Sunteți pe pagina 1din 11

Componente active de circuit electronic

5. COMPONENTE ACTIVE DE CIRCUIT ELECTRONIC 5.1. Noiunea de semiconductor. Jonciunea p-n Din punct de vedere al conductibilitii materiale se mpart n conductoare, semiconductoare i izolatoare. Asemnarea fundamental ntre cele trei categorii const n faptul c toate au structura intern bazat pe atomi, constituii la rndul lor din nucleu i electroni. Cu ct orbitele electronilor sunt mai departe de nucleu, forele de legtur cu acesta sunt mai slabe i astfel electronii pot fi ndeprtai mai uor prin aplicarea unei energii exterioare. Electronii de pe ultimul strat (orbit) se numesc electroni de valen. n Fig.5.1. sunt prezentate diagramele energetice ale celor trei categorii de materiale.

BC

BC BI

BC BI BV c)

BV a) b)

BV

Fig.5.1. Diagrama energetic a materialelor: conductoare (a); semiconductoare (b); izolatoare (c) Prin aplicarea unei energii exterioare un numr de electroni din banda de valen (BV) pot fi smuli devenind electroni liberi. Sub aciunea unui cmp electric exterior care i dirijeaz ei formeaz curentul electric, trecnd n banda de conducie (BC). Dac energia exterioar aplicat unui semiconductor este mai mic dect pragul necesar trecerii n BC, electronii de valen trec n aa numita band interzis (BI) dup care ei revin napoi n BV. Semiconductoarele sunt materiale care stau la baza realizrii componentelor active (ex: diode, tranzistoare, etc.). La acestea, spre deosebire de conductoare i izolatoare, conductibilitatea depinde foarte mult de temperatur, iluminare sau de impurificarea cu materiale sau cu atomi strini. Materialele semiconductoare uzuale sunt germaniu i siliciu, ambele fcnd parte din grupa a VI-a, avnd deci 4 electroni de valen pe ultima orbit. Semiconductorul pur, la rece, se comport ca un izolator. Electronii de valen fiind bine fixai asigurnd legturile dintre atomi. Ca urmare nu exist purttori de sarcin (electroni sau goluri) liberi.

Ge

Ge

Ge

Ge

Ge

Fig.5.2. Semiconductor pur Semiconductorul de tip N const dintr-un semiconductor pur n a crui reea cristalin s-au introdus atomi cu 5 electroni de valen din grupa a V-a (ex: Arseniu As). Patru legturi de valen ai arseniului asigur legturile cu atomii vecini ai semiconductorului iar cel de-al 5-lea rmnnd slab legat de atomul su

70

Componente active de circuit electronic

devine disponibil (liber) i chiar la temperaturi obinuite poate cpta o micare liber. Aceti atomi capabili s produc electroni liberi se numesc donori.

Ge

Ge

As

Electron liber
Ge Ge

a) Si

Si

Ir

Si

Gol

Si

b)

