2

DIODA SEMICONDUCTOARE
DE PUTERE

2.1 STRUCTUR~

Fig.2.1 Sec\iune printr-o Fig.2.2 Simbolul Fig.2.3 Stratul

diod` de putere. diodei. n - real.

{n fig.2.1 este prezentat` o sec\iune longitudinal` prin structura

unei diode de putere, grosimile straturilor fiind cele tipice.
Stratul p+, numit ]i stratul anodului, este nalt impurificat,
num`rul elementelor acceptoare NA = 1019 /cm3 , iar stratul n+, numit
stratul catodului, avnd ND = 1019 /cm3 . Stratul n-, cu o impurificare
18 DIODA SEMICONDUCTOARE DE PUTERE

redus`, ND = 1014 /cm3 are rolul discutat n capitolul anterior, grosimea d

fiind variabil`, n func\ie de tensiunea invers` admis`.
Simbolul diodei acela]i cu al diodei de semnal, este prezentat in
fig.2.2, cei doi electrozi, anod ]i catod, fiind simboliza\i prin literele A,
respectiv K.
Structura plan paralel` din fig.2.1. este una de tip ideal. {n
procesul de formare al straturilor, prin procedeul difuziei cu masc`,
stratul de s`r`cire n- se realizeaz` doar ntr-o zon` vecin`, de grosime
variabil` n jurul stratului p+, fig.2.3. La polarizare invers` cmpul din
stratul n- este neuniform conducnd la tensiuni inverse admise inferioare
celei caracteristice grosimii d.
Variantele constructive au n vedere corectarea limitei stratului
n-, astfel nct s` nu se produc` reducerea tensiunii inverse. O solu\ie
este utilizarea pl`cilor de cmp, fig.2.4, care redirijeaz` forma limitei
stratului n-.

Fig.2.4 Structur` cu Fig.2.5 Structur` cu

pl`ci de cmp. inel de gard`.

Dezavantajul structurii const` n dimensiunea mult mai mare a

cipului de siliciu din care se realizeaz` dioda.
O alt` solu\ie const` n proiectarea unui inel de gard`, format
dintr-un semiconductor p, mediu impurificat, n jurul stratului de anod,
p+. O astfel de structur` este prezentat` n fig.2.5, cu linie ntrerupt` fiind
delimitat` configura\ia ob\inut` pentru limita stratului de s`r`cire.
DISPOZITIVE SEMICONDUCTOARE DE PUTERE 19

2.2 CARACTERISTICA STATIC~

Caracteristica static` reprezint` dependen\a dintre curentul care
trece prin diod` n func\ie de tensiunea la bornele acesteia. Caracteristica
are dou` ramuri: n cadranul unu pentru polarizare direct` ]i n cadranul
trei pentru polarizare invers` (fig.2.6).
Pentru polarizarea direct`, ca urmare a prezen\ei stratului n-,
caracteristica static` se aproximeaz` printr-o dreapt` pentru tensiuni vF >
VTo , VTo fiind numit` tensiune de prag ]i reprezentnd tensiunea peste
valoarea c`reia se amorseaz` conduc\ia prin diod`. Pentru majoritatea
diodelor de putere 0,7 VTo 1V, sensibil mai mare ca la o jonc\iune pn
obi]nuit`. Ecua\ia por\iunii liniare poate fi scris` sub forma
vF = VTo + RON iF , (2.1)
conducnd la schema echivalent` din fig.2.7, unde dioda propriu-zis`, n,
este considerat` ca avnd caracteristica static` ideal` din fig.2.8.
Rezisten\a RON are o valoare redus`, de ordinul zecilor pn` la zecimi de
m, fiind cu att mai mic` cu ct dioda are un curent mai mare.

Fig.2.6 Caracteristica Fig.2.7 Schema echivalent` Fig.2.8 Caractersitica

static`. la polarizarea direct`. static` ideal`.

Por\iunea pentru tensiuni v VTo nu intereseaz` d.p.d.v. al

aplica\iilor. Un punct de func\ionare oarecare F este caracterizat prin
perechea IF ]i VF interesnd n aplica\ii din dou` considerente. Primul se
refer` la c`derea de tensiune pe diod`, care, pentru varia\ii ale curentului
n limite admisibile, poate c`p`ta valori maxime de 1,4 1,6 V,
indicnd faptul c` modificarea c`derii de tensiune VF este relativ redus`.
Cel de al doilea aspect se refer` la pierderea de putere pe diod`
PF = v F iF , (2.2)
20 DIODA SEMICONDUCTOARE DE PUTERE

care va determina regimul termic al jonc\iunii. Ecua\ia indic` faptul c`

regimul termic este determinat esen\ial de curentul iF prin dioda, ntruct
vF se modific` relativ pu\in.
Ramura caracteristicii statice pentru polarizare invers` este
caracterizat` prin dou` m`rimi. Pentru vF < VBR , curentul invers prin
diod` are o valoare constant`, IRM , fiind determinat de curentul invers de
satura\ie, rela\ia (1.16). Valoarea acestui curent depinde de m`rimea
diodei, avnd valori de la zeci de A pn` la zeci de mA, IRM fiind cu
att mai mare cu ct curentul nominal al diodei este mai mare.
Corespunz`tor valorii IRM , rezisten\a n sens invers, ROFF , are valori de
ordinul zecilor de M. (fig.2.9).

Fig.2.9 Schema echivalent` Fig.2.10 Dependen\a caracteristicii

pentru polarizarea invers`. statice cu temperatura.

Atingerea tensiunii VBR , tensiune de pr`bu]ire invers`, conduce

la deteriorarea ireversibil` a diodei.
Rezult` c` la polarizarea invers` puterea disipat` pe diod` este
nesemnificativ`, n timp ce inegalitatea vF < VBR este esen\ial` pentru
integritatea diodei.
La nivelul caracteristicii ideale, fig.2.8, dioda se comport` ca un
ntreruptor ideal, pentru v > 0 fiind nchis, iar pentru v < 0 fiind deschis.
In aplica\iile din electronica de putere, unde curen\ii ]i tensiunile sunt de
ordinul sutelor sau miilor de amperi ]i vol\i, caracteristica ideal`
aproximeaz` destul de bine caracteristica real`.
Caracteristica static` este puternic influen\at` de temperatura
jonc\iunii ca urmare a dependen\ei proceselor din semiconductor de
temperatur`. Pentru a ilustra aceast` dependen\`, n fig.2.10 se prezint`
caracteristicile statice pentru dou` temperaturi T1 ]i T2 cu T2 > T1 .
Modificarea esen\ial` se remarc` la polarizarea invers` unde, n medie,
curentul invers se dubleaz` pentru fiecare cre]tere de 6o C. La polarizarea
direct` coeficientul de cre]tere cu temperatura a curentului este mult mai
DISPOZITIVE SEMICONDUCTOARE DE PUTERE 21

mic dect n sens invers, ceea ce produce o cre]tere de cteva procente a

c`derii de tensiune VF, la acela]i curent IF.

