Sunteți pe pagina 1din 86

DCE - Cap.1.

INTRODUCERE

Cap.1. INTRODUCERE
n curs se prezint dispozitivele i circuitele electronice fundamentale ce intervin n
prelucrarea electronic a semnalelor analogice. Termenul de "electronic" este asociat mecanismului
electronic de conducie electric.
Prin component electronic se nelege realizarea fizic a unui element electric individual,
ntr-un corp fizic independent, care nu poate fi redus mai departe sau divizat, fr a distruge
posibilitatea de a ndeplini funcia pentru care a fost realizat. Componentele electronice se mpart n
dou categorii: pasive i active. Componentele pasive sunt elemente disipative (consum putere
activ i o transform n cldur) i nu pot controla fluxul de energie dintr-un circuit electric. Ex.:
rezistoare, condensatoare, bobine de inductan, transformatoare etc. Circuitele formate numai din
componente pasive nu pot efectua cea mai important funcie electronic: amplificarea. Aceasta
poate fi realizat de componentele active, care sunt elemente care pot comanda sau modula fluxul
de energie dintr-un circuit. Ex.: dioda semiconductoare, tranzistoare, tuburi cu vid sau cu gaz,
dispozitive optoelectronice etc. Uzual, pentru componentele pasive se folosete termenul de
"componente", iar pentru cele active, termenul de "dispozitive". Dispozitivele electronice se
bazeaz pe controlul micrii purttorilor de sarcin n corpul solid (de regul n semiconductoare),
n gaze sau n vid.
Circuitele electronice sunt acele circuite electrice care folosesc dispozitive electronice. Ele
realizeaz diverse funcii electronice: amplificarea, redresarea, stabilizarea tensiunii, generarea de
oscilaii armonice, modularea, demodularea etc. Circuitele electronice se mpart n dou categorii:
1) circuite digitale (numerice, logice): acele circuite care prelucreaz semnale binare, adic
semnale care pot avea numai dou valori (0 sau 1);
2) circuite analogice: circuitele la care semnalul de ieire variaz continuu n timp, urmrind
dup o anumit lege variaia semnalului de intrare. Dup natura funciei de transfer, adic a relaiei
dintre mrimea de intrare i cea de ieire, circuitele analogice se mpart n circuite liniare i
neliniare.
Dispozitivele electronice sunt n general neliniare, dar ele pot fi considerate suficient de
liniare n domenii de funcionare limitate.
Tubul electronic a fost primul dispozitiv folosit n electronic. nc din anul 1883, Thomas
Edison, a studiat i a construit o lamp cu filament de carbon, atrgndu-i atenia nnegrirea tubului
de sticl dup cteva ore de funcionare. Cu intenia de a capta unele din particulele care nnegreau
sticla, a introdus n balonul de sticl o plac metalic i a fost surprins s descopere c dac fcea
placa pozitiv n raport cu filamentul, n circuit aprea un curent. Timp de douzeci de ani nimeni
nu a tiut c acest efect termoelectronic numit "efect Edison", era datorat electronilor emii de
filamentul cald i captai de anodul (placa) ncrcat pozitiv. nnegrirea lmpii a fost studiat i de
Ambrose Fleming, cercetnd realizarea unui detector evoluat pentru undele radio ale lui Marconi. n
1904 el i-a patentat "tubul oscilator" cu doi electrozi (dioda) care permitea trecerea curentului ntro singur direcie. Lee de Forest a construit n 1907 un tub electronic cu o gril (reea) metalic ntre
catod i anod, numit triod. Urmeaz tetroda (Schottky, 1919), pentoda (Tellegen, 1928) etc.
n anii 30 au aprut redresoarele cu diode metal-semiconductor (cu seleniu, cu oxid
cupros), apoi cu germaniu (Ge) i cu siliciu (Si). Primul tranzistor bipolar a fost cel cu contacte
punctiforme, realizat de Bardeen i Brattain n 1948, dar nu s-a impus din cauza puterii foarte mici.
Cel mai important dispozitiv electronic este, la ora actual, tranzistorul bipolar cu jonciuni, inventat
de Shockley n 1949.
Cu excepia unor aplicaii specializate (n emitoarele radio, tuburile catodice), tuburile
electronice au fost nlocuite dup 1960 de dispozitivele semiconductoare discrete i integrate.
Un circuit integrat este o unitate constructiv inseparabil de microelemente interconectate
electric, plasate n volumul sau pe suprafaa unui substrat comun. D.p.d.v. tehnologic, ele pot fi
realizate sub form monolitic sau sub form hibrid. Circuitele integrate monolitice se obin

DCE - Cap.1. INTRODUCERE

10

integral pe aceeai plcu (cip) de material semiconductor. Cele hibride conin i unele elemente
neintegrabile (condensatoare i inductane mari).
Pentru analiza circuitelor electronice se utilizeaz legile fundamentale ale circuitelor (legea
lui Ohm, legile lui Kirchhoff), precum i o serie de teoreme (superpoziiei, Thvenin, Norton etc.).
Teorema superpoziiei poate fi enunat n dou forme: una n termenii unei reele de
impedane i alta n termenii unei reele de admitane. n orice reea liniar de impedane i
generatoare, curentul dintr-o ramur este egal cu suma curenilor ce strbat acea ramur datorit
fiecrui generator considerat separat, cu toate celelalte generatoare nlocuite prin impedanele lor
interne.
n exemplul din figura 1.1 vom aplica teorema superpoziiei pentru a calcula curentul I din
ramura circuitului cu rezistorul avnd rezistena de 5.

Isc

12V

I1

I2
I

2
6V

Z in

Fig. 1.1. Aplicaie pentru utilizarea Fig. 1.2. Circuit echivalent


teoremei superpoziiei
pentru teorema lui Thvenin

Yin

Fig. 1.3. Circuit echivalent


pentru teorema lui Norton

Considerm bateria de 12V singur i nlocuim bateria de 6V lsnd doar impedana sa


intern de 2. Pentru acest circuit avem:
I I1 12 /6 2 * 5/ 2 5* 2 /2 5 24 / 52A
Acum considernd bateria de 6V singur, nlocuim bateria de 12V lsnd doar impedana sa intern
de 6. Rezult:
I I 2 6 /2 5 * 6 /5 6* 6 /5 6 36 / 52A
Cu ajutorul teoremei superpoziiei avem:
I I1 I 2 24 / 52 36 / 52 1,1538A
A doua modalitate de exprimare a teoremei superpoziiei este: n orice reea de admitane i
generatoare de curent, potenialul de-a lungul unei ramuri este egal cu suma potenialelor de-a
lungul acestei ramuri datorate fiecrui generator considerat ca acionnd separat, cu toate celelalte
generatoare nlocuite prin admitanele lor interne.
Teorema lui Thvenin (teorema generatorului echivalent de tensiune, teorema lui
Helmholz-Thvenin) arat c orice reea de generatoare i impedane, cu dou terminale, poate fi
nlocuit printr-un "unic generator de tensiune n serie cu o singur impedan". In figura 1.2.
reeaua este prezentat ca o "cutie" cu dou terminale, n partea stng, iar circuitul echivalent
alctuit din generatorul unic de tensiune V i impedana Zin n partea dreapt (tot cu dou
terminale).
Componentele circuitului echivalent pot fi calculate dup cum urmeaz:
- generatorul de tensiune V are valoarea egal cu tensiunea msurat la bornele reelei cnd
nu este conectat nici o sarcin (tensiune de mers n gol);
- impedana Zin este impedana msurat ntre terminale cnd toate generatoarele interne
sunt suprimate i nlocuite cu impedanele lor interne.
Teorema lui Norton (teorema generatorului echivalent de curent) este similar cu
teorema lui Helmholz-Thvenin cu excepia c circuitul echivalent este exprimat ca un generator de
curent n paralel cu o admitan. n figura 1.3 reeaua este prezentat ca o cutie cu dou terminale
avnd n dreapta sa circuitul echivalent Norton.
Componentele circuitului echivalent pot fi calculate dup cum urmeaz:
- Isc este curentul care ar strbate un "scurtcircuit" plasat ntre terminale;

DCE - Cap.1. INTRODUCERE

11

- Yin este admitana msurat ntre terminale cu toate generatoarele suprimate (Yin este
bineneles inversul impedanei Zin echivalente din cazul teoremei lui Helmholz-Thvenin).

DCE - Cap.2. NOIUNI DE FIZICA SEMICONDUCTOARELOR

11

Cap.2.NO IUNIDEFIZICASEMICONDUCTOARELOR
2.1.PURT TORIDESARCIN MOBILINSEMICONDUCTOARE
2.1.1. Semiconductoare pure
Dispozitivele electronice actuale sunt realizate, n marea majoritate, din materiale
semiconductoare. Semiconductoarele formeaz, din punctul de vedere al conductivitii electrice, o
categorie intermediar ntre metale i izolatoare. Ele permit (la T>0K) conducia curentului
electric. ntre banda de valen (B.V.) i cea de conducie (B.C.) exist o band interzis (B.I.),
avnd lrgimea energetic E=Ec-Ev<3eV (fig.2.1).
La metale, B.V. i B.C. sunt parial suprapuse. Materialele semiconductoare cele mai folosite sunt:
Si, Ge (grupa IV a sistemului periodic, reea cristalin tetraedric tip diamant, legturi chimice
covalente), GaAs, InP, GaP, InSb (reea cristalin cubic tip blenda -ZnS, legturi chimice covalente
cu contribuie ionic, n sensul c electronii de legtur rmn mai concentrai n jurul atomilor
pentavaleni).
E=1.12eV pentru Si
E=0.67eV pentru Ge
E=1.4eV pentru GaAs
ntr-un semiconductor pur, la 0K, se presupune c toi electronii de valen sunt localizai n
legturi covalente i nu exist purttori de sarcin mobili. Materialul se comport ca un izolator, cu
B.V. complet ocupat de electroni, iar B.C. goal (fig. 2.2.a, fig. 2.2.b).

Fig. 2.1

Fig. 2.2.a

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Fig. 2.2.b
Atomi ntr-un cristal
de Si ilustrnd legturile
covalente
Fig. 2.3.b
Cristal cu un electron
liber i un gol datorai
agitaiei termice

Fig. 2.3.a

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

gol
Si

electron

La T>0K, o parte din electronii de valen pot primi de la agitaia termic o energie
suficient de mare (>E) pentru a se desprinde din legturile covalente i a trece din B.V. n B.C.,
unde se comport ca electronii liberi din metale, participnd la conducia curentului electric. Aceti
electroni se numesc electroni liberi sau de conducie, iar procesul se numete generarea direct a
purttorilor de sarcin. Legturile covalente pot fi rupte i pe alte ci, spre exemplu, prin absorbia
de ctre electronii de valen a unor fotoni de energie >E. La Si pur, la temperatura ambiant, doar
o legtur la 7013 este rupt la un moment dat. n figurile 2.3.a i 2.3.b se observ locul rmas

DCE - Cap.2. NOIUNI DE FIZICA SEMICONDUCTOARELOR

12

liber (golul) prin ruperea legturii covalente. Golurile pot fi ocupate de ali electroni din alte legturi
covalente. Descrierea micrii golurilor prin micarea electronilor de valen este foarte complicat.
De aceea se introduce o particul fictiv - golul - considernd c acesta are mas efectiv i sarcin
pozitiv. Conceptul de gol poate fi justificat prin micarea unei bule de aer ntr-un lichid. n
concluzie, n semiconductoare exist dou feluri de purttori de sarcin mobili: electronii i golurile.
La semiconductoarele pure, purttorii sunt generai numai ca perechi electron-gol. Este posibil i
procesul invers: un electron din banda de conducie poate s cad ntr-un gol din banda de valen,
legtura se reface, purttorii dispar (tot n perechi). Procesul poart denumirea de recombinare
direct a purttorilor. n consecin, concentraia volumic a electronilor liberi (n) la un
semiconductor pur este egal cu concentraia volumic a golurilor (p): n=p=ni , unde ni se numete
concentraie intrinsec niT/E. Semiconductoarele pure mai sunt numite i intrinsece (de tip i).
2.1.2.Semiconductoarecuimpurit i
n construcia dispozitivelor electronice, de obicei se utilizeaz semiconductoare cu
impuriti. Procesul prin care ntr-un semiconductor se introduc impuriti se numete dopare.
Pentru Ge i Si se utilizeaz dou tipuri de dopri: cu elemente pentavalente (P, Sb, As, Bi donoare de electroni) i cu elemente trivalente (B, Al, In, Ga - acceptoare de electroni). Atomii
acestor impuriti intr n nodurile reelei cristaline, substituind atomii de semiconductor, rezultnd
n final semiconductoare de tip n (cnd purttorii majoritari sunt electronii) i respectiv p (cnd
purttorii majoritari sunt golurile).
Semiconductoare de tip n
S considerm, de exemplu, c o parte din atomii de Si sunt substituii cu atomi pentavaleni
de P. Patru din cei cinci electroni de valen ai atomului de P intr n legturi covalente cu atomii
vecini de Si. Al cincilea electron de valen nu poate intra n legtur covalent i va evolua pe o
orbit cu raza mult mai mare dect distana dintre doi atomi vecini. Nivelul energetic al acestui
electron (Ed) se plaseaz n B.I. foarte aproape de B.C. (fig. 2.4.a, 2.4.b).

Fig. 2.4.a

Fig. 2.4.b

Fig. 2.5.a

Fig. 2.5.b

DCE - Cap.2. NOIUNI DE FIZICA SEMICONDUCTOARELOR

13

Concentraia impuritilor este foarte mic (de ordinul a 1 atom de P la 107 atomi de Si),
atomii de impuriti fiind izolai ntre ei (nveliurile lor electronice nu se influeneaz reciproc). De
aceea nivelele introduse de impuriti sunt locale (le vom reprezenta prin linii ntrerupte). Dar
electronii de pe aceste nivele nu pot participa la conducie. Aceasta ar fi structura la 0K, cnd B.C.
nu conine electroni. La T>0K, electronii de pe nivelele Ed pot trece foarte uor n B.C. devenind
electroni liberi. Energia Ed=Ec-Ed se numete energie de activare a impuritilor (~0.01eV).
Atomii pentavaleni constituie o surs de electroni de conducie i de aceea ei se numesc donori, iar
nivelele Ed nivele donoare.
Electronii eliberai de impuritile donoare nu las n urma lor goluri, ci ioni pozitivi fici n
reeaua cristalin. Agitaia termic determin ruperea legturilor covalente, adic generarea
perechilor electron-gol. Astfel exist i goluri, dar mai puine dect electronii. Purttorii de sarcin
n numr mai mare, adic electronii, se numesc majoritari, semiconductorul se numete de tip n, iar
golurile sunt purttori minoritari.
Semiconductoare de tip p
S considerm acum c o parte din atomii semiconductorului au fost substituii cu atomi
trivaleni, de exemplu B. Aceti atomi nu vor putea satisface dect trei legturi de covalen cu
atomii de Si, o legtur rmnnd nesatisfacut. Lipsa unui electron nu reprezint un gol propriuzis, deoarece nivelul energetic al acestei legturi este local i se plaseaz n B.I., puin deasupra
B.V.(fig. 2.5.a, 2.5.b).
La 0K banda de valen ar fi complet ocupat, n B.C. nermnnd electroni. Energia de
activare a impuritilor Ea=Ea-Ev fiind mic (~0.01eV), la T>0K, unii electroni de covalen pot
primi de la agitaia termic energia necesar pentru a trece din B.V. pe nivelele acceptoare din B.I..
Abia acum apar n B.V. goluri veritabile; electronii de pe nivelele acceptoare locale nu particip la
conducie, ci formeaz ioni negativi fici n reeaua cristalin. Impuritile se numesc acceptoare,
purttorii majoritari sunt golurile, iar semiconductorul este de tip p.
Semiconductoarele de tip n i p se mai numesc i semiconductoare extrinsece.
Impuritile dau nivele izolate numai dac concentraia lor este mai mic de 1025 atomi/m3.
La concentraii mai mari, atomii de impuritate ncep s interacioneze ntre ei i corpul devine
semimetal. n practic se utilizeaz concentraii ntre 1020 i 1024 atomi/m3, mai mari dect
concentraia intrinsec ni.
Semiconductoarele pot conine simultan impuriti de ambele tipuri (fig. 2.6).
La 0K, cristalul trebuie s se afle n starea de minim energetic, deci electronii de pe Ed vor
trece pe Ea, cristalul comportndu-se ca un semiconductor tip n n cazul figurii 2.6.a, respectiv p
pentru figura 2.6.b, cu o concentraie efectiv de impuriti N=Nd-Na. Acest fenomen se numete
compensarea impuritilor. Dac Nd=Na, cristalul se numete compensat i se comport ca un
semiconductor intrinsec (fig. 2.6.c).

Fig. 2.6.a

Fig. 2.6.b

Fig. 2.6.c

14

DCE - Cap.2. NOIUNI DE FIZICA SEMICONDUCTOARELOR

2.2. TRANSPORTUL PURT TORILORDESARCIN N SEMICONDUCTOARE


ntr-un semiconductor omogen, aflat la echilibru termic, electronii din B.C. i golurile din
B.V. sufer doar o micare de agitaie termic, care are un caracter haotic i este nsoit de ciocniri
cu reeaua. n medie, electronii i golurile nu sufer o deplasare net. Aceast situaie corespunde
absenei curenilor electrici macroscopici de conducie. Deplasare efectiv apare n dou situaii:
1) sub aciunea unui cmp electric, cnd este numit drift, iar curenii se numesc cureni de
cmp sau de drift;
2) n prezena unui gradient de concentraie a impuritilor, cnd se numete difuzie, iar
curenii se numesc cureni de difuzie.
2.2.1.Micareapurt torilordesarcin ncmp electric
n figura 2.7. s-a reprezentat (cu linie continu)
drumul haotic al unui gol, n absena cmpului electric.
Dac E0, micarea golului i pstreaz caracterul (linia
punctat), dar peste deplasarea dezordonat se suprapune
o deplasare dirijat, n direcia cmpului.
Viteza medie (net) pe direcia cmpului electric
pe care o capt purttorii este Vn=nE pentru electroni
Fig. 2.7
i Vp=pE pentru goluri, unde E = intensitatea cmpului
electric i n, p = mobilitatea electronilor, respectiv a golurilor. n>p datorit concentraiilor
diferite n care are loc micarea acestor particule. Mobilitatea scade cu creterea E, cu creterea T, i
cu creterea concentraiilor impuritilor.
2.2.2.Difuziapurt torilordesarcin
n majoritatea dispozitivelor semiconductoare concentraia purttorilor este neuniform, fie
prin faptul c unele regiuni ale semiconductorului sunt dopate cu impuriti acceptoare iar altele cu
impuriti donoare, fie datorit doprii uniforme cu un
anumit numr de impuriti, fie ca rezultat al
introducerii unor purttori suplimentari din exterior. n
aceste cazuri exist tendina ca purttorii din regiunile
cu concentraie mare s se deplaseze spre regiunile cu
concentraie mai mic. Fenomenul este similar cu
difuzia gazelor (cu excepia rezultatului final, dup
cum vom vedea).
Pentru a discuta fenomenul difuziei,
considerm o bar semiconductoare n care
concentraia golurilor variaz dup axa x i
presupunem c pe axa y concentraia este constant
(fig. 2.8).
n unitatea de timp o anumit fraciune din
golurile din boxa din stnga vor trece n cea din
dreapta prin zona de separaie. n acelai timp o
fraciune din golurile boxei din dreapta vor trece n cea
din stnga.
Pentru c sunt mai multe goluri n stnga va
exista un flux net de purttori de la stnga la dreapta.
Va apare un curent de difuzie:
Jdp=qDpdp/dx

DCE - Cap.2. NOIUNI DE FIZICA SEMICONDUCTOARELOR

15

Jdn=qDndn/dx
Fig. 2.8
Jdp= densitatea curentului de difuzie pentru goluri
Jdn= densitatea curentului de difuzie pentru electroni
Dp= coeficient de difuzie a golurilor
Dn= coeficient de difuzie a electronilor
Obs:
1) curentul de difuzie nu este rezultatul aciunii unor fore asupra purttorilor, ci este o consecin a
micrii lor haotice;
2) densitatea curentului depinde de gradientul concentraiei i nu de valoarea absolut a ei;
3) apare un cmp electric intern care nsoete fenomenul de difuzie. Acest cmp se opune difuziei.
La echilibru curentul de difuzie este egal i de sens opus cu curentul produs de cmpul intern.
Aceasta este diferena fa de gaze.
Coeficientul de difuzie este o msur a uurinei cu care purttorii se deplaseaz n reeaua
cristalin. Exist o relaie ntre D i . Aceast relaie a dedus-o Einstein: Dp=KT/qp, K=
constanta lui Boltzmann.
Se definete Ut=KT/q= tensiune termic; la 300K Ut=25mV.
2.3.GENERAREAIRECOMBINAREAPURT TORILORDESARCIN
Spre deosebire de metale, unde electronii au o existen nedefinit, la semiconductoare
electronii au un timp de via statistic finit. Are loc un proces continuu de generare a purttorilor ca
urmare a agitaiei termice i n paralel procesul invers. La echilibru trebuie ca viteza de generare s
fie egal cu cea de recombinare. Viteza de generare reprezint numrul de purttori generai n
unitatea de timp i unitatea de volum.
Procesele de generare i recombinare sunt directe i indirecte.
Generarea i recombinarea direct prezentate anterior au importan doar la dispozitivele
electronice pe baz de Ga-As.
Procesul indirect de generare i recombinare predomin la Ge i Si. Saltul se face prin
intermediul unor nivele donoare sau acceptoare plasate aproape de mijlocul benzii interzise. Astfel
de nivele pot fi produse de defectele reelei cristaline, spaii interstiiale, dislocaii, precum i
impuriti voite (Au) sau nedorite (Fe, Co, Ni). Aceste nivele acioneaz ca trepte intermediare la
tranziia electronilor ntre B.V. i B.C.. Energia cerut de acest proces este aproape de E/2 i de
aceea procesul este mult mai probabil dect tranziia direct.
Timpul mediu pe care purttorii l petrec de la generare pn la recombinare se numete timp
de via. La echilibru termodinamic vitezele de generare i recombinare sunt egale. S presupunem
c echilibrul a fost perturbat de un flux de fotoni. Sistemul tinde spre echilibru. n condiiile de
exces de purttori predomin recombinarea, invers predomin generarea.
2.4.INJEC IAPURT TORILORDESARCIN
Cnd concentraiile purttorilor sunt mai mari dect la echilibru se spune c semiconductorul
se afl n stare de injecie (np>ni2). Dac concentraiile sunt mai mici ca la echilibru spunem c
semiconductorul se afl n stare de extracie (np<ni2).
Vom trata un caz particular de injecie: o plcu semiconductoare (fig. 2.9), de exemplu de
tip n, n care se injecteaz n mod continuu i uniform purttori minoritari (goluri) pe una din fee
(y0z). Injecia se poate realiza cu ajutorul unui contact metalic pe suprafaa y0z sau prin iluminarea
acesteia continuu i uniform (deci injecie cu fotoni). La suprafa concentraia golurilor va crete
fa de cea din interiorul cristalului i atunci golurile vor difuza spre interior.
n timpul difuziei are loc i procesul de recombinare astfel nct la o anumit distan toi
purttorii injectai se recombin i semiconductorul se afl n echilibru (fig. 2.10.a). Se d legea de
variaie a concentraiei golurilor de la suprafa spre interior: p=p0+pexp(-x/Lp), unde Lp2=

DCE - Cap.2. NOIUNI DE FIZICA SEMICONDUCTOARELOR

16

pDp, Lp= lungimea de difuzie a golurilor n exces, de fapt valoarea medie a adncimii pn la
recombinare.
z

n
y
injecie de
goluri

x
Fig. 2.9

O relaie similar se poate scrie i pentru electroni: n=n0+nexp(-x/Ln). Aceast lege este
valabil i pentru extracie, cu limitarea pp0 (fig. 2.10.b). Putem avea extracie total sau
parial.

Fig. 2.10.a.

Fig. 2.10.b.

DCE - Cap.3. JONCIUNEA p-n

17

Cap.3. JONC IUNEA p-n


Majoritatea dispozitivelor con in att regiuni p ct i regiuni n n acelai cristal.
Defini ie: Regiunea n care se face trecerea de la p la n se numete jonc iune p-n.
Dup modul n care variaz concentra ia efectiv a
impurit ilor (NNd-Na) la trecerea dintr-o regiune n
cealalt, jonc iunile pot fi abrupte sau gradate.
Un caz particular de jonc iune gradat l constituie
jonc iunea gradat liniar (fig. 3.1.c), la care concentra ia
efectiv variaz liniar: NNd-Na=a*x, unde a este o
constant (gradientul concentra iei). Dac trecerea de la p la
n se face pe distan mare, avem de-a face cu un
semiconductor neomogen. Marea majoritate a dispozitivelor
semiconductoare con in una sau mai multe jonc iuni. Cel
mai simplu dispozitiv electronic, realizat cu o singur
jonc iune
este
dioda
semiconductoare.
Dioda
semiconductoare nu este acelai lucru cu jonc iunea p-n.
Exist diode semiconductoare realizate pe baza contactului
metal-semiconductor. n plus o diod con ine, pe lng
eventuala jonc iune p-n, i alte structuri, cum ar fi: contactele
ohmice, sistemele de prindere i de evacuare a cldurii etc.
3.1. JONC IUNEA p-n LA ECHILIBRU TERMIC
O jonc iune nu poate fi realizat prin punerea n
contact mecanic a unui cristal de tip p cu altul de tip n,
deoarece orict de fin ar fi prelucrate suprafe ele ce vin n
contact, ansamblul astfel format are dou re ele cristaline
independente, iar n zona contactului apar o mul ime de
defecte ce mpiedic micarea purttorilor de sarcin i
Fig. 3.1
mresc foarte mult viteza de recombinare.
S presupunem c am putea ob ine o jonc iune abrupt prin
contact mecanic. Imediat dup realizarea contactului la interfa , concentra iile de purttori au un
gradient foarte mare, datorit cruia unele goluri din p difuzeaz n n (fig. 3.2.a). La interfa ,
concentra ia are un gradient infinit datorit cruia unele goluri din regiunea p difuzeaz n n, iar
electronii invers. Ca urmare a acestei difuzii n vecintatea interfe ei, concentra iile de purttori
mobili devin mult mai mici dect concentra iile impurit ilor ionizate. n final rezult abateri de la
neutralitatea electric; n zona p, plecnd goluri i sosind electroni, apare sarcina spa ial negativ.
Sarcina aprut genereaz cmp electric E de la (+) la (-), cmp care se opune difuziei. Dup
realizarea echilibrului termodinamic curentul de difuzie va fi egal i de semn opus celui de cmp.
n figura 3.2.b este reprezentat concentra ia impurit ilor; n figura 3.2.c este reprezentat
concentra ia golurilor; n figura 3.2.d este reprezentat concentra ia electronilor; n figura 3.2.e
sarcina spa ial pozitiv este egal n valoare absolut cu cea negativ; n figura 3.2.f n afara
regiunii cu sarcin spa ial , cmpul electric E este nul.
Regiunea n care exist sarcin spa ial i cmp electric se numete regiune de tranzi ie.
Regiunile fr sarcin spa ial se numesc regiuni neutre. Suprafa a ntre p i n (adic por iunea n
care concentra ia efectiv de impurit i este nul - Na0) se numete jonc iune metalurgic. Prin
jonc iune p-n se n elege att regiunea de tranzi ie, precum i cele dou regiuni neutre.
n figura 3.2.g apare bariera de poten ial de mrime Uo. Uo a fost reprezentat lund ca
referin regiunea p. Cmpul din barier are tendin a s treac golurile din n n p.

18

DCE - Cap.3. JONCIUNEA p-n

Deci energia golurilor din p este mai mic dect n n. Pentru ca


golurile majoritare din p s treac n n, trebuie s posede o
energie suficient de mare pentru a nvinge bariera de poten ial.
Avnd n vedere distribu ia statistic dup energie, va exista n
regiunea p lng zona de tranzi ie un anumit numr de goluri cu
energie suficient de mare pentru a putea traversa bariera.
Grosimea regiunii de tranzi ie este foarte mic n
compara ie cu regiunea transversal (de aceea considerm numai
varia ia dup Ox). Deoarece n regiunea de tranzi ie n jurul zonei
metalurgice concentra ia impurit ilor este apropiat de cea
intrinsec, rezult c n aceast por iune sarcina spa ial este
determinat practic doar de impurit ile ionizate. De aceea, se
presupune c n regiunea de tranzi ie nu avem concentra ii de
purttori fa de cele ale impurit ilor.
Presupunem c regiunea de tranzi ie este golit de
purttori; deci rmn numai impurit ile ionizate. Aceast
aproxima ie se numete aproxima ie de golire. n aceast ipotez
sarcina spa ial are o distribu ie rectangular (fig. 3.3) i
lp0*Na=ln0*Nb, unde lp0, ln0 sunt adncimile pe care se ntinde .
Aceast
rela ie
reprezint
neutralitatea
global
a
semiconductorului i indic ptrunderea mai accentuat a
regiunilor de sarcin spa ial n zona mai slab dopat.
l0=lp0+ln0=0.1m
Un caz particular de dopare a jonc iunii p-n este dat de
profilul asimetric, iar jonc iunea se numete abrupt unilateral
Fig. 3.2
(fig. 3.4). Aceast jonc iune se ntlnete la semiconductoarele la
+
care una din regiuni este mult mai dopat ca cealalt i se noteaz cu p n (p este mai puternic
dopat). La aceste jonc iuni regiunea de tranzi ie se extinde practic numai n regiunea slab dopat: l0
ln0. ntr-o astfel de jonc iune toate fenomenele electrice sunt dependente numai de concentra ia de
impurit i din regiunea slab dopat.

