Sunteți pe pagina 1din 123

Electronica Analogica Noiuni de electronica corpului solid

Purttori de sarcin n semiconductoare


- dup conductibilitatea electric corpurile solide sunt: conductoare - > 103/cm la tamb 22 3 ` - ne~ 10 /cm (electroni liberi) - conductibilitatea scade cu temperatura (n jurul ionilor pozitivi care nu particip la conducie se mic electroni mobili) semiconductoare - ~ 10-10103 / cm (la temperatura ambiant) - pentru T<1000K rezult < 10-10 / cm - depinde pronunat de temperatur izolante - nici la temperaturi foarte mari nu prezint o conductibilitate electric important Comportarea materialelor este determinat de tipul legturii chimice dintre atomi: la metale (conductoare) exist legtura metalic, foarte slab n care electronii formeaz un nor electronic i pot participa uor la conducie; la izolatoare (materiale izolante) este specific legtura ionic, foarte stabil pn la temperaturi foarte mari; poate s apar, eventual, o conducie ionic; semiconductoarele pot fi constituite: - dintr-un singur tip de atomi din grupa a patra (Ge sau Si) - din tipuri de atomi din grupe apropiate (de exemplu, din grupele III, V, exemplul tipic fiind semiconductorul GaAs); ntre aceste tipuri de atomi se pot stabili legturi covalente care constau din punerea n comun a unuia dintre electronii de valen. Pentru a se elibera un electron din legtura covalent este necesar un surplus de energie. La temperaturi mai mari de 1000K, datorit agitaiei termice, electronii din stratul de valen devin electroni liberi i formeaz o sarcin electronic real mobil. n aceste condiii, la aplicarea unui cmp electric, electronii liberi se deplaseaz ordonat i formeaz un curent electric de natur electronic ; Dar, un electron de valen vecin, de pe alt legtur covalent, poate efectua o tranziie (tot datorit agitaiei termice) i ocup locul rmas liber; sub influena cmpului electric, se constat c are loc o deplasare de sarcin pozitiv n sensul cmpului electric, adic un electron devenit liber determin efectuarea mai multor tranziii ca i cnd locurile libere s-ar
1

deplasa. Se asociaz acestei deplasri a unei sarcini pozitive noiunea de gol, adic un purttor de sarcin pozitiv care determina o component a curentului electric. De remarcat c golul nu este o particul elementar ci este un concept care simuleaz deplasarea locurilor goale din structura semiconductorului prin ocuparea lor de ctre electroni care se afl deja pe alte nivele energetice.

O alt explicaie a celor dou componente ale curentului electric dintr-un semiconductor se poate da folosind teoria benzilor energetice dintr-un corp solid.

metale

izolatoare-semiconductoare

conductoare: la temperatura absolut 00 Kelvin toate nivelele din BV sunt ocupate i cele din BC sunt libere; nivelul Fermi separ cele dou benzi; dac T crete, apar electroni de conducie care pot participa la conducie. semiconductoare (izolatoare): la temperatura absolut 00 Kelvin toate nivelele din BV sunt ocupate i cele din BC sunt libere; poziia nivelului
2

Fermi nu este precizat; electronii nu pot ocupa nivele din BI; la energie termic suficient de mare (foarte mare) este posibil ca unii electroni s treac din BV n BC. Numrul acestora depinde de W: - la germaniu: W = 0,67 eV - la siliciu: W = 1,1 eV

Prin impurificare (procedee tehnologice), proprietile electrice ale


semiconductoarelor se modific foarte mult fiind dou posibiliti: impurificare cu substane pentavalente (Bi, Sb, As) - donoare - al 5-lea electron trece uor n BC apar electroni de conducie - la temp. camerei toate impuritile sunt ionizate - procesul de generare de perechi nesemnificativ (nc) semiconductor extrinsec - purttorii majoritari electronii semic de tip N - purttorii minoritari golurile n >> p

donoare

acceptoare

impurificare cu substane trivalente (Al, In, Ga) - acceptoare - apare uor un gol n BV pot participa la conducie - la temp. camerei toate impuritile sunt ionizate - procesul de generare de perechi nesemnificativ (nc) semiconductor extrinsec - purttorii majoritari golurile - semic de tip P - purttorii minoritari electronii n << p Observatie: fr impurificare semiconductor intrinsec - numrul golurilor egal cu al electronilor n = p = ni n fizica corpului solid se calculeaz concentraiile de electroni i de goluri n funcie de poziia nivelului Fermi:

n0 = n e

Wc WF kT

p0 = p e
3 2

WF Wv kT

n = 2

2 mn kT 2 h

p = 2

2 m p kT h2

3 2

cu n0 p0 = ni (independent de WF) ( k-constanta lui Boltzman, h- constanta lui Plank)

Semiconductor intrinsec
n0 = p 0

n e

Wc WF kT

= p e

WF Wv kT

la 0 K

Wc + Wv 3 kT m p + ln 2 2 q mn W + Wv ; WF = c 2 WF =

T crete

WF scade

(m p < mn )
Wc WF kT

concentraia intrinsec de purttori ni :

ni2

= n0 p0 = n p e
W kT

= n p e

W kT

n 2 = const . T 3 e i

W 3 n = const. T 2 e 2kT i

ni ( Si ) 1.5 1010 / cm 3 ni (Ge) 2.5 1013 / cm 3 Se observa ca ni ( Si ) << ni (Ge) si sunt functie de temperatur + Pentru un semiconductor extrinsec de tip N : n0 = p0 + N d
- provenii prin generare de perechi - provenii prin ionizarea impuritilor donoare la temperatur ambiant la temperatur mare
+ n0 N d n0 p0

Analog pentru semiconductor extrinsec de tip P Observaie: poziia nivelului Fermi depinde de concentraiile de impuriti.

Dac semiconductorul este dotat neuniform cu impuriti, la echilibru termic poziia nivelului Fermi rmne fix i se modific fundul BC i vrful BV.

Conductibilitatea electric a semiconductoarelor


T mic numr mic de purttori nu este curent electric T ambiant numrul de purttori mobili de sarcin crete prin ionizarea impuritilor obinui datorit agitaiei termice Se aplic i cmp electric peste micarea de agitaie termic dezordonat se suprapune o micare dirijat a purttorilor mobili de sarcin creia i corespunde o vitez medie de deplasare. Se constat proporionalitatea cu cmpul electric:

v= E
v -viteza medie , E cmp electric aplicat m2 mrime de material: mobilitate Vs 1 1 (Ge ); < (Si ) p 2 n p 2 n
depinde de: - temperatur (scade) - defectele structurii cristaline (scade) - concentraia purttorilor liberi Din vitezele medii curentul de cmp:
5

j n camp = qn n E ;

j = qn n E + qp p E = q (n n + p p )E = E

j p camp = qp p E

= qn n + qp p
- semiconductor intrinsec: - semiconductor de tip N: - semiconductor de tip P:

i = qni ( n + p ) qn n qN d n qp p qN a p

Difuzia purttorilor de sarcin


- semic. dopat neuniform cu impuriti, fr cmp electric din exterior a) tendina de uniformizare (ca la gaze) prin proces de difuzie curent de difuzie; b) apare cmp electric sarcini electrice pozitive fixe (stnga) i sarcini electrice negative mobile (dreapta) care are tendina de a aduce napoi electronii spre stnga curent de cmp. c) rezult proces de uniformizare dinamic d) regim staionar (de echilibru) cnd transportul de purttori prin difuzie = transportul de purttori prin cmp. Curentul de difuzie este proporional cu gradientul concentraiei de purttori:

j n dif = qDn n;

j p dif = qD p p

cm 2 Dn , D p constante de difuzie, (depind de material) s


Ecuaiile de transport

j n = j n camp + j n dif = qn n E + qDn n j p = j p camp + j p dif = qp p E qD p p j = jn + j p


La echilibru termic: j n = j p = 0

Ecuaiile de continuitate
- variaia n timp a concentraiei de purttori: - generare de purttori (termic, iradiere, etc.) Gn, Gp - recombinare de purttori (gol + electron dispar + foton) Rp, Rn - deplasare de purttori (div j 0)

div j p div j p p = Gp Rp = Sp t q q div j n div j n n = Gn Rn = Sn t q q S p = G p R p viteza efectiv de cretere


Recombinare: - direct - indirect: - centri de recombinare Sp va fi proporional cu concentraia de purttori n exces, p p0 , de forma:

Sp =

p p0

p este durata efectiv de via a purttorilor n exces


p p0 div j p p = t p q n n0 div j n n = + t n q

Dioda semiconductoare
Procese fizice
- cele mai multe dispozitive conin jonciuni pn - jonciunea pn este un semiconductor eterogen format din dou regiuni distincte dintre care una este dopat cu impuriti acceptoare iar cealalt cu impuriti donoare; cele dou regiuni formeaz o singur reea cristalin doparea diferit se realizeaz prin procedee tehnologice adecvate. a) faptul c cele dou regiuni de tip diferit sunt una lng alta face ca n dreptul jonciunii golurile din zona P s difuzeze n zona N; golurile ptrunse n zona N se recombin rapid cu electronii care sunt majoritari; acelai lucru se
7

ntmpl cu electronii din zona N care difuzeaz n zona P; rezult c apare un curent de difuzie; b) prin plecarea golurilor din zona P n zona N, n imediata vecintate a jonciunii apare o zon cu sarcin negativ care este sarcina ionilor acceptori pentru neutralizarea crora nu mai sunt suficiente goluri; la fel, n zona N; aceast sarcin spaial fix creeaz un cmp electric care duce la apariia unui curent de cmp ce se opune curentului de difuzie. Deci, in dreptul jonciunii apare o barier de potenial care duce, prin curentul de cmp, la starea de echilibru; deci, prin jonciune, la echilibru termodinamic, nu exist un transport net de purttori; c) n regiunile neutre exist purttori mobili de sarcin n numr mare, iar conductibilitile electrice vor fi: - n regiunea p: p q p p p - n regiunea n:

q n n n

valori suficient de mari pentru a considera conducia curentului foarte bun. n prim aproximaie, se presupune c rezistena electric a acestor zone este suficient de mic astfel nct pot fi neglijate cderile de tensiune corespunztoare. n aceste condiii, limitarea curentului prin jonciune va fi determinat de regiunea de trecere n care numrul de purttori mobili de sarcin este mai mic.

(Na) P

(Nd) N
impuritati

Na

Nd + p(x) x

Pp

Pn x n(x)

pp N a

np

nn
x

nn N d

(x) +

u(x) U0
x

Jonciunea pn cu tensiune aplicat a) regim de echilibru termodinamic:


d ifuzie g o luri

difuzie elec troni


c a m p go luri c a m p ele c troni
dn dw q v0 W qv w

- 4 componente ale curentului - numrul de purttori care difuzeaz (purttori care nving bariera de potenial) depinde de U 0 ;

iD = i pM i pm + inM inm = 0
d ifuzie go luri

b) se aplic tensiune invers:


difuzie elec troni
c a m p go luri c a m p ele c troni
dn dw

q v 0 q(v0-u D) w

q(v0-u D )

Fizic: la polarizare invers, nu exist difuzie de purttori, dar n imediata vecintate a regiunii de trecere apare o generare termic de perechi de purttori care sunt antrenai de cmpul electric; astfel, curentul invers este un curent de generare.

iD = i pM i pm + inM inm < 0


c) se aplica tensiune direct:

10

d ifuzie g o luri

difuzie elec troni


c a m p goluri c a m p ele c troni
dn dw W q(v0-u D ) W

q(v0-u D) q v 0 w

Fizic: la polarizare direct, n imediata vecintate a regiunii de trecere, n zona N, va fi un exces de goluri, dar care nu triesc mai mult de p i nu ptrund mai mult de

L p . La fel pentru electronii din zona P. Apare o recombinare puternic

n ambele zone i se obine curentul direct care este un curent de recombinare.

iD = i pM i pm + inM inm > 0


desene Caracteristica curent tensiune fiind aria transversal a jonciunii: i D = Aj D

AD

qD p pn qDn n p qu D (e kT 1) iD = A + L Ln p
i D = I 0 (e
qu D kT

1)

cu :

qD p pn qDn n p I 0 = A L + L p n

(curentul de saturaie) Reprezentarea grafic:

11

- pentru

u D > 0 u D >>

kT q
qu D kT

kT = 26mV ) la temperatura q

ambiant, rezult: - pentru

uD < 0
2 i

iD = I 0 e ; kT , rezult: iD = I 0 u D >> q
3

Deoarece: Concluzii: -

n = ct.T e

W kT

, rezult:

I 0 = ct.T e
3

W kT

I 0 se dubleaz la fiecare 10 0 C pentru Ge i la 6 0 C pentru Si. - I 0 este mult mai mic la Si dect la Ge (circa 3 ordine de mrime).
4. Abateri de la caracteristica ideal - caracteristica ideal: - caracteristica unei diode reale:

qu D iD = I 0 e kT 1

zona I zona caracteristicii ideale zona II zona curenilor mari - conteaz rezistenele zonelor neutre apare o tendin de liniarizare a caracteristicii zona III zona curenilor direci de valoare mic nu se mai pot neglija fenomenele de generare-recombinare din regiunea de trecere (care crete); se obine o caracteristic de tipul e
12
qu D 2 kT

; mai corect, e

kT

qu D

cu valori pentru

de circa 1,2 (pentru Ge) i, respectiv de 1 - 1.5 (pentru Si) zona IV zona tensiunilor inverse mici (normale); curentul invers are mai multe componente: - curentul de saturaie al jonciunii (constant); - curentul de generare din regiunea de trecere (crete odat cu creterea valorii inverse a tensiunii aplicate); - curentul de pierderi la suprafa (dependent de tensiunea aplicat) Ponderile acestor componente sunt diferite n funcie de material. zona V zona tensiunilor inverse mari, n care curentul invers crete nelimitat (poate fi limitat numai de circuitul exterior). Sunt 2 fenomene: - fenomen Zener smulgerea de purttori din reea prin cmp electric; - fenomen de multiplicare n avalan producere de purttori prin generare sau prin cmp electric, accelerarea acestora, ciocnirea cu reeaua i smulgerea altor purttori. iinvers = MI 0 coeficient de multiplicare n avalan:

M=

1 u 1 D U str
m

U str tensiune de strpungere dependent de concentraiile de impuriti; m exponent dependent de material: 3 pentru Ge tip P+N, 4-7 pentru Ge tip
PN+, Si.

Aproximarea caracteristicilor (modele):


- dioda ideala

- dioda idealizat, cu tensiune de prag, U D cu valori de 0,2-0,3V pentru Ge i 0,6V pentru Si (la cureni relativ mici)

- dioda idealizat cu tensiune de prag i cu rezisten serie

13

- curentul invers se neglijeaz, practic, ntotdeauna; eventual se ine seama de rezistena de pierderi, de valoare foarte mare.

4. Regimul dinamic al jonciunii pn


Circuit de polarizare:

Determinarea PSF: (U D , I D ) Ecuaii:

E = RiD + uD iD = iD (u D )

dreapta de funcionare static PSF

M ( I D ,U D )

Regimul dinamic se aplic peste regimul de curent continuu. Punctul de funcionare se deplaseaz n jurul PSF iar pentru semnale variabile suficient de mici, comportarea diodei poate fi considerat liniar.

Este necesar un model (o schema echivalent) valabil pentru regimul dinamic i anume pentru determinarea curentului prin circuit i a tensiunii la bornele diodei. a) la frecvene joase se pot neglija fenomenele reactive i modelul va fi caracterizat printr-o rezisten dinamic. Fie:

u D = U D + ud iD = I D + id

componente PSF i componente variabile;

14

q (U D + u d ) qU D qu d qu D iD = I 0 e kT 1 = I 0 e kT 1 = I 0 e kT e kT 1 = qU qU D qU D qud qud kTD e = I 0 e kT 1 + 1 = I 0 e kT 1 + I 0 kT kT qU D qu id = I 0 d e kT Rezult: kT u kT 1 kT rd = d = = rezistena dinamic: qU D id q q( I D + I 0 ) I 0e kT kT La polarizare direct: U D > 0, U D >> = 0,026 V q kT kT vT rd = = q ( I D + I 0 ) qI D I D

rd =

vT 26 = ; ID ID

[] = [mV ] (zeci de ohmi) [mA]


kT q
foarte mare (megaohmi)

La polarizare invers:
rf = kT qI 0

U D < 0, U D >>

b) la frecvene nalte apar elemente capacitive: - datorit sarcinilor fixe din regiunea de trecere - datorit sarcinilor mobile din zonele n care are loc difuzia de purttori de sarcin capacitatea de barier
Cb 0 U 1 D U0 qN a A ; Cb 0 = nn l0 nn + p p 2U 0

Cb =

- Cb 0 este proporional cu aria jonciunii; - n funcie de profilul de impuriti se obin relaii de forma:

15

Cb =

Cb 0 uD 1 U 0
m

cu m avnd valori cuprinse ntre 0,3 si 0,5.

