Curs 02

Materiale componente i circuite pasive

2.3 Concentraia purttorilor mobili de sarcin n materialele semiconductoare extrinseci n cazul n care un material semiconductor nu este supus nici unei surse de energie extern i nu exist variaii n timp ale mrimilor care l caracterizeaz (de exemplu concentraiile de purttori de sarcin) se spune c acesta lucreaz n regim de echilibru termic. Concentraiile de purttori de sarcin electric la echilibru termic ntr-un semiconductor se noteaz astfel: n0= concentraia de electroni de conducie, p0 = concentraia de goluri. La echilibru termic, legtura dintre concentraiile de purttori mobili de sarcin dintr-un semiconductor i diagramele energetice se poate exprima prin relaiile: concentraia de electroni de conducie la echilibru termic: concentraia de goluri la echilibru termic: E Ei n0 = ni exp F k T E Ei p0 = ni exp F k T (1.a) (1.b)

unde: EF este un anumit nivel energetic din diagrama benzilor energetice, care se numete nivelul Fermi, care, la echilibru termic, are o valoare constant n tot volumul materialului; Ei este un anumit nivel energetic din diagrama benzilor energetice, care reprezint nivelul Fermi pentru un semiconductor intrinsec, fiind situat la mijlocul benzii interzise; k este constanta lui Boltzmann; T temperatura. Din relaiile de mai sus, rezult c, ntr-un material extrinsec, legtura dintre concentraiile celor dou tipuri de purttori mobili de sarcin electric este:
p0 n0 = ni2

(2)

Aceast relaie este adevrat pentru orice tip de semiconductor, cu condiia ca acesta s fie la echilibru termic. n cazul materialelor semiconductoare omogene, dopate uniform cu impuriti, legtura dintre concentraiile de purttori mobili de sarcin electric i concentraiile de atomi de impuritate se determin din condiia de neutralitate electric a unui material semiconductor, care indic faptul c, ntr-un material semiconductor aflat la echilibru termic, densitatea de sarcin electric din volumul semiconductorului este nul:
Q =0

(3)

Curs 02
Materiale componente i circuite pasive

unde prin

s-a notat densitatea de sarcin electric din volumul materialului semiconductor,

C cm 3 C = coulomb .

aceasta fiind exprimat n [Q ] =

Cunoaterea valorii densitii de sarcin electric ntr-un material electronic este deosebit de util n analizarea fenomenelor de conducie sau pentru determinarea concentraiei de purttori de sarcin electric din acesta. Prin definiie, densitatea de sarcin electric ntr-un material este egal cu produsul dintre sarcina electric elementar, notat cu +q, respectiv q, n funcie de semnul sarcinii, pozitiv, respectiv negativ i concentraia purttorilor de sarcin electric n volumul materialului considerat, notat generic cu Cq:
Q = q C q

(4)

Sarcina electric q se msoar n Coulombi [C], i este egal cu 1,6x10-19 [C], semnul depinznd de tipul sarcinii electrice: negativ pentru electroni, pozitiv pentru goluri. ntr-un material semiconductor dopat cu atomi de impuritate, exist tipurile de purttori de sarcin, n concentraiile specificate n Tabelul 1: Tabelul 1.
semnul purttorilor de sarcin negativi pozitivi purttori mobili Electroni de conducie: n0 Goluri: p0 purttori imobili Ioni acceptori: NA* Ioni donori: ND*

Se reamintete c numai purttorii mobili de sarcin electric sunt responsabili pentru fenomenele de conducie din semiconductor, fiind generai prin dopare i generare termic; ionii provin din atomii de impuritate, prin cedarea, respectiv acceptarea electronilor de valen. Pe baza relaiei (4) i a Tabelului 1, rezult c densitatea de sarcin electric din volumul unui semiconductor dopat cu impuriti donoare i acceptoare este:
* Q = q p0 + q N D q n0 q N * A

(6)

Pentru ca relaia (6) s fie util n calcule, este necesar cunoaterea valorilor concentraiilor de ioni din materialul semiconductor dopat. Deoarece procesul de dopare al semiconductorului intrinsec este controlat, concentraiile de atomi de impuritate se cunosc, acestea fiind notate ca mai jos: ND = concentraia de atomi de impuritate donori (pentavaleni). NA = concentraia de atomi de impuritate acceptori (trivaleni). Ambele concentraii se expim n [particule/cm3]. Se poate considera c la temperatura camerei toi atomii de impuritate cedeaz, respectiv primesc electroni de valen, devenind ioni. Din acest motiv, concentraiile de ioni din materialul semiconductor dopat se pot aproxima ca mai jos:

Curs 02
Materiale componente i circuite pasive

N* N D D N* N A A

(7)

Astfel, pe baza relaiilor (6) i (7), densitatea de purttori de sarcin din volumul unui semiconductor se determin cu relaia de mai jos:
Q = q p0 +q N D q n0 q N A

