Conductia Electrica

Capitolul 2 Conductia electrica in solide.
Purttori de sarcin
49

2. Conducia electric n solide. Purttori de sarcin

2.1 Introducere

Solidele sunt substanele care au volum constant i form proprie.
Solidele au o structur cristalin format printr-un aranjament ordonat
spaial al atomilor i moleculelor, o repetare periodic pe cele trei axe de
coordonate a unei celule elementare. La orice solid cristalin exist trei
vectori primitivi a,b,c, care formeaz un paralelipiped, astfel nct structura
cristalin rmne invariant n urma unei translaii cu un vector r definit
prin:

(2.1)

n care m, n, p, sunt numere ntregi.
Reeaua cristalin astfel construit se numete reea Bravais. Toate
celulele reelei sunt ocupate de atomi identici sau molecule identice i sunt
echivalente ntre ele. Pentru a descrie celula elementar trebuie cunoscute
ase mrimi: laturile a, b, c i unghiurile dintre ele , , , care se constituie
n parametrii acesteia. n fig.2.1. se prezint un tip de reea cristalin i
celula elementar care st la baza ei.

Fig. 2.1 a) Reea cristalin; b) celula elementar

Solidele se mpart n funcie de modul n care conduc curentul
electric la temperatura normal (T300K), n trei grupe, dup valoarea
conductivitii electrice, mrime egal cu inversul rezistivitii.

r = ma + nb + pc

FLORIN MIHAI TUFESCU DISPOZITIVE SI CIRCUITE ELECTRONICE (I)
50

(2.2)

este rezistivitatea materialului , < >
SI
= m
= 10
8
10
6
(m)
-1
conductoare,
= 10
5
10
-9
(m)
-1
semiconductoare,
10
-9
(m)
-1
izolatoare.

Analiznd modelul benzilor energetice i mecanismele conduciei,
solidele pot fi mprite n dou clase:
- conductoare, la care conductivitatea este ridicat ntr-o gam larg de
temperatur i scade cu temperatura.
- semiconductoare i izolatoare, la care conductivitatea are valori mici i
crete cu temperatura; diferena ntre semiconductoare i izolatoare este c
la primele, conducia are loc la temperaturi normale i este influenat de
doparea cu impuriti i aplicarea de radiaii termice, luminoase i de
modificarea temperaturii.
- La conductoare (metale) prin reeaua cristalin format din ioni pozitivi
se deplaseaz electronii provenii de pe nivele de valen care pierzndu-i
individualitatea formeaz gazul electronic (teoria LorentzSommerfeld).
Datorit numrului mare de electroni liberi (n
0
10
23
cm
-3
) metalele au
valori ridicate pentru conductivitate.
- La semiconductoare i izolatoare exist deasemenea o reea cristalin cu
atomii (ionii) fixai n nodurile reelei, dar deosebirea const n faptul c
electronii au o micare localizat n jurul unuia sau a doi atomi. Exist dou
cazuri extreme:
a) reeaua cristalin este format din dou tipuri de atomi care difer
puternic prin proprieti: unul are tendina s cedeze uor electroni, cellalt
s-i ataeze aceti electroni, aprnd astfel ioni pozitivi i ioni negativi care
conduc la crearea unei legturi prin fore electrostatice numit legtur
heteropolar sau ionic (exemplu NaCl).
b) reeaua cristalin este constituit din atomi de acelai fel sau care difer
foarte puin. n acest caz doi electroni de valen, de spin opus, cte unul din
fiecare atom , devin comuni celor doi atomi avnd loc o dezindividualizare a
electronilor i formndu-se o legtur covalent (ex. Si, Ge, Se, Pb, SiC,
CuO, InSb, GaAs, GaP).
1
= < >
SI
= (m)
-1

Capitolul 2 Conductia electrica in solide.Purttori de sarcin
51
2.2 Modelul benzilor energetice

Pentru a nelege modul n care apar benzile energetice la un solid
cristalin, se consider un model unidimensional n care iniial este analizat
un atom izolat A cu sarcina pozitiv Q = qZ, unde Z este numrul atomic
iar q sarcina elementar. n acest caz potenialul V i energia potenial a
electronului W
p
= eV , variaz invers proporional cu distana fa de nucleu,
ca n fig.2.2(a) unde s-au luat drept referin pentru potenial i energia
potenial, valorile corespunztoare unui electron aflat la infinit.

