L1

DIODE
SEMICONDUCTOARE

Scopul lucrării

1. Evidenţierea caracteristicilor statice a două din cele mai utilizate tipuri de

diode: dioda redresoare şi dioda stabilizatoare.
2. Evidenţierea şi studiul unor aplicaţii elementare corespunzătoare acestor
tipuri de diode.

Breviar teoretic

Joncţiunea p-n reprezintă elementul structural principal al diodelor

semiconductoare p-n. Ȋn regim staţionar, dependenţa teoretică a curentului prin
joncţiune de tensiunea aplicată acesteia VA este dată de cunoscuta ecuaţie a lui Shockley:
  q  VA  
I A = I 0  exp   − 1 (1.1)
  k T  
unde I0 reprezintă curentul de saturaţie al joncţiunii p-n, k este constanta lui Boltzman, T
este temperatura mediului şi q este sarcina electronului.
Reprezentarea grafică a relaţiei (1.1), prezentată ȋn figura 1.1, este caracteristica
statică ideală a joncţiunii p-n.

Figura 1.1. Caracteristica statică ideală a unei joncţiuni p-n

 • Ȋn caracteristica statică reală a joncţiunii p-n apar abateri faţă de caracteristica
statică ideală atât ȋn polarizare directă, cât şi ȋn polarizare inversă. Caracteristica statică
reală a unei joncţiuni p-n corespunzătoare unor nivele moderate de polarizare este
prezentată, comparativ cu caracteristica ideală, ȋn figura 1.2.

Abaterea caracteristicii statice reale pentru nivele moderate de polarizare directă

poate fi modelată prin introducerea unui coeficient m ȋn ecuaţia lui Shockley:
  q  VA  
I A = I 0  exp   − 1 , m  1, 2 (1.2)
  m  k T  
Modelarea abaterilor caracteristicii reale faţă de cea ideală la nivele mari de
polarizare directă se poate face prin ȋncorporarea efectului rezistenţei serie a structurii
p-n ȋn relaţia (1.2):
k T  I + I0 
VF = m   ln  F  + RS  I F (1.3)
q  I0 
La nivele mari ale polarizării inverse apare fenomenul de străpungere al joncţiunii
p-n ce constă ȋn creşterea bruscă şi puternică a curentului prin joncţiune atunci când
tensiunea aplicată depăşeste o anumită valoare, notată cu VBR şi numită tensiune de
străpungere.
Principalele fenomene fizice ce stau la baza străpungerii joncţiunii p-n sunt:
• generarea interbandă, ȋn perechi, a purtătorilor de sarcină prin impact,
• efetul de tunel,
• generarea termică a perechilor electron-gol.
Primele două fenomene se datorează câmpului electric de valori mari, de peste
10 V/m, din regiunea de trecere, iar cel de-al treilea este legat de creşterea puterii
7

disipate urmată de creşterea temperaturii ȋn anumite puncte din structura joncţiunii.

Reprezentarea străpungerii joncţiunii p-n, pe caracteristica statică, prin cele trei
mecanisme este ilustrată ȋn figura 1.3.

Pentru joncţiunile p-n ce au concentraţii de impurităţi mai mici de 1018cm-3,

străpungerea joncţiunii p-n este determinată de fenomenul de generare interbandă prin
impact, ȋn perechi, a purtătorilor de sarcină ȋn regiunea de trecere. Acest tip de
străpungere poartă demunirea de străpungere prin multiplicare ȋn avalanşă a
purtătorilor de sarcină. Diodele redresoare, studiate ȋn această lucrare, se străpung prin
multiplicare în avalanşă.

Figura 1.2. Caracteristica statică reală a unei joncţiuni p-n

 Figura 1.3. Străpungerea joncţiunii p-n prin: a) multiplicare ȋn avalanşă;
b) efect tunel; c) efect termic

Modelarea acestui fenomen se realizează prin introducerea ȋn ecuaţia lui

Shockley a factorului de multiplicare ȋn avalanşă M:
  q  VR  
I R = M  I 0  1 − exp  − 
  k  T 
(1.4)
1
M= , n   4,6
1 − (VR VBR )
n

Pentru concentraţii mari de impurităţii (>1018cm-3) lărgimea regiunii de sarcină

spaţială scade iar valoarea maximă a intensităţii câmpului electric ȋn polarizare inversă
creşte, putând atinge valoari de ordinul 5  107 V/m , astfel ȋncât curentul invers creşte
foarte mult pentru tensiuni inverse mai mici. Când concentraţiile de impurităţi sunt
suficient de mari pentru ca tensiunea la care are loc străpungerea joncţiunii să fie mai
mică de 7...6 V, un alt fenomen fizic devine responsabil de creşterea puternică a
curentului invers şi anume efectul de tunel. Trebuie subliniat faptul că, spre deosebire de
fenomenul de generare interbandă prin impact, fenomenul de efect de tunel nu este un
proces regenerativ. Regiunea de străpungere a caracteristicii statice inverse, unde
tensiunea este practic independentă de valoarea curentului, se numeşte şi regiune de
stabilizare.