De regul, are efect negativ (ntrzie rspunsul la frecvene nalte) Se folosete sub forma de diod Varicap. capacitatea de difuzie Este determinat de surplusul de sarcin obinut prin difuzie: Capacitatea total de difuzie:

Cd =
Cd =

Aq 2 ( pn L p + n p Ln ) kT

qU D kT

= ct.I D

(din PSF).

q p ID kT

Capacitatea de difuzie este proporional cu curentul direct prin diod. Capacitatea de difuzie este mai important dect capacitatea de barier n conducie direct i este neglijabil la polarizarea invers a diodei. Modele simplificate: - la frecven joas: - la blocare: - la conducie cu tensiuni directe mici

Variante constructive 1. Diode de semnal mic diverse utilizri parametri: - curentul maxim direct admisibil 50 - 100 mA - tensiunea invers maxim admisibil 20 100 V - putere disipat maxim admisibil 150 mW 2. Diode redresoare utilizare n conversia cacc pentru frecvene de pn la 400 Hz - curentul maxim direct admisibil - 10 mA 100 A - tensiunea invers maxim admisibil 10 1000 V - putere disipat maxim admisibil 0,1 100 W (se pot utiliza i sub forma de puni redresoare)
16

3. Diode de detecie demodularea semnalelor, funcioneaz la frecvene mari i foarte mari, dar la puteri mici. Pot fi diode cu jonciuni sau diode Schottky. 4. Diode varicap cu utilizare n circuite acordate, oscilatoare, filtre, la care se folosete dependena capacitii de barier a diodei de tensiunea invers aplicat; capacitatea de barier este proporional cu aria jonciunii: Cb =

Cb 0 UD 1 U 0
m

5. Diode de comutaie utilizate n circuite de comutaie; parametrii principali i reprezint timpii de comutaie direct i invers; de obicei, parametrii referitori la mrimile maxim admisibile nu sunt limitativi. 6. Diode Zener se bazeaz pe fenomenul de multiplicare n avalan. tensiunea stabilizat este cuprins ntre 3V i 100V iar curentul prin diod este de ordinul a 10 - 100 mA, n funcie de puterea diodei. Caracteristica+simbol 7. Diode Tunel (Esaki) sunt de tipul P+N+ la care surplusul de purttori trece peste bariera de purttori prin efect tunel; are caracteristica cu rezisten negativ i se folosete n circuite care funcioneaz la frecvene mari sau n circuite de comutaie.
iD

uD

8. Fotodiode (fotoelemente) sunt diode cu jonciuni sau de tip Schottky la care radiaiile luminoase pot ptrunde prin capsul i sunt absorbite de materialul semiconductor ca urmare se intensific procesul de generare de perechi electron-gol i se modific curentul de saturaie al diodei. Se folosete numai cu polarizare invers. 9. Diode electroluminiscente (LED) sunt realizate din jonciuni de tipul GaAs, semiconductor cu banda interzis de circa 1,6 -1,7 eV. n urma recombinrilor directe, se emit cuante de lumin n spectrul vizibil, cu diferite culori. Funcioneaz numai la polarizare direct. 10. Diode generatoare i amplificatoare de microunde (IMPATT, TRAPATT, BARIT) funcioneaz dup alte principii fizice.

17

Tranzistorul bipolar
1. Introducere
Semiconductor eterogen dotat cu impuriti astfel nct se formeaz dou jonciuni pn. - regiunea din mijloc foarte ngust d << L p , ordin de mrime: 0,1 . - regiuni laterale emitor, colector - mult mai dotate - de acelai tip - au proprieti electrice i fizice diferite (prin dotri diferite i prin dimensiuni diferite). Procedee de fabricare: - aliere - difuzie profilul i adncimea zonei difuzate pot fi controlate prin concentraia de impuriti, prin temperatura de difuzie i prin durata procesului de difuzie. Regimurile de lucru se stabilesc dup modul de polarizare a celor 2 jonciuni: jonciunea EB jonciunea CB - regiunea activ normal (RAN) direct invers - regiunea de saturaie (SAT) direct direct - regiunea de blocare (BL) invers invers - regiunea activ invers (RAI) invers direct
Simboluri pentru tranzistorul bipolar

2. Procese fizice

Tranzistorul este de tip P+NP+, funcionnd n RAN. Fenomene fizice: a) jonciunea EB este polarizat direct: golurile din emitor trec n baz, dar d << L p , puine goluri se recombin, cele mai multe ajung la colector; acesta este polarizat invers, este un cmp electric puternic care favorizeaz trecerea golurilor n colector. - goluri injectate de emitor colectate de colector - w este grosimea efectiv a bazei, w < d Se definete: factorul de transport n baz:

iP ( w) + ir = iP (0)

t =

iP ( w) i = 1 r 1 iP (0) iP (0)

b) jonciunea EB este polarizat direct: circul un curent de electroni local datorat difuziei electronilor din baz n emitor. Deoarece baza este mult mai puin dopat cu impuriti dect emitorul, curentul de electroni va fi mult mai mic dect curentul de goluri:

i E = i P ( 0 ) + in

Se definete: eficiena emitorului:

i iP (0) = 1 n 1 iE iE

c) jonciunea CB este polarizat invers: exist un curent local al jonciunii (ca la dioda polarizat invers), iinv . 2

3. Ecuaii de funcionare
Ipoteze simplificatoare - model unidimensional; - concentraii constante de impuriti; - grosimile zonelor neutre ale E i C >> lungimile de difuzie; - nivele mici de injecie (conc. purttori injectai << conc. maj.); - se neglijeaz fenomenele de generare-recombinare n regiunile de trecere; - se presupune absena altor ageni externi; - tranzistor PNP n RAN; ' - d << L p , p p , p p >> nn se neglijeaz regiunea de trecere EB.

Condiii la limit (de tip Shokley):

n(l1 ) = n p e n(l4 ) =

qu E kT

p(l2 ) = pn e p(l3 ) = pn e

qu E kT

p(0)

qu C ' n p e kT

qu C kT

p( w)

Etapa I: Se neglijeaz curentul de recombinare din baz curentul de goluri din baz este constant

j p ( x) = qD p
Se integreaz:

dp = j p (0) = ct. dx

sau:

j p ( 0) dp = dx qD p

p ( x) = C

j p (0) qD p

x cu condiiile:

x = 0 p( x) = p (0) = C x = w p( x) = p( w)
3

p( x) = p (0)

j p (0) qD p

x (variaie liniar);

Se calculeaz: p ( w) = p (0)

j p (0) qD p

w i rezult:

qu C qD p pn qu E e kT e kT [ p(0) p( w)] sau: j p (0) = j p (0) = w w qD p pn qu E kT Pentru RAN: j p ( 0) = e kT uC < 0, uC >> w q

qD p

Dac uC w efect de modulaie a grosimii bazei (ceea ce duce la ideea de reacie intern n tranzistor). Etapa II: Se calculeaz curentul de recombinare pornind de la ecuaia de continuitate, n regim staionar:

p pn 1 dj p ( x) p = = 0 sau: t q dx p dj ( x) q [ p( x) pn ] + p = 0 Se integreaz pe toat lungimea bazei: dx p

w 0

p
w

[ p( x) pn ]dx + dj p ( x) = 0
0

Dar: Rezult:

dj p ( x) = j p ( w) j p (0) = jr
0

j ( 0) q w [ p( x) pn ]dx = p(0) pn p xdx = jr = qD p p 0 p 0 q


w

[ p(0) pn ]w 1
qu E kT

q j p (0) 2 w = 2 p qD p =

qw p e p n

qu C qu 1 w qD p pn kTE e kT pn e 2 qD p w

qu C qu qu qwpn kTE 1 kTE 1 kT e = 1 e + e p 2 2 qu C qu qpn w kTE kT jr = +e 2 e 2 p qu E qpn w kT Pentru RAN: jr e . 2Dp

Rezult:

Etapa III: - curentul local de electroni la jonciunea emitor-baz:

qDn n p qu E e kT 1 jn (0) = Ln
Etapa IV: - curentul propriu la jonciunea colector-baz (ca la o jonciune PN polarizat invers, dar cu zona P subirew):
' qD p pn qDn n 'p qu C e kT 1 jco = + w L'n

(colectorul este dopat

diferit cu impuriti n comparaie cu emitorul);


' qD p pn qDn n 'p pentru RAN jco = + ' w Ln (pentru jco s-a luat semnul corelat cu semnul curentului de colector). Dac A este aria seciunilor transversale ale jonciunilor, curenii vor

fi:

iE = A j p (0) + jn (0) iC = A j p ( w) + jco = A j p (0) jr + jco iB = A [ jn (0) + jr jco ] = iE iC


Se observ:

iC = i p ( w) + ico = t i p (0) + ico = t iE + ico = oiE + ico

- relaia fundamental a tranzistorului.


2 1 w 2 w 1 w n 1 1 1 0 w n 2 Lp Ln p 2 L p 1+ Ln p

0 este factorul de curent al tranzistorului n conexiunea BC. Valorile tipice


sunt apropiate de 1 dar mai mici dect 1.

4. Caracteristicile statice ale TBIP a) caracteristicile statice (n general)

caracteristica de transfer o mrime de ieire n funcie de o mrime de intrare: - v0 (vi ) sau io (vi ) cu parametru ii sau - v0 (ii ) sau io (ii ) cu parametru vi ; caracteristica de ieire o mrime de ieire n funcie de cealalt mrime de ieire cu parametru o mrime de intrare: - io (vo ) cu parametru ii sau vi sau - vo (io ) cu parametru vo sau ii ; caracteristica de intrare o mrime de intrare n funcie de cealalt mrime de intrare cu parametru o mrime de ieire: 6

- ii (vi ) cu parametru vo sau io ; - vi (ii ) cu parametru vo sau io .

b) caracteristicile statice ale TBIP n conexiunea BC

caracteristica de ieire iC = iC (uC ) i

iC = oiE + ico

= ct .

Observaii: - caracteristici aproape orizontale, abaterea provenind de la variaia lui ico i a lui 0 cu tensiunea uC prin intermediul lui w ; - caracteristici aproape echidistante la creteri egale ale curentului de emitor provenind de la variaia lui 0 cu curentul de emitor (colector); - anularea curentului de colector se face pentru tensiuni de colector pozitive, mici i foarte apropiate ca valoare pentru diferite valori ale curentului de emitor. Regimuri de funcionare: - regiunea de blocare (tiere), pentru iE 0 ; - regiunea activ normal; - regiunea de saturaie. 7

caracteristica de intrare iE = iE (u E ) u Relaii:


qu C qD p pn qu E e kT e kT iE = A w

= ct .

qD p pn qu E A e kT (pentru RAN) w

Observaii: - caracteristica exponenial; - pentru uC = 0 , caracteristica trece prin origine; - influena lui uC este mic, prin intermediul lui w; Model PNP

- la intrare, tranzistorul poate fi modelat n cea mai simpl form cu o tensiune de prag, VBE , cu valori tipice de 0,2 V pentru Ge i 0,6 V pentru Si; curentul de baz este stabilit de circuitul exterior; - n colector, tranzistorul este modelat printr-un generator de curent comandat de curentul din baz; de cele mai multe ori se folosete egalitatea iC iE , care presupune c relaia pentru curentul de colector devine:

iC = 0iB prin neglijarea curentului rezidual, ico .

c) caracteristicile statice ale TBIP n conexiunea EC

) caracteristica de ieEire Relaii:

iC = iC (u 'C ) i

= ct .

iC = oiE + ico iE = iC + iB

Se elimin iE i rezult:

iC = 0iB + iceo

cu

0 =

0 (factorul de curent al 1 0

tranzistorului n conexiune EC) i iceo =

ico . 1 0

Observaii: - caracteristicile trec printr-un punct foarte apropiat de origine; - caracteristicile nu sunt echidistante deoarece dependena de curentul de colector a factorului de curent n conexiune EC este mai mare dect n cazul conexiunii BC. Caracteristica de intrare iB = i ' B (u ' B ) u ' Relaii:
C

= ct .

iB = iE iC = iE 0iE ico = (1 0 )iE ico

Observaii: - carateristicile nu trec prin origine; - tensiunea u'C are o influen mic.

10

TBIP-Regimul dinamic Tranzistorul este utilizat pentru prelucrarea semnalelor variabile. Semnalele variabile se aplic n serie cu tensiunile de polarizare - ca urmare, se vor modifica curenii, deci i tensiunile pe rezistena de sarcin. n cazul general, semnalul variabil se suprapune peste regimul de curent continuu. Tranzistorul element neliniar adic relaiile dintre tensiuni i cureni sunt neliniare. Liniarizarea se poate face n condiii de semnal mic.

Definiie: factor de amplificare n curent:

i2 i1

u 2 = 0

- pentru conexiunea BC:

iC iE iC iB i E i B

u C = ct .

- pentru conexiunea EC: ' =

u ' C = ct .

- pentru conexiunea CC: ' ' = Conexiunea BC:

u ' ' C = ct .

iC = 0iE + ico

d 0 diC = 0 + iE di diE E u

d du E 0 = 0 + iE du E u = ct . diE u = ct . C C C = ct . qu E qD p pn kT diE q e , Deoarece: iE = A = I E deci: du w kT E PSF


12

= 0 + IE

d 0 du E

uC

kT 1 kT d 0 = 0 + q IE q du E = ct .

u C = ct .

Dependena 0 de PSF:

Deoarece n RAN 0 depinde puin de u E (prin W), rezult: 0 .

variaia lui 0 cu curentul de colector (emitor) determinat de: - generarea de purttori electroni-goluri din zona de trecere ( ); - efecte la nivel mare de injecie ( t ). Conexiunea EC:

Relaii:

'=

iC iB

=
u ' C = ct .

iE = iC + iB iE = iC + iB

1 Factor de amplificare n regim variabil n conexiunea EC: = h21e . Variaia lui cu curentul de emitor (colector) este mult mai puternic
iC = iE =

dect n cazul conexiunii BC. Conexiunea CC: nu prezint elemente importante din punct de vedere al regimului static de funcionare; referirile se fac la conexiunea EC. 12

5. Modelul Early: Condiii: semnale variabile mici; regim staionar. a) circuitul de intrare

Se difereniaz n jurul unui PSF, M (U E , U C , I E , I C )

i E = i E (u E , u C )

i E =

iE i u E + E u C u E M uC M u 1 1 uE = iE + uC = ren iE + C K iE iE uE M u E M iE uC M

Se deseneaz sub forma unui circuit electric:

Observaii: - ren :

rezistena natural a emitorului:


qu E

iE = A

qD p pn w

e kT

(pentru RAN: uC < 0, uC >>


qu

kT ) q

qD p pn q kTE iE =A e w kT u E

=
M

q IE kT

Rezult:

12

ren =

1 iE u E M
-K:

kT 1 0,026 (valoare mic) = q IE IE

coeficientul de modulaie a grosimii bazei:

K =

iE u E iE uC

qI E kT = 1 w w uC

= IE
M

1 kT 1 w q w uC

(reprezint influena ieirii asupra intrrii prin intermediul grosimii efective a bazei reacia intern n tranzistor). 3 5 Valori tipice pentru K: 10 10 . b) circuitul de ieire Relaia:

iC = 0iE + ic 0 = 0 (iE , uC )iE + ic 0 (uC )

Se difereniaz:

i 0 0 u C + c 0 u C i E + i E i C = 0 i E + i E i u u C M E M C M 0 0 i + c 0 u C iE + iE iC = 0 + iE i E M uC M uC M
Se poate scrie sub forma:

iC = iE g cn uC

Se deseneaz sub forma unui circuit electric:

12

Observaii: - factor de amplificare n curent n conexiunea BC - g cn conductana natural a emitorului dependena de PSF: Se obin valori mici pentru conductana natural a emitorului 106 107 S - ceea ce confer TBIP caracterul de generator de curent i n regim dinamic. Pentru semnale rapid variabile, intervin elementele capacitive:

Se adaug i rezistena distribuit a bazei, rx = rbb ' :

Pentru circuitul Early elementele de circuit depind i de frecven, ceea face dificil utilizarea lui. Capacitile tranzistorului La jonciunea emitor-baz polarizat direct capacitatea de difuzie este mai important dect capacitatea de barier; la jonciunea colector baz polarizat direct conteaz ambele componente, mai important fiind, totui, capacitatea de barier.

