Torok - Electronica de Putere

1.
DIODA SEMICONDUCTOARE DE PUTERE.
1.2.1
STRUCTUR.
n fig.1.13 este prezentat o seciune longitudinal prin structura unei diode de putere, grosimile straturilor fiind cele tipice.Stratul p+, numit stratul anodului, este nalt impurificat, 1019/cm3, iar stratul n+, numit stratul catodului, tot cu 1019/cm3. Stratul n-, cu o impurificare
Fig.1.13 Seciune printr-o diod de putere.
Fig.1.14 Simbolul diodei.
redus,1014/cm3 , are rolul discutat n capitolul anterior, grosimea d fiind variabil, n funcie de tensiunea invers necesar. Simbolul diodei, acelai cu al diodei de semnal, este prezentat in fig.1.14, cei doi electrozi, anod i catod, fiind simbolizai prin literele A, respectiv K. 1.2.2 CARACTERISTICA STATIC.
Caracteristica static reprezint dependena dintre curentul care trece prin diod n funcie de tensiunea la bornele acesteia. Caracteristica are dou ramuri: n cadranul unu pentru polarizare direct i n cadranul trei pentru polarizare invers (fig.1.15).Pentru polarizarea direct, ca urmare a prezenei stratului n-, caracteristica static se aproximeaz printr-o dreapt pentru tensiuni vF > VTo, VTo fiind numit tensiune de prag. Ea reprezint tensiunea peste valoarea creia se amorseaz conducia prin diod. Pentru majoritatea diodelor de putere 0,7 VTo 1V, sensibil mai mare ca la o jonciune pn obinuit. Poriunea pentru tensiuni v VTo nu intereseaz d.p.d.v. al aplicaiilor. Un punct de funcionare oarecare F este caracterizat prin perechea IF i VF interesnd n aplicaii din dou considerente. Primul se refer la cderea de tensiune pe diod, care, pentru variaii ale curentului n limite admisibile, poate cpta valori maxime de 1,4 1,6 V, indicnd faptul c modificarea cderii de tensiune VF este relativ redus, iar Fig.1.15 Caracteristica static. rezistena diodei n sens direct redus ca valoare , de ordinul m. Cel de al doilea aspect se refer la pierderea de putere n diod
PF = vF iF
(1.9)
care va determina regimul termic al jonciunii. Ecuaia indic faptul c regimul termic este determinat esenial de curentul iF prin dioda, ntruct vF se modific relativ puin.
10
ELECTRONIC DE PUTERE SI ACTIONARI REGLABILE
Ramura caracteristicii statice pentru polarizare invers este caracterizat prin dou mrimi. Pentru vF < VBR , curentul invers prin diod are o valoare constant, IRM , fiind determinat de curentul invers de saturaie. Valoarea acestui curent depinde de mrimea diodei, avnd valori de la zeci de A pn la zeci de mA, IRM fiind cu att mai mare cu ct curentul nominal al diodei este mai mare. Corespunztor valorii IRM, rezistena n sens invers, ROFF , are valori de ordinul zecilor de M. Atingerea tensiunii VBR, tensiune de prbuire invers, conduce la deteriorarea ireversibil a diodei.Rezult c la polarizarea invers puterea disipat pe diod este nesemnificativ, n timp ce inegalitatea vF < VBR este esenial pentru integritatea diodei. La
nivelul caracteristicii ideale,diod fr pierderi, fig.1.16, dioda se comport ca un ntreruptor ideal, pentru v > 0 fiind nchis, iar pentru v < 0 fiind deschis. In aplicaiile din electronica de putere, unde curenii i tensiunile sunt de ordinul sutelor sau miilor de amperi i voli, caracteristica ideal aproximeaz destul de bine caracteristica real. 1.2.3 CARACTERISTICI DINAMICE.
Fig.1.16 Caractersitica static ideal.
Comutaia cuprinde dou regimuri: trecerea din stare blocat n stare de conducie i invers. Variaiile curentului iF i tensiunii vF n funcie de timp pentru aceste regimuri reprezint caracteristicile dinamice ale diodei. Caracteristicile de comutaie intereseaz din urmtoarele motive: mrimea timpului de intrare n conducie, notat prin tON, i a timpului de ieire din conducie (blocare), tOFF; apariia supratensiunilor sau supracurenilor ; pierderile de putere n diod generate de aceste regimuri. n fig.1.17 este prezentat circuitul n care este inclus dioda, iar n fig.1.18 caracteristicile de comutaie corespunztoare.Se consider c la momentul t=0 dioda este polarizat invers cu o tensiune VR, care se Fig.1.17 Circuit pentru regsete integral n bariera de potenial, adic pe stratul n-. La t > 0 analiza regimurilor tensiunea -VR este modificat sub form de treapt la +V. n primul dinamice. interval, t1, sarcina spaial, stocat n stratul n- ca urmare a tensiunii inverse VR , este recombinat prin creterea curentului iF n sens direct. Cnd aceast sarcin este anihilat, jonciunea capt polarizare direct i ncepe injecia de purttori de sarcin n stratul de srcire. n acest interval gradientul de curent diF/dt este, n general, determinat de proprietile sarcinii, respectiv de inductivitatea acesteia, fiind mult mai mic dect cel maxim admis de diod.n intervalul t2 sarcina spaial din stratul n- crete, ca urmare a injeciei de purttori, la valoarea de regim staionar . Valoarea tipic a timpuluide intrare n conducie, tON = t1 + t2 (1.10)
este de ordinul microsecundelor. Pierderile de putere pe diod n intervalul tON sunt relativ mari ca urmare a valorilor apreciabile ale curentului IF i tensiunii VF . Datorit valorii reduse a lui tON energia disipat n diod este ns redus. Dac dioda funcioneaz la frecvene de comutaie mici energia disipat pe tON este nesemnificativ n raport cu cea de regim staionar i se neglijeaz n calculul regimului termic. Pentru funcionarea la frecvene mari cele dou energii devin comparabile i ca urmare se iau n consideraie ambele componente. Comutaia din starea de
ELECTRONIC DE PUTERE
11
conducie n starea de blocare ncepe cu intervalul t3 prin modificarea tensiunii de alimentare de la
Fig.1.18 Caracteristicile dinamice ale diodei.
+V la VR . n intervalul t3 , ca urmare a inversrii tensiunii curentul se micoreaz cu un gradient diR/dt determinat de proprietile sarcinii i sursei, la fel ca pe intervalul t1. Tensiunea pe diod rmne la valoarea VFON ca urmare a sarcinii stocate n straturile diodei n starea de conduc ie.Pentru obinerea strii de blocare, prin refacerea barierei de potenial, este necesar ca sarcina spaial din jonciune, care a constituit suportul curentului n sens direct, s se recombine i anihileze. Acest lucru se realizeaz n intervalul t4 prin inversarea sensului curentului prin jonciune. La sfritul intervalului t4 procesul de recombinare diminueaz ca urmare a faptului, cea mai mare parte a sarcinii spaiale din straturi fiind recombinat. Ca urmare curentul invers se micoreaz tinznd spre cel invers de saturaie IRM . La sfritul intervalului t5 se poate considera c bariera de potenial i capacitatea de blocare pentru tensiuni inverse au fost realizate. Intervalul de timp trr = t4 + t5 (1.11)
se numete timp de restabilire invers, fiind o mrime cu importan deosebit n electronica de putere.Dup valoarea timpului de restabilire invers, trr, diodele de putere se mpart n dou categorii: diode standard sau de reea, pentru care trr 10 sec; diode rapide sau de comutaie, pentru care trr este cuprins ntre 0,2 1sec. Timpul total al blocrii conduciei are valoarea
t OFF = t 3 + t 5 + t f
(1.12)
i este sensibil mai mare dect trr, depinznd de t3 , deci de proprietile circuitului. La sfritul intervalului t4 are loc o modificare spectaculoas a gradientului de curent diR/dt, corespunztor punctului A din fig.1.18. Aceast modificare, prin fenomenul de autoinducie din inductivitile circuitului, produce creterea brusc a tensiunii inverse la valoarea VRM. Mrimea acesteia precum i gradientul de cretere pot afecta integritatea diodei. Dac VRM > VBR , dioda se strpunge n sens invers. Gradientul dvR/dt poate produce efecte secundare n capacitile parazite din jonciune prin apariia unor cureni necontrolai. Meninerea tensiunii VRM la valori mai mici dect VBR se asigur fie prin proiectare, fie prin prevederea unor circuite speciale de protecie, care reduc att VRM ct i gradientul dVR/dt. Puterea disipat n diod are valori mai mari n intervalul tf, ca urmare a
12
valorilor relativ mari ale curentului invers i tensiunii. Luarea n consideraie a pierderilor de putere are aceleai aspecte ca n cazul intrrii n conducie. 1.2.4 PARAMETRI DE CATALOG PENTRU DIODE.
Lund ca referin notaiile din fig.1.17 se definesc urmtorii parametri: a) Curentul instantaneu iF cu o variaie oarecare, depinznd de sursa de alimentare i sarcin. b) Curentul mediu pe o perioad definit prin
I FAV =
1 T i F (t )dt T 0
2I
(1.13)
Astfel pentru variaia curentului din fig.1.19, caracteristic unei alimentri sinusoidale,
I FAV = 1 T
T /2
2 I sin tdt =
(1.14)
c) Valoarea efectiv a curentului definit prin

I FRMS = 1 T
2 iF ( t ) dt
(1.15)
Pentru exemplul din fig.1.19 valoarea efectiv este I FRMS = 1 T
T /2
2 I sin t dt =
I 2
(1.16)
Curentul direct mediu maxim, numit i nominal, IFAVM, reprezint valoarea medie maxim permis pentru o diod corespunztor unui curent direct, de form sinusoidal sau dreptunghiular, cu o durat de conducie de jumtate de perioad i care determin o nclzire a diodei admisibil. e) Valoarea de vrf maxim admisibil a curentului direct IFSM este constituit de valoarea de vrf a unei semialternane sinusoidale cu durata de 10 msec. IFSM este indicat n cataloage Fig.1.19 Calculul curenilor. pentru temperatura maxim a jonciunii cnd are valoarea minim. f) Integrala de curent I2t reprezint valoarea maxim a energiei care poate fi suportat de diod, corespunztor curentului IFSM, pe o durat t1 = 10 msec. g) Curentul invers maxim IRRM, definit n fig1.18. h) Tensiunea direct maxim VFM este tensiunea pe diod n sens direct pentru un anumit curent direct i temperatur i) Tensiunea invers de vrf repetitiv VRRM, reprezentnd cea mai mare tensiune invers ce se poate aplica n mod repetat, periodic, fr a pereclita integritatea diodei. j)Temperatura de funcionare a jonciunii j , reprezentnd gama de temperaturi n care diod este apt de funcionare.Exist o limit maxim, jM , cuprins, n funcie de firma care produce dioda, ntre 125C i 150C. k) Rezistenele termice de transfer ale cldurii dinspre jonciune spre exterior. Se definesc trei rezistene termice: rezistena termic jonciune-capsul, Rthjc, msurabil n C/W ; rezistena termic capsul-radiator, RthCR;
ELECTRONIC DE PUTERE
13
rezistena termic suplimentar jonciune-capsul, R, care depinde de forma curentului, sinusoidal sau dreptunghiular, i durata a acestuia pe o perioad.
1.2.5
REGIMUL TERMIC AL DIODELOR.
Pentru orice diod se indic ca dat nominal temperatura maxim admisibil a jonciunii, jM. Pstrarea integritii diodei n orice regim de funcionare implic nedepirea acestei temperaturi.Temperatura de la un moment dat a unei diode este determinat de mai muli factori. Pe de o parte de sursa care produce nclzirea, reprezentat de pierderile de putere ca urmare a trecerii curentului n sens direct sau invers. O parte din cldura produs se nmagazineaz n structura diodei, capsul i radiator, iar alt parte se transmite spre mediul exterior. Transmitarea cldurii spre mediu se face prin cele trei modaliti: conducie, convecie i radiaie. n cele mai multe din aplicaiile industriale, cu rcire cu aer, convecia este predominat. Se consider cazul cel mai frecvent cnd dioda este montat pe un radiator, iar rcirea se face prin convecia natural sau forat a aerului. Pierderile de putere n jonciune, Pj, se furnizeaz de fabricani n funcie de valoarea medie a curentului n sens direct, forma, sinusoidal sau dreptunghiular, i durata a impulsului de curent. O astfel de evaluare este prezentat n fig.1.20, pentru un regim n impuls dreptunghiular cu durata . Curentul IFAV la care poate funciona dioda este limitat superior prin linia ntrerupt cu RMS, care reprezint valoarea efectiv maxim admis de diod. O diagram asemntoare este data n cataloage pentru impulsuri sinusoidale. n regim staionar diferitele pri ale ansamblului diod-radiator ajung n regim permanent, adic la temperaturi constante, ntreaga cldur produs n jonciune evacundu-se spre mediul exterior. Fig.1.20 Pierderile de Prin analogie cu circuitele electrice, se putere n diod . realizeaz o schem echivalent termic, fig.1.21, unde: rezistenele termice sunt echivalente rezistenelor electrice; puterea disipat prin generator de curent electric; temperaturile prin tensiuni i poteniale electrice.
Fig.1.21 Schema echivalent pentru regimul termic permanent.
n fig. 1.21 j, C, R i A sunt temperaturile jonciunii, capsulei, radiatorului i mediului ambiant, iar RthRA rezistena termic radiator-aer. Determinarea temperaturii jonciunii j pentru o funcionare dat se face dup
j = A + PJ Rth ,
unde
(1.17)
th
= RthJC + RthCR + RthRA + R
(1.18)
14
n cazul lucrului n frecvene nalte, peste 1kHz pierderile de putere provocate de comutaiile ONOFF i OFF-ON nu se mai pot neglija i se introduc n calcul.
1.2.6 ALEGEREA DIODELOR.
Alegerea diodelor utilizate ntr-un convertor se face din dou puncte de vedere, n curent i tensiune.n curent alegerea const n adoptarea unei diode cu un curent nominal I FAVM k S I FAV , (1.19)
unde IFAV este curentul mediu prin diod , valoarea lui depinznd de tipul i schema convertorului, iar kS coeficient de suprasarcin admisibil.n tensiune alegerea const n stabilirea tensiunii inverse repetitive maxime, VRRM, dup VRRM (1,5....2,5)VRW , (1.20) unde VRW este tensiunea invers de vrf maxim ce poate apare pe diod n mod repetat. Multiplicarea tensiunii VRW cu 1,5 . . . 2,5 are n vedere supratensiunea de comutaie ce apare n procesul de blocare i eficiena circuitului de protecie la supratensiuni interne. Astfel dac se prevede un circuit de protecie la supratensiuni se iau valorile mici, iar n cazul absenei acestui circuit, situaie mai des ntlnit n practic, valorile mari. Att pentru IFAVM ct i pentru VRRM valorile sunt standardizate. Dac pentru IFAVM valorile nominale sunt diferite n funcie de firma productoare, pentru VRRM se fabric diode cu tensiuni n trepte de 100V. Dup alegerea diodei se face verificarea termic n regim staionar avndu-se n vedere funcionarea la o temperatur de regim a jonciunii ct mai aproape de jM. Verificarea termic are n vedere fie calcularea temperaturii jM pentru un radiator ales, fie alegerea radiatorului pentru a se asigura funcionarea ct mai aproape de jM
1.3
TIRISTORUL.
Tiristorul este un dispozitiv semiconductor de putere cu o mare capacitate n curent i tensiune i posibilitatea de comand a intrrii n conducie. Uneori acest tiristor este denumit SCR redresor semiconductor cu control (semiconductor controlled rectifier). 1.3.1 STRUCTUR. Tiristorul este construit ntr-o structur cu patru straturi i trei electrozi (fig.1.22). Stratul
Fig.1.22 Structura unui tiristor.
anodului este de tipul p cu o impurificare de 1019 /cm3. Stratul catodului este de tipul n+ cu o impurificare asemntoare.Stratul porii, p2, are o impurificare medie de 1017 /cm3. Al patrulea strat permanent este n- , cu o impurificare de 1013 1014/ cm3 , avnd acelai rol cu stratul similar de la diode. Suplimentar este prevzut stratul p, care mpreun cu p+ formeaz stratul anodului i care confer proprietile tiristorului.n ceea ce privete seciunea transversal a unui tiristor, acesta este de obicei circular, cu diametre pn la 10 cm i Fig.1.23 Simbolul tiristoarelor ridic probleme deosebite privimihai33nd realizarea ansamblului poartcatod astfel nct amorsarea conduciei s se fac simultan n toat seciunea. 1.3.2. POLARIZARE.
Considernd poarta izolat, polarizarea tiristorului se poate face direct, + pe A i pe K, sau invers, polaritile fiind evident inversate. n primul caz jonciunea J2, de tip n-p, fig.1.22, este polarizat invers i valoarea tensiunii posibil de aplicat depinde de grosimea stratului n-, la fel ca la diode.n cazul al doilea, jonctiunile J3 i J1 sunt polarizate invers. Jonciunea J3, de tip n+ p, va asigura o barier redus, n timp ce J1 , de tip n-p, va asigura o tensiune de aceeai mrime ca in cazul polarizrii directe.Rezult c tiristorul poate suporta tensiuni inverse i directe de aceeai mrime, fiind realizate uniti pentru tensiuni de ordinul miilor de voli. 1.3.3. CARACTERISTICA STATIC.
Se consider tiristorul alimentat de la sursa U i avnd o rezisten de sarcin R (fig.1.24). Caracteristica static, fig.1.25, este dependena dintre curentul prin tiristor, iT, i tensiunea anod-catod, uT. Pentru polarizare direct i n absena curentului de poart, iG = 0, caracteristica static este furnizat de curba 1. Se constat trei lucruri:
16
ELECTRONICA DE PUTERE SI ACTIONARI REGLABILE
Fig.1.24 Schema de alimentare.
Fig.1.25 Caracteristica static.
o cretere a curentului direct, nesemnificativ ca valoare, odat cu creterea tensiunii anodcatod; intrarea n conducie fr comand, iG=0, dac tensiunea anod-catod depete valoarea tensiunii UBD, numit de prbuire n sens direct, ca fiind tensiunea maxim admis de tiristor la polarizarea direct; cu ct tensiunea anod-catod este mai mic, curentul de poart necesar pentru intrarea n conducie este mai mare, iG3 > iG2 > iG1=0 Intrarea n conducie controlat prin iG 0 se realizeaz printr-un proces de autoamorsare, punctul de funcionare deplasndu-se rapid de pe ramura 2 pe ramura 3, pentru funcionare n conducie, ntr-un punct stabil F. Pe aceast caracteristic sunt dou valori de curent care prezint interes: IL , curent de amorsare, ca fiind valoarea de curent iT peste care are loc procesul de autoamorsare; IH , curent de meninere, ca valoare minim a curentului iT pentru care, tiristorul amorsat fiind, rmne n conducie chiar n absena curentului de poart. Caracteristica static pentru polarizare invers este situat n cadranul 4 fiind caracterizat prin dou mrimi: IRM curentul invers de saturaie, generat de purttorii minoritari, cu aceeai semnificaie i mrime ca la diode; VBR, tensiunea de prbuire n sens invers, ca fiind valoarea de tensiune la care are loc amorsarea unei conducii de avarie n sens invers, fr limitarea curentului, semnificaia fiind aceeai ca la diode. Caracteristica static pentru starea de conducie, curba 3, este liniar, din aceleai considerente ca la diode, cu diferena c tensiunea anod-catod VON este mai mare ca la diode putnd lua valori ntre 1,1 . . . 2,1 V. 1.3.4. AMORSAREA CONDUCIEI.
Tristorul poate fi echivalat prin dou tranzistoare T1 i T2 conectate ca n fig.1.26. T1, tranzistor pnp, este format din straturile p+ n- p, iar T2 , npn, de straturile n- p n+. Se consider circuitul anod-catod alimentat de la sursa EA , iar cel de poart de la sursa EG cu polaritile din fig.3.7. Circuitul baz-emitor al lui T2 este polarizat direct,
iB2 = iG
(1.21)
ELECTRONICA DE PUTERE
17
Tranzistorul T2 este polarizat pentru conducie i electronii din emitorul su se vor regsi n colector sub forma curentului de colector iC 2 , susinut de sursa EA. Dar
i B1 = iC2
(1.22)
i deci i tranzistorul T1 este polarizat pentru intrarea n conducie, aprnd curentul de colector iC1 , pe seama golurilor injectate din emitor n colectorul acestuia. Consecina este creterea curentului de baz al tranzistorului T2 la valoarea
' iB = iG + iC1 2
(1.23)
Fig.1.26 Schema apare, ca urmare a reaciei pozitive declanate, o cretere rapid a echivalent a tiristorului. curentului prin dispozitiv, procesul numindu-se amorsare a conduciei, punctul de funcionare trecnd pe caracteristica 3, fig.1.25, ntr-un timp de ordinul microsecundelor. Tranzistoarele T1 i T2 fiind n zona activ se pot scrie relaiile:
care produce o nou cretere a lui iC 2 , respectiv iB1 i i B2 . Astfel
iC1 = 1 iE1 + I CO1 iC 2 = 2 iE 2 + I CO2 ,
(1.24)
unde ICO1 i ICO2 sunt curenii de colector ai celor dou tranzistoare, pentru baze nepolarizate i avnd valori nesemnificative, iar 1 , 2 de forma
1+
(1.25)
unde este factorul de amplificare n curent al tranzistorului,
=
Din fig.1.25 se poate scrie c
iC iB
(1.26)
iT = iE1
(1.27) (1.28)
i i K = i E 2 = iT + iG . Prelucrnd relaiile anterioare rezult iT =
2 iG + I CO1 + I CO 2 1 (1 + 2 )
(1.29)
Relaia (1.28) indic modul de realizare al structurii tiristorului astfel nct s se realizeze amorsarea conduciei. Astfel n stare blocat, trebuie ca
1 + 2 << 1
(1.30)
astfel c iT s aib valori reduse. Condiia (1.29) se poate realiza cu uurin pe tranzistoarele T1 i T2 , acestea fiind n stare blocat.Pentru starea de conducie trebuie ca
18
1 + 2 1 ,
(1.31)
astfel nct iT s creasc foarte mult, atingnd valoarea de regim staionar.Creterea coeficientului 1 este generat de transformarea stratului de srcire n- ntr-un strat de tip n pe msur ce tensiunea anod-catod crete. Acest lucru determin ca grosimea bazei tranzistorului T1, format din stratul n- transformat n n, s se reduc substanial, producnd creterea lui 1. Pe de alt parte, tot ca urmare a creterii tensiunii anod-catod, are loc o extensie a stratului n- n stratul porii p, reducnd de asemenea grosimea acestuia, adic a bazei tranzistorului T2, deci o cretere a lui 2. Conectarea celor dou tranzistoare astfel nct s aib loc reacia pozitiv descris mai sus, face ca ntre anod i catod s se nchid un curent suficient de mare care s menin cele dou tranzistoare n saturaie, chiar dup anularea curentului de poart. Desfurarea procesului de amorsare conduce la concluziile:amorsarea conduciei necesit injectarea unui curent IG>0 n jonciunea poart-catod; dup amorsarea conduciei, curentul de poart se poate anula, permind o comand de tip impuls; ntreruperea conduciei prin tiristor se poate realiza numai prin micorarea curentului IT sub valoarea curentului de meninere IH.
1.3.5. CARACTERISTICI DINAMICE.
Caracteristicile dinamice se refer la procesele de intrare i ieire din conducie avnd ca obiect: timpii de comutare, supratensiuni sau supracureni i pierderile de putere. Se consider tiristorul nglobat n schema din fig.1.27, unde u(t) este o tensiune sinusoidal, iar sarcina R+L
Fig.1.27 Cicuit pentru analiza regimului dinamic.
Fig.1.28 Procesul de intrare n conducie.
este caracterizat printr-o bobin de valoare foarte mare nct practic se constituie ntr-un generator de curent constant I0. Variaia principalilor parametri din circuit este prezentat n fig.1.28, considernd c aplicarea curentului de poart IG la t = 0, coincide cu valoarea maxim a tensiunii u(t). n primul interval de timp, td timp de ntrziere, tiristorul rmne n stare blocat ca urmare a faptului c injecia de purttori de sarcin n exces datorat lui IG, rmne la nivelul stratului p2, n vecintatea metalizrii porii, i ncepe s creasc suma 1+2. Cnd 1+2 1 ncepe injecia de electroni din n+ n p2 i de goluri din p+ n n-, n zona central a tiristorului aprnd un exces de purttori care va permite amorsarea curentului iT. Curentul iT crete, cu un gradient determinat de sarcina din anodul tiristorului, n timpul tri. In acelai timp, ca urmare a densitii mari de purttori de sarcin din zona central conductivitatea acestei zone crete mult i tensiunea anod-catod scade repede.La sfritul intervalului tri, purttorii de sarcin din zona central continu s se rspndeasc spre zonele laterale ale seciunii tiristorului, tensiunea anodcatod descrescnd pe intervalul tfv mult mai lent, la sfritul cruia densitatea de purttori de
19
sarcin se uniformizeaz n ntreaga seciune, tensiunea anod-catod atingnd valoarea de regim staionar VON. Timpul de intrare n conducie este dat de tON = td + tri + t fv (1.32)
i are valori de pn la 10 sec pentru tiristoarele lente, de reea, i de 1-2 sec pentru tiristoarele rapide. Pierderile de putere la intrarea n conducie sunt relativ mari pe intervalul tri + tfv , cnd att curentul ct i tensiunea au valori relativ mari. Dac frecvena de comutaie este redus, cazul tiristoarelor lente, energia dezvoltat n tiristor este nesemnificativ n raport cu cea din stare de conducie i se neglijeaz n calculul termic.Pentru tiristoarele rapide, energia cumulat nu mai poate fi neglijat i se ia n consideraie n acelai mod ca la diode. Procesul de ieire din conducie decurge n mod asemntor ca la diode, fiind provocat de inversarea polaritii tensiunii de alimentare. Un proces standard de ieire din conducie este prezentat n fig.1.29. Intervalele t, ts i tf au aceeai semnificaie de la diode. Apare suplimentar intervalul de timp tq necesar tiristorului pentru a cpta capacitatea de blocare la aplicarea unor tensiuni anod-catod pozitive. Dac naintea epuizrii intervalului tq se aplic o tensiune pozitiv cu un gradient relativ mare tiristorul reintr n conducie n sens direct, fr a fi comandat pe poart. Pentru tiristoarele lente, tq = 300 sec,n timp ce pentru cele rapide are valori mult mai mici, n jur de 10sec. Timpul de blocare al conduciei dat de tOFF = t + ts + t f + tq
Fig.1.29 Procesul de ieire din conducie.
(1.33)
este practic determinat de tq, limitnd frecvena de lucru a dispozitivului. Se mai remarc de asemenea supratensiunea invers de comutaie VRM , avnd acelai mecanism de generare ca la diode, dar i gradientul de aplicare al acesteia la nceputul intervalului tf. Pierderile de putere din tiristor n procesul de blocare sunt determinate de intervalul tf , cnd att tensiunea ct i curentul invers sunt relativ nsemnate ca valoare. Pentru tiristoarele utilizate la frecvene joase aceste pierderi sunt nesemnificative n bilanul total. Luarea lor n considerare se face n aceleai situaii ca la diode.
1.3.6 CIRCUITE DE COMAND PE POART.
Circuitele de comand pe poart trebuie s asigure urmtoarele condiii, fig.1.30: un curent de poart IG > 0, avnd o valoare suficient de mare pentru a asigura intrarea ferm n conducie a tiristorului, indiferent de temperatura acestuia; valoarea curentului de poart s nu conduc la nclziri excesive ale jonciunii G-K; s fixeze precis momentul intrrii n conducie, n special pentru tiristoarele conectate n serie sau paralel; s asigure separarea galvanic ntre circuitul de generare a comenzii i circuitul de tensiune mare A-K;
20
Fig.1.30 Comanda pe poart.
Fig.1.31 Caracteristica de poart.
suplimentar, pentru convertoarele de reea, sincronizarea comenzii cu tensiunea anod-catod (semialternana pozitiv). Jonciunea poart-catod este un semiconductor p-n. Caracteristica de comnd, VG = f(IG), va fi asemntoare cu caracteristica tensiune-curent a unei diode de semnal, prezentat n fig.1.31. Datorit dispersiei de fabricaie, pentru aceiai serie de tiristoare, se garanteaz poziionarea caracteristicii VG = f(IG) ntre dou limite 1 i 2. Pentru calcule se ia de obicei n consideraie caracteristica medie 3. Exist dou categorii de limitri. Limitarea inferioar se refer la amorsarea cert, fiind determinat de temperatura la care se afl dispozitivul n momentul generrii comenzii. Astfel, la stnga regimurilor determinate de limitrile a, b i c, amorsarea este incert. Cele trei caracteristici a, b, c, sunt determinate de temperatura dispozitivului, de exemplu n ordine, 125C, 25C i -40C. Limitrile superioare au n vedere nedepirea regimului termic admisibil al jonciunii, n sensul c n stnga caracteristicii A comanda se poate face n c.c., iar n dreapta n regim de impuls cu durate determinate, de exemplu : A 10msec, B 1msec, C 100sec, D - 10sec, .a.m.d. Punctul de funcionare, F, se stabilete n funcie de condiiile de mai sus la intersecia dintre caracteristica medie 3 i dreapta de sarcin, DS, care se traseaz prin cele dou puncte cunoscute: IG = 0 i VG = EG; IGK = EG/RG i VG = 0. n funcie de tipul de aplicaie se utilizeaz frecvent trei tipuri de comenzi : impuls tare, impuls moale i tren de impulsuri (fig.1.32).Impulsul tare, fig.1.32a, este utilizat n special pentru cazul tiristoarelor conectate n serie sau paralel avnd ca scop creterea preciziei de intrare n conducie.
Fig.1.32 Tipuri de impulsuri.
Impulsul de tip moale, fig.1.32b, este utilizat n cazurile obinuite, adic tiristoare independente i solicitri dinamice reduse. Al treilea tip de comand, tren de impulsuri, fig.1.32c, se utilizeaz n special n convertoarele c.c. c.a. unde conducia efectiv poate s nu coincid cu durata de comand . Pentru convertoarele de reea circuitul de comand pe poart trebuie s asigure generarea impulsului ntr-o anumit concordan cu faza tensiunii anod-catod, semialternana pozitiv, cnd tiristorul poate efectiv intra n conducie. O schem tipic pentru o astfel de utilizare este prezentat in fig.1.33, utiliznd circuitul integrat specializat AA145. La intrarea I1 se aplic o tensiune sinusoidal Usin, numit de sincronizare, separat galvanic i de valoare
21
redus (fig.1.34).Pe baza acestei tensiuni se genereaz o tensiune n dinte de fierstru v(t). Aceast tensiune este comparat cu tensiunea de comand UC, continu i variabil n limitele 0 UC v La egalitatea celor dou tensiuni, U C = v (t ) , (1.35) (1.34)
se genereaz, la cele dou ieiri E1 i E2, dou impulsuri pozitive cu durata reglabil i poziionate la . Prin varierea tensiunii Uc n limitele menionate mai sus, faza de apariie a impulsului E1 se deplaseaz n domeniul [0,], adic in intervalul n care tiristorul, avnd tensiunea A-K pozitiv, poate intra n conducie. Impulsurile sunt amplificate prin montajul Darlington format din tranzistoarele T1 i T2 fiind aplicat primarului transformatorului de impuls m. Acest transformator are un dublu rol: separare galvanic i adaptarea curentului la cerinele circuitului G-K. n circuit mai sunt prevzute o serie de elemente cu funciunile: poarta sau, format din diodele n1 i n2, care permite amplificarea i trimiterea pe poart a unui al doilea impus generat cu o alt faz;
Fig.1.33 Schema de comand pe poart pentru convertoare de reea.
rezistena de sarcin Rs folosit att pentru realizarea circuitului de descrcare a energiei transformatorului, mpreun cu n4 i n5, precum i pentru adaptarea curentului de poart pentru cazul cnd acelai transformator de impuls este utilizat pentru mai multe tipodimensiuni de tiristoare; dioda n6 pentru selectarea impulsului pozitiv generat de transformator; rezistena R, de ordinul ohmilor, cu scop de a evita efectele nedorite ale ntreruperii circuitului de poart asupra transformatorului de impuls; capacitate C cu efect de filtrare a perturbailor exterioare culese de conexiunile ntre transformatorul de impuls i circuitul G-K. Un alt mod de a realiza separarea galvanic este Fig.1.34 Diagrama de prezentat n fig.1.35 prin utilizarea optocuploarelor, semnale. formatorul de impulsuri FI putnd fi de tipul prezentat mai sus sau de alt construcie. Prin intermediul optocuplorului T1 semnalul este transmis tranzistorului T2, care mpreun cu fototranzistorul din T1 formeaz un montaj Darlington.Schema are avantajul utilizrii unui numr redus de componente, ns necesit
22
dou surse separate, una pentru formatorul de impulsuri FI i a doua, +Ec , pentru circuitul de
Fig.1.35 Separare galvanic prin optocuplor.
amplificare, n contact galvanic cu circuitul G-K.