2.3 PIERDERILE DE PUTERE {N CONDUC|IE

Pierderile de putere care determin` regimul termic al unei diode
sunt ocazionate de func\ionare cu polarizare direct`. La frecven\e joase,
de pn` la 400 Hz, pierderile de putere sunt determinate numai de
conduc\ia n regim sta\ionar, ecua\ia (2.2). La frecven\e nalte pierderile
cauzate de intrare ]i ie]irea din conduc\ie devin comparabile cu cele de
regim sta\ionar ]i trebuiesc luate n considera\ie n calculul regimului
termic.
O metod` simpl` de determinare a pierderilor de regim sta\ionar
se bazeaz` pe ecua\ia (2.2) ]i pe faptul c` VF este practic constant. Astfel
lund VF = 1,0V pierderile de putere au valoarea
PF = 1,0 i F (2.3)
Aceast` metod` apreciaz` corect pierderile de putere la niveluri
reduse ale curentului iF. Aplicarea ei pentru valori mari ale curentului iF
conduce la o supraestimare a pierderilor de putere ca urmare a ignor`rii
fenomenelor ce apar n stratul n-. Astfel rezisten\a stratului n- se
mic]oreaz` sensibil pentru curen\i mari ca urmare a injec\iei de purt`tori
de sarcin` majoritari. Aceast` modificare a rezisten\elor se nume]te de
obicei modula\ia conductivit`\ii stratului de s`r`cire. La polarizare
direct`, n regim sta\ionar ]i la o injec\ie redus` de purt`tori de sarcin`
din p+ ]i n+ n n-, densitatea golurilor care trec din p+ n n-, p , este relativ
mic`, iar electronii din n- neutralizeaz` u]or golurile. La o injec\ie de
nivel nalt, nu mai are loc neutralizarea tuturor golurilor, sarcina spa\ial`
din n- are un exces de goluri, care vor atrage electroni din n+. Aceasta
atrage o puternic` injec\ie de electroni din n+ n n- , conducnd la
densit`\i aproape egale ale golurilor p ]i electronilor n. Ambii purt`tori
de sarcin` difuzeaz` n ntreg stratul n- unde se recombin` pe m`sur` ce
difuzeaz`. Acest proces este numit dubl` injec\ie. Dac` lungimea de
difuzie a purt`torilor de sarcin` este mai mare dect grosimea d a
stratului n-, distribu\ia spa\ial` a purt`torilor n exces are forma din
fig.2.11 unde:
nn0 num`rul de purt`tori, electroni, din n- egal cu densitatea de
impurificare 1014 /cm3 ;
pn0 num`rul de purt`tori minoritari, golurile, cu totul
nesemnificative;
22 DIODA SEMICONDUCTOARE DE PUTERE

np ]i pn - distribu\ia purt`torilor minoritari, la echilibrul termic, din

straturile p+ ]i n+;
p(x) = n(x), densit`\ile sarcinilor spa\iale din stratul n-, ca rezultat al
dublei injec\ii, cu varia\ia din desen ]i cu o valoare medie de cca.
1016 /cm3 , pentru impurific`ri de nivelul a 1019 /cm3 ale straturilor n+
]i p+.

Fig.2.11. Distribu\ia purt`torilor de sarcin` la polarizarea direct`.

Datorit` prezen\ei acestei sarcini n exces, conductivitatea

stratului n- cre]te substan\ial, fa\` de cazul injec\iei reduse de purt`tori,
care are loc la curen\i mici.
{n aceste condi\ii curentul prin stratul n- poate fi scris plecnd
de la rela\ia (1.9) sub forma
q[ n + p ] n a A Vd
IF = , (2.4)
d
unde na este valoarea medie a densit`\ii sarcinii spa\iale calculabil` cu
rela\ia
n a = n( x ) = p( x ) = 1016 / cm 3 ; (2.5)

A aria sec\iunii transversale a diodei;

Vd - c`derea de tensiune pe stratul n-.
{n acela]i timp, considernd valoarea medie a densit`\ii sarcinii
spa\iale din n- ca fiind na , curentul se mai poate scrie sub forma
q na A d Q F
IF = = , (2.6)

unde QF este sarcina spa\ial`, iar durata de via\`.
DISPOZITIVE SEMICONDUCTOARE DE PUTERE 23

Din egalitatea rela\iilor (2.4) ]i (2.6) rezult`

d2
Vd = (2.7)
( n + p )
C`derea total` de tensiune pe diod` mai cuprinde ]i c`derea de
tensiune Vj , propriu-zis` pe jonc\iunea pn , adic`
VF = V j + Vd . (2.8)

Tensiunea Vd este puternic influen\at` de curentul prin DSP.

Astfel pentru na de ordinul 1017 /cm3 , durata de via\` a sarcinilor se
mic]oreaz` ca urmare a apari\iei recombin`rii suplimentare Auger,
m`rind tensiunea Vd. Pe de alt` parte, n acelea]i condi\ii, mobilit`\ile n
]i p se mic]oreaz` ca urmare a coliziunilor adi\ionale din cristal, dup`
n0 + p0
n + p = , (2.9)
na
1 +
n
b

unde p0 ]i n0 sunt mobilit`\ile n cazul injec\iei reduse, iar nb < na ,

densitatea medie de sarcin` n acela]i caz.
Mic]orarea mobilit`\ilor produce, conform ecua\iei (2.7), de
asemenea o cre]tere a tensiunii Vd. Astfel ecua\ia (2.1) a caracteristicii
statice pentru polarizarea direct` este perfect justificat`, \innd cont c`
VT 0 = V j = cst . (2.10)

Din analiza de mai sus rezult` o serie de concluzii importante

valabile ]i pentru alte DSP, care utilizeaz` acela]i tip de conduc\ie cum
ar fi tiristoarele ]i tranzistoarele bipolare.
Astfel dac` durata de via\` poate fi f`cut` suficient de mare,
iar lungimea de difuzie este comparabil` cu grosimea stratului n- , atunci
tensiunea Vd pe acest strat este relativ mic` ]i practic independent` de
valoarea curentului IF. Reducerea tensiunii Vd pe aceast` cale nseamn` o
valoare mare a sarcinii stocate QF , care creeaz` timpi mari de comuta\ie
din starea de conduc\ie n cea blocat`. {n sfr]it, necesitatea ob\inerii
unor tensiuni VBR mari impune grosimi d mari ale stratului n- ]i deci,
dup` rela\ia (2.7), tensiuni Vd mari.
Ca urmare a influen\ei contrarii a acestor factori se adopt` o
strategie de compromis ]i anume reducerea capacit`\ii n curent a DSP
atunci cnd este necesar` o tensiune VBR mare.
24 DIODA SEMICONDUCTOARE DE PUTERE