Ce = Cde + Cbe

Cc = Cdc + Cbc

12

Capacitile de barier ca la jonciunea PN. Capacitatea de difuzie este determinat de variaia sarcinii purttorilor mobili de sarcin din baz la variaii ale tensiunii emitor baz respectiv colector-baz. 6. Circuit echivalent Giacoletto Este un model pentru care parametrii nu depind de frecven pn la o valoare foarte mare a acesteia ( < 0,5 f ). Se deduce din modelul Early:

uC K iC = iE g cn uC uE = ren iE +
uE uC ren Kren

Prima relaie se scrie:

iE =
iE =

sau:

1 u E + ren

1 K u + u E uC E Kren ren

care se scrie sub forma:

iE =

u uC u E + S u E + E r ro

Analog, relaia a doua se scrie:

u u iC = iC g cn uC = E C g cn uC = Kren ren 1 sau: uE uC 1 K u + = g cn uC E ren Kren Kren u uC uC iC = Su E + E ro r

12

Se deseneaz, sub forma unui circuit electronic, cele dou relaii:

Interpretarea parametrilor (n ordinea importanei):

1 K o = q I 40 I S= * o C C ren ren ren kT mA mA , pentru I C n mA ); S = 40 pentru S este panta tranzistorului, n V V I C = 1mA . r 1 * = r = en 1 1 S S (reprezint curentul local al jonciunii EB, valori tipice de k pentru I C de

ordinul mA) - se pune n eviden relaia: Sr = o *

ro = Kren K

kT qI C
4 5

(reprezint reacia intern a tranzistorului, valori tipice de 10 L10 ) dependent de PSF i de frecven; *

1 1 1 1 1 S = g co + = g cn = g cn r Kren K Kren

(dependent de PSF i de frecven, valori tipice pentru r de 10 L10 )


6

rezistena distribuit a bazei, valori tipice zeci sute . Schema se poate desena i pentru conexiunea EC.

rx

12

Schema simplificat pentru frecvene joase

Schema simplificat pentru amplificare mic

Schema simplificat pentru frecvene nalte

12

7. Parametrii de cuadripol Din punct de vedere dinamic, tranzistorul poate fi caracterizat printrun model matematic prin care se iau n considerare relaiile dintre mrimile de intrare (curent, tensiune) i mrimile de ieire (curent, tensiune) ale acestuia considerat ca un cuadripol.

- mrimi de intrare:

- curentul de intrare, I i - tensiunea de intrare, U i - curentul de ieire, I 0

- mrimi de ieire:

- tensiunea de ieire, U 0 Relaiile dintre cele patru mrimi determin seturi de parametri - mai importani - parametrii y (pentru analiza circuitelor funcionnd la frecvene mari) - parametrii h (pentru analiza circuitelor funcionnd la frecvene mici). Parametrii h se pot msura n cele mai bune condiii: scurt circuit la ieire (sarcina format dintr-o capacitate mare) i ntrerupere la intrare (comand prin generator de curent). Deducerea parametrilor h din parametrii circuitului echivalent Giacoletto pentru conexiunea EC:

12

Parametrii h se deduc pornind de la definiie:

h11 = hi =

Ui Ii

== rx + Z Z = rx + r r r x + r
U0 =0

- valori tipice: k (pentru cureni de ordinul - dependent de PSF (prin r =

kT ); qI C

mA );

- rx are importan la cureni mari; - la frecvene mari intervine i o dependen de frecven;

h21 = h f =

I2 I1

U0 =0

ub ' e 1 S Z r = = Sr = ub ' e ub ' e 1 1 + + r r Z Z Sub ' e

- principalul parametru dinamic al tranzistorului; - numeric, practic egal cu parametrul static 0 ; - valori tipice: 50 L 300 ; - relaia Sr = permite determinarea parametrului hi dac se cunoate curentul din PSF; - se poate pune n evidena panta tranzistorului:

S=

hf r

hf hi rx

hf

hi 1 rx hi

h12 = hi =

Ui Uo

=
Ii = 0 4

Z Z r = Z + Z Z r
5

- valori tipice; 10 L10 - dependent de PSF; - dependent de frecven.

12

h22 = ho =

Io Uo

I i =0

1 Z 1 Uo + +S r Z +Z Z + Z o = = Uo = 1 1 + Sr 1 1 + + = + ro r ro r
5

- valori tipice: 10 L10 S ; - dependent de PSF i de frecven. Schema cu parametrii h simplificai (prin neglijarea lui h12 i h22)

12

Amplificatoare elementare cu tranzistoare Parametrii amplificatoarelor - mrimi ce caracterizeaz un amplificator

Obs. toate mrimile sunt complexe n cazul general. - amplificarea de tensiune: - amplificarea de curent: - impedana de intrare:

Au = A = Ai = Z int I2 I1 U = 1 I1

U2 U1

(depinde de (depinde de (depinde de

Zs ) Zs ) Zs )

- impedana de ieire:

Z ies =

U2 I2

E g = 0; Z g 0 ; Z s

(se anuleaz sursa de semnal dar impedana sa intern, - amplificarea global de tensiune:

Z g , rmne n circuit)

Aug = Aig =

U2 Eg I2 Ig

(pentru excitaie cu generator de tensiune) - amplificarea global de curent:

(pentru excitaie cu generator de curent) Ap = Au - amplificarea de putere:

Ai

(pentru sarcin rezistiv) - amplificare global de putere n cele dou situaii. - ali parametri - banda de frecvene - tensiunea echivalent de zgomot - puterea debitat n sarcin - puterea absorbit de la sursele de alimentare - valori limit absolute pentru tensiuni, cureni, puteri - etc. Circuitul de ieire al unui amplificator: (Figura)

U2 = U0
Deci:

Zs Z s + Z ies Z s (n gol) U 2 = U 0 Zs Z s + Z ies U = A i 2 = A U1 U Zs = 2 sau U1 Z s + Z ies

U 2 = U 2
Dar:

U2 U1 U2 U1

A = A

Zs Z s + Z ies

Rezult:

A Z ies = Z s 1 A
Amplificator caracterizat prin parametrii de cuadripol Obs. orice amplificator, independent de structura sa, de numrul de elemente active sau pasive i de tipul acestora poate fi caracterizat global prin parametrii si de cuadripol cu care se pot determina performanelor sale globale atunci cnd este comandat la intrare cu un generator de tensiune (sau de curent) i cnd lucreaz pe o sarcin precizat, Zs.

* amplificatorul este caracterizat prin parametrii hibrizi de cuadripol, H. * relaiile de calcul sunt:

U1 = H i I1 + H r U 2 I 2 = H f I1 + H o U 2

U 2 = Z s I 2 U g = U1 + Z g I1 I = U1 + I 1 g Zg

Obs. pentru circuitul de intrare relaiile vor fi diferite n funcie de modul de comand a amplificatorului. * se calculeaz amplificarea de curent sub forma:

Hf I2 Ai = = I1 1 + H o Z s
* prima relaie devine:

U1 = H i I1 H r Z s I 2 = H i I1 H r Z s Ai I1 ,
de unde se calculeaz impedana de intrare:

Z int =

U1 I1

= H i H r Ai Z s

sau:

Z int = H i

Hr H f Zs
1 + HoZs

H i + Z s H 1 + HoZs

Deoarece

U1 = Z int I1

U 2 = Z s I2 ,

prin raportarea celei de a

doua relaii la prima, rezult:

Au =

Zs Ai Z int

o relaie foarte important care leag trei dintre mrimile ce caracterizeaz amplificatorul. * mai rezult:

Au =

H f Zs H i + Z s H

ceea ce reprezint expresia general a amplificrii de tensiune a amplificatorului caracterizat prin parametrii de cuadripol. * prin raportarea relaiilor:

U g = Z int I1 + Z g I1
U 2 = Z s I2
se va obine: amplificarea global de tensiune:

Aug =

U2 Zs = Ai Ug Z s + Z int H f Zs

nlocuind pe Zint i pe Ai, se obine:

Aug =

H i + Z s H + Z g (1 + H o Z s )

Aceeai expresie se obine i dac se observ c:

Aug =

U 2 U 2 U1 Z int = = Au Z int + Z g U g U1 U g

(s-a pus n eviden divizorul de tensiune ntre impedana intrare a amplificatorului). * pentru amplificarea global de curent

Zg

i impedana de

Zg I 2 I 2 I1 Aig = = = Ai I g I1 I g Z g + Z int
(s-a pus n eviden divizorul de curent ntre impedana intrare a amplificatorului); se obine:

Zg

i impedana de

Aig =

H f Zg Z g (1 + H o Z s ) + H i + Z s H

* pentru impedana de ieire, n ambele cazuri se anuleaz generatorul de tensiune (sau de curent), dar impedana sa intern rmne n circuit; rezult: U1=-ZgI1. - curentul de intrare va fi:

- rezult:

Z g + Hi Hr H f U2 I2 = + H oU 2 , Z g + Hi

I1 =

H f U2

adic,

Z ies

Hi + Z g U2 = = I 2 U g , I g = 0 H + Z g H o
Z g 0

Se pot distinge dou cazuri particulare: a) comanda cu generator ideal de tensiune (Zg=0)

Z ies ( Z g = 0) =

b) comanda cu generator ideal de curent (Zg)

Hi H

Z ies ( Z g ) =

1 Ho

(1.12)

* amplificarea de putere se calculeaz conform relaiilor generale deduse numai pentru sarcini rezistive:

Ap = Au Ai
Relaiile pot fi folosite pentru orice amplificator caracterizat prin parametrii H, indiferent de structura sa. Aadar, pentru circuitele elementare (emitor la mas, baz la mas, respectiv colector la mas) amplificrile de tensiune i de curent i impedanele de intrare i de ieire vor fi determinate cu relaiile deduse n care, n locul parametrilor H, vor fi introdui parametrii hibrizi corespunztori. n funcie de circuitele concrete de polarizare vor putea fi determinate amplificrile globale de tensiune Aug sau de curent Aig i apoi amplificrile de putere AP numai pentru sarcini rezistive. Avnd n vedere faptul c impedanele de intrare i de ieire sunt afectate, uneori n mod esenial, de rezistenele din circuitele de polarizare n c.c., impedana de intrare a schemei de principiu va fi notat cu Zi (pentru schema cu emitor la mas), respectiv Zib (pentru schema cu baz la mas) i Zic (pentru schema cu colector la mas) i va fi calculat cu relaia dedus aici, iar impedana de intrare n amplificator, inclusiv cu circuitul de polarizare se va nota cu Zint. Similar, impedana de ieire a schemei de principiu va fi notat cu Zo (pentru schema cu EM) respectiv Zob (pentru schema cu BM) i Zoc (pentru schema cu CM) i va fi calculat cu relaia dedus n cazul general, iar impedana de ieire din amplificator, inclusiv cu elementele circuitului de polarizare se va nota cu Zie. Influena elementelor circuitului de polarizare, mai mare sau mai mic, depinde de schema concret de polarizare n c.c. i de valorile elementelor de circuit n comparaie cu parametrii elementelor active. Structuri fundamentale cu TBIP Amplificator cu TBIP cu emitorul la mas Schema de principiu:

* TBIP - caracterizat prin parametrii hibrizi hi, hf, hr, ho.

* Amplificarea de tensiune, Au:

Au =

hf Zs hi + Z s h hf Zs hi = SZ s

- n majoritatea situaiilor practice (exist i excepii) este ndeplinit condiia |Zsh| << hi :

Au

se

constat c, pentru o sarcin rezistiv: - amplificarea este negativ (adic circuitul schimb faza semnalului de la ieire cu 180 fa de faza semnalului de la intrare); - valoarea modulului amplificrii este proporional cu impedana de sarcin i, pentru valori rezonabile ale acesteia poate fi de ordinul zeci-sute; - modulul amplificrii depinde esenial de PSF prin intermediul pantei S ( S 40 I C ). * Amplificarea de curent, Ai

Ai =

hf

1 + ho Z s

- pentru sarcini rezonabile: |hoZs| << 1 i amplificarea de curent se poate calcula cu relaia aproximativ:

Ai h f

(amplificare de curent mare). * Impedana de intrare Zi :

hr h f Z s hi + Z s h Zi = = hi 1 + ho Z s 1 + ho Z s

Z i hi h f

kT qI C

(amplificatorul cu EM are o impedan de intrare de valoare medie (sute de sau k) invers proporional cu curentul de colector din PSF). * Impedana de ieire, Zo:

Zo =

hi + Z g h + Z g ho

ntruct raportul dintre hi i Zg nu poate fi precizat, rezult c nu poate fi luat n consideraie o relaie aproximativ; Se pot pune n eviden cele dou situaii limit: - pentru Zg = 0, adic pentru comanda cu generator de tensiune ideal, se obine:

Z o ( Z g = 0) =

hi hi 1 = = h hi ho hr h f ho

1 hr h f

hi ho

- pentru Zg , adic pentru comanda cu generator de curent ideal (mai greu de realizat din cauza circuitelor de polarizare n c.c. a bazei) se obine:

Z o ( Z g ) =

1 < Z o ( Z g = 0) ho

* Amplificarea global de tensiune:

hf Zs U2 Zi Aug = = Au ; Aug hi + Z g U g Zi + Z g
n mod similar se poate determina i o amplificare global de curent dac excitarea schemei se face cu generator de curent. * Amplificarea de putere (n impedan de sarcin rezistiv, Zs=Rs):

AP = Au Ai =

hi + Rs h 1 + ho Rs

h f Rs

hf

AP

h 2 Rs f hi

- amplificarea de putere realizat de schema cu emitor la mas este foarte mare (Rs i hi pot avea valori de acelai ordin de mrime) ntruct, n aceast conexiune, tranzistorul amplific i n tensiune i n curent; - dependen mai complicat de rezistena de sarcin, n sensul c amplificarea de putere devine nul att pentru Rs 0, ct i pentru Rs , ceea ce nseamn c exist o valoare optim a rezistenei de sarcin pentru care se obine o amplificare de putere maxim; -

Rsopt =

hi ho h

- cu valorile normale pentru hi i ho, valoarea rezistenei de sarcin optim este de ordinul zecilor de k, ceea ce este foarte greu de realizat n practic. Amplificator cu TBIP cu baza la mas Schema de principiu a unui amplificator cu BM:

Observaie: este incomod s se foloseasc parametrii hibrizi n conexiunea baz comun deoarece hrb , hib si hob sunt foarte mici, iar hfb este foarte apropiat de unu (-1) i, pentru toi aceti parametri, msurtoarea lor direct este mai dificil i mai puin precis dect n cazul parametrilor corespunztori pentru conexiunea emitor comun, cu valori numerice mai rezonabile. - se folosesc relaiile generale n care parametrii H se nlocuiesc cu parametrii hibrizi n conexiunea BC: h f + h h h h h h hib = i ; h fb = ; hrb = r ; hob = o ; hb = N N N N N cu: N = hf + 1 + h hr. * Amplificarea de tensiune:

Aub =

h fb Z s hib + Z s hb

(h f + h )Z s =
hi + Z s h

Aub

hf Zs hi

= SZ s
-

- expresie asemntoare cu aceea pentru schema cu emitor la mas; amplificarea de tensiune este pozitiv; - egal cu aceea a schemei cu emitorul comun (ca modul) - depinde de curentul de colector din PSF (prin S). * Amplificarea de curent:

Aib =

h fb 1 + hob Z s

h f + h

N + hob Z s

h f + h h f + 1 + h hr + hob Z s

- aproximativ:

Aib

hf hf + 1

= 1

- amplificarea de curent este, practic, egal cu 1; - semnul () nu are semnificaie, el depinde numai de convenia de semne pentru curenii de intrare i de ieire. * Impedana de intrare:

Z ib =

hib + Z s hb hi + Z s h = 1 + ho Z s N + ho Z s

- expresie aproximativ:

Z ib

1 hi hf + 1 S

este foarte mic, de ordinul zecilor de ohmi; - se recomand ca, n cazul amplificatoarelor cu mai multe etaje, s nu se conecteze un amplificator cu BM dup un amplificator cu EM pentru c amplificarea de tensiune a acestuia va fi mult micorat. * Impedana de ieire:

Z ob =

hib + Z g

hb + Z g hob

hi + Z g N h + Z g ho

impedana de ieire are o valoare mare (la numrtorul expresiei apare termenul NZg); - tranzistorul se comport, la ieire, ca un generator de curent i n regim dinamic; (scheme cu BM pot fi folosite ca sarcini dinamice sau ca generatoare de curent constant, exemple de astfel de scheme fiind ntlnite n toate circuitele integrate liniare). - nu se poate da o form aproximativ atta timp ct nu este precizat impedana de generator, Zg, dect, cel mult, nlocuind pe N cu hf+1; - pentru cele dou situaii limit n care se poate afla Zg, se obin rezultatele: - cnd tranzistorul este comandat cu generator ideal de tensiune, impedana de ieire este aceeai pentru cele dou conexiuni:

Z ob ( Z g = 0) =

hi = Z o ( Z g = 0) h

- dac este comandat cu generator de curent:

Z ob ( Z g ) =

N hf + 1 1 ho ho hob

- valoare foarte mare pentru impedana de ieire, dat de impedana jonciunii colector-baz cu emitorul n gol; - o valoare foarte mare a impedanei de ieire se obine chiar pentru valori relativ mici ale impedanei de generator, fiind suficient ca Zg>>Zib. - se mai poate scrie:

Z ob

hi + Z g (h f + 1) h + Z g ho

hi + Z g

h + Z g ho

hf Zg h + Z g ho

= Zo +

hf Zg h + Z g ho

din care se observ c, pentru Zg0, rezult Zob>Zo. * Amplificarea global de tensiune:

Aug =

Z ib Aub Z ib + Z g

- este foarte mult afectat de valoarea mic a impedanei de intrare, chiar pentru valori mici ale impedanei generatorului de tensiune de comand. - n cazul unei comenzi cu generator de curent, amplificarea global de curent este puin afectat de rezistena generatorului de curent de comand dac Zg>>Zib, condiie uor de ndeplinit. * Amplificarea de putere (pentru schema de baz i pentru o impedan de sarcin rezistiv):

AP = Au Ai =

hf hi

Rs (1) =

h f Rs hi

= SRs

- valoare mare a amplificrii de putere (numai pe seama amplificrii de tensiune a schemei).

