1 Conductibilitatea electric este: mrimea fizic prin care se caracterizeaz capacitatea unui material de a

permite transportul sarcinilor electrice atunci cnd este plasat ntr-un cmp electric.

2 Purttorii de sarcin cu ncrcare negativ se numesc electroni

3 Pentru doparea siliciului cu impuriti donoare se utilizeaz materiale din grupa: V

4 Materialele semiconductoare au conductibilitatea electric mai mare dect a:izolatorilor

5 La conectarea anodului diodei a unei tensiune negative jonciunea se polarizeaz invers

6 La conectarea anodului diodei unei tensiuni pozitive jonciunea se va polariza direct

7 Conductibilitatea electric a semiconductorilor este asigurat de: electroni si goluri

8 Conductibilitatea electric a semiconductorilor cre te odat cu temperatura

9 n funcie de care tipuri de purttori de sarcin sunt majoritari se disting dou tipuri de semiconductori
extrinseci tip p si tip n

10 Semiconductor de tip n n care densitatea electronilor este mai mare dect densitatea golurilor n a a tip
de semiconductori purttorii majoritari de sarcin sunt electroni

11 Semiconductor de tip p n care densitatea golurilor este mai mare dect densitatea electronilor n a a tip
de semiconductori purttorii majoritari de sarcin sunt goluri

12 Jonciunea p-n se formeaz prin impurificare controlat cu impuriti

13 n vecintatea imediat a jonciunii se formeaz o zon srcit

de sarcini majoritare numit regiunea de trecere

14 La conectarea anodului diodei a unei tensiune negative

jonciunea se polarizeaz invers

15 n desenul alturat este dat Caracteristica volt-amperica a

semidiodei conductoare

16 Practic, n polarizare invers dioda este blocat. Se poate observa

ns existena unui curent invers care este datorat: purttorilor
minoritari

17 Intensitatea curentului invers de saturaie a diodei este de ordinul 10 -6 -10-9

18 Tensiunea de deschidere este Trecerea din stare de blocare in stare de saturatie

qUd
19 Formula i =I ( e
d s
kT
1 ) descrie caracteristica volt-amperica(Ebers-Mol)

qUd
kT
20 Formula id I S e descrie polarizarea directa cind U>0

21 Formula i d I S descrie polarizarea inversa cind U<0

22 Punctul de intersecie al dreptei de sarcin cu caracteristica volt-amperic a diodei este punctul static
de stationare

23 Principalii parametrii ai unei diode Zener sunt tensiunea de tabilizare, curentul invers maximal,
rezistenta interna

24 Pentru a nu avea loc strpungerea termic a diodei Zener n serie cu ea se conecteaz rezistenta de
limitare a curentului

25 Formula S= Uin/ Uies reprezint factorul de stabilizare a diodei Zener

26 Desenul alturat reprezint simbolul electric al diodei Varicap

27 Dioda format din o jonciune de tip metal semiconductor se nume te Schottky

28 Caracteristica volt amperic a diodei LED se diferen iaz prin prezena unei rezistene de limitare
a curentului cu o valoare tipic cuprins ntre 200 i 330

29 Tranzistorul bipolar este un dispozitiv la care conducia electric este asigurat de ambele tipuri de
purtatori de sarcina

30 Tranzistorul bipolar este comandat n curent

31 Tranzistorul bipolar este format din 3 zone semiconductoare contrenseci(extrenseci)

32 n desenul alturat este prezentat nsemnarea convenional a tranzistorului p-n-p

33 Pentru a exista conducie electric ntre emitor i colector jonctiunea E se colecteaza direct iar C-
invers

34 Cerinele fa de construcia Bazei tranzistorului bipolar baza B e mai subtire ca E si C

35 Cerinele fa de construcia Emitorului tranzistorului bipolar E este mult mai impurificat ca B si C

36 Caracteristicile statice de intrare a tranzistorului bipolar n conexiune cu emitor comun se reprezint

prin formula UBE=f(IB)| UCE-const

37 Ecuaia curenilor pentru tranzistor curentul colectorului este:

IC=/1- IB+ICBO/1-

38 Factorul de curent a tranzistorului se noteaz prin

39 Coeficientul de multiplicare a curentului de baz se noteaz cu

40 n figura alturat este reprezentat conexiunea

tranzistorului bipolar circuitul de polarizare a
jonctiunilor unui tranzistor de tip p-n-p si n-p-n

41 Pentru a exista conducie electric ntre emitor i

colector jonctiunea E se colecteaza direct iar C-invers

42 Fraciunea din curentul de emitor care contribuie la formarea curentului de colector este notat cu:
43 Regimurile de funcionare a tranzistorului bipolar regimul Activ inversat polarizarea jonctiunii E-B-
inversa si polarizarea jonctiunii C-B -directa

44 Regimurile de funcionare a tranzistorului bipolar regimul de saturaie E-B-

directa , C-B-directa

45 Regimurile de funcionare a tranzistorului bipolar regimul Activ direct E-B-

directa , C-B -inversa

46 Regimurile de funcionare a tranzistorului bipolar regimul de blocare E-B

inversa, C-B -inversa

47 Schema alturat reprezint scema de polarizare a tranzistorului bipolar n

curent continuu

48 n scema de polarizare a tranzistorului bipolar n curent continuu stabilizarea

termic a tranzistorului bipolar este asigurat de

49 Influena temperaturii asupra caracteristicilor tranzistorului bipolar, la creterea

temperaturii curentul colectorului va determina o crestere a temperaturii dupa
caare fenomenul se repeta pina la distrugerea termica(va creste curentul emitorului
si va creste caderea de tensiune pe R E.)

50 Punctul static de funcionare a tranzistorului bipolar conectat ntrun etaj de

amplificare cu emitor comun se ia la:

51 Influena temperaturii asupra caracteristicilor tranzistorului bipolar, la creterea temperaturii curentul

colectorului va determina o crestere a temperaturii dupa caare fenomenul se repeta pina la distrugerea
termica(va creste curentul emitorului si va creste caderea de tensiune pe R E.)

52 Pentru restabilirea punctului static de funcionare a tranzistorului bipolar n schema cu emitor comun
au fost elaborate mai multe metode cea mai rspndit este:

53 Se dau parametrii hibrizi ai tranzistorului bipolar h 11

reprezint impedanta de intrare cu iesire in scurt circuit

54 Tiristorul este un dispozitiv comandat in curent

55 Structura intern a tiristorului ne sugereaz prezena a dou

structuri complementare de tip tranzistor suprapuse astfel incit
jonctiunile colectoare sa fie comune

56 La aplicarea unui curent pe poarta tiristorului tensiunea de amorsare a lui

57 Stingerea tiristorului se face prin reducerea pn la zero a curentului care trece prin el, prin
preluarea curentului de sarcin de ctre alt element de circuit
58 n desenul alturat este reprezentat simbolul triacul

59 n schema alturat este prezentat schema tipica de comanda a

triacului

Dioda semiconductoare caracteristica volt amperic, formula de descriere a

caracteristicii

Tranzistorul bipolar structura i caracteristicile statice

Regimul dinamic a tranzistorului Bipolar