Cursul 6 CONDUCIA ELECTRIC N SEMICONDUCTOARE 6.1 CONDUCIA ELECTRIC DE TIP INTRINSEC 6.1.1.

Conducia intrinsec - Modelul fizic Un material semiconductor intrinsec este un semiconductor pur, a crui conductivitate este determinat de caracterul legturii covalente i a structurii cristaline. Materiale semiconductoare intrinseci sunt cristalele de siliciu i germaniu fr impuriti (cu impuriti nedetectabile). Aceste elemente, care se afl n grupa a IV-a a sistemului periodic cristalizeaz n structura cubic tip diamant prezint o legtura chimic de tip covalent puternic direcionat. n aceast structur, fiecare atom contribuie cu cte 4 electroni pentru formarea covalenei. Conducia electric, numit conducie de tip intrinsec, se poate justifica fie cu un model fizic, n care fenomenele care au loc sunt examinate la nivelul legturilor chimice din cristal, fie cu modelul benzilor energetice, n care procesele sunt examinate din punct de vedere energetic. Pentru explicare se consider cazul unui monocristal ideal de siliciu ntr-o reprezentare plan, n condiii diferite de temperatur i cmp electric. n figura 6.1, cercurile reprezint ionii pozitivi de siliciu, iar liniile de legtur ntre acestea sunt electronii pereche ai legturilor covalente.

Fig. 6.1. Modelul fizic al conduciei n semiconductoarele intrinsece Cazul monocristalului de siliciu ntr-o reprezentare plan: a) la temperatura de 0 K i n absena cmpului electric; b) la temperatura diferit de 0 K i n absena cmpului electric; c) la temperatura diferit de 0 K i n prezenta cmpului electric. La temperatura de 0 K i n absena cmpului electric toate legturile chimice covalente n cristal sunt compensate (Fig. 6.1a). Electronii fiind strns legai de atomii cristalului, nu exist sarcin electric liber, astfel c chiar dac se aplic un cmp electric nu se poate stabili un curent electric. Semiconductorul se comport ca un izolant perfect; La temperaturi diferite de zero Kelvin i n absena cmpului aplicat este posibil ca electronii de valena s acumuleze suficien energie i s prseasc legtura covalen (Fig. 6.1b). n aceste situaii unele din legturile covalente se rup, apar electroni cvasiliberi i legturi necompensate. Electronii rezultai se deplaseaz haotic, egal probabil dup orice direcie n cristal (dac nu exist defecte de structur). Numrul de sarcini electrice este egal cu cel al legturilor nesatisfcute, n regiunea crora rezult o sarcina pozitiv n exces, egal n valoare absolut cu a sarcina electronului. Totui, pe un element de volum V infinit mic fizic al cristalului, sarcina total rmne zero ca i nainte de ruperea acestor legturi, formarea de electroni liberi i de legturi vacante neafectnd neutralitatea electric a cristalului. La temperaturi diferite de zero Kelvin i n prezena cmpului electric exterior electronii liberi i legturile necompensate contribuie la producerea curentului electric (Fig. 6.1c). Astfel, peste micarea de agitaie termic a electronilor liberi se suprapune o micare orientat exist un flux de electronii cvasiliberi cu sensul opus celui al cmpului electric aplicat. O parte din electronii cvasiliberi vor fi atrai de zonele pozitivate ale legturilor necompensate i vor fi captai de acestea, realiznd compensarea legturilor. n acest caz, pe direcia cmpului electric rmne o alt legtur

nesatisfcut (prin deplasarea electronului care a compensat legtura nesatisfcut). In felul acesta, se stabilete i un flux de legturi necompensate cu sensul n direcia cmpului electric aplicat. Concluzie: Curentul electric n cristalele semiconductoare este generat de micarea ordonat a electronilor cvasiliberi i a legturilor necompensate. 6.1.2. Conducia intrinsec - Modelul benzilor energetice Mecanismul conduciei electrice intrinsece poate fi descris calitativ i cantitativ cu modelul benzilor de energie n cristal. Acest model consider structura n benzi energetice a cristalului de siliciu, n care benzi energetice permise alterneaz cu benzi interzise (Fig. 6.2).

Fig. 6.2. Modelul benzilor energetice al conduciei electrice n semiconductoarele intrinsece a) la temperatura de 0K; b) la temperaturi T 0K i n absena cmpului electric; c) formarea perechilor electron-gol n semiconductor. La temperaturi mici i n absena cmpului electric (Fig. 6.2a), banda de valen BV a cristalului semiconductor este complet ocupat cu electroni, iar banda de conducie BC este complet liber de electroni. La temperaturi apropiate de 0 K energia termic nu este suficient pentru ca un electron din BV s poat face tranziii n BC. Acest caz corespunde absenei proceselor de conducie electric, deoarece n benzi energetice neocupate (cum este banda BC), ca i n benzi complet ocupate cu electroni (cum este banda BV n acest caz) nu pot aprea procese de conducie la aplicarea unui cmp electric. Rezult c la temperaturi mici, monocristalul de siliciu se comport ca un cristal izolant perfect. La temperaturi normale i n absena cmpului electric (Fig. 6.2b), dac energia extern (termic, luminoas, etc.) are valori mai mari dect valoarea energiei intervalului interzis Fermi ( WT > Wi ), atunci anumii electroni din BV vor efectua tranziii n BC. Astfel, pe msur ce temperatura crete, nivelurile superioare din BV devin libere de electroni, iar nivelurile inferioare din BC se ocup cu electroni. La temperaturi normale i n prezena cmpului electric exterior (Fig. 6.2c), electronii liberi din BC vor fi accelerai contribuind la producerea micrii ordonate - de drift. Observaie: Figura 6.2c indic i procedeul de formare a perechilor electron-gol n modelul benzilor energetice. Electronii cvasiliberi i golurile sunt particule care au sens numai n interiorul semiconductorului. Astfel, pentru cazul unei benzi energetice aproape complet ocupate cu electroni (electronii sunt marcai cu cercuri negre) se pot completa (imaginar) cu electroni nivelurile neocupate (electroni marcai cu cercuri gri). Banda de valen BV devine o band energetic complet ocupat cu electroni. Pentru a pstra echilibrul (de mas i sarcin electric) n cristal, n acelai timp, va trebui s se adauge, pe nivelurile completate cu electroni i o categorie de particule (marcate cu cercuri +) care s anuleze contribuia electronilor adugai, deci care s aib masa efectiv i sarcina electric de semn contrar fa de cele ale electronilor adugai. Aceste particule poart numele de goluri i se caracterizeaz prin mas efectiv de semn contrar cu cea a electronului i prin sarcina electric + qo (electronii avnd sarcina - qo). Astfel, banda de valen, fiind o band complet ocupat cu electroni nu va contribui la producerea curentului electric. n schimb, golurile existente n banda de valen vor contribui la procesul de conducie deoarece pentru acestea banda energetic BV este incomplet ocupat. Concluzie: n semiconductorii intrinseci prin excitare termic vor exista electroni n banda de conducie, egali numeric cu golurile pereche din banda de valen. 6.1.3 Expresia conductivitii electrice n semiconductorii intrinseci