Fig.5.3. Semiconductoare extrinseci: de tip N (a); de tip P (b) Semiconductorul de tip P se obine prin dotarea semiconductorului pur cu atomi din grupa a III-a , cu 3 electroni de valen (ex: Iridiu Ir). n acest caz una din legturile reelei rmne nesatisfcut, astfel nct dac un electron dintr-o legtur vecin primete o cantitate foarte mic de energie (prin agitare termic) el poate completa legtura lips lsnd n urma sa un gol. Golul format poate fi completat la rndul su de un electron vecin care i prsete propria legtur lsnd un alt loc gol. Cu alte cuvinte, un atom bivalent a dat natere unui gol mobil n semiconductor. Aceti atomi care pot capta electroni se numesc atomi acceptori. Concluzionnd, semiconductorul de tip N conine sarcini negative n exces (electroni), iar semiconductorul de tip P sarcini pozitive n exces (goluri) care se pot deplasa prin reeaua cristalin a semiconductorului sub influena unor cauze energetice aplicate din exterior (cldur, lumin, for electromotoare, etc). Dotarea semiconductoarelor pure se poate face prin diverse procedee tehnologice ca: alierea, difuzia, implantarea ionic etc. Dac ntr-un cristal semiconductor se creeaz prin dotare (impurificare) dou zone vecine, una de tip P i alta de tip N se spune c s-a obinut o jonciune P-N. Aceast jonciune nu se poate obine printr-o simpl alipire a dou regiuni impurificate de tip P i respectiv N, deoarece metodele tehnologice actuale de alipire fac ca distana dintre cele dou regiuni s fie foarte mare (distana interatomic la Si i Ge are ordinul de mrime 10 -10 m). n aceste condiii fenomenele de trecere dintr-o zon n alta a purttorilor de sarcin ar fi mpiedicat, cele dou regiuni rmnnd astfel izolate. n situaia cnd jonciunii P-N nu i se aplic nici o tensiune, golurile din zona P vor difuza n zona N, iar electronii din zona N difuzeaz n zona P (Fig.5.4). Golurile care trec n zona N se vor combina cu o parte a electronilor majoritari din aceast zon, iar electronii care trec n zona P se recombin cu o parte a golurilor 71

Componente active de circuit electronic

care sunt purttori majoritari n aceast zon. Datorit plecrii golurilor din zona P rmn atomi acceptori necompensai care sunt ncrcai negativ iar prin plecarea electronilor din zona N, rmn atomi donori necompensai care sunt ncrcai pozitiv. ntre zona N i zona P ia natere un cmp electric ndreptat de la zona pozitiv din N spre zona negativ din P. Acest cmp acioneaz ca o barier asupra purttorilor majoritari mpiedicndu-i s mai nainteze. Acest strat se mai numete i strat de barier (zon de barier). Valoarea diferenei de potenial dintre cele dou zone ale stratului de barier este de (0,2 germaniu i de (0,55 0,7) V pentru siliciu. n consecin n cazul jonciunii P-N libere (nepolarizat) dup o micare iniial de purttori majoritari se realizeaz un echilibru electric, n care jonciunea prezint 2 zone (de tip P i de tip N) separate printr-o zon (strat) de barier situat de o parte i de alta a suprafeei de separaie, caracterizat printr-un anumit potenial de barier specific tipului de semiconductor folosit.

0,3) V pentru

Fig.5.4. Jonciunea P-N nepolarizat Dac la extremitile jonciunii P-N se aplic o surs exterioar de tensiune, cu borna negativ pe regiunea P i cu borna pozitiv pe regiunea N atunci electronii sunt atrai de borna pozitiv iar golurile de borna negativ a barierei. Stratul de barier se lrgete i jonciunea este blocat. Se spune c jonciunea PN este polarizat invers. Cu toate c jonciunea P-N este polarizat invers apare totui un curent de valoare foarte mic Iinv datorat deplasrii golurilor din regiunea N spre regiunea P, respectiv electronilor din P spre N. Acest curent se numete curent invers. Dac la extremitile jonciunii P-N se aplic o surs exterioar de tensiune, cu borna pozitiv pe regiunea P i cu cea negativ pe regiunea N se spune c jonciunea P-N este polarizat direct. Cmpul electric datorat sursei fiind de sens contrar potenialului de barier, golurile din zona P vor migra spre borna negativ iar electroni din zona N spre cea pozitiv astfel c prin circuitul exterior se va nchide un curent Idir numit curent direct.