Fig. 2.2 Energia potenial a electronului n cmpul electric al nucleului
(a)- a un singur atom,(b)-la doi atomi separai prin distana
interatomic a.

n fig. 2.2 liniile orizontale reprezint nivele energetice discrete
determinate de numrul cuantic principal, lungimea lor fiind proporional
cu raza orbitei pe care se mic electronul. Dac lng atomul A exist un

52
atom B la distana a, (fig.2.2b) energia potenial rezultant n spaiul dintre
cei doi atomi se obine fcnd suma algebric a energiilor provenind de la
fiecare din cei doi atomi. Datorit interaciunii ntre atomii A i B nivelele
energetice discrete, mai ales cele superioare se desfac n dou (efect Stark).
Se constat c distana dintre nivelele despicate crete odat cu scderea
distanei interatomice a.
n cazul unui cristal real format din foarte muli atomi, nivelele
discrete sunt att de numeroase i de apropiate, nct se constituie n benzi
energetice permise. Acestea sunt separate de benzi interzise unde nu pot
exista electroni. Aceast teorie de formare a benzilor energetice n solide a
fost elaborat de ctre Bloch i Brillouin.

Fig. 2.3 Obinerea benzilor energetice prin desfacerea nivelelor discrete
(Bloch)

- Modelul benzilor energetice la metale consider c din nivelele de
excitaie rezult banda de conducie, BC; din nivelele de valen rezult
banda de valen, BV, i are loc o suprapunere parial a acestor dou benzi.
La suprafaa metalului se produce o variaie important a energiei poteniale
care se constituie ntr-o barier de energie potenial.

53

Fig. 2.4 Modelul benzilor energetice la metale.

2.3 Conducia electric n semiconductoare intrinseci.

Lund ca exemplu siliciul, care are o structur tetraedric, la
temperaturi sczute i n absena unor factori energizani legturile
covalente sunt satisfcute acesta comportndu-se ca un izolator ideal. La
temperatura normal (T=300K) un numr de electroni au statistic o energie
suficient pentru a se desface din legturile covalente devenind liberi i
participnd la conducie dac exist un cmp electric extern. Legturile
covalente rmase nesatisfcute (vacanele) se comport ca nite sarcini
pozitive numite goluri, i particip la conducie alturi de electroni. n
semiconductoarele pure sau intrinseci numrul electronilor liberi este egal
cu numrul golurilor, formndu-se perechi electron-gol.

Fig. 2.5 Reprezentare n plan a structurii cristalului de siliciu
(a) - la temperatur sczut cnd se manifest ca izolator,
(b)- la temperatura normal cnd apar perechi electron-gol.
n fig. 2.6 se reprezint modelul benzilor energetice la
semiconductoare intrinseci. n banda de conducie se pot gsi electroni a
cror energie a fost suficient pentru a se desface din legturile covalente i

54
a trece prin banda interzis cu lrgimea W
g
. Aceti electroni las n banda de
valen goluri care particip la conducie.

Fig. 2.6 Modelul benzilor energetice la semiconductoare intrinseci.

n fig. 2.7 se prezint modul n care apar benzile de interes pentru
conducie la solide i cum se face clasificarea acestora n baza acestui
criteriu. La metale banda de conducie este ocupat parial cu electroni i
exist o suprapunere parial a acesteia cu banda de valen (fig 2.7a). n
cazul semiconductoarelor (fig.2.7b) i al izolatorilor (fig.2.7c), ntre banda
de valen i cea de conducie exist o band interzis cu o lrgime specific
fiecrei substane.