n procesul de conducie electric, n semiconductorii intrinseci densitatea curentului electric J este egal cu suma ntre densitatea de curent a electronilor i a golurilor:

J = nqov n + pq ov p ,
unde : n - concentraia de electroni de conducie din BC, p - concentraia de goluri din BV, qo - sarcina electric a electronului, respectiv golului, qo =1,60 x 10-19 C v n ,v p - vitezele de drift ale electronilor, respectiv golurilor. Prin mpriere lui J cu intensitatea cmpului electric E, rezult expresia conductivitii electrice de tip intrinsec:

(6.1)

i =

J nqv n pqv p , = + E E E

(6.2)

Mrimile vn/E i vp/E , notate cu simbolurile n i p, reprezint mobilitile electronilor i golurilor i sunt o msur a uurinei cu care purttorii de sarcin se deplaseaz sub aciunea cmpului electric. Din expresia (6.2) rezult: (6.3) Concluzie: ntr-un semiconductor pur conductivitatea total este dat de suma conductivitilor datorate electronilor din BC n i golurilor din BV p , fiind determinate de concentraia purttorilor de sarcin i de mobilitile acestora. Deoarece n semiconductoarele intrinseci electronii i golurile se creaz n perechi, este valabil relaia n= p= ni , cu care expresia (6.3) devine:

i = n + p = nq 0 n + pq 0 p ,

i = ni q0 ( n + p ) ,

(6.4)

Calculul concentraiei electronilor din banda de conducie i a golurilor din banda de valen se face cu considerarea teoriei cuantice, aplicate la modelul benzilor energetice n cristal. Concentraia de electroni din BC este dat de relaia:

W WF n = N exp C , C kT

(6.5)

unde mrimea NC reprezint numrul efectiv de stri energetice din BC, dependent de masa efectiv a electronilor i de temperatur, iar W i = WC WV este lrgimea intervalului interzis Fermi. Aceast relaie arat c concentraia electronilor de conducie crete exponenial cu temperatura i scade exponenial cu creterea lrgimii intervalului Fermi. Concentraia de goluri din banda de valen BV este:

W WF p = N exp V , V kT

(6.6)

unde NV reprezint numrul efectiv de stri din BV. Pentru aceast categorie de semiconductoare, concentraia de electroni este numeric egal cu cea a golurilor:

n = p = ni ,
unde ni este concentraia intrinsec de purttori de sarcin. Rezult:

(6.7)

W WV n p = n i2 = NV NC exp C kT

(6.8)

relaie care conduce la expresia concentraiei de electroni din BC i goluri din BV n cazul semiconductorilor intrinseci de forma:

 W i n = p = n i = NV NC exp , 2kT

(6.9)

Aceast relaie arat c concentraia intrinsec de purttori de sarcin ni depinde de lrgimea intervalului interzis Wi i de temperatur. 6.2 CONDUCIA ELECTRIC DE TIP EXTRINSEC Semiconductoare extrinsece sunt cristale de tip soluii solide foarte diluate n care ionii de substituie au valena diferit de cea a reelei atomice a solventului. Concentraia de impuriti adugate este de ordinul 100 pn la 1000 pri pe milion (ppm). Deoarece conductivitatea electric a unui material semiconductor extrinsec depinse n primul rnd de concentraia de impuriti, rezult c aceast proprietate este controlabil i stabil. 6.2.1.1 Conducia extrinsec de tip n - Modelul fizic Semiconductoarele extrinsece de tip n se obin prin impurificare controlat cu impuriti donoare. Atomii impuritilor donoare au de obicei valena mai mare dect valena cristalului de baz. La introducerea lor n cristal, aceste impuriti vor forma ioni substituionali (ex. P, As, Sb, Bi) sau ioni interstiiali (ex. S, Li), cednd reelei cristalului de baz unu sau mai muli electroni. In acest caz, semiconductorul prezint n principal o conducie prin electroni, numit conducie extrinsec de tip n. Conducia electric extrinsec de tip n, se poate justifica cu modelul fizic, considernd fenomenele care au loc la nivelul legturilor chimice n cristal. Se consider cazul unui monocristal de siliciu n care un atom de siliciu (element tetravalent) este substituit cu unul de fosfor (element pentavalent). 6.2.2.1. Conducia extrinsec de tip n - Modelul benzilor energetice Mecanismul conduciei electrice extrinsece n semiconductoarele dopate cu impuriti donoare se poate descrie calitativ i cantitativ cu modelul benzilor de energie n cristal (Fig. 6. 3).

