Tipuri de diode 17

V. TIPURI DE DIODE

1. Dioda redresoare
Diodele redresoare se folosesc la transformarea curentului alternativ în curent continuu, de obicei
sunt utilizate la frecvenţe joase (50/60 Hz). Principalii parametri ai diodelor redresoare sunt curentul în
polarizare directă maxim admisibil (IFM) şi tensiunea în polarizare inversă maxim admisibilă (URM).
Diodele redresoare folosesc proprietatea de conducţie unilaterală a joncţiunii p-n, adică proprietatea
de a permite trecerea unui curent mare la polarizare directă, respectiv a unui curent neglijabil la polarizare
inversă.
Altfel spus, la polarizarea directă dioda poate fi echivalentă cu o rezistenţă de valoare mică (zecimi
de ohm ÷ zeci de ohm), respectiv cu o rezistenţă de valoare ridicată (zeci de kΩ ÷ MΩ) la polarizare
inversă.
Caracteristicile reale curent-tensiune pentru o diodă redresoare din Si şi una din Ge sunt prezentate
în figura 5.1.

Fig. 5.1 Caracteristicile curent-tensiune pentru o diodă redresoare.

Analizând comparativ cele două caracteristici se constată:

- Tensiunea de deschidere (tensiunea la care dioda începe practic să conducă la polarizare directă
VD) pentru diodele din siliciu este de (0,6÷0,7 V), pe când pentru diodele din germaniu este de 0,3 V.
- Panta caracteristicii I-V (inversa ei definind rezistenţa dinamică) este mai mare la diodele din
siliciu decât la cele din germaniu.
- Tensiunea de străpungere la diodele din siliciu este mai mare ca la cele din germaniu.
- Curentul invers la diodele din siliciu este mult mai mic decât la cele din germaniu.
Se construiesc diode redresoare din siliciu pentru curenţi de la 0,4 A ÷ 350 A şi tensiuni inverse de
la 50 V ÷ 1800 V.

Regimul termic al diodei redresoare

Atât în regim de polarizare directă, cât şi de polarizare inversă, dioda consumă putere electrică care
se transformă în căldură, conducând la încălzirea acesteia.
Creşterea temperaturii joncţiunii are ca efect deplasarea caracteristicii directe cu -21 mV în cazul
germaniului, respectiv -18 mV în cazul siliciului.
Curentul invers poate creşte până la 1000 ori, de la 25º C la 150º C, ceea ce prezintă un mare
inconvenient în aplicaţii.
Cantitatea de căldură dezvoltată în diodă trebuie transmisă mediului ambiant astfel încât
temperatura joncţiunii să nu crească peste valorile admise.
Tipuri de diode 18
Uşurinţa cu care căldura circulă de la joncţiune la mediul ambiant se caracterizează prin rezistenţa
termică joncţiune-mediu ambiant.
tj  ta  C 
RTj  a  , (5.1)
P  W 

unde: tj – temperatura joncţiunii,

ta – temperatura mediului ambiant,
P – puterea electrică consumată pe diodă.
Rezistenţa RTj-a cuprinde rezistenţa termică între joncţiune şi capsulă la care se adaugă cea dintre
capsulă şi mediu ambiant
RTj-a= RTj-c+ RTc-a , (5.2)
unde: RTj-c – este specificată de către producător în foile de catalog ale dispozitivului
RTc-a – poate fi micşorată prin montarea capsulei pe un radiator , îmbunătăţind astfel condiţiile de
transfer a căldurii spre mediul ambiant.
Micşorându-se RTc-a se va reduce şi RTj-a şi deci rezultă că puterea disipată pe dispozitiv în cazul
folosirii unui radiator poate creşte.
Puterea maximă ca poate fi disipată pe diodă rezultă din relaţia
tj max  ta
Pd max  , (5.3)
RTj  a

în care: tjmax este temperatura maximă a joncţiunii şi ea are valorile: 85º C pentru germaniu şi 175º C pentru
siliciu.
Pentru calculul suprafeţei radiatorului poate fi folosită formula orientativă
1000
S [cm2] = , (5.4)
RTc  a
Radiatorul se confecţionează din cupru sau aluminiu.

Aplicaţii ale diodei redresoare

Prin mutator se înţelege o instalaţie ce transformă energia electrică, definită prin anumite
caracteristici (de exemplu, forma tensiunii), în energie electrică definită prin alte caracteristici, cu ajutorul
unor dispozitive cu conducţie unilaterală.
Astfel, redresorul transformă energia electrică de curent alternativ în energie electrică pulsatorie.
Invertorul transformă energia electrică de curent continuu în energie electrică de curent alternativ,
iar convertizorul static energia de curent continuu (de exemplu, de tensiune joasă 12 V) tot în energie de
curent continuu de tensiuni ridicate, 220 V.
Schema bloc a unui mutator de energie de curent alternativ – energie de curent continuu se prezintă
în figura 5.2.

Fig. 5.2. Schema bloc a unui mutator de energie de curent alternativ – energie de curent continuu.

Redresoarele pot fi monofazate pentru puteri mici ale consumatorului sau polifazate (de regulă
trifazate) la puteri mari.
Calitatea unui redresor se apreciază prin randament şi factor de ondulaţie .
Randamentul redresorului reprezintă raportul dintre puterea de curent continuu furnizată
consumatorului şi puterea de curent alternativ absorbită de la reţea.
Pce
 . (5.5)
Pca
Factorul de ondulaţie γ reprezintă raportul dintre amplitudinea componentei alternative a tensiunii
redresate şi mărimea componentei continue.
Tipuri de diode 19

REDRESOARE MONOFAZATE
În figura 5.3 se prezintă schema unui redresor monofazat monoalternanţă cu sarcină rezistivă.

Fig. 5.3 Schema unui redresor monofazat monoalternanţă.

Forma curentului prin rezistenţa de sarcină se prezintă în figura 5.4.