Ȋn regim dinamic de semnal mic ( Va  m VT ) circuitul echivalent corespunzător

fenomenelor fizice din regiunile active şi de sarcină spaţială ale joncţiunii p-n este
format dintr-o rezistenţă internă Ri (care ţine seama de efectele staţionare ale tuturor
componentelor curentului) şi o capacitate Cj = Cd + Cb (Cd- capacitate de difuzie, Cb-
capacitate de barieră), toate conectate ȋn paralel. Ȋn funcţie de polarizarea ȋn curent
continuu a joncţiunii p-n acest circuit echivalent capătă forme particulare. Figura 1.4
prezintă aceste forme particulare pentru o joncţiune cu concentraţii de impurităţi
moderate. Ȋn cazul joncţiunilor p-n cu concentraţii mari de impurităţi, joncţiuni ce intră
ȋn componenţa diodelor Zener, circuitul echivalent de semnal mic ȋn polarizare inversă
este diferit de cel prezentat ȋn figura 1.4 ȋn sensul prezenţei unei rezistenţe rz plasată ȋn
paralel cu capacitatea Cb.
 Figura 1.4. Circuitul echivalent de semnal mic ȋn regim nestaţionar
corespunzător structurii active a joncţiunii

• Joncţiunea p-n ȋn regim cvasistaţionar de semnal mare este un element neliniar,

caracterizat prin conducţia curentului practic numai ȋntr-un singur sens. Modelarea
comportării joncţiunii ȋn acest caz se realizează, ȋn mod uzual, prin aproximarea
caracteristicii statice prin două segmente de dreaptă. Tensiunea la care are loc
ȋmbinarea celor două drepte, precum şi panta dreptei situată ȋn ȋntregime ȋn domeniul
tensiunilor pozitive determină elementele modelului de semnal mare şi regim
cvasistaţionar VD şi RD. Modelarea ȋn polarizare directă, comună celor două tipuri de
joncţiuni ce intră ȋn componenţa diodelor redresoare şi stabilizatoare, este prezentată
ȋn figura 1.5. Modelul de semnal mare ȋn polarizare inversă a unei joncţiuni p-n ce intră
ȋn componenţa unei diode Zener este prezentat ȋn figura 1.6.

• Diodele redresoare sunt folosite ȋn redresarea curentului alternativ de diferite

frecvenţe şi puteri. Simbolul unei diode redresoare este prezentat ȋn figura 1.7.a.
Parametrii statici ai diodei sunt: tensiunea directă de prag V , curentul de polarizare
direct maxim admisibil IFM, tensiunea inversă maxim admisibilă VRM şi curentul invers
maxim IRM. Principalii parametri dinamici ce caracterizează performanţele diodei ca
element redresor sunt: curentul direct mediu IFAVM, curentul direct efectiv IFRMS, curentul
direct de suprasarcină repetitivă IFRM, tensiunea inversă maximă repetitivă VRRM,
rezistenţa dinamică a diodei RD, specificată pentru condiţii date de curent direct şi
temperatură.

Figura 1.5. Modelul de semnal mare şi regim cvasistaţionar al joncţiunii p-n

Figura 1.6. Modelul echivalent de semnal mare

pentru o diodă Zener polarizată invers
 Diodele Zener, numite şi diode stabilizatoare de tensiune sau diode cu avalanşă,
utilizează proprietatea joncţiunii p-n de a avea la borne, atunci când lucrează ȋn
regiunea de străpungere, o tensiune inversă aproximativ constantă. Ȋn diodele Zener
probabilitatea unei străpungeri termice este neglijabilă. Simbolul diodei Zener este
prezentat ȋn figura 1.7.b. Caracteristica tipică curent-tensiune corespunzătoare
polarizării inverse a unei diode Zener este dată ȋn figura 1.7.c ȋn care: VZN reprezintă
tensiunea de stabilizare nominală, VZm- tensiunea de stabilizare minimă, VZM- tensiunea de
stabilizare maximă, IZN, IZm şi IZM sunt curenţii aferenţi acestor tensiuni.
Ȋn afara parametrilor reprezentaţi pe caracteristica statică diodele Zener sunt
caracterizate ȋn principal şi de următorii parametri: coeficientul de temperatură al
tensiunii stabilizate CTVZ (sau αVT), rezistenţa diferenţială de stabilizare rZN, rezistenţa de
semnal mare RZ.

Figura 1.7. a) Simbolul diodei redresoare; b) Simbolul diodei stabilizatoare;

c) Caracteristica I-V corespunzătoare polarizării inversea diodei Zener

Desfăşurarea lucrării

A. Determinarea caracteristicilor statice

1. Pentru ridicarea caracteristicii statice a unei diode redresoare (D1) se
realizează montajele din figura 1.8.a (polarizare directă ) şi figura 1.8.b (polarizare
inversă).

Figura 1.8. Montajele folosite pentru ridicarea caracteristicii statice a unei diode
semiconductoare; E1 sursă de tensiune continuă reglabilă în gama 0..20V
 Rezultatele măsurărilor se notează în tabelul 1.1.