1.3.7. ALEGEREA TIRISTOARELOR.
Alegerea tiristoarelor utilizate ntr-un convertor urmeaz aceeai metodologie de la diode. La alegerea n curent se procedeaz identic, n timp ce la alegerea n tensiune, ca urmare a sensibilitii deosebite a tiristorului la supratensiuni VRRM = (2 . . . 2,5)VRW . (1.36) De asemenea trebuiesc avute n vedere gradientele de curent i tensiune maxim admise, pentru ca n cazul nencadrrii n limitele admisibile s se prevad circuite de protecie adecvate. Verificarea corectei alegeri se face prin calculul regimului termic al jonciunii dup metodologia de la diode, fiind valabile toate consideraiile prezentate. Singura diferen const n introducerea n puterea total disipat a puterii disipate n circuitul de comand, calculabil cu relaia
PG = U G I G
ti , T
(1.37)
unde t este durata impulsului, iar T perioada de generare a acestuia.

1.3.8 PARAMETRI DE CATALOG AI TIRISTOARELOR.
Parametrii de catalog ai diodelor se regsesc aproape n totalitate la tiristoare cu o diferena de notaie constnd n nlocuirea literei F cu T, adic, de exemplu , curentul mediu prin tiristor, se noteaz cu ITAV. Apar n plus o serie de parametri specifici, prezentai mai sus, cum ar fi: pentru circuitul de poart VG, IG ; tensiunea de prbuire n sens direct VBD; curenii de amorsare i de meninere, IL i IH; di dv gradienii de curent i tensiune admisibili T , V ; dt dt sarcina stocat QS . Se fabric n mod curent tiristoare pentru tensiuni i cureni de ordinul miilor de voli i amperi.
1.4
CIRCUITE DE PROTECIE PENTRU DIODE I TIRISTOARE.
n regimurile dinamice de intrare i ieire din conducie, diodele i tiristoarele, ca urmare a sarcinilor preponderent inductive, pot fi supuse la supratensiuni ce pericliteaz integritatea acestora. De asemenea pot s apar supracureni sau pierderi de putere nsemnate, care afecteaz regimul termic al jonciunilor.Pentru tiristoare, un stres suplimentar este produs de gradientele de curent i tensiune, care de asemenea pot produce fie comutri necomandate, fie deteriorarea jonciunilor.n scopul utilizrii ct mai aproape de parametri nominali precum i pentru a evita deteriorrile accidentale, diodele i tiristoarele sunt prevzute cu circuite de protecie numite, dup terminologia anglo-saxon snubere. 1.4.1 CIRCUITE DE PROTECIE LA SUPRACURENI.
O prim protecie se refer la curenii de suprasarcin previzibil sau neprevizibil. Protecia se realizeaz clasic cu relee termice sau relee electromagnetice cu temporizare, n funcie de mrimea suprasarcinii i durata ei, astfel nct s nu se depeasc temperatura admisibil a jonciunii. Protecia la cureni de scurtcircuit este strns legat de capacitatea
Fig.1.36 Curentul ITSM.
Fig.1.37 Plasarea siguranei fuzibile ultrarapide.
semiconductorului de a suporta, o durat determinat, curentul de vrf IFSM (ITSM), fig.1.36. Intervalul redus, 10msec, n care dioda sau tiristorul poate suporta curentul ITSM nu poate fi realizat utiliznd soluia cu ntreruptoare sau sigurane fuzibile obinuite, care ntrerup circuitul defect n timpi mult mai mari. Soluia utilizat, aproape n exclusivitate, se bazeaz pe siguranele fuzibile ultrarapide, nseriate cu tiristorul sau dioda protejat, fig.1.37. O siguran fuzibil, prin construcia ei, ntrerupe un circuit ntr-un timp t = t1 + t2 , (1.38)
mai mic dect semiperioada T/2 = 10 msec a tensiunii sinusoidale de alimentare, n cazul unui convertor de reea. Funcionarea fuzibilului presupune dou intervale de timp diferite. Presupunnd c scurtcircuitul are loc la t = 0, fig.4.3, curentul de scurtcircuit IK crete practic liniar producnd nclzirea fuzibilului pn la atingerea punctului de fuzibilitate. Intervalul de timp al acestei etape, notat cu t1, se numete timp de prearc. La sfritul acestui interval fuzibilul se ntrerupe fizic, dar curentul continu s se nchid prin arcul electric dintre extremitile acestuia.
Fig.1.38 Variaia curentului i tensiunii.
24
Arcul electric este nsoit de apariia tensiunii de arc, UARC , care este mai mare dect tensiunea de alimentare u(t). Ca urmare a acestui fapt curentul de scurtcircuit ncepe s scad i se anuleaz dup intervalul t2, numit timp de arc. n cazul utilizrii diodelor i tiristoarelor n convertoare de reea protecia la cureni de scurtcircuit se poate realiza i cu ntreruptoare de curent ultrarapide, care au timpi maximi de lucru n jur de 10 msec. 1.4.2 CIRCUITE DE REDUCERE A GRADIENTULUI DE CURENT.
Gradientul de cretere sau descretere a curentului printr-un semiconductor este, n general, determinat de sarcin.Att pentru diode ct mai ales pentru tiristoare exist o limit a valorii maxime a gradientului din motivele expuse anterior. Se consider circuitul din fig.1.39 alimentat de la o surs de c.c., U. Considernd LS = 0, variaia curentului prin circuit la intrarea n conducie a tiristorului T este furnizat de ecuaia diferenial
L a crei soluie este
di (t ) + Ri (t ) = U , dt
(1.39)
Fig.1.39 Circuit pentru limitarea gradientului de curent.
i (t ) = unde constanta de timp a circuitului
U 1 e t / ) , ( R L R
(1.40)
(1.41)
Gradientul de curent di(t)/dt are valoarea maxim la t = 0, fiind dat de relaia

di (t ) U et / = dt t = 0 R =
t =0
U U = R L
(1.42)
Formele de variaie a curentului i gradientul de curent sunt prezentate n fig.1.40, curbele 1 i 1. Micorarea gradientului de curent se poate atinge numai prin mrirea inductivitii din circuit, respectiv prin introducerea inductiviti suplimentare LS. In acest caz, procednd ca mai sus, rezult un gradient de curent
di '(t ) U U = < , dt L + LS L (1.43)
noile variaii fiind reprezentate prin curbele 2 i 2 ,fig.1.40. Introducerea bobinei suplimentare LS are ns unele inconveniente: avnd i o rezisten proprie aceasta conduce la diminuarea randamentului conversiei, prin pierderile de putere pe care le produce;
25
prezena ei n circuit conduce la micorarea tensiunii disponibile pe sarcina R+L; la variaii ale curentului i(t) produce supratensiuni de forma
uL (t ) = LS
Fig.1.40 Variaia curentului i gradientului.
di (t*) , dt
(1.44)
care solicit suplimentar semiconductorul. Pentru limitarea acestor suprasarcini se prevede circuitul de descrcare a energiei acumulate format din dioda nS i rezistorul RS. n general sarcinile acestor convertoare sunt de tipul R+L i limiteaz gradientul de curent la valori sub cele admisibile. Totui se impune, pentru fiecare aplicaie, verificarea valorii gradientului maxim i prevederea, dac este cazul, a circuitului de protecie.
1.4.3. CIRCUITE DE PROTECIE LA SUPRATENSIUNI INTERNE.
Supratensiunile interne sunt produse n procesul de comutaie din starea de conducie n starea blocat, fiind materializate prin tensiunea VRM, fig.1.42. Pentru tiristoare este important i gradientul de tensiune dv(t)/dt, aplicat n sens direct sau invers, care produce de asemenea efecte
Fig.1.41 Circuit de protecie la supratensiuni interne.
Fig.1.42 Reducerea supratensiunii de comutaie.
nedorite, mai ales n capacitile parazite ale jonciunilor.Ca urmare a variaiei gradientului de curent di(t)/dt la momentul t0, fig.1.42, supratensiunea produs de inductivitatea L are o valoare apreciabil, VRM, i un gradient nsemnat, ambele fiind inadmisibile pentru diod sau tiristor.Reducerea tensiunii VRM ct i a gradientului se realizeaz prin plasarea n paralel cu semiconductorul a unui circuit serie R C , fig.1.41. Anterior momentului t0, ca urmare a faptului c uT (t ) = VON , (1.45)
condensatorul C este practic nencrcat. n momentul t0 , ca urmare a creterii tensiunii uT(t) , ncepe ncrcarea condensatorului C prin circuitul serie R,L,C, ncarcare descris de ecuaia L unde diR (t ) + R iR (t ) + uC (t ) = U , dt (1.46)
26
uC (t ) =
1 iR (t )dt C
(1.47)
Ecuaia (1.45) poate fi analizat din punct de vedere al variaiei curentului iR(t) i a tensiunii uT(t).Pentru primul caz, utiliznd (1.46), ecuaia (1.45) devine prin derivare d 2iR (t ) di (t ) 1 + R R + iR (t ) = 0 L dt dt C cu condiia iniial nenul iR (0) = I RRM . R 1 = 0, p+ L LC R R2 1 . 2 2L 4 L LC (1.49) (1.48)
Variaia curentului iR(t) depinde de polinomul caracteristic al ecuaiei (1.47), care este de forma p2 + cu soluii de forma p1,2 = (1.51) (1.50)
Cea mai convenabil form de variaie este de tipul aperiodic, dac R2 1 0 , 2 4 L LC care conduce la
R2 L , C
(1.52)
(1.53)
oferind o relaie pentru calculul rezistenei circuitului de protecie.Pe de alt parte sarcina stocat n straturile tiristorului sau diodei, Qs , care provoac curentul IRRM i supratensiunea VRM , trebuie, pentru a evita o valoare mare a tensiunii de autoinducie a bobinei, s fie preluat de capacitatea C la un nivel de tensiune admisibil, de exemplu
U M = ( 0, 25...0,5 ) VRRM .
(1.54)
Preluarea sarcinii Qs la nivelul de tensiune UM conduce la determinarea valorii capacitii dup C= QS . UM diR (t ) , dt (1.55)
Variaia tensiunii la bobinele tiristorului va fi dat de ecuaia uT (t ) = U L (1.56)
ceea ce nseamn c polinomul caracteristic al acestei ecuaii este cel dat de relaia (1.49) ,iar forma de variaie a tensiunii de asemenea aperiodic, curba 1 din fig.1.42.Se constat c odat cu reducerea valorii maxime a supratensiunii la nivelul U M < VRM (1.57)
27
se produce i o diminuare considerabil a gradientului de tensiune.La reaplicarea tensiunii de alimentare cu polaritate pozitiv, n vederea unei noi intrri n conducie a tiristorului, tensiunea uT(t) va crete exponenial cu constanta de timp
= RC .
(1.58)
Creterea cu ntrziere a tensiunii poate provoca ratarea intrrii n conducie a tiristorului. Pentru a se evita acest lucru, uneori, se prevede dioda n n paralel cu rezistorul R, care asigur ncrcarea condensatorului C cu polaritatea invers fa de cea din fig.1.42 practic instantaneu. La intrarea n conducie a tiristorului capacitatea C se va descrca prin rezistorul R, dioda n fiind blocat. n acest fel se limiteaz curentul de descrcare al capacitii, care suprapunndu-se peste curentul de sarcin, poate conduce la creterea exagerat a gradientului di(t)/dt, precum i la o suprasolicitare termic.Circuitele de protecie la supratensiuni de comutaie se prevd ntotdeauna pentru tiristoare i numai uneori pentru diode, condiionat de VRRM diodei utilizate i supratensiunile produse n circuit.
1.4.4. CIRCUITE DE PROTECIE LA SUPRATENSIUNI EXTERNE.
Supratensiunile externe sunt provocate de sursa de alimentare a convertorului, care poate fi un transformator, sau direct reeaua.n cmpul magnetic al transformatoarelor sau inductivitilor de reea se inmagazineaz o energie proporional cu tensiunea, respectiv curentul de mers n gol, i0. Orice variaie a tensiunii, produs fie ca urmare a variaiei tensiunii reelei sau a deconectrii de la reea, conduce la apariia unei variaii a energiei , care se transfer la intrarea convertorului, rmas conectat la surs, prin apariia unei supratensiuni.La fel ca n cazul supratensiunilor interne, poate fi depit VRRM semiconductorului cu efectele cunoscute, sau, n cazul tiristoarelor, poate produce intrarea n conducie necontrolat.Metodele de protecie utilizate sunt, la fel ca n cazul anterior, circuite R-C plasate ca n fig.1.43, pentru cazul unui convertor trifazat.Exist dou variante de protecie:
Fig.1.43 Circuite de protecie pentru supratensiuni externe.
28
n c.a., cnd circuitele R-C sunt plasate ntre fazele transformatorului de alimentare m, fig.1.43a; n c.c., cnd circuitul R-C este conectat la secundarul transformatorului printr-un redresor cu diode n punte trifazat U, fig.1.43b. Capacitatea C a circuitelor de protecie se dimensioneaz pentru preluarea a 30 50% din energia transformatorului, care conduce la o reducere convenabil a supratensiunii. n aceste condiii capacitatea se determin, pentru protecia din fig.1.43a, cu relaia
C= i0 ST
2 VRRM
6 US
107 [ F ]
(1.59)
unde: ST puterea aparent a transformatorului n kVA, io curentul de mers n gol procentual ,calculabil din curentul nominal IN i cel de mers n gol I0 , dup
i0 [ 0 0 ] =
I0 100 ; IN
(1.60)
- pulsaia tensiunii de alimentare; VRRM tensiunea invers a semiconductorului utilizat, 6 U S - tensiunea maxim ntre fazele secundarului. Capacitatea C preia supratensiunea tot printr-un circuit serie R, L, C, ca n cazul supratensiunilor de comutaie, L fiind inductivitatea din circuit, generat de suma celor dou inductiviti de dispersie din transformator, adic L = 2L . (1.61) Ca urmare, pentru realizarea unei variaii aperiodice trebuiete ndeplinit condiia de forma (1.51) ,care permite determinarea rezistenei R.Pentru cazul circuitului de protecie din fig.1.43b, lund n considerare i efectul punii redresoare, capacitatea se calculeaz cu C= 1,5 3 ST i0 V 2 RRM
6 US
107 [ F ] ,
(1.62)
iar rezistena ca n cazul anterior . Schemele mai moderne prevd nlocuirea circuitelor RC cu varistoare sau diode cu avalan controlat.La fel ca n cazul supratensiunilor de comutaie, circuitele de protecie la supratensiuni externe se prevd ntotdeauna la convertoarele cu tiristoare i doar uneori la cele cu diode.
1.5
TIRISTORUL GTO.
Tiristorul obinuit, ca urmare a proprietilor sale de a suporta tensiuni i cureni mari, este comutatorul static aproape ideal pentru convertoarele de mare putere, inconvenientul esenial constnd n imposibilitatea de a comanda pe poart blocarea conduciei. 1.5.1 STRUCTUR.
Structur tipic pentru un tiristor GTO este prezentat n fig.1.44, iar simbolizarea n fig.1.45. Diferenele principalele constructive ntre tiristorul GTO i tiristorul obinuit constau n: structura catod-poart, straturile n2+ i p, este realizat nalt ntreesut n scopul asigurrii unui
Fig.1.44 Structura unui tiristor GTO .
Fig.1.45 Simbolizarea unui GTO.
ct mai bun acces, prin intermediul porii, n seciunea transversal a catodului; catodul este realizat sub forma unor degete, cu contact direct la metalizarea catodului, degete care sunt conectate direct la radiator; n structura p+ a anodului sunt intercalate poriunile de dimensiune redus n1+, care fac contact direct ntre metalizarea anodului i stratul n-. Impurificarea straturilor este cea tipic. POLARIZARE.
1.5.2.
Considernd poarta izolat, n cazul polarizrii directe se aplic polaritatea pozitiv pe anod i cea negativ pe catod. Din cele trei jonciuni ale tiristorului GTO, fig.1.44, este polarizat invers nu mai jonciunea J2. Ca urmare a doprii reduse a stratului n-, bariera de potenial este determinat de grosimea acestui strat, capacitatea de a susine tensiuni n sens direct fiind asemntoare cu a unui tiristor obinuit. n cazul aplicrii polaritii minus pe anod sunt polarizate invers jonciunile J1 i J3. Ca urmare a structurii stratului anodului cu incluziunile n1+ , jonciunea J1 nu realizeaz nici o barier de potenial, n timp ce jonciunea J3 poate suporta cel mult 20 30V. Ca urmare tiristorul GTO nu poate funciona dect cu polarizare direct, deci alimentat numai n c.c. 1.5.3. CARACTERISTICA STATIC.
Caracteristica static, curent-tensiune, pentru polarizare direct este identic cu cea a tiristorului obinuit, fig.1.25. n ceea ce privete ramura din cadranul 3, pentru polarizare invers,
30
acesta nu exist ca urmare a celor prezentate mai sus. Intrarea n conducie se desfoar prin autoamorsarea conduciei ntr-un mod asemntor cu tiristorul obinuit. 1.5.4. IEIREA DIN CONDUCIE
Avnd o structur asemntoare cu tiristorul obinuit, tiristorul GTO se poate echivala cu schema format din dou tranzistoare npn i pnp, fig.1.46.Se consider tiristorul GTO n conducie, dup schema echivalent din fig.1.46. Pentru ieirea din conducie se polarizeaz
Fig.1.46 Ieirea din conducie a tiristorului GTO.
invers jonciunea G-K prin sursa EG, respectiv prin extragerea din stratul de poart al curentului iG < 0.Curentul din baza tranzistorului T2 va avea valoarea
iB2 = iC1 iG
Pentru ca tranzistorul T2 s nceap a se bloca trebuie ca
(1.63)
iB 2 <
iC 2
(1.64)
unde 2 este factorul de amplificare n curent a acestui tranzistor. Dar pe de alt parte
iB2 = iC1 = 1 iA
(1.65)
ntruct iA este curentul de emitor al tranzistorului T1 .Curentul de colector al tranzistorului T2, din aceleai considerente, are valoarea
Fig.1.47 Tiristor GTO cu o sarcin R+L.
Fig.1.48 Intrarea n conducie.
iC 2 = iB1 = (1 1 )i A . tiind c
31
(1.66)
2 =
2 1 2
1 1
(1.67)
i introducnd relaiile de mai sus n condiia (1.63) se obine
1 iA iG <
2 1 2
(1.68)
de unde prin manipulri simple se determin condiia pe care trebuie s o ndeplineasc curentul de poart negativ, iG, pentru a se produce ieirea din conducie, sub forma
iG >
2 1 + 2 1
iA
OFF
iA
(1.69)
unde prin OFF s-a notat factorul de amplificare n curent poart-anod. Din (1.68), pentru a obine un curent de poart ct mai mic necesar ntreruperii conduciei, rezult dou condiii: 1 ct mai mic; 2 ct mai mare. Aceste dou condiii se realizeaz prin structura constructiv a tiristorului GTO. Astfel pentru a se realiza un 1 ct de mic, se micoreaz durata de via a purttorilor de sarcin din baza lui T1, lucru realizat prin incluziunile n1+ , care ofer o cale de recombinare a purttorilor direct n anodul tiristorului. Pe de alt parte posibilitatea de recombinare a purttorilor direct n anod, face ca acest proces s fie foarte activ, conducnd la reducerea substanial a timpului de blocare a conduciei. Realizarea unui 2 ct mai mare se realizeaz printr-o baz, stratul p, ct mai ngust a tranzistorului T2 i o dopare nalt a emitorului acestuia, stratul n2+.
1.5.5 CARACTERISTICI DINAMICE.
Se consider tiristorul GTO nglobat n schema din fig.1.47, adic avnd o sarcin cu puternic caracter inductiv, care poate fi asimilat cu un generator de curent. Dioda n are rol de descrcare a energiei bobinei. Procesul de intrare n conducie, iniiat prin iG > 0, decurge asemntor cu procesul similar de la tiristorul obinuit, fig.1.48. Dup trecerea timpului de ntrziere td, curentul iA(t) ncepe s creasc cu un gradient de curent determinat de sarcina R+L. Simultan ncepe s se micoreze i tensiunea anod-catod, atingnd valoarea de regim staionar, VON , de aceeai mrime ca la tiristorul obinuit. Timpul de intrare n conducie are valoarea tON = td + tri (1.70)
Fig.1.49 Ieirea din conducie
avnd valori de ordinul sec. Pierderile de putere n tiristor pe durata procesului de intrare n conducie sunt relativ mari, mai ales pe intervalul tri, dar, ca
32
urmare a duratei reduse a acestuia, nclzirea jonciunilor este neimportant, chiar la frecvene mari. n sfrit, ultima problem este generat de conducerea curentului de poart, fig.1.48. n primul rnd curentul de poart iG este sensibil mai mare dect la tiristorul obinuit, ca urmare a amplificrii mai mici a tranzistorului pnp, T1. n al doilea rnd, pentru a se evita ieirea din conducie necontrolat ca urmare a variaiei curentului de sarcin iA i a scderii lui sub curentul de meninere IH, care de asemenea este mai mare ca la tiristorul obinuit, pe toat durata intervalului preconizat de conducie se pstreaz un curent de poarta de palier I GF < I GM (1.71)
Ieirea din conducie este activat prin inversarea curentului de poart iG, la o valoare mai mare dect cea dat de relaia (1.68). Un proces tipic de ieire din conducie este prezentat n fig.1.49. n primul interval de timp, timpul de stocare ts, ca urmare a densitii mari a purttorilor de sarcin, starea tiristorului GTO nu se modific, iA i uT(t) pstrnd valorile anterioare. Prin intermediul curentului de poart iG < 0 se extrage o sarcin stocat important din tiristor, astfel nct la nceputul lui tfi, curentul iA(t) ncepe s scad cu un gradient impus de sarcin, iar uT(t) s creasc. La sfritul lui tfi apare un vrf de tensiune, curba 1, generat de modificarea gradientului de curent diA(t)/dt. De asemenea curentul de poart iG ncepe s scad ca urmare a micorrii semnificative a densitii de purttori din straturi. Cei doi cureni iA(t) i iG(t) continu s scad lent pn la anulare, pe msura recombinrii purttorilor de sarcin, genernd asa numitul efect de coad, cu durata tC.. Dup tri, ca urmare a diminurii considerabile a purttorilor de sarcin, tensiunea uT(t) creste repede, gradientul de cretere fiind mare. Durata timpului de ieire din conducie este t OFF = t S + t fi + t rv + t C (1.72)
i are valori de ordinul sec , sensibil mai mic ca la tiristorul obinuit, ceea ce face ca tiristorul GTO s poat fi utilizat la frecvene de ordinul kHz. Problema principal la ieirea din conducie este generat de gradientul de tensiune duT(t)/dt aplicat n sens direct, curba 1 din fig.1.49. Gradientul de tensiune fiind mare poate produce, la fel ca la tiristorul obinuit, reamorsarea necontrolat a conduciei, favorizat de polarizare direct. Evitarea acestui fenomen se realizeaz prin circuitul de protecie RS, CS, nS, din fig.1.50. n stare de conducie a tiristorului, condensatorul CS este ncrcat la tensiunea VON. La nceputul lui tfi, cnd uT(t) ncepe s creasc, se deschide dioda nS i condensatorul ncepe s se ncarce, Fig.1.50 Circuit de protecie la ieirea din conducie variaia tensiunii la bornele condensatorului fiind de forma
u C (t ) = 1 CS
i
0
( t ) dt .
(1.73)
Considernd c sarcina R+L reprezint practic un generator de curent constant, I 0 = iA + iC = cst., (1.74)
33
variaia celor trei cureni fiind prezentat n fig.1.51.Aadar, considernd o scdere liniar a curentului prin tiristor, curentul de ncrcare al condensatorului se poate scrie sub forma iC (t ) = I0 t, t fi (1.75)
iar tensiunea la bornele acestuia prin

