condensatorul C este ncrcat
cu polaritatea din figur i prin circuitul derivaie nu circul curent
(aste mic).
Comanda de blocare determin creterea V
AK
I
L
va ncrca
condensatorul C prin dioda D, ca n figura 3.20.
Inductivitatea, prin energia nmagazinat n cmpul magnetic pe
perioada cnd tiristorul este n conducie, are tendina de a menine
sensul curentului chiar dup ce se d comand de blocare a
tiristorului.
Se constat c circuitul de accelerare a blocrii formeaz o cale
pentru descrcarea energiei inductivitii L, pentru ca s se poat
anula curentul prin tiristor nainte de anularea curentului prin
inductivitate.




Circuit de
accelerare a
blocrii
I
L


L
GTO
V
AK
R
D

+
-
C
Fig. 3.19.


107
















3.7. Tranzistorul Darlington

Tranzistorul Darlington este o structur, realizat pe o pastila
de siliciu, format din doi tranzistori bipolari n conexiune
Darlington, ca n figura 3.21. Tranzistorul Q2 este tranzistorul de
putere, iar tranzistorul Q1 are rolul de a crete factorul de
amplificare (global) n curent, astfel nct
2 1
f f f
h h h = (tiut fiind c
1
f
h al tranzistorului de putere are valori mici -
1
f
h < 30 - i scade
puternic pentru valori apropiate de curentul maxim suportat de
tranzistor.
Dioda D este dioda de accelerare a blocrii tranzistorului de
putere Q2. Dac lipsete Q
2
se va bloca dup ce se blocheaz Q
1
.
Cu dioda D ncepe simultan procesul de blocare pentru ambii
tranzistori.
Cderea de tensiune n conducie este mai mare dect cderea
de tensiune ce s-ar obine cu Q
2
singur - cnd tranzistorul
Darlington este saturat cderea de tensiune este 0,8 V fat de 0,2 V
[40].
Performanele din punctul de vedere al aplicaiilor de puteri
mari sunt stabilite pentru tranzistorul Darlington de ctre
tranzistorul final al structurii i anume de Q
2
.







Comanda blocare prin I
G
respectiv (V
GK
< 0)

Fig. 3.20.
V
AK
I
A
I
A
U
AK
= V
c
blocat


108














3.8. Tranzistorul I.G.B.T. (Insulated gate bipolar
transistor)

Structura I.G.B.T. este un montaj Darlington modificat, format
din doi tranzistori - un transistor bipolar PNP de putere i un
transistor pentru comanda tranzistorului de putere cu efect de cmp
MOS, ca n figura 3.22.
















Cderea de tensiune a IGBT n conducie este a unui tranzistor
bipolar saturat (0,2V) i anume a tranzistorului de putere.
Intrarea n conducie i blocarea tranzistorului IGBT se face ca
i n cazul oricrui tranzistor cu efect de cmp MOS - prin comanda
cu tensiune pozitiv aplicat pe gril acesta intr n conducie.
Procesul de intrare n conducie nefiind regenerativ comanda


G
E
C
G
E
C
V
G
V
CE
I
A
a) b)

Fig. 3.22.
E


B
C
Q
1
Q
2
D
Fig. 3.21.


109
trebuie meninut. Timpii de comutare sunt stabilii de tranzistorul
bipolar.

3.9.Aria de diode controlat FCD (Field controlled
diodes )

Structura semiconductoare numit arie de diode controlat,
prezentat n figura 3.23a este similar celei a unui transistor cu
efect de cmp cu jonciune J-FET cu deosebirea c n cazul acestui
dispozitiv zona drenei de tipul N
+
a fost nlocuit, cu un
semiconductor de tipul P
+
, pentru a realiza zona catodului .
















n figura 3.23,b este prezentat schema echivalent a
dispozitivului.
Emitorul tranzistorului este reprezentat de zona
semiconductoare P
+
, care constituie i anodul dispozitivului.
Colectorul tranzistorului este reprezentat de zona semiconductoare
N
+
, care constituie i catodul dispozitivului.
Zona bazei este zona mai puin dopat de tipul N
-
.
ntre grila G (zona P
+
) i zona semiconductoare a bazei (N
-
)
exist o jonciune polarizat invers care moduleaz rezistena bazei,
de fapt rezistena canalului conductor A N
-
- K.
Deoarece modificarea rezistenei canalului conductor se face prin
modificarea potenialului de polarizare invers a jonciunii
semiconductoare gril catod, se justific schema echivalent
3.23b.
Dispozitivul FCD nu funcioneaz pe baza unui proces
regenerativ, ca i IGBT, singura deosebire constnd n tipul

a) b)

Fig. 3.23.


110
tranzistorului de comand J-FET n primul caz i MOS-FET n
cellalt caz.
Modul de comand este diferit n funcie de dispozitiv
- FCD este normal n conducie i se blocheaz cu tensiune
negativ pe gril, iar
- IGBT este normal blocat i intr n conducie prin
aplicarea unei tensiuni pozitive pe gril.






































111



Teste de autoevaluare A (capitolele 1, 2 i 3)

1. Fenomenul de recombinare se refer la
a) ciocnirea a doi atomi
b) dispariia unui electron i a unui gol
c) ciocnirea unui electron cu un atom
2. Curentul de recombinare depinde de
a) concentraia de impuritati donoare
b) temperatur
c) tensiunea aplicat
3. Polarizarea n conducie a jonciunii PN se face
a) cu condensatori
b) aplicnd tensiune pozitiv pe anod i negativ pe catod
c) aplicnd tensiune negativ pe anod i negativ pe catod
4. Rezistena diodei n conducie fa de dioda n polarizare
invers este
a) mai mic
b) mai mare
c) egal
5. Cderea de tensiune pe o diod n conducie este
a) mai mic ca 1 V
b) mai mare ca 10 V
c) foarte mare

6. Tranzistorul bipolar are un numr de jonciuni egal cu
a) 1
b) 2
c) 3
7. Curentul principal, care se nchide de la E la C n cazul
tranzistorului PNP este:
a) de goluri
b) de electroni
c) de electroni i goluri
8. Tranzistorul NPN este polarizat n regiunea activ de
funcionare prin
a) polarizarea direct a jonciunii EB i invers a
jonciunii CB
b) cu tensiuni V
BE
>0 i V
CB
>0
c) cu tensiuni V
BE
>0 i V
CB
<0



112

9. Modelul cuadripolar h al tranzistorului NPN are n
structur
a) dou surse de tensiune
b) dou surse de curent
c) o surs de tensiune i una de curent
10. Precizai relaia ntre rezistenele de intrare i de ieire
pentru TBP n conexiune EC
a) intrare > ieire
b) intrare < ieire
c) intrare = ieire
11. Curentul tranzistorului cu efect de cmp este
a) de goluri sau de electroni
b) de electroni i goluri
12. Rezistena de intrare a TEC fa de rezistena de intrare a
TBP este
a) mai mare
b) mai mic
c) egala
13. Precizai tranzistorul pentru care curentul de dren este nul
dac tensiunea la intrare este nul
a) TEC-J
b) TEC-MOS
c) TBP
14. Precizai numrul de jonciuni ale diodei PNPN
a) 1
b) 2
c) 3
15. Tensiunea de amorsare a tiristorului se refer la tensiunea
dintre
a) gril i catod
b) anod i catod
c) gril i anod
16. Tiristorul convenional intr n conducie prin comand
a) pe gril
b) pe catod
c) pe emitor








113
CUPRINS
Modulul A

1. Dioda semiconductoare
1.1. Caracteristici statice
1.2. Semiconductori intrinseci
1.3. Semiconductori extrinseci
1.4. Densiti de curent n semiconductori
1.5. Jonciunea p-n la echilibru termodinamic
1.6. Polarizarea jonciunii P-N
1.7. Fenomene care modific caracteristica static
1.8. Circuite echivalente n regim static
1.9. Circuite echivalente n regim cvasistaionar
1.10. Tipuri de diode semiconductoare cu jonciune
1.11. Principiul superpoziiei
1.12. Circuite de redresare
1.13. Stabilizatorul parametric


2. Tranzistori
2.1. Teoria elementar a TBP
2.2. Modele n regim static
2.3. Caracteristici statice ale TBP
2.4. Polarizarea TBP n zona activ de funcionare
2.5. Regimul variabil al TBP
2.6. Caracteristici statice ale TEC
2.7. Polarizarea tranzistorului cu efect de cmp
2.8. Circuite echivalente ale TEC

3. Dispozitive multijonciune
3.1. Dioda PNPN
3.2. Tiristorul convenional
3.3. Triacul
3.4. Tranzistorul unijonciune
3.5. Tiristorul MOS
3.6. Tiristorul GTO cu blocare pe poart
3.7. Tiristorul Darlington
3.8. Tiristorul I.G.B.T.
3.9. Aria de diode controlat

Teste de autoevaluare A

7
7
11
15
17
22
26
30
33
36
39
41
45
54

103
105
107
108
109

111
59
59
63
67
71
76
81
88
89
91
91
97
98
99



114
Soluiile testelor de autoevaluare

Teste A 1. b ; 2. a,b,c ; 3. b ; 4. a ; 5. a ; 6. b ; 7. a ; 8. a,c ; 9. c ; 10. b ; 11.
b; 12. a ; 13. b ; 14. c ; 15. a ; 16. a.



113








AMPLIFICATOARE DE SEMNAL MIC


4.1. Parametrii amplificatoarelor de semnal mic
Definiii i clasificri

Amplificatorul este un circuit electronic care primete la
intrare un semnal de putere mic si determin la ieire un semnal de
aceeai form cu semnalul aplicat, dar de putere mai mare.



















Condiia pentru ca semnalul de la ieire (vezi figura 4.1) s
aib aceeai form este x
0
(t)=A x
i
(t ). Observm ca nu este
obligatoriu ca timpul s coincid, in sensul c amplificatorul poate
introduce o ntrziere la ieire; ceea ce se traduce n domeniul
Fig. 4.1.
x
i
x
0
=A x
i X(t)
t
4
4



114
frecven printr-un defazaj ntre semnalul de intrare si semnalul
ieire.
Coeficientul A se numete factor de amplificare fiind definit
ca raport ntre mrimea de ieire i mrimea de intrare [8].
Datorit faptului c orice semnal periodic poate fi descompus
ntr-o sum de semnale sinusoidale de frecvene diferite i cum n
cazul semnalelor sinusoidale cea mai comod cale de rezolvare a
circuitului este transformarea acestuia n complex rezult c
factorul de amplificare se exprim n majoritatea situaiilor ca
vector complex raport ntre transformata n complex a semnalului
de ieire i transformata n complex a semnalului de intrare

) ( 0
) (
) (
) (
) (

j
i
e A
j X
j X
j A = = ,

unde ) ( A este modulul factorului de amplificare iar ) ( este faza
factorului de amplificare.















Deoarece semnalul de ieire se obine prin nmulirea
semnalului de intrare cu factorul de amplificare, pentru ca toate
sinusoidele de ieire s fie la fel cu cele de la intrare se impune ca
A s fie constant, ceea ce nseamn c att modulul lui A=A
0
trebuie
s aib acelai valoare pentru orice frecven, ct i trebuie s
aib acelai valoare pentru orice frecven, ca n figura 4.2.
Spunem c A este constant ntre frecvenele f
J
numit
frecven limit inferioar (joas) i f
S
numit frecven limit
A
A
0
A
0
/ 2

/2
0
/2
f
i f
s
= ct
A
0
= ct
t

f

Fig. 4.2


115
superioar, dac modulul factorului de amplificare nu scade sub
valoarea de la frecvene medii sub valoarea
2
0
A
.
Diferena celor dou frecvene definete banda de frecvena
amplificatorului

B= f
s
f
j
, (n care A = A
0
).

Amplificatoarele pot fi clasificate n funcie de banda de
frecvene astfel:

- Audio frecven f
J
= 20 Hz f
S
= 20 kHz;
- Medie frecven f
S
= 100 kHz;
- Video frecven f
S
= 700 MHz;
- Microunde f
S
= 70 GHz.
- Selective amplific semnalele dintr-o band ngust, n jurul
unei frecvene f
0
centrale cu f
J
= f
0
-B/2 i f
S
= f
0
+B/2 .

Parametrii amplificatoarelor de semnal mic

Pentru c un amplificator poate crete amplitudinea tensiunii
sau curentului de la ieire fa de intrare se definesc diferii
factori de amplificare, i anume:
i
V
V
V
A
0
= factorul de amplificare n tensiune;
i
i
I
I
A
0
= factorul de amplificare n curent;
i
P
P
P
A
0
= factorul de amplificare n putere;
i
Z
I
V
A
0
= factorul de transfer, numit transimpedan, cu
dimensiunea ;
i
Y
V
I
A
0
= factorul de transfer numit transadmitan , cu
dimensiunea
-1
.


116
Factorii de amplificare adimensionali se exprim uneori n
decibeli (dB)
], )[ log( 10
0
dB
P
P
A
i
P
= ]. )[ log( 20
0
dB
V
V
A
i
V
=
Spre exemplu o amplificare n tensiune de 80dB nseamn c
tensiunea de ieire este de 10
4
ori mai mare ca tensiunea de la
intrare.
Amplificatoarele mai pot fi clasificate n funcie de sarcin
astfel:
- amplificatoare de tensiune, cnd sarcina are impedan
mare i
amplificatorul are 1
i
A ;
- amplificatoare de curent, cnd sarcina are impedan mic i
amplificatorul are 1
v
A ;
- amplificatoare n putere, cnd sarcina primete putere de la
amplificator i amplificatorul are 1 , 1
i v
A A .
Pentru un circuit care are drept sarcin amplificatorul dat este
important s cunoasc ce fel de sarcin reprezint acesta, motiv
pentru care s-a introdus noiunea de impedan de intrare a
amplificatorului.
Impedana de intrare a amplificatorului este un alt parametru
al amplificatorului, reprezentnd sarcina pe care o vede circuitul din
amontele amplificatorului.
Dac circuitul de la intrarea amplificatorului este un generator
de tensiune de rezisten intern R
g
, condiia de adaptare a
generatorului cu receptorul (amplificatorul) este
Z
i
= R
g
,
pentru c n aceast situaie are loc transferul maxim de putere de la
generator la receptor (la intrarea amplificatorului).
Se mai definete un alt parametru al amplificatorului numit
impedan de ieire
0
0
0
0 =
=
i
I
I
V
Z
,
care caracterizeaz amplificatorul pentru circuitele din avalul
acestuia.



117
Ipoteze simplificatoare
Termenul de semnal mic se refer la faptul c
amplitudinea
semnalului aplicat la intrarea amplificatorului este suficient de mic
pentru ca punctul de funcionare al oricrui element activ de circuit
(din componena schemei) s nu prseasc zona liniar a
caracteristicilor statice.
Astfel va fi ndeplinit condiia privind liniaritatea relaiei
dintre mrimea de ieire i mrimea de la intrarea amplificatorului.
Banda de frecven a semnalului de intrare i frecvenele
limit nu determin creterea impedanelor din schema echivalent
a tranzistorului pentru ca s se impun a fi luate n consideraie.
Aceast limitare permite utilizarea schemelor cuadripolare ale
elementelor active de circuit cu parametrii de cuadripol
independeni de frecven.
De fapt toate aceste limitri sunt impuse pentru ca semnalul
de la ieirea schemei s fie de aceeai form cu semnalul de la
intrare, adic schema electronic s ndeplineasc funcia de
amplificare a semnalului de la intrare.
n realitate nimic nu este perfect, motiv pentru care spunem
c o schem de amplificator este liniar dac distorsiunile
semnalului de la ieire sunt acceptabile (se ncadreaz ntr-un
domeniu impus de aplicaia dat). Spre exemplu un amplificator
liniar n domeniul 300,..., 12.000 Hz este sper-performant dac se
utilizeaz la realizarea unui megafon i este execrabil dac este
utilizat la realizarea unui lan audio HF.
Lund n consideraie faptul c reacia (transferul unei pri
din semnalul de la ieire la intrare) se trateaz n cadrul unui capitol
separat, n cadrul prezentului capitol vom considera tranzistori
unilaterali.
Aceast limitare simplific schema echivalent a
elementelor de circuit, n sensul eliminrii tuturor componentelor
care transfer semnalul de la ieire la intrare, ceea ce permite
tratarea separat a circuitului de la intrare i separat circuitul de la
ieirea amplificatorului.


Schema echivalent a TBP
Tranzistorul bipolar poate fi utilizat n conexiune emitor
comun (EC), n conexiune colector comun (CC) sau n conexiune
baz comun (BC) determinnd tot attea topologii de
amplificatoare, denumite dup modul de conectare a tranzistorului.


118










Not: n toate calculele se va considera schema echivalent
cuadripolar a tranzistorului bipolar n conexiune emitor
comun, prezentat n figura 4.3, indiferent de modul de aezare a
tranzistorului (BC, CC, sau EC) n cadrul amplificatorului.

4.2. Amplificatorul cu tranzistor bipolar n conexiune
EC

n figura 4.4 este prezentat schema unui amplificator cu TBP
n conexiune emitor comun EC.
Polarizarea bazei tranzistorului se face prin intermediul
divizorului de tensiune, realizat cu rezistorii R
B1
i R
B2
, care
stabilesc un potenial al bazei
CC
B B
B
B
V
R R
R
V
2 1
1
+
= .

Jonciunea baz emitor primete tensiunea


E E B BE
I R V V = , pentru
C B C E
I I I I + = .

Jonciunea colector - baz primete tensiunea

C E C CC BE CE CB
I R R V V V V ) ( + = = .

Condensatorii notai C
C
sunt condensatori de cuplaj, avnd
rolul de a separa componenta de curent continuu a curenilor
tranzistorului de sursa de semnal variabil (Vg , Rg ) i de
impedana de sarcin (R
L
). Scopul este ca fiecare etaj de amplificare
s nu sufere modificri ale PSF datorit etajelor din fa sau din
aval.
Reactana condensatorului se adopt aa ca pe ntreg domeniul
de variaie a frecvenei semnalului de intrare, s fie suficient de
Fig. 4.3.
I
i
h
i h
f
I
i
r
0
=1/h
0

B

C

E



119
mic pentru a neglija cderea de tensiune de pe condensatorul de
cuplaj.


















Condensatorul C
E
este condensator de decuplare a
rezistorului R
E
, reactana acestuia stabilindu-se la o valoare mult
mai mic dect valoarea rezistenei R
E


E
E j
R
C
<<

1
.













n condiiile precizate curentul variabil de emitor se va nchide
prin condensator, iar acesta avnd o reactan mic va determina
conectarea direct a emitorului la mas (scurcircuitare n regim de
c.a.).

CE
CC
CC
R
C
V
L
R
L
V
i
R
E
R
B1
+V
CC
R
B2
V
g

R
g
Fig. 4.4.
Vg
Rg
RB1
RB2
Rc
RL
V0
Fig. 4.5


120
Sursa de curent continuu V
CC
, este un acumulator, o baterie
sau un circuit de conversie a energiei n energie de curent continuu.
n oricare din situaii rezisten intern este foarte mic, motiv
pentru care din punctul de vedere al regimului variabil bornele
sursei vor fi n scurcircuit, ceea ce nseamn c toate elementele
conectate la V
CC
n schema echivalent de c.a. se vor conecta la
masa circuitului. Constatm c n schema echivalent de c.a. a
amplificatorului cu tranzistor n conexiune EC, din figura 4.5, n
urma observaiilor de mai sus
- emitorul s-a conectat la mas (GND);
- R
B2
i R
C
s-au conectat la mas;
- condensatorii C
C
s-au scurcircuitat.
Sursa de tensiune variabil este o surs real format din sursa
ideal V
g
i rezistena intern R
g
.
Prin nlocuirea tranzistorului din figura 4.5 cu schema lui
cuadripolar schema devine ca n figura 4.6.













n figura 4.6 s-au introdus notaiile

2 1 B B B
R R R = ,
L C L
R R R =
'
.


Factorul de amplificare n tensiune

Factorul de amplificare n tensiune poate fi raportat la intrarea
tranzistorului

i
V
V
V
A
0
= ,
sau poate fi raportat la generatorul de tensiune
Vg
V0
0
0
1
h
r =

I1
hi
RB
V i
R

L

L
hf I1

R
g
Fig. 4.6.


121
g
Vg
V
V
A
0
= .
ntre cei doi factori de amplificare n tensiune exist relaia

V
g
i
g
i
i
Vg
A
V
V
V
V
V
V
A = =
0
.

Conform divizorului de tensiune se poate exprima V
i

g
B i g
g
i
V
R h R
R
V
+
= ,
de unde
V
B i g
g
Vg
A
R h R
R
A
+
= ,
ceea ce nseamn c este suficient s determinm
i
V
V
V
A
0
= .
Metodica general de calcul a unui factor de amplificare
const n a exprima unul din termeni (numitorul sau numrtorul)
ca funcie de cellalt termen sau de a exprima fiecare din termeni
prin aceeai variabil care, prin raportare se va simplifica.
ncercm cu cea de a doua metod, variabila fiind I
1
.
- Tensiunea V
i
se exprim direct pe circuitul de intrare

1
I h V
i i
=

- Tensiunea V
0
este pe rezistorul echivalent


' '
0 L L
I R V = ,

dar curentul poate fi exprimat cu teorema I a lui Kirchhoff (K I)

+ = + =
0 0 1
0
0
1
'
V h I h
r
V
I h I
f f L


care curent se nlocuiete n expresia tensiunii

+ =
'
0 0 1 0
) (
L f
R V h I h V
1
0
'
'
0
1
I
h R
R h
V
L
L f
+
= .

Efectund raportul se obine expresia cutat



122
' ' '
0
'
) 1 (
L m L
i
f
L
i L
f
V
R g R
h
h
R
h h R
h
A =
+
=

S-a aproximat relaia pentru c 1
0
'
<< h R
L
.
Termenul
i
f
m
h
h
g = se numete pant a tranzistorului i depinde de
curentul n PSF.

Factorul de amplificare n curent

Definiia este
g
L
i
I
I
A = .
Prin rezistorul
L C L
R R R =
'
circul curentul
'
L
I iar prin
rezistorul R
L
circul curentul I
L
. Conform divizorului de curent
avem
'
L
L C
C
L
I
R R
R
I
+
= ,
de unde se obine o nou expresie pentru A
i
.
g
L
L C
C
i
I
I
R R
R
A
'
+
=
Din ecuaiile deduse mai sus

+
=
1
0
'
'
0
1
I
h R
R h
V
L
L f


1 1
0
'
'
1
I h I
h R
h
I
f
L
f
L

+
= .

' '
0 L L
I R V =
(se aproximeaz pentru c 1
0
'
<< h R
L
).

Curentul I
1
se exprim din divizorul de curent de la intrare


+
=
g g
i B
B
I I
h R
R
I
1


(se aproximeaz pentru c R
B
>> h
i
).
Curentul
'
L
I se scrie nlocuind I
1

g f g
i B
B
L
f
L
I h I
h R
R
h R
h
I
+
+
=
0
'
'
1
,



123
cu ajutorul cruia am obinut expresia factorului de amplificare n
curent

L C
C
f
i B
B
L
f
L C
C
i
R R
R
h
h R
R
h R
h
R R
R
A
+

+
+
+
=
0
'
1


Impedana de intrare

Impedana de intrare vzut de generatorul de tensiune,
reprezint rezistena echivalent de la intrarea circuitului privit de
la sursa V
g.
Pentru schema din figura 4.6 avem

i g i B g
g
g
i
h R h R R
I
V
Z + + = =


Se constat c impedana de intrare este de valoarea impedanei de
intrare (h
i
) a TBP, deci are o valoare mic tipic 2 k.

Impedana de ieire

Impedana de ieire se definete cu intrarea n gol
0
0
0
0 =
=
g
I
I
V
Z
.

Schema din figura 4.6, prin anularea curentului de intrare, devine
schema din figura 4.7.











Pentru c I
g
= 0 avem i I
1
= 0, ceea ce nseamn c din
circuit se va elimina sursa comandat de curent, rmnnd circuitul
din figura 4.7.
Curentul se determin, cu K I,

1/h0
Rc R
L


Vo
I
0
Fig. 4.7.


124
0 0
0 0
0
V h
R
V
R
V
I
C L
+ + = ,
de unde

0
0
1 1 1
h
R R Z
C L
+ + =

Impedana de ieire a amplificatorului cu TBP n conexiune
EC vzut de sarcina R
L
este
+ =
0
'
0
1 1
h
R
Z
C

C C
R
h
R Z =
0
'
0
1
.
Se constat c impedana de ieire este limitat de valoarea
rezistorului din colectorul TBP.


RELAII pentru amplificatorul cu TBP n conexiune EC

' ' '
0
'
) 1 (
L m L
i
f
L
i L
f
V
R g R
h
h
R
h h R
h
A =
+
=
L C
C
f
i B
B
L
f
L C
C
i
R R
R
h
h R
R
h R
h
R R
R
A
+

+
+
+
=
0
'
1

i g i B g
g
g
i
h R h R R
I
V
Z + + = =

0
0
1 1 1
h
R R Z
C L
+ + = ,
L C C L
R R
h
R R Z =
0
0
1


4.3. Amplificatorul cu tranzistor bipolar in conexiune
CC

Schema unui amplificator cu TBP n conexiune CC este
prezentat n figura 4.8.
Condensatorii C
C
sunt condensatori de cuplaj, a cror
impedan se neglijeaz pentru domeniul de frecvene n care
lucreaz amplificatorul.
Polarizarea bazei se face cu cele dou rezistoare conectate n
baza TBP i cu rezistorul R
E
, numai c rezistorul din emitor se
determin din considerente privind semnalul variabil, nu din
considerente de stabilitate a PSF.



125















n figura 4.9 este prezentat schema de c.a. a circuitului din
figura 4.8. Sursa de c.c. conecteaz colectorul TBP la mas i acum
constatm c avem colectorul att la intrare ct i la ieire, ceea ce
justific afirmaia din titlu TBP n conexiune CC.












n figura 4.10 este prezentat schema echivalent a amplificatorului,
unde pentru tranzistor s-a folosit schema echivalent cuadripolar.






g
R
B
R
i
h
L
R
0
r
0
V
1
I h
f

0
I
B
E
g
V
Fig. 4.10.
I
1
~
+V
CC
R
B2
C
c
V
g
, R
g

C
c
R
B2 R
E
R
L
Fig. 4.8
R
g
R
B1 R
B2
R
E R
L
V
0
I
0
C

B

V
g
Fig. 4.9



126

S-au notat
L E L L E L B B B
R R r R R R R R R R
0
"
2 1
, , = =

= .
g L L E
E
g
i
I
I
R r
r
R R
R
I
I
A
"
0
0
0 0

+ +
= = .
Factorul de amplificare n curent se aproximeaz, pe baza
faptului c
L
R r >>
0
astfel
L E
E
f i
R R
R
h A
+
+ ) 1 ( .
Factorul de amplificare n tensiune
Fr a face nici un fel de calcule tim c factorul de amplificare
n tensiune este subunitar. Subunitar pentru c tensiunea de
intrare se aplic ntre baz i mas (V
g
= V
be
+ V
e
) i se culege
(ieirea) ntre emitor i mas.
( )
( )
1
1
1
0
<
+

+ +
+

= =
f L i g
f L
g
V
h R h R
h R
V
V
A .

Constatm c montajul nu amplific din tensiune (doar din
curent).
Impedana de intrare a amplificatorului cu tranzistor bipolar
in conexiune CC se determin pentru schema echivalent din figura
4.10 (cu R
B
= f. mare).
( )
f L i g
g
g
i
h R h R
I
V
Z +

+ + = = 1

Se constat c impedana de intrare este de valoare mare,
pentru c la intrarea circuitului se transfer valoarea impedanei de
sarcin (echivalent) multiplicat cu factorul de amplificare n
curent al tranzistorului.
Pentru c se impune
0
0
0
0 =
=
g
V
L
I
V
Z , impedana de ieire se
determin pe schema echivalent din figura 4.11 cu relaia
L
I
V
Z
0
0
0
= .
Suma curenilor n nod determin relaia de mai jos.
= + + + 0
1 2 1
I h I I I
f OL



127
L
g i
f
L
g i
I
R h
h V
R
V
R h
V
0
0
0 0
=
+

Fig. 4.11
( )
( )
g i f L
g L
L
g i
f
L R h h R
R h R
R
R h
h
I
V
+ + +

+
=
1
1
1
1
0
0


f
g i
f
g i
L
f
g i
L
h
R h
h
R h
R
h
R h
R
Z
+
+

|
|

\
|
+
+
+

|
|

\
|
+
+

=
1
1
1
0

Impedana de ieire are o valoare foarte mic, pentru c la
ieire se transfer impedana de intrare a tranzistorului micorat de
h
f
ori.

4.4. Amplificatorul cu tranzistor bipolar in conexiune
BC
n figura 4.12 este prezentat schema unui amplificatorul cu
tranzistor bipolar in conexiune BC.
Polarizarea n zona activ de funcionare este realizat de rezistorii
R
B1
, R
B2
.
n regim variabil de c.a. condensatorul C
B
, scurcircuiteaz
rezistena echivalent. n regim de curent continuu curentul absorbit
de la sursa V
CC
se nchide prin rezistorul R
C
, tranzistor i rezistorul
V
0
h
f
I
1
I
0L
R
g
I
1
h
i
I
2
"
L
R


128
R
E
(introdus n montaj tocmai pentru a crea o cale de curent
continuu ctre mas).

















Condensatorii C
C
sunt condensatori de cuplaj a cror reactan este
suficient de mic pentru a putea fi neglijat, rezultnd schema
echivalent din figura 4.13.
Se noteaz rezistena total de sarcin
L C L
R R R =

, prin care
circul curentul notat I
0
.
Se pot scrie relaiile:

0 0
I R V
L

= ,
0
I
R R
R
I
L C
C
L
+
= .












Fig. 4.12.
Fig. 4.13.
+V
cc
I
i
R
C
R
B2
C
c
E

Q

B

C

C
c
C
B
R
L
V
L
R
B1
R
E
R
g
V
g
V
a
V
g
h
i R
L
h
f
I
1
R
g
I
g I
0
I

I


129

Factorul de amplificare n curent raportat la rezistena
echivalent (
'
L
R conectat la ieirea tranzistorului)

1
1
0

+
= =
f
f
g
i
h
h
I
I
A .

Factorul de amplificare n curent raportat la sarcin ( R
L
) se
definete
L C
C
g
L
g
L
i
R R
R
I
I
I
I
I
I
A
+
= = =
0
0
,

conform relaiei ntre cureni.

Factorul de amplificare n tensiune se determin pe baza
definiiei
g
V
V
V
A
0
= .
i f g
L
f V
h h R
R
h A
+ +
=
) 1 (
'
.

Dac rezistena intern a sursei este mic (R
g
= 0) factorul de
amplificare n tensiune
'
'
L m
i
L
f V
R g
h
R
h A = = ,

are aceeai expresie ca la amplificatorul cu tranzistor bipolar n
conexiunea emitor comun fr inversarea de semn.

Impedana de intrare este

f
i
g
g
g
i
h
h
R
I
V
Z
+
+ = =
1
.

Constatm c impedana de intrare are o valoare foarte mic.

Impedana de ieire se determin pe baza schemei
echivalente complete din figura 4.13, particularizat pentru
condiiile impuse de definiia impedanei de ieire



130
0
0
0 =
=
g
V
L
I
V
Z .

Practic se anuleaz V
g
, ceea ce conduce la schema din figura
4.14.
















Impedana de ieire
) 1 (
1
0
0 0
0 '
0
h R
h R
R
h
h I
V
Z
g
i g
g
f
+
+
+ = =

este scurcircuitat de rezistena de alimentare a colectorului
tranzistorului:

C C g
i g
g
f C
R R h R
h R
R
h
h
R Z Z +
+
+ = = ) 1 (
1
0
0
'
0 0
.

4.5. Performanele amplificatoarelor elementare cu
TBP

n tabelul 1 sunt prezentate performantele amplificatoarelor cu
tranzistor bipolar in diferit conexiuni.
n condiiile n care nu se pot obine performanele dorite prin
utilizarea numai a unui singur tranzistor n conexiune EC, BC sau
CC se utilizeaz conexiunile compuse sau se conecteaz mai multe
etaje de amplificare n cascad.
Fig. 4.14.
I
0
V
1
h
i
R
c
I
0 I
L
h
f
I
1
I
3
r
0
=1/h
0
V
0
I
1
R
g
I

I
1


131
Un etaj de amplificare cu tranzistori cuplai este format din
doi tranzistori cuplai att n regim de curent alternativ ct i n
regim de curent continuu.

Tabelul 1.
Conexiunea E.C B.C C.C
Intrare/Ieire
Intrare BE
Ieire CE
Intrare EB
Ieire CB
Intrare BC
Ieire EC
A
V

g i
L
f
R h
R
h
+

'

i
C
f
h
R
h +
A
V
<1
A
i

L C
C
f
R R
R
h
+
1
i
A
L
B
R
R

Z
0

C
R

C
R

f
B i
E
h
R h
R
+
+
1
'

f. mic
Z
i

i
h
f
i
E
h
h
R
+ 1

f. mic
( ) | |
E f i B
R h h R + + 1


Rezult c punctele statice de funcionare se influeneaz
reciproc, spre deosebire de situaia conectrii n cascad a mai
multor amplificatoare cnd fiecare etaj este separat n regim de
curent continuu (separaie realizat de condensatori de cuplaj, de
transformatoare sau de un cuplaj optic) [8].

4.6. Etaje cu tranzistori compui
Termenul de tranzistor compus se refer la doi tranzistori
cuplai n curent continuu fiecare tranzistor fiind ntr-una din
conexiunile cunoscute (EC, BC, CC).
n figura 4.15 este prezentat structura corespunztoare
conexiunilor EC+CC i CC+CC.
Structura format din cei doi tranzistori , din figura 4.15a,
cuplai este echivalent cu un singur tranzistor echivalent , din
figura 4.15b, a crui proprieti urmeaz s le determinm. Prin


132
proprieti nelegem, de fapt, parametri de cuadripol ai
tranzistorului echivalent.
















n figura 4.16 sunt prezentate schemele echivalente
corespunztoare schemelor din figura 4.15.