DCE - Cap.3. JONCIUNEA p-n

19

Fig. 3.3
Fig. 3.4
Pentru jonc iunea gradat liniar varia ia concentra iei impurit ilor se aproximeaz liniar n
jurul jonc iunii metalurgice: Nd-Naa*x, unde a este o constant (fig. 3.5.a i fig. 3.5.b). Pentru
jonc iunile reale gradate neliniar varia iile sunt neliniare ca n figura 3.6.

Fig. 3.5.a

Fig. 3.5.b

Fig. 3.6

3.2. JONC IUNEA p-n N REGIM STA IONAR


3.2.1. Jonc iunea p-n polarizat
Aplicnd prin intermediul unor contacte pe extremit ile regiunilor neutre o tensiune
jonc iunii, echilibrul termodinamic este perturbat. Prin jonc iune va trece un anumit curent.
Regiunile p i n au conductivitate mare, astfel nct cderea de tensiune de pe ele poate fi neglijat.
ntreaga tensiune aplicat din exterior se regsete pe regiunea de tranzi ie avnd ca efect
modificarea nl imii barierei de poten ial. Se modific i dimensiunile regiunii de tranzi ie precum
i concentra ia purttorilor.
mare
-

g(+)

fluxuri mici

Fig. 3.7

mic
efluxuri mari

Fig. 3.8

S considerm c se aplic jonc iunii o tensiune cu minusul pe regiunea p i plusul pe n.


nl imea barierei va crete cu Ua (fig. 3.7). Ca urmare numrul de purttori majoritari care vor
escalada bariera scade. Tensiuni foarte mici aplicate cu aceast polaritate sunt suficiente pentru a
bloca scurgerea purttorilor majoritari n jonc iune. Se constat c acest curent este limitat la
valoarea de satura ie Is. Polarizarea aceasta se numete invers deoarece determin absen a
conduc iei. Fizic, la polarizare invers purttorii majoritari sunt ndeprta i de regiunea de tranzi ie
care se mrete, devenind un izolator.
Cnd se aplic jonc iunii tensiunea cu (+) pe regiunea p i () pe n, bariera de poten ial se
micoreaz cu valoarea acestei tensiuni (fig. 3.8). Regiunea p neutr va injecta prin regiunea de
tranzi ie goluri n regiunea n neutr. Golurile injectate difuzeaz n n i se recombin cu electronii
majoritari. Similar i regiunea n va injecta electroni n p i curen ii se adun corespunztor.
Curentul purttorilor injecta i este alimentat de purttorii majoritari din regiunile neutre i de aceea
poate lua valori foarte mari (trebuie limitat din exterior cu rezisten e sau alte dispozitive). Aceast
polarizare se numete direct. Fizic, tensiunea direct mpinge purttorii majoritari din regiunile
neutre n regiunea de tranzi ie.

DCE - Cap.3. JONCIUNEA p-n

20

Concluzie: Jonc iunea p-n are o caracteristic de dispozitiv unidirec ional (de redresor). Prin
conven ie se consider tensiunea direct i curen ii direc i cu semne pozitive, iar cei inveri cu
semne negative (fig. 3.9).
3.2.2. Caracteristica static idealizat a jonc iunii p-n
Cnd se aplic jonc iunii o tensiune ea se afl n stare de injec ie sau extrac ie. Perturbarea
se extinde pe o anumit adncime i n regiunile neutre, dar datorit fenomenelor de generare i
recombinare scade pe msura deprtrii de zona de tranzi ie. La o distan mai mare dect lungimea
de difuzie perturbarea nu se mai simte.
n studiul caracteristicii statice se fac urmtoarele aproxima ii i presupuneri:
1) aproxima ia de golire (la o jonc iune abrupt);
2) presupunem c ntreaga tensiune aplicat cade pe regiunea de tranzi ie;
3) se neglijeaz fenomenele de generare i recombinare din regiunea de tranzi ie;
4) presupunem c ne aflm la nivele mici de injec ie; aceasta presupune c injec ia de
purttori minoritari se face ntr-o msur care permite neglijarea concentra iei purttorilor minoritari
fa de cele ale purttorilor majoritari;
5) presupunem c jonc iunea este groas fa de lungimea de difuzie i din acest motiv
purttorii minoritari se recombin n totalitate nainte de a atinge extremit ile jonc iunii.
Curentul prin jonc iune se va ob ine ca o sum a curen ilor de
difuzie a purttorilor minoritari la limitele regiunii de tranzi ie. De
aceea este numit uneori curent de difuzie i are expresia dedus de
Shockley: Ia=Is*[exp(q*Ua/KT)-1], unde Is este curentul de satura ie
(rezidual). Aceast formul este valabil att pentru polarizrile directe,
ct i pentru cele inverse.
Fig. 3.9
n regim de conduc ie direct (Ua>0) curentul crete
exponen ial. n domeniul Ua>4*(KT/q)0.1V (la 300K) acel -1 din
formul se poate neglija fa de termenul exponen ial. Se ob ine astfel
expresia simplificat a ecua iei lui Shockley: IaIs*exp(q*Ua/KT).
Obs: Formula lui Shockley este valabil numai pentru tensiuni
directe inferioare lui Uo.
La polarizri inverse, n valori absolute mai mari de 0.1V
termenul exponen ial este neglijabil fa de unitate, astfel nct Ia -Is.
Aceast valoare reprezint curentul maxim de purttori ce poate fi
Fig. 3.10
extras din regiunile neutre i se numete curent de satura ie sau curent
rezidual.
La germaniu Is este ntre 1 i 100 A (relativ mare!), la siliciu Is<1nA.
3.2.3. Abateri de la caracteristica static idealizat a jonc iunii p-n
n figura 3.11 se arat caracteristica static real a unei jonc iuni. n conduc ie invers apar 2
regiuni:

Fig. 3.11

DCE - Cap.3. JONCIUNEA p-n

21

- regiunea II, n care curentul are o cretere uoar cu modulul tensiunii aplicate; la
jonc iunile de Ge creterea este foarte slab, astfel nct fenomenul de satura ie este evident
(curentul de satura ie este mare:1..100 A); la jonc iunile de Si i Ga-As creterea este att de
pronun at, nct fenomenul de conduc ie nici nu poate fi observat (Isat este foarte mic la Si: sub
1nA)
- regiunea I, n care curentul crete brusc cu tensiunea invers, jonc iunea pierzndu-i
caracterul de dispozitiv unidirec ional. Fenomenul este numit strpungerea jonc iunii, iar tensiunea
la care apare (tensiunea de strpungere) este cuprins ntre c iva vol i i cteva sute de vol i. n
regim de conduc ie direct se pot distinge 4 regiuni:
- la tensiuni mici, dar ntrecnd de cteva ori tensiunea termic, caracteristica static poate fi
aproximat n forma din regiunea III:
IA exp(qUA / (mKT)), unde m este un coeficient cuprins ntre 1 i 2.
- la tensiuni ceva mai mari, dar mai mici dect Uo (IV) curentul variaz aproape dup
ecua ia idealizat;
- la tensiuni mai mari dect Uo (regiunea V) curentul crete din nou ceva mai lent cu
tensiunea (regiunea III);
- n fine, la tensiuni directe foarte mari (regiunea VI) curentul ajunge propor ional cu
tensiunea.
Abaterea caracteristicilor reale de la ecua ia idealizat are urmtoarele cauze:
- generarea i recombinarea purttorilor n regiunea de tranzi ie;
- ptrunderea n domeniul nivelelor mari de injec ie;
- efectul tunel;
- rezisten a serie a regiunilor neutre;
- multiplicarea prin avalan;
- efecte de suprafa .
Toate aceste efecte nu au fost luate n considerare la deducerea ecua iei idealizate. Ne vom
ocupa de ele n continuare.
Abaterile jonc iunilor reale de la caracteristica idealizat n regiunile II i III pot fi explicate
prin luarea n considerare a proceselor de generare-recombinare n regiunea de tranzi ie. n
polarizare invers, concentra iile purttorilor n regiunea de tranzi ie fiind mult mai mici dect cele
de echilibru, va predomina generarea purttorilor. Purttorii genera i termic sunt trecu i imediat de
ctre cmpul existent n barier: electronii n regiunea n neutr, iar golurile n regiunea p neutr. n
consecin , pe lng curentul de satura ie a purttorilor minoritari (Is) va apare nc un curent cauzat
de fenomenul de generare n regiunea de tranzi ie Igen, avnd acelai sens cu primul.
IA = -(Is+Igen) va fi curentul total prin jonc iunea polarizat invers. Semnul (-) apare
datorit conven iei de semn fcute. Igen (deci i Is) crete cu valoarea tensiunii inverse datorit

DCE - Cap.3. JONCIUNEA p-n

22

creterii volumului regiunii de tranzi ie. Raportul celor 2 componente ale curentului invers este: Is /
Igenni (concentra ia intrinsec). Rezult c pentru un material dat ponderea curentului de generare
scade cu creterea temperaturii; peste o anumit temperatur efectul generrii poate fi neglijat. Pe de
alt parte, la o temperatur dat, ponderea Igen este mai mic la materiale cu concentra ie intrinsec
ni mai mare. Spre exemplu, comparnd jonc iunile de Si cu cele de Ge, constatm c la cele de Si,
Igen are o pondere de aproximativ 1000 mai mare. La temperatura ambiant, la jonc iunea de Si
curentul Igen depete Is.
n regim de conduc ie direct, concentra iile purttorilor n zona de tranzi ie sunt mai mari
dect la echilibru i vor predomina procesele de recombinare.
Efecte la nivele mari de injec ie
Cnd tensiunea direct aplicat jonc iunii este apropiat de nl imea barierei Uo,
concentra iile purttorilor minoritari injecta i n regiunile neutre ajung de ordinul concentra iilor
purttorilor majoritari; jonc iunea intr n domeniul nivelelor mari de injec ie. n aceste condi ii nu
se mai poate neglija componenta de cmp a purttorilor minoritari.
Un alt efect de care trebuie s se in seama la nivele mari de injec ie l constituie cderile de
tensiune pe regiunile neutre. Cnd densitatea de curent ia valori mari, aceste cderi de tensiune
reprezint o propor ie important din tensiunea aplicat, nemaiputnd fi neglijat. Tensiunea ce
revine regiunii de tranzi ie va fi deci mai mic dect tensiunea aplicat din exterior. Domeniul
nivelelor mari de injec ie ncepe la o densitate de curent de ordinul a 1A/mm2.
Este posibil ca la unele jonc iuni de Si (la care curentul de recombinare predomin la
tensiuni directe mari) s nu se observe regiunea n care curentul prin jonc iune ascult de ecua ia
idealizat. Efectul suprafe ei semiconductorului asupra componentei de generare-recombinare a
curentului este evident, att datorit ntreruperii periodicit ii re elei, ct i impurit ilor inevitabile
care apar la suprafa a semiconductorului. Acest curent va crete i trebuie fcut observa ia c este
important la multe dispozitive semiconductoare de larg consum ale cror grad de prelucrare a
suprafe ei nu este prea avansat. Aceasta poate duce la creterea excesiv a curen ilor inveri i la
instabilitatea n timp a caracteristicilor statice.
3.2.4. Dependen a de temperatur a caracteristicii statice
Curentul prin jonc iune este influen at de temperatur pe dou ci:
- prin curentul de satura ie;
- prin tensiunea termic UT = KT / q, ce apare n argumentul exponen ialei.
Influen a temperaturii asupra jonc iunii este caracterizat prin trei coeficien i pe care i vom
defini n continuare.
a) n domeniul polarizrilor inverse, IA = -IS, temperatura are ca efect translatarea
caracteristicii statice dup axa vertical. Se definete un coeficient de temperatur al IS:
CT IS = (1 / IS)(dIS / dT). Datorit componentei de extrac ie pt. Is CT IS = 0,1 (K)-1 pentru
Ge i 0,15 (K)-1 pentru Si. Pe baza acestor valori se gsete c n jurul temperaturii ambiante Is i
dubleaz valoarea la o cretere a temperaturii cu 7K n cazul Ge i cu 4,5K n cazul Si. innd
cont i de scurgerile superficiale i de procesele de regenerare n regiunea de tranzi ie (care variaz
mai pu in cu temperatura), rezult c dublarea Is are loc att la Ge ct i la Si pentru o cretere a
temperaturii cu 810K.
b) n conduc ia direct se definete un prim coeficient de temperatur al curentului direct la
tensiune constant:
(CT IA)u = (1 / IA)*(dIA / dT) = (CTIs)-(1 / T)*(qUA / KT) (deci mai mic dect CTIs).

DCE - Cap.3. JONCIUNEA p-n

23

Fig. 3.12
c) ntr-un alt regim de lucru se poate men ine curentul direct prin jonc iune constant,
rezultnd o scdere a tensiunii pe jonc iune la creterea temperaturii. Pentru a caracteriza influen a
temperaturii n acest caz, se definete un coeficient de temperatur al tensiunii pe jonc iune
(CTUA)I.
n cazul unei jonc iuni de Ge, la 300K, avnd UA0,2V rezult (CTUA)I=-1,8*10-3V/K. n
cazul unei jonc iuni de Si avnd UA0,6V rezult (CTUA)I=-2,2*10-3V/K.
Acest coeficient variaz lent cu temperatura, aa nct, pentru un domeniu restrns de
temperatur, se poate considera c tensiunea direct pe jonc iune la curent constant scade liniar cu
temperatura. n jurul temperaturii ambiante, att la Ge ct i la Si se poate considera un coeficient
(CTUA)I-2mV/K. Este important de re inut c influen a temperaturii asupra jonc iunii este mult
mai mic la curent constant dect la tensiune constant.
Observa ie: Temperatura T trebuie msurat la jonc iunea (Tj); ea este de regul mai mare dect
temperatura ambiant (Ta), datorit disiprii de putere electric (Pd Ua*Ia): Tj Ta + Rthj-a*Pd.
Coeficientul de propor ionalitate Rthj-a se numete rezisten termic i nglobeaz propriet ile de
conduc ie a cldurii de la jonc iune la mediul ambiant.
Un alt parametru al caracteristicii statice dependent de temperatur este tensiunea de
strpungere.
3.2.5. Strpungerea jonc iunii p-n
Cnd tensiunea invers aplicat unei jonc iuni depete o anumit valoare limit, curentul
prin jonc iune crete foarte repede cu tensiunea, atingnd valori mari: are loc strpungerea
jonc iunii.
Exist trei mecanisme de strpungere: ambalarea termic, tunelarea i multiplicarea prin
avalan. Ultimele dou mecanisme au la baz creterea cmpului electric din regiunea de tranzi ie
odat cu creterea tensiunii inverse.
Ambalarea termic decurge n felul urmtor: curentul invers disip o anumit putere n
jonc iune determinnd creterea temperaturii; la rndul ei, creterea de temperatur determin o
cretere a curentului invers .a.m.d. n anumite condi ii procesul poate fi cumulativ conducnd la
mrirea temperaturii pn la o valoare la care jonc iunea se distruge. Ambalarea termic se
manifest numai la jonc iunile care au curent de satura ie mare, spre exemplu, jonc iuni de Ge
deasupra temperaturii ambiante. La jonc iunile de Si, n tot domeniul de temperaturi de interes
practic, nu apare ambalarea termic.

24

DCE - Cap.3. JONCIUNEA p-n

Strpungerea prin efect tunel


Prima explica ie a strpungerii jonc iunii s-a dat pe baza efectului tunel (Carl Zener, 1934) i
mai apoi s-a constatat c de cele mai multe ori rolul de baz n strpungerea jonc iunilor l are un alt
proces, i anume multiplicarea prin avalan, rolul efectului tunel fiind secundar.
Numim regiune Zener zona de strpungere a jonc iunii. Efectul tunel const n generarea de
perechi electron-gol ntr-un semiconductor sub ac iunea cmpului electric puternic.
La tensiuni inverse mari, benzile de energie au o
nclinare mare n regiunea de tranzi ie i limita inferioar a
B.C. din regiunea n coboar sub limita superioar a B.V.
din regiunea p. n aceast situa ie electronii B.V. pot trece
n B.C. prin efect tunel. Din punctul de vedere al fizicii
clasice, electronul din A poate trece n C numai dac
primete o energie cel pu in egal cu nl imea barierei.
Mecanica cuantic arat c exist o anumit probabilitate
ca electronul s treac de barier chiar dac energia lui este
Fig. 3.13
mai mic dect nl imea barierei. Probabilitatea este cu att
mai mare cu ct nl imea AB este mai mare i AC mai mic. ntinderea barierei scade cu creterea
nclinrii benzilor, deci cu creterea cmpului din regiunea de tranzi ie. Jonc iunea se strpunge
pentru cmpuri mai mari de 5*107 V/m. Cmpuri att de mari se ating la jonc iuni puternic dopate
de ambele pr i, la care regiunea de tranzi ie pe care se repartizeaz tensiunea exterioar este foarte
mic. Tensiunea la care apare efectul de tunel scade cu creterea temperaturii, deoarece E scade i
ea. n consecin , aceeai densitate de curent se atinge la temperatur mai mare, aplicnd jonc iunii
o tensiune mai mic.
Multiplicarea n avalan
ntre dou ciocniri succesive, purttorii sunt accelera i de cmp ctignd energie cinetic.
La polarizri inverse cmpul poate deveni att de mare nct ntre dou ciocniri succesive, energia
acumulat de un purttor poate depi E. Un astfel de purttor ciocnind un atom al re elei poate
furniza unui electron de valen energia necesar pentru a trece n BC. Astfel apare o pereche
electron-gol iar procesul se numete ionizare prin oc. Purttorii sunt accelera i de cmp i pot da
natere la alte perechi electron-gol. Rezult posibilitatea multiplicrii n avalan a purttorilor.
Cmpul la care apare multiplicarea n avalan este de aproximativ 2*107 V/m, mai mic deci dect
cel la care efectul Zener devine important. Important este faptul c ambele categorii de purttori pot
produce ionizri prin oc.
Fenomenul de multiplicare prin avalan se poate caracteriza global prin coeficientul de
multiplicare M definit ca raport ntre numrul purttorilor ce ies din regiunea de tranzi ie i cel al
celor ce intr n ea. Notm cu Iinv curentul invers n absen a multiplicrii i Iinv M*Iinv curentul invers dup multiplicare.
MIinv / Iinv ; M 1 / [1 - (UA / Ustr)] , unde n[2,6]
Strpungerea are loc cnd M tinde ctre infinit. Tensiunea de strpungere Ustr crete cu
temperatura deoarece scade drumul mediu dintre dou ciocniri succesive i este necesar un cmp
mai mare pentru ca un purttor s acumuleze ntre dou ciocniri succesive energia E. De asemenea
o strpungere prin avalan scade concentra ia impurit ilor de o parte i de alta a jonc iunii
metalurgice. La creterea nivelului de dopare scade grosimea regiunii de tranzi ie. Cmpul critic de
apari ie a ionizrilor prin oc se atinge la o valoare mai mic a tensiunii aplicate.
Strpungerea prin avalan necesit pe lng depirea cmpului critic i o anumit grosime
a regiunii de tranzi ie, pentru ca n ea purttorii s sufere mai multe ciocniri. Cnd regiunea de
tranzi ie are o grosime apropiat de drumul mediu dintre dou ciocniri succesive, nu mai poate avea
loc strpungerea prin avalan i atunci va avea loc efectul tunel.
Dac doparea este sub 1023 atomi/m3 are loc strpungerea prin avalan. Cnd doparea este
mai mare, strpungerea are loc prin efect tunel.

DCE - Cap.3. JONCIUNEA p-n

25

Jonc iunile care au tensiunea de strpungere mai mic de 4V se strpung prin efect tunel, iar
cele cu Ustr mai mari de 7V se strpung prin avalan. ntre 4V i 7V particip ambele mecanisme.
Strpungerea prin efect tunel i avalan nu este distructiv dac curentul prin jonc iune este
sub valoarea corespunztoare puterii maxime disipate admisibil.
3.2.6. Modele liniarizate pentru jonc iunea p-n n regim sta ionar
Pentru calculul n regim sta ionar, caracteristica static a jonc iunii se aproximeaz prin
segmente de dreapt. Foarte rspndit este aproxima ia prin dou segmente de dreapt, ca n figura
3.14, unde Di este dioda ideal, Ri - rezisten a intern, UD - tensiunea de deschidere.

Fig. 3.14
Obs.: Cazul d (dioda ideal) este o bun aproxima ie pentru practic.
La Ge : UD 0.20.4 V
Si :
UD 0.50.8 V
Ga-As : UD 12 V
Ri depinde foarte mult de domeniul curentului n care se aplic modelul.
1
1
KT 1
Ri

d Ia
q
qUa
q Ia
)
Is exp (
d Ua KT
KT
25 10 3
Ex.: Ia=5mA Ri
5
5 10 3
3.3. JONC IUNEA p-n N REGIM DINAMIC
Regimul dinamic reprezint func ionarea structurii n cazul aplicrii unor semnale variabile
n timp. Metoda cea mai folosit const n stabilirea unor circuite electronice echivalente cu care s
se nlocuiasc jonc iunea n schema unde func ioneaz. Circuitul echivalent nu este unic, el
depinznd, de regul, de specificul semnalului variabil aplicat.
3.3.1. Regimul cvasista ionar al jonc iunii
Func ionarea jonc iunii n regim sta ionar este descris de ecua ia lui Shockley sau de
caracteristica static. Este foarte normal s ncercm a descrie comportarea n regim variabil pe baza
func ionrii n regim static. Dac examinm procesele ce au loc n jonc iune la trecerea dintr-o stare
sta ionar n alta, rezult c o asemenea tratare (pe baza regimurilor sta ionare) nu poate fi acceptat
dect la frecven e joase. ntr-adevr, o stare sta ionar a jonc iunii este caracterizat de anumite
dimensiuni ale regiunii de tranzi ie - adic de o anumit sarcin existent n barier i o anumit
distribu ie a purttorilor minoritari. Cnd se trece la o alt stare sta ionar acestea se modific.
Ambele procese sunt legate de o varia ie de sarcin electric i cer un anumit timp.

DCE - Cap.3. JONCIUNEA p-n

26

Dac timpul necesar jonc iunii pentru a trece dintr-o stare sta ionar n alta este mult mai
mic dect perioada semnalului, putem considera c n fiecare moment jonc iunea se afl ntr-o stare
sta ionar. Un astfel de regim se numete regim cvasista ionar, iar frecven a maxim pn la care
regimul poate fi considerat cvasista ionar difer de la un dispozitiv la altul. Deci pentru curent
continuu i frecven e joase se pot aplica modelele anterioare (regimul de curent continuu - de
polarizare - se mai numete de semnal mare).

Fig. 3.15.a

Semnalul aplicat unui dispozitiv este considerat mic atunci cnd caracteristicile statice ale
dispozitivului pot fi aproximate liniar pentru ntreaga excursie a punctului de func ionare pe durata
unei perioade. n cazul jonc iunii p-n condi ia de semnal mic este deosebit de restrictiv,
caracteristica static exponen ial putnd fi considerat liniar numai pentru varia ii foarte mici de
tensiune: UA << KT/q0.025V.
n regim cvasista ionar de semnal mic jonc iunea este echivalent cu o rezisten ri = Ri. n
c.c. se folosesc nota ii cu litere mari, iar n c.a. cu litere mici.
ri = 1 / (dIa / dUa) (KT / q)*(1 / Ia), numit rezisten intern. Ia reprezint valoarea curentului n
punctul static de func ionare (PSF) la polarizare direct.
n cazul Ia = -Is, la polarizare invers, rezisten a intern teoretic este infinit, dar n practic
are o valoare de aproximativ 1 M la Si.

IA

XC

ia

1
R S , ri
C

EA UD
Ri RS

ua
ri R S

Fig. 3.15.b
3.3.2. Capacitatea de barier

Fig. 3.16

Considerm o jonc iune abrupt ideal, cu o tensiune aplicat Ua, la


care corespunde linia continu de pe figur pentru distribu ia de sarcin
spa ial n regiunea de tranzi ie n ipoteza golirii complete de purttori.
dQ b dQ b dUa
dUa
, Cb- capacitatea de barier.
ib

Cb
dt
dt
dUa dt
Regiunea de sarcin spa ial se micoreaz cnd trecem de la Ua la
Ua+dUa (respectiv curba punctat). Trecerea de la o stare la alta necesit
deplasarea unui numr de purttori majoritari din regiunile neutre n zonele
haurate pentru neutralizarea sarcinilor, impurit ilor ionizate. Sarcina dQb

DCE - Cap.3. JONCIUNEA p-n

27

a acestor purttori este aria haurat. Dac trecerea de la Ua la Ua+dUa se face ntr-un interval de
timp dt, atunci curentul necesar pentru modificarea sarcinii stocate n regiunile de tranzi ie va fi:
ib = dQb / dt = (dQb / dUa)*(dUa / dt); unde Cb= dQb / dUa; Ua constant.
Modelm acest proces cu o capacitate Cb pus n paralel cu Ri i numit capacitate de
barier.
C b C bo 1 Ua / Uo (pentru jonc iunea abrupt ideal)
Cbo - reprezint capacitatea de barier pentru Ua0; Cbo110pF
n general C b C bo n 1 Ua / Uo .
Aceast rela ie depinde de legea de varia ie a concentra iei impurit ilor din regiunea de tranzi ie.
3.3.3. Capacitatea de difuzie
Trecerea de la starea Ua la Ua+dUa necesit o
cretere a sarcinii de purttori minoritari n exces n
regiunile neutre.
Purttorii sunt injecta i prin regiunea de
tranzi ie i apoi nainteaz n adncul regiunilor neutre
prin difuzie.
Curen ii corespunztori varia iei sarcinilor
Fig. 3.17.a
stocate n cele dou regiuni neutre se adun.
dQ d dQ d dUa
dUa
id

Cd
dt
dt
dUa dt
Dac timpul n care a avut loc varia ia de tensiune este dt, suma curen ilor va fi:
id=dQd/dt=(dQd/dUa)*(dUa/dt) ; Cd=dQd/dUa ; dUa=ct ; Cd- capacitatea de difuzie.
C d C do exp(qUa/KT)
C d (C do Ia/Is)
Ia Is exp(qUa/KT)
Cd- la polarizri directe atinge mrimi de ordinul nF (102104pF). Cd ~ Ia.
Cdo- capacitatea de difuzie pentru Ua=0.
Exist o deosebire fizic important ntre modurile n
care se ncarc cele dou capacit i. Cea de difuzie Cd se
ncarc prin difuzia minoritarilor, deci este un proces lent.
Din aceast cauz, Cd scade cu frecven a. Capacitatea de
barier Cb se ncarc prin curentul de cmp al purttorilor
Fig. 3.17.b
majoritari; este un proces foarte rapid i nu variaz cu
frecven a.
3.3.4. Circuite echivalente pentru jonc iune la semnale mici i frecven e nalte
n regim variabil, curentul prin jonc iune e format din trei componente: iri, iCd, iCb (fig. 3.18)
rs - este rezisten a electric a zonelor neutre (~ 100 )
n func ie de polarizare, se poate simplifica modelul :
- la polarizare direct (fig. 3.19)
se neglijeaz Cb; (Cb<<Cd)
Fig. 3.18

Fig. 3.19
- la polarizarea invers (fig. 3.20)
se neglijeaz Cd i rs
Fig. 3.20

DCE - Cap.3. JONCIUNEA p-n

28

Dac ri poate fi neglijat (ex.: ntr-un circuit oscilant pp. ri ) atunci rmne doar -| |- (Cb).
3.4. TIPURI DE DIODE SEMICONDUCTOARE
3.4.1. Procedee de realizare a jonc iunii p-n. Tipuri de diode
Tipul de conductibilitate (p sau n) al unui semiconductor fiind determinat doar de
concentra ia efectiv a impurit ilor NNd-Na, el poate fi schimbat prin introducerea de impurit i
corespunztoare.
Spre exemplu, dac ntr-un cristal avnd Nd=1021atomi/m3 se introduc acceptori cu o
concentra ie mai mare Na1022atomi/m3, cristalul de tip n devine p, avnd o concentra ie efectiv de
acceptori N=(Nd-Na)=9*1021atomi/m3.
Dac impurit i de tip diferit se introduc numai ntr-o regiune a cristalului, la grani a dintre
aceasta i restul cristalului apare o jonc iune p-n.
Cea mai veche metod de realizare a unei jonc iuni este cea care a fost folosit la diodele cu
contact punctiform (subcapitolul 3.4.4). Cea mai important metod n anii '50 era metoda creterii
(la diodele redresoare cu Ge).
n prezent, pentru a schimba tipul de conductibilitate se folosesc: alierea (la Ge), difuzia
planar (ntr-un gaz de impurit i) la Si, epitaxia (realizarea semiconductorului ntr-o atmosfer de
vapori de semiconductor i impurit i) la Si. Un procedeu modern la Si este implantarea ionic.
3.4.2. Diode redresoare
3.4.2.1. Diode redresoare de uz general
Dioda semiconductoare este un dispozitiv electronic care prezint conduc ie unilateral, pe
baza unei jonc iuni p-n i dou contacte ohmice metal-semiconductor nchise ermetic ntr-o capsul.
Clasificarea diodelor dup func iile ndeplinite:
- diode redresoare (cele cu Si au practic o rezisten zero ntr-un sens i infinit n cellalt);
- diode de comuta ie (pentru frecven nalt cu impurit i Au);
- diode stabilizatoare de tensiune Zener;
- diode speciale varicap, tunel, IMPATT (Read, 1958), Gunn (1963);
- fotodiode.
Avantajele diodelor semiconductoare fa de cele cu gaz:
- n conduc ie direct cderea de tensiune e mai mic (1V fa de 3040V);
- nu necesit circuit de nclzire;
- sunt mai robuste;
- au volum mic;
- au durat mare de func ionare.
Parametrii diodelor redresoare:
- curentul mediu redresat: Io (mici: 1A; medii: zeci de A; mari: sute i mii de A);
- curent de vrf maxim admis: IVM, care poate fi: IFRM- curent direct maxim repetitiv;
IFSM- curent maxim direct accidental de suprasarcin;
- tensiunea invers maxim admis: UIM; UIM (0.5...0.8) din Ustrpungere (50...2000V);
- tensiunea invers: VR;
- tensiunea invers maxim: VRM;
- tensiunea repetitiv invers maxim: VRRM;
- tensiunea invers maxim de suprasarcin: VRSM;
- tensiunea invers maxim de lucru: VRWM;
- cderea de tensiune direct VF pentru o anumit valoare a curentului (VF = 0.8| IF = 1A);
- curentul invers pentru o anumit tensiune: IR;