Fig. 2.7 Clasificarea solidelor dup modelul benzilor energetice.

2.4 Conducia electric n semiconductoare extrinseci.

Semiconductoarele extrinseci sunt semiconductoare dopate cu
impuriti. n reeaua cristalin se introduc atomi strini trivaleni sau
pentavaleni care modific tipul i numrul purttorilor participani la
conducie. ntr-un astfel de semiconductor vor exista un anumit tip de
purttori majoritari: electronii la semiconductorul tip n, dopat cu atomi

55
pentavaleni, i respectiv golurile la semiconductorul tip p dopat cu atomi
trivaleni.
Ca i la semiconductoarele intrinseci se pstreaz mecanismele de
generare de perechi electron-gol ca urmare a excitrii externe, dar numrul
acestora este mic n comparaie cu purttorii produi de atomii strini.

Semiconductorul tip n se obine prin doparea semiconductorului
pur cu atomi pentavaleni, donori, de As, P, Sb, Bi. n fig.2.8 a se prezint
cazul unei reele cristaline din siliciu n care a fost introdus un atom de As.
Patru din electronii atomului de As satisfac legturile covalente cu atomi
vecini de Si, al cincilea electron devine liber n semiconductor. Astfel atomii
donori, introduc nivele donoare W
D
n banda interzis n apropierea limitei
inferioare a benzii de conducie, W
C
. Trecnd de pe nivele W
D
n banda de
conducie cel de-al cincilea electron nu las n urma sa goluri, deoarece nu
este participant la legturile covalente (fig. 2.8.b).

Fig. 2.8 Semiconductor tip n: a- structura cristalin;
b- modelul benzilor energetice.

Dup pierderea electronului atomii donori devin ioni pozitivi fixai
n reeaua cristalin a siliciului.
La semiconductorul tip n electronii sunt purttori majoritari, iar
golurile purttori minoritari.

Semiconductorul tip p se obine prin doparea semiconductorului
pur cu atomi trivaleni, acceptori, de In, Ga, Al. n fig. 2.9 se prezint cazul
unei reele cristaline din siliciu n care a fost introdus un atom trivalent de
Al. Trei dintre electronii atomului de Al satisfac legturi covalente cu atomii
vecini de Si, iar legtura covalent rmas nesatisfcut numit vacan
constituie un gol slab legat de atom. Vacanele pot fi satisfcute de

56
electronii de valen ai atomilor de Si vecini. Astfel are loc o deplasare de
sarcin pozitiv aprnd purttorii numii goluri. Atomii acceptori trivaleni
introduc nivele acceptoare W
A
situate n banda interzis n imediata
apropiere a limitei superioare a benzii de valen, W
V
(fig. 2.9 b). Trecnd
din banda de valen pe nivele W
A
electronii las n aceast band goluri
libere; astfel, impuritile acceptoare injecteaz goluri n banda de valen.

Fig. 2.9 Semiconductor tip p; a- structura cristalin,
b- modelul benzilor energetice.

La semiconductorul de tip p golurile sunt purttori majoritari iar
electronii sunt purttori minoritari.

2.5 Concentraiile i distribuiile energetice ale purttorilor de
sarcin n solide.

n studiul proceselor de conducie n metale i semiconductoare se
urmresc concentraiile i distribuiile energetice ale purttorilor de sarcin.
Se utilizeaz statistica FermiDirac, care consider electronii particule
indecelabile ntre ele avnd spinul 1/2 i care respect principiul lui Pauli.
Se definesc dou mrimi importante :

2.5.1 Funcia de distribuie Fermi pentru electroni are expresia
(2.3) i reprezint probabilitatea ca la echilibru termodinamic, o stare
cuantic caracterizat prin energia W la temperatura T s fie ocupat de un
electron. W
F
se numete nivel Fermi, k este constanta lui Boltzman (k =
1,38054 10
-23
JK
-1
).