1 u C (t ) = CS I0 I0 t2 t dt = t C t fi 2 0 fi
t
(1.76)
Fig.1.51 Variaia Aceast form de variaie ntrzie mult creterea tensiunii uT(t), curba 2 curenilor din fig.1.49, reducnd considerabil gradientul de tensiune duT(t)/dt. Reducndu-se valoarea tensiunii uT(t) pe intervalul tfi, se reduc i pierderile de putere n tiristor, regimul termic mbuntindu-se considerabil. La sfritul lui tfi, ca urmare a anulrii curentului iA(t), pentru scurt timp se deschide dioda de regim liber n, aprnd n sarcin curentul in(t), fig.1.51, i de asemenea curentul de ncrcare a capacitii ncepe s se micoreze pn la atingerea valorii
u C (t ) = V d
(1.77)
Circuitul de protecie astfel realizat se prevede obligatoriu pentru toate convertoarele cu tiristoare GTO. La o nou intrare n conducie, condensatorul CS se va descrca prin tiristor, valoarea maxim a curentului de descrcare fiind limitat prin rezistorul RS, dioda nS fiind blocat.
1.5.6 CIRCUITE DE COMAND PE POART.
Comanda pe poart a tiristorului GTO trebuie s ndeplineasc, suplimentar fa de tiristorul obinuit, nc dou condiii: realizarea curentului de poart de palier, IGF , fig.1.48; realizarea curentului de poart negativ, iG <0. n fig.1.52 este prezentat o schem de principiu ,care st la baza realizrii majoritii schemelor de comand pe poart, evitnd prezena unei a doua surse pentru realizarea curentului iG< 0. Separarea galvanic se face prin optocuplorul T3, ntre tensiunea de comand UC produs de generatorul G i amplificatorul de tip Darlington realizat cu fototranzistorul T3 i tranzistorul T2.Pentru tensiune de comand UC = 0, tranzistorul T1 se gsete n conducie, fiind polarizat pozitiv n baz prin divizorul format din R1 i tranzistorul T2 , aflat n stare de blocare. Curentul de poart iG > 0 se nchide de la sursa +EC prin T1, condensatorul C i jonciunea poart-catod. Condensatorul C se ncarc cu polaritatea din desen la o tensiune stabilit de dioda Zenner n, mai mic dect EC. Dup ncrcarea condensatorului, curentul iG se micoreaz la valoarea de palier IGF nchizndu-se prin n, n regim de stabilizare. Pentru blocarea conduciei, tensiunea de comand, UC, care Fig.1.52 Circuit de comand pe poart. este un semnal de tip logic, trece n starea 1,
34
producnd intrarea n conducie a tranzistorului T2. Se creeaz o cale de descrcare a condensatorului C prin T2 i jonciunea poart-catod, furniznd curentul negativ de poart , iG< 0.
1.5.7 ALTE CONSIDERAII.
Tiristorul GTO se dimensioneaz asemntor cu tiristorul obinuit mai puin tensiunea invers VRRM, care nu exist. Calculul temperaturii jonciunii, j, urmeaz aceeai metodologie i evident trebuie s se ncadreze n limitele admisibile. O problem deosebit este protecia la supracurenii provocai de scurtcircuite. Avnd n vedere capacitatea de blocare prin comand pe poart, o prim rezolvare a problemei const n msurarea curentului i comanda inhibrii conduciei, cnd acesta depete o valoare prescris. Aceast soluie este posibil pn la anumite valori de vrf ale curentului de lucru, numit curent controlabil, pn la care curentul negativ de poart poate anula curentul anod-catod. Peste aceast valoare curentul negativ de poart nu mai poate dezamorsa conducia i protecia nu mai este eficient. In aceste cazuri se apeleaz, la fel ca la tiristorul obinuit, la sigurane fuzibile ultrarapide, cu funcionarea n c.c. Totui ntreruperea siguranei ultrarapide, ntr-un timp relativ mare, 5 8 msec, poate produce deteriorarea tiristorului GTO, vrful de curent necontrolabil fiind n general suportat un timp Fig.1.53 Protecia la supracurent cu tiristor auxiliar. relativ mai mic. Pentru a se evita acest lucru n paralel cu circuitul de sarcin, format din R+L i tiristorul GTO-T, se plaseaz un tiristor obinuit TA, cu capacitate mare n curent, fig.1.53. La apariia curentului de defect se comand intrarea n conducie a tiristorului auxiliar TA, care preia n mare parte curentul tiristorului GTO, fcnd posibil arderea siguranei ultrarapide f, cu evitarea deteriorrii tiristorului GTO.
1.6
TRANZISTORUL BIPOLAR DE PUTERE.
Tranzistorul bipolar de putere deriv din tranzistorul obinuit de semnal, prin mrirea capacitii n curent i tensiune. El este abreviat prin iniialele BJT, provenind de la denumirea anglo-saxon bipolar jonction transistor. Se realizeaz tranzistoare de tipul npn i rar tranzistoare pnp. 1.6.1 STRUCTUR. POLARIZARE.
Structura vertical a unui tranzistor bipolar de putere npn este prezentat n fig.1.54, iar n fig.1.55 simbolizarea tranzistoarelor npn, respectiv pnp. Un tranzistor bipolar de tip npn este format din: n1+ - stratul colectorului, cu dopare la nivelul 1019/cm3; n- - stratul srac, cu dopare la nivelul 1014/cm3; p - stratul bazei, cu dopare de 1016/cm3; n2+ - stratul emitorului, dopat la nivelul 1019/cm3. Tranzistorul de tip pnp are aceleai patru straturi, tipurile de semiconductoare fiind inversat. La fel ca la celelalte semiconductoare polarizarea se analizeaz n cazul bazei izolate. n cazul polarizrii directe, plus pe colector minus pe emitor, este polarizat invers jonciunea J1, care fiind o structur de tipul n- p, va determina o barier de potenial proporional cu grosimea stratului n- .Astfel tensiunea direct suportat de un tranzistor poate atinge valori de pn la 2500V, ntreaga tensiune fiind reinut n structura colector-baz. n cazul polarizrii inverse, jonciunea J2 preia ntreaga tensiune i, ca urmare o structurii de tip n2+ p, tensiunea maxim invers este redus, nivelele tipice fiind ntre 5 20V. Aadar tranzistorul bipolar poate suporta numai tensiuni directe, putnd fi utilizat numai cu alimentare n c.c. 1.6.2 CARACTERISTICA STATIC.
Caracteristica static este dependena curentului de colector iC de tensiunea colectoremitor VCE pentru diveri cureni de baz,fig.1.56 i 1.57. n convertoarele statice tranzistoarele bipolare sunt utilizate n montajul cu emitor comun, fig.1.56, i n regim de comutaie. Funcionarea tranzistorului bipolar de putere este identic cu cea a tranzistorului de semnal mic, cu unele diferene produse de prezena stratului n -. O prim influen const n micorarea substanial a factorului de amplificare n curent,
iC iB
(1.78)
care are valori maxime cuprinse ntre 5 10. n planul caracteristicilor statice se disting mai multe zone: Dreapta 1, pentru tensiunea Vcesus, ca reprezentnd tensiunea maxim admis n sens direct de tranzistor pentru comanda iB > 0 , sau iB = 0 cu circuitul de baz deschis. In aceast zon, datorit tensiunii colector-emitor mari, apare fenomenul numit prima strpungere sau prbuire, fenomen care, ca urmare a accelerrii purttorilor, produce creterea densitii purttorilor minoritari i a curentului prin tranzistor. Dac se iau msuri de eliminare a cauzei
36
ELECTRONICA DEPUTERE SI ACTIONARI REGLABILE
fenomenul este reversibil i tranzistorul nu se deterioreaz. n caz contrar, datorit puterii mari disipate n jonciunea colector-baz, tranzistorul se distruge. n cazul curentului de baz nul,
Fig.1.54 Structur.
Fig.1.55 Simbolizare.
cu circuit nchis la emitor prin rezistena nul, tensiunea colector-emitor admis crete la valoarea VCEO>VCESUS. Dac baza este polarizat negativ, iB < 0, tensiunea direct admis crete la VCEX > VCEO, proprietate folosit n procesul de ieire din conducie al tranzistorului. Regiunea activ este caracterizat printr-o independen a curentului iC fa de tensiunea vCE, curenii de colector obinui fiind cu att mai mari cu ct curentul de baz este mai mare, iB1 < iB2 < iB3 < iB4 < iB5. Aceast zon este folosit n general n regim de amplificare, iar n electronica de putere doar
Fig.1.56 Schema cu emitor comun.
Fig.1.57 Cracteristica static.
n perioadele de intrare, respectiv ieire din conducie. n aceast zon, la cureni mari, dac tensiunea vCE capt de asemenea valori mari, apare fenomenul celei de a doua strpungeri, curba 2, fenomen care conduce la deteriorarea ireversibil a tranzistorului. Fenomenul apare ca urmare a faptului c, dei creterea tensiunii vCE nu produce o cretere semnificativ a curentului iC, se produce o cretere a pierderilor de putere n tranzistor i deci o supranclzire. Aceast nclzire nu este ns uniform repartizat n seciunea transversal a tranzistorului i produce deteriorarea ireversibil a semiconductorului. Zona de cvasisaturaie situat ntre dreptele 3 i 4. Ea este proprie tranzistoarelor de putere i se datoreaz prezenei stratului suplimentar n-. Astfel n aceast zon, straturile tranzistorului,
-
37
inclusiv stratul n , sunt invadate de purttori de sarcin, conductivitatea electric a acestora fiind practic constant. Zona de saturaie adnc, dreapta 4 Ca urmare a densitii mari a purttorilor, conductivitatea straturilor crete, ceea ce provoac o scdere n continuare a tensiunii vCE, care evident atrage micorarea curentului de colector. Saturaia adnc este avantajoas ntruct pierderea de putere n tranzistor
pT = vCE
iC
(1.79)
este sensibil mai mic ca n zona de cvasisaturaie. Ca urmare ns a densitii mari a sarcinii spaiale, recombinarea acesteia n vederea ntreruperii conduciei va dura mult, limitnd frecvena de lucru a tranzistorului. Din motivele enunate mai sus punctul de funcionare se alege n zona de cvasisaturaie. Cderea de tensiune colector-emitor n conducie, specific cvasisaturaiei, este sensibil mai mare lund valori ntre 0,91,6V. n sfrit prezint interes variaia caracteristicii statice cu temperatura jonciunilor. Astfel n fig.1.58 sunt prezentate caracteristici iC = f(vCE) pentru temperatura j = 25, linie continu, i cu linie ntrerupt pentru j = 125C, indicnd posibilitatea unui fenomen de ambalare termic a conduciei prin tranzistor. O alt caracteristic important este cea de transfer, reprezentnd dependena ic = f(vBE) ,
Fig.1.58 Dependena cu temperatura a caracteristicii ic = f(vCE).
Fig.1.59 Caracteristica de transfer.
fig.1.59, de asemenea pentru dou temperaturi. Se poate constata c n zona 1, la aceeai tensiune vBE, care de altfel este practic constant n funcionarea tranzistorului, curentul de colector crete cu temperatura, fiind n fapt o zon instabil d.p.d.v. termic. n schimb n zona 2 fenomenul este invers, aprnd o reacie negativ cu creterea temperaturii, ceea ce produce o funcionare stabil d.p.d.v. termic. 1.6.3 CARACTERISTICI DINAMICE.
Caracteristicile dinamice se refer la procesele de intrare i ieire din conducie. Se consider tranzistorul nglobat n circuitul din fig.1.56. Un proces tipic de intrare n conducie este prezentat n fig.1.60.Intrarea n conducie este cauzat de aplicarea unui curent de baz iB > 0, care se aplic cu un anumit gradient, datorat configuraiei circuitelor de comand. Tensiunea baz-emitor pornete de la VBEOFF < 0, caracteristic barierei de potenial din jonciunea baz-emitor. Aceast tensiune se modific treptat la valoarea VBEON > 0 ntr-un timp finit, necesar pentru anihilarea sarcinilor difuzate n bariera de potenial, timp notat prin td i numit timp de ntrziere.
38
Dup polarizarea n sens direct a jonciunii baz-emitor prin VBEON > 0, ncepe transferul de electroni din emitor n colector i curentul de colector iC ncepe s creasc cu un gradient diC/dt determinat de proprietile sarcinii. Timpul de cretere al curentului este notat cu tri. La sfritul acestui interval se produc dou fenomene: ca urmare a modificrii gradientului de curent, pentru timp scurt se deschide dioda de regim liber n, provocnd o cdere rapid a tensiunii vCE, care continu s scad ca urmare a faptului c tranzistorul se afl n regiunea activ, interval de timp notat prin tfv1; la sfritul descrcrii energiei bobinei, urmeaz blocarea diodei prin curentul invers IRRM, care este preluat de tranzistor. Pe intervalul urmtor, tfv2, tensiunea colector emitor scade Fig.1.61 Circuit de protecie la mai lent, ca urmare a faptului c tranzistorul a intrat n zona intrarea n conducie. de cvasisaturaie, unde factorul de amplificare se micoreaz. Timpul de intrare n conducie
tON = td + tri + tfv1 + tfv2 ,
(1.80)
fiind de ordinul secundelor, permind tranzistorului funcionarea la frecvene de pn la zeci de kHz. Singurul supracurent care apare este IRRM , care nu modific esenial ncrcarea tranzistorului, astfel nct se neglijeaz. Problema principal a intrrii n conducie este generat de pierderile de putere pe intervalele tri i tfv1 cnd, att iC, ct i VCE au valori apreciabile, putnd conduce la depirea regimului termic admisibil al tranzistorului. Depirea acestui inconvenient se poate realiza n dou moduri. O prim cale const n calculul pierderilor de putere din intervalul tri + tfv1 i introducerea lor n bilanul termic.A doua cale const n prevederea unui circuit de protecie la intrarea n conducie, fig.1.61., format din inductivitatea LS i circuitul de descrcare nS , RS. Energia disipat n tranzistor pe intervalul tri este dat de relaia
WON = VCE iC dt .
0 tri
(1.81)
39
Pe circuitul din fig.1.61 se poate scrie

' = V d (L + L S ) VCE
di c . dt
(1.82)
Deci micorarea tensiunii VCE la valoarea VCE ca urmare a introducerii bobinei suplimentare LS va reduce corespunztor pierderile de putere n tranzistor. Soluia este eficient d.p.d.v. a scopului propus ns are unele dezavantaje: conduce la creterea pierderilor de putere i a cderii de tensiune din circuit, nrutind randamentul conversiei; nrutete dinamica curentului iC(t), bobina LS micornd gradientul diC/dt. Circuitul se utilizeaz cu precdere pentru tranzistoarele de curent mare i cu frecven de comutaie ridicat. Ieirea din conducie se poate comanda prin anularea curentului de baz. Pentru a se obine performane mai bune, aproape ntotdeauna se utilizeaz curent de baz iB < 0. n fig.1.62 este prezentat un proces tipic de ieire din conducie pentru un circuit de forma celui prezentat n fig.1.56.Curentul de baz iB trece de la valoarea pozitiv IBON spre valoarea negativ IBOFF cu un gradient generat de configuraia circuitului de Fig.1.62 Ieirea din conducie. comand. Prima mrime care reacioneaz este tensiunea baz-emitor, vBE, care ncepe s scad pe msur ce sarcina stocat n baz ncepe s se recombine. n acest interval, numit timp de stocare td, stare de conducie a tranzistorului nu se modific, astfel nct iC i vCE rmn la valorile din starea anterioar. Pe intervalul trv1 , ca urmare a reducerii sarcinii stocate din baz, tranzistorul iese din saturaie i tensiunea vCE ncepe s creasc. Pe intervalul trv2 tranzistorul intr n regiunea activ, tensiunea vCE crescnd mai repede. La sfritul lui trv2 , vCE atingnd valoarea tensiunii de alimentare Vd, produce scderea rapid a curentului de colector, cu un gradient fixat de sarcina R+L. Timpul de ieire din conducie este dat de relaia
tOFF = td + trv1 + trv 2 + t fi
(1.83)
avnd acelai ordin de mrime ca tON. Problemele deosebite care apar sunt determinate de pierderile mari de putere pe intervalele trv2 i tfi, care au aceleai efecte ca la intrarea n conducie, problema tratndu-se utiliznd tot cele dou ci. Circuitul de protecie, numit pentru ieirea din conducie, este prezentat n fig.1.63. Funcionarea lui este asemntoare cu a circuitului analog de la tiristorul GTO, di fig.1.49 i 1.50. Supratensiunea L C , produs la nceputul dt Fig.1.63 Circuit de protecie la ieirea intervalului t apare ca urmare a sarcinii inductive i a fi din conducie. modificrii brutale a gradientului curentului de colector. Supratensiunea este deosebit de periculoas ntruct se suprapune peste vCE = Vd , la un curent de
40
colector iC apropiat de I0, cea de a doua strpungere fiind foarte probabil. Evitarea defectului se realizeaz prin circuitul de protecie la supratensiuni din fig.1.64.Indiferent de starea tranzistorului, condensatorul Cov se ncarc prin Rov la tensiunea
VCOV = Vd
(1.84)
Cnd tranzistorul este n conducie dioda nov este blocat ntruct

Fig.1.64 Circuit de protecie la supratensiuni.
VCOV > v CE
(1.85)
Fig.1.65 Reducerea supratensiunii.
La sfritul intervalului trv2, cnd tensiunea vCE are tendina de a depi tensiunea de alimentare Vd , ca urmare a supratensiunii di L c , dioda nov se deschide i condensatorul se ncarc peste dt valoarea Vd. ncrcarea condensatorului Cov se face prin circuitul sarcinii R+L i dioda nov, adic printr-un circuit serie R, L, C, care se poate dimensiona astfel nct forma tensiunii de ncrcare s fie de tip periodic amortizat sau aperiodic, dup modelul de la tiristoare i diode, micornd att mrimea supratensiunii ct i gradientul acesteia. Modificarea supratensiunii cu un circuit corect proiectat este prezentat n fig.1.65. Circuitul de protecie se utilizeaz frecvent n cazul sarcinilor de tip inductiv.
1.6.4.
COMANDA PE BAZ. ANTISATURAIA.
Comanda n circuitul de baz trebuie s ndeplineasc condiiile: s asigure cureni de baz pozitivi i negativi, pentru realizarea regimurilor dinamice; separarea galvanic ntre circuitul de comand i cel de tensiune mare, colector-emitor; evitarea saturrii adnci.
Datorit factorului de amplificare n curent,, mic, curentul de baz
iB =
iC
(1.86)
Fig.1.66 Circuit tipic pentru comanda bazei.
capt valori apreciabile la tranzistoarele de curent mare, ceea ce face ca sistemul de comand s conin un amplificator de curent mare. Un circuit principial de comand al bazei este prezentat n fig.1.66a. Separarea galvanic se face de obicei prin optocuplor la nivelul blocului de comand. Tensiunea de ieire UC are forma din graficul 1.66b. Pentru tensiune de comand UC > 0 tranzistorul T1 intr n conducie asigurnd curentul de baz pozitiv, n timp ce pentru UC < 0 se deschide T2,
41
permind extragerea sarcinii stocate n baz prin iB < 0. n fig.1.66a grupul Rb, LB se prevede pentru ca scderea curentului iB s fie sincron cu variaia lui iC n scopul evitrii aa numitului fenomen de coad. n prezent sunt realizate circuite integrate specializate pentru comanda pe baz n care sunt incluse i alte funciuni. Efectele negative ale funcionrii n saturaie au fost prezentate anterior. Mecanismul intrrii n saturaie adnc este determinat fie de variaia curentului de baz, fie a curentului de colector. Astfel n fig.1.67 se consider punctul de funcionare A n zona de cvasisaturaie, la un curent de baz iB1. Considerndu-se curentul de colector constant, la valoarea iCA, modificarea curentului de baz la valoarea iB2 > iB1 conduce la transferarea punctului de funcionare din A n B i la intrarea n saturaie adnc. Aceast situaie este ns puin probabil ca urmare a modului de realizare a schemei de comand. Situaia prezentat n fig.1.68 este ns foarte probabil ntruct curentul de sarcin se poate modifica n limite largi. Se consider de asemenea o funcionare n cvasisaturaie, n punctul A. Dac curentul de colector se modific la valoarea
iCB < iCA ,
(1.87)
iar curentul de baz iB1 se pstreaz constant, punctul de funcionare se deplaseaz n B, n saturaie adnc. Soluia evitrii saturaiei, n acest caz, const n micorarea curentului de baz la valoarea iB2 < iB1 , respectiv aducerea punctului de funcionare n B. Saturaia adnc este caracterizat i prin scderea accentuat a tensiunii vCE, aceasta putnd scdea sub nivelul tensiunii baz-emitor vBE, producnd polarizarea direct a jonciunii baz-colector cu o serie de efecte nedorite. Evitarea intrrii n saturaie adnc se bazeaz pe controlul tensiunii vCE astfel nct n permanen
v CE v BE .
(1.88)
Circuitul antisaturaie, fig.1.69, este realizat cu dioda antisaturaie DAS i diodele D1 i D2 din baza tranzistorului. Considernd circuitul baz-emitor alimentat la tensiunea VB se pot scrie relaiile
V B = V D1 + V BE
(1.89)
Fig.1.67 Saturaie provocat de curentul de baz.
Fig.1.68 Saturaie provocat de curentul de colector.
VB = VD AS + VCE .
Din relaiile (1.87) i (1.88) rezult
(1.90)
VD1 + VBE = VD AS + VCE .

ntruct diodele DAS i D1 sunt de acelai tip
(1.91)
VCE = VBE
(1.92)
42
adic realizarea condiiei de pstrare a tranzistorului n cvasisaturaie. Din punct de vedere al funcionrii acestui circuit, la orice tendin de scdere a tensiunii VCE sub nivelul tensiunii VBE, dioda DAS se deschide, iar curentul de baz iB se divide n dou componente, iB prin circuitul de colector i iB prin circuitul baz-emitor. n acest fel se produce micorarea curentului efectiv de baz la valoarea
Fig.1.69 Circuit antisaturaie.
" iB < iB ,
(1.93)
readucnd punctul de funcionare n cvasisaturaie. 1.6.5 FUNCIONAREA TRANZISTORULUI.
Parametrii nominali ai tranzistoarelor bipolare, n cea mai mare parte, au fost prezentai prin caracteristicile statice i dinamice. Suplimentar, la fel ca la celelalte dispozitive semiconductoare prezentate anterior, mai sunt specificate: rezistenele termice Rthjc, RthCR i eventual RthRA; curentul nominal IC, reprezentnd curentul continuu suportat de tranzistor un timp ndelungat, fr depirea regimului termic admisibil; curentul maxim ICM, reprezentnd curentul maxim admis de tranzistor n regim de impuls; arii de funcionare sigur. Problemele principale privind funcionarea n conducie constau n: stabilirea punctului de funcionare; calculul regimului termic; protecia la cureni de scurtcircuit. Alegerea punctului de funcionare const n determinarea perechii VCEON, IC i, n funcie de aceasta, perechea VBE, iB corespunztoare, fig.1.70.Alegerea se face n planul caracteristicilor statice n funcie de dreapta de sarcin 1, care se traseaz prin perechile de puncte la mersul n gol, iC = 0 i V0 = Vd, respectiv n scurtcircuit, VCE = 0 i IC = Vd /R. Intersecia cu una din caracteristicile statice, a crui punct de funcionare F, corespunde necesitilor de curent de colector iCF solicitate de sarcin i regimului de funcionare n cvasisaturaie, furnizeaz curentul de baz necesar iBF . Din caracteristica iB = f(vBE) se determina tensiunea baz-emitor necesar
Fig.1.70 Alegerea punctului de funcionare.
Fig.1.71 Aria de operare sigur.
dimensionrii circuitului de comand. Mai trebuiesc ndeplinite dou condiii. Prima se refer la efectuarea alegerii de mai sus n condiii de temperatur a jonciunii prestabilite, de obicei la niveluri apropiate de temperatura maxim a jM.A doua condiie se refer la ncadrarea punctului
43
de funcionare n interiorul ariei de operare sigur, SOA (safety operating area).Aria de operare sigur, SOA, fig.1.71, delimiteaz o suprafa n interiorul creia este garantat funcionarea tranzistorului fr deteriorri de orice natur. Aria de operare sigur pentru funcionare n c.c. are limitele: curba 1, pentru tensiuni vCE mici, limitare la curentul maxim IC; curba 2, pentru tensiuni vCE mai mari, limitare la putere disipat n tranzistor
pT = iC vCE ;
(1.94)
curba 3, limitare mai accentuat, pentru evitarea celei de a doua strpungeri; curba 4, limitare la tensiuni vCE mai mici dect VCESUS . Pentru funcionarea intermitent, n regim de impuls, aria de operare sigur se extinde pentru valori mai mari ale curentului. Astfel curentul n regim de impuls poate atinge o valoare mai mare, ICM, iar limitrile de putere sunt cu att mai sus cu ct durata impulsului este mai mic. De exemplu notaiile din desen sunt pentru: a=10msec; b=1msec; c=100sec.
1.6.6 PROTECIA LA SUPRASARCIN. Un tranzistor poate suporta, n anumite condiii, un curent de vrf
iC >> I CM ,
ns pentru un interval de timp limitat
(1.95)
t 10...20 sec ,
(1.96)
Acest lucru face imposibil protecia cu sigurane fuzibile ultrarapide al cror timp de lucru este mult mai mare. Protecia la suprasarcini utilizeaz proprietatea tranzistorului de a se bloca ntr-un timp tOFF de ordinul sec. Pentru a se realiza protecia sunt necesare: sesizarea curentului de suprasarcin i elaborarea comenzii de inhibare a conduciei. O schem de protecie simplificat, bazat pe supravegherea tensiunii vCE, este prezentat n fig.1.72. Astfel la creterea curentului, ca urmare a unui defect pe sarcin, se petrec dou evenimente: punctul de funcionare, fig.1.68, se deplaseaz din A spre valori mai mari de curent, dar pe aceeai caracteristic ntruct iB nu se modific, tranzistorul trecnd din cvasisaturaie n regiunea activ, curentul fiind, pentru nceput, limitat chiar de caracteristica iC = f(vCE); n al doilea rnd crete tensiunea vCE, ca urmare a trecerii funcionrii n regiunea activ, cretere care este folosit pentru activarea proteciei. n stare normal tensiunea n punctul P, fig.1.72, va polariza Fig. 1.72. Protecia la direct dioda Dp, tensiunea vCE fiind mai mic. La creterea suprasarcin. tensiunii vCE, ca urmare a suprasarcinii, tensiunea n punctul P crete. Aceast tensiune se aplic ca o intrare n blocul de comand, unde se compar o mrime prestabilit, corespunztoare curentului IC de defect maxim admis. n urma comparaiei blocul de comand genereaz semnalul de nhibare a conduciei, de obicei cu o temporizare prestabilit, care s evite lucrul proteciei la variaii ale curentului de colector iC, cauzate de regimurile tranzitorii.
44
1.6.7.
REGIMUL TERMIC.
Regimul termic al tranzistorului se calculeaz, n cazurile staionar i dinamic, dup aceeai metodologie de la diode sau tiristoare. Singurele diferene constau n aprecierea pierderilor de putere n jonciuni n funcie de tipul de regim de funcionare i prezena sau absena circuitelor de protecie la intrarea sau ieirea din conducie. Finalizarea calculului se face fie prin determinarea temperaturii jonciunii j i ncadrarea ei n
j jM ,
fie prin calculul radiatorului care s conduc la ndeplinirea condiiei (1.74).
1.6.8. MONTAJE DARLINGTON
(1.97)
Tranzistoarele bipolare, ca urmare a factorului de amplificare n curent mic, necesit cureni apreciabili pentru comand. O soluie des practicat n prezent este montajul de tip Darlington, fig.1.73, constituit din dou tranzistoare T1 i T2. Principalul avantaj const n creterea factorului de amplificare n curent dup relaia
= 1 + 2 + 1 2 ,
1 = 2 = 10 ,
(1.98)
unde 1 i 2 sunt factorii de amplificare n curent pentru cele dou tranzistoare. Considernd (1.99) rezult un = 120, care n fapt nseamn micorarea de 12 ori a curentului de baz necesar, fa de cazul utilizrii unui singur tranzistor de capacitate similar cu T2.Montajul introduce i unele neplceri, mai ales la ieirea din conducie. Tranzistorul T1 lucreaz de obicei saturat iar T2 n cvasisaturaie. La ieirea din conducie, curentul de baz aferent tranzistorului T1 poate inversa de sens, extragerea sarcinilor stocate din baza acestuia avnd loc ca la un tranzistor obinuit.
Fig.1.73 Montaj Darlington.
Fig.1.74 Darlington monolitic.
Tranzistorul T2 ncepe s se blocheze abia dup ieirea din conducie a lui T1, iar curentul lui de baz nu poate inversa de sens, ceea ce face ca timpul lui de stocare s fie mult mai mare. Rmnnd n conducie numai T2, acesta va prelua ntregul curent de sarcin, suprancrcndu-se .Evitarea acestui inconvenient se atinge prin introducerea diodei de de stocare DDS , fig.1.73 , care, dup evacuarea sarcinii stocate din T1, permite o situaie similar i pentru tranzistorul T2 permind un curent negativ de baz pe T1. n prezent se realizeaz aa numitele Darlington monolitice care au nglobate n aceeai capsul toate elementele unei corecte funcionri. Pentru exemplificare, n fig.1.74, este prezentat un astfel de tranzistor, avnd trei etaje. n capsul sunt incluse rezistoarele R de echilibrare i diodele de stocare DDS, capsula avnd numai cei trei
45
electrozi consacrai, C,B,E. n prezent tranzistoarele de mare putere sunt realizate numai n montaje de tip Darlington monolitic. Per ansamblu un montaj de acest fel este luat n consideraie ca un tranzistor simplu, comportarea lui fiind n fapt cea a unui tranzistor bipolar obinuit, mai puin curentul de baz, care este sensibil mai mic.
1.7
TRANZISTORUL MOSFET DE PUTERE.
Din multitudinea tranzistoarelor utiliznd tehnologia MOS (metal-oxid-semiconductor) i efectul de cmp (FET), n electronica de putere se utilizeaz cele cu canal indus. Fa de semiconductoarele de putere prezentate anterior tranzistorul MOSFET cu canal indus se caracterizeaz prin dou diferene eseniale: crearea canalului de conducie prin cmp electric, deci printr-o comand n tensiune de putere redus; asigurarea conduciei n canal prin purttori de tip minoritar. Exemplificarea acestor diferene este prezentat prin structura simplificat din fig.1.75. Structura este format din corpul p, cu o dopare de 1017/cm3, n care se realizeaz dou incluziuni n1+ i n2+, nalt dopate, 1019/cm3, numite dren (D) i surs (S).Al treilea electrod, poarta G, este conectat la corpul p printr-un strat izolant de oxid de siliciu (SiO2). Dac se polarizeaz pozitiv SiO2 poarta G n raport cu sursa S, n corpul p se creeaz un cmp electric pozitiv, care va atrage n zona porii purttori minoritari din p, electronii. Densitatea de purttori atrai va depinde evident de intensitatea cmpului electric creat. Sarcina realizat n acest mod formeaz aa numitul canal n indus. Dac, n Fig.1.75 Principiu de realizare a unui MOSFET cu canal continuare, se polarizeaz pozitiv drenul indus n. D n raport cu sursa S, electronii din + + stratul n2 vor fi mpini din stratul n2 i atrai de stratul n1+, formnd un curent electric, care se nchide prin canalul realizat n corp. Densitatea electronilor din canalul indus, fiind controlat de intensitatea cmpului electric produs de poart, determin conductivitatea canalului, deci intensitatea curentului electric care se nchide, n sens tehnic, de la dren la surs. Avnd n vedere cele prezentate mai sus rezult deosebirile funcionale: cdere mai mare de tensiune dren-surs, ca urmare a densitii reduse a purttorilor de sarcin din canal; un timp de ieire din conducie, tOFF , redus; comanda pe poart n tensiune. 1.7.1 STRUCTUR. POLARIZARE
O structur real a unui MOSFET de putere cu canal indus n este prezentat n fig. 1.76. Fa de structura de principiu din fig.1.75, apar unele diferene: prezena stratului srac, n-, cu o dopare de 1014 1015/cm3; realizarea ntreesut a ansamblului corp-surs, respectiv poart-surs, n scopul asigurrii unei ct mai bune ptrunderi a cmpului electric n corp; realizarea de structuri de felul celei din fig.1.76, cu seciune transversal redus i conectarea, n acelai cip i pentru cureni mari, a mai multor asemenea structuri n paralel, prin intermediul metalizrilor. Structura de tip cu canal indus p, care se realizeaz mai rar, are aceeai construcie, fiind inversate doar tipurile straturilor, structura ntre dren i surs fiind p1+ p-, n, p2+ .
47
Structura complicat a tranzistorului MOSFET de putere introduce o serie de efecte parazite. Cele mai notabile sunt capacitile parazite din jonciuni, fig.1.76 : capacitatea dren-surs, CDS; capacitatea poart-surs, CGS; capacitatea poart-dren CGD . De asemenea ansamblu n- p n2+ formeaz un tranzistor bipolar pnp parazit, iar pno diod parazit, care au influene n regimurile de funcionare ale tranzistorului. n fig.1.77 sunt prezentate simbolurile uzuale pentru tranzistor cu canal n i cu canal p. Fig.1.76 Structura unui MOSFET cu canal n indus. Polarizarea direct a tranzistorului nseamn, pentru tranzistorul cu canal n, polaritatea plus pe dren. Jonciunea polarizat invers este J1, n- p, tensiunea depinznd de grosimea stratului n-. Se realizeaz n mod obinuit tranzistoare cu tensiuni pn la 1000V. Polarizarea invers, minus pe dren, va fi susinut de jonciunea J2 , n2+ p, fiind de ordinul a 10 20V. Concluzia const n aceea c tranzistorul MOSFET poate lucra numai cu alimentare n c.c. i polarizare direct. Tranzistoarele cu canal p au o funcionare identic, polarizrile fiind de sens opus n raport cu cele de la tranzistorul cu canal n.
1.7.2
CARACTERISTICA STATIC.
Se consider tranzistorul cu canal n indus din fig. 1.78. Caracteristicile statice, fig.1.79, se analizeaz mpreun cu caracteristica de transfer, fig. 1.80.La nivelul caracteristicii de transfer se constat c pentru VGS < VGSP (1.100)
Fig.1.78 Schema de funcionare.
Fig.1.80 Caracteristica de transfer.
unde VGSP se numete tensiune de prag, curentul de dren, iD , este nul. Peste aceast valoare iD este practic proporional cu tensiunea poart-surs. n fig.1.80 caracteristica real este prezentat cu linie ntrerupt (2), iar cea idealizat cu linie plin (1). Tensiunea VGSP este de ordinul volilor. Familia de caracteristici statice este concretizat prin mai multe zone:
48
Dreapta VBDDS, limitnd tensiunea maxim admis n sens direct. Depirea acestei tensiuni produce creterea curentului iD i distrugerea, prin multiplicarea n avalan a purttorilor de sarcin, a jonciunii dren-corp. Fenomenul este asemntor primei strpungeri de la tranzistorul bipolar. Zona activ, caracterizat prin cureni de dren constani i tensiuni dren-surs variabile. Curentul de dren este puternic dependent de tensiunea poart-surs. n fig.1.79 tensiunile poart-surs sunt n raportul VGS 4 > VGS 3 > VGS 2 > VGS 1 > VGSP De asemenea n aceast zon sunt valabile relaiile pentru tensiunea dren-surs vDS > vGS VGSP , (1.102) (1.101)
iar pentru curentul de dren