- n cazul excitrii schemei cu generator de tensiune cu Rg0 i amplificarea total de putere va fi afectat dac Rg nu este neglijabil n comparaie cu Zib, condiie, n general, greu de ndeplinit. Amplificator cu TBIP cu colectorul la mas Schema de principiu:

Observaie: se folosesc relaiile generale n care parametrii H se nlocuiesc cu parametrii hibrizi n conexiunea CC, hc , dedui n funcie de parametrii h n conexiunea emitor comun:

hic = hi ; hoc = ho ; hfc = (hf +1) ; hrc = 1 hr ; hc = N


N = hf + 1 + h hr hf + 1. * Amplificarea de tensiune:

cu:

Auc =

h fc Z s

hic + Z s hc

(h f + 1) Z s hi + Z s N

(h f + 1) Z s hi + (h f + 1) Z s

- amplificarea de tensiune este pozitiv i subunitar. - dac este ndeplinit condiia |(hf+1)Zs|>>hi, amplificarea de tensiune devine aproape egal cu unitatea, adic circuitul repet la ieire tensiunea aplicat la intrare, i de aici i denumirea de repetor pe emitor pentru aceast conexiune a tranzistorului BIP. - condiia impus se poate scrie i sub forma:

Zs >

hi 1 hib hf + 1 S

sau

S Z s >> 1

i se ndeplinete n cea mai mare parte a cazurilor practice. - formula aproximativ pentru amplificarea de tensiune a repetorului pe emitor se scrie:

Auc

SZ s 1 1 + SZ s

* Amplificarea de curent:

Aic =

h fc
1 + hoc Z s

(h f + 1)
1 + ho Z s

- relaia aproximativ pentru cazul n care |hoZs|<<1, condiie ndeplinit aproape ntotdeauna n schemele concrete.:

Aic (h f + 1)

- amplificarea de curent are valoare mare, iar faptul c este negativ nu are semnificaie ntruct acest semn depinde de semnele acceptate pentru cei doi cureni. * Impedana de intrare:

Z ic =

hic + Z s hc hi + Z s N = 1 + hoc Z s 1 + ho Z s

- dac se nlocuiete N cu expresia aproximativ i se ine seama de faptul c, de obicei, |hoZs|<<1, rezult o expresie aproximativ pentru Zic sub forma:

Z ic hi + (h f + 1) Z s

care arat c impedana de intrare n repetorul pe emitor este foarte mare, de ordinul a zeci de k. - alt form:

h +1 Z s hi (1 + SZ s ) Zi (1 + SZ s ) Z ic hi 1 + f hi

din care se vede c este mult mai mare dect impedana de intrare a amplificatorului cu emitorul la mas deoarece |SZs|>>1 (n mod obinuit). - Impedana de intrare mare arat c, n cazul unui amplificator realizat din mai multe etaje n cascad, cuplarea unui repetor pe emitor ca sarcin nu ncarc prea mult etajul amplificator anterior i, deci, nu-i micoreaz amplificarea de tensiune; - aceast impedan de intrare mare va fi afectat mai mult dect n celelalte cazuri de elementele circuitului de polarizare n c.c. a bazei tranzistorului. * Impedana de ieire:

Z oc =

hic + Z g

hc + Z g hoc hi + Z g

hi + Z g N + Z g ho

sau, dac se nlocuiete N cu relaia aproximativ i se neglijeaz Zgho:

Z oc

Zg Zg hi 1 = + + hf + 1 hf + 1 hf + 1 S hf + 1

- impedana de ieire a repetorului pe emitor este foarte mic n comparaie cu impedanele de ieire ale celorlalte dou amplificatoare elementare. Dac se compar impedanele de ieire ale repetorului pe emitor i amplificatorului cu emitorul la mas pentru Zg = 0 se obine:

Zoc ( Zg = 0) =

i, cum raportul hf / h este de circa 104, rezult acelai raport ntre cele dou impedane de ieire. - impedana de ieire de valoare mic arat c repetorul pe emitor este capabil s comande rezistene de sarcin de valoare mic. Concluzii privind repetorul pe emitor: - impedana de intrare este mare (deci circuitul nu ncarc esenial etajul anterior); - impedana de ieire este mic (deci circuitul poate comanda orice sarcin); - amplificarea de tensiune este practic unitar. rezult: repetorul pe emitor este un foarte bun etaj de adaptare ntre alte etaje de amplificare ale unui amplificator de tensiune cu mai multe etaje (ulterior se va arta c i rspunsul n frecven al repetorului pe emitor este foarte bun). * Amplificarea global de tensiune este afectat mai puin de prezena impedanei generatorului de semnal de valoare nu prea mare, deoarece impedana de intrare n repetor este mare:

h h hi h = i = Zo h f + 1 h h f + 1 hf +1

Aug = Au

Z ic Z ic + Z g

* Amplificarea de putere (pentru amplificatorul elementar ncrcat cu sarcin rezistiv):

AP = Au Ai =

(h f + 1)(h f + 1) Rs

hi + (h f + 1) Rs

hf + 1

- repetorul pe emitor are amplificare de putere mare realizat pe seama amplificrii de curent.

Amplificatoare elementare cu tranzistoare


Tranzistoare echivalente. Tranzistoare compuse * permit simplificarea schemelor echivalente n regim dinamic ale circuitelor cu tranzistoare pentru a se identifica mai repede structurile fundamentale utilizate i, n consecin se pot anticipa principalele performane ale circuitului n cauz;

Tranzistoare echivalente * impedane (rezistene) n serie cu unul dintre terminalele TBIP sau ntre
dou terminale ale acestuia; * ntmpltoare (element secundar) sau intenionate nu schimb caracterul fundamental al dispozitivului respectiv dar modific, mai mult sau mai puin, parametrii dinamici echivaleni n funcie de valorile numerice ale elementelor; * tranzistor echivalent cu parametrii dinamici n funcie de parametrii tranzistorului iniial i de valorile numerice ale impedanelor adugate; * tranzistor caracterizat prin parametrii de cuadripol hibrizi permit o interpretare fizic direct i simpl; * impedana n serie cu un terminal al tranzistorului sau ntre dou terminale ale acestuia, nu modific tipul tranzistorului; * din punct de vedere dinamic, tipul tranzistorului (pnp sau npn) nu are importan, acest aspect contnd numai n ceea ce privete polarizarea sa n curent continuu, pentru precizarea PSF n jurul cruia se manifest semnalul variabil i care determin parametrii de regim dinamic ai tranzistorului. * pentru deducerea parametrilor hibrizi ai tranzistorului echivalent se pot folosi n principiu dou metode: - tranzistorul iniial este caracterizat prin mrimile U1, I1, U2, I2, ntre care exist relaiile:

U1 = hi I1 + hrU 2 I 2 = h f I1 + hoU 2

- tranzistorul T mpreun cu impedana Z conectat fie n serie cu unul dintre terminale, fie ntre dou terminale este caracterizat prin mrimile
' ' U1' , I1' , U 2 , I 2 ntre care exist relaiile: U1' = h ' I ' + h' U ' i 1 r 2 ' ' ' ' ' I 2 = h f I 1 + ho U 2

* ntre mrimile ce caracterizeaz tranzistorul (U1, I1, U2, I2) i mrimile ce caracterizeaz tranzistorul echivalent (U1 , I1 , U 2 , I 2 ) exist relaii ce pot fi puse n eviden prin teoremele lui Kirchhoff scrise pentru nodurile sau ochiurile care se formeaz; * prima metod const n eliminarea mrimilor U1, I1, U2 i I2 dintre aceste relaii i aranjarea relaiilorobinute sub forma anterioar de unde, prin identificare, se gsesc parametrii hibrizi corespunztori tranzistorului echivalent. * a doua metod const n determinarea parametrilor hibrizi ai tranzistorului echivalent pornind de la definiii.
' ' ' '

a) Tranzistor bipolar cu impedan n serie cu baza


* schema de principiu:

U1 = hi I1 + hrU 2 I 2 = h f I1 + hoU 2

* rezult: ' ' ' U1 = ( hi + Z ) I1 + hr U 2 ' ' I 2 = h f I1 + hoU 2 * se deduc parametrii tranzistorului echivalent sub forma :

I1' = I1 ' U1 = ZI1' + U 1

' U 2 = U 2 ' I 2 = I 2

h 'f = h f ' ho = ho

hi' = hi + Z ' hr = hr

Aceleai relaii se pot obine i dac se observ c impedana Z apare, pur i simplu, n serie cu hi . Rezult c parametrii devine suma hi

h f , hr , h0

nu sunt afectai i

+Z.
h'i

h'i

- odat cu modificarea parametrului echivalent care se micoreaz:

se modific i panta tranzistorului

S'=

h 'f hi'

hf hi + Z

=S

hi hi + Z
'

- amplificarea de tensiune a etajului de amplificare cu EM se va reduce; (fizic, o parte din semnalul aplicat la intrare, U 1 , se pierde pe impedana Z i nu ajunge efectiv la intrarea tranzistorului, U 1 (ntre baz i emitor) semnal care este amplificat de tranzistor); - dac tranzistorul iniial este caracterizat prin hr = 0 i h0 = 0 , atunci aceiai parametri ai tranzistorului echivalent rmn tot nuli ceea ce permite folosirea relaiilor aproximative pentru calculul performanelor amplificatorului; - impedana Z n serie cu baza poate s apar ca o rezisten antioscilant introdus n acest scop n circuit; de asemenea, se poate considera c i efectul rezistenei distribuite a bazei, rx , se manifest n acelai mod, dar el este important numai la cureni mai mari unde rx poate lua valori semnificative n comparaie cu hi . b) Tranzistorul bipolar cu impedan n serie cu emitorul * este una dintre situaiile ntlnite des n practic. * schema de principiu:

* se procedeaz ca n cazul precedent; se obin relaiile:

hi' = hi + ZN ; 1+ Zh0 ' h f Zh0 h f = 1+ Zh0 ;


unde

' h + Zh0 hr = r 1+ Zh0 h ' h0 = 0 1+ Zh0 N = h f + 1 + h hr .

* trebuie remarcat faptul c rezistena Z nu poate avea n cazurile practice valori prea mari, astfel c aproape ntotdeauna se poate face neglijarea | Zh0 |<< 1 ; se obin relaii aproximative:
' hi' hi + h f Z; hr' hr + Zh0 ; h'f h f ; h0 h0 h' hi h0 + h f Zh0 f r h f Zh0 h f h

* panta tranzistorului devine:

S'=

h'f hi'

hf hi + h f Z

=S

hi 1 =S hi + h f Z 1 + SZ

- micorarea pantei echivalente este important chiar pentru valori nu prea mari ale impedanei Z i duce la micorarea modulului amplificrii de tensiune a tranzistorului cu EM. - se mai poate interpreta rezultatul i n sensul c, fiind mrit substanial parametrul hi, nseamn c va fi necesar o tensiune de comand mai mare pentru a excita tranzistorul cu acelai curent de intrare n vederea amplificrii, ceea ce se va traduce n final, printr-o amplificare de tensiune de valoarea mai mic;

- dac hr = 0 si h0 = 0 rezult hr = 0 i h0 = 0 , ceea ce nseamn c se pot folosi n continuare relaiile aproximative pentru calculul performanelor amplificatoarelor elementare cu tranzistoare. * impedana Z poate fi o rezisten introdus n circuit, n serie cu emitorul, pentru stabilizarea PSF, dar poate fi introdus i n mod special pentru a stabiliza amplificarea de tensiune a amplificatorului cu EM; * amplificarea de tensiune aproximativ a unui etaj cu sarcin i n emitor i n colector:
' '

devine:

hi + h f Z i n condiiile n care | SZ |>> 1 , se deduce expresia: Z Au S Z hi'

Au =

h'f

Zs =

h f Zs

SZs 1 + SZ

- aceast relaie arat c amplificarea de tensiune nu mai depinde (n mod esenial) de parametrii tranzistorului, ci numai de raportul a dou impedane; - efectul impedanei Z se poate considera i ca o reacie negativ serie de curent. c) Tranzistor bipolar cu impedan n serie cu colectorul Schema de principiu:

* se obin relatiile:

* rezult parametrii tranzistorului echivalent prin identificare:

' U1' = hi + Zh I1' + hr U 2 1+ h0 Z 1+ h0 Z ' h f ' h0 ' I 2 =1+ h0 Z I1 +1+ h0 Z U 2

hi' = hi + Zh ; 1+ h0 Z ' hf h f =1+ h0 Z ;

h ' hr = r 1+ h0 Z h ' h0 = 0 1+ h0 Z

- pentru valori nu prea mari ale impedanei Z, ceea ce se ntmpl n mod obinuit n circuitele reale, se ndeplinesc urmtoarele condiii: Zh << hi , Zh0 << 1 i relaiile obinute se pot simplifica sub forma:
' hi' hi , hr' hr , h 'f h f , h0 h0

ceea ce nseamn c o impedan (rezisten) conectat n serie cu colectorul tranzistorului nu schimb substanial parametrii dinamici ai acestuia i deci, nici performanele sale ca amplificator de tensiune. - trebuie observat faptul c acest aspect era normal ntruct s-a accentuat de mai multe ori c tranzistorul bipolar se comport la ieire, n colector, ca un generator de curent aproape ideal, iar o impedan n serie cu un generator de curent nu conteaz; - n general, n astfel de situaii se permite neglijarea impedanei care apare n serie cu colectorul unui tranzistor. d) TBIP cu impedan ntre baz i emitor * este una dintre situaiile des ntlnite n practic. Schema de principiu: '=

'

'= '

'= '

*se obin relaiile:


' U1' = hi Z I1' + hr Z U 2 hi + Z hi + Z ' h f Z ' h + Zh0 ' I 2 = hi + Z I1 + hi + Z U 2

* prin identificare rezult parametrii tranzistorului echivalent: hf Z hi' ' hi Z ' hi = = hi ||Z ; h f = =h f hi + Z hi + Z hi ' h Z ' h Z + h hr = r ; h0 = 0 hi + Z hi + Z

* se constat c panta tranzistorului echivalent este identic cu aceea a tranzistorului iniial, S' = S . De multe ori, n cazurile practice, impedana Z, o rezisten, are o valoare mult mai mare dect hi, astfel nct, din punct de vedere numeric, parametrii tranzistorului echivalent sunt practic identici cu cei ai tranzistorului iniial. * dac tranzistorul inial este caracterizat de parametrii hr = 0 si h0 = 0 , atunci parametrii circuitului echivalent vor fi:

hi' = hi || Z ; h 'f = h f

Z ; hr = 0 si h0 = 0 , Z + hi

ceea ce permite utilizarea relaiilor aproximative pentru calculul performanelor amplificatoarelor; * din punct de vedere fizic, se observ c prezena impedanei Z duce la micorarea curentului care intr efectiv n baza tranzistorului pentru a fi amplificat, o parte din el mergnd prin Z spre borna comun. Cu ct impedana Z este mai mare, cu att aceast pierdere de curent este mai mic; * cel mai adesea, rezistena dintre baz i emitor apare fie din necesitile de polarizare corect a tranzstorului, fie din circuitele de bootstrapare utilizate pentru micorarea influenei curentului de polarizare din baz asupra impedanei de intrare, aa cum se va vedea n paragrafele urmtoare. e) TBIP cu rezisten ntre baz i colector * schema de principiu: este