Fig.6.3. Conducia extrinsec de tip n (ntr-un cristal de siliciu dopat cu impuriti donoare) n modelul benzilor energetice: a) la 0K; b) la temperaturi diferite de 0 K; c) formarea golului. Structura benzilor energetice nu se modific la introducerea impuritilor donoare, dar n banda interzis Fermi apar niveluri energetice ocupate, corespunztoare electronilor atomilor de impuritate aflai n surplus. n figura 6.3a este prezentat un nivel donor Wd corespunztor unui atom de impuritate de fosfor. Pentru semiconductoarele de tip n, se aleg acele impuriti care furnizeaz niveluri donoare n apropierea nivelului de jos al benzii de conducie (Fig. 6.3b). Astfel, energia de activare (de ionizare) Wd a impuritilor donoare este mult mai mic dect energia de ionizare a atomilor cristalului de baz (care este energia intervalul interzis Fermi):

W d = W c W d << W i ,
unde : Wd - energia nivelului donor al atomului de impuritate,

(6.10)

Wc - energia celui mai sczut nivel al benzii de conducie. n aceste condiii, o perturbaie din exterior (temperatur, cmp electric etc.) ct de mic determin excitarea electronilor de pe nivelurile donoare n banda de conducie BC. Deci, conducia electric extrinsec de tip n se realizeaz prin electronii din banda de conducie provenii de pe nivelurile donoare. 6.2.1.2 Conducia extrinsec de tip p - Modelul fizic

Fig. 6.4. Modelul conduciei extrinsece ntr-un cristal de siliciu dopat cu impuriti acceptoare semiconductor de tip p: a) la temperatura de 0 K i n absena cmpului electric; b) la temperatura diferit de 0 K i n absena cmpului electric; c) la temperatura diferit de 0 K i n prezena cmpului electric. Semiconductoarele extrinsece de tip p se obin prin impurificare controlat cu impuriti acceptoare. Atomii impuritilor acceptoare (ex. Zn, B, Al, Ga, In), avnd valena mai mic dect valena cristalului de baz, nu reuesc s satisfac toate legturile covalente ale cristalului dect prin ionizare (captarea electronului de valen). Conducia electric extrinsec de tip p se poate justifica cu modelul fizic, considernd fenomenele care au loc la nivelul legturilor chimice n cristal. Dac n monocristalul de siliciu (Fig. 6.4a) se introduce un atom trivalent de bor, o legtur a acestuia cu atomii de siliciu va fi nesatisfcut. La temperaturi mici i n absena cmpului electric nu exist sarcin electric liber dar exist legturi nesatisfcute prin prezent impuritii trivalente. Pentru satisfacerea acestei legturi este necesar ca un electron al unui atom de siliciu s treac n nveliul electronic al atomului acceptor de indiu. La temperaturi normale (Fig. 6.4c), procesul de ionizare se produce cu o probabilitate mai mare dect procesul de rupere a legturilor covalente din cristalul de baz. Atomul de impuritate acceptoare devine ion negativ, fixat n reeaua cristalin, electronul legat de acesta neparticipnd la procesul de conducie electric. Legtura nesatisfcut, purttoare de sarcin pozitiv, se afl acum ntre doi atomi ai cristalului de baz. Deoarece concentraia de legturi necompensate este mult mai mare dect concentraia de electronilor liberi provenii prin ruperea legturilor covalente n cristalul de baz, un astfel de semiconductor se numeste semiconductor de tip p. Concluzie: Conducia extrinsec de tip p se realizeaz prin difuzia legturilor necompensate provenite de la atomii impuritilor accceptoare n direcia cmpului electric aplicat. 6.2.2.2. Conducia extrinsec de tip p - Modelul benzilor energetice Mecanismul conduciei electrice extrinsece n semiconductoarele dopate cu impuriti acceptoare se poate descrie calitativ i cantitativ cu modelul benzilor de energie n cristal (Fig. 6. 5).

Fig. 6.5. Conducia extrinsec de tip p (ntr-un cristal de siliciu dopat cu impuriti acceptoare) n modelul benzilor energetice: a) la temperatura de 0 K i n absena cmpului electric; b) la temperatura diferit de 0 K i n absena cmpului electric; c) la temperatura diferit de 0 K i n prezena cmpului electric. Structura benzilor energetice nu se modific, dar apar n plus niveluri energetice n banda interzis Fermi, niveluri care corespund strilor locale ale atomilor de impuriti acceptoare. De obicei se aleg acele impuriti acceptoare care genereaz niveluri n apropierea nivelului superior al benzii de valen. Astfel, energia de activare (de ionizare) a impuritilor acceptoare Wa este mult mai mic dect energia de ionizare a atomilor cristalului de baz: `

W a = W a W v << W i ,

(6.11)

unde Wa - energia nivelului acceptor al atomului de impuritate, Wv - energia ultimului nivel din BV. n aceste condiii, o perturbaie ct de mic din exterior (temperatur, cmp electric, radiaii etc.) va determina o cretere a concentraiei de goluri din banda de valena. Conducia extrinsec de tip p se realizeaz prin golurile din BV produse prin trecerea electronilor din BV pe nivelurile acceptoare ale ionilor de impuritate. 6.2.3. Expresia conductivitii electrice n semiconductoare extrinseci Pentru un semiconductor extrinsec la temperaturi joase, conductivitatea intrinsec este practic nul (i 0), astfel c n expresia conductivitii intr doar concentraia de purttori majoritari. Astfel: - pentru semiconductoare de tip n:

e n = n n q 0 n ,
pentru semiconductoare de tip p:

(6.12)

e n = n n q 0 n ,
unde:

(6.13)

nn este concentraia de electroni din BC, pentru cazul semiconductoarelor de tip n, np este concentraia de goluri din BV, pentru cazul semiconductoarelor de tip p. Expresia concentraiei extrinsece a electronilor din banda de conducie pentru semiconductoarele de tip n este:

W Wd n n = N eC exp C , kT

(6.14)

unde mrimea NeC reprezint numrul de stri energetice donoare ionizate iar W d = W C W d este energia de activare a impuritilor donoare. Expresia concentraiei extrinsece a golurilor din banda de valen pentru semiconductoarele de tip n este:

W WV n p = N eV exp a kT

(6.15)

unde mrimea NeV reprezint numrul de stri energetice acceptoare ionizate iar W a = W a WV este energia de activare a impuritilor acceptoare. Observaie: Schimbarea valorilor conductivitii electrice, respectiv a rezistivitii electrice a semiconductoarelor se realizeaz prin impurificarea controlat a acestora. Temperatura modific concentraia de purttori mobili de sarcin, i corespunztor, conductivittea electric, dup o lege exponenial.

6.3 3. FACTOR RI DE INFL LUEN AS SUPRA CON NDUCTIVITII SEM MICONDUC CTOARELO OR 6.3 3.1. Temper ratura fact tor important de influen n n practic se utiliz zeaz semico onductori extrinseci. Pen ntru aceast categorie c de s semiconduct toare, experim mental se e constat o cre c tere a con nductivitii cu creterea temperaturii i. n figu ura 6.6 se pre ezint forma a general a dependen d ei de temperatu ur a conduc ctivitii pent tru semicond ductorii ex xtrinseci:

Fig. 6.6. Dependena general a conductivit c ii electrice cu c temperatura pentru un semiconduc ctor extrinsec c. Figura a 6.6 pune n n eviden tre ei zone n car re conductivi itatea are o varia v ie speci ific cu temp peratura: n regiune ea I, pentru temperaturi i sczute (T T < T), pred domin cond ducia electri ic de tip ex xtrinsec n care c la creterea temperaturii t determin to ot mai multe ionizri ale atomilor de impuritate; c concentraia de purttori mobili (electroni n semicond ductorii de ti ip n i legtu uri necompe ensate golu uri n semiconductorii de tip p) cr rete i odat cu aceasta a crete e i conductiv vitatea ; n regiune ea II, pentru domeniul d tem mperaturilor r medii (T < T < T), pr redomin tot o conducie de tip extrin nsec, n care toate impuritile donoare i acceptoare a fi iind ionizate, , rezult o co oncentraie c constant de purt p tori mo obili de sarcin. La L creterea temperaturii, t , n acest inte erval, influen na mare o ar re mobilitate ea care scade e odat cu cre eterea temperatur rii. Materialu ul semicondu uctor se com mport ca i metalele m rezultnd o cond ducie este de e tip metalic. n regiune ea III, pentru u temperaturi T > T, ncepe s pred domine condu ucia intrinse ec, prin gen nerarea de pu urttori mobili da atorit ruper rii legturilo or covalente din cristalu ul semicond ductor. n a acest interva al de tempe eratur, conductivi itatea electric c crete mu ult la cretere ea temperatur rii.

Ob bservaie: Marea M majorit tate a aplicaiile semicond ductoarelor se s bazeaz pe fenomenele de conducie care au lo oc n regiunea I. 6.3 3.1. Depend dena de tem mperatur a conductivit ii de tip in ntrinsec n materialele sem miconductoar re intrinseci se poate con ntrola numrul r de purttori mobili de e sarcin doar prin modificarea te emperaturii. Acest A contro ol este dificil i instabil. Conce entraia de tip p intrinsec depinde, d conf form relaiei (6.9), expo onenial de te emperatur. Cu C ct tempe eratura es ste mai mare, , cu att mai muli electro oni vor trece din BV n BC B i conduc ctivitatea va c crete. Cu rel laiile (6.9) i (6.4) rezult t expresia co onductivitii i electrice i a semicond ductorului int trinsec:

Wi i = n0 q 0 (n + P ) exp , 2kT
Re elaia (6.16) prin logaritm mare devine:

(6.16)

ln i = ln 0

W i , 2kT

(6.17)

un nde: 0 - constant care depinde d n pr rincipal de mobilitatea m ele ectronilor i golurilor.