Fig. 5.4 Forma curentului prin rezistenţa de sarcină la redresorul monofazat monoalternanţă.

Construind un dreptunghi cu baza egală cu perioada tensiunii alternative T şi înălţimea I0 astfel ca

suprafaţa acestuia să fie egală cu suprafaţa haşurată (alternanţa pozitivă), vom spune că I0 reprezintă
valoarea medie a curentului redresat.
Tensiunea medie redresată sau componenta continuă a tensiunii redresate este dată de relaţia
1 2 E 2 RS
V 0  I 0 RS  , (5.6)
 Rr  RS
unde: Rr = RT +R1 – rezistenţa redresorului,
2
 N2
RT = r2+r1   – rezistenţa transformatorului.
 N1 

Randamentul maxim obţinut în condiţia RS>> Rr este ηr max = , rezultând că acest tip de redresor
2
are performanţe scăzute.
Curentul din secundarul transformatorului având componentă continuă necesită un transformator cu
secţiune mare pentru a evita pierderile de putere prin fenomenul de saturaţie al miezului.
Acest inconvenient se elimină folosind schema de redresare monofazat bialternanţă din figura 5.5.
În schema din figura 5.5 în timpul alternanţei pozitive a tensiunii V2 vor conduce diodele D1 şi D2,
iar în timpul alternanţei negative, diodele D3 şi D4. Sensul curentului prin rezistenţa de sarcină la cele două
alternanţe este acelaşi.
Tipuri de diode 20

Fig. 5.5 Redresor monofazat bialternanţă puncte.

Forma curentului redresat se prezintă în figura 5.6.

Fig. 5.6 Forma curentului prin rezistorul de sarcină la redresorul monofazat bialternanţă.
La redresorul monofazat bialternanţă tensiunea medie redresată V0 va fi dublă faţă de cea a
2
redresorului monoalternanţă. Factorul de ondulaţie   , iar randamentul η = 0,81.
3
Atunci când tensiunea inversă ce apare pe o diodă în timpul redresării este mai mare decât valoarea
maximă a tensiunii inverse date în catalog, în locul unei diode se pot folosi mai multe diode legate în serie.
Redresarea unor curenţi de intensitate mare se poate face prin legarea în paralel a mai multor diode.

REDRESOR CU DUBLARE DE TENSIUNE

În instalaţiile de putere mică ce necesită tensiuni mari continue, acestea se obţin prin multiplicarea
unei tensiuni de valoare redusă.
În figura 5.7 este dată schema unui redresor cu dublare de tensiune. Capacitoarele C1 şi C2 au o
capacitate suficient de mare, astfel încât la o variaţie de tensiune în circuit tensiunea la bornele lor să
rămână constantă.

Fig. 5.7 Schema unui redresor cu dublare de tensiune

În timpul alternanţei pozitive a tensiunii V2 conduce dioda D1, iar condensatorul C1 se încarcă la
valoarea de vârf V2 max a tensiunii V2. În timpul alternanţei negative conduce dioda D2, permiţând încărcarea
condensatorului C2 la aceeaşi tensiune. Tensiunea pe rezistenţa de sarcină va fi suma tensiunilor de pe
condensatoarele C1 şi C2, adică dublul valorii de vârf a tensiunii V2.

2.Dioda Zener
O diodă semiconductoare, care în regim invers de conducţie, are o regiune a caracteristicii curent-
tensiune în care variaţia tensiunii nu depinde de curent şi poate fi utilizată în funcţionare îndelungată pe
această porţiune a caracteristicii inverse, numită caracteristică de stabilizare, se numeşte diodă
stabilizatoare sau diodă Zener.
Tipuri de diode 21
Denumirea de diode Zener este de fapt improprie, deoarece efectul Zener (tunelarea purtătorilor de
sarcină din banda de valenţă în cea de conducţie sub acţiunea unui câmp electric intens) explică numai
funcţionarea diodelor cu tensiuni de stabilizare până la aproximativ 5,5 V. La tensiuni mai mari de
stabilizare, funcţionarea diodelor se bazează pe efectul de multiplicare în avalanşă (purtătorii de sarcină
sunt acceleraţi de câmpul electric şi primesc energii atât de mari încât pot să ionizeze, prin ciocnire, atomii
reţelei).
Diodele stabilizatoare se împart în diode stabilizatoare de uz general şi în diode stabilizatoare de
precizie.
Principalul avantaj al diodelor stabilizatoare în raport cu alte componente care îndeplinesc funcţii
analoage (exemplu: stabilizatoare cu tuburi electronice) este posibilitatea stabilizării tensiunilor într-un
interval larg de valori (de la câţiva volţi până la sute şi chiar mii de volţi şi curenţi de ordinul a câţiva
miliamperi până la zeci de amperi). Pentru fabricarea diodelor stabilizatoare se foloseşte atât alierea, cât şi
alte metode de realizare a joncţiunilor p-n.
Cea mai importantă caracteristică a unei diode stabilizatoare de tensiune este caracteristica
tensiune-curent (figura 5.8). În conducţie directă această caracteristică nu se deosebeşte de caracteristica
oricărei diode semiconductoare. În conducţie inversă ea are forma unei linii aproape verticale, paralelă cu
axa curentului; din motivul acesta la variaţii în limite largi ale curentului prin diodă, căderea de tensiune pe
diodă practic nu se modifică; regiunea haşurată de pe figură reprezintă domeniul de funcţionare al acestui
tip de diodă semiconductoare.

Fig. 5.8 Caracteristica tensiune-curent a unei diode stabilizatoare

În fig. 5.9 se prezintă caracteristica reală a diodei Zenere (curba1) şi caracteristica
liniarizată (curba2). Avantajul esenţial al caracteristicii liniarizate este acela că se poate exprima analitic
foarte simplu:
VS = VZ + IZRZ (5.7)

Fig. 5.9 Caracteristica liniarizată a diodei Zener, în regim de stabilizare.

