Sunteți pe pagina 1din 142

0

MIRCEA A. CIUGUDEAN

PROIECTAREA CIRCUITELOR INTEGRATE CMOS

CURS PENTRU STUDEN I

2010

1 PREFA Disciplina Proiectarea circuitelor integrate CMOS a aprut ca o completare fireasc a celor de Circuite integrate analogice, Circuite integrate digitale i Microelectronic parcurse de ctre o mare parte a studen ilor ce urmeaz un master de electronic. Introducerea disciplinei prezentate n acest curs reprezint o op iune de actualitate, ce trebuie avut n vedere la toate ciclurile de master din domeniul electronicii. Cunoaterea, concep ia i proiectarea circuitelor cu tranzistoare MOS este tot mai important, innd cont de extinderea deosebit a circuitelor pentru aplica ii specifice (ASIC), care, n cele mai multe cazuri sunt mixte, (analogice i digitale) i se realizeaz n tehnologie CMOS, impus de partea digital. Intre aplica iile specifice se numr i circuitele de prelucrare avansat a semnalelor. Tehnologii recente impun cunoaterea i a tranzistoarelor bipolare. Este vorba de tehnologia Bi - CMOS, folosit la realizarea circuitelor integrate de frecven e mari, i de tehnologia SOI (silicium on insulator) unde aria tranzistoarelor bipolare se apropie de cea a tranzistoarelor CMOS. In ultimul caz, este posibil realizarea pr ilor analogice cu bipolare, care pot asigura func ii de circuit mai precise, ntr-o gam de curent mai mare. In plus, realizndu-se baza din aliaj Si-Ge pe vertical, frecven a maxim de lucru a tranzistoarelor bipolare o egaleaz i chiar depete pe aceea a tranzistoarelor CMOS submicronice. In pregtirea acestui curs am beneficiat de predarea timp de peste 10 ani a unui curs de Circuite integrate analogice apoi a unui curs de Circuite integrate analogice/digitale i n final a unui curs de Microelectronic, dar n special de experien a de patru ani dobndit n cadrul func iei de consultant la o firm de proiectare a circuitelor integrate CMOS, aprut la Timioara n anul 2000 (filial a unei firme americane). Autorul

2 CON INUT Introducere------------------------------------------------------------------- 3 PARTEA I. CIRCUITE INTEGRATE ANALOGICE ----------- 6 CAPITOLUL 1. SURSE DE CURENT --------------------------------- 6 1.1. Surse de curent obinuite ------------------------------------ 6 1.2. Surse de curent de referin --------------------------------- 9 CAPITOLUL 2. SURSE DE TENSIUNE ------------------------------ 23 2.1. Surse de referin de tip band-gap ------------------------- 26 2.2. Surs de referin de tip Vt ------------------------------- 33 CAPITOLUL 3. ETAJE DIFEREN IALE ---------------------------- 36 3.1. Etajul cu sarcin rezistiv ----------------------------------- 36 3.2. Etaje cu sarcin activ --------------------------------------- 40 CAPITOLUL 4. AMPLIFICATOARE OPERA IONALE ---------- 50 4.1. Performan e impuse AO cu CMOS ------------------------ 50 4.2. Structura cu dou etaje--------------------------------------- 51 4.3. Scheme mbunt ite de AO--------------------------------- 58 4.4. Scheme speciale de AO-------------------------------------- 64 4.5. Buffere de ieire ---------------------------------------------- 67 CAPITOLUL 5. COMPARATOARE ---------------------------------- 72 5.1. Comparatoare simple (fr reac ie)------------------------- 72 5.2. Tehnici de autozero------------------------------------------- 77 5.3. Comparatoare cu histerezis (cu reac ie)-------------------- 80 5.4. Comparatoare sincronizate ---------------------------------- 83 CAPITOLUL 6. FILTRE CU CAPACIT I COMUTATE --------- 91 PARTEA II. CIRCUITE INTEGRATE DIGITALE -------------- 101 CAPITOLUL 7. CONVERTOARE DIGITAL/ANALOGICE 101 CU MOD DE LUCRU N CURENT 7.1 Arhitecturi de DAC cu control n curent ----------------- 102 7.2. Considera ii practice de proiectare ----------------------- 110 Anex la Capitolul 7 --------------------------------------------- 124 CAPITOLUL 8. CIRCUITE LOGICE I DIGITALE -------------- 125 8.1 Invertorul CMOS --------------------------------------------- 125 8.2 Circuite CMOS logice i digitale statice ------------------ 129 8.3 Circuite CMOS logice i digitale dinamice --------------- 137 Bibliografie ----------------------------------------------------------------- 141

3 NTRODUCERE n prezent se extind tot mai mult circuitele integrate VLSI mixte ( very large scale intergration, ce prelucreaz semnale analogice i digitale). Ele sunt de obicei ASIC-uri (application specific integrated circuits). La acestea, sec iunea analogic este realizat cu aceeai tehnologie ca i cea digital, pentru ca pre ul s nu devin exagerat. Deci tehnologia circuitelor integrate mixte este cea destinat circuitelor logice si digitale, adic tehnologia CMOS. Mai sunt i alte motive pentru realizarea circuitelor integrate cu tranzistoare CMOS i anume: - reducerea consumului de curent i deci, a puterii disipate pe capsul; - odat cu reducerea dimensiunilor se reduce i tensiunea de alimentare deci puterea disipat pe chip (circuite low-power); - cu unele tehnici se pot realiza circuite de frecven e mari; - se poate realiza precizie cu ajutorul geometriei componentelor, fr rezisten e i capacit i de precizie; Ca dezavantaj principal al circuitelor integrate cu tranzistoare CMOS se consider pericolul distrugerii unor tranzistoare de intrare sau ieire prin descrcarea sarcinii electrostatice ce apare pe conexiunile externe de la pini. Se consider cunoscute avantajele, dezavantajele si aplica iile CIA (circuite integrate analogice) cu tranzistoare bipolare. Pentru CIA cu tranzistoare CMOS, comparativ cu cele cu bipolare, situa ia este: avantaje (n plus fa de motivele citate mai sus): - tehnologie mai simpl i izolare mai simpl ntre tranzistoare, - realizarea mai simpl a layout-ului, - rezisten a de intrare foarte mare, - realizarea comutatoarelor mai apropiate de ideale, - realizarea oglinzilor de curent mai apropiate de ideale, - nu poate interveni ambalarea termic (curentul de dren are coeficient de temperatur negativ). i dezavantaje: - amplificare mai mic de tensiune,

4 - curent de ieire maxim mai mic, - capacit i parazite mai mari, - mperechere de tranzistoare mai pu in reuit, - domeniul de tensiune limitat superior, - expresie complicat i nu ntotdeauna apropiat de cea ideal a curentului de dren (calcule analitice mai complicate). Exist dou familii de CIA cu MOS : - circuitele pe principii clasice (sau conven ionale), care se aseamn mult cu CIA cu bipolare att de cunoscute (cu exponentul principal amplificatorul opera ional); - circuite cu principii neconven ionale (care, n general, nu au echivalent in tehnologia bipolar); In cazul circuitelor pe principii clasice cu CMOS, apar o serie de probleme ce nrut esc performan ele si impun complicarea schemelor: - probleme legate de lrgirea benzii de frecven i de compensarea n frecven ; - probleme legate de offset-ul de tensiune mare la AO i comparatoare (sunt necesare tehnici de autozero pentru ca aceste circuite s devin de precizie) - problema capacit ilor parazite din noduri cu impedan ridicat, care conduc la captarea de zgomot (sunt necesare tehnici speciale de layout pentru ecranarea nodului). Performan e i n special precizie, se pot ob ine mai simplu n circuitele CMOS pe principii neconven ionale, n care se includ circuitele cu mod de lucru n curent, circuitele transliniare, circuite cu capacit i comutate i circuitele cu curen i comuta i. Nu toate dintre acestea au echivalent n circuitele cu tranzistoare bipolare. Pentru circuitele integrate digitale (CID), folosirea tranzistoarelor CMOS aduce o serie de avantaje importante: creterea densit ii componentelor (se poate ajunge la peste 500.000 tranzistoare pe 1mm2); consumul redus de curent (deci putere disipat redus); creterea numrului de intrri ce se pot comanda de ctre o ieire (numrul fan-out, de la 25 pn la 50);

5 simplitate n realizare datorit dispunerii de tranzistoare complementare (canal n i canal p); pre ul de cost mai redus. Dezavantajul principal al creterii densit ii circuitelor digitale CMOS l constituie necesitatea utilizrii unui numr tot mai mare de straturi metalice izolate ntre ele, pentru interconexiuni pe suprafa a chipului (38 straturi). Un alt dezavantaj este cel al limitrii frecven ei de clock din cauza capacit ilor parazite ale intrrilor i ieirilor (la c iva GHz pentru tehnologia CMOS de o,1m). Limitarea acestei frecven e este impus de o deformare inadmisibil a semnalelor de clock, de creterea efectului ntrzierii de comuta ie a circuitelor logice i de creterea cu frecven a a puterii disipate pe chip. Evacuarea cldurii de la chipurile mari este o mare problem. Din cerin a de realizare a unei densit i ct mai mari a circuitelor digitale a rezultat i reducerea treptat a dimensiunii tranzistoarelor CMOS, ajungndu-se n prezent la tranzistoare submicronice, a cror lungime de canal a cobort spre 100nm i chiar 50nm (tehnologie deocamdat foarte scump). Odat cu reducerea dimensiunilor tranzistoarelor se sub iaz foarte mult oxidul de siliciu izolator de sub poarta tranzistoarelor (la c iva nm) i este necesar reducerea spre 1 V a tensiunii de alimentare pentru ca oxidul sa nu strpung. Limitarea inferioar a dimensiunii tranzistoarelor MOS pare s fie introdus de creterea zgomotului la tranzistoarele cu oxid de siliciu de poart de grosime sub 2nm. (Revista IEEE Spectrum, august 2009). Proiectarea pr ilor analogice din circuitele integrate CMOS mixte este mult mai dificil dect aceea a pr ilor digitale. Proiectarea acestora din urm este de cele mai multe ori automatizat (folosinduse biblioteci de circuite logice i digitale cu celule [10]) n timp ce, n special la frecven e mari ale semnalelor prelucrate, circuitele analogice (cu mici excep ii) trebuie proiectate prin componente individuale (tranzistor cu tranzistor). De aceea, se caut n special proiectan i de circuite integrate analogicieni, care trebuie s aib o experien mare n domeniu. -

6 CAPITOLUL 1

SURSE DE CURENT
1.1. Surse de curent obinuite Oglinzi de curent Majoritatea surselor de curent realizate cu tranzistoare bipolare pot fi ntlnite i n variant cu tranzistoare MOS cu canal indus. Astfel, se folosesc oglinda simpl, oglinda cascod, sursa (oglinda) Widlar, oglinda Wilson (fig.1.1). La aceste oglinzi nu exist eroarea dat de curen ii de poart. Exist ns efectul Early care face ca Ie s difere de Iref atunci cnd tranzistoarele suport tensiuni dren-surs diferite. Avantajul const ns n aceea c tehnologia CMOS permite ajustarea raportului curen ilor prin dimensiunile tranzistoarelor. n plus, rezisten a de ieire a surselor cu tranzistoare MOS se poate mri prin creterea lungimii canalului. Tensiunea minim necesar pe tranzistorul T2 trebuie s fie: VDS2 VGS Vt , fiind de obicei mai mic dect la tranzistoarele bipolare, ceea ce constituie de asemenea un avantaj. Raportul curen ilor se poate stabili prin rapoarte dimensionale W/L pentru canalele lui T1 i T2 .
Iref = ID1 ID1 T2 T1 VDS2 VGS1 VGS2 Iref T1 T2 R VDS2 T2 R T1 T3 Ie = Iref VDS2 Iref Ie = Iref T1 Iref Ie = ID1 = Iref T4 T2 Ie = Iref VDS4

Fig.1.1. Oglinzi de curent: simpl, cascod, Widlar, Wilson

7 Surse de curent cu cdere de tensiune redus La o surs de curent de tip oglind cascod (fig.1.2), tiind c: VGS = Vt +
2ID = Vt +V K ' ( W / L)

(1.1)

n poarta lui T2 rezult un poten ial (ID3 = ID4): VG2 = VGS3 + VGS4 = 2Vt + 2V dac tranzistoarele T3 i T4 sunt identice.
Iref Io Io T1, T2 = saturate

T4 VGS4 T3 VGS3

T2 min V

Vo=VD2

T1 VDS1= VGS3

Vo 0 Vomin=Vt+2 V

Fig.1.2. Surs de curent cascod obinuit Cum tranzistorul T2 rmne n satura ie pn ce tensiunea lui VDS2 = VGS2 - Vt sau, folosind poten ialele din poart i dren, pn la limita: VD2 = VG2 -Vt rezult atunci o tensiune minim pe ramura de ieire: Vomin = VD2 = VG2 -Vt = 2Vt +2V -Vt = Vt +2V iar rela ia dintre curentul de ieire al sursei i tensiunea Vo este dat n fig.1.2. Se vede din aceasta c sursa func ioneaz corect pn la tensiunea minim Vomin stabilit mai sus. Pentru realizarea unor excursii maxime de tensiune la al doilea etaj amplificator din AO, n cazul folosirii aici a sarcinii active de tip oglind cascod (cum se va vedea n capitolul 3), este necesar s se modifice structura acestei oglinzi pentru a se micora cderea de tensiune Vomin pe ramura de ieire. n fig.1.2, [2] cderea de tensiune minim pe tranzistorul T2 este V n timp ce pe T1 este Vt+V. Rezult c s-ar mai putea reduce i tensiunea pe T1 la valoarea V, acesta ajungnd astfel la limita

8 regiunii de satura ie ca i T2. Pornind de la aceast observa ie s-a conceput schema din fig.1.3 denumit i cascod optimizat.

T6
SG

1
Oglind cascod
SG

Fig. 1.3. Surs de curent cu cdere minim (optimizat) Tranzistoarele T1, T2, T3, T4, T5 sunt identice dar T6 are raportul (W/L)6 egal cu 1/4(W/L)1. Atunci, n timp ce tensiunea: VGS2= VGS4= VGS5 = Vt +V tensiunea VGS6 = Vt +2V. Justificarea este simpl dac n rela ia (1.1) de mai sus raportul (W/L) se nlocuiete cu 1/4(W/L). Ca urmare, n poarta lui T4 apare poten ialul: VG4 = VGS5 + VGS6 = 2Vt +3V iar n poarta lui T2: VG2 = VG4 - VGS4 = 2Vt +3V- (Vt +V) = Vt +2V Atunci n drena tranzistorului T1 poten ialul va fi: VD1 = VG2 - VGS2 = Vt +2V- (Vt +V) = V adic valoarea minim propus (cderea pe T1 la limita regiunii de satura ie). Avnd i pe T1 cderea minim V ca i pe T2 (stabilit anterior) rezult cderea minim total de valoare 2V, ca n fig.1.3. Utiliznd aceast tehnic i mrind n plus rapoartele (W/L) ale tranzistoarelor, cnd V se micoreaz, se ob ine o cdere Vomin minimizat.

T5

T3

Vo=2V

T1

SG

V2+ V

SG

1/ 4

3+ V2
t

Iref

Iref T4 1

Io Io T2 min. 1

T1, T2 = saturate

Vomin=2 V

Vo

9 1.2. Surse de curent de referin (SCR) Acestea sunt surse de precizie, cu dependen redus de temperatur, tensiunea de alimentare, eventual i de proces. Ele se folosesc att pentru polarizri precise n amplificatoare, oscilatoare, filtre, senzori monolitici, PLL-uri, etc. ct i pentru convertoare D/A cu mod de lucru n curent. In circuitele integrate mixte, partea analogic se realizeaz tot mai mult cu circuite cu mod de lucru n curent datorit posibilit ii de cretere a frecven ei semnalelor prelucrate fa de circuitele cu mod de lucru n tensiune. La aceste circuite sunt necesare n special surse de curent de referin (SCR). Au fost concepute, simulate i realizate n ultimii 15 ani numeroase tipuri de SCR, care ar putea fi clasificate dup mai multe criterii: principiul de func ionare, obiectivul principal, valoarea curentului de referin , performan ele realizate, tensiune minim de alimentare, complexitate, etc. Numai n publica iile i la conferin ele cele mai importante i mai cunoscute au fost prezentate peste 25 articole tiin ifice avnd ca subiect cercetri n domeniul SCR. De asemenea, numai n ar au fost elaborate n ultimii doi ani, dou teze de doctorat [17, 18] orientate pe SCR, dovedind actualitatea acestora. Cele mai multe lucrri s-au focalizat pe reducerea influen ei temperaturii chipului asupra curentului de referin . O mare parte s-au ocupat ns de reducerea efectului dispersiei parametrilor de proces, cauza principal a impreciziei valorii curentului la sursele care nu au prevzut opera ia de trimmering. Sensibilitatea la proces a acestor circuite analogice, care conduce la dispersii ale curentului de ordinul peste 10% (n special din cauza varia iei grosimii oxidului de poart al tranzistoarelor i toleran ei rezistoarelor), este poate cea mai dificil problem de rezolvat la SCR. Prin tehnici speciale se reuete reducerea dispersiei la valori de ordinul 56%. mbunt irea acestui parametru ar impune creterea substan ial a dimensiunilor tranzistoarelor i rezistoarelor deci creterea ariei ocupate pe chip i a pre ului circuitelor integrate. De asemenea, ar trebui evitate rezistoarele integrate care au o dispersie a valorii de peste 20%. Colectivul nostru a reuit totui n unele scheme de SCR s reduc varia ia cu procesul i temperatura a curentului la valori reduse, chiar 3,5%.

10 In cadrul studiilor publicate se constat mai pu in eforturi speciale pentru reducerea efectului varia iei tensiunii de alimentare i a tensiunii pe sarcin asupra curentului de referin dar parametrii realiza i, lega i de aceast influen nefavorabil, supply regulation (SR) (uneori i power supply rejection ratio PSRR) i load regulation (LR) sunt n permanen anun a i. Pentru mbunt irea lor se iau cel mult msuri obinuite, ca utilizarea pe unele ramuri a montajelor cascod n locul tranzistoarelor simple. Se prezint aici doar o clasificare a SCR dup principiul de func ionare, fcut de autorul tezei [18] n urma studierii bibliografiei, pentru a simplifica n oarecare msur n elegerea i compararea lor i a performan elor realizate de acestea. Au fost identificate urmtoarele categorii de SCR: - combina ii de oglinzi de curent cu interconectare n cruce (cu autopolarizare), - cu tranzistoare lucrnd n regim de inversiune slab (weak inversion), - oglinzi cu rezisten a nlocuit prin grup de tranzistoare, - cu oglinzi cu tranzistoare avnd grosimi diferite de oxid, - cu tranzistoare simple sau oglinzi controlate prin referin e de tensiune, - cu surs de tensiune de referin i conversie tensiune-curent, - cu polarizare activ ori reac ie prin amplificator, - oglinzi cu rezisten a nlocuit prin capacit i comutate, - cu tranzistoare MOS-FG (floating gate) cu trimmering, etc. In cadrul cursului intereseaz n special prima categorie de SCR adic cele bazate pe combina ii de oglinzi clasice ori modificate, interconectate n cruce, cum ar fi oglinzi simple, oglinzi cascod, oglinzi Widlar normale, oglinzi Widlar inverse, oglinzi Widlar modificate, oglinzi Wilson, oglinzi Wilson modificate etc. La aceste combina ii de surse cu dou ramuri s-a urmrit de obicei compensarea termic a curentului de pe o singur ramur, considerat ca ramur de ieire. Dar ieirea de curent spre sarcin nu se poate realiza simplu (nu este n general posibil conectarea pe o sarcin cu capt la mas ori la sursa de alimentare) fr completarea schemei i fr afectarea stabilit ii curentului. Acest lucru a fost ignorat n cele mai multe dintre

11 lucrrile publicate. Astfel, circuitul de ieire trebuie i el inclus n analizele i simulrile efectuate, eventual trebuie luate msuri pentru compensare termic i insensibilizare la varia ia procesului i alimentrii a ntregului circuit. In fig.1.4 sunt date majoritatea circuitelor cunoscute de SCR din categoria combina ii de oglinzi de curent cu interconectare n cruce (cu autopolarizare) [17, 16, 18].

Fig.1.4.a

Fig.1.4.b

Fig.1.4.c

Fig.1.4.d

12

Fig.1.4.e

Fig.1.4.f SCR din fig.1.4.a este compus dintr-o oglind superioar simpl i o oglind inferioar de tip Widlar la care tranzistorul M2 are raportul dimensional de m ori mai mare dect cel al tranzistorului M1. Intru ct raportul m intr n factorul de ctig al tranzistorului,

13 circuitul se mai numete SCR cu multiplicator de . Exist i varianta n care m=1 i cu tranzistorul M2 cu canal dopat astfel nct tensiunea lui Vt s fie apropiat de 0V [17]. Oglinda superioar a circuitului este una simpl. Ieirea de curent a SCR este realizat cu ramura suplimentar (oglind simpl) cu M5. SCR din fig.1.4.b este compus dintr-o oglind inferioar de tip Wilson modificat (cu R n loc de diod) i o oglind superioar de tipul simpl, toate tranzistoarele avnd acelai raport dimensional.In acest caz SCR necesit i un circuit de pornire pentru c altfel, este posibil ca schema s nu func ioneze (se stabilete n regimul cu curent nul). Exist i varianta n care tranzistoarele M2 i M4 au raport dimensional m>>1 cnd, se pare, nu mai este necesar un circuit de pornire [18]. Dac rezisten a R1 este de tipul ZTC atunci, la un anumit curent de dren (mare, de 50100A) tranzistorul M1 are tensiunea VGS1 cu ZTC i impune o compensare termic i curentului I1 deci curentului de ieire [17]. Dezavantajul unei astfel de SCR este cel al consumului total mare de curent de la sursa de alimentare. SCR din fig.1.4.c este compus dintr-o oglind inferioar de tip Wilson modificat (cu o diod suplimentar M6) i o oglind superioar de tipul simpl, toate tranzistoarele din ramurile principale avnd acelai raport dimensional. Se ntlnete i varianta cu tranzistoarele M2 i M4 avnd raport dimensional m>>1 [16]. Curentul prin R1 este impus de tensiunea VGS6Vt a tranzistorului M6. SCR din fig.1.4.d este asemntoare cu cea precedent dar dioda suplimentar este realizat cu tranzistor bipolar pnp-substrat (realizabil n tehnologia n-well CMOS), avnd aici scopul de a ob ine pe R1 o tensiune invers propor ional cu temperatura absolut (complementary to absolute temperature - CTAT) i deci un curent de ieire cu aceeai caracteristic CTAT. Utilitatea unui astfel de curent se va vedea mai jos. SCR din fig.1.4.e este asemntoare cu cea precedent dar utilizeaz dou diode suplimentare, cte una pe fiecare ramur a oglinzii Widlar inferioare, realizate cu tranzistor bipolar pnp-substrat, avnd aici scopul de a ob ine pe R1 o tensiune propor ional cu temperatura absolut (PTAT) i deci un curent de ieire cu aceeai caracteristic PTAT [17]. Utilitatea unui astfel de curent, precum i a

14 celui din schema anterioar, apare atunci cnd se realizeaz o SCR cu nsumarea curen ilor de la sursele PTAT i CTAT [17]. Prin ajustarea potrivit a rapoartelor dimensionale m ale ramurilor de ieire, ce vor avea acum un nod comun, se poate ob ine un curent total cu foarte bun compensare termic. SCR din fig.1.4.f are nucleul cu dou ramuri central compus din dou oglinzi simple interconectate n cruce, apoi o ramur suplimentar cu tranzistorul M1 avnd dren comun cu M2 i cu o polarizare dren-poart prin cderea de tensiune de pe rezisten a R1. Schema prezint mai multe versiuni [17]. Acest tip de referin de curent se bazeaz pe diferen a dintre tensiunile VGS de la cele dou tranzistoare cuplate pe dren, care se regsete pe rezisten a R1. Aceast configura ie conduce la o anulare mutual a varia iilor cu temperatura de ordinul I ale tensiunilor VGS, rezultnd un curent de ieire cu compensare termic bun. Arhitectura este cea mai portivit pentru func ionare sub-prag a MOS-urilor i se propune n [17] o referin de tensiune low-power bazat pe curen ii din ramuri redui. O astfel de referin asigur o deriv termic a curentului de ieire mai mic de 25ppm/oC. Lucrarea [17] trateaz i o serie de solu ii de compensare termic la sursele de curent i tensiune de referin . De asemenea, se prezint acolo tehnici de implementare a referin elor de curent i tensiune folosind tranzistoare MOS cu poart flotant (FG). Una dintre cele mai importante trsturi ale circuitelor analogice cu dispozitive FG este posibilitatea de a se ajusta cantitatea sarcinii electrice pe poarta flotant, printr-un proces discret sau continuu, pn ce sunt realizate cu mare precizie nivelurile programate dorite i deci tensiunile Vt. Astfel de tehnici moderne de trimming (ajustare) permit ob inerea unor performante superioare la SCR [17]. Un exemplu de SCR bi-sens, bazat pe schema din fig.1.4.b, este dat n fig.1.5, incluznd i circuitul de pornire (necesar pentru o surs cu oglind Wilson i rapoarte dimensionale egale). Este vorba de curen ii I5 i I6 , care sunt practic independen i de tensiunile de alimentare VDD i VSS iar dac se practic i o compensare termic [18] devin aproape independen i i de temperatur.

15
+VDD

RB

T3 T7

T4

T5 I5

T2 I1 T8 T1 VGS1 VR R I2

I6 T6

-VSS
Circuit de pornire Sursa de current de tip Vt

Fig.1.5. Surs de curent bi-sens de tip Vt Prin tranzistoarele T3 i T4 curen ii I1 i I2 sunt aproximativ egali. Curentul I1 produce la tranzistorul T1 o tensiune VGS1. Curentul I2 curge prin rezisten a R producnd tensiunea I2R. Deoarece VGS1 i I2R sunt egale, se stabilete un punct de echilibru ca n fig.1.6 [1]. Curen ii au valoarea de la intersec ia ecua iilor:
I 2 R = VGS1 VGS1 = Vt 1 + 2 I1 K 'n ( W / L)1

Lund I2 = I1 i eliminnd pe VGS1 rezult o ecua ie n I1 ce se poate rezolva prin itera ie. Rezult un curent redus: I2 = I1
Vt 1 R

adic VGS1 Vt1, de unde denumirea de surs de tip Vt. Curen ii I2 i I1 nu depind deci de tensiunile de alimentare VDD, VSS. Folosind oglinzi de curent se pot realiza curen ii I5 i I6.

16 Cum se vede din fig.1.6, este posibil i un al doilea punct de echilibru pe grafic, la I1=I2=0; cnd circuitul nu func ioneaz conform previziunii. De aceea este necesar circuitul de pornire (T7, T8, RB). Dac circuitul sursei de curent se stabilete la curen i nuli atunci T7 for eaz curent prin T1 i circuitul se deplaseaz spre punctul de echilibru Q. n apropiere de acest punct poten ialul sursei (S) a lui T7 crete, cauznd reducerea curentului prin acesta. n punctul Q, tot curentul din T1 vine prin T3 iar T7 este blocat.
i1,i2 I1=I2 I1 = K 'n W1 (VGS1 Vt )2 2 L1 I2=VGS1/R Q

Vt1

VGS1

vGS1

Fig.1.6. Stabilirea curentului de echilibru SCR Fiori-Crovetti Readucerea n studiu i aplica ie a unei SCR simple, cu interconectare n cruce a dou oglinzi de curent, este meritul lui F. Fiori i al lui P.S. Crovetti [16] (2005). Ei au gsit o solu ie simpl de compensare termic de ordinul I i II a curentului I1 (deci i a celui de ieire), ce a condus la calit i deosebite ale acestor SCR. Schema SCR de acest tip este dat n fig.1.7. Ea include o oglind inferioar de tip Widlar modificat (ca n fig.1.4.c) i o oglind superioar de tipul simpl pentru cazul folosirii numai a compensrii termice de ordinul I respectiv o oglind Widlar invers (cu rezisten a R2 plasat n emitorul tranzistorului-diod) pentru cazul folosirii compensrii termice de ambele ordine. Compensarea termic de ordinul I este posibil datorit prezen ei tranzistorului-diod M5 dar i a unei anumite valori a rezisten ei R1. Prin valoarea rezisten ei se impune valoarea curentului de ieire.