Iinv

Idir

a)

Iinv

Idir

b)

Fig.5.5. Jonciunea P-N polarizat: invers (a); direct (b) 5.2. Diode semiconductoare Sunt alctuite dintr-o jonciune PN la care s-au ataat 2 contacte. Din motive de protecie fa de mediul exterior, jonciunea este introdus ntr-o capsul metalic (din sticl sau plastic). Regiunea P se numete anodul diodei iar regiunea N catodul diodei. 72

Componente active de circuit electronic

Dac aplicm diodei, o tensiune continu U D cu plusul pe anod i minusul pe catod, dup depirea unei anumite valori UD0 (tensiune de prag), dioda ncepe s se deschid i prin ea va circula un curent I d (curent direct), curent care crete parabolic cu creterea tensiunii U D. Aplicnd o tensiune continu cu minusul pe anod i cu plusul pe catod, dioda este blocat sau este polarizat invers, curentul prin diod avnd o valoare mic. Dac tensiunea invers depete o anumit valoare U str, numit tensiune de strpungere, curentul prin diod crete brusc ducnd la distrugerea diodei prin efect termic.

Fig.5.7. Caracteristica curent tensiune a unei diode semiconductoare Forma caracteristicii reale determinat prin msurri experimentale difer de cea ideal. La polarizarea direct dioda ncepe s conduc numai de la o anumit tensiune U D0 numit tensiune de deschidere. Valoarea tensiunii de deschidere este diferit pentru diferite materiale de semiconductor. Astfel la siliciu UD0=0,55V iar la germaniu UD0=0,2V- 0,3V. La polarizarea invers prin diod trece un curent de valoare extrem de mic (IS de ordinul A pentru germaniu i de ordinul nA pentru siliciu). Aplicaia 5.1 S se determine curentul prin circuitul alturat dac dioda este: a) cu siliciu; b) cu germaniu. Aplicaia 5.2 Considerm circuitul din Fig.5.8, alctuit dintr-o diod cu catodul la mas i anodul legat printr-o rezisten de 1k la o surs de tensiune continu de 10V. S se determine curentul prin diod, dac tensiunea pe aceasta este UD=0,62V (msurat n punctul B). Dup utilizarea lor practic, diodele semiconductoare se mpart n mai multe categorii, astfel:
Dupa materialul din care se realizeaza: - dioda cu germaniu, - dioda cu siliciu. Dupa caracteristicile jonctiunii: - dioda redresoare - dioda stabilizatoare de tensiune (dioda Zener) - dioda electroluminiscent (LED) - dioda de comutatie

Fig.5.8. Circuitul analizat

73

Componente active de circuit electronic

- dioda cu capacitate variabila (varactor sau varicap) - dioda tunel - dioda diac - dioda Gunn - dioda Schottky

5.3. Circuite de redresare Diodele redresoare sunt proiectate i fabricare special pentru redresarea semnalelor alternative. Acestea prezint o rezisten mic la trecerea curentului direct (polarizare direct) i o rezisten foarte mare la polarizarea invers a jonciunii. Un circuit de readresare este compus n general din trei pri: transformator, redresor i filtru. Rolul circutelor de redresare este de a obine un curent de un singur sens prin sarcin. Acest curent este, n lipsa filtrului, pulsatoriu. Filtrul are rolul de a separa componenta continu de componentele alternative ale curentului redresat. Redresoarele monofazate se utilizeaz pentru puteri mai mici de 1KW. 5.3.1. Schem de redresare monofazat, monoalternan, cu sarcin rezistiv n semialternan pozitiv a lui u2(t) (u2(t) > 0), dioda D este polarizat direct ca urmare ea conduce, ur(t)=u2(t); ir(t)=

u2 ( t ) . n semialternan negativ a lui u2(t) (u2(t) < 0), dioda D este polarizat invers, ca Rs

urmare ea este blocat, ur(t)=0; ir(t)=0. Ca urmare graficele tensiunii i a curentului prin sarcin sunt prezentate n Fig.5.10.
Tr u1(t) ir(t)

u2(t)

Rs

ur(t)