Cunoscui fiind parametrii de cuadripol ai celor doi tranzistori,
n continuare se vor determina parametrii de cuadripol ai
tranzistorului echivalent.
Parametrul h numit admitan de ieire se constat, comparnd
cele dou scheme, c este determinat de tranzistorul T
2

h
0
= h
02
.

a) b)

Fig. 4.15.
a) b)
Fig. 4.16.
+

V
CC
C
T
2
T
1

C
T
2
E
B
E
B
E
I
1

B
E0
h
i
I
2

E
1/h
0
E
C0
I0
r
L
1/h
0
E
C

B
r
I
I


133
Impedana de intrare se definete prin relaia

2 1
2 2 1
) 1 (
i f i
i
i i i
i
i
i
h h h
I
I h I h
I
V
h + + =
+
= = ,
unde s-au folosit relaiile dintre cureni

( )
1 1 1 1 1 1 2
1 I h I I h I I
f f
+ = + = ,
1
I I
i
= .

Suma curenilor n nodul de la ieire

( )
0 02 1 1 2 0 02 2 2
02
0
2 2 3 2 2 0
1
1
V h h I h V h I h
h
V
I h I I h I
f f f f f
+ + = + = + = + =

Pentru V
0
= 0 avem

( ) + =
= 1 1 2 0 0
1
0
I h h I
f f V
) 1 (
1 2 f f f
h h h + =
Concluzii:
- impedana de intrare are valori mari
2 1
) 1 (
i f i i
h h h h + + = ;
- factorul de amplificare este mare, fiind egal cu produsul
factorilor de amplificare;
- impedana de ieire este dat de T
2
.




















a) b)

Fig. 4.17.
B
T
1

T
2

E
C
B
T
1

T
2

E
C
R


134


Un circuit des utilizat este tranzistorul Darlington, montaj
format din doi tranzistori cuplai, ambii, n conexiune colector
comun, ca n figura 4.17.
Schema din fig. 4.17b conine un rezistor care s preia o parte
din curentul de emitor al T
1
, pentru ca acesta s poat lucra la
cureni de emitor mai mari dect curentul de baz al T
2
.

4.7 . Structuri pentru creterea impedanei de ieire a
amplificatorului

Impedana de ieire fiind condiionat de valoarea impedanei
de ieire a tranzistorului i de impedana conectat n colectorul
(drena) acestuia pentru a crete valoarea impedanei de ieire
trebuie s se acioneze asupra acestor doi factori.
Montajul cascod este format dintr-un tranzistor n conexiune
emitor comun (surs comun) - pentru c prezint amplificri
supraunitare, att n tensiune ct i n curent - n colectorul cruia se
conecteaz un tranzistor n conexiune baz comun pentru c este
conexiunea care prezint o impedan de ieire mare, ca n figura
4.18.





















Fig. 4.18.
V
I
R
B1
R
E
C
E
V
0
C
B
R
B1
C
cc
T
1
T
2
C
C
R
B2
R
C
R
B2
+ V
CC


135
Condensatorii C
E
i C
B
sunt condensatori de decuplare primul
scurcircuitnd rezistorul R
E
iar cel de al doilea conectnd la mas
baza tranzistorului T
2
.
n figura 4.19 este prezentat o alt modalitate de polarizare a
tranzistorilor din montajul cascod [8, 25]. Sunt utilizate rezistoarele
R
B1,
R
B2
i R
B3
.




















Schema echivalent n regim de curent alternativ valabil
pentru ambele montaje cascod este prezentat n figura 4.20.












Fig. 4.19.
Fig. 4.20.
V
I
R
B1
T
1
T
2
C
B
C
C
R
B2
R
B3
R
C
C
C
V
0
+ V
CC
V
0
T
2
T
1
V
1
R
0
R
1


136
Pentru a efectua calculele necesare stabilirii parametrilor
montajului se nlocuiesc tranzistorii cu modelul lor cuadripolar,
ceea ce conduce la schema echivalent din figura 4.21.













Pentru calculul impedanei de ieire se ine seam de faptul c
aceasta este definit n condiiile n care la intrare semnalul este nul.
Impedana de ieire care include i R
L
se calculeaz cu relaia
L T
R R
I
V
R
0
0
0
0
= = ,
unde rezistena de ieire a tranzistorului are expresia
) 1 (
1
) 1 (
1
02
2 02
02 02
0
0 f i f T
h
h
h h h
h I
V
R + + + = = .
Se constat c rezistena de ieire a montajului a crescut de h
f

ori fa de valoarea rezistenei de ieire a tranzistorului.
Impedana de intrare este
2 2 i i B
i
i
i
h h R
I
V
Z = =
Factorul de amplificare n curent devine
1
2
0
I
I h
I
I
A
f
i
i
= = ,
f
f
i
h
I
I h
A = =
1
2
,
ceea ce spune c amplificarea n curent a montajului este dat de
un singur tranzistor.
Factorul de amplificare n tensiune
L m L
i
f
i
L f
i
V
R g R
h
h
I h
R I h
V
V
A = =

= =
1
2
0
,
Fig. 4.21.
1/h
01
B

h
i2
I
3
R
L
V
i h
i
R
B
h
f1
I
1
E
2
I
2
C
2
C
1
I
0 I
1
1/h
02
V
0


137
are expresia de mai sus pentru c raportul curenilor este unitar.
Se constat c numai un tranzistor formeaz factorul de
amplificare n tensiune, expresia factorului de amplificare fiind cea
a unui tranzistor n conexiunea emitor comun.

Etajul cascod cu doi tranzistori cu efect de cmp













n figura 4.22 este prezentat schema de principiu a unui etaj
cascod realizat cu doi tranzistori cu efect de cmp (SC+GC).
TEC
1
constituie etajul de intrare n conexiune surs comun,
iar TEC
2
realizeaz amplificatorul n conexiune gril comun.
n figura 4.23 este prezentat schema echivalent complet a
montajului.




Fig. 4.22.
i
V
1 B
R
2 B
R
1 gS
V
1 gS m
V g
D
r
S
D
G
I
2 gS
V
D
r
L
R
0
Z
0
V
0
I
G
2 gS m
V g
Fig. 4.23.
+ V
DD
R
D
R
B3
TEC
2
TEC
1
C
C
S
D

C
B
R
B2
G

C
C
R
L
V
0
C
S
S

R
B1
R
S
V
1
Z
0


138
Pentru determinarea impedanei de ieire se scurcircuiteaz
intrarea V
i
= 0 i V
gS1
= 0.
0 0 0
1 1
0
0
0
= = =
=
=
gS m gS i
V
o
V g V V
I
V
Z
i

Se determin rezistena R
0T
care se vede de la sarcina R
L
ctre
intrarea circuitului. Pentru c rezistena de ieire total este
L T
R R R
0 0
= . Rezistena de ieire a montajului este foarte mare.
n figura 4.24 este prezentat una din schemele montajului
cascod cu doi tranzistori diferii.











Tranzistorul bipolar este n conexiune emitor comun iar
tranzistorul cu efect de cmp este n conexiunea surs comun.
Impedana de ieire a montajului este
) 1 (
1
0
0 D m D T
r g
h
r R + + = , unde intervine conductana de ieire h
0
a
tranzistorului bipolar.
Etaje cuplate prin emitor
Sunt etaje la care emitorii celor doi tranzistori sunt cuplai printr-
o rezisten unic, ca n figura 4.25.

3 B
R
L
R
C
C
2
T
B
C
G
S
2 B
R
1 B
R
C
1
T
B
E
E
R
E
C
DD
V +
C
C
i
V
0
V
Fig. 4.24.


139










Tranzistorul T
1
este n conexiunea colector comun iar T
2
,
datorit condensatorului de decuplare C
B
(
B J
B B
C
R R

1
2 1
<<

) , este
n conexiunea baz comun.
Schema de c.a. a montajului este prezentat n figura 4.26.
Rezistenele de polarizare a bazei T
1
, n curent alternativ sunt n
paralel, motiv pentru care n schema echivalent apare o singur
rezisten ( a grupului).
Se noteaz impedana

A
I
V
R
3
01
= .













Fig. 4.25.
01
R
0
I
O
h
r
1
02
=
2
I h
f

0
V
3
I
0
I
Fig. 4.27
2
I
R
E
~
R
B1
R
g
V
g
R
B1 C
B
R
L
V
0
T
1
T
2
C
0
C
C
R
B2
R
C
R
B2
+ V
CC


140

Rezistena R
E
i h
i2
sunt n paralel cu R
01
de valoare mic, ceea
ce nseamn c rezistena echivalent va fi:

f
i
i E
h
h
R h R R Z
+
= =
1
01 2 01 3
.

Din figura 4.27 se exprim curentul
0 2
I I = ,cu ajutorul cruia
avem
+ + = + + =
0 01
0
0 01 0 0
0
0
] ) 1 (
1
[ ) (
1
I R h
h
I R I h I
h
V
f f

+ + + = ) 1 (
1
) 1 (
1
0
01
0
0 f f
h
h
R h
h
Z

de unde se obine impedana de ieire a montajului

) 1 (
1
0
0 f
h
h
Z + .
T
2
este n conex BC ( cu intrarea pe emitor i ieirea pe
colector) rezult factorul de amplificare n curent al acestui
tranzistor este subunitar (A
i
<1 ) iar factorul de amplificare al
montajului va fi dat de factorul de amplificare al tranzistorului T
1

T
1
este n conexiune colector comun i factorul de
amplificare n curent al ntregului montaj va fi

1 1 f i i
h A A .
Factorul de amplificare n tensiune al montajului este
determinat de factorul de amplificare al tranzistorului T
2
( care este
n conexiune baz comun) pentru c tranzistorul T
1
fiind n
conexiune colector comun are un factor de amplificare n tensiune
subunitar
(A
v
<1 ).

4.8 . Structuri pentru creterea impedanei de intrare a
amplificatorului

Aplicaiile care necesit utilizarea unor amplificatoare cu
impedan mare de intrare vor avea n componen etaje de
amplificare cu tranzistori n conexiunea colector comun, pentru c


141
este singura conexiune a tranzistorului care determin o impedan
de intrare mai mare dect h
i
.
Impedana de intrare a amplificatoarelor realizate cu tranzistori
bipolari este micorat de rezistenele conectate n baza
tranzistorului (rezistene cu rol de polarizare a acestuia n zona
activ de funcionare) care apar, n schema echivalent, n paralel
cu impedana de intrare a tranzistorului.
















n figura 4.28a este prezentat schema schema de c.a. a etajului
cu tranzistor bipolar n conexiunea colector comun .
S-a notat Z
ig
impedana de intrare a amplificatorului, care
este format din trei rezistene conectate n paralel (ca n figura
4.28b)
Z
ig
=R
B1
|| R
B2
||

R
IT
= R
B
|| R
IT
,

unde

R
IT
este impedana de intrare a tranzistorului.
Rezistenele de polarizare R
B1
,R
B2
nu pot fi luate de valori
foarte mari => R
B
va scurcircuita impedana de intrare a
tranzistorului, adic va conduce la micorarea impedanei aa nct
IT
Z Zig .

Metoda urmririi de potenial

Metoda urmririi de potenial const n modificarea
circuitului de polarizare astfel nct potenialul bazei s urmreasc
potenialul emitorului.
a) b)
Fig.4.28.
Z
ig
R
IT
R
E
R
B1
R
B2
V
0
T
R
B1
R
B2 R
IT
V
1


142
Schema de polarizare n zona activ a tranzistorului,
corespunztore metodei urmririi de potenial este prezentat n
figura 4.29., iar n figura 4.30 sunt prezentate schemele echivalente.































Se constat c prin intermediul condensatorului de cuplaj C
C1

se realizeaz o legtur, n curent alternativ, direct ntre baza i
emitorul tranzistorului. n regim variabil potenialul emitorului va
urmri potenialul bazei (i reciproc) .
Constatm c condensatorul de scurcircuitare C
C
conecteaz
R
B1
i R
B
n || cu R
E
, dar R
E
<<R
B1,
R
B2
astfel nct
R
AM
= R
E
|| R
B1
|| R
B2
~ R
E
.
Fig. 4.29.
a) b)

Fig. 4.30.


143
Impedana de intrare se calculeaz pe desenul din figura 4.31b,
care se redeseneaz, dup nlocuirea tranzistorului cu schema lui
echivalent, n figura 4.32.
Se aplic teoremele lui Kirchoff pentru schema din figura 4.32b,
care determin relaiile ntre tensiuni i respectiv ntre cureni

V
i
= h
i
I
1
+ I
E
R
E
,
I
E
= I
1
+h
f
I
1
.














Prin nlocuirea relaiei dintre cureni se obine expresia
tensiunii V
I
n funcie de curentul de intrare I
1
V
I
= h
i
I
1
+ R
E
(I
1
+ h
f

I
1
)/I
1
,
cu ajutorul creia se stabilete expresia impedanei de intrare

Z
I
= h
i
+ R
E
(1 + h
f
) .












Schema urmririi potenialului poate fi generalizat.
Cele dou scheme din figura 4.33 sunt echivalente a ) b )
n condiiile n care
a) b)
Fig.4.32.
a) b)

Fig.4.33.


144

Z =
v
A
R
1
, Z ~R ,

unde s-a notat cu A
v
factorul de amplificare n tensiune al
amplificatorului n conexiunea colector comun.
Avnd n vedere faptul c tranzistorul cu efect de cmp are o
impedan de intrare foarte mare rezult c, dac dorim s pstrm
valoarea mare a impedanei de intrare i pentru amplificator, se
impune s aplicm metodei urmririi de potenial. Altfel
rezistenele de polarizare a grilei vor scurcircuita intrarea
tranzistorului.
n figura 4.34a este prezentat amplificatorul cu TEC iar n 4.34b
este prezentat amplificatorul cu TEC la care s-a modificat circuitul
de polarizare pentru ca potenialul sursei s urmreasc potenialul
grilei.














n cazul schemei din figura 4.34a impedana de intrare (foarte
mare) a tranzistorului va fi scurcircuitat de cele dou rezistene din
gril (conectate n paralel) Z
i
~ R
G1
|| R
G2
.
Montajul din figura 4.34b determin schema de curent
alternativ din figura 4.35a i , prin nlocuirea tranzistorului cu
schema de curent alternativ, se obine schema echivalent din figura
4.35b.
n figura 4.35 nu apar rezistenele R
G1
|| R
G2
pentru c n c.a.
acestea se conecteaz n paralel cu rezistena de sarcin R
S
,care se
presupune de valoare mult mai mic dect cele dou rezistene, ceea
ce nseamn c rezistena echivalent a grupului va fi apropiat de
R
S
(care apare n desen).

a) b)

Fig.4.34.


145














Impedana de intrare se calculeaz cu relaia

Z
I
=
1
I
V
I
.

Pentru schema echivalent din figura 4.35b se pot scrie relaiile

V
I
= V
gs
+ I
S
R
S
,


I
1
+ g
m
V
gs
= I
S
,


V
gs
= I
1
R ,

unde I
1
este curentul prin R iar I
S
este curentul prin R
S
.
Prin nlocuiri



V
I
=

V
gs
+ ( I
1
+ g
m
V
gs
) R
s
= I
1
R + (I
1
+ g
m
I
1
R ) R
s
,

Se obine expresia impedanei

Z
i
= R + (1 + g
m
R ) Rs.

Expresia de mai sus se poate obine i pe baza schemei
generale a urmririi de potenial, calculnd factorul de amplificare
n tensiune pentru schema din figura 4.26b n condiiile anulrii
rezistenei R = 0.
Pentru creterea impedanei de intrare, datorit faptului c R
S

se transfer la intrare nmulit cu factorul de amplificare, se
a) b)

Fig.4.35.


146
recurge la utilizarea unei rezistene R
S
care s aib o valoare mare n
regim de c.a. i o valoare mai mic n regim de c.c.
Acest lucru se realizeaz prin nlocuirea R
S
cu o surs de
curent constant, realizat cu ajutorul unui tranzistor bipolar, ca n
figura 4.36.

















Tranzistorul bipolar are baza la potenial constant ( de curent
continuu) ceea ce face ca valoarea curentului de colector i implicit
valoarea curentului de dren a TEC s fie constant.
n regim variabil tranzistorul bipolar, ntre colector i mas va
prezenta o impedan de valoare mare, determinnd creterea
impedanei de intrare a montajului .















Fig.4.36.
R
B2
B

R
E
R
G1
C
C1
R

C
C
S

C

TEC

V
0
V
1
E

R
G2
I
D
R
B1 D

+ V
DD
C
C


147





AMPLIFICATOARE CU REACIE
NEGATIV

5.1 Consideraii privind reacia negativ

Reacia const n a transfera o parte din semnalul de la ieirea
unui amplificator, prin intermediul unei reele de reacie, la intrarea
acestuia.












Fig. 5.1.

n figura 5.1 este prezentat schema bloc a unui amplificator
cu reacie unde Ampf. este amplificatorul de baz, cruia i se
adaug reeaua de reacie R.R. pentru a obine amplificatorul cu
reacie AR.
Reacia este negativ n condiiile n care semnalul x
f
pe
care l aplic reeaua de reacie la intrarea amplificatorului este n
opoziie de faz cu semnalul x
i
furnizat de generatorul Gen.
n cazul semnalelor continue opoziia de faz nseamn polaritate
opus iar, n cazul semnalelor variabile opoziia de faz se refer la
Ampf
R.R.
Gen.
x
i
x
0

x
f
AR
5
5



148
valoarea defazajului dintre cele dou semnale, care trebuie s fie
=k , ca n figura 5.2.
Rolul R.R. const n prelucrarea semnalului de ieire de la
ieirea amplificatorului, n sensul scderii amplitudinii acestuia i n
sensul obinerii unui semnal x
f
care s fie n opoziie de faz cu
semnalul x
i
.
Se constat c atunci cnd semnalul de intrare x
i
este pozitiv
semnalul furnizat de reeaua de reacie la intrarea amplificatorului
este negative i invers, aa nct n orice moment de timp semnalul
adus de reeaua de reacie se va scdea din semnalul furnizat de
generatorul Gen de semnal.


Fig. 5.2.

Att amplificatorul ct i reeaua de reacie sunt caracterizate
prin intermediul funciilor de transfer A - pentru amplificatorul fr
reacie, A
R
- pentru amplificatorul cu reea de reacie, i respectiv
- pentru reeaua de reacie, definite ca raport al mrimii de ieire
i al mrimii de intrare, exprimate n complex.











Toate mrimile din relaiile de mai sus sunt reprezentri n
complex ale funciilor de timp corespunztoare. Spre exemplu
eroarea E reprezint transformata n complex a abaterii

0
0
0
,
,
X
X
X
X
A
X X E
E
X
A
f
i
R
f i
=
=
=
=

149

1
x x
i
=

a mrimii x
f
- furnizate de RR n raport cu mrimea x
i
- prescris
de generatorul notat cu Gen.
Not. Convenim s notm n continuare, pe tot parcursul
paragrafului, mrimile complexe cu litere mari ale alfabetului fr a
mai utiliza sublinierea.
Din relaia de definiia factorului de amplificare
( )
( )
( )

1
1
1 1 1
0
0

+
=
=
|
|

\
|
=
|
|

\
|
=
=

= = =
A
A
A
A A A A
X
X
X
X
A
X
X X A
A X X A A X A
R
R R
i i
f
i
f i
R f i


Se noteaz produsul

A T =

care se numete transmisie pe bucl .

Factorul de amplificare A
R
al amplificatorului cu reacie este
de (1+T) ori mai mic dect factorul de amplificare al
amplificatorului din componena sistemului

A A
R
<

Pe seama acestei scderi a factorului de amplificare se obin
anumite avantaje (care nu s-ar obine fr reacia negativ) i
anume[8]:

- se produce o desensibilizare a valorii factorului de amplificare la
dispersia componentei electronice din componena sistemului,
datorit faptului c factorul A
R
depinde de (care este realizat de
obicei cu elemente pasive de circuit);
- permite adaptarea impedanei amplificatorului cu impedana
generatorului i cu impedana sarcinii n scopul realizrii
transferului optim al semnalului;
- se reduce efectul zgomotului propriu dispozitivelor active;
- se reduce efectul neliniaritii caracteristicii de transfer a
amplificatorului;


150
- creterea bandei de frecven a amplificatorului care determin
scderea distorsiunilor datorate transferului semnalului de la
intrarea la ieirea amplificatorului.

Pentru a unifica modul de lucru n cazul amplificatoarelor prevzute
cu reea de reacie negativ se impune a se efectua calculul asupra
unui factor de amplificare specific fiecrui tip de reacie i anume
calculele se efectueaz pentru factorul de amplificare definit astfel:

reactie de afectata intrare la de lui generatoru Marimea
RR intrarii si orului amplificat iesirii comuna Marimea
= A

Factorul de reacie corespunztor se exprim prin raportul

R.R. intrarii si orului amplificat iesirii comuna Marimea
R.R. reactie de retelei a iesire de Marimea
f = =

n teoria general a reaciei se utilizeaz notaia pentru factorul de
reacie i acelai factor n aplicaii este notat cu f, motiv pentru
care n continuare se va folosi notaia f sau .

De notat urmtoarele:

- att amplificatorul de baz ct i reeaua de reacie se consider
unilaterale, ceea ce nseamn c semnalul se transmite de la intrare
la ieire i nu se transmite nimic invers,
- faptul c intrarea reelei de reacie se gsete la ieirea
amplificatorului de baz iar ieirea reelei de reacie se gsete la
intrarea amplificatorului.


5.2. Topologii ale amplificatoarelor cu reacie

Mai nti cteva precizri privind terminologia.
Termenul de topologie se refer la structura sistemului, sau
altfel spus la modul de interconectare a elementelor care compun
sistemul.
Folosim termenul
comparare cnd discutm despre mrimi de la intrarea
amplificatorului
i termenul
eantionare n condiiile n care discutm despre mrimi de la
ieirea amplificatorului.


151
Datorit faptului c de la ieirea amplificatorului poate fi
preluat o parte din tensiunea acestuia sau o parte din curentul
furnizat de amplificator i c R.R. poate injecta la intrarea
amplificatorului un curent sau poate aduce o tensiune se utilizeaz
termenul
n nod n cazul curentului
i termenul
pe bucl n cazul tensiunii .
Spre exemplu n cazul amplificatorului cu reacie negativ cu
eantionare n nod i comparare pe bucl avem o reea de reacie
care preia de la ieirea amplificatorului o parte din curentul furnizat
sarcinii l prelucreaz i aduce la intrarea amplificatorului o
tensiune n opoziie de faz cu tensiunea furnizat de generatorul de
semnal.
Din consideraii privind claritatea expunerii att amplificatorul
de baz ct i reeaua de reacie vor fi exprimate prin intermediul
parametrilor de cuadripol. Mai mult, se vor folosi acei parametri
de cuadripol care s conduc prin ct mai puine operaii
matematice la rezultat (la concluzia expunerii) i anume se vor
folosi parametrii de cuadripol care conin n membrul drept
variabile independente de prezena reelei de reacie.
Avnd n vedere faptul c sunt dou mrimi la intrarea
cuadripolului i dou mrimi la ieirea acestuia rezult c sunt
posibile 4 topologii ale amplificatoarelor cu reacie:

- eantionarea n nod i compararea n nod;
- eantionare pe bucl i comparare pe bucl;
- eantionare pe bucl i comparare n nod;
- eantionare n nod i comparare pe bucl.

n continuare vom stabili factorii specifici fiecrei topologii.

Amplificatorul

cu eantionare n nod i comparare n nod

Reeaua de reacie preia o parte din curentul de ieire al
amplificatorului (dac nu ar fi fost RR curentul la ieirea
amplificatorului ar fi fost I
L
pe cnd n prezena RR curentul este
mai mic, fiind notat cu I
0
), l prelucreaz i transfer la intrarea
amplificatorului sub forma unui curent notat I
f
.
Topologia sistemului cu reacie de tipul eantionare n nod i
comparare n nod este prezentat n figura 5.3.


152
Tensiunea de ieire V
0
este att la ieirea amplificatorului ct i
la intrarea reelei de reacie.
Tensiunea de la intrarea amplificatorului V
i
este i tensiune de
ieire a reelei de reacie.
Mrimile independente de structur sunt cele dou tensiuni
ceea ce nseamn c se impune a descrie ambii cuadripoli prin
intermediul relaiilor care conin n membrul drept cele dou
tensiuni. Se vor folosi parametrii de cuadripol y.








Fig. 5.3.


Ecuaiile asociate cuadripolului sunt

( )
( )

+ = =
+ = =
0 22 21 0 2 0
0 12 11 0 1
,
,
V y V y V V f I
V y V y V V f I
i i
i i i


Parametrii de cuadripol pot fi determinai prin calcul sau
experimental prin ncercrile (de mers n gol i de mers n
scurcircuit) efectuate asupra cuadripolului fizic.
n ambele situaii, pentru calculul parametrilor, se folosesc relaiile


0
0
11
=
=
V
i
i
V
I
y (admitana de intrare),


0
0
0
22
=
=
i
V V
I
y (admitana de ieire),


0
0
12
=
=
i
V
i
V
I
y (admitana de transfer de la
intrare la ieire),
V
g
V
i
I
f
A I
R

V
0
R
L
I
0
I
L
R
g
I
g
I
i



153



0
0
0
21
=
=
V
i
V
I
y (admitana de transfer de la
ieire la intrare).

Tensiunea de ieire V
0
este att la ieirea amplificatorului ct
i la intrarea reelei de reacie.
Toate calculele se fac, n cazul amplificatorului

cu
eantionarea n nod i compararea n nod, asupra acelui factor de
amplificare definit prin raportul


g
I
V
A
0
reactie de afectata intrare la de lui generatoru Marimea
RR intrarii si orului amplificat iesirii comuna Marimea
= =


i notat cu indice z (pentru c este de natura unei impedane)

g
Z
I
V
A
0
= .

Factorul de reacie corespunztor este


0
V
f
I
y
f = .


Amplificatorul

cu eantionare pe bucl i comparare pe
bucl

Reeaua de reacie prelucreaz tensiunea de la ieirea
amplificatorului i aduce la intrarea acestuia o tensiune n opoziie
de faz cu tensiunea furnizat de generatorul de semnal. Topologia
sistemului cu reacie de tipul eantionare pe bucl i comparare pe
bucl este prezentat n figura 5.4.





154









Fig. 5.4.

ntre tensiuni se pot scrie relaiile

,
,
0
f i g
r L
V V V
V V V
+ =
+ =


ceea ce nseamn c mrimile independente sunt curenii I
0
i I
i
.
n aceste condiii trebuie s exprimm att R.R. ct i
amplificatorul prin intermediul parametrilor de cuadripol Z,
ale cror ecuaii conin ca mrimi independente cei doi cureni.

+ =
+ =
0 22 21 0
0 12 11
I Z I Z V
I Z I Z V
i
i i



Factorului de amplificare afectat de reacie

g
V
I
A
0
reactie de afectata intrare la de lui generatoru Marimea
RR intrarii si orului amplificat iesirii comuna Marimea
= =

iar factorul de reacie este

0
I
V
f
f
z
=

Amplificatorul

cu eantionarea pe bucl compararea n nod

Reeaua de reacie prelucreaz tensiunea de la ieirea
amplificatorului i injecteaz la intrarea acestuia un curent.
Topologia sistemului cu reacie de tipul eantionare pe bucl i
comparare n nod este prezentat n figura 5.5.
V
g

V
i




A

V
L
R
L
I
i
I
0
V
0
V
r


155











Fig. 5.5.

Mrimile independente sunt V
g
i I
0
.
Factorul de amplificare afectat de reacie care se utilizeaz n
calcule pentru aceast topologie este

g
i
I
I
A
0
=

iar factorul de reacie

0
I
I
f
f
i
=


Amplificatorul

cu eantionarea n nod i compararea pe bucl

Reeaua de reacie prelucreaz curentul de la ieirea
amplificatorului i transfer la intrarea acestuia o tensiune.
Topologia sistemului cu reacie de tipul eantionare n nod i
comparare pe bucl este prezentat n figura 5.6.
Mrimile independente sunt V
g
i I
0
,
Factorul de amplificare afectat de reacie care se utilizeaz n
calcule pentru aceast topologie este

g
v
V
V
A
0
=

iar factorul de reacie

A


I
0
I
g I
i
V
L
I
f
V
i
V
r


156
0
V
V
f
f
v
=









Fig. 5.6.


5.3. Reacia negativ cu eantionare n nod i
comparare n nod

n cadrul prezentului paragraf va fi abordat in extenso
problema reaciei negative pentru a putea evidenia o metodologie
de calcul valabil i n cazul celorlalte topologii de amplificatoare
cu reacie.
Ecuaiile asociate cuadripolului descris prin intermediul
admitanelor pot fi rescrise pentru a evidenia intrarea i ieirea

+ =
+ =
,
0 0 0
0
V y V y I
V y V y I
i f
r i i i


notnd cu i intrarea, o ieirea, f transferul de la intrare la ieire
i r transferul de la ieire la intrare.
Admitanelor li se mai asociaz un al doilea indice pentru a
specifica blocul funcional ( a pentru amplificator, f pentru
reeaua de reacie).

A


I
L
I
r
I
i
V
g
V
i
I
0
V
0
V
f


157
Ecuaiilor de descriere a cuadripolului li se pot asocia o
schem echivalent. Spre exemplu n figura 5.7 se prezint schema
echivalent cuadripolar a amplificatorului cu parametrii y.
Deoarece se studiaz reacia, care, prin definiie const n a
aduce un semnal la intrarea acestuia de la ieire, se consider att
amplificatorul ct i reeaua de reacie elemente de circuit
unilaterale ( n sensul c transferul semnalului are loc numai ntr-un
singur sens de la intrare la ieire - nu i invers ).

Fig. 5.7.


n aceste condiii ecuaiile cuadripolilor se simplific prin
anularea admitanei corespunztoare transferului invers, astfel:
- pentru amplificator avem ecuaiile

+ =
=
0 0
V y V y I
V y I
oa i fa
i ia i


- iar pentru reeaua de reacie avem ecuaiile

=
+ =
0
0
V y I
V y V y I
of r
rf i if f


Pe baza ecuaiilor celor doi cuadripoli i pe baza
schemei echivalente din figura 5.8 se vor calcula factorul de
transfer al amplificatorului cu reacie A
Z
i factorul de reacie f
y
,
definite conform relaiilor 5.3 i 5.4.
Teorema I-a Kirchoff pentru nodul de la intrare determin relaia


( )
0
'
0
V y V Y V y V y V y V Y
I I V Y I I I I I I
rf i i rf i if i ia i G
f i i G f i g g g g
+ = + + + =
= + + = + + = + =


Se noteaz
if ia G i
y y Y Y + + =

V
i
Y
ia

Y
ra
V
0
Y
fa
V
i
Y
0a

V
I
i
I
0


158
Corespunztor ecuaiilor de mai sus, n figura 5.8 este
prezentat schema echivalent.



















Fig.5.8

Teorema I-a Kirchhoff pentru nodul de la ieire determin relaia


0 0 0
V y V y V y I I I
of oa i fa r L
+ + = + =

care , dup nlocuirea expresiei curentului prin sarcin ( )
0
V Y I
L L
=
, devine

0 0 0
V y V y V y V Y
of oa i fa L
+ + =

( ) 0
0
= + + + V y y Y V y
oa of L i fa


se noteaz =
0 0
V Y V y
i fa


a of L
y y Y Y
0 0
+ + =

0
0
V
y
Y
V
fa
i

=


y
L
Amplificator
I
g
I
g I
i
1

2

2

2
1

1

1

2

I
0
I
L
I
L
I
L
V
0
V
G
I
g
R.R.
y
O
F
I
R
y
if
I
f
Y
rf
V
0
y
fa

V
i
y
oa
y
ia
V
i


159
Se nlocuiete expresia tensiunii de intrare

0 0
'
0
V y V
y
Y
Y I
rf
fa
i g
+
|
|

\
|
=



obinnd o relaie pentru curentul furnizat de generator n funcie de
tensiunea de ieire
0
'
0
'
V
y
Y Y
y I
fa
i
rf g

|
|

\
|

=

Factorul de amplificare al sistemului cu reacie

rf
i
fa
i
fa
i
fa rf
i
fa
i fa rf
fa
fa
i
rf
Z
y
Y Y
y
Y Y
y
Y Y
y y
Y Y
y
Y Y y y
y
y
Y Y
y
I
V
A

|
|

\
|

=
=

=

= =
'
0
'
'
0
'
'
0
'
'
0
'
'
0
' '
0
'
0
0
1
1
1


Acelai factor de amplificare poate fi exprimat, pentru reacia
de tipul eantionare n nod i comparare n nod , conform teoriei
generale a reaciei prin relaia
y z
z
z
f a
a
A
+
=
1


unde a
z
este factorul de amplificare a amplificatorului n bucl
deschis de reacie iar f
y
este factorul de reacie .
Prin identificarea celor dou expresii ale A
Z
se obin
expresiile
- factorului de amplificare n bucl de reacie deschis
'
0
'
Y Y
y
a
i
fa
z

=

- factorului de reacie

rf y
y f = .

Se constat c a
z
se poate determina din expresia lui A
Z
prin
anularea reaciei


160
( ) 0 0 = =
y rf
f y .
Acest rezultat sugereaz modul de abordare a sistemelor cu
reacie. Constatm c elementul care definete reeaua de reacie
este numai parametrul de cuadripol y
rf
, restul elementelor reelei
de reacie putnd fi incluse n blocul notat n figura 5.1. Ampf.
nseamn c putem rearanja elementele schemei amplificatorului cu
reacie negativ cu eantionare n nod i comparare n nod ca n
figura 5.9, unde am definit o nou reea de reacie i un amplificator
numit n bucl deschis de reacie ABD.
Structura ABD se obine:
- prin ncrcarea amplificatorului de baz cu elemente ale reelei
de reacie care rmn dup ce s-a anulat reacia ;
- ncrcarea la intrare a amplificatorului de baz se face, datorit
faptului c eantionarea este n nod, prin scurcircuitarea intrrii
reelei de reacie ;
- ncrcarea la ieirea amplificatorului se obine, datorit faptului
c se face comparare n nod, prin scurcircuitarea ieirii reelei de
reacie.













Fig. 5.9.



Fig.5.9

De remarcat faptul c n structura ABD intr att Y
G

(admitana
generatorului) ct i Y
L
(admitana sarcinii) cu ajutorul crora,
pentru schema ABD, se calculeaz a
z
, cu aceeai relaie ca A
Z
dar
pe schema ABD.
(ABD) a
z
(RR) f
y
y
fa
V
i y
oa


y
of

Y
1


1

2

2

1

y
rf
V
0 V
0
y
G


y
if


y
ia


I
g




161
Factorul de reacie f
y
se obine separnd R.R. i calculnd
acest element prin scurcircuitarea ieirii reelei de reacie (pentru c
compararea se face n nod).