* ecuaiile suplimentare necesare pentru determinarea parametrilor tranzistorului echivalent sunt : ' ' U1 U 2 ' ' U1 =U1 ; I1 = I1 +

Z ' ' ' U 2 U1 ' U 2 =U 2 ; I 2 = I 2 + Z

* se obin relaiile urmtoarele echivalri:

hi' = hi ||Z ; ' hi + hr Z hr = hi + Z ;

hf Z 2h f hi ' hf = hi + Z hi + Z hi + Z ' h Z + h h0 = 0 hi + Z

* ntotdeauna se poate face aproximarea cazurile practice, este ndeplinit condiia | h f Z

h 'f h f

|>> hi ;

Z Z + hi

deoarece, n

* se poate folosi metoda de calcul pprnind de la definiia parametrilor:

* conform definiiei:

hi'

U 1' U1 = ' = I1 U ' =0 I1 + I z


2

hr'
' h0

U1' | = ' U 2 |I1' = 0


' I2 = ' U2 ' I2 = ' I1
' I1 = 0

U1 = hi Z U1 U1 U 2 =0 + hi Z 1 Z hi Zhr + hi hrU 2 = = + U2 Z + hi Z + hi Z + hi =

= h0 + =
U 2 =0

1 hr h f (1 hr ) Zh0 + h + = Z + hi Z + hi Z + hi
I1' = Zh f Z + hi hi Z hf Z + hi Z + hi

h 'f

h f I1 I Z

* se constat c sunt afectai n mod substaniali trei dintre parametrii tranzistorului echivalent; astfel, chiar dac tranzistorul iniial este caracterizat prin hr = 0 si h0 = 0 rezult:

hr' =

hi 0 hi + Z

ceea ce nseamn c n calculul performanelor amplificatoarelor cu astfel de tranzistoare echivalente trebuie s fie luate n considerare relaiile exacte deduse. * se recomand ca n analiza circuitelor cu tranzistoare astfel de echivalri s fie evitate. * prezena unei rezistene ntre baza i colectorul unui tranzistor poate s apar frecvent datorit faptului c acest mod de polarizare a tranzistorului asigur o bun stabilizare termic a PSF. n plus, la polarizarea tranzistorului cu o rezisten ntre baz i emitor se elimin posibilitatea saturrii tranzistorului, indiferent de condiiile de lucru. * din punct de vedere dinamic se poate considera c impedana dintre baz i colector determin o reacie negativ paralel de tensiune care duce la modificarea important a parametrilor tranzistorului. * panta tranzistorului echivalent va fi:

S'=

h 'f hi'

hf

Z Z + hi h f = =S Z || hi hi

ceea ce nseamn c rmne practic nemodificat. f) Tranzistor bipolar cu rezisten ntre colector i emitor

* schema de principiu:

* pentru determinarea parametrilor tranzistorului echivalent se observ faptul c Z apare strict n paralel pe impedana

1 . Rezul c parametrii hi, hf ho

i hr nu sunt modificai iar parametrul h0 se nlocuiete prin combinaie n


paralel a celor dou impedane. Deci:

' h hi' = hi ;; r = hr ' hf =hf ;


mici dect

' h0 = h0 +

1 1 = . 1 Z Z || h0

* avnd n vedere c impedana Z are n mod obinuit valori sensibil mai

1 ' , parametrul ho ho

capt importan.

* o alt posibilitate, utilizat n practic, este ca impedana Z s fie considerat n paralel cu impedana de sarcin (dac montajul este cu emitorul sau cu colectorul la mas). * situaiile practice n care apare o astfel de impedan ntre emitor i colector sunt mai puin ntlnite.

Tranzistoare compuse
* sunt mai multe posibiliti de interconectare a dou tranzistoare care s se comporte global ca un tranzistor echivalent; este necesar ca dispozitivul rezultat s aib tot trei terminale. * din cele 4 posibiliti practice utilizate, dou permit i o polarizare direct n curent continuu fr elemente ajuttoare, ceea ce reprezint un avantaj n utilizarea lor n special n circuite integrate liniare.

g) Tranzistor compus de tip Darlington * schema de principiu (tranzistoare de tipul npn):

* prin conectarea celor dou tranzistoare se obine un dispozitiv cu trei terminale cu semnificaiile E,B,C: * pentru tranzistorul T se obine un curent de baz egal cu curentul de emitor al tranzistorului T, iar tensiunile dintre colectoarele i emitoarele celor dou tranzistoare pot fi simultan pozitive ceea ce asigur o funcionare n RAN. * la un curent de colector al tranzistorului compus prestabilit, se obine un curent de baz la intrare de valoare mic, ceea ce sugereaz posibilitatea utilizrii acestei structuri n etajele de intrare ale amplificatoarelor. * tranzistoarele sunt caracterizate n curent continuu prin factorii de curent i se poate deduce c, dac se noteaz cu I C , curentul de colector al tranzistorului compus, atunci curentul de baz de la intrare va fi:

'o i

" o

IB =

IC
' ' ' 0 + ( 0 + 1) 0'

* deci tranzistorul compus Darlington are un factor de curent echivalent pentru conexiunea EC de valoare:
' " ' " ' " o = o o + o + o o o

aproximarea fiind justificat de neglijarea lui 1 n raport cu fiecare dintre factorii de curent ai tranzistoarelor componente. * la o polarizare n curent continuu simpl, n care curentul de emitor al tranzistorului T este curent de baz pentru tranzistorul T se constat c, prin cele dou tranzistoare, circul curent de colector, n PSF, de valori mult diferite; din acest motiv, performanele de ansamblu ale structurii sunt inferioare celor ce rezult din analiza simplist a schemei. * factorul de curent al tranzistorului n conexiune EC depinde puternic de curentul de colector din PSF cnd acesta se modific n limite largi;

* tranzistoarele utilizate n tranzistorul compus Darlington, fiind de acelai tip, este dificil s se aleag curenii de colector din PSF pentru ambele tranzistoare T ' i T" n zona n care factorul de curent 0 s fie maxim i puin dependent de variaiile curentului de colector din PSF; unul dintre tranzistoare va avea o valoare redus a factorului de curent. * deoarece tranzistorul compus Darlington se folosete n etaje de intrare, este important i zgomotul propriu produs de tranzistor. Tensiunea echivalent de zgomot depinde i ea de curentul de colector din PSF:

* aceast curb este tipic fiecrui tranzistor i nu se pot alege curenii de colector din PSF astfel nct ambele tranzistoare s se situeze n zona de zgomot minim. * pentru evitarea acestor inconveniente, este necesar s se mreasc curentul de emitor al tranzistorului T ' aa cum se sugereaz n figur n care generatorul de curent I se poate realiza n mai multe variante concrete.

* din punct de vedere dinamic parametrii tranzistorului compus Darlington se pot deduce din n funcie de parametri de cuadripol hibrizi [ h ' ], respectiv [ h" ].

* la relaiile care descriu cele dou tranzistoare de forma :

' U1' = hi' I1' + hr' U 2 I ' =h' I ' + h' U ' 2 f 1 0 2 ' U1'' = hi'' I1'' + hr''U 2' I '' = h '' I '' + h ''U '' 2 f 1 0 2
se adaug relaiile rezultate din scrierea ecuaiilor Kirchhoff n nodurile i ochiurile formate.

U1 = U1' + U1'' ; I1 = I1' ; ' ' ' ' U 2 = U 2' = U 2 + U1'' ; I 2 = I 2 + I 2' ; ' I1' + I 2 = I1''

* din aceste 10 ecuaii, se elimin mrimile ce caracterizeaz cele dou tranzistoare componente i cele dou relaii rmase se aranjeaz sub forma:

U1 = hie I1 + hreU 2 I = h e I + h eU 2 f 1 0 2
de unde, prin identificare se determin parametrii hibrizi ai tranzistorului compus . Calculele sunt laborioase i se rocomand deducerea acestor parametri pornind de la definiie. Astfel, condiia U 2 = 0 duce la urmtorul circ. echiv:

Pentru emitor:

hie

se aplic relaia pentru un tranzistor T' cu o impedan n

hi' + hi'' N ' = ' 1 + h0 hi'' ' ' unde N' = h f + 1 + h' hr . hie
- n condiiile unor aproximri acceptabile: ( h0 hi
' "

<< 1 si N' h"f + 1 ) rezult:

hie hi' + (hi' + 1)hi"


* pentru schema de polarizare standard: (adic urmtoarea observaie: deoarece:
' hi' r =

I " = I 'E ), se poate face B

kT kT kT ' ' = h 'f ' ' qI C qI E qI E

i:

hi"

hi' kT kT " kT " kT = = = = ' = ' " " " " ' qI C q I B q I E qI E h f
"

- rezult:

hie

hi'

+ (h 'f

hi' + 1) 2hi' h' f


e

* Deci mrirea parametrului hi nu este foarte mare aa cum apare n relaia initiala, ci se constat doar o dublare a parametrului respectiv al primului tranzistor. * din punct de vedere practic, acest lucru nseamn c tensiunea variabil care se aplic la intrarea tranzistorului compus Darlington se repartizeaz n mod egal pe intrrile celor dou tranzistoare. * pentru determinarea factorului de amplificare n curent al tranzistorului echivalent,

he f

, trebuie determinat curentul I 2 sub forma:

' I 2 = I 2 + h"f I i"

Curentul I 2 este curentul de colector n scurtcircuit al unui tranzistor ( T' ) care are o impedan n emitor ( hi ):
' I2
"

'

' h 'f hi"h0

1+

' hi"h0

I1

Pe de alt parte, curentul I2 este dat de relaia:


" " I 2 = h"f I1 "

unde I i este curentul de ieire al repetorului pe emitor format de tranzistorul T ' care lucreaz pe impedana hi . Rezult, conform relaiei amplificrii n curent a repetorului pe emitor:
" I1 = "

(h 'f + 1) 1+

I ' " 1 h0 hi
' hi"h0

Prin nlocuire, se obine:

I2 =

' h 'f hi"h0

1+

I1 + h"f

h 'f + 1
' 1 + hi"h0

I1

he = f

' h 'f hi"h0 + h"f (h 'f + 1) ' 1 + hi"h0


' (h0 hi" << 1)

- n cazurile de aproximare unanim acceptate relaia aproximativ:

se obine

h e = h 'f h"f + h 'f + h"f h 'f h"f f


- se constat c, din punct de vedere dinamic, tranzistorul compus Darlington are factorul de amplificare n curent de valoare foarte mare. Este adevrat c factorii de amplificare n curent ai celor dou tranzistoare sunt afectai de valorile foarte diferite pe care le au curenii de colector din punctele statice de funcionare ale celor dou tranzistoare. Panta tranzistorului echivalent:

S =
e

he f hie
hi'

' h 'f h"f + h 'f + h"f hi"h0

hi' + hi" N '


+ 1) hi' + hi"h'f h 'f h"f S " = = 2 2hi' h 'f h"f
sau:

- cu aproximrile acceptate:

S
e

h'f h"f + hi" (h 'f h 'f h"f ' ' ' hi hi + h f ' hf

Se =

adic panta tranzistorului echivalent este numai jumtate din panta celui de al doilea tranzistor, ceea ce nseamn c impedana de ieire oferit de tranzistorul compus Darlington este de circa 2 ori mai mare dect cea oferit de tranzistorul T luat separat ca repetor pe emitor (fr a lua n considerare rezistena generatorului de semnal al crei efect este mult micorat datorit faptului c factorul de amplificare n curent al tranzistorului echivalent este mult mrit; * fizic, deoarece tensiunea de intrare

U i'

se repartizeaz n pri aproape


' "

egale pe intrrile celor dou tranzistoare, adic U1 U1 i, deoarece curentul n scurtcircuit este dat, n principal, de curentul celui de-al doilea tranzistor, rezult reducerea pantei echivalente la jumtate din panta celui de-al doilea tranzistor, T " . * dezavantaj al tranzistorului compus Darlington, dar mai puin important dect avantajele pe care le prezint din alte puncte de vedere.

Pentru calculul celorlali doi parametri, se pune condiia obine o schem echivalent:

I1 = 0

i se

* deoarece I 2

" = I 1 , rezult: ' " ' " ' " I 2 = I 2 + I 2 = I 2 + h"f I1' + h0U 2 = ( h"f + 1) I 2 + h0U 2 ' ' I2

" U 2 h2U 2 Dar: = 1 hi" + ' h0 " U 2 (1 h2 ) " " Deci: I 2 = (h f + 1) + h0U 2 1 hi" + ' h0 " h0 " N + ' " " ' (h"f + 1)(1 hr ) h0 h0 + h0 N " " e adic: h0 = + h0 = = ' 1 1 " " 1 + h0 hi" hi + ' hi + ' h0 h0

n condiiile obinuite de aproximare, rezult:


" ' e h0 = h0 + h0 ( h"f + 1)

adic de valoare foarte mare, mai mare dect la fiecare dintre cele dou tranzistoare luate separat. Observnd c:

U1 =

' hr' U 2

U + h2 "U 2 + hi" 2

" h2U 2 1 hi" + ' ho

i c:

' U2

" 1 U 2 (1 hr ) = ' , h0 h" + 1 i ' h0

dup calcule elementare, rezult c:

hre

" " ' hr' hr + hr hr' + hi"h0 = ' 1 + h0 hi"

Aceast relaie se poate reduce la forma aproximativ:


" ' hre hr hr' + hi"h0

o expresie care nu se mai poate simplifica avnd n vedere faptul c cei trei termeni pot avea valori apropiate. * parametrii dinamici aproximativi ai tranzistorului compus Darlington vor fi:

hie = 2hi' ; h e = h 'f h"f ; f e e " ' " ' " ' " hr = hr hr + hi h0 ; ho = h0 + h0 (h f + 1) " S e = S 2
* deci, din punct de vedere dinamic, tranzistorul compus Darlington prezint un factor de amplificare n curent mrit, dar panta echivalent redus este la jumtate. Reacia intern este comparabil cu aceea a unuia dintre tranzistoarele componente, iar la ieire el se comport ca un tranzistor cu impedan de ieire mai mic dect cea a tranzistoarelor componente. * rmn ns importante proprietile tranzistorului compus Darlington n curent continuu prin care se asigur un curent continuu de baz de valoare foarte mic. De asemenea, prin artificii de circuit, n special n circuitele integrate lineare, se pot mbuntii i performanele dinamice. h) Tranzistor compus super-G * schema de principiu:

* n ambele cazuri, tranzistorul echivalent este de tipul primului tranzistor din combinaie i va avea E i B comune cu acesta. * se poate realiza o polarizare a tranzistoarelor n RAN. * n ambele cazuri se constat c, n curent continuu, curentul de colector al primului tranzistor, T' , este curent de baz pentru cel de-al doilea tranzistor, T" . Deci, ntr-o astfel de structur, se asigur curent de intrare continuu de valoare mic iar curentul prin sarcin este asigurat, practic, de cel de-al doilea tranzistor. * se poate deduce foarte simplu factorul de curent al tranzistorului compus:
e ' " ' " ' " 0 = 0 ( 0 + 1) = 0 0 + 0 0 0

* curenii continui prin cele dou tranzistoare fiind foarte mult diferii (n raportul 0 ), rezult c se vor pstra dezavantaje relevate la tranzistoare compuse Darlington cu privire la dependena de curentul de colector a factorului de zgomot propriu al tranzistoarelor i a factorului de curent al tranzistoarelor. n mod normal se pot folosi aceleai metode pentru reducerea efectului acestora. * din punct de vedere dinamic, parametrii tranzistorului echivalent, se determin din circuitul echivalent:
"

Se pot scrie relaiile de legtur:


" ' I 2 = I 2 ; I1 = I1' ; I 2 = I1' ; ' " ' U 2 = U 2 U1 ; U 2 = U 2 ; U1 = U1'

Dac se adaug relaiile dintre curenii si tensiunile corespunztoare fiecrui tranzistor, se pot elimina mrimile: U1 , U 2 , I1 , I 2 , U1 , U 2 , I1 i rezult dou relaii de forma:
' ' ' ' " '' " " si I 2

U1 = hie I1 + hreU 2 e e I 2 = h f I1 + h0U 2


Prin identificare, se pot deduce parametrii hibrizi ai tranzistorului compus. Pornind de la definiie, se pot deduce mai direct aceeai parametri. * parametrul hi :
e

hie

hi' + hi"h ' = ' 1 + h0 hi"


" '

n mod obinuit, hi h0
e

1 i hi' hi"h ' , astfel nct: hie hi'

adic parametrul hi al tranzistorului compus super-G este determinat de acelai parametru al primului tranzistor. * parametrul

he : f

he f

(h"f

+ 1)

h 'f
' 1 + h0 hi"

h 'f (h"f + 1) h 'f h f"

Factorul de amplificare n curent al acestui tranzistor compus va avea valoarea foarte mare. * panta tranzistorului compus echivalent.