iD = k [VGS VGSP ] ,
2
(1.103)
unde k este o constant a tranzistorului. Zona ohmic, caracterizat prin tensiuni dren-surs mici, unde exist relaia vDS < vGS VGSP . n aceast zon curentul de dren este dat de
2 iD = k vDS .
(1.104)
(1.105)
Separaia dintre cele dou zone, dreapta 1, este caracterizat prin
vDS = vGS VGSP .
(1.106)
Din punct de vedere al electronicii de putere, unde tranzistorul este utilizat n regim de comutaie, starea de blocare se obine prin
vGS = 0 ,
(1.107)
iar cea de conducie prin puncte de funcionare unde vDS este minim, iar iD maxim. Acest compromis se poate obine pe curba 1, de separaie ntre cele dou zone, activ i ohmic. Tensiunile vDS, realizabile n condiiile de mai sus, sunt sensibil mai mari ca la tranzistorul bipolar, lund valori ntre 1,5 3V. Zona ohmic nu trebuie confundat cu zona de saturaie de la tranzistorul bipolar, fenomenul saturaiei neexistnd la tranzistorul MOSFET. 1.7.3 CARACTERISTICI DINAMICE.
Pentru analiza caracteristicilor dinamice se consider tranzistorul introdus n schema din fig.1.81, unde sarcina, de tip R+L, este asimilat unui generator de curent constant. Alimentarea circuitului de poart se face prin aa numitul driver de poart, DG. n figur s-au figurat capacitile parazite CGD i CGS, care joac un rol important n realizarea comutaiei tranzistorului. Se presupune c driverul de poart DG poate furniza un semnal treapt, EG, fig.1.82. Acest semnal nu este identic cu tensiunea vGS ca urmare a prezenei condensatoarelor parazite CGD i CGS , care ncep un proces de ncrcare. n acest fel, dei s-a aplicat la intrare un semnal treapt, tensiunea vGS are o cretere exponenial cu o constant de timp determinat de rezistena RG din circuitul de poart i cele dou condensatoare parazite. Primul interval din procesul de intrare n conducie, fig.1.82, se numete timp de ntrziere, td , fiind generat de faptul c
49
vGS < VGSP ,

interval n care
iD = 0
(1.108)
(1.109) (1.110)
vDS = Vd .
Dup td, tensiunea poart-surs devine mai mare ca VGSP i curentul de dren ncepe s creasc cu un gradient did/dt determinat de sarcina R, L. Intervalul de timp n care curentul crete la valoarea de regim staionar I0 se numete timp de cretere a curentului tri. Pe intervalul t fv1 ncepe scderea tensiunii-dren surs, ca urmare a faptului c tranzistorul se gsete n zona activ. Micorarea tensiunii vDS este mai accentuat ca urmare a deschiderii, pentru timp scurt la sfritul intervalului tri, a diodei de regim liber n. Mai mult, urmeaz blocarea conduciei acestei diode, evideniat prin curentul IRRM, care se suprapune peste curentul de dren. Pe urmtorul interval, t fv 2 , tensiunea dren-surs scade mai lent ca urmare a trecerii tranzistorului n zona ohmic, n final atingndu-se valoarea de regim staionar VDSON. Pe intervalele t fv1 + t fv 2 , practic ncrcarea
condensatoarelor nceteaz ca urmare a modificrii capacitii CGD ,variabil in raport de tensiunea VDS .La sfritul intervalului t fv 2 rencepe ncrcarea condensatoarelor parazite, pn la atingerea strii finale. Timpul de intrare n conducie este dat de
Fig. 1.81 Circuit pentru analiza regimurilor dinamice.
t ON = t d + t ri + t fv1 + t fv2
(1.111)
avnd valori de ordinul zecilor de nanosecunde, cel mult sute de nanosecunde, permind funcionarea acestuia la frecvene de ordinul sutelor de kHz. n privina pierderilor de putere acestea sunt importante pe intervalul de comutaie propriu-zis,
tC = tri + t fv1 + t fv 2 ,
(1.112)
ca urmare a frecvenei mari de lucru, i provoac un regim termic important. Ca urmare n cadrul regimului termic al tranzistorului acestea se iau n calcul, furnizorii oferind energia de pierderi pentru o comutaie, EJC , puterea calculndu-se cu
PC = EJC f ,
(1.113)
50
unde f este frecvena de comutaie. 1.7.4 IEIREA DIN CONDUCIE. Pentru a se obine blocarea conduciei trebuie ca tensiunea poart-surs s fie
vGS < VGSP ,

o valoarea normal fiind
(1.114)
vGS = 0 ,
(1.115)
care se poate realiza prin descrcarea condensatoarelor parazite CGD i CGS . Procesul de ieire
Fig.1.83 Ieirea din conducie.
din conducie este unul invers celui de intrare n conducie fiind prezentat n fig.1.83. Timpul de ieire din conducie tOFF este de acelai ordin de mrime ca ton. Supratensiuni pot apare, ca urmare a sarcinii inductive, la modificarea gradientului de curent la nceputul intervalului tfi, n acelai mod ca la BJT. 1.7.5 CIRCUITE DE COMAND PE POART.
Circuitele de comand pe poart trebuie s realizeze urmtoarele condiii: asigurarea unei tensiuni vGS > VGSP pentru intrarea n conducie; anularea tensiunii vGS pentru ieirea din conducie; separarea galvanic ntre circuitul de comand i cel de putere. n fig.1.84 este prezentat un circuit tipic de comand pe poart. Comanda este produs de generatorul G, care furnizeaz la ieire un semnal logic. Prin optocuplorul T3 se realizeaz separarea galvanic. La semnal logic 1 n colectorul lui T3, tranzistorul MOSFET T1 este n conducie, asigurnd prin RG comanda de intrare n conducie a lui TP. Prin inversorul U tiristorul T2 este blocat, avnd pe poart semnal nul. La inversarea comenzii, T1 se va bloca, iar T2 intr n conducie asigurnd descrcarea condensatoarelor parazite. Uneori, pentru micorarea lui tOFF, se practic polarizarea negativ a tranzistorului T2, pentru a mri curentul de descrcare. La fel ca la tranzistoarele bipolare se fabric drivere integrate de poart care cuprind i funcii suplimentare ca protecii la supracureni, supratemperatur .a.
51
Fig.1.84 Comanda pe poart.
1.7.6
FUNCIONAREA N CONDUCIE.
Dimensionarea tranzistoarelor MOSFET se face n tensiune i curent, n acelai mod ca la celelalte dispozitive semiconductoare de putere. Curentul nominal al tranzistorului iD se alege n funcie de curentul solicitat de convertor , regimul de funcionare, continuu sau intermitent, i temperatura de funcionare estimat. La fel ca la tranzistorul bipolar, esenial este ncadrarea punctului de funcionare n aria de operare sigur, SOA, fig.1.85. Aceast arie conine trei limitri: la tensiunea maxim n sens direct, VBDDS; la curent maxim, n c.c., iD, iar n regim de impuls, IDM ; la putere maxim disipat n tranzistor, curbele nclinate. Pentru alegerea curentului nominal se utilizeaz caracteristicile statice, n general pentru temperatura maxim de utilizare, urmrind ncadrarea lor n SOA. Esenial este ns calculul regimului termic dup acelai model ca la diode sau tiristoare, lundu-se n calcul att puterea disipat n regim staionar ct i n comutaie, componente furnizate de productori. n general pierderile Fig.1.85 Aria de operare sigur. n conducie se calculeaz cu
pJ = VDSON I d ,
(1.116)
unde VDSON se determin din caracteristica static pe care funcioneaz tranzistorul. Avnd n vedere c VDSON este mai mare dect la tranzistoare bipolare, pierderile de putere sunt sensibil mai mari i cresc cu creterea temperaturii jonciunilor. De asemenea pierderile n comutaie sunt dependente de rezistena de poart RG, productorii indicnd rezistene standard de utilizat. 1.7.7 CIRCUITE DE PROTECIE.
Pentru tranzistoare MOSFET sunt necesare mai multe circuite de protecie. O prim protecie se refer la circuitul poart-surs. Supratensiunile poart-surs pot produce strpungerea stratului de oxid de siliciu. n general tensiunile maxime poart-surs admise sunt pn la 25 30V. Supratensiunile pot proveni din circuitul de comand pe poart, sursa EC, acestea putnd fi uor controlate, utiliznd o surs stabilizat. Supratensiunile mai pot proveni din circuitul drensurs, n special la comutri. n unele scheme de comand, aceste supratensiuni se anihileaz prin prevederea n paralel cu tranzistoarele T1 i T2, fig.1.85, a unor diode antiparalel. La apariia pe poart a unor supratensiuni mai mari ca EC, indiferent de polaritate, una din aceste diode se
52
deschide i limiteaz mrimea supratensiunii la valori admise. Dificulti produc i subtensiunile din circuitul poart-surs. Micorarea accidental a tensiunii poart-surs produce micorarea conductivitii canalului, iar ca urmare a tendinei curentului iD de a rmne constant, cresc sensibil pierderile de putere, nrutind regimul termic. Protecia se realizeaz prin circuite specializate de supraveghere a mrimii acestei tensiuni, incluse n driverul de poart. Protecia la supratensiuni dren-surs se realizeaz cu circuite RC asemntoare cu cele de la tiristoare, sau circuite R,C i diode ca la tranzistoarele bipolare, calculul fcndu-se similar, fig.1.86.Rezistena R a circuitului are n vedere limitarea curentului de descrcare a condensatorului. In fig.1.86a descrcarea condensatorului C se face prin tranzistor, astfel nct limitarea curentului este strict necesar. Pentru circuitul din fig.1.86b, prezena diodei n mpiedic descrcarea condensatorului prin tranzistor. Protecia la supracureni folosete proprietatea tranzistorului de a se bloca, ntr-un timp scurt, prin comanda pe poart. Se utilizeaz n principal dou soluii. Prima soluie are n vedere msurarea curentului
Fig.1.86 Circuite de protecie la supratensiuni.
Fig.1.87 MOSFET cu senzor de curent.
de dren, printr-un senzor adecvat, compararea acesteia cu o referin i elaborarea comenzii de blocare a conduciei. A doua soluie, de dat mai recent, se bazeaz pe tranzistoarele MOSFET cu senzor de curent inclus, fig.1.87.Cteva din celule constitutive ale MOSFET-ului sunt conectate la doi electrozi speciali, suplimentari fa de cei clasici, K-electrod Kelvin i CS-surs de curent. Tensiunea culeas la ieire furnizeaz informaii n timp real despre valoarea supracurentului. Mai departe semnalul este prelucrat la fel ca n cazul anterior. Acest ultim tip de protecie are cteva caracteristici foarte avantajoase: exclude senzorul de curent exterior i constantele de timp aferente; asigur o protecie distribuit i individual, pentru fiecare tranzistor al convertorului. 1.7.8 TRANZISTOARE IN PARALEL.
ntruct tranzistoarele MOSFET se fabric pentru cureni relativ mici, 100 200A, n cazul convertoarelor de putere mare este necesar conectarea acestora n paralel, dup schema din fig.8.16.Problema principal const n egalizarea curenilor dup
iD1 = iD2 =
I0 . 2
(1.117)
ntre caracteristicile de transfer ale celor dou tranzistoare pot s apar diferene care s conduc la o ncrcare inegal, ca n fig.1.89. Tranzistorul T1, mai ncrcat ,se va nclzi mai mult dect T2. Caracteristica de transfer, cu creterea temperaturii se modific n poziia 1, conducnd la un curent
53
Fig.1.88 Tranzistoare n paralel.
Fig.1.89 ncrcarea tranzistoarelor n paralel.

' iD < i D1 , 1
(1.118)
realizndu-se n fapt o reacie negativ avnd ca sens echilibrarea curenilor. Ca urmare nu se iau msuri speciale de echilibrare. Datorit vitezei mari de comutaie pot s apar oscilaii de curent, ca urmare a unor oscilaii ntre comenzile celor dou tranzistoare. Evitarea acestor oscilaii se realizeaz prin decuplarea comenzii pe poart prin rezistene separate, RG, ca n fig.1.88.
1.7.9 ALTE CONSIDERAII.
Aa cum s-a menionat mai sus tranzistorul MOSFET, ca urmare a structurii conine un tranzistor bipolar i o diod parazite. Tranzistorul bipolar parazit, de tip npn, este format de straturile n- p n2+, baza tranzistorului fiind format din corpul p, iar emitorul din sursa n2+ . Factorul de amplificare n curent, , a acestui tranzistor este suficient de mare ca urmare a configuraiei corpului. Intrarea n conducie a acestui tranzistor, produce urmtoarele efecte: micorarea substanial a tensiunii VBDDS, ca urmare a creterii densitii de purttori de sarcin din stratul n- ; la tensiuni mari poart-dren, tranzistorul parazit fiind n conducie, poate intra n saturaie, prelund curentul dren-surs, blocarea lui nefiind posibil ntruct corpul p nu este accesibil pentru evacuarea sarcinii stocate. Dioda parazit este format din straturile p n-n+, avnd deci catodul comun cu drenul. Funcional ea se comport ca o diod antiparalel cu tranzistorul ,putnd intra n conducie atunci cnd sarcina, ca urmare a structurii convertorului, inverseaz sensul curentului. n felul acesta se pierde capacitatea de blocare a MOSFET-ului, conducnd la distrugerea tranzistorului. Anularea efectelor produse de tranzistorul bipolar parazit se realizeaz constructiv prin meninerea bazei acestuia la potenialul sursei. Concret acest lucru se realizeaz, fig. 1.76, prin extinderea metalizrii Fig.1.90 Anularea sursei n zona corpului p. Anularea efectelor diodei parazite, efecte ce efectului diodei parazite. pot apare n unele scheme de convertoare, de exemplu n punte, se realizeaz prin plasarea diodelor n1, respectiv n, fig. 1.90. Plasarea numai a diodei n1 asigur o cale de nchidere a curentului de sens invers, fiind n fapt o diod de regim liber. Soluia radical const n plasarea diodei n, care nu va permite amorsarea, n nici o situaie, a diodei parazite.
1.8
TRANZISTORUL BIPOLAR CU POART IZOLAT (IGBT).
Tranzistoarele bipolare i MOSFET au, fiecare n parte, o serie de performane foarte avantajoase pentru aplicaii, dar i unele dezavantaje care limiteaz dimensiunea aplicaiei. Astfel tranzistorul bipolar n raport are avantajele: capacitate mai mare n curent i tensiune; cdere mic de tensiune in conducie, VCEON. Pe de alt parte dezavantajele mai importante sunt: timpi relativ mari de comutaie; curent i putere de comand mare; prezena saturaiei; pericolul de distrugere prin cea de a doua strpungere. Tranzistorul MOSFET este avantajos din motivele: timpi mici de comutaie; comand n tensiune; inexistena saturaiei i a celei de a doua strpungeri ; capacitate relativ mic n tensiune i curent. mbinarea avantajelor celor dou tipuri de tiristoare s-a regsit ntr-un nou dispozitiv semiconductor de putere numit tranzistor bipolar cu poart izolat IGBT. 1.8.1 STRUCTUR. POLARIZARE
O structur vertical printr-un IGBT cu canal n este prezentat n fig.1.91, iar n fig.1.92 simbolizarea acestuia. Straturile unui tranzistor IGBT sunt: stratul colectorului de tip p+, nalt dopat, 1019/cm3; stratul de srcire de tip n-, slab dopat, 1014/cm3; corpul p, mediu dopat, 1017/cm3; stratul emitorului n2+, nalt dopat, 1019/cm3. Suplimentar la unele tranzistoare se mai gsete i stratul tampon n1+, nalt dopat 1019/cm3 . Dac tranzistorul nu are stratul tampon se numete IGBT simetric, n caz contrar
Fig.1.91 Structur.
Fig.1.92 Simbolul IGBT-ului cu canal n.
asimetric. Emitorul tranzistorului se conecteaz la stratul prin intermediul metalizrii 1, din aluminiu. Metalizarea porii G este separat de corpul p prin stratul de oxid de siliciu, 2. Pentru analiza polarizrii se consider poarta izolat. Polarizarea direct const n aplicarea polaritii plus pe colectorul C al tranzistorului. Este polarizat invers doar jonciunea J2, bariera de potenial extinzndu-se n toat grosimea stratului n-, IGBT-ul putnd susine tensiuni de pn la 1500 2500V. n cazul polarizrii inverse, minusul pe colector, exist diferene ntre tranzistorul simetric i asimetric. Astfel pentru tranzistorul asimetric, fig.1.91, sunt polarizate invers jonciunile J1 i J3. Fiind jonciuni de tip n+ p, respectiv n+p+, barierele de potenial sunt reduse, iar capacitatea n tensiune invers de ordinul zecilor de voli. n cazul tranzistorului simetric, lipsind stratul n1+, jonciunea J1 este format din straturile n- p+, bariera de potenial fiind de acelai ordin de mrime ca la polarizarea direct. Aadar tranzistorul simetric poate funciona alimentat att n c.c. ct i n c.a., n timp ce tranzistorul asimetric poate funciona alimentat numai alimentat cu tensiune continu i polarizare direct. Se realizeaz foarte rar IGBT-uri cu canal de tip p, structura fiind asemntoare, tipul straturilor i polarizarea inversate. 1.8.2 FUNCIONARE. CARACTERISTICA STATIC.
n2+
55
Stare de conducie a unui IGBT se realizeaz dac este polarizat ca n fig.1.93. Productori de IGBT-uri furnizeaz mai multe tipuri de scheme echivalente funcionale, care permit descrierea conduciei n tranzistor. O astfel de schem echivalent simplificat este prezentat n fig.1.94, unde IGBT-ul este nlocuit printr-un tranzistor MOSFET cu canal n i un tranzistor bipolar pnp. Rezistorul Rn-1 materializeaz rezistena stratului n-. Tranzistorul MOSFET reprezint partea de comand a IGBT-ului care este similar cu cea a tranzistorului MOSFET, n sensul c n corpul p se creeaz, prin cmp electric, canalul de tip n. Prin acest canal electronii injectai din surs, polarizat negativ, se regsesc n dren, iar prin stratul n- n baza tranzistorului pnp, comandnd intrarea rapid n conducie a acestuia. Blocarea tranzistorului pnp se face prin blocarea conduciei MOSFET-ului. n felul acesta se realizeaz comanda n tensiune, deci de putere mic, i timpi de comutaie redui. Se evit de asemenea fenomenul saturaiei, comanda pe poart IGBT-ului fiind n cmp electric. Pe de alt parte prezena ntre colector i emitor a tranzistorului pnp asigur o cdere de tensiune VCEON comparabil cu cea de la tranzistoarele bipolare. Caracteristicile statice, ic=f(VCE), au forma din fig.1.95 i se analizeaz mpreun cu caracteristica de transfer ic = f(VGE) din fig.1.96. n familia de caracteristici statice se definesc zonele:
Fig.1.93 Schema de funcionare.
Fig.1.94 Schema echivalent.
dreapta VCESUS, care limiteaz tensiunea maxim admis n sens direct, la valori mai mari dect VCESUS aprnd fenomenul primei strpungeri, cu aceleai caracteristici ca la tranzistoarele bipolare; zona activ, cu aceleai proprieti ca la MOSFET;
56
zona ohmic; pentru tranzistoarele simetrice tensiunea VBR, de prbuire n sens invers. Caracteristica de transfer are exact aceleai proprieti ca la tranzistorul MOSFET.
Fig.1.96Caracteristica de transfer.
Stabilirea punctului de funcionare se face tot ca la tranzistorul MOSFET, n sensul ndeplinirii condiiilor: s asigure la curent maxim, tensiune VCEON minim, punctul de funcionare plasndu-se pe curba de separaie ntre zonele activ i ohmic; punctul de funcionare s se gseasc n interiorul ariei de funcionare sigur, SOA, de form asemntoare cu cea de la MOSFET. Tensiunea VCEON, care caracterizeaz IGBT-ul, are valori ntre 1,9 2,9V. Calculul regimului termic urmeaz aceeai metodologie de la tranzistorului MOSFET. 1.8.3 AUTOAMORSAREA.
Structura IGBT-ului este practic de tipul pnpn, identic cu a unui tiristor obinuit. Din acest motiv IGBT-ul este suspect de apariia fenomenului de autoamorsare, dup modelul de la tiristorul obinuit. n mod normal curentul de colector se nchide ntre stratul de colector p+ i stratul de emitor n+ , traversnd corpul p. Acest curent este desenat cu linie continu n fig.1.97. Pentru a se evita efectele nedorite ce apar la MOSFET, metalizarea emitorului acoper parial corpul tranzistorului. Astfel poate s apar aa numitul curent lateral, iL, desenat cu linie ntrerupt, direct ntre colector i emitor, fr traversarea stratului n2+. Se pune astfel n eviden
Fig.1.97 Autoamorsarea.
Fig.1.98 Schema echivalent complet.
+
57
tranzistorul, T2 , de tip npn, format din straturile n pn2 , care completeaz schema echivalent simplificat din fig.1.94, dup schema din fig.1.98. Acest tranzistor are ntre baz i emitor rezistorul Rc, care corespunde rezistenei corpului p. nchiderea curentului lateral, iL, prin corp produce cderea de tensiune uL, cu polaritatea plus pe baz, proporional cu acest curent. Cnd curentul de colector este relativ mare curentul lateral iL capt valori apreciabile. Tensiunea uL din baza tranzistorului T2 devine suficient de mare nct tranzistoarele T1 i T2, a cror schem este identic cu a tiristorului obinuit, intr n procesul de autoamorsare. Efectele autoamorsrii conduc la: intrarea n saturaie a celor dou tranzistoare T1 i T2 nsoit de o cretere accentuat a curentului de colector i distrugerea IGBT-ului; imposibilitatea blocrii conduciei prin comand pe poart, aceasta fiind dezactivat prin apariia autoamorsrii; blocarea conduciei se mai poate realiza numai prin anularea curentului de colector, ca la tiristorul obinuit. Evitarea acestui fenomen se realizeaz n dou moduri. Pentru structuri de tipul celei din fig.1.97 trebuie meninut curentul de colector i c I CM (1.119)
unde ICM este curentul maxim de colector admis de IGBT pentru care nu apare fenomenul autoamorsrii. A doua variant const n modificarea constructiv prezentat n fig.1.99. Evitarea autoamorsrii const n micorarea tensiunii uL prin reducerea rezistenei corpului RC, n zona de nchidere a curentului lateral. n acest sens corpul se realizeaz din Fig.1.99 Structura pentru dou regiuni, p cu doparea de 1017/cm3 i p+ cu dopare 1019/cm3. evitarea autoamorsrii. Pericolul apariiei acestui fenomen este sporit n procesul de blocare, cnd ,ca urmare a curentului relativ mare i a tensiunii colectoremitor n cretere, tensiunea uL scap de sub control ,IGBT-ul rmnnd n conducie, dei comanda pe poart este activat. 1.8.4 CARACTERISTICI DINAMICE. CIRCUITE DE COMANDA PE POART.
Intrare i ieire din conducie a IGBT-ului, avnd n vedere structura de comand, este identic cu a MOSFET-ului, n sens c efectul capacitilor parazite poart-emitor, CGE, i poartcolector, CGC, intervin n procesul de comutaie n acelai mod ca i capacitile CGD i CGS. Diferenele care apar constau n: timpi mai mari de intrare n conducie, tON, i ieire din conducie tOFF, valorile fiind de ordinul sutelor de nanosecunde; la nceputul ieirii din conducie, naintea nceperii scderii curentului de colector, apare un vrf destul de nsemnat al acestui curent, cauzat de nceperea recombinrii golurilor din stratul de colector; la tranzistorul asimetric prezena stratului tampon n1+, asigur o recombinare direct a golurilor din stratul de colector, reducnd supracurentul i micornd substanial Fig.1.100 Circuit de comand pe poart. timpul de blocare tOFF;
58
ca urmare a impedanei mari de intrare a circuitului de poart pot s apar oscilaii ale comenzii, motiv pentru care se introduc filtre pe semnalul de comand, iar conexiunile circuitului de comand se realizeaz cu lungime ct mai mic. Un circuit tipic de comand pe poart, fig.1.100, este aproape identic cu cel de la MOSFET. Diferenele constau n: prezena filtrului RC pentru prentmpinarea oscilaiilor comenzii; polarizarea negativ la ieirea din conducie cu scopul de a reduce vrful de curent de la nceputul blocrii. Nivelul polarizrii negative este de maxim 5V, nivel la care reducerea vrfului de curent este substanial. Peste aceast valoare vrful de curent nu se mai micoreaz. Se menioneaz c acest vrf de curent este suportat fr probleme de IGBT, reducerea lui fiind, cel mai adesea, solicitat de sarcin. Similitudinea comenzii IGBT-urilor i MOSFET-urilor merge pn la identitate, n sensul c se realizeaz drivere de poart integrate cu utilizare pentru ambele tipuri de tranzistoare. 1.8.5 CIRCUITE DE PROTECIE.
Proteciile necesare pentru un IGBT sunt aceleai de la MOSFET i se realizeaz n acelai mod. In privina proteciei la supracurent, se menioneaz utilizarea numai a primei metode, ca urmare a faptului c nu se realizeaz IGBT-uri cu senzor de curent nglobat. O alt diferen const n sensibilitatea IGBT-ului la gradient de tensiune dVCE/dt la ieirea din conducie. Astfel dac gradientul este prea mare poate s apar fenomenul de autoamorsare. Productorii indic o arie de operare sigur la polarizarea invers a porii, RBSOA, fig 1.101, care limiteaz valorile curentului de colector iC, n funcie de gradientul dvCE/dt, pentru vGE < 0. Oricum gradientul dvCE/dt admis este mult mai mare fa de celelalte semiconductoare de putere. Micorarea gradientului dvCE/dt se realizeaz, la fel ca la toate dispozitivele Fig.1.101 Aria de operare semiconductoare de putere, prin circuite RC n paralel colectorsigur RBSOA. emitor, dup modelul de la MOSFET. Avnd n vedere capacitatea mare n curent a IGBT-urilor, uneori se utilizeaz doar o capacitate n paralel cu circuitul colector-emitor.
1.9
ALTE SEMICONDUCTOARE DE PUTERE.
1.9.1
DIODA CU AVALAN CONTROLAT.
Dioda obinuit este sensibil la supratensiuni inverse, deteriorndu-se dac tensiunea invers este mai mare dect VBR Dioda cu avalan controlat, cu structura din fig.1.102, este realizat printr-o tehnologie care i asigur o uniformitate geometric i chimic. Tensiunea invers este reinut de straturile n- p-, slab dopate. La solicitrile n sens invers dioda cu avalan
Fig.1.102 Structura i simbolul. diodei cu avalan controlat.
Fig.1.103. Caracteristica invers.
controlat permite o putere de acelai nivel ca n sens direct, curentul fiind uniform distribuit n seciunea transversal. Caracteristica n sens invers, inclusiv dependena acesteia la temperatur este prezentat n fig.1.103.Dioda poate suporta supratensiuni inverse nerepetitive, limitnd valoarea supratensiunii, conform caracteristicilor din fig.1.103.Aceste diode sunt utilizate fie pentru redresare obinuit, fie n circuitele de protecie la supratensiuni. In acest ultim caz dioda se alege dup
VR = VRRM 100
(1.120)
unde VRRM este tensiunea invers repetitiv maxim a dispozitivului protejat, iar VR tensiunea invers de avalan a diodei de protecie. 1.9.2 DIODA CU DUBL AVALAN CONTROLAT.
Structura i cele dou simboluri ale acestei diode sunt prezentate n fig.1.104. Practic aceast diod poate fi considerat ca fiind format din dou diode cu avalan controlat montate n opoziie. Structura concret a acestei diode este format din stratul n, cu rezisten mare i cele dou straturi marginale p, de rezisten sczut. Caracteristica static, fig.1.105, este simetric n cele dou cadrane de funcionare, pentru polarizare direct i invers. Este utilizat, din aceleai motive ca dioda cu avalan controlat, n circuitele de protecie la supratensiuni ale dispozitivelor semiconductoare de putere. 1.9.3 TRIACUL.
Structura triacului, fig.1.106, indic faptul c acesta este practic compus din dou tiristoare conectate antiparalel. Un tiristor, cu anodul la electrodul E1, este format din straturile p1 n2 p2 n3, iar al doilea, cu anodul la electrodul E2, din straturile p2 n2 p1 n1. Poarta G este plasat pe
60
Fig.1.104 Structura i simbolul diodei cu dubl avalan.
stratul special nG. Caracteristica static, fig.1.107, este simetric, pentru polarizarea direct i invers, indicnd proprietatea triacului de a conduce n ambele direcii, n funcie de polaritatea aplicat la electrozii E1 i E2. Astfel pentru funcionarea n cadranul 1, se polarizeaz cu plus pe E1, iar pentru cadranul 3, cu plus pe E2. Forma caracteristicilor statice, asemntoare cu a tiristorului obinuit, indic prezena fenomenului de autoamorsare i de automeninere n conducie, IL fiind curentul de amorsare, IH
Fig.1.106 Structura i simbolul triacului.
Fig.1.107 Caracteristica static
curentul de meninere, iar VBD i VBR sunt tensiunile de prbuire n sens direct i invers. Caracteristicile de comand sunt de aceeai form ca la tiristorul obinuit, fiind ns, ca i cele statice, simetrice, permind intrarea n conducie att pentru cureni de poart pozitivi, ct i negativi. Funcionarea triacului este asemntoare cu a tiristorului obinuit, triacul fiind mult mai sensibil la gradiente de tensiune dvT/dt i avnd frecvena de lucru pentru amorsri alternative n ambele sensuri, destul de redus, ca urmare a timpului necesar pentru recombinarea purttorilor. Triacul este utilizat pentru puteri mici, n special n reelele de c.a., pentru controlul tensiunii, respectiv puterii. 1.9.4 TIRISTORUL ASIMETRIC.
Cunoscut n literatura de specialitate sub abrevierea ASCR (Asymmetrical Silicon Controlled Rectifier), acest tiristor are structura i simbolul din fig.1.108. Diferenele constructive fa de tiristorul obinuit constau n: prezena stratului suplimentar n1+; lungimea stratului n- mult redus`.
61
Funcionarea n cadranul 1, fig.1.109, este identic cu a tiristorului obinuit. n schimb n cadranul
Fig.1.108 Structura i simbolul.

