2.

MATERIALE SEMICONDUCTOARE

Materialele semiconductoare stau la baza realizrii de dispozitive electronice i
de circuite integrate. Acestea se caracterizeaz prin valori ale conductivitii electrice
cuprins n intervalul de valori = (10
-6
- 10
5
)
-1
m
-1
. Conductivitatea electric a
semiconductoarelor este puternic dependent de condiiile exterioare (temperatur,
cmp electric, cmp magnetic etc.) i de structura intern a acestora (natura
elementelor chimice componente, defecte, impuriti etc.). La realizarea de dispozitive
i circuite electronice se poate folosi numai o parte dintre materialele semiconductoare
care ndeplinesc condiiile de conductivitate. Pe lng aceste condiii materialele
semiconductoare folosite n electronic trebuie s prezinte legturi covalente i o
structur cristalin perfect.

2.1. Caracteristici ale materialelor semiconductoare

n categoria materialelor semiconductoare pot fi cuprinse o serie de elemente
chimice i compui ai acestora. Pentru realizarea de dispozitive electronice cele mai
folosite materiale semiconductoare au la baz elementele chimice din grupa a IV-a:
germaniul (Ge), siliciu (Si), din grupa a VI-a: seleniul (Se) i unii compui binari ai
elementelor din grupele III- V a sistemului periodic: GaAs, InSb.
Proprietile materialelor semiconductoare sunt direct legate de natura atomilor
constitueni i de legturile chimice dintre acetia. Legtura tipic este legtura pur
covalent, ntlnit la cristalele atomice homopolare (cu un singur tip de atomi) ale
elementelor tetravalente C, Si, Ge, -Sn. Pentru celelalte materiale semiconductoare
legtura chimic este hibrid de tip covalent - ionic. Materialele semiconductoare cu
structuri cristaline specifice, cum sunt: structura cubic tip diamant (C, Ge, Si, Sn), tip
blend (Si C, Ga Sb, Ga As, etc), tip wurzit (ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS, etc) sunt cele mai
rspndite materialele cu aplicaii n electronic.

2.1.1. Structura materialelor semiconductoare. Conducia electric

Proprietile materialelor semiconductoare sunt determinate de natura atomilor i
de legturile chimice dintre acetia. S-au elaborat modele cristalo - chimice ale
legturii dintre atomii substanei semiconductoare. La semiconductorii elementari,
constituii dintr-un singur tip de atomi (monoatomici), se stabilete o legtur de tip
covalent prin punerea n comun a electronilor de valen pentru realizarea octetului.
Simbolizarea acestei legturi dintre atomii vecini se indic n figura 2.1. Legtura
covalent astfel realizat se supune regulii octetului: 8-N, unde N reprezint numrul
de electroni de valen ai unui atom, iar 8-N indic numrul de legturi ai unui atom cu
atomii vecini. (tabelul 2.1).



Tehnologie electronic 14
Tabelul 2.1
N 8-N
Si 4 4
Ge 4 4
As 5 3
Se 6 2
Si
Si
Si
Fig. 2.1 Simbolizarea legturii covalente la siliciu
(semiconductor monoatomic)
Si
Si



Materialele semiconductoare se utilizeaz pentru realizarea dispozitivelor
electronice care au la baz fenomenul de conducie comandat. ntr-un semiconductor,
curentul electric este determinat de electronii de conducie i de goluri, sarcini
generate prin mecanismul intrinsec (rupere de legturi) sau extrinsec (atomi de
impuritate).
Impuriti active:
- donoare cu valena V: P, As, Sb, Bi;
- acceptoare cu valena III: B, Al, Ga, In.
n prezena unui cmp electric E sarcinile electrice (electronii i golurile) sunt
accelerate, realizndu-se procesul de conducie electric. Viteza medie ordonat a
electronilor de conducie i a golurilor este determinat de cmpul electric aplicat.
Aceasta reprezint vitez de drift care pentru electroni este v
dn
:

E v
n dn
= , (2.1)

iar pentru goluri este v
dp
:
E v
p dp
= (2.2)

Valorile mobilitilor electronilor
n
i golurilor
p
n unele cristale de material
semiconductor sunt indicate n tabelul 2.2.

