Sunteți pe pagina 1din 6

1

Conductibilitatea electric este

Purttorii de sarcin cu ncrcare negativ se numesc


Pentru doparea siliciului cu impuriti donoare se utilizeaz materiale
din grupa
Materialele semiconductoare au conductibiltatea electric mai mare
dect a
La conectarea anodului diodei a unei tensiuni negative, jonciunea se
polarizeaz
La conectarea anodului diodei unei tensiuni pozitive, jonciunea se va
polariza
Conductibilitatea electric a semiconductorilor este asigurat de
Conductibilitatea electric a semiconductorilor crete odat cu
n funcie de care tipuri de purttori de sarcin sunt majoritari, se
disting dou tipuri de semiconductori extrinseci
Semiconductor de tip n n care densitatea electronilor este mai mare
dect densitatea golurilor. n aa tip de semiconductori, purttorii
majoritari de sarcin sunt
Semiconductor de tip p n care densitatea golurilor este mai mare dect
densitatea electronilor. n aa tip de semiconductori, purttorii
majoritari de sarcin sunt

3
4
5
6
7
8
9
1
0
11

1
2
1
3
1
4

1
7
1
8
1
9

V
Izolatorilor
Invers
Direct
Electroni i goluri
Creterea temperaturii
n i p
Electronii

Golurile
Daca in aceeasi pastila de material
semiconductor sunt realizate 2 zone (una
cu impuritati majoritari de tip p,celalta
cu purtatori majoritari de tin n)

Jonciunea p-n se formeaz


n vecintatea imediat a jonciunii se formeaz o zon srcit de
sarcini majoritare numit
La conectarea anodului diodei a unei tensiuni negative, jonciunea se
polarizeaz
n desenul alturat este dat

1
5

1
6

Mai mare decit la izolator dar mai mica


decit la metale
Electroni

Zona de trecere
Invers

Caracteristica volt-amperic a diodei


redresoare

Practic, n polarizare invers dioda este blocat. Se poate observa ns


existena unui curent invers, care este datorat
Intensitatea curentului invers de saturaie a diodei este de ordinul

i =I ( e
d

qUd
kT

Zeci de microAmperi
Tensiunea la care dioda ncepe a
conduce curentul

Tensiunea de deschidere este


Formula

Purttorilor de sarcin
minoritari(golurile din zona n si electrori
din zona p)

descrie

Caracteristica volt-amperic pentru


junctiunea semiconductoare

2
0
2
1
2
2
2
3
2
4
2
5

qUd
kT

Formula

id I S e

decrie

Formula

i d I S descrie

Punctul de intersecie al dreptei de sarcin cu caracteristica voltamperic a diodei este


Principalii parametri ai unei diode Zener sunt
Pentru a nu avea loc strpungerea termic a diodei Zener, n serie cu ea
se conecteaz
Formula

S= Uin/ Uies reprezint

Caracteristica volt-amperic a diodei n


poriunea direct
Caracteristica volt-amperic a diodei n
poriunea invers
Punct static de funcionare
Tensiunea de stabilizare, curentul invers
maximal, rezistena diferenial(intern)
O rezisten
Factorul de stabilizare al diodei Zener

Desenul alturat reprezint simbolul electric al diodei


2
6
2
7
2
8
2
9
3
0
3
1

Varicap
Dioda format din o jonciune de tip metal semiconductor se
numete

Dioda Schottky

Caracteristica volt amperic a diodei LED se difereniaz prin

Tensiunea de deschidere
1.2 1-5 V

Tranzistorul bipolar este un dispozitiv la care conducia electric este


asigurat
Tranzistorul bipolar este comandat n
Tranzistorul bipolar este format din

Att de electroni, ct i de goluri


Curent
3 zone (semiconductoare) de conducie
electric diferit i 2 jonciuni n-p

n desenul alturat este prezentat nsemnarea convenional a


tranzistorului
3
2

p-n-p

3
3

Pentru a exista o conducie electric ntre Emitor i Colector

3
4

Cerinele fa de construcia Bazei tranzistorului bipolar

3
5

Cerinele fa de construcia Emitorului tranzistorului bipolar

3
6
3
7

Caracteristicile statice de intrare a tranzistorului bipolar n conexiune


cu emitor comun se reprezint prin formula
Ecuaia curenilor pentru tranzistor. Curentul colectorului este

Jonciunea emitoare polarizat direct,


jonciunea colectoare polarizat invers
Lungimea fizic a bazei este mult mai
mic dect lungimea de difuzie a
purttorilor majoritari din emitor
Baza slab dopata
Emitorul este mult mai puternic dopat
dect baza
Lungimea de difuziune a purtatorilor
majoritari din emitor mult mai mare
decit largimea fizica a bazei.

UBE=f(IB)UCE=const
IC=IE+ICB0

3
8
3
9

Factorul de curent al tranzistorului se noteaz prin


Coeficientul de multiplicare al curentului de baz se noteaz cu

factor de amplificare static

n figura alturat este reprezentat conexiunea tranzistorului bipolar


4
0

4
1
4
2
4
3
4
4
4
5
4
6

Baz Comun

Pentru a exista conducie electric ntre Emitor i Colector


Fraciunea din curentul de Emitor care contribuie la formarea
curentului de Colector este notat cu
Regimurile de funcionare a tranzistorului bipolar regimul Activ
inversat

Jonciunea emitoare polarizat direct,


jonciunea colectoare polarizat invers
IE
DE-blocat; DC -conductie

Regimurile de funcionare a tranzistorului bipolar regimul de saturaie

DE si DC -conductie

Regimurile de funcionare a tranzistorului bipolar regimul Activ direct

DE-conductie; DC -blocat

Regimurile de funcionare a tranzistorului bipolar regimul de blocare

DE si DC -conductie

Schema alturat reprezint

Schema de polarizare a tranzistorului


bipolar n curent continuu
Polarizarea in curent continuu cu divizor
de tensiune in baza tranzistorului