Tabelul 1.1
Imăs[mA]  IA 0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 1 2 5 10 15 20
VAC[mV]=Vmăs
VCA 0 0.5 1 2 5 8 10 12 15 18 19 20
Imăs[μA]

2. Ȋn scopul determinării caracteristicii statice a unei diode Zener se realizează

montajele din figura 1.9. Modificând valoarea tensiunii E1 astfel ȋncât indicaţia
miliampermetrului să fie conformă cu valorile ȋnscrise ȋn tabelul 1.2, se măsoară
căderea de tensiunea pe diodă. Rezultatele măsurărilor se notează în tabelul 1.2.

Figura 1.9. Montajele folosite pentru ridicarea caracteristicii statice a unei diode
Zener; E1 sursă de tensiune continuă reglabilă în gama 0...20V

Tabelul 1.2

Imăs[mA] 0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 1 2 5 10 15 20

VAC[mV]
Imăs[mA] 10-3 5∙10-3 20∙10- 40∙10- 50∙10- 8 10 12 15 18 19 20
3 3 3

VCA[V]

B. Aplicaţii elementare ale diodelor semiconductoare

Stabilizator parametric cu diodă Zener

1. Se realizează montajul din figura 1.10.

Figura 1.10. Stabilizator parametric de tensiune cu diodă Zener.

 Se alimentează montajul cu o tensiune continuă E1=20V. Modificând valoarea
sarcinii stabilizatorului (prin variaţia rezistenţei potenţiometrului P1) se completează
tabelul 1.3.

Tabelul 3
I0 [mA] 0.35 0.5 1 2 5 10 15
V0[V]

2. Modificând continuu tensiunea de alimentare între 15V şi 25V se măsoară

tensiunea de ieşire corespunzătoare unui curent prin sarcină I0 = 10 mA. Se completează
tabelul 1.4.

Tabelul 4
EA [V] 15 17 18 18 20 22 23 25
V0[V]

• Limitatoare cu diode
1. Se realizează, pe rând, montajele reprezentate în figura 1.11.

Figura 1.11. Limitatoare de tensiune.

De la generatorul de semnale Vg se aplică un semnal triunghiular de valoare vârf

la vârf de 6 V şi frecvenţă de 100 Hz. Se fixează E1 = 1V şi se reţine forma semnalelor vg
şi v0 vizualizate cu osciloscopul.
2. Se repetă punctul 1 pentru valori ale lui E1 de 2V, 2.5V, −1V , −2V , −2.5V .
3. Pentru studiul unui limitator cu diode Zener se realizează montajul
reprezentat în figura 1.12. De la generatorul de semnale Vg se aplică un semnal
sinusoidal de amplitudine 10 V şi frecvenţă 100 Hz. Se vizualizează pe ecranul
osciloscopului semnalele vg şi v0 şi se reţin formele de undă ale acestora.

Figura 1.12. Circuit de limitare cu diode Zener.

 4. Se realizează montajul din figura 1.13. Se fixează tensiunea furnizată de sursa
E1 la 3V. Se aplică de la generatorul de semnale Vg un semnal alternativ cu amplitudinea
de 5V şi frecvenţa de 100Hz. Se vizualizează semnalul de ieşire pentru diferite poziţii
ale potenţiometrelor P2 şi P3.

Figura 1.13. Circuit de limitare cu diode.

Ȋn figura 1.14 este prezentată schema machetei de laborator utilizată pentru

realizarea acestei lucrări de laborator.

Figura 1.14. Schema electrică a machetei de laborator

Întrebări
1. Care sunt modelele de semnal mic şi de semnal mare ale unei diode redresoare
şi ale unei diode stabilizatoare de tensiune ?
2. Ce rol are rezistenta R1 în circuitul reprezentat în figura 1.10?
3. Care este expresia factorului de transfer pentru circuitul din figura 1.11.a? Dar
pentru cel din figura 1.11.b?
4. Care este expresia factorului de transfer al circuitului prezentat ȋn figura 1.12?
5. Proiectaţi un limitator de amplitudine simetric cu diode redresoare.
 C ONŢINUTUL REFERATULUI

1. Schemele electrice ale circuitelor studiate şi tabelele 1.1, 1.2, 1.3 şi 1.4
completate.
2. Caracteristicile statice ale diodelor studiate trasate pe hârtie milimetrică.
Liniarizaţi aceste caracteristici.
3. Caractersiticile de ieşire şi de transfer ale stabilizatorului parametric din
figura 1.10.
V0
4. Determinaţi rezistenţa de ieşire R 0 = şi coeficientul de stabilizare
I 0 EA =ct.
E1
S0 = ce caracterizează circuitul din figura 1.10.
V0 I0 =ct.

5. Calculaţi variaţia totală a tensiunii de ieşire a stabilizatorului parametric

cunoscând αTZ (furnizat de catalog ) al diodei Zener, E1 = 10V , I0 = 30mA , T = 20 C
şi utilizând relaţia:
E1
V0 = + R 0  I 0 + K T  T (1.5)
S0

ȋn care KT = αTZ∙VZ.
6. Diagramele semnalelor vizualizate şi măsurate cu osciloscopul pentru
limitatoarele studiate.
7. Răspunsul la ȋntrebări.