-
3, ca urmare a micorrii lungimii stratului n , tensiunea VBR este mult redus. De asemenea, din motivul de mai sus i ca urmare a prezenei stratului n1+, se reduce lungimea de difuzie a purttorilor de sarcin reducnd timpul de blocare a tensiunilor pozitive, tq, de dou pn la trei ori, permind tiristorului s funcioneze la frecvene mari, de pn la 30 kHz. Acest lucru conduce i la micorarea cderii de tensiune VTON , i corespunztor a pierderilor de putere n conducie. Se utilizeaz la puteri medii i cu alimentare n c.c. 1.9.5 TIRISTORUL CU CONDUCIE INVERS.
Acest tiristor, abreviat prin RCT (Reverse Conducting Thyristor), se compune dintr-un tiristor obinuit i o diod antiparalel. Structura acestuia i simbolul sunt prezentate n fig.1.110. Tiristorul, cu electrozi clasici anod i catod, este format de straturile p+ n+ n- p n2+ .
Dioda antiparalel, avnd anodul la catodul tiristorului, este format din straturile p n- n1+. Caracteristica static, fig.1.111, confirm cele prezentate mai sus, i anume conducia n ambele sensuri, n sens direct cu amorsare comandat, iar n sens invers exact ca o diod obinuit. Are o utilizare destul de rar i n aplicaii speciale.
62
1.9.6
TIRISTORUL CONTROLAT PRIN CMP.
Abreviat prin iniialele FCT (Field Controlled Thyristor), acest dispozitiv are structura i simbolul din fig. 1.112.Straturile acestui tiristor sunt cele clasice de la tiristorul obinuit, stratul p2+ fiind ns puternic dopat. Ca urmare a structurii poart-catod, nglobat n stratul n-, acest tiristor se comand n tensiune, U GK < 0 . (1.121) Purttorii minoritari din stratul porii sunt mpini, prin stratul n-, spre stratul catodului. n acest fel se creeaz o sarcin negativ, care moduleaz conductivitatea stratului n-, asemntor canalului de la tranzistoarele MOSFET. Prin aceast conductivitate controlat se nchide curentul anod-catod, iT , care va depinde, conform cu caracteristica static din fig.1.13, att de tensiunea anod-catod, vT , ct i de tensiunea UGK. Caracteristicile 1, 2 i 3 au raportul tensiunilor poartcatod n relaia
U GK 1 < U GK 2 < U GK 3 ,
(1.122)
iar caracteristica 0 este pentru UGK = 0. Acest tiristor nu rmne n conducie prin autoamorsare, comanda trebuind s fie permanent. Blocarea conduciei se poate realiza prin extragerea, cu
Fig.1.113 Caractersitica static.
ajutorul porii, a sarcinilor din stratul n-, dup un model asemntor ca la tiristorul GTO, adic prin introducerea unui curent pozitiv n poart. n general tON i tOFF sunt relativ mari ca urmare a timpului necesar modulrii conductivitii stratului n-. Suplimentar cei doi timpi sunt n relaia tOFF > tON . (1.123)
Se utilizeaz n aplicaii de putere mic, aceste tiristoare fabricndu-se la tensiuni de sute de voli i cureni de zeci de amperi. 1.9.7 TIRISTORUL MCT.
Simbolizarea MCT provine de la tiristor cu control MOS (MOS Controlled Thyristor). Modificrile constructive au n vedere numai partea de comand i constau n ataarea la structura obinuit a unui tranzistor MOSFET n scopul realizrii unor comenzi de mic putere, n tensiune, ct i pentru realizarea comenzii de blocare a conduciei. ntruct structurile straturilor acestui tiristor sunt foarte complicate, se vor prezenta completrile numai la nivelul schemelor echivalente. Prima structur, mai simpl, fig.1.114, conine numai un tranzistor MOSFET, cu canal de tip p.
63
Fig.1.114 MCT cu poart de blocare.
Fig.1.115 MCT cu dou pori.
Fig.1.116 Simbolizarea MCT.
Structura conine cele dou tranzistoare din schema echivalent clasic a tiristorului obinuit. Amorsarea conduciei se face prin curentul pozitiv de poart, iG, ca la tiristorul obinuit. Blocarea conduciei se realizeaz prin intrarea n conducie a MOSFET-ului T3, prin comand n tensiune negativ. Conducia n acest tranzistor se nchide de la surs la dren, nsemnnd extragerea purttorilor de sarcin din baza tranzistorului T2, blocarea acestuia i n final blocarea conduciei anod-catod. A doua variant, fig.1.115, utilizeaz un al doilea MOSFET, T4, cu canal n, pentru a realiza o comand n tensiune la intrarea n conducie. Intrarea n conducie se realizeaz prin U GK > 0 , (1.124)
prin care tranzistorul T4 intr n conducie, polariznd baza tranzistorului T1 negativ, prin sarcinile injectate din sursa acestuia, comun cu catodul polarizat negativ. n felul acesta tranzistorul T1 intr n conducie i furnizeaz curentul de baz necesar tranzistorului T2 pentru a intra n conducie i a asigura amorsarea tiristorului. Timpii tipici de intrare, respectiv ieire din conducie, au valoarea tON = tOFF = 1 sec (1.125)
Constructiv aceste tiristoare se realizeaz n dou variante, pentru montajul cu catod comun, N-MCT, i pentru montajul cu anod comun, P-MCT, fig.1.116. Simbolizarea diferenei ntre aceste tipuri de tiristoare este obligatorie, ntruct comanda pe poart se aplic n raport cu electrodul comun.
1.10
CONVERTOARE STATICE.
Majoritatea sistemelor de conversie electromecanic moderne sunt reglabile avnd parametrii de ieire, vitez, cuplu sau poziie, variabili. Realizarea acestor sisteme de conversie presupune alimentarea mainii electrice de la surse cu tensiune, curent i frecven variabile, surse cunoscute sub numele de convertoare statice. Tipurile mai vechi sau mai noi de dispozitive semiconductoare de putere, precum i limitele n cretere ale tensiunilor i curenilor de lucru au permis realizarea unei game deosebit de diversificate de convertoare att n ceea ce privete tipul de conversie, c.a.-c.c., c.c.-c.c., c.c.-c.a. i c.a.-c.a., ct i puterile, tensiunile i frecvenele de lucru.
1.11
CONVERTOARE C.A.-C.C. NECOMANDATE.
Aceste tipuri de convertoare sunt realizate cu diode avnd, n general, ca scop conversia energiei de c.a. a reelei n energie de c.c.. n sistemele de conversie electromecanic destinaia lor este alimentarea circuitelor intermediare de tensiune sau curent aferente convertoarelor c.c.-c.c. i invertoarelor. 1.11.1 CONVERTOARE CU DIODE FA DE NUL.
O schem generalizat pentru un astfel de convertor, p-fazat, este prezentat n fig. 1.117. Caracteristica principal a acestui convertor const n alimentarea de la o surs sinusoidal avnd p faze i nchiderea conduciei fa de nulul O, accesibil, al sursei. Se consider sistemul de tensiuni p-fazat simetric de forma u1 (t ) = 2U cos t
u2 (t ) = 2U cos( t
2 ) p 2 ] p (1.126)
uk (t ) = 2U cos[ t ( k 1)
2 ] p Lund n considerare funcionarea ideal a convertorului, adic comutaia ideal a diodelor i curentul id(t) prin sarcina R+L nentrerupt, o diod oarecare nk intr n conducie dac tensiunea din anod, uk(t), este mai mare, n valoare pozitiv, dect uk-1(t) repectiv uk+1(t). Dac se ia n considerare dioda n1, fig. 1.118, domeniul ei de conducie u p (t ) = 2U cos[ t ( p 1) rezult din compararea tensiunilor up(t) i u1(t) care sunt egale la [
. Aadar n domeniul
, + ] tensiunea u1(t) este cea mai pozitiv, iar dioda n1 intr n conducie. Tensiunea de la p p ieirea convertorului, pe acest interval, este
CONVERTOARE STATICE
Fig.1.117 Convertor cu diode fa de nul.
Fig.1.118 Comportarea diodei n1.
vd (t ) = u1 (t ) , (1.127) fiind evident pulsatorie, deci diferit de o tensiune continu n accepiune riguroas. Considernd o sarcin cu L R curentul id(t) prin sarcin poate fi asimilat cu un curent continuu constant, adic id (t ) = I d = const. (1.128) Avnd n vedere c procesul de redresare este periodic, repetndu-se pentru fiecare interval 2 / p , valoarea medie a tensiunii redresate se calculeaz cu relaia
1 p (1.129) 2U cos t.d ( t ) = 2U . 2 p p p p Indicele p reprezint n acelai timp i numrul de pulsuri, de forma celui din intervalul Vd =
1 T
sin
u1 (t )dt =
, + ] , care apar n tensiunea de ieire vd(t) pe o perioad T a tensiunilor de alimentare. Din p p acest motiv convertorul din fig. 1.117 se mai numete cu p pulsuri fa de nul. Convertoarele de acest tip nu sunt prea utilizate din cauza unor dezavantaje importante, dintre care se menioneaz: prin fazele sursei trece curent doar un interval redus, 2/ p, ceea ce conduce la slaba utilizare a sursei; dac sursa este un transformator, puterea aparent a acestuia este mult mai mare dect puterea continu la ieirea convertorului. Convertoarele de acest tip cele mai utilizate sunt: cu dou pulsuri, care necesit un transformator avnd secundar cu priz median; cu trei pulsuri, care poate fi conectat i direct la reele cu nul de lucru accesibil; cu ase pulsuri, care necesit un transformator trifazat cu secundar dublu, n conexiune Yy12, respectiv Yy6. Principalele caracteristici ale acestor convertoare sunt prezentate n tabelul 2.1, unde S este puterea aparent a sursei, iar Pd0 este puterea debitat pe sarcina R+L. Tabelul 1.1 p 2 3 6 Vd S/Pd0 0,9U 1,34 1,17U 1,35 1,35U 1,55
REDRESOARE
Tensiunea de ieire vd(t), pulsatorie, conine componenta de c.c., Vd, i o sum de armonici superioare. Armonicile superioare ce apar sunt multiplu al numrului de pulsuri p, amplitudinea armonicilor reducndu-se relativ repede cu creterea rangului acestora.
1.11.2 CONVERTOARE CU DIODE N PUNTE.
Acest tip de convertor provine din dou convertoare fa de nul, P i N, fig. 1.119, nseriate prin sarcina R+L i sursa de alimentare. n condiiile utilizate anterior convertorul P P furnizeaz la ieire o tensiune vd (t ) identic cu cea din fig. 1.118 i de valoare medie sin VdP = 2U
(1.130)
vd(t)
Convertorul N, avnd diodele cu anodul comun, funcioneaz asemntor cu convertorul P, cu diferena c o diod va intra n conducie atunci cnd tensiunea de alimentare este cea mai negativ. Tensiunea medie redresat a acestui convertor este evident de aceeai mrime cu cea a convertorului P. Ca urmare, avnd n vedere i conexiunea de tip serie, valoarea medie a tensiunii redresate va fi sin Vd = 2Vdp = 2 2U
(1.131)
p Acesta este de altfel avantajul esenial al convertoarelor n punte i anume realizarea la ieire a unei tensiuni duble n raport cu aceeai tensiune invers repetitiv pe diode, cum se ntmpl la convertoarele fa de nul. Mai sunt i alte avantaje. Astfel pentru convertorul cu dou pulsuri n punte, fig. 1.120, este necesar o singur tensiune de alimentare de u (t ) = 2U sin t (1.132) N P Forma tensiunilor redresate vd (t ) i vd (t ) , tensiunea vd i curentul redresat id , sunt prezentate n fig. 1.121. Un dezavantaj al convertorului, prezentat la nivelul curentului id(t), const n participarea la conducie a cte dou diode, n serie, 1+2 i 3+4, ceea ce conduce la dublarea cderii de tensiune i a pierderilor de putere n convertor. n acelai timp conducia prezentat mai sus produce un curent alternativ prin transformator, astfel c acesta este bine utilizat. Alt avantaj se refer la numrul de pulsuri ale tensiunii de ieire vd(t). Dac la convertorul monofazat n punte numrul de pulsuri rmne acelai ca la convertorul faa de nul, la convertoarele trifazate n punte, fig. 1.122, numrul de pulsuri se dubleaz de la 3 la 6. Considernd sistemul de alimentare de forma
Fig.1.119 Convertor cu diode n punte.
CONVERTOARE STATICE
Fig.1.120 Convertor monofazat n punte.,
Fig.1.121 Conducia n convertorul monofazat n punte.
u1 (t ) = 2U sin t 2 ) (1.133) 3 4 u3 (t ) = 2U sin( t ) 3 n fig.1.123a este prezentat forma tensiunii redresate de convertorul P, iar n 1.123b de convertorul N. Forma de und a tensiunii vd(t) se poate obine din nsumarea grafic a tensiunilor vPd (t) i vNd(t) , operaie n general dificil. Se constat din fig. 1.123 c pe intervale de /3 conduce cte o diod din P i una din v N, fiecare diod conducnd n total 2/3. Astfel pentru u2 (t ) = 2U sin( t
Fig.1.122 Convertor trifazat n punte.
Fig.1.123 Formele de und pentru convertorul trifazat n punte.
REDRESOARE
intervalul , , cnd conduc n1 i n6, tensiunea de ieire poate fi calculat din fig.1.124 cu 6 2 vd 1 (t ) = u1 (t ) u2 (t ) . (1.134) Pe intervalele urmtoare, procednd n acelai mod, se calculeaz vd 2 (t ) = u1 (t ) u3 (t )
vd 3 (t ) = u2 (t ) u3 (t ) vd 4 (t ) = u2 (t ) u1 (t ) . vd 5 (t ) = u3 (t ) u1 (t ) vd 6 (t ) = u3 (t ) u2 (t ) Aadar pe intervale de /3 tensiunea de ieire vd(t) evolueaz dup tensiunile de linie ale sursei, a cror faz iniial se determin cu uurin din diagrama fazorial din fig. 1.124. Transpunnd n fig.1.123c tensiunile calculate prin (1.109) i (1.110) rezult forma de und a tensiunii vd(t) care conine 6 pulsuri pe perioad. Corespunztor numrului de pulsuri ale tensiunii vd(t) i coninutul de armonici al acesteia se modific n sensul apariiei armonicilor multiplu al numrului de pulsuri, p=6. La fel ca la convertorul cu dou pulsuri n punte se mbuntete substanial i utilizarea sursei. n tabelul 1.2 se prezint principalele Fig.1.124 Diagrama fazorial a tensiunilor de linie. caracteristici ale convertoarelor n punte, notaiile fiind aceleai din tabelul 1.1.
Tabelul 1.2.
(1.135)
p Vd S/Pd0
2 0,9U 1,11
6 2,34U 1,05
Mai rar, i numai n aplicaii speciale i pentru puteri mari, se utilizeaz convertoare cu 12 pulsuri utiliznd alimentare hexafazat, sau trifazat cu conectarea punilor trifazate n serie sau paralel i alimentarea prin transformatoare care produc n secundare sisteme trifazate defazate cu /6 .
1.11.3 COMUTAIA CONVERTOARELOR.
n cele prezentate mai sus convertoarele, indiferent de schema utilizat, i menin tensiunea medie de ieire, Vd, constant. Cderea de tensiune pe diodele convertorului este practic constant n raport cu valoarea curentului de sarcin. n realitate ns n convertor mai are loc o pierdere de tensiune datorit fenomenului comutaiei, care apare la trecerea conduciei de pe o diod pe alta. Acest fenomen este cauzat de timpul necesar pentru blocarea conduciei unei diode, notat mai departe cu tOFF. Se consider convertorul din fig.1.117, curentul id(t)= Id= ct, i dioda n1 n conducie. n momentul n care u2(t) devine mai pozitiv dect
CONVERTOARE STATICE
u1(t), dioda n2 i ncepe conducia, n timp ce dioda n1 continu s conduc. Ambele diode fiind n conducie sursele u1(t) i u2(t) sunt scurtcircuitate, aprnd curentul de scurtcircuit bifazat ik(t). Curenii prin cele dou diode pot fi scrii cu uurin sub forma i1 (t ) = I d ik (t ) . (1.136) i2 (t ) = ik (t ) Ecuaiile (1.136) indic care este mecanismul comutaiei: curentul ik(t) micoreaz curentul prin dioda n1, pn la anularea acestuia, cnd dioda trece n stare de blocare; acelai curent ik(t) contribuie la amorsarea conduciei prin dioda n2; comutaia diodei n1 este posibil ca urmare a intrrii n conducie a diodei n2 i a apariiei tensiunii u2(t) n catodul diodei n1, motiv pentru care aceste convertoare se numesc cu comutaie de la surs (reea). Pe de alt parte i1 (t ) + i2 (t ) = I d (1.137) ceea ce indic faptul c procesul comutaiei nu afecteaz practic curentul debitat. Nu acelai lucru se ntmpl cu tensiunea vd(t). Astfel dac se scrie teorema a doua Kirchhoff prin sarcin i sursele l i 2 se obine di (t ) vd (t ) + L 1 = u1 (t ) dt (1.138) di2 (t ) vd (t ) + L = u2 (t ) dt nlocuind n (1.113) valorile curenilor din (1.111 ) rezult d [ I d ik (t )] vd (t ) + L = u1 (t ) dt (1.139) dik (t ) vd (t ) + L = u2 (t ) dt Efectund derivrile i nsumnd cele dou ecuaii se obine 1 vd (t ) = [u1 (t ) + u2 (t )] . (1.140) 2 Aadar evoluia tensiunii redresate n perioada de comutaie nu are loc dup tensiunea
Fig.1.125 Comutaia convertorului cu p pulsuri fa de nul.
Fig.1.126 Caracteristica extern a unui convertor cu diode.
u2(t) ci dup o alt valoare, evident mai mic, fig.1.125. Astfel apare o cdere de tensiune suplimentar proporional cu suprafaa haurat din figur. Pentru determinarea acestei cderi de tensiune este necesar calcularea unghiului , numit unghi de comutaie sau de suprapunere a
REDRESOARE
conduciei. n primul rnd este necesar expresia curentul de scurtcircuit ik(t) care se determin din fig.1.117 pe baza relaiei di (t ) di (t ) (1.141) L 2 L 1 = u1 ( t ) u2 ( t ) dt dt Utiliznd n (1.141) valoarea curenilor din (1.136) se obine di (t ) (1.142) 2 L k = u1 ( t ) u2 ( t ) dt unde L este inductivitatea de dispersie pe o faz a sursei. n ecuaia (1.141) s-au neglijat rezistenele interne ale surselor, care n mod real sunt mult mai mici dect reactanele L. Din (1.142) prin integrare se obine expresia curentului de scurtcircuit sub forma 2U l ik (t ) = (1 cos t ) , (1.143) 2 L unde Ul este valoarea efectiv a tensiunii de linie. Aadar curentul i2(t) evolueaz dup forma lui ik(t) care are o variaie sinusoidal, iar i1(t) dup Id- ik(t), fig.1.125. Condiia de determinare a unghiului
i2 ( + ) = ik ( + ) = I d p p conduce la:
1 cos =
(1.144)
2 L I d , (1.145) 2U l adic unghiul de comutaie pentru un convertor dat depinde prin L de tensiunea de scurtcircuit a sursei, iar prin Id de curentul debitat de convertor. Cum sursa are tensiunea de scurtcircuit constant, unghiul este determinat numai de curentul debitat. Pentru a se evita comutaia multipl, caracterizat prin rmnerea n conducie simultan a mai mult de dou diode, la proiectare se dimensioneaz astfel convertorul nct pentru curentul maxim debitat
. (1.146) p Cderea de tensiune datorat comutaiei, numit adesea cdere de tensiune reactiv, se poate calcula din fig.1.125 cu relaia
<
1 u (t ) + u2 (t ) V = [u2 (t ) 1 ]d ( t ). (1.147) 2 2 p p Utiliznd relaia (1.145), n vederea eliminrii unghiului de comutaie , se obine p L V = Id . (1.148) 2 Relaia (1.148), prin V< O, indic faptul c are loc o cdere de tensiune, iar prin termenul p L = R , (1.149) 2 care este constant pentru un convertor dat, faptul c relaia (1.148) se poate scrie sub forma V = R .I d , (1.150)
adic valoarea cderii de tensiune reactiv este proporional cu valoarea curentului debitat. Astfel caracteristica extern real a convertorului pentru conducie nentrerupt are forma cztoare din fig.1.126. Pentru convertoarele n punte, ntruct comutaia se repet la intervale de /p, alternativ n convertorul P i n convertorul N, cderea de tensiune reactiv este dubl fa de cea din relaia (1.150).
CONVERTOARE STATICE
n afar de cderea de tensiune reactiv comutaia mai are dou efecte. Pe de o parte durata de 2 2 conducie a diodelor crete de la la + , nrutind regimul termic al acestora. Pe de alt p p parte scurtcircuitele periodice din surs cu durat produc o deformare important a sistemului de tensiuni de alimentare, convertorul fiind un generator de tensiuni deformante. Deformrile apar n , dar au durat variabil , ceea ce face ca aprecierea gradului de deformare s fie p destul de dificil.
1.11.4 INFLUENA SARCINII ASUPRA FUNCIONRII CONVERTORULUI.
puncte fixe, k
Dac convertorul este destinat alimentrii unui circuit intermediar de curent, atunci schema lui echivalent este cea din fig.1.127, unde inductivitatea LF se introduce n mod special pentru reducerea ondulaiilor curentului id(t), iar R+L reprezint sarcina. Bobina LF are rolul de a nmagazina energie electric, n general n intervalele de cretere a tensiunii vd(t), i de a o furniza, la solicitrile sarcinii, respectiv la descreterea tensiunii vd(t). Problema principal a acestei scheme const n dimensionarea inductivitii LF, astfel nct ondulaiile curentului id(t) s fie n interiorul unei limite admise, tinznd spre ideal, cnd id(t) = Id= ct. Se consider un convertor cu p pulsuri n una din variantele n punte sau fa de nul. Ecuaia de echilibru electric, conform fig.1.126 , are expresia Fig.1.127 Schema echivalent pentru did (t ) alimentarea unui circuit intermediar de curent. . (1.151) vd (t ) = Rid (t ) + ( L + LF ) dt n fig.1.128 este prezentat variaia tensiunii vd(t) i a curentului id(t) pe intervalul de conducie al unei diode. n primul rnd se constat c frecvena pulsaiilor curentului id(t) este de p ori mai
Fig.1.128 Ondulaia curentului pentru o sarcin R+L.
Fig.1.129 Simplificarea calculului pentru Id.
mare ca a sursei. Pe de alt parte cderea de tensiune pe rezistena de sarcin vR (t ) = R.id (t ) are aceeai variaie ca i curentul id(t). n intervalul [ t1 , t2 ] di (t ) ul (t ) = ( L + LF ) d dt
(1.152) (1.153)
REDRESOARE
calculabil din relaia (1.151) conform cu ul (t ) = vd (t ) vR (t ) (1.154) este pozitiv, suprafaa A1 fiind proporional cu energia nmagazinat n inductivitile LF + L. n intervalul [ t2 , t3 ] uL (t ) < 0 (1.155) ceea ce nseamn c inductivitile cedeaz energie, proporional cu suprafaa A2. Neglijnd pierderile, din motive de conservare a energiei, cele dou suprafee sunt egale, adic t2 t2 di (t ) (1.156) [vd (t ) vR (t )]d ( t ) = [L + LF ] d d ( t ) = ( L + LF )I d , dt t1 t1 unde prin Id s-a notat ondulaia curentului id(t) , fig.1.128. Din ecuaia (1.156), impunnd ondulaia Id admis, se poate calcula LF ns necesitatea utilizrii expresiilor analitice pentru vd(t) i vR(t), fac practic imposibil aceast ntreprindere. Dac se neglijeaz comutaia tensiunea redresat variaz dup vd (t ) = 2U sin t , (1.157) iar dac ondulaiile curentului sunt mici, ceea ce de fapt se urmrete, vd (t ) = Vd = RI d . (1.158) n aceste ipoteze desenul din fig. 1.127 se modific ca n fig. 1.129. Aria A1 , necesar n ecuaia (1.156), se Fig.1.130 Schem echivalent pentru calculeaz dup circuit intrermediar de tensiune.
A1 = 2 [u1 (t ) Vd ]d ( t ).
(1.159)
Din fig. 1.128 se scrie Vd = 2 sin (1.160) Cu aceast observaie aria A1 se calculeaz la valoarea
A1 = 2 2U (sin t sin )d ( t ) =
(1.161)
= 2U [2 cos ( 2 ) sin ]. Din (1.156) i (1.161), n funcie de ondulaia Id admis pentru curentul de sarcin, rezult 2U [2 cos ( 2 ) sin ] LF + L = (1.162) I d i deci posibilitatea de a calcula inductivitatea de filtrare necesar LF. n general curentul absorbit de la surs are forma determinat de id(t). Rezult aadar c se va absorbi de la surs un curent nesinusoidal, Fig.1.131 Formele de und fundamentala fiind n faz cu tensiunea sursei. Apare pentru tensiuni i cureni. deci un regim deformant, convertorul fiind un generator de curent deformant. De asemenea, ca urmare a coninutului de armonici superioare, factorul de putere total al convertorului este subunitar. n cazul alimentrii circuitelor intermediare de tensiune, scopul fiind reducerea ondulaiilor tensiunii de ieire vd(t), schema echivalent are forma din fig. 1.130, unde prin R se materializeaz sarcina convertorului, iar prin CF capacitatea de filtrare. Se consider
c)
CONVERTOARE STATICE
10
condensatorul CF ncrcat la o tensiune Uc, cu polaritatea din fig. 1.130, iar convertorul cu p pulsuri pe perioad fie n schema n punte, fie n schema fa de nul. Neglijnd comutaia, forma de und a tensiunii redresate vd(t) este prezentat n fig. 1.131 a. Fie prima tensiune a sursei u1 (t ) = 2U sin t . (1.163) Se ncepe analiza fenomenelor ce au loc de la (1.164) t . n condiiile de mai sus u1 (t ) > U c (1.165) i id (t ) = iC (t ) + iR (t ), (1.166) unde d (1.167) id (t ) = CF [u1 (t ) U C ] = CF 2U cos t , dt iar 2U iR (t ) = (1.168) sin t. R Notnd CF R = tan (1.169) dup manipulri simple, rezult 1 ( CF R) 2 sin( t + ). (1.170) id (t ) = 2U R Ca urmare a faptului c iC (t ) 0 , condensatorul CF ncepe s se ncarce peste valoarea tensiunii UC . ncrcarea are loc pe intervalul , att timp ct u1 (t ) > uC (t ), (1.171) unde prin uC(t) s-a notat tensiunea curent la bornele capacitii CF. Unghiul , la care iC (t ) = 0 , se poate calcula din condiia id ( ) = 0 , (1.172) care conduce la + = 0 , (1.173) respectiv (1.174) . 2 Tensiunea la bornele sarcinii R evolueaz n acest interval dup vd(t), deci dup u1(t). Dup condensatorul CF ncepe s se descarce pe rezistena de sarcin R. Dac la t = tensiunea condensatorului a ajuns la valoarea UC, curentul prin R are form U C t (1.175) iR (t ) = iC (t ) = e , R unde constanta de timp a circuitului de descrcare are valoarea = RCF . (1.176) Tensiunea la bornele sarcinii i deci la ieirea redresorului are forma
= = arctg ( CF R) >
vd (t ) = RiR (t ) = U C e . Descrcarea are loc pn se atinge din nou condiia (1.171), de data aceasta sub forma u2 (t ) > U C
(1.177) (1.178)
11
REDRESOARE
considernd c valoarea UC presupus iniial se atinge i la ncheierea procesului de descrcare a capacitii CF. Formele de und ale curenilor id(t), iC(t) i iR(t), n conformitate cu relaia de calcul stabilit mai sus, sunt precizate n fig. 1.130 b, c, d. Se impun cteva observaii. n primul rnd tensiunea medie redresat, ca urmare a ncrcrii condensatorului CF crete peste valoarea Vd fiind o funcie de unghiul . Dependena noii tensiuni medii redresate V'd n funcie de este prezentat n fig. 1.132. Valoarea maxim a tensiunii medii redresate Vd' = kVd (1.179) unde k se atinge pentru CF , cnd datorit energiei teoretic infinite nmagazinate n condensatorul CF, vd(t) este continu, fr ondulaii, la nivelul valorii de vrf a tensiunilor sinusoidale de alimentare. Factorul k se calculeaz cu uurin n funcie de schema convertorului. Astfel pentru convertorul cu 2 pulsuri n punte k = 2 , iar pentru cel cu 6 pulsuri n punte k=1,046. n al doilea rnd o diod conduce un interval 2 Fig.1.132 Variaia < (1.180) tensiunii medii redresate. p avnd deci un regim termic mai uor. Pe de alt parte diodele se sting natural, ca urmare a anulrii curentului id(t), comutaia nemaiavnd loc. n al treilea rnd curentul id(t), care determin curentul absorbit de la sursa de alimentare, este ntrerupt, nesinusoidal i nici mcar fundamentala nu este n faz cu tensiunea sursei. Se produce deci o nrutire a factorului de putere, un regim puternic deformant, convertorul fiind un generator de cureni deformani. n sfrit tensiunea invers repetitiv pe diode se obine prin nsumarea tensiunii sursei cu tensiunea , valoare dubl fa de cazul sarcinii de tip 2 R+L. Ondulaiile tensiunii de ieire vd(t), depind, pentru o sarcin dat R, de valoarea capacitii CF. Dimensionarea capacitii CF este o problem mai complicat, ntruct, pentru a ameliora forma curentului absorbit, se utilizeaz filtre mai complicate, de tipul , sau rezonante prin includerea i de inductiviti alturi de condensatoare UC a capacitii CF, avnd la limit, n cazul =
1.12
CONVERTOARE C.A.-C.C. COMPLET COMANDATE.
Aceste convertoare sunt realizate cu tiristoare obinuite i au ca destinaie alimentarea sistemelor de conversie reglabile cu maini de c.c. de puteri medii i mari, precum i pentru alimentarea nfurrilor de excitaie ale mainilor de c.c. i sincrone.
1.12.1 CONVERTOARE C.A.-C.C. UNIDIRECIONALE.
Un convertor comandat unidirecional cu p pulsuri fa de nul se obine din schema din fig. 1.117, nlocuind diodele cu tiristoare, fig. 1.132. Tiristoarele, avnd posibilitatea de comand pe poart a momentului intrrii n conducie, condiionat de existena unei tensiuni anod-catod pozitive, vor avea un interval limitat n care este posibil amorsarea conduciei, interval numit domeniu de comand. Dac se consider sistemul de tensiuni de alimentare (1.126), tiristorul t1 poate fi comandat ncepnd cu punctul A, fig.1.133, din acelai motiv pentru care n acest punct intr n conducie dioda n, (fig. 1.117). Acest punct, numit unghi de aprindere natural, se gsete cu /p naintea trecerii prin maximul pozitiv al tensiunii din anodul tiristorului, unde p este numrul de pulsuri, avnd aceeai semnificaie ca la convertoarele cu diode. Tiristorul care s-ar fi putut afla n conducie naintea lui t1 este tp. Tensiunea anod-catod pe tiristorul t1 este de forma
CONVERTOARE STATICE
12
1 AK
= u1 (t ) u p (t ) .
(1.181)
Din fig. 1.133 se constat c u1 AK > 0 pe domeniul [AB], corespunznd unui interval msurnd radiani, care constituie domeniul de comand a fiecrui tiristor al convertorului. Unghiul de comand al intrrii n conducie se noteaz de obicei cu , iar = 0 se poziioneaz n punctul A. Aproape ntotdeauna comanda celor p tiristoare se face simetric, adic la acelai unghi . n fig. 1.134 se prezint forma de und pentru tensiunea de ieire Fig.1.132 Convertor comamdat vd(t) n cazul conduciei nentrerupte prin sarcin, unidirecional fa de nul. id (t ) 0 i un unghi de comand oarecare . Impulsurile de comand sunt desenate n partea superioar a figurii, numerotndu-se dup tiristorul comandat. Tensiunea medie redresat se calculeaz conform cu
Fig.1.133 Domeniul de comand.
p +
Fig.1.134 Tensiunea redresat
1 p (1.182) 2U cos t.d ( t ) = 2U cos = Vd cos , 2 + p p p unde Vd este tensiunea medie redresat pentru convertorul similar cu diode i care se obine pentru unghiul de comand natural =0. Dependena este prezentat n fig. 1.135. Caracteristica, numit de comand, conine dou zone distincte: Vd = , , pentru care Vd > 0, , iar puterea 2 debitat de convertor este Pd = Vd .I d 0 (1.183) delimiteaz funcionare n regim de redresor cnd puterea electric circul dinspre convertor spre sarcin. A doua zon, convertorului Prima zon, 0
sin
, pentru care Vd 0, iar puterea