S =
e

he f hie

h 'f h"f hi'

= S ' h"f

- foarte mare n comparaie cu panta primului tranzistor (i, de aici, denumirea sa, deoarece panta tranzistorului se mai noteaz i cu g m ) . - se observ c:

S =
e

S ' h"f

S " h 'f

hi" hi'

- deoarece, pentru o schem elementar de polarizare curenii continui prin cele dou tranzistoare sunt n raportul factorilor de cureni ai celor dou tranzistoare, se poate scrie:

kT " ' ' ' qI C IC " ' " " IC " " IC " " e = S hf " S hf " S hf " ' S = S hf " kT IC IC 0 IC hf ' qI C " " - n aceast ultim relaie, dac se apreciaz c, numeric, h f = 0 , h"f
rezult: - acest lucru se poate interpreta n felul urmtor: tranzistorul compus super-G asigur o pant echivalent mare (panta tranzistorului T " prin care circul curent continuu de valoare mare), n condiiile n care parametrul hi are i el valoare mare fiind asigurat de primul tranzistor T ' , prin care circul curent continuu de valoare mic. - comparnd rezultatele obinute cu cele ale tranzistorului compus Darlington, se constat c diferenele nu sunt eseniale: - pentru tranzistorul compus Darlington:
e

S e = S"

e S" ' e hi = 2hi ; S 2


- pentru tranzistorului compus super-G:

{h

e i

= hi' ; S e S "
- aceste rezultate nu trebuie s surprind prea mult, deoarece

n ambele cazuri, produsul

S e hie

este

h e , adic aproximativ h 'f h"f . f

- diferenele pe care le impun aproximrile fcute pe parcurs nu sunt eseniale, efectul lor rmnnd n zona n care se poate considera c factorul de curent al unui tranzistor este mult mai mare dect 1 (de cel puin 20-50 ori). * parametrul hr :
e

hre = hr'

1 " + hr' hr hr' " ' 1 + hi h0

- c reacia intern n tranzistorul compus super-G este dat, practic, de primul tranzistor.

* parametrul h0 :
e " ' " h0 = h0 + h0 h" h0

- acest parametru este dictat de cel de-al doilea tranzistor. * valorile aproximative ale parametrilor sunt de forma: hie = hi' ; he = h'f h" ; f f

e ' " e hr = hr ; h0 = h0; Se = S"


e

* prin comparaie cu parametrii tranzistorului compus Darlington) se observ c, n afara celor spuse despre hi , h f i ho , se poate aduga faptul c tranzistorul super-G se comport mai bine ca generator de curent dect tranzistorul compus Darlington. * tranzistorul compus super-G se folosete ori de cte ori este necesar obinerea unei impedane de ieire de valoare ct mai mic, chiar i n circuitele funcionnd la semnale lent variabile sau continue cum ar fi sursele de alimentare. * n locul tranzistorului T, se poate utiliza un alt tranzistor compus (de tip Darlington sau de tip super-G) care s asigure un factor de amplificare n curent de valoare ct mai mare. * exerciiu: s se determine pantele echivalente ale trazistoarelor compuse triplei n funcie de panta ultimului tranzistor, considernd c n schema de polarizare n curent continuu nu intervin alte elemente i c factorii de amplificare n curent i factorii de curent ai celor 3 tranzistoare sunt toi egali cu
e e

hf .

Observaie:

- n toate cazurile, mrirea pantei echivalente a tranzistorului compus provine n principal din fructificarea pantei mari a ultimului tranzistor (prin care circul cel mai mare curent). - structurile de tranzistor de tip super-G sau Darlington, se pot obine i n cazul unor polarizri de alt tip ale tranzitoarelor pentru a obine alte valori ale parametrilor individuali ai tranzistoarelor prin care s se mbunteasc parametri globali, n particular, panta echivalent:

i) Tranzistor compus superD * schema cu TBIP NPN; - sunt posibile variante i cu tranzistoare complementare. n toate cazurile, nu este posibil polarizarea n curent continuu fr elemente ajuttoare ceea ce reprezint un dezavantaj al acestui tranzistor compus n comparaie cu celelalte.

* din punct de vedere dinamic, comportarea lui este asemntoare cu a tranzistorului compus Darlington. Se remarc i aici faptul c, prin tranzistorul T ' circul curentul de baz al tranzistorului T " , ceea ce permite obinerea unei pante echivalente mari cu impedana de intrare de asemenea mare. * parametrii echivaleni sunt: * parametrul hi :
e

hie
cu:

hi' + hi" N ' = ' 1 + h0 hi" N ' = h 'f + 1 + h ' hr'


' "

- n condiiile unor aproximri acceptabile ( h0 hi rezult:

1 i N ' = h 'f + 1),

hie hi' + (h 'f + 1)hi'


* parametrul

he f

:
' h 'f hi"h0 ' 1 + hi"h0

h e = h"f + h"f f

h"f (1 + h 'f )
' 1 + hi"h0

cu relaia aproximativ:

h e h"f (h 'f + 1) h 'f h"f f

adic nu mult diferit de parametrul corespunztor al tranzistorului compus Darlington. * parametrul hr :


e

hre

" hr (1 hr' ) = ' 1 + ho hi"


" hre hr

- aproximativ: * parametrul h0 :
e ho
e

" ' ho + ho h" = ' 1 + hi"ho


e "

- cu aproximarea: ho ho * proprietile la ieire ale tranzistorului compus super-D sunt determinate numai de tranzistorul T " , aa cum este evident i din modul de conectare. * panta echivalent se calculeaz cu formulele aproximative, sub forma:

S =
e

h 'f h"f hi' + (h 'f + 1)hi"

- n funcie de modul de polarizare, panta echivalent poate lua valori diferite; astfel, dac, prin polarizarea n curent continuu, se realizeaz cureni de colector egali prin cele dou tranzistoare (sau aproximativ egali) atunci

hi' (h 'f + 1)hi"

S e S " , iar dac, prin polarizarea n curent continuu, se


S" S . 2
e

realizeaz un curent de baz pentru T" identic cu curentul de emitor al tranzistorului T' , atunci, n condiiile egalitii numerice a factorilor de curent ai acestora, se obine

- rezult c, n funcie de polarizare, panta echivalent este cuprins ntre

S" S 2
e

S ",

situaie mai bun dect la tranzistorul compus Darlington

clasic unde panta echivalent este

S" . 2

Observaie:

Pentru toate aceste trei tipuri de tranzistoare compuse se constat c se mrete substanial factorul de amplificare n curent echivalent, ceea ce reprezint un ctig pentru mbuntirea unor performane de regim dinamic ale circuitelor n care sunt folosite. i) Tranzistor compus cascod * structura de tranzistor compus cascod prezint o serie de proprieti remarcabile i const din conectarea n cascad a dou tranzistoare n conexiune EM respectiv BM:

- din punct de vedere dinamic tipurile tranzistoarelor T ' i T " nu conteaz, dar condiiile de funcionare n RAN ale celor 2 tranzistoare depind de tipurile lor i de circuitele de polarizare; nu este posibil o polarizare n curent continuu fr elemente ajuttoare; - parametrii dinamici ai tranzistorului echivalent arat c acest tranzistor compus poate fi utilizat ca un circuit de intrare performant n special la frecvene nalte; * deducerea parametrilor hibrizi echivaleni se face dup schema echivalent n care, pentru al doilea tranzistor a fost utilizat schema echivalent n parametrii hb n conexiunea baz comun.

* parametrii hibrizi se pot determina pornind de la definiie; * n condiiile de scurtcircuit la ieire, dispare generatorul de tensiune
" hrbU 2 i parametrul hie rezult ca fiind impedana de intrare n tranzistorul " avnd ca sarcin pe hib . " hi' + hib e Deci: hi = " ' 1 + hib h0 T'

Dar:

" hib

hi" " 2 ' " ; hib h ' hi ; hib h0 1, rezult: hie hi' hf +1
=
' I 2

" - observnd c I1

i c raportul

' I2 I1'

reprezint amplificarea de

curent a primului tranzistor, rezult:

he f

I = 2 I1

= U2 = 0 Ai'

" I "fb I1

I1

= h" fb U2 = 0 h'f

" I1 ' I1

= U2 = 0

= h" fb
deoarece:

= h" fb

' " 1 + hohib

h"fb

h"f h"f
+1

Rezult:

h e h'f f

- parametrii circuitului echivalent de intrare sunt determinai de parametrii primului tranzistor. * pentru parametrii circuitului de ieire, deoarece, I1 = 0 , generatorul de curent

h 'f I1' nu mai conteaz. hre U = 1 U2


' U1 U 2 = ' U2 U2

= hr' I1 = 0

I1 = 0

1 " + hib ' h0

1 ' h0

" hrb

sau:

hre

" hr' hrs = ' " 1 + ho hib

109 1010 ) astfel nct se poate considera:


Pentru calcularea lui h0 se observ c:
e

- produsul de la numrtor este foarte mic (ordinul de mrime este

hre 0

ceea ce arat c n acest tranzistor compus nu exist reacie de la ieire la intrare.

e h0

I = 1 U1

= I1 = 0

" " h0bU2 + h" I1 fb

U2

I1 = 0

" hibU2 " h0bU2 + h" fb 1 2 hib + ' h0 = = U2

" = h0b

" ' h" hrbh0 fb ' " 1+ h0hib

dar:

" ' " h"fb hrs h0 h0b ,

e astfel: h0

" h0b

" h0 " hf +1

- impedana de ieire echivalent pentru tranzistorul compus cascod este foarte mare, corespunztoare unui tranzistor cu baz la mas. Deci el se comport ca un foarte bun generator de curent la ieire, ceea ce permite conectarea ca sarcin a unui circuit oscilant paralel, fr ca acesta s fie amortizat sensibil prin impedana de ieire a amplificatorului. * panta echivalent a tranzistorului compus cascod este:

S =
e

he f hie

S'
(hie ) , tranzistorul compus este caracterizat de primul

Aadar, la intrare
e

tranzistor, transferul ( h f sau

S e ) este determinat tot de acesta, iar la ieire este

determinant impedana tranzistorului al doilea cu baz la masa neexistnd reacii interne. Utilizarea sa n circuite de intrare mai este facilitat i de ali parametri aa cum se va vedea i n paragrafele urmtoare.

Circuite cu impedan de intrare mrit


structura unui amplificator:

- etaj de intrare, EI; - etaj intermediar, EI; - etaj de ieire, EI. circuit echivalent la intrare:

U1 = E g

Z int Z int + Z g

U1 E g

Zint

alegere ntre structurile elementare: BC, EC, CC CC schema de principiu:

Z ic = hi + (h f + 1) Z s

(dac hr i ho sunt egali cu 0).

trebuie folosit relaia exact pentru c, pentru valori mari ale impedanei de intare, nu mai pot fi neglijai cei doi parametri:

Z int =

hi + NZ s 1 + ho Z s

schema Giacoletto:

se neglijeaz rx i se redeseneaz:

se definete un tranzistor ideal caracterizat prin:


id hid = r = hi ; hid = 0; hid = = h f ; ho = 0 i r f

Z iid =

hiid + Z 's N id 1+
id ho Z 's

= hiid + (hid + ( hid + 1) Z 's = hi + (h f + 1) Z 's f i

unde

Z s' = Z s ro

se pun n eviden:

Z i'

Z i'' = Z :

rezult:

schem simpl de polarizare i schema echivalent n regim dinamic:

Z i' = hi + (h f + 1) Z ' s Z ic = Z i' Z i" cu: '' Z i = Z

Z int = Z ic Rb1 Rb 2
expresia complet:

Z int = Rb1 Rb 2 Z hi + (h f + 1) Z s ro

- efectele circuitelor de polarizare n c.c. (din baz i din colector); - se obin impedane de intrare de ordinul zecilor de k . pentru a obine impedan de intrare mai mare se va aciona asupra tuturor componentelor.

Tehnica bootstraprii:

Z AB =

V1 I1

Z AB I1 V1 V1 Z = = I1 V1 kV1 1 k Z k < 1; k 1 Z AB Z AB =
exemplu: impedana de intrare a unui repetor pe emitor:

Z ic =

hi hi = = 1 k 1 Auc

hi + (h f + 1)Z s

hi (h f + 1)Z s

= hi + ( h f + 1) Z s

regul: nclzirea punctului rece (borna rece a impedanei se nclzete prin introducerea unei surse de tensiune comandate n tensiune). Reducerea efectului circuitului de polarizare n baz: a) schem electric cu divizor fr boostrapare:

- se obine o impedan de intrare ceva mai mare, dar Rb nu poate fi prea mare (stabilitatea termic a circuitului, zgomote proprii) Aplicarea bootstraprii: schema electric: schema echivalent:

- echivalare (T+Rb)T cu parametrii:

Rb Rb hi ; h'f h f ; Rb + hi Rb + hi - dar: Rb >> hi ; Rb1 , Rb 2 >> Re : - deci: Z int Z [hi + ( h f + 1) ro Re ] hi' hi


Schema electric fr bootstrapare cu o singur rezisten de polarizare:

- impedana de intrare este mai mare dect pentru o polarizare cu divizor de tensiune n baz; schema electric cu bootstrapare: schema echivalent:

- se echivaleaz (T+Rb) cu T ca n cazul anterior; - se obine o expresie identic cu precedenta, dar cu alte valori exacte ale echivalrilor; comentarii. - n continuare se va considera c se realizeaz bootstraparea circuitului de polarizare din baz. - se obin valori ale impedanei de intrare de zeci-sute de k ; Micorarea efectului rezistenei de polarizare din emitor: - rezistena Re nu poate fi mrit din considerente statice: cel mult jumtate din EC ) - se nlocuiete rezistena de polarizare cu un circuit (dispozitiv) care s prezinte rezisten mic n cc i impedan mare n regim dinamic: - nu se poate folosi inductan (valoarea impedanei depinde de frecven) - TBIP n conexiune BC are aceste proprieti: - schema electric - schema echivalent

Ec = U CE + Re I E ( Re I E

- T este n conexiune BM prin capacitatea de decuplare; - static:


' ' Ec U CE + U CE + Re I E

(prin tranzistoare circul, practic, acelai curent); - dinamic: - rezistena Re din expresia impedanei de intrare va fi nlocuit de impedana de ieire a tranzistorului T n conexiune BC:

Z int = Rb1 Rb 2 hi + ( h f + 1) ro Z iesT ' BM

Z iesT ' BM

' hi' + Re N ' = ' ' ' h + Re ho

comparabil sau mai mare dect ro chiar

pentru valori nu prea mari ale rezistenei de emitor (valori uzuale sute de ); - se obin (mpreun cu circuitele de polarizare de la intrare bootstrapate) valori de sute mii de k ). Utilizarea tranzistorului compus Darlington (marirea lui hf): schema de baz - schema electric: - schema echivalent:

- se pot folosi relaiile pentru tranzistorul compus i apoi relaiile generale; mai convenabil este s se foloseasc schema Giacoletto:

Z int = Rb Z [hi + (h f + 1)ro Z int T ' ]


' Z int T ' = Z hi' + ( h 'f + 1) ro' R e

'

foarte mare n comparaie cu ro ;

- se obin impedane de intrare de ordinul sutelor de circuitul de polarizare de la intrare);

k (dac se bootstrapeaz

- dezavantajele utilizrii schemei de baz: - dependena factorului de amplificare n curent de curentul de colector din PSF; - dependena tensiunii echivalente de zgomot de curentul de colector din PSF;

Introducerea unei rezistene n emitorul primului tranzistor: - schema electric - schema echivalent

- n c.c.: I E PSF); - n c.a.:

' IB

' U BE + R 'e I E

Re

(se apropie cei doi cureni din

' Z int = Rb hi + (h f + 1)ro Re Z ic

' ' ' Z ic = Z hi' + (h'f + 1)ro' Re >> Re

cu:

i rmne, practic, numai influena lui Diminuarea influenei rezistenei - schema electric

Re .
prin boostrapare: - schema echivalent:

Re

- static, se pstreaz situaia din cazul precedent dac:

Re = Re1 + Re 2 ;

- dinamic, se echivaleaz (T+Re1) cu T cu principalii parametrii echivaleni (aproximativi):

hi" = hi'

'' Z int = Rb hi + (h f + 1)ro Zic '' ' Z ic = Z ' '' i '' f

[ [h + (h

Re1 hi' + Re1

h"f = h 'f

Re1 hi' + Re1

' + 1)ro' Re 2 Re

]
2

- rezult o impedan de intrare foarte mare: 10

103 k .