Tabelul 2.2. Mobilitile electronilor i golurilor n unele materiale semiconductoare
Material Ge Si GaAs InSb GaSb CdS

n
[m
2
/Vs] 0,390 0,19 0,85 0,78 0,40 0,030

p
[m
2
/Vs] 0,135 0,045 0,40 0,075 0,14 0,005

2.1.2. Semiconductori intrinseci

n procesul de conducie electric, n semiconductorii intrinseci densitatea
curentului electric J este egal cu suma ntre densitatea de curent a electronilor i a
golurilor:
p o n o
v q p v q n J + = (2.3)
unde :
Materiale semiconductoare 15
n este concentraia de electroni de conducie din banda de conducie;
p este concentraia de goluri din banda de valen;
q
o
=e este sarcina electric a electronului, respectiv, a golului, 1,60 x 10
-19
C;
p n
v v , sunt vitezele de drift medii ale electronilor, respectiv ale golurilor.
Conductivitatea electric este dat de suma dintre conductivitatea electronic

n
i cea a golurilor
p
:

p n p n
ep en + = + = (2.4)

Deoarece n semiconductoarele intrinseci prin ruperea legturilor atomice numrul
electronilor liberi este egal cu numrul golurilor, este valabil relaia n= p=

n
i ,
cu care
expresia (2.4) devine:

) (
p n i i
e n + = . (2.5)
Calculul concentraiei electronilor din banda de conducie i a golurilor din banda de
valen se face cu considerarea teoriei cuantice, aplicate la modelul benzilor energetice
n cristal. Astfel, concentraia de electroni din banda de conducie (BC) este dat de
relaia:

=
kT
W W
N n
F C
C
exp (2.6)
unde: mrimea N
C
reprezint numrul efectiv de stri energetice din BC, dependent de
masa efectiv a electronilor i de temperatur, iar este limea
intervalului interzis Fermi (fig. 2.2).
F C i
W W W =










Fig. 2.2 Modelul benzilor energetice al conduciei electrice n semiconductoarele intrinseci:
a) la temperatura de 0K; b) la temperaturi T 0K i n absena cmpului electric; c)
formarea perechilor electron-gol n semiconductor
a) b) c)

Conform relaiei (2.6) arat c concentraia electronilor de conducie crete
exponenial cu temperatura i scade exponenial cu creterea intervalului Fermi.
Concentraia de goluri din banda de valen BV este:

=
kT
W W
N p
F V
V
exp , (2.7)
Tehnologie electronic 16
unde N
V
reprezint numrul efectiv de stri din BV.
Pentru semiconductorii intrinseci, concentraia de electroni este numeric egal cu
cea a golurilor:
i
n p n = = , (2.8)
unde n
i
este concentraia intrinsec de purttori de sarcin.
Rezult:

= =
kT
W W
N N n p n
V C
C V i
exp
2
, (2.9)
Din aceast relaie rezult expresia concentraiei de electroni din BC i goluri din BV:

= = =
kT
W
N N n p n
i
C V i
2
exp . (2.10)
Conform relaiei (2.10) concentraia intrinsec de purttori de sarcin n
i
depinde
de lrgimea intervalului interzis W
i
i de temperatur.
Proprietile semiconductoare ale cristalelor pure de siliciul i germaniu la
temperatura de 300 K sunt prezentate n tabelul 2.3.

Tabelul 2.3. Unele proprieti ale siliciului i germaniului pur la 300 K
Proprieti fizice Ge Si GaAs
Banda Fermi W
i
[eV] 0,67 1,10 1,42
Mobilitatea electronului
n
, [m
2
/ (Vs)] 0,39 0,135 0,85
Mobilitatea golului
p
, [m
2
/ (Vs)] 0,19 0,048 0,040
Concentraia intrinsec a purttorilor de
sarcin n
i
, [purttori/m
3
]
2,4 x 10
19
1,45 x 10
16
1,8 x 10
12

Observaii:
- Mobilitile electronilor sunt ntotdeauna mai mari dect mobilitile golurilor; de
aceea dispozitivele semiconductoare la care purttorii majoritari sunt electroni pot
funciona la frecvene mai mari dect a celor la care purttorii sunt goluri.
- Pentru siliciul intrinsec mobilitatea electronilor, de 0,135 m
2
/(Vs), este de 2,81 ori
mai mare dect mobilitatea golurilor, care este de 0,048 m
2
/(Vs) la 300 K.
- Pentru GaAs intrinsec mobilitatea electronilor, de 0,85 m
2
/(Vs), este de 6,3 ori mai
mare dect mobilitatea electronilor la siliciu;
- Raportul ntre mobilitatea electronului i a golului la germaniul intrinsec este 2,05
la 300 K.