Fig.1.135 Caracteristica de
Pd < 0 , (1.184) comand. delimiteaz regimul de ondulor, cnd, dac sarcina poate genera putere electric, aceasta circul dinspre sarcin spre convertor, avnd loc o transformarea a puterii de c.c. n putere de c.a., ca urmare a alimentrii convertorului de la o surs de c.a. n cazul
13
REDRESOARE
convertoarelor cu tiristoare avnd schema n punte, asemntor convertorului cu diode din fig. 1.119, comanda i conducia pentru cele dou convertoare componente P i N decurg dup modelul convertorului fa de nul, tensiunea Vd fiind dubl ca valoare fa de cea din relaia (1.182). Avnd n esen aceleai avantaje i dezavantaje ca i convertoarele similare cu diode, cele mai utilizate convertoare cu tiristoare sunt cele n punte cu 2 i 6 pulsuri. La puteri mari i foarte mari se realizeaz i convertoare cu 12 pulsuri dup scheme similare cu ale convertoarelor cu diode.
1.12.2 COMANDA CONVERTOARELOR C.A.-C.C.
Comanda convertoarelor cu tiristoare trebuie s asigure urmtoarele deziderate: elaborarea comenzii n interiorul domeniului de comand, cu posibilitatea de reglare continu a fazei de apariie a impulsurilor; faza de generare a impulsurilor s fie precis, cu cerine suplimentare n cazul cnd n schema convertorului sunt utilizate tiristoare n paralel sau serie; impulsurile de comand s aib o putere suficient pentru a asigura amorsarea sigur, indiferent de temperatura la care se gsete tiristorul; limea impulsului s fie suficient de mare pentru a permite creterea curentului prin tiristor la valori superioare curentului de meninere; s se asigure separarea galvanic ntre circuitul de comand, de generare a impulsurilor, i circuitul poart-catod al tiristoarelor. n fig. 1.136 este prezentat o schem bloc de principiu a circuitului de comand de tip analogic aferent unui tiristor dintr-un convertor cu p pulsuri fa de nul. Scheme de comand de acest fel mai sunt nc utilizate n aplicaii, n Fig.1.136 Schema bloc pentru comanda n faz. paralel dezvoltndu-se scheme numerice de comand, care ca urmare a performanelor superioare s-au impus n detrimentul celor analogice. Pentru nelegerea principiului i implicaiilor comenzii n faz, principiu care st i la baza comenzilor numerice, se prezint n continuare soluionarea problemei la nivelul analogic. Sincronizarea fazei de generare a impulsurilor cu faza tensiunii anod-catod pe tiristor se realizeaz prin aa-numita tensiune de sincronizare, uSI(t), fig.1.137a. Aceast tensiune trebuie s aib o anumit faz iniial care trebuie s corespund domeniului de comand al tiristorului respectiv. Astfel pentru convertorul din fig. 1.132, avnd n vedere domeniul de comand din fig. 1.133, tensiunea de sincronizare trebuie s fie defazat n urma tensiunii u1(t) cu [ ] . n blocul GTLV se 2 p realizeaz tensiunea liniar variabil ULV, fig. 1.137b. n blocul comparator C are loc comparaia acestei tensiuni cu cea de comand Uc. La egalitatea celor dou tensiuni generatorul de impulsuri GI produce un impuls de tensiune Ui de durat t. Modificnd tensiunea de comand ntre limitele 0 U C U CM (1.185) rezult o modificare a fazei de generare a impulsului n domeniul 0 , (1.186) adic acoperirea ntregului domeniu de comand.
Fig.1.137 Semnalele din circuitul de comand.
CONVERTOARE STATICE
14
Schema din fig. 1.136 mai conine un amplificator n putere al impulsului, Al, i izolarea galvanic IG, care se realizeaz concret prin transformatoare de impuls sau optocuploare. n cazul convertoarelor n punte circuitele de comand trebuie s asigure cerina suplimentar a comenzii simultane a tiristoarelor din convertorul P i N care preiau conducia la un moment dat. Astfel, pentru convertorul cu 2 pulsuri n punte, cu schema din fig. 1.120, din formele de und ale P N (t ) , n cazul particular =0, se constat c circuitul decomand trebuie s tensiunilor vd (t ) i vd asigure, n cazul comenzii simetrice, generarea simultan a impulsurilor pe perechile de tiristoare l i 2, respectiv 3 i 4. Ca urmare, circuitul de comand are a configuraie simpl, trebuind s se genereze doar dou impulsuri, pe tiristoarele l i 3, impulsurile pentru tiristoarele 2 i 4 rezultnd prin multiplicare i separare galvanic. Pentru convertorul cu 6 pulsuri n punte, cu schema din P N (t ) , reprezentate fig. 1.122, lucrurile sunt mai complicate. Formele de und pentru vd (t ) i i vd pentru =0, indic necesitatea elaborrii a ase impulsuri de comand, n punctele A, B, C pentru convertorul P i n punctele D, E, F pentru convertorul N, fig.1.123. Rezult un sistem de ase impulsuri simetric decalate ntre ele cu /p . Dar apariia impulsului pe tiristorul l n punctul A nu permite amorsarea conduciei n convertor, ntruct nu primete comand nici un tiristor din convertorul N. Acest lucru este valabil pentru toate tiristoarele convertorului. Evitarea acestui inconvenient se realizeaz relativ simplu prin generarea, pe fiecare tiristor, a unui impuls suplimentar, decalat n urm cu /3, respectiv /p , n punctele A, B, C, D, E i F, fig.1.123. Elaborarea propriu zis a acestor impulsuri suplimentare se realizeaz prin multiplicarea impulsurilor principale i distribuirea lor pe tiristoare conform celor rezultate din fig.1.123.
1.12.3 COMUTAIA CONVERTOARELOR CU TIRISTOARE.
Comutaia convertoarelor cu tiristoare se desfoar ca la convertoarele cu diode, avnd aceleai implicaii. Dac pentru convertoarele cu diode, fig.1.125, comutaia ncepe la /p, comanda fiind natural la =0, pentru un convertor cu tiristoare, comandat la 0 , comutaia va ncepe la
+ i va dura un interval . Evoluia curentului de scurtcircuit ik(t), ecuaia (1.143),
se modific n sensul c integrarea ncepe de la ik (t ) =
+ ,conducnd la expresia (1.187)
2U l [cos cos( + t )] . 2 L Unghiul de comutaie se calculeaz din condiia (1.145) modificat astfel i2 ( + + ) = ik ( + + ) = I d , p p ceea ce conduce la
cos cos( + ) = 2 L I d
(1.188)
. (1.189) 2U l Fa de ecuaia (1.145) n (1.189) apare o dependen suplimentar a unghiului de comutaie cu faza de comand . Astfel din (1.189) rezult unghiuri de comutaie mici pentru valori ale lui n jurul lui /2 i creterea, relativ mare, a acestora pentru valori ale lui spre 0 i radiani. Cderea de tensiune reactiv se calculeaz dup o relaie asemntoare cu (1.147), modificndu-se limitele de integrare corespunztor zonei n care are loc comutaia, rezultnd
15
REDRESOARE
+ +
p 2U l 1 u (t ) + u2 (t ) (1.190) V = [u2 (t ) 1 ]d ( t ) = [cos cos( + )] 2 2 4 + p p nlocuind n (1.190) ecuaia (1.189) se obine expresia cderii de tensiune reactiva sub form identic cu (1.148) adic p L V = Id , (1.191) 2 ceea ce indic independena cderii de tensiune reactiv de unghiul de comand . Rezult deci c V se poate scrie dup ecuaia (1.150) avnd aceleai proprieti. innd cont i de valorile extreme ale unghiului de comand i de valoarea maxim a curentului Id, la proiectarea convertorului se limiteaz la valori cuprinse ntre 10-15 grade.
1.12.4
FUNCIONAREA CONVERTOARELOR N REGIM DE REDRESOR I ONDULOR. CARACTERISTICA STATIC.
Destinaia principal a convertoarelor cu tiristoare const n alimentarea sistemelor de conversie electromecanic cu motoare de c.c., constituind o surs de tipul R+L+E, unde E este tensiunea contra electromotoare a mainii, fig. 1.138.
Fig.1.138 Schema echivalent pentru alimentarea unui circuit de curent.
Fig.1.139 Redresor comandat cu sarcin R.
Prezentarea anterioar a presupus un curent de ieire id (t ) 0 , ondulat, dar care nu se anuleaz pe intervalul de conducie a unui tiristor. ntreruperea curentului id(t) are efecte importante n funcionarea convertorului. n fig.1.138 se consider un convertor cu 2 pulsuri n punte avnd sarcin rezistiv i fiind comandat la un unghi oarecare n regim de redresor. Conducia prin convertor se ntrerupe la , ntruct tensiunea u1(t) devine negativ i tiristorul se autoblocheaz. Curentul debitat de convertor v (t ) id (t ) = d (1.192) R
Fig. 1.140 Caracteristica de comand.
Fig.1.141 Conducia pe sarcin R+L.
CONVERTOARE STATICE
16
are evident aceeai form de variaie cu vd(t). Tensiunea medie redresat are valoarea 1 1 + cos Vd = 2U sin t.d ( t ) = Vd (1.193) 2 Comparnd (1.193) cu (1.182) se constat o cretere a lui Vd i modificarea caracteristicii de comand, dup curba l din fig. 1.140. Pentru sarcini ce conin pe lng rezisten i o inductivitate, procesul de conducie este esenial influenat de energia vehiculat de aceasta. Astfel n fig. 1.141 se exemplific efectul inductivitii asupra conduciei pentru un convertor cu 2 pulsuri n punte, comandat la unghiul n redresor. Tensiunea vd (t ) = uR (t ) + uL (t ), (1.194) unde uR (t ) = R.id (t ), (1.195) iar di (t ) uL (t ) = L d . (1.196) dt Forma de variaie a curentului id(t) este puternic influenat de prezena bobinei. n intervalul ct uL(t)>0 inductivitatea nmagazineaz energie proporional cu aria A1. Aceast energie este cedat n momentul cnd uL (t ) = u (t ) uR (t ) < 0 (1.197) i este proporional cu aria A2. Neglijnd pierderile, cele dou arii sunt egale, determinndu-se astfel prelungirea conduciei de la la +. Trebuie menionat, c pe acest interval, dei u1(t)<0, tensiunea anod-catod pe tiristorul aflat n conducie continu s rmn pozitiv, ca urmare a apariiei n circuit a tensiunii de autoinducie a bobinei, generat de descrcarea energiei acesteia. Valoarea medie a tensiunii redresate este dat de + 1 cos + cos (1.198) 2U sin t.d ( t ) = Vd Vd = 2 i este de asemenea mai mare dect n cazul conduciei nentrerupte. Intervalul de prelungire a conduciei depinde evident de energia acumulat de bobin, deci att de valoarea inductivitii ct i de valoarea curentului ntre id(t). Pentru avnd valori n domeniul[ , ] se obin 2 caracteristici intermediare curba 1 i caracteristica de comand pentru curent nentrerupt, figurate cu linie ntrerupt n fig. 1.140. n cazul cnd sarcina este de tipul R+L+E, fig.1.138, probabilitatea de ntrerupere a curentului id(t) crete substanial, fapt prezentat n fig.1.142, pentru acelai convertor. Probabilitatea de ntrerupere crete ca urmare a faptului c t.e.m. E este de sens opus tensiunii redresate vd(t) , ceea ce se Fig.1.142 Conducia n cazul transpune n fig.1.142, prin deplasarea abscisei la nivelul E. sarcinii R+L+E. Neglijnd cderea de tensiune pe rezistena sarcinii energia acumulat de bobina L este proporional cu aria A1 delimitat de u1(t) i E. Prelungirea conduciei este asigurat de energia cedat de bobina circuitului, energie proporional cu aria A2. Cum aria A1 se micoreaz sensibil, egalitatea celor dou indic micorarea unghiului de prelungire a conduciei, micorare cu att mai accentuat cu ct E este mai mare. Din fig.1.141 i 1.142 se mai constat c probabilitatea de ntrerupere a curentului crete de asemenea cu ct unghiul de comand este mai apropiat de /2. Una din consecinele ntreruperii conduciei a fost deja prezentat i const n creterea tensiunii medii redresate la acelai unghi de comand, inconvenient major n cazul alimentrii motoarelor de c.c. Al doilea inconvenient este sesizabil
17
REDRESOARE
din fig. 1.140 pentru
(1.199) 2 i const n faptul c, pentru acelai , funcionarea poate fi n redresor sau ondulor n funcie de gradul de ntrerupere al curentului. ntruct funcionarea n regim de ondulor are i alte particulariti se analizeaz n continuare o astfel de funcionare, de asemenea, pentru convertorul cu dou pulsuri n punte. Pentru realizarea regimului de ondulor trebuie realizate mai multe condiii. Prima condiie se refer la unghiul de comand a care trebuie s fie n domeniul
(1.200)
Cea de a doua condiie rezult din fig.1.143. ntruct curentul id(t) nu poate inversa de sens prin tiristoare, iar puterea circul dinspre sarcin spre sursa de alimentare, polaritatea t.e.m. E trebuie inversat fa de regimul de redresor. n sfrit, intrarea n conducie a tiristoarelor se realizeaz dac E > vd (t ) , (1.201) relaie care se transfer, la nivelul tensiunii medii, n E > Vd .
(1.202)
Fig.1.143 Convertor cu dou pulsuri n regim de ondulor.
Fig.1.144 Funcionarea n regim de ondulor la = 3 / 4 .
O funcionare n regim de curent nentrerupt la = 3 / 4 este prezentat n fig.1.144. Suplimentar, n fig.1 144c este prezentat forma de und pentru tensiunea anod-catod, u1 AK (t ) , pe tiristorul 1. Se tie c pentru blocarea unui tiristor obinuit, lent, este necesar un timp tb 300 s (1.203) ceea ce corespunde unui unghi b 5, 40 . (1.204) Pentru cazul prezentat n fig.1.144c, intervalul n care, fr a lua n considerare unghiul de comutaie , u1 AK (t ) < 0 , este de /4, deci suficient pentru blocarea certa a tiristorului. Dac ns unghiul crete la , tensiunea u1 AK (t ) devine pozitiv i blocarea tiristorului nu mai este posibil. Acesta rmne n conducie, n regim de redresor la , cnd tensiunea vd(t) este pozitiv. Schema
CONVERTOARE STATICE
18
echivalent a convertorului n aceast situaie este prezentat n fig.1.145. Ca urmare a nsumrii polaritii celor dou surse din circuit curentul id(t) capt valori apreciabile, mai mari dect curentul de scurtcircuit. Evenimentul, care este unul de avarie, se numete curent bascularea ondulorului n redresor. Evitarea apariiei acestei avarii se realizeaz prin limitarea comenzii maxime n ondulor dup max b , (1.205)
Fig.1.145 Bascularea ondulorului n redresor. Fig.1.146 Caracteristica extern.
unde , unghiul de comutaie, se limiteaz la 15-20. Avnd n vedere valoarea lui i b (1.206) max 145 1550 . Pentru tiristoare rapide unde tb 1, 2 10 s (1.207) unghiul max se limiteaz la valori mai mari. Pentru corelarea valorilor tensiunilor medii n ondulor cu cea n redresor, se limiteaz i unghiul de comand minim la min 15 250 . (1.208) Caracteristicile externe ale convertoarelor reprezint dependena Vd = f ( I d ) (1.209) pentru diverse unghiuri de comand . Caracteristicile ideale, neglijnd comutaia i considernd conducia nentrerupt, sunt prezentate cu linie ntrerupt n fig.1.146. n cazul lurii n calcul a comutaiei, tensiunea medie redresat se modific dup Vd' = Vd R I d , (1.210) ceea ce provoac o scdere a tensiunii n funcionare ca redresor i o cretere a tensiunii n invertor, proporional cu valoarea curentului mediu redresat Id. Pentru curenii Id mici, favorabili ntreruperii conduciei, tensiunile medii redresate cresc ca valoare, iar caracteristicile externe devenind neliniare. Zona de curent ntrerupt, pentru o sarcin dat, este delimitat n fig.1.146 cu linie ntrerupt. Din familia de caracteristici din fig.1.146 se exclud evident cele pentru min i max . Dezavantajele ntreruperii conduciei, evideniate mai sus, provoac destul de multe neplceri n aplicaiile concrete. Evitarea acestora se realizeaz prin nscrierea cu sarcina a unei inductiviti speciale LF, numit inductivitate de filtrare. Calcului ei se face din dou considerente: evitarea ntreruperii conduciei la curent minim prin convertor, de obicei curentul de mers n gol al sarcinii; limitarea ondulailor curentului id(t) n limite admise de sarcin, element important cnd sarcina este o main de c.c.
19
REDRESOARE
n general acest mod de soluionare a ntreruperii conduciei d rezultate satisfctoare, chiar dac contribuie la diminuarea randamentului conversiei i la nrutirea dinamicii de cretere a curentului n ansamblul convertor-sarcin.
1.12.5 CONVERTOARE BIDIRECIONALE.
Un convertor unidirecional alimentnd o sarcin de c.c. asigur dou funcionri distincte pentru sistemul de conversie: funcionarea ca motor ntr-un sens de rotaie; frnarea recuperativ, pn la oprire, pentru acelai sens de rotaie. Funcionarea ca motor a mainii electrice este anulat la comanda de reducere a vitezei de rotaie. Ca urmare a comenzii se diminueaz tensiunea medie redresat Vd, la valori mai mici dect t.e.m. E, ceea ce blocheaz conducia prin convertor. Frnarea sistemului de conversie decurge liber, pe seama cuplului static rezistent, reintrarea n conducie a convertorului avnd loc cnd Vd>E. Frnarea recuperativ, pentru ndeplinirea condiiilor de funcionare a convertorului n regim de ondulor, presupune, n primul rnd, Fig.1.147 Schema de principiu a unui convertor inversarea polaritii t.e.m. E, care se poate bidirecional. realiza numai prin comutare cu contactoare n circuitul convertor-main. n al doilea rnd, comanda trebuie deplasat n ondulor la valoarea max pentru a evita intrarea n conducie a convertorului la valori mari de curent. Realizarea acestor condiii presupune introducerea unor scheme logice suplimentare, precum i apariia unui interval de timp n care maina este nealimentat, deci avnd cuplul nul, care poate s nu fie acceptabil pentru sistemul de conversie. Realizarea inversrii sensului de rotaie presupune inversarea polaritii tensiunii vd(t), care, n cazul utilizrii unui convertor unidirecional, necesit o comutare prin contactoare, soluie neagreat ca urmare a unor dezavantaje uor de neles. Varianta cu comutare n circuitul inductor, avantajoas ca urmare a curentului de excitaie mai mic, introduce, ca urmare a constantei de timp mari a nfurrii de excitaie, timpi mori, de cuplu nul, mult mai mari ca n cazul comutrii retorice. Ambele metode se utilizeaz foarte rar i numai n cazul sistemelor de conversie cu reversri ale sensului de rotaie i frnri de frecven redus. Sistemele de conversie moderne folosesc convertoare bidirecionale, de 4 cadrane, care se realizeaz, prin cuplarea n opoziie a dou convertoare unidirecionale identice i alimentate de la surse identice, dup schema din fig.1.147. Convertorul l se comand la unghiul 1 = , (1.211) iar convertorul 2 la 2 = . (1.212) n acest fel Vd 1 = Vd cos (1.213) Vd 2 = Vd cos( ), cele dou tensiuni fiind n permanen egale n modul, nepermind nchiderea unui curent continuu ntre cele dou convertoare, fig.1.148. Preluarea conduciei de un convertor sau altul depinde de unghiul de comand i starea sarcinii. Astfel pentru funcionarea n cadranul 1 se presupune, fig.1.149,
CONVERTOARE STATICE
20
Fig.1.148 Caracteristica de comand.
Fig.1.149 Funcionarea n cadranul 1.
0 1 t.e.m. a sarcinii cu polaritatea din figur, iar
(1.214) (1.215)
Vd 1 > E .
Avnd n vedere cele de mai sus rezult
2 (1.216) Vd 2 < E , ceea ce nseamn c acest convertor, dei comandat n ondulor nu poate prelua conducia, fiind blocat datorit nendeplinirii condiiei de funcionare (1.178). Pe de alt parte convertorul 1 are ndeplinite condiiile de intrare n conducie i preia curentul n regim de redresor. Se consider pentru aceast funcionare Vd > 0, I d > 0. Funcionarea n cadranul 2, fig.1.150, se obine prin creterea unghiului de comand la valoarea ' > , dar pstrnd aceleai regimuri de funcionare pentru cele dou convertoare. Astfel Vd 1 < E (1.217) Vd 2 < E , ceea ce nseamn ca primul convertor, dei comandat n redresor, nu poate prelua conducia, n timp ce convertorul 2 preia curentul n regim de ondulor, realiznd o frnare cu recuperare a mainii de c.c.. Avnd n vedere c funcioneaz convertorul 2, tensiunea Vd > 0 , n timp ce I d < 0. Conducnd treptat 1 spre /2 se obine oprirea motorului. Continund deplasarea unghiului de comand astfel nct
2 respectiv
1 ,
(1.218)
21
REDRESOARE
, (1.219) 2 convertorul 2 trece n regim de redresor, alimentnd motorul cu polaritate invers, ceea ce produce inversarea sensului de rotaie i implicit schimbarea polaritii t.e.m. E, fig.1.151. Evident Vd 2 = Vd 1 > E . (1.220) Din (1.220) i fig. 1.151 rezult c funcionarea convertorului 1 n ondulor nu este Curentul I d < 0 i Vd < 0 caracterizeaz funcionarea n cadranul 3. Funcionarea n 4,fig.1.152, se obine modificnd n continuare unghiurile de comand astfel nct, aceleai regimuri de funcionare pentru cele dou convertoare, Vd 1 = Vd 2 < E , posibil. cadranul pstrnd (1.221)
0 2
ceea ce conduce la blocarea convertorului 2 i la preluarea conduciei, n ondulor, de convertorul 1. Corespunztor vom avea I d > 0 i Vd < 0 , deci funcionare n cadranul 4. Modificarea n continuare a unghiurilor de comand permite trecerea funcionrii n cadranul 1. Tensiuni i cureni de circulaie. Tensiunile produse de cele convertoare, vd 1 (t ) i vd 2 (t ) nu au amplitudinile egale n timp, fiind variabile. Diferena dintre ele d natere la cureni, care se nchid ntre cele dou convertoare, variabili n timp i numii cureni de circulaie. Mecanismul apariiei acestor este exemplificat pentru convertorul bidirecional cu 2 pulsuri in punte, n conexiune antiparalel, fig.1.153. Se consider cele dou convertoare antiparalel l i 2 comandate la . (1.222) 2 Formele de und pentru vd 1 (t ) i vd 2 (t ) sunt prezentate n fig. 1.155 a i b. Considernd comandate tiristoarele l i 2, respectiv 1 i 2', se constat c exist dou contururi independente prin care se pot nchide curenii ic' i respectiv ic'' . Rezistenele din cele dou contururi sunt practic neglijabile. Considernd inductivitatea de dispersie L a sursei mult mai mic dect Lk, ceea ce corespunde realitii, atunci se pot scrie ecuaii de determinare a celor doi cureni conform cu di ' (t ) u (t ) = 2 L c , (1.223) dt respectiv di '' (t ) u (t ) = 2 L c . (1.224) dt
1 = 2 =
CONVERTOARE STATICE
22
Fig.1.153 Convertor bidirecional n conexiune antiparalel.
Din (1.200) i (1.201) rezult c valorile curenilor ic' i ic'' sunt practic limitate doar de inductivitile L, tensiunea u(t) a sursei regsindu-se pe perechile de bobine L, ' '' , respectiv uc . Formele de und ale acestor tensiuni, formnd aa-numitele tensiuni de circulaie uc precum i a curenilor de circulaie O sunt prezentate n fig.1.155 c i d. ntruct forma tensiunilor de circulaie depinde de valoarea unghiurilor de comand, att forma ct i valoarea celor doi cureni de circulaie depind de comanda convertoarelor. Pentru convertorul din fig.1.153 aceast dependen este prezentat n fig.1.154. Ca urmare dimensionarea bobinelor Lk, avnd ca rol limitarea valorilor curenilor de circulaie, trebuie efectuat la =
. Prezena
curenilor de circulaie conduce pe de o parte la ncrcarea suplimentar a tiristoarelor convertoarelor, iar pe de alt parte la diminuarea randamentului conversiei, ca urmare a pierderilor de putere suplimentare n tiristoare i bobinele Lk. Prevederea a cte dou bobine Lk pe fiecare contur de circulaie este determinat de funcionarea n sarcin. Astfel, dac convertorul l preia i curentul de sarcin Id, prima bobin preia suma celor doi cureni, n timp ce a doua preia numai curentul de circulaie ic. Pentru a evita prevederea unor inductiviti supradimensionate, se accept saturarea primei bobine i deci reducerea substanial a inductivitii acesteia, limitarea curentului de circulaie fcndu-se numai de cea de a doua bobin, nesaturat i avnd inductivitatea nominal. Prezena curenilor de circulaie i bobinelor Lk este exploatat i n sens favorabil. Printr-o dimensionare atent a bobinelor Lk i impunerea valorii curenilor de circulaie, astfel nct s fie nentrerupi, se asigur un
Fig.1.154 Dependena curenilor de circulaie de unghiul de comand.
Fig.1.155 Forme de und pentru tensiuni i cureni de circulaie.
23
REDRESOARE
regim de conducie nentrerupt pentru cele dou convertoare, independent de curentul de sarcin id(t). Diminuarea efectelor curenilor de circulaie i realizarea unor convertoare economice au condus la realizarea unor scheme mai performante. O astfel de variant, numit n cruce, este exemplificat n fig.1.156 pentru un convertor bidirecional cu 2 pulsuri n punte. Caracteristica principal a acestui convertor const n existena unui singur contur de curent de circulaie, ceea ce necesit numai dou bobine Lk, n schimb sursa de alimentare trebuie s fie un transformator cu dou secundare identice, alimentarea celor dou convertoare trebuind s se fac de la dou surse identice, dar separate galvanic. Varianta modern a convertoarelor bidirecionale este cea fr cureni de circulaie.
Fig.1.156 Convertor bidirecional n cruce.
Fig.1.157 Convertor bidirecional fr cureni de circulaie.
O astfel de schem provine din cea din fig.1.153 prin eliminarea bobinelor de limitarea a curenilor de circulaie LK, fig.1.157. Anularea curenilor de circulaie se realizeaz prin comanda convertoarelor. Sistemul de comand este prevzut cu un dispozitiv logic care, n funcie de comand i starea sarcinii, autorizeaz generarea impulsurilor numai pe un convertor . Trecerea conduciei de pe un convertor pe altul se face cu o pauz de comand, interval n care nici un convertor nu este comandat. Aceast pauz este de ordinul milisecundelor, are ca scop stingerea proceselor electromagnetice din convertoare i practic nu influeneaz regimul de funcionare al sarcinii. Scheme asemntoare cu cele din fig.1.153,1.156 i 1.157 se realizeaz i pentru convertoare cu 3 pulsuri sau 6 pulsuri n punte. Singura diferen const n variaia curenilor de circulaie n funcie de comanda .
lucru.
1.13.
CONVERTOARE C.C.-C.C.
Convertoarele c.c. - c.c. bidirecionale, de 4 cadrane, ca urmare a unor performane superioare, nlocuiesc convertoarele c.a. - c.c. comandate la puteri mici i medii. Performanele deosebite a acestor convertoare constau n: schem mai simpl i deci costuri mai reduse ale echipamentelor; funcionarea numai n conducie nentrerupt; frecven de comutaie ridicat, cu avantaje n spectrul de armonici al tensiunii i curentului de ieire. 1.13.1 CONVERTOARE C.C. C.C. CU MODULAIE N LAIME BIPOLAR. Schema unui convertor c.c. - c.c. bidirecional este prezentat n fig.1.162, comutatoarele statice utilizate fiind IGBT. Convertorul poate fi realizat i cu tranzistoare bipolare sau MOSFET, precum i cu tiristoare GTO. Realizarea acestor convertoare cu tiristoare obinuite, variant
Fig.1.162 Convertor c.c.-c.c. bidirecional.
constructiv mai veche, este practic abandonat n prezent ca urmare a dificultii realizrii stingerii forate a conduciei. Se consider convertorul alimentat de la un circuit intermediar de tensiune continu Vd constant, asigurat printr-un condensator de filtrare CF de valoare mare. La bornele de ieire 1-2 este conectat o sarcin de tipul R+L sau R+L+E. Comanda convertorului este de tipul cu modulaie n lime, PWM, varianta cea mai utilizat n aplicaii. O schem bloc de comand tipic are structura din fig.1.164. Elementele schemei tipice de comand sunt G- generator de tensiune triunghiular; C - comparator; GI - generator de impulsuri cu durat variabil; CG - circuit de comand pe poart IG - izolare galvanic.
65
Generatorul de impulsuri GI furnizeaz dou tensiuni de ieire U E i U E n sistem logic. Circuitele de comand pe poart CG sunt specifice tipului de dispozitiv semiconductor de putere utilizat cuprinznd de obicei i anumite tipuri de protecie Fig.1.163 Schem principial de comand. (supracurent, supratemperatur, etc.). Izolarea galvanic se realizeaz de obicei prin optocuploare. Relativ recent s-au conceput circuite integrate specializate pentru comanda pe poart a unui bra sau al ntregului convertor, prelund cea mai mare parte a funciilor schemei din fig.1.163, izolarea galvanic realizndu-se la nivelul tensiunilor U E , respectiv U E . Principiul de funcionare al convertorului este prezentat n diagramele din fig.1.164. Logica de comand a comutatoarelor statice rezult din comparaia tensiunii de comand UC, variabil n limitele U CM U C +U CM , (1.234) i tensiunea triunghiular v(t), avnd perioada T, respectiv frecvena 1 (1.235) f = , T
i valoarea maxim l =U V (1.236) CM Astfel, dac U C v (t ) (1.237) sunt comandate pentru intrarea n , n timp ce conducie CS1+ i CS2
CS1 i CS2+ sunt necomandate, deci blocate. ntruct CS1+ este n conducie, tensiunea u1N (t ) = Vd (1.238) iar u2 N (t ) = 0 . (1.239) Pentru cazul cnd U C < v (t ) (1.240) comanda comutatoarelor statice se sunt inverseaz, CS1+ i CS2
deschise, iar C S 1 i CS2+ sunt nchise. Evident tensiunea u1N (t ) = 0 . (1.241) u2 N (t ) = Vd (1.242)
Fig. 1.164 Funcionarea convertorului c.c.-c.c. bipolar.
Tensiunea la ieirea convertorului este dat de u (t ) = u1N (t ) u2 N (t )
66
i are o variaie de tip dreptunghiular ntre limitele Vd , +Vd motiv pentru care modulaia se numete bipolar. Valoarea medie a tensiunii de ieire U se calculeaz dup relaia (1.219) calculnd valorile medii pentru tensiunile u1N i u2 N . n acest scop se stabilete dependena tensiunii v (t ) n funcie de timp. Astfel, pentru intervalul T 0t , (1.243) 4 se obine l t . v (t ) = V (1.244) T /4 Punnd condiia egalitii tensiunii de comand Uc cu v (t ) se poate determina punctul A, fig.1.164, respectiv intervalul U .T t1 = c . (1.245) l 4V
Durata de conducie dintr-o perioad T a comutatoarelor statice CS1+ i CS2 , care furnizeaz tensiunea u1N (t ) , este
T T Uc = . (1.246) 1+ l 2 2 V Se definete durata relativ de conducie a acestor dou comutatoare statice prin T 1 U D1 = C = 1 + c . (1.247) l 2 2 V TC = 2t1 +
Valoarea medie corespunztoare tensiunii u1N (t ) se calculeaz conform cu
U1 N 1 = T
TC
u
0
1N
(t )dt =
TC Vd = D1.Vd . T
(1.248)
n acelai mod se definete durata de conducie relativ pentru C S 1 i CS2+ prin T TC D2 = = 1 D1 , (1.249) T iar valoarea medie corespunztoare tensiunii u2 N (t ) se calculeaz cu
1 C u2 N (t )dt = D2 .Vd . T 0 Valoarea medie a tensiunii de ieire a convertorului se calculeaz cu relaia U U = U1N U 2 N = Vd (2 D1 1) = Vd C . l V U2N =
T T
(1.250)
(1.251)
l este constant, arat Expresia tensiunii medii U, avnd n vedere (1.251) i faptul c V c prin modificarea tensiunii de comand n limitele (2.134) se obine variaia continu i liniar a acesteia n limitele Vd U +Vd , (1.252) adic un convertor bidirecional cu caracteristica de comand din fig.1.165. Caracterul bidirecional este asigurat i la nivelul curentului de ieire i(t), un sens fiind asigurat de CS1+ i CS2 , iar cellalt sens de C S 1 i
+ CS2 . Conducia n convertor este ns mai complicat depinznd att de starea comutatoarelor statice, ct i a sarcinii. Considernd
Fig. 1.165 Caracteristica de comand.
67
o sarcin de tip R+L+E, la aplicarea primului impuls pozitiv al tensiunii u(t), fig.1.164, curentul crete prin circuit dup o variaie exponenial. Avnd n vedere frecvena mare a tensiunii de modulaie triunghiular, de ordinul kHz sau zecilor de kHz, timpul t1 este mult mai mic dect constanta de timp a circuitului L = , (1.253) R astfel c exponeniala se gsete pe poriunea de nceput i poate fi aproximat printr-o dreapt. Presupunnd valoarea iniial a curentului I0, acesta crete la valoarea IM, bobina din circuit acumulnd energie. Evident, avnd n vedere comutatoarele comandate i faptul c i (t ) > 0 , conducia se nchide prin CS1+ i CS2 . n intervalul imediat urmtor, tensiunea u(t)<0 i
+ sunt comandate C S 1 i CS2 , curentul i(t) ncepe s se micoreze, fiind ntreinut de energia acumulat anterior de inductivitatea L, rmnnd pozitiv, nchiderea conduciei nu este posibil + . ntruct descrcarea bobinei trebuie s se produc, prin comutatoarele comandate C S 1 i CS2
+ tensiunea de autoinducie a acesteia deschid diodele antiparalel D1 i D2 , energia circulnd de la sarcin spre sursa de alimentare Vd. La anularea curentului pot intra efectiv n conducie comutatoarele statice comandate, curentul inversnd de sens. Creterea curentului n acest interval produce din nou acumularea de energie n bobin. n intervalul urmtor i (t ) < 0 , deci nu se poate
nchide prin comutatoarele comandate CS1+ i CS2 , astfel c se produce deschiderea diodelor
D1+ i D2 prin care are loc descrcarea energiei bobinei. n continuare conducia este preluat de
CS1+ i CS2 ca urmare a faptului c i (t ) > 0 . Valoarea medie a curentului se calculeaz cu
1 i (t )dt , (1.254) T 0 efectund integrala pe fiecare poriune separat de variaie. Prezentarea de mai sus scoate n eviden faptul c indiferent de valoarea medie a curentului i(t) i de comutatoarele statice comandate, conducia se nchide fie prin acestea, fie prin diodele antiparalel, n funcie de variaia impus curentului de ctre sarcin. Aadar, la acest tip de convertor conducia este ntotdeauna nentrerupt, avnd loc i recuperarea energiei acumulate de bobin. Spectrul de frecvene coninut de u(t) este determinat de frecvena tensiunii modulatoare, armonicile fiind multiplu al acestei frecvene. Avnd n vedere valoarea mare, de ordinul kHz sau zecilor de kHz a acestei frecvene, armonicile apar n poziii nalte influennd mai puin sarcina. Un alt avantaj al frecvenei mari de lucru sunt ondulaiile reduse ale curentului i(t), ncadrabile n limitele admise de motoarele de c.c., de obicei fr prevederea de inductiviti suplimentare. I=
1.13.2 CONVERTOARE C.C. C.C. CU MODULAIE N LAIME UNIPOLAR.
Realizarea unui convertor c.c.-c.c. cu modulaie n lime unipolar nu necesit modificri n schema din fig.1.162, ci numai n strategia de comand. n primul rnd sunt dou tensiuni de comand UC1 i UC2, fig.1.166, care ndeplinesc n permanen condiia U C1 = U C 2 . (1.255)
68
n al doilea rnd, logica de comand presupune comanda braului l, CS1+ i C S 1 , prin comparaia dintre UC1 i v (t ) , iar a
+ braului 2, CS2 i CS2 , din comparaia dintre UC2 i v (t ) . Astfel dac U C1 > v (t ) (1.256)
CS1+ este comandat, iar CS1 deschis. La inversarea condiiei (1.233) se inverseaz i starea celor dou comutatoare . In acelai mod este comandat braul 2, adic, dac U C 2 > v (t ) (1.257)
+ atunci CS2 este comandat iar CS2 deschis, starea comutatoarelor statice inversndu-se odat cu inegalitatea (1.234). n fig. 1.166 rezult, ca urmare a logicii de comand de Fig.1.166 Funcionarea convertorului c.c.-c.c. bipolar. mai sus, formele de und ale tensiunilor u1N (t ) i u2 N (t ) , precum i tensiunea de ieire u(t), calculat cu relaia (1.248). Tensiunea de ieire u(t) este format de asemenea din pulsuri dreptunghiulare cu variaie ns ntre 0 i +Vd , adic o variaie unipolar. Valoarea medie a tensiunii de ieire, U, se calculeaz dup o relaie asemntoare cu (1.228) conducnd la aceeai expresie, respectiv la caracteristica de comand din fig.1.165. Dei la prima vedere rezultatele obinute nu se deosebesc mult de cele de la convertorul bipolar, convertorul cu modulaie unipolar are cteva avantaje. Astfel, prezena n tensiunea de ieire numai a pulsurilor unipolare conduce la micorarea ondulaiilor curentului de ieire, i(t), iar conducia n convertor este mai complex. Astfel, considernd valoarea iniial a curentului i(t) ca fiind I0, n primul interval din fig. 1.166 , i (t ) > 0 , ca urmare a faptului c u (t ) > 0 , conducia se nchide prin CS1+ i CS2 comandate. n intervalul urmtor u (t ) = 0 i curentul ncepe s se micoreze fiind ntreinut de energia acumulat n bobina sarcinii. Curentul nu se poate nchide ns prin comutatoarele statice comandate CS1 i CS2 , ci prin CS2 i D1 , energia bobinei disipndu-se pe sarcin i n interiorul convertorului. n intervalul urmtor, dac sarcina este de tipul R+L+E, curentul i(t) , energia bobinei devine negativ, iar conducia se nchide prin CS1 comandat i dioda D2
disipndu-se tot pe sarcin i n interiorul convertorului. La comutarea comenzii de pe CS1 pe