Observaii: i Comporta area semico onductorului este opus fa de cea a a metalelo or: cu ct te emperatura crete, co onductivitatea semicondu uctorului cre ete deoarec ce crete co oncentraia purt p torilor d de sarcin; La metale, unde co oncentraia de electroni de d conducie este constan nt, cu creter rea temperat turii, mobilit tatea electron nilor scade, ceea c ce face ca conduc ctivitatea s scad s . 6.4 4. PROPRIE ETI I DOMENII D D UTILIZA DE ARE ALE MATERIAL M LELOR SE EMICONDU UCTOARE Materialele semico onductoare au a domenii la argi de utilizare n electro otehnic i electronic. n n acest capito ol sunt pr rezentate prin ncipalele per rformane ale e materialelo or semicondu uctoare i aplicaiile acest tora. 6.4 4. 1. Perform mane Siliciu ul exist n cantitate mare e la suprafaa globului te erestru, fiind considerat a al doilea mat terial ca rsp pndire n scoara tere estra, cu un procent de 28%. 2 Resurs sele naturale de siliciu su unt in princi ipal silicaii (nisip etc.), dar i div verse materiale care conin SiO2 (sili ice), cum sun nt jadul, mica a, cuarul etc c. Deoar rece n stare natural n , sili iciul se gsete sub form de oxid, es ste necesar u un tratament de d reducere i apoi un n tratament de d purificare, pn la stad diul numit "d de calitate ele ectronic" sau u EGS (Elec ctronic Grade e Silicon). Tempe eratura de topire t a sili iciului este ridicat, de 1415C iar r afinitatea sa chimic este putern nic la tem mperaturi mari. m De acee ea obinerea siliciului de e calitate ele ectronic est te dificil, r reducerea din n SiO2 nu poate fi fcut simplu, folosind hid drogen, fiind necesar o tehnic t comp plex de redu ucere, cu carb bon la tempe eraturi nalte. . n tehn nologia silic ciului, n prim ma etap se obine siliciu u de calitate metalurgic sau MGS (Metallurgic M Grade Silicon), iar ap poi, n urma purific p rilor repetate, se ob o ine siliciu ul de puritate e electronic sau EGS. Germa aniul se gse s te mai ra ar sub form de minere eu cum este germanitul (Cu3GeS4) sau argirod ditul (4 Ag g2SGeS2) i se extrage de obicei di in reziduurile prafurilor volatile de la obinerea a zincului, cu uprului, la arderea a crbunelui etc c. Din germ maniu tehnic c se obin compu c i chi imici de tip pul halogenu urilor (GeCl4, GeBr4) care c se pr relucreaz ap poi n vederea obinerii germaniului i de mare pu uritate. Germ maniul mono ocristalin se obine prin topire zo onal sau trag gere din topitur. 6.4.2 Ap plicaiile sem miconductoarelor 1. Generatoarele Hall i dispozitivele pe baz de ferite rep prezint apli iciile cele mai m importan nte ale emiconductoa arelor sensi ibile la aciunea cmp pului magne etic. Se uti ilizeaz HgSe, HgTe, InAs, InSb b, etc. se Ge eneratoarele Hall se util lizeaz pentr ru msurarea a induciei magnetice, m a curentului c continuu de intensitate mare, m a cu uplului motoa arelor electri ice, a puterii n c.c. etc. Materia alele semicon nductoare su unt utilizate la l obinerea dispozitivelo d or semicondu uctoare: tranz zistoare, diode, etc pr recum i la realizarea r cir rcuitelor inte egrate. Dopa area precis a elementelor semicond ductoare n n vederea ob binerii jon nciunilor a permis real lizarea diodelor semicon nductoare, tranzistoarelo t or, tiristoare elor, varistoa arelor, eleme entelor ele ectroluminis scente etc. Diode sem 2. miconductoa are sunt disp pozitive cu o singur jo onctiune p n. Se realiz zeaz n mai multe va ariante : diod de redresoare e, varicap, pe entru frecven ne ultranalte e etc. Diode ele redresoare e se obin di in Ge, Si, Ga aAs, Se etc.D Diodele cu Si S de mic putere (obinu ute prin difu uzie) se utilizeaz in instala i ii cu cureni slab bi (receptoar rele de telev viziune), iar r cele de ma are putere obinute printr-o p teh hnologie pla anar n ins stalii de redr resare pentru u cureni inten ni. Diode ele cu conta act punctiform se reali izeza dintr-o o pastil de e Ge dopat cu Sb (cu u rezistivitat tea de 0.0 010.05 m) i un fi ir de wolfram m sau aur. ele de frecven n ultranalt t sunt diode e punctiform me realizate din d Ge sau Si i de rezistivit tate redus i cu fir Diode de e aur de circa a 3 m diame etru. Diode ele Zener se realizeaz r din n Si, cu jonc ciune de supr rafa.

Fig.6.7. Dio ode semicondu uctoare

Tranzisto oarele. Sunt constituite c di intr-un strat p sau n puter rnic dopat numit emior r E -, un strat t dopat 3. mediu i ct mai m subire po osibil baza B i un str rat p sau n de e concentraie mai redus numit col lector C. Tranzi istoarele cu efect de ca amp (TEC) prezint im mpedana ma are la intrar re i zgomo ot foarte red dus, se realizeaz cu grila g jonciun ne sau cu gril la izolat.

Se utilizeaz pentr ru echipame ente electroni ice n televiz ziune, radiof fonie, calcula atoare, instalaii electrice e auto, etc c.

Fig.6.8.Tr ranzistoare Tiristoare ele sunt dispozitive cu trei jonctiuni pn-pn, p obinu ute prin difu uzie unilatera al sau bilate eral n 4. cristal de tip p sau n a un nor impurit i acceptoare e sau donoar re.Tiristoarel le de putere se construie esc, de obice ei, prin difuzie bilater ral a unor im mpuriti acc ceptoare ntr r-un semicon nductor de ti ip n urmat de alierea sa au difuzia un nei noi im mpuriti don noare.Se utiliz zeaz n circ cuitele de com mutaie, la ce elulele de red dresare cu electrod de com mand etc.

Fig. 6. .9 Exemple de d tiristoare 5. Elemente electrolum miniscente. Se S caracteriz zeaz prin ap pariia la introducerea a lor ntr-un n camp ele ectric a un nor radiaii lu uminoase. Se e obin din: sulfura s de zi inc sau de ca admiu, activa ate cu Cu, Ag, A Mn sau cu c unul din ntre constitu uenii aflai n n exces. Se realizeaz r pa anouri electr roluminescen nte, ecrane p pentru oscilos scoape, telev vizoare etc c. 6. Fotorezist tenele sunt componente e electronice care, sub inf fluena lumin nii, devin bun ne conducto oare de ele ectricitate(se e micoreaz rezistivitate ea electric). Sunt sen nsibile la lum mina verde(C CdS), la lumin na roie(CdS Se, CdTe), la a radiaii infr raroii(PbSe, Pb,Te). Se util lizeaz n cin nematografie e, televiziune e, la instalaii i de alarm.