2.4 CARACTERISTICILE DINAMICE

Comuta\ia cuprinde dou` regimuri:
trecerea din stare blocat` n stare de
conduc\ie ]i invers. Varia\ia curentului iF ]i
tensiunii vF n func\ie de timp pentru aceste
regimuri reprezint` caracteristicile dinamice
ale diodei.
Caracteristicile de comuta\ie
intereseaz` din urm`toarele motive:
m`rimea timpului de intrare n conduc\ie,
notat prin tON, ]i a timpului de ie]ire din
Fig.2.12 Circuit pentru
analiza regimurilor
conduc\ie (blocare), tOFF;
dinamice. apari\ia supratensiunilor sau
supracuren\ilor n aceste intervale, care
pot afecta integritatea diodei;
pierderile de putere n diod` generate de aceste regimuri.
{n fig.2.12 este prezentat circuitul n care este inclus` o diod`,
iar n fig.2.13. caracteristicile de comuta\ie corespunz`toare.
Se consider` c` la momentul t=0 dioda este polarizat` invers cu
o tensiune VR, care, avnd n vedere absen\a unei conduc\ii
consistente, se reg`se]te integral n bariera de poten\ial, adic` pe stratul
n-. La t > 0 tensiunea -VR este modificat` sub form` de treapt` la +V.
Intrarea n conduc\ie se desf`]oar` pe intervalul
t ON = t1 + t 2 (2.11)

Fig.2.13 Caracteristicile dinamice ale diodei.

DISPOZITIVE SEMICONDUCTOARE DE PUTERE 25

{n primul interval, t1 , sarcina spa\ial`, stocat` n stratul n- ca

urmare a tensiunii inverse VR , este recombinat` prin cre]terea
curentului iF n sens direct. Cnd aceast` sarcin` este anihilat`,
jonc\iunea cap`t` polarizare direct` ]i ncepe injec\ia de purt`tori de
sarcin` n stratul de s`r`cire. {n acest interval gradientul de curent diF/dt
este, n general, determinat de propriet`\ile sarcinii ]i sursei de
alimentare, respectiv de inductivit`\ile con\inute de acestea, fiind mult
mai mic dect cel maxim admis de diod`.
{n intervalul t2 sarcina spa\ial` din stratul n- cre]te, ca urmare a
injec\iei de purt`tori, la valoarea de regim sta\ionar determinat` de
valoarea curentului IF suportat de diod` la polarizarea direct`.
Valorile tipice pentru cei doi timpi sunt de ordinul sutelor de
nanosecunde pentru t1 ]i microsecunde pentru t2 . Rezult` c` tON este de
ordinul microsecundelor.
Avnd n vedere evolu\ia curentului pe intervalul tON, tensiunea
pe diod` ar trebui s` se modifice monoton de la VR la VFON, ultima
reprezentnd tensiunea de regim sta\ionar, la valorile prezentate n
subcapitolul 2.2. {n realitate apare vrful de tensiune VFM de ordinul
zecilor de vol\i. Dou` sunt cauzele apari\iei acestor tensiuni:
la sfr]itul intervalului t1 , cnd ncepe injec\ia purt`torilor n stratul
n-, rezisten\a acestuia este nc` mare ]i deci ]i c`derea de tensiune pe
strat va fi apreciabil`;
ca urmare a varia\iei curentului iF apar tensiunile de autoinduc\ie
datorate inductivit`\ilor din circuit.
{n intervalul t2 ca urmare a cre]terii sarcinii stocate n n-,
rezisten\a acesteia scade, tensiunile de autoinduc\ie se anuleaz` ]i VF
scade la valoarea VFON . Supratensiunea VFM poate afecta serios
func\ionarea circuitelor electronice de putere.
Se pot realiza diode cu tON mai mici, dar acest lucru se poate
atinge prin mic]orarea duratei de via\` a purt`torilor, care conduce la
cre]terea pierderilor de putere.
Pierderile de putere pe diod` n intervalul tON sunt relativ mari
ca urmare a valorilor apreciabile ale curentului IF ]i tensiunii VF .
Datorit` valorii reduse a lui tON energia disipat` n diod` este
ns` redus`. Dac` dioda func\ioneaz` la frecven\e de comuta\ie mici
energia disipat` pe tON este nesemnificativ` n raport cu energia disipat`
n regim sta\ionar ]i contribu\ia ei se neglijeaz` n calculul regimului
termic. Pentru func\ionarea la frecven\e mari cele dou` energii devin
comparabile ]i ca urmare se iau n considera\ie ambele componente.
Comuta\ia din starea de conduc\ie n starea de blocare ncepe cu
intervalul t3 prin modificarea tensiunii de alimentare de la +V la VR . In
26 DIODA SEMICONDUCTOARE DE PUTERE

intervalul t3 , ca urmare a invers`rii tensiunii curentul se mic]oreaz` cu

un gradient diR/dt determinat de propriet`\ile sarcinii ]i sursei, la fel ca
pe intervalul t1 . Tensiunea pe diod` r`mne la valoarea VFON ca urmare a
sarcinii stocate n straturile diodei, la nivelul sarcinii din starea de
conduc\ie.
Pentru ob\inerea st`rii de blocare, prin refacerea barierei de
poten\ial, este necesar ca sarcina spa\ial` din jonc\iune, care a constituit
suportul curentului n sens direct, s` se recombine ]i anihileze. Acest
lucru se realizeaz` n intervalul t4 prin inversarea sensului curentului prin
jonc\iune. La sfr]itul intervalului t4 procesul de recombinare
diminueaz` ca urmare a faptului c` cea mai mare parte a sarcinii spa\iale
din straturi s-a recombinat. Ca urmare curentul invers se mic]oreaz`
tinznd spre cel de satura\ie invers IRM . La sfr]itul intervalului t5 , cnd
IR = 0,25 IRRM , se poate considera c` bariera de poten\ial ]i capacitatea de
blocare pentru tensiuni inverse au fost realizate.
Intervalul de timp
t rr = t4 + t5 (2.12)
se nume]te timp de restabilire invers`, fiind o m`rime cu importan\`
deosebit` n electronica de putere.
Timpul t4 , care este propor\ional cu durata medie de via\` a
purt`torilor de sarcin`, se mai noteaz` cu ts ]i se nume]te timp de
stocare, n timp ce t5 se noteaz` cu tf ]i se nume]te timp de c`dere al
curentului invers.
Sarcina de restabilire invers`, care trebuie eliminat` din
jonc\iune pentru a se realiza blocarea, se calculeaz` cu
t4 + t5
Qrr =
0
i Rdt , (2.13)

unde iR exprim` varia\ia

curentului prin diod`.
Sarcina Qrr este o
func\ie de curentul anterior n
sens direct prin diod`, de
gradientul diR/dt din procesul de
blocare ]i evident de temperatura
dispozitivului, prin dependen\a
similar` a duratei de via\` a
purt`torilor de sarcin`. {n
fig.2.14 se prezint` forma
Fig.2.14 Sarcina QTR.
general` a acestei dependen\e.
DISPOZITIVE SEMICONDUCTOARE DE PUTERE 27