17
+VDD
Oglind Widlar invers

R2

1 : m
M4 M6

M3

I1
M1
Oglind Widlar modificat

I2=mI1
M2

Io=I1 Sarcina

M5

R1

Fig.1.7 SCR de tip Fiori-Crovetti plus o ramur de ieire Ulterior (20082009) au mai fost elaborate de colectivul nostru, pe principii asemntoare, nc dou tipuri de SCR cu curent de ieire pe ramur i curent de ieire total [18]. In unele cazuri s-au ob inut performan e mai bune dect cu schema din fig.1.7. In urma unei analize a condi iei de compensare termic de ordinul I pentru curentul I1 (avnd Io=I1):

R1 =

VTn k n + 2 k VTn mI 1 k n + 2 k R1

unde intervin coeficien ii de temperatur de ordinul I pentru tensiunea de prag Vtn, mobilitatea n (pentru tranzistoarele nMOS) (ambii negativi) i rezisten a R1, colectivul nostru a stabilit c pentru a se putea reduce la un minim tensiunea de alimentare VDD, i valoarea rezisten ei R1 (deci aria ocupat de aceasta pe chip) trebuie ca rezistorul R1 s aib coeficient de temperatur negativ (NTC) i de valoare absolut ct mai mare. Rezisten a R2 a fost adoptat de acelai tip de ctre Fiori i Crovetti. Pentru R2 cu alt tip de coeficient de

18 temperatur compensarea de ordinul II nu ar mai reui i R2 ar trebui eventual mutat n sursa tranzistorului M3. De asemenea, pentru reducerea n plus a valorii rezisten ei R1, trebuie mrit raportul curen ilor din ramurile principale: m=I2/I1 >> 1, prin dimensionarea corespunztoare a l imilor W2 fa de W1 i W4 fa de W3. De obicei W3 (tranzistor pMOS) este adoptat de cca. 2 ori mai mare dect W1 (tranzistor nMOS). Dac este posibil, lungimea L a canalului se adopt aceeai la toate tranzistoarele (de ordin >>Lmin) i atunci se dimensioneaz numai l imile W ale canalului tranzistoarelor. In Tabelul de mai jos sunt date rapoartele dimensionale W/L orientative ale tranzistoarelor din schema prezentat n fig.1.7 (n m).
M1 3.2/5 M2 16/5 M3 6/5 M4 30/5 M5 48.5/5 M6M3 6/5

Se observ c rapoartele W2/W1 i W4/W3 sunt egale cu 5 deci rezult, n lipsa rezisten ei R2, o valoare a raportului curen ilor m5. Pentru o rezisten R1 tip NTC de 30k (polisiliciu n), curentul de ieire Io este de ordinul 3A. Dezavantajele SCR de acest tip sunt: - consum total de curent de la sursa VDD de valoare mare: (m+2)Io, - varia ia curentului de ieire cu procesul de valoare mare. SCR total In cadrul lucrrilor [18] i [19] s-a analizat ideea compensrii termice de ordinul II a curentului total al unei surse compuse din dou oglinzi uzuale interconectate n cruce, care are calitatea de a se putea interconecta simplu cu o sarcin avnd capt la mas ori la sursa de alimentare, fr a se afecta practic valoarea curentului. In aceste lucrri se prezint condi iile de compensare termic de ordinul I i II pentru curentul de referin total. Avnd avantajele simplit ii schemei, al conectrii simple a sarcinii la sursa de curent de referin , al curentului minim consumat de la sursa de alimentare i, n cazul unor variante, al performan elor bune n: stabilitatea curentului de referin , tensiunea minim de alimentare, parametrul SR (LR), varia ia total a curentului cu procesul i temperatura i aria ocupat pe

19
It +VDD It R2 R3 +VDD

1 : m
M3 I1 M1 M4 I2=mI1 M2 M3 I1 M1

1 : m
M4 I2=mI1 M2

M5 It

R1

M5 It

R1

Fig.1.8.a
It +VDD

Fig.1.8.b
It R2 R3 +VDD

1 : m
M3 I1 M4 I2=mI1 M2 M1 R1 It M1 M3 I1

1 : m
M4 I2=mI1 M2

R1 It

Fig.1.8.c

Fig.1.8.d

20 chip, SCR total poate reprezenta o solu ie foarte bun n numeroase aplica ii de circuite CMOS analogice. In fig.1.8 se prezint patru variante posibile de SCR total, ob inute plecnd de la schemele din fig.1.4.c i fig.1.4.b i adugarea unei rezisten e R2 sau R3 n func ie de coeficientul de temperatur al celor dou rezistoare folosite pentru realizarea compensrii termice de ordinul II a curentului total It. Se remarc n special performan a record de varia ie maxim a curentului de referin cu temperatura ntr-o gam 0-100oC, de numai 0.017%, realizat de o variant SCR total dat n fig.1.8.a (Widlar modificat-Widlar-invers [19], ca cea din fig.1.7, cu rezisten R1 de tip ZTC i R2 de tip NTC) dar i performan a n ansamblu a unei alte variante de SCR total dat n fig.1.8.c (Wilson modificat-Widlar invers), cu rezisten e R1 i R2 de tip NTC, care depete la majoritatea capitolelor SCR lansat n [17]. Aceasta realizeaz i o varia ie total a curentului cu procesul i temperatura de numai 12,5%. Aria ocupat pe chip de aceste SCR este relativ redus. Unele performan ele se mai pot mbunt i prin creterea raportului m i a l imii rezistoarelor. In concluzie, se poate spune c variantele de SCR total au pe ansamblu cele mai bune performan e atunci cnd se utilizeaz rezistoare de tipul NTC. In fig.1.9 se prezint forma de varia ie cu temperatura a curentului de ieire (curentul total) pentru o compensare termic de ordinul II optimizat.
15.66u

15.64u

15.62u

15.60u 0 - Max(I(V1)) Temperature 20 40 60 80 100

Fig.1.9 Varia ia redus a curentului de ieire cu temperatura la compensarea de ordinul II (33nA pentru 100oC) Folosirea curentului de referin total aduce dou dezavantaje: - creterea rezisten ei R1 n raport cu aceea de la SCR pe ramur

21 care are drept consecin o mic cretere a tensiunii minime de alimentare i ariei ocupate pe chip, - necesitatea unei tensiuni de alimentare mai mari din cauza conectrii n serie a SCR i a sarcinii sursei. In schimb, n afar de performan e mai mult dect bune, SCR total prezint avantajele: - curentul redus consumat de la sursa de alimentare (este strict curentul de referin ), - eliminarea unei ramuri suplimentare de ieire fa de SCR pe ramur. SCR cu STR i conversie tensiune-curent Principiul acestor surse este ilustrat cu schemele din fig.1.10 i fig.1.11. In prima schem, o tensiune de referin VREF, cu compensare termic i efect redus al varia iei tensiunii de alimentare (produs de o STR), este aplicat la intrarea unei surse de curent simple, completat cu ramur de ieire (ieire prin oglind de curent). Rapoartele dimensionale ale tranzistoarelor din aceast surs de curent permit ob inerea unei valori dorite pentru curentul de ieire. Valoarea rezisten ei R2 este stabilit dintr-o condi ie de compensare termic de ordinul I a curentului de ieire IREF [17]. Curentul de ieire are valoarea : IREF=m(VREF-VGS3)/R.

Fig.1.10 Conversie tensiune-curent cu o surs de curent simpl M3-R2

22

Fig.1.11 Conversie tensiune-curent cu surs de curent cu AO Schema de conversie din fig.1.11 este una clasic, cunoscut de la aplica iile amplificatoarelor opera ionale. Curentul de ieire are valoarea : IREF=mVREF/R.

23 CAPITOLUL 2

SURSE DE TENSIUNE
Pentru realizarea numeroaselor polarizri ale AO cu CMOS dar i pentru furnizarea unor tensiuni de referin destinate altor circuite, sunt necesare surse de tensiune. De cele mai multe ori acestea trebuie s fie independente de sursele de alimentare V+ i V- ale integratului ori/i de temperatura cipului. Desigur, cea mai simpl surs de tensiune este realizat cu o diod ob inut cu ajutorul unui tranzistor MOS (fig.2.1).
+VDD IB Vo= VGS

Fig.2.1 Surs de tensiune cu diod Dac sursa lucreaz aproape n gol, curentul prin tranzistor este acelai cu cel al sursei de curent i: Vo=VGS=Vt+
2I B 2ID = Vt+ K ' (W / L ) K ' (W / L )

(2.1)

Se observ urmtoarele: - tensiunea Vo nu depinde practic de VDD, - se poate uza de raportul W/L pentru a ajusta pe Vo. - deoarece Vt i (deci K) au coeficien i de temperatur negativi (scad cu temperatura), exist o compensare par ial a celor dou efecte dar insuficient pentru ca sursa de acest tip s fie de precizie. De asemenea, ca i n cazul tranzistorului bipolar, se poate realiza sursa de tensiune de tip superdiod sau diod multiplicat (fig.2.2). Aici se ob ine tensiunea:
Vo=VGS 1 + R 2 R1

24 care se poate ajusta prin VGS (aceasta, la rndul ei, prin W/L ) sau prin raportul rezisten elor. i aici VGS depinde pu in de VDD dar depinde de temperatur ca n cazul anterior.
+VDD IB Vo IB Vo +VDD

R2 VGS

R2 VGS

M2 M1

R1

R1

Fig.2.2. Surs superdiod

Fig.2.3. Surs superdiod cu compensare termic

Este posibil o compensare termic prin compensarea reciproc a dependen ei de temperatur a mobilit ilor n i p a dou tranzistoare complementare (fig.2.3) [17]. De asemenea, prin adoptarea unui anumit raport al rezisten elor R1 i R2 se poate aproape complet anula varia ia cu temperatura a tensiunii de ieire (de referin ). Aici valoarea tensiunii de referin este:
R Vo = 1 + 1 VGS VGSp R2

iar valoarea necesar pentru R1/R2 este dat de condi ia dVo/dT = 0 Cu aceasta circuitul din fig.2.3 devine o surs de tensiune de precizie sau de referin (STR). Ea se mai numete PMOS-NMOS cu compensare termic. O clasificare sumar a STR ar fi urmtoarea: - PMOS-NMOS cu compensare termic, - bazate pe diferen de VGS, - bazate pe SCR (i cdere pe un rezistor), - combina ie de STR cu PTAT i STR cu CTAT cu nsumare,

25 - band-gap (cu numeroase variante), - cu oglinzi de curent interconectate n cruce i compensare termic de ordinele I i II, - diferen iale bazate pe diferen a de Vt, etc. In fig.2.4 se prezint trei variante ale unei STR, realizate cu numai dou tranzistoare cu acelai tip de canal, dar dintre care M2 (conectat ca diod) are canalul dopat astfel nct tensiunea lui de prag, Vt2 s fie redus spre zero [17] (ceea ce se marcheaz pe simbolul tranzistorului cu un mic zero n centru). Sursele se bazeaz pe diferen a tensiunilor de prag ale tranzistoarelor. Pentru schema din fig.2.4.a se scrie tensiunea de ieire: Vref=VGS1- VGS2 =Vt1+
+VDD IB IB R2 Vref R1 K 1'

(W1 / L1 )

2I1

- Vt2 -

' K2

(W2 / L2 )
I3

2I 2

+VDD

+VDD I2

M2 M1 Vref

M2 M1

M2 M1

Vref

Fig.2.4.a

Fig.2.4.b

Fig.2.4.c

unde I1=I2=IB . In aceast rela ie, varia iile cu temperatura prin Vt i prin (sau K) sunt de acelai semn i de valori apropiate, astfel c exist o compensare termic par ial acceptabil. Aceasta se mai poate mbunt i dac cei doi curen i sunt fcu i diferi i adic, dac se ajusteaz unul dintre ei. Astfel, n fig.2.4.b, cu ajutorul divizorului rezistiv se poate ob ine o compensare termic optimizat. O procedur asemntoare, n care divizorul rezistiv este nlocuit printr-o surs suplimentar de curent, ce poate ocupa arie mai mic pe chip, este dat n fig.2.4.c.

26 Pentru ob inerea unor surse de tensiune independente de tensiunile de alimentare exist cteva solu ii. Una dintre acestea const n realizarea mai nti a unei surse de curent independent de tensiunile de alimentare, apoi n preluarea unei cderi de tensiune produs de acest curent pe o rezisten (cu o polaritate sau alta n func ie de sensul curentului). De exemplu, folosind sursa de curent din fig.1.5 se extrag doi curen i cu varia ie redus iar cu acetia, pe cte un rezistor nseriat, se pot ob ine tensiuni de referin . Din pcate, aceste surse nu sunt independente i de temperatur dect dac la ele se aplic i o compensare termic cel pu in de ordinul I. O surs bun, independent de temperatur, ar trebui s aib un coeficient de temperatur de cel mult 100ppm/C sau : Vref 10-4/C Vref T Pentru a se realiza performan e de acest gen trebuie folosite surse de tensiune de referin de tip band-gap. 2.1 Surse de tensiune de referin de tip band-gap
Dintre toate circuitele concepute ale surselor de tensiune de referin (STR) independente de sursele de alimentare i de temperatur cu CMOS, circuitele de tip band-gap s-au dovedit cele mai bune pn n prezent. Acest tip de surse a fost realizat la nceput n tehnologia bipolar i abia mai trziu n CMOS. Denumirea lor provine de la faptul c tensiunea de referin furnizat este egal cu l imea benzii interzise (band gap) a atomilor de siliciu, adic VBG1,2V. Expresia tensiunii de referin are forma: VREF=VBG=VBE+NVT Unde VT este tensiunea termic a tranzistorului bipolar iar N este o constant ce trebuie s aib valoarea 23, cnd are loc compensarea termic de ordinul I a tensiunii de referin [2].

STR band-gap cu tranzistoare n regim sub-prag n fig.2.5 se prezint o prim schem , mai simpl, de surs de

27 tensiune de referin (STR) de tip band-gap [17]. Tranzistorul bipolar pnp-substrat notat Q1 este conectat ca diod.

Fig.2.5. Surs de referin de tip band-gap n regim sub-prag Oglinzile cu tranzistoarele M1...M4 formeaz o bucl nchis cu un ctig de curent ini ial n bucl >1. Deci curentul n ambele ramuri crete pn ce se realizeaz un echilibru. n acest moment ctigul de curent n bucl se reduce la 1 datorit cderii VR1 pe rezisten a R1. Dac se presupune c M1...M4 lucreaz n zona sub-prag (inversiune slab) (cnd caracteristicile tranzistoarelor MOS se aseamn cu cele ale tranzistoarelor bipolare) i c VDD este suficient de mare nct s asigure satura ia curentului de dren, atunci VR1 se poate scrie: S1 S4 (2.2) VR1 = VTln = IR1R1 S2 S3 cu S i = (W / L )i iar VT tensiunea termic cunoscut. Deci cderea VR1 depinde numai de VT i de raportul dimensional W/L al tranzistoarelor. Apoi, pentru oglinda M4,M5 se poate scrie:

28
IR1 S 4 = IREF S5

(2.3)

Rezolvnd din (2.2) i (2.3) curentul IREF (din emitorul lui Q1) rezult: VT S 5 S 2S 3 ln IREF = R1 S 4 S 1S 4 Atunci, tensiunea de referin (culeas ntre borna de ieire i cea de mas) va fi: R 2 S5 S 2 S3 VT = VBE1 +NVT ln VREF = VBE1 + IREFR2 = VBE1 + R 1 S 4 S1S4 adic rela ia de form cunoscut de la schema cu tranzistoare bipolare. Dependen a de temperatur a tensiunii VBE1 (a lui Q1) se consider acum, mai exact, la un curent de emitor constant, n func ie de valoarea ei la o temperatur T0 dat (de exemplu la 300K): T T T + VTln (2.4) VBE1(T) = VBG 1 + VBE0 T0 T0 T0 Aceast rela ie este mai exact dect cea simpl folosit la sursele band-gap cu bipolare. Aici T=temperatura (variabil), VBG = tensiunea band-gap a siliciului la 0K (n jur de 1,2V, dat de l imea benzii interzise n eV mpr it la sarcina electronului e), VBE0= tensiunea pe jonc iunea emitoare la temperatura T0, = constant de fabrica ie (tipic 3,2). Se nlocuiete VBE1 cu VBE1(T) n VREF de sus. Impunnd condi ia de independen termic tensiunii VREF, dVREF/dT=0, rezult: T (VBG - VBE0 ) + N= T0 VT Cu aceasta, rela ia tensiunii de referin devine : VREF = VBG + 1 + ln

T T0

VT

Aceast rela ie este mai exact dect VREF VBG , dat la surse cu bipolare. Ecua ia arat dependen a de temperatur a lui VREF . Din rela ia constantei N (determinat mai sus) :

29
N= R2 S 5 S 2 S 3 ln R1 S 4 S1 S 4

se poate acum calcula valoarea rezisten ei R2 necesar pentru compensarea termic (cu R1 adoptat). Intru ct tranzistoarele MOS din schem lucreaz n regim de inversiune slab, unde se aseamn cu cele bipolare, dioda realizat cu Q1 poate fi nlocuit cu o diod MOS [17]. Pentru func ionarea corect a schemei din fig.2.5 mai trebuie luate urmtoarele precau ii: - tranzistoarele MOS trebuie s fie n regim de inversiune slab chiar i la cea mai mare temperatur de lucru; - curen ii reziduali, n special ai tranzistoarelor cu canal p, (care sunt n insule n) trebuie s fie minimiza i pentru ca ei s nu devin surse principale de erori la temperaturi mari; - circuitul trebuie completat cu un circuit de pornire, deoarece el mai are o stare stabil de func ionare la curent nul prin toate tranzistoarele (circuitul de pornire, asemntor cu cel din fig.1.5, iese din func iune dup ce se atinge starea stabil); - rezisten a de ieire n dren a tranzistoarelor trebuie s fie suficient de mare pentru ca s se asigure func ionarea corect a oglinzilor; acest lucru se poate ob ine la tranzistoare cu canal lung sau la oglinzi Wilson ori cascod. O astfel de surs de tensiune de referin bine realizat, poate atinge un coeficient de temperatur de 70 ppm/C pentru gama de temperatur 065C. Puterea disipat pe circuit atinge doar 10W [2].

Surs de tensiune de referin band-gap cu 3 diode Este dat n fig.2.6 i include trei tranzistoare bipolare. Oglinzile simple pot fi cascode, cnd curen ii depind mai pu in de sursa VDD [1]. Curentul tranzistorului M5 este fcut dependent de VT (PTAT). Astfel, pe bucla jonc iunilor emitoare ale tranzistoarelor Q1 i Q2 se poate scrie rela ia cunoscut:
IR=VBE1-VBE2=VT ln I ln I = VT ln I co 2 = VT ln n

I co1

I co 2

I co1

30 deoarece VGS1=VGS2. Intru ct IREF=mI, se produce pe rezisten a kR o cdere de tensiune dependent de VT. Avem acum: VREF = VBE3+IREFkR = VBE3+(mklnn)VT = VBE3+ NVT Se constat c circuitul este ntr-adevr o surs de tensiune band-gap, unde constanta N trebuie s fie egal cu 23. Prin alegerea potrivit a lui k, ce intr n N, rezult compensarea termic a tensiunii VREF.

Fig.2.6. Surs de tensiune band-gap

Surs de tensiune band-gap cu amplificator diferen ial i diode Circuitul din fig.2.7 reprezint o surs de tensiune de tip bandgap asemntoare cu o schem realizat cu tranzistoare bipolare i diode [17]. Punctele 1 i 2 au poten iale foarte apropiate datorit amplificrii de tensiune mari a amplificatorului diferen ial cu sarcini active. Deci:
I1R1 = I 2R 2 sau I1 R 2 = I 2 R1

De asemenea VD1=VD+VD2 sau:

31
VD = VD1 VD 2 = VT ln
I1 I /n nI R VT ln 2 = VT ln 1 = VT ln n 2 I2 Io Io R1

Cderea de tensiune pe R2 este:


I2 R 2 = VD R R R = 2 ln n 2 V R 3 2 R 3 R1 T

iar tensiunea de ieire:


R R Vref = I1R1 + VD1 = I2R2 + VD1 = VD1 + 2 lnn 2 VT = VD1 + NV T R R1 3 +VDD
A DIF CMOS

T I1 R1 VD R2 R3 I2 R2

Vref

1
D1

2 V D
VD1 VD2 D2 R3

n diode

Fig.2.7. Surs band-gap cu diode Se constat c VT este multiplicat cu o constant N precis (depinde de rapoarte de rezisten e) i c expresia lui Vref este aceea a unei surse de tensiune de referin de tip band-gap. Rezult Vref 1,2V. Condi ia pentru compensare termic a tensiunii Vref este cunoscut din paragraful anterior [2]: N=23. Diodele se pot realiza uor n tehnologia CMOS (o difuzie p ntr-o insul n dac substratul este p). De obicei numrul diodelor este

32 mare i rezisten ele sunt mari pentru a se lucra cu curen i mici. La tehnologiile actuale rezisten ele se realizeaz cu rezisten pe patrat mare, sub iri i ocup doar 25% din aria pe siliciu a circuitului.

Surs de tensiune sub-bandgap n circuitele integrate analogice alimentate cu tensiuni mici (1,2...2V) sunt uneori necesare surse de tensiune de referin de valori mai mici dect 1,25V tensiunea band-gap - ob inut cu scheme obinuite.

+
A dif. CMOS

I1 T1

I2=I1 T2

I3=I1 T3

+VDD

2 I2a
V R3

I2b R2 R4

Vref
(Rs= )

I1b R1 D1

1 I1a
VD1 VD2

ID2 D2
n diode

Fig.2.8. Surs de tensiune sub-bandgap Schema din fig.2.8 [20] este o surs de tensiune de tip bandgap de tensiune redus (sub 1,2V). Se folosesc tranzistoare MOS identice, R2=R1 , poten iale egale n punctele 1 i 2, i 1+ n diode identice. Rezult cderi de tensiune egale pe R1 i R2 i cum aceste rezisten e sunt egale avem I1b=I2b . Cu aceasta i avnd I2=I1 din schem, rezult
I1a +I1b =I2a +I2b deci I2a =I1a si ID2 = I2a I1a = n n

Se poate scrie de asemenea:

33
V=VD1VD2 =VT ln I1a I /n VT ln 1a =VT lnn Io Io

Cu

I1b =I2b =

VD1 R2

i I2a = V
R3

rezult:
VT ln n VD1 + R3 R2

I1 = I 2 = I 3 = I 2a + I 2 b =

deci tensiunea de ieire, egal cu cderea pe R4 , va fi:


V R V ln n R4 = Vref = I 3 R 4 = R 4 D1 + T VD1 + 4 ln n VT R R R3 R2 2 3

Se ob ine o formul asemntoare cu aceea a unei surse band-gap clasice, cu observa ia c frac ia R 4 /R 2 se poate lua i subunitar, astfel nct s se ob in o tensiune de referin < 1,2V. Se poate scrie:
Vref =
R R4 R R R R VD1 + 2 4 ln n VT = 4 VD1 + 2 ln n VT 4 1,2V R R R2 R2 3 R2 R3 2

deoarece paranteza reprezint o tensiune band-gap obinuit, corespunztoare lui N=23 cnd este compensat termic. Tensiunea de alimentare a schemei trebuie s depeasc doar cu cteva zecimi de volt valoarea VD=0,6V, dac Vref 0,6V. Vref se modific foarte pu in cu VDD i cu doar cca. 3mV pentru o varia ie a temperaturii de 100C. S-a mai propus o mbunt ire a calit ii sursei prin compensarea efectului de ordinul 2 al temperaturii asupra tensiunii de ieire (ntlnit n rela ia 2.4) ob inndu-se astfel una dintre cele mai performante surse de tensiune band-gap.

2.2 Surs de tensiune de referin de tip Vt


Este sursa de tensiune cea mai stabil termic i de asemenea, independent de sursele de alimentare (fig.2.10) [2]. Cele dou tranzistoare principale au acelai raport W/L dar sunt de tipuri diferite: T2 este cu canal n indus (cu mbog ire) iar T1 este cu canal n ini ial (cu srcire). Tensiunile lor de prag Vt sunt: Vt2 0,5...1,5V, Vt1 -1...-4V. Tranzistoarele au aceleai dimensiuni i acelai curent de dren. Pe circuitul ce include tensiunile de intrare ale tranzistoarelor se poate scrie:

34 Vref = VGS2 VGS1 = (Vt2+V) - (Vt1+V) = Vt2-Vt1 = Vt (deoarece cantit ile V sunt aceleai). Aceast tensiune este de ordinul 2...4V i este greu de realizat de valoare exact n schema din fig.2.10.
+VDD I I (35A)
-

VDS1= VDS2 T1 VGS1 W/L=50/10 T2

Vref

VGS2 W/L=50/10 2I (70 A)

-VSS Fig.2.9. Surs de tensiune de referin de tip Vt n continuare se va comenta rela ia aproximativ a lui Vt : Vt cu: Qio = sarcina indus n canal pe unitatea de arie la T1; Cox = capacitatea pe unitatea de arie poart-canal. Aceasta este foarte pu in dependent de temperatur (50ppm/C). Dar, prin modificarea uoar a dimensiunilor unui tranzistor fa de cellalt, dependen a de temperatur se poate reduce i mai mult (de la 50ppm/C la 5ppm/C prin creterea raportului W/L al lui T1). Tensiunea Vref = Vt rezultat depinde ns de procesul de fabrica ie i nu poate fi precis impus. Pentru ajustarea tensiunii de referin spre valoarea prescris se folosete schema modificat din fig.2.11. Aici: Vout = Vref (1 + R 2 R 1 )
Qio Cox

35 astfel c, prin R1 sau R2, se poate face ajustarea (pe chip) a tensiunii de ieire.
+VDD I I
+

Vout

T1

T2 Vref=Vt 2I -VSS R1 R2

Fig.2.10. Ajustarea tensiunii de ieire

36

CAPITOLUL 3

ETAJE DIFEREN IALE


3.1. Etajul cu sarcin rezistiv
Este realizat ca n fig.3.1, cu tranzistoare NMOS (canal n indus) [7],[2]. Substratul tranzistoarelor este legat la terminalul VSS i nu mai este figurat. Sarcina etajelor diferen iale este de obicei capacitiv (intrri pe por i de MOS din etajul urmtor).
VDD RL i1 T1 vi1 vGS1 v o1 vod CL1 v o2 CL2 RL i2 T2 vi2

S vM IB VSS

vGS2

Fig.3.1. Etajul diferen ial simplu Se va studia mai nti caracteristica de transfer vod =f(vid) (sau comportarea la semnal mare) a etajului. Tensiunea de ieire ce se calculeaz va fi cea diferen ial iar la intrare se va considera tot tensiunea diferen ial (aceasta este amplificat de ctre amplificator i de aici i provine denumirea). Atunci pe bucla RL CL1 CL2 RL :
v od = v o1 v o 2 = i 2 R L i1 R L = R L (i 1 i 2 ) = R L i od

unde s-a introdus curentul de ieire diferen ial iod = i1-i2 .