.6.10. Fotore ezistene Fig. 7. Varistoar rele. Materialele utilizate pentru fabri icarea elemen ntului activ al varistoare elor sunt carb bura de sil liciu (SiC) sau s oxizii metalici m (ZnO O, TiO2, Zn nO2, CaO, MnO M 2, CuO etc.). Sunt dispozitive puternic nel liniare, realizate pe ba az de carbur r de Si (CSi i). Pulberea de d CSi n am mestec cu o substan s cer ramic sau o rin termo origid (ellac, e epoxi) este presat i ars.

Fi ig.6.11. Vari istoare Deoar rece rezisten na varistoare elor scade foarte f mult cu c creterea tensiunii, e ele se utilize eaz n cons strucia de escrctoarel lor cu reziste ena variabil l de nalt i joas ten nsiune pentru u protecia m mainilor i transformato oarelor ele ectrice, a ins stalaiilor de telecomunicaie etc. Se emiconducto oarele cu se ensibilitate mare la ac ciunea temp peraturii se e utilizeaz la fabricar rea termisto oarelor, ter rmoelemente elor, a eleme entelor termo oemisive etc.

Varistoarele sunt structuri a cror rezisten este controlat prin tensiunea aplicat la borne (fig. 6.12).

Fig. 6.12. Caracteristica curent-tensiune la varistoare. Caracteristicile curent - tensiune pentru varistoare se pot aproxima cu relaiile: (6.18) n care A i B sunt parametrii care fixeaz valoarea tensiunii de lucru a varistorului i depind de forma, dimensiunile i tehnologia de fabricaie. n relaiile (6.18) numai constantele A i B depind de temperatur de forma:

I = AU ; U = BI ,

a=

1 A 1 B , ; b= A T B T

(6.19)

Valorile coeficienilor b pentru varistoare sunt cuprinse n intervalul: (-11,8) 10-3 K-1. Exponenii si din relaiile (6.18) caracterizeaz neliniaritatea caracteristicii, pentru varistoarele uzuale fiind constani cu temperatura (SiC 5, ZnC 25). Din relaia (6.18) rezult c la tensiuni mici rezistena este aproape constant, ns odat cu creterea tensiunii rezistena scade, cu ct este mai mare. Cauza scderii tensiunii trebuie cutat n fenomenele care se produc la suprafaa granulelor. Unul din fenomene este legat de procesele de conducie electric ce se stabilesc la contactele dintre granule, contacte care sunt microjonciuni formate n timpul sinterizrii. Astfel, la contactul dintre dou granule, se stabilete un circuit format din dou diode n opoziie. La creterea intensitii cmpului electric, microjonciunile se strpung, cu att mai multe cu ct tensiunea este mai mare. Caracteristica microjonciunii nu este dependent de polaritatea tensiunii aplicate. Caracteristica de ansamblu se obine prin nsumarea caracteristicilor microjonciunilor (Fig. 6.12). Varistoarele sunt utilizate pentru protecia la supratensiune, ca multiplicatoare de frecven, ca stabilizatoare de curent sau de tensiune. 8. Materiale cu funcie de conversie termoelectric Expresia conductivitii electrice n semiconductoare subliniaz influena puternic a temperaturii asupra acestui parametru de material, prin influena asupra asupra valorilor concentraiilor de purttori mobili de sarcin i ale mobilitilor acestora. Temperatura este factorul care determin n anumite condiii generarea unui curent electric: un gradient de temperatur, prin difuzia purttorilor situai n regiunile cu temperatur mai ridicat (de concentraie mai mare) spre regiunile cu temperatur mai sczut, genereaz un curent electric. Cmpul electric imprimat, care se opune tendinei de deplasare a purttorilor de sarcin are intensitatea dat de expresia:

E i = S gradT ,

(6.20)

unde S se numete coeficient de tensiune diferenial, iar gradT reprezint creterea de temperatur dup diecia normal. Valori mai mari pentru S, de ordinul zecilor de mV/K, se obin pentru SnSb, PbSb, PbSe, PbTe, Bi2Te3, Bi2Se3. Pentru ca un material s fie utilizat cu funcia de conversie termoelectric trebuie s ndeplineasc urmtoarele cerine: - s aib valoare mare a coeficientului de variaie a conductivitii cu temperatura:

1 , T

(6.21)

- s aib conductivitate electric mare n domeniul temperaturilor de lucru (sensibilitate mare); - s aib duratele de rspuns electric e i termic T ct mai mici; - s prezinte o valoare mare a tensiunii difereniale. a) Termistoare Sunt rezistoare neliniare realizate din amestecuri de oxizi de: Mn, Ni, Co, Fe etc. i caracterizate printr-un coeficient de variaie al rezistivitii cu temperatura foarte mare i negativ. Termistoarele se realizeaz sub form de bare, discuri sau perle, n funcie de domeniul de utilizare: Termistoarele sunt componente pasive de circuit a cror rezistivitate se modific (n sensul creterii sau descreterii) cu variaia temperaturii mediului. Coeficientul de variaie a rezistivitii poate fi negativ sau pozitiv. Rezistenta la rece a barelor si discurilor este de ordinul sutelor sau miilor de ohmi i scade, la cald, sub 1.Din acest motiv sunt utilizate ca stabilizatoare ale punctelor statice de funcionare ale tranzistoarelor.Perlele introduse n tuburi de sticl, se utilizeaz pentru msurarea temperaturii, sau ca relee de timp. Perlele nconjurate de o rezistena parcurs de curent electric i introduse ntr-un balon de sticl vidat, se utilizeaz ca dispozitive de reglaj.

