SEMICONDUCTORI

*Generalități*
*Aplicații în electronică*
*Conducția electrică a semiconductorilor*
*Tipuri de semiconductori*
*Joncțiunea p-n*
*Dioda semiconductoare*
*Tranzistor cu efect de camp*
 GENERALITĂȚI
Semiconductorul este
un material a cărui
rezistivitate este cuprinsă
între cea a conducoarelor
și a izolatoarelor, fiind
influențate de temperatură
(la temperaturi joase sunt
izolatoare şi la temperaturi
înalte sunt conductoare).
Un câmp electric poate
schimba rezistivitatea
semiconductorilor.
Dispozitivele fabricate
din materiale
semiconductoare sunt
bazele electronicii
moderne, fiind parți
componente în radiouri,
computere, telefoane și
multe altele.
 Dispozitivele semiconductoare sunt :
 Tranzistorul;
 Celulele solare;
 Mai multe tipuri de diode, inclusiv dioda luminiscentă;
 Circuit integrat.

Într-un conductor metalic, curentul este reprezentat de

fluxul de electroni. Într-un semiconductor, curentul este
reprezentat fie de fluxul de electroni, fie de fluxul de
“goluri” din structura electronică a materialului.
Un semiconductor este un material care are
conductivitatea electrică cuprinsă între conductivitatea unui
metal(ex.:cupru) și a unui izolator (ex.:sticla).
Semiconductorii sunt fundația electronicii moderne.
 Exista doua tipuri de materiale semiconductoare:
 Elemente
 Compuși
Conductivitatea electrică a unui material semiconductor
crește odată cu creșterea temperaturii. Conductivitatea
curentului într-un semiconductor are loc prin mișcarea
electronilor liberi (-) și a “golurilor” (+), aceștia fiind cunoscuți
ca și conductori de sarcină.

Proprietățile semiconductorilor:
-Conductivitatea variabilă;
-Heterojuncția;
-Emisia de lumină;
-Conversia energiei termice.
 Aplicații în electronică ale materialelor
semiconductoare
 Siliciu (Si)  Germaniu (Ge)
Cristalizează în rețea de Cristalizează în rețea de
tip diamant. tip diamant.
Utilizări: Utilizări:
-Circuite întregi -diode tunel
-Diode -tranzistoare
-Tiristoare -detectoare de radiații
-Tranzistoare -traductoare HALL
-Baterii solare -termometre pentru
-Traductoare HALL temperaturi joase
 Conducţia electrică a semiconductorilor
La temperaturi joase un
semiconductor este un isolator
cu rezistenţă electrică foarte
mică.

Atomii aflaţi în nodurile

reţelei cristaline oscilează în
jurul poziţiei de echilibru. La o
anumită temperatură vor avea o
energie cinetică finită, existând
posibilitatea ca electronii
periferici să părăsească atomii
devenind liberi.
 Aducerea unui electron în starea de conducţie înseamnă trecerea lui din
banda de valenţă (BV) în banda de conducţie (BC).
Prin plecarea electronului din BV în BC, în urma lui apare un nivel
energetic liber numit “gol”. Apariţia unui gol este echivalentă cu apariţia unei
sarcini electrice pozitive.

 Cristal de siliciu ( germaniu ):

 Dacă semiconductorului i se aplică o
diferenţă de potenţial, electronii din
E
banda de valenţă vor începe să se
deplaseze în sens invers câmpului
electric; golurile vor fi ocupate tocmai de
acei electroni care se apropie de ele,
Fe Fe lăsând în urma lor noi goluri.
Electronii se vor deplasa de la “-“ la
“+” iar golurile în sens invers.
BC
Benzi de energie (eV)

În semiconductoare sunt posibile două

Eg
tipuri de conducţie electrică:
- conducţia electronică, determinată de
deplasarea electronilor în banda de
BV
conducţie;
- conducţie de goluri, determinată de
deplasarea golurilor în banda de valenţă.
 Tipuri de semiconductori
Semiconductoarele sunt corpuri a căror conductivitate electrică σ = 1/ ρ =
104....10-8 1/Ωm este cuprinsă între cea a metalelor şi cea a izolatoarelor, fiind influenţată
de temperatură ( la temperaturi joase sunt izolatoare şi la temperaturi înalte sunt
conductoare.