creterea curentului continuu prin T se poate face i cu generator de curent: - schema electric:

- generatorul de curent se poate realiza cu TBIP n conexiune BC sau n alte variante specifice CIL. Micorarea efectului impedanei

(din schema Giacoletto):

- prin bootstraparea impedanei; - polarizarea tranzistorului T se poate face cu o rezisten ntre baz i colector (T nu se poate satura niciodat); - prin bootstraparea lui Z se realizeaz i bootstraparea rezistenei de polarizare; - n schemele echivalente apar tranzistoare compuse de tipul superD; - TBIP pot fi de acelai tip sau complementare; - polarizarea n cc se poate face fie serie fie paralel i se pot asigura cureni de colector prin tranzistoare ct mai apropiai sau chiar egali;

Schema cu polarizare paralel a TBIP:

- schema echivalent:

Z int =

Rb Z
1 k

[h + (h
i

'' + 1) Z ic

(ambele componente sunt de

ordinul zecilor sau sutelor de


'' ' Z ic = Z

(h f + 1)Z '' (h'f' + 1)ro' Re2 Re' Rc k = Ac A'' ' hi + (h f + 1)Z '' hi'' + (h 'f' + 1)ro' Re 2 Re Rc
ic c ic

M ) deoarece: ' hi'' + ( h 'f' + 1)ro' Re 2 Re Rc

(foarte mare);

(foarte

aproape de 1); - parametrii hi i h f rezult din echivalarea: (T+Re1)T; - prin echivalri succesive se poate ajunge la schema de principiu a circuitului cu repetor pe emitor n care tranzistorul este un tranzistor compus de tipul superD (dup echivalri de tranzistoare cu diferite rezistene); - se pot folosi formulele de baz cu parametrii echivaleni.
'' ''

Circuite cu impedan de ieire micorat


* circuitul echivalent la ieirea unui amplificator

Zs ; U 2 U 0 Z ies 0 ; Z s + Z ies - alegere ntre schemele fundamentale, EC, BC, CC CC; U2 = U0


* repetorul pe emitor:

Z ies
- efectul TBIP; efectul lui

Zg 1 + hf + 1 S hf + 1

hi + Z g

Zg ;

Repetorul pe emitor compus: - schema de principiu:

- fizic: Z s U 2 (U1 U 2 ) U1 ( EC ) U 2 EC - schema echivalent a circuitului folosind modelul Giacoletto:

- se neglijeaz r i ro iar efectul rezistenei distribuite a bazei se ia n consideraie prin parametrii echivaleni:

S' = S

r ; r' = r + rx ; r + rx

- se calculeaz panta echivalent a circuitului: - se noteaz: Z = Z c ( rx 2 + r 2 ) - se neglijeaz curenii de baz ai tranzistoarelor:


' ' ' I 2 I c1 I c 2 = S1'U1' S 2U 2 = S1'U1' S 2 ZS1'U1' = ' = S1' 1 + S 2 Z U1' = SU1' ' - dar: U1 = U1 U 2

U2 = S (U1 U 2 ) U 2 = SZ s (U1 U 2 ) Zs U Zs SZ s ; - rezult: Au = 2 = = U1 1 + SZ s Z + 1 s S 1 Z ies = S


- deci:

I2 =

- panta echivalent este foarte mare; - se mai observ c: I 2 I c 2 >>

I c1

schem electric:

- curenii continui sunt egali; - efectele capacitii de cuplare cu sarcina;

Amplificatoare cu sarcin dinamic


* scopul: amplificare de tensiune ct mai mare; * alegere ntre structurile fundamentale: EC, BC, CC - amplificare de tensiune mare (n modul); - impedan de intrare medie; schema de principiu:

EC:

- dac: n c.c.:

Rs = Rc ;

- amplificarea de tensiune: - dar tensiune la ieire); - deci:

Ec = Rc I C + U CE Rc I C poate fi cel mult 0,5EC


Au max 40

Au SRs = SRc = 40 I C Rc ;
(pentru a se asigura excursie maxim de

(mrirea amplificrii se poate face prin mrirea tensiunii de amplificrii de alimentare); - expresia complet:

EC = 20 EC ; 2

Au =

hf Zs hi + Z s h

(la amplificri mari expresia exact); - rezistena de colector poate fi nlocuit cu un dispozitiv (circuit) cu urmtoarele proprieti: - static o valoare ct mai mic; - dinamic o valoare ct mai mare; - nu se poate inductan (impedan dependent de frecven); soluii: - TBIP n conexiune BM n circuitul de colector; - TBIP n conexiune CM n circuitul de intrare. a) amplificator cu sarcin TBIP n conexiune BM: - schema electric: - schema echivalent:

Au =
Zs =
- deoarece: rezult:

hf Zs hi + Z s h

; cu:

R1 Z iesT2 BM ;

Z iesT2 BM =

hi + NRg h + Re h0

Z iesT2 BM >> R1 (uor de realizat chiar cu valori mici ale lui Re ),


hf h
(valoarea maxim posibil ordin de mrime: 10 )
4

Au

Reacia negativ n amplificatoare 1. Generaliti * reacia = procedeu folosit n circuitele electronice pentru a controla performanele (i funciile) acestora; (amplificatoare, oscilatoare, etc.) * reacia: aplicarea la intrarea amplificatorului a unei tensiuni sau curent proporional cu unul dintre parametrii semnalului de la ieire, tensiune sau curent; semnalul de reacie se aplic peste semnalul de intrare; * cum apare: - reacie neintenionat: - introdus de elemente parazite (ex. C ); - ca efect secundar (ex. EC); - reacia intenionat cnd este introdus prin circuite adecvate n scopul modificrii performanelor amplificatorului. * dup modul cum se combin semnalul de reacie cu semnalul de amplificat: - reacie pozitiv cnd cele dou semnale sunt n faz (modulul amplificrii de tensiune crete); - reacie negativ cnd cele dou semnale sunt n antifaz (modulul amplificrii de tensiune scade); - ambele tipuri de reacie au aplicaii. * schema de principiu:

Re

pentru polarizarea TBIP n conexiune

- presupuneri (aproximaii): - transferul direct se face numai prin amplificatorul de baz; - transferul invers (reacia) se face numai prin circuitul de reacie. * relaii: vo = Avia ; - amplificatorul de baz ( A ): - circuitul de reacie ( r ): - circuitul de comparare (sau de diferen) ( C ): - rezult:

vo = A(vi r vo ) ,

vr = r vo ; via = vi vr ;

de unde:

vo =

A 1 + r A

vi

- amplificarea cu reacie:

A' =
1 + r A > 1 1 + r A < 1 1 + r A = 1

A 1 + r A

reacie negativ; reacie pozitiv; oscilator ( vo

0 chiar dac vi = 0 ).

- toate cele trei cazuri au aplicaii n circuitele electronice * cei doi cuadripoli - A i r pot fi cuplai n mai multe moduri i rezult patru tipuri fundamentale de reacie: - la intrare se compar tensiunile (reacie serie sau de tensiune) sau curenii (reacie paralel sau de curent); - la ieire se eantioneaz tensiunea (reacie paralel sau de tensiune) sau curentul de ieire (reacie serie sau de curent); - modul de realizare a comparrii este independent de modul de realizare a eantionrii: - reacie serie de curent (reacie serie-serie); - reacie serie de tensiune (reacie serie-paralel); - reacie paralel de curent (reacie paralel-serie); - reacie paralel de tensiune (reacie paralel-paralel); - toate sunt utilizate. * analiza circuitelor cu reacie: a) prin cuadripoli: se determin parametrii de cuadripol ai circuitului cu reacie n funcie de parametrii de cuadripol adecvai ai amplificatorului de baz i ai circuitului de reacie i apoi se determin performanele amplificatorului cu reacie ca un circuit caracterizat prin parametrii de cuadripol; - ex. amplificator cu reacie serie de curent:

via iia = [Z a ] v oa ioa vi = via + vir


vo = voa + vor vi ii = [Z ] v o io

vir iia = [Z r ] v or iir ii = iia = iir


io = ioa = ior

[Z ] = [Z a ] + [Z r ]

- se calculeaz apoi mrimile caracteristice: Au , Ai , Z int , Z ies ; - dezavantaje: nu se pot pune n eviden explicit cei doi cuadripoli (cu excepia configuraiei paralel de tensiune); pentru fiecare mrime este necesar un calcul separat; nu se poate pune n eviden efectul global al reaciei; b) prin tripori:

- avantaj: se poate justifica foarte uor desfacerea buclei de reacie pentru calculul performanelor amplificatoarelor; c) prin analiza simplificat a celor patru tipuri de reacie. 2. Influena reaciei negative serie de tensiune asupra performanelor unui amplificator * schema de principiu:

- amplificatorul de baz caracterizat prin: A , Z ia , Z oa (se neglijeaz transferul invers prin amplificator); - circuitul de reacie caracterizat prin: r , Z ir , Z or (se neglijeaz transferul direct prin circuitul de reacie); - n mod obinuit: Z ia >> Z ir ; Z oa << Z or (circuitul de reacie trebuie s influeneze ct mai puin amplificatorul de baz). a) amplificarea cu reacie:

A' =
Dar:

vo vi Z s Z or = A(Z s , Z or )via Z oa + Z s Z or

vo = A via

A(Z s , Z or ) - amplificarea amplificatorului de baz innd seama de impedana


de sarcin i de ncrcarea pe care o produce circuitul de reacie; La intrare:

via =
Deci:

Z ia (vi r vo ) Z ia + Z ir

(prin divizor);

vo = A(Z s , Z or )
Se noteaz:

Z ia (vi r vo ); Z ia + Z ir Z ia Z ia + Z ir

A(Z s , Z or , Z ir ) = A(Z s , Z or )

(amplificarea amplificatorului de baz cu ncrcrile pe care le produce circuitul de reacie i sarcina); Rezult:

A' =
Dac:

vo A Z s , Z or , Z ir = vi 1 + r A Z s , Z or , Z ir

Z oa << Z or Z ia >> Z ir Z oa << Z s

A(Z s , Z or , Z ir ) A(Z s ) A

Observaii: 1. pentru ca reacia s fie negativ este necesar ca:

1 + r A(Z s , Z or , Z ir ) > 1
dac

r > 0

(factorul de reacie se obine, de obicei, prin rapoarte de

rezistene), este necesar ca

A > 0 , deci amplificator neinversor;

2. modulul amplificrii de tensiune scade; 3. stabilitatea amplificatorului cu reacie este mai bun dect cea a amplificatorului fr reacie (dependent de condiiile reale de funcionare parametrii tranzistoarelor, PSF, componente pasive, sarcin, temperatur);

dA' dA r dA dA 1 = = A' A 1 + r A A 1 + r A - dac reacia este puternic, adic dac: r A >> 1 rezult: 1 A'

b) impedana de intrare: - curentul de intrare este acelai prin practic);

Z ia

Z ir

(greu de realizat n

ii =

via vo 1 = Z ia A(Z s , Z or ) Z ia v v Z int = i = i A(Z s , Z or )Z ia = ii vo A(Z s , Z or ) [1 + r A(Z s , Z or , Zia )]Zia = = A(Z s , Z or , Z ir )

Dac:

Z ia + Z ir [1 + r A(Z s , Z or , Zia )]Zia = Z ia = Zia + Z ir + r A(Z s , Z or , Z ia )(Z ia + Zir ) = = Zia + Z ir + r A(Z s , Z or )Z ia = Z = Z ia 1 + r A(Z s , Z or ) + ir interpretare Z ia Z ia >> Z ir Z int Z ia (1 + r A) . =

Concluzie: impedana de intrare este mrit substanial. c) impedana de ieire Se pasivizeaz tensiunea de intrare iar impedana generatorului de semnal rmne n serie cu impedana de intrare a amplificatorului de baz.

vo A via vo + Z oa Z or Dar, din circuit, pentru vi = 0 : Z ia via = r vo Z ia + Z ir io =


Deci:

(divizor de tensiune);

io =
Rezult:

vo A ( r vo ) Z oa

Z ia Z ia + Z ir

vo Z or

Z ies = Z or

Z oa 1 + r A

Z ia Z ia + Z ir

= Z or

Z oa 1 + r A(Z ir , Z g )

Dac:

Z ir << Z ia

Z ies Z or

Z oa . 1 + r A

- impedan de ieire foarte mic, amplificatorul se comport ca un generator de tensiune la ieire. Altfel:

Z oa Z oa 1 + r A ( Z ir ) = = Z ies = Z or Z oa 1 + r A ( Z ir ) Z + or 1 + r A ( Z ir ) Z or Z oa Z or Z oa Z or + Z oa = = Z or + Z oa + r A ( Z ir ) Z or 1 + A ( Z ) Z or r ir Z or + Z oa Z or Z oa Z ies = 1 + r A ( Z or , Z ir ) Z or
(impedana de ieire fr reacie, cu influena circuitului de reacie micorat cu diferena de ntoarcere). 3. Influena reaciei negative paralel de tensiune asupra performanelor unui amplificator * schema de principiu:

- reacia paralel presupune o impedan a generatorului de semnal diferit de zero, altfel reacia dispare. * cazul cel mai des ntlnit, reacia printr-o impedan cuplat ntre intrare i ieire:

Se echivaleaz circuitul de ieire pentru a lua n considerare efectul impedanei de sarcin:

a) impedana de intrare:

1 i +i = ia ir = Z int via =
Dar:

iia +

via vo 1 via vo i Z2 = ia + = via via Z 2 via

1 1 v + 1 o Z ia Z 2 via

Z 2 + Z1 Z ia + vo = A(Z s )via Z 2 + Z1 Z ia + Z oa Z s + vi Z oa Z s Z ia Z ia + Z1 Z 2 + Z1 Z ia + Z oa Z s Z or = A(Z s , Z or )via Z or + Z oa Z s

A(Z s )via

(al doilea termen este neglijabil, el reprezint transferul direct prin circuitul de reacie care se neglijeaz);

A(Z s , Z or ) = A(Z s ) = A

Z or = Z or + Z oa Z s

Z s Z or Zs Z or = A Z s + Z oa Z or + Z oa Z s Z or + Z s Z or

- influena sarcinii; - influena ncrcrii circuitului de reacie. Rezult:

Z int = Z ia

Z2 1 A(Z s , Z or )

- amplificarea de tensiune este negativ; - importana esenial a celui de al doilea termen; - impedan de intrare foarte mic.

b) amplificarea de tensiune - echivalare:

- tensiunea de le intrarea amplificatorului:

vi ' = vi

Z1 Z ia Z ia ; r = Z1 + Z ia Z 2 + Z1 Z ia vo v' + i Z Z1 Z ia via = 2 = r vo + (1 r )vi ' 1 1 + Z 2 Z1 Z ia Z oa Z s Z or vo = A(Z s )via + vi ' Z or + Z oa Z s Z or + Z oa Z s A(Z s )via Z or = A(Z s , Z or )via Z or + Z oa Z s

(al doilea termen se neglijeaz fiind transferul direct prin circuitul de reacie)

vo = A(Z s , Z or )[ r vo + (1 r )vi ']


Rezult:

vo = = =
Deci:

A(Z s , Z or ) Z2 Z ia Z1 vi = 1 r A(Z s , Z or ) Z 2 + Z oa Z s Z ia + Z1 Z1 A(Z s , Z or ) Z 2 vi 1 r A(Z s , Z or ) Z1 A' =

A(Z s , Z or ) (1 r )vi ' = 1 r A(Z s , Z or )

- dac:

- amplificator inversor; pentru ca reacia s fie negativ este necesar ca A < 0 ; - stabilitatea amplificrii cu reacie; c) impedana de ieire: - circuitul echivalent:

Z 2 r A ( Z s , Z or ) Z1 1 r A ( Z s , Z or ) Z r A( Z s , Z or ) >> 1, A' 2 Z1

Z ies =

v v A r v + Z oa 1 i Z + Z1 Z ia = = 2 v Z ies v

v i

1 1 1 r A ; = + Z ies Z or Z oa

Z ies = Z or

Z oa 1 r A

- impedana de ieire este foarte mic;

1 Z or Z + Z or r A Z or Z oa + Z or 1 r A = oa = Z or + Z oa Z ies Z or Z oa Z or Z oa 1 1 [1 r A( Z or )] sau: = Z ies Z oa Z or Z oa Z or Z ies = ( Z oa Z or este impedana de ieire fr reacie) 1 r A(Z or )


comentariu. 4. Influena reaciei negative asupra tensiunilor perturbatoare * surse: - zgomote proprii ale componentelor electrice i electronice; - modificri ale PSF; - variaia tensiunilor de alimentare, inclusiv zgomote suprapuse peste acestea; - neliniariti ale circuitelor. * schema echivalent la ieire fr tensiuni perturbatoare i fr reacie:

vo = A via

Zs = v semnal o Z s + Z oa

(tensiune util)

