CURS 2

SEMICONDUCTOARE ŞI DIODE

2.1. CONDUCTIBILITATEA ELECTRICĂ ÎN SEMICONDUCTOARE

2.1.1. Conductibilitatea în semiconductoarele intrinseci
2.1.2. Conductibilitatea în semiconductoarele extrinseci
2.2. JONCŢIUNEA PN ŞI DIODA SEMICONDUCTOARE
 Structură internă și simbol
 Polarizarea diodei
 Caracteristica statică a diodei
 Punctul static de funcționare a diodei
2.3. MODELE LINIARIZATE ALE DIODEI
• Liniarizările caracteristicii statice reale ale diodei
 Puterea medie disipata pe o diodă
2.4. TIPURI DE DIODE
2.4.1. Diode redresoare
2.4.2. Diode stabilizatoare de tensiune
2.4.3. Diode speciale (tunel si varicap)
2.4.4. Fotodioda
2.4.5. Dioda Schottky

2.1. CONDUCTIBILITATEA ELECTRICĂ ÎN

SEMICONDUCTOARE

Din punct de vedere al rezistivităţii electrice, corpurile solide se împart

în 3 categorii: conductoare (au rezistivitatea electrică mai mică de
10  2   cm ), izolatoare (au rezistivitatea electrică mai mare de 10 18   cm ) şi
semiconductoare (au rezistivitatea electrică situată între cele două valori
menţionate anterior). Rezistivitatea electrică a semiconductoarelor se modifică
cu temperatura şi cu gradul de impurificare cu anumite substanţe, această
proprietate fiind folosită la fabricarea dispozitivelor semiconductoare.

2.1.1. Conductibilitatea în semiconductoarele intrinseci

Tehnologia dispozitivelor semiconductoare se bazează pe utilizarea pe
scară largă a două elemente tetravalente: siliciul şi germaniul. În reţeaua lor
cristalină fiecare atom este aşezat in centrul unui tetraedru regulat, la distanţă
egală de alţi 4 atomi vecini situati in varfurile tetraedrului, cu care formează
patru perechi de legături covalente (fig.2.0). Un astfel de semiconductor, pur
din punct de vedere chimic se numeşte semiconductor intrinsec şi se află în
regim de echilibru termic, adică dacă nu se intervine cu nici o excitaţie externă
(bombardament cu radiaţii electromagnetice sau cu particule) şi temperatura
rămâne coborâtă, legăturile covalente se menţin. La creşterea temperaturii
sau la aplicarea unei excitaţii exterioare, electronii de valenţă capătă
suficientă energie încât să rupă legăturile covalente, devenind electroni liberi
ce circulă liber prin reţeaua cristalină, sarcina lor electrică fiind negativă şi de
valoare absolută 1.6  10 19 C. Prin eliberarea unui electron dintr-o legătură
covalentă, locul rămas liber se numeşte gol şi este privit ca o particulă fictivă
cu sarcină electrică pozitivă egală în modul cu cea a electronului. Spunem că
a avut loc un proces de generare a unei perechi electron-gol. Procesul invers,
de refacere a unei perechi electron-gol se numeşte proces de recombinare a
perechii electron-gol.

Fig.2.0. Reteaua cristalină in semiconductoare

Conductibilitatea electrică în semiconductoarele intrinseci se produce

astfel: să presupunem că un electron a părăsit o legătură covalentă devenind
electron liber şi lăsând în locul său un gol. Sub influenţa unui câmp electric, un
alt electron de valenţă din apropiere rupe legătura sa covalentă şi se
deplasează în reţeaua cristalină pentru a se recombina cu golul creat de
primul electron liber şi a reface prima legătură covalentă ruptă. Astfel, rămâne
o a doua legătură covalentă nesatisfăcută şi un al treilea electron se rupe
dintr-o a treia legătură covalentă pentru a reface a doua legătură covalentă
ş.a.m.d. Deplasarea electronilor de valenţă poate fi considerată ca deplasarea
inversă (în sensul câmpului electric) a golurilor.
În cazul semiconductoarelor intrinseci, în orice moment numărul de
electroni liberi este egal cu numărul de goluri, sarcina electrică a
semiconductorului intrinsec fiind nulă.