Tipuri de diode 22
Deşi dioda Zener se întâlneşte în cele mai diverse configuraţii, există un
circuit fundamental pe care se analizează funcţionarea diodei în regiunea de
stabilizare. Acest circuit este prezentat în fig. 5.10.
Dioda Zener este dispozitivul care, în anumite condiţii, ţine la bornele
sale tensiunea cvasiconstantă. Din acest motiv este necesar ca polarizarea
dispozitivului să se facă în curent şi nu în tensiune.
Valoarea generatorului de curent I0 este foarte importantă şi va trebui
determinată pentru fiecare aplicaţie în parte. Se poate scrie: I0 = IZ + IS, un de IS
este curentul prin sarcină
Pentru obţinerea unei tensiuni VS constantă este necesar să se limiteze
variaţia curentului prin sarcină:
ΔIS ≤ IZ max – IZ min
(9.12)
Un efect important dat de variaţia curentului prin dioda Zener este Fig. 5.10 Circuitul de polari-
modificarea tensiunii VS. Pentru a estima acest efect, în proiectare se vor folosi zare a diodei Zener
parametrii VZ şi RZ.
Parametrii principali ai unei diode stabilizatoare sunt:
- tensiunea nominală de stabilizare UZT, este tensiunea aplicată în sens invers la bornele
diodei, care rămâne practic într-o gamă de curenţi debitaţi
- curentul de stabilizare IZ, este curentul invers continuu corespunzător unui punct de pe
caracteristica de funcţionare
- curentul de stabilizare minim IZK, este limita inferioară a curentului de stabilizare, sub care
se consideră că dioda nu-şi mai satisface funcţia de stabilizare
- curentul de stabilizare maxim IZM, este limita superioară a curentului de stabilizare, peste
care funcţionarea în regim permanent a diodei nu mai este garantată
- puterea disipată maximă Pd max, este valoarea limită a puterii care poate fii disipată în diodă,
în regim permanent la temperatura ambiantă de 25º C
- rezistenţa diferenţială r2, este valoarea ΔU/ΔI într-un punct specificat
de pe caracteristica de
- coeficientul de stabilizare cu temperatura al tensiunii αUZ, este
procentul în care variază tensiunea de stabilizare la o variaţie de 1º C a temperaturii
diodei.

În fig. 5.11 se prezintă o schemă echivalentă, foarte uzuală în practică, cu

care se înlocuieşte orice diodă Zener care funcţionează în regim de stabilizare.
Însă, asupra acestei echivalări trebuie făcute următoarele observaţii:
a) dioda Zener este un dispozitiv pasiv (care nu poate da energie în circuit) deci
reprezentarea cu generator ideal de tensiune VZ este pur formală;
b) domeniul de curenţi IZ pentru care echivalarea este valabilă, cu o eroare
acceptabilă, este:
Fig. 5.11 Schema echiva-
IZmin ≤ IZ ≤ IZmax (9.14)
lentă a diodei Zener în
c) valoarea rezistenţei RZ (care dă panta caracteristicii liniarizate) este egală cu rZ regim de stabilizare.
(care dă panta de semnal mic pe caracteristica reală în punctul de coordonate
nominale). Acest fapt duce întotdeauna la aproximarea „prin lipsă” a caracteristicii reale de către
caracteristica liniarizată (pentru aceeaşi tensiune curentul dat de caracteristica liniarizată este mai mic
decât curentul real);
d) valoare sursei VZ rezultă din fig. 5.10:
VZ = VZT – IZTRZ (5.7)
Având în vedere aceste observaţii se poate estima imediat variaţia tensiunii VS datorată variaţiei
curentului IS:
ΔVS = ΔISRZ (5.8)
Deci condiţia de obţinere a unei tensiuni de ieşire VS stabilizate este alegerea unei componente care
să aibă rezistenţa dinamică rZ cât mai mică şi/sau asigurarea unei sarcini constante (IS – constant).
Tipuri de diode 23
Polarizarea diodei Zener, aşa cum este arătată în fig. 5.10, este independentă de variaţiile sursei de
alimentare VA. Pentru acest caz rezultă o valoare infinită a coeficientului de stabilizare

VA
S
VS Is  ct (5.9)

Deşi acest lucru este de dorit, obţinerea unui factor de stabilizare foarte mare se face în multe
cazuri cu eforturi însemnate (schemă complexă şi costisitoare a generatorului de curent I0).
Dacă aplicaţia nu este pretenţioasă, generatorul de curent I0 poate avea o rezistenţă internă R1 finită
şi de valoare nu foarte mare. Se poate arăta că schema 5.10 (cu generatorul I0 având rezistenţa internă R1)
este echivalentă cu schema din fig. 5.12.
Utilizări. Didele Zener permit realizarea de circuite de stabilizare foarte simple, economice şi
eficace. În figura 5.12 se dă o schemă simplă de circuit de stabilizare cu diodă Zener.

Fig. 5.12 Circuit de stabilizare cu diodă Zener

Parametrii care se iau în considerare pentru asigurarea unui reglaj satisfăcător al tensiunii
stabilizate sunt următorii:
- raportul curent prin sarcină/curent de stabilizare (Is/Iz). În general mărimea curentului prin
sarcină trebuie să fie aproximativ a patra parte din curentul prin dioda Zener
- raportul tensiune intrare/tensiune ieşire (Uin/Uies). Tensiune de intrare nestabilizată, trebuie
să fie cât mai mare posibil, astfel încât pentru reducere să se poată utiliza o rezistenţă serie R1 cât mai mare
posibil
- curentul pulsatoriu (sau ondulatoriu). Acest curent este cu atât mai redus cu cât valoarea
rezistenţei serie este mai mare în raport cu rezistenţa diferenţială a diodei
La alegerea regimului de funcţionare al unei diode stabilizatoare trebuie avute în vedere şi
următoarele aspecte:
- regiune iniţială de străpungere a diodei Zener (cotul caracteristicii) realizează cea mai mică
stabilizare,
- domeniul curenţilor de funcţionare trebuie să fie limitat la valorile admisibile, menţionate în
foile de catalog,
- legarea în serie a mai multor diode stabilizatoare este mai indicată decât utilizarea unei
singure diode stabilizatoare mai puternice şi de tensiune mai mare,
- diodele stabilizatoare de putere trebuie montate pe radiatoare,
- pentru creşterea duratei de viaţă şi a siguranţei în funcţionare a diodelor stabilizatoare, este
indicat ca în exploatare să disipe puteri sub puterea nominală cu 20-30%.

