Documente Academic
Documente Profesional
Documente Cultură
pentru atomul de impuritate pentavalent sunt foarte apropiate de BC a cristalului care a fost impurificat
(cristalul de Si, în acest caz), ca în figura 10.1.b.
a b
Figura 10.1
După cum se observă în figura 10.1.b, electronul de valență neimplicat în vreo legătură
covalentă, al atomului de impuritate, poate tranzita, ca urmare a fluctuațiilor determinate de mişcarea
de agitație termică, de pe nivelul său (numit nivel donor, ND), pe unul dintre nivelurile energetice din
BC ale atomului de Si. Prin această tranziție, numărul de electroni de conducție creşte cu o unitate şi
atomul de impuritate (atom donor) îşi realizează configurația stabilă de 8 electroni pe ultimul strat.
După tranziţia electronului, atomul donor, iniţial neutru din punct de vedere electric, devine ion
pozitiv.
Dacă în cazul semiconductorului de Si pur concentrația volumică a electronilor din BC este
egală cu cea a golurilor din BV, după impurificare, concentrația volumică a electronilor din BC va creşte
cu un număr egal cu cel al atomilor de impuritate pentavaleți din unitatea de volum. La curentul electric
de conducție, sarcinile electrice majoritare sunt sarcinile electrice negative, mai precis electronii
cvasiliberi din BC. În această situaţie este valabilă inegalitatea 𝒏 ⟩ 𝒑 şi semiconductorii extrinseci
se numesc de tip n.
În figura 10.1.b se observă că ND se află în interiorul BI a Si. În această situaţie, studentul poate
fi pus în dificultate, deoarece se ştie că nivelurile energetice ale electronilor cristalului nu pot fi situate
într-o BI. Însăşi denumirea de bandă interzisă sugerează această interdicție. Aparenta contradicție se
rezolvă ținându-se cont de faptul că structura de benzi energetice din figura 10.1.b corespunde
electronilor cristalului de Si, iar electronii atomilor de impuritate au o altă configurație a benzilor
Iulia Brîndușa Ciobanu Gabriela Apreotesei
energetice. Prin urmare, ce este interzis pentru electronii cristalului de Si, nu este interzis pentru
electronii atomilor de impuritate, şi invers.
a b
Figura 10.2
precis, golurile din BV. În consecință, semiconductorii extrinseci pentru care este valabilă
inegalitatea 𝒑 ⟩ 𝒏 se numesc semiconductori de tip p.
10.2.2. Joncţiunea pn
Prin îmbinarea a două eşantioane semiconductoare dopate (impurificate) în mod diferit, astfel
încât unul este de tip p şi celălalt de tip n, se obţine joncţiunea pn (fig. 10.3).
Figura 10.3
Joncţiunea pn este regiunea din vecinătatea suprafeţei de contact dintre cele două eşantioane
semiconductoare cu tip de conducţie diferit, de tip p şi respectiv de tip n. Gradientul foarte mare al
concentraţiei de purtători majoritari de sarcină electrică liberi, între cele două semiconductoare, conduce
la fenomenul de difuzie. În zona de contact, pe o distanţă foarte mică, golurile vor difuza din zona neutră
p în zona n şi electronii cvasiliberi din zona neutră n în zona p, generând un curent electric de difuzie.
Datorită proceselor de recombinare (gol+electron) se vor reface unele legături covalente. Ca urmare,
sarcina electrică a ionilor de impuritate va rămâne necompensată, determinând apariţia, în vecinătatea
suprafeţei de separaţie, a unei sarcini electrice spaţiale (de valoare negativă în zona p şi respectiv de
valoare pozitivă în zona n). Astfel, pe o distanţă 𝐿, va apărea o tensiune electrică de baraj 𝑼𝒃 şi un
câmp electric de baraj, caracterizat prin vectorul intensitate 𝑬𝒃⃗ (fig. 10.3). 𝑳 se numeşte lăţime a
câmpului electric de baraj şi depinde de gradul de impurificare a celor două eşantioane
semiconductoare. La temperatura camerei (𝑇 = 300𝐾), în mod uzual, pentru siliciu 𝑈 ∈ [0.6, 0.7]𝑉
şi pentru germaniu 𝑈 ∈ [0.3, 0.35]𝑉.