2.1.2. Conductibilitatea în semiconductoarele extrinseci

Procesul de introducere a unui număr infim de atomi străini, numiţi
impurităţi, în reţeaua cristalină a semiconductorului intrinsec se numeşte
dopare, iar semiconductorul dopat cu impurităţi se numeşte semiconductor
extrinsec. Doparea se poate face cu atomi pentavalenţi (de exemplu stibiu,
arseniu, bismut), caz în care semiconductorul extrinsec se numeşte
semiconductor de tip n sau cu atomi trivalenţi (de exemplu, indiu, galiu,
aluminiu), caz în care semiconductorul extrinsec se numeşte semiconductor
de tip p.
Conductibilitatea electrică în semiconductoarele de tip n este asigurată
de al cincilea electron al atomului de impuritate pentavalent, numit atom donor
sau, simplu, donor care, nemaiputând forma o a cincea pereche covalentă cu
cei patru atomi tetravalenţi vecini, circulă liber prin reţeaua cristalină, la
temperatura camerei, în lipsa oricărei excitaţii externe. Sarcina electrică a unui
semiconductor de tip n este negativă, datorită numărului de electroni în exces
faţă de goluri, de unde şi numele acestui tip de semiconductor. În acest caz
purtătorii mobili de sarcină majoritari sunt electronii de conducţie proveniţi de
la atomii pentavalenţi de impuritate şi care se găsesc în număr mare în
reţeaua cristalină a semiconductorului de tip n, în timp ce purtătorii mobili de
sarcină minoritari sunt golurile, care se găsesc în număr foarte mic în reţea,
fiind generate prin mecanismul descris la semiconductoarele intrinseci.
Conductibilitatea electrică în semiconductoarele de tip p este asigurată
de golul corespunzător celei de a patra legături covalente nesatisfăcută de
atomul de impuritate trivalent înconjurat de patru atomi tetravalenţi vecini.
Sarcina electrică a semiconductorului de tip p este pozitivă, datorită golurilor
în exces faţă de electronii liberi, de unde şi denumirea acestui tip de
semiconductor. În acest caz golurile sunt purtătorii mobili de sarcină majoritari
şi electronii sunt purtătorii mobili de sarcină minoritari, produşi prin ruperea
legăturilor covalente datorată creşterii temperaturii.

2.2.JONCŢIUNEA PN ŞI DIODA SEMICONDUCTOARE

 Structura interna si simbol
Prin doparea unui semiconductor intrinsec cu impurităţi de natură
diferită astfel încât o regiune să devină semiconductor de tip p şi regiunea
alăturată să devină semiconductor de tip n se obţine o joncţiune pn (fig.2.1.a),
care reprezintă elementul principal în fabricația diodelor şi tranzistoarelor.
Zona de contact al regiunilor p si n se numește regiune de sarcină spațială.
Metalizând extremităţile unei joncţiuni p-n şi ataşându-i electrozi numiţi
anod A (la extremitatea semiconductorului de tip p, devenind electrodul
pozitiv) şi catod K (la extremitatea semiconductorului de tip n, devenind
electrodul negativ) pentru a putea fi conectată într-un circuit electric, se obţine
dioda semiconductoare cu joncţiune pn (fig.2.1.b), ca dispozitiv semiconductor
elementar. Ea este cea mai simplă diodă semiconductoare, având simbolul
dat în figura 2.1.c, în care i A este curentul anodic, iar u AK este tensiunea
anod-catod.

a) structura b) structura internă a c) simbolul diodei

internă a joncţiunii pn diodei cu joncţiune pn semiconductoare cu joncţiune pn
Fig.2.1. Joncţiunea pn şi dioda semiconductoare

 Polarizarea diodei se realizează prin conectarea ei la o sursă de

tensiune continuă E (fig.2.3).
  Polarizarea directă presupune legarea bornei   a sursei de tensiune
E la anodul diodei şi a bornei   la catodul diodei, fapt ce permite unui
număr mai mare de electroni să traverseze regiunea de sarcină spaţială
(fig.2.3.b). În acest caz curentul i A creşte şi este cu atât mai mare cu
cât E este de valoare mai mare; spunem că dioda conduce.
 Polarizarea inversă presupune legarea bornei   a sursei E la catodul
diodei şi a bornei   la anodul acesteia, fapt ce determină ca număr tot
mai mic de purtători majoritari să traverseze zona de sarcină spaţială.
Când E este mare, ajungem în situaţia când i A scade mult până când
dioda se blochează

