DIODA SEMICONDUCTOARE

1. Scopul lucr rii - Ridicarea caracteristicilor i determinarea principalilor parametrii ai diodelor semiconductoare; studiul comport rii diodei semiconductoare n circuite elementare. 2. Caracteristica static , curent-tensiune, teoretic a unei diode semiconductoare dedus prin analiza fenomenelor fizice ntr-o jonc ioune PN ideal ce au loc la aplicarea unei tensiuni din exterior
este dat de legea: i A ! I 0 (e
qu A KkT

 1) (1.1)

n aceast rela ie reprezentat grafic n fig.1.1, I 0 este curentul de satura ie al diodei dat de expresia : I 0 ! qni2 (

Dp Lp ND

Dn ) S (1.2), i este dependent de parametrii fizici i tehnologici ai Ln N

jonc iunii PN (suprafa a jonc iunii, S , concentra ia intrinsec de purt tori ni , coeficien ii de difuzie

D p , Dn , lungimile de difuzie L p , Ln , ale purt torilor de sarcin , precum i concentra iile de

impurit i, D , A ), iar 1 K 2 , un coeficient cu valori mai apropiate de 1 pentru Ge, i mai apropiate de 2 pentru Si, care rezult din considerarea efectului de recombinare din zona de sarcin spa ial la tensiuni de polarizare directe mici (efect cu importan la diodele cu Si la temperatura camerei.
iA (mA) 100 10 5 0.2 0.4 0.6 I0 uA (V) 10 1 lgiA (uA 0.2 0.4 0.6 uA (V) iA(mA)

fig.1.1

I0

fig.1.2

n func ie de suprafa a jonc iunii PN, la rndul ei, dependent de curentul maxim pe care trebuie s -l accepte dioda n conduc ie direct , curentul de satura ie I 0 , are, la temperatura camerei, valori de ordinul de m rime, 1 z10 QA, pentru diodele din Ge i 1 z100 mA pentru diodele din Si. La curen i direc i de ordinul 1 z10 mA (valori des ntlnite n practic ) tensiunea direct pe diod este de 0.2 0.3 V pentru diodele din Ge respectiv 0.6-0.8 V pentru diodele din Si. 3. Cele dou m rimi, I 0 i K , se determin prin reprezentarea ecua iei diodei semiconductoare la scar semilogaritmic (ca n fig.1.2 unde pe abscis se reprezint tensiunea aplicat pentru conduc ie direct la scar liniar i pe vertical curentul pe diod n scar logaritmic ). Panta dreptei astfel ob inute permite deducerea coeficientului K . (De remarcat faptul c forma exponen ial a cracteristicii directe se p streaz ntr-un interval mare de valori ale curentului) cu rela ia : K !

puternic , nregistrndu-se a dublare a curentului de satura ie la fiecare 10 0C pentru diode din Ge respectiv la fiecare 6 0C pentru diodele din Si. Aceast depeden poate fi pus n eviden i prin coeficientul de varia ie a tensiunii directe de pe diod cu temperatura, la curent constant. Teoretic acest curent este de circa 2 mV / 0C, pentru ambele tipuri de material utilizate curent pentru realizarea diodelor semiconductoare.

q 1 (u A (1.3). Prin prelungirera acelea i drepte, la intersec ia cu axa ordonatei se KT 2.3 ( lg i A ob ine curentul de satura ie I 0 . 4. Dependen a de temperatur a caracteristicii statice a unei diode semiconductioare este foarte

5. La polarizare invers , conform ecua ie teoretice 1.1, curentul este constant i egal cu - I 0 . Dar pentru tensiuni inverse aplicate diodei, regiunea de sarcin spa ial se m re te i apare un curent de generare, dependent de tensiunea aplicat , cu valori relative importante pentru diodele de Si (n fig.1.1 contribu ia acestui curent la cracteristica diodei a fost reprezentat punctat). La tensiuni de polarizare invers mai mari, datorit fenomenului Zener, i fenomenului de multiplicare n avalan (predominant de obicei), curentul invers cre te, valoare lui fiind limitat numai de circuitul exterior. Tensiunile de str pungere, la care apare aceast cre tere a curentului, sunt dependente de natura materialului semiconductor, din care este realizat dispozitivul, precum i de concentra iile de impurit i, fiind cu att mai mici cu ct concentra iile de impurit i sunt mai mari. 6. La tensiuni directe mari caracteristica static tinde s se liniarizeze, datorit c derilor de tensiune pe zonele neutre ale jonc iunii PN, care nu mai pot fi neglijabile. 7. n circuitele electronice, diodele semiconductoare pot indeplini mai multe func iuni (redresare, detec ie, limitare, etc.) n multe situa ii fiind necesar stabilirea unui regim static de func ionare. Pentru circuitul elementar din fig.1.3 punctul static de func ionare se determin prin rezolvarea grafoanalitic a sistemului de ecua ii format din ecua ia caracteristicii statice a diodei (1.1) i ecua ia
iA iA uA E R IA UA E uA

--

fig.1.4 fig.1.3 dreptei statice de func ionare : u A ! E  R i A (1.4) Punctul static de func ionare M are coordonatele M (U A , I A ) , iar n acest punct de
func ionare dioda este caracterizat din punct de vedere al semnalelor lent variabile (ce pot fi aplizate in serie cu tensiunea continu E ) printr-o rezisten dinamic , pentru care se deduce rela ia :

rd ! K

qI A

(1.5).