DCE - Cap.3. JONCIUNEA p-n

29

- rezisten a termic ce caracterizeaz capacitatea diodei de a elimina puterea disipat spre mediul
ambiant: Rth-a ; Rth-c;
- temperatura maxim a jonc iunii: Tjmax.
To i parametrii sunt mai slabi la Ge dect la Si. Singurul avantaj la Ge este tensiunea VF care
este mai mic.
Particularit ile constructive ale diodelor semiconductoare sunt determinate de faptul c ele
lucreaz la curen i mari, deci n jonc iune apare o cantitate mare de cldur care trebuie eliminat
spre mediu. La diodele de curen i mari se utilizeaz ceramica.
Exemple: n capsul de plastic F126: 1N4001, DRD1; n sticl: 1N4148 (comuta ie) etc.
3.4.2.2. Dioda cu avalan controlat
Se realizeaz prin metoda difuziei. Pastila este sudat ntre doi electrozi de molibden ca n
figur. Pentru curen i mari se folosesc arcuri. Placheta a fost polizat nclinat pentru eliminarea
zonelor periferice i pentru crearea unei configura ii avantajoase a cmpului electric la suprafa a
jonc iunii. Astfel, cmpul electric la suprafa este mai mic dect n
interiorul volumului (deoarece tensiunea se distribuie pe o distan mai
mare la suprafa : E U / d).
Dioda poate func iona n regiunea de strpungere pn la valori
mari de curen i, cu condi ia s nu depeasc puterea maxim admis.
Sunt n general folosite pentru protec ia altor dispozitive (tiristoare).
Fig. 3.21
Codificare: D10A4 (10 amperi, 400V).
Stratul slab dopat de tip p dintre n+ i p+ confer o tensiune de
strpungere mare. Explica ia o dm pe urmtorul tip de diod.
3.4.2.3. Dioda redresoare pin
Grosimea regiunii intrinsece este mai mic dect lungimea de
difuzie (pentru a-i pstra propriet ile). n regiunea intrinsec nu
avem sarcin spa ial > un cmp constant.
Strpungerea regiunii intrinsece are loc pentru un cmp de
Ecr = 2.107 V/m la o tensiune de Ustr = W.Ecr (W l imea regiunii
intrinsece; W = 0.1mm Ustr = 2000V).
Ex. KYX30 30KV, 1mA care con ine 2 diode de 15KV.
3.4.2.4. Conectarea n serie i n paralel a diodelor
Dei exist diode cu tensiuni inverse mari, capabile s
redreseze curen i mari, apar uneori situa ii cnd trebuie folosite mai
multe diode n serie pentru a putea rezista la Umax invers, sau pentru
a asigura valoarea cerut a curentului redresat.
Fig. 3.22
n conduc ia invers apare pericolul distribuirii neuniforme a
tensiunii pe lan ul de diode generat de inegalitatea curen ilor inveri.
Pe dioda ce are curentul invers cel mai mic, va cdea tensiunea U cea mai mare, care poate
depi Uinv.max. i dioda se va strpunge. Tensiunea se redistribuie pe celelalte diode >se vor
distruge toate. Pentru evitarea acestui lucru, montm n paralel cu fiecare diod cte o rezisten de
egalizare a tensiunii inverse. Valoarea acestor rezisten e Rp se alege mult mai mic dect rezisten a
invers astfel nct divizarea tensiunii s se fac pe Rp, dar nu se pot alege valori prea mici pentru
c rezult pierderi.
Ex. PY88 se nlocuiete pentru 5KV cu 710 diode BAY159 n paralel cu R=100K.

DCE - Cap.3. JONCIUNEA p-n

30

Fig. 3.23
Obs: La diodele cu avalan controlat nu sunt necesare rezisten e de egalizare pentru c
intrarea n avalan e permis pn la curen i relativ mari.
La montarea n paralel a mai multor diode, dispersia caracteristicii inverse nu pericliteaz
func ionarea. Dar dispersia caracteristicii directe, mai ales Udesch, conduce la o reparti ie inegal a
curentului total pe diode. Neajunsul se nltur punnd n serie cu diodele cte o rezisten Rp.
Uniformizarea reparti iei e mai bun cu ct Rp e mai mare, dar randamentul scade.
3.4.3. Diode stabilizatoare de tensiune (Zener)
Aceste diode utilizeaz proprietatea jonc iunii p-n de a avea n conduc ie invers o tensiune
constant la borne, independent de valoarea curentului cnd apare fenomenul de strpungere (fig.
3.24).
La realizarea structurilor diodelor semiconductoare Zener, se
iau msuri speciale pentru ca n regiunea de strpungere curentul s se
distribuie uniform pe toat aria sec iunii > diodele Zener lucreaz
pn la curen i de putere maxim admis. Simboluri:
VZ1
Fig. 3.24

Fig. 3.25
Valoarea tensiunii Zener este determinat de nivelul doprilor: Uz 2,7...400 V.
Puteri: 0,25...50 W. rz = Ua / Ia; rz 10100 - rezisten dinamic (intern) Zener
CTUz = VZ = 1 / UzdUz / dT
n regiunea de stabilizare: Uz prezint o uoar cretere cu curentul invers (Ia).
Exemplu: PL10Z Uz =10 V => vz = 5.10-4 (C)-1; PL5V1Z (5.1V,1W capsul de plastic
F126); DZ5V1 (5.1V, 0.4W capsul de sticl).
vz poate fi micorat nseriind cu dioda Zener, una sau mai multe diode polarizate direct, la
care scade cu temperatura. Se pun toate diodele pe aceeai plcu pentru ca temperatura s nu
difere ntre ele (fig. 3.26). Ex.: ZTC33 sau circuitul integrat TAA550.
Obs: n domeniul curen ilor mici descrcarea n avalan se
amorseaz i se stinge haotic > zgomot. Tot n acest
domeniu, tensiunea variaz mult cu curentul. Nu se
recomand s se lucreze sub o anumit valoare IZT = 3...5
Fig. 3.26

DCE - Cap.3. JONCIUNEA p-n

31

mA. Se poate folosi un model echivalent pentru dioda Zener (fig. 3.27).

Fig. 3.27

Fig. 3.28

Diodele Zener se folosesc ca stabilizatoare de tensiune (fig. 3.28). Rb este rezisten a de


limitare, protec ie sau de balast. Ea se alege astfel nct dioda s lucreze n regiunea Zener pentru
ntreg domeniul de varia ie a lui Ea i Is. Curentul de sarcin Is nu poate depi n mod normal
(pentru Us Uz constant) valoarea pentru care se mai asigur IZT prin dioda Zener. I=Iz+Is;
Ea=Rb*I+Uz.
Acest stabilizator de tensiune parametric, de tip paralel (dioda Zener este paralel cu sarcina
Rs) are protec ie intrinsec la scurtcircuit d.p.d.v. al diodei Zener. Pentru Us0 rezulta Iz0. Este cel
mai greu regim de lucru pentru Rb care se dimensioneaz la puterea maxim disipat (Ea*Ea/Rb).
Pentru ca Iz < Izmax => Rb>(Eamax-Uz)/Izmax (pp. Is=0). Lipsa sarcinii (Is=0) este cel mai
greu regim de lucru pentru dioda Zener (IIz). n acest regim se verific puterea maxim disipat de
dioda Zener (Uz*I). Dac Ea crete > crete si Iz, producnd pe Rb o cretere a cderii de tensiune
aproape egal cu creterea lui Ea. Us rmne aproape constant Uz. Stabilizarea este cu att mai
bun cu ct rezisten a dinamic Zener este mai mic si Rb este mai mare. Circuitul stabilizeaz Us
i la varia ia Is. Dac Is crete (Rs scade), Iz scade, iar I va rmne aproximativ constant, ca i Us.
3.4.4. Diode cu contact punctiform
Construc ia lor actual const dintr-un cristal
semiconductor de Ge sau Si de tip n, pe suprafa a cruia se
realizeaz un contact punctiform cu un fir metalic ascu it la
vrf (fig. 3.29.).
Dup asamblarea mecanic urmeaz opera ia de
formatare a diodei: o serie de impulsuri de curent cu valori
mult peste cele nominale.
n jurul firului de wolfram, Ge i schimb tipul n p, n
urma rcirii se formeaz o jonc iune foarte mic cu
S= 10 4 mm2 i cu grosimea 10 3 mm .
Firul are rol de legtur ntre anod i Ge de tip n.
Datorit suprafe ei mici a jonc iunii, capacitatea de
barier e foarte mic > se folosesc la frecven e mari.
Rezisten a regiunii neutre e mare: sute de ohmi.
Nivelul de injec ie este mare, chiar la curen i mici. n
conduc ie invers, Irezidual este mare i are Ustrpungere mic,
pentru c Irezidual mare nseamn strpungere prin ambalare
Fig. 3.29
termic (fig. 3.30).
Utilizare: la detec ie (radio), la modula ie n faz i n amplitudine, la
schimbarea de frecven , comuta ie. Se folosesc pn la zeci de GHz, dar n
construc ie coaxial.
Ex. EFD 108,EFD 109, EFD110...
3.4.5. Diode cu capacitate variabil
Fig. 3.30

Exploateaz propriet ile jonc iunii de a se comporta la polarizare

DCE - Cap.3. JONCIUNEA p-n

32

invers ca o capacitate dependent de tensiunea aplicat. Capacitatea descrete pe msur ce


tensiunea de polarizare invers crete, deoarece regiunea de tranzi ie crete.
Cea mai important caracteristic este legea de varia ie a capacit ii de barier cu Uinv
aplicat.
unde: n= coeficient care depinde de
1
1

UA
Cb 0
constructor (n=0.5 - o diod foarte bun f

2
LC
Cb0
Cb
1
2 L
U
U a n de utilizat ntr-un circuit acordat).
(1 A ) 2
Obs: Orice diod poate lucra n
(1
)
U0
U0
aceast regiune de capacitate variabil, dar
se fac diode speciale, cu un n specific pentru anumite performan e. Printr-o
alegere corespunztoare a dopajului, se realizeaz diode speciale "varicap" care prezint o varia ie
de capacitate ntre 10pF si 2pF pentru o cretere a tensiunii inverse ntre 2V si 30V.
Ex. Se poate demonstra expresia factorului de calitate al condensatorului Cb.
Q- factorul de calitate.
Q Cbri. Q crete cu frecven a la frecven e joase.
Q 1 / Cbrs. Q scade cu frecven a la frecven e nalte.
Fig. 3.31
Simbolurile sunt prezentate n figura 3.32.
Frecven a maxim la care se pot folosi este:

km

1
100GHz
C b rs

Cb=1..10pF, iar rs poate fi sczut pn la 1 ohm.


Fig. 3.32
Utilizri: acordul automat al circuitelor oscilante (televiziune, radio) - diodele varicap; pentru
generarea de armonice la frecven e foarte nalte - diode varactor.
Ex. BB139 (domeniul VHF) , BB125 (domeniul UHF). Aceste diode varicap permit acordul
automat pe frecven a dorit (sta ia dorit).
3.4.6. Diode tunel
Dioda tunel a fost inventat de Esaki n 1958 i se folosete ca oscilator sau amplificator.
Cele dou jonc iuni sunt dopate foarte puternic: 1025 at / m3 . Atomii de impurit i
interac ioneaz ntre ei ducnd la apari ia unei benzi ce se suprapune pe banda de conduc ie i
par ial pe banda de valen (fig. 3.33). Aceste semiconductoare se numesc degenerate.

Fig. 3.33

Fig. 3.34

Cmpul din regiunea de barier este foarte mare, nct chiar n absen a polarizrii, electronii
traverseaz bariera prin efect tunel (pn la Up). Peste Up, IT scade aprnd curentul normal prin
diod. Peste Uv, curentul tunel IT nu mai exist (fig. 3.34).
Pentru utilizare se folosete zona cu ri<0.
Nu se folosete Si ci Ge, Ga-As, In-Sb.
Viteza cu care electronii traverseaz bariera prin efect tunel este foarte mare; de aceea dioda
tunel este un dispozitiv ce poate lucra la frecven e foarte nalte.
Diodele tunel sunt utilizate ca amplificatoare i generatoare de semnale sinusoidale, n
circuitele de comuta ie de mare vitez, n memoriile rapide ale calculatoarelor etc.

DCE - Cap.3. JONCIUNEA p-n

33

Simboluri:

Fig. 3.35
Dioda cu conduc ie invers (dioda backward)
Este o variant de diod tunel cu urmtoarea structur a benzilor:

Fig. 3.36

Fig. 3.37

Se utilizeaz ca detector sau mixer n domeniul microundelor.

DCE - Cap.4. REDRESOARE

33

Cap.4. REDRESOARE
4.1. REDRESOARE MONOFAZATE
4.1.1.Redresorulmonofazatmonoalternan
Avem nevoie de o surs de curent continuu, care se poate obine cu un redresor monofazat
din curent alternativ. Se numete monoalternan pentru c se redreseaz doar o alternan.

Fig. 4.1.a
Valoarea medie a lui Uin=0

Fig. 4.1.b

Valoarea efectiv pentru Uin: U ef


Valoarea maxim pentru Uin: U max

U max

2
U ef 2

Presupunem c dioda este ideal n montaj; n sens direct ea conduce i rezult Us>0; n
sens invers al curentului alternativ ea nu conduce i rezult Us=0, deci dioda redreseaz. Calculm:
T

1
1
1
1
2 Uef Uef
U
Usmed Us( t )dt ... Umax sin(t )dt Um cos(t ) Um (1 1) m

2 0
2
2
2.2
T0

0
Tensiunea alternativ se descompune n componenta continu, fundamental i armonici:
2Usmax
Usmax
Usmax
U 0

+
sin(t )

sin 2t ...U l max


Us
2
3
2
2

U1 max
U0
tensiune amplitudin ea
continua fundamenta la
Pentru a aprecia ct de apropiat este forma tensiunii redresate fa de tensiunea alternativ
U

(ct de bun este redresarea) se introduce factorul de ondulaie (zgomot): 1m 157


.
U0
2
Pentru alegerea diodei trebuie precizat tensiunea maxim aplicat pe dioda (care este Um).
O tensiune cu o form mbuntit se obine cu redresorul bialternan.
4.1.2.Redresoruldubl alternan cupunctmedian

Fig. 4.2.a
"*" indic n figura 4.2.a nceputul nfurrii.

Fig. 4.2.b

DCE - Cap.4. REDRESOARE

34

Avem dou tensiuni de intrare: Uin1 si Uin2


Umax= 2Uef
Sarcina de intrare pe RS va fi pozitiv, indiferent de alternan.
T

1
1
1
1
2Um
Usmed Us( t )dt Um sin(t )dt Um cos(t ) Um 1 1

T0
0

0
Descompunerea tensiunii Us:
Usm 2 Usm

Us

sin 2t ...

U0
U2 m
Uinv max este 2Um (este un dezavantaj), deci trebuie folosite diode pentru tensiuni mari (cel
puin 2Um), peste 2 2 220 V.
4.1.3.Redresoruldubl alternan npunte
n alternana pozitiv, cnd tensiunea are semnul din
figura 4.3, conduc D1 si D2 (polarizate direct), iar D3 si D4
sunt blocate i Us=U1n >0.
n alternana negativ conduc D4 i D3, D1 i D2 fiind
blocate i Us=-Uint >0.
Rezult Us >0 n ambele alternane.
Usmed si sunt la fel ca la redresorul dubl alternan cu
Fig. 4.3
punct median, cu diferena c Uinv max=Umax(=Um).
Usmed=200V pentru Uef=220V. Aparent se pierd 20V, dar nu se pierde nimic (1,2V0), pentru c se
msoar doi parametri diferii (o valoare medie i una efectiv) ai aceleiai tensiuni. Dac
Ualim<10V diodele nu mai pot fi considerate ideale pentru c pe ele cad 0.6V =Udeschidere scade
tensiunea redresat cu aproximativ 2UD=1,2V. La Ualim>10V se poate neglija UD.
4.2. REDRESOARE MONOFAZATECUSARCIN RC
n multe cazuri se impune ca ondulaiile Us s fie mici, acestea atenundu-se cu un
condensator pus n paralel cu sarcina.
Uintrare=Umsin(t)

Fig. 4.4.a

Fig. 4.4.b

DCE - Cap.4. REDRESOARE

35

Funcionare: Condensatorul se ncarc la valoarea maxim a tensiunii de intrare i se


descarc aproximativ exponenial pe sarcin n timpul cnd dioda e blocat.
Dioda conduce doar n intervalul t (adic n impulsuri). Amplitudinea la vrf a ondulaiei
poate s fie aproximat prin scderea tensiunii pe grupul RC pe o perioad.

T
Dac t<<T : U Um 1 exp

R sC

Presupunem
c
RsC>>T
U;
aproximm
I max T
Um T
T
c: U Um
C
C
RS C
U RS
U
Aceeai formul rezult i energetic: Q=ImT=CU
Curentul de vrf pe diod trebuie comparat cu curentul mediu repetitiv pe diod.
Presupunem c IDV este constant i c t<<T IDVt=IST. Intervalul de conducie (pentru diod)
ncepe cnd U<Umax, adic la momentul t1 i se termin aproximativ cnd se atinge Um, la
momentul t2.
T 2 U
U
2 t
Dac se dezvolt cosinusul n serie t
.
1 cos

T
Um
2
Um
Dac nlocuiesc n relaie IDVt=ISt o relaie pentru verificarea diodelor n cazul
condensatoarelor mari:
Um
I DV 2 IS
IDV = curentul de vrf al diodei; scade cu U i crete cu C.
2 U
Um
T
I DV IS
,

Pentru redresoare dubl alternan: U Um


2 U
2 RS C
mbuntirea condiiilor de lucru pentru diod.
Obs: Uinv max 2Um (reiese din figur) la redresorul monoalternan dioda trebuie s
reziste la 2 2 220 V+ o rezerv 1000V.
Mai exist i redresoare cu sarcina RLC (au i o inductan L).
4.3. REDRESOARE MONOFAZATE CU DUBLARE DE TENSIUNE

DCE - Cap.4. REDRESOARE

36

Pentru a obine Usarcin>Umax; C1=C2;


primul redresor: C1-D1, al doilea: C2-D2.
Cele dou redresoare au ca mas punctul M.
Dac au punctul B ca mas 2Um=US. Pe
noi ne intereseaz punctul B ca mas. n
alternan direct, prin D1 se ncarc C1, iar
n alternan negativ, prin D2 se ncarc C2.
Tensiunea de pe C1 se adun cu cea de pe C2
Us va fi 2Um. n prezena sarcinii, C1 i
C2 se descarc puin cu cte U vom avea
US=2Um-2U=2(Um-U).
Schema a doua folosete pentru
alimentarea cu dou tensiuni (+) (-) fa de
mas a unui circuit. Schema nu este propriuzis un dublor de tensiune, totui ntre
extremiti avem tensiune dubl. Schema
conine dou redresoare dubl alternan cu
punct median.
D1, D4, C1- reprezint primul redresor;
D2, D3, C2- reprezint al doilea redresor.
Fig. 4.5
A treia schem servete pentru
dublarea lui Um (adic se obine US=2Um) i tot de la acelai transformator se poate obine cu alt
redresor monoalternan nc o tensiune US2=Um, deoarece masa sarcinii este comun cu o ieire a
transformatorului.
Funcionare: - n alternana negativ D1 ncarc pe C1;
- n alternana pozitiv tensiunea de pe C1 se adun cu Uin C2 se ncarc la 2Um,
dar condiia este ca C2>C1.
4.4. REDRESOARE TRIFAZATE
Instalaiile mari consumatoare de curent continuu utilizeaz n special redresoare trifazate,
care prezint o serie de avantaje fa de cele monofazate: ncrcarea reelei de alimentare este mai
uniform, reducndu-se interferenele la funcionarea cu alte echipamente conectate la aceeai reea;
tensiunea redresat este mai neted, ceea ce determin eventuala utilizare a unor filtre de netezire
mai simple, factorul de utilizare al transformatorului de alimentare este mai mare, obinndu-se
pentru o putere redresat dat o reducere a gabaritului i a preului de cost.
Schemele de redresare trifazate pot fi realizate cu punct median (scheme cu 3 diode fa de
nul, punctul median) i n punte (scheme cu 6 diode sau multiplu de 6).
Alimentarea circuitelor de redresare poate fi realizat cu sau fr transformator, direct de la
reea. Utilizarea transformatorului n circuitul energetic al redresorului permite multiplicarea
numrului m de faze secundare n scopul realizrii unor performane superioare fa de cele
corespunztoare la trei faze (m=3). Primarul transformatorului poate fi conectat att n stea, ct i n
triunghi. Pentru a reduce dezechilibrele se folosete conexiunea n triunghi, evitndu-se astfel
deformarea tensiunii n secundar.
Conexiunea n punte
Reprezint n fapt, nserierea a dou scheme de redresare identice, cu punct median
alimentate de la aceeai surs de energie. Fiecare faz din secundar conduce n intervalul unei
perioade de dou ori i este parcurs de curent n ambele sensuri.

DCE - Cap.4. REDRESOARE

37
n figura 4.6 este reprezentat schema de
redresare n punte trifazat. nfurrile primare nu
au fost reprezentate, transformatorul de alimentare
putnd avea orice conexiune n primar.
Unghiul de conducie al dispozitivelor redresoare
este 2/3. ntotdeauna conduc simultan dou diode,
care au potenialul cel mai pozitiv al anodului i
respectiv cel mai negativ al catodului, n intervalul
considerat. Pentru un redresor trifazat n punte
valoarea medie a tensiunii de ieire este dublul
valorii de la un redresor trifazat n stea:

i21
i22
i23
Ls

Rs
+

Udpo=2*Udo=2*1,17*U2=2,34*U2

Conexiunile n punte nu au dezechilibru de curent


continuu pe partea secundar deoarece exist
circulaie alternativ de curent. Din acelai motiv
factorul de utilizare al transformatorului crete. Schemele de redresare n punte mai au avantajul c
pot fi alimentate direct de la reea, ns n acest caz circuitul de c.c. nu mai este izolat galvanic.
Redresoarele prezentate n acest capitol sunt realizate numai cu diode (redresoare
necomandate) i asigur la ieire o tensiune continu de valoare medie constant. Pentru o tensiune
continu la ieire reglabil se utilizeaz redresoarele semicomandate (realizate cu diode i tiristoare)
i redresoarele comandate (realizate numai cu tiristoare).
Fig. 4.6

DCE - Cap.5. CONTACTUL METAL SEMICONDUCTOR

37

Cap.5. CONTACTUL METAL SEMICONDUCTOR


5.1. GENERALITI
Contactul metal-semiconductor (m-s) este o structur fizic care intr n construcia tuturor
dispozitivelor electronice. Principala sa funcie este de a conecta diverse regiuni semiconductoare la
terminalele capsulei. n acest caz contactul trebuie s prezinte o rezisten foarte mic n ambele
sensuri de polarizare; un astfel de contact se va numi contact ohmic. Contactul metal-semiconductor
poate avea i conducie unilateral, atunci purtnd denumirea de contact redresor.
Obinerea funcionrii ohmice sau redresoare a contactului m-s se face prin alegerea
metalului, a semiconductorului sau a gradului de impurificare.
Contactele ohmice se apropie mai mult sau mai puin de contactul ideal. Industrial,
contactele ohmice pe Si se realizeaz, aproape n exclusivitate, cu aluminiu. S-a constatat
experimental c Al face contact ohmic cu siliciu tip p dac rezistivitatea acestuia este sub 10 -2
mdopare Na>1022 atomi/m3. n cazul Si tip n, contactul este ohmic numai la dopri puternice
(Na>1025 atomi/m3) i din acest motiv, naintea depunerii Al se mrete gradul de dopare n
regiunea de contact.
5.2. CONTACTUL METAL-SEMICONDUCTOR REDRESOR
Suprafaa semiconductorului reprezint o discontinuitate a structurii periodice din interiorul
monocristalului. n plus atomii de la suprafaa semiconductorului nu mai au vecini n exterior pentru
formarea legturilor covalente. Toate acestea se traduc prin apariia n banda interzis a unor nivele
energetice numite stri rapide de suprafa.
Existena strilor rapide de suprafa produce modificri n regiunea adiacent, care se traduc
prin apariia unor regiuni golite.
Pentru un semiconductor de tip n, electronii de conducie din apropierea suprafeei tind s
umple complet strile rapide de suprafa; pe msura umplerii acestora, la suprafa se acumuleaz
sarcini negative, iar n volum sarcini pozitive (ale ionilor donori). Apare astfel o regiune golit la
suprafa i un cmp electric care se opune transferului de electroni ctre suprafa. Se obine o
situaie de echilibru, n urma creia sunt umplute numai o parte dintre strile de suprafa.
n mod asemntor se formeaz o regiune golit la un semiconductor de tip p. Aici, electronii
care ocupau deja strile rapide de suprafa trec n banda de valen, unde sunt nivelele energetice
libere (echivalent cu prezena golurilor). Suprafaa semiconductorului se ncarc pozitiv, iar
volumul semiconductorului, negativ. Diagrama energetic a
suprafeei semiconductorului poate fi controlat prin diverse
n
m
l0
procedee tehnologice, de exemplu, prin realizarea unui strat
subire de oxid.
Cel mai rspndit contact m-s este realizat cu Al depus
+

pe siliciu tip n. La efectuarea contactului, electronii cu energie


mai mare din semiconductor vor trece pe nivelele libere, de
energie mai cobort, din metal; ca urmare, regiunea din metal
x
vecin suprafeei se ncarc cu o sarcin negativ (fig. 5.1).
Prin plecarea electronilor din semiconductor rmn, n
regiune vecin suprafee de contact, ioni pozitivi de impuritate
u
donoare necompensai; aceast regiune se ncarc cu o sarcin
pozitiv. La contactul metal-semiconductor apare un strat
electric dublu, deci un cmp electric.
U0
n regiunea de trecere care apare se manifest o barier
x
de potenial care poate fi modificat prin aplicarea unei tensiuni
Fig. 5.1

DCE - Cap.5. CONTACTUL METAL SEMICONDUCTOR

38

de polarizare din exterior; contactul metal-semiconductor considerat are o comportare similar unei
jonciuni pn.
La polarizarea direct (+ pe metal i pe semiconductor) crete componenta de electroni
care trece din semiconductor n metal, iar la polarizarea invers, curentul net prin contact va fi
determinat de curentul de electroni care trece din metal n semiconductor, care se menine la
valoarea de la echilibru i are o valoare mic.
5.3. DIODA METAL-SEMICONDUCTOR
Contactele redresoare stau la baza construciei diodelor metal-semiconductor, care pot fi: cu
seleniu (n anii 30), cu oxid cupros, cu Ge, cu Si. Diodele m-s cu Si se numesc i diode Schottky, i
se realizeaz ca n figura 5.2. Pe o plachet de Si n+ este crescut epitaxial un strat slab dopat de tip
n, peste care se depune un strat de aliaj argint-titan (sau aluminiu), care formeaz contact redresor
cu Si tip n. Pe regiunea n+ se realizeaz un contact ohmic pentru catod.

Fig. 5.2

Fig. 5.3. Simbolul diodei Schottky

Contactul m-s realizat se comport ca o jonciune pn+, curentul direct fiind determinat de
electronii majoritari ce trec din semiconductor n metal. n metal electronii i uniformizeaz
concentraia pe cteva straturi atomice. Injecia de goluri dinspre metal spre semiconductor este
foarte slab, ntruct regiunea p aprut prin inversiune are o concentraie mic de goluri. Practic nu
exist sarcini de purttori minoritari stocate n regiunile neutre i deci capacitatea de difuzie este
neglijabil. Timpii de comutaie pot ajunge la 100 ps.
Cderea de tensiune direct pe o diod Schottky este de numai 0,30,5V fa de 0,60,8V la
jonciunile din Si; aceast proprietate este utilizat n circuitele integrate logice rapide (tip
tranzistor-tranzistor-logic TTL-Schottky) pentru evitarea saturrii tranzistoarelor bipolare.
Principalul avantaj al diodei Schottky este posibilitatea de a lucra la frecvene foarte nalte (zeci
de GHz). De aceea ea este utilizat n detectoarele de frecven foarte nalt, n redresoarele de
putere la frecvene foarte ridicate i n circuitele integrate TTL-Schottky.