Fig.6.13 Termistoare a1)Termistoare cu coeficient de temperatur negativ. Funcionarea acestor termistoare se bazeaz pe scderea rezistivitii materialelor semiconductoare intrinseci odat cu creterea temperaturii. Elementele rezistive ale termistoarelor cu coeficient de temperatura negativ - NTC sunt realizate din materiale semiconductoare din oxizi ai metalelor din grupa fierului: oxizi de Fe, Cr, Mn, Co, Ni. Pentru obinerea unor caracteristici reproductibile alturi de oxizi i de elementele de impurificare se adaug stabilizatori. Caracteristica dependenei rezisten temperatur, indiferent de forma geometric (disc, cilindri, tuburi, filamente etc.) a termistorului, se poate pune sub forma:

1 1 RT = R0 exp T T , 0
n care:

(6.22)

R0 - rezistena la temperatura absoluta T0; - indice de sensibilitate termic al materialului; RT - rezistena la temperaturi absolute T; T0 i T - sunt temperaturi absolute. Observatie: Caracteristica rezisten - temperatur este exponenial att pentru termistoarele cu un coeficient de temperatur negativ ct i pentru cele cu coeficient de temperatur pozitiv. Termistoarele cu coeficient de temperatur negativ sunt utilizate pentru msurarea temperaturii i pentru compensarea creterii rezistenei electrice a unor elemente de circuit. nclzirea termistoarelor poate fi realizat direct de ctre curentul ce strbate termistorul sau indirect, prin contact termic. Pentru un termistor cu coeficient de temperatur negativ (NTR), aliura caracteristicii rezisten temperatur, indicat n figura 6.14a, este scztoare cu creterea temperaturii. Caracteristica volt-ampermetric U(I) la o temperatur dat (Fig. 6.14b) este specific fiecrui tip de termistor. Termistoarele care funcioneaz ca traductoare de temperatur lucreaz pe poriunea liniar 0A a caracteristicii, de rezisten dinamic pozitiv i la cureni relativ mici, pentru a nu se produce autonclzirea elementului activ.

Fig. 6. 14. Caracteristici la termistoare: a) caracteristica rezisten-temperatur pentru termistoare de tip N (NTR) i termistoare tip P (PTR), comparativ cu caracteristica la metale; b) caracteristica tensiune-curent la diferite temperaturi de funcionare pentru un termistor NTR. a2)Termistoare cu coeficient de temperatur pozitiv. Aceste termistoare sunt realizate din titanat de bariu (BaTiO3) sau soluie solid de BaTiO3 cu titanat de stroniu (SrTiO3). Prin substituirea ionilor bivaleni de Ba2+ cu ioni trivaleni de La3+ sau a ionilor tetravaleni de Ti4+ cu ioni pentavaleni de Sb5+, Nb5+ se obtine o conducie de tip p. Prin oxidare controlat la temperaturi ridicate oxigenul ptrunde prin porii de la suprafaa cristalelor devenind n timpul rcirii ioni negativi O2- captnd electroni din stratul superficial al cristalitelor semiconductoare. n acest mod se realizeaz o barier de potenial (sarcina superficial negativ i sarcina spaial pozitiv rezultat prin deplasarea electronilor ctre suprafa) n termistor se stabilete o rezisten suplimentar proporional cu:

R N exp
unde:

q 0 Vb , kT

(6.23)

N - numrul de bariere pe unitatea de lungime a termistorului; Vb - potenialul barierei; q0 - sarcina electronului; k - constanta lui Boltzman; T - temperatura absolut. b) Termoelemente.Sunt conbinaii de dou semiconductoare sau de un semiconductor i un metal, lipite ntre ele la cele dou capete i dispuse la temperaturi diferite. Se realizeaz din Te Sb , Se Bi , Te Bi , PbTe , PbSe , PbSb , SnSb , CoSb etc. c) Straturi termoemisive.Se obin din oxizi ai metalelor alcalinopmntoase i constituie catozii tuburilor electronice cu emisie la cald, lucrul mecanic de extracie a electroniilor fiind mai redus dect n cazul catoziilor (metalici) cu emisie la rece. 9. Materiale semiconductoare cu funcia de conversie optoelectronic Conversia optoelectronic este fenomenul de transformare a semnalului optic n semnal electric pe baza efectului de cretere a concentraiei de volum a purttorilor mobili de sarcin dintr-un semiconductor sub aciunea unui semnal optic, avnd drept consecin modificarea conductivitii electrice a materialului semiconductor. Radiaia optic incident (radiaia electromagnetic n domeniul lungimilor de und 0,1 - 100 m) este parial reflectat de suprafaa semiconductorului, parial transmis, iar restul de radiaie optic este absorbit de materialul semiconductor. Radiaia absorbit determin ionizarea atomilor reelei cristaline i crearea numrului de purttori mobili de sarcin, fenomen numit efect fotoelectric. n funcie de intensitatea radiaiei incidente, la suprafaa semiconductorului pot aprea sub forma efectului fotoelectric intern sau sub forma efectului fotoelectric extern. Efectul fotoelectric intern apare dac energia primit de electroni de la fotoni este mai mic dect lucrul de extracie, dar suficient pentru a produce purttori mobili de sarcin n materialul semiconductor prin ruperea unor legturi n reeaua cristalin. Efectul fotoelectric intern se produce prin absorbie proprie sau absorbie datorat impuritilor (ionizarea atomilor reelei de baz sau a atomilor de impuritate). Absorbia proprie const n interaciunea dintre un electron de valen i un foton, n urma creia electronul de valen trece n banda BC . Absorbia proprie are loc numai dac energia fotonului radiat Wr depete energia benzii interzise Wi a semiconductorului:

W r = h W i ,

(6.24)

unde = 2 f este pulsaia radiaiei optice. Conversia optoelectronic este fenomenul de transformare a semnalului optic n semnal electric pe baza efectului de cretere a concentraiei de volum a purttorilor mobili de sarcin dintr-un semiconductor sub aciunea unui semnal optic, avnd drept consecin modificarea conductivitii electrice a materialului semiconductor. Radiaia optic incident (radiaia electromagnetic n domeniul lungimilor de und 0,1 - 100 m) este parial reflectat de suprafaa semiconductorului, parial transmis, iar restul de radiaie optic este absorbit de materialul semiconductor. Radiaia absorbit determin ionizarea atomilor reelei cristaline i crearea numrului de purttori mobili de sarcin, fenomen numit efect fotoelectric. n funcie de intensitatea radiaiei incidente, la suprafaa semiconductorului pot aprea sub forma efectului fotoelectric intern sau sub forma efectului fotoelectric extern. Efectul fotoelectric intern apare dac energia primit de electroni de la fotoni este mai mic dect lucrul de extracie, dar suficient pentru a produce purttori mobili de sarcin n materialul semiconductor prin ruperea unor legturi n reeaua cristalin. Efectul fotoelectric intern se produce prin absorbie proprie sau absorbie datorat impuritilor (ionizarea atomilor reelei de baz sau a atomilor de impuritate). Absorbia proprie const n interaciunea dintre un electron de valen i un foton, n urma creia electronul de valen trece n banda BC (Fig. 3.25a). Absorbia proprie are loc numai dac energia fotonului radiat Wr depete energia benzii interzise Wi a semiconductorului:

W r = h W i ,

(6.25)

unde = 2 f este pulsaia radiaiei optice. a) Tuburi fotoelectrice. Construcia lor se bazeaz pe efectul fotoelectric interior : iluminate, ele i modific conductivitatea electric i determin, astfel, variaii ale cureniilor electrici care le parcurg.Se confecioneaz prin depunerea pe un grtar metalic a unui strat semiconductor de Se, TeS, CdS, CdSe, PbS, PbSe etc. Se utilizeaz n instalii de semnalizare, protecie, comand etc. b) Celule fotovoltaice. Aceste dispozitive cuprind fotoelementele, fotodiodele i fototranzistoarele. b1. Fotoelementele se deosebesc de toate tipurile de dispozitive fotoelectrice prin faptul c nu conin surse de alimentare cu tensiune electric. Astfel un fotoelement de dimensiuni relativ reduse poate genera sub aciunea radiaiilor luminoase, o tensiune electromotoare de 0.5V (respectiv o putere de 22.5mW n circuitul de sarcin). Ca materiale semiconductoare se utilizeaza: AgS , O Cu , Se 2 . Prin gruparea mai multor fotoelemente se pot obine baterii solare cu puteri pn la 2 m / W 200 (cu un randament al transformarii energiei luminoase n energie electric de 11%) b2. Fotodiodele au zone sensibile la radiaii luminoase situate n interiorul materialului semiconductor.Se obin, prin aliere, tragere etc., din Ge, Si. b3. Fototranzistoarele avnd una din jonciunile p n expuse radiaiilor luminoase se realizeaz din aceleai materiale ca i fotodiodele. b4. Luminoforii i fosforii se utilizeaz la fabricarea dispozitivelor cu fluorescen sau fosforescen, a ecranelor tuburiilor catodice, a lmpilor fluorescente, a panourilor luminoase.Luminoforii utilizai n tehnic se obin din sulfuri, selenuri, silicati, wolframai, borai etc. activai cu Cu, bismut, mangan etc. 10. Traductoarele piezoelectrice se realizeaz din material semiconductoare a cror structur nu prezint un centru de simetrie al sarcinilor punctuale, de exemplu GaAs, InSb etc. Materialele piezoelectrice au proprietatea de a genera sarcini electrice sub aciunea forelor mecanice sau de a se deforma elastic sub influena aciunii unor cmpuri electrice. Proprietatea este specific unor substane cristaline solide: cuarul,turmalina, titanatul de bariu, sarea de Seignette.n practic sunt des intalnite traductoare piezoelectrice realizate din cuar sau turmalin, materiale care, dup cum se tie, fac parte din clasa izolanilor.

Fig.6.15.Cuar Dac un cristal de cuar este solicitat mecanic pe direcia unei axe electrice,pe feele perpendiculare acestei axe apar sarcini electrice de semn contrar (diferen de potenial electric).Invers, aplicarea unui cmp electric provoac deformarea cristalului(contracie sau lungire). Aceste efect(efectul piezoelectric) se utilizeaz pentru msurarea presiunilor, fabricarea materialelor ceramice. De asemenea, se uitlizeaz pentru msurarea, a forelor i accelerailor n tensometrie, defectoscopie etc.

11. Traductoarele de presiune rezistena electric se realizeaz din granule (microfoane) sau discuri subiri (traductoare industriale) din carbune, plasate ntre dou plci conductoare i care i modific rezistena electric sub aciunea solicitrilor mecanice (statice sau dinamice). Asemenea dispozitive se utilizeaz n construcia accelerometrelor, n telefonie, pentru nregistrarea informaiei etc. n afara aplicaiilor prezentate, materialele semiconductoare se utilizeaz la fabricarea circuitelor integrate (monocristale care conin rezistoare, diode, tranzistoare), a laserilor i maserilor, a instalaiilor frigorifice, a termoelementelor, a modelatoarelor de radiaii infraroii, a celulelor fotoelectromagnetice, n msurarea distanelor submicroscopice etc.