(2.3)

n cazul unui sistem de electroni liberi aflat la T=0K, electronii se
vor distribui succesiv pe nivele, conform principiului lui Pauli, de la nivelul
kT
W W
n
F
e 1
1
(W) f
+
=

57
zero pn la nivelul W
F0
, nivelele superioare rmnnd libere. La T=0K
nivelul Fermi separ strile ocupate de cele libere. La temperaturi diferite de
0K, nivelul Fermi reprezint energia pentru care funcia de distribuie ia
valoarea 1/2. Nivelul Fermi se modific cu temperatura dar pentru calcule
aproximative poate fi considerat constant W
F
W
F0
.
Funcia de distribuie Fermi pentru goluri, reprezentnd
probabilitatea ca o stare cuantic s nu fie ocupat de electroni, este:

(2.4)

n fig. 2.10 se prezint funciile de distribuie f
n
(W) i f
p
(W) la diferite
temperaturi.

Fig. 2.10 Funciile de distribuie f
n
(W) i f
p
(W)

2.5.2 Densitatea de stri se definete ca numrul de stri pe unitatea
de interval energetic:

(2.5)

dS(W) reprezint numrul de stri cuprinse n intervalul energetic W i
W+dW. Expresiile densitii de stri sunt date de [1]:
a) metale:

(2.6)

b) semiconductoare:

(2.7)
( )
kT
W W n p
F
e 1
1
W f 1 (W) f
+
= =

dW
dS(W)
g(W) =

( )
( )
2 / 1
0
3
2
3
*
n
W W
h
2m 4
g(W) =
( )
( )
2 / 1
3
2
3
*
n
C
C
W W
h
2m 4
(W) g =

58

(2.8)

unde: h = 6,6210
-34
Js este constanta lui Planck,
W
0
este adncimea gropii de energie potenial,
g
C
(W) reprezint densitatea de stri pentru electronii din banda de
conducie n apropierea nivelului W
C
,
g
V
(W) reprezint densitatea de stri pentru electronii din banda de
valen n apropierea nivelului W
V
,
m
n
* este masa efectiv a electronului,
m
p
* este masa efectiv a golului,
m
n
* i m
p
* sunt mrimi tensoriale, introduse pentru a descrie micarea
purttorilor n potenialul periodic al unei anumite reele cristaline. n cazul
unui cristal omogen i izotrop m
n
* i m
p
* devin mrimi scalare.

2.5.3 Distribuia energetic i concentraia electronilor n metale

Conform modelului Sommerfeld n metale electronii se afl ntr-o
groap de potenial, care are ca limit inferioar marginea inferioar a
benzii de conducie i ca limit superioar nivelul de ionizare ca n fig. 2.11.

Fig. 2.11 Modelul gropii de potenial la metale.

Numrul de electroni din intervalul energetic W i W+dW pe
unitatea de volum poate fi scris:

(2.9)

Pentru a determina concentraia se calculeaz integrala:
( )
2 / 1
V
3
2
3
*
p
V
W W
h
) (2m 4
(W) g =
t

( )
dW
e 1
W W
h
) (2m 4
(W)dW g(W)f dn(W)
kT
W W
2
1
0
3
2
3
*
n
n
F
= =
t

59

(2.10)

La temperatura T=0K, f
n
(W)=1 pentru W < W
F0
i f
n
(W)=0 pentru
W > W
F0
, caz n care limitele integralei sunt clar definite.
La temperaturi T0K calculul mrimilor n
0
i W
F
este mai dificil i
de aceea se presupune c gazul electronic este nedegenerat, condiie pus
prin W-W
F
kT sau T
C
T unde
k
W
T
F
C
= este temperatura de degenerare.
Pentru gazul electronic nedegenerat funcia de distribuie Fermi este
nlocuit cu funcia de distribuie Boltzman:

(2.11)

n acest caz relaia (2.9) devine:

(2.12)

Dup efectuarea calculelor se obine concentraia electronilor [4,6],
care se afl n majoritate n apropierea lui W
0
:

( )
kT
W W
n
F
e kT m
h
n
=
0
2
3
*
3
2
2
t (2.13)

(2.14)

N
m
se numete densitate efectiv a strilor energetice n metal la
limita inferioar a gropii de energie potenial. Distribuia energetic a
electronilor se obine grafic fcnd produsul curbelor f
n
(W) i g(W).
Considernd forma densitii de stri la metale ca n fig. 2.12 i fcnd
produsul menionat, se obine concentraia electronilor n. Electronii care au
o energie peste nivelul W=0 prsesc metalul.