39

DCE - Cap.6. TRANZISTORUL BIPOLAR

Cap.6. TRANZISTORUL BIPOLAR


Cel mai important dispozitiv electronic este, la ora actual, tranzistorul bipolar (TB) cu
jonciuni. Acest dispozitiv a fost inventat de Shockley n 1949. Denumirea de tranzistor provine din
limba englez: TRANSFER RESISTOR, cuvinte ce desemneaz funcia de baz a dispozitivului.
Tranzistoarele se mpart n dou categorii: bipolare i unipolare. Funcionarea TB se bazeaz pe
ambele categorii de purttori: majoritari i minoritari, n timp ce tranzistoarele unipolare (sau cu
efect de cmp) funcioneaz numai pe baza purttorilor majoritari. Istoric primul TB a fost cel cu
contacte punctiforme, realizat de Bardeen i Brattain n 1948, dar nu s-a impus din cauza puterii
foarte mici. n continuare prin TB vom nelege de fapt TB cu jonciuni.
6.1. PRINCIPIUL DE FUNC IONAREALTRANZISTORULUI BIPOLAR.
SIMBOLURI.NOTA II.
Tranzistorul bipolar const dintr-un monocristal semiconductor (Si sau Ge) care prezint o
succesiune de trei regiuni distincte, regiunea din mijloc fiind dopat cu impuriti de tip diferit fa
de regiunile laterale (fig. 6.1). Regiunea central poart numele de baz (B), iar cele laterale de
emitor (E) i colector (C), dup rolul pe care l au n funcionarea tranzistorului.
p
E

n
B

n
C

Fig. 6.1

p
B

n
C

Fig. 6.2

Pe fiecare din aceste regiuni este realizat cte un contact ohmic pe care se sudeaz
conductoarele terminale. n structura TB se formeaz dou jonciuni p-n: jonciunea emitoare (JEB)
i jonciunea colectoare (JCB). n funcie de tipul conductibilitii celor trei regiuni, TB pot fi de tip
pnp sau npn.
Structura de TB prezint urmtoarele particulariti:
1. Grosimea bazei (dB) este mult mai mare dect lungimea de difuzie a purttorilor minoritari;
dB =1...10 m;
. Regiunile E i C au (de regul) grosimi mult mai mari dect lungimea de difuzie a purttorilor
minoritari;
3. Emitorul este mult mai puternic dopat dect baza;
4. Jonciunile E i C sunt plane i paralele ntre ele; de aceea toate mrimile electrice variaz n
structur numai dup perpendiculara pe jonciuni (x).
n funcionarea normal a TB, JE este polarizat direct, iar JC invers. Funcionarea TB nu
poate fi dedus, aa cum s-ar prea la prima impresie, considerndu-l echivalent cu dou jonciuni
independente. Schema echivalent cu dou diode este util doar pentru msurri cu ohmmetrul (fig.
6.). Distana ntre cele dou jonciuni fiind mic, ele se influeneaz reciproc: apare un efect numit
efect de tranzistor.
n figura 6.. se arat simbolurile utilizate pentru tranzistoarele bipolare npn i pnp.
Terminalul emitorului este pus n eviden printr-o sgeat orientat dup sensul real" (de fapt cel
convenional: de la plus la minus) al
curentului de emitor n polarizare normal
(JE polarizat direct i JC polarizat invers).
Sensurile pentru cureni i tensiuni sunt
aceleai pentru tranzistoarele bipolare pnp
ct i pentru cele npn. Curenii se consider
pozitivi cnd ntr n tranzistor i negativi n
Fig. 6.3
caz contrar. Tensiunile se msoar fa de

40

DCE - Cap.6. TRANZISTORUL BIPOLAR

unul din terminale i se noteaz cu doi indici: primul indic terminalul a crui tensiune se msoar,
iar al doilea indic terminalul luat ca referin de potenial.
ntre tranzistorul bipolar pnp i npn exist o analogie perfect. Ne vom referi n continuare la
tranzistorul bipolar pnp, ns toate rezultatele ce se vor obine sunt aplicabile i la TB npn, cu
urmtoarele precizri:
1. Se schimb toate mrimile referitoare la goluri n mrimile referitoare la electroni i invers;
. Polaritatea tensiunilor i mrimile reale ale curenilor sunt inverse. Se prezint mai jos un
tabel cu tensiunile i curenii unui TB n funcionarea normal:
pnp
npn

UEB

UCB

UCE

IE

IC

IB

+
-

+
-

Fig. 6.4
S considerm un tranzistor pnp polarizat normal. JE va fi strbtut de un curent dominant
de golurile injectate de E n B (fig. 6.4). Datorit faptului c B este subire, doar o mic parte din
golurile injectate de E n B se vor recombina cu e- majoritari din B. Cele mai multe goluri ajung
prin difuzie la JC. Aici intr sub aciunea cmpului electric din regiunea de tranziie i sunt trecute
n regiunea neutr a colectorului. Curentul de goluri ce traverseaz JC (IpC) este foarte apropiat ca
valoare de curentul injectat de E n B (IpE) i constituie componenta principal a curentului de C.
Acest efect de comand a curentului printr-o jonciune polarizat invers (JC) cu ajutorul curentului
unei jonciuni polarizate direct i plasat n apropiere (JE), se numete efect de tranzistor.
O fraciune mic din golurile injectate n B se recombin cu electronii intrai prin contactul B
dnd I de recombinare al B, Ir. IpE=IpC+Ir. JE mai este strbtut de un flux de electroni pe care B i
injecteaz n E. Notm cu Ine curentul corespunztor acestui flux, valoarea total a IE=IpE+InE. IC
este format din I de goluri ce sosesc de la E (IpC) i curentul invers al JC (ICBo) IC =-IpC+ ICBo.
Semnul minus apare datorit conveniei de semne fcut. ICBo este foarte mic, de ordinul a 1 nA la
TB cu Si i 1A la cele cu Ge, motiv pentru care de multe ori se neglijeaz. IB alimenteaz
recombinarea n B i injecia de electroni din B n E. n acelai timp n B sosesc un numr mic de
electroni: IB =-Ir-InE+InC
Efectul util n funcionarea TB l constituie comanda IC prin intermediul IE; InE- curent local,
trebuie s fie ct mai mic (din construcie). Din acest motiv, B se dopeaz mult mai slab dect E.
Pentru a aprecia msura n care curentul de goluri Ip predomin n curentul ce traverseaz JE se
utilizeaz coeficientul de injecie (sau eficiena emitorului), definit astfel: =IpE/ IE =0.99...0.998
Recombinarea golurilor n baz este un fenomen parazit pentru funcionarea tranzistorului.
Pentru ca la C s ajung ct mai multe din golurile injectate de E n B, trebuie ca grosimea B s fie
mult mai mic dect lungimea de difuzie a golurilor n baz, fenomen caracterizat de coeficientul de
transport:
T=IpE/IpC=0.99...0.998.
IpC= T IpE=T. IE = IE, unde = T
= 0.95... 0.998

DCE - Cap.6. TRANZISTORUL BIPOLAR

41

Coeficientul poart numele de coeficient de amplificare n curent E-C (coeficient de


amplificare n conexiune baz comun figura 6.7). Se poate exprima relaia dintre curenii IC i IE
astfel: IC =-IE+ICBo=-IE.
IB fiind legat de fenomene secundare este mult mai mic dect IE i IC. Mai observm c n
timp IE i IC curg n lungul structurii (perpendicular pe jonciune) iar IB curge paralel cu jonciunea.
Din acest motiv curentul de purttori majoritari din regiunea B este numit curent transversal. Cnd
tensiunea invers aplicat pe JC este foarte mare, intervine i fenomenul de multiplicare n avalan
n regiunea de tranziie caracterizat de coeficientul de multiplicare:
M=1/[1-(UCB/UCBo)n] unde UCBo este tensiunea de strpungere a JC, iar n un coeficient cuprins ntre
i 6. n domeniul tensiunilor mari = T -M i n anumite situaii poate deveni mai mare dect 1.
n majoritatea aplicaiilor, TB este comandat prin IB. Pentru astfel de aplicaii intereseaz
dependena IC (IB), care se obine nlocuind: IE =- IC - IB, n care IC = IE + ICBo =>
IC = IC + IB + ICBo; IC (1-)= IB + ICBo; IC =(/(1-)) IB +(/(1-)) ICBo; =/(1-); =/(+1)
se numete coeficient de amplificare n curent B-C sau coeficient de amplificare n
conexiune emitor comun figura 6.7.
IC = IB +(+1) ICBo; IC =- IC + ICBo. La TB obinuite, (0, 500).
Pn n prezent au fost elaborate mai multe procedee de fabricare a tranzistoarelor, rezultnd
mai multe tipuri de tranzistoare: aliate, difuzat-aliate (drift), mesa, planare, mesa epitaxiale, planar
epitaxiale etc.
6.2. TEORIA TRANZISTORULUI BIPOLARNREGIMSTA IONAR.
MODELUL STATIC EBERS-MOLL
Aceast teorie se bazeaz pe nite ipoteze simplificatoare (de ex.: jonciunile TB sunt
considerate abrupte ideale), n final rezultnd ecuaiile lui Shockley, care depind de mai muli
parametri tehnologici ai TB. Ebers i Moll au gsit o cale de determinare a ecuaiilor TB cu ajutorul
a 4 parametri msurabili experimental.
Vom considera dou regimuri de lucru ale TB: normal i inversat. n regim normal de
funcionare, pentru un TB tip pnp, UEB>0, UCB <0, rezult: IC =- IE + ICBo. ICBo este curentul
invers al jonciunii CB, cnd emitorul este n gol (circuit deschis IE =0).
S considerm acum c schimbm, ntre ele, rolurile regimurilor de E i C, cu alte cuvinte s
aplicm o tensiune direct pe JC i o tensiune invers pe JE. ntruct C nu se deosebete principial
de E, TB va funciona i n acest regim inversat. Dac pstrm aceeai convenie de semn pentru
cureni la regim normal, funcionarea inversat este descris de relaia: IE =- IC +IEbo, n care I
este coeficientul de amplificare n curent pentru regimul inversat, iar IEBo este I invers al JE cnd C
este n circuit deschis (n gol, IC =0).n aceste ecuaii pentru IC i IE se pot determina curenii prin
TB, n cele regimuri de funcionare, cunoscnd 4 parametri ce se pot msura experimental
(ICBo, IEBo). Evident IB =- IE + IC, se mai poate demonstra c IEBo = ICBo, deci cei patru
parametri nu sunt independeni.
Ecuaiile pentru orice regim de funcionare conin exponeniale pentru diodele BE i BC i
sunt cunoscute sub numele de ecuaii EbersMoll. Aceste ecuaii pot fi modelate, n
sensul TB tip pnp, n circuitul din figura
6.5.a (iar pentru npn figura 6.5.b).
IC =- IE - ICBo e (qUCB)/KT-1
IE -I IC -IEBoe (qUEB)/KT-1 (pnp)
IB =- IE - IC
n acest circuit generatoarele de I pun
n eviden efectul de tranzistor, iar cele dou
diode au caracteristici exponeniale, curenii
Fig. 6.5.a
Fig. 6.5.b
lor de saturaie fiind -ICBo i -IEBo. Semnul (-)

42

DCE - Cap.6. TRANZISTORUL BIPOLAR

este determinat de faptul c la TB pnp ICBo i IEBo sunt negativi. La TB npn, ICBo i IEBo sunt
pozitivi i observm c UEB i UCB sunt nlocuite cu -UEB i -UCB n ecuaiile Ebers-Moll. Datorit
diodelor cu caracteristic exponenial, circuitele echivalente din figura 6.5 pstreaz caracterul
neliniar al caracteristicii jonciunii p-n. Diodele pot fi modelate liniar, obinndu-se circuite mai
uor de utilizat, dar mai puin precise.
Pentru se mai folosete notaia F iar pentru notaia R.
=R=0.5...0.9
I= 1...9
= F = 0.95...0.99
Aceast diferen ntre i este datorat ariei mult mai mari a JC fa de JE (fig. 6.6),
ceea ce permite colectarea majoritii golurilor injectate de E ctre C. Atunci cnd polarizarea este
inversat, E nu poate colecta majoritatea golurilor injectate de C. Ca exemplu de utilizare a
ecuaiilor Ebers-Moll, vom determina curenii prin TB n dou cazuri:
a) baz n gol i JC polarizat invers:
IC =- IE IC =Iceo= ICBo /(1-)=(+1) ICBo
b) baz n gol i JE polarizat invers:
IE =- IC IE = Ieco = IEBo /(1-I)=(I+1) IEbo
Pentru determinarea practic a parametrilor modelului Ebers-Moll, este
Fig. 6.6
recomandabil s se determine coeficienii de amplificare n curent BC (i I), iar
i I s se calculeze cu ajutorul acestora. De asemenea, este preferabil s se msoare cu baza n
gol IECo i ICEo (care sunt mult mai mari dect IEBo i ICBo) i apoi s se calculeze IEBo i ICBo. La
toate tranzistoarele >I i ICBo >Ieco. n practic se mai folosete relaia valabil numai n regiunea
activ: IC =Ise qUBE/(kT), unde Is este curentul de saturaie al jonciunii BE.
6.3. CARACTERISTICILE STATICE ALE TRANZISTORULUI BIPOLAR
Caracteristicile statice (CS) exprim grafic legtura dintre I prin TB i U aplicate ntre
terminale, n regim static. Pentru calculul circuitelor cu TB se folosesc fie CS trasate experimental,
fie unele modele simplificate pentru TB. n aceste montaje cu TB se disting dou circuite: un circuit
de intrare, n care se aplic semnalul de prelucrat i un circuit de ieire, n care se obine semnalul
prelucrat. TB avnd numai borne, una din bornele sale trebuie s fac parte din ambele circuite.
De obicei terminalul comun se ia ca referin de potenial. Dup terminalul comun, exist
urmtoarele conexiuni posibile pentru TB:
a) baza comun (BC), n care U de polarizare se aplic nemijlocit pe cele dou jonciuni;
b) emitor comun (EC) n care JE este polarizat direct de la sursa respectiv, iar polarizarea
JC se obine ca diferen ntre potenialele C i B: UCB = UCE -UBE;
c) colector comun (CC), n care JC este polarizat direct de la surs, iar polarizarea JE se
obine ca diferen ntre E i B: UEB =UEC-UBC; (fig. 6.7)
Pentru definirea punctului de funcionare al TB (PSF) sunt necesare 4 mrimi: I la
terminalele de intrare i ieire i U ntre aceste terminale i terminalul comun. U ntre terminalul de
intrare i cel de ieire precum i I la terminalul de referin rezult din aplicarea formulelor lui
Kirchoff:
IE + IC + IB =0 i UEB +UBC+ UCE =0

Fig. 6.7
ntre cele 4 mrimi de tensiune variabil, TB impune dou relaii de legtur: ecuaiile
Ebers-Moll, deci numai dou variabile sunt independente. Dintre caracteristicile statice ce pot fi
imaginate, cele mai importante din punct de vedere practic sunt urmtoarele:

43

DCE - Cap.6. TRANZISTORUL BIPOLAR

1) caracteristicile de ieire care exprim dependena Iieire(Uieire), avnd ca parametru Iintrare (sau
Uintrare);
) caracteristicile de intrare, care exprim dependena Iintrare(Uintrare), avnd ca parametru Uieire;
) caracteristicile de transfer, care exprim dependena Iieire(I sau Uintrare), avnd ca parametru
Uieire;
4) caracteristicile de reacie, care exprim dependena Uintrare(Uieire), avnd ca parametru Iintrare.
CS difer de la o conexiune la alta, dar cunoscnd familia de CS pentru o conexiune, pot fi
uor determinate CS pentru celelalte conexiuni. Deoarece n marea majoritate a aplicaiilor TB se
utilizeaz conexiunea EC, cataloagele de TB dau numai CS pentru aceast conexiune. CS sunt la fel
pentru TB pnp i TB npn, cu excepia semnelor pentru I i U.
Se prezint caracteristicile statice de ieire pentru conexiunea baz comun (BC) (fig. 6.8.a) i
pentru conexiunea emitor comun (EC) (fig. 6.8.b).

Fig. 6.8.a
Fig. 6.8.b
Domeniul de interes practic al caracteristicilor se aduce n primul cadran. Pentru aceasta la TB
pnp pe axa U se va reprezenta -UCB, iar pe axa curenilor -IC (fig. 6.8.a,b).
tim c pentru UCB UEB IC =0. UCE = UCB - UEB =0, deci toate caracteristicile IC (UCE)
trec prin origine. Pentru -UCE <-UBE JC este polarizat direct (UCB >0) TB saturat. Apare o
nclinare a caracteristicilor, datorit creterii lui prin efect Early, adic micorarea grosimii
efective a bazei la creterea UCE .
Putem mpri planul caracteristicilor de ieire n 4 regiuni, la care corespund 4 regimuri de
funcionare: I. regiunea activ normal, unde JE e polarizat direct i JC e polarizat invers;
II. regiunea de saturaie, unde ambele jonciuni sunt polarizate direct;
III. regiunea de tiere, unde ambele jonciuni sunt polarizate invers;
IV. regiunea activ invers, JC polarizat direct, JE polarizat invers.
n mod frecvent n
cataloage se reprezint
toate cele 4 caracteristici
pe acelai grafic (fig. 6.9).

Fig. 6.9. TB pnp n


conexiune EC

44

DCE - Cap.6. TRANZISTORUL BIPOLAR

6.4. MODELE STATICE LINIARIZATE PENTRU TRANZISTOARE BIPOLARE.


EXEMPLU DE UTILIZARE A MODELELOR
Pentru calcule se aproximeaz CS prin segmente de dreapt.
Conexiunea BC
CS de intrare: segmente de dreapt:
IE =0, pentru UEB UD ca la diod i IE =( UEB - UD)/Re,
pentru UEB > UD; UD - tensiune de deschidere a JE
Re= UD IE; Re=(KT/q)(1/ IE)
Circuitul de intrare are elementele: Re, DI, UD (fig. 6.10)
Pentru circuitul de ieire IC =- IE + ICBo TB este echivalent
Fig. 6.10
cu un generator de curent model pentru regiunea activ pentru
tranzistorul bipolar pnp (valabil i pentru tiere datorit DI)
Conexiunea EC
CS de intrare: 2 segmente de
dreapt: Rb = (+1)Re sau Rb =
(KT/q)(1/ IB)
CS de ieire: IC = IB +(+1) ICBo,
ICEo=(+1) ICbo
(fig. 6.11)
nclinarea caracteristicilor de
ieire datorit efectului Early poate
fi modelat cu o conductan GCE
Fig. 6.11. TB pnp- model
TB pnp- model simplificat ntre C i E (R de ieire).
ptr. regiuneaactiv it ierepentruregiuneaactiv
Ue=UEarly (90V la Si)
RCE = (|UE|+| UCE |)/ IC
n cazul TB npn se schimb polaritatea UD i sensul de conducie al diodelor ideale. Pentru
saturaie i tiere se pot folosi modele foarte simplificate (fig. 6.1):

Fig. 6.12
Exemplu de utilizare a modelelor statice liniarizate
Figura 6.1.a reprezint circuitul de amplificator n EC cu TB npn. Modelul static liniarizat al
acestuia este n figura 6.1.b, pentru care exist o schem echivalent mult simplificat (fig. 6.1.c):

IB

Fig. 6.13.a

UBE

<<

UD

E
IB + IC
IE
Fig. 6.13.c

IC
IB
UCE

Fig. 6.13.b
Folosind modelul din figura 6.13.b (cu cele
dou ochiuri: circuitul de intrare i cel de ieire)
putem gsi dependena Uieire (n acest caz UCE) n
funcie de Uintrare. Acest model este valabil numai
att timp ct TB se afl n regiunea activ.
Modelul nu este valabil cnd Uin< UD. n acest caz
IB =0 rezult IC = IB =0; UCE=EC. Pe de alt parte
cnd Uin crete, IB crete, IC crete, UCE scade la 0,
TB intr n saturaie i din nou modelul nu mai

DCE - Cap.6. TRANZISTORUL BIPOLAR

45

este valabil. UCB nu poate s scad sub 0, sau IC nu poate depi valoarea IC max=EC/RC.
Uin =RBIB+RbIb+ UD
n regiunea activ: IB
=(Uin- UD)/(RB+Rb) cu condiia
ca Uin > UD, rezult IB crete
liniar cu Uin. Ecuaia U pentru
circuitul de ieire EC = RC IC +
UCE UCE=EC-ICRC. Dar IC=0
UCE=EC . PSF se deplaseaz pe
o dreapt, numit dreapt de
Fig. 6.14
Fig. 6.15
sarcin (fig. 6.14), reprezentat
prin tieturi: UCE =0; IC = EC / RC;
IC =0; UCE = EC;
IC = IB UCE = EC -RC(UinUD)/(RB+Rb). Cnd Uin crete UCE (Uieire) scade pn la 0 (se atinge I C saturaie) - figura 6.15.
6.5. INFLUEN ATEMPERATURIIASUPRAREGIMULUISTA IONAR AL
TRANZISTORULUI BIPOLAR

Fig. 6.16

Fig. 6.17

Cele mai importante efecte asupra regimului staionar sunt:


a) Variaia curentului rezidual de colector ICB;
b) Variaia coeficientului de amplificare n I B-C ;
c) Variaia tensiunii de deschidere UD;
a) ICB fiind Iinvers al unei jonciuni, crete cu temperatura ca n
figura 6.16. Valorile sunt date pentru tranzistoarele din Ge i Si de
mic putere. La ambele categorii de TB, ICBo se dubleaz pentru o
cretere a temperaturii cu 10C. Pentru temperaturi uzuale ICBo =0 la
Si.
b) Variaia coeficientului de amplificare n curent B-C () cu
temperatura este dat n figura 6.17. Creterea cu temperatura se
datoreaz creterii duratei de via a purttorilor n baz (B).
B crete, deoarece la creterea temperaturii se intensific
micarea de agitaie termic a centrelor de recombinare i descrete
probabilitatea capturrii purttorilor.
La creterea temperaturii o translatare n sus a
caracteristicilor de ieire IC (UCE). La TB cu Si translatarea este
cauzat practic numai de creterea n timp, pe cnd la cele cu Ge
predominant este efectul creterii ICBo.
c) U pe JE la IB =constant, descrete n valoare absolut cu
creterea T ca i n cazul jonciunii p-n cu aproximativ 2mV/C.
6.6.STR PUNGEREATRANZISTORULUI BIPOLAR

Fig. 6.18

Fig. 6.19

n esen, strpungerea TB este asemntoare cu strpungerea


jonciunii p-n, dei la TB fenomenele sunt mai complexe i depind n
foarte mare msur de circuitul n care acesta este conectat.
Str pungereaTBlaIdeEconstant conexiune BC
n domeniul UCB mari, apare multiplicarea n avalan a
purttorilor de sarcin n regiunea de tranziie a jonciunii BC, deci un
curent foarte mare CB n sens invers IB normal(fig. 6.18). UCbo la TB
normale=5000V, iar la cele speciale<000V. IC=M(-IE+ ICBo).
Strpungerea nu este distructiv atta timp ct T<Tmax admis.

46

DCE - Cap.6. TRANZISTORUL BIPOLAR

Str pungereaTBlaIdeBconstant conexiune EC.


Strpungerea are loc la o tensiune UCEo< UCBo, UCEo=(0.10.)UCBo =050V pentru TB
normale. La strpungerea TB sub IB constant particip ambele jonciuni intervenind efectul de TB
nu avem de-a face numai cu o strpungere n avalan deoarece ea are rolul de a modifica
distribuia UCE ntre cele dou jonciuni (fig. 6.19). UCEO se mai numete i tensiunedesus inere.
Altecazuridestr pungere

Fig. 6.20

TB lucreaz cu rezisten n baz, n


emitor i/sau colector. Strpungerea are loc prin
creterea EC. n acest caz variaz att IE ct i
IB, comportarea TB depinznd de RB i RE.
Creterea RB apropie regimul de lucru al TB de
situaia IB =ct, deci Ustrpungere scade, n timp ce
creterea RE constituie o apropiere de regimul IE
=ct, cnd Ustrpungere crete. Pentru EB<0, se
poate ajunge ca Ustrpungere= UCbo .
Cnd TB lucreaz n conexiunea emitor comun
cu IB=const, avem vCE=vCB+vBEvCB
multiplicarea M (aproximndvCEvCB).
Modificarea caracteristicilor are loc i fr
strpungere (M). Meninnd IB=const. nu
mai permitem evacuarea purttorilor majoritari
n B (provenii din fenomenul de multiplicare)
i astfel creterea lui IC are loc pe seama
creterii lui IE, ce duce la creterea suplimentar
a lui IC. Se poate obine o cretere nelimitat a
lui IC fr s se produc strpungerea propriuzis la jonciunea colectorului.

Str pungereaadoua(secundar )
La ridicarea caracteristicilor n regimul de
strpungere n avalan se constat c UCE scade
brusc la civa voli (fig.6.1). O explicaie ar fi
modificarea brusc a distribuiei IC, de la o
distribuie aproape uniform la o distribuie n care
ntregul IC este concentrat ntr-un canal foarte
ngust. Modificarea brusc a repartiiei curentului
este determinat de degajarea neuniform a cldurii,
datorit neomogenitilor din cristal. IC concentrat
disip putere mare ntr-un volum foarte mic n care
Fig. 6.21
temperatura crete peste temperatura de topire.
Concentraia intrinsec a purttorilor n canalul topit este foarte mare, nct va lega colectorul la
baz printr-o rezisten de valoare foarte mic. Dup anularea tensiunii, canalul topit recristalizeaz;
proprietile lui sunt complet schimbate, deci strpungerea a doua nu este reversibil, spre deosebire
de strpungerea obinuit. n urma ei apar modificri ale parametrilor electrici ai TB (, ICBo), sau
chiar TB se poate distruge, dac timpul de funcionare n regiunea strpungerii a doua este mai
ndelungat.

47

DCE - Cap.6. TRANZISTORUL BIPOLAR

6.7. REGIMUL TERMIC AL TRANZISTORULUI BIPOLAR


n timpul funcionrii dispozitivelor semiconductoare o parte din puterea electric se disip
sub form de cldur. Disiparea puterii are loc ntr-o regiune limitat a structurii semiconductoare.
La diode i TB, degajarea cldurii are loc n regiunea de tranziie a jonciunilor.
La TB tensiunea aplicat la JC este mult mai mare n regim
normal de lucru dect cea aplicat la JE, deci cea mai intens
degajare de cldur are loc la JC. Din regiunea de disipaie, cu
temperatura jonciunii Tj, cldura se propag prin conducie pn la
suportul cu temperatura Ts i la capsula cu temperatura Tc (fig.
6.). Cldura este evacuat prin convecie spre mediul ambiant Ta.
TB poate fi umplut cu un fluid electroizolant avnd
conductivitate termic bun (past siliconic = ulei siliconic cu
pulbere de alumin). Tj nu poate depi Tjmax (70-90C la Ge i
Fig. 6.22
120-200C la Si). Tj depinde de puterea disipat i de posibilitile
de evacuare a cldurii spre exterior. Se poate face o analogie ntre propagarea cldurii i conducia
electric. Echivalena dintre mrimile electrice i termice este urmtoarea:
I.
putere electric flux termic;
II.
diferena de potenial diferena de temperatur;
III.
conductivitate electric conductivitate termic;
IV.
rezistena electric rezistena termic.
Pentru un TB de mic putere modelul electric pentru regimul termic este urmtorul (fig. 6.23):

Fig. 6.23

Fig. 6.24

Fig. 6.25

Tj-Ta= Pd Rthj a ; Pdmax=(Tjmax-Ta)/Rt j-a


Ex.: La TB cu Ge: Rt,j-a=200C/W, Tjmax=85C, Ta=45C Pdmax = (85-45)/200 = 0.2 W.
Pentru scderea Rth c-a se folosesc radiatoare pentru mrirea suprafeei care schimb cldur
cu mediul ambiant. Uneori n cataloage se dau dependena Pd(Ta) din care se poate calcula Rtj-a.
Tranzistoarele de putere au colectorul sudat de suport o plac de cupru nichelat de 2 mm
grosime. Fa de radiator poate exista sau nu o folie izolatoare (fig. 6.5).
Rt j-c=2C/W ; Rtc-a=40C/W ; Fr radiator: Pda(Ge)=1-2W ; Pda(Si)=2-5W
Pentru calculul radiatorului pornind de la Rthr exist multe formule empirice.
6.8. CIRCUITE DE POLARIZARE PENTRU TRANZISTOARE BIPOLARE
Pentru a realiza amplificarea de semnal folosind tranzistorul bipolar este necesar ca un
circuit exterior s polarizeze tranzistorul bipolar n regiunea activ. PSF poate fi ales numai ntr-o
anumit regiune permis a caracteristicilor de ieire. Aceast regiune este determinat de limitrile
de U, I i Pda ale TB precum i de neliniaritile pronunate ale caracteristicilor sale. Pentru fiecare
caz concret se alege un punct optim de funcionare n regiunea permis. Circuitul de polarizare
trebuie s asigure funcionarea n PSF, ct mai independent de temperatur, dispersia tehnologic a

48

DCE - Cap.6. TRANZISTORUL BIPOLAR

TB, variaiile tensiunii de alimentare etc. Este preferabil utilizarea unei singure surse de alimentare
pentru polarizarea corect a ambelor jonciuni.
6.8.1. Circuit de polarizare simplu pentru conexiunea EC
Cnd TB este utilizat ca amplificator n conexiune EC, B i C trebuie polarizate n acelai
sens fa de E (luat ca referin): negative n cazul TB pnp i pozitive n cazul TB npn. Aceasta
permite utilizarea unei singure surse de polarizare, ca n figura 6.26.

