Documente Academic
Documente Profesional
Documente Cultură
ia naştere un gol.
Prin urmare, cristalul tetravalent, care conţine în nodurile reţelei sale atomi trivalenţi, are un număr de
goluri egal cu numărul atomilor trivalenţi, ce s-au transformat
(pozitiv), iar conducţia electrică a unui astfel de semiconductor – conducţie extrinsecă de tip p.
diferenţa dintre concentraţiile purtătorilor majoritari şi ale celor minoritari este egală
mult mai mare decât concentraţia atomilor de impuritate. Rolul impurităţilor devine
a semiconductoarelor.
pentavalenţi (fig. 6.16, a). Primul semiconductor este de tip p, al doilea – de tip n. Atâta
Admitem că cristalele sunt puse în contact. În urma fenomenului de difuziune, electronii din partea n
pătrund în partea p
şi ocupă legăturile libere, golurile (fig. 6.16, b). În consecinţă, o pereche electron–gol
dispare şi se reface legătura chimică. Acest proces este numit recombinare. Observăm
în care concentraţia purtătorilor majoritari este mică. Acest strat, sărăcit de purtători
de sarcină, este numit strat de baraj. Regiunea de tranziţie dintre cele două părţi cu
Fig. 6.16
pn
pn
E a)
b)
I II
231
al sursei (fig. 6.17, a). Electronii din partea n se mişcă spre partea p, golurile din
de contact se măreşte, rezistenţa joncţiunii se micşorează. Acest sens al câmpului electric exterior, deci şi
al curentului
siliciu sau germaniu care conţine atomi de impuritate pentavalentă, adică este un semiconductor de tip
n. Pe o faţă a ei
se depune, prin sudură, indiu sau alt element trivalent. Atomii de indiu pătrund prin difuziune într-o
regiune a plăcii,
transformând-o în semiconductor
Fig. 6.20
In p
Ge
Fig. 6.21
RR
a)