37 Avnd curentul de polarizare IB = i1+i2 , se pot scrie rela iile


i1 = 1 ( I B + i od ) 2
i2 = 1 ( I B i od ) 2

(3.1)

(prin rezolvarea ultimelor dou ecua ii). Tensiunea diferen ial este definit: vid = vi1 vi2 i este egal cu: vid =vGS1-vGS2 (3.2) (vezi bucla de intrare n fig.3.1). Se folosesc pentru tensiunile vGS rela iile deduse din ecua ia curentului unui tranzistor MOS n satura ie:
v
GS1

= Vt +

2i1 K

v GS 2 = Vt +

2i 2 K

(3.3)

cu K=KW/L, unde K este transconductan a de proces notat Kn pentru NMOS sau Kp pentru PMOS ; W=l imea canalului, L= lungimea canalului, Vt= tensiunea de prag. Aici s-au considerat tranzistoare identice (de acelai raport W/L) i s-a neglijat efectul tensiunii VDS asupra lui iD. nlocuind ecua iile (3.3) n (3.2) rezult :
v id = 2 K ( i1 i2 )
(3.4)

sau, folosind ecua iile (3.1) n aceasta din urm :

1+

i od i 1 od = IB IB

K v id IB

(3.5)

Aceasta este o ecua ie de legtur ntre iod i vid [2], ce trebuie rezolvat pentru c iod este cel ce conduce la vod care ne intereseaz n final. Rezolvarea este dat n [2]. Deoarece vod este propor ional cu iod prin rela ia vod = -RL iod, caracteristica de transfer a amplificatorului diferen ial cu sarcini rezistive n drene are forma dat n fig.3.2 [2]. Pe ea se pot citi excursii maxime de tensiune de intrare diferen ial i de tensiune de ieire diferen ial. Acestea se limiteaz n practic la distan a dintre

38
vod RLIB -2(VGS-Vt) -(VGS-Vt) 0 (VGS-Vt) vid A B

2(VGS-Vt)

-RLIB

Fig.3.2. Caracteristica de transfer a etajului diferen ial punctele A i A sau chiar sub ele. n punctele B sau B ntregul curent IB trece printr-un singur tranzistor, cellalt fiind blocat. Caracteristica este neliniar.

Comportarea la semnal mic Pentru valori mici ale tensiunii vid (n jurul originii n fig.3.2) rezult din ecua ia (3.5):
i od = IB Kn v id IB

i din aceasta:

i od =
Rezult

K n I B v id = g m v id

vod = -RLiod = -gmRLvid ,

unde gmRL = ctigul n tensiune, acelai cu cel al unui amplificator cu un tranzistor. La tranzistorul MOS transconductan a gm este mult mai mic dect la bipolare (tipic de 10...40 de ori pentru situa iile obinuite). Transconductan a, la un curent oarecare de dren, multiplicat cu

39 rezisten a de ieire a tranzistorului d o imagine a cstigului de tensiune la joas frecven :


g m ro 2L 2L VE = VGS Vt VGS Vt dx d dv DS
1

unde paranteza reprezint pe VE, xd este l imea regiunii srcite din apropierea drenei, iar L este lungimea canalului (fig.3.3) [14].
VDS S n+ p VGS G L D n+

xd

Fig.3.3. Sec iune prin tranzistor cu regiunea de trecere a jonc iunii canal-substrat Rezult urmtoarele aspecte: - La un curent de dren fixat, reducerea lungimii L a canalului duce la scderea amplificrii; - De asemenea, reducerea l imii W a canalului are acelai efect la un ID impus pentru c VGS crete dac W scade. Din aceste motive dimensiunea minim a tranzistoarelor este dictat de amplificarea ce trebuie realizat. Pentru a realiza amplificri satisfctoare, dimensiunile W i L ale tranzistoarelor din AO sunt mai mari dect cele din partea digital, aflat pe acelai chip (n tehnologie CMOS, impus de partea digital). Observ ie: Dimensiunile tranzistorului sunt limitate inferior i din considerente de zgomot. - Ctigul de tensiune este invers propor ional cu ID (deoarece VGS -Vt este propor ional cu ID ). El devine comparabil cu cel al tranzistoarelor bipolare, n domeniul subprag (fig.3.4.) al func ionrii tranzistorului (la VGS < Vt , cnd n aparen tranzistorul MOS este blocat).

40
gmro
5002000 Domeniul sub prag

1A

10A

100A

1mA

ID

Fig.3.4. Ctigul de tensiune n func ie de curentul de dren Pentru amplificatoare de vitez mare ( SR mare) nu se poate ns folosi un curent de dren redus (vezi SRIB / Cc ). - Ctigul de tensiune este func ie i de doparea zonei canalului deoarece dxd / dVDS scade la creterea doprii. Se practic deci o dopare mai puternic n zona canalului, prin implant ionic, ob innduse astfel un ctig de tensiune mbunt it. 3.2. Etaje cu sarcini active Pentru creterea ctigului de tensiune se utilizeaz sarcini active (fig.3.5). La T3 i T4 i la cele din sursa de curent IB substratul este legat la terminalul S iar la T1 i T2 substratul este legat la VSS. Se consider mai nti cazul cnd sarcinile active sunt surse de curent mperecheate, la care analiza coincide cu aceea a unui etaj simplu cu un tranzistor . Apare ns problema polarizrii sarcinilor active ce lucreaz ca surse de curent. Acestea trebuie polarizate cu o astfel de tensiune nct s dea doi curen i care nsuma i s fac exact IB. Acest lucru este ns destul de dificil de ob inut . In fig.3.6 se prezint o alt schem n care polarizarea surselor mperecheate se realizeaz printr-o reac ie (de mod comun)[2]. Reac ia asigur men inerea egalit ii: ID3+ID4= IB

41
+VDD
Polarizare Surse mperecheate

T3 CL vo1 vo2 T2

T4

vi1

Fig.3.5. Etaj diferen ial cu sarcin activ simetric Aici tranzistoarele T5 i T6 conectate ca diode, mpreun cu rezistorul RB, impun curentul ID=IB/2 ( vezi rapoartele 1:2 i 1:1 ntre W/L de la tranzistoare). Tranzistoarele T3, T4 i T5 au acelai raport W/L i aceeai polarizare VGS dar rapoartele W/L pentru T6 i T7 sunt n raport de 1:2.
T5 (D) RB 1 : 1 +VDD T3 1 : 1 CL ID vi1 ID T1 T2 vi2 T4
Surse mperecheate

sau: ID

T6 (D)

Fig.3.6. Etaj diferen ial cu sarcini active mperecheate polarizate prin reac ie

+
T1 1 : 2

vi2

IB -VSS

IB=2 ID T7 -VSS

42 Astfel, curentul lui T7 este IB=2ID adic exact suma curen ilor prin T1 i T2. Combina ia T6 cu T7 este oglind de curent. La fel, T3, T4, T5, formeaz o oglind de curent multipl. Nesimetria tranzistoarelor din aceste oglinzi (produs de imprecizia de fabrica ie) i inegalitatea tensiunilor VDS pot produce erori n mperecherea (egalitatea) curen ilor prin T1 i T2 . Astfel, dei schema din fig.3.6 pare performant n prim analiz, ea se va utiliza mai rar din cauza impreciziei n realizare. Utilizarea unei oglinzi simple ca sarcin pentru etajul diferen ial conduce la un circuit cu autopolarizare. Aceasta corespunde schemei simple realizat cu bipolare (fig.3.7) [1], [2].
+VDD T3 1 : 1 T4

i1
IB/2 vi1

i1
Iesire nesimetric

i1
T1 vM

IB/2 T2

i1

vo2 CL

2i1 ro
vi2

IB

ro = r o2 || r04

-VSS Fig.3.7. Etaj diferen ial cu sarcin activ tip oglind simpl Dac T3 si T4 sunt bine mperecheate, atunci curen ii lor de dren sunt apropia i i curg curen i aproximativ egali prin T1 si T2. Simetria (pentru curen i) este mai bun dect la bipolare. Rmne totui un efect Early. Faptul c tensiunile continue pe dioda T3 i pe tranzistorul T4 sunt mult diferite conduce la nesimetria curen ilor de dren i la decalaje (offseturi) mari la intrri.

43 Rezisten a de sarcin ro dat de ro2 || ro4 este aici extras n exterior. Ieirea nesimetric este impus de faptul c tensiunea variabil n drena lui T1 este neglijabil din cauza valorii reduse a rezisten ei dinamice prezentat de dioda T3 (aceast valoare este aproximativ 1/gm3). Tranzistorul T4 ofer o rezisten de ieire mult mai mare ro4 la joas frecven . Curentul alternativ prin sarcin este 2i1 (unde i1 este curentul variabil prin tranzistoarele T1, T2). Ca i la schema cu bipolare, oglinda de curent face conversia de la ieire simetric la nesimetric fr pierdere de amplificare (double to single conversion). Ctigul (amplificarea) de tensiune n gol, la joas frecven , ctigul etajului (din fig.3.7), cu vo1 0, este:
A vo v v vo2 v o2 2i1 ro = od = o1 = = = v id v i1 v i 2 v i1 v i 2 v i1 v i 2 2g m v i1 v i 2 ro 2 = g m ro v i1 v i 2

care, conform ateptrilor, d : A vo = g m ro adic acelai rezultat ca i schema cu ieire diferen ial (simetric). Rezisten ele ro2 si ro4 se fac de obicei la fel de mari pentru c atunci ro = ro2 || ro4 este maxim. Rezisten a ro2,4 a unui MOS are formula : (3.6) unde: VE = tensiunea Early / L , (n [V/]), L = lungimea canalului iar VEL=VA (tensiunea Early). Se poate mri ro2,4 prin creterea lui L. Observa ie : Sarcina capacitiv (CL) schimb func ionarea etajului numai la frecven e suficient de mari, deoarece la joas frecven XCL >> ro (XCL la 1000 Hz este de ordinul n10M ). Banda de frecven a etajului diferen ial Este impus de polul dominant introdus de capacitatea CL de sarcin i Cpar din drena lui T2 , aflate n || ro (nod cu impedan mare):
ro 2, 4 = V L 1 = E g ds ID

44
B 2ro C L + C par

Al i poli, dar nedominan i, sunt provoca i de capacitatea parazit din drena lui T1 i uneori (cnd vM~0) de capacitatea parazit din nodul comun al terminalelor S ale lui T1 i T2 (noduri cu impedan mic). Viteza de cretere a tensiunii de ieire (SR = slew rate) La etajul diferen ial cu sarcin activ oglind, o tensiune de intrare de valoare 2 (VGS Vt ) sau 2I B / K (vezi fig.3.2) este suficient pentru a face ca tot curentul IB s treac printr-un singur tranzistor de intrare. Se va aprecia factorul SR pentru cazul unui astfel de semnal mare de intrare [2]. Oglinda de curent urmrete practic instantaneu acest curent, astfel c un curent constant de valoare IB este for at prin condensatorul CL. Panta tensiunii de ieire va fi atunci limitat i va reprezenta tocmai parametrul SR :
SR = dv o dt =
max

d(I B t / C L ) I B = dt CL

cu dv0 = dQ / CL i Q = IBt , IB = ct. Deci parametrul SR se poate mri dac se lucreaz la curen i IB (deci ID) mari. Oricum, se realizeaz SR mai mare dect la etajele diferen iale cu tranzistoare bipolare. Capacit ile parazite din alte noduri fac s scad fa de IB curentul ce l ncarc pe CL. Deci SR se mai reduce cu ceva. Din acelai motiv, la creterea tensiunii vo , SR este mai mare dect cel de la scderea tensiunii vo . Performan ele de zgomot Pentru un etaj diferen ial cu sarcin activ de tipul oglind de curent simpl (fig.3.7) zgomotul echivalent total de la intrare este mai mare dect cel al unui singur tranzistor [1],[14]:
v 2 .tot zgeq = v 2 .1 zgeq + v 2 .2 zgeq g + m4 g m2 2 v zgeq .3 + v 2 .4 zgeq
2

45 n care s-au considerat egalit ile gm1= gm2 , gm3 = gm4. Se constat c zgomotul tranzistoarelor principale, T1 si T2 (de intrare) se regsete integral n zgomotul total, n timp ce contribu ia tranzistoarelor din sarcina activ (oglinda) este redus cu un factor (acesta se face subunitar). Exploatarea acestei chestiuni se are n vedere la proiectare. n continuare se pun separat n eviden zgomotul de tip 1/f i cel termic. Astfel, avnd expresia puterii de zgomot de tip 1/f (de licrire) pentru un tranzistor n intervalul de frecven f : K F f v 2 .f = zgeq 2 WLCox f cu ajutorul rela iei zgomotului total al etajului diferen ial de mai sus se ob ine (pentru schema din fig.3.7) : K Fp p L2 f K Fn 2 2 v zgeq.f .tot = 21 + 2 W2 L 2Cox K Fn n L2 f 4 cu p/n =1/2,5 i n care s-a folosit pentru gm rela ia :
g m = 2KI D = 2K W ID L

unde K = Cox i s-a inut cont de tipul tranzistoarelor (canal n sau canal p). Factorul:
K Fp p L22 21 + K Fn n L24

se cheam factor de exces de zgomot 1/f i arat de cte ori este mai mare zgomotul etajului diferen ial fa de cel al unui singur tranzistor. Acest factor se poate reduce spre valoarea 2 dac se realizeaz L4 suficient de mare fa de L2. Se constat c zgomotul total de tip 1/f nu depinde de W3 = W4 . n schimb, el se poate reduce prin creterea l imii W1 = W2 . Pentru zgomotul termic [14], avnd expresia corespunztoare unui singur tranzistor n intervalul f :
v 2 .t zgeq 8kT 1 f 3 gm

46 se ob ine n acelai mod pentru etajul diferen ial:


v 2 .t .tot zgeq p (W4 / L 4 ) 8kT 1 f 21 + 3 g m2 n (W2 / L 2 ) g m = 2C ox W ID L

cu

Intervine i aici un factor de exces de zgomot termic:


p (W4 / L 4 ) 21 + n (W2 / L 2 )

cu p / n 1 / 2,5 i se observ c pentru reducerea zgomotului trebuie ca frac ia:

(W / L )2

/ (W / L )4

s fie fcut cel pu in de cteva unit i adic (L/W)2<(L/W)4. Cu alte cuvinte, trebuie ca transconductan a gm2 s fie de cteva ori mai mare dect gm4. Se constat n final c ambele tipuri de zgomote analizate pentru etajul diferen ial scad dac: gm2 >>gm4. n cazul unor preten ii deosebite de zgomot redus, este bine ca tranzistoarele principale (T1 , T2), s fie de tipul cu canal p, iar cele de sarcin, cu canal n. Aceasta, pentru c zgomotul tranzistoarelor cu canal p este considerabil mai mic dect al celor cu canal n. Pentru celelalte tipuri de etaje diferen iale rezult rela ii i concluzii similare privind zgomotul echivalent total la intrare. Dac se folosete ieire diferen ial, zgomotul tranzistoarelor de sarcin dispare. Sursele VDD si VSS precum i sursa de curent IB nu contribuie practic la zgomotul total echivalent al etajului diferen ial. Tensiunea de decalaj sau offset Tensiunea de offset a unui etaj diferen ial are dou componente : una sistematic i alta aleatoare. Prima rezult din proiectarea circuitului (n special a amplificatorului complet cu mai multe etaje) i exist chiar dac dispozitivele din etajul diferen ial de intrare se mperecheaz ideal.

47 Este vorba de impunerea corect a rapoartelor dimensionale W/L ale tranzistoarelor pentru realizarea curen ilor necesari pe traseul comun din surse i din etajul urmtor cuplat direct cu primul (cum se va studia la amplificatorul opera ional). Aici se va prezenta doar problema offsetului aleator datorat nemperecherii perfecte a dispozitivelor din etajul diferen ial (de intrare) [1]. Pentru schema etajului diferen ial din fig.3.5, considernd numai nemperecherea tensiunii de prag i a raportului dimensional W/L, offsetul aleator este determinat de diferen a tensiunilor VGS :
Vio = VGS1 VGS1 = Vt1 + 2I D1 Vt 2 + K (W / L )1 2I D 2 K (W / L )2

Dac se introduc diferen ele ntre mrimile ID1 ID2 , Vt1 Vt2 , (W/L)1 (W/L)2 i valorile medii ale perechilor acestora, iar curen ii de dren se scriu n func ie de rapoartele dimensionale ale tranzistoarelor oglinzii de curent i de gm , se ob ine (n cazul cel mai defavorabil cnd termenii au acelai semn):
Vio = Vt12 + Vt34 g m4 (VGS Vt )1,2 + g m2 2 (W / L)12 (W / L)34 + (W / L)3,4 (W / L)1,2

unde: Vt1-2 reprezint nemperecherea (nesimetria) tensiunilor de prag ale tranzistoarelor principale; Vt3-4 reprezint nemperecherea (nesimetria) tensiunilor de prag ale tranzistoarelor oglinzii de curent. Al doilea termen se reduce prin realizarea condi iei gm2 >> gm4 care concord cu aceea de reducere a zgomotelor. Termenul al treilea reprezint nesimetria rapoartelor dimensionale ale tranzistoarelor. El se poate reduce doar prin asigurarea func ionrii tranzistoarelor la VGS Vt redus, deci la curent redus de dren. Pentru reducerea offsetului exist totui solu ia geometriei cu centru comun. Aceasta micoreaz eroarea geometric prin dublarea ariei tranzistoarelor (realizarea fiecrui tranzistor din dou conectate

48 n paralel) i eroarea cauzat de diferen a de temperatur printr-o simetrizare termic. Factorul PSRR (power supply rejection ratio sau SVRR - supply voltage rejection ratio) Acest factor este de importan considerabil n proiectarea amplificatoarelor cu MOS interne. Un motiv este acela c n sistemele analogdigitale complexe circuitele analogice trebuie s coexiste pe acelai chip cu cantit i mari de circuite digitale. Chiar dac se fac pe chip trasee de alimentare separate pentru pr ile analogic i digital, este greu s se evite total cuplajul dintre ele deci zgomotul digital n sursele analogice.Dac aceste semnale ptrund prin cuplaj n calea de semnal analogic mic stric raportul semnal / zgomot al circuitului. O analiz mai extins a factorului PSRR se va face la capitolul de amplificatoare opera ionale. Aici se arat modul n care intervin la nalt frecven ci de cuplare ntre sursele de alimentare i calea de semnal la etajul diferen ial. Cuplarea are loc prin intermediul capacit ilor parazite ale tranzistoarelor din etajul diferen ial (de intrare) de la VSS, direct pe intrrile AO (fig.3.8).
+VDD Cgs IB

In

T1

T2

Cgd T3

-VSS
Fig.3.8. Cuplajul dintre sursele de alimentare i intrare

49 Dac la intrarea lui T1 este conectat o capacitate (la integratoare, filtre active sau circuite de eantionare - memorare) atunci acolo intervine un divizor capacitiv, la care se poate estima semnalul parazit introdus pe intrarea AO. Cnd nodul In are impedan a mare, semnalul parazit transmis este i mai mare. Cauzele apari iei semnalelor parazite de la sursele de alimentare n drena i sursa lui T1 si T2 sunt prezentate n continuare, mpreun cu solu iile pentru mbunt irea rejec iei acestor semnale : a). Transmiterea varia iei sursei -VSS n drenele tranzistoarelor T1 , T2 (n special la T1 prin dioda cu rezisten redus T3); solu ia poate consta n folosirea configura iei cascod pentru tranzistoarele principale (cu tranzistoare nseriate n drenele lui T1 si T2). b). Varia ia curen ilor de dren ai tranzistoarelor T1 , T2 cnd referin a sursei de polarizare IB depinde de tensiunea unei surse VDD sau VSS , varia ie transmis i asupra tensiunilor VGS (pe capacitatea Cgs); solu ia const n folosirea unei surse de curent IB independent de VDD si VSS . c). Varia ia polarizrii substratului la T1 si T2 dac substratul este legat la sursa VDD (sau la un poten ial dependent de VDD), transmis asupra tensiunii de prag Vt i deci asupra lui VGS. Solu ia se afl n legarea insulei n (substratul) a tranzistoarelor T1 , T2 la sursa tranzistoarelor respective (atunci tranzistoarele cu canal p din sursa de curent IB vor avea insul n separat, legat la +VDD). d). Cuplaje prin ncruciri ntre conexiunile AO i ale sistemului complet, ceea ce oblig la realizarea unui layout dup anumite principii. Factorul CMRR Pentru creterea factorului CMRR al etajului diferen ial e necesar s se asigure urmtoarele condi ii : - conductan a gm ct mai mare la tranzistoarele principale, - rezisten a de ieire ro a sursei de curent de polarizare IB (din ramura comun) ct mai mare (lucru realizabil prin creterea lungimii canalului), - dac este posibil, s se foloseasc sarcin activ cu surse mperecheate i ieire diferen ial.

50 CAPITOLUL 4

AMPLIFICATOARE OPERA IONALE


4.1. Performan e impuse AO cu CMOS Performan ele impuse AO ce vor fi realizate ca i componente de sine stttoare (singure pe chip) sau ca i componente ntr-un sistem integrat difer adesea. Cea mai important diferen const n faptul c, pentru AO de uz general (singure n capsul), trebuie asigurate performan e independente de ncrcare a ieirii prin sarcin rezistiv (ce coboar pn la 2k sau chiar 1k) sau prin sarcin capacitiv (de ordinul a ctorva sute de pF). Pentru un AO intern dintr-un sistem integrat, sarcina amplificatorului este definit exact i este adesea pur capacitiv (cu valoare de c iva pF). Intr-un sistem integrat, numai unele dintre AO incluse trebuie s comande o ieire a chipului, unde sarcina rezistiv i capacitiv este important (mare) i cu diverse valori. Pentru comanda acestor ieiri sunt necesare AO denumite buffere, ce difer ca structur de cele interne- ale cror ieiri nu ajung la pinii chipului pentru a se folosi n exterior. La AO interne, adesea, parametri ca: offset-ul de tensiune, CMRR-ul, gama tensiunilor comune de intrare, pot fi mai pu in importan i. Pot conta mult, n schimb, parametri ca: puterea disipat, ctigul de tensiune, zgomotul propriu, SVRR (notat i PSRR), aria ocupat. Parametrii importan i depind totui de aplica ia n care sunt incluse AO interne. n cazul AO interne, sistemul ce le utilizeaz poate fi conceput astfel nct offset-ul de tensiune (mare la AO cu MOS ) s conteze mai pu in. Parametrii principali ai unui AO intern precum i cei ai unui AO independent uzual, sunt da i comparativ n Tabelul 1. Ultimul din acestea are, desigur, i etaj final, care mrete aria ocupat i curentul consumat n gol. Tehnologia este de 4m, asemntoare. O mare parte din parametri sunt apropia i pentru c partea principal a schemei amplificatoarelor, adic primele doua etaje diferen ial i prefinal, sunt asemntoare. n cele ce urmeaz se studiaz amplificatoarele opera ionale ,,interne[2].

51 Tabelul 1 Parametrul
Ctigul n tensiune Puterea disipat n gol Frecven a de ctig unitar(f1) SR pentru un semnal mare Offset de tensiune CMRR SVRR (notat i PSRR) la j. frecven Zgomot echivalent la intrare Arie ocupat pe plachet

AO intern
50dB 0.5mW 4MHz 8V/ s 2mV 8odB 80dB 100nV/ Hz 15.10-3mm2

AO independent
100dB 5mW 1MHz 2V/ s 5mV (10mV) 100dB 80dB 60nV/ Hz 60.10-3mm2

(v )
2 zg

4.2. Structura cu dou etaje Structura cel mai mult utilizat (de baz) cu dou etaje amplificatoare n conexiune SC este prezentat n fig.4.1, [1]. Realizarea lui concret este n figura urmtoare (fig.4.2).
+VDD IB ID5

In.1

T1

T2

In.2

Cc

Out T5

T3

T4

-VSS Fig.4.1. Schem simpl de AO intern

52 Etajul diferen ial este simplu, cu sarcina activ oglind de curent. Ieirea va fi nesimetric. Folosind tranzistoare principale cu canal p (indus) n etajul diferen ial i cu canal n (indus) n al doilea etaj, se evit un etaj intermediar pentru deplasare de nivel. Aceast configura ie asigur performan e bune i se poate face compensarea (corec ia) n frecven cu un singur condensator de valoare redus (corec ie Miller sau cu separare de poli pole splitting.) Se analizeaz n continuare performan ele circuitului din fig.4.1. Schema acestui AO se realizeaz practic ca n fig.4.2 [2],[14].
+ VDD

1 : 1
T8

T5 IB

2 : 1

T6

In 1

T1

IB

T3
Etaj 1

T4

T7

- VSS

Etaj 2

Fig.4.2. Amplificatorul opera ional CMOS Miller OTA La joas frecven ctigul primului etaj (diferen ial), presupunnd T1, T2 respectiv T3, T4 identice (pe perechi), este:
A v1 = g m1 (ro 2 ro 4 )

Ctigul de tensiune al etajului 2 este: iar ctigul total al AO este:

A v 2 = g m 7 (ro 6 ro7 )

Av=Av1.Av2

Pentru aplica ii interne de AO ctigul total de tensiune pe dou etaje poate fi de ordinul ctorva mii, deci este necesar un ctig de ordinul 50...70 pe un etaj. Se adopt atunci:

2ov

1ov

T2

In 2 Cc

Out CL2

53
VGS Vt = 2I D = n 100mV (W / L ) K

prin intermediul lui ID i W/L. Doparea suplimentar a substratului (n zona canalului) la T1, T2 se adopt astfel ca distan a xd 1/5L pentru VDS = n V. Offset-ul de tensiune Tensiunea de offset de la AO rezult din cauza impreciziei calculrii i realizrii schemei (offsetul sistematic) dar i din cauza nesimetriilor componentelor care ar trebui s fie identice (offset aleator) [2],[14]. La AO cu MOS, din cauza amplificrii mai mici a primului etaj diferen ial, poate conta mult i offset-ul de tensiune al etajului al doilea. La etajul diferen ial din fig.4.2, datorit cuplajului spre T7, tensiunea din drena lui T2, deci tensiunea VDS4, se poate face egal cu VDS3 si VGS3 pentru c : VDS4 = VGS7 = VGS3 deci s-ar elimina efectul Early la etajul 1. Astfel se ob ine un offset mai redus. n acest scop se poate asigura prin T7 acelai curent ca prin T3,T4 i anume, prin realizarea n sursa de curent cu T6 a unui curent pe jumtate din curentul lui T5. Deci: E Egalitatea ultim se realizeaz n special din W5 pentru c lungimile L ale tranzistoarelor implicate se iau identice (lungimile sunt mai sensibile la imprecizia procesului de fabrica ie). Totui, din motive de zgomot, tranzistoarele T3 si T4 ar trebui s aib transconductan a redus (W\L redus), iar din motive de comportare n frecven , T7 ar trebui s aib transconductan a mare (W\L mare). Cu toate acestea egalit ile (4.1) primeaz cnd trebuie realizat un offset sistematic redus. Offset-ul aleator la perechea T1-T2 din etajul diferen ial depinde n principal de nesimetria tensiunilor de prag Vt ale tranzistoarelor dac acestea lucreaz la VGS -Vt redus. Aceasta
(W\L)3 = (W\L)4 = (W\L)7 ; 1\2(W\L)5 = (W\L)6 (4.1)