a) dioda nepolarizată b) dioda polarizată direct c) dioda polarizată invers

Fig.2.3. Polarizarea diodei semiconductoare cu joncțiune pn

In concluzie, putem avea următoarele 3 cazuri: a) dioda nepolarizată

E  0  sau cu bornele în scurtcircuit i A  0  . Avem: i A  0 , u AK  0 şi
dioda e blocată; b) dioda polarizată direct E  0  . Avem: i A  0 , u AK  0 şi
dioda conduce; c) dioda polarizată invers E  0  . Avem: i A  0 , u AK  0 , şi
dioda e blocată.
 Caracteristica statică a diodei semiconductoare reprezintă
dependenţa i A  i A u AK  atât ca relaţie matematică cât şi ca grafic, la
alimentarea diodei cu o sursă de tensiune continuă E reglabilă în trepte de la
valori negative la zero şi apoi la valori pozitive. Experimental, perechile de
puncte u AK ,i A în planul i A  i A u AK  au alura din fig.2.4.

Fig.2.4. Caracteristica statică a diodei semiconductoare

 Ecuaţia matematică generală a diodei este:
 qu AK  not 
  qu  
i A  MI s  e mkT  1   MI s exp  AK   1 , (2.3)
    mkT  
 
unde M se numeşte coeficient de multiplicare în avalanşă a purtătorilor de
sarcină electrica ( M  1 ), I s se numeşte curentul invers de saturaţie in
polarizare inversa a diodei (foarte mic, de ordinal nA...A , in funcție de
materialul semiconductor din care este fabricată dioda), q – sarcina
 
electronului q  1.6  10 19 C , m – coeficient tehnologic de fabricatie a diodei
 
(m=1…2), k – constanta lui Boltzman k  1.33  10  23 J / K , T – temperatura
absolută a mediului ambiant în care funcţionează dioda.
Dacă se consideră temperatura mediului ambiant în care funcționează
dioda t  27 o C , adică T=t+273°C=300K, atunci notăm prin:
kT
VT  T 300 K  26 mV , (2.4)
q
o tensiune numită potenţial termic. Relaţia (2.3.) devine:
 u  
i A  MI s exp AK   1 (2.5)
  mVT  
Coeficientul de multiplicare în avalanşă M a purtătorilor de sarcină
electrica are expresia empirică (adica dedusa experimental):
 u  
n
M  1 / 1   AK
 
  U BR   , (2.6)
 
unde n   4 ; 7  este un coeficient tehnologic de fabricaţie a diodei, iar U BR
este tensiunea inversă de străpungere a diodei, ambele date în catalog. În
practică în locul utilizării relației (2.6), empiric (experimental) se consideră
M  1 dacă u AK  0 ,7U BR , în timp ce dacă u AK  U BR se consideră M   .
Coeficientul M   indică pericolul producerii fenomenului de multiplicare în
avalanşă a purtătorilor de sarcină care apare la tensiuni inverse ridicate
( u AK  U BR ), când câmpul electric din regiunea de sarcină spaţială atinge valori
mari şi imprimă o energie crescută purtătorilor de sarcină care trec pe acolo.
În urma ciocnirii cu atomii reţelei cristaline, un purtător de sarcină poate avea
suficientă energie pentru a rupe o legătură covalentă şi a forma o pereche
electron-gol, purtători de sarcină care vor fi la rândul lor acceleraţi de câmpul
electric, vor forma noi perechi electron-gol ce vor fi la rândul lor accelerate
ş.a.m.d.. La u AK  U BR multiplicarea purtătorilor devine teoretic infinită, ducând
la creşterea nelimitată a curentului. În realitate, la o anumită valoare negativă
a curentului prin diodă dat în catalog dioda se va distruge.
Pe graficul din fig.2.4. se pot distinge următoarele regiuni:
- zona 1, ce corespunde cadranului I al caracteristicii statice a diodei, în care
( u AK  0 ; i A  0 ), deci dioda e polarizată direct şi conduce. În polarizare
directă fenomenul de multiplicare în avalanşă a purtătorilor de sarcină nu
 u 
există deci M=1. Dacă, în plus, u AK  VT , atunci exp  AK   1 şi relaţia
 mVT 
(2.5) devine aproximativ exponențială:
u 
i A  I s exp AK  (2.7)
 mVT 
şi ecuaţia obţinută corespunde graficului exponențial din fig.2.4, zona 1.
- in originea O(0,0) avem dioda nepolarizată (gol sau scurtcircuit), deci
u AK  0 şi i A  0 , ce se obţine şi cu relaţia (2.2.5).
- zona 2 din cadranul III al caracteristicii statice din fig.2.4. ilustrează dioda
polarizată invers ( u AK  0 şi i A  0 ), la tensiuni inverse u AK  0 care nu se
apropie de tensiunea de străpungere U BR , deci M=1. Dacă u AK  VT ,
u 
atunci exp  AK   1 şi relaţia (2.5) devine aproximativ constantă:
 mVT 
i A  I s , (2.8)
ceea ce corespunde zonei orizontale constante din fig.2.4, zona 2.
- zona 3 este zona de distrugere prin străpungere a diodelor obişnuite,
polarizate invers la o tensiune u AK  U BR , când M   . Cum u AK  VT ,
u 
atunci exp AK   1 şi relaţia (2.5) devine:
 mVT 
i A   MI s   , (2.9)
deci curentul i A creşte nelimitat.
Menţionăm că există diode special fabricate pentru a funcţiona în zona
3 de polarizare inversă, acolo unde diodele obisnuite se distrug, numite diode
Zener sau diode stabilizatoare de tensiune si care pentru a functiona corect
trebuie polarizate invers cu tensiunea u KA  u AK  U BR  constant.