3. Dioda tunel
Dioda tunel este folosită în compensarea rezistenţelor de pierderi în circuitele oscilante, la oscilare
şi circuite basculante.
Simbolul folosit pentru dioda tunel este prezentat în figura 5.13.

Fig. 5.13 Simboluri pentru dioda tunel

Tipuri de diode 24
Dioda tunel este tot o joncţiune p-n, deosebirea faţă de joncţiunea dintr-o diodă obişnuită fiind dată
de concentraţia de impurităţi din materialul semiconductor.
La joncţiunea diodei tunel, regiunile p şi n conţin impurităţi de 1000 de ori mai multe decât în cazul
unei diode obişnuite, de ordinul a 1019 – 1020 atomi/cm3, din care cauză regiunea de tranziţie este forte
subţire, de ordinul a 0,01 microni (100 Ǻ). Datorită gradului ridicat de impurificare, nivelul Fermi este
situat în interiorul benzii de valenţă pentru semiconductorul de tip p, iar pentru semiconductorul de tip n în
interiorul benzii de conducţie (fig. 5.14), iar în interiorul joncţiunii apare un câmp electric de ordinul a
106V/cm.
Efectul tunel este un efect cuantic conform căruia o particulă cu energie cinetică mai mică decât
înălţimea barierei energetice Ev poate trece dincolo de aceasta.

Fig. 5.14 Dioda tunel la echilibru termodinamic.

Partea superioară a benzii de valenţă în regiune p are o lipsă de electroni, iar partea inferioară a
benzii de conducţie în regiunea n este practic umplută de electroni. La 0º K toate stările energetice situate
deasupra nivelului Fermi sunt stări goale de electroni, iar cele situate sub nivelul Fermi sunt stări pline de
electroni. La o temperatură T > 0º K, mecanica cuantică demonstrează că pot apărea nivele energetice
ocupate şi deasupra nivelului Fermi, după cum vor apărea nivele energetice libere de electroni şi sub
nivelul Fermi. Se ajunge astfel la situaţia ca stările goale din regiunea benzii de valenţă în semiconductorii
de tip p să fie la acelaşi nivel cu stările pline de electroni din banda de conducţie a regiunii de tip n.
Datorită îngustimii joncţiunii apare posibilitatea producerii efectului tunel, adică de trecere a purtătorilor
de sarcină dintr-o parte într-alta a regiunii interzise, chiar dacă energia lor este inferioară valorii benzii
interzise Ei.
Caracteristica statică este dată în figura 5.15a pentru o diodă tunel din germaniu şi în figura 5.15b
pentru o diodă tunel din arseniură de galiu, materiale care sunt cel mai mult întrebuinţate în construcţia
diodelor tunel. Pe aceste curbe se disting următoarele valori şi regiuni caracteristice diodelor tunel, pornind
din origine către valorile pozitive ale curentului şi tensiunii:
- Între punctele 0 şi 1, curentul creşte aproape liniar cu tensiunea; în această regiune conductanţa
 di 
diferenţială este pozitivă   0 .
 dv 
- În punctul 1, curentul atinge o valoare maximă, denumit curent de vârf şi notat cu Ip, corespunzător
cuvântului din limba engleză peak „vârf, pisc”. Acestui curent îi corespunde pe abscisă o tensiune numită
tensiunea de vârf şi notată cu Vp.
Tipuri de diode 25