Fig. 6.26
La acest amplificator semnalul se aplic pe baz printr-un condensator i se culege de pe
colector tot printr-un condensator. Aceste condensatoare reprezint ntreruperi pentru curentul
continuu, nct generatorul de semnal Ug i sarcina Rs nu intervin n regimul staionar al etajului.
Folosind modelul static liniarizat (de semnal mare; curent continuu) avem:
EC = RB IB + UBE UBE = UD; Rb<<RB; Rb 0
IB =( EC - UBE)/ Rb
Dac EC >> UBE IB EC / RB; IC IB EC / RB.
EC = RC IC + UCE
RB =( EC - UD)/( IC -(+1) ICBo)( EC - UD)/ IC EC / IC
Se poate stabili PSF grafic sau cu ajutorul modelelor liniarizate. Dac nu se neglijeaz ICBo
rezult IC =( EC - UD)/ RB +(+1) ICBo; pentru proiectare se tiu de obicei EC, , UD, PSF(IC, UCE),
ICBo.
Exemple:
1) S se dimensioneze Rb i RC pentru un TB npn din Si, avnd la 25C =100, UD =0.6V,
ca s funcioneze n PSF: IC =mA i UCE =5V. Se dau EC =10V i ICBo =0.1nA (se poate neglija).
RC =( EC - UCE)/ IC =2.5k
RB =( EC - UD)/ IB =( EC - UD)/ IC =470k
S urmrim ce se ntmpl cu PSF dac temperatura crete la 15C.
CI=0.1(C)-1 ; To=25C ; ICBo (T)= ICBo (To)2CI (T-To) ; C=0.01(C)-1 ; (T)=(To)[1+C(T-To)]
ICBo =0.1210=0.110240.1A0 ; Iceo=(+1) ICBo 20A0 ; 200
ICBo se dubleaz la creterea temperaturii cu 10C.
se dubleaz la Si la creterea temperaturii cu 100C.
UD scade cu 2mV/C; UD (125C)=0.6210-3100=0.4V. UD (T)= UD (To)+Cv(T-To);
Cv=-2mV/C.
Deci IB rmne aproximativ constant.
IC (125C)= IB =(UC- UD)/ RB =200(10-0.4)/470=4mA
UCE (125C)= EC - RC IC =10-10=0V
Dac temperatura crete peste 15C, crete peste 00. Dac schimbm tranzistorul cu
altul cu >200, IC calculat va fi mai mare de 4mA, iar UCE <0, ceea ce e imposibil, deci modelul nu
e valabil, tranzistorul nu mai este n regiunea activ normal, IC este mai mare dac se ine cont i
de ICBo .
Tranzistoarele de acelai tip prezint o anumit dispersie a lui n jurul valorii medii.
Ex.: BD135: =4050 ; BC107: =15500

DCE - Cap.6. TRANZISTORUL BIPOLAR

49

Pentru un circuit dimensionat, TB cu =max va intra n saturaie iar cel cu =min va lucra
aproape de regiunea de tiere. Condiia de saturaie este IB > IC /.
2) Vom relua problema precedent (dimensionarea Rb i RC) pentru un TB pnp cu Ge care
la 25C are =100, UD = -0.25V, ICBo =-1A. Se dau EC =-10V i PSF la 5C: IC =-2mA, UCE =5V.
Cu ICBo RC =2.5k; Rb =510k. Presupunem c temperatura crete la 75C, se
dubleaz (=200), UD scade cu 2mV/C, UD (75C)=-0.15V; ICBo (75C)=-10-625=-32A;
IC(75C)=10.5mA; Iceo (75C)=(+1) ICBo =-32200=-6.4mA; UCE (75C)=16.2V i-a schimbat
semnul PSF a intrat n regiunea de saturaie UCE (75C)0V modelul nu mai e valabil IC
(75C) EC / RC; IC =-4mA.
Din aceste dou exemple putem trage concluziile urmtoare:
a) PSF e mai puternic afectat de variaia temperaturii la tranzistorul cu Ge dect la cel cu Si;
b) Pentru IB =ct, la tranzistorul cu Si, efectul care predomin la creterea temperaturii l
constituie creterea lui , iar la cele cu Ge predomin creterea lui ICBo, implicit i a lui Iceo;
c) Meninerea lui IB =ct pe care o realizeaz acest circuit simplu de polarizare nu asigur
stabilitatea PSF circuitul nu poate fi utilizat dect la temperaturi aproape constante i la puteri
disipate mici.
3) TB npn din Si cu EC =12V, RC =6.8k, Rb =1.3M, To=25C, UD =0.5V, =100,
ICBo =0.1nA
To=25C: IC =0.877mA, UCE =6.037V
T1=75C: UD =0.5V, =150, ICBo =3.2nA, ICEo=0.4832A, IC =1.327mA, UCE =2.97V
T2=125C: UD =0.4V, ICBo =0.1A, =200, ICEo =0.02mA, IC calc=1.805mA,
UCE calc= -0.275V PSF a intrat n regiunea de saturaie. UCE real=0V, IC real=1.765mA
4) TB npn din Ge cu EC =12V, RC =6.8k, Rb =1.3M, To=25C, UD =0.25V,
ICBo =0.001mA, T1=75C.
To=25C: IC =1.005mA, UCE =5.167V
T1=75C: UD =0.15V, =200, ICBo =32A, Iceo calc=6.43mA, IC calc=8.25A, UCE calc=-44V
PSF a intrat n regiunea de saturaie. UCE real=0V, IC real=1.765mA
6.8.2. Procedee de stabilizare a PSF
1) Procedee liniare - utilizeaz n circuitul de polarizare elemente liniare (rezistoare).
Datorit configuraiei circuitului, PSF depinde n mic msur de TB.
2) Procedee neliniare (de compensare) - compenseaz variaia parametrilor tranzistorului cu
temperatura, folosind elemente cu caracteristici dependente de temperatur (termistoare, diode).
Obs: Procedeele liniare realizeaz stabilizarea att la variaia temperaturii ct i la dispersia
de fabricaie a caracteristicilor TB. Procedeele neliniare nu realizeaz stabilizarea n raport cu
dispersia de fabricaie a caracteristicilor tranzistorului; n plus cer o reglare minuioas.
6.8.2.1. Procedee liniare
1) Stabilizare cu rezistor serie n emitor
Efectul stabilizator al acestui rezistor poate fi explicat astfel:
La creterea temperaturii, IC (IE) tind s creasc att datorit creterii lui ct i a lui ICBo,
precum i a scderii lui UBE (fig. 6.27a).
Ue=Ure= RE IC (cderea de tensiune pe RE)
IB scade, nu mai rmne constant: IB =( EC UBE U)/ RB =[ EC UD RE( IC + IB)]/ RB
Datorit scderii lui IB, IC scade, compensnd o parte din creterea cauzat de variaiile lui ,
ICBo i UD. Avem de-a face cu o reacie negativ serie-serie.

50

DCE - Cap.6. TRANZISTORUL BIPOLAR

Fig. 6.27
Obs: Acest montaj, fr Ce, cu ieire din emitor se numete amplificator cu sarcin distribuit
sau amplificator defazor. Etajul va scoate dou semnale defazate ntre ele cu 180.
Re intervine i n regimul de semnal. Componenta de semnal a curentului de emitor -iE=iB+iC
d o cdere de tensiune pe Re care se opune tensiunii de intrare UBE =Uin Re(iB+iC), ceea ce
determin o scdere a amplificrii de tensiune. Pentru a remedia acest neajuns, se monteaz C e n
paralel cu Re, Ce se ia de valoare mare astfel nct la frecvena semnalului s reprezinte un
scurtcircuit: Xc=1/CE << Re. n practic Ce (10...100)/(2fRe).
n semnal, emitorul va fi la mas, ca i cum n-ar mai fi Re. Prin Re trece componenta
continu a IE, iar prin Ce componenta variabil (-iE=iC+iB).
2) Stabilizare cu divizor rezistiv n baz
Acesta este cel mai utilizat circuit de polarizare a TB. mbuntirea rezult mai clar
nlocuind divizorul din baz conform teoremei generatorului echivalent de tensiune (HelmholzThvenin) cu un generator echivalent de tensiune: Eb = EC RB2/(RB1+RB2), n serie cu o rezisten
echivalent RB =RB1RB2/(RB1+RB2),
IB =[ Eb - UBE -RE(IC + IB)]/ Rb (fig. 6.7.c i d).
Avnd n vedere c Eb < EC aceeai variaie a curentului de emitor - IE = IB + IC
determin n montajul cu divizor n baz o variaie relativ mai mare a lui IB, deci va putea fi
compensat o mai mare parte din creterea lui IC cauzat de creterea temperaturii. Alt avantaj al
divizorului se observ la proiectare, unde libertatea este mai mare datorit introducerii unor
elemente suplimentare (Rb2).
Exemple
1) TB npn din SI; considerm montajul din figura b) n care: RC =6.8k; Rb1=24k;
Rb2=8.2k; RE=2.7k; EC =12V; To=25C; =100; UD =0.7V; ICBo =0.1nA. Se cere PSF (IC, UCE)
i comportarea la T=15C.
Eb - UD = Rb IB + RE ( IC + IB); dar IC = IB +(+1) ICBo IB =[ IC (+1) ICBo]/;
nlocuind IB se obine:
IC =( Eb UD)/[ Rb +(+1) RE]+( Rb + RE)(+1) ICBo /[ Rb +(+1) RE]
Dac (+1) RE >> Rb IC ( Eb UD)/ RE; UCE = EC ( RC + RE) IC.
Dac Eb >> UD IC Eb / RE deci independent de , UD, ICBo.
IC max= EC /( RC + RE)=1.26mA

DCE - Cap.6. TRANZISTORUL BIPOLAR

51

Pentru PSF: Eb =3.06V, Rb =6.1k; IC =0.846mA; UCE = EC ( RC + RE) IC =3.95V.


Dac temperatura crete la 15C =200; UD =0.5V; ICBo l neglijm;
IC (125C)=0.95mA (crete cu 10); UCE (125C)=3.15V.
Circuitul se comport foarte bine la variaia lui , dar mai puin bine la variaia lui UD.
Se poate relua exemplul pentru un TB npn din Ge (To=25C, IC =1.01mA, UCE =2.38V;
T=75C IC =1.162mA, UCE =0.943V, UD =0V, =200) observndu-se influena puternic a lui
ICBo la creterea temperaturii (ICBo =0.032mA).
Pentru proiectare se alege o valoare IC RE =(0.10.3) EC =24V, deci va rezulta Eb > UD.
Ure trebuie s nu fie o pierdere prea mare din EC. Apoi se adopt Rb 10 RE, suficient de mic
pentru o stabilizare la variaia lui i n acelai timp destul de mare fa de rezistena de intrare a
TB, ca s evite untarea intrrii la mas pentru Uintrare (pentru un divizor corect dimensionat ar
trebui ca Idiv10 IB). Apoi se calculeaz Eb, Rb1, Rb2, RC.
Ex.: Pentru un TB de Si npn cu EC =12V, RC =5.8k, Rb1=33k, Rb2=10k, RE =2.7k,
UD =0.6V, =100, ICBo =0.1nA, se obin Eb =2.79V, Rb =7.67k, IC =0.781mA, UCE =4.556V la
To=25C, iar la T=125C IC =0.869A, UD =0.4V, =200, ICBo =0.1A, Iceo =0.02mA, UCE =3.73V.
Pentru Ge npn cu UD =0.25V, ICBo =0.001mA se obin IC =0.91mA, UCE =3.33V la T=25C
i UD=0.15V, =200, ICBo =32A, Iceo =6.43mA, IC =1.08mA, UCE =1.717V la T=75C; datorit
divizorului Rb1, Rb2, mare parte din ICBo trece prin Rb2 la mas i deci ICBo real< ICBo calculat.
2) S proiectm reeaua de polarizare a unui TB cu Si cu =60, UD =0.6V, n PSF IC =4mA,
UCE=4V, EC =12V. Alegem IC RE =4V RE =1k. Adoptm Rb =10 RE =10k Eb =5.33V,
Rb1=22.5k, Rb2=18k, RC =1k.
Pentru =100, UD =0.6V, IC =2mA, UCE =5V, EC =1V se adopt IC RE =2U RE =1k,
Rb=(10...100) RE 30k.
3) Stabilizare cu rezistena ntre baz i colector
Pierderea de tensiune continu pe RE constituie un dezavantaj important cnd TB lucreaz la
nivele mari de putere. n astfel de cazuri stabilizarea PSF poate fi realizat polariznd baza cu un
rezistor conectat ntre colector i baz ca n figura 6.8.
IB =( UCE - UBE)/RBC
IC crete odat cu creterea temperaturii.
UCE = EC - RC ( IC + IB)
UCE scade, IB scade i se compenseaz parial
creterea lui IC cu temperatura. Aceast reacie se
numete paralel-paralel. Fr Cb ea intervine i n
regimul de semnal micornd amplificarea.
Pentru creterea amplificrii rezistena Rbc se
divide n dou i se monteaz Cb care se conecteaz la
mas. Se impune condiia ca 1/(Cb)<<Rbc'; el nltur
Fig. 6.28
reacia negativ n regimul de semnal.
Pentru proiectare, cunoscnd PSF Rbc UCE / IC.
Uneori se folosesc circuite de polarizare care utilizeaz, n
vederea stabilizrii PSF, un rezistor serie n emitor, baza
fiind polarizat printr-un divizor de tensiune conectat ntre
colector i mas ca n figura 6.9.
n aceast schem, reacia serie i reacia paralel se
completeaz reciproc. Se poate realiza o stabilizare bun
pentru valori mici ale lui RE, ceea ce constituie un avantaj
n cazul cnd TB lucreaz la nivele mari de putere.
Fig. 6.29

52

DCE - Cap.6. TRANZISTORUL BIPOLAR

6.8.2.2. Procedee neliniare (de compensare)


1) Compensarea variaiei UBE (tensiunii de deschidere) cu temperatura

Fig. 6.30.a
Fig. 6.30.b
Fig. 6.30.c
Pentru montajul a, Rb se alege astfel nct Idiv=10 IB ct; tensiunea pe diod scade cu
temperatura exact ca tensiunea de deschidere a tranzistorului (dac tranzistorul i dioda au aceeai
temperatur).
Datorit impedanei foarte mici a diodei, nu se poate introduce tensiunea de intrare pe diod i
de aceea este introdus printr-un transformator de cuplaj sau printr-un condensator de cuplaj (Cin),
Rb fiind de ordinul ctorva k. Alt variant pentru compensarea UBE cu temperatura este
prezentat n figura 6.0.c.
2) Compensarea creterii ICBo cu temperatura
Se poate face cu o diod polarizat invers. Fr diod,
ICBo se nchide prin Rb i jonciunea baz-emitor a
tranzistorului, fiind amplificat, IC = Iceo =(+1) ICBo (cu baza n
gol) - figura 6.31.
Dac se alege o diod avnd curentul invers egal cu ICBo,
Iinv= ICBo, ICBo se nchide prin diod i nu mai este amplificat de
tranzistor.
3) O compensare termic mai general se poate realiza
introducnd un termistor care polarizeaz baza.
n cazul acesta se folosete un termistor cu coeficient negativ de temperatur, adic
rezistena lui scade cu creterea temperaturii (fig. 6..b).
Termistoarele sunt componente pasive realizate din oxizi semiconductori. Termistoarele cu
coeficient negativ se noteaz NTC; cele cu coeficient pozitiv se noteaz PTC (rezistena lor crete
cu creterea temperaturii). Un termistor PTC se poate monta n loc de Rb1.
Pentru NTC, la creterea temperaturii Rth, UBE i IB scad scade i IC compensnd creterea
lui IC datorit creterii To.
RE are o valoare foarte mic fa de circuitele anterioare, dar se ntmpl n practic s nu
avem ntotdeauna termistorul cu caracteristicile care ne trebuie. De aceea se monteaz rezistene n
Fig. 6.31

Fig. 6.32

DCE - Cap.6. TRANZISTORUL BIPOLAR

53

serie sau paralel pentru a obine o anumit lege de variaie a rezistenei cu temperatura (fig. 6.32.b).
Termistorul trebuie s fie n contact termic bun cu tranzistorul.
6.8.3.PolarizareatranzistoruluibipolarnconexiunileBCiCC
Pentru conexiunea BC se utilizeaz acelai circuit de polarizare ca i pentru conexiunea EC,
dar cu baza scurtcircuitat la mas (printr-un condensator Cb), pentru frecvenele de lucru. n acest
caz, nu se mai pune Ce n paralel cu RE.

Fig. 6.33
Pentru conexiunea CC se utilizeaz al doilea circuit; se mai numete i repetor pe emitor.
Sarcina o constituie RE n paralel cu Rs. Fr RC, colectorul se afl la mas pentru semnal.
Datorit lui RE, acest montaj are o stabilitate satisfctor de bun pentru orice R b, astfel c
se poate renuna la divizorul din baz, respectiv la Rb2.
6.9. TRANZISTORUL BIPOLAR N REGIM DINAMIC DE SEMNAL MIC
Pentru regimul staionar au fost folosite circuite echivalente Ebers-Moll sau modele
liniarizate de semnal mare valabile n cazul regimului cvasistaionar. Circuitele de regim staionar
nu in seama de variaia sarcinii stocate n tranzistorul bipolar i de aceea ele devin inexacte la
frecvene nalte. Frecvena de lucru a acestor modele o numim frecven joas i depinde de tipul
TB (cca.10Khz la Ge i cca. 1Mhz la Si).
Pentru a deduce modele valabile la frecvene nalte (regim dinamic), trebuie s inem seama
i de purttorii minoritari aflai n exces n regiunea neutr a bazei.
Modelele de regim dinamic pot fi mprite n dou categorii:
1. Modele de semnal mare
2. Modele de semnal mic
1.a) Un prim model de semnal mare poate fi dedus pornind de la ecuaiile Ebers-Moll n
regim sinusoidal.
1.b) Un alt model de semnal mare este cel al controlului prin sarcin. La acest model se
ajunge exprimnd toi curenii prin TB funcie de sarcina de purttori minoritari din baz.
2.a) O prim cale de obinere a modelelor de semnal mic const n liniarizarea n jurul unui
punct a relaiilor de funcionare dintre variabilele la borne deduse prin primul model de semnal
mare (1.a).
.b) O cale mai simpl pentru obinerea modelelor de semnal mic pornete de la legile fizice
care guverneaz procesele din TB.
Modelele obinute pe aceste dou ci se numesc ''circuite echivalente naturale'', ntruct
elementele ce intervin sunt corelate direct cu procesele fizice din TB (circuitul echivalent natural hibrid).
.c) O a treia cale de obinere a unor modele de semnal mic const n a privi TB ca pe un
cuadripol; circuitele respective se numesc "circuite echivalente de cuadripol". Elementele ce
intervin n aceste circuite nu sunt corelate direct cu procesele fizice din TB, dar prezint avantajul
de a putea fi msurate cu uurin experimental (circuitul echivalent h).

54

DCE - Cap.6. TRANZISTORUL BIPOLAR

6.9.1. Circuitul echivalent natural -hibrid

Fig. 6.34
Ic

n circuitele care funcioneaz la semnale


mari, TB lucreaz de obicei n regiunea activ
normal: JE polarizat direct i JC invers. Acest
circuit echivalent (numit i circuit echivalent
Giacoletto) a fost dedus numai pentru acest
regim de lucru (fig. 6.34). El este valabil pentru
toate cele 3 conexiuni ale TB, att pentru pnp ct
i npn.
Mrimea gm are dimensiunea de
conductan i poart denumirile: conductan
mutual, transconductan sau pant.

Ic
g
Ic
40 Ic (amplificarea)
Ut KT
0.025
T=300K, IC =1mA gm=4010-3-1=40(k)-1=40mS
300
T300K g m (T) 40
Ic(T)
273 To( C)
Mrimea gb'e (notat i g) este numit conductan de intrare, de semnal mic. gb'e=gm/
Pentru IC =1mA, gb'e este cuprins ntre 10-4 i 510-3-1.
rb'e=2...10k=r=rezistena de intrare de semnal mic=/gm
Mrimea rbb' (notat i rx) este rezistena dintre contactul ohmic al bazei (b) i centrul
regiunii active a bazei (b') numit baz intrinsec. Aceast rezisten numit rezisten de baz, are
valori cuprinse ntre civa ohmi i 100 ohmi. Din tensiunea aflat ntre b i e numai partea care se
repartizeaz ntre b' i e (Ub'e) are efect de comand asupra IC. De aceea generatorul de curent a fost
exprimat funcie de Ub'e. Cb'e (notat i C) este capacitatea de intrare, ce este format dintr-o
capacitate de barier i una de difuzie.
Cb'e=Cd+C bar,b'e; Cd=capacitate de difuzie sau capacitate de ncrcare a bazei. Pentru IC
=1mA, Cd(5...200pF), C bar,b'e i Cb'c (sau C) modeleaz capacitile de barier ale jonciunilor i
sunt de ordinul 1...10pF.
Conductanele gb'c i gce iau n considerare reacia intern a TB cauzat de variaia grosimii
efective a bazei (efectul Early) funcie de UCB; Rieire=(Ue+ UCE )/ IC =10...100k,
Ue=90V la Si, gce=10-5...10-4-1, gb'c=10-7...10-6-1, Rreacie=rb'c=1...10M.
n cele mai multe aplicaii efectul acestor conductane poate fi neglijat. Dac mai neglijm i
alte elemente, obinem circuitul echivalent de semnal mic, simplificat, pentru frecvene joase
(fig.6.5). El necesit numai cunoaterea IC i .
gm=40 IC , g=gm/ (sau rbe=r=1/g=/gm)
La frecvene nalte cea mai mare importan o are C.
Parametrii -hibrizi variaz cu PSF i cu temperatura. n
cataloage se dau curbe tipice de variaie a lor.
gm

6.9.2. Exemple de utilizare a circuitului -hibrid


Fig. 6.35

Exemplul 1
Vom examina funcionarea n joas frecven a
montajului tipic de amplificator cu TB n conexiune EC.

DCE - Cap.6. TRANZISTORUL BIPOLAR

55

Fig. 6.36
Rb =Rb1||Rb2=7.67k, Rg=1k, R's= Rs || RC =3.4k, Re=2.7k
Se cunosc: =100, rbb'=50?, IC =0.781mA.
Se folosete modelul de semnal mic i joas frecven simplificat. Condensatorul Ce
constituie un scurtcircuit pentru semnal, astfel c emitorul TB este pus la mas. n semnal reactana
Xce=1/(Ce)<<Re. Relaia practic pentru proiectarea unui condensator este Ce(10..100)/(2fRe).
RC apare legat ntre C i E, deoarece EC constituie un scurtcircuit pentru semnal. Sarcina
util este Rs (spre exemplu, constnd din rezistena de intrare a unui etaj similar). La frecvena de
lucru, Cs reprezint un scurtcircuit, nct Rs apare n paralel cu RC. S-a notat cu R's rezistena de
sarcin efectiv: R's= RC || Rs. ntre B i E intervine Rb =Rb1||Rb2 n paralel cu generatorul de
semnal. Capacitatea de cuplaj Cb este un scurtcircuit pentru semnal.
Calculm: gm=400.78110-3=31.210-3-1, rbe=rb'e=/gm=3.2k (T=300K)
Amplificarea n curent a tranzistorului este: Ai= IC / IB ==100.
Se definete uneori o amplificare n curent a etajului fa de generator: Aic= IC /Ig= IC / IB
IB /Ig=
= Rb /( Rb +rbc)=70.56 (s-a folosit formula generatorului de curent: IB =Ig Rb /( Rb +rbc)).
Amplificarea real pe Rs este Aig=Iies/Ig=Iies/ IC IC / IB IB / Ig =Aic RC /( RC + Rs)=35.28 (sa folosit Iies= IC RC /( RC + Rs)).
Amplificarea n tensiune este de asemenea caracterizat prin coeficieni:
- amplificarea n tensiune a tranzistorului Au=Uies/Uin
- amplificarea n tensiune a etajului Aug=Uies/Ug
Calculm mrimile ajuttoare Uies=- IC R's=-gmR's UBE =- IB R's i Uin =rbe IB i rezult
Au=Uies/Uin=-R's/rbe=-gmR's=-106.26 (semnul (-) arat c tensiunile de intrare i ieire sunt
n antifaz, amplificator inversor).
Pentru Aug calculm RinT=Uin/ IB =rbe=3.2k, Rin=RinT || Rb =2.258k i cu formula
divizorului de tensiune Uin= Ug Rin/(Rg+Rin).
Aug = Uies / Uin Uin /Ug= Au Rin/(Rg+Rin)=-73.65
Rezistena de ieire a TB este infinit, cci la ieire avem un generator de curent constant.
Pentru Rs, amplificatorul este echivalent cu o
surs de tensiune Aug Ug (sau Au Uin) n serie
cu RC; deci R de ieire a etajului este RC.
Neglijnd rbb' ntr-o schem fr Rs
rezult: Au= Uies / Uin =- RC /rbe=-gm RC =-40
IC RC =-40URc cderea de tensiune pe RC fiind
foarte uor de msurat.
Exemplul 2
Vom urmri influena pe care o are asupra
amplificrii o rezisten de emitor nedecuplat cu
condensator (fig. 6.37).
Fig. 6.37

56

DCE - Cap.6. TRANZISTORUL BIPOLAR

Uin = IB rbe+( IB + IC)Re, IC = IB Uin = IB [rbe+(1+)Re]


Rezistena de intrare a etajului este Rin T= Uin / IB =rbe+(1+)Re=275k, deci mare fa de
exemplul 1. Rin = Rin T|| Rb =7.46k, deci divizorul a micorat mult Rin.
Uie =-R's IB, Uin = Rin T IB, Au =Uie/ Uin =-R's/ Rin T=R's/[rbe+(1+)Re]=-1.23
Deoarece 100 iar Re este de ordinul lui rbe Au -R's/[(1+)Re]-R's/Re = -1.259 -1.23.
Aproximaia nu este valabil dac Re este mai mic de 100.
Rc
Rb
Aug = Uie / Uin = Au Rin/(Rg+ Rin)=-1.087, Aig=Iie/Ig=
=1.5, mic din

Rc Rs Rb Rin T
cauza valorii prea mici a lui Rb.
Exemplul 3
Studiem funcionarea etajului CC (colector comun, repetor pe emitor).
Etajul are sarcina n emitor Rs =10k (fig. 6.38).

Fig. 6.38
Uin = IB rbe+( IB + IC)R's= IB [rbe+(1+)R's], Uies =(1+) IB R's
Rin T= Uin / IB =rbe+(1+)R's=217.9k, Rin = RinT || Rb =7.41k
Au = Uies / Uin =(1+)R's/ Rin TR's/R's=10.985, Aug = Au Rin /( Rin +Rg)=0.868
Rb
Re
Ai= IC / IB =-(+1)=-101, Aig=Iies/ Ig =-(+1)
=-0.7 (foarte mic deoarece

Rb Rin T Re Rs
Rb mic)
Repetorul pe emitor amplific doar curentul i nu tensiunea de intrare. El are impedana
mare dac divizorul de intrare are valoare mare. Pentru rezistena de sarcin Rs ntregul etaj poate fi
nlocuit cu echivalentul Thvenin: un generator de tensiune (Uie = Au Uin = Aug Ug) n serie cu
Rie.

Fig. 6.39
Formula Ries o putem gsi determinnd curentul de test (It) care ar fi absorbit la bornele de
ieire cnd sarcina Rs ar fi nlocuit cu o surs de tensiune Ut n ipoteza pasivizrii intrrii (Ug =0).
Intrarea se pasivizeaz astfel: dac este un generator de tensiune se scurtcircuiteaz, iar dac este un
generator de curent se ndeprteaz.

57

DCE - Cap.6. TRANZISTORUL BIPOLAR

UBE =- Ut rbe/(rbe+Rg), It=Ut/Re+ Ut /(rbe+R'g)- gm UBE = Ut /Re+ Ut /(rbe+Rg)+rbe Ut gm


/(rbe+R'g)
1
1 1 rbe g m
, unde rbe gm =

Ries Re rbe R'g


rbe R' g rbe R' g
1
1
1

Ries Re

||
1
1
Ries Re rbe R' g
kW

100W

Ries=10..100
Dac sursa de semnal are rezistena Rg foarte mic atunci Riesrbe/(1+)1/ gm.
Repetorul pe emitor se folosete pentru Zin mare, Zies mic sau ca amplificator de curent.
Exemplul 4
Pentru etajul BC (baz comun) reprezentrile clasice sunt cele din figurile 6.40.c, d.