Odată format, câmpul electric de baraj se opune difuziei purtătorilor majoritari de sarcină
electrică liberi, a golurilor din zona p în zona n şi a electronilor în sens invers, deoarece ionii negativi
Iulia Brîndușa Ciobanu Gabriela Apreotesei
acceptori resping electronii şi ionii pozitivi donori resping golurile. Există totuşi un curent de difuzie
produs de acei purtători majoritari care au energii suficient de mari, încât pot anihila efectul barierei de
potenţial 𝑈 . Pe de altă parte, câmpul electric intern al joncţiunii pn antrenează, dintr-o zonă în alta,
purtătorii minoritari, determinând apariţia unui curent electric de conducţie, numit curent de drift. În
regimul de echilibru termic al unei joncţiuni pn nepolarizate (în absenţa unei surse de tensiune
exterioară) intensitatea curentului de difuzie este egală şi de sens contrar cu intensitatea curentului de
drift, astfel încât intensitatea curentului rezultant este nulă.
Dacă 𝑵𝑨 = concentraţia impurităţilor acceptoare din zona p, 𝑵𝑫 = concentraţia
impurităţilor donoare din zona n, 𝑳𝒑 = lungimea de difuzie în zona p (în care apare o sarcină electrică
negativă) şi 𝑳𝒏 = lungimea de difuzie în zona n (în care apare o sarcină electrică pozitivă), pentru a fi
satisfăcută condiţia de neutralitate, este valabilă relaţia
𝑁 𝐿 =𝑁 𝐿 (10.1)
Conform figurii 10.3 rezultă
𝐿 +𝐿 =𝐿 (10.2)
Joncţiunea pn o întâlnim la majoritatea dispozitivelor semiconductoare, cum ar fi: diodele
semiconductoare, tranzistorii, celule solare etc.
a b
Figura 10.4
măsoară cu un voltmetru conectat în paralel cu dioda. Intensitatea curentului electric este indicată de
un ampermetru (miliampermetru în acest caz) care se conectează în serie cu dioda.
În figura 10.4.a este reprezentat circuitul unei diode semiconductoare polarizate invers. Se
observă că semiconductorul de tip p este conectat la borna negativă a sursei de tensiune exterioară, iar
semiconductorul de tip n este conectat la borna pozitivă. În acest caz, vectorul intensitate a câmpului
electric de baraj 𝐸⃗ şi vectorul intensitate a câmpului electric determinat de tensiunea de alimentare
𝐸⃗ au acelaşi sens. Prin urmare, efectul câmpului electric de baraj este potenţat de câmpul electric al
tensiunii de alimentare. În consecinţă, intensitatea curentului electric de difuzie prin circuit devine
foarte mică. Prin joncţiune va circula un curentul de purtători minoritari, care este, de asemenea, extrem
de mic. În concluzie, la tensiuni nu foarte mari, intensitatea curentului electric rezultant este nulă.
Figura 10.4.b prezintă circuitul unei diode semiconductoare polarizate direct. Semicon-
ductorul de tip p este conectat la borna pozitivă a tensiunii exterioare, iar semiconductorul de tip n este
conectat la borna negativă. În acest caz, vectorul intensitate a câmpului electric de baraj 𝐸⃗ şi vectorul
intensitate a câmpului electric determinat de tensiunea de alimentare 𝐸⃗ au sensuri opuse. Prin
urmare, efectul câmpului electric de baraj este mult diminuat, începând de la o valoare a tensiunii
electrice de alimentare, numită tensiune de deschidere, sau tensiune de prag, notată cu 𝑈 . Prin circuit
va apărea un curent electric, care va cresţe brusc la o variaţie mică a tensiunii de alimentare.
Intensitatea curentului electric prin joncţiune este practic egală cu intensitatea curentului de difuzie, format
din purtători majoritari.
Prin urmare, în cazul în care se evită aplicarea tensiunilor
mari de polarizare inversă (deoarece ar conduce la deteriorarea
dispozitivului electronic), diodele semiconductoare obişnuite
sunt elemente unidirecţionale de circuit. Cu alte cuvinte, dioda
semiconductoare conduce curentul electric numai atunci când este
polarizată direct. Astfel, se justifică simbolul pentru dioda
semiconductoare din figura 10.5, în care s-a făcut analogia cu
Figura 10.5
polaritatea electrozilor din alcătuirea tuburilor electronice, anodul
la (+), catodul la (-).
În figura 10.6 este reprezentată caracteristica volt-amperică a diodei semiconductoare. Prin
convenţie, la polarizarea inversă a joncţiunii pn, se consideră tensiunea de la bornele diodei negativă
(𝑈⟨ 0). Situaţia corespunde cadranelor II şi III ale reprezentării. La polarizarea directă a joncţiunii pn,
tensiunea de la bornele diodei este pozitivă (𝑈⟩ 0) şi situaţia o regăsim în cadranele I şi IV ale
caracteristicii volt-amperice.