}
=
0
W
0
dn(W) n
kT
W W
n
F
e (W) f
=
dW e ) W (W
h
) (2m 4
n
0
W
kT
W W
2
1
0
3
2
3
*
n
0
F
}

=
t

N
2
3
*
n
3
m
kT) (2m
h
2
=

60

Fig. 2.12 Distribuia energetic i concentraia electronilor n metale.

2.5.4 Distribuiile energetice i concentraiile electronilor i
golurilor n semiconductoare intrinseci.

Datorit concentraiilor mici ale electronilor i golurilor se poate
considera c n semiconductoarele intrinseci gazul electronic i cel de goluri
sunt nedegenerate. Numrul electronilor din intervalul energetic W, W+dW
din banda de conducie pe unitatea de volum este:

(2.15)

W
Fi
este nivelul Fermi pentru semiconductorul intrinsec. Concentraia
electronilor are expresia:

(2.16)

unde W
L
este un nivel din banda de conducie care poate fi considerat
tinznd la infinit deoarece f
n
(W) scade foarte repede prin ndeprtarea de
W
C
. Efectund integrarea se obine:

= =

KT
) W (W
2
3
*
n
3
i
FI C
e kT) (2m
h
2
n N
kT
) W (W
C
FI C
e

(2.17)

dW
e
) W (W
h
) (2m 4
(W)dW f (W) g dn(W)
kT
W W
2
1
C
3
2
3
*
n
n C
FI
= =
t

( )
( )
( )
dW e W W
h
2m 4
n
kT
W W 2
1
W
W
C
3
2
3
*
n
i
FI L
C
}
=

61
unde:

(2.18)

reprezint densitatea efectiv a strilor energetice pentru electroni n banda
de conducie n apropierea limitei sale inferioare.
Pentru goluri se procedeaz similar obinndu-se:

(2.19)

unde:

(2.20)

reprezint densitatea efectiv a strilor energetice din banda de valen
pentru goluri n apropierea lui W
V
.
Calcularea nivelului Fermi se face tiind c n semiconductoarele
intrinseci n
i
=p
i
,ceea ce conduce n urma logaritmrii relaiilor (2.17), (2.19)
i a egalrii acestora, la expresia:

(2.21)

La temperaturi apropiate de 0K se obine:

(2.22)

adic nivelul Fermi este situat n mijlocul benzii interzise. Dac se face
produsul relaiilor (2.17) i (2.19), rezult:

(2.23)

W
g
este lrgimea benzii interzise.
Expresia (2.23) arat c ptratul concentraiei electronilor ntr-un
semiconductor intrinsec depinde numai de temperatur i de lrgimea benzii
interzise.
N
2
3
*
n
3
C
kT) (2m
h
2
=

= =

kT
) W (W
2
3
*
p
3
i
V FI
e kT) (2m
h
2
p P
kT
) W (W
V
V FI
e

P
2
3
*
p
3
V
kT) (2m
h
2
=

ln
2
kT
2
W W
W
C V
FI
+
+
= P
V
/N
2
W W
W
C V
FI
+
=
= =
2
i i i
n p n N
C
P
V
=
kT
) W (W
V C
e N
C
P
V
kT
W
g
e

62
n fig. 2.13 se prezint distribuiile energetice i concentraiile
electronilor i golurilor n semiconductoarele intrinseci.

Fig. 2.13 Distribuiile energetice i concentraiile electronilor i
golurilor n semiconductoarele intrinseci.