4
7

4
8
4
9
5
0

n schema de polarizare a tranzistorului bipolar n curent continuu,


stabilizarea termic a tranzistorului bipolar este asigurat de
Influena temperaturii asupra caracteristicilor tranzistorului bipolar. La
creterea temperaturii, curentul Colectorului
Punctul static de funcionare a tranzistorului bipolar conectat ntr-un
etaj de amplificare cu emitor comun se ia la

RE
Crete
Intersecia dintre dreapta de sarcin n
curent continuu i caracteristica de ieire
corespunztoare unui curent de baz
prestabilit

5
1
5
2

Pentru restabilirea punctului static de funcionare a tranzistorului


bipolar n schema cu emitor comun au fost elaborate mai multe
metode. Cea mai rspndit este?

Adaurarea unei rezistente la emitor

5
3
5
4
5
5
5
6
5
7

Se dau parametrii hibrizi ai tranzistorului bipolar. h11 reprezint


Tiristorul este un dispozitiv comandat
Structura intern a tiristorului ne sugereaz prezena a dou structuri
complementare de tip tranzistor
La aplicarea unui curent pe poarta tiristorului, tensiunea de amorsare a
lui
Stingerea tiristorului se face prin

Impedana de intrare cu ieirea n scurt


circuit
n curent
Suprapuse astfel nct jonciunile
colectoare s fie comune
Crete
Deconectarea tensiunii anod-catod
Micsorarea tensiunei de polarizare sau
prin inversarea polaritatii

n desenul alturat este reprezentat simbolul

5
8

Triac

n schema alturat este prezentat

5
9

Schema de aprindere a triacului

6
0

Rolul predefinit al redresorului de tensiune

6
1

Rolul predefinit al filtrului de tensiune

6
2
6
3

Redresoare pot fi
Desenul alturat reprezint diagrama tensiunilor redresorului

De a converti tensiuena alternativ ntr-o


tensiune continu cu o singur polaritate
De a face tensiunea pe sarcin s nu
coboare la 0, avnd variaii mult mai
mici
Monoalternan i dubl alternan
Monoalternan

Desenul alturat reprezint diagrama tensiunilor redresorului

6
4

Dubl alternan

n desenul alturat este prezentat redresorul

6
5

Monofazat dubl alternan n punte

n desenul alturat este prezentat redresorul

6
6

6
7

Monofazat dubl alternan cu punct


median n secundarul transformatorului

Efectul filtrrii se caracterizeaz printr-un factor adimensional care se


numete
n desenul alturat este reprezentat redresorul

6
8

6
9

Factorul de ondulaie

Trifazat

Stabilizatorul are funcia predefinit de

Micoreaz variaiile tensiunii de ieire,


att cele produse de variaia tensiunii de
intrare, ct i cele produse de variaia

curentului prin sarcin


7
0
7
1
7
2
7
3
7
4
7
5
7
6

Elementul principal al unui etaj de amplificare este elementul activ


care are funcia
Procesul de amplificare const n
Se d etajul de amplificare cu emitor comun, ce funcie au rezistenele
R1 i R2?
Etajul de amplificare n emitor comun este un etaj inversor. Aceasta
nseamn c
n dependen de poziia punctului de repaos i amplificarea
semnalului, se deosebesc 3 clase de funcionare: A, B,C, i clasa mixt
AB. Clasa A se caracterizeaz prin
n dependen de poziia punctului de repaos i amplificarea
semnalului, se deosebesc 3 clase de funcionare: A,B,C, i clasa mixt
AB. Clasa B se caracterizeaz prin
n dependen de poziia punctului de repaos i amplificarea
semnalului, se deosebesc 3 clase de funcionare: A,B,C, i clasa mixt
AB. Clasa C se caracterizeaz prin

7
7

Parametrii etajului de amplificare sunt

7
8

Se definete banda de trecere (sau banda de frecvene) a unui


amplificator ca

7
9
8
0
8
1
8
2
8
3
8
4
8
5

La frecvene nalte, banda de trecere este limitat de


La frecvene joase, banda de trecere este limitat de
Repetor pe emitor se numete etajul de amplificare care
Etaj repetor pe emitor poate fi numit etajul de amplificare cu
conectarea tranzistorului n
Factorul de amplificare a n tensiune pentru etajul de amplificare
repetor pe emitor este de
Reacia la etajul de amplificare este
La reacia negativ, amplitudinea amplificrii scade, dar reacia
negativ are urmtoarele avantaje

De amplificare
Conectarea n cascad a dou sau mai
multe etaje de amplificare

Tranzistorul se afl tot timpul n stare de


conducie n zona activ
O jumtate de perioad tranzistorul
lucreaz n zona activ i o jumtate de
perioad este blocat.
Tranzistorul lucreaz n zona activ mai
puin dect o jumtate de perioad a
semnalului aplicat la intrare
De amplificare, banda de trecere i gama
dinamic
Fiind diferena dintre frecvena la care
factorul de amplificare scade la 1

(-3 dB) din valoarea maxim


Capacitile interne ale curentului active,
dar i de capacitile parazite ale
montajului propriu zis
Capacitile condensatorului de separare
a semnalului variabil de cel continuu
Are rezistena de ieire ct mai mic
posibil

Aproape unitar
Negativ puternic i cu amplificare
unitar
Cele 2 semnale de ieire vor avea
amplitudini egale ntre ele i egale cu
amplitudinea semnalului de intrare i vor
fi n antifaz