CS1+ acest circuit se ntrerupe, iar curentul fiind negativ se va nchide prin D1+ i D2 , recupernd energia bobinei prin transmiterea ei spre sursa de alimentare. n continuare conducia decurge alternativ prin comutatoarele statice i/sau diodele antiparalel n funcie de starea comenzii i sensul curentului de sarcin. Valoarea medie a curentului se calculeaz dup relaia (1.231). Rezult aadar c i pentru acest convertor este asigurat regimul de curent nentrerupt. Suplimentar, din analiza formelor de und din fig.1.166, se constat c frecvena tensiunii i curentului de ieire este dubl fa de cazul convertorului bipolar i fa de frecvena tensiunii de modulaie v (t ) . Acest lucru conduce la dou avantaje: frecvena dubl de comutaie la nivelul tensiunii u(t), fa de frecvena de comutaie real a comutatoarelor statice, ceea ce evident diminueaz pierderile de putere din dispozitivele semiconductoare de putere datorate comutaiei;
69
armonicile de tensiune i curent apar la multiplu ntreg al dublului frecvenei tensiunii modulatoare
1.13.3 CONVERTOARE C.C. C.C. N REGIM DE FRNARE.
Ambele convertoare permit regimul de frnare cu recuperare al mainii de c.c. alimentate, care se realizeaz prin comand adecvat a comutatoarelor statice. Problema care apare are n vedere destinaia energiei recuperate. De obicei circuitul intermediar este alimentat de la un redresor necomandat, cu diode, care nu permite transferul energiei spre reeaua de curent alternativ. n acest caz injectarea energiei recuperate n circuitul intermediar are ca loc de
Fig.1.167 Convertor c.c.-c.c. cu circuit de disipare a energiei de frnare.
acumulare capacitatea de filtrare CF. Avnd n vedere c energia acumulat de acest condensator se calculeaz cu 1 WCF = CFVd2 (1.258) 2 efectul va fi creterea tensiunii Vd la valori care pot fi duntoare att pentru condensator, ct i pentru dispozitivele semiconductoare de putere. La puteri mici, unde energia recuperat nu are valori nsemnate, se introduce n circuitul intermediar o rezisten de frnare RF, avnd ca destinaie disiparea energici suplimentare, fig.1.167. n fapt acest circuit este un convertor c.c.c.c. de un cadran realizat cu comutatorul static CSF. Comanda Vd + Vd vd (t ) acestuia se realizeaz printr-un regulator de tensiune, care Vd menine tensiunea din circuitul intermediar n limitele Vd Vd . Comanda CSF este prezentat n fig.1.168. Cnd Vd Vd t tensiunea real la bornele condensatorului depete valoarea maxim din Vd + Vd comutatorul static CSF trece n starea CSF on ON, iar la atingerea limitei Vd Vd trece n starea OFF. n cazul puterilor medii i mari aceast soluie nu este t economic, apelndu-se la alimentarea circuitului intermediar de la un convertor comandat bidirecional cu tiristoare sau de Fig.1.168 Comanda CSF. la un redresor PWM.
1.13.4 TIMPUL MORT AL CONVERTOARELOR C.C. C.C.
Strategia de comand a celor dou tipuri de convertoare descrise mai sus realizeaz o comand n antifaz a comutatoarelor statice de pe un bra, de exemplu CS + i CS , fig.1.167. ntruct un dispozitiv semiconductor de putere nu comut din starea de conducie n starea blocat instantaneu ci ntr-un timp finit tOFF . n acest interval, primind comand i cellalt comutator static de pe braul n discuie, se creeaz un circuit prin care sursa Vd este scurtcircuitat. Evident, regimul de avarie care apare nu este fericit nici pentru sursa de alimentare i nici pentru
70
dispozitivele semiconductoare de putere. Eliminarea acestui inconvenient se realizeaz prin introducerea aa-numitului timp mort, td , ntre comanda de stingere a unui comutator static i cea de intrare n conducie pentru cellalt comutator static de pe bra. Evident timpul mort trebuie s ndeplineasc condiia td > tOFF . (1.259) Se consider braul l din convertorul din fig.1.167, tensiunea i curentul de ieire avnd sensurile din desen, iar modulaia bipolar. n fig.1.169 suprafeele haurate indic comanda pentru intrare n conducie a lui CS1+ respectiv CS1 , iar td1, respectiv td2, timpul mort ntre aceste comenzi. n intervalul t1, ct CS1+ este comandat, tensiunea u1N (t ) = Vd .
1
+ , astfel c prin D1 i D2
(1.260)
n intervalul t2, cnd CS este nchis, curentul i(t) fiind pozitiv conducia se va nchide u1N (t ) = 0 . (1.261) Acelai lucru se ntmpl ns i pe intervalul td1, fiind n conducie n continuare aceleai diode. Pe intervalul td2, curentul fiind pozitiv, iar CS1+ neprimind nc comand tensiunea u1N (t ) = 0 (1.262) conducia fiind n continuare prin aceleai diode. Tensiunea furnizat de bra capt valoarea u1N (t ) = Vd (1.263) abia la nceputul intervalului t3 cnd CS1+ intr n conducie. Aadar, fa de forma de und a tensiunii u1N (t ) din fig.1.164, introducerea timpului mort produce o micorare a tensiunii cu spaiul aferent intervalului td2, reducere care se calculeaz cu t u1N (t ) = d Vd (1.264) T unde feste perioada tensiunii modulatoare, iar td = td 1 = td 2 . (1.265)
Fig.1.169 Efectul timpului mort pentru i(t)> 0.
Fig.1.170 Efectul timpului mort pentru i(t)<0.
Efectul timpului mort pentru cazul i(t)<0 i acelai bra al convertorului este prezentat n fig.1.170. Pe intervalul t1, dei CS1+ este comandat, ntruct i(t)<0, conducia se nchide prin D1+
, iar tensiunea i D2
u1N (t ) = Vd . Pe intervalul t2 , ca urmare a intrrii n conducie a lui CS tensiunea u1N (t ) = 0 .

1
(1.266) (1.267)
1
71
Pe intervalul td2, ca urmare a blocrii conduciei comutatorului statice CS , conducia

, tensiunea avnd valoarea revine prin diodele D1+ i D2 u1N (t ) = Vd . (1.268) Intervalul t3, identic d.p.d.v. al conduciei cu t1 , este caracterizat prin valoarea tensiunii u1N(t) sub forma relaiei (1.243). Fa de forma de und din fig.1.164 apare intervalul td2 cu creterea de tensiune dat de t u1N (t ) = d Vd . (1.269) T La nivelul tensiunii de ieire a convertorului se obine o cretere sau o micorare a tensiunii de ieire n funcie de sensul curentului i(t). Astfel dac i(t) este pozitiv, fig.1.169, pentru braul i(t) este de asemenea pozitiv i apare o micorare a tensiunii dup relaia (1.264), iar pentru braul 2, curentul fiind negativ, apare o cretere a tensiunii egal cu cea din relaia (1.269). Pe ansamblul convertorului va avea loc o micorare a tensiunii 2t U = U1N U 2 N = d Vd . (1.270) T n cazul i(t)<0, fcnd acelai raionament, rezult o cretere a tensiunii de ieire cu 2t U = U1N U 2 N = d Vd . (1.271) T Caracteristica de comand a convertorului, lund n considerare efectele timpului mort, se modific ca n fig.1.171. Efectele timpului mort n cazul modulaiei unipolare sunt identice, deci conduc la aceleai rezultate. Anularea efectelor timpului mort se poate realiza prin modificarea comenzii UC n sensul creterii acesteia pentru i(t)> 0 i micorarea pentru i(t)<0, astfel nct s se compenseze variaiile de tensiune U . Modificarea comenzii U se face cu valori fixe ntruct variaia de Fig.1.171 Caracteristica de comand tensiune, relaiile (1.247) i (1.248), nu depind de mrimea innd cont de timpul mort. curentului, ci numai de valoarea timpului mort, care este constant pentru un convertor dat. ntruct variaiile de tensiune sunt relativ mici, cel mult de ordinul 1..2%, iar compensarea prin modificarea tensiunii de comand este relativ dificil de realizat, cel mai adesea se utilizeaz convertoarele c.c. - c.c. fr compensarea timpului mort.
1.13.5
FUNCIA DE TRANSFER A CONVERTOARELOR C.C. C.C.
Modelul matematic al convertoarelor c.c. - c.c. se realizeaz n aceleai condiii ca la convertoarele c.a. c.c. comandate. Neglijnd efectele timpului mort i lund n consideraie c prin proiectare limitele Vd nu se ating n funcionarea normal, funcia de transfer a convertorului rezult din (1.228) sub forma U ( s ) Vd YC ( s ) = = =k, (1.272) l U C (s) V
adic convertorul este un amplificator de putere liniar. ntruct la aceste convertoare nu apare necesitatea sincronizrii ntre faza de comand i tensiunea colector - emitor (drena - surs), comanda devine efectiv chiar n momentul generrii ei. Ca urmare ntre intrare i ieire nu exist ntrzieri, convertorul fiind neinerial.
1.14
CONVERTOARE C.C. C.A. INVERTOARE.
Convertoarele c.c. - c.a., numite curent invertoare, s-au dezvoltat n ultimul deceniu ca urmare a progreselor din tehnica dispozitivelor semiconductoare de putere i a performanelor superioare oferite de mainile de c.a. n raport cu cele de c.c. Pentru sistemele de conversie electromecanic, ca unul din domeniile de utilizare a acestor convertoare, se folosesc invertoare trifazate de tensiune sau de curent cu o mare varietate de tipuri de scheme si comand (modulaie). Se remarc faptul c tehnicile de comand permit funcionarea acestor convertoare att n regimul propriu-zis de invertor, conversie c.c. - c.a., ct i n regim de redresor, conversie c.a.-c.c. Varietatea deosebit a schemelor i tehnicilor de modulaie ale invertoarelor utilizate n prezent nu poate fi cuprins n cadrul i obiectivul acestui manual. Ca urmare se vor prezenta tipuri fundamentale de invertoare i tehnici de modulaie, cu scopul stabilirii proprietilor principale, reglarea tensiunii i frecvenei i coninutul de armonici, i pentru a se putea aprecia influena acestora n conducerea unui sistem de conversie electromecanic. 1.14.1 INVERTOARE MONOFAZATE CU DREPTUNGHIULAR MODULAIE N UND
Schema unui astfel de invertor, de tip punte i cu ieire n tensiune, este prezentat n fig.1.172, fiind identic cu cea a unui convertor c.c.-c.c. de 4 cadrane. Se consider alimentarea invertorului de la o surs de tensiune continu avnd Vd= cst. Considernd c se dorete obinerea unei tensiuni de ieire u0(t), de frecven fc, se definete perioada de comand 1 Tc = . (1.273) fc
Fig.1.172 Invertor monofazat de tensiune n punte.
Comanda comutatoarelor statice ale invertorului se face dup logica: - pe prima jumtate de perioad Tc, T1+ , T2 nchise, T1 , T2+ deschise;
+ 1 2 1 + 2
65
- pe a doua jumtate de perioad Tc, T , T deschise, T , T nchise. Comanda i forma de und a tensiunii u0(t) sunt prezentate n fig.1.173, din care rezult c u0(t) este o tensiune alternativ, dar cu o variaie dreptunghiular. Semnalul obinut se poate descompune n serie de armonici, fundamental fiind de forma l1 u1 (t ) = U (1.274) 0 sin 2 f ,
0 c
unde
4 l1 U Vd = 1, 273Vd . 0 =
(1.275)
Avnd n vedere forma lui u0(t) armonicile superioare care apar sunt de rang impar, iar amplitudinea armonicii de rang h este dat de l1 h U 0 l . (1.276) U0 = h Concluziile care rezult din aceast sumar descriere sunt: - tensiunea de ieire a invertorului este constant, modificarea acesteia nsemnnd utilizarea unei surse Vd variabile; - frecvena se poate regla n limite largi prin modificarea perioadei de comand; - coninutul de armonici este important iar prima armonic, de ordinul 3, este semnificativ ca valoare, fiind o treime din fundamental. Forma curentului i0(t) va depinde de sarcina de la ieirea convertorului, coninutul de armonici al acestuia putnd fi diferit doar ca amplitudine faa de cel al tensiunii u0(t). Sarcina fiind de obicei de tip R+L, apare un defazaj ntre curent i tensiune ceea ce face necesar prevederea diodelor antiparalel n scopul asigurrii conduciei nentrerupte prin sarcina. Fig.1.173 Forme de und pentru Conducia prin comutatoarele statice sau prin diodele invertorul n und dreptunghiular. antiparalel se desfoar ca la convertorul c.c. - c.c. de 4 cadrane.
1.14.2 INVERTOARE TRIFAZATE CU DREPTUNGHIULAR. MODULAIE N UND
Un astfel de invertor s-ar putea realiza prin conectarea trifazat, de obicei n stea, a trei invertoare monofazate de tipul celui din fig.1.172. Varianta utilizat n practic, mult mai
Fig.1.174 Invertor trifazat de tensiune.
66
economic, este prezentat n fig.1.174. Invertorul se consider alimentat de la o tensiune continu Vd =cst., iar sarcina, trifazat simetric, de tipul R+L, conectat n stea, cu nulul O izolat. Comanda convertorului se realizeaz pe fiecare bra, n antifaz, ca la convertorul monofazat. Comand pe cele trei brae, A, B si C sunt decalate cu 2 / 3 , aa cum este prezentat n fig.1.175. Tensiunile u AN , uBN i uCN rezult cu uurin analiznd starea comutatoarelor statice de pe fiecare bra. Tensiunile de linie la ieirea convertorului se calculeaz cu u AB = u AN u BN
uBC = u BN uCN
(1.277)
uCA = uCN u AN i au o forma fig.1.175, de tip bipolar, cu variaie ntre +Vd i Vd. Tensiunea pe faza A a receptorului, u AO , se poate calcula conform modelului urmtor. Tensiunile pe cele trei faze rezult din u AO = u AN uON uBO = uBN uON
(1.278)
uCO = uCN uON nsumnd relaiile (1.256) rezult u + uBN + uCN , uON = AN 3 (1.279) u AN + uBN + uCN u AO = u AN 3 ntruct datorit conexiunii trifazate exist relaia u AO + u BO + uCO = 0 (1.280) Aplicnd relaia (1.279) pentru fiecare interval Tc/6 rezult o variaie n trepte a tensiunii u AO de forma celei prezentate n fig.1.175. Armonicile de ordinul l ale tensiunilor 1 1 de linie u1 AB , u BC , uCA formeaz un sistem trifazat simetric de tensiuni de succesiune direct, avnd faza iniial / 6 . Valoarea maxim a tensiunii de linie se calculeaz cu l 1AB = 3 4 V , U (1.281) d 2 iar valoarea efectiv dup l 1AB U 1 U AB = = 0, 78Vd (1.282) 2 Coninutul de armonici superioare al tensiunilor furnizate de braele invertorului este acelai de la invertorul monofazat, adic ntregul spectru de armonici impare. Ca urmare a conexiunii trifazate, n spectrul de armonici al tensiunilor de linie dispar armonicile multiplu de trei, reducnd sensibil deformarea acestora n sensul apariiei, n afara fundamentalei, doar a armonicilor 5, 7, 11, 13 .a.m.d. Armonicile fundamentale ale tensiunilor de faz formeaz de asemenea un sistem trifazat simetric de succesiune direct, defazat fa de sistemul de tensiuni de linie cu / 6 n urm,
Fig.1.175 Formele de und pentru invertorul trifazat.
67
adic caracteristic unui sistem trifazat standard. Se poate arta c similitudinea exist i la nivelul valorilor tensiunilor. Astfel valoarea maxim a tensiunii n faz este l 1AB 2 1 U l U AO = = Vd , (1.283) 3 respectiv valoarea efectiv 2 U1 Vd . (1.284) AO =
Coninutul de armonici al tensiunilor de faz conine ns ntreg spectrul armonicilor impare. Rezult c proprietile acestui tip invertor nu sunt prea favorabile n sensul c: nu se poate regla tensiunea de ieire; coninutul de armonici este bogat i aflat n apropierea fundamentalei. Astfel de scheme de invertoare se realizeaz cu tiristoare lente cu stingere forat i n general la puteri mari. Pentru reglarea tensiunii se apeleaz la alimentarea circuitului intermediar printr-un convertor c.a-c.c. comandat.
1.14.3 INVERTOARE MONOFAZATE DE TENSIUNE CU MODULAIE N LIME A PULSURILOR (PWM).
Se consider un invertor monofazat n punte alimentat de la o surs de c.c. de tensiune Vd=cst., fig.1.172. Modulaia n lime a pulsurilor, curent numit PWM, se realizeaz n dou variante: bipolar i unipolar. Astfel, n cazul modulaiei sinusoidale bipolare, comanda comutatoarelor statice rezult din comparaia tensiunii de comand l c sin 2 f , uc (t ) = U (1.285) c unde fc este frecvena tensiunii de ieire dorit, cu o tensiune modulatorie de tip l i frecven f constante, asemntoare cu cea de la triunghiular, de amplitudine V convertoarele c.c. - c.c., fig.1.176. Logica de comand , rezultat din comparaia menionat mai sus, decurge dup: - pentru cazul cnd uc (t ) v (t ) T1+ , T2 - nchise, iar T1 , T2+ deschise; - pentru cazul cnd uc (t ) < v (t ) funcionarea comutatoarelor statice se inverseaz. Tensiunea de ieire u0 (t ) fig.2.60, este format din pulsuri dreptunghiulare cu variaie bipolar, ntre + Vd i Vd. Evident numrul de pulsuri depinde de frecvena f , iar limea lor este variabil n funcie de variaia tensiunii de comand uc(t). Tensiunea de ieire u0 (t ) conine o fundamental u1 0 (t ) avnd frecvena egal cu a tensiunii de comand i o sum de armonici superioare. In fig.1.176, din motive de f = 7 fc , (1.286)
Fig.1.176 Modulaia sinusoidal bipolar.
simplificare a desenului, s-a adoptat
68
n realitate ns f f c . Ca urmare pentru determinarea amplitudinii tensiunii de ieire se poate adopta metoda de calcul de la convertoarele c.c. - c.c. de 4 cadrane, PWM bipolare, considernd c pentru dou pulsuri triunghiulare alturate tensiunea de comand uc(t) nu se modific semnificativ. Astfel se poate scrie V V l 1 u0 (t ) = d uc (t ) = d U sin 2 f c , (1.287) l l c V V rezultnd o tensiune sinusoidal avnd frecvena i faza iniial a tensiunii de comand. Aceast relaie este corect pentru cazul cnd lc V l, U (1.288) numit domeniu de modulaie n amplitudine liniar. Se definete modulaia n amplitudine prin lc U mA = . (1.289) l V n cazul modulaiei liniare, ecuaia (1.288), rezult 0 mA 1, iar tensiunea de ieire l1 U 0 = m V
A d
(1.290)
(1.291) va fi cuprins n intervalul [0,Vd]. S-a obinut o prim caracteristic favorabil a acestui tip de modulaie constnd n variaia tensiunii de ieire n limite largi prin simpla modificare a amplitudinii tensiunii de comand. Pentru tensiuni de comand lc >V l U (1.292) numai sunt intersectate toate tensiunile triunghiulare, astfel c relaia (1.287) nu mai este l c pe ntreaga valabil, modulaia devenind neliniar. La o anumit valoare a tensiunii U semiperioad Tc/2, uc(t) nu intersecteaz nici o tensiune triunghiular i tensiunea de ieire este format dintr-un singur puls dreptunghiular cu durat Tc/2, convertorul aflndu-se n cazul modulaiei n und dreptunghiular, fig.1.177. Se definete modulaia n frecven prin f mF = . (1.293) fc Coninutul de armonici superioare al tensiunii u0(t) este determinat de modulaia n frecven adoptat pentru convertor. Astfel rangul h al armonicilor superioare este dat de h = j.mF k , (1.294) unde pentru j par, k este impar i invers. Spectrul de armonici este prezentat n fig.1.178. Din (1.294) rezult c modulaia n frecven este bine s fie ct mai mare pentru ca prima armonic superioar s fie ct mai departe de fundamental. Alegerea modulaiei n frecven mai
Fig.1.177 Caracteristica de comand.
Fig.1.178 Spectrul de armonici.
69
depinde i de ali factori. Astfel o frecven f foarte mare conduce la o frecven de comutaie de aceeai mrime pentru comutatoarele statice, ceea ce nseamn o solicitare termic important a acestora. Pe de alt parte trebuie evitat apariia armonicilor importante n spectrul audio n scopul micorrii polurii sonore. Acest deziderat se realizeaz diferit n funcie de strategia de modulaie aleas. Prima, numit modulaie sincron, este caracterizat prin mF= cst. i tensiunile de comand i modulatoare sincronizate, ca faz iniial, ca n fig.1.176 . Considernd motorul alimentat la o frecven maxim de 100Hz, pentru ncadrarea primelor armonici n afara spectrului audio se adopt mF < 21, (1.295) astfel c prima armonic apare n jurul frecvenei de 2kHz, nesesizabil audio. A doua, numit modulaie asincron, lucreaz cu tensiune modulatoare de frecven constant i modulaie n frecventa mF variabil, cele dou tensiuni uc (t ) i v (t ) nemaifiind sincronizate. In acest caz se adopta n general mF > 21 (1.296) astfel ca primele armonici superioare s apar peste frecvena maxim audio de 20kHz. Modulaia asincron are dezavantaje la frecvene mici cnd coninutul de armonici crete n amplitudine i se gsete n spectrul audio. n concluzie modulaia n lime are cteva avantaje importante: - reglarea independent a tensiunii i frecvenei de ieire, preferndu-se modulaia n amplitudine liniar; - posibilitatea controlului coninutului de armonice prin modulaia n frecven adoptat; - posibilitatea modificrii fazei iniiale a tensiunii de ieire prin faza iniial a tensiunii de comand; - realizarea tensiunii de ieire, asemntor ca la convertoarele c.c. - c.c., fr ntrziere n timp. Performantele obinute prin modulaia bipolar se mbuntesc n cazul variantei unipolare. Comutatoarele statice de pe cele dou brae l i 2 se comand independent prin compararea tensiunii triunghiulare cu dou tensiuni de comand uc1 (t ) si uc 2 (t ) , fig.1.179, care ndeplinesc condiia de antifaz uc1 (t ) = uc 2 (t ) . (1.297) Logica de comand se stabilete ntr-un mod asemntor ca pentru modulaia bipolar. Astfel pentru uc1 (t ) v (t ) (1.298) T1+ este nchis, iar T1 deschis. La inversarea inegalitii (1.298) se modific i starea comutatoarelor statice. Pentru braul 2 dac uc 2 (t ) v (t ) (1.299) T2+ este nchis, respectiv T2 deschis, avnd loc de asemenea inversarea strii la inversarea inegalitii (1.276). n fig.1.179 sunt prezentate formele de und rezultate pentru u1N (t ) i u2 N (t ) , precum i pentru u0 (t ) = u1N (t ) u2 N (t ) . (1.300) Cea mai mare parte din concluziile stabilite la modulaia bipolar rmn valabile. Proprietile noi constau n: - variaia unipolar, ntre 0 i +Vd, pe o semiperioad a tensiunii de ieire, ceea ce va conduce la o ondulaie a curentului i0(t) mult mai mic; - frecvena de comutaie din convertor este dubl fa de frecvena tensiunii modulatoare, ceea ce influeneaz favorabil ondulaiile curentului; - mbuntirea apreciabil a spectrului de armonici.
70
Fig.1.179 Modulaia n lime unipolar.
Astfel tensiunile u1N (t ) i u2 N (t ) conin spectrul de armonici caracteristice modulaiei bipolare. Ca urmare a relaiei de calcul a tensiunii u0, armonicile pare din cele dou tensiuni, u2 N (t ) i u2 N (t ) care sunt n faz, se anuleaz. Dac se adopt o modulaie n frecven mF par, atunci spectrul de armonici care apar este de forma 2mF 1, 3, .a.m.d. Aceast realizare ndeprteaz mult primele armonici de fundamental, astfel c, dei valoarea lor este nsemnat, influena asupra mainii se reduce considerabil.
1.14.4 INVERTOARE TRIFAZATE DE TENSIUNE CU MODULAIE N LIME A PULSURILOR (PWM).
Schema unui astfel de invertor este identic cu cea din fig.1.174. Comanda celor trei brae ale invertorului se face prin compararea tensiunii modulatoare de form triunghiular v (t ) cu trei tensiuni de comand de forma , fig.1.180, l c sin 2 f u AC (t ) = U c
l c sin(2 f 2 ) . uBC (t ) = U (1.301) c 3 l c sin(2 f 4 ) uCC (t ) = U c 3 Pe fiecare bra al invertorului logica de comand a comutatoarelor statice rezult dup modelul de la invertorul monofazat de tensiune. Modul de determinare a tensiunilor furnizate de cele trei brae, a tensiunilor de linie i a celor de faz este identic cu cel utilizat la acelai tip de invertor cu modulaie n und dreptunghiular. Pentru exemplificare n fig.1.180, s-au determinat grafic dou tensiuni de bra, u AN (t ) i uBN (t ) i tensiunea de linie u AB (t ) . O prim concluzie
71
Fig. 1.180 Invertor trifazat de tensiune cu modulaie n lime.
rezult din forma tensiunilor de linie care au o variaie unipolar. Dac se construiesc i celelalte dou tensiuni de linie, uBC (t ) i uCA (t ) se constat c armonicile de ordinul l ale acestora formeaz tot un sistem trifazat simetric cu acelai defazaj fa de nceputul comenzii ca la modulaia n und dreptunghiular. Sistemul de tensiuni de faz se calculeaz cu relaii de forma (1.280), rezultnd tot tensiuni sub form de trepte, ca n fig.1.175. Diferena esenial const n forma tensiunilor obinute, care sunt compuse din pulsuri de lime variabil, determinat de valoarea tensiunilor de comand. Modulaiile n frecven i amplitudine se definesc la fel ca la invertorul monofazat i au aceleai proprieti. Calculul tensiunilor de linie i faz se face n ipotezele de la invertorul PWM monofazat, cu observaia c fiecare bra al invertorului lucreaz separat ca urmare a comenzii independente. In fig.1.181 este prezentat funcionarea braului A. Avnd n vedere comanda tensiunea de ieire u AO' , considernd O ' ca un punct median al sursei Vd, are o variaie bipolar n domeniul [+Vd / 2, Vd / 2] . Similar lucreaz i celelalte dou brae B i C. Ca urmare relaia (1.265), n condiiile modulaiei liniare, capt forma lc V V U d u1 sin 2 f c = mA d sin 2 f , (1.302) ' (t ) = AO l 2 2 V unde valoarea efectiv a tensiunii de faz, la nivelul primei armonice, este dat de Vd U1 , (1.303) AO = mA 2 2 iar a tensiunii de linie de U1 3U 1 (1.304) AB = AO = 0, 612m AVd . n cazul supramodulaiei, mA > l, la limit se ajunge la modulaia n und dreptunghiular, cnd valoarea efectiv a tensiunii de linie este dat de ecuaia (1.283). Coninutul de armonici al tensiunii de faz u AO (t ) este cel caracteristic invertoarelor PWM monofazate. Avnd n vedere c o tensiune de linie se calculeaz conform cu
72
u AB (t ) = u AO' (t ) uBO' (t )
(1.305)
i ca urmare a defazajului de 2 / 3 dintre cele dou tensiuni, armonicile multiplu de 3 au aceeai faz i deci prin operaiunile de scdere din ecuaia (1.305) se anuleaz. Aadar spectrul de armonici al tensiunilor de linie este sensibil redus fa de un invertor monofazat, depinznd de modulaia n frecven mF dup relaia (1.295). Dac se alege modulaia n frecven multiplu de trei spectrul de armonici este i mai favorabil n sensul c dispar Fig.1.181 Schema unui bra de invertor trifazat. armonicile de tipul jmF , care sunt cele mai importante ca amplitudine, rmnnd numai armonicile din benzile laterale de tipul jmF 1, 2.... , care au amplitudini reduse.
1.14.5 ONDULAIILE TENSIUNII I CURENTULUI LA IEIREA INVERTOARE.
Aa cum s-a specificat anterior ondulaiile curentului de ieire al unui invertor sunt sensibil diferite fa de cele ale tensiunii ca urmare a sarcinii. ntr-un sistem de conversie electromecanic sarcina este de tipul R+L+e0(t), unde e0(t), este o t.e.m. sinusoidal produs de motor, fig.1.181. De obicei rezistena nfurrii motorului, avnd valoarea mic, se neglijeaz n raport cu reactana acesteia. Din fig.1.181 se poate scrie di (t ) u AO (t ) = eAO (t ) + L A . (1.306) dt Cum t.e.m. eAO (t ) produs de main este sinusoidal, ecuaia (1.306) se poate scrie la nivelul armonicii fundamentale sub forma di1 (t ) 1 u AO (t ) = eAO (t ) + L A , (1.307) dt sau sub forma fazorilor compleci 1 1 U AO = E AO + j LI AO . (1.308) Puterea electromagnetic dezvoltat de main este dat de P = E AO I 1 (1.309) A, ceea ce indic faptul c numai armonica fundamental a curentului produce putere activ. Ca urmare ondulaia tensiunii de ieire, compus din armonicile superioare, este dat de uo (t ) = u AO (t ) u1 (1.310) AO (t ) i nu produce dect putere cu caracter reactiv (deformant). Utiliznd (1.308), (1.309) i (1.310) rezult di (t ) di1 (t ) (1.311) uo (t ) = L A L A , dt dt adic tensiunea pe bobina L, conine ntreaga ondulaie din tensiunea de ieire inclusiv cderea de tensiune datorat armonicii fundamentale. Notnd prin i0 (t ) ondulaia curentului de faz, adic
73
i0 (t ) = iA (t ) i (t )
1 A
(1.312)
(1.313) (1.314)
aceasta se poate calcula din