Materiale semiconductoare 17
Exemplu:

S se determine conductivitatea electric pentru germaniu, siliciu i GaAs la
temperatura echivalent unei energii termice de kT = 0,025 eV.

Rezolvare:

Valoarea conductivitii germaniului, conform relaiei (2.5) este:

, 64 , 2 ) 19 , 0 39 , 0 ( ) 10 4 , 2 )( 10 6 , 1 ( ) (
1 1 19 19
= + = + = m n e
p n i


valoarea conductivitii siliciului, conform aceleai relaiei este:

1 1 3 16 19
10 42 , 0 ) 045 , 0 1350 , 0 ( ) 10 45 , 1 )( 10 6 , 1 ( ) (

= + = + = m n e
p n i
,

iar valoarea conductivitii la GaAs este:

1 1 6 12 19
10 42 , 1 ) 040 , 0 850 , 0 ( ) 10 8 , 1 )( 10 6 , 1 ( ) (

= + = + = m n e
p n i


Se observ c valoarea conductivitii intrinseci la Ge este de aproximativ 10
3
ori
mai mare dect la Si i aproximativ 10
6
mai mare dect la GaAs.

2.1.3. Semiconductori extrinseci

Semiconductori extrinseci sunt cristale de tip soluii solide foarte diluate n care
ionii de substituie au valena diferit de cea a reelei atomice a solventului. Deoarece
conductivitatea electric a unui material semiconductor extrinsec depinde n primul
rnd de concentraia de impuriti, rezult c aceast proprietate este controlabil i
stabil. Semiconductorii extrinseci se obin prin procesele de impurificare a arjei la
elaborarea materialului semiconductor sau prin procesele de impurificare controlat:
difuzie, implantare ionic (cap.4).

a) Conducia extrinsec n semiconductoarele de tip n
Semiconductoarele extrinseci de tip n se obin prin impurificare controlat cu
impuriti donoare. Atomii impuritilor donoare au valena mai mare dect valena
cristalului de baz. La introducerea lor n cristal, aceste impuriti vor forma ioni
substituionali (ex. P, As, Sb, Bi) cednd reelei cristalului de baz unul sau mai muli
electroni. In acest caz, semiconductorul prezint n principal o conducie prin electroni,
numit conducie extrinsec de tip n.
In semiconductorul de Si dopat cu o impuritate donoare de fosfor, patru din
electronii de valen ai atomului de fosfor vor contribui la formarea legturilor
covalente cu cei patru atomi de siliciu nvecinai iar al cincilea electron nu particip la
Tehnologie electronic 18
formarea legturii covalente. In aceast situaie n cristal nu exist electroni cvasiliberi
i legturi necompensate (fig. 2.3).
Deoarece procesele de ionizare sunt mai intense dect procesele de rupere de
legturi covalente n cristalul de baz, n conducia extrinsec se consider doar
concentraia de electroni provenii prin excitare termic de la atomii de impuritate.
Curentul electric n procesul de conducie extrinsec din semiconductoarele de
tip n este generat de micarea ordonat a electronilor cvasiliberi provenii de la atomii
de impuritate.
















a) b) c)
Fig. 2.3 Conducia extrinsec de tip n (ntr-un cristal de siliciu dopat cu impuriti
donoare) n modelul benzilor energetice: a) la temperatura de 0 K i n absena
cmpului electric; b) la temperatura diferit de 0 K i n absena cmpului electric;
c) la temperatura diferit de 0 K i n prezena cmpului electric
Pentru semiconductoarele de tip n, se aleg acele impuriti care furnizeaz
niveluri donoare n apropierea nivelului de jos al benzii de conducie. Astfel, energia
de activare (de ionizare) W
d
a impuritilor donoare este mult mai mic dect energia
de ionizare a atomilor cristalului de baz (care este energia intervalul interzis Fermi):

i d c d
W W W W << = , (2.11)

unde: W
d
reprezint energia nivelului donor al atomului de impuritate, iar
W
c
este energia nivelului de jos al benzii de conducie.

n aceste condiii, o perturbaie din exterior (temperatur, cmp electric etc.) ct
de mic determin excitarea electronilor de pe nivelurile donoare n banda de
conducie BC. Deci, conducia electric extrinsec de tip n se realizeaz prin electronii
din banda de conducie provenii de pe nivelurile donoare.
n tabelul 2.4 sunt indicate nivelurile energetice ale diferiilor atomi de
impuritate, situate n banda interzis Fermi a cristalului de germaniu i siliciu.




