DETERMINAREA ENERGIEI DE ACTIVARE A UNUI

SEMICONDUCTOR
1. Scopul lucrrii
Obiectivul acestei lucrri de laborator este de a observa dependena rezistenei
electrice a unui semiconductor cunoscut (termistor) n funcie de temperatur i
de a determina energia de activare a acestuia.
2. Consideraii teoretice
Semiconductorii sunt acei conductori electrici care au valori ale conductibilitii
1
electrice, la temperatura camerei, curprinse ntre 10 10 pn la 10 2 (cm ) ,
valoare care este mai mic dect la metale, dar mai mare dect la izolatori.
Aplicarea teoriei cuantice la micarea electronilor din reeaua cristalin a artat
c principiul lui Pauli cunoscut pentru atomii izolai este valabil pentru ntreg
solidul. Aceast observaie are ca i consecin faptul c energiile pe care le
poate lua un electron ntr-un cristal sunt grupate n zone permise separate de
zone interzise (Fig. 1). Aceste zone poart denumirea de benzi de energie.
Modul de distribuire al electronilor pe nivelele energetice aflate n interiorul unei
benzi permise este determinat de starea termic n care se afl cristalul. Astfel,
la temperatura de 0oK electronii vor fi repartizai pe nivelele cu energia cea mai
joas, iar benzile energetice vor fi umplute integral ncepnd cu cele inferioare
pn la o anumit band care poate fi ocupat parial sau total. Ultimul nivel
energetic populat cu electroni la 0oK se numete nivel Fermi.
n reprezentarea energetic a unui solid cristalin de obicei se iau numai
ultimele trei zone i anume: banda de valen (b.v.), care este ultima band
permis parial sau complet ocupat, banda de conducie (b.c.), definit ca prima
band complet liber, iar banda interzis (b.i.) reprezint intervalul energetic
care separ nivelul superior al benzii de valen de nivelul inferior al benzii de
conducie. Dup gradul de ocupare a ultimei benzi permise i dup lrgimea
benzii interzise, solidele se mpart n: conductori, semiconductori i dielectrici

Figura 1.

98

Fizic: ndrumtor de laborator

(Fig. 2).
Lrgimea
benzii
interzise este determinat de
tipul legturilor chimice din
cristal. Legtura ionic care se
realizeaz n izolatori (de ex:
NaCl) este mult mai puternic
dect cea covalent care se
realizeaz n semiconductorii
puri (de ex: Ge, Si), astfel c
banda interzis specific unui
izolator este mai mare dect
cea a unui semiconductor.

Figura 2.

Se definete energia de activare E a unui semiconductor ca fiind

cantitatea minim de energie necesar pentru trecerea unui electron din banda
de valen n banda de conducie. Ea este egal cu diferena dintre energia Ec
corespunztoare nivelului inferior al benzii de conducie i energia Ev
corespunztoare nivelului superior al benzii de valen,
E = E c E v .

(1)

Semiconductorii sunt de dou tipuri: intrinseci i extrinseci:

i) semiconductorii intrinseci (fr impuriti) nu posed nivele energetice
adiionale n interiorul benzii interzise. Aceast condiie o ndeplinesc numai
cristalele foarte pure (Ge, Si); ii) semiconductorii extrinseci (cu impuriti),
posed nivele adiionale admise ntre banda de valen i cea de conducie.
Aceste nivele energetice sunt date de nivelele energetice ale impuritilor sau
altor tipuri de defecte aflate n cristal. Nivelele adiionale pot fi situate deasupra
benzii de valen i se numesc nivele acceptoare sau n vecintatea benzii de
conducie i se numesc nivele donoare.
Mecanismul de conducie n semiconductorii puri se explic n felul
urmtor: la creterea temperaturii, energia termic a electronilor din zona de
valen crete, iar o parte din electroni trec n zona de conducie. Electronii care
traverseaz, prin salt cuantic, zona interzis las n zona de valen un gol, i
astfel se obine generarea termic a perechii electron-gol. Acest fel de perechi
sunt purttori de curent situai n benzi energetice diferite. La aplicarea unei
diferene de potenial apare o micare dirijat a acestor purttori determinnd o
anumit conductibilitate electric a semiconductorului. n felul acesta la creterea
temperaturii mai muli electroni au energie (termic) suficient pentru a trece din
banda de valen n banda de conducie. Astfel, la creterea temperaturii
conductibilitatea electric crete iar rezistena electric scade. Acest efect face
ca semiconductorii s se deosebeasc net de metale.
Pentru semiconductorii cu impuriti care posed nivele donoare sau
acceptoare n interiorul zonei interzise, o energie de activare E mult mai mic

99

Determinarea energiei de activare a unui semiconductor

va produce ionizarea impuritilor i crearea de purttori de curent. S-a stabilit c
rezistivitatea semiconductorilor scade cu temperatura dup urmtoarea lege,
E