1 u0 (t )dt + i0 (0) . L 0 Alegnd convenabil momentul t = 0 astfel nct i0 (0) = 0 ,
t
i0 (t ) =
atunci
1 i0 (t ) = u0 (t )dt. L0 Ondulaia de tensiune se pot rescrie sub forma h l0 u0 (t ) = U sin(h c t + h )

h >1
(1.315)
(1.316)
unde h este rangul armonicii superioare. Cu aceast precizare armonica h, coninut n ondulaia curentului, devine h l0 U h sin(h c t + h / 2) , (1.317) i0 (t ) = h c L indicnd reducerea substanial a armonicelor de curent cu creterea rangului acestora, respectiv o ondulaie mai redus a curentului n raport cu tensiunea. Pentru exemplificare grafic, n fig.1.182 se prezint forma ondulaiei i0 (t ) corespunztor unui invertor monofazat PWM, considernd un defazaj ntre 1 i0 (t ) i u1 0 (t ) ca urmare a sarcinii de tip R+L. Datorit acesteia pulsurile cu lime variabil ale tensiunii u0 (t ) provoac, dac sunt pozitive, o cretere Fig.1.182 Forma ondulaiei de curent pentru un exponenial a curentului, iar dac sunt invertor monofazat. negative o descretere de acelai fel. Avnd n vedere constanta de timp a nfurrii L = , (1.318) R care este mult mai mare dect limea pulsurilor de tensiune, practic curentul are mici 1 (t ) fiind evident mult mai aproape de un semnal sinusoidal. variaii n jurul fundamentalei i0
1.14.6 TIMPUL MORT AL INVERTOARELOR.
Timpul mort td ntre comanda de blocare a conduciei pentru comutatoarele statice superioare i comanda de intrare n conducie a comutatoarelor statice inferioare de pe acelai bra al invertorului i reciproc este necesar, din aceleai considerente ca la convertoarele c.c.-c.c. Mai mult, efectele acestuia se calculeaz n acelai mod, concluziile fiind evident aceleai, adic apare o cretere sau o scdere a tensiunii de linie, respectiv de faz, n funcie de semnul curentului i0 (t ) . La nivelul fundamentalei curentului i tensiunii efectul timpului mort este prezentat n
1 fig.1.183. Variaia de tensiune u0 este independent de curentul de sarcin, fiind determinat de
74
mrimea timpului mort td. Compensarea acestui efect se poate realiza prin modificarea amplitudinii comenzii dup l c U sin t , u (t ) = U (1.319)
c
1 . Realizarea unde U c se determin n funcie de u0 concret este ns mult mai dificil dect la convertoarele c.c. - c.c. ca urmare a ondulaiilor curentului i tensiunii, care fac dificil aprecierea intervalului n care curentul este pozitiv sau negativ. Dac ns sunt ns utilizate dispozitive semiconductoare de putere cu timpi de blocare mici, cum ar fi IGBT-uri sau MOSFET-uri, efectul timpului 1 mort poate fi neglijat, variaia de tensiune u0 fiind nesemnificativ ca valoare.
Fig.1.183 Efectele timpului mort asupra fundamentalei.
1.14.7
ALTE TIPURI DE MODULAIE PENTRU INVERTOARE.
mbuntirea performanelor invertoarelor, ndeosebi n ceea ce privete coninutului de armonici, a determinat realizarea unor variante modificate ale tipului de comand PWM. Una dintre variantele de comand const n programarea eliminrii unor anumite armonici, care se
Fig. 1.184 PWM cu programarea eliminrii armonicilor.
Fig.1.185 Programarea ondulaiilor curentului.
realizeaz prin calculul unghiurilor 1,2 ,3 , fig.1.184, respectiv a limii pulsurilor de tensiune, n funcie de rangul armonicilor care trebuie eliminate. Astfel pentru eliminarea armonicilor de ordinul 5 i 7 trebuie calculate unghiurile 1,2 ,3 , fig.1.184, a cror valoare depinde de cea dorit pentru fundamental, adic de valoarea modulaiei n amplitudine. Implementarea acestei comenzi se poate realiza numai cu utilizarea unor circuite integrate specializate, cum ar fi HEF 4752 (Philips) sau de microcontrolere. Evident metoda se poate extinde pentru eliminarea unui numr mai mare de armonici, caz n care i numrul de unghiuri de tip i , care trebuie calculate, crete.
75
O alt variant de comand are n vedere programarea ondulaiilor curentului. Astfel, 1 (t ) a fundamentalei curentului, se admite o variaie fig.1.185, dac se dorete o anumit variaie i0 a curentului real i0 (t ) , prin ondulaiile produse de comand, n limitele
1 1 i0 (t ) i0 i0 i0 (t ) + i0 . (1.320) La fiecare intersecie a valorii curentului real i0 (t ) cu cele dou anvelope poziionate inferior i superior se comand nceputul, respectiv sfritul, pulsului pozitiv de tensiune unipolar. Realizarea acestui tip de comand necesit achiziionarea curentului real i0 (t ) i compararea lui
* cu valoarea impus i0 (t ) pentru fundamental ntr-un comparator avnd histerezisul i0 , fig.1.186.
Fig.1.186 Schem bloc de comand pentru programarea ondulaiilor curentului.
n sfrit una din tehnicile cele mai noi de comand este cunoscut sub numele de modulaie fazorial (vectorial). Acest mod de comand este strns legat de modelul cu orientare dup cmp al mainilor trifazate de c.a.. Astfel pentru invertorul de tensiune din * fg.1.187 comutatoarele statice sunt comandate n aa fel nct fazorul tensiune impus u , pentru maina de curent alternativ, s fie aproximat ct mai bine prin fazorul real 2 4 j j 2 3 (1.321) u = u A0 + u B 0 e + uC 0 e 3 , 3 n condiiile existenei unor restricii de comand i anume: - comutarea simultan a numai dou comutatoare statice; - comutrile s aib loc n acelai bra; - s existe n permanen, prin comutatoarele statice sau diodele antiparalel, un circuit de nchidere a curentului. * Fazorul de tensiune impus u are o variaie continu, descriind un cerc cu diametrul variabil, n timp ce fazorul tensiune de ieire a convertorului poate s ia 7 valori discrete, n funcie de starea comutatoarelor statice, respectiv conduciei, i anume j ( k 1) 2 3 u k = Vd e (1.322) 3 cu k = l,..., 6, adic un sistem hexafazat de tensiuni la care se adaug, pentru k=0, u 0 = 0 .Realizarea celor 7 fazori conduce la urmtoarea secven de comand
76
Fig.1.187 Invertor de tensiune.
u 0 4, 6, 2; u1 1, 6, 2; u 2 1,3, 2; u 3 4,3, 2; u 4 4,3,5; u 5 4, 6,5; u 6 1, 6,5; u 0 1,3,5. Din aceast secven se constat c fazorul u 0 se poate realiza n dou moduri, fie prin comanda celor trei comutatoare statice "sus"; fie a celor trei "jos". Intre cei 6 fazori, posibil de * obinut se delimiteaz 6 sectoare, fig.1.188, n care fazorul tensiune impus u poate s se gseasc la un moment dat. Pentru exemplificare n fig.1.189 acest fazor se gsete n sectorul l, fiind, n coordonate polare, determinat prin * * u = Ue j 0 . (1.324) Exist posibilitatea de aproximare a acestuia, indiferent de sectorul n care se gsete, prin duratele de conectare ale comutatoarelor statice, respectiv ale nivelelor de tensiune adiacente sectorului. Astfel pentru sectorul l, tensiunile care trebuie luate n calcul aproximrii sunt u1 , u 2 i u 0 . Perioada de eantionare n care se face aproximarea se determin n funcie de frecvena de comutaie a convertorului, fc, cu 1 Te = . (1.325) 2 fc Media valorilor celor trei fazori u1 , u 2 , u 0 , ponderat cu duratele de aplicare t1 , t2 , t0 pentru acetia, trebuie s fie egal cu fazorul tensiune impus, adic s existe ecuaia * u1t1 + u 2t2 + u 0t0 = u Te , (1.326) (1.323)
77
Fig.1.188 Fazorul tensiune.
Fig.1.189 Aproximarea fazorului impus.
unde evident t1 + t2 + t3 = Te . Din triunghiul ABC se pot scrie relaiile t AC = 1 U 1 Te (1.327)
t CB = 2 U 2 , Te sau
AC CB AB U* = = = sin( / 3 * ) sin * sin / 3 3/2 Dar avnd n vedere valorile pentru fazorii u1 , u 2 , care sunt date de 2 U1 = U 2 = Vd 3 i ecuaia (1.329) rezult relaiile 2 t1 2U * sin( / 3 * ) Vd = 3 Te 3
(1.328)
(1.329)
(1.330)
2 t2 2U * sin * . Vd = 3 Te 3 Din ecuaiile (1.327), (1.328) i (1.331) se pot calcula duratele de aplicare dup 3U * t1 = Te sin( / 3 * ) Vd t2 = 3U * Te sin * Vd
(1.331)
(1.332)
t0 = Te t1 t2 . Realizarea celor trei fazori este reprezentat n fig.1.190. Primul interval t0/2 corespunde realizrii fazorului u 0 prin conectarea comutatoarelor statice 2,4 i 6. Al doilea interval t1 corespunde realizrii fazorului u1 prin conectarea comutatoarelor Fig.1.190 Calculul duratelor de conectare. statice 1,6 i 2, iar al treilea interval t2 corespunde realizrii fazorului u 2 prin conectarea comutatoarelor statice 1,3, 2. In ultimul interval t0/2 se realizeaz din nou fazorul u 0 , dar prin conectarea comutatoarelor statice l,
78
3 i 5. Astfel duratele de conectare reale pentru comutatoarele statice ale convertorului rezulta din relaiile 1 = Te + t1 + t2
2 = Te t1 + t2 0 = Te t1 t2 .
(1.333)
Aceste durate de conectare se calculeaz pentru fiecare perioad de eantionare i fiecare sector n care se gsete fazorul impus prin relaii asemntoare, n felul acesta se obine o bun aproximare a fazorului impus, ceea ce constituie un avantaj evident d.p.d.v. al reglrii sistemului de conversie. Exist i variante evoluate ale acestui sistem de comand care au n vedere minimizarea numrului de comutaii astfel nct s se reduc pierderile de putere n comutaie. Realizarea acestui tip de comand presupune utilizarea unui microcontroler integrat n sistemul de reglare aferent celui de conversie electromecanic.
1.14.8 FUNCIONAREA INVERTOARELOR N REGIM DE REDRESOR
Se consider braul de invertor prezentat n fig.1.181. Dac convertorul alimenteaz un motor asincron trifazat, atunci sarcina, pe lng caracterul R+L oferit de nfurarea de faz, conine i t.e.m. eA0 (t ) , care se poate considera sinusoidal. Neglijnd rezistena R, care este mult mai mic dect reactana L , i lund n consideraie numai fundamentele tensiunii i curentului de faz, funcionarea n regim de invertor este prezentat, la nivelul fazorial, n fig.1.191.
Fig.1.191 Funcionarea n regim de invertor.
Fig.1.192 Funcionarea n regim de redresor.
Defazajul al curentului I A0 , fa de t.e.m. E A0 , caracterizeaz funcionarea mainii n regim de motor, ceea ce presupune transferul de putere de la invertor spre main, caracteristic funcionrii convertorului n regim de invertor propriu-zis. Componenta I AQ a curentului, n faz cu t.e.m.
E A0 , genereaz puterea electromagnetic a mainii, care are valoarea pozitiv. Pentru obinerea regimului de redresor trebuie ca puterea electromagnetic s fie negativ, adic maina s funcioneze n regim de generator. In acest caz, fig.1.192, componenta I AQ a curentului va fi n
opoziie de faz cu t.e.m. E A0 . Realizarea acestui defazaj se poate obine ntr-un singur mod i anume prin generarea de ctre invertor a unei tensiuni de faz cu defazajul 2 1 . Rezult aadar, avnd n vedere c faza tensiunii U A0 poate fi modificat prin faza iniial a tensiunii de comand pe faza A, u AC (t ) , trecerea din regimul de invertor n cel de redresor se poate realiza prin fazele iniiale ale celor trei tensiuni de comand, corelate cu fazele iniiale ale t.e.m. ale mainii. Dei la prima vedere ar rezulta o comand deosebit de complicat, utilizarea reglrii n circuit nchis evit necesitatea cunoaterii fazei iniiale a t.e.m., trecerea dintr-un regim n altul realizndu-se prin impunerea de curent necesar cuplului dezvoltat de main. Un al doilea lucru care trebuie avut n vedere se refer la transmiterea energiei recuperate n circuitul intermediar. Dac circuitul intermediar este alimentat printr-un convertor unidirecional atunci este necesar, la
79
fel ca la convertoarele c.c. - c.c., prevederea unui circuit de disipare a energiei recuperate de forma celui din fig.1.193.
1.14.9 INVERTOARE DE TENSIUNE I CURENT.
O schem complet de invertor trifazat de tensiune utiliznd IGBT-uri este prezentat n fig.1.193. Redresorul de alimentare a circuitului intermediar, la puteri mici i mijlocii, este de obicei monofazat n punte. Filtrul din circuitul intermediar este de tensiune, capacitatea CF avnd rolul de a menine tensiunea Vd constant. Bobina LF este prevzut n scopul ameliorrii formei curentului absorbit de redresor i a factorului global de putere. n schema invertorului este
Fig.1.193 Schema unui invertor trifazat de tensiune.
prevzut i convertorul c.c. - c.c. de un cadran, format din TF i RF, pentru a disipa energia n cazul funcionrii n regim de redresor ocazionat de frnarea mainii de c.a. alimentate. La puteri mici i mijlocii se utilizeaz invertoare de curent, fig.1.194, ca urmare a costurilor mai mici dar i a unor avantaje funcionale. Principalele diferene intre cele dou tipuri de invertoare constau in: - circuitul intermediar este un circuit de curent, unde, prin intermediul bobinei de filtrare LF , curentul Id este meninut practic constant; - absena diodelor antiparalel, ca urmare a faptului c n acest caz comutatoarele statice comut direct curentul, iar tensiunile de linie, respectiv faz, rezult ca urmare a trecerii acestuia prin impedanele receptorului. La puteri foarte mari se mai utilizeaz scheme de invertoare cu tiristoare obinuite, comutaia acestora fcndu-se prin scheme de stingere forat autonom sau independent. n sfrit n ultima perioad s-au dezvoltat mult invertoarele de tipul rezonant avnd ca scop principal reducerea puterii disipate n Fig.1.194 Schema unui invertor de curent. comutatoarele statice.
1.14.10 MODELUL MATEMATIC AL INVERTOARELOR.
Din punct de vedere al mrimilor de ieire, tensiune i frecven, invertoarele, indiferent de tip, asigur comanda complet independent a acestora. Dac n privina frecvenei de ieire, caracteristica de comand este de tipul liniar i neinerial, convertorul fiind practic un amplificator liniar, n ceea ce privete tensiunea de ieire trebuie luate n consideraie urmtoarele lucruri: - neliniaritatea pentru supramodulaie n amplitudine, mA > 1 ; - efectele timpului mort care transform caracteristica de comand din fig.1.177 n cea din fig.1.195.
80
n domeniul modulaiei n amplitudine liniare i neglijnd efectul timpului mort, funcia de transfer a convertorului poate fi scris sub forma U ( s) =k, (1.334) YC ( s ) = 0 U C (s) adic un amplificator liniar i neinerial. Dac n ceea ce privete neglijarea efectului timpului mort, aa cum s-a menionat mai sus, nu se comite o abatere prea mare de la realitate, supramodulaia n amplitudine determin un puternic caracter neliniar convertorului cu toate consecinele ce decurg de aici pentru partea de control n circuit nchis. i acesta este un motiv pentru care la cele mai multe tipuri de invertoare se utilizeaz n exclusivitate numai modulaia liniar.
Fig.1.194 Caracteristica de comand real.

Torok - Electronica de Putere

Încărcat de

Informații document

Titlu original

Drepturi de autor

Formate disponibile

Partajați acest document

Partajați sau inserați document

Opțiuni de partajare

Vi se pare util acest document?

Este necorespunzător acest conținut?

Drepturi de autor:

Formate disponibile

Torok - Electronica de Putere

Încărcat de

Drepturi de autor:

Formate disponibile

1.

DIODA SEMICONDUCTOARE DE PUTERE.

Fig.1.13 Seciune printr-o diod de putere.

Fig.1.14 Simbolul diodei.

ELECTRONIC DE PUTERE SI ACTIONARI REGLABILE

Fig.1.16 Caractersitica static ideal.

conducie n starea de blocare ncepe cu intervalul t3 prin modificarea tensiunii de alimentare de la

Fig.1.18 Caracteristicile dinamice ale diodei.

ELECTRONIC DE PUTERE SI ACTIONARI REGLABILE

c) Valoarea efectiv a curentului definit prin

Pentru exemplul din fig.1.19 valoarea efectiv este I FRMS = 1 T

REGIMUL TERMIC AL DIODELOR.

Fig.1.21 Schema echivalent pentru regimul termic permanent.

= RthJC + RthCR + RthRA + R

ELECTRONIC DE PUTERE SI ACTIONARI REGLABILE

Fig.1.22 Structura unui tiristor.

ELECTRONICA DE PUTERE SI ACTIONARI REGLABILE

Fig.1.24 Schema de alimentare.

Fig.1.25 Caracteristica static.

care produce o nou cretere a lui iC 2 , respectiv iB1 i i B2 . Astfel

iC1 = 1 iE1 + I CO1 iC 2 = 2 iE 2 + I CO2 ,

unde este factorul de amplificare n curent al tranzistorului,

i i K = i E 2 = iT + iG . Prelucrnd relaiile anterioare rezult iT =

ELECTRONICA DE PUTERE SI ACTIONARI REGLABILE

Fig.1.27 Cicuit pentru analiza regimului dinamic.

Fig.1.28 Procesul de intrare n conducie.

Fig.1.29 Procesul de ieire din conducie.

ELECTRONICA DE PUTERE SI ACTIONARI REGLABILE

Fig.1.30 Comanda pe poart.

Fig.1.31 Caracteristica de poart.

Fig.1.32 Tipuri de impulsuri.

Fig.1.33 Schema de comand pe poart pentru convertoare de reea.

ELECTRONICA DE PUTERE SI ACTIONARI REGLABILE

Fig.1.35 Separare galvanic prin optocuplor.

amplificare, n contact galvanic cu circuitul G-K.

unde t este durata impulsului, iar T perioada de generare a acestuia.

CIRCUITE DE PROTECIE PENTRU DIODE I TIRISTOARE.

Fig.1.36 Curentul ITSM.

Fig.1.37 Plasarea siguranei fuzibile ultrarapide.

Fig.1.38 Variaia curentului i tensiunii.

ELECTRONICA DE PUTERE SI ACTIONARI REGLABILE

L a crei soluie este

Fig.1.39 Circuit pentru limitarea gradientului de curent.

i (t ) = unde constanta de timp a circuitului

Gradientul de curent di(t)/dt are valoarea maxim la t = 0, fiind dat de relaia

Fig.1.41 Circuit de protecie la supratensiuni interne.

Fig.1.42 Reducerea supratensiunii de comutaie.

ELECTRONICA DE PUTERE SI ACTIONARI REGLABILE

Variaia tensiunii la bobinele tiristorului va fi dat de ecuaia uT (t ) = U L (1.56)

Fig.1.43 Circuite de protecie pentru supratensiuni externe.

ELECTRONICA DE PUTERE SI ACTIONARI REGLABILE

Fig.1.44 Structura unui tiristor GTO .

Fig.1.45 Simbolizarea unui GTO.

ELECTRONICA DE PUTERE SI ACTIONARI REGLABILE

Fig.1.46 Ieirea din conducie a tiristorului GTO.

Fig.1.47 Tiristor GTO cu o sarcin R+L.

Fig.1.48 Intrarea n conducie.

i introducnd relaiile de mai sus n condiia (1.63) se obine

Fig.1.49 Ieirea din conducie

ELECTRONICA DE PUTERE SI ACTIONARI REGLABILE

iar tensiunea la bornele acestuia prin

ELECTRONICA DE PUTERE SI ACTIONARI REGLABILE

TRANZISTORUL BIPOLAR DE PUTERE.