Materiale semiconductoare 19
Tabelul 2.4 Energiile intervalelor donoare i acceptoare la impurificarea controlat a
germaniului i siliciului
la siliciu (W
i
= 1.12 eV) la germaniu (W
i
= 0.67 eV) Material de
dopare W
d
[eV] W
a
[eV] W
d
[eV] W
a
[eV]
P
0,015 0,0120
As
0,049 0,0127
Sb
0,039 0,0096
B
0,045 0,0104
Al
0,057 0,0102
Ga
0,065 0,0108
In
0,160 0,0112

De obicei nivelurile donoare sunt situate deasupra jumtii benzii interzise, iar
cele acceptoare sub jumtatea acesteia.

b) Conducia electric n semiconductoarele de tip p
Semiconductoarele extrinseci de tip p se obin prin impurificare controlat cu
impuriti acceptoare. Atomii impuritilor acceptoare (ex. B, Al, Ga, In), avnd
valena mai mic dect valena cristalului de baz, nu reuesc s satisfac toate
legturile covalente ale cristalului dect prin ionizare (captarea electronului de
valen).
Conducia electric de tip extrinsec n semiconductoarele dopate cu impuriti
donoare se poate descrie calitativ i cantitativ cu modelul benzilor de energie n cristal.
(fig.2.4).

Fig. 2.4 Conducia extrinsec de tip p (ntr-un cristal de siliciu dopat cu impuriti
acceptoare) n modelul benzilor energetice: a) la temperatura de 0 K i n absena cmpului
electric; b) la temperatura diferit de 0 K i n absena cmpului electric; c) la temperatura
diferit de 0 K i n prezena cmpului electric
Structura benzilor energetice nu se modific, dar apar n plus niveluri energetice
n banda interzis Fermi, niveluri care corespund strilor locale ale atomilor de
Tehnologie electronic 20
impuriti acceptoare. De obicei se aleg acele impuriti acceptoare care genereaz
niveluri n apropierea nivelului superior al benzii de valen. Astfel, energia de
activare (de ionizare) a impuritilor acceptoare W
a
este mult mai mic dect energia
de ionizare a atomilor cristalului de baz:

i v a a
W W W W << = (2.12)

unde: W
a
reprezint energia nivelului acceptor al atomului de impuritate, iar
W
v
este energia ultimului nivel din BV.
n aceste condiii, o perturbaie ct de mic din exterior (temperatur, cmp
electric, radiaii etc.) va determina o cretere a concentraiei de goluri din banda de
valena. Conducia extrinsec de tip p se realizeaz prin golurile din BV produse prin
trecerea electronilor din BV pe nivelurile acceptoare ale ionilor de impuritate.

c) Expresia conductivitii electrice n semiconductoarele extrinseci
Pentru un semiconductor extrinsec la temperaturi joase, conductivitatea intrinsec
este practic nul (
i
0), astfel c n expresia conductivitii intr doar concentraia de
purttori majoritari. Astfel:
- pentru semiconductoare de tip n:
-
n D n e
q N
0
= ;
(2.13)
- pentru semiconductoare de tip p:
-
p A p e
q N
0
= , (2.14)
unde:
N
D
este concentraia de impuriti donoare (electroni din BC) pentru cazul
semiconductoarelor de tip n, iar
N
A
este concentraia de impuriti acceptoare (goluri din BV) pentru cazul
semiconductoarelor de tip p.
Expresia concentraiei extrinsece a electronilor din banda de conducie pentru
semiconductoarele de tip n este:

=
kT
W W
N n
d C
eC n
exp (2.15)

unde mrimea N
C
reprezint numrul de stri energetice donoare ionizate, iar
este energia de activare a impuritilor donoare.
d C d
W W W =
Materiale semiconductoare 21
Expresia concentraiei extrinsece a golurilor din banda de valen pentru
semiconductoarele de tip p este:

=
kT
W W
N n
V a
eV p
exp (2.16)

unde: mrimea N
V
reprezint numrul de stri energetice acceptoare ionizate, iar
este energia de activare a impuritilor acceptoare.
V a a
W W W =
ntr-un semiconductor de tip n, avnd o concentraie de atomi donori N
D
n
ntregime ionizai, rezult n
n
= N
D
. n mod asemntor ntr-un semiconductor de tip p
avnd o concentraie de atomi acceptori N
A,
avem

n
p
= N
A,
.
Potenialul Fermi V
F
n materialele semiconductoare extrinseci este dat de
relaiile:


i
A
D
i
F
n
N
q
kT
N
n
q
kT
V ln ln = = (2.17)

dup cum semiconductorul este de tip n sau p.