Fig. 5.15

Curentul de vârf (Ip) este direct proporţional cu suprafaţa joncţiunii, depinde de materialul folosit
pentru construcţia diodei (germaniu, arseniură de galiu, siliciu etc.) şi mai ales de gradul de dopaj. Astfel,
pentru o joncţiune cu diametrul de 100μ, la o concentraţie de atomi donori (ND) şi acceptori (NA) de NA =
ND = 8·1018 atomi/cm3 , se obţine un curent de vârf I p = 1mA, iar pentru NA = ND = 1020 atomi/cm3 se obţine
un curent Ip = 10A. Se observă deci că valorile curentului de vârf pot avea valori cuprinse între limite
foarte largi, de la μA până la câţiva A, valorile maxime fiind limitate de disipaţia termică, iar cele minime
(necesitând o suprafaţă a joncţiunii foarte mică) de rezistenţa mecanică.
Tensiunea de vârf (Vv) depinde de poziţia nivelului Fermi în interiorul benzilor de conducţie ,
respectiv de valenţă , deci depinde de materialul folosit şi de gradul de dopaj. Pentru diodele tunel din
germaniu ea are mărimi în jurul valorii de 60 mV, iar pentru cele din arseniură de galiu (GaAs) de 150 mV.
- Între punctele 1 şi 3 (fig. 8) dioda tunel prezintă regiunea de rezistenţă negativă, punctul 2 reprezentând
punctul de inflexiune al caracteristicii în regiunea de conductanţă negativă. Aici se obţine valoarea minimă
Ip
a rezistenţei negative şi de obicei el este situat la I 0  .
2
Punctul 3 reprezintă o altă mărime caracteristică a diodei tunel, fiind punctul cu valoarea minimă a
curentului, numit curent de vale (Iv), căruia îi corespunde pe abscisă tensiunea de vale (Vv).
Valoare curentului de vale depinde de asemenea de materialul folosit şi de concentraţia atomilor
donori şi acceptori. În construcţia diodelor tunel se urmăreşte obţinerea unui raport Ip/Iv cât mai mare, care
are mare importanţă în toate aplicaţiile (amplificatoare, oscilatoare sau circuite de basculare).
Astfel, pentru diodele din GaAs, concentraţia maximă de atomi de galiu admisă în raport cu atomii
de arsen este de 1/300; peste această valoare apar imperfecţiuni ale cristalului, care pot provoca
scurtcircuite locale, scăzând mult valoarea raportului Ip/Iv. Valori ale raportului mai mari ca 20 sunt socotite
foarte bune, iar valoarea cea mai des întâlnită este de 10.
Tensiunea de vale depinde de diferenţa de energie dintre limita inferioară a benzii de conducţie din
regiunea n şi limita superioară a benzii de valenţă din regiunea p, adică de mărimea ΔE, deci depinde de
materialul folosit. Pentru diodele tunel din germaniu, ea are o valoare de aproximativ 350 mV, iar pentru
cele din GaAs între 500 şi 600 mV.
De punctul 3 către valori crescătoare ale tensiunii, caracteristica are o alură exponenţială, ca la
di
diodele obişnuite, între punctele 3 şi 4 fiind o nouă regiune de conductanţă pozitivă  0. Punctul 4,
dv
corespunzător valorii curentului de vârf Ip, defineşte o altă mărime caracteristică a diodei tunel, şi anume
tensiunea de vârf avansat (Vf p). Ea depinde numai de materialul folosit şi are valoarea pentru diodele tunel
din germaniu de aproximativ 500 mV, iar pentru cele din GaAs de 1,1 V.
În afară de caracteristica statică, şi circuitul echivalent al diodei tunel defineşte alţi parametri, de
care trebuie să se ţină cont la proiectarea, construcţia şi exploatarea circuitelor realizate cu diode tunel.
Schema echivalentă a diodei tunel pentru semnale mici şi frecvenţe înalte este dată în figura 5.16.

Ea cuprinde următoarele elemente:

Cj – capacitatea joncţiunii sau a regiunii de sarcină spaţială,
-Rn – rezistenţa negativă (-9 – conductanţa negativă),

Fig. 5.16.
Tipuri de diode 26
Rs – rezistenţa serie,
Ls – inductanţa serie,
Cp – capacitatea de încapsulare.

Circuitul echivalent al diodei tunel pentru semnal mic şi frecvenţă joasă se prezintă în figura 5.17,
în care: r = rezistenţa serie, C = capacitatea joncţiunii considerate la tensiunea Vv, -R = rezistenţa negativă.
Capacitatea joncţiunii (Cj) are valori de câţiva pF, şi de obicei în tabele se dă
valoarea ei măsurată atunci când dioda tunel este alimentată în punctul de vale.
Dacă ea se raportează la suprafaţa joncţiunii, se obţine capacitatea pe unitate de
suprafaţă, mărime care depinde foarte puţin de gradul de dopaj. Raportul C/Ip este o
mărime care caracterizează calitatea unei diode tunel şi are valorile de 10pF/mA pentru
diodele obişnuite, 2pF/mA pentru diodele bune şi 0,4 pF/mA pentru diodele foarte
bune. Deci în construcţia diodelor tunel se tinde să se obţină valori cât mai mici ale
capacităţii, pentru ca frecvenţa de lucru să poată avea valori cât mai mari. Aceeaşi
cerinţă şi pentru capacitatea de încapsulare. În general în tabele se dau valorile
capacităţii totale C.
Rezistenţa negativă (-Rn) este dată de panta caracteristicii din regiunea cuprinsă Fig. 5.17. Circuit
între punctele 1 şi 3 (fig. 8); o valoare obişnuită pentru valoarea conductanţei negative echivalent de semnal
fiind -9d=2·10-2 MΩ. Din caracteristică se poate calcula cu o bună aproximaţia valoarea mic şi frecvenţă joasă
ei în relaţia:
Vv  Vp
 Rn  , (5.10)
Ip  Iv
iar valoarea ei minimă:
|-Rnminim| = 0,4|-Rn|. (5.11)
Rezistenţa serie are valori de ordinul a 5Ω şi, pentru o funcţionare bună a diodelor tunel la
frecvenţe mari, ea trebuie să aibă valori cât mai mici.
Inductanţa serie este dată de obicei de inductanţa firelor de legătură, ea fiind foarte mică şi deci
neglijabilă în majoritatea cazurilor. O valoare obişnuită este de 1-6 nH.
Se observă că o dată cu creşterea numărului de atomi produsul RnC scade, deci se pot obţine timpi
de basculare tot mai buni, de asemenea raportul C/Ip se îmbunătăţeşte cu cât NA are o valoare mai mare,
limitarea în valori maxime a lui NA fiind dată de posibilitatea
obţinerii unor rapoarte Ip/Iv = β suficient de bune (~10).
Se observă că acest raport scade o dată cu creşterea Fig. 5.18.
impurităţilor, putând apărea şi pericolul de străpungere amintit
la descrierea curentului de vale.
În afara diodelor tunel obişnuite (cu caracteristica în
regiunea curenţilor şi tensiunilor pozitive), se mai folosesc şi
diodele tunel inverse (back-ward diode sau diode en arrière),
care au caracteristica de tip diodă tunel (tip N) în regiunea de
curenţi şi tensiuni negative. În figura 5.18 este dată
caracteristica unei astfel de diode în comparaţie cu o diodă
obişnuită.
Mărimile caracteristice ale diodei tunel inverse sunt:
- curent direct (Id) pentru o anumită tensiune în sens direct (Vd);
- curent de vârf (Ip);
- curent invers (IR) pentru o anumită tensiune aplicată diodei în sens invers (VR).
Ca aplicaţie la dioda tunel se va prezenta un circuit astabil (multivibrator), schema electronică a
acestuia fiind redată în figura 5.19. Pentru ca circuitul să genereze impulsuri, se recomandă ca tensiunea
sursei să fie cuprinsă între valorile Vp şi Vv (fig. 5.20). Rezistenţa R1 se alege astfel încât ea împreună cu
rezistenţa se pierdere a bobinei să aibă o valoare mai mică decât valoarea absolută a rezistenţei negative a
diodei tunel, astfel că dreapta de sarcină intersectează caracteristica statică într-un punct A, în regiunea de
rezistenţă negativă. Acest punct nu satisface condiţia de stabilitate, de aceea va străbate mereu ciclul
desenat cu lini întreruptă, în sensul indicat de săgeţi.
Tipuri de diode 27