Aplicaţia A2.1
Calculaţi curentul i A printr-o diodă semiconductoare şi stabiliţi zona de
funcţionare de pe caracteristica statică dacă I s  1 pA , m=1,5, VT  26mV ,U BR  20V ,
n=4 în următoarele situaţii: a) u AK  1V ; b) u AK  0,1V ; c) u AK  0V ; d)
u AK  1V ; e) u AK  19.998V .

Soluţie:
Se vor aplica relaţiile (2.5) şi (2.6) în fiecare caz:
1 1
a) M    1 . Rezultă:
n 4
u   1V 
1   AK  1 
 U BR    20V 
  u     1V  
i A  MI S exp AK  1  1  10 12 Aexp   1  0,136 A ,
  mVT     1,5  26  10 V  
  3

deci dioda funcţionează în zona 1 având u AK  1V  VT  26mV , deci termenul

u 
1 faţă de exp AK  a putut fi neglijat in relatia (2.3).
 mVT 
b) pentru valorile numerice date calculăm:
  0.1V  4 
M  1 / 1     1
   20V  
  0.1V  
Rezultă i A  1  10 12 Aexp   1  10 12 A  12.98  1  12 pA,
  1.5  26  10 3  
deci dioda funcţionează tot în zona 1 dar mai aproape de originea O(0,0) şi
u 
termenul 1 faţă de exp AK  nu mai poate fi neglijat.
 mVT 
c) pentru valorile numerice date calculăm:
1
u AK  0  M   1  i A  1  10 12 Aexp 0  1  0, deci dioda e
10
nepolarizată, punctul ei de funcţionare fiind O(0,0).
1
d) M   1 , atunci:
4
  1V 
1  
  20V 
   1V  
i A  1 10 12 Aexp   1  1 pA   I s ,

 3
  1.5  26 10 V  
deci dioda funcţionează în zona 2, fiind polarizată invers.
1 1
e) M    1250.375 
4 1  0.9992
  19.998V 
1 
  20V 
   19.998  
 i A  1250.375  10 12 Aexp   1  1250.375 pA  MI s
3 
  1 . 5  26  10  
deci dioda se apropie de zona 3 deoarece u AK  19.998V  U BR  20V .

 Punctul static de funcţionare (PSF) al diodei reprezintă un punct de

pe caracteristica statică i A  i A u AK  a diodei plasate într-un circuit alimentat
cu tensiune continuă. PSF-ul diodei se poate determina calitativ (prin metoda
grafică) sau cantitativ (prin metoda analitică iterativă), rezolvând sistemul
neliniar de ecuaţii format din ecuaţia neliniară a diodei dată de relaţia (2.2.5) şi
ecuaţiile Kirchhoff ale circuitului în care e plasată dioda.
 Aplicaţia A.2.2
Se consideră circuitul cu diodă din fig.A.2.1 în care E=12V, R=3K şi
9
I s  10 A,VT  kT / q  25mV , m=1,5. Să se determine PSF-ul diodei.

Soluţie:
Se scriu ecuaţia diodei şi ecuaţia Kirchhoff a circuitului, care alcătuiesc
sistemul neliniar de ecuaţii:
i A  I s expu AK mVT 
(S)  (A2.1)
 E  u AK  Ri A
în care s-au ales M=1 deoarece dioda e polarizată direct şi s-a neglijat termenul
1 faţă de exponenţială în relaţia (2.5) pentru simplificarea calculului,
presupunere ce va trebui în final verificată.