{n general n cataloage este dat` aceast` dependen\` putndu-se

calcula timpul de stocare tS ]i valoarea maxim` a curentului invers IRRM
necesare pentru condi\iile concrete de func\ionare.
Astfel, considernd
d iR
= cst . , (2.14)
dt
ceea ce reflect` destul de bine realitatea,
di R
I RRM = t S , (2.15)
dt
unde gradientul de curent se poate estima din
di R I F
= , (2.16)
dt t3
t3 fiind determinat din condi\iile concrete ale circuitului n care este
inclus` dioda.
Sarcina Qrr se poate calcula, aproximativ, ca aria triunghiului
ha]urat n fig.2.13 dup`
1
Qrr = t rr I RRM (2.17)
2
Cunoscnd Qrr ]i trr, care sunt date de catalog, se poate
determina
2Qrr
I RRM = (2.18)
t rr
precum ]i timpii de stocare ]i c`dere cu
I RRM
tS = (2.19)
di
R
dt

t f = t rr t s (2.20)

Sarcina de restabilire invers` Qrr reprezint` o parte din sarcina

total` stocat` n jonc\iune n timpul polariz`rii directe ]i anume partea
care este preluat` prin curentul invers. Cealalt` parte din sarcina total`
stocat` n stratul n- se anihileaz` prin recombin`ri interne.
28 DIODA SEMICONDUCTOARE DE PUTERE

Rezult` c` valorile determinate mai sus sunt aproximative.

Aproximarea este cu att mai bun` cu ct valorile gradientului de curent
diR/dt sunt mai mari, respectiv trr mai mic.
Dup` valoarea timpului de restabilire invers`, trr, diodele de
putere se mpart n dou` categorii:
diode de putere obi]nuite, pentru care trr 10 sec;
diode rapide sau de comuta\ie, pentru care trr este cuprins ntre 0,2
1sec.
Primele diode se utilizeaz` la frecven\e reduse, iar cele rapide
pentru frecven\e ridicate. Mic]orarea timpului trr se realizeaz` pe c`ile
prezentate n subcapitolul 1.4. Aceste diode au ns` curen\i IRRM mai mari
]i tensiuni inverse admisibile mai mici.
Timpul total al bloc`rii conduc\iei are valoarea
t OFF = t 3 + t 5 + t f (2.21)

]i este sensibil mai mare dect trr , depinznd de t3 , deci de propriet`\ile

circuitului.
La sfr]itul intervalului t4 ca urmare a diminu`rii sarcinii stocate
n straturi, procesul de recombinare diminueaz` ]i are loc o modificare
spectaculoas` a gradientului de curent diR/dt, corespunz`tor punctului A
din fig.2.13. Aceast` modificare, prin fenomenul de autoinduc\ie din
inductivit`\ile circuitului, produce cre]terea brusc` a tensiunii inverse la
valoarea VRM . M`rimea acesteia precum ]i gradientul de cre]tere pot
afecta integritatea diodei. Dac` VRM > VBR , dioda se str`punge n sens
invers. Gradientul dvR/dt poate produce efecte secundare n capacit`\ile
parazite din jonc\iune prin apari\ia unor curen\i necontrola\i. Concluzia
fireasc` const` n men\inerea tensiunii VRM la valori mai mici dect VBR
fie prin proiectare, fie prin prevederea unor circuite speciale de protec\ie,
care s` reduc` simultan att VRM ct ]i gradientul dVR/dt.
Puterea disipat` n diod` are valori mai mari n intervalul tf , ca
urmare a valorilor relativ mari ale curentului invers ]i tensiunii. Luarea
n considera\ie a pierderilor de putere are acelea]i aspecte ca n cazul
intr`rii n conduc\ie.

2.5 PARAMETRI DE CATALOG PENTRU

DIODE.
Lund ca referin\` nota\iile din fig.2.12 se definesc urm`torii
parametri:
DISPOZITIVE SEMICONDUCTOARE DE PUTERE 29

a) Curentul instantaneu iF cu o varia\ie oarecare, depinznd de

sursa de alimentare ]i sarcin`.
b) Curentul mediu pe o perioad` definit prin
1 T
T 0
I FAV = i F ( t ) dt . (2.22)

Astfel pentru varia\ia curentului din fig.2.15, caracteristic` unei

aliment`ri sinusoidale,
1 T/2 2I
I FAV =
T 0
2 I sin t dt =

. (2.23)

c) Valoarea efectiv` a curentului definit prin

1

T
I FRMS = i F2 ( t ) dt (2.24)
T 0

Pentru exemplul din fig.2.15

valoarea efectiv` este

[ ]
1 T/2 2 I
I FRMS = 2 I sin t dt = . (2.25)
T 0
2

d) Curentul direct mediu

Fig.2.15 Calculul valorii medii.
maxim, numit ]i nominal,
IFAVM , reprezint` valoarea medie maxim` permis` pentru o
diod` corespunz`tor unui curent direct de form` sinusoidal`
cu o durat` de conduc\ie = 180 ]i care determin` o
nc`lzire a diodei admisibil`. Pentru alte forme ]i durate ale
curentului direct n cataloage se indic` dependen\a valorii
IFAVM n func\ie de acestea. Forma acestor dependen\e este
prezentat` n fig.2.16, pentru impulsuri de curent
sinusoidale, ]i 2.17, pentru impulsuri de curent
dreptunghiulare, pentru dioda IRKE 101, avnd curentul
IFAVM = 100A.
{n fig.2.16 ]i 2.17, d reprezint` temperatura jonc\iunii,
temperatura maxim` admisibil` pentru aceast` diod` fiind 150, iar
unghiul de conduc\ie dintr-o perioad`. Se constat` o diminuare
considerabil` a lui IFAVM cu temperatura jonc\iunii dar ]i n func\ie de
unghiul de conduc\ie .
30 DIODA SEMICONDUCTOARE DE PUTERE

Fig. 2.16 Caracteristica de curent Fig.2.17 Caractersitica de curent

nominal` pentru curent sinusoidal. nominal` pentru curent dreptunghiular.

e) Curentul direct efectiv maxim IFRMSM reprezint` valoarea

efectiv` maxim` admisibil` d.p.d.v. termic a curentului prin
diod`, indiferent de forma acestuia ]i condi\iile de r`cire.
{ntre IFRMSM ]i IFAVM exist` o leg`tur` de forma
I FRMSM
I FAVM = , (2.26)
Kf

unde Kf este factorul de form` al curentului, ce depinde de schema

convertorului unde este plasat` dioda ]i forma sinusoidal` sau
dreptunghiular` a curentului, Kf putndu-se calcula analitic.
f) Curentul de suprasarcin` previzibil` IFOV reprezin` valoarea
medie a curentului ce l poate suporta dioda un anumit timp
n func\ie de curentul IF anterior. Aceast` dependent` este
de forma celei din fig.2.18.