Fig. 5.19 Multivibrator cu diodă tunel.

Fig. 5.20. Stabilirea punctului de funcţionare static în cazul funcţionării diodei tunel ca multivibrator

În momentul conectării circuitului la sursa de alimentare, datorită inductanţei L, curentul începe să

crească treptat până atinge valoarea curentului de vârf Ip. În tot acest timp tensiunea la bornele diodei
prezintă o uşoară creştere în timp. În continuare, dacă nu ar fi bobina, punctul de funcţionare ar coborî pe
porţiunea descendentă a caracteristicii (între 1 – 3). Bobina caută însă să păstreze aceea valoare a
curentului care circulă prin ea, opunându-se scăderii curentului. Din această cauză punctul de funcţionare
basculează în starea de tensiune ridicată (punctul 2). La bornele diodei tunel apare un salt de tensiune egal
cu lungimea segmentului 1 – 2.
Deoarece căderea de tensiune pe dioda tunel este mai mare decât tensiunea de alimentare (Vf p > Vv),
curentul începe să scadă de-a lungul caracteristicii până la valoarea curentului de vale Iv (punctul 3). De
aici punctul de funcţionare ar trebui să urce pe porţiunea (3 – 1) a caracteristicii. Bobina se opune din nou
la variaţia curentului, deci punctul de funcţionare basculează de la 3 la 4 de asemenea după o traiectorie
rectilinie. Curentul prin diodă se menţine constant, iar la bornele diodei apare un salt negativ de tensiune,
egal cu lungimea segmentului 3 – 4. În continuare ciclul se repetă, cu deosebirea că începe din punctul 4
nu din origine ca cel iniţial. Celelalte cicluri sunt identice cu ciclul al doilea.
Corespunzător valorilor elementelor date în schemă, la ieşire apare un semnal aproximativ
dreptunghiular de amplitudine V ≈ 0,1-0,5 V şi frecvenţă f = 9 kHz (diodă din Ge).

4. Dioda inversă (backward)

O variantă tehnologică a diodei tunel este aşa-numita diodă inversă (Backward). Acesta se obţine la
un grad inferior de impurificare faţă de dioda tunel încât echilibru la termodinamic diagrama energetică are
forma din figura 5.21.
Tipuri de diode 28

Fig. 5.21. Diagrama de benzi pentru dioda inversă la echilibru termic

Aplicând tensiuni inverse, prin diodă va curge un curent invers cu atât mai mare cu cât tensiunea
aplicată creşte. Acest curent este datorat tunelării electronilor ce trec din zona de valenţă a regiunii p în
zona de conducţie a regiuni n.
La polarizare directă curentul este mic datorită valorii ridicate a barierei energetice, caracteristica
I–V având forma din figura 5.22.

Fig. 5.22. Caracteristica I–V a diodei inverse.

Diodele inverse sunt folosite în schema de detecţie în cazul semnalelor mici şi înaltă frecvenţă.
Având un nivel de zgomot redus, ele se folosesc în sistemele de schimbare a frecvenţei.

5. Dioda varicap (varactor)

Diodele varicap servesc drept condensatoare cu capacitate variabilă prin tensiunea (curentul)
inversă aplicată unei joncţiuni pn. Mărirea capacităţii de barieră (dominantă faţă de capacitatea de difuzie,
în cazul polarizării inverse) se controlează prin valoare tensiunii inverse aplicate.
Diodele la care este folosită proprietatea joncţiunii p–n de a prezenta la polarizare inversă o
capacitate dependentă de tensiunea aplicată, având un factor de calitate ridicat se numesc diode varactor.
Ele se realizează prin tehnologia planar-epitaxială, profilul de impurificare dând astfel încât variaţia
capacităţii să fie cât mai pronunţată cu tensiunea inversă aplicată. Capacitatea unei diode varactor definită
de capacitatea de barieră variază cu tensiunea inversă aplicate după legea
Cb 0
Cb  1/ n
,
 Va  (5.12)
1  
 V0
unde: Cb0 este capacitatea joncţiunii la polarizare nulă, iar n un coeficient ce depinde de profilul de
impurificare, legea de variaţie fiind prezentată în figura 5.23.

Fig. 5.23. Capacitatea diodei varactor în funcţie de tensiunea invers aplicată

Tipuri de diode 29
Simbolul diodei şi schema echivalentă la înaltă frecvenţă sunt prezentate în figura 5.24
unde: rs = rezistenţa serie a diodei,
Cj = capacitatea de barieră a joncţiunii,
Cc = capacitatea capsulei,
Lp = inductivitatea terminalelor,
rj = rezistenţa diferenţială a joncţiunii.

Fig. 5.24 Schema echivalentă la înaltă frecvenţă şi simbolul diodei varactor.