Not. n cadrul metodologiei de generare a structurii ABD i RR ,
dac compararea sau eantionarea se face pe bucl , se va nlocui
termenul scurcircuit cu termenul n gol .

Admitana de intrare i admitana de ieire se calculeaz pe
baza admitanelor notate cu indice prim (

'
0
'
, Y Y
i

).


Se definete o admitan de lucru

i
rf i i
i
g
i
g
i
g g
i
g
i
V
V y V Y
V
I
V
I
V
I I
V
I
Y
0
'
+
+ =
+
= =




Din 5.14 se exprim V
0
i se nlocuiete n relaia de mai sus

( )
z y i i
a
i
fa
f
i i
i
i
fa
rf i i
i
a f Y Y
Y Y
y
rf
Y Y
V
V
Y
y
y V Y
Y
z
y
y
+ =

|
|
|
|

\
|

+ =

+
=

1
1
' "
'
0
'
' "
'
0
'
"
3 2 1


Admitana de intrare a amplificatorului cu reacie nu conine
i admitana generatorului aa nct aceasta trebuie sczut

G i i
Y Y Y =
'

obinnd astfel formula de calcul a admitanei de intrare a
amplificatorului cu reacie

( )
G i i
Y T Y Y + = 1

unde
z y
a f T = este transmisia pe bucl.
Se constat c aceast topologie de amplificator cu reacie
determin creterea admitanei de intrare de (1 + T) ori, ceea ce
nseamn c impedana de intrare va scdea tot de attea ori.


162
Admitana de ieire este definit prin raportul de mai jos, n
condiiile cnd nu se aplic semnal la intrare

0
0
0
=
=
g
I
L
V
I
Y

Ca mai sus se definete o admitan
"
0
Y de lucru (vezi i figura 5.8)

L
L L L L L
Y Y
V
I
V
I
V
I I
V
I
Y
g
I
+ = + =
+
= =
=
0
0
'
0 0
'
0
'
"
0
0


prin intermediul creia se va calcula admitana de ieire (scznd
admitana sarcinii Y
L
, care nu aparine amplificatorului cu reacie)

L
Y Y Y =
"
0 0


Curentul injectat din exterior poate fi scris succesiv

, 0 0 0
' ' "
r L r L L L L
I I V Y I I I I I I + + = + + = + =
= + + + =
0 0 0
"
V y V y V y V Y I
of oa i fa L L


nlocuind
"
L
I n definiia lui
"
0
Y se obine

( ) T Y Y + = 1
0
"
0


i admitana de ieire va avea expresia

( )
L
Y T Y Y + = 1
"
0 0


Se constat c reacia determin creterea admitanei de ieire.
n concluzie prin aplicarea unei reacii negative cu
eantionare n nod i comparare n nod scad ambele impedane, att
impedana de intrare ct i impedana de ieire.

EXEMPLU n figura 5.10 este prezentat schema de principiu a
unui amplificator cu tranzistor bipolar n conexiune EC prevzut cu
RN cu eantionare n nod i comparare n nod pentru care se vor
calcula elementele mai sus definite.





163





















Fig. 5.10

n figura 5.11 este evideniat reeaua de reacie negativ a
montajului din figura 5.10, pe baza schemei echivalente de regim
variabil.
















~
R
B2
R
L
+ V
CC
C
E
R
E
R
B1
R
g
V
g
C
C
R

C
C C
C
R
C
R
2 1
2 1
I
g
R
B
Y
g I
f
R
L
R
c
Fig. 5.11.


164
n cadrul schemei echivalente din fig. 5.11 s-a nlocuit
generatorul de tensiune de la intrare cu un generator de curent
echivalent, conform relaiilor de echivalen

g
g
g
g
g
R
Y
R
V
I
1
, = =

Reacia prin rezistorul R, transfer o parte din curentul
furnizat de colectorul tranzistorului n circuitul bazei.
Factorul de amplificare al unui etaj cu tranzistor n conexiune
EC este negativ, ceea ce semnific faptul c mrimea din colector
este n opoziie de faz cu mrimea din baz. Din acest motiv
reeaua de reacie negativ poate fi pur rezistiv (nu mai trebuie
schimbat faza mrimii pentru c aceast schimbare a efectuat-o
tranzistorul).
n figura 5.12 este prezentat schema ABD.

Se noteaz:

R
B

= R
B1
|| R
B2 ,
R
L

= R
L
|| R
C ,
R
2
= R
L

|| R , R
1
= R
B
|| R .















Fig. 5.12



Cu ajutorul notaiilor mai sus definite se obine schema echivalent
a ABD, din figura 5.13.

R
g
R
B
R
L
= R
L
R
C
R
R
~
V
g

V
0


165










Fig. 5.13.

Impedana de intrare a ABD se calculeaz din figura 5.13 iar
expresia admitanei de intrare rezult din relaia

( )
i g g i
i
i
h R R R Z
Z
Y + = =

' '
;
1


Admitana de ieire a ABD este

0
2
'
1
h
R Y
i
=

Factorul de amplificare al ABD este definit pe schema ABD
se determin scriind, mai nti, expresia tensiunii de ieire

1
0
2 0
1
I
h
R h V
f
|
|

\
|
=

i apoi expresia curentului

g
i
i
I
h R
h
I
+
=
1
1


Se obine expresia factorului de amplificare n bucl deschis de
reacie

i
i
f z
h R
h
h
R h a
+
|
|

\
|
=
1 0
2
1


V
g
I
g R
g I
1
R
B
R
h
i
R
1
h
f
I
1
1/h
0 R
2
= RR
L
V
0


166
Factorul de reacie se determin, prin separarea reelei de reacie de
amplificatorul de baz, conform figurii 5.14.





R
f
V
I
f
I R V
y
f
y
f
1
0
0
= =
=


Fig. 5.14.

Cu ajutorul elementelor determinate mai sus se poate calcula A
z
factorul de amplificare global (al amplificatorului cu reacie)

y z
z
z
f a
a
A
+
=
1

i transmisia pe bucl

y z
f a T = .

Admitanele amplificatorului cu reacie sunt

( ) ( )
L
i
g
i i
R
Y T Y
R
Y T Y
1
1 ;
1
1
'
0
'
+ = + =


5.4. Metodica de rezolvare a amplificatoarelor cu
reacie negativ

n figura 5.15 este prezentat schema de conectare a AR la
generator i la sarcin.

1. Se identific amplificatorul de baz i R.R. stabilindu-se
totodat tipul comparrii, tipul eantionrii i variabilele
independente de R.R.
n cazul n care compararea sau eantionarea se face pe bucl
mrimea independent = curentul, iar dac compararea sau
eantionarea se face n nod mrimea independent = tensiunea.
R
2
1 I
f
2 1
V
0


167
2. Se stabilete factorul de amplificare cu ajutorul cruia se
calculeaz reacia.












Fig. 5.15.


reactie de afectata intrare la de lui generatoru Marimea
R.R. intrarii si orului amplificat iesirii comuna Marimea
A =

Factorul de reacie este definit n paragraful 5.1 astfel

R.R. intrarii si orului amplificat iesirii comuna Marimea
R.R. reactie de retelei a iesire de Marimea
A =









Fig. 5.16.


n figura 5.16 sunt precizate mrimile de la bornele reelei de
reacie. Mai jos sunt definii cei doi factori pentru fiecare topologie
de reacie, prima referire fiind la modul de eantionare.




AR
R
g I
g
V
i
V
g
R
L
I
L I
LL
V
L
R.R. V
R
I
R
I
f
V
f


168
Nod Nod Bucl Bucl

g
L
z
I
V
A = ;
g
L
y
V
I
A =

R
f
L
f
y
V
I
V
I
f = =
R
f
L
f
z
I
V
I
V
f = =

Nod Bucl Bucl Nod

;
g
L
v
V
V
A =
g
L
i
I
I
A =

R
f
L
f
v
V
V
V
V
f = =
R
f
L
f
z
I
V
I
I
f = =

3. Se construiete amplificatorul n bucl deschis de reacie prin
adugarea la amplificatorul de baz a elementelor care rmn din
R.R. dup anularea reaciei.

Anularea reaciei const n
- scurcircuitarea bornelor dac compararea / eantionarea se
face n nod i
- n ntreruperea legturii dac compararea / eantionarea se
face pe bucl.
La intrarea amplificatorului apar elemente ale R.R. care rmn dup
ce
- se scurcircuiteaz intrarea R.R. dac eantionarea este n nod
sau
- se ntrerupe legtura de intrare n R.R. dac eantionarea este
pe bucl.
La ieirea amplificatorului apar elemente ale R.R. care rmn dup
ce
- se scurcircuiteaz ieirea R.R. dac compararea se face n
nod sau
- se ntrerupe legtura de ieire n R.R. dac compararea este
pe bucl.
Se calculeaz factorul de amplificare conform definiiei de la
punctul 2 i se calculeaz dup caz Z
i

sau Y
i

i Z
0

sau Y
0

.
Impedana Z
i

include i impedana generatorului, iar Z
0

include i
sarcina R
L.



169
4. Se separ R.R. i se calculeaz factorul de reacie f
- n condiiile scurcircuitrii ieirii reelei de reacie dac
compararea este n nod sau
- n condiiile lsrii n gol i ieirii dac compararea este pe
bucl.

5. Se calculeaz factorul de amplificare
f a
a
A
+
=
1

Se calculeaz
- impedana de intrare dac compararea este pe bucl

( )
g i i
R Z T Z + = 1

- sau admitana de intrare dac compararea este n nod

( )
g i i
i
R Z
T
Z
Y
1 1
1
1
'
+ = =

n funcie de natura eantionrii se calculeaz:

- impedana de ieire dac eantionarea este pe bucl

( )
L
R Z T Z + =
0 0
1

- sau admitana de ieire dac eantionarea este n nod

( )
L
R
T
Z
Y
1
1
1
'
0
0
+ =


5.5. Reacia negativ cu comparare bucl i eantionare
bucl (exemplu)

n figura 5.20 este prezentat schema de principiu a unui
amplificator cu reacie negativ de tipul cu eantionare n bucl i
comparare pe bucl realizat cu un tranzistor bipolar.




170













Fig. 5.20

Constatm c reacia este determinat de rezistorul R
E
care
preia din tensiunea de ieire i o transfer la intrarea tranzistorului.















Fig. 5.21.

Schema echivalent de regim variabil este prezentat n
figura 5.21.

C
C

C
C

V
g
+V
CC
R
B1
R
C
~
R
E
R
L
R
B2
R
g


171
Amplificatorul n bucl deschis de reacie se obine prin
ncrcarea amplificatorului de baz (tranzistorul) cu elemente ale
reelei de reacie dup ndeprtarea acesteia. n schema ABD, din
figura 5.22, se regsete R
E
n baza tranzistorului pentru c am
lsat n gol RR (adic V
r
) i se regsete R
E
la ieirea acestuia
pentru c am lsat ieirea RR n gol (adic V
f
) .












Fig. 5.22.


n figura 5.23 se prezint schema echivalent a ABD.









Fig. 5.23.

i
f
g
y
Z
h
V
I
a

= =
0
.
Reeaua de reacie negativ amplificatorului din figura 5.20
este prezentat n figura 5.24.
R
g
R
B
V
g
R
E R
E
R
L
I
g
R
g I
0 R
g
h
i R
B
R
E
I
1
V
g
h
i
I
1

1/h
0
R
L


172

Fig. 5.24.


Fiind determinate

a
y
i f
z
se calculeaz factorul de amplificare
al amplificatorului cu reacie

z y
y
g
y
f a
a
V
I
A
+
= =
1
0


iar cu relaiile de mai sus se deduc impedanele de intrare i
respectiv de ieire.

5.6. Reacia negativ cu eantionare pe bucl i
comparare n nod (exemplu)

Schema unui amplificator cu reacie negativ cu eantionare
pe bucl i comparare n nod trebuie s conin un numr par de
tranzistori bipolari pentru ca reacia s fie negativ.
Condensatorii notai C
C
sunt condensatori de cuplaj ntre
etaje. Reactana acestora are valori mici la n banda de frecven a
amplificatorului, motiv pentru care vor fi eliminai (scurcircuitai)
n schema echivalent i reactana nu va afecta calculele ce
urmeaz.
n schema din figura 5.25 condensatorii C
E
sunt condensatori
de decuplare a rezistoarelor cu care sunt cuplai n paralel, ceea ce
nseamn c au reactana aa nct s fie ndeplinit relaia
.
1
E
R
E
C
<<

n figura 5.25 este prezentat schema de principiu a unui
amplificator cu reacie negativ cu eantionare pe bucl i
comparare n nod realizat cu doi tranzistori bipolari.




173



















Fig. 5.25.

Schema echivalent pentru regim variabil este prezentat n figura
5.26.


















Fig. 5.26.

C
E2
R
E2
R
1
C
C
R
2 R
B1 C
E R
E1
R
b2
V
g
V
0
R
L
C
C
R
C2
R
B2
R
C1
R
b1
C
C
C
C
T
1
T
2
+ V
CC
1
2
V
f
R
2 V
0
1

2

R
1
I
f
R
C1
I
r
R
g I
g
V
g
T
1
T
2
I
0
R
L


174
Tranzitorii din schem se consider identici. Reacia negativ este
asigurat de grupul R
1
, R
2
.
n figura 5.27 este prezentat schema ABD.














Fig. 5.27.

Pentru c eantionarea se face pe bucl, n vederea
determinrii ncrcrii amplificatorului, se las n gol bornele 1-1

,
ceea ce face ca n schema ABD s avem, la intrarea amplificatorului
cele dou rezistoare R
1
, R
2
conectate n serie.
Pentru c compararea se face n nod, n vederea determinrii
ncrcrii amplificatorului, se scurcircuiteaz bornele 2-2

, ceea ce
face ca n schema ABD s avem, n emitorul tranzistorului T
2
cele
dou rezistoare R
1
, R
2
conectate n paralel grup notat cu R
12
.
Factorul de amplificare n curent al ABD se exprim

g L
c
g
i
I
I
R R
R
I
I
a
0 2 0
12

+
= =


( ) L C
C
i h i C
C
i i
R R
R
h R R
R R
R h R
R
h a
f
+

+ +
+

+ +
=
+ 2
2
2 1
2 1
1 12 1
1
2


Factorul de reacie se obine prin scurcircuitarea ieirii reelei
de reacie, pentru c compararea se face n nod, obinnd schema
din figura 5.28.


R
2
R
1
R
C1
R
g I
g
V
g
T
1
T
2 R
L
R
2
R
1
V
0


175











Fig. 5.28.

Factorul de reacie este

0
I
I
f
f
i
=
2 1
2
0
R R
R
I
I
f
f
i
+

= =

Transmisia pe bucl este
i i
f a T = .
Factorul de amplificare n curent al amplificatorului cu reacie este
1
1 f a
a
A
i
i
i
+
= .

Impedana de intrare de calcul este impedana pe care o vede sursa
ideal de la intrare pe schema ABD
( ) ( )
i g
g
g
i
h R R R
I
V
Z
2 1
+ + = =

Impedana de ieire se definete n lipsa semnalului la intrarea
amplificatorului

L
L
R
I
V
Z
g
V
= =
=0
0 '
0


Cu impedana de intrare de calcul Z
i
'
se obine expresia admitanei
de intrare a amplificatorului cu reacie (se calculeaz admitana
pentru c compararea se face n nod)
( )
g i
i
R
T
Z
Y
1
1
1
'
+ =
2
2
1
1
R
L
R
1
I
f
I
r
= I
0


176
Cu impedana de ieire de calcul Z
0
' se obine expresia impedanei
de ieire a amplificatorului cu reacie (se calculeaz impedana
pentru c eantionarea se face pe bucl)

( )
L
R
T
Z
Z
1
1
1
'
0
0
+ =


5.7. Reacia negativ cu eantionare n nod i
comparare pe bucl (exemplu)

n figura 5.29 este prezentat schema de principiu a unui
amplificator cu reacie negativ cu eantionare n nod i comparare
pe bucl.






















Fig. 5.29.

Schema unui amplificator cu reacie negativ cu eantionare
n nod i comparare pe bucl trebuie s conin cel puin doi
tranzistori bipolari pentru ca reacia s fie negativ (vezi paragraful
5.6).
Se fac urmtoarele ipoteze (n vederea simplificrii calculelor):
R
2
R
E
R
B1
V
g
,
R
g
V
L
R
L
C
C
R
C
R
B2
R
C
R
B2
C
C
C
C
T
1
T
2
+ V
CC
R
1
C
E
R
B1
C
E
R
E


177
- condensatorii C
c
sunt condensatori de cuplaj,
- C
E
scurcircuiteaz rezistorul cu care se afl n paralel,
- tranzistorii sunt identici,
- rezistorul echivalent R
B
= R
B1
|| R
B2
nu uteaz
intrarea tranzistorului.















Fig. 5.30.

Schema echivalent a ABD pentru amplificatorului din figura 5.33
este prezentat n figura 5.30.
Se noteaz :

R
B
= R
B1
|| R
B2
;

R
12
= R
1
|| R
2
;

R
L

= ( R
1
+ R
2
) || R
C
|| R
L
.
Impedana de calcul de la intrarea ABD se obine imediat

( ) 1
12
1
'
+ + + = =
f i g
g
i
h R h R
I
V
Z

Factorul de amplificare n bucl deschis de reacie, din relaia
de mai sus, devine
( ) 1
1
12
" 2
+ + +

+

=
f i g i C
C L f
v
h R h R h R
R R h
a

(h
f
+ 1)I
1
R
12
I
1
h
i

h
f
I
2
R
C
V
L
R
L
I
LL
h
f
I
2 h
i
I
2
V
g


178
Impedana de ieire se calculeaz fr semnal la intrare, adic
pentru V
g
= 0 => I
1
= 0 => h
f
I
1
= 0 => h
f
I
2
= 0 ,
ceea ce nseamn c n circuit rmne numai R
L

i

'
0
" '
0
Y R
I
V
Z
L
LL
L
= = .

Pentru determinarea factorului de reacie se utilizeaz reeaua
de reacie separat de amplificator, cu ieirea n gol (pentru c
compararea se face pe bucl). Factorul de reacie este

2 1
1
R R
R
V
V
f
L
f
v
+
= =
Transmisia pe bucl este T = a
v
f
v
.

Factorul de amplificare n tensiune al amplificatorului cu
reacie se determin conform formulei generale

v v
v
L
L
v
f a
a
I
V
A
+
= =
1


Impedanele amplificatorului cu reacie se calculeaz cu
formule corespunztoare topologiei.
Pentru c compararea se face pe bucl se aplic relaia
corespunztoare impedanei de intrare

Z
i
= Z
i

( 1 + T ) - R
g
.

Pentru c eantionarea se face n nod se aplic relaia
corespunztoare admitanei de ieire

Y
o

= Y
o

( 1 + T ) - Y
L
,


5.8. Performanele topologiilor de reacie

Reamintim faptul c discuia se refer la reacia negativ
aplicat amplificatoarelor, ceea ce nseamn c pe baza scderii
factorului de amplificare se obin alte avantaje. Avantaj este o
cretere sau o scdere a unui parametru al amplificatorului care
poate fi un avantaj sau un dezavantaj n funcie de scopul urmrit.


179
Aa nct n tabelul de mai jos se prezint modul n care se modific
impedana de intrare Z
i
i impedana de ieire a amplificatorului
atunci cnd acesta este integrat n topologia din prima coloan.
n coloana 2 este specificat mrimea neafectat de reacie de
la ieirea amplificatorului (mrimea independent de reacie de la
ieirea sistemului), iar n coloana 3 sunt precizate mrimile cu
asupra crora se va aplica metodologia de rezolvare a sistemelor cu
reacie metodologie prezentat n paragraful 5.4.
Dac se folosesc tranzistori bipolari, ultima coloan prezint
numrul de etaje necesar pentru ca reacia s fie negativ.
n prima coloan primul termen al topologiei se refer la
eantionare iar al doilea la comparare.


Topologia 2 3 Z
i
Z
0
Nr. etaje

nod nod


V
0


A
z
, f
y


3 , 1

bucl nod


I
0


A
i
, f
i

2

nod bucl


V
0


A
v
, f
v


2

bucl bucl


I
0


A
y
, f
z

3 , 1

Spre exemplu nod bucl va fi citit cu eantionare n nod i
comparare pe bucl , ceea ce spune c reeaua de reacie va prelua
o parte din curentul de ieire al amplificatorului i va aplica la
intrarea amplificatorului o tensiune ( care se scade din tensiunea
furnizat de generatorul de semnal de la intrarea sistemului).
Constatri:
Dac compararea se face n nod impedana de intrare a
sistemului cu reacie va scdea. Explicaia pleac de la definiia
impedanei de intrare
i
i
i
I
V
Z = ,


180
care are la numitor curentul de intrare, curent care este afectat de
reacie.
Dac compararea se face pe bucl impedana de intrare
va
crete, pentru c reacia va afecta tensiunea de la intrare.
Dac eantionarea se face n nod impedana de ieire a
sistemului cu reacie va scdea. Explicaia pleac de la definiia
impedanei de ieire
0
0
0
I
V
Z = ,
care are la numitor curentul de ieire, curent care este afectat de
reacie.
Dac eantionarea se face pe bucl impedana de ieire
va
crete, pentru c reacia va afecta tensiunea de la intrare.

























181








AMPLIFICATOARE DE PUTERE

Amplificatoarele de putere sunt amplificatoare a cror
schem electronic permite utilizarea ct mai eficient a
dispozitivelor semiconductoare (la limita superioar a
caracteristicilor) pentru a se obine simultan o amplificare
supraunitar pentru tensiune i o amplificare supraunitar n curent,
pentru a obine deci o amplificare n putere a semnalului aplicat la
intrare.
Tranzistori din schem pot funciona n clasa A sau clasa B
Clasa de funcionare ale tranzistorului este definit de
poziia punctului static de funcionare pe caracteristica static a
tranzistorului.
Tranzistorul funcioneaz n clasa A dac punctul static de
funcionare (PSF) este plasat n zona liniar a caracteristicilor, ca n
figura 6.1a, ceea ce determin un unghi de conducie = 2


















a) b)
Fig. 6.1.
6
6



182
Tranzistorul funcioneaz n clasa B dac punctul static de
funcionare (PSF) este plasat n apropierea originii caracteristicilor,
ca n figura 6.1b, ceea ce determin un unghi de conducie = .
n cazul amplificatoarelor de putere la care nu conteaz
forma semnalului se poate folosi clasa C de funcionare a
tranzistorului, caracterizat prin faptul c PSF este situat n zona
negativ a axei semnalului de intrare, ceea ce determin un unghi de
conducie al curentului < .



6.1 Amplificatoare de putere n clas A

Elementele active de circuit (tranzistorul) din cadrul
amplificatoarelor de putere n clas A au PSF n zona liniar a
caracteristicilor statice la limita hiperbolei de disipaie, ca n figura
6.2b, pentru a solicita de la elementul de circuit puterea maxim pe
care acesta este capabil s o furnizeze sarcinii [ 8, 35, 36].

















Transferul energiei ctre sarcin se face prin intermediul unui
transformator de adaptare i separaie a componentei de curent
continuu, ca n figura 6.2a. Tranzistorul lucreaz ca i cum n
colector se gsete un rezistor (rezistena reflectat din secundar n
primar) , a crui valoare se stabilete

a) b)
Fig. 6.2.


183
L LC
R
N
N
R
2
2
1
|
|

\
|
= ,

n funcie de rezistena R
L
a sarcinii din secundarul
transformatorului i de raportul numrului de spire din primar N
1
i
secundar N
2
.
Amplitudinea semnalului variabil V
C
din colectorul
tranzistorului trebuie s nu determine intrarea punctului de
funcionare n zonele neliniare ale caracteristicilor statice. Se
limiteaz amplitudinea la valori apropiate de valoarea tensiunii de
c.c. de alimentare a etajului de putere

99 . 0 ,......, 91 . 0 , = = k V k V
CC C
,

unde k este coeficientul de utilizare a sursei de curent continuu V
CC
.
Amplitudinea curentului

LC
C
C
R
kV
I = ,

permite exprimarea puterii active pe tranzistor


LC
CC C C C C
R
V k I V I V
P
2 2 2 2
2 2
0
= = = .

Puterea absorbit de la sursa ce curent continuu are expresia

LC
CC
LC
CC
CC C C CC
R
V
R
V
V I V P
2
0 0
= = = .

Prin raportarea celor dou puteri ( a puterii utile de c.a. i a puterii
absorbite de la sursa de c.c.) se stabilete expresia randamentului
etajului de amplificare n clas A

% 50
2
1
2
2
0
= < = =
k
P
P
CC
.

Se constat c randamentul maxim al unui etaj de putere
funcionnd n clas A nu depete 50%.



184
6.2 Amplificatoare de putere n clas B

Spunem c un amplificator este n clas B dac tranzistorii
din componena etajului final lucreaz n clas B.
Punctul static de amplificare al tranzistorului (PSF) se stabilete
n apropierea originii caracteristicilor statice, ca n figura 6.3,a.
Constatm c tranzistorul va amplifica numai alternana pozitiv
a curentului i
B
, pentru c alternana negativ deplaseaz punctul de
funcionare n zona de blocare unde curentul de ieire i
C
este
independent de curentul i
B
i are valori foarte mici (apropiate de
zero).


n figura 6.3,a este prezentat caracteristica de transfer a
curenilor unui tranzistor NPN i variaia n timp a curentului
injectat n baza tranzistorului, iar n figura 6.3,b este prezentat
forma de variaie a curentului de colector. Se constat c la ieirea
etajului se transmit numai variaiile din domeniul pozitiv al
curentului i
B
.
n figura 6.4 este prezentat schema unui etaj de amplificare
de putere n clas B de funcionare n care cuplajul cu sarcina este
realizat prin transformatorul TR
2
iar cuplajul cu sursa de semnal
este realizat de transformatorul TR
1
. Rezistenele R
B1
i R
B2

a) b)
Fig. 6.3.



185
mpreun cu R
E
polarizeaz ambii tranzistori la cureni de colector
de valori foarte mici aa nct punctul static de funcionare se
gsete n zona pozitiv a caracteristicilor, n apropierea originii
axelor. Rezistena R
E
se adopt de valoare foarte mic (mai mic ca
1 ) pentru ca s nu consume din puterea care trebuie transferat
sarcinii.
Transformatorul TR
1
, pentru tensiuni de intrare pozitive determin
valori pozitive ale tensiunilor V
1
i V
2
din secundar. Se constat c
alternana pozitiv a tensiunii de intrare determin deplasarea
punctului de funcionare n zona activ a caracteristicilor
tranzistorului T
1
.
Tranzistorul T
2
este blocat pentru c tensiunea (V
2
) se aplic cu
minusul pe baz i tensiunea V
BE1
va fi negativ.
Curentul de colector i
C1
, circulnd prin primarul transformatorului
TR
2
va induce o tensiune electromotoare n secundar (i pe sarcin)
pozitiv.
n alternana negativ a tensiunii de intrare, polaritatea tensiunilor
V
1
i V
2
din secundarul transformatorului TR
1
va fi negativ. n
aceste condiii tranzistorul T
1
va fi blocat iar T
2
va amplifica
tensiunea prezent la intrare (V
2
).






















V
i
V
0
N
2
i
C1
N
1
N
1
+V
CC
R
B1
N
1
N
2
N
2
R
B2
T
1
T
2
R
E
R
E
N
1
i
C2
R
L
TR
2
V
1
V
2
Fig. 6.4.


186
Am constatat c fiecare tranzistor amplific o alternan a tensiunii
de intrare, ceea ce nseamn c la ieire se poate obine prin
analogie cu amplificatorul n clas A o putere de dou ori mai
mare dect puterea maxim disipat pe fiecare tranzistor. Aceast
afirmaie este nejustificat deoarece intervalul de conducie al
fiecrui tranzistor este numai de
- radiani i nu de 2 - cum este cazul amplificatorului funcionnd
n clas A ceea ce nseamn c condiiile de disipare a puterii sunt
mult uurate n cazul montajelor n clas B. Se poate obine o putere
maxim de ieire teoretic de 2,5 ori mai mare dect puterea maxim
a fiecrui tranzistor.
Randamentul conversiei energiei ajunge la 80%.
Pentru ajustifica aceste afirmaii i pentru a stabili relaii de
proiectare a amplificatorului pelecm de la ipoteza c divizorul de
tensiune de alimentare n curent continuu este corect dimensionat
aa nct tensiunea de c.c. V
BE
polarizeaz tranzistorii n apropierea
blocrii. Deblocarea tranzistorului o face tensiunea variabiil v
b
din
secundarul transformatorului de intrare

v
BE1
= V
BE
+ v
b,
v
BE2
= V
BE
- v
b.

Cele dou tensiuni, prin intermediul caracteristicii de transfer a
tranzistorului, determin curenii de colector

i
C1
= y v
BE1,
i
C2
= y v
BE2,

care prin transformatorul de ieire determin curentul prin
rezistena de sarcin
( )
2 1
2
1
C C L
i i
N
N
i = .

ntre tensiunea din secundar i cea din primar exist relaia

( ),
2 1
2
2
1
2
1
1 0
2
1
1 C C L L L
i i R
N
N
i R
N
N
V V
N
N
V
|
|

\
|
= = = ,

unde termenul care din faa diferenei curenilor este rezistena
reflectat din secundar n primar


187
L LC
R
N
N
R
2
2
1
|
|

\
|
= .

Amplitudinea tensiunii variabile din colectorul tranzistorului
poate fi adoptat un pic mai mic ca tensiunea de alimentare

,
LC
CC
LC
c
c CC c
R
V
k
R
V
I kV V = = =

unde k este un factor subunitar.
Deoarece n PSF curentul de colector este aproape zero,
curentul continuu prin tranzistor este dat de valoarea medie a
curentului variabil

( ) ( )
LC
CC c
c CC
R
V
k
I
t d t I I

2 2
sin
1
0
= = =

.

Puterea preluat de la sursa de curent continuu este

.
2
LC
CC
CC CC CC
R
V k
I V P

= =

O parte din puterea preluat este convertit n putere a semnalului
variabil
LC
CC c C
R
V k I V
P
2 2
0
2 2 2
= = ,
iar restul de putere

,
0
P P P
CC D
=

este disipat de tranzistor.
Tranzistorul se adopt aa ca puterea disipat, determinat mai
sus, s nu depeasc valoarea maxim a puterii pe care o poate
disipa tranzistorul adoptat.
Not: Puterea maxim util pe fiecare tranzistor se obine pentru
k= 1



188
LC
CC
R
V
P
2
2
max 0
= ,

cu care, prin nlocuire aflm expresia puterii disipate pe
tranzistor

max 0 2 2 max 0 max
2
max 0
4 , 0
4 8 4
P P P k
k
P P
D D
= |

\
|
= |

\
|
=

,

valoare maxim care se obine la .
2

= k

Relaia de mai sus poate fi exprimat

, 5 , 2 .
4 , 0
1
max max max 0 D D
P P P = =

cu ajutorul creia aflm puterea maxim ce se poate obine cu
doi tranzistori (n clas B) i anume

max, max max 0
5 ) 5 , 2 ( 2
D D
P P P = = .

De fapt se poate multiplica puterea maxim disipat a unui
tranzistor cu un coeficient de (2,...,5) pentru a determina puterea
maxim de pe sarcin.

Randamentul conversiei energiei se calculeaz clasic


189

%. 5 , 78
4
0
= = = k
P
P
CC

Amplificatoare de putere n clas B fr transformator de
ieire

Transformatorul electric este o pies de gabarit mare, gabarit
dependent de puterea vehiculat, de materialele i de tehnologia
utilizat, motiv pentru care i preul de cost este mare [10, 12 ].
Cuplajul sarcinii, dac se accept pierderi mai mari la
transfer, se poate face prin condensator, ca n figura 6.5.
Se constat c repartizarea celor dou alternane ale tensiunii de
intrare pe cei doi tranzistori se face tot prin intermediul unui
transformator numit de defazare. Fiind conectat la intrare puterea
transformatorului este mic i deci costul i gabaritul sunt mici.
Schema din figura 6.5 prezint un singur inconvenient i anume
faptul c pentru alimentarea tranzistorilor finali este necesar o
surs de curent continuu dual. Nu mai constituie un inconvenientul
n condiiile aparatelor alimentate de la baterii, o surs dual
realizndu-se uor, prin div8zarea cu doi a numrului bateriilor.



















+
+
-
-
1/2 VCC
1/2 VCC
RL
CC RE
R
E
T1
T2
RB2
RB1
+ VCC
+
-
+
-
+
-
Vi N1
Fig, 6.5.


190

















Transformatorul de defazare poate fi eliminat, fr alte
complicaii, dac etajul de putere este realizat cu doi tranzistori
complementari, ca n figura 6.6. Tranzistorul T
1
amplific
alternana pozitiv a tensiunii de intrare V
i
iar tranzistorul T
2

amplific alternana negativ.
Deoarece tranzistorii sunt complementari, curentul prin sarcin are
sensuri diferite n funcie de tranzistorul polarizat n conducie.
Sensurile diferite ale curentului determin polariti diferite ale
tensiunii pe sarcin, determin deci aceeai form de und a
tensiunii de ieire v
0
cu form de und a tensiunii aplicate la intrarea
montajului.















(A)
+
+
-
-
1/2 VCC
1/2 VCC
RL
Vi
CC
CC
T
1
T
2
Fig, 6.6.


191












AMPLIFICATOARE INTEGRATE


7.1. Amplificatoare difereniale

Amplificatoarele difereniale elementare sunt caracterizate
prin faptul c dispun de dou intrri i dou ieiri toate fiind
raportate la punctul de potenial zero (numit mas sau ground), ca
n figura 7.1.













De fapt structura din figura 7.1 este format din dou amplificatoare
separate, fiecare fiind caracterizat printr-un factor de amplificare.
Pentru ca amplificatorul global s devin diferenial se impune s
amplifice diferena a dou mrimi.
Se definesc
- tensiunea diferenial de intrare

;
2 1 i i idif
V V V =

Fig. 7.1.