IA

U AK

Fig.A.2.1. Determinarea PSF-ului diodei pe un exemplu de circuit

A. Metoda grafică necesită scrierea sistemului (A2.1) sub forma:

i A  I s expu AK mVT 

(S)   1 E (A2.2)
i A    R u AK  R
  
în care a doua ecuaţie reprezintă o dreaptă situată în planul caracteristicii
statice i A  i A u AK  a diodei, numită dreapta de sarcină. PSF-ul diodei se află
grafic la intersecţia celor două ecuaţii ale sistemului (A2.2), conform figurii
A2.2.a). Această metodă e calitativă, orientativă, iar citirea PSF-ului de pe grafic
nu e precisă.
 iA

E
R

IA

U AK E u AK

b) metoda analitică iterativă

a) metoda grafică calitativă
cantitativă
Fig. A2.2. Determinarea PSF-ului diodei

B. Metoda analitică iterativă permite determinarea PSF-ului folosind

sistemul (A2.2) în paşi.
Pasul 1: Se alege o valoare de plecare a algoritmului, de exemplu originea
O(0, 0) din fig.A2.2.b), în care u AK 1  0 . Din a doua relaţie a
 1 E E 12V
sistemului (A2.2) se obţine: I A1    u AK1     4mA .
 R R R 3 K
Rezultă coordonatele punctului 1, anume
 u AK1  0V ; I A1  4mA  .
Pasul 2: Înlocuind curentul IA1 obținut in prima relaţie (A2.2) se obţine o a
doua valoare pentru tensiune, anume:
I A1 4  10  2 A
u AK 2  mVT ln  1.5  0.025V ln  0.57V ,
Is 10 9 A
deci coordonatele punctului 2 sunt u AK 2  0.57V ; I A1  4 mA .
Pasul 3: Din a doua relaţie (A2.2) se obţine a doua valoare pentru curent:
 1 E  1  12V
I A2    u AK 2       0.57V   3.81mA ,
 R R  3 K  3 K
rezultând astfel coordonatele punctului 3, anume:
u AK 2  0.57V ; I A2  3.81mA .
Pasul 4: Similar obţinem:
I A2 3.81  10 3 A
u AK 2  mVT ln  1.5  0.025V ln  0.5682V ,
Is 10 9 A
rezultând coordonatele punctului 4, anume:
u AK 2  0.5682V ; I A2  3.81mA .
Pasul 5: Similar, obţinem:
 1 E  1  12V
I A3    u AK 3       0.56824V   3.81058 mA ,
 R R  3 K  3 K
 coordonatele punctului 5 fiind:
u AK 3  0.56824V ; I A3  3.81058mA .
Pasul 6: Similar obţinem:
I A3 3.81058  103 A
uAK3  mVT ln  1.5  0.025V ln  0.5682 V  uAK2.
Is 109 A
Algoritmul se opreşte aici, căci u AK 3  u AK 2 , deci coordonatele PSF-ului
diodei sunt PSF u AK  0.57V ; I A  3.81mA , fiind suficientă aproximarea cu
două zecimale. Ilustrarea grafică a algoritmului metodei analitice iterative este
dată prin fig. A2.2.b).
în final, vom verifica ipoteza simplificatoare exp  u AK / mVT   1 , care
a permis neglijarea termenului 1 faţă de exponenţială în prima relaţie a
sistemului (A2.1) faţă de relaţia completă (2.5).
 0.57V  15.2
Într-adevăr, exp e  4  10 6  1 .
 1.5  0.025V 
Ca observaţie finală, dacă ipoteza simplificatoare nu se verifica, trebuia
reluată problema folosind relaţia completă (2.5) în locul celei simplificate.

2.3. MODELE LINIARIZATE ALE DIODEI

Pentru simplificarea calculelor din circuitele cu diode, se înlocuieşte
dioda cu un model liniarizat al său, adica alcătuit din componente pasive
(electrice) de circuit, ce permit înlocuirea ecuaţiei exponenţiale a diodei dată
de relaţia (2.3) cu o ecuaţie liniară provenită din scrierea teoremelor lui
Kirchhoff. Astfel, vom liniariza ecuația exponențială a diodei din sistemul de
ecuații (A2.1) si întreg sistemul devine liniar și este usor de rezolvat.
Pentru aceasta, caracteristica statică reală a diodei din fig.2.4 se
aproximează prin segmente de dreaptă, ca în fig.2.5.