Fig. 6.40

Uin =-rbe IB, Uie =-R's IB


Iin= Iie =-(1+) IB
Au = Uies / Uin =R's/rb'e= gm R's=106
Rin T= Uin /Iin=rbe/(1+)rbc/=1/gm=31.67 (mic), Rin = Rin ||Re=31.55 Rin T
Aug = Uies / Ug = Uies / Uin Uin / Ug = Au Rin /( Rin +Rg)=.5, foarte mic deoarece Rin mic
fa de Rg. Trebuie micorat Rg la civa ohmi.
Ai= Iie /Iint= IC / IE =-/(+1)=--1 (=0.99)
Rc
Re
Aig= Iie /Ig= Iie / IC IC / IE IE / Ig =-
- RC /( RC + Rs)=-0.489

Rc Rs Re Rin T
n conexiune BC, TB amplific doar tensiunea (dac Rg este mic), are impedana de intrare
foarte mic (comparabil cu impedana de ieire a repetorului pe emitor, la care poate fi ataat la
intrare) i se folosete de obicei la nalt frecven.
Utilizarea etajelor cu tranzistoare bipolare:
Dac se compar cele conexiuni se pot trage nite concluzii pe care le prezentm sub form
de tabel:

58

DCE - Cap.6. TRANZISTORUL BIPOLAR

Conex
Rin
EC
mic
CC
mare
BC
f. mic

Rie
mare
mic
mare

Ai
mare
mare
mic =1

Au
mare
mic =1
f. mare

Ap
f. mare
mare
mare

Frecvena de lucru
mic
f. mare
mare

Cel mai utilizat etaj este EC, datorit amplificrii mari n U i I i deci n putere. Acest etaj se
comport bine i n cazul cuplrii mai multor etaje, datorit posibilitii adaptrii impendanelor.
Etajul BC se folosete la frecvene nalte ca amplificator de tensiune. Etajul CC se folosete ca
amplificator de curent i ca etaj de adaptare ntre etaje cu impedane mult diferite.
6.10. TRANZISTORUL BIPOLARLAFRECVEN ENALTE
Performanele TB la frecvene nalte se pot aprecia cu ajutorul ctorva frecvene
caracteristice. Valorile numerice ale acestor frecvene se pot determina prin msurri experimentale,
iar unele sunt indicate n foile de catalog ale tranzistoarelor.
Frecvena de tiere f
Pentru etajul de amplificare n EC se definete coeficientul de amplificare n curent cu
ieirea n scurtcircuit.
= IC / IB, UCE =0 (n complex)
Variaia lui cu frecvena se poate determina cu circuitul echivalent Giacoletto, rezultnd
(0)
, unde (0) este pentru curent continuu, este complex i este pulsaia de

j
1

tiere la f.

(0)

1

; f

(0)
2

0.707

Frecvena de tiere este frecvena la


care amplificarea scade la 0.7 din amplificarea
din
curent
continuu
(amplificarea
tranzistorului). Aceast frecven de tiere
servete ca msur a benzii de frecven n
care cu ieirea n scurtcircuit rmne
rezonabil de apropiat de valoarea ei de la
frecvena joas. Aceast frecven este numit
frecven de tiere a coeficientului . f
determin lrgimea benzii de trecere a etajului.
Fig. 6.41
Frecvena de tranziie
Frecvena de tranziie este frecvena la care cu ieirea n scurtcircuit este egal cu unitatea.
(0)

1 ; deoarece este mare (/)2>>1 1=/(T/) T=
2

1 T


fT=f
fT=amplificare n curent ()limea de band (f) fT se mai numete produs ctig-band,
care este mereu constant: 1MHz la cele de mic putere cu Ge, 500MHz la cele cu Si (BC107: 50300MHz), 1GHz la tranzistoarele mai bune (BF200: 650MHz, BF180: 800MHz).

DCE - Cap.6. TRANZISTORUL BIPOLAR

59

Frecvena de tiere f
f este frecvena la care scade cu 2 i se definete pentru etajul de amplificare n BC.
= IC /( IC + IB)=/(+1)

1 j
1

unde (1+)= de unde

j
j

1 j
1
1
1
(1 )

1 j

rezult relaia f=(1+)f, f este mult mai mare dect f. Produsul ctig-band este ns acelai la
ambele etaje: fT=f=f.
Circuitul Giacoletto a fost presupus cu C i C independente de frecven, ns acest lucru e
valabil pn la fT/4; la frecvene mai mari f=1.2fT.
n figura 6.41. scara este logaritmic (nu are zero); astfel f=0 i =0 sunt la - pe axe.
Frecvena maxim de oscilaie fmax
Pentru oscilatoare, frecvena maxim de oscilaie (fmax) este frecvena la care amplificarea n
putere (n cele mai bune condiii) a etajului emitor comun (EC) scade la unitate (fig. 6.41).
Uzual fmax>fT i este frecvena limit de oscilaie a TB. La frecvene foarte nalte se fac TB
speciale, cu drift (cu cmp intern n baz i fT>1GHz) cum sunt BFY90 (1.GHz) i BSX89
(1.1GHz).
6.11. CIRCUITE ECHIVALENTE DE CUADRIPOL
6.11.1.Ecua iilematricealealetranzistoruluibipolar
La TB se disting ntotdeauna un circuit de intrare i un circuit de ieire. De aceea el poate fi
tratat ca un cuadripol (fig. 6.4). n general cuadripolul este caracterizat prin dou ecuaii care n
domeniul semnalelor mici pot fi liniarizate. Datorit acestor ecuaii doar dou din cele patru mrimi
electrice (U1,U2,I1,I2) sunt variabile independente, celelalte dou sunt determinate de ecuaiile
cuadripolului.
Cu dou variabile independente ( C42 =6) sunt ase moduri de
alegere a celor dou variabile independente la care corespund
ase sisteme de ecuaii, fiecare sistem fiind caracterizat de
patru parametri de cuadripol. Dintre aceste sisteme, cel mai
utilizat la TB este sistemul cu parametri hibrizi (h):
Fig. 6.42
U1 h 11 I1 h 12 U 2
U h 11 h 12 I1
, sau matriceal 1

cu h21h12.
I 2 h 21 h 22 U 2
I 2 h 21 I1 h 22 U 2
Acest cuadripol este activ i nereciproc (h21h12). De aceea TB este caracterizat de patru
parametri de cuadripol. Aceti parametri (h) depind de temperatur, PSF i frecven, sunt mrimi
complexe.
Dezavantajul este c spre deosebire de parametrii naturali, cei de cuadripol depind de
conexiunea n care e conectat TB i de aceea se mai aloc un indice n funcie de conexiune
(h11b;h12b;h21b;h22b- pentru BC, h11e;h12e;h21e;h22e- pentru EC, h11c;h12c;h21c;h22c- pentru CC).
Exist deci un mare numr de parametri de cuadripol. ns odat cunoscute valorile unui
grup de patru parametri se pot determina prin calcul valorile oricrui alt grup. Din cei patru
parametri doi sunt de dipol, referindu-se la circuitul de intrare (h11) sau la cel de ieire (h22), iar
ceilali doi sunt parametri de transfer direct (h21) i respectiv invers (h12). Uneori se nlocuiesc
cifrele cu litere astfel: i n loc de 11 (input- intrare), o n loc de 22 (output- ieire), f n loc de 1
(forward transfer- transfer direct) i r n loc de 1 (reverse transfer-transfer invers).
n domeniul frecvenelor nalte se utilizeaz ecuaiile cu parametri y:

60

DCE - Cap.6. TRANZISTORUL BIPOLAR

I1 y11 y12 U1
I1 y11 U1 y12 U 2
,
sau
matriceal

I y y U .
I
y
U
y
U

2
2 21 22 2
1
2
21
22

S-au mai utilizat i sisteme cu parametri z:


U1 z11 I1 z12 I 2
U z z I
, sau matriceal 1 11 12 1 .

U 2 z 21 I1 z 22 I 2
U 2 z 21 z 22 I 2
Pentru valori reale s-au utilizat parametrii R.
6.11.2. Circuite echivalente h
Modelm ecuaiile echivalente cu circuitul echivalent(fig. 6.4).

Fig. 6.43

h11
h12
h 21
h 22

U1
I1

- impedana de intrare cu ieire n scurtcircuit

U2 0

U1
U2
I2
I1

- factorul de transfer invers de tensiune cu intrare n gol

I1 0
- factor de transfer direct n curent cu ieire n scurtcircuit

U2

I2
U2

- admitana de ieire cu intrare n gol

I1
n domeniul frecvenelor joase parametrii h sunt reali: h22=1/rce, h11e=hie=rbe=/ gm. La
BC i EC parametrul h21b= IC / IE =- i h21e= IC /IB=. Parametrii folosii anterior, i , sunt
parametri statici sau de semnal mare i de aceea se noteaz prin h21B i h21E (literele mari la
indice arat c este vorba despre parametri statici). Avnd n vedere ns caracterul aproape liniar al
dependenei IC (IE), respectiv IC(IB), de multe ori se utilizeaz parametrii statici n locul celor
dinamici i invers. Dintre parametrii h doi sunt mrimi adimensionale (h12,h21), unul este impedan
(h11) i unul admitan (h22). Din acest motiv ei sunt numii parametri hibrizi. Modul de msurare a
parametrilor h decurge simplu, chiar din relaiile de definiie a lor. Putem folosi i caracteristicile
statice lund creteri finite n jurul PSF.
La frecvene nalte parametrii devin compleci i variaz cu frecvena. n cataloage se dau
valorile parametrilor h la joas frecven (1kHz), pentru un anumit PSF (IC =1mA, UCE =5V) i o
anumit temperatur (50C).
Exemple de valori tipice: h11e=1..5k, h12e=1..510-4, h21e=50..200, h22e=10..5010-6-1
Pentru alte PSF i alte temperaturi folosim curbele tipice care se dau n cataloagele de TB.
Pentru nalt frecven se dau n cataloage parametrii y sau -hibrizi. Se pot deduce relaiile dintre
parametrii h i parametrii circuitului natural -hibrid.
Tem: La un tranzistor se msoar n punctul static c=2mA i UCE=5V: h11e= 2,6103;
h12=210-4; h21e= 200; h22e= 2010-6; cbc=8pF; fT=00MHz. S se determine elementele
circuitului echivalent -hibrid n punctul static de funcionare c=0mA i UCE=10V.
0

61

DCE - Cap.6. TRANZISTORUL BIPOLAR

6.11.3. Studiul regimului dinamic al TB la semnalmicifrecven ejoase


Se poate analiza funcionarea TB ca amplificator de semnal mic, de frecven joas, folosind
circuitul echivalent h. Se folosete o schem de principiu, care conine numai elementele ce intervin
n regimul de semnal (fig. 6.44). Trebuie folosite trei scheme pentru cele trei conexiuni ale TB, dar
deoarece circuitul h al TB este acelai pentru toate trei conexiunile (diferind parametrii), putem trata
unitar cele trei etaje de amplificare. Se obin urmtoarele rezultate:

Fig. 6.44

h 21
h 21;
1 h 22 R'S
h 21 R'S
, unde h=h11h22-h21h12;
- amplificarea n tensiune Au
h11 R'S Dh
h R' h
U
- rezistena de intrare Rin = 1 h11 h12 RS Ai 11 S
;
1 h22 R'S
I1
h11 R'G
- rezistena de ieire Ries
;
h h 22 R'G

- amplificarea n curent Ai

- amplificarea n putere Ap

U2 I 2
Au Ai .
U1 I1

Maximul amplificrii se obine pentru R'S

h11 R'G
.
h 22 ( h h 22 R'G )

6.12. TRANZISTORUL BIPOLAR N REGIM DE SATURA IE


n condiiile unei amplificri normale, n regim liniar, curentul de colector este tot timpul
direct proporional cu cel de baz. n circuitele de comutaie, ca n cel din figura 6.45, curentul de
colector este n primul rnd determinat de tensiunea de alimentare VCC i de ctre rezistena de
sarcin Rs. Deja am ntlnit saturaia ca un lucru nedorit n cazul amplificatoarelor liniare de
semnal, dar aceast stare este de mare importan pentru alte aplicaii.
S vedem ce se va ntmpla cu curentul de colector n
Vcc
figura
6.45,
dac curentul de baz crete treptat de la valoarea
+10V
R B 50k Bec
zero. n cazul n care comutatorul S este deschis, nu avem curent
RL
de baz, iar curentul de colector este neglijabil. nchiderea lui S1
IC
d natere la un curent finit de baz IB=VCC/RB, neglijnd
S1
cderea de tensiune pe jonciunea baz-emitor. Curentul de
colector prin rezisten de sarcin Rs=50 va fi astfel dat de
T1
0
IC=hFEVCC/RB. Cu componentele prezentate, dac tranzistorul
2N3053
are hFE=100 i RB este reglat la valoarea maxim (50k)
Fig. 6.45. Ilustrarea saturaiei
rezult IC = (100*10)/50000 = 20mA.
(tranzistor acionnd
ca un comutator)
Cderea de tensiune pe Rs este dat de RsIC i n acest
caz este de 1V. Tranzistorul este n modul liniar de operare;

62

DCE - Cap.6. TRANZISTORUL BIPOLAR

descreterea ulterioar a lui RB conduce la creterea curentului de baz, crete i curentul de


colector i n consecin va crete i cderea de tensiune pe rezistena de sarcin Rs (bec). Circuitul
poate fi folosit ca amplificator de tensiune n aceste condiii.
S considerm acum cazul cnd:
RB = hFE Rs;
atunci curentul de baz va fi:
IB = VCC / RB = VCC / (hFE Rs),
iar curentul de colector:
IC = (hFE VCC)/(hFE Rs)= VCC/Rs
Tranzistorul acioneaz aici doar ca o pereche de contacte ale unui comutator, comutnd
tensiunea spre sarcin. Este foarte clar din legea lui Ohm c n orice situaie curentul prin sarcin nu
poate depi valoarea VCC/Rs. Creterea n continuare a curentului de baz nu mai poate conduce
la o cretere a curentului de colector, care acum este determinat doar de tensiuneadealimentarei
rezisten adesarcin . n aceast situaie tranzistorul este saturat.
n practic exist ntotdeauna o mic cdere de tensiune ntre colectorul i emitorul
tranzistorului saturat, notat uzual VCE(sat). Aceasta este n mod normal mai mic de 1V i poate fi
mai mic de 0,1V la tranzistoarele special destinate pentru circuite de comutaie. n general
VCE(sat) descrete dac jonciunea baz-emitor a tranzistorului este mai puternic alimentat n
conducie, de exemplu dac raportul dintre curentul de colector i curentul de baz devine mai mic
dect ctigul n curent hFE.
Pentru o saturare puternic a tranzistorului (tensiune mic VCE(sat)), se recomand condiia
IC / IB < hFE / 5.
n tipul de circuit prezentat n figura 6.45 unde curentul de baz este furnizat de la sursa de
alimentare printr-un simplu rezistor, vom adopta: RB / Rs < hFE / 5
ntruct, n figura 6.45 considerm ctigul hFE tipic pentru tranzistorul 2N3053 de 150 vom
avea: RB/Rs=30 deci cu Rs=50 rezult c RB<30*50=1,5k.
n acest circuit, pentru ca becul cu rezistena de 50, care este sarcina, s fie eficient
alimentat (conectat la surs) va trebui s reglm RB mai mic de 1,5k. Exist situaii cnd acest
lucru nu este posibil, de exemplu, dac rezistena este o fotorezisten (comandat de lumin) cu o
valoare minim a rezistenei de 10k; atunci vom folosi o pereche de tranzistoare n conexiune
Darlington (capitolul 11), pentru a crete ctigul de curent.
Dac tranzistorul opereaz aproape de curentul su maxim de colector, pentru a menine
VCE(sat) cobort la fraciuni de volt, curentul de baz trebuie s fie mai mare ca IC/5 pentru a
permite un hFE redus.
Este surprinztor s constatm c VCE(sat) poate fi mai mic dect cderea de tensiune pe
jonciunea baz-emitor VBE, care este de aproximativ 0,6V pentru un tranzistor de mic putere cu
siliciu. Aceasta, din cauza c, n condiiile de saturaie, jonciunea colector-baz intr n regim de
conducie direct. Avem astfel dou jonciuni n regim de conducie direct n opoziie i astfel
cderea de tensiune pe ele tinde s se anuleze. Aceast abilitate a tranzistorului bipolar de a intra n
saturaie cu o cdere de tensiune foarte mic ntre colector i emitor l recomand ca un foarte bun
dispozitiv de comutaie. Multe din cele mai importante aplicaii ale electronicii folosesc circuite de
comutaie, inclusiv electronica digital.
n regimul de comutaie, un tranzistor lucreaz sau cu un curent de colector aproape nul (n
stare nchis) sau cu tensiune de colector-emitor aproape nul (in stare deschis, saturat). n ambele
condiii, disiparea de putere este foarte mic. Singurul moment cnd avem o disipare de putere
semnificativ este atunci cnd tranzistorul comut, moment n care att curentul de colector ct i
tensiunea sunt finite i diferite de zero.
Un tranzistor de mic putere cum este N05, cu o disipaie maxim de putere permis de
sub un watt, poate conecta (comuta) puteri de ordinul ctorva wai. Se are n vedere ca timpul de
comutare s fie ct mai mic i astfel puterea comutat este mai mare.

63

DCE - Cap.7. TRANZISTOARE UNIPOLARE (CU EFECT DE CMP)

Cap.7. TRANZISTOARE UNIPOLARE (CU EFECT DE CMP)


Funcionarea tranzistoarelor unipolare (cu efect de cmp) TEC (sau FET = Field Effect
Transistor) se bazeaz pe variaia conductibilitii unui canal dintr-un material semiconductor, ale
crui dimensiuni transversale pot fi controlate cu ajutorul cmpului electric creat de tensiunea de
semnal (comand), aplicat pe un electrod de control numit gril sau poart (G- gate). n toate
TEC-urile actuale cmpul electric este perpendicular pe calea de trecere a curentului (numit canal).
Spre deosebire de TB, a cror funcionare este bazat pe existena ambelor categorii de
purttori mobili (majoritari i minoritari), funcionarea TEC se bazeaz pe un singur tip de purttori:
purttorii majoritari; din acest motiv ele se mai numesc i tranzistoare unipolare.
Dup modul de realizare a grilei TEC se mpart n dou categorii:
- cu gril jonciune (TEC-J sau J-FET);
- cu gril izolat (IG-FET) sau metal-izolant-semiconductor (TEC-MIS), sau dac izolantul
este bioxid de siliciu SiO2 se numete TEC-MOS (MOS-FET sau MOS).
TEC-urile combin multe din avantajele tuburilor electronice (rezisten de intrare foarte
mare, stabilitate termic bun) cu cele ale TB (dimensiuni reduse, consum redus de putere, robustee
mecanic). TEC-urile au i unele dezavantaje fa de TB cum ar fi: pant mic, cdere de tensiune
mai mare n stare de conducie, mprtierea mare a caracteristicilor, putere mic.
7.1. TEC CU GRILA JONCTIUNE
7.1.1. Structur i funcionare
Canalul conductor la acest TEC este delimitat n volumul unui semiconductor cu ajutorul a
dou jonciuni pn polarizate invers. n figura 7.1 se arat structura fizic obinuit a unui TEC-J
canal n, cel mai rspndit TEC-J. Sursa este electrodul de la care pleac purttorii mobili (e-) spre
canal, iar drena este electrodul spre care se ndreapt purttorii mobili (e-) din canal. Lungimea
canalului (L) este de 10100 ori mai mare dect grosimea sa (a).
Surs

Gril

n+

Si

Dren

p+
a

G
n+

L=(10100).a

Fig. 7.1.a

25
S

100m
p+

Baz (grila a doua)

legtur intern

4 m

100
Fig. 7.1.b
Schem de msur cu ohmmetrul

Pentru TEC-J canal p toate regiunile sunt de tip invers celor din figura 7.1. Formal, structura
TEC-J seamn cu cea a TB, dar funcionarea este cu totul diferit. n timp ce la TB, jonciunile au
rolul de a injecta i respectiv colecta purttorii de sarcin, jonciunile TEC-J au rolul de a delimita i
modula seciunea transversal a canalului prin care trece curentul. La TB curentul circul
perpendicular pe suprafeele jonciunilor, iar la TEC-J paralel cu jonciunile. Ca electrod de referin
la TEC-J cel mai des ntlnit este sursa. Pentru a urmri mai uor principiul de funcionare al TEC-J,
vom considera iniial c grila este legat la surs (UGS=0). Pentru ca electronii majoritari din canal
s se deplaseze de la S spre D, la TEC-J canal n, D trebuie s fie pozitiv fa de S (UDS>0). Avnd
n vedere polaritatea tensiunii de D, rezult c orice punct din regiunea n a canalului se afl la un
potenial pozitiv fa de surs i deci fa de gril. Cele dou jonciuni pn sunt polarizate invers, iar
curentul transversal pe jonciuni este neglijabil (10-9 A) i nu intervine n funcionarea

64

DCE - Cap.7. TRANZISTOARE UNIPOLARE (CU EFECT DE CMP)

dispozitivului. ntruct regiunile de tranziie ale dispozitivului sunt golite de purttori mobili,
curentul ntre D i S este determinat de rezistena canalului cuprins ntre cele dou regiuni de
tranziie. Regiunile de tranziie ale jonciunilor se extind practic numai n regiunea canalului,
deoarece acesta este mult mai slab dopat comparativ cu regiunile de gril. Vom mai presupune c
nlimea barierelor (Uo) este aceeai la ambele jonciuni i c doparea canalului este uniform.
Dac UDS<<Uo, grosimea regiunilor de tranziie este constant n lungul canalului, canalul va avea
seciune constant i se va comporta ca o rezisten ohmic (fig.7.2.a). Caracteristica de ieire
ID(UDS) ncepe deci cu o poriune liniar (poriunea OA din fig.7.3).

Fig. 7.2.b

Fig. 7.2.a

Fig. 7.2.c

Fig. 7.2.d

ID
C
B

UGS=0

IDSS
A

UDSS

UDS strpungere

UDS

Fig. 7.3
Pentru UDSUo, canalul nu mai are seciunea uniform; potenialul n lungul canalului
crescnd de la valoarea 0 n dreptul S la valoarea UDS n dreptul D, U de polarizare invers
aplicat celor 2 jonciuni crete n valoare pe msura apropierii de dren. Concomitent crete
grosimea regiunilor de tranziie, deci scade seciunea transversal a canalului (fig.7.2.b). Din aceast
cauz conductana canalului scade cu creterea lui UDS, caracteristica devine neliniar (poriunea
AB, fig.7.3). Crescnd n continuare tensiunea UDS se ating regiunile de tranziie ale celor 2

DCE - Cap.7. TRANZISTOARE UNIPOLARE (CU EFECT DE CMP)

65

jonciuni i canalul se nchide (la tensiunea UDSS) (fig.7.2.c). Pentru UDS>UDSS , S i D sunt complet
separate printr-o zon golit de purttori mobili (fig.7.2.d), curentul prin canal nu se anuleaz ns.
Continuitatea curentului prin zona golit de purttori este asigurat de injecia pe care canalul o face
n punctul T, n care cele dou regiuni de tranziie se unesc. ntre D i S exist un cmp electric E n
lungul canalului. Electronii care ajung dinspre canal n punctul T sunt trecui de acest cmp n
regiunea drenei. Situaia este asemntoare cu ceea ce se petrece la jonciunea C-B a TB. Cnd UDS
crete, punctul T se deplaseaz spre S, dar potenialul su rmne UDSS. Restul tensiunii UDS cade pe
regiunea golit TT. Distana TT este de ordinul grosimilor regiunii de tranziie, deci mult mai
mic dect lungimea canalului. Dac lungimea canalului este aproape constant cu creterea lui UDS
IDSS constant (poriunea BC din fig.7.3).
Pentru UDS f. mari jonciunile se strpung n dreptul drenei i ID crete foarte mult.
S considerm acum i efectul polarizrii grilei. n cazul TEC-J canal n, pentru ca jonciunile
G-canal s fie polarizate invers, UGS<0. Datorit tensiunii de gril, regiunile de tranziie ale
jonciunilor se extind n canal, iar seciunea canalului scade, scznd i conductana (fig.7.4
corespunde cazului a din fig.7.2).

Fig. 7.4
Crescnd UDS fenomenele vor fi similare cazului UGS=0, dar canalul se nchide la UDS mai
mic: UDsat=UDSS+UGS , unde UGS<0 ; IDsat<IDSS . Strpungerea jonciunilor n dreptul drenei are
loc la o tensiune mai mic dect n cazul UGS=0: UDSstr=UDSstr+UGS , unde UGS<0. La o anumit
valoare UGS=Up (tensiune de penetraie, prag) regiunile de tranziie ale celor 2 jonciuni se ating pe
ntreaga lungime a canalului, canalul conductor dispare, ID=0. Se observ c Up= UDSS .
Experimental Up se definete ca UGS pt. care ID are o anumit valoare (de exemplu 1A), i este
parametru de catalog al TEC-J. Pentru TEC-J canal p, Up>0, uzual |Up|=110V, cel mai adesea
|Up|=23V.
7.1.2. Caracteristici statice. Simboluri. Expresia curentului de dren
n regiunea nesaturat canalul este continuu ntre S si D. n regiunea de saturaie canalul este
obturat la captul dinspre D. n toate punctele dependena UDS= -Up- |UGS|. n majoritatea
aplicaiilor practice TEC-J lucreaz n regiunea de saturaie. Al doilea regim de funcionare, ca
importan, este cel liniar, n care TEC-J lucreaz ca rezisten comandat de tensiunea aplicat
grilei (UGS). Pentru simbolizare (fig. 7.6) canalul e reprezentat printr-o bar, iar contactele prin
segmente perpendiculare pe canal. Pe contactul grilei se pune o sgeat care indic jonciunile grilcanal (sensul sgeii este de la p la n ca i la TB).
Expresia curentului de dren n regiunea de saturaie:
IDS=IDSS(1 UGS /Up)n ; UDS>UGS Up
IDSS este curentul de saturaie pentru UGS=0, iar coeficientul n1,5 2,5. Frecvent n=2. n catalog
se precizeaz IDSS max.
n regiunea de saturaie este important caracteristica de transfer gril-dren (fig. 7.7).

66

DCE - Cap.7. TRANZISTOARE UNIPOLARE (CU EFECT DE CMP)

ID
mA

UGS=0

IDSS

TEC-J canal p:
UGS>0, Up>0, UDS<0, ID<0

regim de saturaie

-0,5 V
-1V

strpungere

-1,5 V

Up= -2,5

-2 V

Fig. 7.6. Simboluri:


canal n
canal p

-2,5 V

10

20

30

UDS

Fig. 7.5. Caracteristicile de ieire Id (Uds) cu UGS=ct


n regiunea nesaturat: UDS < UGS - Up
ID=IDSS/Up2 [ 2(UGS - UP)UDS - UDS2 ]
Exemple de TEC-J produse n ar:
canal p: ROS 104
canal n: BFW 1013, 2N 40914093
245, 247, 256
duble: 2N5912, 3955, 5545
- din import: BF 244

Fig. 7.7.

ID(mA)
IDSS 15
10

UDS>UDsat
5

Up
-3

-2

-1

UGS (V)

7.2. TEC CU GRIL IZOLAT (TEC-MOS)


7.2.1. Structur i funcionare. Simboluri
Structura tipic a unui TEC cu gril izolat (cu canal n indus) este artat n figur:

Fig. 7.8
Avem un substrat i-p n care s-au format dou regiuni n+. Contactul ohmic la substrat
constituie baza, care se conecteaz la surs, uzual referin de potenial. Stratul de SiO2 are o
grosime de circa 0,1 m. Cnd grila este lsat n gol sau e negativ fa de surs (UGS< 0), ntre
surs i dren exist dou jonciuni p-n legate n opoziie. Curentul IDS= 0 indiferent de polaritatea
UDS. Dac grila se pozitiveaz fa de substrat, ea va respinge golurile de la suprafaa
semiconductorului spre interior i va atrage la suprafa electroni. Peste o anumit valoare a
tensiunii de gril, concentraia electronilor la suprafa depete pe cea a golurilor, formndu-se un
canal de tip n ntre surs i dren. Conductana acestui canal indus de cmpul electric depinde de
diferena de potenial ntre gril i surs => curentul care circul ntre dren i surs poate fi
controlat de potenialul aplicat grilei. Datorit izolrii bune realizate de SiO2, n circuitul grilei va

67

DCE - Cap.7. TRANZISTOARE UNIPOLARE (CU EFECT DE CMP)


-14

circula un curent mic (10 A), astfel c puterea necesar grilei este neglijabil (IG0). Conducia
curentului are loc ntr-un strat foarte subire la suprafaa semiconductorului => TEC - MOS se mai
cheam de suprafa, pe cnd TEC - J este TEC de volum. Dup cum se formeaz canalul, TEC MOS poate fi cu canal indus si cu canal iniial. La cel cu canal p este invers dect n figura 7.8.
Uneori TEC - MOS cu canal indus se mai numesc TEC n regim de mbogire, deoarece un strat
subire de la suprafaa semiconductorului se mbogete cu purttori minoritari. n cazul TEC MOS cu canal iniial, canalul conductor exist chiar si cnd grila se afl la potenialul 0 fa de
substrat (UGS=0); tensiunea aplicat grilei, n funcie de semnul ei, poate mri sau micora
conductana canalului. i n acest caz canalul poate fi de tip p sau n. Simboluri utilizate pentru TECMOS (uzual baza se conecteaz la surs figura 7.9):
- canal indus: canalul este reprezentat ntrerupt; sgeata este de la p la n;
- canal iniial: canalul este reprezentat continuu.

Fig. 7.9
Un avantaj important al TEC-MOS l constituie rezistena de intrare
18
10 ). Legat de aceasta se impun anumite precauii n manipularea TEC sarcini care se pot acumula pe gril, prin simpla frecare a terminalelor, nu au
determin creterea potenialului fa de substrat, CGS este foarte mic (1pF)
electricitate determin creterea UGS pn la tensiunea de strpungere a
Tensiunea de strpungere este de 50100 V.

13

foarte mare (10 MOS. Eventualele


cale de scurgere i
i cantiti mici de
stratului de SiO2.