R = R 0 e 2KT ,

(2)

unde R este rezistena la temperatura T; R0 este rezistena la o temperatur

T ; k este constanta lui Boltzmann ( 1.38 10 23 joule / K ); T este temperatura
msurat n grade absolute; iar E este energia de activare a semiconductorului
studiat.
Pentru a calcula energia de activare, mrime caracteristic fiecrui
semiconductor, se liniarizeaz relaia (2). n acest scop se logaritmeaz n baz
natural relaia (2),

lnR = lnR 0 +

E
,
2kT

(3)

care n baz zecimal este,

lgR = lgR 0 +

E
0.43 ,
2kT

(4)

rezult astfel c dependena logaritmului rezistivitii de inversul temperaturii

este o dreapt. Din panta dreptei se poate calcula valoarea energiei de activare
E. Astfel,
tg = 0.43

E
2k

(5)

i n final se obine:
E = 0.2

lgR 2 lgR1
lgR
= 0.2
3
10 3 10 3
10

T
T1
T
2

[eV ]

(6)

Factorul 0.2 din relaia (6) apare prin considerarea mai multor transformri
dup cum urmeaz: n primul rnd se consider energia de activare n electronivol i n loc de J, iar inversul temperaturii absolute este acum calculat ca 10 3 T .
3. Aplicaii

Datorit dependenei puternice de temperatur a conductibilitii electrice,

semiconductorii activai termic pot servi la realizarea unor dispozitive simple de
msurare cu mare precizie, a variaiilor de temperatur. Termistorul este un
semiconductor a crui rezisten termic depinde n mod controlat de
temperatur. Prepararea termistorilor se face din amestecuri de oxizi metalici,
dup tehnologii speciale i sunt caracterizai de o serie de parametri ca: (i)
rezistena nominal la 20C, R20, (ii) lrimea zonei interzise n semiconductorul
100

Fizic: ndrumtor de laborator

intrinsec, B=E/2K, numit i constanta electronic de material, (iii) coeficientul
termic, T = -B/T2, (iv) temperatura maxim admis Tmax, temperatura limit,
precum i (v) domeniul de variaie a temperaturii (-150C2000C).
Termistoarele au numeroase aplicaii n msurarea, reglarea i controlul
temperaturii proceselor industriale.
Varistoarele sunt rezistene neliniare, fcute din carbur de siliciu. Ele
sunt utilizate la linii de nalt tensiune. Mai multe varistoare legate n serie,
constituie un descrctor, una din bornele acestuia fiind conectat la linia de
nalt tensiune, iar cealalt la pmnt. Dac linia este atins de fulger, datorit
supratensiunii foarte mari care apare, rezistena pe care o prezint descrctorul
scade puternic i din aceast cauz, prin descrctor se scurge un curent
important la pmnt, protejnd astfel linia.

Materialele semiconductoare stau la baza tuturor componentelor i

circuitelor electronice sau integrate. n ultimele 2 decenii s-a dezvoltat extrem de
mult tiina materialelor i tehnologia n general. Apariia nanomaterialor a dus la
miniaturizarea semiconductorilor i a tuturor componentelor electronice. Ca
atare, semiconductorii, nu numai cei activai termic, dar i prin alte mijloace
(radiaii de diferite tipuri, etc) au putut fi integrai n tot ce nseamn noua
aparatur miniaturizat, inclusiv nanoroboi.
4. Metodica experimental
4.1
Montajul experimental
Pentru msurarea dependenei rezistenei electrice a unui semiconductor n
funcie de temperatur se realizeaz montajul redat n Fig. 3, unde pentru
nclzirea probei (termistor) se folosete un cuptor cu rezisten electric.
Alimentarea lui se face prin intermediul unui autotransformator (tensiunea

Figura 3.

101

Determinarea energiei de activare a unui semiconductor

maxim de lucru cca 60 V). Pentru asigurarea contactului ohmic a probei
semiconductoare feele pastilei sunt argintate. Un termocuplu din Cupru
Constantan conectat la un milivoltmetru se folosete pentru msurarea
temperaturii. Pentru msurarea rezistenei electrice se folose te ohmmetru
digital.
4.2

Modul de lucru

1. Se urmrete realizarea montajului electric redat n Fig. 3.

2. Fr a nclzi cuptorul, se msoar rezistena semiconductorului la
temperatura camerei.
3. Se nclzete cuptorul asigurnd o cretere a temperaturii probei din
10oC n 10 oC pn la temperatura de 1000C, concomitent msurnduse rezistenele corespunztoare ale semiconductorului.
4.3

Prelucrarea datelor experimentale

3
1. Se traseaz graficul dependenei lg R = f 10

2. Din grafic se determin panta dreptei, iar cu ajutorul relaiei (6) se

calculeaz energia de activare corespunztoare semiconductorului.
3. Rezultatele experimentale se trec n tabelul de mai jos:
Tabel 1

t
[oC]

T
[K]

103
T
[K-1]

R
[k]

20
30
40
50
60
70
80
90
100

102

lg R
-

E
[eV]

(E )
E
[%]