În cadranul I apare şi formula de calcul a rezistenţei dinamice 𝑹𝒅
Iulia Brîndușa Ciobanu Gabriela Apreotesei
𝑑𝑈 ∆𝑈 𝑈 −𝑈
𝑅 = = lim = lim (10.3)
𝑑𝐼 ∆ → ∆𝐼 → 𝐼 −𝐼
Rezistenţa statică într-un punct dat al caracteristicii este exprimată prin relaţia
𝑈
𝑅 = (10.4)
𝐼
Dacă 𝑅 = 𝑅 = 𝑐𝑡., elementul de circuit este liniar (caracteristica volt-amperică este o dreaptă), iar
dacă 𝑅 ≠ 𝑅 este variabilă, elementul de circuit este neliniar (caracteristica volt-amperică este o curbă
oarecare). Se observă că dioda semiconductoare este un element neliniar de circuit.
Figura 10.6
𝐼 ≈ 1 ÷ 10𝑚𝐴. Din figura 10.6 se observă că la tensiuni de polarizare inverse mari, în cadranul III,
intensitatea curentului electric invers creşte foarte mult. Această cresţere foarte abruptă este cauzată de
efectul Zener şi de fenomenul de multiplicare în avalanşă (predominant de obicei). Valoarea tensiunii
electrice de la care se produce creşterea se numeşte tensiune de străpungere, sau tensiune Zener
(𝑼𝒔𝒕𝒓 = 𝑼𝒁 ), aceasta fiind determinată de tipul semiconductorului şi de gradul de dopare. Valoarea
tensiunii de străpungere scade pe măsură ce concentraţia de impurităţi creşte.
Tensiunea electrică de la care dioda polarizată direct permite trecerea unui curent electric se
numeşte tensiune de deschidere sau tensiune de prag şi este notată cu 𝑼𝒑 în cadranul I al caracteristicii
din figura 10.6. Dacă 𝐼 ≈ 1 ÷ 10𝑚𝐴, pentru diodele de germaniu 𝑈 ∈ [0.2, 0.3]𝑉 şi pentru cele de
siliciu 𝑈 ∈ [0.6, 0.8]𝑉. Funcţionarea diodei semiconductoare este puternic influenţată de temperatură,
atât prin argumentul exponenţialei din relaţia (10.3), cât şi prin valoarea intensităţii curentului de
saturaţie.
Figura 10.7
Iulia Brîndușa Ciobanu Gabriela Apreotesei
Figura 10.9
11. Pentru o redare mai clară a reprezentărilor grafice, se activează opţiunea Fit in din
meniul principal al programului.
12. Dacă se face click-dreapta pe fiecare grafic, sau pe fiecare căsuţă din meniu, U, I, P, sau
W, se activează opţiunea Display options. Astfel, pot fi setate culoarea curbei, grosimea acesteia,
simbolul pentru punctele experimentale, tipul de scalare (liniară, sau logaritmică), tipul de interpolare.
După stabilirea setărilor se apasă tasta OK. Aceste operaţiuni se pot face şi din meniul
Measurement→Display options.
Iulia Brîndușa Ciobanu Gabriela Apreotesei
a c
b
Figura 10.11
Figura 10.11.a reprezintă o captură de ecran a graficelor mărimilor 𝑈, 𝐼, 𝑃, 𝑊 ca funcţii de timp,
în cazul măsurătorilor făcute pentru dioda redresoare de siliciu,1N4007. Dacă în meniul principal se
accesează opţiunea Date table apare o secţiune din tabelul de date, ca în figura 10.11.b.
13. Pentru eliminarea unui grafic de pe display, se face click-stânga pe căsuţa corespunzătoare
mărimii din meniul principal. Prin aceeaşi operaţiune se poate reveni la redarea graficului. În figura
10.11.c este redat graficul intensităţii curentului electric în funcţie de timp.
14. În scopul obţinerii caracteristicii
volt-amperice a diodei, 𝐼 = 𝑓(𝑈), se parcurg
paşii Measurement→Chanel Manager. Setarea
mărimilor, pe axa x, respectiv y, se face dând
click pe mărime şi apoi pe săgeata ce indică spre
dreapta. În final se apasă tasta OK (fig. 10.12).
Figura 10.12
Iulia Brîndușa Ciobanu Gabriela Apreotesei
99
79
59
I(mA)
39
19
-1
-1000 -500 0 500 1000
U(mV)
Figura 10.13
Iulia Brîndușa Ciobanu Gabriela Apreotesei
80
60
I(mA)
40
20
0
500 550 600 650 700 750 800 850
U(mV)
Figura 10.14
0
0.5 0.55 0.6 0.65 0.7 0.75 0.8 0.85
-1
-2
-3
-4
lnI
-5
-6
-7
-8
-9
U(V)
Figura 10.15
Iulia Brîndușa Ciobanu Gabriela Apreotesei
100
90
80
70
I(mA)
60
50
40
30
20
750 760 770 780 790 800 810
U(mV)
Figura 10.16