* schema echivalent la ieire cu tensiuni perturbatoare i fr reacie:

vo = A via

Zs Zs semnal + ep = vo + vopert Z s + Z oa Z s + Z oa
semnal vo Rsp = pert . vo

- se definete raportul semnal/perturbaie:

Observaie: raportul semnal/perturbaie se definete pentru valoare nominal a semnalului. * schema echivalent la ieire cu tensiuni perturbatoare, fr semnal util la intrare i cu reacie :

via = vir = r vopert reactie

vopert = reactie

Zs Z s + Z oa

ep Z

Zs s + Z oa

A r vopert = vopert A r vopert reactie reactie

vopert reactie

vopert = 1 + r A

Se determin raportul semnal/perturbaie pentru circuitul cu reacie:

R sp

reactie

semnal vo reactie

vopert reactie

semnal vo

vopert reactie

semnal vo

1 + r A

vopert

= Rsp (1 + r A)

- raportul semnal/perturbaie se mrete; - semnalul util este acelai la ieire; la circuitul cu reacie se va aplica la intrare un semnal util mult mai mare. 5. Influena reaciei negative asupra benzii de trecere * elemente care afecteaz caracteristica de frecven a unui amplificator: - la frecvene mari: capacitile TBIP, capacitile parazite, capacitatea de intrare a sarcinii, dependena factorului de amplificare n curent de frecven, capaciti de compensare; - la frecvene joase: capacitile de cuplare i de decuplare, capaciti de compensare. * dependena

A( f ) (numai pentru frecvene nalte):

- se presupune o dependen cu un singur pol:

A( f ) =
-

Ao 1+ j

Ao - amplificarea de tensiune la frecvene joase fr reacie;

f fs

- f s - frecvena de tiere la frecvene nalte fr reacie; - amplificarea cu reacie:

Ao Ar ( f ) = A( f ) = 1 + r A( f ) 1 + Ao 1+ j
r

f fs Ao

= f fs

1+ j

Ao f 1 + j + r Ao fs

r Ao 1 + r Ao Ar ( f ) = = f f 1+ j 1+ j r f s (1 + r Ao ) fs

unde:
r Ao =

1 + r Ao

Ao

f sr = f s (1 + r Ao )

Concluzie: banda de trecere a amplificatorului se mrete. Observaie: produsul amplificare-band este constant indiferent de gradul de reacie:
r Ao f sr = Ao f s = ct.

comentariu

Concluzii la utilizarea reaciei negative n amplificatoare: - modulul amplificrii de tensiune scade; - stabilitatea amplificrii de tensiune la diferite variaii crete; - se pot controla impedanele de intrare i de ieire; - se reduc tensiunile perturbatoare inclusiv cele introduse de neliniaritile circuitului; - se mrete banda de trecere a amplificatorului; - exist posibilitatea apariiei unei instabiliti dinamice (producere de oscilaii).

Amplificatorul diferenial
caracteristica important: are dou intrri: - amplific semnalele n antifaz (de mod diferenial); - rejecteaz semnalele n faz (de mod comun). schema de principiu:

- semnalele de la intrare se pot aplica separat pe cele dou intrri (bazele tranzistoarelor) sau ntre intrri; - semnalele de la ieire se pot culege de pe cele dou colectoare (semnale nesimetrice) sau ntre cele dou colectoare (semnal simetric). - rezult c, n principiu, se pot defini 9 (nou) amplificri diferite; se prefer deducerea tensiunilor de ieire n funcie de tensiunile de intrare i apoi se particularizeaz n funcie de circuitul real analizat: U1 (e1 , e2 ); U 2 (e1 , e2 ) . Calculul tensiunilor de ieire:

* se echivaleaz T " , Z s cu un tranzistor echivalent n conexiunea CM; dinspre emitor se vede schema echivalent Thevenin cu:
" A = 1, Z ies = zib .

''

* se introduce i R0 i se echivaleaz din nou cu Thevenin cu notaiile:

" R0 zib Z1 = R0 z = " R0 + zib " ib

k1 =

R0 " R0 + zib

T " la T ' ; ' " ( k1 poate fi privit i ca un coeficient de cuplaj n curent de la T la T ). ' * circuitul echivalent pentru tranzistorul T :
unde k1 este un coeficient de cuplaj n tensiune de la

* se echivaleaz grupul: (T ' , Z1 ) T

cu parametrii:

hi* =
* r

h + N Z1 h 'f ; hi' + N ' Z1 ; h* = f 1 + ho' Z1 1 + ho' Z1


' i '

h 'f ho' Z1

hr' + ho' Z1 ho' ' ' ' * h = hr + ho Z1 ; ho = ho ; 1 + ho' Z1 1 + ho' Z1


* * ' ' h* = hi*ho h* hr hi' + N ' Z1 ho h 'f hr' + ho Z1 h ' f

unde:
' ho Z1

' '' ho k1 zib

' ho hi'' k1 " 0 hf

* tensiunea de la ieirea lui T se scrie prin superpoziie:


* * * U1 = Au e1 + Aub k1e2 = Aub (e1 k1e2 )

'

hi* + Z s' h * * calculul lui Aub :

* Au

h* Z s' f

; *

* Aub

(h =

* f hi*

h* Z s' + Z s' h*

deoarece:

* * Au = Aub

* Aub

' ' vo vo vi' zib zib ' ' = = ' = ' Aub = Au ' vi vi vi zib + Z1 zib + Z1

- rezult:

U1 =

' Au

(adic amplificarea de tensiune a tranzistorului T ' , n conexiune EM, avnd ca sarcin pe Z s ' ).

' zib (e1 k1e2 ) ' zib + Z1

' cu: Au

h 'f Z s' hi' + Z s' h '

- din expresiile factorilor de cuplaj se calculeaz:


'' zib = R0

vid = e1 e2 ; e +e - tensiunea de mod comun de la intrare: vic = 1 2 . 2 v v - se deduc tensiunile de intrare: e1 = vic + id ; e2 = vic id . 2 2

* se definesc: - tensiunea diferenial de la intrare:

1 k1 1 k2 ' ; zib = R0 . k1 k2

- se calculeaz tensiunea de ieire:

' zib U1 = A ' ( e1 k1e2 ) = zib + Z1 ' u

1 k2 v v k2 = Au' vic + id k1 vic id 1 k2 1 k1 2 2 R0 + R0 k1 k2 k1 R0


' U1 = Au

sau:

(1 k2 )(1 + k1 ) v + 2(1 k1 ) v id ic 2(1 k1k 2 ) 1 + k1


1 + k1 1 + k2 ; r2 = . 2(1 k1 ) 2(1 k 2 )
(coeficieni de rejecie, de

- se noteaz: r1 valoare mare) - se calculeaz:

k1 =

2r1 1 2r 1 ; k2 = 2 2r1 + 1 2r2 + 1


' U1 = Au

i se obine:

v r1 vid + ic ; la fel: r1 + r2 r1

' U 2 = Au'

v r2 vid + ic r1 + r2 r2

U 1 2

' ' ' ' Au r1 + Au' r2 Au Au' = vid + vic . r1 + r2 r1 + r2

Cazuri particulare pentru amplificarea de tensiune: cazul AD simetric:

T ' T " h 'f = h 'f' = h f


' ' I C = I C'

hi' = hi'' = hi

' Au

' Au'

= Au =

hf Zs hi + Z s h

Z s' = Z s'' = Z s
Rezult:

r1 = r2 = r

U1 =

v v 1 1 Au vid + ic ; U 2 = Au vid + ic ; U1 2 = Au vid . 2 r 2 r

(influen mic a tensiunii de mod comun r ). excitaie diferenial simetric:

e1 e2 = vid ; e1 + e2 = 0 vic = 0
Rezult:

U1 =

' Au

' ' r1 r2 Au r1 + Au' r2 '' vid ; U 2 = Au vid ; U1 2 = vid r1 + r2 r1 + r2 r1 + r2

Se noteaz:
' ' Ad = Au

r1 r2 '' '' ; Ad = Au r1 + r2 r1 + r2
1 Au 2

(amplificare diferenial)

Rezult:
' U1 = Ad vid ;
' ' Ad = Ad' = Ad =

' U 2 = Ad' vid ;

(pentru un circuit simetric).

excitaie pe modul comun:

e1 e2 = 0; e1 = e2 = vic ; vid = 0.
Se noteaz:
' AMC ' ' Au Au' '' ; AMC = = r1 + r2 r1 + r2

i rezult:

' '' ' '' U1 = AMC vic ; U 2 = AMC vic ; U1 2 = AMC AMC vic

Observaie: - pentru un AD simetric, se poate scrie c:

AMC =

Au A = u. r1 + r2 2r

* din cele dou moduri de excitaie se poate scrie, pentru un circuit simetric:

U1 (vid ) = Ad vid U1 (vic ) = AMC vic


- rezult c, pentru a produce acelai efect la ieire, este necesar ca: r vid = vic ceea ce nseamn c, aceeai tensiune la ieire este realizat de o tensiune de mod comun la intrare de r ori mai mare dect tensiunea de mod diferenial de la intrare. Raportul dintre tensiunea de mod comun i tensiunea de mod diferenial de la intrare care provoac acelai efect la ieire se numete factor de rejecie a modului comun, CMR. (CMR' ) = r1; (CMR" ) = r2 . - rezult: - pentru circuitul simetric: - valori tipice:

( 100 140 )dB .

(CMR) = r .

* tensiunile de ieire se mai pot scrie i sub forma:

vic ' ' ' U1 = Ad vid + AMC vic = Ad vid + ' (CMR) vic ' '' ' U 2 = Ad' vid + AMC vic = Ad' vid + '' (CMR)
excitaie diferenial nesimetric

vid 2 1 vid ' ' 2r + 1 ' = Ad 1 vid Ad vid U1 = Ad vid + r1 2 2r1 e1 = vid ; e2 = 0 vic =

- se mai observ c, n cazul unui circuit simetric, Ad =

c, pentru ieire nesimetric, se pierde 0,5 din amplificarea pe care este capabil s o asigure tranzistorul T ' . Comportarea AD la intrare: * se deduce circuitul echivalent la intrare sub forma:

Au ceea ce nseamn 2

- din amplificarea de curent a tranzistorului T :


' ' ' I c = I b Ai' = I b

h* f
* 1 + ho Z s'

' Ai' I b

- se calculeaz curentul de intrare:


' Ib / ' Ic v 1 U1 1 r ' = ' = ' ' = ' ' Au 1 vid + ic r1 r1 + r2 Ai Z s Ai Ai Z s

- se folosete relaia general:


' Au

Ai'

Z s' Z i'

i rezult:

v 1 r ' I b = ' 1 vid + ic r1 Z i r1 + r2


n care:

vic 1 r2 I = '' vid + Zi r1 + r2 r2


'' b

Z i'

hi' + Z s' h ' hi'' + Z s''h '' ' '' = hi ; Z i = hi'' ' ' 1 + ho Z s' 1 + ho' Z s''

(ca pentru un tranzistor n conexiune EM).

Cazuri particulare: excitaie nesimetric (impedana de intrarea diferenial):

a)

e1 = vid ; e2 = 0 vic =

* impedana de intrare diferenial va fi:


' Z id =

vid 2

vid r + r 2r1 r +r e1 = = Z i' 1 2 1 2 Z i' ' r1 2r1 + 1 r1 v 1 r1 Ib vid + id 2r1 Z i' r1 + r2 vid b) e1 = 0; e2 = vid vic = i rezult, la fel: 2 e r +r '' Z id = 2 = 1 2 Z i'' " r2 Ib
' '' Z id = Z id = 2 Z i

* pentru un circuit simetric:

excitaie pe modul comun: (impedana de intrare pe modul comun)

- se calculeaz curenii de intrare:

' Ib =

v 1 r1 vic = ' ic ; ' Z i r1 + r2 r1 Z i (r1 + r2 )


e1 = ' Ib vic vic

la fel:

' I b' =

vic . '' Z i (r1 + r2 )

- rezult impedanele de intrare pe cele dou intrri:


' Z ic = '' = Z i' (r1 + r2 ); Z ic = Z i'' (r1 + r2 )

Z i' (r1 + r2 )

- impedana de intrare pe modul comun va fi:


' '' Z ic = Z ic Z ic = (r1 + r2 )Z i' Z i''

- pentru AD simetric:

Z ic = 2r

Zi = rZ i 2

cu:

Zi =

hi + Z s h 1 + ho h

* calculul coeficientului de rejecie:


'' 2 Ro + zib Ro 1 1 + k1 = = '' + r1 = = '' 2(1 k1 ) zib 2 2 zib Ro 1 2 '' Ro + zib '' h '' zib = i'' i rezult: hf

1+

Ro '' Ro + zib

- dar:

r1

Ro h 'f' hi''

r2

Ro h 'f hi'

* se recalculeaz impedanele de intrare difereniale:

Ro h 'f'
' Z id

Z i'

hi''

Ro h 'f hi= ' = hi' + hi'' h 'f h 'f'


i:
'' Z id

Ro h 'f' hi''

hi''

hi'

h 'f' h 'f

- dac tranzistoarele sunt identice ( h f

'

' '' = h 'f' ), atunci: Z id = Z id = hi' + hi'' .

- rezult c AD se comport simetric la intrare (din punct de vedere al impedanei de intrare) indiferent de PSF. * se recalculeaz impedanele de intrare de mod comun:

Ro h 'f Ro h 'f' Z = Z (r1 + r2 ) h ' + ' ' hi hi


' ic ' i ' i

' ' ' ' hi = h f Ro + Ro h f i: hi' '

'' Z ic

h 'f' Ro

Ro h 'f

hi'' hi'

i:

'' Z ic = Zic' Z ic

- pentru un circuit simetric:


' '' Z ic = Z ic = 2h f Ro

Comparaie:

Z id = 2hi

cu

Z ic = h f Ro

Factorul de merit al AD * prin definiie, este produsul:

M = Z id r = 2hi

Ro h f hi

= 2h f Ro .

- cu ct M este mai mare, cu att performanele AD (r i Z id ) sunt mai bune. - pentru a avea M ct mai mare:

hf

i/sau

Ro .

* metode de cretere a factorului de merit: 1. mrirea rezistenei de cuplaj, Ro - limitat de cderea de tensiune n curent continuu, la rndul ei fiind limitat de tensiunea de alimentare i de excursia maxim de tensiune necesar pe sarcin; 2. nlocuirea rezistenei de cuplaj cu o sarcin dinamic ce prezint o rezisten mic n curent continuu (o cdere de tensiune mic la bornele ei) i o impedan n regim variabil dinamic mare. Nu se poate folosi o bobin pentru c aceasta are o reactan dependent de frecven ( L ). Se folosete circuitul elementar cu BM n circuitul de ieire care are cea mai mare impedan de ieire dintre cele trei circuite elementare:

- pentru circuite integrate liniare, grupul format din rezistenele de polarizare i capacitatea de decuplare se poate nlocui cu o rezisten i o diod, fiind posibile mai multe variante, specifice circuitelor integrate; oglind de curent. 3. mrirea (electronic) a lui

hf

prin tranzistoare compuse:

a) tranzistor compus Darlington:

' H i hi' + hh hi'' 2hi'

i i

H f h 'f h 'f' ,

rezultnd:

Z id = 2 H i 4hi
(dac

M 4h 2 Ro f

i hi = hi = hi ). - concluzie: s-a mrit i impedana de intrare (nu numai factorul de rejecie); - este o soluie aplicat la A 702 i la A 709. b) tranzistor compus SuperG:

h 'f = h 'f' = h f

'

''

H i hi'
(dac

H f h 'f h 'f' ,
i
'

Z id = 2 H i 2hi
h 'f = h 'f' = h f
i hi

M 2h 2 Ro f

= hi'' = hi ).

4. utilizarea reaciei negative de tip serie:

- se poate face echivalarea:

ha h f f
- se calculeaz:

hia hi + (h f + 1)Re ;
i

(T , Re ) T a

cu parametrii:

M = 2h f Ro

Z id 2hi + 2h f Re

(crete).

- pentru PSF, se poate realiza schema:

- impedana de intrare va fi:

' ' Z id 2hi + (h f + 1) Re + Re'

).

- prin utilizarea poteniometrului, se pot regla curenii de colector (din PSF) pentru a se realiza un circuit simetric.

Exemple de scheme electrice polarizare separat a bazelor celor dou tranzistoare

- abateri mici ale rezistenelor pot duce la blocarea unuia dintre tranzistoare. -circuit de intrare diferenial pentru amplificatoare operaionale:

****