2.2. Jonciunea pn

Exist o mare diversitate de structuri semiconductoare utilizate n construcia de
dispozitive semiconductoare. Majoritatea se bazeaz pe fenomenele care au loc n
jonciunile pn (fig. 2.5).

2.2.1. Procese de conducie n jonciunea pn

n figura 2.5.a este prezentat cazul unui sistem de dou monocristale Si-n i Si-p
care nu sunt n contact. n cristalul Si-n, la temperatur normal atomii de impuriti
donoare (atomii de fosfor) pierd electronii de valen devenind ioni negativi, fixai n
reeaua cristalin. n cristal exist un numr egal de electroni cvasiliberi. n cristalul
Si-p, la temperatur normal atomii de impuriti acceptoare (atomii de bor) primesc
de la atomii reelei cristaline de siliciu electroni, devenind ioni pozitivi, fixai n
reeaua cristalin. n cristal exist un numr egal de legturi necompensate, care
corespund unor sarcini echivalente pozitive ce poart numele de goluri.
n figura 2.5.b este prezentat cazul sistemului de monocristale Si-n i Si-p n
contact. n zona de contact electronii i golurile se recombin, astfel c n aceast zon
ionii de impuritate creeaz un cmp electric imprimat de intensitate 0 E . Acest cmp
acioneaz asupra celorlali electroni liberi i goluri ndeprtndu-i de zona de contact.
Jonciunea pn astfel obinut va avea lrgimea l
b0
.

Tehnologie electronic 22

Fig. 2.5 Modelul fizic al formrii jonciunii p-n a) n absena contactului; b) la contactul
dintre monocristalele de Si-n i Si-p
a) b)

Efectul de conducie unidirecional care se obine ntr-o jonciune p-n se poate
explica pe baza teoriei benzilor energetice (fig. 2.6).
Proceselor de ionizare a atomilor de impuritate le corespund prezena electronilor
n BC (pentru Si-n) i a golurilor n BV (pentru Si-p). Nivelurile Fermi, notate n
figur cu W
Fn
i W
Fp
au poziii specifice.
n figura 2.6.b este prezentat structurile benzilor energetice pentru cazul n care
monocristalele de Si-n i Si-p sunt puse n contact. Punerea n contact echivaleaz cu
egalarea energiilor Fermi, ceea ce determin o denivelare a structurii benzilor, pe o
lrgime echivalent cu lrgimea jonciunii l
b0
. Denivelarea corespunde cu variaia de
energie W
0
, care determin apariia cmpului electric imprimat de contact.
O jonciune abrupt se obine atunci cnd concentraia dintr-un monocristal
semiconductor variaz brusc de la valoarea de acceptori N
A
la valoarea de donori N
D
.
n cazul n care concentraiile de impuriti sunt diferite (de exemplu: N
D
>> N
A
) se
obine o jonciune abrupt asimetric, simbolizat n
+
p. ntr-o jonciune pn se afl o
zon de tranziie, complet golit de purttori mobili, n care exist numai reeaua
spaial a ionilor de impuritate neneutralizai. Aceast zon poart numele de regiune
golit sau regiune de sarcin spaial. Condiia ca la echilibru (n lipsa unei polarizri
exterioare) att curenii de electroni ct i de goluri s fie nuli, impune condiia ca
nivelul Fermi s fie constant n lungul structurii (W
Fn
= W
Fp
). Ca urmare benzile de
energie se deplaseaz aa cum se indic n figura 2.6.b.