Fig.5.9. Schem de redresare monofazat, monoalternan Tensiunea redresat ur(t) la bornele rezistenei de sarcin este alctuit dintr-o component continu U0, egal cu valoarea medie a tensiunii redresate ur(t) i una alternativ u~(t). ur(t) = U0 + u~(t) (5.8)

u2(t) 2 U2 t ur,ir 2 U2 U0 ur ir t T/2 T


Fig.5.10.Graficele tensiunii i a curentului prin sarcin

74

Componente active de circuit electronic

5.3.2. Scheme de redresare monofazate, bialternan, cu sarcin rezistiv Exist dou scheme de redresare bialternan: scheme de redresare cu punct median; scheme de redresare n punte.

ir u11 u1 u12 ur Rs

a)

D1 u1 D4 b) D3

ir D2 ur Rs

Fig.5.11. Schem de redresare cu punct median (a), i respectiv n punte (b) Deoarece cele dou seciuni ale nfurrii secundare sunt identice (Fig.5.11.a) cele dou tensiuni u 11 i u12 vor fi n opoziie de faz (defazate cu 180 0). Diodele D1 i D2 conduc alternativ, fiecare cte o semialternan, astfel nct tensiunea redresat i curentul redresat are forma din Fig.5.12. Referitor la redresorul n punte, n timpul semialternanei pozitive a tensiunii u 2 conduc diodele D1 i D3 , D2 i D4 fiind blocate. n semialternan negativ conduc D 2 i D4, D1 i D3 fiind blocate. Ca i n cazul redresoarelor monoalternan i n cazul redresoarelor bialternan, tensiunea i curentul prin sarcin au dou componente: o component continu (U0 respectiv I0) i o component alternativ.

u2(t) 2 U2 t ur,ir 2 U2 U0 ur ir t T/2 T


Fig.5.12. Formele de und ale tensiunilor i curentului prin sarcin

75

Componente active de circuit electronic

5.3.3. Filtrarea tensiunii redresate La toate schemele de redresare studiate a rezultat c tensiunea redresat care se aplic sarcinii nu este ideal continu. Obinerea la bornele rezistenei de sarcin a unei tensiuni ct mai continue (cu factor de ondulaie mic) necesit diminuarea componentei alternative din tensiunea redresat, operaie ce se realizeaz cu ajutorul filtrelor. Funcionarea filtrelor se bazeaz pe proprietatea bobinelor conectate n serie cu Rs de a avea o rezisten neglijabil pentru componenta continu a curentului i o reactan mare pentru componena alternativ din curentul redresat, respectiv pe proprietatea capacitilor mari, conectate n paralel cu sarcina de a unta componenta alternativ. Filtrele utilizate frecvent la redresoarele de mic putere au schemele din Fig.5.13.
1 C 11 a. capacitiv 1 1 e. tip CRC R C C 2 1 d. tip CLC 2 2 2 1 1 b. inductiv 1 C L C 2 2 L 2 2

Fig.5.13. Tipuri de filtre Schema unui redresor monofazat monoalternan cu filtru capacitiv este prezentat n Fig.5.14.

Fig.5.14. Redresor monofazat monoalternan cu filtru capacitiv Tensiunea la bornele condensatorului uC este n acelai timp tensiunea la bornele rezistenei de sarcin i tensiunea dup elementul redresor. Tensiunea pe diod este ud = u2 - uC. Considerm tensiunea u2 sinusoidal de forma
u 2 = 2U2 sin t i condensatorul este iniial descrcat.

n intervalul de timp 0..t 1, u2>uC i deci uD>0. Ca urmare dioda D conduce i condensatorul se ncarc prin secundarul transformatorului i diod. Rezistena de ncrcare R i este foarte mic: Ri=rD+rTr. rD rezistena n conducie direct a diodei rTr rezistena nfurrii secundare a transformatorului Constanta de timp de ncrcare a condensatorului T i=Ri*C, rezult foarte mic, deci condensatorul se ncarc rapid. Dup intervalul de timp t1, tensiunea u2 scade, astfel c ud=u2-uc este negativ i deci dioda se blocheaz, iar condensatorul ncepe s se descarce prin rezistena de sarcin R s. Constanta de timp de descrcare a condensatorului Td=Rs*C >>Ti i deci tensiunea uC scade lent pn n momentul t2, cnd dioda se deschide iar i condensatorul se ncarc iari pn n momentul t 3. Tensiunea pe condensator are mici oscilaii n jurul valorii U0, care reprezint componenta continu a tensiunii la bornele sarcinii. Valoarea 76