Evitareastr pungerii stratului de SiO2se face n dou moduri:


1. TEC - MOS se livreaz i se manipuleaz cu o srm (un conductor) care se scoate numai dup
montarea tranzistorului n circuit. Lipirea se face cu ciocane cu transformator de reea i
mpmntare. Se folosesc mese cu tblii metalice cu mpmntare.
2. Pe acelai substrat cu MOS-ul se realizeaz un sistem de protecie.
n prima variant, pe acelai substrat i odat cu tranzistorul se realizeaz o diod Zener cu o
tensiune de strpungere de 30..50 V<UGS de strpungere a oxidului. n a doua variant se
realizeaz pe substratul tranzistorului T1 de protejat, un al doilea TEC - MOS T2, ns cu tensiune
de prag foarte mare (30 V), pentru c are oxidul gros (1m). Dac UGS e mare (peste 30 V), se
deschide T2 i protejeaz pe T1. Aceste protecii duc la scderea rezistenei de intrare la

68

DCE - Cap.7. TRANZISTOARE UNIPOLARE (CU EFECT DE CMP)

Fig. 7.10.a
Fig. 7.10.b
7.2.2. Caracteristici statice ale TEC-MOS. Expresia curentului de dren
CaracteristicistaticedeieirepentruTECMOS cu canal indus
Considerm un TEC - MOS cu canal n indus, cu baza legat la sursa S care se ia ca origine de
potenial. Ca s se asigure formarea canalului, adic a stratului de inversiune, trebuie ca UDS>0 i
UGS>0. Tensiunea de prag UP este tensiunea la care apare stratul de inversiune.
Pentru UGS<UP ntre dren i surs nu circul curent, IDS=0, deoarece ntre ele exist dou
jonciuni p-n n opoziie.
Pentru UGS>UP apare la suprafa stratul de inversiune. Prin acest strat poate circula curentul
IDS ntre gril i surs.
Pentru UDS<<UGS se poate aproxima c diferena de potenial ntre G i suprafaa
substratului este constant n lungul canalului, astfel nct canalul se comport ca o conduct. Deci
caracteristicile statice ID(UDS) cu UGS= constant, pornesc liniar din origine (fig. 7.11). Aceast
regiune este numit liniar.

Fig. 7.11
La tensiuni negative TEC-ul se comport liniar. Pe msur ce UDS crete, diferena de
potenial dintre gril i suprafaa substratului scade, deci scade conductana canalului (poriunea AB
din figura 7.11). La sursa tensiunea pe izolant este UGS, indiferent de valoarea lui UDS; n dreptul
drenei tensiunea pe izolant este UGS-UDS. Crescnd UDS se ajunge la situaia n care cderea de
tensiune pe izolant n dreptul drenei scade sub limita necesar meninerii stratului de inversiune.
Tensiunea UDS la care se nchide canalul se numete tensiune de saturaie. UDSsat=UGS-UP. n
regiunea de saturaie: UDS>UDSsat, n vecintatea drenei nu mai exist canal ci o regiune golit de
purttori. Curentul prin aceast regiune este asigurat similar ca la TEC-J. La UDS mai mari apare
fenomenul de strpungere; caracteristicile sunt similare cu cele de la TEC-J cu excepia polaritii
UGS.
CaracteristicistaticedeieirepentruTEC-MOScucanaliniial
n TEC-ul cu canal iniial exist un canal la suprafaa substratului, ntre S si D, avnd
conductibilitate de tip opus substratului, chiar cnd UGS=0. n figura 7.12. se prezint
caracteristicile statice pentru un TEC - MOS cu canal n iniial.

DCE - Cap.7. TRANZISTOARE UNIPOLARE (CU EFECT DE CMP)

69

Fig. 7.12
Pentru UGS=0 avem o anumit conductan . Dac UGS>0, grila atrage electroni, regimul
este de mbogire. Pentru UGS<0, grila respinge electroni, regimul este de srcire. Peste o
anumit valoare UP<0, canalul este golit de electroni, iar IDS=0. Pentru acest TEC se prefer s se
lucreze cu UGS<0.
Caracteristici de transfer: ID(UGS) cu UDS>UDSsat

Fig. 7.13
Expresia curentului de dren n regiunea de saturaie (pentru UDS>UDSsat):
2
2
IDS=K*(UGS-UP) (indus) ; IDS=IDSS*(1-UGS/UP) (iniial);
2

Ex.: K=0,3 mA/V


IDSS=K*UP ;
Exemple de TEC-MOS produse n ar:
- canal p: ROS 01, 04, 05 (dublu)
- canal n: ROS 02, BFR 84, BFS 28, BSV 81
(cod american): 3N 139, 3N 159
ICCE: V-MOS (MOS-uri de putere): RVM 35A1, 60A1.
7.3. CIRCUITE DE POLARIZARE PENTRU TEC
Polarizarea TEC pune probleme mai simple dect la bipolar, deoarece caracteristicile lor
statice depind mai puin de temperatur iar grila nu absoarbe curent.(IG=10-9A la TEC-J si 10-14A
la TEC-MOS). Dispersia de fabricaie a parametrilor este mare. Vom avea dou scheme de
polarizare.
7.3.1. Polarizarea TEC-J si TEC-MOScucanaliniialnregimdes r cire

70

DCE - Cap.7. TRANZISTOARE UNIPOLARE (CU EFECT DE CMP)

Fig. 7.14
Ca s se evite folosirea a 2 surse de alimentare, se folosete un circuit de polarizare cu
negativare automat a grilei la triod. Negativarea grilei se realizeaz prin punerea grilei la
potenialul masei pentru regimul de curent continuu si polariznd sursa pozitiv fa de mas prin
cderea de tensiune pe RS. Grila se pune la mas prin RG. Trebuie ca URG=IG*RG<<ID*RS.
Trebuie ca RG s fie o sarcin ct mai mare pentru sursa de semnal.
IG=10-9A => RG va fi civa M.
RG prea mare duce la modificarea PSF cu creterea temperaturii. CS constituie un scurtcircuit
pentru semnal ca s nu micoreze amplificarea datorit lui RS. Modelul uzual este:

Fig. 7.15
Exemplul 1: S se determine RS, RD pentru ca TEC-J s lucreze n PSF cu ID=2,5mA; UDS=7V;
ED=25V, folosind un TEC-J care are UP=-4V; IDSS=10mA.
Rezolvare:
ID=IDSS(1-UGS/UP)2 <=> 2,5=10(1+UGS/4)2 =>UGS=-6V <UP (soluia nu este bun; blocat)
-2V>UP (soluia este bun)
A II-a metod (soluia cu semnul (-) este bun; cu semnul (+) TEC-J-ul este blocat):

U GS U (1
P

ID
) U P (1
I DSS

ID
).
I DSS
ID

Ugs=-RSID

IDSS=10mA
ID=2,5mA

-6V

UP=-4V

UGS=-2V

UGS

Fig. 7.16

=(Eb-UDS+UP-UGS)/ID=(Eb+Up)/ID=(25-4)/2,5=8,4 K.
Un circuit cu o comportare mai bun la
dispersia de fabricaie a parametrilor
este cel cu divizor la intrare (n gril).
Pentru creterea rezistenei de
intrare a etajului se folosete RG3,
adiional de valoare mare (zeci de M)
cu o toleran necritic, iar RG1, RG2
n jur de 1M, respectiv 100K, cu
precizie mare. Rin=RG3+RG1 | | RG2.

UGS=-RS*ID(URG=0);
RS=-UGS/ID=2/2,5 =>UG=-2V>UP.
ED=UDS+ID(RD+RS)=>
RD=(ED-UDS-RS*ID )/ID=6,4K,0.8K.
Verificm
condiia
de
saturaie:
UDS>UDSsat=UGS-UP=-2+4=2V.
Calculm valoarea maxim a rezistenei
RD ca TEC-J s rmn n saturaie.
RD<RDmax=(Eb-UDSsat-RD*ID)/ID=

Fig. 7.17

7.3.2. Circuite de polarizare pentru TEC-MOScucanalindus(ipentrucanaliniialn


regimdembog ire)

71

DCE - Cap.7. TRANZISTOARE UNIPOLARE (CU EFECT DE CMP)

sau

Fig. 7.18
IG=10-14A0, URG3= IG*RG3=0
Pentru stabilizarea PSF se folosesc metodele de la TB.
UGS=(ED*RG2)/(Rg1+RG2); ED=RD*ID+UDS; ID=K(UGS-UP)2;
Exemplul 2: Un TEC-MOS cu canal n indus are urmtoarele caracteristici:
UP=3V; K=0,25mA/V2;
UGS=UP I D , dar soluia cu semnul (-) nu este bun (TEC-MOS blocat)
K

S se dimensioneze circuitul de polarizare (cu RG3=0), care s asigure Rin=RG=RG1 || RG2=1M


ID=0,25(UGS-3)2. Circuitul este cel anterior, fr RG3 (=0).
Rin=RG=RG1 || RG2=1M; PSF: ID=4mA, UDS=8V; ED=24V. Se cer: RG1; RG2; RD;
Rezolvare:
4=0,25(UGS-3)2=> UGS -> -1V<Up soluia nu este bun (TEC-MOS blocat)
-> 7V>Up soluia este bun (tensiune la care exist canal indus)
Ed
Rg2 * Eb
ID
UGS=
Rg *
Rg1
Rg1 Rg2
ID=4mA
RG1=RG*ED/UGS=3,42M;
PSF
RG2=RG*RG1/(RG1-RG)=1,41M.
RD=(ED-UDS)ID=(24-8)/4=4K;
UDS>UDSsat=UGS-UP=7V-3=4V
RD<RDmax=(ED-UGS+UP)/ID=
UGS
=(24-7+3)/4=5K
-1V
U P=3V
-UGS=7V
Schema de mai jos are avantajul c
menine
automat n saturaie TEC-MOS-ul
Fig. 7.19
cu canal indus.
IG=0; UGS=UDS; UDS>UDSsat (Up>0)

Fig. 7.20
7.4. REGIMUL DINAMIC DE SEMNAL AL TEC
7.4.1. Circuitulechivalentdejoas frecven
Rezistena de intrare este considerat infinit. Tensiunea de gril comand curentul din circuit
prin intermediul unui generator de curent; gm se numete conductan mutual, transconductan sau
pant.
Presupunem variaii mici n jurul PSF:
ID=dID/dUGS+(dID/dUDS)*UDS => id=gm*ugs + gd*uds ; UDS= constant.

72

DCE - Cap.7. TRANZISTOARE UNIPOLARE (CU EFECT DE CMP)

2Idss
Ugs
2Idss Id
2
dID
=(1
)

Id * Idss
Up
Up
Up Idss
Up
dUGS Udsconst
2Idss
; gm0= transconductana pentru UGS=0.
g m0
Up
Uzual gm0=1...10 mA/V. n practic gm real este ceva mai mic dect cea calculat.
La canal indus:
ID=K(UGS-UP)2; gm=2K(UGS-UP)=2 KId; gd se neglijeaz de obicei.

gm

Fig. 7.21. Circuitul echivalent de joas frecven


7.4.2.FuncionareaTECcaamplificatordejoas frecven
Se deseneaz circuitul echivalent n semnal mic pentru exemplul 1 cu TEC-J canal n:

Fig. 7.22
gd0; Ro

2
gm
4,5 * 10 2,5mA/V
4
Fie RL=RD||1/gd(||RD)RD; Uies=-gm*Ugs*RL; Au=

Uies
Uies/Ugs=-gm*RL -gm*RD =
Ug

= - 2,5*6,4= -16
Dac la schema cu TEC-J cu negativare automat lipsete CS, sursa nu va mai fi la mas; deci avem
o rezisten RS.
Au=Uies/Um=-gm*RL(1+gm*RS) ( -RD/RS nu este o aproximaie aa de bun ca la TB, cci
transconductana gm este mic)
2,5 * 6,4
-5.33.
Au=
1 2,5 * 0,8

Fig. 7.23
gd0
Se deseneaz circuitul echivalent de semnal mic pentru exemplul 2 cu TEC-J canal n:

DCE - Cap.7. TRANZISTOARE UNIPOLARE (CU EFECT DE CMP)

73

Fig. 7.24
gm=2 0,25 * 4 =2.5mA/V
Au=Uies/Ug=-gm*RD=-2*4= -8.
7.5. ALTE DISPOZITIVE CU EFECT DE CMP
7.5.1.TECcustraturisubiri
Se realizeaz depunnd pe un substrat izolant din sticl, safir sau cuar, un strat subire de Si
monocristalin i apoi se depun pelicule metalice pentru G, S si D.
Cea mai rspndit variant este SOS (Siliciu on safir), cu care se pot realiza simultan pe safir
mai multe dispozitive, deci circuite integrate.
7.5.2.Structurahibrid TEC-MOS tranzistor bipolar
TEC-MOS-urile au gm mic (mai ales cele cu canal p). Prin combinaie cu T.B.=> un
tranzistor compus (conexiune similar cu Darlington, figura 7.25), gm=100...1000mA/V. Se folosesc
i n circuite integrate (ex.: n MMC 4511 pe ieire).

Fig. 7.25

74

DCE - Cap.7. TRANZISTOARE UNIPOLARE (CU EFECT DE CMP)

Pentru puteri mari se folosesc tranzistoare V-MOS (POWER MOSFET) avnd pn la


1000V/100A cu frecvena de comutaie fW < 20 KHz. Au o structur vertical cu stratul de drift
slab dopat (fig. 7.26). Combinate n aceeai structur vertical cu un tranzistor bipolar de putere
rezult tranzistorul bipolar cu baza izolat
IGBT (ISOLATED GATE BIPOLAR
TRANSISTOR) figura 7.27, figura 7.28.
S
G
E
G
Si O2
Si O2
n+

n+

n+

p
14

19

n+ 1019
n+ 1019
J3 p+ 1016

1019

n+

drift

n+ 1014

1016

n+ 1019/cm3

n- 10 /cm

J1

p+ 1019/cm3

strat de
injecie

n+ 10 /cm
D

Fig. 7.26

tampon

Fig. 7.27

C
G
E

Fig. 7.28
IGBT este un tranzistor hibrid care mbin avantajele MOS cu cele ale TB, MOSFET avnd
comutaie rapid i comanda n tensiune, iar TB avnd cureni mari, tensiune de blocare mare,
pierderi mici n conducie. Descrierea IGBT: jonciune GE ntreesut, are un strat p+ puternic dopat
ce realizeaz colectorul, p+ si n+ genereaz o jonciune pn, injecia purttorilor minoritari (p+) n
stratul de drift micoreaz rezistena RON si IC, stratul tampon n+ este puternic dopat i are rolul de a
micora timpii de comutaie, de a reduce tOFF. Avantaje: volum redus, fiabilitate mare. Dezavantaj:
cost mare.
Caracteristica static de ieire a IGBT (fig. 7.29) este similar cu cea a TB, dar cu deosebirea
c nu exist strpungerea a doua. Caracteristica de transfer (comanda) este prezentat n figura 7.30.
IC

IC

UGS2 > UGS1


UGS1 > UP
UGS = UP

UCE

UGS
UPrag

Fig. 7.30

DCE - Cap.7. TRANZISTOARE UNIPOLARE (CU EFECT DE CMP)

7.5.3. TEC-MOS cu 2 grile (tetroda MOS)

Fig. 7.29
Fig. 7.31

75

Const din 2 MOS-uri n


serie, drena primului fiind
contopit cu sursa celui de-al
doilea. Curentul ntre sursa
primului i drena celui de-al
doilea este controlat de ambele
tensiuni din gril. Sunt folosite
n radiofrecven, n selectoare
TV. Ex.: BF960..966, 980, 981.

7.5.4. Diode limitatoare de curent


Exist dou categorii de diode limitatoare (sau regulatoare) de curent: dioda cu efect de cmp
(DEC) si dioda cu limitare de vitez (DLV). DEC este un TEC-J la care grila este conectat la surs
n interiorul dispozitivului. Caracteristica ID este identic cu cea de la TEC-J pentru UGS=0. O
caracteristic asemntoare are i DLV, la care limitarea curentului se obine ca efect al saturrii
vitezei de drift a purttorilor n cmpuri mari. Limitatoarele de curent se utilizeaz ca sarcin pentru
tranzistoare (au rezistena dinamic de peste 10 ori mai mare dect rezistena static, rezultnd
amplificri mari la tensiuni mici de alimentare), sau ca dispozitive de protecie sau limitare.

DCE - Cap.8. REGIMUL DE COMUTA IE AL DISPOZITIVELOR SEMICONDUCTOARE

75

Cap.8. REGIMUL DE COMUTAIE AL DISPOZITIVELOR


SEMICONDUCTOARE
8.1. INTRODUCERE
Prin regim de comutaie (comutare) al unui dispozitiv semiconductor se nelege regimul de
funcionare n care semnalul de comand (curent sau tensiune) este un impuls sau o succesiune de
impulsuri. Un asemenea regim de funcionare este ntlnit n aplicaiile legate de formarea,
generarea i prelucrarea semnalelor sub form de impuls.
Ca urmare a aplicrii semnalului de comand dispozitivul trece dintr-un punct static de
funcionare n alt punct static de funcionare; se spune c dispozitivul comut. Dac n urma
procesului de comutare rezistena de curent continuu prezentat de dispozitiv ntre bornele la care
este conectat sarcina, a sczut, comutarea poart numele de comutare direct. n caz contrar,
comutarea este denumit comutare invers.
n particular, n acest capitol se va nelege prin comutare direct, comutarea din regiunea de
tiere (blocare sau conducie invers) n regiunea de conducie, iar prin comutare invers, comutarea
din regiunea de conducie n regiunea de tiere.
Parametrul principal care determin performanele dispozitivului n regim de comutare este
timpul de comutare al dispozitivului. Aa cum se va vedea, acest timp este determinat de
dispozitivul nsui prin intermediul unor parametri fundamentali legai de funcionarea intim a
dispozitivului, dar i de regimul electric (cureni, tensiuni), deci de circuitul electric n care se
realizeaz comutarea.
n regim de comutaie condiia de semnal mic nu este n general ndeplinit; dispozitivul
lucreaz la semnale mari deci ntr-un regim puternic neliniar. n plus, semnalul de comand variaz
foarte rapid n timp. Din acest motiv calculul exact al timpilor de comutare este foarte dificil,
preferndu-se de aceea un compromis ntre dificultate i precizia de calcul. Acest compromis se
obine prin utilizarea unor modele simplificate pentru dispozitiv.
Timpii de comutare se definesc pornind de la rspunsul n timp
al dispozitivelor la semnalul de comutare. Pentru rspunsul din
figura 8.1 se definesc:
ti=t2t1 - timpul de ntrziere la comutarea direct;
tc=t3t2 - timpul de cretere;
tcd=t3t1 - timpul de comutare direct;
tS=t5t4 - timpul de ntrziere la comutarea invers;
td=t6t5 - timpul de descretere;
tci=t6t4 - timpul de comutare invers (trr).

Fig. 8.1. Definirea timpilor de comutare pentru un exemplu de rspuns al


dispozitivelor la un semnal sub form de impuls.
8.2. REGIMUL DE COMUTAIE AL DIODELOR SEMICONDUCTOARE
La toate diodele comutaia direct este mult mai rapid dect comutaia invers i de aceea
caracterizarea diodelor n regim de comutaie se face numai prin intermediul timpului de comutaie
invers.
Timpul de comutare poate fi redus prin:
reducerea timpului de via a purttorilor minoritari;

76

DCE - Cap.8. REGIMUL DE COMUTA IE AL DISPOZITIVELOR SEMICONDUCTOARE

reducerea capacitii de barier;


reducerea timpului de evacuare a sarcinii prin concentrarea purttorilor minoritari de
sarcin n vecintatea regiunii de trecere.
Pentru reducerea timpului de via se introduc n regiunile neutre ale jonciunii atomi de
impuritate care joac rol de centre de recombinare. Pentru jonciunile din siliciu este folosit n acest
scop aurul. Capacitatea de barier se reduce prin reducerea ariei jonciunii (exemplu: dioda cu
contact punctiform).
O comportare important pentru aplicaii practice o
are aa numita diod cu sarcin stocat la care n
procesul de comutare invers, dup intervalul de
timp tS n care curentul este constant urmeaz o
scdere foarte abrupt a curentului (fig.8.2.a). Acest
lucru se obine prin crearea, n procesul tehnologic,
a unui cmp electric intern care constrnge purttorii
Fig. 8.2. Variaia n timp a curentului la minoritari s rmn n apropierea jonciunii
metalurgice, astfel ca la comutarea invers s poat fi
comutare invers: a) prin dioda cu
sarcin stocat; b) prin dioda normal. uor evacuai.
Pentru obinerea unor performane net superioare n ceea
ce privete timpul de comutare trebuie realizate diode n care s nu existe efect de stocare de
purttori minoritari. Acestea sunt diodele cu purttori majoritari, adic diodele n care curentul
electric este datorat numai purttorilor majoritari. Din aceast categorie face parte contactul redresor
metal-semiconductor (dioda Schottky) i dioda tunel (la dioda tunel curentul este datorat purttorilor
majoritari numai n domeniul tensiunilor mai mici dect tensiunea Uv). La aceste diode timpul de
comutare este datorat n principal capacitii de barier.
8.3. REGIMUL DE COMUTAIE AL TRANZISTOARELOR BIPOLARE
Procesele fizice care au loc la comutarea tranzistoarelor bipolare sunt similare celor de la
comutarea diodelor semiconductoare i anume n urma aplicrii unui semnal pentru comutarea
direct are loc un proces de acumulare de purttori minoritari n regiunile neutre ale tranzistorului,
iar la aplicarea semnalului pentru comutarea invers are loc procesul de evacuare a acestor purttori.
Timpii de comutare sunt determinai n principal de acest proces.
n regim activ normal de lucru, are loc injecia de purttori minoritari doar la jonciunea
emitor-baz. Deoarece regiunea bazei este mai slab dopat cu impuriti dect regiunea emitorului
rezult c sarcina de purttori minoritari injectat n emitor este mult mai mic dect sarcina de
purttori minoritari injectat n baz, astfel nct procesele de comutare vor fi determinate n
principal de sarcina de purttori minoritari din baza tranzistorului.
n regim de saturaie, ntruct ambele jonciuni sunt polarizate direct are loc injecia la
ambele jonciuni. La tranzistoarele la care regiunea colectorului este slab dopat cu impuriti,
sarcina de purttori minoritari injectat din baz n colector poate fi comparabil cu sarcina injectat
din colector n baz, astfel c va trebui sa fie luat n consideraie. La tranzistoarele cu colector
puternic dopat cu impuriti, sarcina injectat din baz n colector este redus astfel nct procesele
de comutare sunt determinate numai de sarcina din baz. Din aceast ultim categorie fac parte
tranzistoarele aliate i tranzistoarele planar-epitaxiale, iar din prima categorie fac parte
tranzistoarele difuzate, neepitaxiale (mesa, planare). ntruct n tranzistoarele moderne pentru
comutaie (planar-epitaxiale) sarcina de purttori minoritari acumulat n regiunea colectorului n
regim de saturaie este neglijabil fa de sarcina din baz, n analiza regimului de comutaie al
tranzistorului se va ine seama numai de sarcina din baz.
Pentru reducerea timpului de comutare direct este avantajoas comutarea n regiunea de
saturaie. Prin aceasta se mrete ns timpul de comutare invers cu timpul de stocare. De
asemenea, pentru reducerea timpului de comutare invers este necesar un curent de baz invers de

DCE - Cap.8. REGIMUL DE COMUTA IE AL DISPOZITIVELOR SEMICONDUCTOARE

77

valoare ct mai mare. Rezult atunci c pentru reducerea timpilor de comutaie, deci pentru
accelerarea comutrii tranzistorului ar fi necesar pentru curentul din baz, o variaie de tipul celei
din figura 8.3.
Amplitudinea saltului de valoare I'B1 trebuie s fie suficient de mare
pentru a se obine timpul de comutaie direct dorit iar durata lui cel
puin egal cu timpul de comutaie. Curentul IB1 trebuie s asigure
meninerea punctului de funcionare a tranzistorului n apropierea
regiunii de saturaie incipient pentru a se profita de avantajele
prezentate de intrarea tranzistorului n saturaie (tensiune rezidual
Fig. 8.3. Variaia n timp
ideal, a curentului de baz mic, deci amplitudine mare a semnalului de ieire, putere disipat
mic), dar i pentru a reduce timpul de stocare. Curentul de baz IB2
pentru reducerea timpilor
trebuie s asigure comutarea invers a tranzistorului ntr-un timp
de comutare ai
impus.
tranzistorului.
Practic, o form de und apropiat de cea ideal pentru curentul de
comand se obine cu circuitul din figura 8.4.a cnd
la intrare se aplic un impuls dreptunghiular (fig.
8.4.b) de la un generator de semnal cu rezistena
intern Rg.
Fig. 8.4. Circuit practic pentru accelerarea comutrii
tranzistorului: a) schema de principiu;
b) semnalul la intrarea circuitului;
c) variaia n timp a curentului de baz.

Un alt circuit este prezentat n figura 8.5.


ntruct dioda este un dispozitiv neliniar i
atunci cnd este deschis, prin ea se aduce de
la ieire spre intrare un semnal (reacie
negativ), circuitul poart denumirea de
circuit de comutare nesaturat cu reac ie
Fig. 8.6. Circuit
Fig. 8.5. Circuit cu
negativ neliniar.
practic cu reacie
reacie negativ
Dac UBC<EF dioda D este blocat i nu
negativ neliniar
neliniar pentru
exist reacie negativ. Cnd iB crete, UBC
pentru evitarea
evitarea ptrunderii
devine =EF , dioda D se deschide i iC este
ptrunderii punctului
punctului de
limitat la valoarea corespunztoare saturaiei
de funcionare n
funcionare n
incipiente (alegnd EF astfel nct UBC = EF regiunea de saturaie.
regiunea de saturaie.
UD = UCEsat.incipient). n practic circuitul
din figura 8.5 este nlocuit prin cel din figura 8.6, cu funcionare similar, dar fr s mai necesite
bateria suplimentar EF. Pentru ca timpul de ntrziere s fie determinat doar de ctre tranzistor, este
necesar ca dioda s prezinte o inerie mic la comutarea invers. Din acest motiv n aceste circuite
trebuiesc utilizate diode de comutaie, cu timp de comutare foarte redus. Pentru a se obine timpi de
comutare redui ntr-un circuit dat, trebuiesc folosite tranzistoare cu capacitate de barier ct mai
mic, cu timp de via pentru purttorii minoritari ct mai mic i baza de grosime ct mai mic.
Capacitatea de barier a jonciunii colectorului (care conteaz n principal) se poate reduce prin
realizarea unor tranzistoare cu colector de arie mic sau prin realizarea unor tranzistoare n care
regiunea colectorului (n ntregime, cum este cazul tranzistoarelor planare sau doar parial, cum este
cazul tranzistoarelor planar-epitaxiale) are rezistivitate mare. Timpul de via se reduce prin doparea
regiunii bazei i regiunii colectorului cu aur ca i n cazul diodelor semiconductoare. Performanele
cele mai bune n regim de comutaie se obin cu tranzistoare planar-epitaxiale dopate cu aur; le

DCE - Cap.8. REGIMUL DE COMUTA IE AL DISPOZITIVELOR SEMICONDUCTOARE

78

urmeaz tranzistoarele planare, mesa i apoi tranzistoarele aliate. n cataloagele de tranzistoare,


performanele n regim de comutaie se exprim prin timpii de comutaie ntr-un anumit circuit.
Tranzistoarele bipolare de putere lucreaz de obicei n comutaie. Nu se lucreaz n zona
activ, deoarece sunt pierderi mari. La frecvene mari de comutaie se evit saturarea adnc pentru
micorarea timpului de blocare tOFF. Blocarea tranzistorului se face prin negativarea curentului de
baz. Circuitele de comand pe baz trebuie s asigure un curent IB<0 pentru blocare i un curent
IB>0 pentru deschidere.
8.4. REGIMUL DE COMUTAIE AL TRANZISTOARELOR CU EFECT DE CMP
TEC-urile au un timp de comutaie redus (zeci de nanosecunde) n comparaie cu durata
procesului tranzitoriu al tensiunii de dren determinate de capacitile parazite din schem, astfel
nct la calculul duratei proceselor tranzitorii a circuitelor TEC se poate neglija uneori timpul de
comutare propriu al tranzistorului.
Regimul de comutaie al JFET-ului este determinat de capacitile (neliniare) de barier ale
celor dou jonciuni ce delimiteaz canalul i de rezistenele sursei de semnal.
Procesele tranzitorii la comutaia MOSFET sunt complicate de faptul c intervin capaciti
variabile i generatoare de curent ce variaz neliniar cu tensiunile pe tranzistor. Timpii de comutaie
sunt foarte mici, valorile lor fiind determinate de capacitile parazite ce apar ntre electrozii
tranzistorului ca urmare a structurii acestuia. n conducie, datorit funcionrii tranzistorului n
zona ohmic, VDSON este mai mare comparativ cu tranzistorul bipolar. De aici i pierderile de putere
n conducie sunt mai mari. Pentru a micora timpul de intrare n conducie trebuie s se asigure o
cretere mai rapid a tensiunii VGS, adic dVGS/dt ct mai mare. Pentru blocare se utilizeaz i -VGG
n scopul forrii descrcrii condensatoarelor parazite. Avnd tensiune negativ pe poart, I
nregistreaz un vrf negativ i curentul de gril se stabilete la 0. La tranzistorul MOSFET cu canal
p timpii de comutaie sunt mai mari ca la cel cu canal n, datorit valorilor mai reduse pentru
mobilitate i pentru viteza maxim a golurilor n comparaie cu cea a electronilor.
Tranzistoarele MOSFET de putere lucreaz de obicei n comutaie. Comanda se realizeaz
pe poart, deci n tensiune. Grila este un condensator care se ncarc aplicnd o tensiune, iar peste
un potenial de prag tranzistorul se deschide. Caracteristicile dinamice sunt prezentate n figura 8.7.
CGD
D
CGD2

CGD
G

RDS(ON)

ideal
real

CGD
CGD1

VDS

S
Fig. 8.7. MOSFET

CGD2
CGD1

VGS=VDS

10 , CGS este constant i nu depinde de VGS

Tranzistorul bipolar cu baza izolat (IGBT) fiind un tranzistor hibrid, mbin avantajele
MOS cu cele ale tranzistorului bipolar (BJT), MOSFET avnd comutaie rapid i comand n
tensiune, iar BJT avnd cureni mari, tensiune de blocare mare, pierderi mici n conducie.
Comparativ tOFF IGBT > tOFF MOS , tOFF IGBT < tOFF BJT , PON BJT < PON IGBT < PON MOS; tON IGBT = tON MOS .

