10 Semiconductor de Tip N În Care Densitatea Electronilor Este Mai Mare Decît Densitatea Golurilor În Așa Tip de Semiconductori Purtătorii Majoritari de Sarcină Sunt Electronii
0 evaluări0% au considerat acest document util (0 voturi)
38 vizualizări2 pagini
10
Titlu original
10 Semiconductor de Tip n În Care Densitatea Electronilor Este Mai Mare Decît Densitatea Golurilor În Așa Tip de Semiconductori Purtătorii Majoritari de Sarcină Sunt Electronii
0 evaluări0% au considerat acest document util (0 voturi)
38 vizualizări2 pagini
10 Semiconductor de Tip N În Care Densitatea Electronilor Este Mai Mare Decît Densitatea Golurilor În Așa Tip de Semiconductori Purtătorii Majoritari de Sarcină Sunt Electronii
10 Semiconductor de tip n n care densitatea electronilor este mai mare dect
densitatea golurilor n aa tip de semiconductori purttorii majoritari de sarcin
sunt electronii 11 Semiconductor de tip p n care densitatea golurilor este mai mare dect densitatea electronilor n aa tip de semiconductori purttorii majoritari de sarcin sunt golurile . 12. Jonctiunea p-n se formeaza in urma unui proces de difuzie va apare o sarcin spaial negativ n regiunea iniial de tip p i o sarcin spaial pozitiv n regiunea iniial de tip n. 13. Pe o poriune din imediata vecintate a suprafeei de separaie nu mai este satisfcut condiia de neutralitate electric: n regiunea p apare o sarcin electric negativ format din ioni acceptori imobili, iar n regiunea n apare o sarcin spaial pozitiv format n principal din ionii donori imobili 14. La conectarea anodului diodei a unei tensiune negative jonciunea se polarizeaz invers 15.In desenul alaturat este reprezentat caracteristica volt-amperic a diodei 16. Practic, n polarizare invers dioda este blocat. Se poate observa ns existena unui curent invers care este datorat purttorilor minoritari (golurile din zona n i electronii din zona p) care pot traversa jonciunea. 17. Intensitatea curentului invers de saturaie a diodei este de ordinul zecilor de A. Menionm aici c reprezentarea grafic nu este la scar tocmai pentru a putea pune n eviden curentul invers de saturaie. 18. Tensiunea la care dioda ncepe s conduc se numete tensiune de deschidere i, pentru diodele de siliciu, ea este n jurul valorii de 0,6V. 19. Pentru caracteristica volt-amperic a jonciunii semiconductoare s-a stabilit urmtoarea dependen matematic: : e sarcina elementar, 1,6. 10-19C k constanta Boltzmann, 1,38. 10-23 J. K-1 T- temperatura jonciunii, K 20 . Polarizare directa 21 Polarizare inversa
54. Tiristorul este un dispozitiv comandat numit poart sau gril
55. Structura
intern a tiristorului ne sugereaz prezena a dou structuri
complementare de tip tranzistor, suprapuse astfel nct jonciunile colectoare s fie comune. El are trei terminale numite anod, catod i poart. Poarta este elementul de control al funcionrii tiristorului. Ea poate fi polarizat sau nu.
56. tensiunea la bornele sale nu scade instantaneu la zero.
57. Stingerea tiristorului se poate face numai prin micorarea tensiunii de polarizare UAC sau prin inversarea polaritii ei 58. dispozitiv se numete triac. 59. Diacul poate fi folosit la comanda aprinderii triacurilor. Una din schemele folosite n acest scop este prezentat n fig.3