54 nseamn ID redus i un parametru SR mai redus. Nesimetria Vt depinde foarte mult de precizia procesului de fabrica ie. Se poate mbunt i situa ia folosind geometria cu centru comun i cu arie mrit a tranzistoarelor (cte dou n paralel). Cu aceste msuri se coboar offsetul de tensiune al AO la cca. 2mV. Rspunsul n frecven . Compensarea n frecven (corec ia) Solu ia cea mai simpl pentru compensarea n frecven este compensarea Miller sau cu separare de poli ca i la AO de genera ia a 2-a cu bipolare, totui, sunt diferen e din cauza transconductan ei gm, mai mici la tranzistoarele MOS. Circuitul echivalent aproximativ, pentru cele dou etaje, este cel din fig.4.3 unde Cc >> CL1. De aceea cei doi poli pe care i prezint func ia de transfer vo2/vi1 a amplificatorului cu dou etaje sunt mult diferi i ntre ei (fr demonstra ie), [14]:
G1 vi1 gm1vi1 vo1 G7 ro CL1 Cc vo2 r CL2

etajul 1 (etajul diferential)

etajul 2

Fig.4.3. Circuitul echivalent pentru semnal mic al AO din fig.4.2


p1 1 C M ro'

1 1 + g m 7 ro'' C c ro'

e un pol dominant, unde CM = capacitatea Miller i


p2 = g m7 C c C L1C L 2 + C L1C c + C L 2 C c

Rezult: | p2| >> | p1| . Cei doi poli sunt deprta i puternic unul de altul, de aceea metoda de compensare se mai numete cu separare de poli (pole splitting). Frecven a de amplificare unitar f1 se poate determina cu aproxima ie pe un circuit simplificat fa de cel din fig.4.3. i anume,

gm7vo1

(4.2)

55 un circuit n care CL1 i CL2 sunt neglijate. Circuitul va prezenta o caracteristic de frecven cu un singur pol, dominant, dat de p1. Amplificarea total are atunci forma:
A vtot = g r ' g r '' A vo = m1 o m7 ' o 1 + j / p1 1 + jC M ro
' g m1g m 7 ro ro''

Cnd pulsa ia se apropie de 1 atunci:


A vtot =
' g m1g m 7 ro' ro'

1+

C 2 ro'2 M

1+

g m 7 ro''

C c ro'

g m1 C c

g m1 Cc Caracteristica de frecven a circuitului echivalent din fig.4.3 mai prezint ns i un zero, la pulsa ia:
i cnd A vtot = 1 atunci rezult : 1
z = z = g m7 Cc
z g m7 1 g m1

Raportnd aceast pulsa ie la 1 se ob ine:

Deci loca ia zeroului nu este departe de pulsa ia 1. Aici gm7 > gm1 doar cnd tranzistoarele lucreaz la curen i de dren diferi i i anume ID7 > ID1(2) iar transconductan ele sunt propor ionale cu ID. Dei se pare c acest zero nu ar avea efect defavorabil asupra stabilit ii amplificatorului totui zeroul este n semiplanul drept al diagramei Nyquist. Zeroul pozitiv introduce un defazaj de - 900 n diagrama de faz. Aceasta nseamn c, dac la AO se folosete o reac ie negativ, la frecven e mari reac ia poate deveni pozitiv. Fizic acest lucru se explic prin untarea de ctre Cc la frecven e mari a etajului n conexiune SC realizat cu T7 i deci eliminarea inversrii de faz fcut la joas frecven de tranzistorul T7. Tranzistorul T7 cu drena scurtcir- cuitat la poart se comport ca o diod cu rezisten a dinamic 1/gm7 Astfel, amplificarea AO din fig.4.2 va deveni: g 1 g m1 = m1 g m7 g m7

56
Av [dB] gm1gm7roro
-20 dB/dec

0dB
g m1 g m7

p1

log

Fig.4.4. Diagrama Bode a amplificrii de tensiune (vezi fig.4.4). S-au elaborat dou solu ii pentru eliminarea zeroului din semiplanul drept. Una const n introducerea unui repetor pe surs ntre ieire i condensatorul Cc pentru a preveni propagarea semnalului nainte prin condensatorul Cc. Acest repetor complic circuitul pentru c trebuie polarizat [14]. O alt solu ie, mai simpl, este de folosire n serie cu Cc a unei rezisten e Rz de anulare (z de la zero) [14]. Pulsa ia zeroului va deveni atunci :
z= 1 1 Cc g Rz m7

care tinde la cnd Rz= 1/gm7 i efectul acestuia dispare. Dac Rz se ia mai mare, zeroul se mut n semiplanul stng al diagramei Nyquist i va avea efect favorabil, de cretere a rezervei de faz a amplificatorului n zona lui 1. Mai intervine o problem de frecven n cazul ncrcrii capacitive puternice a ieirii AO (cnd acesta nu are un etaj final). Astfel, dac doar CL1 este neglijabil n circuitul echivalent din fig.4.3 atunci polul p2 devine (rela ia 4.2):
p2 g m7 C c g m7 C L2 C c C L2

iar

p2 1

g m7 C c g m1 C L 2

57 Deoarece tranconductan ele gm1 si gm7 sunt relativ apropiate, atunci cnd CL2 este de ordinul lui Cc , pulsa ia polului 2 se apropie de 1 (nc o frngere n diagrama de amplitudine) ceea ce nrut ete rezerva de faz pentru amplificarea unitar. Slew-rate -ul AO (fr etaj final) Att timp ct capacitatea de sarcin de la ieire, CL2 , este relativ redus, va conta factorul SR stabilit n capitolul anterior pentru etajul diferen ial (fig.3.7):
SR int ern = IB Cc

acesta este denumit intern pentru c este impus de capacitatea dintrun nod interior al AO. Dac ns CL2 (de la ieirea AO) devine mare, ea va impune prin ncrcarea sa factorul SR. Acesta va deveni:
SR extern = I D6 I B CL2

pentru

I D6 = I D7 > I B

deoarece IB este luat de Cc. Acesta este mai mic dect cel intern. Este clar c trebuie folosit un curent mai mare la etajul al doilea cnd capacitatea CL2 este mai mare. Factorul de rejec ie a varia iei surselor de alimentare PSRR Factorul PSRR pentru nalt frecven reflect sensibilitatea circuitelor AO la perturba iile din surse. El se poate defini:
v od vs v A PSRR = = id = dd v id v od As vs (4.3)

cu vs varia ia sursei de alimentare (semnal parazit suprapus) adic prin raportul ctigului de tensiune diferen ial (pe traseul intrare-ieire al AO) i al ctigului pe traseul de surs de alimentare - ieire. Cu alte cuvinte, semnalul parazit echivalat la intrarea amplificatorului i provenind dintr-o surs de alimentare este egal cu semnalul parazit suprapus peste acea surs, mpr it cu factorul PSRR: vs v iseq = PSRR

58 Schema de baz a AO din (fig.4.2) este total neperformant din punct de vedere al PSSR- adic cel pentru sursa negativ [2]. Un motiv este acela c pe msur ce frecven a semnalului parazit de pe sursa -Vss crete, impedan a condensatorului de compensare Cc scade, untnd tranzistorul T7 ce apare conectat ca diod (cu scurtcircuit poart-dren prin Cc). Cu rezisten a dinamic redus 1/gm7 ctigul de la sursa Vss pn la ieire este apropiat de 1 (semnalul parazit se transmite aproape integral la ieire). In fig.4.5 se vede c PSRR - scade la unitate (0dB) la o pulsa ie apropiat de 1, ca i Add. Au fost concepute din acest motiv arhitecturi de AO la care situa ia PSSR - este mbunt it.
PSRR -

~80dB
-20dB/dec

~ 1 p1

Fig.4.5. Diagrama Bode a PSRR Spre deosebire de PSSR - , factorul PSSR + , pentru sursa pozitiv, este de valoare mare (cca.60dB) ntr-o band mare de frecven [2]. 4.3. Scheme mbunt ite de AO Amplificatorul opera ional din fig.4.1. este mult folosit n prezent dar cu unele modificri. Pentru ob inerea de performan e superioare s-au aplicat i alte tehnici de circuit. n acest paragraf se studiaz mai nti modificrile n structura de baz (fig.4.1) apoi alte tehnici de realizare a AO [4], [36] . Compensarea prin cascod pentru creterea factorului PSRR In fig.4.6 tranzistoarele T8 i T7 apar n montaj cascod, de unde provine denumirea metodei [14]. Cum s-a vzut anterior, la schema AO de baz, factorul PSRRscade cu frecven a semnalelor parazite suprapuse peste sursa negativ

59 de alimentare din cauza capacit ii Cc. In principiu, dac s-ar conecta captul din stnga al condensatorului Cc la o mas virtual (n c.a.) atunci tensiunea condensatorului Cc nu s-ar mai modifica n func ie de tensiunea sursei de alimentare negative.
+VDD

I IB S T8 T1 T2 Cc

ID6

Out cascod

In -

In + T7

T3

T4 -VSS

Fig.4.6. Compensare cu Cc inclus n configura ia cascod In realitate nodul S al lui T7 nu este o mas virtual perfect, aa c n mod obinuit se ob ine doar o scdere a lui As de cca. 10 ori, deci o cretere a factorului PSRR - cu un ordin (adic 20 dB) fa de graficul din fig.4.5. Rezistenta 1/gm8 nseriat cu Cc ndeprteaz zeroul pozitiv. Rezult urmtoarele dezavantaje : - n schem sunt necesare componente suplimentare pentru realizarea surselor de curent I, care polarizeaz tranzistorul T8 n regiunea de satura ie. - din cauza acestor componente suplimentare rezult un offset de tensiune i un zgomot echivalent mai mare .

60 Creterea ctigului de tensiune al etajului diferen ial prin montaje cascod Creterea rezisten ei de ieire a tranzistoarelor principale ale etajului diferen ial se realizeaz prin montaj cascod, iar a sarcinii active fie prin folosirea oglinzii cascod fie a unei oglinzi Wilson . Se tie c rezisten a de ieire a unei oglinzi cascod este cu aproxima ie:
roc g m ro2

Adic, aceasta este mai mare dect la un tranzistor simplu de un numar de ori egal cu ctigul n tensiune al acestui tranzistor. Ctigul de tensiune al primului etaj va crete astfel de gmro ori ! Schema care utilizeaz cascoda n amplificator i n sarcina activ este dat n fig.4.7 [1],[14].
I1 In
Tranzistoare principale cascod

+V

T1 T9 T1A I2

T2

In

T2A

T3

T4

Fig.4.7. Folosirea cascodelor n amplificator i n sarcina lui activ O surs cascod poate fi introdus i n drena lui T8 din al doilea etaj amplificator (adic n sursa I3) cnd ctigul de tensiune

Etajul 1- diferential

SGV

Sarcin activ cascod

+
T3A

I3

Cc T6

Ou

T4A

T8 T7 -V

Repetor (T6

Etajul 2

61 trebuie fcut mai mare. Etajul repetor cu T6 (avnd ca sarcin activ pe T7) are rol de etaj de deplasare de nivel (cu VGS). n acelai timp el este un repetor cuprins n circuitul de compensare (n serie cu condensatorul Cc din punct de vedere al lui T8). Astfel, zeroul pozitiv din expresia ctigului AO (ntlnit anterior) nu va mai avea efectul de nrut ire a stabilit ii. La tranzistorul T9 raportul W/L (curentul de dren) se adopt astfel nct T1 i T2 s fie men inute n satura ie. Un dezavantaj al acestui amplificator const n reducerea gamei semnalului comun al primului etaj, care s-ar mai putea mbunt i doar printr-o polarizare optimizat a cascodelor tranzistoarelor principale i de sarcin. Folosirea conexiunilor SC i GC (cascod mpturit) pentru creterea benzii de frecven In AO de baz considerat pn acum s-au utilizat dou etaje amplificatoare ambele n conexiune SC. n fig.4.8 se prezint o tehnic bazat pe conexiuni SC-GC (cascod) [1],[7],[14].
+ T8
Pol .

T9

T7 IB

Sarcina activ pentru T4

In +
Amplif. "cascod mpturit (T1,T2,T3,T4)

T1

gm2vi1

T5
Pol

Etaj 1 diferen ial (conex. SC)

Fig.11.9. Amplificator opera ional cascod mpturit

T10
In -

T2

T11 roeq Out vo4 T4


Pol .

vin1 T3

CL

Cg
s

T6

Montaj cascod (T4 i T6 T2)

Etaj 2 (T4) conex. GC

-V

62 n cele ce urmeaz se studiaz performan ele, avantajele i dezavantajele acestui amplificator opera ional. Ctigul de tensiune la frecven e joase este aproximativ acelai ca la AO de baz din fig.4.1. i 4.2. Astfel, neglijnd rezisten a de ieire n drena lui T6, curentul variabil de dren al lui T4 este acelai cu cel al tranzistorului T2 (curentul iese n sursa lui T4 i intr n drena lui T2) i este gm2vi1. Atunci ctigul de tensiune al amplificatorului complet (n drena lui T4) este dat de tensiunea de ieire: vo4 = -gm2vi1roeq unde roeq reprezint sarcina rezistiv echivalent de la ieire: roeq = ro4c || ro11c cu ro 4 c g m 4 ro 4 (ro 2 ro 6 ) i
ro11c g m11 ro11 ro 9

(cu indicele c de la cascod). Cu acestea: Av = i are valoarea de ordinul miilor. Trebuie remarcat c tranzistoarele T1,T2 fac fiecare un montaj cascod cu T3 i T4 i c rezisten a de ieire a amplificatorului este cea a dou cascode n paralel: T11 + T9 i T4 + (T2 T6) Avantajul principal al acestui tip de amplificator opera ional este acela c nu necesit o compensare n frecven de tip Miller (cu Cc), care ar introduce un pol dominant i ar reduce la minim banda de frecven a AO cu reac ie. Aici compensarea (corec ia) de frecven o face nsi capacitatea CL i aceasta nu produce un pol. Un prim pol l introduce capacitatea de intrare Cgs a tranzistorului T4, iar frecven a lui este foarte mare (este amplificator cascod). Un al 2-lea pol este produs de oglinda cascod T11-T10-T9-T8 (sarcina cascodei T4-T2). Astfel, schema poate asigura o band de frecven mare fr pericol de instabilitate la nchiderea unei reac ii negative. Acest amplificator se aplic n special n filtre cu capacit i comutate, de nalt frecven i n comparatoare rapide (are SR mare). Un alt avantaj al AO din fig.11.9 este acela c posed un PSRR de valori mari i la frecven e ridicate, dac CL nu este conectat
vo 4 = - gm2roeq vi1

63 la vreo surs de alimentare sau ntr-un punct cu tensiune dependent de sursa de alimentare. Un prim dezavantaj al AO din fig.4.8 este acela c, avnd la ieire montaje cascod, excursia maxim de ieire este mai redus dect aceea a AO de baz. Pentru a se extinde cu ceva excursia de tensiune, sursa de polarizare a tranzistoarelor T3,T4 face ca T5 i T6 s lucreze n cotul caracteristicilor de ieire, adic, la VGD = Vt. Polariznd special i pe T11 (polarizare optimizat), excursia se extinde atunci pn la V+- 2(VGS Vt) sau V+- 0,8V Dac ns trebuie realizat i o rezisten de ieire de valoare mare, polarizarea se va face cu cteva zecimi de Volt n interiorul regiunii de satura ie i atunci, excursia se mai reduce. Un alt dezavantaj al schemei din fig.4.8 este legat de zgomotul echivalent de la intrare, care poate crete din cauza creterii numrului de componente [1],[14]. Admi nd c T1....T4 i T8....T11 au acelai curent, zgomotul de tip 1/f (flicker) de joas frecven , echivalat la intrare, se poate scrie:
v2 f = zgeq
2 2 KFn n L1 L1 df KFp 2 1 + 2 + 2 KFp p L6 L9 f W1L1C ox

(4.4)

unde KFp i KFn sunt constante ce depind de tehnologie, pentru canal p i n, n i p sunt mobilit ile electronilor i golurilor, df este banda de frecven pentru care se determin valoarea medie ptratic a tensiunii de zgomot (puterea de zgomot). Termenii al 2-lea i al 3-lea din parantez n rela ia (4.4) se pot reduce ca efect prin alegerea corespunztoare a raportului lungimilor de canal. n acest fel, zgomotul se aduce numai spre cel produs de tranzistoarele T1 i T2 (factorul ce nmul ete paranteza). Deci L1 se face mai mic dect L6 i L9. Considerente asemntoare se aplic i pentru zgomotul termic [1]. Factorul de exces de zgomot este practic acelai cu cel din formula (4.4) i este >2. Al treilea dezavantaj: offsetul amplificatorului este i el mai mare, tot din cauza numrului mai mare de tranzistoare.

64 Slew-rate-ul AO analizat aici este uor de calculat, deoarece curentul IB al lui T7 este transmis (n cazul semnalelor mari de intrare) pn la sarcina capacitiv CL. Astfel SR= IB/CL. n realitate n schem mai sunt capacit i parazite, ce preiau din curentul IB i reduc SR-ul fa de cel dat de formul. 4.4. Scheme speciale de AO AO cu etaje n clas AB Multe circuite analogice cu CMOS, comercializate, utilizeaz circuite amplificatoare cu 1-2 etaje n clas AB. Acestea permit ca n repaus s se consume curent redus de la sursele de alimentare iar cnd sarcina lucreaz cu curent mare, acesta poate fi furnizat (cnd semnalul de la intrare este mare) [14]. Cel mai des se ntlnete etajul de ieire n clas AB din buffere. Cnd este necesar ns o reducere i mai mare a consumului de curent n repaus, clasa AB se extinde i la etajul prefinal sau chiar la etajul de intrare ! Un motiv suplimentar important pentru a folosi clasa AB i la etajele de semnal mic l constituie necesitatea unui curent mai mare dect cel de repaus, pentru a ncrca n timp scurt capacitatea de sarcin ori de compensare n frecven (deci pentru realizarea unui factor SR mare). Un exemplu de amplificator opera ional care utilizeaz etajul al doilea de tipul n clas AB dar n conexiune SC este dat n fig.4.9 (pt. V+ ,V- mici) [14]. Primul etaj diferen ial are structur clasic. Aici poarta lui T2 este atacat prin repetorul pe surs (T8), realizndu-se deplasarea de nivel de tensiune cu VGS necesar. Cnd la ieirea primului etaj (vo1) apare o excursie de tensiune pozitiv se reduce curentul prin T1 i, datorit deschiderii mai puternice a lui T8, curentul prin T2 poate crete fa de valoarea de repaus dac sarcina impune un curent mare. Dac excursia de tensiune din drena lui T5 este negativ, crete curentul prin T1 i scade prin T2, sarcina de la ieire putnd primi un curent mai mare (care iese din amplificator). T9 este sarcina activ a lui T8.

65
V+ T6 T7 T8 In + C2 T1 C1 T1 Out T1

vo1 In T4 T5

T3
Polarizare

T9

T2 V
-

Etaj diferen ial

Etaj repetor pt.deplasare de nivel

Compensare n frecven

Etajul 2 Amplif. clas AB (conex. SC)

Fig.4.9. AO cu etajul al doilea (final) n clas AB Tranzistoarele T10 i T11 au comportare de rezisten e (lucreaz doar n c.a., deoarece sunt nseriate cu condensatoarele C1 i C2 ; astfel prin ele nu este component continu de curent). Rolul unui astfel de rezistor este acela de nlturare a efectului zeroului pozitiv din caracteristica de frecven a AO, discutat ntr-un paragraf anterior. Ansamblul T10T11 asigur rezisten a necesar pentru ambele sensuri de curent (deci pentru c.a.). Realizarea astfel a rezisten ei RZ este mai simpl. Amplificatoare cu ieire diferen ial Cum s-a artat, PSRR este un parametru important pentru AO ce se utilizeaz n circuitele integrate complexe analog/digitale. n plus tensiunile de alimentare folosite sunt n continu scdere i pierderea de excursie la cascode devine important. Aceste dou considera ii conduc la folosirea unor ci de semnal total diferen iale n

66 sec iunea analogic a sistemelor. Dac circuitele sunt diferen iale n totalitate, factorul PSRR devine foarte bun pentru c varia iile surselor de alimentare devin semnale comune. Apoi, excursia de tensiune de ieire este dublat n timp ce zgomotul echivalat la intrare rmne acelai. Deci se ctig 6 dB la raportul semnal/zgomot (gama dinamic limitat de zgomot). n fig.11.13 se prezint schema unui AO cu ieire diferen ial [36]. O problem important la acest AO este aceea a unei reac ii negative de semnal comun (de mod comun) care s for eze semnalul comun de la ieire la zero (deci creterea lui CMRR).
+V
Pol.

T5

T6

T7

Pol.

T8
Out
R.N. de semnal comun

T9

In 1 T1 T2

In 2

Pol.

T3

T4

Pol.

T1

T1

T1 -V

Fig.4.10. AO cu ieire diferen ial

67 Aceast reac ie se poate realiza printr-un circuit cu tranzistoare cu func ionare continu sau printr-un circuit cu capacit i comutate (blocul RNSC din fig.4.10). Ca structur, AO din figur se aseamn cu un AO cu cascod mpturit. Adic T1, T2 i T3, T4 realizeaz un etaj diferen ial cu montaje cascod. Apoi, la ieiri apar de asemenea montaje cascod att n partea de sus ct i n partea de jos. Din aceste ultime cascode fac parte i T3, T4. Tocmai aceste tranzistoare, ce apar n pozi ie lateral fa de T1 i T2, fac s intervin denumirea de cascod mpturit. Aici ns, ntregul amplificator este simetric pentru c ieirea este diferen ial. A fost folosit tranzistorul T11 de pe traseul comun al surselor lui T12 i T10 pentru nchiderea reac iei negative de semnal comun (RNSC). Dup cum se poate constata, amplificatorul opera ional de acest tip necesit multe tensiuni de polarizare. S-a vzut, de asemenea, c acest circuit are un prim pol, nedominant, la o frecven ridicat (dat de capacitatea Cgs a tranzistoarelor n conexiune GC T4 i T3). Circuitul are deci band de frecven foarte mare i este potrivit pentru filtre de nalt frecven cu capacit i comutate (poate lucra pe sarcini capacitive mari). 4.5. Buffere de ieire n aplica ii ce includ fie sarcin capacitiv, fie sarcin rezistiv, trebuie adugat un etaj de ieire la AO de baz pentru a se evita reducerea amplificrii i excursiei de tensiune i nrut irea stabilit ii n bucl nchis (cu reac ie negativ), produse de sarcin. Aceast situa ie apare de cele mai multe ori cnd trebuie furnizate semnale spre exteriorul cipului (sau spre alte scheme). Principala cerin impus acestor etaje finale este aceea c ele trebuie s aib o band de frecven suficient de larg, n situa ia unei puternice ncrcri capacitive. Considera ii de disipa ie de putere n repaus impun de obicei folosirea clasei AB pentru etajul de ieire, iar banda de frecven a AO nu este alterat dac se folosete conexiunea DC repetor pe surs.

68 n contrast cu schema de etaj final n clas AB cu tranzistoare bipolare, schemele cu tranzistoare CMOS n clas AB sunt destul de variate, depinznd de componentele realizabile n diferite tehnologii. Etajul final clasic din fig.4.11 este copia celui cu bipolare [1], [14]. Dezavantajul principal al acestui etaj este c excursia de tensiune de ieire este limitat de ctre tensiunea VGS a tranzistoarelor finale cnd pe chip sunt i circuite digitale (logice). n acest caz tranzistoarele MOS pentru circuitele mixte au pragul Vt = 0,51V. Astfel, pierderea de excursie la ieire, cauzat de Vt i suplimentul n VGS fa de Vt (total egal cu VGS), este prea mare pentru unele aplica ii. O serie de tehnologii au totui i tranzistoare CMOS speciale (denumite extra devices) cu tensiuni de prag foarte mici, destinate tranzistoarelor de ieire. Din pcate se ntlnesc rar tranzistoare cu canal n ct i cu canal p cu prag redus, n aceeai tehnologie.
+V
Pol.
Sarcin T4 activ

T5
Diode de polarizare

T1

vo
RL

T6

T2

In

T3

-V Fig.4.11. Etaj final clasic Etaj final combinat n unele tehnologii, este disponibil i un tranzistor bipolar care s suplineasc unul din cele dou tranzistoare MOS. Acesta asigur o

69 rezisten de ieire redus i o excursie de tensiune de ieire cu ceva mai mare [2], [14]. Etajul final arat ca n fig.4.12 [14]. Tranzistoarele T5 (prin jonc iunea emitoare) i T6 (diod) servesc la polarizarea n clas AB a tranzistoarelor finale T1 i T2.
+V
Pol

T4 ro4 ro4 T5 VBE T6 Ri1 T1 VGS VBE VGS T2 Out

In

T3

T3

-V Fig.4.12. Etaj final cu tranzistoare MOS i bipolare T1 este comandat din drena lui T/3 care are sarcin activ cu ro4 || Ri1 , mic. T2 este comandat din drena lui T//3 care are ca sarcin rezisten a mic a diodei T6 plus rezisten a de ieire n emitor a lui T5 aici de valoare medie (pentru c n baza lui T5 se vede o rezisten de valoare mare, T1 fiind blocat). Deci amplificrile lui T3i T3 nu sunt egale etajul final fiind nesimetric (la AO aceast situa ie se corecteaz prin RN). Extinderea excursiei tensiunii de ieire spre tensiunea de alimentare. O tehnic de extindere a excursiei, aplicabil la un etaj final n contratimp cu tranzistoare MOS complementare, este prezentat n fig.4.13 [2]. Un astfel de etaj de ieire are denumirea bar-la-bar

70 (rail-to-rail). Pentru rezolvarea acestei probleme tranzistoarele finale, T1 i T2, trebuie comandate cu semnal suprapus pe niveluri de tensiune corespunztoare. Pentru cele dou alternan e posibile ale semnalului sunt necesare deplasri de nivel n sensuri diferite. Etajul prefinal este realizat cu tranzistorul T5, avnd ca sarcin activ pe T6. Semnalul lui de intrare schimb conduc ia prin tranzistoarele de polarizare T3 i T4, ce lucreaz n conexiune poart comun (GC). Polarizarea tranzistoarelor finale ntre cele dou por i se face prin cderea de tensiune pe T3 i T4. Pot conduce simultan T3 cu T2 sau T4 cu T1. In repaus, datorit oglinzilor de curent cu cte dou tranzistoare pe fiecare ramur: T7, T8 i T5, T3 respectiv T9, T10 i T4, T6 prin T3 i T4 apar curen ii Ib iar prin T5 i T6 curen i 2Ib. Folosind tranzistoare identice T3 cu T8 i T4 cu T9, tensiunile VGS ale acestora rezult egale i se impun atunci egalit ile tensiunilor: VDS7=VDS5=VGS7 i VDS10=VDS6=VGS10.
T7 T8 Ib +VDD vin T5 2Ib v1 T4 T3 v2 Ib T9 T10 2Ib Pol. I0 T6

T1

vo
T2

-VSS

Fig.4.13. Etaj amplificator final bar-la-bar

71 Deci, VGS1=VGS7 iar VGS2=VGS10, adic tranzistoarele finale sunt polarizate cu tensiuni potrivite pentru conduc ia unui curent de repaos, redus:
I0 = Ib

(W / L)1 (W / L)7

= Ib

(W / L)2 (W / L )10

In prezen a unui semnal mare de intrare, de exemplu, n alternan a lui pozitiv (vin se apropie de VDD), tensiunea VDS5 crete i poten ialele v1 i v2 coboar mult, T3 se blocheaz iar T4 conduce curentul total 2Ib. T2 se blocheaz de asemenea iar T1 va conduce un curent mare ce iese spre sarcin. Vrful excursiei de tensiune ajunge aproape de VDD datorit cderii de tensiune minime de cteva zecimi de volt pe T1. In alternan a negativ a tensiunii de intrare vin lucrurile se petrec invers, tensiunea pe T5 scade mult, poten ialele v1 i v2 cresc, T4 i T1 se blocheaz iar T2 preia curent mare din sarcin, ajungnd la o cdere minim de tensiune i asigurnd un vrf de excursie de tensiune la ieire.