V
01

V
02
+
AD
-

V
i1

V
i2
7
7



192
- tensiunea de intrare de mod diferenial
-
;
2
2 1 i i
id
V V
V

=

- tensiunea de intrare de mod comun

;
2
2 1 i i
ic
V V
V
+
=

- tensiunea de ieire diferenial

;
02 01 0
V V V
dif
=

- tensiunea de ieire de mod diferenial

;
2
02 01
0
V V
V
d

=

- tensiunea de ieire de mod comun

.
2
02 01
0
V V
V
c
+
=

Se constat c tensiunile de la borne pot fi exprimate n funcie de
mrimile mai sus definite

;
1 id ic i
V V V + = ;
2 id ic i
V V V =

;
0 0 01 d c
V V V + = ;
0 0 02 d c
V V V =

Corespunztor se definesc factorii de amplificare

- factorul de amplificare de mod diferenial (MD)

; 0 ,
0
= =
ic
id
d
dd
V pentru
V
V
A ;
2 1 i i
V V =

- factorul de amplificare de mod comun (MC)

; 0 ,
0
= =
id
ic
c
cc
V pentru
V
V
A ;
2 1 i i
V V =


193
- factorul de amplificare de transfer de la modul comun la
modul diferenial

; 0 ,
0
= =
id
ic
d
dc
V pentru
V
V
A

- factorul de amplificare de transfer de la modul diferenial la
modul comun
-
. 0 ,
0
= =
ic
id
c
cd
V pentru
V
V
A

Cu ajutorul factorilor de amplificare se pot exprima tensiunile

. 0
0
,
id cd ic cc c
ic dc id dd d
V A V A V
V A V A V
+ =
+ =


Dac nu exist transfer de la MC la MD sau invers, tensiunile
de ieire se exprim

.
,
0
0
ic cc c
id dd d
V A V
V A V
=
=


n cazul amplificatoarelor difereniale semnalul de intrare util
este semnalul diferenial, iar semnalul util de la ieire este semnalul
de ieire diferenial. Ne intereseaz ca semnalul de mod comun de
la intrare s nu modifice ieirea, motiv pentru care se definete
factorul de rejecie a modului comun

,
dc
dd
A
A
RMC =

care intervine n expresia tensiunii de ieire de mod diferenial

|

\
|
+ = + =
ic id dd ic dc id dd d
V
RMC
V A V A V A V
1
0
.

Din expresia tensiunii de ieire de mod diferenial
id
V se constat c,
pentru ca
ic
V s nu afecteze ieirea, se impune ca RMC s aib
valori ct mai mari.
La una din intrri se aplic rezultatul sumrii semnalului
variabil e i a semnalului de mod comun V
MC
, iar la cealalt se


194
aplic numai semnalul de mod comun, ca n figura 7.2. Se poate
exprima tensiunea de ieire V
0
n funcie de semnalul diferenial V
d
.


























De notat c perturbrile generale (de ex. cele datorate frecventei
tensiunii de 50Hz) afecteaz n principal semnalul de mod comun
V
MC
- pentru ca afecteaz la fel semnalul furnizat de toate
traductoarele.
Schema desfurat a unui amplificator diferenial este prezentat n
figura 7.3.
Factorii de amplificare, pentru amplificatoarele A
u
se noteaz








d d 0
util R i I d
MC R
MC MC util I
V A V
V V V V V
V 0 V
V e V V V
=
= = = =>
=>
)
`

+ =
+ = + =

V
0

e + V
MC

~ ~
Z
1



Z
2

A V
0
V
MC
e




V
MC
Z
1




V
id


Z
2

Z
i

A
Zi
Fig. 7.2.
0 V
1
0d
1
0 V
2
0d
2
2
1
V
V
A
V
V
A
=
=
=
=



195
Tensiunea de ieire diferenial este suma tensiunilor
furnizate de cele dou amplificatoare

1 1 2 2 0d
V A V A V = .

















Se noteaz tensiunea de intrare diferenial i respectiv
tensiunea de mod comun

2
V V
V
V V V
1 2
D
MC
1 2
D
id
+
=
=


Tensiunea de ieire, cu aceste notaii, este rezultatul
contribuiei celor dou tensiuni V
id
i V
MC

0 V
id
0d
d MC MC id d 0d
MC
V
V
A cu V A V A V
=
= + = ,

A
d
fiind amplificarea diferenial.

Prin identificare se stabilesc relaiile dintre A
d
factorul de
amplificare diferenial respectiv A
MC
factorul de amplificare a
tensiunii de mod comun i factorii de amplificare (A
1
, A
2
) a celor
dou ci de prelucrare a semnalelor

Fig. 7.3.


V
2

A
2





A
1
+ +
- -

V
0d
V
1


196
1 2 MC
1 2
d
A A A ;
2
A A
A =
+
= ,

Se constat c, dac cele doua amplificatoare sunt identice
(A
2
=A
1
=A) ,avem

A
d
=A i A
MC
=0 =>

V
0d
=A
d
V
id
+0

Tensiunea V
0d
poate fi scris

)
R
V
(V A ) V
A
A
(V A V
MC
MC
id d MC
d
MC
id d 0d
+ = + = ,

n funcie de factorul de rejecie a tensiunii de mod comun


MC
d
D
A
A
RMC= .

Dac RMC = mare => tensiunea de ieire este puin influenat de
tensiunea de mod comun V
MC
, chiar dac cele dou amplificatoare
din figura 7.3 nu sunt identice.


Exemplul 1. Una din intrri este conectat la mas (V
1
= 0 ) iar la
cealalt intrare se aplic att semnalul util V
i
ct i perturbaia V
P
,

V
2
= V
i
+ V
P
.
Avem

)
2
(
2
0
RMC
V V
V V A V
V V
V
V V V
P i
P i d d
P i
MC
P i id
+
+ + =
+
=
+ =


Se constat c la ieire se obine un semnal proporional cu
perturbaia (sunt amplificate potenialele care apar ca semnal
diferenial).



197
Exemplul 2. La una din intrri se aplic numai semnalul
perturbator V
1
= V
P
, iar la cealalt intrare se aplic att
semnalul util V
i
ct i perturbaia V
P
, V
2
= V
i
+ V
P
.
Avem

2
V
V
2
V V V
V
V V V V V
i
P
P P i
mc
i P P i id
+ =
+ +
=
= + =


de unde tensiunea diferenial este

i d d
id
V A V
V
=

+
+ =
0
d
MC
i
P
d 0d
A )
R
2
V
V
(Vid A V
.

Se constat c la ieire tensiunea este n funcie numai de
semnalul util. Tensiunea de mod comun determin un semnal de
eroare

)
RMC
V
( A V
P
d 0d
=

mic dac factorul de rejecie RMC este de valoare mare.
n cazul amplificatoarelor reale trebuie s se ia n
consideraie att impedana de intrare Z
i
a fiecrei intrri fa de
masa de semnal, ct i impedana firelor de legtur Z
2
pn la
borna neinversoare i Z
1
pn la borna inversoare, ca n figura 7.4.
Tensiunile pe care le furnizeaz cele dou traductoare sunt notate
V
i2
(semnal util + perturbaie) i V
i1
(numai perturbaie).
La intrrile amplificatorului se aplic tensiunile


.
), (
1
1
2
2
P
i
i
P
i
i
V
Z Z
Z
V
V e
Z Z
Z
V
+
=
+
+
=








198




















Tensiunea diferenial i tensiunea de mod comun

e
Z Z
Z
2
1
Z Z
Z
Z Z
Z
V
2
V V
V
Z Z
Z
Z Z
Z
V e
Z Z
Z
V V V
2 i
i
1 i
i
2 i
i
P
1 2
MC
2 i
i
2 i
i
P
2 i
i
1 2 id

+
+
|
|

\
|
+
+
+
=
+
=
|
|

\
|
+

+
+
+
= =
,

determin tensiunea de ieire

+
|
|

\
|
+

+
+
+
=
|
|

\
|
+ =
MC
MC
1
i
2 1
i
P d
2 i
i
d
MC
MC
id d 0d
R
V
Z Z
Z
Z Z
Z
V A e
Z Z
Z
A
R
V
V A V

Se constat influena impedanelor de conectare.
Impedanele de conectare scad tensiunea diferenial de intrare V
id
,
pentru ca s nu influeneze se impune ca Z
i
s aib valori ct mai
mari, ceea ce conduce la


e
Z
Z
1
1
e e
Z Z
Z
2
i
2 i
i

+
=
+
.
Z
2

+

V
2
Z
i



V
i2
=e+V
P

Z
1
- V
0d


V
i1
=V
P
V
1
Z
i

Fig. 7.4.


199
n exprimarea tensiuni de ieire apare un termen suplimentar care
poate fi anulat prin echilibrarea impedanelor de conectare, n
sensul egalrii acestora Z
1
=Z
2
=Z
C
,

0 V
Z Z
Z
Z Z
Z
A
P
1 i
i
2 i
i
d
=
|
|

\
|
+

+
.

S-a considerat c amplificatoarele sunt identice, cel puin din
punctul de vedere al impedanelor de intrare, avnd aceleai
impedane

Z
i+
= Z
i-
= Z
i
.

Not. Diferena impedanelor Z
1
Z
2
determin apariia unei pri a
tensiunii de mod comun la intrarea diferenial (care va fi
amplificat) denaturnd semnalul util, cules de la ieirea
amplificatorului.

Etajul de amplificare de la intrarea amplificatorului diferenial
consum curent de la sursa de semnal, numit curent de polarizare.
Daca cei doi cureni de la intrarea neinversoare ( + ) i de la
intrarea inversoare ( ) sunt diferii. Aceasta diferen se numete
curent de decalaj.
Cnd tensiunile de intrare sunt nule la ieire se obine o
nenul numit tensiune de decalaj.
Se numete tensiune de ofset tensiunea care aplicat la intrare
anuleaz tensiunea de la ieire (tensiunea de decalaj).
Traductoarele furnizeaz la intrarea preamplificatorului un
semnal de curent continuu (curent lent variabil n timp i afectat de
perturbaii) i un semnal util. Dac semnalul datorat potenialului
de electrod este prea mare amplificatorul intr n saturaie i nu mai
amplifica semnalul util, n sensul c tensiunea de ieire este mare
(are valoarea de saturaie) i nu se modific la modificarea
semnalului aplicat la intrare.

Preamplificatorul poate conine un circuit (la intrare), ca n
figura 7.5, care s deplaseze tensiunea continu de la ieire aa
nct s anuleze diferena dinte potenialele de electrod.







200



















Se definete fereastra dinamic a amplificatorului ca tensiunea
maxim V care poate fi aplicat la intrare peste o valoare de curent
continuu V
CC
. Altfel spus tensiunea de intrare corect este n
domeniul
V
CC
- V,..., V
CC
+ V.
n figura 7.6 este prezentat o modalitate de anulare a
potenialului de electrod, prin aplicarea unei tensiuni continue V
CC

peste tensiunea preluat de unul din electrozi (tensiunea V
2
).













Tensiunea de c.c. la ieire este V
0cc
=
5 4
4
R R
R
+
V
CC
.
R
2
V
1
V
2
R
1
R
1

A
B
-


+
V
od
+V
-V
R
5
V
CC
R
3
R
4
V
2
R
1
R
3
R
4
R
5
V
CC
I
1
V
B
I
2
Fig. 7.5.
Fig. 7.6.


201
Tensiunea (V
2
-V
1
) conine semnalul util i diferena
potenialelor de electrod , diferen ce va fi compensat cu V
CC
.


Dar V
A
=0 => V
A
-V
B
=0 => V
A
=V
B
, de unde

CC
5 4
4
1 2
1
2
0
CC
5 4
4
2 1
1
2
2 1
2
1
2 1
2
0
2 1
1
V
R R
R
) V (V
R
R
V
V
R R
R
R R
R
V
R R
R
V
R R
R
V
R R
R
+
+ =
+ +
+
+
=
+
+
+


n final se obine expresia factorului de amplificare, ca funcie de
rezistorii externi circuitului

CC
5 4
4
0CC
1
2
1 2
0
V
V
R R
R
V
R
R
V V
V
A
+
= =

=


7.2. Amplificatoare operaionale

Amplificatoarele operaionale (AO) sunt amplificatoare de
tensiune, realizate n tehnologia circuitelor integrate prin cuplarea
direct, n cascad, a mai multor amplificatoare elementare.
















Alimentarea circuitului integrat se poate face diferenial, ca n
figura 7.7 cu tensiunile +V i V, sau cu o tensiune pozitiv
conectat ntre borna de alimentare i mas (GND).
+
V
i+
V
-V
V
i2
I
i+
I
i-
+
-
Vi -
Vi1 +
V0
GND
Fig. 7.7.


202
AO sunt caracterizate prin:
- existena a dou intrri , una numit intrare neinversoare V
i+

i cealalt numit intrare inversoare V
i-
- prima ( V
i+
)
determinnd o tensiune V
0
de ieire n faz cu semnalul
aplicat iar cealalt
( V
i-
) determinnd o tensiune V
0
n faz opoziie de faz cu
semnalul aplicat la intrare;
- factor de amplificare diferenial, n tensiune, de valoare
foarte mare (A
V
>
6
10 )
+

=
i i
V
V V
V
A
0
;

- impedan de intrare foarte mare, datorit faptului c curenii
de intrare sunt aproximativi egali i foarte mici
A I I
i i
10
10

+
< ;
- impedan de ieire foarte mic.

Datorit faptului c AO au un factor de amplificare foarte mare n
aplicaiile curente circuitele sunt folosite numai cu o reea de reacie
negativ, ca n figura 7.8.



















Reacia negativ este realizat prin rezistena R
R
.
Datorit faptului c avem cureni foarte mici prin intrrile
amplificatorului n raport cu valorile curenilor furnizai de sursele
Fig. 7.8.
-
Ii
Ii
-
+
Vi -
Vi +
RR
V0
AV
R
R1
R2
V
i
I1
I2


203
de semnal V
i+
, V
i-
putem considera c I
1
se nchide prin R i R
R
iar
I
2
se nchide prin R
1
i R
2
, aa c avem

. ,
2 1
0
2
0
1
R R
V V
I
R R
V V
I
i
R
i
+

=
+

=
+



Deoarece A
V
>> 1

+
= = >> = V V
A
V
V
V
V
A
V
i
i
V
0 1
0 0


potenialele celor dou puncte de referin ale tensiunii difereniale
de intrare V
i
vor fi egale astfel
( )
0 1
V V
R R
R
V V RI V V
i
R
i i

+
= =

,
Dar avem

+
=
+ + i
V
R R
R
V
2 1
2


( )
+
=
+

+ i i
R
i
V
R R
R
V V
R R
R
V
2 1
2
0


i expresia tensiunii de ieire n funcie de tensiunile aplicate la
intrare devine

|
|

\
|
+

+
|

\
|
=
+ i
R
R
i
R
V
R R
R
V
R R
R
R
R
V
2 1
2
0
1 .

De reinut faptul c polaritatea tensiunilor aplicate la cele dou
intrri poate fi oricare.
Principalele topologii ale amplificatoarelor operaionale se
obin prin particularizarea valorii rezistoarelor din schema 7.7.

Amplificatorul operaional inversor

Dac V
i+
= 0 se obine amplificatorul inversor din figura 7.9.
Tensiunea de ieire are expresia

i
R
V
R
R
V =
0
.



204


















Un amplificator de tensiune diferenial, ca n figura 7.4, se
obine prin adoptarea valorilor rezistenelor aa ca s ndeplineasc
relaia

|
|

\
|
=
+
=
+
k
R R
R
R R
R
R
R
2 1
2

2 1
1
,
1
R
k
k
R
R
k
k
R
R

=

iar tensiunea de ieire va avea expresia

( )( )
+
=
i i
V V k V 1 2
0
.

Pentru V
i-
= 0 ( rezistena R este conectat la mas) se obine un
amplificator neinversor, al crui factor de amplificare determin
expresia tensiunii de ieire

+
|
|

\
|
+
|

\
|
=
i
R
V
R R
R
R
R
V
2 1
2
0
1 .

-
+
Vi
RR
V0
AV
R
Fig. 7.9.


205
n condiiile amplificatorului neinversor dac tensiunea de
intrare nu se conecteaz prin divizor de tensiune ci direct, expresia
tensiunii de ieire va fi stabilit de grupul de reacie negativ

+
|

\
|
=
i
R
V
R
R
V 1
0



7.3. Amplificatoare de transimpedan (Norton)

Amplificatorul este de transimpedan (numit i amplificator
Norton) dac tensiunea de ieire este proporional cu diferena
curenilor aplicai la cele dou intrri.
Ca i la amplificatorul operaional una din intrri este inversoare iar
cealalt neinversoare.
Factorul de amplificare se definete, pentru notaiile din figura 7.10,
prin raportul dintre mrimea de intrare i cea de ieire

.
0 0
+

=

=
i i i
Z
I I
V
I
V
A
Curenii de intrare au valori foarte mici, de ordinul A I
i
u 50 ,..., 10 = ,
aa nct diferena celor doi cureni (de la numitorul factorului de
amplificare) este nA I
i
50 .


















-
+
R -
R +
II -
II +
+VCC

V0
Vi +
Vi -
Fig. 7.10.


206
Dac sursa de semnal de la intrare nu este o surs de curent ci
o surs care furnizeaz tensiunile V
i+
, V
i-
, amplificatorul va fi
prevzut, ca n figura 7.10 cu dou rezistene R
+
i R
-
care au rolul
de a converti tensiunea ntr-un curent.
Amplificatorul Norton nu are nevoie, pentru alimentarea
circuitului, dect de o singur surs V
C
de curent continuu cu borna
negativ conectat la mas.
Datorit faptului c AN primete la intrri doi cureni, fiecare
intrare are un tranzistor la care cuplajul bazei cu sursa de semnal se
realizeaz direct (fr vreun condensator). Acest tranzistor trebuie
polarizat n conducie, pentru ca s plaseze punctul de funcionare
n zona liniar a caracteristicilor, ceea ce nseamn c schema AN
trebuie s conin i circuite de polarizare n curent continuu a
intrrilor amplificatorului.
Polarizarea intrrii neinversoare este realizat cu o rezisten R
P

conectat la V
CC
iar polarizarea intrrii inversoare este realizat de
ctre ieirea AN, prin rezistena de reacie negativ.
Deoarece tensiunea la intrarea tranzistorului V V
BE
65 , 0 este mic n
raport cu tensiunea de alimentare a circuitului se poare aproxima

CC
CC
P
I
V
R ,

unde I
CC
este curentul continuu absorbit de baza tranzistorului de
intrare.
















Pentru exemplificare n figura 7.11 este prezentat schema
circuitului de intrare a unui amplificator Norton, din structura


Q
2

V
i2

Q
1



V
i-




V
i+


D
1


GND


Fig. 7.11.


207
circuitului integrat M3900 (circuitul integrat are patru
amplificatoare pe capsul, deci sunt patru circuite de intrare
separate).
Intrarea inversoare se conecteaz la tranzistorul Q
2
iar
intrarea neinversoare mai conine un tranzistor (tranzistorul Q
1
).
Tensiunea V
i2
preluat din colectorul tranzistorului Q
2
este
amplificat i transmis etajului de ieire al amplificatorului.
Dioda D
1
are rolul de a limita valoarea tensiunii aplicate la
intrare.
Bazele tranzistorilor Q
1
i Q
2
vor fi polarizate n curent
continuu.

Amplificator Norton cu intrare pe borna inversoare

n figura 7.12 este prezentat o structur de AN inversoare.




















Spre deosebire de AO amplificatoarele Norton au la ieire o
component de curent continuu, chiar n lipsa vreunui semnal la
intrarea acestuia.
Avem relaiile
,
,
0
R
i
P
CC
CC i
R
V
I
R
V
I I
=
= =

+

RR
Rp
-
+
Ii -
ICC
+VCC
Vi
V
M V
0
(Ii +)
R-
Fig. 7.12.


208
unde V
0
este o tensiune de curent continuu pe care o notm V
0CC
.
Diferena curenilor fiind foarte mic i putem considera egali

CC
P
R
0CC
V
R
R
V = =
R
CC
P
CC
R
V
R
V
0
,

obinnd astfel V
0CC
valoarea tensiunii de la ieire cnd la
intrare nu se aplic semnal.

Curentul la intrarea amplificatorului are expresia

.
0
R
M M i
i
R
V V
R
V V
I

+

Deoarece curentul de intrare este foarte mic i potenialul intrrii
fa de mas este de asemeni mic, expresia curentului permite
determinarea

= =
= +

=
R
R
V
V
A
R
i
0
V
0 0
0 0
R
i
R
M M i
i
R
V
R
V
R
V V
R
V V
I


expresiei factorului de amplificare n tensiune al structurii din
figura 7.12, care reprezint un amplificator inversor.

Amplificator Norton cu intrare pe borna neinversoare
n figura 7.13 este prezentat o structur de amplificator Norton la
care tensiunea furnizat de generatorul de semnal se aplic pe borna
neinversoare.
Potenialul bornei de intrare fa de mas fiind mic V
M
= 0 i
curenii pe cele dou intrri fiind aproximativ egali avem succesiv



209
d
i
i
R R
M
i
r R
V
I
R
V
R
V V
I
+
=

=
+
+
,
0 0

+
= =
+
+
d
i
R
i i
r R
V
R
V
I I
0






















.
d
R
i
0
V
r R
R
V
V
A
+
= =
+


n expresia factorului de amplificare n tensiune intervine r
d

rezistena dinamic a intrrii neinversoare fa de mas.
Integratul are la fiecare intrare o jonciune baz emitor a
tranzistorului de intrare, a crui rezisten dinamic se poate
exprima

,
1
CC e CC
T
d
I q
kT
I
V
r = =
n funcie de tensiunea termic V
T
(care este 26mV la C T
0
25 = ) i
de curentul continuu I
CC
de polarizare a intrrii
(
+ +

=
R
V
R
V V
I
CC BE CC
CC
65 , 0
).
RR
Rp
-
+
ICC
+VCC
Vi
V
0
R+
Ii -
Fig. 7.13.


210
7.4. Amplificatoare de putere

Amplificatoarele de putere integrate nu au n componen
numai elementele de amplificare n putere, coninnd pe lng
elementele de putere i
- etajul de putere,
- etaje preamplificatoare,
- circuite de protecie a etajului de putere,
- circuite pentru corecia caracteristicii de frecven.
- etaje pentru aplicarea unei reacii negative.
Amplificatoarele de putere integrate sunt circuitele integrate
liniare care determin la ieire un semnal de aceeai form cu
semnalul aplicat la intrare dar de putere mult mai mare.
Conform definiiei ieirea de semnal trebuie s aib distorsiuni
ct mai mici ale formei semnalului.
n cadrul domeniului industrial conteaz mai mult randamentul
conversiei energiei de curent continuu (furnizat de sursa de
alimentare) n energie a semnalului este mai puin important
reproducerea formei semnalului motiv pentru care se utilizeaz
termenul de convertor de putere n locul de amplificator de
putere.
Etajele finale ale amplificatoarelor de putere pot fi n clas A,
AB sau clas B.



















4 Reacie


1 V
CC








12 Ieire



10 GND A

9 GND PA
3k


Q
21

Q
22


35


Q
15
Q
23
8
V
iPA
Fig. 7.14.


211
n figura 7.14 este prezentat etajul final i un tranzistor (Q
14
) al
etajului prefinal din componena amplificatorului TBA790K.
Circuitul integrat se alimenteaz la o tensiune de maximum
V
CC
=14V, furniznd o putere a semnalului la ieire de 2,5W pentru o
sarcin la ieirea 12 de R
L
= 4.






















Preamplificatorul are masa GND PA distinct de masa etajului
final, notat GND A.
Etajul final este realizat cu 4 tranzistori i lucreaz n clas AB.
Etajul de intrare, prezentat n figura 7.15, este format din
tranzistorul Q
1
n regim de repetor i etajul diferenial Q
2
, Q
3

Ieirea etajului diferenial este nesimetric, tensiunea de ieire fiind
preluat din colectorul tranzistorului Q
2
.
Rezistena R
L
reprezint rezistena de intrare a etajului
preamplificator, care furnizeaz semnal etajului final.
Sarcina etajului diferenial este o sarcin activ, realizat cu
tranzistorii Q
4
i Q
5
.
n figura 7.16 este separat sarcina activ a etajului diferenial,
pentru c structura celor doi tranzistori constituie un montaj, deseori
folosit, numit oglind de curent.


I+I I+I

8 Q
1


Q
4
Q
5
R
L
2V
i
V
0



9 GND PA
2I


V
i
V
i



Q
2
Q
3

I-I 2 I
Fig. 7.15.


212














Tensiunile aplicate jonciunii baz emitor sunt egale

.
5 4 5 4 B B B BE BE
I I I V V = = =

Deoarece tranzistorii Q
4
i Q
5
sunt identici avem i egalitatea
curenilor de colector, care se pot exprima n funcie de curentul de
baz

B C B C
I I I I I = = =
5 4 4
, .

Curentul I
5
se poate scrie n funcie de ceilali cureni

.
2
) 2 ( 2
5
5 4 5 5
+
=
+ = + = + + =

I
I
I I I I I I I
B
B B B B B C

nlocuind I
B
n expresia curentului I
4
obinem relaia

5 5 4
2
I I I
+
=

,

relaie care exprim proprietatea montajului numit oglind de
curent i anume curentul de comand (I
5
) , aplicat
tranzistorului Q
5
cu baza scurcircuitat la colector este reprodus
de tranzistorul Q
4
comandat.
Revenind la montajul din figura 7.16, oglinda de curent
permite s avem I I I
C
+ =
4
, ceea ce face ca prin sarcin s
circule numai variaia curentului ( I 2 ).
I
4
I
5


I
B4
+I
B5


I
C5

I
B4
I
B5

Q
4
Q
5


Fig. 7.16.


213
Se constat c tensiunea de intrare 2V
i
se repartizeaz n mod
egal pe cei doi tranzistori ai etajului diferenial, numai c
tensiunea bazei tranzistorului Q
2
este sczut i I I I
C
=
2
iar
tensiunea bazei tranzistorului Q
3
este crescut i I I I
C
+ =
3
.
Tensiunea pe sarcin este . 2
0 L
R I V =
Variaia de curent I se obine n colectorul tranzistorului Q
2

prin variaia curentului bazei

2 2 B f
I h I = ,

dar
2 B
I este datorat variaiei curentului bazei tranzistorului
Q
1

) (
1 1 2 2 2 B f f B f
I h h I h I = = .

Curentul
1 B
I se modific datorit variaiei tensiunii de
intrare

=
i
i
B
h
V
I
1 i f m
i
i
f f
V h g
h
V
h h I =

=
2 1 1 2
2
2
.
Factorul de amplificare n tensiune al etajului de intrare este

. 2
2
2
2
2 1
0
L f m
i
L
i
V
R h g
V
R I
V
V
A =

=

Toate notaiile de mai sus se refer la parametrii h de
cuadripol ai tranzistorului n conexiunea emitor comun.

7.5. Amplificatoare cu impedan de intrare foarte
mare

OPA 128 ( nlocuitor al circuitelor AD 515, AD 549) este un
amplificator operaional avnd la intrare cu un amplificator realizat
cu tranzistori cu efect de cmp, a crui schem simplificat este
prezentat n figura 7.17. Curentul de polarizare mic (maximum
300 fA) i confer o mare rezisten de intrare.
Att tensiunea de offset de maximum 500 V ct i deviaia cu
temperatura de maximum 5 V/C
o
sunt foarte mici.
Amplificarea n bucl deschis este de 110 dB, iar rejecia
semnalului de mod comun este de minimum 90 dB.




214






















Conectnd un poteniometru ntre bornele TRIM, cursorul fiind
conectat la V
CC
se ajusteaz tensiunea de variaie cu temperatura a
circuitului la valori foarte mici.
Poate fi utilizat n spectrometre de mas, cromatografe, aparate
pentru msurri electrometrice, aparate pentru msurarea pH-ului i
n orice aplicaie care necesit un circuit de nalt impedan de
intrare ( 10
13
, 1pF pentru intrare diferenial i 10
15
, 2pF pentru
intrarea de mod comun).
n figura 7.18 este prezentat un circuit pentru msurarea pH-
ului.
Se remarc faptul c, datorit tensiunilor foarte mici i a
impedanelor foarte mari, s-a prevzut un inel de gard pentru
traseul de la sursa de semnal la amplificator, la bornele de intrare a
semnalului.
Rezistenele de pe reacia negativ stabilesc factorul de amplificare
n tensiune
20
500
5 . 9
1 =

+ =
k
A
u
.




Fig. 7.17


215

















Poteniometrul de 100 k ajusteaz tensiunea de offset.
n figura 7.19 este prezentat un circuit pentru msurarea
variaiilor sarcinii unui traductor piezoelectric.
Rezistorul R
F
mpreun cu C
F
stabilesc un filtru trece jos a crui
frecven de tiere de 0,16 Hz, nu permite transferul la ieire a
zgomotelor (a cror frecven este ntr-un domeniu cu limita
inferioar mai mare de 1 Hz).
















Tensiunea de ieire a amplificatorului depinde liniar de variaia
sarcinii de pe feele cristalului piezoelectric


Fig. 7.18
Fig. 7.19



216
F
C
Q
e

=
0
.

Pentru a nu crete tipul de rspuns se impune s nu se introduc noi
capaciti n circuit sau chiar s se compenseze capacitile
existente.
Din acest motiv
- firele de conexiune de la traductor la aparat trebuie s fie
scurte;
- se torsadeaz firele pentru a elimina capacitile dintre fire
i pentru ca s nu se induc semnale parazite;
- se utilizeaz fir ecranat, cu ecranul conectat la un potenial
apropiat de potenialul firului central de semnal i se
utilizeaz inele de gard.

Not Inelele de gard sunt trasee de circuit plasate n jurul
pinilor de intrare ai amplificatorului de semnal. Deoarece
capacitatea dintre firul de semnal i inelul de garda depinde de
diferena de potenial dintre cele doua elemente (
u
q
C = ) , inelele de
gard se vor conecta la un potenial apropiat de al semnalului util.

Scderea capacitii totale se face prin micorarea traseului
de la sursa de semnal la amplificator i uneori prin compensarea
capacitii.
Se utilizeaz, ca i n contextul precedent teorema lui Miller
privind valoarea impedanei de intrare a unui amplificator.


7.6. Amplificatoare de instrumentaie

Amplificatoarele de instrumentaie sunt caracterizate prin:
- impedan de intrare foarte mare, de ordinul 10
8
..10
12
;
- impedan de ieire foarte mic Z
out
= 10
-2
,..., 10
-1
;
- tensiune de decalaj a nulului de valoare mic, mai mic de
V
do
=200mV;
- RMC > 100.

n figura 7.20 este prezentat schema clasic a unui amplificator de
instrumentaie, realizat cu trei amplificatoare operaionale.





217















Expresia tensiunii de ieire a amplificatorului de instrumentaie

i
G
2
G
4
3
4
0
V
R
R
R
R
1
R
R
V
|
|

\
|
+ + =

Se constata ca valoarea amplificrii poate fi modificat
prin ajustarea valorii rezistorului R
G
.

AD623 este un amplificator de instrumentaie integrat, a
crui schema simplificat este prezentat n figura 7.21.
Tensiunile de intrare se aplic prin intermediul unui etaj cu
tranzistor PNP, avnd rolul de buffer i de adaptor de nivel.
Borna 5 este borna de referin a semnalelor de intrare, conectat de
regul, la masa amplificatorului.
Rezistorul G stabilete valoarea amplificrii, conform relaiei

C 0
V
G
k
V +

+ = )
100
1 ( .

Rezistorul de 50 k de pe reacia fiecrui amplificator fixeaz
valoarea amplificrii.
Deoarece tranzistorii lucreaz la potenialul masei, circuitul nu a
fost prevzut cu posibilitatea compensrii curentului de alimentare a
intrrilor, dar acesta are valori mici de ordinul a 25 nA.




Fig. 7.20.
V
0

+
-
A
1
R
1
R
G
R
2
R
3
R
4
+

-
A
3
R
4
+
-
A
2
V
2
R
3
V
1


218



















Diodele de pe intrare limiteaz tensiunea la aproximativ 0,3
V.
Precizia de realizare a rezistorilor asigur o precizie a
factorului de amplificare de 0,1%.
Rspunsul amplificatorului este liniar n frecven pn la 10
kHz, pentru amplificri mari (60 dB) i pn la 100 kHz, pentru
amplificri mici (20 dB).
Factorul de rejecie a modului comun RMC are valori mari
( 90 dB) pentru frecvene mai joase de 200 Hz, apoi scade aa
nct la 100 kHz este de 30 dB.
Tensiunile de radiofrecven, induse pe diferite ci, n
amplificatoarele de instrumentaie se manifest ca o tensiune de
offset la ieirea acestuia.
n figura 7.22 sunt prezentate elementele suplimentare care s
previn efectele tensiunilor de radiofrecven. Avnd n vedere
c factorul de rejecie are valori mai mici la frecvene mari i
circuitul integrat nu va atenua singur dect n mic msur
efectele acestor perturbaii se impune a utiliza o serie de
condensatori care s unteze frecvenele mari.
Perechile R
1
/C
1
i R
2
/C
2
formeaz o punte la intrarea
amplificatorului care crete factorul de rejecie pentru frecvene
mari. C
3
face ca orice semnal RF s devin de mod comun i n
consecin s fie atenuat.


Fig. 7.21.


219













Filtrul trece jos astfel format are frecvena de tiere la 400
Hz, aa nct atenuarea frecvenelor pn la 20 MHz este mai
bun de 70 dB.

7.7. Amplificatoare de izolaie

Amplificatorul de izolaie este un amplificator la care nu
exist legtur galvanic ntre pinii de intrare i pinii de ieire ai
semnalului.
ntreruperea legturii galvanice se face prin intermediul aa-numitei
bariere (de izolaie), care trebuie s aib
- o tensiune de strpungere mare;
- pierderi mici n curent continuu;
- pierderi mici n curent alternativ;
- izolaie ntre sursa de alimentare a circuitului i sursa de
semnal.
Izolarea intrrilor de semnal de ieirea circuitului se face prin dou
metode
- prin intermediul optocuploarelor (BB 3652, BB 3650);
- prin intermediul unui transformator de izolare ( BB 3656).

Modelele BB 3650 i BB 3652 sunt amplificatoare izolate
optic. nainte de comercializarea acestora, amplificatoarele de
izolaie disponibile erau sub form modular sau instalaii pe raft i
foloseau tehnici de modulare i demodulare. n comparaie cu
primele amplificatoare de izolaie, modelele 3650 i 3652 au
avantajul unor dimensiuni mici, costuri reduse, band mai mare i
fiabilitate ridicat.
ntruct utilizeaz o tehnic de modulaie analogic, se evit
problemele de interferen electromagnetic att transmis ct i

Fig. 7.22.


220
primit, care se ntlnesc la majoritatea amplificatoarelor de izolaie
modular.
Ecuaia ce definete rejecia pe mod izolat (RMI) este

RMI
V
RMC
V
V
R R R
V
ISO CM
IN G G
OUT
+ |

\
|
+
+ +
=
0
2 1
6
10
.