a) model liniarizat b) model liniarizat prin d) model

c) model liniarizat
de dioda ideala, prin RON  0, ROFF  ,V D  0 liniarizat prin
prin RON  0, ROFF ,VD 0
RON0, ROFF,VD0V RON  0, ROFF ,VD 0

Fig.2.5. Caracteristicile statice ale unor modele liniarizate de diode

  Liniarizările caracteristicii statice reale ale diodei din fig.2.5 au fost
făcute gradat, începând cu modelarea diodei ca un comutator ideal (fig.2.5.a)
închis când dioda conduce şi deschis când dioda este blocată până la modelul
mai complex din fig.2.5.d în care dioda în conducţie a fost modelată printr-un
comutator închis înseriat cu o sursă de tensiune continuă VD numită tensiune
de prag şi cu o rezistenţă în conducţie RON , iar dioda blocată a fost modelată
printr-o rezistenţă în blocare, ROFF .
Tensiunea de prag VD este un parametru de catalog la diodei, având
uzual valori de (0,2÷0,4)V pentru diodele din germaniu şi de (0,5÷0,8)V pentru
diodele din siliciu. Rezistenţa în conducţie RON se mai numeşte şi rezistenţă
internă şi se defineşte ca inversul pantei caracteristicii în punctul plasat la
mijlocul intervalului de curent pentru care se face aproximarea:
def 1 1 mkT 1
RON  Ri     (2.10)
di A du AK q  qu  q IA
I s exp AK 
mkT  mkT 
Dacă dioda are coeficientul tehnologic m=1 şi lucrează la t=27˚C, atunci
ţinând cont şi de relaţia (2.4) relaţia (2.10) devine:
V
RON  Ri  T (2.11)
IA
Atât relaţia (2.10) cât şi expresia ei particulară (2.11) arată că RON depinde
de valoarea curentului I A unde a fost masurata panta. De regulă, R i este de
ordinul ohmilor. Ambii parametri, VD şi RON , se aleg astfel încât
caracteristica liniarizată să aproximeze cât mai bine caracteristica reală prin
segmente de dreaptă.
Mai simplu, geometric (fig. 2.5c), expresia rezistentei RON se citeste ca
fiind tangenta unghiului α, iar expresia rezistentei ROFF se citeste ca fiind
tangenta unghiului β:
RON  ctg  ; ROFF  ctg 
 Puterea medie PD disipată pe o diodă este data de relatia:
def 1T 1T
PD  p
 D (t )dt   u AK iA(t )dt (2.13)
T0 T0
Pentru modelul liniarizat de dioda din fig.2.5c), expresia tensiunii in
functie de curentul prin dioda este:
u AK ( i A )  VD  RON i A ,
care introdusa in relatia anterioara permite determinarea puterii medii PD
disipate pe dioda astfel:
def 1T 1T 1T
PD   pon (t )dt   u AK iA( t )dt   VD  RON  iA(t )  iAdt 
T0 T0 T0
1T 1T 2
(2.13bis)
2
 VD   iA( t )dt  RON   iA( t )dt VD I A  RON I A.ef
T0 T0
unde I A este valoarea medie (de c.c.) a curentului i A t  şi I Aef este valoarea
sa efectivă, asa cum au fost ele definite in Cursul 1 la sectiunea de semnale.

Aplicaţia A2.2.3
a) Să se determine PSF-ul diodei din fig.A2.2.1 dacă dioda a fost înlocuită
cu modelul liniarizat din fig.2.5.c) având R ON=6,58 şi VD=0,55V;
b) Calculaţi puterea medie disipată pe diodă.

Soluţie:
a) În urma înlocuirii diodei în conducţie cu modelul liniarizat din
fig.2.5.c), rezultă circuitul electric echivalent din fig.A2.3.

Fig.A2.3. Circuit electric echivalent cu cel din fig.A2.2.1

Ecuaţiile Kirchhoff sunt:

 E  VD   RON  R  I A
(S)  (A2.3)
 E  U AK  R A I A
Comparând relaţiile (A2.1) şi (A2.3) observăm că ecuaţia neliniară
(exponenţială) a diodei ce complica mult calculul a fost înlocuită cu o ecuaţie
liniară simplă ce corespunde modelului liniarizat al diodei.
Din ecuaţiile sistemului liniar (A2.3) obţinem PSF-ul diodei având
componentele:
E  VD 12V  0,54V 11,46V
IA     3,812mA
RON  R 6 ,58   3K  3,00658K 
U AK  E  RI A  12V  3 K  3,812 mA  0,564V ,
valorile fiind foarte apropiate de cele din aplicaţia A2.2.
b) Conform relaţiei (2.13bis), puterea medie disipată pe diodă este:
1T 1T 2
PD  V D   i A t dt  RON   i A t dt 2,0966mW  0,091mW  2,188mW
T 0 T 0
Ca observaţie, la acelaşi rezultat se putea ajunge fără a mai integra,
ştiind că la alimentarea în c.c. (regim static de funcţionare) I Aef  I A , deci
relaţia (2.13) devine:
2  I V  R
PD  VD  I A  RON  I A A D ON  I A 
 2.4. TIPURI DE DIODE

Diodele semiconductoare au o largă întrebuinţare în circuitele

electronice, îndeplinind diverse funcţiuni. Astfel, în funcţie de domeniul de
utilizare, există: diode redresoare, diode stabilizatoare de tensiune, diode de
semnal, diode speciale, fotodiode etc. Din categoria diodelor speciale fac
parte: diodele tunel, diodele varicap, diodele detectoare de frecvenţă
ultraînaltă etc. Toate aceste funcţiuni au la bază proprietăţile joncţiunii pn.
Există şi diode care nu au la bază joncţiunea pn cum ar fi diodele Schotky,
care au la bază contactul metal-semiconductor redresor.
În continuare se vor prezenta pe scurt unele dintre aceste tipuri de
diode, mai des întâlnite în practică.

2.4.1. Diode redresoare

Diodele redresoare sunt folosite în funcţia realizată de circuitul
electronic numit redresor pentru transformarea (conversia) curentului
alternativ în curent continuu. Ele au un domeniu restrâns de frecvenţe de
lucru. Astfel, de exemplu, pentru redresoarele alimentate de la reţea frecvenţa
de lucru este frecvenţa industrială de 50Hz sau 60Hz. Principalii lor parametri
sunt: curentul în polarizare directă maxim admisibil ( I FM ) şi tensiunea
maximă inversă admisibilă ( U RM ), mai mică decât tensiunea de străpungere
U BR . Realizările actuale permit curenţi I FM până la sute de amperi şi
tensiuni U RM de mii de volţi. Puterea medie disipată pe dioda în conducţie
este PD  VD  I A , unde VD este tensiunea de prag şi I A este valoarea
medie a curentului prin diodă.

2.4.2. Diode stabilizatoare de tensiune

Se numesc astfel deoarece, polarizate invers, menţin la borne o
tensiune constantă egală cu tensiunea de străpungere:
U z  U AK  U BR  const.  0 (2.16)
această proprietate a sa făcând-o să fie utilizată în circuite electronice numite
stabilizatoare de tensiune, ca referinţă de tensiune, în circuitele de protecţie la
supratensiune etc. Acest tip de diode funcţionează în zona 3 a caracteristicii
statice a diodei (fig.2.4), acolo unde diodele obişnuite se distrug prin
străpungere. Ele mai sunt denumite şi diode Zener, simbolul şi modelul
du KA
electric echivalent fiind date în fig.2.9, în care rz  este rezistenţa sa
dt
dinamică, numită şi rezistenţă Zener.
 K K
 Uz

Uz
rz

A A
a) simbol b) modelul liniarizat al diodei Zener
Fig. 2.9. Dioda Zener (numită și diodă stabilizatoare de tensiune)

Se construiesc diode Zener cu U z  3V ;400V  , rz  10 ,100  şi

puteri disipate  0,25W ,50W  . Problema diodelor Zener o constituie variaţia
cu temperatura a parametrului U z . Pentru compensarea variaţiei cu
temperatura se montează înserie cu dioda Zener una sau mai multe diode cu
siliciu polarizate direct pe care căderea de tensiune scade cu aproximativ
2mV/˚C, ansamblul fiind numit diodă Zener compensată sau diodă referinţă
de tensiune.

2.4.3. Diode speciale

Dioda tunel (fig.2.10) are o caracteristică statică în polarizare directă
sub forma literei N (fig.2.10b).
du AK
K K ri  0
iA P di A


V

A A u AK

a) simbol b) caracteristica statică

Fig.2.10. Dioda tunel

Particularitatea acestei caracteristici o constituie zona dintre punctele P

şi V, numită zonă de rezistenţă dinamică negativă deoarece
ri  du AK / di A  0 , fapt ce îi conferă avantajul obţinerii unei viteze de
comutaţie foarte mare, putând lucra până la frecvenţe foarte înalte din
domeniul microundelor. Ea mai e utilizată în circuite de comutare rapidă
precum şi ca element activ în oscilatoare şi amplificatoare cu rezistenţă
negativă.