DCE - Cap. 9. DISPOZITIVE SEMICONDUCTOARE DIVERSE

79

Cap. 9. DISPOZITIVE SEMICONDUCTOARE DIVERSE


9.1. TIRISTOARE
9.1.1. Structur, schema echivalent, caracteristicile statice
Denumirea de tiristoare a fost dat unui grup de dispozitive semiconductoare a cror
structur conine trei sau mai multe jonciuni i care au caracteristici asemntoare tubului cu gaz
numit tiratron. Termenul a rezultat prin contractarea cuvintelor tiratron-tranzistor. Structura de
tiristor a fost propus de Shockley n 1950, dar primul tiristor a fost realizat n 1956 de Moll i
colaboratorii si. n principiu, structura const din 4 regiuni de conductibilitate alternat, ntr-un
monocristal de siliciu (fig. 9.1.a).

Fig. 9.1
Tiristorul are trei terminale numite anod, catod i poart (gril). n figura 9.1.c se prezint
schema echivalent a tiristorului, la care se ajunge cu ajutorul figurii 9.1.b. Se observ c J 1 , J3 sunt
jonciuni emitoare i J2 jonciune de colector pentru T1 ,T2. T2 este amplificator n conexiune EC,
avnd ca sarcin n colector rezistena JBET2. Semnalul de la ieirea unui etaj de amplificare se aplic
la intrarea celuilalt; avem de-a face cu un circuit de amplificare cu reacie pozitiv. Simbolul este
prezentat n figura 9.1.d, iar caracteristicile statice n figura 9.2.

Fig. 9.2
Aplicnd tiristorului o tensiune direct, cu (+) pe anod i (-) pe catod, fr IP , IA este mic (10-8A),
iar RAC 0-8; aceasta este starea blocat. Mrind tensiunea, punctul de funcionare se deplaseaz
pe ramura OA. Cnd se atinge tensiunea de strpungere direct (UA=Ustrd), tensiunea UA se reduce
brusc (UA=1...2V), iar I crete mult fiind limitat numai de rezistena din circuitul anodic (se
parcurge ramura de rezisten negativ AB, apoi ramura BC). Aceast strpungere nu este
distructiv pentru tiristor. Dac nu se depete Imax admis. Ea se numete comutaie prin
strpungere direct. Prin comutaie sau comutare direct se nelege trecerea tiristorului polarizat

DCE - Cap. 9. DISPOZITIVE SEMICONDUCTOARE DIVERSE

80

direct din starea de blocare n stare de conducie. Nu se folosete n practic comutarea direct prin
depirea Ustrd, deoarece nu se poate controla starea tiristorului. n prezena unui curent de poart,
tensiunea anodic la care apare comutaia direct a tiristorului scade. Uzual comutarea direct se
face prin aplicarea unui curent de poart. Fiind comutat direct, tiristorul se menine la conducie
chiar dup anularea curentului de poart. Dac IA depete o anumit valoare IH (hold, hipostatic,
de meninere). Tiristorul polarizat invers prezint o rezisten foarte mare. Atunci cnd -UA=-Ustri,
IA ncepe s creasc datorit multiplicrii n avalan a purttorilor de sarcin. Apare strpungerea
invers care duce la strpungerea tiristorului datorit puterii mari disipate de acesta Ustri este cam cu
100V mai mare dect Ustrd. Trecerea tiristorului din stare de conducie n starea de blocare
(comutaie invers) se poate face prin reducerea UA astfel nct IA s scad sub limita de meninere
(comutaie natural) fie aplicnd tiristorului o tensiune invers, cu (+) pe catod i (-) pe anod,
tensiune ce trebuie meninut un timp suficient (comutaie forat).

Fig. 9.3
Funcionarea tiristorului n regim static se poate explica cu ajutorul schemei echivalente.
Pentru IP=0 se pot scrie relaiile:
IC1 1 IE1 ICB01
IC2 2 IE2 ICB02

Notam I0 ICB01 ICB02 (curentul invers al jonctiunii )


IJ2 IC1 IC2 1 IE1 2 IE2 I0
I0
1 ( 1 2 )
Se reprezint dependena (1 2 ) funcie de IA; pentru IA IH , suma (1 2 ) 1 datorit
fenomenelor de recombinare n regiunea de tranziie a jonciunilor emitor.
Dar IE1 IE2 IJ2 IA IA (1 2 ) IA I0 IA

Fig. 9.4

Pentru un tiristor blocat (1 2 ) 1 IA I0 . La tensiuni


directe mari, notnd prin M factorul de multiplicare n avalan a
purttorilor la jonciunea J2, rezult c:
M I0
IA
1 M (1 2 )
Atunci cnd Ua=Ustrd, dei IA este mic, se ndeplinete condiia
de comutaie M( 1 2 ) 1 , deoarece M<<1. IA crete, tiristorul
comutnd prin strpungere direct.

Dup comutare:
UA 1...2V, M = 1, dar IA ramanemare, caci ( 1 2 ) 1.
PentruIP 0 IE2 IA IP

DCE - Cap. 9. DISPOZITIVE SEMICONDUCTOARE DIVERSE

81

IC1 M( 1 IE1 ICB01) M( 1 IA ICB01)

M(I0 2 IP)
1 M( 1 2 )
n acest caz comutaia direct a tiristorului apare la o UA direct mult mai mic, deoarece aciunea Ip
const n creterea lui 2 i ndeplinirea condiiei de comutaie M(1 2 ) 1 la o U mai mic.
Dac IP este suficient de mare, amorsarea tiristorului se poate produce i la o tensiune UA egal cu
cderea de tensiune pe tiristor n condiia direct (1...2V), deci M=1. Caracteristica circuitului de
poart a tiristorului IP(UP) este asemntoare unei diode, avnd o cdere de tensiune mai mare
(23V figura 9.5), datorit rezistenei serie a regiunilor neutre.
IC2 M( 2 IE2 ICB02) M[ 2 (IA IP) ICB02] IA

IP i UP, necesare pentru a realiza comutaia


direct, scad cu temperatura i prezint o anumit
dispersie tehnologic. n cataloage se indic U continu
maxim ce poate fi aplicat porii fr s provoace
comutaia la nici un exemplar, precum i tensiunea
minim care asigur comutaia tuturor exemplarelor.

Fig. 9.5
9.1.2. Procese tranzitorii la comuta ia tiristoarelor
Comutaia direct normal
Dac un tiristor este conectat ca n figura 9.6 i se aplic circuitului de poart o treapt de
curent, IA se va stabili la valoarea de regim staionar cu o anumit ntrziere (fig. 9.7).

Fig. 9.6

Fig. 9.7

Timpul de comutaie direct tcd, reprezint intervalul de timp msurat din momentul aplicrii
treptei de curent iP i pn cnd ia atinge 90% din valoarea de regim staionar. tcd = tI + tr; ti = timp
de ntrziere (0...0,1IA); tr = timp de ridicare (0,1...0,9IA) n general tcd = 1...10 sec. Timpul ti este
determinat de durata compensrii sarcinii spaiale a jonciunii J2, n vederea polarizrii directe a
acesteia, precum i de durata necesar deplasrii purttorilor de sarcin ai tranzistoarelor T1, T2
pentru realizarea reaciei pozitive.
Timpul de ridicare tr, este determinat de necesitatea acumulrii unor sarcini de purttori
minoritari n exces n bazele T1, T2, pentru a se asigura trecerea curentului prin dispozitiv. Iniial

DCE - Cap. 9. DISPOZITIVE SEMICONDUCTOARE DIVERSE

82

amorsarea tiristorului se petrece ntr-o zon din imediata vecintate a electrodului de comand,
numit zon de conducie primar, avnd forma unui canal ngust. Apoi aceast zon se va propaga
n restul dispozitivului cu o vitez de cca. 100 m / sec. Dac pe durata tr, circuitul n care este
conectat tiristorul permite o cretere rapid a IA, densitatea de curent n zona de conducie poate
deveni foarte mare, n acelai timp, descreterea tensiunii la bornele tiristorului nu se petrece
instantaneu. Ca urmare, puterea instantanee disipat pe tiristor este mare. Deoarece puterea
instantanee se disip numai n zona redus de conducie, aceast zon se poate topi ducnd la
distrugerea tiristorului prin efect di / dt. O seciune printr-un tiristor distrus prin efect di / dt pune n
eviden un crater, n apropierea porii, pe toat grosimea pastilei de Si.
Protejarea tiristorului mpotriva distrugerii prin efect di / dt se realizeaz introducnd o
inductan n serie cu acesta care s limiteze viteza de cretere a curentului. Totodat I de poart
trebuie sa aib un front foarte bun pentru a mri zona de conducie primar a tiristorului. n
cataloage se indic di / dt max. al tiristorului (uzual 50...100 A/s) .
Comutaia invers
Presupunem tiristorul din figura 9.6 n conducie. Vom realiza trecerea sa n stare de blocare
prin inversarea polaritii sursei EA. n figura 9.8
sunt date variaiile n timp ale IA i UA. Imediat
dup momentul t0, n care s-a inversat polaritatea
sursei EA, jonciunile tiristorului rmn polarizate
direct deoarece la marginile regiunilor de tranziie
ale jonciunilor concentraiile purttorilor
minoritari sunt mai mari ca la echilibru. Prin
tiristor va circula un curent de sens invers

IR

EA
RS

, eliminndu-se purttorii minoritari. n

momentul t1 dispare excesul de purttori


minoritari n jonciunea J3. Tensiunea pe tiristor
i schimb semnul, iar rezistena acestuia crete.
Va scade curentul invers prin tiristor. n momentul
t2 se polarizeaz invers i J1, iar n t3 IA=0. Dac
imediat dup t3 s-ar aplica tiristorului o tensiune
direct acesta ar comuta, deoarece concentraia
purttorilor de sarcin n J2 este mai mare ca la
Fig. 9.8
echilibru. Abia dup t4, tiristorul se consider
blocat. Se numete timp de comutaie invers tq
(timp de revenire) durata dintre momentul aplicrii unei tensiuni inverse pe tiristor i momentul n
care acesta poate bloca o tensiune direct. Cunoaterea tq este important pentru proiectarea
circuitelor de comutaie forat. n funcie de valoarea sa tiristoarele se mpart n 4 categorii:
- ultrarapide - tq =5...10s;
- rapide - tq =10...30s;
- normale - tq =30...100s;
- lente - de regul n catalog nu se indic tq (sunt folosite n circuite cu comutaie
natural; ex.: redresoarele comandate).
Comutaia direct anormal prin efect du / dt
Se aplic unui tiristor o tensiune direct, cu o anumit vitez de cretere n timp i care se
menine sub Ustrd. Mrind progresiv viteza de cretere se constat c la un moment dat, tiristorul
amorseaz (curba 2 din fig. 9.9). UA scade la 1...2V. Se spune c s-a atins viteza de cretere critic,

DCE - Cap. 9. DISPOZITIVE SEMICONDUCTOARE DIVERSE

83

notat (du / dt)critic sau c tiristorul a amorsat prin efect du / dt. Explicaia fenomenului se poate da
considernd capacitatea prezentat de jonciunea J2 a tiristorului, care depinde de tensiunea de la
extremitile jonciunii. CJ2 apare conectat ca n figura 9.10 n schema echivalent, ICJ2 poate s
ating o valoare important dac viteza de cretere a tensiunii duA / dt este suficient de mare.

Fig. 9.9

Fig. 9.10

dC J2
du
d
(CJ2u A ) C J2 A u A
dt
dt
dt
Acest curent se nchide prin bazele T1 T2 i are acelai efect ca i curentul de poart,
determinnd comutarea direct a tiristorului. Intrarea n conducie a tiristorului prin efect du / dt se
face ntr-o zon puin definit a dispozitivului. Apar puncte n care densitatea de curent este
inadmisibil de mare numite "puncte fierbini", n care materialul i pierde proprietile. Aadar,
comutarea prin du / dt pe lng faptul c este necontrolat, putnd conecta un circuit ntr-un moment
nepotrivit, duce la distrugerea tiristorului, dac se repet de cteva ori. Constructorul indic n
cataloage (du / dt)max. care poate fi 20...1000 V / s. Pentru tiristoarele care au du / dt 20...90 V / s,
o rezisten ntre P i C face ca tiristorul s suporte o vitez du / dt mai mare. Viteza critic du / dt la
care amorseaz un tiristor depinde de urmtorii factori:
- scade cu creterea tensiunii de palier upr
- scade la creterea temperaturii
- crete prin injecia IP<0 (fr a depi Uinv max. PC)
- crete cu creterea tensiunii existente pe tiristor n momentul aplicrii unei rampe de U
Pentru evitarea comutaiei directe prin efect du / dt se folosesc circuite de protecie RC (fig.
9.11 a, b, c).
I CJ2

Fig. 9.11
t

La nchiderea contactului K, D intr n conducie i u A u C E A (1 e RSC ) .


t
du A
E
A e R SC are maximul la t = t0 = 0
dt
R SC

DCE - Cap. 9. DISPOZITIVE SEMICONDUCTOARE DIVERSE

84

E
E
du A
A Dac EA este apropiat de Ustrd C Adu , du / dt fiind valoarea de

R S dt
dt max R S C
0.6EA
catalog a tiristorului. Dac EA < 0.5 Ustrd se poate folosi relaia C
.
R S du
dt

R limiteaz curentul de descrcare a C prin tiristor. Uzual R=10..50 D lipsete, iar dac
R<<RS performanele celor dou scheme sunt asemntoare (fig. 9.11 c).
Grupul RC paralel mai prezint 2 avantaje:
- protejeaz tiristorul la supratensiuni
- ajut comutarea direct a tiristorului, dac sarcina acestuia este inductiv, deoarece
condensatorul se descarc prin tiristor, depindu-se astfel IH. Pentru sarcini inductive se folosesc
impulsuri late pentru comand. Datorit transformatoarelor de impuls care nu pot transmite
impulsuri late, se transmit trenuri de impulsuri.
Protecia tiristoarelor la supracureni
Monocristalele de Si, avnd dimensiuni foarte reduse, rezist foarte puin la cureni mai mari
dect cei nominali. Dispozitivele de protecie la supracureni pot fi ntreruptoare de putere,
sigurane fuzibile ultrarapide (din Ag) etc., corelndu-se timpul de acionare al dispozitivului de
protecie cu caracteristica de suprasarcin a tiristorului (conform catalog).
Exemple de tiristoare produse de IPRS Bneasa:
1A

T1N05...T1N8
T1R05...T1R8, echivalent KY112A (Rusia)
3A
T3N05...T3N8
T3F05...T3F8
T3N05P...T3N6P (F)
6A
T6N05P...T6N5P
T6F05P...T6F5P
Fig. 9.12
10A T10N05...T10N8
T10R05...T10R8
Urmeaz tiristoare de 16A, 22A, 32A, 50A, 63A, 80A, 100A, 150A, 200A, 250A, 320A, 350A,
400A, 450A, 500A, 700A maxim pentru tiristoare normale i 600A maxim pentru tiristoare rapide
(codificate F/R).
9.1.3. Tipuri speciale de tiristoare
1. Dioda pnpn (Shockley)
Este un tiristor fr poart. Se mai numete i
tiristor - diod sau dinistor. Este folosit ca element
detector de nivel pentru semnale lent variabile, sau ca
generator de relaxare.
Uprag = 18..50 V, IH = 1..5 mA
2. Dioda BOD (Break-Over Diode)

Fig. 9.13

Este un tiristor fr poart, de putere mare si tensiune ridicat (Uprag = 5004000V). Intr n
conducie prin autoaprindere (comutare direct prin depirea Ustrd) i se blocheaz dac curentul
prin ea scade sub valoarea curentului de meninere IH.

DCE - Cap. 9. DISPOZITIVE SEMICONDUCTOARE DIVERSE

85

3. Tiristor cu comanda comutaiei inverse pe poart (Gate Turn Off GTO)

Fig. 9.14

Dispozitivul comut direct ca un tiristor obinuit, dar poate fi


comutat invers printr-un curent de poart negativ, care duce la
eliminarea purttorilor minoritari n exces. GTO se realizau iniial
numai la cureni mici (< 2A), iar IP pentru comutaia invers putea
atinge valoarea -IP=0.5IA (n prezent se ajunge pn la 1000A i
6KV). Se mai folosete simbolul obinuit de tiristor cu iniialele
GTO, precum i denumirea de tiristor cu revenire cu o poart, sau
tiristor cu blocare pe poart. Au aprut i GTO cu poart MOS avnd
IP = 0.

4. Tiristoare cu revenire cu dou pori


O poart este anodic i alta catodic. Ele comut direct, injectnd IP>0 n GC
sau IP < 0 n GA. Pentru comutaie invers, se schimb sensul curenilor. Sunt scumpe.

Fig. 9.15
5. Darlistorul
Este un tiristor cu performane superioare n ceea ce privete di / dt i du / dt.
Pe aceeai pastil de Si se integreaz dou tiristoare: T1 de comand i T2 cel
principal. Dup comutarea direct a lui T2, T1 comut invers.
Fig. 9.16
6. Triacul (tiristor-triod bidirecional)
Este un dispozitiv bidirecional care poate nlocui dou
tiristoare montate antiparalel, dar are mai multe posibiliti
(moduri) de comand:
I.
II.
III.
IV.

uT2 > uT1, uG > uT1 (U anodic polarizat direct, iar IP > 0);
tiristor obinuit;
uT2 > uT1, uG < uT1 exist un tiristor principal i unul
secundar, tiristor avnd poarta realizat sub forma unei
jonciuni suplimentare;
uT2 < uT1, uG < uT1 tiristor cu poart deprtat;
uT2 < uT1, uG > uT1 tiristor cu poart deprtat (tiristor
secundar i tiristor principal).

Fig. 9.17

n cazurile I i III triacul are cea mai bun sensibilitate de comand, iar n IV cea mai redus.
Parametrii du / dt i di / dt depind de modul de comand. Dac pentru I i II (di / dt)cr = 200 A /
sec, atunci pentru III i IV avem 100 A / sec.
Ex.: TB6N2...6, TB10N2...6.

DCE - Cap. 9. DISPOZITIVE SEMICONDUCTOARE DIVERSE

86
7. Diacul

Sub aceast denumire se ntlnesc dou structuri:


1. O structur cu cinci zone (dou diode Shockley
antiparalele);
2. O structur cu trei zone uniform dopate la care
jonciunea polarizat invers strpunge nedistructiv.

Fig. 9.18.a

Se folosete n circuitele de comand ale triacurilor.


Up = 10...50 V, I = 0.2...0.3 A.
Ex.: DC32 (Up = 32V), DC 38, DC 44, DC 50.
Fig. 9.18.b
8. Quadracul
Denumire comercial, disprut actualmente, pentru un triac cu diac ncorporat.
9. Contactor static unilateral cu siliciu (Silicon Unilateral Switch SUS)
Este un tiristor cu poart
anodic i o diod Zener. Deschiderea
diodei asigur IP pentru tiristor.

Fig. 9.19
10. Contactor bilateral cu siliciu (SBS)
Este folosit n circuitele de comand ale triacurilor.
Fig. 9.20
9.2. TRANZISTORUL UNIJONC IUNE (TUJ)
Prima structur de TUJ coninea o bar de siliciu uniform dopat de tip n, avnd la mijloc o
mic regiune p, numit emitor. Capetele barei se numesc baze. Bara este slab dopat.
RBB = 1..10 K

Fig. 9.21

DCE - Cap. 9. DISPOZITIVE SEMICONDUCTOARE DIVERSE

87

Emitorul formeaz cu fiecare dintre baze diode obinuite. Funcionarea se bazeaz pe


controlul conductivitii regiunii EB1 cu ajutorul tensiunii UEB1. Uzual B1 este electrod de referin
i UBB 10 V.
Se numete factor de divizare intrinsec

R B1
R
B1 0.4...0.8 . Dac UEB1 < UBB,
R B1 R B2 R BB

atunci EB1 este polarizat invers, iar IE0. Cnd UEB1 = UBB + UD UBB, atunci TUJ-ul
amorseaz. Dioda EB1 devine polarizat direct, emitorul injecteaz goluri n zona EB1, rezistena
zonei EB1 scade i apare o zon PV cu rezisten negativ n caracteristica TUJ-ului. Dac UEB1
crete, atunci caracteristica devine cea a unei diode obinuite.
Parametrii de catalog: UP (pisc), UV (vale), RB1B2, IE max.
Este folosit ca oscilator de relaxare pentru comanda tiristoarelor; n circuitele de relaxare, de
memorie, la releele electromagnetice.
n figura urmtoare se prezint un oscilator de relaxare cu TUJ, precum i formele de und.

Fig. 9.22
Condensatorul C se ncarc prin R ctre EA. Atunci cnd uC(t) = EA, TUJ-ul comut i C se
descarc pe R1. Variaia tensiunii la bornele condensatorului este descris de relaia:
t

u C (t) u F (u I u F )e RC
- uI = uV
tensiunea iniial (la t = 0)
- uF = uFinala = lim uC(t) = EA tensiunea spre care se ncarc condensatorul (t ).
t

Rezult u C (t) E A (u V E A )e RC .
Durata de ncrcare a condensatorului (t1) se determin din condiia uC(t1) = EA
uV

1 EA
u uI
RC ln
E A E A (u V E A )e RC t 1 RC ln F
u F E A
1
Durata de descrcare a condensatorului (t2) este proporional cu R1 care va avea 50..200
1
t2 << t1; uV << EA T t 1 RC ln

1
R2 este introdus pentru a realiza o compensare termic i se dimensioneaz cu relaia
t1

R 2 R1

u
1
R B1B2 D .

E A

Montajul funcioneaz ca oscilator de relaxare doar dac dreapta de sarcin corespunztoare


rezistorului R intersecteaz caracteristica TUJ-ului n zona de rezisten negativ. Rezult condiia:
EA u V
1
.
R EA
IV
IP

DCE - Cap. 9. DISPOZITIVE SEMICONDUCTOARE DIVERSE

88

Perioada oscilatorului poate fi modificat variind R sau C. Variaia perioadei se mai poate
obine prin modificarea tensiunii iniiale pe C, sau folosind un TB introdus n serie sau n paralel cu
condensatorul.
Ex. (n ar): ROS11, 12, 2N1671, 2160, 2646, 3479...3484.
Rusia: KT117A.

Fig. 9.23

TUJ programabil (TUP)


Este similar cu tiristorul cu poarta anodic.

R1
R1 R 2

Se urmrete ca I pe rezistena R s fie mai mic dect curentul de meninere pentru blocarea
tiristorului dup ce se descarc condensatorul.
Tem: s se proiecteze un oscilator cu un
tiristor normal n loc de TUJ, folosind o
diod Zener, trei rezistene i un
condensator.

Fig. 9.24

Fig. 9.25

DCE - Cap.10. DISPOZITIVE OPTOELECTRONICE

89

Cap.10. DISPOZITIVE OPTOELECTRONICE


10.1. GENERALITI
n aceast categorie intr dispozitivele ce transform energia electric n radiaii i invers.
Pot fi mprite n trei categorii:
1. - fotodetectoare detecteaz semnalele optice prin procese electrice. Ex.: fotorezistoarele,
fotodiodele, fototranzistoarele i fototiristoarele.
2. - celule fotovoltaice (celule solare, fotoelemente) transform radiaiile optice n energie
electric.
3. - electroluminescente transform energia electric n radiaie optic. Ex.: diodele fotoemisive
(LED-uri), laserul cu semiconductor.
Se folosesc la instalaii de automatizare, telecomand, afiaj numeric, fibre optice.
Dispozitivele fotodetectoare i celulele fotovoltaice funcioneaz pe baza procesului de
generare a purttorilor mobili sub aciunea radiaiilor numit efect fotoelectric intern. Curentul invers
rezidual ntr-o jonciune p-n este datorat purttorilor minoritari. Energia care elibereaz aceste
perechi electron-gol este n mod normal pur termic. ns dac se permite luminii s cad pe o
jonciune, se obine o cretere mare a numrului de purttori minoritari. Electronii i golurile sunt
eliberai de energia fotonilor incideni, producnd o cretere mare a curentului invers rezidual.
Dispozitivele electroluminescente funcioneaz pe baza procesului de recombinare radiativ
a purttorilor n exces dintr-un semiconductor, iar concentraia excedentar poate fi realizat prin
injecie, cu ajutorul unei jonciuni p-n.
10.2. FOTOREZISTORUL

Fig. 10.1

Const
dintr-o
pelicul
semiconductoare
policristalin. n absena fluxului luminos rezistena are o
valoare mare (1M). Cnd fotorezistorul este iluminat R
scade pn la valori de ordinul a 100 (la iluminri
puternice sensibilitatea lui variaz cu lungimea de und a
radiaiilor). Exist o ntrziere ntre variaia iluminrii i
variaia rezistenei datorit timpului de via al purttorilor
n exces.

10.3. FOTODIODA
O fotodiod const dintr-o jonciune p-n
polarizat invers montat ntr-o capsul prevzut cu o
fereastr transparent. n absena fluxului luminos,
jonciunea polarizat invers este strbtut de curentul de
saturaie (de ntuneric) care este la Ge i 1 nA la Si.
Cnd jonciunea este iluminat, apare un curent
proporional cu iluminarea; de exemplu curentul crete la
circa 1A la Si pentru o iluminare cu intensitatea de 1
mW / cm2 . Aceasta este intensitatea tipic dat de un
bec de 60 W la o distan de circa 30 cm (200 lux).
Curentul maxim din montaj I A max

Fig. 10.2

EA
. Ex.: ROL021, 121...127.
RS

10.4. FOTOTRANZISTORUL
Un dezavantaj al fotodiodelor l constituie sensibilitatea lor relativ sczut. Un fototranzistor
este un tranzistor normal, prevzut n capsul cu o fereastr transparent. Unele fototranzistoare

DCE - Cap.10. DISPOZITIVE OPTOELECTRONICE

90

sunt montate ntr-un plastic transparent; partea superioar este convex, pentru a aciona ca o
lentil, focaliznd lumina pe tranzistor i astfel ducnd la creterea sensibilitii dispozitivului,
totodat fcndu-l direcional. Cnd cade lumina pe tranzistor, purttorii minoritari sunt eliberai la
ambele jonciuni, dar cei ai jonciunii colector - baz, polarizate invers, dau natere fotocurentului.
Fototranzistorul poate fi privit ca o fotodiod cu amplificator nglobat n structura semiconductoare;
jonciunea C-B este fotodioda de baz (pe care cade
lumina) iar jonciunea E-B are rolul de a amplifica
fotocurentul prin efectul de tranzistor. Curentul de
ntuneric este ICE0 ( 1)ICB0 , deci mai mare fa de cel
de la diod, iar sensibilitatea este de (+1) ori mai mare
dect la fotodiod. Terminalul de baz este n mod normal
nefolosit, multe fototranzistoare prezentnd doar dou
terminale externe: colectorul i emitorul.
Fig. 10.3
Ex.: ROL 031...036.
10.5. FOTOTIRISTORUL

Fig. 10.4

Fluxul luminos se aplic pe regiunea bazelor tranzistoarelor echivalente


tiristorului i are acelai efect ca o tensiune de comand pe poarta unui tiristor
obinuit.
Ex.: ROL37 (A,B).

10.6. CELULE FOTOVOLTAICE (SOLARE, FOTOELEMENTE)

Fig. 10.5

Const dintr-o jonciune p-n de arie mare din Si, GaAs etc. Randamentul
de transformare a energiei luminoase n energie electric este de 10 O celul
avnd suprafaa de 1 cm2 poate furniza 20 mW la U = 0,5 V cnd este expus la
soare. Ex.: ROL 11...17, ROL 41...50.

10.7. DIODE FOTOEMISIVE (ELECTROLUMINESCENTE, LED-uri)


Sunt diode semiconductoare ce emit radiaii luminoase cnd sunt
polarizate direct. Se folosesc ca dispozitive de afiaj sau elemente de cuplaj
optoelectronic. Idirect = 1...100 mA; U = 1...2 V; randamentul de transformare a
energiei electrice n radiaii luminoase este 1...5 . Materialele utilizate sunt
Fig. 10.6
GaAs pentru infrarou sau Ga(AsP) pentru rou, portocaliu, galben, verde,
albastru. LED-urile de culoare albastr sunt scumpe i rare.
Ex.: ROL 02, 03 (rou), 05 (portocaliu), 07 (galben), 09 (verde), 91 (infrarou);
MDE 1101R, G, V, P
Element de afiare cu 7 segmente (7 diode LED)
Ex.: - cu catod comun: MDE 2111R, V, G, P
- cu anod comun: MDE 2101R, V, G, P
Optocuplor LED - fototranzistor (sau optoizolator).

Fig. 10.7

Fototranzistorul capteaz variaiile de intensitate luminoas emise de


dioda LED, permind cuplajul prin "lumin" ntre dou circuite izolate
complet din punct de vedere electric. Se folosete pentru separare galvanic. Se
Fig. 10.8
garanteaz uzual izolaii de 2,5 kV ntre LED i fototranzistor.
Poate fi cu 4 sau 5 (6) terminale (baza poate fi scoas n exterior sau nu). Se pot transmite prin ele
semnale digitale i chiar liniare. Ex.: ROL 61, MB104D.