Rejecia pe mod izolat nu este infinit deoarece exist
anumite pierderi de-a lungul barierei de izolaie datorit
rezistenelor i condensatorilor de izolaie.
Neliniaritatea este specificat ca fiind abaterea valorii de vrf de la
o linie dreapt exprimat ca un procent din semnalul de ieire vrf-
vrf.
nainte de introducerea familiei 3650, izolaia optic nu a fost
folosit n circuitele liniare.
Modelele 3650 i 3652 folosesc o tehnologie unic pentru a
depi inconvenientele izolatorului cu un singur led i o fotodioda.
n figura 7.23 este prezentat schema simplificat a BB 3650.














Sunt folosite dou fotodiode identice: una la intrare (CR
3
) i
cealalt (CR
2
) la etajul de ieire; pentru a reduce considerabil
neliniaritile i instabilitile timp-temperatur.
Funcia de transfer este independent de orice degradare a
semnalului de ieire a LED-ului att timp ct valorile celor dou
fotodiode sunt aproape identice.
Liniaritatea este acum o funcie a preciziei de msurare i
este mbuntit prin folosirea reaciei negative n etajul de intrare.
Ieirea este o surs de tensiune dependent de curent, a crei
valoare depinde de curentul de intrare. Astfel, 3650 este un
amplificator cu conductan mutual /de transfer, cu un ctig de
Fig. 7.23.



221
( A V u 1 / 1 ) un volt pe un microamper. Cnd sursele de tensiune sunt
folosite, curentul de intrare este obinut prin folosirea rezistenelor
de reglare a amplificrii cuplate n serie cu sursa de tensiune. R
IN

este impedana de intrare diferenial.
Impedanele pe mod comun i pe mod izolat sunt foarte mari
i se presupune c sunt infinite pentru acest model.

Modelul BB 3656 este un amplificator de izolaie cu bariera de
izolaie realizat prin intermediul unui transformator.
Schema bloc a circuitului este prezentat n figura 7.24.
Semnalul de intrare V
IN
se aplic la intrarea neinversoare a
amplificatorului A
1
, iar la intrarea inversoare se aplic un semnal de
reacie. Ieirea amplificatorului este convertit n semnal variabil n
timp de ctre un modulator, care injecteaz n circuitul magnetic al
transformatorului un flux variabil, cu bobina W
2
.



















Fluxul variabil induce o tensiune electromotoare n
inductivitatea W
7
. Semnalul este demodulat i este aplicat
amplificatorului de ieire A
2
.
Acelai flux variabil induce o tensiune de reacie n spirele
bobinei W
6
. Semnalul este demodulat i este aplicat pe borna
inversoare a amplificatorului A
1
.
Alimentarea este realizat cu un generator de oscilaii
dreptunghiulare de la o baterie. Generatorul injecteaz n circuitul
magnetic fluxul variabil, prin bobina W
1
.
Fig. 7.24.


222
n spirele bobinelor W
3
, W
4
, W
5
, se induc tensiuni electromotoare de
frecvena generatorului care sunt redresate cu cte o diod i filtrate
cu un condensator, fiind aplicate drept tensiuni de curent continuu
pe alimentrile circuitelor.
n acest mod s-a separat sursa de c.c. de intrrile i de ieirile de
semnal.







































223

Teste de autoevaluare B (capitolele 4, 5, 6 i 7)

1. Amplificatorul
a) Modifica forma de unda a semnalului
b) crete impedana generatorului
c) furnizeaz la ieire un semnal de forma semnalului de
la intrare cu alte caracteristici electrice
2. Amplificatorul cu TBP n conexiune EC
a) amplific numai n tensiune
b) amplific n tensiune i n curent
c) crete impedana de intrare
3. Amplificatorul cu TBP n conexiune CC
a) amplific n tensiune i n curent
b) are impedan de intrare mic
c) are impedan de intrare mare
4. Amplificatorul cu TBP n conexiune BC
a) amplific n tensiune
b) amplific n curent
c) are impedan de intrare mare
5. Pentru impedan de intrare foarte mic se folosete
conexiunea
a) EC
b) BC
c) CC
6. Montajul Darlington se folosete pentru creterea
a) amplificrii n curent
b) amplificrii n tensiune
c) impedanei de intrare
7. Pentru creterea impedanei de intrare se folosesc doi
tranzistori n conexiunea
a) EC+BC
b) EC+EC
c) BC+EC
d) CC+EC
8. Etajul cascod se compune din doi tranzistori conectai
a) EC+BC
b) SC+BC
c) SC+SC
d) SC+GC
9. Metoda urmririi de potenial are drept scop creterea
a) impedanei de intrare
b) factorului de amplificare


224
10. Reacia negativ crete
a) amplificarea n curent
b) banda de frecven
c) amplificarea n tensiune
11. Reacia negativ cu eantionare n nod i comparare pe bucl
crete
a) impedana de intrare
b) impedana de ieire
c) amplificarea n curent
12. Un tranzistor din amplificatorul n clas B amplific pe
intervalul unghiului electric
a)
b) 2
c) 3
13. Amplificatorul operaional are
a) 2 intrri + 1 ieire
b) 2 intrri + 2 ieire
c) 1 intrri + 1 ieire
14. Factorul de amplificare n tensiune al AO este aproximativ
a) 1
b)
6
10
c)
6
10

15. Amplificatorul Norton este caracterizat prin
a) transimpedan
b) amplificarea n tensiune
c) impedana de ieire



















225
CUPRINS

Modulul B

4. Amplificatoare de semnal mic
4.1. Parametrii amplificatoarelor de semnal mic
4.2. Amplificatorul cu TBP in conexiune EC
4.3. Amplificatorul cu TBP in conexiune CC
4.4. Amplificatorul cu TBP in conexiune BC
4.5. Performanele amplificatoarelor cu TBP
4.6. Etaje cu tranzistori compui
4.7. Structuri pentru creterea impedanei de ieire
4.8. Structuri pentru creterea impedanei de intrare

5. Amplificatoare cu reacie negativ
5.1. Consideraii privind reacia negativ (RN)
5.2. Topologii ale amplificatoarelor cu reacie
5.3. RN cu eantionare n nod i comparare n nod
5.4. Metodica de rezolvare a amplificatoarelor cu RN
5.5. RN cu comparare bucl i eantionare bucl
5.6. RN cu eantionare pe bucl i comparare n nod
5.7. RN cu eantionare n nod i comparare pe bucla
5.8. Performane ale topologiilor de reacie

6. Amplificatoare de putere
6.1. Amplificatoare de putere n clas A
6.2. Amplificatoare de putere n clas B

7. Amplificatoare integrate
7.1. Amplificatoare difereniale
7.2. Amplificatoare operaionale
7.3. Amplificatoare de transimpedan (Norton)
7.4. Amplificatoare de putere
7.5. Amplificatoare cu impedan de intrare foarte mare
7.6. Amplificatoare de instrumentaie
7.7. Amplificatoare de izolaie

Teste de autoevaluare B



113
113
118
124
127
130
131
134
140

147
147
150
156
166
169
172
176
179

181
182
184





191
191
201
205
210


213
216
219

223




226
Soluiile testelor de autoevaluare

Teste B 1. c ; 2. b ; 3. c ; 4. a ; 5. b ; 6. a,c ; 7. a ; 8. a,b,d ; 9. a ; 10. b ; 11.
a; 12. a ; 13. a ; 14. b ; 15. a .


225







STABILIZATOARE LINIARE
DE TENSIUNE CONTINU


8.1 Parametrii stabilizatoarelor

Stabilizatoarele de tensiune continu sunt circuite electronice
care au rolul de a menine constant valoare tensiunii v
0
pe o sarcin
R
L
, n condiiile n care, din diferite cauze se modific valoarea
tensiunii de la intrarea circuitului v
i
, curentul i
0
absorbit de sarcina R
L

sau temperatura T a mediului ambiant.
Se poate considera tensiunea de pe sarcin ca o funcie

v
0
= f(v
i
, i
0
, T)

de mrimile enumerate.
Pentru c tensiunea v
0
este o mrime de curent continuu care se
noteaz cu v
0
, intereseaz cu ct se modific valoarea acestei tensiuni
cnd asupra circuitului acioneaz mrimile mai sus enunate
(denumite perturbaii).
Prin diferenierea relaiei de mai sus se obine valoarea deviaiei
tensiunii de pe sarcin

T
ct I
i
V
T
f I
ct T
i
V
i
f v
ct T I
i
v
f
v
i

=

=
0
, ,
0
,
0
0
0
,

8
8


226
care se modific de la valoarea V
0
la valoarea
0 0
'
0
V V V + = atunci cnd
tensiunea v
i
, a devenit V
i
+ V
i
, curentul a devenit I
0
+ I
0
, iar
temperatura s-a modificat de la T la T +T.
Diferenialele funciei f pondereaz variaiile mrimilor, avnd valori
dependente de topologia circuitului electronic i de valorile
elementelor componente.
Pentru a caracteriza eficiena stabilizatorului, coeficienii de
pondere se noteaz:

T I
V
i
V
T I
i
v
f
u
S
,
0
0
1
,
0

|
|

\
|

= , coeficientul de stabilizare n tensiune;

T
i
V
I
V
T
i
V
i
f
R
,
0
0
,
0
0

= , rezistena intern a stabilizatorului;

0 0
,
0
, I
i
V
T
V
I
i
V
T
f
T
S

= , coeficient de stabilizare cu temperatura.

Parametrii stabilizatorului trebuie privii ca mrimi caracteristice
stabilizatorului care nu permit perturbaiilor s ajung la ieirea
stabilizatorului.
Spre exemplu, dac nu se modific dect temperatura, atunci o valoare
mic a coeficientului de stabilizare S
T
va determina variaia tensiunii
de ieire

T
T
S T
T
S I R
i
V
u
S
V = = =
0 0
1
0

de valoare mic indiferent de variaia T a temperaturii.
Pentru ca V
0
s aib valori mici se impune ca stabilizatorul s fie
caracterizat prin valori ct mai mari ale factorului S
u
i valori ct mai
mici ale factorilor R
0
i S
T
.

227
Uneori, pentru caracterizarea stabilizatorului, se folosete un
factor global de stabilizare

|
|

\
|
+ =
=

=
L
R
R
u
S
ct T
L
R
V
i
V
K
0
1
,
0
,

pentru rezisten de sarcin i temperatur a mediului constante.
Stabilizatorul este un sistem automat de reglare a valorii
tensiunii V
0
atunci cnd asupra sistemului acioneaz perturbaiile
necunoscute (variaiile V
i
, I
0
i T). Sistemul i ndeplinete misiunea
furniznd comenzi ctre un element de reglaj EC.
Dac elementul de comand primete comand i acioneaz asupra
mrimii de ieire la momente discrete de timp spunem c stabilizatorul
lucreaz n comutaie. n cazul cnd primete tot timpul comand este
stabilizator continuu (sau liniar).
Sistemul poate aciona asupra mrimii de ieire numai dac
sesizeaz c aceasta s-a modificat fa de valoarea impus, ceea ce
nseamn c este un sistem de reglare dup abatere, motiv pentru care
se numete stabilizator cu reacie.
Dac nu testeaz valoarea tensiunii de ieire i acioneaz atunci
cnd constat c s-a modificat unul din parametri (de obicei tensiunea
de intrare sau curentul absorbit de la surs) stabilizatorul este n bucl
deschis de reacie (este un sistem automat de reglare dup
perturbaie).
n condiiile n care aciunea de reglare are loc pe seama
caracteristicii statice neliniare a unui element din schema
stabilizatorului spunem c stabilizatorul este parametric.
Elementul de reglaj EC poate modifica valoarea tensiunii care
ajunge pe sarcin fiind plasat n serie cu aceasta, motiv pentru care
spunem c stabilizatorul este cu element de reglaj serie (ERS).
Dac elementul de reglaj modific curentul care circul prin
sarcin, n scopul meninerii constant a tensiunii (V
0
= R
L
I
0
), EC va fi
plasat paralel cu R
L
i stabilizatorul spunem c este cu element de
reglaj paralel (ERP).
Stabilizatorul poate s furnizeze sarcinii o tensiune constant de
valoare fix sau poate ndeplini funcia de stabilizare pentru mai multe
valori de tensiuni de ieire, caz n care stabilizatorul este cu tensiune
reglabil.

228
Uneori se impune ca stabilizatorul s furnizeze la ieire dou tensiuni
egale ca valoare dar de sens opus, spunem c stabilizatorul este dual.
Pe parcursul evoluiei construciei circuitelor de stabilizare s-au
evideniat dou generaii.
Prima generaie este caracterizat prin faptul c permite accesul la
toate blocurile funcionale ale stabilizatorului. De regul este realizat
cu elemente discrete de circuit.
Generaia a doua a stabilizatoarelor evideniaz conceptul de integrare,
avnd ca scop micorarea numrului de componente necesare a fi
interconectate pentru creterea fiabilitii sistemului. Aa au aprut
stabilizatoare cu 3 terminale.

8.2. Topologia stabilizatoarelor liniare

Topologia stabilizatoarelor liniare este stabilit de principiul conform
cruia este meninut constant tensiunea la ieire prin aciunea
schemei asupra unei tensiuni sau asupra unui curent care determin
valoarea tensiunii de ieire.
Dac stabilizatorul acioneaz asupra unei tensiuni elementul de
comand se plaseaz n serie cu sarcina, ca n figura 8.1, aa nct s
modifice valoarea tensiunii V pentru ca

V
0
= V
i
V = const

s rmn constant oricare ar fi variaia tensiunii V
i
- stabilizatorul
este cu element de reglaj (EC) serie .


Fig. 8.1.

Dac stabilizatorul acioneaz asupra unui curent, elementul EC se
plaseaz n paralel cu sarcina, ca n figura 8.1 b, iar stabilizatorul este

229
cu element de reglaj (EC) paralel .
Tensiunea pe sarcin

V
0
= R
L
I
0

depinde de curentul I
0
, care se modific

I
0
= I
i
I

datorit modificrii curentului absorbit de la sursa de alimentare I
i
, iar
acesta la rndul su se modific prin modificarea valorii tensiunii V
i
.
Dac se modific V
i
atunci se modific I
i
i stabilizatorul
comand EC pentru a modifica I aa nct I
i
I = constant.
Se observ c am folosit numai se modific V
i
fr a specifica
nimic despre parametrii I
0
i T. Justificarea este urmtoarea.
Dac se modific T (sau I
0
) tensiunea de ieire se modific de la V
0
la
V
0
+ V
0
. Aceeai modificare V
0
a tensiunii de ieire se poate obine
dac se modific tensiunea de intrare V
i
cu o valoare V
i

corespunztoare.
Conform celor de mai sus rezult c se poate studia funcionarea
schemei numai la modificarea tensiunii de intrare, rezultatele fiind
valabile i pentru modificarea celorlali parametri.

Fig. 8.2.

Stabilizatoarele cu amplificator de eroare, a cror topologie este
prezentat n figura 8.2, acioneaz asupra unei tensiuni sau asupra
unui curent, coninnd elemente suplimentare pentru nchiderea buclei
de reacie.

230
Sistemele cu reacie prelucreaz abaterea dintre tensiunea pe
sarcin (prescris) i valoarea real (msurat) a tensiunii. Valoarea
dorit este furnizat de elementul de referin ER. Numai c acesta
nu d la ieire o tensiune egal cu cea dorit a se gsi pe sarcin ci o
valoare mai mic, motiv pentru care n schem s-a introdus elementul
de eantionare EE care s aduc valoarea sesizat pe sarcin n
domeniul tensiunii furnizate de ER. Aceasta nseamn c se va efectua
comparaia pe valori proporionale = V
ER
kV
0
, este abaterea.
Blocul AE amplificator de eroare, prelucreaz abaterea i
elaboreaz o comand ctre elementul EC n scopul modificrii
tensiunii V
0
aa nct s se anuleze abaterea.
Aceast teorie este valabil pentru sistemele din figura 8.2 n cazul
regimului dinamic.
Dac inem seam de faptul c att amplificatorul AE ct i EC
sunt elemente fizice atunci se impune o mic corecie. Dac = 0
atunci AE nu d nimic la ieire, EC nu primete nimic la intrare (i
cum, de regul, este un tranzistor acesta va fi blocat) i rezult c, n
cel mai bun caz, EC nu consum nimic i avem tensiunea V = 0 (la
schema serie), iar curentul I = 0 (la schema paralel).
n aceste condiii sistemul nu va funciona dect crescnd V i I, ceea
ce nseamn c nu va funciona i la scderea tensiunii V
i
.
Corecia se refer la faptul c se impune o eroare staionar, ceea ce
nseamn c atunci cnd tensiunea de ieire este la valoarea prescris
la intrarea amplificatorului vom avea o tensiune 0 care s asigure
tensiunea V pentru ERS sau curentul I pentru ERP.
Prezena unei valori nenule V pe elementul EC determin
randamentul stabilizatorului

V V
V
I V
I V
i i
+
= =
0
0 0 0

.


De obicei se adopt V = 20%V
0
ceea ce conduce la randamente mai
mici de 80%.
Stabilizatoarele cu componente electronice discrete sunt
stabilizatoare de tensiune continu care nu au n componen nici un
circuit integrat. Principiile de funcionare pe baza crora au fost
realizate schemele cu componente discrete se aplic i n cazul
stabilizatoarelor cu circuite integrate.

231
8.3 Stabilizatorul n bucl deschis cu element de
comand serie

Stabilizatorul are n componen un element de reglaj serie i un
stabilizator parametric cu diod Zener, ca n figura 8.4,a.


Fig. 8.4.

Relaia care asigur stabilizarea pentru circuitul din figura 8.4 a
este
V
0
= V
Z
V
BE
.

Prin difereniere se obine coeficientul de stabilizare cu
temperatura
VBE Z Z
V
I
i
V
T
V
T
S =

=
0
0
0
,

care depinde de parametrii diodei Zener i de variaia cu temperatura
a tensiunii baz emitor ( ) C mV
VBE
0
/ 1 , 2 .
n figura 8.4,b s-a desenat schema echivalent a circuitului
pentru variaii mici ale mrimilor stabilizatorului. Se folosesc aceleai
notaii ca n figura 8.4,a, dar cu alt semnificaie mrimile din figura
8.4,b reprezint variaiile mrimilor de curent continuu din figura
8.4,a.
n scopul determinrii parametrilor stabilizatorului se scriu,
pentru schema echivalent din figura 8.4,b, relaiile ntre cureni i
tensiuni astfel:

232

- pe ochiul de intrare

( )
z
I
z
r I r R
z
I
z
r RI
i
V
z
+ = + = ,
cu I
Z
= I + I
1
,

- pe ochiul de ieire

h
i
I
1
+ V
0
r
Z
I
Z
= 0 ,

( )
1
0
0 0
1 0 1
+
+
+ = = +
f Z
Z i
Z
Z i
h
I
r
r h
r
V
I I I r V I h

relaii care conduc la o expresie coninnd numai variaiile tensiunilor
V
i
i V
0

1
0
0
+
|
|

\
|
+
+
+
+
+
=
f Z
Z
i
Z
Z
h
I
r R
Rr
h
r
r R
V
Z
r
Z
r R
i
V .

De unde se obine

z
r
R
z
r
z
r R
V
i
V
V
i
V
S + =
+
=

= 1
0 0
,

care spune c tranzistorul din schem are rolul de extindere a
domeniilor de cureni ai stabilizatorului parametric format din
rezistorul R i dioda DZ, coeficientul de stabilizare modificndu-se.
Rezistena intern a stabilizatorului se obine pentru tensiune de intrare
constant, adic pentru variaii V
i
ale tensiunii nule

0
0
0
0
=
=
i
V
I
V
R ,

Scurcircuitnd intrarea schemei echivalente din figura 8.4,b se
constat c rezistena intern are expresia:


233
1 1 0 +
+

+
+
=
f
h
i
h
Z
r
f
h
i
h
Z
r R
R ,

din care rezult c introducerea tranzistorului n schema
stabilizatorului parametric scade puternic rezistena intern a
stabilizatorului, astfel constant.

8.4 Stabilizatorul n bucl deschis cu element de reglaj
paralel

Pentru a obine o topologie cu element de reglaj paralel se utilizeaz
stabilizatorul parametric format din R, DZ i un tiristor Q
2
conectat ca
n figura 8.3,a.


Fig. 8.3.

Tensiunea de ieire
V
0
= V
Z
+ V
BE

stabilete expresia coeficientului de variaie cu temperatura

S
T
= V
0Z

Z
+
VBE

Pentru schema echivalent din figura 8.3,b se scriu mai nti expresiile
curenilor

b
i
i
Z
R
V
i
V
i
I
h R
Rh
r
V
I I
i
h R
R
I
0
,
0
,
1

=
+
+
=
+
= ,

234

iar apoi se aplic teorema lui Kirchhoff n nodul de ieire

I
i
= I + h
f
I
i
+ I
0

0
0 0
1 I
h R r
V
h R
R
h
R
V V
i Z i
f
b
i
+
+
|
|

\
|
+
+ =

Factorul de stabilizare va avea expresia

i
h
f
h
B
R
L
R
b
R
V
i
V
S
+
+ + = =
1
1
0
.

Determinarea expresiei rezistenei interne se face schema din figura
8.5,b cu V
i
= 0, obinnd

i
h
f
h
i
h R r
i
h R
R
f
h
b
R R

+
|
|

\
|
+
+ + =
2
1
1
1
0
1
.

Se constat c stabilizatorul cu element de reglaj paralel are
factorul de stabilizare i rezistena intern dependente de factorul de
amplificare al tranzistorului.
Performanele nu sunt mult deosebite de stabilizatorul cu
element de reglaj serie, innd seam c tranzistorul este de putere ceea
ce nseamn c are un factor de amplificare h
f
n curent mic. Totui
este caracterizat prin faptul c tranzistorul se autoprotejeaz n cazul
scurcircuitrii bornelor sarcinii R
L
(tensiunea V
CE
0 ceea ce face ca
tot curentul s se nchid prin bornele scurcircuitate i nu prin
tranzistor), scurtcircuitul conducnd la distrugerea rezistorului R
b
sau
la ntreruperea siguranei fuzibile montate n serie cu R
b
.

8.5 Stabilizatorul n bucl nchis de reacie i element de
reglaj serie

Funcionarea stabilizatorului cu reacie i element de reglaj serie poate
fi explicat prin rearanjarea blocurilor funcionale din figura 8.2,a ca
n figura 8.4.


235
Fig. 8.4.

Elementul de eantionare este realizat de regul cu un divizor de
tensiune rezistiv, n acest caz format din R
1
i R
2
, caracterizat prin
factorul de divizare (sau de reacie)
2 1
R R
Z
R
v
f
+
= .
Deducerea relaiilor de calcul a parametrilor stabilizatorului se
face lund n considerare c reacia modific parametrii stabilizatorului
fr reacie negativ.
Tensiunea de intrare este format dintr-o component de regim
staionar V
I
(tensiunea de c.c. aplicat la intrare nu cnd nu acioneaz
perturbaii) peste care se suprapune o component variabil v
i
datorat
perturbaiilor (care n cazul stabilizatoarelor constau n modificarea
valorilor V
0
, T i V
I
)

V
I
= V
I
+ v
i
.

Variaia v
i
determin modificarea tensiunii de pe sarcin de la valoarea
V
0
la
'
0 0
v V + .
Stabilizatorul fr reacie este format din rezistena de ieire
0
r a
ERS n serie cu sarcina
'
L
R , ceea ce nseamn c avem relaia

i
v
r
L
R
L
R
v
0
0 +

= ,

236
(unde R
L
este constituit din R
L
'' (R
1
+ R
2
) care conduce la un
coeficient de stabilizare fr reacie


L
R
r
v
i
v
s

+ = =
0
1
0


Amplificatorul de eroare AE elaboreaz o comand ctre
elementul de reglare ERS care determin la ieire o variaie v
0
. n
aceste condiii variaia tensiunii de ieire este format din dou
componente
v
0
= v
0
+ v
0
,

prima v
0
fiind datorat sistemului fr reacie, iar a doua datorat
amplificatorului de eroare v
0
(prin intermediul ERS).
Pentru ca variaia tensiunii de ieire s fie ct mai mic se impune ca
v
0
s fie de semn opus i apropiat de v
0
(variaie de tensiune
datorat modificrii intrrii de la V
I
la V
I
+ v
i
). Acesta este principiul
stabilizrii cu reacie.
Pentru a stabili relaiile de calcul lum n considerare tensiunea
aplicat la intrarea amplificatorului de eroare

V

= V
R
f
v
(V
0
+ v
0
) ,

a crui variaie este
= V

= - f
v
v
0
.

Sistemul cu reacie negativ este caracterizat prin factorul se
amplificare n tensiune

0
v
VR
A

= ,

care stabilete expresia tensiunii de corecie

v
0
= A
VR
= A
VR
f
v
v
0
.

Variaia tensiunii de ieire, n condiiile aplicrii reaciei

v
0
= v
0
+ v
0
= v
0
A
VR
f
v
v
0 .


237
Conform teoriei reaciei avem
v
f
v
a T
v
f
v
a
v
a
VR
A =
+
= ,
1
,
care nlocuite n relaia de mai sus conduc la expresia variaiei
tensiunii de ieire a sistemului cu reacie

T
v
v
+

=
1
0
0
,

care evideniaz faptul c reacia a acionat n sensul micorrii de
(1+T) ori a variaiilor tensiunii de la ieire fa de stabilizatorul fr
reacie.
n relaiile de mai sus a
v
este factorul de amplificare n bucl deschis
de reacie a sistemului iar T este transmisia pe bucl.
Coeficientul de stabilizare n prezena reaciei este

( ) T s
T
v
i
v
v
i
v
S + =
+

= = 1
1
0 0
.

Pe de alt parte, innd seam de relaia dintre v
0
i v
i
, factorul de
stabilizare al sistemului cu reacie se poate scrie i sub forma

( ) T
L
R
r
S +
|
|

\
|

+ = 1
0
1 .

Rezistena intern a stabilizatorului
0
0
0
0
=
=
i
v
i
v
R ,
este de fapt rezistena de ieire a amplificatorului cu reacie negativ
de tipul eantionare n nod i comparare pe bucl, care, conform teoriei
reaciei are expresia

( )
L
R
T
L
R R
1
1
1
0
1
+

= .



238
8.6 Stabilizatorul cu tranzistori bipolari n bucl nchis
de reacie

Pe baza schemei de principiu din figura 8.4 poate fi realizat un
stabilizator cu element de reglaj serie, utiliznd tranzistori bipolari, ca
n figura 8.5.
Elementul de reglaj serie este constituit din tranzistorul T
0
, care
acioneaz asupra tensiunii V
CE
pentru a modifica valoarea tensiunii de
ieire
CE
V
I
V V =
0
.



















Fig. 8.5.

Elementul de referin l constituie stabilizatorul parametric cu diod
Zener DZ i R
3
. Alimentarea stabilizatorului parametric se face din
tensiunea stabilizat (V
0
de la ieire) i nu din tensiunea de intrare V
I

care este mai puin stabil, fiind afectat de perturbaiile transmise prin
linia de alimentare.
Eantionarea tensiunii de la ieire este realizat de divizorul de
tensiune format din rezistoarele R
1
i R
2
furnizeaz la ieire tensiunea

V
B
= f
v
V
0
,
V
CE



T
0

I
B0
R
3
R
1

R
4
I
4


V
I


T
1
R
L

V
0

V
BE1
V
B
= f
v
V
0



DZ R
2


239
unde
2 1
2
R R
R
f
V
+
=
este factorul de divizare al tensiunii de ieire (de fapt este factorul de
reacie, cum vom stabili mai jos).
Tranzistorul T
1
mpreun cu rezistena din colector R
4
constituie
amplificatorul de eroare. La intrarea AE, pe baza tranzistorului T
1
, este
prezent tensiunea de eroare

Z B BE
V V V =
1
.
Modificarea tensiunii de ieire determin modificarea tensiunii V
BE1
,
care conform caracteristicilor tranzistorului din figura 8.6 determin
modificarea I
B
i modificarea
, B F C
I I = care modific V
CE
.
Modalitatea de reglare a tensiunii pe sarcin, presupunnd o cretere a
tensiunii V
I
este

const V V V
BE
V V
CE
V
I R V I
C
I
B
I
BE
V creste
B
V V
I
V
CE I
= = + =
=
0
4 4 4 1 1 1 0










Fig. 8.6.

Se constat c avem un sistem de reglare care verific tensiunea de
ieire i n funcie de abaterea acesteia fa de tensiunea de referin
modific valoarea cderii de tensiune V
CE
a tranzistorului T
0
aa nct
s preia variaiile tensiunii de alimentare V
I
.


Coeficientul de stabilizare cu temperatura, se calculeaz cu
relaia din expresia tensiunii de ieire
I
B







V
BE1
I
C


I
B



V
CE

V

240
( )
Z
V
BE
V
R
R
V
Z
V
BE
V
R R
R
V
Z
V
BE
V
B
V
V
R R
R
B
V
+
|
|

\
|
+ =
+ =
+

+ =
+
=
1
1
2
1
0
1
2 1
2
0
1
0
1 2
2
,

care relaie se deriveaz n raport cu temperatura pentru a obine

( )
0
1
2
1
0
Z
V
Z BE
R
R
T
V
T
S +
|
|

\
|
+ =

= .

S-a considerat o variaie cu temperatura a tensiunii de pe dioda Zener

( ) ( ) T
Z Z
V
Z
V + = 1
0


i o tensiunea o scdere cu
BE
= 2mV la fiecare grad Celsius de
cretere a temperaturii a tensiunii V
BE1
.


















T
1
T
0




V
Z

R
1
R
L
V
0

2 1


2 R
2
1
Fig. 8.7.

241
Pentru calculul celorlali parametrii ai stabilizatorului se ine seama de
faptul c se pot obine aceleai variaii ale tensiunii de ieire la
modificarea tensiunii V
I
sau la modificarea altui parametru.
Spre exemplu putem considera constant tensiunea de intrare V
I
i
studiem variaia tensiunii V
0
la modificarea tensiunii V
Z
.
Pe baza acestei observaii se deseneaz n figura 8.7 schema
echivalenta a montajului in regim variabil de semnal mic.
Constatm c schema din figura 8.7 este schema de curent alternativ a
unui amplificator cu reacie negativ, format din amplificatorul T
1
, T
0

i reeaua de reacie 11 22.
Reacia este de tipul cu eantionare n nod i comparare pe bucl.
Separnd reeaua de reacie se obine factorul de reacie


2 1
2
11
22
R R
R
V
V
f
V
+
= = .

Schema amplificatorului n bucl deschis de reacie este
prezentat n figura 8.8.
















Fig. 8.8.

Pe latura cu sursa de curent de indice 1, exist o notaie ( I
2
) ceea ce
conduce la egalitatea

h
f
I
1

I I
2



h
i
h
i0
h
f0
I
2



V
i
I
1

R
1
R
2
R
1
R
L


R
2
V
0

242

1 2
I
f
h I = .

Considerm
L
R R R >> +
2 1
, ceea ce permite s scriem, conform primei
teoreme a lui Kirchhoff

( ).
0 0
2 0 2
I h I R I
L
R V
f L
+ = =
nlocuind I
2
avem


|

\
|
+ =
0
1
0 f
h
f
h
L
R V .

Curentul I
1
se determin pe ochiul de intrare pe baza rezistenei
echivalente

2 1
1
R R
i
h
i
V
I
+
= ,

cu ajutorul cruia se determin expresia tensiunii de ieire poate fi
exprimat

|
|
|

\
|
+

\
|
+ =
2 1 1
1
1
0 0
R R
i
h
i
V
f
h
f
h
L
R V

Factorul de amplificare n bucl deschis de reacie are expresia

\
|
+
+
= = 1
0 1
2 1 1
1
0
f
h
f
h
R R R
i
h
L
R
V
V
V
a
L


Cu ajutorul expresiilor
V V V V
f a T i f a = , se exprim mrimile
stabilizatorului


( )
( )
L
R
T
ies
R R
T
L
R
r
S
1
1
1
0
1
; 1
0
1
+ =
+
|
|

\
|
+ =
,

243

unde R
ies
este rezistena de ieire a amplificatorului n bucl deschis
de reacie .
Rezistena de ieire care se vede privind de la bornele de ieire poate fi
aproximat

R
ies
=R
L
(R
1
+R
2
)

Tranzistorul T
0
reprezint elementul de putere, care lucreaz n general
la cureni mari motiv pentru care amplificarea acestuia va avea valori
mici h
f0
=1.4, pe cnd h
f
al tranzistorului T
1
are valori de ordinul
sutelor.

8.7 Circuite pentru protecia stabilizatoarelor

Circuitele de protecie au rolul de a proteja sarcina i tranzistorul
de putere (elemente de regulator serie) la supratensiuni i supracureni.
Supratensiunile apar prin creterea valori tensiunii de alimentare sau
prin scderea consumului de curent .
Supracurenii apar de regula n cazul scderi valorii sarcinii sau prin
scurcircuitarea bornelor de ieire.
Protecia poate fi realizat pe partea de curent alternativ, cu
ajutorul siguranelor fuzibile sau a unor scheme de protecie (realizate
cu tiristori ) ,care s ntrerup alimentarea cu energie electric a
circuitului redresor-stabilizator. Elementul de baz a unei sigurane
fuzibile este un fir conductor (din cupru) dimensionat aa nct la
valoarea maxim a curentului s se topeasc local, aa nct circuitul
protejat s fie deconectat de la sursa de tensiune
Se prefera protecia cu tiristori datorit timpului de rspuns mai mic
dect al siguranelor fuzibile.

Circuite de protecie cu limitarea curentului

Stabilizatoarele sunt realizate in general cu element de reglaj
serie aa nct circuitele de protecie elaboreaz o comand pentru
blocarea elementului de reglaj serie.
n figura 8.9 este prezentat un circuit de protecie cu limitarea
curentului, format din rezistorul R
SC
i tranzistorul T
P
.

244
Pentru condiii normale de funcionare tranzistorul de protecie T
P

este blocat prin tensiunea de valoare mic din circuitul baz emitor
V I R V
SC BE
5 , 0
max 0
= .














Fig. 8.9.