Fig.2.18 Determinarea curentului IFOV. Fig.2.19 Caracteristica de frecven\`.

DISPOZITIVE SEMICONDUCTOARE DE PUTERE 31

Se constat` c` dioda poate suporta o sarcin` previzibil` IFOV cu

att mai mare cu ct durata t a suprasarcinii este mai mic`, iar curentul IF
de la care ncepe suprasarcina, este mai mic. {n general graficele din
fig.2.18 sunt utilizate pentru determinarea timpului ct dioda, plecnd
din condi\ii cunoscute, poate suporta o valoare de curent ce constituie o
suprasarcin` probabil` ]i care poate fi previzionat`.
g) Valoarea de vrf maxim` admisibil` a curentului direct IFSM
este constituit` de valoarea de vrf a unei semialternan\e
sinusoidale cu durata de 10 msec. IFSM este indicat n
cataloage pentru temperatura maxim` a jonc\iunii cnd are
valoarea minim`. De asemenea sunt indicate de obicei dou`
valori ]i anume pentru cazul cnd dup` ISFM nu se aplic`
tensiune invers` sau se aplic` o tensiune invers` de nivelul
VRRM .
Astfel pentru dioda IRKE 101, exemplificat` mai sus, cele
dou` valori sunt: 2020A, respectiv 1700A.
Pentru diodele rapide, valoarea curentului de vrf direct este
limitat` ]i din considerente de frecvent` de lucru ca urmare a faptului c`
impulsul de curent sinusoidal sau trapezoidal poate fi aplicat de mai
multe ori pn` la ntreruperea circuitului. {n fig. 2.19 este prezentat`
caracteristica de frecvent` pentru dioda rapid` IRKL56.
Astfel pentru un puls sinusoidal de 10 msec, IFSM = 950A, n
timp ce pentru un puls sinusoidal avnd tp = 100 sec la o frecvent` f =
5KHz, curentul de vrf n sens direct admis este mult mai mic, de cca
200A.
h) Integrala de curent I2 t reprezint` valoarea maxim` a
integralei de curent direct, care poate fi suportat` de diod`,
corespunz`tor curentului IFSM , pe o durat` t1 = 10 msec.
Integrala de curent se calculeaz` dup`

t1
1 2 1 2
I t = I FSM
2 2
sin 2 t dt = I FSM t1 = I FSM 10 2 . (2.29)
0
2 2
Integrala de curent este propor\ional` cu energia disipat` n
diod`. Astfel energia disipat` se poate scrie
t1

W = RON .i 2F dt (2.30)
0

Cum pentru polarizare direct` RON este practic constant` se

poate scrie c`
32 DIODA SEMICONDUCTOARE DE PUTERE

t1

W = K i 2F dt (2.31)
0

]i deci integrala de curent este practic propor\ional` cu energia disipat`,

deci cu cantitatea de c`ldur` ce se produce n diod`. Cum IFSM este
curentul maxim admis de diod`, nseamn` c` integrala de curent
reprezint` c`ldura maxim` admis` a se degaja n jonc\iune pentru
intervalul de timp de 10msec. Pentru alte forme ale IFSM integrala de
curent se calculeaz` tot dup` rela\ia (2.29), dar lund valori diferite.
Integrala de curent este precizat` n cataloage tot pentru temperatura
maxim` a jonc\iunii ]i pentru cele dou` situa\ii de aplicare a tensiunii
inverse. Astfel pentru dioda IRKE-101 cele dou` valori sunt 20430
respectiv 14.450A2 s.
i) Curentul invers maxim IRRM , definit n fig.2.13, ]i care
reprezint` valoarea maxim` admis` pentru polarizare
invers` la tensiunea VRM , temperatura jonc\iunii fiind cea
maxim admis`.
j) Tensiunea direct` maxim` VFM este tensiunea pe diod` n
sens direct pentru un anumit curent direct ]i temperatur` a
jonc\iunii. Astfel pentru dioda IRKE-101, VFM = 1,34V
pentru IF = IFAVM ]i j = 25C.
k) Tensiunea invers` de vrf repetitiv` VRRM , reprezentnd cea
mai mare tensiune invers` ce se poate aplica n mod repetat,
periodic, f`r` a pereclita integritatea diodei. {n fapt VRRM <
VBR, reprezint` tensiunea maxim` invers` admisibil` pe
diod`. {n general aceea]i diod` se fabric` pentru diverse
VRRM . De exemplu dioda IRKE-101 se fabric` pentru 1400,
1600, 1800 ]i 2000V.
l) Tensiunea invers` de vrf nerepetitiv` VRSM , reprezentnd
cea mai mare tensiunea invers` ce se poate aplica pe diod`,
f`r` ns` a avea caracter repetitiv. VRSM < VBR, dar n acela]i
timp VRSM > VRRM . Ca exemplu pentru IRKE-101 cu VRRM =
2000V, VRSM = 2100V.
m) Temperatura de func\ionare a jonc\iunii j , reprezentnd
gama de temperaturi n care diod` este apt` de func\ionare.
Exist` o limit` minim` jm, de obicei - 40C, ]i o temperatur`
maxim` jM , cuprins`, n func\ie de firma care produce diod`, ntre
125C ]i 150C.
n) Temperatura de stocare, nmagazinare, reprezentnd
domeniul n care dioda poate fi depozitat`, f`r` a suferi
DISPOZITIVE SEMICONDUCTOARE DE PUTERE 33

transform`ri ireversibile. Gama de temperaturi de stocare

coincide de obicei cu gama de temperaturi de func\ionare.
o) Rezisten\ele termice de transfer ale c`ldurii dinspre
jonc\iune spre exterior. Se definesc dou` rezisten\e termice:
rezisten\a termic` jonc\iune-capsul`, Rthjc, m`surabil`
n C/W, ]i care depinde de modul de realizare al
diodei ]i de tipul de capsul`;
rezisten\a termic` capsul`-radiator, RthCR, care depinde
de modul de asamblare a celor dou` elemente;
rezisten\a termic` suplimentar` jonc\iune-capsul`,
R, care depinde de forma curentului, sinusoidal` sau
dreptunghiular`, ]i durata a acestuia pe o perioad`.