72 CAPITOLUL 5

COMPARATOARE
5.1. Comparatoare simple (fr reac ie) Cele mai simple comparatoare fr reac ie se bazeaz pe etajul diferen ial cu sarcin activ - oglind simpl (fig.5.1) [2]. n fig.5.2 este prezentat caracteristica de transfer a comparatorului.
+VDD vo T3 T4 vo + vp VDS2 T 2 vS VGS2 T2= conduce T5 0 vp-vn VoH VDD T2= blocat

T1

vn
Zon de indecizie

vi=n.mV

VoL

Vpol

-VSS Fig.5.1. Comparator simplu Fig.5.2. Caracteristica de transfer a comparatorului

Nivelurile logice la ieire sunt: VOH VDD VOL vS = vn VGS2 = vn - Vtn - V (pentru c VDS2 0) cu: V
2I 5 ' K n (W / L) 2

Amplificatorul fiind diferen ial, pragul comparatorului este practic independent de procesul de fabrica ie i de varia ia tensiunii de alimentare. Tensiunea vS este msurat n punctul comun celor dou

73 terminale S ale tranzistoarelor (fa de mas) iar VOL se poate aproxima cu vS dup neglijarea cderii VDS2 la tranzistorul n conduc ie. Ctigul de tensiune al comparatorului se definete n regiunea unde ambele tranzistoare T2 i T4 sunt n conduc ie i n satura ie (la mijlocul caracteristicii). Av =
v o = gm2(r02r04) (v p v n )

(ieirea nesimetric este transformat n simetric datorit oglinzii de curent). Este o mrime important pentru determinarea cerin elor de comand. Ctigul acesta nu este prea mare, dar pentru comparatoare nu este un dezavantaj major. Avantajul principal al comparatorului cu etaj diferen ial este precizia pragului. Eroarea ce intervine totui este cauzat n special de offsetul de tensiune, produs n parte de nesimetria geometric i termic. Pentru reducerea acesteia din urm se aplic geometria cu centru comun, ca la etajele diferen iale cu CMOS. O alt contribu ie la offset o aduce efectul Early (efectul de modulare a lungimii canalului) dac tensiunile VDS ale tranzistoarelor T3 i T4 difer. Comparator cu dou etaje Pentru creterea ctigului de tensiune etajul diferen ial se combin cu un etaj inversor care are rol i de etaj de ieire (fig.5.3) [2]. Se reduce i efectul Early la etajul diferen ial. Acum la offsetul total contribuie ns i offsetul etajului inversor (cu T6) mpr it la ctigul de tensiune al etajului diferen ial. Este necesar aici mai nti simetria etajului diferen ial. Se va stabili apoi o rela ie ntre rapoartele dimensionale (sau geometrice, W/L) ale tranzistoarelor, pentru asigurarea echilibrului schemei n situa ia cnd vp=vn. Pentru aceasta, trebuie ca tranzistoarele cu canal n s aib cu precizie acelai curent ca i tranzistoarele cu canal p nseriate cu ele, cnd toate lucreaz n satura ie. Este necesar, de asemenea, ca tensiunile de la intrri, vp i vn , s fie transmise la ieiri n aceeai msur (cu excep ia polarit ii).

74
VGS3 VGS4 T3 T4 VGS6 VDS4 T1 T2 + vp vo
Sarcin activ

+VDD

vn IB

T6 (etaj de ieire)

Amplif. inversor

T8

T5

T7 -VSS

Fig.5.3. Comparator cu dou etaje Curentul din T5 este oglindit la ieire prin raportul rapoartelor dimensionale ale tranzistoarelor T7 i T5. De asemenea, datorit egalit ii (necesar pentru eliminarea efectului Early): VDS3=VGS3=VGS4=VDS4=VGS6 la echilibru, curentul prin T4 este legat de cel de ieire prin raportul rapoartelor dimensionale ale tranzistoarelor T6 i T4. Astfel: ( W / L) 7 ( W / L)6 I7 = I5 i I6 = I4 (5.1) ( W / L )5 ( W / L) 4 Impunnd acum egalitatea I6 = I7 rezult: ( W / L) 7 ( W / L) 6 I4 = I5 ( W / L) 4 ( W / L )5 i cum I5/I4 = 2 rezult rela ia: ( W / L)6 ( W / L) 7 = 2 ( W / L) 4 ( W / L )5 denumit condi ie de echilibru. Mai intervin totui erori date de nesimetria curen ilor i un offset de tensiune sistematic (de ordinul < 1mV tipic). Gama semnalului comun de intrare este un considerent important la comparatoare. Pentru tranzistoare de intrare cu canal n: VG2min = VG1min = -VSS + VDS5 limit satura ie + VGS1

75 VG2max = VG1max = VDD + VDG1 limit satura ie - VGS3 VDS5 limita satura ie=VGS5-Vtn VDG1 limit satura ie = Vtn Deci pentru o gam dat de semnal comun, tranzistoarele T1...T5 trebuie dimensionate (geometric) astfel nct s rezulte limitele lui VG1 (i deci VG2) impuse. Ctigul de tensiune al comparatorului este produsul ctigurilor celor dou etaje: Av = Av1 Av2 = gm1(ro2ro4) gm6(ro6ro7) Folosind rela iile: W gm = 2KI D = 2K ' I D L V 1 (unde este parametrul deA modulare sau lungimiiID a ro = go = canalului prin = I D este inversul tensiunii Early) rezult: ID tensiunea VDS; = 1 VA adic cu: Av =
2 K 'n K 'p ( W / L ) 1 ( W / L ) 6 ( 2 + 4 )( 6 + 7 ) I 1 I 6

De obicei dimensiunile i curentul tranzistoarelor T1, T2 din etajul diferen ial sunt fixate de alte constrngeri, aa nct, pentru realizarea ctigului impus, se vor utiliza I6 i (W/L)6. Dar i acestea sunt legate de cele de la etajul diferen ial prin condi ia de echilibru. Viteza comparatorului este foarte important pentru unele aplica ii, cum este conversia analog/digital. Se definete un timp de ntrziere, ca diferen ntre momentul n care tensiunea de intrare trece prin valoarea de prag i momentul n care tensiunea de ieire constituie un semnal logic valid. Acest timp este determinat de cantitatea de curent disponibil pentru ncrcarea (descrcarea) capacit ilor parazite i de circuit. n fig.5.4 sunt prezentate principalele capacit i parazite: CL1 suma capacit ilor Cdb (dren-body sau substrat) din drenele lui T2 i T4 i a capacit ii Cgs6. CL2 suma capacit ilor Cdb ale tranzistoarelor T6, T7 i capacitatea sarcinii. Se poate considera vp tensiunea variabil (de intrare) iar vn tensiunea fix (de referin ) i c vp este suficient de mare pentru ca s fie valabil analiza de semnal mare a circuitului [2].

76 ntrzierea primului etaj t1 este dat de timpul necesar pentru ca tensiunea de ieire vo1 s tranziteze de la starea de echilibru la pragul etajului al doilea [2].
+VDD T3 vo1 T4 CL1 T6

vn

T1

T2

vp (var)

vo CL2 T7 activ -VSS


Sarcina

Vpol

T5

Fig.5.4. Schema pentru calculul ntrzierii ntrzierea t2 a etajului 2 se poate determina ca timpul necesar pentru ca tensiunea de ieire a acestuia s se modifice de la valoarea aproximativ egal cu una din tensiunile surselor de alimentare pn la valoarea de declanare a circuitului legat la ieire (dac exist, iar dac nu, se ia valoarea 0V). Timpul total de ntrziere (propagare) este suma timpilor de propagare ai etajelor. Determinarea timpului de ntrziere pentru semnal mic se poate face cu ajutorul polilor expresiei tensiunii de ieire (2 poli produi de cele dou capacit i, fiecare n paralel cu rezisten a de ieire a etajului respectiv). Pentru a se ob ine timp de propagare (ntrziere) redus, este necesar o valoare mare a frecven ei polilor deci scderea rezisten elor de ieire ale tranzistoarelor din fiecare etaj. Dar atunci scade i ctigul de tensiune al comparatorului.

77 5.2. Tehnici de autozero Problema realizrii unui offset de tensiune redus la comparatoarele cu MOS este dificil. n aplica ii de precizie, cum sunt convertoarele A/D, nu se poate tolera un offset mare. Acesta nu este previzibil i nici nu poate fi eliminat prin proiectare ngrijit. Din fericire, exist tehnici i n tehnologia MOS pentru reducerea n bun msur a offsetului de intrare, utiliznd msuri speciale de anulare. Aceste tehnici au efect datorit rezisten ei de intrare uriae a tranzistoarelor MOS: se poate memora pentru timp lung tensiunea de la poarta tranzistorului. Ca rezultat, se poate msura offsetul, se poate memora pe capacitor i se poate nsuma cu semnalul de intrare n vederea anulrii sale [2]. n fig.5.5 se prezint un principiu folosit pentru anularea offsetului, n dou faze. n prima faz (fig.5.5.a) comparatorul este conectat ntr-o configura ie cu ctig unitar (repetor) astfel nct tensiunea de offset de la intrare apare i la ieire (pe condensatorul CAZ). n aceast faz (cu ctig cu reac ie 1) amplificatorul trebuie s fie compensat n frecven pentru a fi stabil. Offsetul este memorat pe condensatorul CAZ.
Comparator Repetor
-

Vin

Fig.5.5. Principiul anulrii offsetului de tensiune n a doua faz, condensatorul CAZ se introduce cu ajutorul unor comutatoare, n serie cu sursa de offset dar cu polaritatea potrivit pentru anularea efectului acesteia i anume, pentru a realiza tensiunea 0V la intrarea + a comparatorului. Neexistnd o cale de c.c. prin care condensatorul CAZ s se descarce, tensiunea pe el rmne constant un timp lung (n realitate

Vos

CAZ

Ideal

Ideal

Vos CAZ

Vos

Vout

78 sunt ci de scurgere n paralel cu condensatorul CAZ i acesta se descarc dup un anumit timp). Solu ia este deci repetarea ciclului de autozero periodic. Folosind i cealalt intrare (legat aici la mas) este posibil efectuarea comparrii a dou tensiuni. n fig.5.6 se prezint implementarea unui comparator cu autozero inversor iar n fig.5.7 sunt artate situa iile de la intrarea comparatorului n cele dou faze ale ciclului de autozero. n prima faz, tensiunea de comand a comutatoarelor cu MOS - 1 - este ridicat i acestea conduc (au cdere de tensiune pe ele, dar redus). Atunci condensatorul CAZ este conectat la ieirea comparatorului iar intrarea a acestuia este la mas. Offsetul este memorat n CAZ (amplificarea este egal cu 1).
1 2

Vin

CAZ

Vos

Vout

1 2

Fig.5.6. Comparator cu autozero inversor


Vin
+ -

Faza 2 Faza 1 Fig.5.7. Fazele de func ionare ale comparatorului cu autozero

Vos

Vos

Vos

Vos CAZ V os

CAZ

Ideal

Ideal
+

Vout

79 n a doua faz, cnd tensiunea 2 este ridicat, condensatorul CAZ este conectat, cu polaritatea potrivit, n serie cu sursa de offset pentru ca suma celor dou tensiuni s se apropie de zero. Tocmai n aceast faz, cnd offsetul este anulat, circuitul lucreaz ca i comparator (cu eroare mic). O alt solu ie de comparator cu autozero neinversor este prezentat n fig.5.8. Se ob ine din comparatorul prezentat n fig.5.6 prin mutarea intrrii. n locul conectrii unei intrri la mas, n toate schemele se poate folosi aceast intrare pentru aplicarea unei tensiuni fixe cu care s se fac compara ia (tensiunea fix va reprezenta pragul comparatorului). Un comparator cu autozero simplu, n care tensiunea de intrare se compar cu 0V, este dat n fig.5.9. Acesta are o func ionare mai simpl pentru c intrarea este conectat n permanen la mas. Astfel, pe bucla celor dou intrri, sursa de offset i tensiunea pe condensatorul CAZ apar n faza a doua cu sensuri opuse i se anuleaz efectul offsetului. n toate implementrile de comparatoare cu autozero se folosesc pe ct posibil n comutatoare tranzistoare cu canal n (au curent rezidual n stare blocat mai mic). Uneori, este posibil s fie necesare i tranzistoare cu canal p, n func ie de tensiunile de la ieire i intrri.
2 1

1 2
Vin CAZ

-Ideal
Vout

Fig.5.8. Comparator cu autozero neinversor

80
1 2
CAZ Vin +

Ideal

Vout

Fig.5.9. Comparator cu 0V simplu Este, deasemenea, foarte important s se utilizeze pentru comanda comutatoarelor semnale de tact 1 i 2 astfel realizate nct ele s nu produc aducerea n conduc ie a unor comutatoare pn la blocarea celorlalte. n fig.5.10 se dau formele semnalelor de tact potrivite pentru comutatoare cu canal n (semnale nesuprapuse). Anularea offsetului nu este perfect dar acesta este totui redus sensibil. Mai rmne offset din cauza transmiterii tranzi iilor mari ale tensiunilor de tact, prin capacit ile parazite ale comutatoarelor (clock feedthrough).
1

Fig.5.10. Semnale de comand nesuprapuse pentru comutatoare 5.3. Comparator cu histerezis (cu reac ie) La comparatoarele simple (fr reac ie pozitiv) cnd semnalele ce se compar au zgomote, apare zgomot (basculri i rebasculri) i n tensiunea de ieire. Este necesar s se utilizeze comparatoare cu histerezis care elimin acest fenomen suprtor [21].

81 Realizarea histerezisului implic o reac ie pozitiv la comparator. Aceasta se poate realiza chiar la primul etaj diferen ial al comparatorului (fig.5.11).
T10
o DDV+

T3 T8 180o

T4 180 V2 T2
2SGV

T11
Reac ie pozitiv

T6

1SGV

T1

+
vp vo

vn

Pol. T9

I5 T5

T7

Fig.5.11. Comparator cu reac ie Aici primul etaj este cldit pe tranzistoarele T1 i T2, iar etajul final este compus din T6 i T7. n acest circuit exist dou reac ii. Una este de curent-serie, dat de ramura comun din sursele tranzistoarelor T1 i T2, i este negativ. A doua, este de tensiune-paralel (nod-nod) i este realizat de T10 i de T11 (cu intrare pe poart i ieire pe dren). Aceasta este o reac ie pozitiv pentru c pe bucla nchis, plecnd din drena lui T1, prin T10 n drena lui T2 apoi prin T11 napoi n drena lui T1, intervine un defazaj total de 3600. Dac factorul de reac ie pozitiv este mai mare dect cel de reac ie negativ atunci, apare histerezis. Acesta conduce la condi ia: K 10 / K 3 >1 De obicei acest raport este de 23 i este realizat prin rapoartele dimensionale W/L.

SSV-

82 Func ionarea circuitului din fig.5.11 pentru situa ia cnd poarta lui T1 este legat la mas este urmtoarea: pentru vin<<v (punctul A pe caracteristica etajului diferen ial din fig.13.12) (unde vin=vp), T2 este blocat iar T1 conduce. Atunci conduce i T3 pregtind pe T10 pentru conduc ie (dar cum T2 este blocat, T10 nu poate nc conduce iar pe el este cdere de tensiune VDS foarte mic). Se observ c oglinzile de curent nu sunt aici n permanen n regim normal de func ionare. n aceast situa ie T4 i T11 sunt blocate. Cnd vin crete spre v, apare un curent prin T2, preluat din T10 (crete cderea de tensiune pe T10), scade tensiunea n drena lui T2 i scade curentul prin T3 i T1 (I5 = constant).
v2 A D 1,5V v 0 v' C vin (vp) VDD B

Fig.5.12. Caracteristica de transfer a comparatorului cu reac ie n punctul B (la pragul vin =v) curentul prin T2 devine egal cu cel maxim posibil prin T10 (care este mai mare dect cel din T1). Tensiunea de prag v a comparatorului va fi: v = VGS2 VGS1 > 0 unde tensiunile VGS2 i VGS1 sunt cele corespunztoare curen ilor de dren ai tranzistoarelor T2 i T1 (ID2 >ID1 rezult VGS2 >VGS1) . n aceast situa ie comparatorul i schimb starea, ncepe s conduc T4 i majoritatea curentului sursei comune, realizat cu T5, va trece prin blocare (n punctul C). La scderea tensiunii de intrare vin lucrurile se petrec n mod asemntor, cu inversarea rolului tranzistoarelor. Pragul v va avea aceeai rela ie ca i v doar c acum este mai mare curentul prin T1 (i T11) i mai mic prin T2 (i T4) . Adic :

83 v =VGS2 VGS1 < 0 Deci pragurile sunt simetrice fa de 0V datorit identit ii tranzistoarelor T10 i T11. L imea zonei de histerez nu poate fi fcut orict de mic (n0,1V). Dac la intrarea inversoare se aplic o tensiune constant de referin cu un semn sau altul , caracteristica de transfer a etajului diferen ial se va deplasa spre stnga sau spre dreapta cu tensiunea de referin i pragurile nu mai sunt simetrice . Cu ajutorul etajului de ieire (T6 i T7) se pot asigura excursii de tensiune de ieire i spre sursa negativ precum i o rezisten de ieire de valoare mare. Atunci, la ieire, vo este inversat fa de v2 deci comparatorul este neinversor. Aplicnd pe vin la intrarea se ob ine un comparator inversor. 5.4. Comparatoare sincronizate Comparatoarele nesincronizate sau continue efectueaz o compara ie permanent a dou tensiuni aduse la intrri, ieirea lor rmnnd ntr-o stare logic att timp ct situa ia relativ a nivelurilor tensiunilor de intrare nu se schimb. Cu alte cuvinte, ieirea comparatoarelor nesincronizate urmrete tot timpul starea celor dou intrri iar bascularea ieirii comparatorului are loc aproape instantaneu cu momentul egalit ii tensiunilor de la intrri, ce se compar. n prezent se realizeaz foarte multe circuite integrate mixte (digitale i analogice pe acelai cip). La interfa a dintre circuitele analogice i digitale, n special la conversia semnalelor analogice n logice i digitale, intervin de cele mai multe ori comparatoare sincronizate cu semnalul de tact (CLOCK) sau chiar cu o pereche de semnale de tact defazate (CLOCK i CLOCK ). Numeroase aplica ii impun func ionarea acestor circuite de interfa la frecven e de tact de sute de MHz i chiar c iva GHz (pentru tehnologia CMOS). n cazul folosirii materialului semiconductor Si-Ge i a tehnologiei bipolare sau BICMOS, se poate ajunge la tact de 10GHz. Eforturile de mbunt ire a performan elor sistemelor VLSI mixte au vizat i mbunt irea circuitelor de interfa cuprinznd n mod special comparatoare de tensiuni sau curen i de precizie (pentru convertoare A/D). Acestea sunt de obicei circuite diferen iale

84 simetrice i au comutatoare de sincronizare cu tranzistoare MOS ac ionate de semnale de tact. Dup cum se tie, la comparatoarele continue simple (fr reac ie pozitiv i deci fr histerezis), prezen a zgomotelor sau perturba iilor suprapuse pe tensiunile de intrare face ca la ieire s apar seturi de basculri i rebasculri parazite n jurul basculrii principale utile. La comparatoarele sincronizate intervine din start un mic histerezis (mic pentru a nu reduce mult precizia comparatorului) pentru c ele folosesc un circuit basculant cu reac ie pozitiv n cruce pentru memorare temporar (latch). n sistemele de prelucrare digital a unor semnale este necesar efectuarea comparrii tensiunilor de intrare n anumite momente, de obicei periodice. Cu alte cuvinte, se compar eantioane ale semnalului de intrare util, prelevate periodic, cu o tensiune de referin dat. Aceste comparatoare, care efectueaz i opera ia de eantionare folosesc unul sau mai multe semnale de tact (clock). Ieirea lor este citit (disponibil) numai ntr-o anumit faz de tact. Momentul egalit ii tensiunilor de la intrare nu se afl n mod obligatoriu n faza de citire (evaluare) a ieirii, adic, comparatorul este pregtit ntr-o faz anterioar pentru a furniza nivelul logic corect la ieire. Comparatoarele sincronizate pot memora pentru o faz rezultatul compara iei dac includ un latch. Revenirea rapid a comparatorului n faza de ateptare, pentru compararea eantionului urmtor cu tensiunea de referin , se realizeaz tot cu ajutorul semnalelor de tact. Memorarea ieirii pentru o faz a semnalului de tact permite utilizarea simpl a comparatoarelor sincronizate n sisteme logice i digitale pipeline. Reac ia pozitiv de la latch-ul comparatorului sincronizat aduce avantajele creterii vitezei de basculare (prin accelerarea acesteia) i acela al basculrii ferme, unice, cnd tensiunile de intrare con in zgomote. Folosirea semnalelor de tact ce ac ioneaz comutatoare n circuit aduce n schimb dezavantajul ptrunderii acestora (clock feedthrough) prin capacit ile parazite ale tranzistoarelor din circuitele de intrare, unde frac iunile de semnal ce ptrund se suprapun peste semnalul util i pe tensiunea de referin . Dac momentul comparrii semnalului util cu referin a este n apropierea unui alt salt

85 al semnalului de clock, n opera ia de comparare poate interveni o eroare sau eventual poate s apar o basculare parazit. Sunt necesare deci msuri de reducere a efectului clock feedthrough la comparatoarele sincronizate. mbunt irile majore ale performan ei de frecven de tact a circuitelor sunt datorate n special progresului n tehnologiile de fabrica ie CMOS submicronice, care produc tranzistoare i interconexiuni cu arie, capacit i i rezisten e parazite mai mici. Totui, a intervenit o cretere a frecven ei de tact i datorit procedeului denumit revenire rapid prin supracomand (fast overdrive recovery), aplicat la latch-uri, prin care se readuce rapid latch-ul ntr-o stare de ateptare din care apoi se efectueaz salturi de tensiune de ordinul VDD/2 adic salturi de durat redus la jumtate. Majoritatea comparatoarelor sincronizate utilizeaz deci acest procedeu, realiznd func ionarea la frecven de tact de 1-2GHz (n func ie i de tehnologia CMOS folosit). Starea de ateptare a latchului este o stare n care cele dou ieiri ale comparatorului sunt for ate (precharged) la VDD/2 de ctre un comutator cu tranzistor NMOS ac ionat cu tact, conectat ntre cele dou ieiri, care realizeaz n acelai timp i procedeul fast overdrive recovery (tranzistorul T10 din fig.5.13 i fig.5.15). Faza n care acest comutator conduce se numete faz de egalizare. Ea este, n acelai timp, i faza n care, n mod uzual are loc compara ia, pregtindu-se circuitul pentru luarea deciziei n urma comparrii. n faza ce urmeaz dup aceasta, denumit faz de evaluare, ieirile comparatorului vor indica rezultatul comparrii semnalului de intrare cu referin a. Pentru aplica iile de conversie analog/digital comparatoarele se realizeaz cu precizie ridicat. Aceasta nseamn: ctig mare de tensiune, offset de tensiune mic, eroare mic dat de semnalul comun (realizat prin factor CMRR mare), perturba ii reduse transmise de la sursele de alimentare (realizate printr-un factor PSRR mare), penetrare redus a tactului la comparatoarele sincronizate. Pentru creterea ctigului de tensiune se utilizeaz fie un numr de 2-3 etaje n comparator fie o combina ie preamplificator-comparator. ntr-o serie de cazuri, ctigul de tensiune al unui amplificator cu montaj cascod poate fi satisfctor.

86 Offsetul mic de tensiune de ob ine folosind etaje diferen iale dimensionate atent n comparator i o geometrie cu centru comun [21]. Pentru realizarea unui factor CMRR ridicat se utilizeaz comparatoare cu etaj diferen ial avnd o surs de curent constant pe traseul comun de la sursele tranzistoarelor MOS principale (tranzistorul T5 n fig.5.13 i fig.5.15). Perturba iile sursei de alimentare se transmit mult atenuate la intrrile etajului diferen ial dac acesta are un factor PSRR mare. Acest lucru se ob ine simplu dac tranzistoarele principale sunt montaje cascod. Fenomenul de ptrundere la intrri a tactului este contracarat prin msuri ca : - evitarea comutatoarelor MOS ac ionate n primul etaj al comparatorului (ori n preamplificatorul de dinainte de comparator); - reducerea numrului de comutatoare folosite; - izolarea prin montaj cascod a intrrilor fa de comutatoarele MOS ori fa de ieirile comparatorului. Pentru circuitele VLSI mixte actuale, care au tensiune de alimentare ce scade odat cu scalarea n jos a tehnologiei, este important ca circuitele comparatoare de precizie s con in pe traseele dintre cele dou bare de alimentare un numr redus de tranzistoare n serie (n care nu se consider tranzistoarele comutatoarelor), de obicei maximum trei. Schemele cu patru tranzistoare (cu alt rol dect de comutator) n serie pe un astfel de traseu nu se pot alimenta cu tensiuni 2V. Aceasta nseamn c n cazul tensiunilor de alimentare reduse (sub 2V) este greu s se conceap circuite comparatoare cu tranzistoare cascod, pentru creterea ctigului de tensiune i izolare n transmiterea perturba iilor spre intrri. In cazul tensiunilor mici de alimentare problema gamei de tensiune de mod comun devine mai restrictiv. Comparatoarele uzuale au aceast gam mai apropiat de tensiunea de alimentare pozitiv, din cauza nscrierii unui tranzistor MOS pe ramura comun, a etajului diferen ial (T5 n fig.5.13 i fig.5.15). Acest tranzistor are rolul de cretere a factorului CMRR i deci a preciziei comparatorului. Eliminarea lui ar necesita msuri speciale pentru refacerea CMRR. n aplica ii de conversie analog/digital alimentate la tensiune redus,

87 este necesar mai degrab ca gama de tensiune de mod comun s fie mai apropiat de tensiunea masei. Ar fi atunci posibil o centrare a gamei semnalului comun n raport cu tensiunile surselor de alimentare iar circuitele ce comand comparatoarele s-ar putea realiza mai uor.
+VDD Pol.1 T3 T4
CLOCK

In

T1

T2

- T6
Ref OUT T10 T8

T7

Se cunosc cteva scheme de comparatoare sincronizate de performan recente [2]. n fig.5.13, comparatorul are dou etaje; un preamplificator diferen ial, cu intrri pentru semnalul util i pentru tensiunea de referin (ce impune pragul comparatorului) i apoi un latch cu fast overdrive recovery. Preamplificatorul asigur prin ctigul de tensiune creterea sensibilit ii (preciziei) comparatorului. Aceste etaje folosesc n comun tranzistoarele T3, T4, T6, T7. Astfel, amplificatorul diferen ial (realizat cu tranzistoarele T1...T7) este de tipul cascod mpturit(folded cascode) pentru c ieirea sa este n drenele lui T6,T7 iar cascodele T2-T6 i T2-T7 sunt mpturite, deoarece sunt realizate cu combina ii de tranzistoare cu canal n i canal p. Iat deci c tehnica de mpturire a permis folosirea montajelor cascod fr creterea peste trei a numrului de tranzistoare pe o ramur de circuit ntre barele de alimentare, pstrndu-se posibilitatea de alimentare cu tensiune redus (chiar sub 2V). Montajele cascod mai aduc apoi avantajele unei benzi de

Pol.3 OUT

Pol.2

T5

T9 0 sau -VSS

Fig.5.13. Comparator cu amplificator diferen ial de tip cascod mpturit

88 frecven foarte mari, a izolrii excelente ntre intrrile comparatorului i latch-ul ce include un comutator i realizeaz salturi mari de tensiune la ieiri (reducerea fenomenului clock feedthrough). n fig.5.14 se poate urmri func ionarea acestui comparator. n partea de sus a graficului se marcheaz momentele n care are loc egalitatea tensiunilor ce se compar. Acestea trebuie s fie n general n intervalul de egalizare a tensiunilor VOUT i VOUT , cnd impulsul de CLOCK aduce n conduc ie tranzistorul T10. n partea de jos a graficului sunt prezentate tensiunile de la cele dou ieiri complementare pe care se poate constata efectul de egalizare al tensiunilor VOUT i VOUT . n acest interval, cele dou tensiuni de ieire difer doar cu cteva zecimi de mV ntre ele (avnd nivelurile notate V0 i Vo' ) datorit cderii mici de tensiune pe tranzistorul T10 n conduc ie.
VDD Vref Vin 0
Comparare Comparare

t VDD

CLOC

Egalizare

Evaluare

Egalizare

Evaluare

t VDD

VOUT

Vo'
VDD/2
Pregtire latch Pregtire latch
' Vo

VOUT

Fig.5.14. Diagramele de func ionare ale comparatorului din fig.5.13.