Dac I
0
ctre valoarea limit notat cu I
SC
cderea de tensiune pe
rezistorul R
SC
va crete, adic va crete tensiunea de polarizare a bazei
tranzistorului T
P
(V
BE
),rezult tensiunea depete valoarea de
deschidere a tranzistorului V
BE
>0,65V.
Tranzistorul T
P
intr n conducie =>curentul de colectare I
C
0 al
tranzistorului T
P
=>scade curentul I
B0
=>V
CE
=> la I
0
= I
SC
=>V
CE
=V
I
,V
0
=0 ,I
0
=I
SC
. Caracteristica extern a montajului este
prezentat n figura 8.10.












Fig. 8.10
V
ies




V
0





I
SC
I
max
I
0


AE
T
P
V
0
I
0
V
SC
R
SC
T
0
V

I
B0
I
C R
L
V
i

245

Relaia de dimensionare a rezistenei de protecie este

0,65=R
SC
.I
SC
.

Caracteristica extern din figura 8.10 nu este avantajoas dac
scurcircuitul de la ieire se menine timp ndelungat, pentru c prin
tranzistorul serie va circula un curent de valoare mare I
0max
,
determinnd nclzirea acestuia.











Fig. 8.11

Circuitul din figura 8.12 realizeaz o caracteristic extern cu
ntoarcere, ca n figura 8.11.















Fig. 8.12
V
ies



V
0





I
P
I
SC
I
0

AE
V
SC


T
0
R
SC
I
0

B

I
B0
I
C


V
I
R
1
V
0


T
P
A R
L


R
2
V
BE

246
n condiiile n care curentul de ieire ajunge la valoarea I
SC
, schema de
protecie determina anularea tensiunii de pe sarcin i scderea
curentului prin sarcina la o valoare I
P
<I
SC
.
Tensiunea de polarizare a bazei este


0
V V V
A BE
= .

Tensiunea n punctul B este


0 0
V I R V
SC B
+ = ,

iar n punctul A este
( )
BE SC A
V V I R
R R
R
V +
+
=
0 0
2 1
2
.
( )
0 0 0
2 1
2
V V I
SC
R
R R
R
BE
V +
+
= .

Relaia tensiunii V
BE
se scrie n cele dou situaii


P
I I V Pentru
SC
I I V
BE
V Pentru
= =
= =
0
0
0
. ) 2
0
65 , 0 . ) 1
,
din care se determin elementele schemei, considernd cunoscui
curenii.

Circuite de protecie cu ntreruperea tensiunii de alimentare

n cele ce urmeaz vor fi prezentate circuite care acioneaz asupra
tensiunii V
I
, n sensul ntreruperii alimentrii stabilizatorului.
Un releu electronic cu rearmare este prezentat n figura 8.13.
La funcionarea normal a circuitului de sarcin (ST) starea
tranzistorilor este
T
1
saturat , T
2
blocat.

Tensiunea de comand a tranzistorului T
2


3 2
3
1 2
R R
R
CE
V
BE
V
+
=
depinde de cderea de tensiune de pe tranzistorul T
1
.


247













Fig. 8.13

Funcionarea schemei decurge dup cum urmeaz.

mic f I i V
CE
V blacheaza se T
B
I deschide se T V
BE
V la
BE
V
CE
V V
I
.
0 1 1 1
0
.
2
65 . 0
2 1
= =
=
Dac scurtcircuitul din stabilizator se ndeprteaz
=>V
I
- crete, => V
CE1
scade,
V
BE1
scade => T
1
saturat, T
2
blocat =>
stabilizatorul este din nou alimentat cu tensiune, ceea ce nseamn
rearmare.

Protecie cu scurcircuitarea tensiunii de intrare a stabilizatorului

n figura 8.16 este prezentat o schem de protecie cu scurcircuitarea
tensiunii de la intrarea stabilizatorului.









Fig. 8.14





ST
V
CE1


T
1




V
I
R
1
V
0

T
2


V
BE2


R
2
R
3


Redresor
i
stabilizator
SF



V
I
T

248
Scurcircuitarea intrrii stabilizatorului determin creterea curentului
prin sigurana fuzibil peste valoarea de ardere ceea ce conduce la
ntreruperea circuitului dintre sursa de alimentare i stabilizator.
Senzorul de curent comand elementul de scurcircuitare, care n cazul
schemei din figura 8.14 este tiristorul T.

Protecie cu variator de tensiune alternativ

n figura 8.15 este prezentat o schem de protecie cu variator de
tensiune alternativ.












Fig. 8.15.

Variatorul de tensiune, format din tiristorii T
1
i T
2
, permite controlul
tensiunii de alimentare a stabilizatorului prin modificarea unghiului de
comand. n condiii de scurcircuit n stabilizator se ntrerup
impulsurile de comand a tiristorilor, separnd stabilizatorul de sursa
de alimentare.

8.8 Stabilizatoare cu circuite integrate

Stabilizatoarele de tensiune continu cu circuite integrate au n
componen un circuit integrat specializat care are rolul de a integra
funciile unui stabilizator liniar (att de stabilizare a tensiunii de pe
sarcin ct i de protecie), n scopul reducerii numrului de
componente electronice ale schemei de stabilizare, ceea ce determin
i o cretere a fiabilitii sistemului.

Redresor
i
stabilizator
T
1



T
2




V
i
V
a

249
Funcia de reglare este realizat prin integrarea unei scheme de
stabilizator, ca n figura 8.16, cu amplificator de eroare i element de
reglaj serie.





La intrarea amplificatorului operaional, caracterizat prin
factorul de amplificare n tensiune A
V
, se aplic tensiunea de referin
V
Z
i o fraciune din tensiunea de ieire. Diferena celor dou tensiuni,
amplificat, comand elementul serie de reglare, constituit din
tranzistorul Q.
Elementul de referin este realizat cu stabilizatorul parametric,
format din dioda Zener i rezistorul R
3
.
n condiiile n care amplificatorul de eroare A
V
nu lucreaz
(schema este fr reacie) , deoarece impedana de intrare a
amplificatorului este foarte mare, rezistoarele R
1
, R
2
vor fi n serie i
tot grupul va fi n paralel cu rezistena de sarcin.
Coeficientul de stabilizare al schemei din figura 8.16, n lipsa
reaciei negative, este
,
1
0
'
'
1
h
R
R
s
L
L
+
=

unde
'
L
R este rezistena echivalent de la ieire ) (
2 1
'
R R R R
L L
+ = iar h
0

este conductana de ieire a tranzistorului.
Fig. 8.16.

250
Reacia negativ, asigurat de rezistenele R
1
i R
2
, modific
coeficientul de stabilizare de la s la
( ) . 1
1
0
'
0
'
0
'
h R
A f
A f
h R
h R
S
L
v v
v v
L
L
+
+
=

Deoarece factorul de reacie are expresia

1 2
2
R R
R
f
v
+
=

coeficientul de stabilizare se poate exprima sub forma

.
0
'
1 2
2
h R
A
R R
R
S
L
v
+
=

Pentru a determina expresia rezistenei interne, notm cu R
A

rezistena de ieire a amplificatorului operaional i nlocuim
tranzistorul cu schema echivalent a acestuia.












Conform schemei echivalente a amplificatorului n bucl deschis de
reacie din figura 8.17, determinm rezistena de ieire de calcul
0
0
0 '
0
=
=
i
V
I
V
R
,

( )
( )
( )
( )
( )
f
A i
f
A i
A i
h
R h
I h
I
R h I
I
R h
R
+
+
=
+
+ =
+
=
1 1
'
0
1
1
1
0
.

Fig. 8.17.
I
1
h
i
I
0


h
f
I
1
V
0
R
f

251
Conform teoriei reaciei negative, rezistena de ieire este

( )
( )
2
2 1
'
0
'
0
'
0
0
1 1 R
R R
A h
R h
A f
R
T
R
T
R
R
v f
A i
v v
+
+
+
= =
+
= .

Se constat c stabilizatorul are parametrii de stabilizare
determinai de factorul de amplificare n tensiune al AO i de calitatea
tranzistorului regulator.
Evoluia stabilizatoarelor liniare integrate a cunoscut dou
generaii succesive. A doua generaie i-a propus s micoreze att
numrul de componente externe integratului dar i numrul
conexiunilor de acces. Integratele din generaia a doua au trei borne de
acces ceea ce permite s utilizeze capsula standard a tranzistorului.
Pe lng stabilizatoarele de uz general se ntlnesc i
stabilizatoare specializate, dintre care curent se utilizeaz
stabilizatoare duale stabilizatoare care furnizeaz dou tensiuni de
ieire, una pozitiv i una negativ. Schema electronic a
stabilizatorului dual are rolul de a menine constant diferena celor
dou tensiuni de ieire.
n continuare vor fi prezentate un stabilizator din prima
generaie (BA723) i un stabilizator din generaia a doua (ROB317).

Stabilizatorul liniar cu BA723

Circuitul integrat BA723 este un stabilizator de uz general de
mic putere, a crei schem intern este a unui stabilizator cu
amplificator de eroare.
Este introdus ntr-o capsul TO116 care determin o rezisten termic
jonciune mediul ambiant R
th j-a
= W C/ 200
0
, pentru o temperatur
maxim a jonciunii C T
j
0
125 = . De fapt productorul impune limitele
de funcionare a capsulei n domeniul C C T
0 0
70 ,...., 0 = .
Puterea maxim disipat la C T
0
25 = este P
Dmax
=500mW.
Circuitul primete tensiunea de alimentare la bornele V
+
i V
-
.
Valoarea maxim a tensiunii aplicate la cele dou borne de alimentare
se impune a fi V
i
= V
+
- V
-
< 40V, iar valoarea minim V
i
> 9,5V.
Pentru ca tranzistorul regulator Q
15
, din schema stabilizatorului
prezentat n figura 8.18, s lucreze n zona liniar a caracteristicilor se
impune ca tensiunea V
CE
s depeasc valoarea de 7,5V

252
(V
i
V
out
>7,5V). Limita superioar a tensiunii care se poate aplica
tranzistoului Q
15
este 40V, ceea ce nseamn c circuitul are limitarea
(V
i
V
out
< 40V).
Exist posibilitatea de alimentare separat a tranzistorului
regulator, la tensiunea V
CC
, care trebuie s se ncadreze n limitele
impuse tensiunii V
i
.




Circuitul are dou ieiri una notat V
out
, ieire care poate furniza
un curent de maximum I
0max
= 150mA, i cealalt notat V
0Z
care poate
furniza un curent de maximum I
0Zmax
= 25mA.
Tensiunea maxim a ieirii este V
out
=2,...,40V.
Amplificatorul de eroare este realizat cu amplificatorul operaional A
V
,
ale crui intrri sunt notate IP i IM (intrarea neinversoare i respectiv
intrarea inversoare) i tranzistorul de comand Q
14
.
Blocul elementului de referin, notat cu ER n figura 8.18, accept
tensiuni la borna REF de maximum V
REF
= 7,15V la un curent
I
REF
= 15mA. Tensiunea furnizat de ER este folosit drept referin
pentru amplificatorul operaional n sensul c o fraciune (sau toat
tensiunea) se aplic intrrii IP a AO.
Fig. 8.18.

253
Pentru a implementa diferite moduri de protecie a sarcinii sau
tranzistorului regulator schema conine un tranzistor Q
16
ale crui
terminale sunt notate CL (baza), CS (emitorul) i COMP (colectorul).
Intrarea COMP, fiind conectat la ieirea amplificatorului de eroare
poate fi folosit pentru blocarea funcionrii sistemului de reglare a
tensiunii de ieire. Prin semnalul aplicat se poate masca comanda
generat de AE pentru tranzistorul regulator.
n figura 8.19 sunt prezentate elementele strict necesare care vor
fi adugate integratului BA723 ca s funcioneze n regim de
stabilizator.
La bornele +V i V se aplic tensiunea de alimentare, care este
+V i respectiv GND (borna de mas = borna de potenial nul).
















Tensiunea de referin a AO se obine din tensiunea furnizat de
blocul de referin cu divizorul de tensiune R
C
i R
D

.
REF
D C
C
R
V
R R
R
V
+
=

Pe intrarea inversoare a AO se aplic o fraciune din tensiunea de la
ieire

.
B A
B
OUT
RR
V OUT
B A
B
RR
R R
R
V
V
f V
R R
R
V
+
= =
+
=

Dar avem
Fig. 8.19.
REF
+V I
0

R
C

IP R
A
V
OUT

A
V

IM
R
D
R
B
R
L


V
R

-V V
RR

254

REF
D C
D
B
A
R
B
A
V
R
R
V V
V
OUT
V
R R
R
R
R
V
R
R
f
V
V
f a
a
V
+
|
|

\
|
+ =
|
|

\
|
+ =
+
= 1 1
1
.

Schema din figura 8.19 este utilizat pentru tensiuni de ieire
V V V
REF OUT
5 , 7 = < . Deoarece amplificatorul operaional are nevoie de
tensiuni de intrare difereniale pozitive se impune ca V
IP
>V
IM
, ceea ce
nseamn c nu poate fi utilizat ntreaga tensiune de referin .
Micorarea tensiunii aplicate la IP se face cu divizorul rezistiv R
C
, R
D
.
Pentru tensiuni de ieire V V V
REF OUT
5 , 7 = > la IP se aplic
ntreaga tensiune de referin, conectnd printr-o rezisten de valoare
B A RF
R R R = borna REF cu borna IP, (pentru ca intrrile la AO s fie
conectate rezistene egale n scopul pstrrii simetriei intrrilor).
Implementarea schemelor de protecie se face prin conectarea
unor elemente rezistive la bornele CL i CS.














Protecia cu limitarea curentului de ieire

Pentru limitarea simpl a curentului de ieire se conecteaz n serie cu
sarcina un unt R
sc
, ca n figura 8.20. Creterea curentului determin
creterea tensiunii de polarizare direct a jonciunii EB a Q
16
. Cnd
tranzistorul intr n conducie

max 0
max 0 0
65 , 0
65 , 0
I
R V I R V I R V
SC SC BE SC BE
= = = =

OUT I
0


CL R
SC

Q
16


CS
R
L


GND

Fig. 8.20.

255
colectorul acestuia unteaz ieirea AO i Q
14
se blocheaz
determinnd anularea tensiunii de la ieirea OUT. Curentul prin sarcin[
se limiteaz la valoarea I
0max
.

Protecia cu ntoarcere curentului

Protecia cu ntoarcere se implementeaz ca n figura 8.21.
















Tranzistorul Q
16
intr n conducie cnd tensiunea baz emitor devine
0,65V
). ( 65 . 0
0 0 0
I R V V
R R
R
V
SC
F E
F
BE

+
= =
Ecuaia este valabil att cnd curentul ajunge la valoarea de protecie
I
0max
(la V
0
)
), ( 65 . 0
max 0 0 0
I R V V
R R
R
V
SC
F E
F
BE

+
= =
ct i la valoarea curentului I
0sc
care se obine cnd intr protecia n
funciune, adic atunci cnd tensiunea se anuleaz (V
0
= 0)
.
65 , 0
) 0 ( 0 65 . 0
0
0
sc
SC sc SC
F E
F
BE
I
R I R
R R
R
V =
+
= =

Reamintim faptul c protecia intr n funciune la curentul absorbit de
sarcin I
0max
i pe lng faptul c anuleaz tensiunea pe sarcin,
micoreaz i curentul prin sarcin de la I
0max
la I
0sc
. n cazul limitrii
I
0




R
SC



I
0



R
L

OUT


R
E


CL

R
F



CS
Q
16
Fig. 8.21.

256
simple (montajul din figura 8.20) curentul prin sarcin rmnea la
valoarea intrrii proteciei I
0max
.

Extinderea domeniului curenilor de ieire

Extinderea domeniului curenilor se face prin conectarea la ieire a
unui tranzistor extern Q
ext
, ca n figura 8.22.


















Se constat c stabilizatorul BA723, n acest caz, comand direct
curentul pe elementul de reglare intern Q
15
care stabilete (prin ieirea
OUT a BA723) curentul de baz al tranzistorului extern Q
ext
.
Rezistena din emitorul tranzistorului Q
ext
stabilete tensiunea de
polarizare a bazei.

Stabilizatorul flotant

Extinderea domeniului de stabilizare a tensiunii se face ca n figura
8.23, figur n care se prezint un stabilizator flotant.
Stabilizatorul este flotant pentru c potenialul de referin al
stabilizatorului, i anume V, nu se gsete la potenialul masei ci la un
potenial egal cu V
0
.


Fig. 8.22.

Q
ext


R
E


R
SC
OUT


R
L
V
CC




OUT




CL

CS

257




















La intrrile amplificatorului operaional avem tensiunile

( ) ( )
0 0
, V V
R R
R
V V V
R R
R
V
REF
C D
D
REF
A B
B
+
+
= +
+
=
+
,

care sunt de valori apropiate. Prin egalarea celor dou tensiuni se
obine expresia tensiunii stabilizate

|
|

\
|
+
|
|

\
|
+ =
A B
B
C
D
C
D
REF
R R
R
R
R
R
R
V V 1
0
.
Rezistena R
E
se calculeaz din condiia ca s asigure curentul de
alimentare al BA723.

Stabilizatorul cu ROB 317

Stabilizatorul ROB 317 este un stabilizator din a doua generaie, avnd
trei borne de acces, notate B, E, C, ca n figura 8.24.


V
CC

R
E





Q
15

V
0Z

Q
ext


V
0



R
L
V
REF



R
A
R
C


+ +V
-
R
B
-V

R
D


V
0
Fig. 8.23.

258






















Toate stabilizatoarele cu trei borne de acces sunt stabilizatoare flotante
ceea ce nseamn c toate tensiunile nu au drept referin masa
sistemului n care a fost integrat ci au drept referin unul din electrozii
proprii i anume electrodul notat cu E.
Amplificatorul de eroare AO primete la intrarea neinversoare o
tensiune de referin, furnizat de dioda Zener DZ cu V
Z
= 1,2V
diod alimentat la curent constant de sursa de curent I
Z
= 50A. La
intrarea inversoare a AO se aplic tensiunea V
REF
care este format din
tensiunea de ieire V
0
a stabilizatorului.
Abaterea
REF
V
Z
V V = este amplificat de AO, determinnd
un curent de comand pentru tranzistorul regulator Q.
Prin intermediul rezistenei R
SC
circuitul intern de protecie
acioneaz pentru limitarea curentului de ieire la valoarea I
0max
= 0,5A,
aa fel ca s nu se depeasc puterea maxim disipat P
dmax
= 2W,
pentru tensiuni de ieire din domeniul V
0
= 1,2V,...,37V.
Cu ajutorul rezistenelor R
A
i R
B
se stabilete valoarea tensiunii
de ieire.
Q


R
SC

C I
0

V
REF

R
A
V
0


R
L


R
B
V
i
E
I
Z


+
DZ AO
-





B

I
Z
Fig. 8.24.

259
Prin R
A
circul curentul ,
A
REF
A
R
V
I = iar prin R
B
curentul
A
REF
Z A Z B
R
V
I I I I + = + = .
Tensiunea de la ieire este

|
|

\
|
+ + = + =
A
REF
Z B REF B B REF
R
V
I R V I R V V
0

. 1
0 Z B
A
B
REF
I R
R
R
V V +
|
|

\
|
+ =
n regim stabilizat al tensiunii de ieire

, 2 , 1 0 V
Z
V
REF
V V = = =

iar curentul este I
Z
= 50A, valori cu care se poate calcula tensiunea de
ieire sau se pot dimensiona rezistenele.
Pentru dimensionarea rezistenelor se folosete
+
+
k
V
R R mA
R R
V
mA I
B A
B A
10
10 10
0 0
0
.

n figura 8.25 este prezentat schema complet a unui stabilizator
cu ROB317.

















D
1




V
i

E ROB317 C
B


V
i
C
1

C
3
D
2

R
A


C
2
V
0

R
B


Fig. 8.25.

260
Rezistenele care stabilesc valoarea tensiunii de ieire s-au notat cu R
A

i R
B
, cu toate c R
B
este un poteniometru prin intermediul cruia se
fixeaz tensiunea de ieire la valoarea dorit (din domeniul
1,2V,...,37V).
Condensatorul C
1
= 0,1,...,10F este nepolarizat i are rolul de a
compensa componenta inductiv a firelor de legtur de la redresor la
stabilizator i a determina un filtru pentru eliminarea componentelor
variabile ale tensiunii V
i
de frecven mare.
Condensatorul C
2
>25F este un condensator pentru filtrarea
ondulaiilor tensiunii de ieire, datorate redresrii sau comenzilor date
de stabilizator.
Condensatorul C
3
>10F mbuntete stabilitatea sistemului
acionnd pentru ntrzierea variaiilor brute ale comenzii.
Diodele D
1
i D
2
introduc o cale de rezisten mic pentru
descrcarea sarcinii de pe condensatoare. Spre exemplu condensatorul
C
3
s-ar descrca prin circuitul diodei Zener (s-ar depi 50 A), pe
cnd aa se va descrca prin redresorul de la intrare pe calea D
2
, D
1
.
Condensatorul C
2
se descarc numai prin D
1
.
Circuitele stabilizatoare din generaia a II-a asigur coeficieni
de stabilizare a tensiunii de ieire, exprimai prin variaia procentual a
tensiunii de pe sarcin, de
K= 0,01% la variaia tensiunii de intrare V
i
;
K= 0,1% la variaia sarcinii R
L
;
K= 0,015% la variaia temperaturii T,
fa de coeficienii de stabilizare ai stabilizatoarelor de uz general, care
au valorile
K= 0,1% la variaia tensiunii de intrare V
i
;
K= 0,03% la variaia sarcinii R
L
;
K= 0,003% la variaia temperaturii T.












261









OSCILATOARE ELECTRONICE

Oscilatoarele armonice genereaz oscilaii cu forme de und
sinusoidal,
) sin( 2 ) ( t V t v =

prin transformarea energiei de curent continuu a sursei de alimentare
n energie de curent alternativ.
Oscilatorul este caracterizat prin :
- frecvena oscilaiei;
- amplitudinea sinusoidei de la ieire;
- condiiile n care se amorseaz i se menin oscilaiile;
- stabilitate n timp a valorii amplitudinii i a frecvenei de
oscilaie;
- prin mrimi care s arate ct de aproape este forma de und
de o sinusoid ideal exprimate prin coeficientul de
distorsiune.

n funcie de frecvena oscilaiei generate, oscilatoarele pot fi de :
- audio frecven, dac frecvena este 120 kHz;
- radio frecven, pentru f < 100 MHz;
- video frecven, pentru f < 1 GHz;
- microunde pentru f > 1 GHz.
Frecvena generat poate fi modificat sau are o valoare fix.

Circuite electronice care s genereze oscilaii pot fi realizate cu
ajutorul unui
- dispozitiv neliniar de circuit a crui caracteristic static
tensiune - curent are o zon de rezisten negativ;
- amplificator cu reacie pozitiv.
9
9


262
Elementele care prezint o zon de rezisten negativ n cadrul
caracteristicii statice i care se utilizeaz la generarea oscilaiilor
armonice sunt dioda tunel , dioda PIN sau dioda GUNN.
Modelul adoptat pentru dispozitivul electronic determin
elementele ce pot fi calculate pentru un oscilator dat. Spre exemplu
dac se utilizeaz un model liniar se pot determina numai frecvena de
oscilaie i condiia de amorsare a oscilaiilor fr a putea stabili
amplitudinea semnalului.
Deoarece oscilaiile se obin pe seama neliniaritii
caracteristicii statice a unui dispozitiv rezult c, pentru a determina
toate elementele care definesc oscilatorul (frecvena de oscilaie,
amplitudinea semnalului de ieire i condiiile de amorsare a
oscilaiilor) se impune a folosi caracteristica static real (exprimat
analitic sau grafic).


9.1. Principii de realizare a oscilatoarelor armonice
cu reacie pozitiv
Schema bloc a unui amplificator cu reacie pozitiv este prezentat n
figura 9.1.












Amplificatorul este caracterizat prin factorul de amplificare
,
A
X X
A
e e
= =

iar reeaua de reacie prin coeficientul de reacie
e f
e
f
X X
X
X
= = .
Fig. 9.1.


X
g
X
e
+
A



X
f




263
Pentru c reacia este pozitiv semnalele de la intrarea amplificatorului
sunt n faz, ceea ce conduce la relaia

.
f g f g
X X X X = + =

Factorul de amplificare al sistemului cu reacie este definit ca raport
ntre mrimea de ieire i mrimea aplicat la intrare

=
e
e
e
f
e
R
X
A
X
X
X
X
A

A
A
A
R

=
1
.

Condiii de oscilaie

Circuitul genereaz oscilaii ntreinute, ceea ce nseamn c nu
are nevoie de un semnal din afar, adic = 0
g
X condiia de oscilaie
care definete relaia lui Barkhausen

1 = A .

Condiia de oscilaie exprim o relaie vectorial (cele dou mrimi
fiind mrimi complexe) care poate fi descompus pe cele dou axe.
Condiia echivalent de oscilaie este
Mrimile complexe pot fi exprimate prin intermediul modulului i a
fazei
( )

A A
j
2 1
jsin cos A e A A
A
+ = = + = jA A

i pot fi nlocuite n relaia condiiei de oscilaie

( )
1 e A 1 e e A
B A B A
j j j
= =
+

=
=
0 ) ( Im
1 ) ( Re
A
A

264
dar avem
j2k
e 1 = , cu ajutorul crei relaii obinem

( )

j2k
j
e e A
B A
=
+
,

iar prin identificarea separat obinem o alt exprimare a condiiei de
oscilaie.
Cea de a doua relaie precizeaz faza mrimii pe care o transfer
reeaua de reacie la intrarea amplificatorului i anume faza trebuie s
fie zero sau 2.


Limitarea amplitudinii semnalului generat de oscilator

La alimentarea oscilatorului factorul de amplificare este mic i
odat cu creterea tensiunii de alimentare crete i factorul amplificare,
aa nct se va ndeplini condiia de oscilaie circuitul ncepnd s
genereze oscilaii . Dac factorul de amplificare crete sau scade nu
vor mai fi ndeplinite condiiile de oscilaie i oscilaiile nceteaz.
Se impune ca factorul de amplificare sa fie limitat la valoarea
care asigura ndeplinirea condiiilor de oscilaie .
Limitarea factorului de amplificare se realizeaz ori cu ajutorul unor
elemente neliniare de circuit care au caracteristica statica prevzut cu
o zona de saturaie sau prin controlul factorului de amplificare cu
ajutorul unei bucle de reglare .
Elementele neliniare de circuit utilizate frecvent sunt :
termistorul , dioda semiconductoare sau dioda Zener.
Schemele cu termistori sunt proiectate s funcioneze la cureni
care s determine nclzirea acestuia. Termistorul prezint o scdere a
rezistenei cu 3-5 % din valoare la fiecare cretere a temperaturii cu
1 C, ceea ce nseamn c tensiunea va scdea ( u=R i ).
Circuitele de limitare a amplitudinii cu diode, ca n figura 9.2, se
bazeaz pe caracteristica static a diodei semiconductoare care este
liniar la valori mici ale curentului.

k 2
1 A
A

= +
=

265
Pentru care depesc cotul caracteristicii tensiunea se limiteaz
(la valori de aproximativ 0,7V, n cazul diodelor avnd ca
semiconductor siliciul).
n cazul cnd valoarea amplitudinii ce trebuie limitat este mai mare se
nlocuiesc diodele semiconductoare din figura 9.2 cu diode Zener,
montate n opoziie. Astfel limitarea are loc la valoarea tensiunii de
stabilizare a diodei Zener.



9.2. Oscilatoare armonice cu reacie pozitiv prin
RC

Oscilatoarele se numesc cu reea RC pentru c reeaua de
reacie pozitiv este realizat numai cu rezistoare i condensatori.
Dintre oscilatoarele astfel definite cele mai utilizate sunt
- cu reea de defazare RC;
- cu reea Wien direct i inversat;
- cu reea n T i n TT.

Oscilatoarele cu reea de defazare RC

Reeaua de reacie a oscilatoarelor de acest tip este format din 6
impedane. Trei impedane sunt rezistoare iar trei sunt condensatori.
Pentru stabilirea condiiei de oscilaie utilizm schema din figura 9.3,
fr a preciza care din impedane este asociat unui condensator i care
unui rezistor.
Considerm c reeaua lucreaz n gol, ceea ce nseamn c la ieire
este conectat o impedan de valoare foarte mare aa nct curentul
D
1

I

D
2


V

Fig. 9.2.

266
absorbit s fie foarte mic ca s poat fi neglijat n calculele ce
urmeaz.
Se noteaz .
2
1
Z
Z
m =

Tensiunea de ieire poate fi scris
2
2 1
2
0
V
Z Z
Z
V
+
= i

1
1 22
22
2
V
Z Z
Z
V
+
= ,
unde s-a notat impedana echivalent vzut de la bornele tensiunii V
2

cu
2 1 2
2 1 2
2 1 2 22
) (
) (
Z Z Z
Z Z Z
Z Z II Z Z
+ +
+
= + = .





Similar avem

i
V
Z Z
Z
V
1 11
11
1
+
= ,
unde s-a notat impedana echivalent vzut de la bornele tensiunii V
1

cu

) (
22 1 22 11
Z Z II Z Z + = .

Prin nlocuiri succesive avem o relaie ntre V
0
i V
i
care
Z
1
Z
1
Z
1





V
i
Z
2
V
1
Z
2
V
2
Z
2

V
0
Fig. 9.3.

267
stabilete expresia factorului de reacie

1 6 5
1
2 3
0
+ + +
= =
m m m V
V
i
.

Deoarece factorul de amplificare A este un numr real, condiia de
oscilaie A=1, impune ca i factorul de reacie s fie un numr real.
Cum m - este raportul impedanelor unui condensator, cu
C j
Z

1
= , i
a unui rezistor, cu R Z = , rezult c m este un numr pur imaginar.
Pentru ca s fie un numr real se impune ca termenii la puteri impare
din expresia factorului de reacie s fie zero

6 ) ( 0 ) ( 6 ) ( 0 6
2
2
1
2
1 3
2
1 3
= = + = +
Z
Z
Z
Z
Z
Z
m m
i
6
2
= m .
n aceste condiii factorul de reacie devine

=
+ +
=
+ + +
=
29
1
1 ) 6 ( 5 0
1
1 6 5
1
2 3
m m m


iar factorul de amplificare necesar meninerii oscilaiilor este

29 1
29
1
1 = = = A A A ,

Pentru amorsarea oscilaiilor se impune condiia
Frecvena de oscilaie se poate determina numai dup precizarea
celor dou impedane, folosind relaia

6 ) (
2
2
1
=
Z
Z
.

n figura 9.4. este prezentat schema unui oscilator RC cu reea
de defazare n care amplificatorul este format dintr-un etaj cu
tranzistor bipolar n conexiunea emitor comun.
A>-29.

268
Constatm c impedanele reelei de reacie au fost precizate i
anume

RC
R Z
C j
Z
6
1
,
1
2 1
= = =

.

Pulsaia de oscilaie a fost stabilit din condiia

6 ) (
2
2
1
=
Z
Z
.



Frecvena de oscilaie a circuitului este
.
6 2
1
RC
f

=

Amplificatorul, realizat cu tranzistorul bipolar T, trebuie s
asigure un factor de amplificare n tensiune A
V
>-29 pentru ca
oscilatorul s genereze oscilaii ntreinute.
Polarizarea tranzistorului n zona activ de funcionare este
realizat cu divizorul din baz R
B1
, R
B2
i rezistena din emitor R
E
(decuplat n regim de c.a. de condensatorul C
E
).
+V
CC

R
B2
R
C
C
C


T
R
L


R
B1
R
E
C
E


C
C
C C C

Fig. 9.4.

269
Factorul de amplificare cerut este stabilit de panta tranzistorului
g
m
i de valoarea rezistenei din colectorul tranzistorului
C m L
i
f
V
R g R
h
h
A =
'
,

unde h
f
este factorul de amplificare al tranzistorului, h
i
este impedana
de intrare a tranzistorului iar
'
L
R este rezistena echivalent de la ieirea
amplificatorului (care poate fi aproximat
C L
R R =
'
) .
O alt posibilitate alternativ de construire a reelei de reacie
este
= = R Z
C j
Z
1 2
,
1

pentru care situaie se obine alt expresie pentru frecvena de oscilaie
i anume

RC
f
RC

2
6 6
= = .

Reeaua de reacie Wien

Reeaua Wien este format dintr-un grup RC serie i un grup RC
paralel.














Fig. 9.5.
R
1
C
1
I
0
I
i


V
i

V
0
R
2
C
2






270
n figura 9.5. este prezentat structura unei reele de reacie
Wien direct, reea utilizat n cazul n care reacia este cu eantionare
pe bucl i comparare n nod (amplificatorul este de tensiune).
Factorul de reacie, pentru comparare n nod, se determin cu
ieirea reelei de reacie n scurcircuit ( V
i
= 0)
i
I
Z Z
Z
I
2 1
2
0
+
= ,

de unde se obine expresia factorului de reacie

2 1
2 0
Z Z
Z
I
I
i
+
= = .

Dou din elemente sunt n serie i dou n paralel, motiv pentru care
impedanele se noteaz cu Z
1
i Z
2


Reeaua Wien inversat este prezentat n figura 9.6,
eantionarea fiind n nod i compararea pe bucl. Pentru ca ieirea
amplificatorului s nu scurcircuiteze reeaua de reacie amplificatorul
din componena oscilatorului trebuie s ndeplineasc funcia de
amplificator de curent.


R
1
C
1


V
i
R
2
C
2
V
0
Fig. 9.6.
1
C
2
j
R
2
1
C
2
j
R
2
C
2
j
C
2
j
R
2
C
2
j
1
R
2
C
2
j
1
R
2
Z
2
C
1
j
1
C
1
C
1
j
1
R
1
Z
1
2
1
+
=
+
=
+
=
+
= + =
R
R j

271


Pentru reeaua de reacie Wien inversat, din figura 9.6, factorul de
reacie poate fi exprimat (cu ieirea RR n gol) din relaiile

+
=
0
2 1
2
V
Z Z
Z
V
i

2 1
2
0
Z Z
Z
V
V
i
+
= = .