Dioda varicap se mai numeşte şi diodă varactor sau diodă parametrică

şi se bazează pe modelul de semnal mic al joncţiunii pn polarizată invers, care
constă în capacitatea de barieră Cb a cărei valoare variază odată cu variaţia
căderii de tensiune u AK pe diodă. Cel mai supărător element din circuitul
echivalent al diodei varicap este rezistenţa serie Rs (fig.2.8.b) deoarece ea
scade factorul de calitate, limitează frecvenţa de lucru şi constituie o sursă de
zgomot. În prezent se produc diode varicap având C b  1 pF , 100 pF  .
Domeniile lor de utilizare dau numele acestor tipuri de diode: diode
varicap, dacă sunt utilizate la acordul automat al circuitelor oscilante şi diode
parametrice, dacă sunt utilizate în amplificatoarele parametrice şi în
generarea de armonici la frecvenţe foarte înalte etc.

2.4.4. Fotodioda
Fotodiodele sunt dispozitive optoelectronice realizate fie pe baza unei
joncţiuni pn, fie pe baza unui contact metal-semiconductor. În continuare se
va considera numai cazul fotodiodelor realizate pe baza joncţiunii pn
(fig.2.11).
Absorbind lumina de lungime de undă situată între radiaţiile vizibilă şi
infraroşu apropiat, fotodioda generează purtători de sarcină electrică.
Caracteristica statică a diodei (fig.2.11.b) este:
  qu  
i A  I 0 exp AK   1  I L (2.17)
  mkT  
unde I L este curentul purtătorilor generaţi de lumină, având iluminarea E ,
ce ajung în zona metalurgică a joncţiunii pn, iar I 0 este curentul prin
joncţiunea pn polarizată invers în condiţii de întuneric.
A

K
a) simbol b) caracteristicile fotodiodei
fig.2.11. Fotodioda cu joncţiune pn

2.4.5. Dioda Schottky

Contactul metal-semiconductor este o structură fizică care intră în
construcţia tuturor dispozitivelor electronice. Principala sa funcţie este de a
contacta diverse regiuni semiconductoare în vederea conectării la terminalele
capsulei. În acest caz contactul trebuie să prezinte o rezistenţă foarte mică în
ambele sensuri de polarizare, contactul fiind numit contact ohmic. Dar
contactul metal-semiconductor poate avea şi conducţie unilaterală, caz în
care se numeşte contact redresor. Contactele ohmice sunt specifice
dispozitivelor semiconductoare bazate pe joncţiunea pn (deci şi diodele
studiate până acum), în timp ce contactele redresoare stau la baza
construcţiei diodelor Schottky. Obţinerea funcţionării ohmice sau redresoare
a contactului metal-semiconductor se face prin alegerea metalului, a
semiconductorului şi a gradului de impurificare.
A A
Al
iA SiO2 SiO2

n
u AK
n Si

Au
K K

a) Simbol b) Structură internă

Fig.2.12. Dioda Schottky

Dioda Schottky este un dispozitiv electronic realizat pe baza unui

contact metal-semiconductor redresor. Simbolul diodei Schottky şi o variantă
constructivă de realizare sunt prezentate în fig.2.12. Metalizarea superioară
realizată din aluminiu (Al) realizează efectul de contact redresor în contact cu
siliciul (Si) de tip n. Pe spatele dispozitivului se realizează un contact ohmic
între siliciul de tip n  şi aur (Au).
Principalul avantaj al diodei Schottky faţă de joncţiunea pn îl constituie
posibilitatea de lucru la frecvenţe mult mai ridicate, timpii de comutaţie pentru
diodele Schottky putând ajunge până la 100ps. Se simplifică şi circuitul
echivalent de semnal mic al acestei diode, dispărând capacitatea de difuzie
C d , iar rezistenţa internă Ri şi capacitatea de barieră Cb fiind definite prin
aceleaşi relaţii ca la joncţiunea pn.
Diodele Schottky sunt utilizate în detectoarele de frecvenţe foarte
ridicate, în redresoarele de putere ce lucrează la frecvenţe ridicate şi în
circuitele integrate realizate în tehnologie TTL-Schottky pentru creşterea
vitezei de comutaţie a tranzistoarelor bipolare.