Suprafaele haurate reprezint concentraiile electronilor (n
i
) i
respectiv golurilor (p
i
).

2.5.5 Distribuiile energetice i concentraiile electronilor i
golurilor n semiconductoare extrinseci.

n semiconductoarele extrinseci procesele legate de purttorii de
sarcin sunt puternic dependente de natura doprii i de densitatea acestuia.
Dac se presupune un semiconductor dopat cu impurii donoare cu
concentraia N
D
i cu impuriti acceptoare avnd concentraia N
A
condiia
de neutralitate electric cere ca:

(2.24)

unde : n este concentraia electronilor n banda de conducie,
p este concentraia golurilor n banda de valen,

+
D
N este concentraia atomilor donori ionizai,

A
N este concentraia atomilor acceptori ionizai.
La temperatura normal (T=300K) i pentru concentraii de dopare
mici se consider c toi atomii de impuriti sunt ionizai:
+
D
N N
D
i
A
N N
A
ceea ce conduce la:
+
+ = +
D A
N p N n

63

(2.25)

Relaiile (2.17) i (2.19) rmn valabile i la semiconductoarele
extrinseci cu concentraii mici de dopare astfel nct relaia (2.25) devine:

(2.26)

Relaiile (2.25) i (2.26) permit aflarea concentraiilor purttorilor de
sarcin i poziia nivelului Fermi.
- Semiconductor tip n. La acest semiconductor: N
A
= 0 , n = N
D
n
i.

tiind c:
n
n
p
2
i
= [vezi relaia (2.23)]

rezult:
(2.27)

Indicele n specific tipul semiconductorului. Nivelul Fermi se obine
din relaia (2.26) prin logaritmare dup neglijarea lui p tiind c n
n
p
n
:

(2.28)

Se constat c la semiconductorul tip n, nivelul Fermi se afl ntre
mijlocul benzii interzise i limita inferioar a benzii de conducie.

n fig. 2.14 sunt prezentate distribuiile energetice i concentraiile
purttorilor la un semiconductor tip n.

D A
N p N n + = +

N = +
A
kT
) W (W
c
N e
F C
P
D
kT
) W (W
V
N e
V F
+

D
2
i
n
2
i
n
N
n
n
n
p = =
kT W W
C Fn
= ln(N
C
/N
D
)

64

Fig. 2.14 Distribuiile energetice i concentraiile electronilor
i golurilor la semiconductorul tip n.

- Semiconductor tip p. La acest semiconductor N
D
=0, p = N
A
n
i
.
tiind c:

rezult:

(2.29)

Expresia nivelului Fermi rezult din (2.26), innd cont c p
p
n
p
:

(2.30)

n semiconductorul tip p, nivelul Fermi este situat ntre mijlocul
benzii interzise i limita superioar a benzii de valen.

2.6 Ecuaiile de baz ale electronicii semiconductoarelor

Pentru a putea descrie procesele care au loc n semiconductoare,
legate de comportarea static i dinamic a purttorilor de sarcin n absena
sau n prezena cmpurilor externe i a diferiilor factori care produc
scoaterea sistemului din echilibru termodinamic, se utilizeaz o serie de
ecuaii de baz.

p
n
n
2
i
=

A
2
i
p
2
i
n
N
n
P
n
n = =
kT W W
V Fp
+ = ln(P
V
/N
A
)

65
2.6.1 Ecuaiile Maxwell

Pentru cmpul electromagnetic ntr-un material semiconductor
omogen i izotrop se scriu n form diferenial astfel:
rot H = j + (D/t) (legea MaxwellAmpere a circuitului magnetic) (2.31)

rot E = - (B/t) (legea Faraday a induciei electromagnetice) (2.32)

div D = (legea Gauss pentru fluxul electric) (2.33)

div B = 0 (legea Gauss pentru fluxul magnetic) (2.34)

unde: E vectorul cmp electric,
D vectorul inducie electric,
H vectorul cmp magnetic,
B vectorul inducie magnetic,
j densitatea curentului de conducie,
densitatea de sarcini electrice.