89 Prin proiectarea latch-ului se asigur ca aceste niveluri s se afle n apropierea valorii VDD/2 pentru ca salturile de tensiune spre VDD sau mas s fie reduse la jumtate i s dureze mai pu in. Astfel, frecven a de tact se poate practic dubla fa de aceea de la comparatoarele la care nu se utilizeaz procedeul fast overdrive recovery. n tehnologia CMOS de 0,35m, se ajunge la 1,1GHz [2]. n momentul egalit ii tensiunilor ce se compar dac Vin >Vref, VOUT se modific de la V0 la Vo' iar VOUT de la Vo' la V0 i graficele tensiunilor VOUT i VOUT se ncrucieaz. Practic rezultatul comparrii apare imediat i este memorat n pozi ia relativ a tensiunilor celor dou ieiri, pe durata ce a mai rmas din faza de egalizare. Imediat n faza de evaluare tensiunile celor dou ieiri fac un salt i ating nivelurile logice apropiate de VDD i 0V. Prin aceasta, comparatorul este pregtit pentru viitoarea basculare a ieirii. n fig.5.15 este prezentat un comutator sincronizat [2] n care intervine un preamplificator, realizat cu tranzistoarele T1...T5, pus n func iune de ctre CLOCK prin comutatoarele T6 i T7. Latchul folosete tranzistoarele T8, T9, T10, T3, T4, T5 adic, cele dou etaje au comune tranzistoarele T3, T4, T5.
CLOCK

+VDD T4
OUT

T3
OUT CLOCK

T10

T6 T1 T8 T9

T7 T2

CLOCK

In +

- Ref

Pol.

T5 0 sau -VSS

Fig.5.15. Comparator cu amplificator i latch suprapuse

90 Func ionarea acestui circuit este similar cu aceea a comparatorului din fig.5.13, totui, la acest circuit lipsesc montajele cascod, ba mai mult, comutatoarele (T6, T7) sunt mai aproape de intrri ( de la T1 i T2) i fenomenul clock feedthrough este mai puternic. n schimb, latch-ul are reac ie pozitiv n cruce, nu include tranzistoare cu canal p care sunt mai lente i comut deci mai rapid. La aceeai tehnologie ca i n cazul schemei din fig.5.13, comparatorul poate lucra cu o frecven de tact de 1,3GHz [2]. Prin scalarea n jos a dimensiunii tehnologiei, la 0,18m, frecven a de tact se poate dubla.

91

CAPITOLUL 6

FILTRE CU CAPACIT I COMUTATE


Inova ia fundamental n filtrele active este nlocuirea func ional a rezistorului cu o capacitate comutat (SC=switching capacity) [29],[41]. n fig.14.1 se prezint un circuit simplu cu capacitate comutat, compus din capacitatea comutat C1 i condensatorul C2.
e e e
C1 v2

iC1

v1

C2

v1

R1 iC1

v2 C2

Fig.6.1. Schema unui circuit cu capacitatea C1 comutat i echivalentul ei RC Comutatoarele analogice realizate cu tranzistoare MOS sunt controlate cu semnale bifazate precise: e i o, a cror form de varia ie n timp se prezint n fig.6.3 (nota ia e provine de la faza par even, iar o de la faza impar - odd). La capacitatea comutat C1 se conecteaz sincron armturile la tensiunile v1 i v2 iar apoi ambele la mas. n timpul acestor opera ii semnul tensiunii pe C1 nu se inverseaz. Pe C2 se memoreaz

92 eantioane n momente precise, cnd comutatoarele comandate cu e se deschid i deconecteaz pe C2 de la calea de semnal. Apoi, capacitatea C1 este descrcat instantaneu cnd comutatoarele comandate cu o se nchid, conectnd armturile lui C1 direct la mas. Dac v1 i v2 precum i sarcina qC1 de pe condensatorul C1 sunt lent variabile n raport cu perioada de tact T, ecua ia circuitului capacit ii comutate C1, pentru C2= 0, se poate scrie: dv ( t ) dq ( t ) v v 2 v1 v 2 = =C1fs(v1-v2) iC1(t)= C1 =C1 C1 C1 1 dt dt T R1 Se observ c capacitatea C1 comutat cu perioada de tact T servete din punct de vedere func ional, ca o rezisten R1 de valoare: R1
T 1 = C 1 C1 f S

unde fs = frecven a de tact (comutare). Pentru C1 = 1100 pF iar fs = 100 kHz se ob ine R1 = 10 M 0,1 M , adic foarte mare, pe un spa iu ocupat relativ redus (o capacitate de c iva pF i 4 comutatoare MOS). Folosind i pe C2 0 , circuitul rezultat R1C2 (fig. 6.1) are un pol la pulsa ia:
p=
C 1 = fs 1 = fs R 1C 2 C2

12

i pentru valori tipice ale frecven ei fs = 10 kHz10 MHz, pulsa ia p se poate ajusta ntr-o gam larg prin 12 (cu C1 i C2 n gama 1pF100pF). Se poate acoperi de exemplu banda audio. Mai mult, p poate fi scalat din exterior la k p prin modificarea lui fs la kfs. Aceasta permite s se fac supra-eantionarea la fs 10fN (unde fN este frecven a Nyquist). Rela ia lui p arat i precizia circuitului cu capacitate comutat n raport cu unul obinuit. La filtrele active cu componente RC, zerourile sau polii sunt fixa i de valoarea unor factori de forma 1/RC, care variaz semnificativ cu temperatura i abaterile procesului de fabrica ie. Dimpotriv n filtrele cu capacit i comutate, zerourile i polii depind de o frecven fs controlat (cu oscilator cu cuar ) i de un raport de capacit i ( 12 ) de acelai tip. Cu un oscilator cu cuar

93 frecven a de eantionare fs este precis (adic fs/fs<10-5 sau 0,001 %). Astfel, sarcina de realizare a unei pulsa ii precise p se reduce la realizarea cu precizie a raportului 12 , ceea ce se reuete bine n circuitele integrate. Dei capacit ile se realizeaz cu o eroare de 20 % fa de aceea preconizat, ele se pot mperechea cu o eroare mic, i anume 12/12 < 0,1 %. n fig.14.2 se prezint o strategie de realizare a capacit ilor mperecheate (similar cu cea folosit n filtrele RC pentru rezistoare mperecheate). Se utilizeaz structuri modulare. Capacit ile sunt realizate cu armturi de polisiliciu (Polisiliciu 1 i Polisiliciu 2) ntre care este dielectric (dielectricul nu s-a desenat). Cel mai mic condensator din circuit, aici notat cu C1, este considerat capacitatea unitar Cu [un strat cu Polisiliciu 1 cu dimensiunile (b+2a) x (b+2a) cu un contact metalic i un strat Polisiliciu 2 cu dimensiunile b x b i cu un contact metalic]. De obicei diferen a a ntre laturile celor dou straturi (pe o parte) este valoarea minim permis de regulile de proiectare ale procesului de fabrica ie folosit.

Legtur metalic Polisiliciu 1

b a d

a b
Polisiliciu 2

b c

Legtur metalic

Contact cu metal

C1=Cu
(multiplu ntreg)

C2=3Cu

C3=4.5Cu
(multiplu frac ionar)

94 Fig.14.2. Structuri modulare de capacitoare Un condensator C2 are valoarea un multiplu ntreg N=3 al capacit ii unitare Cu repetate, cu contactul metalic la Polisiliciu 2 reunit prin band metalic. Condensatorul C3 este un multiplu frac ionar (nentreg) de N+ = 4,5 al lui Cu. Layout-ul lui se realizeaz repetnd pe Cu de N-1 ori i apoi atand un capacitor neunitar, cu dimensiunile c d. Armturile de jos ale condensatoarelor elementare sunt reunite ntr-o singur zon (Polisiliciu 1) i au un singur contact metalic. O caracteristic important a acestor structuri este aceea c rapoartele perimetrelor (Pi/Pj) i ariilor (Ai/Aj) sunt fcute egale cu raportul capacit ilor, adic: P i = A i = Ci P j A j Cj deci abaterile dimensiunii laturilor zonelor de Polisiliciu 2 nu au practic efect n rapoartele capacit ilor (dac ele sunt aceleai la toate zonele unitare). Pentru capacit ile NCu structura de layout segmentat, prezentat n figura 6.2 are evident aceast calitate. Pentru capacit ile (N+ )Cu , segmentul final de dimensiune c d, poate fi fcut astfel ca perimetrele i ariile s fie n raportul (1+ ) fa de cele ale modulului, adic: P1+ = (1+ ) Pu i A1+ = (1+ ) Au i atunci, impunnd rapoartele: A1+ c d P1+ c + d = = 1+ i = 2 = 1+ Au Pu 2b b rezult prin rezolvarea sistemului de dou ecua ii: c=b( 1 + + (1 + ) ) i d=b( 1 + (1 + ) ) Numrul de col uri de zone Polisiliciu 2 i de contacte metalice la capacitorii NCu sunt de N ori mai mari dect cele ale capacitorului unitar. Acest lucru nu mai este asigurat exact i pentru condensatoarele (N+ )Cu.

95 Capacitoarele folosite n filtrele active cu capacit i comutate au pierderi foarte mici. Astfel se pot realiza cu ajutorul capacit ilor mperecheate, filtre integrate precise, fr ajustare cu laser i fr scheme sofisticate de acordare, necesare n schemele cu re ele RC. Cele mai multe filtre cu capacit i comutate sunt controlate cu semnale bifazate nesuprapuse, adic semnalele e i o din fig.6.3. n unele circuite se introduc i faze auxiliare, pentru a se reduce offsetul de curent continuu, zgomotul 1/f al A.O. i/sau semnalele de joas frecven parazite. Dar i n aceste cazuri, procesarea semnalului principal este n mod uzual limitat la dou faze. Dei este convenabil s se considere semnalele e i o ca unde rectangulare cu factor de umplere de 50 %, nesuprapunerea fazelor este esen ial pentru reuita func ionrii capacit ilor comutate. Mai exact, circuitul ar eua dac e i o ar comanda simultan comutatoarele ON. n schimb dac e i o trec simultan n OFF pentru scurte intervale de timp, nu este afectat func ionarea corect a circuitului. Deci pentru a evita orice risc de suprapunere a semnalelor e i o cauzat de varia iile inevitabile ale timpilor lor de cretere sau scdere, se realizeaz n practic factori de umplere de 4045 %. Aceast solu ie este prezentat n figura 6.3, unde, fiecare perioad T are 510 % zon moart, cnd att e ct i o sunt la nivelul de jos (off).
ON OFF

e o

t
OFF ON

T/2

Fig.6.3. Semnale bifazate nesuprapuse pentru controlul comutatoarelor Comutatoarele analogice sunt realizate cu structuri de tipul dat n fig.6.4 dar n schema filtrelor (fig.6.5) comutatoarele au un simbol simplificat. Acesta trebuie s aib o sgeat pentru a arta terminalul surs. n acest mod comutatorul analogic poate fi realizat cu oricare din cele dou structuri din fig.6.4. Deoarece structura din fig.6.4b i

96 men ine rezisten a n stare ON aproape constant n tot domeniul de tensiune (de la +VDD pn VSS), este de obicei preferat, chiar dac aria tranzistorului PMOS este mai mare i conduce la capacit i parazite mai mari.
e (o)

e( o)
+VDD
Intr. analog.

Intr. analog.

-VSS
a

Ies. analog.

-VSS

e (o)

Fig. 6.4. Tipuri de comutatoare utilizate Totui, comutatorul simplu NMOS este de asemenea utilizat pentru c se reduce capacitatea parazit n locurile din schem unde semnalele sunt for ate la un nivel foarte redus de exemplu la intrrile ce reprezint mas virtual ale AO. Pentru realizarea comutatoarelor cu structura din fig.6.4b. tranzistoarele NMOS i PMOS trebuie s fie comandate cu semnale de control e i e respectiv o i o. Semnalele e i o i complementarele lor (cnd acestea sunt necesare) se realizeaz plecnd de la o surs master care este un oscilator cu cuar integrat n acelai cip sau un sistem de clock extern. Frecven a master-ului se divide digital, ob inndu-se frecven a de eantionare dorit i se desparte n dou faze nesuprapuse utiliznd por i logice. Zona moart se ob ine din ntrzierile por ilor. Costul acestui circuit este o parte important a costului total al unui filtru activ cu capacit i comutate. Din fericire, aceast func ie este realizat cu o schem logic digital nepreten ioas iar hard-ul rezultat poate fi mpr it pe mai multe subcircuite cu capacit i comutate. Principala cerin pentru comutatorul analogic este aceea c rezisten a lui n starea ON adic Ron - trebuie s fie suficient de 1 mic, astfel ca: >>2 fs R on C T

SOMN

SOMP
Ies. analog.

SOMN

97 (unde CT=C+CP, C fiind capacitatea vizat, iar CP este capacitatea parazit conectat la comutator), n toat gama dinamic a filtrului. Tipic Ron < 10 k , men inut pe toat gama dinamic a filtrului, este suficient de mic. Cum s-a artat anterior, gama de tensiune n care se men ine Ron mic se reduce substan ial n cazul masei virtuale la A.O. Pentru orice eventualitate, Ron pentru fiecare structur din fig.6.4 este ajustat prin dimensionarea (creterea) lui W/L al tranzistoarelor MOS. n plus fa de condi ia cu Ron intervine o preten ie (contradictorie) pentru capacit ile Cgs i Cgd ale tranzistoarelor din comutatoare: s fie ct mai mici posibil pentru a reduce ptrunderea semnalului de control e sau o n circuitul filtrului. Este de dorit, de asemenea, s se minimizeze toate capacit ile parazite ale drenei i sursei fa de substrat. Din fericire, la intrrile AO, care sunt cele mai sensibile la aceste efecte, amplitudinea semnalului este restrns n cazul masei virtuale. Comutatoarele pot fi fcute suficient de mici pentru a satisface ambele cerin e. Mai mult, comutatorul cu un singur tranzistor NMOS din fig.6.4a, poate fi eficient n aceste locuri (de exemplu, n comutatorul 3 din fig. 6.5). n fig.6.5 se prezint o schem de filtru cu capacit i comutate. Ea include condensatoare (C1C6) i 4 comutatoare analogice (sau por i de transmisie) precum i amplificatoare opera ionale. Comutatoarele analogice se nchid i se deschid periodic, sub controlul unor semnale rectangulare e i o, fiecare cu perioada T, ca n fig.6.3. Condensatoarele C1, C3, C4 i C5 realizeaz capacit i comutate, C2 i C6 nu sunt capacit i comutate. Se ntlnete aici o func ionare diferit a capacit ii comutate fa de cea prezentat anterior, de exemplu cea realizat cu C1 i comutatoarele 1, 2, 3, 4. Cu comutatoarele 1 i 2 - ON iar 3 i 4 OFF, sarcina de pe C1 urmrete pe vi(t) adic: qC1 = C1vi(t). n momentul cnd comutatoarele 1 i 2 devin OFF (t T/2), un eantion vi(T/2) este memorat pe C1. Cum procesul se repet cu perioada T, T atunci, la fiecare moment (2k+1) un nou eantion va fi memorat pe 2 C1. Rata de eantionare este fs=1/T.

99
0 C3 e vi
o

C5

o C1
-

C2

C4

C6

1 4

3
e

A1

A2

vo

Fig.6.5. Filtru cu capacit i comutate

100 La multiplii impari ai lui T/2 comutatoarele 3 i 4 devin ON i C1 se descarc transmi nd sarcina lui C2. Condensatorul C2 are o armtur la masa virtual (intrarea inversoare a AO) datorit legrii la mas a intrrii neinversoare a AO. Masa virtual i reac ia negativ local continu a AO sunt esen iale pentru func ionarea n bune condi ii a filtrului activ cu capacit i comutate. Ca urmare, o serie de scheme de filtre nu se potrivesc n circuitele practice cu capacit i comutate. Este vorba de cele care prezint o reac ie negativ (la amplificatoarele inversoare) numai cu rezistoare ce ar urma s fie nlocuite cu capacit i comutate. De asemenea, nu sunt potrivite schemele neinversoare (cu intrarea pe , care nu mai au la intrare mas virtual) i structuri bazate pe OTA (amplificatoare opera ionale transconductan ). Este necesar o anumit abilitate de realizare a inversrii de semn la capacitatea comutat astfel nct schemele cu amplificatoare neinversoare s fie evitate. Tensiunile ce ncarc condensatoarele pot proveni de la surse independente (ca vi), de la ieiri de AO sau pot fi tensiuni memorate pe alte condensatore. Procesul de eantionare i transport de pachete de sarcin discrete, adic de forma: qC1(kT) = C1vi(kT) prin comutarea capacit ilor, reprezint esen a filtrelor cu capacit i comutate. Pentru AO folosite n filtrele active cu capacit i comutate (SC=switching capacity), din cauza naturii semnalelor (care sunt eantionate), ctigul Avo n curent continuu cu bucl deschis, precum i timpul de stabilire (SR), sunt criterii mai importante dect produsul ctig band de frecven pentru polul dominant. O aplica ie important a capacit ii comutate este aceea din integratoarele cu AO, unde aceasta nlocuiete rezisten a din fa a intrrii inversoare. Astfel, produsul RC din func ia de transfer a circuitului se nlocuiete cu raport de capacit i (realizndu-se i precizie) i se evit o rezisten de valoare foarte mare.

101

PARTEA II. CIRCUITE INTEGRATE DIGITALE CAPITOLUL 7

CONVERTOARE DIGITAL/ANALOGICE (DAC) CU MOD DE LUCRU N CURENT


n cadrul bibliografiei s-a identificat DAC-ul cu control n curent ca un candidat potrivit pentru aplica ii n comunica ii rapide i de nalt rezolu ie. Aceast arhitectur nu necesit nici un buffer de ieire cum se ntmpl la DAC-ul cu capacit i comutate. Totui ea devine sensibil la impedan a de ieire finit. n plus, DAC-ul cu control n curent poate fi implementat numai cu componente MOS i totui atinge o precizie destul de mare. iruri de rezisten e sau scri R2R sunt de asemenea foarte rapide, dar ele necesit rezistoare de precizie integrate n chip. Dei arhitectura R-2R este un DAC cu comanda n curent, ea nu va fi pomenit n continuare n acest capitol. n schimb capitolul se focalizeaz pe versiuni cu control n curent dar unde un numr de surse de curent cu ponderi sunt folosite pentru a forma func ia de conversie. O prezentare a diferitelor strategii de layout pentru sursele de curent este dat n Sec iunea 7.1. Sunt expuse avantajele i dezavantajele diferitelor topologii. Pentru unele topologii s-au inclus propriet i bune, de performan . n Sec iunea 7.2 se discut unele solu ii de proiectare practic. n paragraful anterior s-a gsit c performan a este puternic dependent, de exemplu, de impedan a de ieire a surselor de curent deoarece liniaritatea se degradeaz. Zgomotul circuitului este determinat de ctre curentul continuu de ieire al unei surse de curent iar mperecherea este determinat practic de ctre dimensionarea tranzistorului, adic de aria por ii. Impedan a de ieire este dependent de curentul continuu iar acesta este dependent de dimensiunea tranzistorului, etc. Cnd se mrete curentul de ieire n scopul mbunt irii raportului semnal/zgomot (SNR), impedan a de ieire scade i ca urmare neliniaritatea crete, etc. Prin urmare, ca ntotdeauna n proiectarea analogic avem o rela ie delicat ntre parametrii de proiectare i n mod normal trebuie s fie fcut un compromis. Apoi, influen a ptrunderii clock-ului din

102 comutatoare la fel ca i rezisten a n conduc ie este crucial. De asemenea, influen a legturilor (conexiunilor) nu trebuie s fie neglijat.

7.1 Arhitecturi de DAC cu control n curent


Arhitecturile de acest gen au fost studiate intens [22] iar structura este schi at n Fig.7.1 cu simboluri de comutatoare. Exist un numr mare de surse de curent i comutatoare. n func ie de codul de intrare, X, curentul de la sursele corespunztoare este direc ionat prin comutatoare la ieire, spre un rezistor terminal extern chipului sau este convertit I/V (curent - tensiune) i filtrat, folosind un buffer la ieire care nu este desenat n figur. Buffer-ul de ieire va garanta un nod de joas impedan la ieirea DAC-ului i deci nu trebuie s ne facem griji att de mult n legtur cu impedan a de ieire finit. n schimb, erorile de mperechere vor influen a performan a. Aceasta a fost de asemenea discutat n [22] i cum este cunoscut, este necesar o mperechere bun a surselor de curent pentru atingerea unei performan e nalte. n loc de a se folosi o surs de curent cu valoarea nominal M, se folosesc M surse unitare de curent n paralel. Vom avea atunci acelai tip de erori de mperechere marginale pentru fiecare element.

Fig.7.1 Principiul unui DAC de N bi i cu control n curent.

103 n al doilea rnd, putem folosi de asemenea tehnici de layout speciale, cum sunt inter-digitizarea sau cu centru comun, n scopul reducerii severe a influen ei erorilor de nemperechere gradate (precum creterea gradat a ariilor.) Dac nu se folosete la ieire un amplificator buffer, DAC-ul va fi sensibil la impedan a de ieire finit. Parametrii SNDR i SFDR (vezi anexa la cap.7) sunt dependen i de raportul conductan elor G = Gs /GL (7.1) unde Gs este conductan a de ieire a unei surse de curent unitar iar GL este conductan a sarcinii. n mod tipic, cu un buffer de ieire, acesta va deveni apropiat de zero, GL datorit masei virtuale de la intrarea amplificatorului (RL0). Pentru a garanta o mperechere bun, trebuie ca ariile por ilor surselor de curent s fie destul de mari. mperecherea este dependent invers propor ional de aria por ii tranzistoarelor i ptratic de distan a dintre tranzistoare ce trebuie de asemenea mperecheat adic varian a nemperecherii curentului va fi [22]: (7.2) unde Ap si Ad sunt parametrii dependen i de proces iar D este distan a pn la alt tranzistor. Deci dorim ca aria WL s tind spre infinit i distan a D spre zero. Evident, aici este o contradic ie, deoarece una dintre intele principale este s se fac layout-ul surselor de curent pe ct se poate mai aproape unul de altul. Solu ia de proiectare este de a se gsi W i L optime ( parametrul D este func ie de W i L). Acest lucru este discutat mai mult la proiectarea surselor de curent unitare, n Sec iunea 7.2. Deoarece vom folosi o arie mare pentru o bun mperechere, aria total a DAC-ului va deveni foarte mare. La erorile de mperechere i problemele de impedan de ieire, trebuie s adugm influen a traseelor de legtur. n cele ce urmeaz discutm diferitele tehnici pentru a face layout-ul surselor (unitare) de curent unitate.

Structuri matrice plate i mpturite Cea mai simpl i probabil cea mai naiv tehnic de legare a surselor de curent unitare este cea dat n fig.7.2.a. Sursa de curent

104 pentru bitul cel mai semnificativ (MSL) este format lund 2N-1 surse de curent unitare paralele ntr-un singur rnd. Sursa pentru al doilea bit mai semnificativ este format n mod similar cu 2N-2 surse n al doilea rnd, etc. Fiecare rnd este interconectat i dus la un comutator de curent. Este evident c matricea devine foarte extins pentru un numr mai mare de bi i. DAC-ul devine, de asemenea, sensibil la gradien i de mperechere. Calea natural i evident de a evita acest lucru este de a se utiliza pentru sursele bi ilor mai semnificativi (MSB) mai mult dect un rnd iar pentru bi ii mai pu in semnificativi s se utilizeze acelai ultim rnd, cum se vede n fig.7.2.b .

Fig.7.2 (a)-layout plat (ntins) (b)-layout mpturit (pliat) Aceasta face convertorul mai pu in sensibil la erori de nemperechere de gradare liniar n cel pu in o direc ie. Pentru a uura proiectarea firelor de interconexiune se pot de asemenea duplica pentru bi ii MSB circuitele logice digitale i, de exemplu, s se foloseasc cte un comutator pentru fiecare rnd adic mai multe comutatoare pentru fiecare bit, care s lucreze n paralel. Aceste tehnici, totui nu sunt potrivite pentru nalt rezolu ie, din cauza cerin elor referitoare la rezisten a parazit a comutatoarelor i firelor precum i a mperecherii surselor de curent.

105 Pentru a face DAC-ul chiar mai pu in sensibil la gradien i de mperechere trebuie de preferin s se distribuie sursele de curent n cadrul matricei aa cum se arat n fig.7.3 pentru un DAC cu pondere binar de 6 bi i avnd 63 surse de curent unitare. Numerele indic la ce bit este alocat sursa respectiv de curent unitar. Se presupune c erorile de mperechere sunt date aproximativ de un plan iar gradien ii sunt destul de mari, ky=kx=0,05 i c distan a dintre sursele de curent unitare este de o unitate n ambele direc ii.

Fig.7.3 Influen a gradien ilor pentru un layout plat (a), asupra parametrului INL (b) n plus, se presupune c valoarea zero a erorii este n centrul matricii. Folosind ecua ia (7.3) gsim c sursa de curent superioar (cea mai de sus) din stnga va avea valoarea nominal de curent Iu,1 u 3.5 . kx + 3.5 . ky iar cea mai de jos din dreapta Iu,63 u + 3.5 . kx - 3.5 . k (7.3) (7.4)

etc. n fig.7.3.b se vede cum afecteaz acest lucru parametrul INL (neliniaritatea integral, vezi anexa la cap.7) al DAC-ului, INL-ul maxim este de circa 3LSB. n fig.7.4. se arat o tehnic n care sursele de curent au fost legate ntr-o manier mai aleatoare (layout distribuit). Vedem c efectul asupra parametrului INL este mult mai mic (b). Gsim c INL-ul maxim este de circa 0,2LSB. Totui tehnica din

106 fig.7.4.(a) necesit o rutare (legare) mai complex a firelor de interconectare, etc. Acest lucru va mri nivelul de zgomot i al componentelor parazite. Notm c distribu ia surselor din fig.7.4.(a) nu este una optimal, ea a fost fcut manual. Cu un program de calculator se poate gsi layout-ul optim. Mai mult, putem aduga func ii de cost ca impactul asupra parametrilor DNL i INL (vezi anexa la cap.7), lungimea firelor, algoritmi de selec ie, etc [22].

Fig.7.4 Influen a gradien ilor pentru o tehnic de layout distribuit (a), asupra parametrului INL (b)

Structuri segmentate Pentru reducerea efectelor curen ilor prea mari prin comutatoarele de curent, care implic dificult i la mperechere i rapoarte de rezisten e, etc, putem, cum s-a men ionat anterior, duplica circuitele logice de comutare digital pentru bi ii MSB i s folosim mai multe comutatoare pentru acelai bit. Acesta va permite s scurtm firele de interconectare i s realizm un layout mai modular, etc. O alt tehnic ce trebuie folosit pentru rezolu ie mai mare este aceea de a se segmenta grupurile de surse pentru bi ii mai semnificativi. Bi ii MSB sunt codifica i dintr-o reprezentare binar ntr-un cod termometric (vezi anexa la capitolul 7). Este foarte greu s se foloseasc o reprezentare n cod termometru complet pentru to i bi ii din convertoarele de nalt rezolu ie, deoarece numrul de comutatoare i complexitatea firelor de interconexiune, etc, crete exponen ial cu numrul cresctor de bi i.