Raportul celor dou impedane este

Condiia de oscilaie impune
innd seam de expresia factorului de reacie, condiia de
oscilaie devine, n acest caz particular care se descompune pe
componente

. 0 Im
, 1 Re
2 1
2
2 1
2
=
|
|

\
|
+
=
|
|

\
|
|
|

\
|
+
Z Z
Z
Z Z
Z
A
V


n condiiile n care se adopt valori egale pentru elementele reelei de
reacie
, , ;
2 1 2 1
RC C C C R R R = = = = =

avem
( )
( )
,
1
0
1

=
=
=
V
V
V
A Re
A Im
A

2
2 2
1
1 1
2
1
1 1
R
C R j
C j
C R j
Z
Z

+ +
=
, 1
Z Z
Z
jIm
Z Z
Z
Re A A
Z Z
Z
A
V V V
=

|
|

\
|
+
+
|
|

\
|
+
=
|
|

\
|
+
=
2 1
2
2 1
2
2 1
2

272

Prin anularea prii imaginare, conform relaiei anterioare, se
obine expresia frecvenei de oscilaie

RC
f
RC
Z
Z

2
1
,
1 1
0
1
0
1
1
Im
2
1
= = = = =
|
|
|
|

\
|
+


Pentru condiii de oscilaie stabilizate, deoarece partea imaginar este
zero avem
, 2
2
1
=
Z
Z


iar prima condiie de oscilaie determin valoarea factorului de
amplificare
. 3 =
V
A

n concluzie pentru reeaua Wien inversat avem
Efectund calcule similare i pentru reeaua Wien direct se obin
(pentru elementele egale ale reelei de reacie) succesiv relaiile

j
j
C j
RC j
RC j
R
RC j
R
3 ) ( 1
1
1
1
2
+
=
+
+
+
+
= ,

+ = = j j A A
V V
3 ) ( 1 1
2


3
1 0 ) ( 1
2
=
= =
V
A


( )
|

\
|
+ =
+ |

\
|
=
+
=
+
=

1
- j 2
2
2 2
- 1 j -
j
2 2
- j 2 1
j
2
j 1
Z
2
Z
1
.
2
1
, 3
RC
f A
i

=

273

Pentru reeaua Wien direct se obine condiia de oscilaie i frecvena
tensiunii generate
Impedana de intrare a amplificatorului trebuie s aib valori suficient
de mari ca s nu scurcircuiteze reeaua de reacie.
Deoarece amplificatorul este de tensiune, ceea ce nseamn c
rezistena de ieire are valori mici, la intrarea acestuia se vor gsi cele
dou impedane ale reelei de reacie cuplate n paralel.
Impedanele se exprim sub forma
,
1
,
1 1
2
1
j
R
Z
j
j
R
RC j
RC j
R Z
+
=
+
=
+
=

cu ajutorul crora se determin impedana echivalent a reelei de
reacie (care condiioneaz impedana amplificatorului)

) 1 (
3
1
1 1
1
1 1
2 1
2 1
j
R
j j
j
j j
j
R
Z Z
Z Z
Z
e
=
+
+
+
+
+
=
+
= .
Problema poate fi pus i n sensul adoptrii valorii rezistorului atunci
cnd se impune impedana amplificatorului.

Oscilator cu reea Wien direct cu amplificator operaional

n figura 9.7 este prezentat schema de principiu a unui oscilator cu
reea Wien direct , realizat cu un amplificator operaional - notat pe
figur cu A.
Amplificatorul este prevzut cu reeaua de reacie pozitiv
format din elementele reelei Wien direct (R
1
, C
1
, R
2
, C
2
) i o reea
de reacie negativ format din rezistena r
2
i impedana de ieire a
tranzistorului cu efect de cmp T (pe care o notm cu r
DS
).
Reeaua de reacie negativ determin un factor de amplificare
DS
V
r
r
A
2
1+ = .
.
2
1
, 3
RC
f A
V

=

274
Condiia de oscilaie impune ca factorul de amplificare s
ndeplineasc relaia
, 3
V
A

ceea ce permite stabilirea valorii rezistenei r
2
(pentru c r
DS
se
determin din alte considerente, prezentate n cele ce urmeaz).




Tranzistorul cu efect de cmp, pentru valori mici ale tensiunii
V
DS
, prezint o caracteristic de ieire liniar, ca n figura 9.8.
Panta caracteristicii de ieire depinde de tensiunea aplicat ntre gril
i surs V
GS
, ceea ce este echivalent cu a spune c rezistena r
DS
poate
fi modificat prin valoarea tensiunii V
GS.

Relaia dup care se modific rezistena de ieire n funcie de
tensiunea aplicat pe gril este

R
1
C
1



r
2


+V

+
V
0
A
-
T
R
2
C
2
R
V
C
F

V
rd

Fig. 9.7.
,
V
V
P
GS
DS
r
r

=
1
0

275
n care r
0
i V
P
sunt date specifice tranzistorului cu efect de cmp din
schema oscilatorului.
Valoarea rezistenei de ieire a tranzistorului r
DS
este utilizat la
stabilizarea (limitarea) amplitudinii oscilaiilor tensiunii de ieire V
0
.
Dac, din diferite motive amplitudinea tensiunii de ieire crete ,
valoarea acesteia este sczut prin aciunea buclei de reacie negativ,
care micoreaz factorul de amplificare A, prin creterea rezistenei
r
DS
.
Rezistena r
DS
depinde direct de tensiunea V
0
, pentru c
tensiunea care se aplic grilei tranzistorului se obine, prin redresare
din tensiunea cu variaie sinusoidal V
0
, astfel:
- dioda D redreseaz tensiunea de ieire aa nct avem
;
2
0
V V
rd

=
- condensatorul C
F
filtreaz tensiunea redresat;
- rezistena variabil R
V
stabilete valoarea tensiunii din grila
tranzistorului

,
rd DS
kV V =

unde k este un numr subunitar proporional cu rezistena
poteniometrului R
V
de sub cursor;
- tensiunea V
GS
stabilete caracteristica de ieire, adic
stabilete valoarea rezistenei r
DS.

ID
VDS
VGS1
VGS3
VGS2
0,05V 0,1V
Fig. 9.8.

276
9.3. Oscilatoare armonice de tipul LC

Oscilatoarele armonice cu circuit LC sunt circuite electronice
care au n compunere cel puin o inductivitate i o capacitate care s
determine frecvena oscilaiei generate.

Oscilatoare cu circuit LC acordat

n figura 9.9 este prezentat schema de principiu a unui oscilator cu
circuit acordat.


















Oscilatoarele cu circuit acordat se bazeaz pe caracteristica de
frecven a circuitelor RLC serie sau paralel, caracteristic care
favorizeaz transmiterea uneia din frecvene, celelalte frecvene fiind
atenuate.
Se bazeaz pe un circuit oscilant realizat cu bobin i condensator care
s determine frecvena de oscilaie i un circuit de reacie pozitiv prin
intermediul creia se ntrein oscilaiile.
Circuitul care determin frecvena de oscilaie este format dintr-
o inductivitate L
1
n paralel cu capacitatea C, ambele aflate n
colectorul tranzistorului amplificator T. Reacia pozitiv este asigurat
de inductivitatea L
2
(cuplat magnetic cu inductivitatea L
1
) prin
intermediul creia se transfer o parte din tensiunea de colector n

+V
CC

R
B1
M


L
2
L
1
C




T

R
B2

Fig. 9.9.

277
circuitul bazei tranzistorului. Rezistoarele R
B1
, R
B2
servesc la
polarizarea n regim de curent continuu a jonciunii baz - emitor a
tranzistorului T.
n figura 9.10 este prezentat schema echivalent a circuitului
pentru regimul variabil.



Pentru transformatorul TR ( format din L
2
i L
1
) s-a precizat,
prin asteriscul din figura 9.10, sensul pozitiv al curentului sens care
stabilete tensiunea pozitiv indus.
Avem ecuaiile n complex

1 2 1
1 1 1 1 0
L i L i
L i L
MI j I L j MI j V
I L j MI j I L j V


+ =
=
,
n care s-a neglijat valoarea mic a curentului I
i
.
Coeficientul de cuplaj magnetic dintre inductiviti s-a notat cu M.
Ecuaiile de mai sus permit stabilirea expresiei factorului de
reacie
.
1 0
L
M
V
V
i
= =
Pentru a determina factorul de amplificare al amplificatorului cu
tranzistor folosim schema echivalent a transformatorului TR raportat
la circuitul primar. Pentru c transformatorul este considerat fr
pierderi sigurul element care rmne n schema echivalent este
rezistena reflectat
,
1
1
1
1
0
C r
L
r
C
L
Z = =
unde s-a notat cu r
1
rezistena electric a inductivitii L
1
.


I
i

M
I
L1
*

C L
1
L
2

V
0

Fig. 9.10.

278
Termenul fr pierderi se refer la faptul c se consider c
fluxul magnetic nu se nchide prin aer ci numai prin circuitul magnetic
al transformatorului, motiv pentru care inductivitatea de dispersie, din
schema echivalent a transformatorului este nul. Se neglijeaz i
pierderile n miezul transformatorului.
n figura 9.11 este prezentat schema echivalent simplificat a
amplificatorului cu un tranzistor.








Nu s-a folosit g
m
pentru panta tranzistorului pentru c G
m

reprezint panta tranzistorului n regim de semnal mare iar g
m
este
panta tranzistorului n regim de semnal mic.
Panta de semnal mic are expresia
,
0 C m
I
kT
q
g =
unde I
C0
este curentul n PSF, determinat de tensiunea de polarizare a
bazei tranzistorului.
Panta de semnal mare depinde de tensiunea V
i
ca n figura 9.12.

Pentru schema echivalent din figura 9.11 se scriu relaiile
I
i
I
0

V
i

V
0
h
i
G
m
V
i
Z
0
Fig. 9.11



1






m
m
g
G



X
0


i
V
kT
q
x =
Fig. 9.12.

279

i i i
i m
I h V
V Z G V
=
=
0 0
,
care permit stabilirea expresiei factorului de amplificare
.
1
1
0
0
C r
L
G Z G
V
V
A
m m
i
V
= =

=
S-a schimbat semnul tensiunii V
i
pentru c transformatorul (vezi
bornele polarizate) determin defazarea tensiunii induse fa de
tensiunea V
0
.
Condiia de oscilaie determin panta de semnal mare a tranzistorului
. 1
1
1
L
C r
G A
m V
= =
Din figura 9.13 pantei G
m
i corespunde o tensiune V
i
i
respectiv o valoare a amplitudinii oscilaiei armonice de la ieire.

Oscilatoare cu cristal de cuar

Oscilatoarele cu cristal de cuar se utilizeaz n condiiile n care
se impune o frecven a oscilatorului foarte stabil n timp i foarte
precis. Domeniul n care se realizeaz oscilatoare armonice pe baza
cristalelor de cuar este 1 kHz,...,20 MHz .
Cristalul de cuar dup ce este tiat dup anumite direcii pentru
a-i conferi caliti piezoelectrice este introdus ntr-o capsul metalic
prevzut cu terminale.
n funcie de modul de tiere i de grosimea i de natura
cristalului se stabilesc frecvenele proprii de oscilaie.
Cristalul are o schem echivalent, ca n figura 9.13, care determin
dou frecvene de oscilaie,
- o frecven serie
0 0
2
1
C L
f
s

=

280
- o frecven paralel
1 0
1 0
0
2
1
C C
C C
L
f
p
+
=

.

n figura 9.14 este prezentat modul de variaie al reactanei
C L
X X X =
cristalului de cuar la modificarea frecvenei tensiunii aplicate V.

















I


L
0


V
C
1
C
0


I




V
Fig. 9.13.
f
S
f
P

f
X
Fig. 9.14.

281
Reactana este pozitiv, adic cristalul de cuar se comport
inductiv, numai n domeniul de frecvene .
P S
f f f < <
n afara acestui domeniu de frecvene cristalul de cuar prezint
o reactan capacitiv.
Cristalul de cuar poate fi folosit la frecvenele de oscilaie
f
s
i f
p
ct i la multipli de ordin impar (1,3 sau 5) al acestor frecvente -
nu se folosesc armonici mai mari ca 5 deoarece amplitudinea oscilaiei
devine prea mic
n figura 9.15 este prezentat schema de principiu a unui
oscilator cu cristal de cuar, care folosete frecvena serie a cristalului.
Tranzistorul T este n conexiunea baz comun, pentru c
condensatorul C
B
scurcircuiteaz rezistoarele R
B1
, R
B2
de polarizare a
bazei.
















Frecvena de oscilaie este determinat de inductivitatea L i
condensatorii C
1
, C
2
mpreun cu care realizeaz un oscilator Colpitts
(vezi paragraful urmtor) numai dac punctul comun celor dou
condensatoare este conectat la emitorul tranzistorului T.
Aceast legtur, de rezisten mic, se realizeaz numai la frecvena
de rezonan serie a cristalului cnd reactana acestuia este minim;
pentru alte frecvene reactana cristalului este suficient de mare pentru
ca oscilaiile s nu se amorseze i s nu poat fi ntreinute.
De notat c frecvena la care se calculeaz elementele oscilatorului
Colpitts este frecvena de rezonan serie a cristalului de cuar.

+V
CC



R
L
R
B2
L


T
C
1
Cuar
C
Fig. 9.15.

282
n figura 9.16 este prezentat un oscilator care folosete frecvena
paralel a cristalului de cuar.



Oscilatorul de tipul Pierce, din figura 9.16, genereaz oscilaii numai
n condiiile frecvenei de rezonan paralel a cristalului de cuar ( cnd
cristalul prezint o reactan capacitiv de valoare mare).


















V
DD


L
S
R
G1

Cristal
V
0


T

R
G2
R
S

Fig. 9.16.

283










CIRCUITE ELECTRONICE
DE PUTERE


10.1. Redresoare de putere

Redresoarele de putere utilizeaz tensiuni de alimentare trifazate
din doua motive, i anume:
- transportul energiei se face n sistem trifazat i n
condiiile n care instalaia este de putere mare, respectiva putere
se mparte pe cele trei faze o scdere a curenilor absorbii
prin fiecare linie de alimentare ;
- reeaua trifazata, prin schimbarea conexiuni
transformatorului trifazat , ofer dou tensiuni de alimentare a
receptorului (
f
V si
f
V 3 ) .
Pentru ca reeaua s rmn simetric (tensiuni egale pe fiecare
faz) se impune ca receptorul s preia cureni egali pe fiecare din cele
trei faze.
Creterea numrului de faze permite micorarea ondulaiilor
tensiunii redresate, de alimentare a receptorului i implicit scad
amplitudinile armonicilor introduse n reeaua de c.a. de ctre sistemul
de redresare.
Uneori secundarul transformatorului se construiete aa nct sa
asigure mai multe faze ( multiplu de 3), dar de regul creterea
numrului de faze se face prin utilizarea mai multor circuite de
redresare.


1
1
0
0


284
Redresorul trifazat monoalternan

n figura 10.1 este prezentat un redresor trifazat cu secundarul
transformatorului de alimentare conectat n stea.
Tensiunile de intrare sunt tensiuni simetrice. Fiind tensiuni
trifazate sunt defazate ntre ele cu un unghi electric de
m
2
. Sistemul
fiind simetric valorile efective ale celor trei tensiuni vor fi identice.
n funcie de timp cele trei tensiuni au expresiile
1 21
)
3
2
cos( 2 V t V u
i
=

;
2 22
) cos( 2 V t V u
i
= ;
3 23
)
3
2
cos( 2 V t V u
i
+ =

.






















Prin aplicarea transformatei n complex, celor trei mrimi sinusoidale
li se asociaz trei vectori n planul complex


primar
R
S
T
L
s
R
s

D
2
D
3

secundar
D
V
21
=V
1

V
22
V
23
V
d

i
d
Fig. 10.1

j j V j jV e V V
i i
j
i
)
2
3
2
1
( )
3
2
sin
3
2
(cos
2 3
2
1
= + = =
+




285






Pentru c sistemul de tensiuni este simetric suma vectorilor n
complex este zero
0
3 2 1
= + + V V V .
Se noteaz cu m numrul de faze ale tensiunii de alimentare (spre
exemplu m=3 ) .
Daca una din diode este n conducie, adic are 0 >
AK
V ,atunci
celelalte dou diode sunt blocate.
Spre exemplu cnd 0
1
> U dioda D
1
este n conducie, D
2
este
blocat pentru c 0
1 2 2
< = v v v
AK
, D
3
este blocat pentru c
0
1 3 3
< = v v v
AK

prin sarcin va circula curentul i
d
=i
a1
, care se nchide pe traseul v
12

D
1
sarcin conductor de nul.
n figura 10.2 sunt prezentate formele de und asociate
redresorului trifazat cu schema de principiu n figura 10.1.
Conduce curentul dioda corespunztoare fazei cu tensiunea
pozitiv cea mai mare. Intervalul de timp (exprimat prin unghiul
electric) n care conduce o diod, spre exemplu D
2
este de cnd v
1=

v
2
pn cnd

v
3=
v
2
.
Cele dou condiii conduc la dou ecuaii trigonometrice
3 3
2
cos )
3
2
cos(

= = + = + x x x x x ;
3 3
2
cos )
3
2
cos(

= = = x x x x x .
Intervalul de conducie al unei diode este

3
,
3

, de lungime
exprimat n unghi electric (radiani)
T

= = +
3
2
3 3
.

Not : n calculele care urmeaz considerm inductivitatea sarcinii de
valoare suficient de mare (L
S
=) pentru ca s nu permit modificarea
(scderea) curentului prin sarcin. n figura 10.2 curentul prin sarcin
i
d
= I
d
= constant.

j V e V V
i
j
i
= =
2
2

j j V j V e V V
i i
j
i
)
2
3
2
1
( )
3
2
sin
3
2
(cos
2 3
2
3
+ = + = =
+




286
Valoarea tensiunii redresate
Pe baza relaiei de definiie a valorii medii, innd seama de
durata curentului

m
m
V t V t td V
t td V dt t u
T
V
i i i
i
T
T
d

sin
2 | ) (sin 2
3
cos 2
2
3
2
cos 2
2
3
) (
1
3
0
3
0
3
3
2
2
0
= = =
= = =

se obine






Curentul prin sarcin este stabilit de legea lui Ohmm

S
d
d
R
V
I
0
0
= .
Factorul de redresare ) 2 (
0 i R d
V D V =
m
m
V
V
D
i
d
R

sin
2
0
= = pentru m=3 827 , 0 =
R
D iar
pentru m=6 D
R
=0,955.

Valoarea efectiva a tensiunii totale de pe sarcina


= =
3
0
2
0
2
2 . 0
) cos 2 (
2
3
2
1

t d t V dt v
T
V
i
T
ef d

m
m
V V
i i

2
2
sin
1
3
2
sin
2
3
1 + = + =

m
m
V V
i d

sin
2
0
=

287








































t
t
t
t
t
t

V
i











V
d


V
d
0






i
2







i
3







i
1






V
1
V
2
V
3
V
1
V
2

i
1
+i
2
+i
3
=I
d

Fig. 10.2.

288
Factorul de forma al tensiunii redresate

=
=
=
+
= = =
6 01 , 1
3 015 , 1
sin
2
2
2
sin
1
0
. 0
m
m
m
m
m
m
V
V
K
d
ef d
f f

Deoarece forma de und este sinusoidal aceasta poate fi
descompus ntr-o sum de sinusoide (fundamentala o
sinusoid de pulsaie egal cu a tensiunii de alimentare i
armonici sinusoide cu pulsaia multipli ntregi de pulsaia
fundamentalei) cu valorile efective determinate de dezvoltarea
n serie Fourier

) sin( ) cos sin (
) ( n n cc
n
cc n n t
t n V V V t n B t n A f

+ + = + + =

.

Din figura 10.2 se remarc faptul c tensiunea pe sarcin este o
funcie par , deci va conine numai termini cu cosinus .

) ( cos cos 2
1
cos ) (
1
2
0
t td t n V m t td n t f B
i
m
m
n

= = ,
unde ntr-o perioad sunt t n V m
i
m
m

cos 2
1

i
0 sin ) (
1
2
0
= =

t td n t f A
n
.

Amplitudinea armonicii de ordin n este
n
n
V
B V
d
n dn
cos
1
2
2
2
0

= = ,
pentru n=km , k = 1,2,3,....., unde m = numrul de faze a
tensiunii de alimentare

289
Pentru m =3 avem armonici de ordinal 3,6,9,...., a cror
amplitudine este prezentat n tabelul de mai jos.


do
dn
V
V 2

k f [Hz] V
0,25 3 1 150 Hz (
i
V 2 % 20 )
60V
0,057 6 1 300 Hz (
i
V 2 % 5 )
15V
0,025 9 1 450 Hz (
i
V 2 % 2 )
6V
0,014 12 1 600 Hz (
i
V 2 % 2 , 1 )
4V


Randamentul conversiei c.a. c.c. se exprima prin factorul
de utilizare al secundarului transformatorului definit
2
0
2
S
P
K
d
=
ca raport dintre puterea de curent continuu P
d0
transmis sarcinii
i puterea aparent din secundarul transformatorului S
2


ef i
I V S
2 2
3 = ,
ef i
d d
d d d
I V
I V
K I V P
2
0 0
2 0 0
3
= = ;
unde =
ef
I
2
valoarea efectiva a curentului printr-o faza ( adic
printr-o diod) .

Pentru c =
1
L curentul prin sarcina este constant iar prin
diod curentul are o form de und dreptunghiular . Valoarea
efectiv a curentului este

3
2
1
0
2
0
2
0 2
d d
m
ef
I
m
I
t d i I = = =

.
Cu ajutorul valorii efective a curentului se calculeaz puterea
aparent
d i
d
i
I V
I
V S 3
3
3
2
= = ;


290
i factorul de utilizare al transformatorului

=
=
= = = =
6 55 , 0
3 675 , 0
3
sin 2
3
3
3
0 0
2
m
m
V
m
m
V
V
V
I
V
I V
K
i
i
i
d
d
i
d d

Se constat c factorul de utilizare optim al transformatorului se
obine pentru m=3, adic pentru tensiuni de alimentare trifazate. n
schimb ondulaiile tensiunii vor fi mai mari dect la valori mai mari
ale lui m, dar majoritatea aplicaiilor suport ondulaii relativ mari
ale tensiunii pe sarcin (spre exemplu mainile electrice). Cnd
aplicaia necesit tensiuni cu ondulaii mici se utilizeaz filtre sau
se iau alte msuri pentru micorarea ondulaiilor.

Modificarea valorii tensiunii redresate prin control de faz

Controlul de faz permite modificarea puterii active transmise
sarcinii fr a determina pierderi de putere activ (deci fr a scdea
randamentul conversiei) .
Controlul de faza afecteaz forma de und a tensiunii de
alimentare (o distorsioneaz) i crete puterea aparent preluat din
reea.
Controlul de faza const n comanda ntrziat cu un unghi
= = =
3 2 1
fa de timpul la care exist condiii (la egalitatea
tensiunilor de pe doua faze) ca dioda s intre natural n conducie.
De fapt , prin acest procedeu, se scade intervalul de timp n care o
diod se afl n conducie scade aria mrginit de tensiunea fazei,
care a ajuns (prin diod) pe sarcinscade valoarea de curent
continuu a tensiunii de pe sarcin.
Rezult, de aici, c prin control de faz tensiunea pe sarcin nu
poate dect s scad fa de valoarea obinut la conducia natural a
dispozitivelor semiconductoare
m
m
V V V
i d d

sin
2
0
= .

291
Forma de und a tensiunii pe sarcin este diferit dup cum se ia
n considerare influena reactanei liniei de alimentare (figura 10.3,b)
sau nu (figura 10.3,a).
Se noteaz
lim
unghiul de ntrziere limit la care ncep s
apar vrfuri de tensiune negativ n componena formei de und a
tensiunii redresate.


































L
c
=0

2

V

V
2
V
3

-
/m
0
/m

3

wt
i
d

i
1

i
2
i
3

wt
Fig. 10.3a.
V
i
1

wt
-
/3
/3
wt
i
01
i
02
I
d
=cons
t.

Fig. 10.3b.
0 L
c


292














Din figura 10.4 se deduce expresia unghiului limit

6 3 2 2

= = = <
m
lin
,
pn la care tensiunea
d
v nu are valori instantanee negative .
Valoarea tensiunii redresate la comutarea natural are expresia
m
m
v V
i d

sin
2
0
= .
Valoarea tensiunii redresate cnd comutarea dispozitivului este
ntrziat cu unghiul fa de momentul comutaiei naturale are
expresia

pentru 0 =
c
L

cos
2
1
0 1 d
m
m
d
V t d v m V =

=

+
+
;


iar pentru 0
c
L

/2m /2m /2m
/m
lim

/2
Fig. 10.4.
v
d
t

m

=
2
lim


293
2
) cos( cos
2 2
3 2
2

+ +
=

+
+ =

+ +
+
+
+
d
m
m
m
m
d
V t d
v v
t d v m
m
V
.

Valoarea efectiv a tensiunii , pentru 0 =
c
L , este

cos
2
2
sin
1
2
1
2
2 2
m
m
V t d v m V
i
m
m
erf
+ =

=

+
+
.


Redresorul trifazat bialternan n punte semicomandat

Redresorul bialternan, din figura 10.5, este n punte semicomandat
pentru c numai o parte din elementele punii pot fi comandate
(tiristorii notai T)


















n figura 10.6 sunt prezentate formele de und asociate punii
semicomandate ( fr a lua n consideraie inductivitatea liniei de
alimentare).


R

S

T





T
R


T
S


T
T


D
R


D
S


D
T


R
s





L
s

V
d

Fig. 10.5.

294






































Fig. 10.6.
D
R

T
S

t
T
T

D
T
T
R

D
S

I
T

I
R

I
S

V
T
V
R
V
S

V
Cd T
Cd R Cd S Cd T
t
t
t
v

295
Inductivitatea sarcinii L
S
se consider a fi suficient de mare
pentru ca s menin valoarea curentului constant indiferent de
scderea tensiunii de alimentare a sarcinii.
Conduce dioda al crui catod este mai negativ dect anodul
propriu i tiristorul care are codiii de conducie i a primit impuls de
comand pe gril.
Spre exemplu n punctul Cd R, din figura 10.6, tensiunea V
R

este pozitiv i tiristorul T
R
primete semnal pe gril pentru a intra n
conducie.
Curentul plecnd de la faza R se nchide prin T
R
i dioda care are
catodul la potenialul cel mai negativ. ntr-o prim faz tensiunea cea
mai negativ este V
T
, rezult c circuitul se va nchide pe calea (faza
R) V
R
- T
R
R
S
,L
S
D
T
- V
T
(faza T).
Tensiunea V
T
crete, aa nct exist un punct n care devine mai
negativ tensiunea V
R
ceea ce face ca dioda D
T
s se blocheze i
curentul s fie preluat de dioda D
R
.
n a doua faz a conduciei tiristorului T
R
curentul se va nchide
pe calea T
R
R
S
,L
S
D
R
pe seama energiei nmagazinate n cmpul
magnetic al inductivitii sarcinii (L
S
). Tensiunea pe sarcin, n acest
interval de timp, este mic i egal cu suma cderilor de tensiune de pe
tiristorul T
R
i dioda D
R
, ambele dispozitive fiind n conducie.
Fenomenele decurg similar i la comanda altui tiristor.
Tensiunea pe sarcin este de dou ori mai mare dect la redresorul
monoalternan

cos 2
0 d d
V V = .

De notat c n condiiile unei sarcini rezistive ( L
S
= 0) curentul n
circuit se va anula la ieirea din conducie a diodei D
T
( n cazul
exemplului nostru), rmnnd egal cu zero pn la comanda
tiristorului urmtor T
S
. Spunem c redresorul funcioneaz n regim de
conducie ntrerupt.


10.2. Variatoare de tensiune alternativ

Variatoarele de tensiune alternativ (VTA) sunt circuite
electronice care au rolul de a modifica valoarea puterii transmise unei
sarcini, prin modificarea valorii efective a tensiunii alternative pe care
o primete de la linia de alimentare.

296
n cazul tensiunilor de alimentare sinusoidale (de c.a.) puterea
activ preluat de sarcin este proporional cu valoarea efectiv a
tensiunii .
Modificarea valorii efective a tensiunii se face prin dou metode :
conectarea intermitent a sarcinii la sursa de t.e.m. ,
controlul de faz.

Conectarea intermitent a sarcinii const n alimentarea cu
tensiune a
acesteia un numr de alternane ale tensiunii ( pe un interval de timp
T
C
) i decuplarea de la sursa de t.e.m. pe intervalul de timp T
0
- T
C
,
ca n figura 10.7.

2
max max
V K P
T
T
P
c
med
= =

e
c
T
T
K =
V K dt t n V V
ef
= =

2
0
2
) sin 2 (
2
1

Metoda este utilizat n cazul instalaiilor cu timp de rspuns
mare, cum ar fi instalaiile de reglare a temperaturii, i nu se
recomand n cazul sarcinilor puternic inductive.











Fig. 10.7.

Comanda alimentarii cu energie se face, n cazul sarcinilor
rezistive la trecerea prin zero a tensiunii i cu o ntrziere egal cu
defazajul dintre tensiune i curent ( = ) n cazul sarcinilor rezistiv -
inductive.
T
Te
t
v

297
Pentru nchiderea si deschiderea circuitului se utilizeaz
contactoare statice de curent alternativ. n figura 10.8. sunt prezentate
cteva contactoare statice de curent alternativ realizate cu tiristori.









a) b)










c)

Fig. 10.8

Controlul de faz const n alimentarea sarcinii cu fraciuni din
sinusoida tensiunii de alimentare.
n figura 10.9 este prezentat un circuit coninnd un contactor
static i o sarcin rezistiv inductiv ( R i L). Sarcina determin un
defazaj al curentului fa de tensiune cu un unghi electric
R
L
tg

= .
Fiecare tiristor este comandat n conducie la un unghi ntrziat
fa de trecerea prin zero a tensiunii, aa nct curentul determin o
valoare efectiv a tensiunii pe sarcin

2 sin
2
1
) sin 2 (
2
2
0
2
Re
+
= =

V dt t V V
f
.
R
R
V
c


298







R
L
tg

=








Fig. 10.9.

Ecuaia diferenial corespunztore circuitului din figura 10.9.

t V
dt
di
L i R sin 2 = + cu ) sin(
2
2
0
= t
V
i
i ) sin( + = t I i
p


Curentul n circuit, prin rezolvarea ecuaiei difereniale, este o
sum a componentei de regim permanent i a componentei de regim
tranzitoriu

=

) sin( ) sin(
2
2
) (
) (

t
L
R
e t
V
t i ,

prima sinusoid reprezentnd regimul permanent (sinusoidal) iar cea
de-a doua soluia de regim tranzitoriu.
Curentul se stabilete de valoarea de regim permanent dup
anularea regimului tranzitoriu.
Prin modificarea unghiului de comanda in domeniul <<180
0

se modifica valoarea puterii transmise sarcinii.

R
X
L
R
L
T
1

T
2

v
s


299
n figura 10.10. este prezentat influena valorii unghiului de
comand asupra formei de und a curentului pentru diferite sarcini.
































Fig. 10.10.

a) Sarcin rezistiv - curentul se stabilete cu o pant de
cretere mare la valoarea de regim permanent;
V,i
v
i
a)
c)
V,i
V,i
v
v
i
b)


i
t
t
t

300
b) Sarcin rezistiv inductiv cu comand la =
curentul este sinusoidal, fiind numai defazat fa de
tensiune;
c) Sarcin rezistiv inductiv cu comand la >
curentul are intervale de discontinuitate (este ntrerupt) pe
intervalul ,, .

Principalele domenii de utilizare a contactoarelor statice de c.a. sunt:
- alimentare cu tensiune variabila a rezistoarelor pentru
nclzire;
- modificarea puterii la aparatele de nclzire inductiva;
- modificarea fluxului luminos (iluminat al incintelor
industriale);
- conectarea grupurilor de condensatoare pe linia de alimentare
pentru mbuntirea factorului de putere (compensatoare de putere
reactiv);
- sisteme de reglare a curentului sau tensiunii;
- modificarea puterii motoarelor de c.a.


ntreruptoare de c.a.

Contactoarele statice de curent alternativ au rolul de
ntreruptor cnd furnizeaz putere sarcinii sau o ntrerupe pe un timp
determinat.













Fig. 10.11.
v
T
T
R
Z
R
2

D
1

D
2
R
1

IP

301
Comanda CS poate fi manual (cu un ntreruptor IP ) sau cu
ajutorul unui semnal electric. n cazul semnalului electric se impune o
separare a circuitului de for de circuitele de comand.
Un exemplu de CS cu comanda manual este prezentat n
figura 10.11.
n alternana pozitiv a tensiunii de alimentare (+) curentul se
nchide prin D
1
R
1
V
GK2
> 0 T
2
intr n conducie. n alternana
negativ a tensiunii de alimentare (-) circuitul se nchide prin D
2
R
1

amorseaz T
1
.
Rezistena R limiteaz curentul pe poarta tiristorului, adaptndu-
se
R
1
0
max
2
R
I
V
; R
1
= 0,1 1 k
Rezistenta R trebuie sa fie suficient de mica, pentru a limita
curentul injectat prin poarta tiristorului.
D
1
,D
2
= protejeaz tiristorului la aplicarea unei tensiuni V
GK
< 0
R
1
R
2
= mresc capacitatea tiristorului de a suporta viteze mai
mari de cretere a tensiunii ( la
dt
dv
).
CS cu circuit de comand cu T.U.J.

Spre exemplu n figura 10.12. este prezentat un CS cu circuit de
comand cu T.U.J. Circuitul de comand, avnd n componen
ntreruptorul IP i oscilatorul cu TUJ, este alimentat la tensiune joas
(12 V c.a.).















TUJ
12 V
IP
R
C
*
*
*

Z
s

Fig. 10.12

302

Comutarea ntreruptorului IP determin alimentarea punii de
diode cu tensiune sinusoidal. Alimentarea TUJ ului se face cu
tensiunea trapezoidal, format de dioda Zener.
Condensatorul se ncarc prin rezistorul R i se descarc prin
spaiul E-B2 al tranzistorului, genernd o tensiune variabil n
primarul transformatorului.
Secundarele transformatorului fiind bobinate n acelai sens vor
furniza comenzi pe porile ambilor tiristori, dar va intra n conducie
numai tiristorul a crui tensiune anodic este pozitiv.
n figura 10.13. sunt prezentate variante de comand a CS cu
triac a) cu comanda n c.c. i b) cu comanda n impulsuri.









Fig. 10.13. a) Fig. 10.13. b)

Transformatorul din figura 10.13 are rolul de a separa impulsurile
de comand ( cu frecvena de 2-6 kHz ) de circuitul de for.
Comanda tiristorilor poate fi realizat i direct din circuitul de
for, ca n figura 10.14., n condiiile n care nu exist pericolul
electrocutrii (spre exemplu prin izolarea suplimentar a elementelor
la care este permis accesul).