Ecuaiile Maxwell se completeaz cu relaiile de material:

P E D + =
0
c (2.35)

M H B + =
0
(2.36)

unde: P vectorul polarizare,
M vectorul magnetizare.

Liniaritatea ecuaiilor cmpului electromagnetic implic valabilitatea
principiului superpoziiei cmpurilor electromagnetice care se aplic n
cazuri concrete.

2.6.2 Ecuaiile densitilor de curent

ntr-un semiconductor apariia curentului electric poate fi
determinat de: 1) aciunea unui cmp electric extern; 2) concentraia
neuniform a purttorilor de sarcin n interiorul su. Se analizeaz fiecare
din aceste situaii separat.

66
1. Curenii datorai cmpului electric extern.

Dac se presupune un semiconductor intrinsec, omogen i izotrop
aflat ntr-un cmp electric extern E i avnd concentraiile purttorilor n
i
i
p
i
, n interiorul acestuia se stabilete o micare ordonat, peste cea de
agitaie termic, care conduce la obinerea unor viteze orientate pentru
purttori, (vezi fig.2.15) :

E
n n
v = (2.37)

E
p p
v = (2.38)

unde:
n
mobilitatea electronilor

p
mobilitatea golurilor
< >
SI
= m
2
V
-1
s
-1

Fig. 2.15 Curenii de drift ntr-un semiconductor aflat
n cmp electric extern.

Prin micarea orientat a purttorilor de sarcin se obin curenii de
drift:
E j
n i E n
qn = (2.39)

E j
n i
E
p
qp = (2.40)

Densitatea curentului total de drift este:

(2.41)

Se definete mrimea numit conductivitate electric a
semiconductorului intrinsec:
j
E
= j
nE
+ j
pE
= q(n
i
n
+p
i
p
)E

67

(2.42)

Conductivitatea unui semiconductor extrinsec oarecare, poate fi scris:

(2.43)

Pentru semiconductorul tip n (unde n
n
p
n
) se obine:

(2.44)

Pentru semiconductorul tip p (unde p
p
n
p
) se obine:

(2.45)

2. Concentraia neuniform a purttorilor de sarcin. Ecuaii de
difuzie.
Dac concentraia purttorilor este neuniform, n interiorul
semiconductorului apare difuzia acestora din regiunile cu concentraie
ridicat spre cele cu concentraie redus, obinndu-se curentul de difuzie, a
crui densitate este proporional cu gradientul de concentraie al
purttorilor. Dac se consider o cretere liniar a concentraiei golurilor
ntr-un eantion semiconductor dup direcia x, golurile vor avea o micare
de difuzie n sens contrar formnd un curent:

(2.46)

Semnul minus indic sensul curentului de goluri.
Pentru o cretere similar a concentraiei electronilor ntr-un
eantion semiconductor dup direcia x, electronii vor avea o micare de
difuzie formnd un curent:

) / ( dx dn qD j
n nD
= (2.47)

Semnul minus care ar trebui introdus dispare ca urmare a valorii negative a
sarcinii electronului.
D
n
constanta de difuzie a electronilor,
D
p
constanta de difuzie a golurilor,
<D>
S I
= m
2
s
-1

= q(n
n
+ p
p
)
i
= q(n
i
n
+ p
i
p
)
n
=qn
n
n
qN
D
p
=qp
p
p
qN
A
p

j
pD
= -qD
p
(dp/dx)

68
Constantele de difuzie se exprim prin relaiile lui Einstein:

n T n
V D = (2.48)

p T p
V D = (2.49)

unde V
T
este potenialul termic.
Dac n semiconductor sunt intrunite ambele surse de curent (drift i
difuzie) se pot scrie pentru purttorii de sarcin n cazul tridimensional
relaiile:

(2.50)
(2.51)
j
n
+ j
p
= j
COND
(2.52)

unde j
COND
este densitatea curentului total de conducie.