(8)

nd cont de condiia de neutralitate electric (3), specific materialului semiconductor i valoarea densitii de sarcin electric (8), se poate obine relaia de calcul a concentraiilor de purttori mobili de sarcin i concentraiile de atomi de impuritate:
p0 n0 = N A N D

(9)

Astfel, n cazul unui semiconductor dopat cu impuriti, relaiile (2) i (9) formeaz un sistem n necunoscutele care reprezint concentraiile de purttori mobili de sarcin din care se pot calcula valorile acestor necunoscute. Concentraia purttorilor mobili de sarcin n materialele semiconductoare de tip N Un material semiconductor devine extrinsec dac concentraia de atomi de impuritate este mult mai mare dect cea intrinsec. Pentru un semiconductor extrinsec de tip N, concentraia de atomi de impuritate respect relaiile:
N D >> ni si NA = 0

(10.a)

Utiliznd sistemul compus din relaiile (2) i (9), innd cont de concentraiile de atomi de impuritate i de faptul c ntr-un astfel de material n0>>p0, relaiile de legtur dintre concentraiile de purttori mobili de sarcin i concentraiile de atomi de impuritate sunt:
n0 N D si p0 ni2 ND

(10.b)

Concentraia purttorilor mobili de sarcin n materialele semiconductoare de tip P Pentru un semiconductor extrinsec de tip P, concentraia de atomi de impuritate respect relaiile:
N A >> ni si ND = 0

(11.a)

Utiliznd sistemul compus din relaiile (2) i (9), innd cont de concentraiile de atomi de impuritate i de faptul c ntr-un astfel de material p0>>n0, relaiile de legtur dintre concentraiile de purttori mobili de sarcin i concentraiile de atomi de impuritate sunt:
p0 N A si n0 ni2 NA

(11.b)

2.4 Fenomenele de conducie electric din materialele semiconductoare 3

Curs 02
Materiale componente i circuite pasive

Chiar i n condiii de echilibru termic, purttorii de sarcin mobili se afl ntr-o continu micare aleatorie (micare brownian) datorit energiei termice, sensul micrii fiind imprevizibil i dictat de ciocnirile frecvente ale purttorului mobil de sarcin cu atomii din structura semiconductorului, aa cum este sugerat i n exemplul din Figura 1, n care se prezint traiectoria aleatorie a unui purttor de sarcin n structura unui semiconductor.

Figura 1. n condiii de echilibru, aceast micare termic aleatorie nu d natere la fenomene de conducie. echilibrul se poate perturba n dou moduri: 1 prin aplicarea asupra semiconductorului a unui cmp electric; 2 prin neuniformizarea distribuiei concentraiei de purttori mobili de sarcin electric n volumul semiconductorului. n ambele cazuri, purttorii mobili de sarcin electric vor suferi o deplasare (micare) orientat, care permite apariia fenomenelor de conducie electric n structura semiconductorului. Fiecare mecanism care duce la perturbarea echilibrului unui semiconductor permite generarea unui curent electric. Curenii electrici generai prin aplicarea asupra semiconductorului a unui cmp electric se numesc cureni de cmp (sau cureni de drift), iar curenii electrici generai prin neuniformizarea distribuiei concentraiei de purttori mobili de sarcin electric n volumul semiconductorului se numesc cureni de difuzie. Curenii de cmp Aplicarea unui cmp electric de intensitate E asupra unui semiconductor, face ca purttorii mobili de sarcin electric s se deplaseze orientat, n funcie de sensul cmpului electric aplicat asupra semiconductorului, aa cum se sugereaz n Figura 2 n care se prezint traiectoria unui electron liber, orientat n sens invers sensului cmpului electric aplicat asupra semiconductorului. Electronii se vor deplasa n sens opus direciei cmpului electric iar golurile pe direcia cmpului electric.

Curs 02
Materiale componente i circuite pasive

Figura 2. Ca urmare a aplicrii cmpului electric asupra semiconductorului, purttorii mobili de sarcin electric capt o vitez medie pe direcia cmpului electric, acest fenomen purtnd denumirea de drift. Viteza medie a purttorilor mobili de sarcin electric este direct proporional cu intensitatea cmpului electric
electroni : vn = n E goluri : vp = p E

(12)
V , vn i vp sunt vitezele de cmp cm
n

unde E este intensitatea cmpului electric i se msoar n [ E ] = ale purttorilor de sarcin i se msoar n [ v ] =
cm , iar s
2

se numesc mobilitatea

electronului, respectiv a golului i se msoar n [ ] = cm msur a tensiunii electrice), s=secund).

V s

(cm=centimetru, V=volt (unitatea de

Figura 3.