La polarizare inversă rj este foarte mare, iar Cj constă în special din capacitatea de barieră care în
domeniul tensiunilor de lucru poate să prezinte o variaţie între 1-100 pF. Dioda varactor se utilizează la
acordul automat al circuitelor oscilante, în amplificatoare parametrice şi în circuitele de multiplicare şi
schimbare a frecvenţei.
Ca aplicaţie, în figura 5.25 se prezintă schema unui receptor pentru unde medii sau scurte, în care s-
a folosit în loc de condensator variabil cu aer o diodă varicap CD, la care tensiunea se aplică prin
potenţiometrul P1. La tensiuni mici de comandă capacitatea diodei varicap este mare şi deci se vor
recepţiona frecvenţe mici, conform relaţiei
1
f  . (5.13)
2 LC

Fig. 5.26 Receptor de unde medii şi scurte folosind dioda varactor.

Cursorul potenţiometrului P1 se poate etalona în valori de frecvenţă sau se poate folosi un instrument a
cărui scară se etalonează în valori de frecvenţă. Dioda varicap este cuplată prin intermediul
condensatorului C1 la bobina circuitului oscilant, valoarea ei fiind astfel aleasă încât la frecvenţele de lucru
să fie practic legată la masă (din punct de vedere alternativ). După ce frecvenţa corespunzătoare unui
anumit post de radio a fost selectată, tensiunea obţinută la bornele circuitului oscilant se aplică prin C2 unui
tranzistor cu impedanţă foarte mare de intrare (JFET), selectivitatea montajului fiind mult mărită faţă de
cea a unui receptor cu tranzistori bipolari. Semnalul de înaltă frecvenţă este apoi demodulat cu ajutorul
diodelor D1 şi D2, montate ca dubloare de tensiune.
Semnalul demodulat de audiofrecvenţă este apoi amplificat cu ajutorul amplificatorului operaţional
integrat βA 741 şi aplicat unei căşti.
Domeniile principale în care se utilizează diodele varicap sunt următoarele:
Tipuri de diode 30
- acordul circuitelor electronice în gamele undelor scurte , ultrascurte etc. În figura 5.27 se prezintă
schema de conectare a diodei varicap într-un circuit oscilant, format din inductanţa L şi capacitatea Cvar a
diodei varicap; condensatorul C (condensator de separare), cu o capacitate de câteva zeci sau sute de ori
mai mare decât capacitatea diodei varicap, împiedică scurtcircuitarea, în curent continuu, a diodei varicap
prin inductanţa L. Tensiunea de comandă în curent continuu se aplică diodei de la potenţiometrul R2 prin
rezistorul R1, de mare rezistenţă electrică (uzual KΩ ... sute de KΩ). Datorită curentului invers mic al
diodei varicap, căderea de tensiune pe R1 este mică şi aproape toată tensiunea de comandă se aplică diodei.
Acordul circuitului se realizează prin deplasarea cursorului potenţiometrului R2. Această schemă are
dezavantajul ca tensiunea de semnal de înaltă frecvenţă are influenţă asupra diodei modificându-i
capacitatea, dezacordând astfel circuitul acordat.

Fig. 5.27 Scheme cu diode varicap pentru acordul circuitelor electronice.

Conectarea diodei varicap ca în figura 5.27b. permite reducerea în mare măsură a dezacordului
circuitului sub acţiunea tensiunii de semnal, deoarece prin conectarea în serie a diodelor varicap ca în
figură, la variaţia tensiunii pe circuit, capacitatea unei diode creşte iar a celeilalte se micşorează:
- amplificarea şi generarea semnalelor, inclusiv a semnalelor de ultra înaltă frecvenţă (aşa numitele diode
parametrice),
- multiplicarea frecvenţelor într-o bandă largă de frecvenţe.
- acord şi control automat al frecvenţei în radio şi televiziune,
- în sisteme de automatizare (în special diodele varicap cu capacitate nominală mare; nu mai mică de 1000
pF).

6. Dioda cu contact punctiform

Dioda cu contact punctiform (Fig. 3.8) este constituită dintr-un cristal semiconductor pe a cărui
suprafaţă se presează un vârf metalic ascuţit, de obicei din wolfram sau tungsten. După asamblarea
mecanică se trece un impuls, de curent, scurt dar puternic care topeşte local cristalul astfel că după răcire,
la recristalizare, în zona contactului se formează o microjoncţiune cu o suprafaţă foarte redusă de ordinul
10-4 mm2 şi o grosime de ordinul 10-6 mm. Din această cauză capacitatea unei astfel de diode este foarte
mică şi dispozitivul poate funcţiona la frecvenţe foarte înalte (zeci de GHz), fiind folosit în circuite de
comutaţie, detecţie şi multiplicare a frecvenţei.
Simbolul diodei cu contact punctiform se prezintă în figura 5.28.

roşu cenuşiu
Fig. 5.28 Dioda cu contact punctiform.
(vezi: Cap. II. Tehnologia structurilor dispozitivelor semiconductoare: Cazuri particulare.)

7. Dioda Schottky
Dioda cu contact punctiform poate fi considerată ca o microjoncţiune metal-
semiconductor.

Fig. 5.29 Simbolul

diodei Schottky
Tipuri de diode 31
Performanţe superioare acestor diode le au diodele Schottky, care reprezintă joncţiuni metal-semiconductor
realizate în tehnologia planară. Astfel, frecvenţele de lucru sunt mai ridicate decât la diodele cu contact
punctiform, iar variaţia rezistenţei cu tensiunea este mai accentuată. Totodată diodele Schottky prezintă
avantajul de a avea un zgomot mai redus şi nu se străpung la tensiuni accidentale atât de uşor ca cele cu
contact punctiform. Simbolul unei diode Schottky este prezentat în figura 5.29. Ca aplicaţie a diodelor cu
contact punctiform, în figura 5.30 se prezintă o schemă concretă de detecţie în care semnalul de
radiofrecvenţă modulat în amplitudine, existent în secundarul transformatorului TR de radiofrecvenţă este
demodulat cu ajutorul diodei EFD-106 şi grupului de detecţie C1, R+P. Se obţine astfel o componentă de
audiofrecvenţă ce se transmite prin intermediul potenţiometrului de volum, P, amplificatorului de
audiofrecvenţă şi o componentă de curent continuu, folosită pentru reglajul automat al amplificării VRAA.