Rezistenta dinamic rd se determin experimental prin calculul pantei caractristicii statice, n punctul static de func ionare M conform rela iei : rd !
iA -UZ UZ M -IZ

IZ

(u A (i A

(1.6).
M

uA

8. Diodele stabilizatoare de tensiune (impropriu dar frecvent denumite diode Zener) sunt caracterizate printr-o tensiune de str pungere bine definit (datorit efectului de multiplicare n avalan care determin o cre tere foarte puternic a curentului invers n zona de str pungere), controlat prin concentra ia de impurit i, func ionarea normal a diodei fiind n aceast zon . fig..1.5 n care este reprezentat caracteristica static , att cea direct ct i cea invers , penrmite n elegerea no iunii de tensiune stabilizat , U Z ,
precum i determinarea rezistentei dinamice a diodei, rZ , conform

fig.1.5

rela iei: rZ !

(U Z (I Z

(1.7).
I Z ! ct .

DESF

URAREA LUCR RII

1. Se identific montajul din fig.1.6 n care se folose te o schem electric ajut oare ca surs de curent reglabil cu ajutorul poten iometrului P . Alimentat n curent continuu ntre bornele 3 (+5 V) i 2 (mas ), circuitul furnizeaz la borna 7 un curent reglabil ntre 0z50 mA, iar la borna 8 un curent de maximum 500 mA, ambele nchizndu-se spre borna comun de mas (borna 2). 2. Se ridic caracteristicile statice la polarizarea direct pentru diodele D1 - EFR 136 (diod
3

R
9 4 5 6 10

D1

D2 D3 R

fig.1.6

redresoare din Ge) cu curen i cuprin i ntre 0,5z500 mA (borna 4 reprezint anodul), D2 -BA 243 (dioad din Si, de uz general, de putere mic ) cu curen i n domeniul 0,1z 50 mA (borna 5 este anodul) i D3 BZX 85 C7V5 (dioad stabilizatoare de tensiune) cu curen i n domeniul 0,1z20 mA (anodul este borna 6). Ridicarea caracteristicilor directe se face cu montajul din fig.1.7; curentul prin diod se m soar cu un miliampermetru, pe o scar corespunztoare de curen i, iar tensiunea la bornele diodei cu un volmetru electronic (de preferin voltmetru numeric). Curentul se va regla la valori pentru care se poate face o reprezentare comod la scar logaritmic adic multiplii i submultiplii zecimali ai numerelor 1,2 i r (ai c ror logaritmi zecimali sunt, aproximativ, 0, 0.3 respectiv 0.7). Pentru dioda EFR 136 se va folosi borna 8 a generatorului pentru curen i mai mari de 50 mA iar pentru celelalte cazuri se va folosi numai borna 7 a generatorului de curent. Rezultatele m sur torilor se vor trece ntr-un tabel. 2.a La curentul I A = 5 mA se nc lze te (cu mna sau prin apropierea unui ciocan de lipit nc lzit) dioda BA 243 i se constat , calitativ, modificarea tensiunii directe pe diod . 3. Se traseaz caracteristicile statice ale celor trei diode la scar semilogaritmic (ca n fig.1.2) i se determin parametrii I 0 i K (care se vor trece ntr-un tabel).

4. Se vor trasa cele trei caracteristici la scar liniar pe un acela i grafic, pe hrtie milimetric (numai n domeniul de curen i comun diodelor). Pentru BA 243 se va trasa i dreapta static de func ionare (ecua ia 1.4, cu E = 5 V i R =820 ;) i se va determina punctul static de func ionare M (rpin precizarea coordonatelor sale, U A i I A ). n punctul static de func ionare astfel stabilit, se va determina, grafic, rezisten a dinamic (cu rela ia 1.6); se va calcula i valoarea teoretic a rezisten ei
dinamice cu formula 1.5 n care

k = 26 mV, K are valoarea dedus la punctul anterior iar I A are q

-I

DZ

fig.1.7

fig.1.8

fig.1.9

valoarea din punctul de func ionare i se vor compara rezultatele. 5. Se realizeaz circuitul din fig.1.3 pentru dioda BA 243 cu E = 5 V i R =820 ; i se m soar m rimile caracteristice punctului static de func ionare, U A (cu voltmetru numeric) i I A (cu un miliampermetru montat n serie cu dioda) i se compar cu rezultatele ob inute prin metoda grafoanalitic , la punctul precedent.

R D

--

--

Se repet m sur toarile privind punctul static de func ionare pentru dioda EFR 136 cu E = 5 V. Se compar cu rezultatele ob inute cu dioda BA 243 in acelea i condi ii. 6. Cu montajul din fig.1.8 se m soar curentul invers prin diodele EFR 136 i BA 243 la tensiunile E = 0, -5 V, -10 V, -20 V. 7. Se m soar caracteristica invers a diodei stabilizatoare de tensiune BZX 85 C7V5 cu montajul din fig.1.9, pentru curen i ntre 0.1 mA i 20 mA. Pentru aceasta, generatorul de curent se alimenteaz cu +15 V (la borna 3), bornele 7 i 1 se conecteaz mpreun printr-un miliampermetru iar tensiunea se m soar cu un voltmetru electronic (numeric) (bornele 2 i 6 sunt i ele cuplate). Se traseaz caracteristica invers a diodei stabilizatoare la scar liniar pe un grafic pe care se traseaz , spre compara ie i caracteristica direct . n punctul static de func ionare caracterizat prin I Z = 10 mA, se determin rezisten a dinamic , m surnd tensiunea pe diod la curen ii: I Z = 5 mA i I Z = 15 mA. 8. Se vizualizeaz , pe caracterograf, caracteristicile directe ale diodelor semiconductoare i caracteristica invers a diodei stabilizatoare de tensiune. 9. Referatul va con ine : schemele de principiu pentru ridicarea carcateristicilor directe i inverse ale diodelor, tabelele cu rezultatele m sur torilor, graficele i determin rile f cute pe baza acestora, precum i compararrea lor cu rezulatatele teoretice.