2.6 REGIMUL TERMIC AL DIODELOR

2.6.1 {NC~LZIREA N REGIM STA|IONAR

Pentru orice diod` se indic` ca dat` nominal` temperatura

maxim` admisibil` a jonc\iunii jM . P`strarea integrit`\ii diodei n orice
regim de func\ionare implic` nedep`]irea acestei temperaturi.
Temperatura de la un moment dat a unei diode este determinat`
de mai mul\i factori. Pe de o parte de sursa care produce nc`lzirea,
reprezentat` de pierderile de putere ca urmare a trecerii curentului n
sens direct sau invers. Pe de alt` parte c`ldura produs` de pierderile de
putere se ndreapt` n dou` direc\ii. O parte se nmagazineaz` n
structura diodei, capsul` ]i radiator, iar alt` parte se transmite spre
mediul exterior.
C`ldura nmagazinat` depinde de structura constructiv` a
diodei.
Transmitarea c`ldurii spre mediu se face prin cele trei
modalit`\i: conduc\ie, convec\ie ]i radia\ie. n func\ie de realizare, una
sau dou` din aceste modalit`\i pot fi predominate. n cele mai multe din
aplica\iile industriale, cu r`cire cu aer, convec\ia este predominat`.
Pentru cazul radiatoarelor r`cite cu ap` conduc\ia este predominant`, iar
cazul aplica\iilor la altitudine mare, r`cite cu aer, radia\ia este
predominant`.
Se consider` cazul cel mai frecvent cnd dioda este montat` pe
un radiator, iar r`cirea se face prin convec\ia natural` sau for\at` a
aerului.
34 DIODA SEMICONDUCTOARE DE PUTERE

Pierderile de putere ntr-o diod` depind evident de curentul prin

diod` ]i tensiunea la borne. Calculul, a]a cum s-a ar`tat n subcapitolul
2.3, nu se poate face direct. Mai mult acestea depind ]i de forma ]i
durata pulsului de curent. Pentru a simplifica evaluarea pierderilor de
putere n jonc\iune, Pj, n cataloage se furnizeaz` valoarea acestora n
func\ie de valoarea medie a curentului n sens direct, forma, sinusoidal`
sau dreptunghiular`, ]i durata a impulsului de curent.
O astfel de evaluare este prezentat` n fig.2.20, pentru dioda
IRKE-101, n regim continuu, c.c., adic` impuls dreptunghiular cu
durata .
Curentul IFAV la care poate func\iona dioda este limitat superior
prin linia ntrerupt` cu RMS, care reprezint` valoarea efectiv` maxim`
admis` de diod`. A]adar punctele de func\ionare ]i estimare a pierderilor
de putere trebuie s` se g`seasc` n zona inferioar` acestei limite. O
diagram` asem`n`toare este data n cataloage pentru impulsuri
sinusoidale de curent cu durata variabil`.
{n regim sta\ionar, caracterizat prin func\ionarea la parametri
electrici, curent ]i tensiune, constan\i, diferitele p`r\i ale ansamblului
diod`-radiator ajung n regim permanent, adic` la temperaturi constante,
ntreaga c`ldur` produs` de jonc\iune evacundu-se spre mediul exterior.
Prin analogie cu
circuitele electrice, se
ntocme]te o schem`
echivalent` termic` unde:
rezisten\ele termice sunt
echivalente rezisten\elor
electrice;
puterea disipat` prin curent
electric;
temperaturile prin tensiuni
]i poten\iale electrice.
Fig.2.20 Pierderile de putere n Utiliznd aceste similitudini se
diod`. realizeaz` schema echivalent`
din fig.2.21, unde Pj este
echivalentul unui generator de curent ideal,

Fig.2.21 Schema echivalent` pentru regim termic permanent.

DISPOZITIVE SEMICONDUCTOARE DE PUTERE 35

j, C, R ]i A sunt temperaturile jonc\iunii, capsulei, radiatorului ]i

mediului ambiant, iar RthRA rezisten\a termic` radiator-aer.
Scopul realizarii acestei scheme echivalente const` n
determinarea temperaturii jonc\iunii j pentru o func\ionare dat` prin
pierderile de putere Pj ]i o temperatur` a mediului ambiant A. Evident
se poate scrie
(
= j A = Pj RthJC + RthC R + RthRA , ) (2.32)

din care
j = A + PJ Rth , (2.33)

unde prin
R th = RthJC + RthC R + RthRA . (2.34)

Calculul de mai sus este valabil pentru func\ionarea n c.c. ]i

r`cire unilateral` a diodei, adic` dioda este montat` pe un singur
radiator.
Dac` func\ionarea se face n impulsuri sinusoidale sau
dreptunghiulare de durat` , RthJC se modific` n func\ie de prin a]a
numita rezisten\` termic` suplimentar`, R(). In acest caz, n ecua\ia
(2.32), RthJC se nlocuie]te prin

RthJC ( ) = RthJC + R( ) . (2.35)

Dac` dioda este r`cit` bilateral, adic` este montat` pe dou`

radiatoare dispuse n cele dou` p`r\i laterale, schema echivalent` este
aceea]i din fig.2.21, cu diferen\a c` o rezisten\a termic` oarecare provine
din conectarea n paralel a celor dou` rezisten\e termice componente,
calculabil` ca n cazul rezisten\elor electrice obi]nuite.
{n cazul lucrului n frecven\e nalte, peste 1kHz, cnd de altfel
se utilizeaz` diode rapide, pierderile de putere provocate de comuta\iile
ON-OFF ]i OFF-ON nu se mai pot neglija datorit` faptului c` tON ]i tOFF
devin comparabile cu durata de conduc\ie n sens direct.
Pierderile de putere la intrare n conduc\ie PjON se pot determina
cu u]urin\` din monograme de tipul celei din fig.2.22, unde tp este durata
pulsului sinusoidal, Ip curentul de vrf n sens direct, iar w1 , w2 ,,w4
energia disipat` pentru un singur puls de curent.
36 DIODA SEMICONDUCTOARE DE PUTERE

Evident n regim sta\ionar

wi
PjON = , (2.36)
T
unde wi este energia de
pierderi la intrarea n
conduc\ie, corespunz`tor unui
puls sinusoidal de durata tp ]i
curent de vrf IFi, iar T
perioada pulsului (punctul I),
Fig.2.22 Determinarea pierderilor de
putere la intrarea n conduc\ie. Grafice asem`n`toare sunt
indicate ]i pentru impulsuri de
curent trapezoidale, care nlocuiesc impulsurile dreptunghiulare de la
frecven\ele joase, unde gradientul de cre]tere/ descre]tere al curentului
se poate aproxima prin treapt`.
Pierderile la ie]irea din conduc\ie PjOFF sunt generate n special
pe durata de c`dere a curentului tf , cnd tensiunea invers` este relativ
mare (fig.2.13). Suplimentar aceste pierderi cresc ]i ca urmare a faptului
c` sarcina de restabilire invers` Qrr, respectiv IRRM , sunt mult mai mari ca
la diodele obi]nuite.
Pierderile de putere Pj OFF se pot estima prin dou` metode. Cea
mai simpl` metod` const` n utilizarea nomogramelor oferite de
cataloage, de forma din fig.2.23 unde:
frecven\ele de lucru sunt n raportul f1 < f2 < f3 < f4 < f5 ;
tensiunile inverse ce apar n procesul de blocare sunt n raportul
VR1 < VR2 < VR4 < VR5 ;
Qrr este sarcina de restabilire invers` care se determin` din grafice
de felul celor prezentate n fig.2.14.