Semiconductori intrinseci ( pure)

Semiconductoare

Semiconductori extrinseci de tip n

( cu impurităţi)
de tip p
 I.Semiconductori intriseci
În cazul semiconductorilor intrinseci, datorită
agitaţiei termice electronii pot trece din banda de
valenţă în banda de conducţie BC, procesul
numindu-se excitare termică intrinsecă ( generare
termică intrinsecă ). În urma acestui proces apar BC

Benzi de energie (eV)

electroni şi goluri în număr egal.

recombinare
Pe de altă parte are loc şi procesul invers

generare
generării şi anume recombinarea electronilor cu Eg
golurile, respectiv trecerea electronilor din banda
de conducţie BC în banda de valenţă BV.
Prin urmare, în regim de echilibru BV
termodinamic la o anumită temperatură T,
numărul actelor de generare este egal cu numărul
actelor de recombinare, iar în semiconductor se
va stabili o concentraţie staţionară de electroni şi
goluri libere, concentraţia electronilor liberi n0
fiind egală cu concentraţia golurilor libere p0:
n0 = p0 = ni ,unde ni – concentraţia intrinsecă
II. Semiconductori extrinseci ( cu impurităţi)

 1.Semiconductor de tip n:  2. Semiconductor de tip p:

Pentru a obţine un
semiconductor extrinsec de tip n se
introduc într-un semiconductor pur
impurităţi donoare ( donori ) adică,
atomi cu valenţa V precum fosfor
(P) sau arseniu (As).
Pentru a obţine un
semiconductor extrinsec de tip p se
introduc într-un semiconductor pur
impurităţi acceptoare ( acceptori)
adică, atomi cu valenţa III precum
bor (B) sau galiu (Ga) .
 Joncţiunea p-n
p n

Joncţiunea p-n reprezintă zona de trecere ( contact) care se

formează într-un cristal semiconductor, la care o parte conţine impurităţi
acceptoare ( tip n) iar cealaltă impurităţi donoare (tip p). Ea are o lărgime
l = 10-4….10-5 cm.
 Dioda semiconductoare
Joncţiunea pn are calităţi redresoare.
Astfel aplicând o tensiune continuă cu :
- polaritate directă (polul plus la regiunea p
şi polul minus la regiunea n), prin joncţiune
trece un curent electric a cărui intensitate
creşte cu creşterea tensiunii aplicate,
deoarece rezistenţa electrică este mică (Rj =
10 Ω);
- polaritate inversă, practic nu trece curent
deoarece are loc o lărgire a stratului de
baraj care capătă o rezistenţă electrică
foarte mare (Rj = 104...105 Ω); în acest caz
se spune că dioda este blocată.
 Caracteristicile diodei semicoductoare
Prin aplicarea câmpului exterior în
sens direct are loc o micşorare a
U diferenţei de potenţial (barierei) dintre
cele două regiuni, deoarece câmpul
extern are sens invers câmpului de
la echilibru baraj, ceea ce înlesneşte mişcarea
Ub purtătorilor majoritari. În felul acesta, la
Tensiune polarizare directă curentul electric trece
Ub-U directa prin diodă.

Când dioda este polarizată invers, câmpul U

extern aplicat având acelaşi sens cu câmpul de Tensiune
baraj, mişcarea purtătorilor majoritari este inversa
împiedicată. În acest caz, curentul ce străbate Ub+U
dioda, format numai din purtători minoritari, este
extrem de slab ( de ordinul mA la dioda cu Si şi la echilibru
de ordinul μA la cea cu Ge), aşa încât îl putem Ub
considera practic nul. Spunem că la polarizarea
inversă dioda nu conduce curentul electric.