Documente Academic
Documente Profesional
Documente Cultură
3
4
5
6
7
8
9
1
0
11
1
2
1
3
1
4
1
7
1
8
1
9
V
Izolatorilor
Invers
Direct
Electroni i goluri
Creterea temperaturii
n i p
Electronii
Golurile
Daca in aceeasi pastila de material
semiconductor sunt realizate 2 zone (una
cu impuritati majoritari de tip p,celalta
cu purtatori majoritari de tin n)
1
5
1
6
Zona de trecere
Invers
i =I ( e
d
qUd
kT
Zeci de microAmperi
Tensiunea la care dioda ncepe a
conduce curentul
Purttorilor de sarcin
minoritari(golurile din zona n si electrori
din zona p)
descrie
2
0
2
1
2
2
2
3
2
4
2
5
qUd
kT
Formula
id I S e
decrie
Formula
i d I S descrie
Varicap
Dioda format din o jonciune de tip metal semiconductor se
numete
Dioda Schottky
Tensiunea de deschidere
1.2 1-5 V
p-n-p
3
3
3
4
3
5
3
6
3
7
UBE=f(IB)UCE=const
IC=IE+ICB0
3
8
3
9
4
1
4
2
4
3
4
4
4
5
4
6
Baz Comun
DE si DC -conductie
DE-conductie; DC -blocat
DE si DC -conductie
4
7
4
8
4
9
5
0
RE
Crete
Intersecia dintre dreapta de sarcin n
curent continuu i caracteristica de ieire
corespunztoare unui curent de baz
prestabilit
5
1
5
2
5
3
5
4
5
5
5
6
5
7
5
8
Triac
5
9
6
0
6
1
6
2
6
3
Redresoare pot fi
Desenul alturat reprezint diagrama tensiunilor redresorului
6
4
Dubl alternan
6
5
6
6
6
7
6
8
6
9
Factorul de ondulaie
Trifazat
7
7
7
8
7
9
8
0
8
1
8
2
8
3
8
4
8
5
De amplificare
Conectarea n cascad a dou sau mai
multe etaje de amplificare
Aproape unitar
Negativ puternic i cu amplificare
unitar
Cele 2 semnale de ieire vor avea
amplitudini egale ntre ele i egale cu
amplitudinea semnalului de intrare i vor
fi n antifaz