Curs 02
Materiale componente i circuite pasive

Mobilitile purttorilor mobili de sarcin electric reprezint o msur a lejeritii cu care purttorii mobili de sarcin electric se pot deplasa orientat, n funcie de sensul cmpului electric aplicat, reprezentnd un rezultat al ciocnirilor purttorilor mobili de sarcin electric cu atomii din reeaua cristalin a semiconductorului. Mobilitatea purttorilor mobili de sarcin electric depinde invers proporional de temperatur i de concentraia total de atomi de impuriti din semiconductor, situaie prezentat n Figura 3, n care s-a considerat un material semiconductor la T=300K, din care se remarc faptul c golurile au o mobilitate inferioar electronilor de conducie. Deplasarea purttorilor mobili de sarcin electric la aplicarea unui cmp electric asupra unui semiconductor genereaz un curent electric compus dintr-o component datorat deplasrii electronilor de conducie i o component datorat deplasrii golurilor. Densiti de curent (intensitatea de curent pe suprafaa de arie) ale acestor cureni electrici sunt egale cu produsul dintre densitatea de sarcin electric a purttorilor mobili de sarcin i viteza medie de deplasare a acestoa sub aciunea cmpului elctric aplicat:
J =Q v

(13)

Densitatea de curent se exprim n [ J ] = electric).

A , unde A=amper (unitatea de msur a curentului cm 2

innd cont de (4) i de concentraiile purttorilor mobili de sarcin electric, densitile curenilor de cmp se pot defini astfel:
electroni : goluri : J Cn = q n vn J Cp = q p v p

(14.a)

sau, innd cont de (12),

electroni : goluri : J Cn = q n n E J Cp = q p p E

(14.b)

Densitatea totat de curent electric, datorat aplicrii cmpului electric asupra unui semiconductor, reprezint suma densitilor de curent electric a celor dou componente:
J C = q n n E + q p p E

(15)

Pe baza legii lui Ohm se poate defini rezistivitatea semiconductorului, care se noteaz cu :
= E JC

[ ] = cm

(16)

care, pe baza relaiei 16 se poate calcula cu relaia:

Curs 02
Materiale componente i circuite pasive

1 q n n + p p

(17.a)

Se definete conductivitatea materialului semiconductor ca inversul rezistivitii:

= 1

[ ] = ( cm ) 1

(17.b)

Pe baza relaiei 17.a i a relaiilor de calcul pentru concentraiile purttorilor mobili de sarcin electric, rezistivitatea materialelor semiconductoare extrinseci se poate calcula cu formulele:
m aterial sem ico n du cr_ N n = _ to 1 q N D n 1 m aterial sem ico n ducr_ P p = _ to q NA p

(18)

Din relaiile 18 se observ c rezistivitatea unui material semiconductor depinde invers proporional de nivelul de dopare cu impuriti al semiconductorului, iar n Figura 4 se exemplific aceast observaie.

Figura 4.

Curenii de difuzie 7

Curs 02
Materiale componente i circuite pasive

n cazul n care exist concentraii neuniforme de purttori mobili de sarcin electric n volumul unui semiconductor, acetia au tendina de a se deplasa din regiunea n care sunt n concentraie mare spre regiunea n care sunt n concentraie mic, pentru uniformizare. Acest fenomen se numete difuzia purttorilor mobili de sarcin electric. n Figura 5, se sugereaz difuzia electronilor de conducie din regiunea n care sunt n concentraie mare spre regiunea n care sunt n concentraie mic.

Figura 5. Ca urmare a deplasrii purttorilor mobili de sarcin electric n volumul unui semiconductor, iau natere cureni electrici. Curenii electrici generai prin difuzia purttorilor de sarcin se numesc cureni de difuzie i au dou componente, una de electroni i una de goluri, pentru fiecare fiind definit cte o densitate de curent conform relaiilor de mai jos
electroni : goluri : J Dn = q D n n J Dp = q D p p

(19)

unde coeficienii notai cu D se numesc coeficieni de difuzie pentru electroni, respectiv pentru goluri i se exprim n [ D ] =
cm 2 , reprezentnd o msur a lejeritii difuziei purttorilor mobili de s

sarcin electric, iar reprezint gradientul acestora; pentru concentraii care variaz dup o singur direcie x, se poate considera c:
= d dx

ntre coeficienii de difuzie D i mobilitaile purttorilor mobili de sarcin electric exist urmtoarea relaie de legtur:
Dn Dn k T = = n n q

(20)

unde k, T, q au semnificaiile deja introduse.

Ecuaiile curenilor n semiconductoare 8

Curs 02
Materiale componente i circuite pasive

Pentru un semiconductor, se definete ca densitate total de curent J suma dintre densitatea curenilor de cmp i densitatea curenilor de difuzie, generai de deplasarea electronilor i densitatea curenilor de cmp i densitatea curenilor de difuzie generai de deplasarea golurilor:
J = Jn + J p

(21)

Densitatea de curent total are o component de cmp i o component de difuzie, ambele componente incluznd cte o component de electroni i una de goluri:
com poneta de _ electroni J n = q n n E + q Dn n _ : componenta de _ goluri: _ J p = q p p E q Dp p

(22)

Bibliografie: 1. C. Ori, M. Derevlean, Materiale Electronice, Editura VIE, Iai 2001 2. D. Dascalu, Dispozitve si Circuite Electronice, Editura Didactica si Pedagogica, Bucuresti, 1982.