Fig.2.23 Determinarea Pj OFF.

DISPOZITIVE SEMICONDUCTOARE DE PUTERE 37

Pentru o sarcin` Qrr , o frecven\` f3 ]i o tensiune invers` VR3

rezult` pierderile Pj OFF .
Dac` aceste de nomograme nu sunt furnizate, Pj OFF se poate
determina prin calcul dup`
Wt f
PjOFF = , (2.37)
T
unde Wt f este energia disipat` n diod` pe durata de c`dere tf , iar T
perioada semnalului de curent.
Energia
tf

Wt f = i R (t ) V R ( t ) dt . (2.38)
0

Lund n (2.38)
VR (t ) = VRM (2.39)

tf

Wt f = V RM i R ( t )dt = V RM Q F , (2.40)
0

unde QF este o parte din sarcina de restabilire invers` corespunz`toare

timpului tf . Determinarea sarcinii Qrr, a timpului de restabilire trr ]i a
curentului IRRM sunt mult simplificate la diodele rapide pentru c` sunt
furnizate caracteristicile de dependen\` a acestor m`rimi n func\ie de
curentul anterior n sens direct IF ]i gradientul de curent diR/dt , de forma
celor din fig.2.24 , 2.25 ]i 2.26, pentru dioda IRKL56 la o temperatur` j
= 125C.

Fig.2.24 Determinarea Fig.2.25 Determinarea Fig.2.26 Determinarea

timpului trr . sarcinii Qrr . curentului IRRM.
38 DIODA SEMICONDUCTOARE DE PUTERE

Avnd determinate trr , Qrr ]i IRRM , sarcina QF se aproximeaz`

prin (fig.2.13)
I RRM t f
QF = , (2.41)
2
unde
t f = t rr t S , (2.42)

iar timpul de stocare ts se determin` cu rela\ia (2.20).

O alt` component` a pierderilor de putere disipate n diode este
cea din stare blocat`, datorat` curentului invers IRM (fig.2.6).
La temperaturi reduse ale jonc\iunii aceste pierderi de putere
sunt neglijabile, curentul IRM fiind nesemnificativ. Cu cre]terea
temperaturii jonc\iunii, crescnd densitatea purt`torilor minoritari,
curentul IRM cre]te ]i pierderile la polarizare invers` nu mai pot fi
neglijate. Astfel, aceste pierderi se pot exprima la temperatura prin
PJR = PJR0 ea ( 0 ) , (2.43)

unde 0 este temperatura mediului ambiant pentru care pierderile de

putere sunt date de
PJR0 = I RM VR , (2.44)

VR fiind tensiunea invers` de lucru. Coeficientul de temperatur` a are

valori cuprinse ntre 0,03, , 0,07 [C]-1 .
Calculul temperaturii jonc\iunii j se face cu rela\ia (2.32) n
care pierderile de putere Pj se nlocuiesc cu
Ptot = Pj ON + Pj + Pj OFF + PJR , (2.45)

iar rezisten\a termic` Rthjc se corecteaz` cu R n func\ie de forma ]i

durata impulsului de curent.

2.6.2 {NC~LZIREA N REGIM DINAMIC

Regimul dinamic al nc`lzirii este caracterizat prin pierderi de

putere n diod` variabile n timp, inclusiv pe un ciclu de func\ionare.
Diferen\a principal` fa\` de regimul sta\ionar const` in faptul c` nu mai
pot fi neglijate acumul`rile de c`ldur` n capacit`\ile termice ale
ansamblului jonc\iune-radiator, cea mai mare parte din c`ldur` r`mnnd
n interiorul semiconductorului, ca urmare a duratelor de timp mult mai
DISPOZITIVE SEMICONDUCTOARE DE PUTERE 39

mici ale regimului dinamic n raport cu constantele de timp ale

procesului de convec\ie dintre diversele p`r\i ale diodei.
Schema echivalent` din punct de vedere termic a diodei este
prezentat` n fig.2.27 ]i provin din fig.2.21 prin ad`ugarea capacit`\ilor
termice: Cj jonc\iune, Cc capsul` ]i CR radiator. Fiecare din aceste
capacit`\i termice se poate calcula din dimensiunile ]i caracteristicile
materialelor componente, calculul fiind aproximativ ]i destul de dificil
de efectuat.
Experimental, impedan\a termic` jonc\iune-capsul`,
corespunz`toare schemei
echivalente din fig.2.27,
se poate determina prin
aplicarea unei trepte de
putere (curent), P, diodei
]i m`surarea temperaturii Fig.2.27 Schema echivalent` termic` n
jonc\iunii jc (fig.2.28), regim tranzitoriu.

rezultnd rela\ia
jc ( t )
Z th jc ( t ) = (2.46)
P
Rela\ia (2.46) indic` varia\ia acestei impedan\e cu timpul, n
sensul unor valori mici pentru intervalele mici de timp, de ordinul
milisecundelor, ]i a unei valori asimptotice pentru timpi mari.
{n fig.2.29 este prezentat` varia\ia impedan\ei termice Zth jc cu
timpul pentru dioda B40HF fabrica\ie International Rectifier.

Fig.2.28 Impedan\a termic`. Fig.2.29 Varia\ia n timp a impedan\ei termice.

40 DIODA SEMICONDUCTOARE DE PUTERE

Impedan\a termic` Zth jc se utilizeaz` n special pentru

determinarea nc`lzirii suplimentare produse de suprasarcini previzibile
sau imprevizibile. Se presupune c` o diod` func\ioneaz` n regim
sta\ionar sub o anumit` nc`rcare PFAV la temperatura js. La apari\ia
unei suprasarcini puterea disipat` n diod` cre]te cu PFAV. Cre]terea de
temperatur` datorat` acestei suprasarcini este evident limitat` de
temperatura maxim` admis` de jonc\iune jM .
Utiliznd (2.46) se poate scrie
jM jS
Zth jc (t ) = (2.47)
PFAV
Dintr-o curb` de felul celei din fig.2.29, n func\ie de valoarea
lui Zth jc (t ) , se determin` timpul ct dioda poate suporta suprasarcina
PFAV ]i se regleaz` corespunz`tor protec\iile de suprasarcin`. De
asemenea rela\ia (2.47) se poate utiliza ]i pentru determinarea varia\iei n
timp a temperaturii pentru o nc`rcare oarecare, aplicabil` pornind dintr-
o stare ini\ial` cunoscut`.