Componente active de circuit electronic

tensiunii continue U0 precum i amplitudinea componentei alternative depind mult de valoarea rezistenei de sarcin Rs. Odat cu micorarea lui Rs, scade U0, iar componenta alternativ crete.

uC(t), u2(t) 2 U2

u2(t)
U0

uC(t) t

t1

t2 t3

Fig.5.15. Graficul tensiunilor u2 i uC

5.4. Diode stabilizatoare (Zener) Sunt fabricate special pentru funcionarea n zona de strpungere nedistructiv (cu polarizare invers), zon n care tensiunea pe diod rmne practic constant pentru un interval larg de variaie al curentului prin diod.
Idir

Uz

UzMUzNUzm

Udir K A () (+ )

Izm IzN IzM Iz

a)

b)

Fig.5.16. Caracteristica curent tensiune (a) i simbolul (b) al diodei Zener Se observ c pentru un interval mare de variaie a curentului din diod cuprins ntre I zm i IzM , tensiunea pe diod variaz ntr-un interval foarte mic cuprins ntre U zm i UzM putnd fi considerat c rmne practic constant. Principalii parametrii ai unei diode Zener sunt tensiunea nominal U zN, curentul nominal IzN, tensiune minim Uzm, tensiune maxim UzM, curent minim Izm, curent maxim IzM, puterea disipat maxim PzM = UzM * IzM i rezisten dinamic.

rz =

U z U zM U zm = I z I zM I zm

(5.19)

Diodele Zener sunt utilizate pentru meninerea constant a tensiunii pe o anumit sarcin de curent continuu. n Fig.5.17 este prezentat o schem de principiu a unui stabilizator derivaie. Din caracteristica diodei Zener (Fig.5.16) se observ c la variaii mari ale curentului prin diod I z, datorate unor variaii mari ale tensiunii de intrare Uin se obine o variaie mic a tensiunii la bornele diodei i deci i la bornele sarcinii Uz= Us=constant.

77

Componente active de circuit electronic

Iin Uin

R Dz Iz Uz=Us Is Rs

Fig.5.17. Stabilizator derivaie Aceste stabilizatoare se folosesc pentru a stabiliza tensiuni de ordinul 4-50V, pentru cureni de sarcin de 10-500mA. Pentru a obine tensiuni stabilizate mai mari se pot conecta mai multe diode Zener n serie. Rolul rezistenei R este de a limita curentul prin dioda Zener la valori cuprinse ntre I zm i IzM. 5.5. Tranzistoare bipolare Se numesc bipolare ntruct la conducia curentului electric particip att purttorii ambele tipuri de purttori: goluri i electroni. Un tranzistor bipolar este constituit din trei zone alternante ca dotare, PNP sau NPN, realizate pe acelai monocristal de Si sau Ge. Zona central este foarte subire comparativ cu cele extreme i se numete baz (B). Zonele extreme se numesc emitor (E) i respectiv colector (C). Exist dou tipuri de tranzistoare : NPN i PNP. Sgeata din simbolul tranzistorului indic sensul de trecere al curentului principal ntre colector i emitor. Datorit modului de realizare, apar dou jonciuni PN: jonciunea E-B (jonciunea emitorului) i jonciunea B-C (jonciunea colectorului).