R
V
K
R
R
1

V
Z
s

K
a) b)
Fig. 10.14.
Z
s
Z
s

E
V
T
r

V

303
Rezistorul R se determin din condiia privind valoarea maxim a
curentului absorbit pe poart

R>
max
2
G
I
V
; R
1
= 100 , ,1k.


10.3. Variatoare de tensiune continu

Variatoarele de tensiune VTC continu sunt circuite care se
intercaleaz ntre sarcin i sursa de curent continuu, avnd rolul de a
modifica valoarea puterii transmise de la surs la sarcin (motiv pentru
care se mai numesc i transformatoare de curent continuu).

Variatorul de tensiune continu cu tiristor auxiliar de stingere

In cadrul schemei variatorului de tensiune continu cu tiristor
auxiliar de stingere din figura 10.15. tiristorul T
1
este tiristorul
principal, fiind cel care alimenteaz n mod normal sarcina reactiv
inductiv
(R
s
, L
s
).















Schema a fost prevzuta cu un circuit de stingere format din
tiristorul T
2
i elementul de acumulare a energiei C (condensatorul C
de stingere).
V
A
V
S
I
S
L
1

D
1

L
1

T
2

V
c

+
C

D
2

L
s

R
T
1

Fig. 10.15

304








































V
A
V
A
T
1
I
T1
i
C
C

T
2
L
s
R
S
+

-

I
s
b) t
1
tt
2

T
2

C

D
2
i
C
L
S
I
D2
R
S
V
A
-

+

c) t
2
tt
3

i
SF
=ct=
I
T1
-I
c

D
1
V
A
C

T
1
i
c
L
1
R
s
L
s
I
T1
+

-

d) t
4
tt
5

Fig. 10.16.
V
c
V
A
-V
A

i
c
I
D1
I
D2
i
S
I
S
T
1
T
1
t
1
t
2
D
2
V
s
V
A
t
off
t
on
t
3
t
4
t
5
a)

305



Dioda D
1
are rolul de a ncrca condensatorul cu tensiune de
polaritatea corespunztoare (
+

C ) pentru a realiza stingerea tiristorului

principal . Stingerea tiristorului are loc pe seama energiei acumulate de
inductivitatea L
1
. Inductivitatea
'
1
L
limiteaz viteza de variaie a
curentului prin tiristorul T
1
. La conectarea in conducie a tiristorului T
1

comutatorul K se nchide i curentul n circuit se deduce din ecuaia,
unde rezistorul are o valoare mic

= +
A
s
i s s
V
dt
di
L i R
i
s
A
s
i
L
di
V
dt
di
L = .

Din condiia de limitare a vitezei de variaie a curentului se obine:

max
'
max
dt
di
V
L
dt
di
dt
di
s
A
i
s s
= .

Dioda D
2
, conectat n paralel cu sarcina, este diod de nul, avnd
rolul de a permite descrcarea energiei acumulate de inductivitatea L
s
,
dup ce T
1
a fost comutat n blocare.
n figura 10.16 sunt prezentate formele de und asociate
elementelor schemei din figura 10.15.
Considerm schema la momentul t
1
cnd se d comanda de
conducie a tiristorului T
2.
Condensatorul de stingere este ncrcat cu
polaritatea din figura 10.15 adic cu sarcin negativ spre anodul
tiristorului T
1
(

+
C ).
Curentul prin sarcina va fi asigurat de T
1
i T
2
(
c T s
i i i + =
1
).
Deoarece T
1
este alimentat la V
A
iar T
2
este alimentat la V
A
+ v
c
=2 V
A

(tensiunea de pe condensator se adun cu tensiunea sursei)
s C T
I i i = +
1

curentul
1
T
i iar
C
i astfel nct i
s
= ct (vezi
10.16,b).
Deoarece condensatorul i modific tensiunea n mod oscilant cu
o constant de timp C L
s
=
1
, atunci cnd v
c
=0, curentul i
c
este

306
maxim i egal cu i
c
= I
s
, ceea ce nseamn ca 0
M
i , ( ct i i
T C
= +
1
),
conducnd la blocarea tiristorului T
1
.
n intervalul de timp t2-t3 curentul i
C
i condensatorul se
ncarc, de la surs, cu polaritatea din figura c). Scderea curentului
prin sarcin nu este permis de energia nmagazinata n Ls,
determinnd un curent prin dioda D
2
, astfel nct
s C D
i ct i i = = +
2
.La
momentul t
3
, curentul i
c
s-a anulat (ceea ce nseamn blocarea
tiristorului T
a
iar curentul prin sarcin este meninut numai de energia
inductivitii L
3
i dioda D
2
( ct I i i
s s D
= = =
2
).
n intervalul t
3
-t
4
avem:

ct i
dt
di
L
dt
di
L i R
D
D
s
D
s D s
= = +
2
2 2
2
0 0 .

Comanda tiristorului T
1
trebuie s se fac nainte de epuizarea
energiei nmagazinate n L
s
, pentru ca, curentul i
s
s nu nceap sa
scad (la momentul de timp t
4
).
Tiristorul T
1
asigur n intervalul t
4
-t
5
curentul prin sarcina (i
s
= I
s

= ct) i curentul i
c
de descrcare a energiei nmagazinate in cmpul
magnetic inductivitii L
1
, deci

c s T
i I i + =
1
.

Energia nmagazinata in cmpul inductivitii L
1
se transfera, prin
curentul oscilant i
c
, ctre condensatorul C ncrcndu-l cu polaritate

+
C prin dioda D
1
i tiristorul in conducie T
1
. Anularea curentului i
c

are loc cnd C s-a ncrcat la valoarea V
A
. Relaia de dimensionare a L
1

se determina din corelaia energetic

2
1
2 2
1
2 2
|
|

\
|
= = = =
n
A A
c
n
A
I
V
C L
V
C W
I
L W unde: I
n
= I
s
=ct.
Dup anularea curentului i
c
procesul tranzitoriu de comutare in
conducie a T
1
este ncheiat i acesta rmne in funciune pn la
comanda de blocare a acestuia (adic comanda lui T
2
).
Timpul t
n
minim este stabilit de timpul de ncrcare a C cu sarcina
necesara blocrii T
1
(interval t
4
-t
5
) C L
1
.

307
Timpul t
off
minim este stabilit de comanda de blocare a tiristorului
T
1.
Dac aceasta este t
q
atunci relaia de dimensionare a
condensatorului.


2
C L
t
s
blocare

= , n intervalul t
1
-t
2

C t
C L
t t
s
blocare

2 2
2



Variatorul de tensiune continu cu autotransformator (Jones)

VTC cu autotransformator, din figura 10.17 elimin dezavantajul
VTC cu tiristor auxiliar care impunea a se comanda. (la conectarea
sursei de alimentare) un anumit tiristor din schem.




















Fig. 10.17.

L
s
R
s
D
2
T
1
T
2
D
1
L
2
L
1
+

-

+

-

n
1
n
1
V
A
+

-

V
s

C

308
La comanda T
1
circul curent prin L
s
, R
s
circulaia curentului
prin L
1
face s se induc n L
2
o tensiune electromotoare
V
L2
=
1
2 1
2
L
v
n n
n
+
apare curent de ncrcare prin C stabilind polaritatea

+
C . Circuitul de ncrcare este D
1
, C, T
1
, L
2
. Cnd C s-a ncrcat cu o
tensiune V
a
D
1
se blocheaz.
T
1
formeaz cea mai mare parte a tensiunii V
s
iar T
2
formeaz o
mic poriune, pe intervalul. T
on
= C C L
2
.

Variatorul de tensiune continu cu 4 tiristori auxiliari de stingere

Schema din figura 10.18,a are n componen tiristorii T
2
,..., T
4

, cu ajutorul crora se permite accesul la bornele condensatorului de
stingere C (pentru a-l ncrca cu polaritatea corespunztoare i pentru
a-l conecta pe tiristorul care trebuie stins).














Fig. 10.18 a



T
2
T
4
T
1
T
3
T
5
T
1




Fig. 10.18 b

V
A

T
P
L
1
T
2
T
3
T
5
T
4
D
1
L
s
R
s
+

-

C

V
s


309

Comanda T
2
T
4

+

C prin R
s
L
s
.
Comanda T
p
. Comanda stingere
P
stingereT T T
5 3

+
incarcareC .
Comanda T
1
Comanda stingere T
2
T
4

Graful comenzilor este prezentat n figura 10.18 b.

Variatorul de tensiune continu n mai multe cadrane

n figura 10.19a este prezentat schema de principiu a uni VTC
cu funcionare n 2 cadrane.
Se caracterizeaz prin faptul ca pentru acelai sens al curentului
prin sarcin tensiunea poate fi pozitiv sau negativ, ceea ce nseamn
c funcioneaz n cadranele I i II ale planului (V
s
, I
s
).














a) b)

Fig. 10.19.


Dac se comand ambele contactoare statice CS
1
, CS
2
pentru
alimentarea cu tensiune V
i
a sarcinii n interval de timp T
c
( vezi figura
10.6a) pe sarcina avem tensiune pozitiv.
n intervalul de timp ct ambele contactoare sunt blocate (T-T
c
)
avem regimul de frna al mainii i tensiunea electromotoare E,
furnizat de maina electric, deoarece valoarea acestuia depete
valoarea tensiunii de intrare deschide diodele D
1
,D
2
.
T
c

t
T
-V
i
V
i


310
Polaritatea tensiunii de intrare i sensul curentului prin sarcin se
menin (ca n intervalul T
C
) dar se inverseaz sensul curentului prin
sursa de alimentare, ca n figura 10.19b.

Variatorul de tensiune continu cu armonici reduse

Principiul reducerii armonicilor tensiunii de pe sarcin v
s
a
VTC din figura 10.20, const n reducerea saltului de tensiune de la 0
la V
i
la valori mai mici i anume de la
L
i
V la
V
2
.











Fig. 10.20.

Se presupune c inductivitatea sarcinii este suficient de mare
pentru ca curentul prin sarcin s fie constant n orice interval de timp
I
S
= constant.

a) b)
Fig 10.21.

Cnd se comand CS
1
intensitatea curentului I
11
determin
inducerea unei tensiuni n L
2
cu polaritatea din figur. Tensiunea



311
indus deschide dioda D
2
i curentul se nchide prin D
2
L
S
R
S
, ca n
figura 10.21a, cu respectarea condiiei
I
s
= I
11
+i
D2
= ct

Graful comenzilor este CS1, CS1+CS2, CS2, CS1+CS2, retur la
nceput.
Bobinele L
1
i L
2
sunt cuplate magnetic aa nct cnd circul
curent prin una (L
1
) n cealalt se induce o tensiune electrica =
2
i
V
,
pentru c suma tensiunilor pe cele dou inductiviti trebuie s fie
egal cu tensiunea de alimentare.
S-a notat cu 1 intervalul de timp ct n circuit numai CS
1
este n
conducie, cu 3 cnd numai CS
2
este n conducie i respectiv cu 2
cnd sunt ambele contactoare statice n funciune.
Figurile 10.22a i 10.22b prezint structura variatorului de
tensiune la diferite momente de timp, momente de timp precizate n
figura 10.8b.










a) (2) =(3) i (1) b) (3)

Fig 10.22.
Tensiunea nu se mai modifica de la 0V la V
i
ci de la
2
i
V
la V
i
, ceea
ce nseamn ca va scdea amplitudinea armonicilor tensiunii introduse
de CS in reea.

Contactor static de curent continuu

Contactoarele statice (CS) de curent continuu au rolul de a
ntrerupe i de a restabili un circuit electric, ntr-un timp scurt (de
ordinul microsecundelor).

L
L

312
n figura 10.23 este prezentat un CS cu circuit de stingere RC,
unde T
p
este tiristorul principal care are rolul de a alimenta sarcina
reactiv inductiv R
s,
L
s
.
Circuitul de stingere este realizat de tiristorul secundar T
s

,condensatorul de stingere C
s
i rezistorul R
a
.
n intervalul de conducie (de durat nelimitat) a tiristorului T
p

sarcina este alimentat de la sursa de tensiune V
ak,
iar condensatul C
este conectat ( prin T
p
) cu borna notata (+) la mas. Condensatorul se
ncarc prin R
a
, cu constanta de timp
i
= R
a
C pn la valoarea V
ak
(cu
polaritatea nscris pe figura 10.23)












a) b)
Fig. 10.23.

Comanda tiristorului de stingere T
s
(la momentul aleator t
1
)
conecteaz condensatorul

+
C n paralel cu tiristorul T
p
. Condensatorul
se descarc de la valoarea v
ci
V
a
i se ncarc cu polaritatea invers
pn la valoarea V
CF
= -V
AA
, cu constanta de timp
1
= R
s
C, dup o
curb exponenial

( )
( )
1

t
CI CF CF t c
e V V V V

= .

Curentul prin tiristor continu s circule. Anularea tensiunii
V
ak
=V
c
=0 se face dup un timp t
s
.

( ) . 69 , 0 2 ln 0 C R C R t t V
s s s s c
= = =
Tiristorul T
p
se blocheaz dac tensiunea negativ anod-catod,
dat de condensatorul C
s
, se menine un timp suficient (n catalog
timpul de blocare se noteaz cu t
q
), ceea ce impune relaia



313
s
q
s q s
R
t
C t t 45 , 1
din care se dimensioneaz condensatorul de stingere.
ntreruptorul IP are rolul de a conecta circuitul la sursa de
energie V
a
.
Contactorul static poate fi completat cu un circuit pentru
protecia la supracurent a sarcinii ca in figura 10.24.
Dioda D
n
cu rolul de a menine curentul prin sarcina dup
blocarea ambilor tiristori n scopul epuizrii energiei nmagazinate in
cmpul magnetic al inductivitii L
s
.
Circuitul de protecie este realizat cu grupul de diode D
1
D
k
si
rezistorul R
sc
montat in serie cu tiristorul T
p
. Creterea curentului prin
sarcina determina creterea tensiunii V
sc
= R
sc
*I
s
.



Fig. 10.24.

Rezistorul R
sc
se dimensioneaz aa nct la curentul maxim I
max
,
tensiunea V
sc
(
max
max
I
V V
R V V I R V
GKS D
sc GKS D sc sc
+
= + = ) , s
depeasc pragul de deschidere a diodelor D
1
-D
k

( = k V K V
D D
65 , 0 ) i tensiunea de gril V
GK
la care sa intre in
conducie tiristorul de stingere T
s
.

314
Se monteaz una sau mai multe diode D
1
D
k
in funcie de
mrimea curentului I
max
, n aa fel ca R
sc
s fie de valoare mic (de
ordinul ).
Schema a fost prevzut i cu elemente de comand a opririi
(butonul B0 care alimenteaz grila tiristorului de stingere) i elemente
pentru conectarea sarcinii (butonul BP- care alimenteaz grila
tiristorului principal T
p
prin R
a
si rezistorul de protecie la supracurent
R
1
).
De notat c dup ntreruperea curentului prin sarcin (prin
apsarea butonului de oprire B0, sau dup aciunea circuitului de
protecie) circuitul nu alimenteaz sarcina prin simpla apsare a
butonului de pornire BP. Se impune ca mai nti schema s fie scoasa
de sub tensiune, pentru scurt timp, prin acionarea ntreruptorului de
pornire IP.
Tiristorul T
s
nu iese din conducie de la sine, dup anularea
curentului prin sarcina, deoarece
rmne conectat la sursa de alimentare prin rezistorul R
a
.
Anularea curentului prin T
s
se face numai prin acionarea
ntreruptorului IP.
n figura 10.25 se prezint un CS care elimin acest dezavantaj
privind repornirea . De notat c poate fi un dezavantaj dar n anumite
aplicaii se impune ca schema de alimentare s nu porneasc fr
comand la revenirea tensiunii de alimentare.











Fig. 10.25.

Apsarea butonului de pornire BP determin alimentarea grilei T
p

prin rezistorul R
a
i conectarea la surs a sarcinii.


315
Apsarea butonului de oprire BO conecteaz borna ncrcat cu
sarcin negativ pe anodul tiristorului T
p
i determin ieirea din
conducie a acestui tiristor.
Timpul de apsare BO trebuie s fie mai mare dect timpul de blocare
t
q
al tiristorului (aa cum se ndeplinete totdeauna deoarece t
q
este de
ordinul s).
Circuitul nu permite implementarea montajului de protecie la
supracurent pentru c nu poate fi separat de sursa de alimentare
(potenialul pe R
s
ar fi R
sc
I
max
, iar potenialul pe catodul diodelor ar fi
V
a
- conectate la borna dinspre sursa a BO motiv pentru care diodele
nu vor intra niciodat n conducie).

10.4. Invertoare

Invertoarele sunt circuite electronice avnd rolul de a converti
tensiunea de curent continuu, aplicat la intrare, ntr-o tensiune
variabil n timp (de form dreptunghiular sau sinusoidal) pe care o
furnizeaz sarcinii.


Caracteristici ale comutatoarelor din componena invertoarelor

Tensiunea de intrare a invertorului fiind de curent continuu, se
impune ca ntreruptoarele s fie comandate att pentru intrarea n
conducie ct i pentru blocarea curentului.
Se pot utiliza pentru diferite domenii, ce pot fi vizualizate n
figura 10.26, dispozitivele electronice expuse n continuare.
- tranzistori bipolari (TBP), pentru f < 50 kHz
1200V V 1200A I
CEmax Cmax
= = ;
- tranzistori MOS-FET pentru f < 200 kHz
600V V 100A I
DSmax Dmax
= = ;
- tiristori convenionali, prevzui cu circuite auxiliare care s
determine ieirea comandat din conducie, pentru f < 500Hz
6000V V 5000A I
AKmax Amax
= = ;
- tiristori GTO, pentru f < 2 kHz
5000V V 4000A I
AKmax Amax
= = ;
- tiristori I.G.B.T pentru f < 20 kHz
3300V V 1200A I
AKmax Amax
= = ;
- tranzistori Darlington cu domeniul stabilit de TBP.

316



















Invertoarele de tensiune necesit comutatoare (vezi figura 10.27a)
care s accepte:
- numai tensiuni V
AK
> 0;
- cureni in ambele sensuri I
A
<> 0.
Invertoarele de curent necesit comutatoare (vezi figura 10.27b) care
s accepte:
- tensiuni V
AK
<> 0;
- cureni I
A
> 0.













V
AK
<>0


K
1
K
1
V
AK
>0
A

I
A








A








I
A

a) b)
Fig. 10.27.
5000

4000




1200
800



100


600 1200 3300 5300 6000
I
A
[A]
V
AK
[V]

MOS(200KHz
TBP (50KHz)
IGBT

(20KHz
GTO (2KHz)
Tiristor conventional (SCR)
Fig. 10.26.

317
Clasificarea invertoarelor
A. Dup sursa de alimentare a invertorului acestea pot fi:
- invertorul de tensiune se alimenteaz, ca n figura 10.28a,
de la o surs de tensiune (caracterizat prin valoarea mic a rezistenei
interne). Au rolul de a comuta tensiuneatensiunea pe sarcin este
determinat de invertor, iar curentul prin sarcin este determinat de
natura acesteia. Curentul prin condensator are orice sens, dar
tensiunea este numai pozitiv.
- invertorul de curent este alimentat, ca n figura 10.28b, de
la o surs de curent (rezistenta intern foarte mare) astfel nct
invertorul are rolul de a comuta un curent. Tensiunea pe sarcina este
data de natura sarcinii. Curentul prin condensator circula intr-un singur
sens, dar tensiunea poate fi pozitiv sau negativ.











Bateria de acumulatori este o surs de tensiune, pentru c
0 i 0, v
A A
<> > , ceea ce nseamn c se utilizeaz la alimentarea
invertoarelor de tensiune. Bateria de acumulatori este o surs de
tensiune dar poate alimenta invertoarele de curent dac conectm n
serie o inductivitate L, ca n figura 10.29b, care va simula o surs de
curent.







Circuitul de redresare prevzut cu condensator de filtraj este o
sursa de curent, deci poate alimenta invertoare de curent ca n figura
10.30. Circuitul de redresare poate alimenta un invertor de tensiune
dt
di
L E u
E U
dt
di
L e u e
A
A
A
A
k A
=
= + = +



INV.
DE
CURENT
INV.
DE
TENS.
I
A
V
A
e
k
L i
A
e
k
u
A
e
a) b)
Fig. 10.28.

318
dac se poate schimba sensul curentului. Pentru aceasta se conecteaz
redresorul la un circuit de inversare a curentului, spre exemplu prin
intermediul celor patru tiristori din figura 10.29.








0 v 0, i
A A
<> >















Redresorul furnizeaz I
AR
> 0 , dar curentul absorbit de
invertorul de tensiune poate fi i
A+
sau i
A-.

Se pot folosi doua redresoare: unul pe V
+
si altul pe V
-
, cu punct
de nul.
Not: Invertorul de tensiune alimenteaz receptoare de curent, iar
invertorul de curent alimenteaz receptoare de tensiune . Sursa i
receptorul trebuie s fie diferite unul de curent i cellalt de tensiune.

B. Dup modul de comand al comutatorului invertorul poate fi
comandat
- cu und plin;
- cu impulsuri modulate n lime.
C. Dup numrul de faze utilizate de invertor acesta poate fi



REDR.
INV.
DE
CUREN
L
A
i
A
C V
A
Fig. 10.29.


L
A
I
AR
I
A+


I
A-
~
REDR
.
INV.
DE
TEN
C
T
1+


T
1-

T
2+

T
2-
Fig. 10.30.

319
- monofazat;
- trifazat (i uneori cu mai mult de trei faze).
D. Dup forma semnalului de pe sarcin invertorul poate fi:
- cu semnal dreptunghiular;
- cu semnal dreptunghiular modulat n durat;
- cu semnal triunghiular (sintetizat sau nu).

Invertorul paralel (de tip Wagner)

Invertorul Wagner, a crui schem de principiu este n figura
10.31, este un invertor cu tensiune de ieire dreptunghiular. Sarcina
Z
S
este cuplat la invertorul propriu zis prin transformatorul TR.
Inductivitatea L
f
are o valoare suficient de mare pentru ca s se
opun variaiilor curentului absorbit, cu alte cuvinte are rolul de a
menine constant curentul n circuit.

















La comanda tiristorului T
1
, curentul n circuitul se nchide prin L
f
L
1
T
1

i datorit faptului c L
1
este cuplat magnetic cu L
2
,n L
2
se induce o
tensiune egal cu tensiunea de alimentare V
CC
C se ncarc
rezonant de la L
1
i L
2
la tensiunea maxim
v
C
=
CC CC CC L L
2V V V V V
2 1
= + = + .
Curentul i tensiunea ntr-un circuit rezonant RLC se modific
sinusoidal, aa fel c atunci cnd se anuleaz curentul tensiunea pe
condensator va fi maxim (egal cu 2 V
CC
). Anularea curentului n
V
L


Z
S
L
f
+
V
C
C

- + - +
L
1
L
2

- +
C
T
1


T
2

Fig. 10.31.

320
circuit, nseamn anularea curentului anodic al tiristorului T
1
, n acel
punct se blocheaz (natural) T
1
. Valoarea maxim a timpului de
conducie a tiristorului T
1
este ) L C(L t
2 1 max C
1
+ = , adic o
semialternan a curentului.
Dac T
2
este comandat nainte de t
C!max
condensatorul C se
conecteaz cu borna (-) pe T
1
i determina stingerea acestuia (ieirea
din conducie prin anularea curentului). De notat c valoarea tensiunii
inverse aplicate pe AT
1
este maxim la t
C!max
, altfel tensiunea va fi mai
mic.
Formele de und asociate sunt prezentate n figura 10.32,
corespunztoare tensiunii de pe tiristor V
AK2
i tensiunii V
L
de pe
sarcin.






















La comanda tiristorului T
2
curentul se nchide pe calea L
f
L
2
T
2

ceea ce face ca polaritatea tensiunii pe condensator s se inverseze.
Similar primului interval de timp avem valoarea maxim

C L L t
C
) (
2 1 max
2
+ = .
cda T
2
V
AK2

2V
CC

-2V
CC


V

1
C
t
2
C
t
Fig. 10.32.

321

Curentul n primarul transformatorului are sensuri diferite n cele
dou intervale de timp, rezult c n secundarul transformatorului se va
induce o tensiune V
L
, cu o polaritate n primul interval de timp i cu
polaritatea opus n cel de al doilea interval, ca n figura 10.33.

Invertorul cu aproximarea prin segmente a sinusoidei

n scopul reducerii distorsiunilor curentului absorbit de invertor
din linia de alimentare, se impune ca forma acestuia s fie ct mai
apropiat de o sinusoid.
Pentru c o form de und sinusoidal nu se obine dect n cazul
circuitelor aflate la rezonan, se recurge (uneori ) la aproximarea
sinusoidei cu segmente de dreapt.


















Spre exemplu dac se utilizeaz 3 nivele de tensiune notate cu V
a
,
V
b
, V
c
sinusoida V
2
poate fi aproximat ca n figura 10.33.
Daca raportul ntre segmente este
0,735
V
V
0,265,
V
V
c
b
c
a
= = ,
atunci forma de und din figura 10.33 se descompune ntr-o sum de
termeni sinusoidali de diferite frecvene (conform dezvoltrii n serie
Fourier)
t
T
V
2
V
V
V
c
V
c

V
V
a
-Va
-Vb
-Vc -
Vc
-Vb
-Va
Fig. 10.33

322


V ...
23
1
13
1
11
1
1 , V
...
23
t sin23
13
t sin13
11
t sin11
t sin V 2 V
2 2 2
2ef
2
+ + + +

+ + + + =

unde V
2
este tensiunea aproximat cu cele trei segmente, de valoare
efectiv V
2ef
.

Tensiunea V
2
are n componen fundamentala de frecven
f
T
f 2 ,
1
= = iar prima armonic se are frecvena 11f i amplitudinea
de 11 ori mai mic dect fundamentala.
n figura 10.35 este prezentat un circuit care implementeaz invertorul
cu aproximare prin trei segmente a sinusoidei.

















Circuitul primar al transformatorului conine un invertor Wagner
sau Murray care determin o form de und dreptunghiular. Numrul
se spire din fiecare secundar este aa fel nct la aceeai valoare a
tensiunii din primar n fiecare circuit secundar s se obin respectiv
tensiunile V
a
, V
b
, V
c.
Contactoarele statice din fiecare seciune
secundar sunt comandate pentru a obine forma de und din figura
10.34, astfel
INV.
paralel
+
-
V
CC

T
1
T
4
T
5
T
T
6
T
3
V
a
V
b
V
c
L
2
C
2
C
2
L
s
R
s

V
s
Fig. 10.34.

323

T
1
-T
2
-T
3
-T
3
-T
2
-T
1
-pauz-T
4
- T
5
-T
6
-T
6
-T
5
-T
4
- pauz

i se repet programul de comand.
Circuitul L
2
, C
2
realizeaz un filtru trece jos pentru frecvene mai
mici de 11f.

Invertorul cu sarcina RLC la rezonan

Sarcina rezistiv - inductiv RL
s
este completat cu condensatorul
C
0
de acord aa ca circuitul de sarcin s formeze un circuit oscilant
RLC serie cu frecvena de oscilaie
0 s
C L 2
1
f = .















Se impune ca
S 0
L C
X X > astfel nct Z
S
=R
S
+j(X
L
-X
C
) sa aib
component capacitiv, ca n figura 10.35, pentru ca curentul prin
sarcin s fie naintea tensiunii cu un mic unghi .








D
4
D
3
i
J
L
f
C
f
V
CC
D
1
D
2
T
1
T
2
C
0
L
S
R
S
V
d
T
4
T
3
Fig. 10.35.
i
d
v
d
-V
CC
+V
CC
Fig. 10.36.

324
n aceste condiii tensiunea este negativ atunci cnd i
d
=0,
tiristorul va avea o tensiune V
AK
<0 un timp t
i
=
q
0
t

>

calculat aa ca s
fie mai mare ca timpul necesar ieirii din conducie a tiristorului
(evacurii sarcinii stocate).
Se comand simultan T
1
T
3
i T
2
T
4
.
Diodele intr n conducie n intervalul de timp asociat defazajului
pentru c s-a schimbat sensul curentului, tiristorul nu permite
circulaia curentului i condensatorul trebuie s schimbe polaritatea
tensiunii. Frecventa maxim de comanda este limitat de timpul de
blocare al tiristorului. Se adopt (t
i
=1,2t
q
+5us)


q q i
m i n i 0 max
5t
1
5) 4(1,2t
1
4t
1
f t 2 t
2

+
= = = = = .


Invertorul de curent monofazat cu semnal de ieire
dreptunghiular

Sursa de alimentare avnd n componen inductivitatea L
A
de
valoare mare este o surs de curent ceea ce face ca curentul furnizat de
surs este constant: I
A
= constant. Schema de principiu a invertorului
de curent, fr precizarea tipului de dispozitiv semiconductor utilizat,
este prezentat n figura 10.37.
















L
A
I
A
= ct
E
V
A

K
1





K
2
K
3





K
4
i
S
Z
S
V
S
Fig. 10.37.

325




























Curentul fiind impus de surscomutatoarele au rolul de a
schimba sensul curentului prin sarcinse comut simultan K
1
, K
4
si
respectiv K
3
, K
2
. Tensiunea pe sarcin depinde de natura acesteia, n
figura 10.38 fiind prezentate forma de und a tensiunii pentru diferite
tipuri de sarcin (R, R+L, R+C).
Se constat c n momentul comutaiei ( ) ,2..... 0, tensiunea pe
comutator
|

\
|
>

= + = 0
2
v v
v 2v v v
S A
AK AK S A
este pozitiv motiv pentru care se
impune ca schema s conin comutatoare care s se blocheze prin
i
S

+I
S



-
I
S


v
S
+V
A



-V
A


v
S





v
S
2 3
Z=R
S
Z=R
S
; L
S
Z=R
S
; C
S


t
t
t
t
t
t
t
t
Fig. 10.38

326
comand extern, sau schema s fie completat cu elemente care s
determine blocarea comutatorului.


Modularea n durat a impulsurilor de comand (PWM)

Modularea n impulsuri (MDI sau PWM) permite:
- modificarea valorii efective a fundamentalei;
- modificarea frecventei fundamentalei;
- transferarea armonicilor la frecvene mari (mai uor de
filtrat).
Semnalele de comanda sunt declanate de intersecia dintre:
- o form de und v
o
de aceiai form cu unda dorit la ieire, cu
frecventa f
o
i amplitudinea 0 u ;
- o forma de unda triunghiulara v
p
de referina (sau purttoare),
caracterizat prin amplitudinea p u i frecvena f
p
.
Se definesc parametrii MID:
o
p
f
f
m = - gradul de modulaie
p o
p
o
mT T
m
f
f = =
p
o
u
u
r = - coeficientul de reglaj al tensiunii
p o
rU U =
Modularea este:
- sincron dac
o p
mf f N m =
- asincron dac R m cel mai utilizat caz este cu
variabil f si const f
o p
= =
Comanda valorii efective a tensiunii pe sarcina se face prin
modificarea lui r iar comanda frecventei tensiunii pe sarcina se face
prin modificarea lui m .











327
Teste de autoevaluare C (capitolele 8, 9 i 10)

1. Stabilizatorul are rolul de a
a) menine constant tensiunea continu
b) menine constant tensiunea alternativ
c) valoarea curentului prin sarcin
2. Elementul de reglaj al stabilizatorului poate fi conectat
a) n serie cu sarcina
b) n paralel cu sarcina
c) mixt
3. Amplificatorul de eroare dintr-un ST prelucreaz
a) tensiunea de intrare
b) tensiunea de ieire
c) curentul de intrare
4. Circuitele de protecie ale ST protejeaz
a) sarcina
b) reeaua de alimentare
c) elementul de comand
5. Oscilatorul genereaz semnale
a) dreptunghiulare
b) sinusoidale
c) n dinte de fierstru
6. Un amplificator genereaz oscilaii dac are o reea de reacie
a) pozitiv
b) negativ
c) nu conteaz
7. Frecvena de oscilaie pentru un oscilator RC este
a)
RC
f
2
6
=
b)
RC
f
6 2
1

=
8. Cristalul de cuar are un numr de frecvene de rezonan
a) 1
b) 2
c) 3
9. Redresorul trifazat monoalternan determin armonici
semnificative n domeniul
a) [150,600] Hz
b) [100,600] Hz

328
c) nu genereaz armonici
10. Controlul de faz se refer la modificarea
a) unghiului de conducie al dispozitivelor
b) sarcinii redresorului
c) a formei de unda a tensiunii
11. Contactoarele statice au rol de
a) ntreruptor
b) generator de electroni
c) de a controla sursa de semnal
12. Precizai rolul elementelor reactive de circuit din componena
variatoarelor de tensiune continu
a) de stingere a tiristorilor
b) de protecie
c) acumulatoare de energie
13. Invertorul
a) inverseaz polaritatea tensiunii
b) convertete energia de c.c. n energie de c.a.
c) inverseaz fluxul de putere
14. Invertorul de curent alimenteaz
a) motoare de c.c.
b) receptoare de tensiune
c) receptoare de curent
15. Generarea tensiunilor sinusoidale la ieirea invertorului se face
a) prin aproximare
b) prin PWM
c) prin acordarea sarcinii


Soluiile testelor de autoevaluare


Teste C 1. a ; 2. a,b ; 3. b ; 4. a,c ; 5. a,b,c ; 6. b ; 7. a,b ; 8. b ; 9. a ;
10. a ; 11. a ; 12. a,c ; 13. b,c ; 14. b ; 15. a,b,c .








329
CUPRINS

Modulul C

8. Stabilizatoare liniare de tensiune continu
8.1. Parametrii stabilizatoarelor (ST)
8.2. Topologia stabilizatoarelor liniare
8.3. ST n bucl deschis cu element de comand serie
8.4. ST n bucl deschis cu element de reglaj paralel
8.5. ST n bucl nchis de reacie, element de reglaj serie
8.6. ST cu tranzistori bipolari n bucl nchis de reacie
8.7. Circuite pentru protecia stabilizatoarelor
8.8. Stabilizatoare cu circuite integrate

9. Oscilatoare electronice
9.1. Principii de realizare a oscilatoarelor cu reacie pozitiv
9.2. Oscilatoare armonice cu reacie pozitiv de tipul RC
9.3. Oscilatoare armonice LC

10. Circuite electronice de putere
10.1. Redresoare de putere
10.2. Variatoare de tensiune alternativ
10.3. Variatoare de tensiune continu
10.4. Invertoare

Teste de autoevaluare C

Soluiile testelor









225
225
228
231
233
234
238
243
248

261
262
265
276

283
283
295
303
315

327

328






330