107 n fig.7.5 artm un exemplu de segmentare a bi ilor cei mai semnificativi. M bi i cei mai semnificativi sunt codifica i tip termometru iar ceilal i N-M bi i mai pu in semnificativi sunt pondera i binar. Folosind codul termometric avem un numr de surse de curen i mari egali: 2M-1 surse, fiecare cu curent de 2N-M x curentul sursei unitare. DAC-ul se poate desena n layout mai regulat i se pot distribui simplu sursele pentru a minimiza influen a erorilor de mperechere gradat. De asemenea, putem folosi aceeai dimensiune pentru bi ii coda i termometric ceea ce mbunt ete n continuare mperecherea.

Fig.7.5 Matrice de surse de curent segmentate. M bi i cei mai semnificativi sunt codifica i prin T=2M-1 bi i de cod termometric Un alt avantaj major este acela c tehnicile de mbunt ire a mperecherii, ca randomizarea dinamic, calibrarea surselor de curent, medierea, etc, devin mult mai simple. Un DAC complet codat termometric garanteaz monotonia i glitch-uri (impulsuri ascu ite) minime. Totui, pentru N mare, acest lucru nu se poate face i exist un compromis ntre numrul de bi i de segmentat i impactul asupra complexit ii layout-ului, glitch-urilor i

108 monotoniei. Energia glitch-urilor poate fi caracterizat grosier prin numrul de bi i ce comut ntre dou coduri de intrare. Dac folosim segmentarea, introducem mai multe glitch-uri dar cu energie mai mic. Mai mult, presupunnd c l imea i amplitudinile glitch-urilor este de natur stohastic, va aprea o mbunt ire n raportul SNR de ordinul 2M. SNDR-ul nominalizat simulat este artat n fig.7.6 n func ie de glitch-uri pentru un DAC de 14 bi i. S-a aplicat un semnal multi-ton cu unele valori de PAR (peak average ratio) diferite. Durata pulsurilor de glitch a fost presupus cu distribu ie Gaussian. S-a gsit c folosind peste 5 sau 6 bi i segmenta i rezult o mare mbunt ire n performan . Pentru nalt grad de segmentare, ctigul nu este att de semnificativ. Nu s-a considerat la simulare necesitatea mai multor circuite digitale i deci mai mare complexitate, consum de putere i zgomot redus.

Fig.7.6 Puterea glitch-urilor estimat n func ie de numrul bi ilor segmenta i ntr-un DAC de 14 bi i. DAC-urile cu 12 sau 14 bi i cu cea mai mare performan au 5 pn la 7 bi i cei mai semnificativi coda i termometric. O tehnic intuitiv similar este de a se folosi o structur multi-segmentat. M bi i MSB (cei mai semnificativi) sunt coda i termometric ntr-un

109 ciorchine, K bi i LSB (mai pu in semnifican i) sunt pstra i codifica i binar iar bi ii intermediari N-M-K sunt de asemenea codifica i termometric ntr-un alt ciorchine separat.

Structuri matriciale codificate O alt structur popular pentru un numr de bi i intermediari este structura matricial codificat. De asemenea, n aceast tehnic sursele de curent unitare sunt prinse n layout matricial, ca i n cazurile anterioare. Totui, se adug acum comutatoare la fiecare surs unitar de curent i se creeaz o celul de curent unitar. Aceast celul con ine unele circuite de codificare i comand. Dar, folosind codificare, semnalele de decodare de intrare binare pentru rnd i coloan, putem selecta numrul dorit de surse din matrice. Aceast structur este prezentat n fig.7.7. Fiecare celul de curent (fig.7.7.b) necesit 3 semnale de control, unul pentru coloan (C), unul pentru rnd (R) i unul pentru selec ia de coloan suplimentar (S). Semnalul comutatorului () este dat de func ia logic: =S+RC (7.5)

Fig.7.7 Matrice de surse de curent unitare cu circuite de decodare Semnalele de selec ie sunt generate i sincronizate cu un clock global n afara matricei analogice sensibile. Matricea se poate pune n

110 layout n mod regulat iar sursele de curent unitare sunt distribuite, de exemplu, ca n cazul din fig.7.4(a). Avem, de asemenea posibilitatea de a modifica distribu ia surselor de curent unitare pentru fiecare DAC prin reprogramarea secven elor de comutare. Extinznd aceasta, se pot folosi tehnici de randomizare dinamic, adic, celulele unitare se selecteaz aleatoriu iar distorsiunea cauzat de erorile de mperechere devine n schimb zgomot. O alt proprietate bun este aceea c, n loc s se foloseasc tranzistoare cascod n sursele de curent unitar (vezi Sec iunea 7.1), poate fi folosit tranzistorul comutator cascod pentru a mbunt i impedan a de ieire [22]. Exist cteva dezavantaje la aceast arhitectur. n celula de curent unitar este necesar o anumit cantitate de circuite logice. Aceasta necesit distribuirea liniilor sursei de alimentare la fiecare celul. n acelai timp, avem nevoie de 3 semnale de control, surs de alimentare analogic, tensiuni de polarizare analogice i un curent de ieire diferen ial, deci de dou ori mai multe legturi. Este un total de 9 sau 10 legturi (depinznd de alegerea sursei de curent). Pentru a se reduce zgomotul, dorim s scurtm traseele analogice i a le ecrana fa de partea digital ct se poate de mult, ceea ce va pretinde arie mai mare de chip. Exist alte tehnici pentru a modifica DAC-ul, astfel ca s putem micora con inuturile digitale din interiorul matricei. Pentru DAC-uri cu rezolu ie mai mare de 810 bi i, aceast tehnic este oarecum limitat din cauza ariei de chip cerute i complexitatea circuitelor decodoare. Versiuni de DAC hibride folosesc tehnica matricial pentru bi ii MSB i o structur cu ponderare binar ori codare termometric pentru bi ii LSB.

7.2 Considera ii practice de proiectare


Se prezint aici unele considerente practice de proiectare privind layout-ul i alegerea elementelor de circuit ntr-un DAC cu control n curent tipic. n special, este considerat sursa de curent unitar i comutatorul de curent dar i unele circuite digitale de interfa .

111

Sursa de curent unitar Aceasta se poate proiecta pe mai multe ci diferite [22], cu PMOS sau NMOS, cu cascod sau nu, etc. n fig.7.8 artm dou versiuni ale sursei de curent unde este folosit un singur tranzistor PMOS (fig.7.8.a) mpreun cu cascod cu PMOS (fig.7.8.b). Tensiunea poart-surs a tranzistorului M1 este cea care stabilete practic curentul nominal prin sursa de curent. O surs de curent ideal ar trebui s aib o impedan de ieire infinit iar tranzistoarele cascod sunt folosite pentru a crete rezisten a de ieire, deci efectele modula iei lungimii canalului nenule sunt reduse deoarece varia ia tensiunii dren-surs a tranzistorului M1 este redus.

Fig.7.8 Scheme de surse de curent cu PMOS, simpl (a), cascod (b) n exemplele din fig.7.8. toate legturile de substrat sunt conectate la sursa de alimentare pozitiv. Aceasta va scdea pu in ctigul cascodelor, dar avantajul este acela c layout-ul devine cu ceva mai simplu. Folosirea tranzistoarelor PMOS n loc de NMOS (cu aceeai dimensiune) va conduce la un zgomot de tip 1/f mai mic datorit mobilit ii mai reduse a golurilor dar la un nivel mai mare de zgomot termic. n cele ce urmeaz se vor discuta unele propriet i ale surselor de curent. Folosim tranzitoare PMOS ca exemplu, dar rezultatele se aplic i la tranzistoare NMOS.

112

Impedan a de ieire Avem nevoie de rezisten de ieire foarte mare pentru nalt performan . S-a stabilit c SFDR i SNDR sunt puternic dependen i de un raport de conductan e nenule. Rezisten ele de ieire pentru sursele din fig.7.8, sunt notate Ra, Rb i sunt date aproximativ de:
(7.6) unde Iu este curentul continuu al sursei, i este factorul de modulare a lungimii canalului, i este parametrul transconductan iar i este un parametru determinat de ctre transconductan a substrat-surs a tranzistoarelor. Rezisten a de ieire a sursei de curent este mrit cu un factor corespunznd cu aproxima ie ctigului tranzistorului cascad. Curentul Iu este de cele mai multe ori dat n specifica ie, adic, pentru un salt de 1V pe o termina ie de 50 , curentul de ieire de vrf este 20 mA. ntr-un DAC cu 14 bi i gsim atunci curentul corespunztor LSB ca: (7.7) Pentru o rezisten de ieire mare trebuie s se garanteze c tranzistoarele lucreaz n regiunea de satura ie. Curentul de ieire al sursei de curent unitare este atunci aproximat prin rela ia (7.8) unde 1 este parametrul transconductan , o,p este mobilitatea sarcinilor pentru canal p, Cox este capacitatea pe unitatea de arie a por ii, W/L este raportul dimensional al tranzistorului, Veff este tensiunea de poart efectiv (=Vgs-Vt). Mai mult, factorul de modula ie a lungimii canalului este invers propor ional cu lungimea canalului: ~1/L. Deoarece curentul este fixat prin specifica ie, avem : Ra ~ L1 (7.9) Pentru rezisten mare este nevoie de canale lungi. Pentru surse de curent cascod ob inem : (7.10)

113 Deci pentru rezisten de ieire foarte mare este nevoie de tranzistoare cascod mari. Sursa de curent va avea n caracteristica de frecven un pol cauzat de capacit ile parazite asociate la tranzistoare. n fig.7.9 se art impedan a de ieire simulat pentru cele dou surse de curent din fig.7.8. n simulrile cu proces de 0,6m s-au utilizat l imi egale pentru toate tranzistoarele, W=2m, dar lungimile de canal au fost L1=8m, L2=2m. Curen ii prin surse au fost de aproximativ 1,2A. Din fig.7.9 se vede clar c rezisten a de ieire este mbunt it prin folosirea cascodei; ea este mrit de la 300M la 100G. Folosind rezultatele din modelele simulate, vedem c, dac SNDR al convertorului de 14 bi i din cazul cu un singur terminal (singleended) pentru o sinusoid full scale (FS), trebuie s fie, s zicem, > 80dB, gsim SNDR 6(14 0.4) 20 log10G > 80 G < 7.94 x 10-9 GS < 7.94 x 10-9 . GL (7.11)

Aceasta d o limit superioar a conductan ei de ieire de ( 7.12) unde GL = conductan a de sarcin. Pentru o sarcin de 50 gsim conductan a de ieire unitar maxim de : GS < 1.59 x 10-10 (7.13) sau o rezisten de Rs > 6,3G (3.14) Vedem din rezultatele simulrii din fig.7.9 c aceast cerin este ndeplinit de ctre configura iile de surse de curent cu cascod dar nu este ndeplinit de solu ia cu un singur tranzistor. Totui, pentru frecven e mari, impedan a de ieire scade cu 20 dB/decad din cauza polului caracteristicii de frecven . La frecven e mari (peste 50kHz), sursele au n esen aceleai caracteristici de impedan . Dei este o apreciere grosier, putem vedea c limita superioar din (7.14), nu poate fi garantat pentru frecven ele de mai sus ci numai pn la 630Hz pentru sursa de curent cascod. Aceste limitri sunt cauzate de componentele capacitive ale surselor de curent i dac presupunem c ctigul cascadei este destul

114

Fig.7.9 Impedan a de ieire pentru dou surse de curent unitare de mare, capacitatea dominant va fi cea gsit la drena cea mai apropiat de ieire. Aceasta este dat n mod tipic de capacitatea de suprapunere poart-dren i capacitatea dren-substrat dat de : (7.15) Cdb Ad Cjd unde Ad =W Ld este aria drenei iar Cjd este capacitatea de jonc iune (barier) pe aria unitar de dren, Ld este lungimea drenei. Gsim c, n mod aproximativ, capacitatea este liniar dependent de l imea W Cdb ~ W (7.16) Polul de ieire pentru sursele de curent din fig.7.8(a) i 7.8(b) se poate determina grosier, prin combinarea ecua iilor (7.6), (7.9), (7.10) i (7.16) . Se ob in rela ii aproximative ca : (7.17) Din acestea avem o concluzie intuitiv: cu ct facem mai mari l imile tranzistoarelor, cu att mai cobort este polul. La realizare poate fi avantajos s se aleag toate l imile tranzistoarelor egale deoarece layout-ul devine cu ceva mai simplu. n astfel de caz se vor folosi lungimile Li drept parametri de proiectare.

115 O alt problem interesant de proiectare este de a se analiza cum reac ioneaz sursele de curent la varia ia tensiunii continue de alimentare i a tensiunii continue existent la ieirea sursei de curent. n [22] se art impedan a de ieire simulat pentru sursa de curent cascod pentru diferite alimentri i nivele de tensiune de ieire. Rezult c rezisten a de ieire este dependent liniar de alimentare, respectiv de varia iile de tensiune de ieire dar, conform ateptrii, (datorit impedan ei mari de ieire la cascod) schimbrile sunt relativ mici.

mperecherea Cum s-a discutat n [22], sunt mai multe surse de erori de mperechere i anume: erori de dimensiuni la tranzistoare, varia ii ale pragurilor de tensiune, varia ii ale tensiunilor de alimentare i polarizare, varia ii ale grosimii oxidului, varia ia tensiunilor de la ieire, etc. Erorile de mperechere gradate pot fi minimizate distribuind sursele de curent unitar ct mai inteligent posibil. mperecherea stohastic trebuie s fie minimizat prin alegerea potrivit a dimensiunilor tranzistorului. Din studiile din literatur tim c mperecherea dup i VT nu este corelat i c varian a lor este invers propor ional cu aria tranzistorului, WL i liniar dependent de distan a dintre obiectele de mperecheat. Dac diveri parametri sunt furniza i de ctre distribuitorul de proces, putem gsi un compromis ce d eroare minim. De exemplu, dac avem o formul simplificat ca :
(7.18) unde a,b,c,d,e sunt parametrii dependen i de proces, minimul se gsete prin derivarea acestei rela ii n raport cu l imea i lungimea: (7.19)

i
(7.20) Din (7.19) i (7.20) se ob ine de exemplu:

116 (7.21) n mod tipic, cu ct sunt alese tranzistoare mai mari cu att mperecherea este mai bun. Totui, pentru l imi mari, polul se va muta la frecven mai redus. O alegere natural este de a lua lungimea canalului tranzistorului sursei de valoare mare. Erori de mperechere similare cu acelea ale varia iilor gradate ale oxidului i altele similare, pot s apar de asemenea, din cauza interconexiunilor prost proiectate. tim c rezisten a de ieire i curentul de ieire sunt dependente de tensiunea de polarizare aplicat pe poarta tranzistoarelor surs M1. Tensiunea este generat de un curent de polarizare care, la baz, este dat de o oglind de curent, iar curentul prin ramura de referin a oglinzii este controlat printr-o rezisten . Totui, n special pentru rezolu ii mari, trebuie s garantm c se furnizeaz tensiuni de polarizare i de alimentare egale i foarte precise la toate sursele de curent unitare. n fig.7.10 se arat efectele pierderii de tensiune, de exemplu pe legtura de alimentare. Conexiunea este modelat ca un numr de rezisten e n serie. ntr-un layout regulat, acestea sunt la fel de mari. Deoarece se ia curent prin sursele unitare avem cderi de tensiune de-a lungul conexiunii de alimentare. Pentru direc iile folosite n figur avem VDD>V1>..>VN . n func ie de stilul de layout, curen ii Ii sunt n mod tipic determina i de un numr de surse de curent unitare legate n paralel.

Fig.7.10 Model de interconexiune de alimentare legat la un numr de surse de DAC i scderea preciziei curen ilor

117 Mai mult, curentul Ii este dat de tensiunea efectiv conform rela iei (7.8), adic este dependent de tensiunea Vi. Prin urmare, de-a lungul conexiunii curen ii vor deveni tot mai mici. Abaterile cresc de asemenea n mod ptratic din cauza dependen ei de tensiunea efectiv.

Comutatoare de curent Comutatoarele de curent se pot implementa pe diferite ci, adic cu PMOS, cu NMOS, por i de transmisie, etc. Parametrii de proiectare cruciali tipici sunt rezisten a n conduc ie i ptrunderea clock-ului (clock feed through-CFT). Pentru aplica ii de nalt performan trebuie s se garanteze c circuitele de comand pentru semnalele comutatoarelor sunt rapide i suficient de precise. Discutm n cele ce urmeaz unele din propriet ile comutatoarelor. Rezisten a n conduc ie (on) n fig.7.11(a) se vede modelul de circuit al comutatorului diferen ial i cum se poate acesta implementa cu tranzistoare MOS, n fig.7.11(b). Rezisten a n conduc ie trebuie s fie redus pentru a se reduce cderea de tensiune pe comutator care influen eaz liniaritatea sursei de curent, n special, dac se folosesc surse de curent cu un singur tranzistor. Pentru o implementare cu tranzistoare MOS, aceasta nseamn c raportul dimensional al tranzistoarelor trebuie s fie mare.

Fig.7.11 Comutator de curent diferen ial Totui, comutatoarele mari induc de asemenea un CFT mare din cauza capacit ii de poart mrite. Cu ct este necesar o rezisten mai redus n conduc ie a comutatorului, cu att mai multe tranzistoare trebuie s fie conectate n paralel n fig.7.11(b). Rezisten a

118 n conduc ie a unui tranzistor MOS n regiunea liniar este cu aproxima ie: (7.22) unde este parametrul transconductan al tranzistorului, V este tensiunea de poart, Vt este tensiunea de prag i VD este tensiunea de dren. De exemplu, n fig.7.11 tensiunea de dren este egal cu tensiunea de ieire a unui DAC, VD este Vout i V este dat de semnalele comutatoarelor i / , ale cror amplitudini sunt n mod tipic egale cu tensiunea de alimentare. Dac dimensionm comutatoarele astfel nct cel pentru LSB s aib cea mai mare rezisten n conduc ie i dac folosim pentru bitul k Rsw,1 = 2k 1 . Rsw,k, (7.23) va exista numai o eroare de ctig liniar. Evident ob inem, de asemenea, o mic eroare de ctig neliniar. Comutatoarele influen eaz de asemenea pr ile capacitive de ieire ale polilor de ieire ale convertorului i, ca ntotdeauna, trebuie s ncercm s men inem capacitatea ct mai mic posibil. Se pot utiliza tranzistoare NMOS deoarece mobilitatea purttorilor este mai mare dect la tranzistoarele PMOS. Deci rezult o rezisten n conduc ie i un CFT mai mici pentru aceleai dimensiuni de tranzistoare. Folosind NMOS ca i comutatoare, ntr-un proces cu un singur tip de insul, face ca s intervin un offset al tensiunii substratsurs. Prin urmare, tensiunea de prag Vt devine ceva mai mare iar atunci rezisten a n conduc ie crete. Dac se folosesc tranzistoare PMOS ca i comutatoare pentru surse de curent cu PMOS, ele pot lucra n regiunea de satura ie n loc de regiunea liniar. Dac tranzistorul este n regiunea de satura ie i nu n regiunea de blocare ( cnd Vs- V >Vt) avem: VS V - Vt < VS -VD (7.24) PMOS-ul conduce cnd tensiunea de poart este pus la mas (V = 0). Din formula (7.24) ob inem: VS > Vt >VD (7.25) Tensiunea de prag variaz pu in cu procesul dar nu este o problem major s se ndeplineasc rela ia (7.25) att timp ct

119 tensiunea de alimentare este rezonabil de mare. n fig.7.12 artm cum depinde rezisten a n conduc ie a comutatorului de nivelul tensiunii de alimentare i de nivelul continuu de la ieire. Sursele de curent unitare cu cascod sunt folosite aici iar n exemplul dat se arat situa ia pentru LSB. Curentul prin comutator este aproximativ 1,22A.

Fig.7.12 Impedan a n conduc ie a comutatorului ca func ie de: a) tensiunea sursei, b) tensiunea DC de ieire

120 Cnd se variaz tensiunea de alimentare, ieirea are tensiunea continu fixat la 0,5V iar cnd se variaz nivelul continuu de la ieire, tensiunea sursei de alimentare este inut constant la 3,3V. Gsim c rela ia (7.22) este verificat n fig.7.12(a). Vedem de asemenea c rezisten a este independent de tensiunea continu de ieire. Aceasta va introduce o func ie de transfer de DAC uor neliniar i este important s ncercm s men inem panta curbei din fig.7.12(b) ct se poate de constant. Folosind por i de transmisie drept comutatoare, cum sunt cele din fig.7.13, se va reduce n continuare (mai mult) rezisten a n conduc ie deoarece avem tranzistoare NMOS i PMOS n paralel. Sarcina ptruns (prin CFT) se va anula deoarece PMOS-ul absoarbe sarcina pe care NMOS-ul o respinge cnd el intr n regiunea lui de blocare. Exist dou dezavantaje, unul este acela c layout-ul comutatorului devine mai complex iar riscul de a se introduce semnale parazite devine mai mare. Al doilea, este c avem nevoie de faze de clock inversate, speciale, la por ile de transmisie. Deci avem nevoie de drivere de semnal de comutare suplimentare. n mod uzual solu iile cu un singur tranzistor n comutator sunt suficiente.

Fig.7.13 Por i de transmisie folosite ca i comutatoare de curent

Ptrunderea clock-ului (CFT) n [22] s-a discutat despre CFT i s-a stabilit c el va influen a frecven ele mai mari din cauza injec iei de sarcin pe semnalul de ieire. n mod tipic CFT-ul face s creasc de asemenea o component cu frecven a/2. CFT apare din cauza a dou ra iuni, una este capacitatea de suprapunere la dren sau poart iar a doua este sarcina din canal. Capacitatea de suprapunere este: Cov = W . Lov , (7.26)

121 unde W este l imea por ii iar Lo este lungimea pe care exist suprapunerea dren-poart. Vor exista mici varia ii de tensiune la ieire din cauza schimbrilor tensiunii de poart. Aceste varia ii de tensiune sunt date de: (7.27) unde CL>>Cov este capacitatea de sarcin i unde am presupus c tensiunea comutat maxim este egal cu sursa de alimentare pozitiv. Deci, cu ct sunt mai mici V i Cov, cu att va fi mai bine. Sarcina din canal, cnd tranzistorul lucreaz n regiunea lui liniar, este dat aproximativ de Qch = W L Cox Ve, (7.28) unde Cox este capacitatea poart-canal pe unitatea de arie, Vef Vout este tensiunea efectiv. Cnd tranzistorul este dus n blocare / conduc ie, jumtate din sarcina canalului va fi absorbit n canal sau rejectat din canal este aa numita injec ie de sarcin. Aceasta va aduga de asemenea o mic schimbare de tensiune la ieire. Avem: (7.29) Atunci, vom avea la ieire Vout + Vch + Vov. nc odat gsim o problem de proiectare contradictorie: cu ct sunt mai mari W i L (aria por ii), cu att este mai mare CFT dar mai mic rezisten a n conduc ie a comutatorului Rsw . O tehnic pentru reducerea efectului sarcinii canalului este aceea de a se folosi aa numi ii tranzistori dummy (manechin), cum se vede in fig.7.14. n realitate tranzistorul manechin lucreaz ca un capacitor care absoarbe sarcina respins din canal n loc de a o lsa s fie transportat la ieire. Prin urmare trebuie s comutm tranzistorul manechin n antifaz i s l proiectm s aib jumtate din l imea por ii comutatorului principal deci W/2. Func ionarea por ilor de transmisie este n esen aceeai, totui, tranzistorul manechin lucreaz ca un capacitor i deci va micora banda de frecven a a convertorului D/A.

122

Fig.7.14 Folosirea tranzistorului manechin n comutator pentru a reduce efectul injec iei sarcinii din canal.

Semnalele de comutare Deoarece trebuie s comutm o surs de curent trebuie s asigurm ca, comutatoarele de curent sa nu comute total (la zero) sursele de curent.

Fig.7.15 a) Semnale de comutare dorite pentru un comutator de curent diferen ial iar n b) i c) arat implementri posibile de circuite

123 Cu alte cuvinte, acesta va for a poten ialul de la ieirea sursei de curent s fie dus spre tensiunea sursei de alimentare pe msur ce el este comutat afar din conduc ie. Cnd acesta este comutat din nou n conduc ie, diferen a de poten ial sau cderea de tensiune dintre ieirea sursei de curent i ieirea DAC-ului este mare i se induce un glitch (impuls ascu it). n cazuri extreme, tranzistorul sursei de curent poate de asemenea s ajung n regiunea de lucru liniar i atunci va avea o impedan de ieire mult nrut it. Pentru a se evita aceasta, folosim comutatoare diferen iale astfel nct sursa de curent d curent n permanen . Semnalele de comutare trebuie de asemenea s fie (potrivit) mperecheate pentru a reduce glitch-urile. Semnale de comand potrivite pentru un comutator diferen ial PMOS i respectiv NMOS sunt schi ate in fig.7.15a. Semnalele de comand pot fi generate folosind un latch RS ca cel din fig.7.15 b i c. ntrzieri prin invertoare suplimentare (haurate n fig. c) pot fi necesare pentru o chiar mai mare suprapunere. O implementare compact cu tranzistoare este artat in b) aceasta este o pereche de invertoare interconectate ncruciat, cu semnale de clock de control i de selectare. O alt tehnic este de a men ine comportarea la cretere i cdere a semnalelor de comutare pe ct posibil egale, pentru a face timpul de comutare independent.

Memoria comutatorului Comutatoarele au o func ie de memorie cauzat de elementele capacitive i de sarcina canalului adic viteza de intrare n conduc ie i deblocare a comutatorului este dependent de strile anterioare ale comutatorului. Pentru semnale multi-ton semnalul nsi va introduce jitter la comutatoare i aceast problem va fi minor. De asemenea, nu se va considera c aceast problem domin n mod special n cazul aplica iilor de band larg de 14 bi i. Se poate folosi o schem de comutare pentru revenire la zero n fiecare jumtate a perioadei de clock, cnd comutatoarele sunt restabilite, pentru a reduce func ia de memorie.

124
ANEX la Capitolul 7 In acest capitol au aprut o serie de no iuni i parametri ai DACurilor care se studiaz n mod normal la alte discipline. Aceste chestiuni sunt explicate aici foarte pe scurt iar o documentare mai amnun it se poate face pe baza bibliografiei [23]. Codul termometric Codul termometric corespunztor unui cod binar de intrare a DAC-ului se ob ine printr-o conversie cu schem logic. Pentru un cod binar de N bi i va rezulta un cod termometric de 2N-1 bi i (deci mult mai mul i bi i) care cuprinde un ir de bi i 1 consecutivi, ncepnd de la LSB, a cror cantitate este egal chiar cu cantitatea exprimat de codul binar. Creterea cantit ii din codul binar conduce la extinderea irului de bi i 1 din codul termometric i de aici provine denumirea acestui cod. El prezint avantaje ca: reducerea drastic a glich-urilor i mbunt irea comportamentului dinamic al DAC. INL (integral non-linearity) Nelinearitatea integral Reprezint abaterea mrimii de ieire a DAC fa de valoarea ideal, pentru un cod de intrare dat. Se msoar n frac iuni de LSB (aici echivalentul analogic al LSB). DNL (differential non-linearity) Nelinearitatea diferen ial Reprezint abaterea varia iei mrimii de ieire a DAC fa de valoarea ideal, pentru o varia ie de 1 LSB a codului de intrare. Poate fi pozitiv sau negativ i se msoar n frac iuni de LSB. SNR (signal to noise ratio) Raportul semnal pe zgomot Reprezint raportul dintre puterea fundamentalei semnalului de ieire i puterea zgomotului total al ieirii, excluznd componentele armonice ale semnalului, pentru o anumit band de frecven . Se msoar n dB. SNDR (signal to noise and distortion ratio) Raportul semnal pe zgomot i distorsiune Reprezint raportul dintre puterea fundamentalei semnalului de ieire i suma puterii zgomotului total al ieirii i a puterii componentelor armonice ale semnalului (care sunt produse de distorsiune), pentru o anumit band de frecven . Se msoar n dB. SFDR (spurious free dynamic range) Gama dinamic fr perturba ii Reprezint diferen a n dB ntre semnalul fundamental de la ieire i perturba ia cea mai marece apare n spectrul semnalului ntr-o band de frecven specificat (deobicei fN=feant/2).