C B n p n E a) B n p n

E b)
Fig.5.18. Tranzistor NPN (a) i PNP (b)

Fig.5.19. Tipuri de capsule utilizate pentru tranzistoare n funcie de tensiunile aplicate unui tranzistor bipolar se deosebesc 4 regiuni (zone de funcionare): 1 regiunea activ normal, n care jonciunea emitorului este polarizat direct iar jonciunea colectorului este polarizat invers; 2 regiunea de blocare, n care ambele jonciuni sunt polarizate invers 3 regiunea de saturaie n care ambele jonciuni sunt polarizate direct

78

Componente active de circuit electronic

4 regiunea activ invers n care colectorul ia locul emitorului i invers, deci jonciunea colectorului este polarizat direct n timp ce jonciunea emitorului este polarizat invers. Efectul de tranzistor apare n regiunea activ normal. Pentru a studia acest efect vom considera funcionarea unui tranzistor PNP, n regiunea activ normal.

N IpC
IpB

IpE IE InB IB EE

ICB0

IC

EC

Fig.5.19. Curenii care apar ntr-un tranzistor PNP, n regiunea activ normal Polarizrile celor 2 jonciuni se fac cu circuite de polarizare exterioare tranzistorului. Datorit polarizrii directe a jonciunii emitorului, purttorii majoritari ai acestuia (golurile) vor difuza masiv n volumul bazei formnd curentul IpE, iar electronii din baz vor difuza n emitor formnd curentul I nB. Deoarece baza este foarte subire i slab impurificat cea mai mare parte a golurilor din emitor vor ajunge n jonciunea colectorului. Aceast jonciune fiind polarizat invers cu tensiunea E C, apare un cmp electric care accelereaz deplasarea golurilor spre borna minus a sursei E C. Doar o mic parte din golurile injectate n baz nu trec n colector, recombinndu-se cu electronii din baz i formnd curentul I pB. Curentul ICBO este curentul purttorilor minoritari din colector (electroni) care difuzeaz n baz datorit polarizrii inverse a jonciunii colectorului. De menionat c sensul convenional al curenilor de electroni I nB i ICB0 este invers sensului deplasrii electronilor. IE = IpE + InB IC = IpC + ICBO IB = IpB + InB - ICBO rezult IC +IB = IpC + IpB + InB = IpE + InB = IE IE = IC + IB Neglijnd InB n raport cu IpE obinem: IC =
pE C C B

(5.20)

(5.21) (5.22)

Ca urmare se obine prima relaia fundamental a unui tranzistor: Factorul = IpC/IpE se numete factor de transport i are valori cuprinse ntre 0,980,998.

I +I I = (I +I ) +I I (1- )= I + I
CBO C B

(5.23) (5.24) (5.25) (5.26) (5.27)

CBO CBO

IC = Notm:

1 IB + I CBO 1 1 = ; 1

factor de amplificare n curent fiind cuprins ntre 10 1000

79

Componente active de circuit electronic

1 1 = + =1+ 1 1 1 IC = I B + (1 + )I CBO

(5.28) (5.29)

Relaia (5.29) reprezint a doua relaie fundamental a unui tranzistor. n multe calcule practice, ntruct ICBO este foarte mic ultimul termen al relaiei se neglijeaz astfel nct: IC = I B (5.30) Aceast relaie evideniaz c, curentul de colector nu depinde de elementele circuitului exterior ci doar de curentul de baz. De aceea tranzistorul este folosit ca element de amplificare. Pentru ca un tranzistor s nu se manifeste ca dou diode, trebuie ca ntre ele s se realizeze un cuplaj, acest cuplaj are rolul de a transfera purttorii de sarcin de la o regiune la alta. Acest transfer se realizeaz numai dac baza este suficient de subire. Transferul se numete EFECT DE TRANZISTOR Caracteristicile statice ale unui tranzistor exprim dependena grafic dintre curenii continui prin tranzistor i tensiunile continue aplicate (Fig.5.20)
IB

UCB
IC

UCE
IE

UBE
Fig.5.20. Curenii i tensiunile unui tranzistor Aplicaia 5.1. Circuitul din figura alturat, reprezint o surs de curent. S se determine curentul I0 furnizat de surs.

80