Observaii:
1. Cmpul E poate fi generat intern prin dopare neuniform cu impuriti.
2. La metale concentraia electronilor liberi n
0
este foarte ridicat, ceea ce
face ca s aib valori mari, iar neuniformitile de concentraie s dispar
n timpi de ordinul 10
-12
s, neexistnd componenta de difuzie a densitii de
curent:

2.6.3 Ecuaiile de continuitate

n cazul n care n semiconductor concentraiile purttorilor sunt
dependente de coordonate i de timp, se utilizeaz ecuaiile de continuitate
care au la baz principiul conservrii sarcinii n cazul generrii,
recombinrii i deplasrii acestora:

(2.53)

(2.54)

j
n
= j
nE
+j
nD
= qn
n
E+qD
n
n
j
p
= j
pE
+j
pD
= qp
p
E-qD
p
p
j
n
+ j
p
= j
COND

n
j V + =
c
c
q
1
R G
t
n
n n

p
j V =
c
c
q
1
R G
t
p
p p

69
unde: G
n
rata de generare pentru electroni
G
p
rata de generare pentru goluri
<G>
SI
=m
-3
s
-1
Reprezint numrul de purttori generai n unitatea de
timp pe unitatea de volum.
R
n
rata de recombinare pentru electroni,
R
p
rata de recombinare pentru goluri,
<R>
SI
=m
-3
s
-1
Reprezint numrul de purttori recombinai n
unitatea de timp pe unitatea de volum.
La echilibru termodinamic un eantion semiconductor are
concentraiile purttorilor n
0
i p
0
. Dac acioneaz factori externi
energizani concentraiile devin n i respectiv p i n zona excitat iau
natere purttori n exces:
0
n n n = (2.55)

0
p p p = (2.56)

Eantionul semiconductor are tendina s revin la echilibru
termodinamic prin procese de recombinare. Acestea sunt caracterizate prin
timpii de via ai purttorilor t
n
i t
p
. La nivele mici de injecie (n < n
0
,
p < p
0
), ratele de recombinare sunt :

(2.57)

nainte de a se recombina, purttorii n exces particip la difuzie i la
conducie. Considernd un eantion semiconductor iradiat la un capt, ca n
fig.2.16, purttorii generai vor difuza n volumul semiconductorului.

Fig. 2.16 Injecia purttorilor de sarcin n exces prin iradierea
eantionului semiconductor la un capt.

R
n
=n/
n

70

Dac nu exist cmp electric extern i intensitatea radiaiei variaz,
ecuaiile de continuitate n cazul unidimensional se scriu:

(2.58)

(2.59)

S-a considerat c n volumul eantionului semiconductor G
n
=0 i
G
p
=0.
Dac radiaia excitatoare este constant atunci relaiile (2.58) i
(2.59), devin:

(2.60)

0
L
p p
x
) p (p
2
n
0
2
0
2
=
c
c
(2.61)

unde s-au introdus notaiile:

( )
2
1
n n n
D L t = (2.62)

( )
2
1
p p p
D L t = (2.63)

L
n
lungimea de difuzie a electronilor n exces,
L
p
lungimea de difuzie a golurilor n exces.
L
n
i L
p
reprezint lungimea medie parcurs de electronii, respectiv de
golurile n exces pn cnd concentraia acestora scade prin recombinri de
e ori.

2
2
n
n
0
x
n
D
n n
t
n
c
c
+
=
c
c

2
2
p
p
0
x
p
D
p p
t
p
c
c
+
=
c
c

0
L
n n
x
) n (n
2
n
0
2
0
2
=
c
c

Conductia Electrica

Încărcat de

Informații document

Titlu original

Drepturi de autor

Formate disponibile

Partajați acest document

Partajați sau inserați document

Opțiuni de partajare

Vi se pare util acest document?

Este necorespunzător acest conținut?

Drepturi de autor:

Formate disponibile

Conductia Electrica

Încărcat de

Drepturi de autor:

Formate disponibile

Capitolul 2 Conductia electrica in solide.

S-ar putea să vă placă și