Fig. 2.6 Modelul benzilor energetice al formrii jonciunii p-n: a) n absena contactului; b)
la contactul dintre monocristalele de Si-n i Si-p

Materiale semiconductoare 23
Diferena de potenial a jonciunii V
B
, numit i barier de potenial, rezult din
diferena V
Fn
- V
Fp
i are valoarea:


2
ln
i
D A
B
n
N N
q
kT
V = (2.18)

Limea total a regiunii de sarcin spaial a jonciunii l
B0
poate fi calculat aa
cum se indic n lucrarea [14] i se obine:


B
D A
D A s
B
V
N N
N N
q
l
+
= ) (
2
0

(2.19)

unde:
s
reprezint permitivitatea electric a materialului semiconductor.
n cazul unei jonciuni asimetrice, n care zona slab dopat are o concentraie de
impuriti N
B
, limea regiunii de sarcin spaial devine:


B
B
B
qN
0
s
V l
2
= (2.20)

Dac pe jonciune se aplic o tensiune extern, condiiile de echilibru nu mai
sunt satisfcute i apar modificri n funcie de polaritatea tensiunii aplicate.
La alimentarea direct (fig. 2.7.a) n jonciune se stabilete un cmp electric
datorat polarizrii directe, de intensitate
d
E , care are sensul opus cmpului electric
imprimat de contact de intensitate
0
E .
Cmpul total, avnd intensitatea mai mic face ca lrgimea jonciunii s se
micoreze de la l
b0
la l
bd
. Ca urmare, n acest caz fluxurile de electroni i goluri care
strbat jonciunea au valori mari. Intensitatea curentului direct I
d
este semnificativ
(jonciunea are rezisten mic).
La alimentarea invers (fig. 2.7.b) n jonciune se stabilete un cmp electric
datorat polarizrii inverse, de intensitate
i
E , care are acelai sens cu cmpul electric
imprimat de contact de intensitate
0
E . Cmpul total, avnd intensitatea mai mare, face
ca lrgimea jonciunii s se mreasc de la l
b0
la l
bi
. n acest caz fluxurile de electroni
i goluri care strbat jonciunea sunt foarte mici. Intensitatea curentului invers I
i
este
mic (jonciunea are rezisten mare). n cazul unui cmp electric de intensitate mare
este posibil strpungerea electric a jonciunii.

Tehnologie electronic 24

Fig. 2.7 Alimentarea jonciunii p-n: a) n sens direct; b) n sens invers

Proprietatea jonciunii p-n de conducie unipolar, prin care curentul la
alimentarea direct este favorizat, permite realizarea unei game variate de dispozitive
electronice.


2.2.2 Caracteristici electrice ale jonciuni pn

a) Caracteristica tensiune - curent
La jonciunea pn datorit regiunii de sarcin spaial se obine un curent de
difuzie I
dif
datorat purttorilor majoritari care reuesc s treac peste bariera intern de
potenial. Dup cum s-a artat, la polarizarea direct, bariera de potenial este
micorat, ceea ce uureaz procesul de difuzie a purttorilor majoritari dintr-o parte n
cealalt a jonciunii. Probabilitatea ca un purttor de sarcin s difuzeze prin jonciune
crete la polarizarea direct cu factorul (
kT
qU
D
e ), unde U
D
este tensiunea direct
aplicat. n mod analog, la polarizarea invers cu tensiunea U
i
curentul de difuzie este
micorat cu acelai factor, dar innd seama de polaritatea tensiunii inverse acest
devine (
kT
qU
i

e ).
Curentul de drift este determinat de purttorii minoritari produi prin generare
termic care difuzeaz prin jonciune i sunt antrenai de cmp. Acest curent depinde
numai de rata de generare a perechilor electroni - gol, fiind insensibil la nlimea
barierei de potenial intern. Acest curent este cunoscut i sub numele de curent de
generare I
gen
.
Curentul I printr-o jonciune pn se poate scrie sub forma:

] 1 ) ( [exp =
kT
qV
I I
gen
(2.21)

Materiale semiconductoare 25
Dac tensiunea V= U
d
este pozitiv, termenul exponenial depete cu mult
unitatea i curentul prin jonciune crete exponenial cu tensiunea direct.
Dac V=-U
i
este negativ (polarizare invers), curentul invers este egal cu
gen
I .
b) Capacitatea jonciunii pn
Deoarece la izolarea structurilor i la dispozitivele MOS jonciunile pn sunt
polarizate invers, se vor face referiri la capacitatea jonciunii n acest caz. Capacitatea
regiunii de sarcin spaial este definit prin C
J
=dQ/dV
J
, unde dQ reprezint variaia
de sarcin datorat unei variaii dV
J
a tensiunii aplicate. Prin nlocuirea mrimilor care
intervin i dup efectuarea calculelor se obine:


0
) ( 2
b
s
J F
B s
J
l V V
N q
C

=
+
= (2.22)

Prin analogie cu condensatorul plan, limea regiunii de sarcin spaial
corespunde distanei dintre armturile condensatorului.