2.6.3 AMBALAREA TERMIC~

{n general rela\iile de forma (2.32), respectiv (2.47), se

utilizeaz` pentru determinarea tipului de radiator necesar pentru a se
asigura func\ionarea de durat` sub temperatura nominal`, jM . Astfel din
(2.32) ]i (2.45) rezult`
jM A
RthRA = Rth jc RthOR R . (2.48)
Ptot
Analiznd rela\ia (2.47) din punctul de vedere al temperaturii
jonc\iunii rezult`
(
j = A + Ptot Rth jc + RthC R + RthRA + R ) (2.49)

Rela\ia (2.49) indic` faptul c` temperatura jonc\iunii poate

cre]te, ap`rnd fenomenul ambal`rii termice cu distrugerea diodei, din
dou` motive:
cre]terea temperaturii mediului ambiant;
DISPOZITIVE SEMICONDUCTOARE DE PUTERE 41

cre]terea pierderilor de putere n diod`, n special ca urmare a

cre]terii cu temperatur` a pierderilor de putere la blocare precum ]i a
pierderilor de putere n stare blocat`.
Pentru a se evita un astfel de fenomen fabrican\ii de diode
furnizeaz` diagrame de forma celei din fig.2.30

Fig.2.30 Diagrama pierderilor de putere n sens direct

n func\ie de condi\iile de r`cire pentru dioda B4OHF.

O astfel de diagram` poate fi folosit` n dou` moduri:

determinarea condi\iilor de r`cire, respectiv RthRA necesar`, pentru a
evita ambalarea termic` n condi\ii de curent IFAV ]i temperatur` a
mediului ambiant A impuse ;
pentru condi\ii de r`cire ]i temperatur` a mediului ambiant date,
determinarea curentului IFAV maxim posibil.
Diagrama din fig.2.30 este realizat` pentru impulsuri de curent
sinusoidale cu durata dat`, dar se furnizeaz` diagrame asem`n`toare ]i
pentru impulsuri rectangulare.

2.6.4 ALEGEREA DIODELOR

Alegerea diodelor utilizate ntr-un convertor cu o anumit`

func\ionare se realizeaz` din dou` puncte de vedere, n curent ]i
tensiune.
{n curent alegerea const` n adoptarea unei diode cu un curent
nominal, IFAVM , n func\ie de curentul nominal, IdN , al convertorului.
Astfel pentru un convertor c.a. c.c. cu comuta\ie de la re\ea se
calculeaz` curentul mediu prin diod` cu
42 DIODA SEMICONDUCTOARE DE PUTERE

I dN
I FAV = , (2.50)
Kc K n n
unde Kc depinde de schema convertorului, indicnd ct conduce dioda
ntr-o perioad` a tensiunii de alimentare conduce dioda. Valorile
coeficientului Kc sunt prezentate n tabelul 1 n func\ie de schema
convertorului.

Tabelul 1
Tip Monofazat Monofazat Trifazat Trifazat Hexafazat
convertor monoalternan\a bialternan\a fa\` de nul n punte fa\` de nul
KC 2 2 3 3 6
VRW 2 2 US 2 US 3 2 US 3 2 US 2 US

IFRMS 1 1 1 1 1
Id Id Id Id Id
2 2 3 3 6

Termenii Kn ]i n au n vedere utilizarea n convertor de diode n

paralel. Astfel pentru n > 1, Kn = 0,8, lundu-se n calcul o asimetrie a
repartiz`rii curentului pe diode n paralel de 20%. Dac` se utilizeaz` o
singur` diod`, n=1 ]i Kn=1.
Din catalog se alege dioda de re\ea avnd
I FAV
I FAVM , (2.51)
KS
unde KS este un coeficient ce are n vedere tipul de ventila\ie adoptat
dup` :
KC = 0,3 . . . 0,7 pentru r`cire natural`;
KC = 0,8 . . . 0,9 pentru r`cire for\at`.

{n tensiune alegerea const` n stabilirea tensiunii inverse

repetitive maxime, VRRM , dup`
VRRM (1,5....2,5)VRW , (2.52)
unde VRW este tensiunea invers` de vrf maxim` furnizat` de convertor.
VRW este indicat` n tabelul 1 n func\ie de schema convertorului ]i
valoarea efectiv` a tensiunii de faz` de alimentare US.
Multiplicarea tensiunii VRW cu 1,5 . . . 2,5 are n vedere
supratensiunea de comuta\ie ce apare n procesul de blocare (fig.2.13) ]i
DISPOZITIVE SEMICONDUCTOARE DE PUTERE 43

eficien\a circuitului de protec\ie la supratensiuni interne. Astfel dac` se

prevede un circuit de protec\ie la supratensiuni se iau valorile mici, iar n
cazul absen\ei acestui circuit, situa\ie mai des ntlnit` n practic`,
valorile mari.
Att pentru IFAVM ct ]i pentru VRRM valorile sunt standardizate.
Dac` pentru IFAVM valorile nominale sunt diferite n func\ie de firma
produc`toare, pentru VRRM se fabric` diode cu tensiuni n trepte de 100V.
Dup` alegerea diodei se face verificarea termic` n regim
sta\ionar avndu-se n vedere func\ionarea la o temperatur` de regim a
jonc\iunii ct mai aproape de jM . Verificarea termic` are n vedere fie
calcularea temperaturii jM pentru un radiator ales, fie alegerea
radiatorului pentru a se asigura func\ionarea ct mai aproape de jM . Se
va verifica de asemenea evitarea ambal`rii termice, aceasta deciznd
tipul de radiator.
{n tabelul 1 este prezentat ]i calculul valorii curentului efectiv
prin diod`, IFRMS, n func\ie de curentul ]i schema convertorului.
44 DIODA SEMICONDUCTOARE DE PUTERE

2 DIODA SEMICONDUCTOARE DE PUTERE ..............................................................17

2.1 STRUCTURA............................................................................................................... 17
2.2 CARACTERISTICA STATIC~................................................................................... 19
2.3 PIERDERILE DE PUTERE {N CONDUC|IE ............................................................ 21
2.4 CARACTERISTICILE DINAMICE ............................................................................ 24
2.5 PARAMETRI DE CATALOG PENTRU DIODE. ...................................................... 28
2.6 REGIMUL TERMIC AL DIODELOR......................................................................... 33
2.6.1 {NC~LZIREA N REGIM STA|IONAR.......................................................... 33
2.6.2 INC~LZIREA N REGIM DINAMIC............................................................... 38
2.6.3 AMBALAREA TERMIC~................................................................................ 40
2.6.4 ALEGEREA DIODELOR.................................................................................. 41