125

CAPITOLUL 8

CIRCUITE LOGICE I DIGITALE


In competi ia tehnologiilor de realizare a circuitelor integrate complexe a ctigat tehnologia CMOS pentru c; - asigur densitate mai mare de componente pe chip (pn la sute de milioane), permi nd realizarea de microprocesoare, memorii, procesoare digitale de semnal, microcontrolere, procesoare pentru automatizri, sintetizatoare de vorbire, chipuri de comunica ii, corelatoare digitale, circuite de aplica ie la comand (application specific integrated circuits - ASIC), sisteme pe un chip (system on a chip - SOC), etc. Aceste circuite fac parte din categoriile VLSI (very large scale integration) sau chiar ELSI (extra large scale integration); - consum putere de 5 ori mai redus dect aceea a circuitelor n tehnologie NMOS echivalente; - au imunitate la zgomot (rezerv de zgomot) mai bun. Dezavantajele principale ale circuitelor CMOS sunt: - necesitatea protejrii mai complicate la fenomenul ESD, - necesitatea unui layout special pentru evitarea fenomenului latch-up.

8.1 Invertorul CMOS


Este circuitul cel mai mult utilizat n chipurile CMOS (fig.8.1), ca circuit logic, ca etaj de amplificare ori de ieire (buffer sau lan de buffere), ca etaj de ntrziere i refacere n re ele de distribu ie de clock, etc. Principalul lui avantaj este acela c n repaus (cnd nu efectueaz tranzitii) nu consum practic curent de la sursa de alimentare. In timpul tranzi iei ieirii de la un nivel logic la celalalt (fig.8.2) invertorul consum un curent sub form de puls (fig.8.3), n intr-un interval scurt n care ambele tranzistoare sunt n conduc ie. Pentru comutare n punctul central al caracteristicii de transfer din fig.8.2 i pentru un comportament similar al celor dou tranzistoare n prezen a unei sarcini capacitive importante, transconductan ele acestora trebuie s fie aproximativ egale. De aceea, l imea canalului la tranzistorul PMOS va fi mai mare dect aceea a

126 tranzistorului NMOS de un numr de ori dat de raportul mobilit ilor n / p 24 (valoare mai mic pentru tehnologii mai fine, submicronice). VDD PMOS Tp IN Vin OUT Tn NMOS Vout Cs GND Fig.8.1 Invertor CMOS Caracteristica de transfer a invertorului cu ieirea n gol (Rs=, Cs=0) are marcate n diferite zone tranzistoarele aflate n conduc ie n satura ie, regim liniar sau blocare. Exist un interval central (C-D) n care ambele tranzistoare sunt n satura ie, cnd curge prin ele un curent relativ important (sus inut de sursa de alimentare, fig.8.3).
Vout VDD Tp sat., Tn bloc. Tp sat., Tn A B lin. Tp i Tn sat.
C

Simbol

Tp lin., Tn sat. Tp bloc., Tn sat.


E F

Vtn

VDD-Vtp VDD

Vin

Fig.8.2 Caracteristica de transfer a invertorului

127
I

Vin Vtn VDD-Vtp VDD

Fig.8.3 Curentul prin tranzistoarele Tp i Tn n gol De obicei, sarcina invertorului este capacitiv astfel c la tranzi ia tensiunii de ieire apare ncrcarea respectiv descrcarea capacit ii de sarcin Cs. Cnd Vin scade de la VDD spre zero, Cs se ncarc spre VDD prin Tp iar curentul prin acesta are forma de varia ie din fig.8.4a. Cnd Vin crete de la zero spre VDD, Cs se descarc spre zero prin Tn iar curentul prin acesta are forma de varia ie din fig.8.4b.
Ip In

b) a) Fig.8.4 Curen ii de ncrcare i descrcare a lui Cs

VDD Vout

VDD Vout

Puterea disipat de invertor Cnd are loc tranzi ia intrrii i ieirii invertorului curentul prin cele dou tranzistoare, de forma din fig.8.3 (denumit de unii curent de scurtcircuit) produce disipa ie de putere pe tranzistoare, deci pe chip. Dac ieirea invertorului lucreaz pe sarcin capacitiv apar n plus curen i de forma dat n fig.8.4 i puterea disipat are dou componente: - dinamic: P1=CsV2f - de scurtcircuit: P2=ImedVDD unde: V este varia ia de tensiune pe capacitate, f este frecven a de comutare, Imed este valoarea medie a curentului de scurtcircuit.

128 Componenta dinamic P1 nu depinde mult de dimensiunile tranzistoarelor dac capacitatea lor proprie de ieire pe dren este redus n raport cu Cs. Componenta P2 este propor ional cu raportul dimensional W/L al tranzistoarelor i nu depinde de Cs. Prin Imed puterea P2 este propor ional cu frecven a de comuta ie i mai depinde de timpii de cretere i scdere ai semnalului Vin.

Buffer (lan de buffere) Pentru a se asigura la frecven e mari de tact semnale cu fronturi scurte pe capacitate de sarcin mare, se utilizeaz de obicei un lan de buffere dimensionate corespunztor (fig.8.5). Este vorba de ac ionarea traseelor lungi din chip (linii tip bus sau de clock), a unor ramifica ii cu multe ramuri i a padurilor de ieire. De obicei numrul de etaje din lan este par.
In
1

n-1

Out
Cs

Fig.8.5 Lan de buffere cu sarcin capacitiv mare

Bufferele disip o mare parte din puterea total consumat de un chip complex. Optimizarea lor necesit efort mai mare dect pretind circuitele logice obinuite. Trebuie asigura i timpi de ridicare/cdere scur i i egali pe etaje (i pentru intrare/ieire), cnd disipa ia de putere este mai redus (minim). Deci etajele se dimensioneaz cu timpi de ridicare/cdere impui. S-a demonstrat c timpul de propagare ntre intrare i ieire a unei tranzi ii este minim dac factorul de treapt (raportul rapoartelor dimensionale pentru dou etaje consecutive) este:

(W L)n (W L )n 1

e 2.7

129 dar acesta nu asigur i putere disipat, arie ocupat minim, zgomot minim. De aceea se practic de obicei factori de treapt mai mari, de ordinul 10, pentru care numrul de etaje este mai redus, aria ocupat este mai mic i puterea disipat de asemenea. Pierderea prin nrut irea timpului de propagare nu este prea mare n acest caz. Totui, cnd ntrzierea trebuie s fie redus se utilizeaz un factor de treapt de ordinul 5. Prin rezerv (margine) de zgomot (noise margin) se n elege amplitudinea maxim a unui semnal de zgomot, care se poate suprapune peste nivelurile logice n nodul de intrare a unui invertor sau lan de invertoare fr a cauza comutarea ieirii. Rezerva de zgomot este mai mare i aceeai pentru nivelurile low i high dac s-ar ndeplini egalitatea valorilor absolute ale tensiunilor de prag Vtn=Vtp. In realitate cele dou tensiuni difer cu cel pu in 0,1V; totui rezerva de zgomot este 0,4VDD. Aceast valoare este suficient de mare pentru aplica iile logice i digitale uzuale.

8.2 Circuite CMOS logice i digitale statice


Circuitele logice i digitale CMOS sunt realizate n dou variante: statice i dinamice. Alegerea ntre acestea este determinat n special de: - tipul circuitului necesar i aplica ia lui, - aria ocupat i puterea disipat.

Circuite logice statice


In schemele ce urmeaz tranzistoarele NMOS vor avea substratul legat la bara de alimentare notat cu VSS (0V sau GND de obicei). La fel, tranzistoarele PMOS vor avea substratul conectat la VDD. Acest lucru ne permite s folosim simboluri simplificate pentru tranzistoare n materialul ce urmeaz.

Poarta NAND (NU-I) (fig.8.6) Configura ia cu T1 i T2 n serie, din partea de jos a schemei, indic o func ie logic AND (I). Aceast func ie necesit totui pentru realizare i configura ia de sus, cu T3 i T4 n paralel. Invertorul

130 CMOS realizat cu cele dou combina ii de tranzistoare asigur nega ia func iei logice AND pentru ob inerea func iei NAND. Perechea de tranzistoare serie T1 i T2 conduce curent (cu cdere mic de tensiune) numai cnd variabilele logice de intrare A i B sunt simultan la valoarea logic 1 (sau high). In acest caz, tranzistoarele T3 i T4 sunt ambele blocate i nivelul de tensiune de la ieire se poate cobor spre VSS (0 logic sau low). In cazul cnd A=0 sau B=0 sau ambele sunt la 0 logic, cel pu in unul dintre tranzistoarele T1 i T2 este blocat iar cel pu in unul dintre tranzistoarele T3 i T4 conduce (cu cdere mic de tensiune) astfel c ieirea urc spre VDD deci la 1 logic. Astfel, ieirea realizeaz func ia logic NAND. T3 VDD T4 Ie. Z=AB A B T1 Simbol T2 VSS (GND) Fig.8.6 Poarta NAND static

Poarta NOR (NU-SAU) (fig.8.7) Configura ia cu T1 i T2 n paralel, din partea de jos a schemei, indic o func ie logic OR (SAU). Aceast func ie necesit totui pentru realizare i configura ia de sus, cu T3 i T4 n serie. Invertorul CMOS realizat cu cele dou combina ii de tranzistoare asigur nega ia func iei logice OR pentru ob inerea func iei NOR. Cnd una sau ambele variabile logice de intrare A i B sunt la valoarea logic 1 (sau high) unul sau ambele din perechea de tranzistoare paralele T1 i T2 conduce curent (cu cdere mic de tensiune). In acest caz, unul sau ambele tranzistoare T3 i T4 sunt blocate i nivelul de tensiune de la ieire se poate cobor spre VSS (0 logic sau low).

131 VDD T4 A T3 Ie. Z=A+B B T1 T2 VSS (GND) Fig.8.7 Poarta NOR static In cazul cnd A i B sunt ambele la 0 logic, ambele tranzistoare T1 i T2 sunt blocate iar tranzistoarele T3 i T4 conduc (cu cdere mic de tensiune) astfel c ieirea urc spre VDD deci la 1 logic. Astfel, ieirea realizeaz func ia logic NOR. Pentru cele dou circuite logice de mai sus se constat urmtoarele: - atunci cnd tranzistoarele NMOS sunt n serie, tranzistoarele PMOS trebuie s fie n paralel i invers, - n cazul tensiunilor de alimentare mici nu se pot conecta n serie mai mult de dou tranzistoare, din motive de func ionare corect, - schemele prezint capacit i de intrare relativ reduse. VDD T4 T6 T5 Ie. Z T3 T2 T1 VSS (GND) A B C Simbol


Z=(A+B)C
Z

C A B

Fig.8.8 Realizarea unei func ii mai complicate

132 Se pot realiza, pstrnd tensiunea de alimentare redus, i func ii logice cu ceva mai complicate. Un exemplu este dat n fig.8.8, unde schema realizeaz func ia logic: Z = (A + B) C . Performan ele tranzistoarelor PMOS sunt mai slabe dect cele ale tranzistoarelor NMOS, de aceea numrul de tranzistoare PMOS trebuie minimizat. Astfel, n locul unor tranzistoare PMOS se poate folosi uneori unul singur, polarizat ca n fig.8.9, unde se realizeaz aceeai func ie logic de mai sus. Aceast implementare se cheam pseudo-NMOS. VDD T4 VSS C A B T2 T1 VSS T3 Ie. Z=(A+B)C

Fig.8.9 Circuit logic pseudo-NMOS Sarcina ramurii comandate a invertorului, tranzistorul T4, este un PMOS cu polarizare fix VGS=VDD i de aceea T4 conduce permanent i se comport ca o rezisten . Schema se prezint ca i cum ar avea doar tranzistoare NMOS, de unde denumirea pseudoNMOS. Avantajele schemei const n: - numrul redus de tranzistoare PMOS deci n aria redus ocupat pe chip, - comutarea mai rapid, asigurat acum numai de tranzistoare NMOS i de capacit i de intrare i ieire mai mici. Dezavantajul schemei este adus de faptul c la ieire low exist curent prin T4 care conduce la consum de putere (deci putere disipat suplimentar). Acest lucru face ca schemele pseudo-NMOS s fie utilizate mai rar.

133

Poarta de transmisie Por i de transmisie (fig.8.10) se folosesc n circuite logice denumite cu tranzistor de trecere (pass-transistor logic) precum i n circuite basculante bistabile i latch-uri (elemente de memorare cu zvorre), att statice ct i dinamice.
T2 In T1

Out = In

Fig.8.10 Poart de transmisie Poarta de transfer include dou tranzistoare complementare pentru a se ob ine o cdere de tensiune (pierdere de semnal) mai mic dect n cazul folosirii unui singur tranzistor. Poarta servete la transferarea nivelului logic de la intrare la ieire cnd sunt activate semnalele de control complementare i .. Cnd In este 0 logic (0V) iar =1 tranzistorul T1 conduce n regim liniar (cu cdere mic de tensiune), T2 este blocat i ieirea va avea nivelul logic 0. Cnd In este 1 logic (VDD) iar =1 (deci =0 ) tranzistorul T2 conduce n regim liniar (cu cdere mic de tensiune), T1 este n conduc ie (saturat dar cderea de tensiune pe el nu ar fi neglijabil dac nu ar fi tranzistorul T2) i ieirea are nivelul logic 1. In fig.8.11 s-a marcat cu linie ntrerupt tensiunea de ieire dac n poarta de transfer ar fi un singur tranzistor, de tip NMOS sau PMOS.
Vout 2,5V
(1 logic)

Vtn PMOS NMOS t

Vtp 0V

Fig.8.11 Ieirea unei por i de transfer pentru impuls la intrare

134 Cu linie continu situa ia pentru poarta de transfer cu dou tranzistoare complementare. In acest din urm caz se constat c pierderea de tensiune din semnalul de intrare, att la nivel logic low ct i la nivel logic high este redus. Circuitele logice cu por i de transfer cele mai simple sunt o poart EXOR (EXCLUSIVE OR) i MULTIPLEXOR. In fig. 8.12 este dat schema unui circuit EXOR. b a
z = a b + ab

b a

b Fig.8.12 Circuit EXOR cu por i de transfer Circuitul necesit semnale logice de intrare i de control complementare. Intrzierea pe poart este cauzat de rezisten a serie a unei por i de transfer i sarcina capacitiv. Circuitul poate asigura ntrzieri mai mici n dauna unei arii pe chip mai mari. Poarta de transfer este mai pu in folosit n cazul schemelor cu tensiune de alimentare redus (low power).

Circuite statice sincronizate


Fr sincronizare semnalele logice trec pe diferite ci asincron i au durate de propagare mult diferite, necunoscute exact. Intr-un circuit logic i digital complex trebuie tiut ce semnal vine ntr-un nod dat la un moment dat. In mod obinuit sincronizarea semnalelor se face prin divizarea tuturor cilor n sub-ci cu ntrziere aproximativ egal. Atunci, ntrzierea aleas va fi cea din cazul cel mai defavorabil (din sub-calea

135 cu ntrziere maxim denumit critic). Sub-cile se segmenteaz cu ajutorul unor circuite latch-uri sau bistabile controlate cu semnale de clock periodice. Latch-urile i bistabilele sunt folosite pentru memorarea temporar a semnalelor logice. Ele se mai folosesc n numrtoare i registre, care opereaz cu numere binare complete. Un latch are structura din fig.8.13. Se constat o legare n cruce a intrrilor i ieirilor celor dou invertoare CMOS, ce asigur cuplajul de la un invertor spre celalalt dar i o reac ie pozitiv, care realizeaz zvorrea ntr-o stare impus. Astfel, latch-ul prezint dou stri stabile ntre care basculeaz la comanda extern pe o intrare.

Q
cuplaj reac ie reac ie

Q
cuplaj

Fig.8.13 Structura unui latch (aceeai n cele dou reprezentri) Adugnd la un latch dou por i de transfer se poate realiza cu o astfel de combina ie segmentarea n calea de date pentru ob inerea de sub-ci (fig.8.14) [3].
Cale de date

In Q

Latch

In Q

Cale de date

Fig.8.14 Segmentarea unei ci de date


In latch se pot nscrie valori logice complementare prin por ile de transmisie cnd =1 ( =0 ). Reac ia pozitiv din latch asigur memorarea acestor valori cnd =0 ( =1 ). Acest principiu de baz este folosit n celule de memorie CMOS i n bistabile. Un bistabil poate memora temporar o valoare logic i este controlat de unul sau mai multe semnale de clock. Frecven a maxim

136 de clock a unui circuit CMOS sincron este determinat de calea dintre dou bistabile cu ntrzierea cea mai lung (calea critic). Aceast ntrziere este rezultatul combinrii por ilor logice i/sau a traseelor de semnal lungi, cu capacit i mari. Exist mai multe tipuri de bistabile: D, SR, JK, cu diverse destina ii [3]. In cadrul acestui curs se limiteaz discu ia la bistabile de tip D sau delay. Un bistabil D se poate realiza cu dou latch-uri n serie i patru por i de transfer, ca n fig.8.15. Aici por ile de transfer au fost reprezentate printr-un simbol simplu.
Intr. D

Ie.Q

Latch 1= Master

Latch 2= Slave

Fig.8.15 Bistabil de tip D cu latch-uri Por ile de transmisie suplimentare 3 i 4 din buclele de reac ie ale fiecrui latch ntrerup aceste bucle cnd data trebuie nscris n latch. Acest lucru reduce cerin ele de comand ale circuitului dinaintea intrrii i ale latch-ului master ceea ce face ca schimbarea strii bistabilului s fie mai uoar. Bistabilul include 16 tranzistoare. A se observa c latch-urile 1 i 2 sunt comandate n antifaz. Semnalele de clock din chip trebuie s fie complementare nesuprapuse. Pentru arie redus trebuie folosit un singur circuit de generare a clock-ului la care se va aduga un invertor pentru a realiza local inversarea clock-ului ce se distribuie. In fig.8.16 este prezentat un bistabil tip D realizat cu por i logice NAND cu 2 i 3 intrri, implicnd un numr de 30 tranzistoare. Circuitul necesit numai un semnal de clock dar, din cauza numrului mare de tranzistoare, ocup arie mrit pe chip [3].

137
Clock Reac ie 1


Invertoare buffer

2 Intr. D Bistabil Master

Bistabil intermediar

Bistabil Slave

Fig.8.16 Bistabil tip D cu por i NAND

8.3 Circuite CMOS logice i digitale dinamice


Avantajul principal al circuitelor logice i digitale dinamice este acela al ariei reduse ocupate pe chip. Explica ia const n faptul c func iile logice sunt implementate numai pe tranzistoare NMOS. Un tranzistor PMOS mai este folosit pe o poart logic doar pentru a ncrca capacitatea din nodul de la ieire. Astfel, circuitele sunt majoritar NMOS i pentru por i complexe avantajul este bine vizibil. Ele necesit ns n plus o poart de transfer [3].

Poarta NOR dinamic este dat n fig.8.17. Ea necesit pentru func ionare corect (mpreun cu alte por i anterioare ori urmtoare) patru semnale de clock (sau de faz) diferite,: adic 1, 2 i complementarele acestora 1 i 2 . La por ile anterioar i urmtoare celei din figur semnalele 1 i 2 se schimb ntre ele i la fel semnalele lor complementare. Func ia logic OR este realizat de T1 i T2, adic de tranzistoare NMOS. Tranzistoarele T3 i T4 au rol de comutatoare. Func ionarea por ii este urmtoarea: - capacitatea din nodul de la ieirea Z este ncrcat la VDD prin tranzistorul PMOS T4 cnd 1 este low; - cnd 1 devine high capacitatea din nodul Z se descarc dac A sau B este high;

138 - clock-ul 2 este atunci low ( 2 este high) i poarta de transfer trimite starea din Z la ieire. Semnalele de clock 1i 2 sunt par ial suprapuse n zona fronturilor [3]. VDD
1

T4
Z=A+B

Ie.

A B

T1

T2 T3 VSS

Fig.8.17 Poart NOR dinamic

Bistabilul de tip D dinamic, utilizat ca celul pentru un registru de deplasare, este dat n fig.8.18. El const din dou invertoare i dou por i de transfer. Necesit de asemenea patru semnale de clock: 1, 2 nesuprapuse respectiv complementele lor. 2 1
Intr. D

Ie.Q

1 t 2

Fig.8.18 Bistabil tip D dinamic

139 Un bistabil dinamic este considerat ca element de baz pentru registru de deplasare deoarece el deplaseaz dinamic data de la intrare la ieire ntr-o singur perioad de clock. Data de la intrare este memorat dinamic n capacitatea de intrare a primului invertor cnd 1 este high. Cnd 2 este high nivelul de ieire al primului invertor este memorat dinamic n capacitatea de intrare a celui de al doilea invertor. Clock-urile nesuprapuse sunt necesare pentru a preveni apari ia fenomenului race cnd bistabilul devine transparent i permite datei s treac peste circuit n timpul tranzi iei clock-ului [3]. De asemenea, din acelai motiv, nealinierea clock-ului nu trebuie s depeasc pe t (fig.8.18). Este necesar o frecven minim de clock pentru a men ine informa ia n circuitul ce folosete elemente de memorare dinamice. Aceast frecven minim este uzual de cteva sute de Hz i este limitat inferior din cauza curentului rezidual sub-prag al tranzistoarelor i de curentul rezidual al jonc iunilor zonelor difuzate cu substratul, polarizate invers de la tranzistoare. Mai exist i alte variante de familii de por i CMOS dinamice i de bistabile dinamice: pipeline, DOMINO, etc.[3].

Alegerea implementrii CMOS Aceasta este o decizie important la startul unui proiect CMOS [3]. Alegerea ntre forma static i forma dinamic este determinat de mai mul i factori. Cei mai importan i sunt: puterea disipat, viteza, aria pe chip i imunitatea la zgomot. Acetia sunt analiza i mai jos.
Puterea disipat Cum s-a vzut deja, circuitele CMOS statice nu disip putere n starea stabil (cu excep ia puterii reduse cauzate de curentul subprag). Puterea este disipat numai pe durata schimbrii strii la por ile logice. In circuitele statice sincronizate cu clock, cea mai mare disipare de putere apare pe durata i imediat dup tranzi iile clockului, care ns nu apar n fiecare ciclu de clock. In circuitele dinamice sincronizate, din contr, fiecare ieire de poart are capacitatea prencrcat n fiecare ciclu de clock. Aceast

140 ncrcare i descrcare repetat a capacit ii de la ieire conduce la un consum de putere mai mare. Prin urmare, circuitele low-power sau cele alimentate de la baterii precum i mai multe circuite de memorie sunt implementate cu CMOS statice. Viteza i aria In general circuitele logice CMOS dinamice sunt mai rapide dect cele statice datorit faptului c ele realizeaz func ii logice numai cu tranzistoare NMOS. Prin urmare, capacitatea de intrare a unei por i logice dinamice este mai mic dect a uneia statice echivalente. In plus, por ile logice complexe statice pot con ine n serie pe ramura de sus (care ncarc capacitatea de sarcin) mai multe tranzistoare PMOS n timp ce o poart dinamic echivalent utilizeaz n acelai scop un singur tranzistor PMOS. Acest lucru conduce la vitez mrit i arie pe chip mai redus. Imunitatea la zgomot Intr-un circuit logic static exist ntotdeauna o cale de conduc ie ntre ieirea unei por i (care este legat cu intrarea alteia) i mas ori sursa VDD. Prin urmare nu exist un nod de ieire flotant. Varia iile de tensiune induse de zgomote pe nivelurile logice sunt automat reduse prin curgeri de curent ce men in nivelurile, fcndu-le pu in sensibile la zgomote. Circuitele dinamice sufer de efecte de distribuire de sarcin electric i de interferen . Este impus aici, de asemenea, o frecven minim de clock din cauza scurgerii de sarcin din nodurile flotante ( ce pot produce func ionri nedorite). Deci circuitele statice sunt mai robuste. Din acest motiv mai multe librrii de circuite logice i digitale semi-comand sunt implementate cu circuite CMOS statice.

141

BIBLIOGRAFIE
1. P. Gray, , R. Meyer, Analysis and design of analog integrated circuits, John Wiley & Sons 2001, 2. L. Jurca, M. Ciugudean, Circuite integrate analogice, Editura Politehnica Timioara, 2007, 3. H. Veendrick, Deep-submicron CMOS Ics, Kluwer Academic Publisher, 2000, 4. J. Baker, CMOS design. Layout and Simulation, Wiley Interscience, 2005, 5. D. Johns, K. Martin, Analog integrated circuits design, 1997, pe INTERNET, 6. S. Kang, Y. Leblebici, CMOS digital integrated circuits. Analysis and design, McGraw Hill, 1997, 7. B. Razavi, Design of analog CMOS integrated circuits, McGraw Hill, 2001, 8. R. Gregorian, Introduction to CMOS op-amps and comparators, Wiley & Sons 1999, 9. N.H.E. Weste, K. Eshraghian, Principles of CMOS VLSI design, Addison-Wesley Publ. Comp., 1993, 10. A. Hastings, The art of analog layout, Pretince Hall, 2001. 11. Wikner, J.J., Studies on CMOS Digital-to-Analog Converters, Dissertation No.667, Linkping University, Sweden, 2001. 12. D. Stefanovic, M. Kaval, Structured analog CMOS design, Springer, 2008. 13. C. A. T. Salama, Current Mode CMOS Circuits, Ecle Polytechnique de Lausane, 1991. 14. P. R. Gray, R. C. Meyer, MOS Operational Amplifier Design A Tutorial Overview. IEEE Journal of Solid State Circuits, dec. 1982. 15. H. Banba i un colectiv, A CMOS Bandgap Reference Circuits with Sub 1V Operation, IEEE Journal of Solid State Circuits, May 1999. 16. F. Fiori, P. S. Crovetti, A New Compact TemperatureCompensated CMOS Reference, IEEE Transactions on Circuits and Systems-II, Vol. 52, No. 11, November 2005, pp. 724-728.

142 17. R.H. Iacob, Enhanced performance VLSI circuits with emphasis on current references. Voltage references and low-dropout voltage regulators, PhD Thesis, Politehnica University of Bucharest, 2009. 18. R. D. Mihescu (cond. t. prof. M.Ciugudean), Concep ia unor surse de curent de referin pentru circuite integrate CMOS, Teza de doctorat, Seria 7: Inginerie Electronic i Telecomunica ii, Nr.6, Editura Politehnica Timioara, 2008. 19. R. D. Mihescu, M. A. Ciugudean, Performances of CMOS thermal-compensation total-current references, WSEAS Transactions on Circuits and Systems, (n curs de publicare) 20. H. Banba, A CMOS bandgap reference circuitwith sub-1V operation, IEEE Journal of SSC, Vol.34, Nr.5, May 1999. 21. R. Gregorian, Introduction to CMOS Op-Amps and Comparators, John Wiley, 1999. 22. Wikner J.J., Studies on CMOS digital to- analog converters, Disertation No. 667, Linkopings Universitet, Sweden, 2001. 23. M. Tomoroga, Contribu ii la concep ia unui convertor numeric /analogic n tehnologie CMOS, Cap.1, Tez de doctorat, Universitatea Politehnica din Timioara, 2009