Fig. 5.30 Detector M.A.

Particularităţi funcţionale ale diodei Schottky
Diodele Schottky reprezintă o categorie distinctă în cadrul familiei de diode redresoare prin aceea
că funcţia de redresare este realizată de contactul între un metal şi un semiconductor şi nu de joncţiuni pn
semiconductoare.
La joncţiunea dintre metal şi semiconductor se formează o regiune de sarcină spaţială (regiune de
barieră) care explică comportarea redresoare a contactului.
Curentul prin dioda Schottky este transportat de un singur tip de purtători, purtătorii majoritari din
semiconductor (goluri sau electroni). Deoarece mobilitatea electronilor este de 2...3 ori mai mare decât cea
a golurilor, diodele Schottky sunt realizate aproape exclusiv pe semiconductori de tip n. Absenţa injecţiei
de purtători minoritari pentru dioda Schottky (spre deosebire de diodele cu joncţiuni pn) are două
consecinţe majore:
- nu există sarcină stocată la nivelul joncţiunii fapt care determină o comportare excelentă în
comutaţie; timpii de comutaţie depind exclusiv de capacitatea dispozitivului;
- nu apare fenomenul de modulare a rezistivităţii stratului semiconductor determinat de creşterea
nivelului de curent; tensiunea în conducţie şi tensiunea de blocare sunt sensibil mai mici decât în cazul
diodelor cu joncţiuni pn.
Aceste particularităţi funcţionale conferă câteva avantaje clare diodelor Schottky, făcându-le de
neînlocuit într-o serie de aplicaţii în care se cer viteze mari de comutaţie şi disipaţii mici de putere la nivele
mari de curenţi de conducţie şi în care tensiunile de blocare nu sunt critice.
În tabelul 2.1 sunt prezentate comparativ caracteristicile diodelor redresoare normale, rapide,
epitaxiale şi Schottky.
Aplicaţiile tipice pentru diodele Schottky de putere sunt:
- surse de tensiune mică (în regim de comutaţie) pentru calculatoare;
- invertoare.
Tabelul 5.1. Tabel comparativ cu caracteristicile diodelor redresoare normale, rapide, epitaxiale şi Schottky
Tipul diodei Tensiune de Tensiune în Timp de Curent mediu
blocare conducţie comutaţie redresat
Diode pn normale 1000...3000V 1,2 ... 1,4 V 5 μs 0,4 ... 1000 A
difuzate
Tipuri de diode 32
Diode pn rapide 600...1200V 1,4 ... 1,8 V 0,2 ... 1 μs 0,4 ... 600 A
difuzate
Diode pn epitaxiale 100.....600V 1 ...... 1,2 V 0,05 ... 0,1 μs 0,4 ... 1A
Diode Schottky 30.......60V 0,6 ... 0,8 V 0,05 ... 0,08 μs 10 ... 80 A

Fotodioda Schottky este formată dintr-un strat metalic depus pe suprafaţa unui semiconductor,
metalul fiind astfel ales încât să formeze cu semiconductorul un contact redresor. Funcţionarea acestui tip
de fotodiodă este asemănătoare cu a celei cu joncţiune realizată prin difuzie, însă lipsa stocării sarcinilor
electrice conduce la valori mici ale timpurilor de comutaţie (sub 1 ns).
(vezi: Cap. II. Tehnologia structurilor dispozitivelor semiconductoare: Cazuri particulare.)

8. Dioda PIN
După cum arată şi numele, această diodă are o structură de tipul p-i-n (o regiune de mare
rezistivitate -i- cuprinsă între două regiuni puternic dopate n-p). Structura diodei poate fi realizată prin
tehnologie planar sau mesa, folosind procedeele de difuzie şi de epitaxie. Rezistivitatea stratului intrinsec i
este de ordinul a 1000-2000 Ωcm. Aceste diode foarte utilizate în domeniul microundelor în circuite de
comutaţie, de modulare etc, se mai numesc şi diode cu impedanţă (rezistenţă comandată), de aici rezultă şi
una din principalele lor aplicaţii şi anume aceea de element reglabil în înaltă frecvenţă comandat în curent
continuu sau în curent de joasă frecvenţă.
În blocare, dioda are o comportare capacitivă, cu particularitatea că valoarea capacităţii scade
foarte puţin cu creşterea tensiunii aplicate. Efectul specific cel mai important apare însă la polarizare
directă. „Invadarea” regiunii intrinseci de către purtătorii mobili şi valoarea ridicată a timpului lor de viaţă
în această regiune, determină pierderea efectului redresor al diodei la frecvenţe mai mari de cca 10-20
MHz. Pentru aceste frecvenţe, dioda se comportă ca o rezistenţă, a cărei valoare este controlată de curentul
continuu ce trece prin diodă. Proprietăţile amintite permit folosirea diodei PIN la comutarea semnalelor de
înaltă frecvenţă sau ca rezistenţă controlabilă electronic. Atenuatorul în П 31053, conţinând trei diode PIN
foloseşte această ultimă proprietate. Este destinat în primul rând reglării automate a câştigului la etajele de
intrare ale amplificatoarelor de înaltă frecvenţă (40-500 MHz). Această funcţie este de obicei realizată cu
ajutorul unui tranzistor bipolar cu câştig reglabil (de ex. BF 200/BF 180 – tranzistoare NPN sau BF 509/Bf
272A – tranzistoare PNP). Folosirea atenuatorului cu diode PIN are avantajul unor performanţe mai bune
în ceea ce priveşte intermodulaţia.
În fig. 5.31a este prezentat circuitul de măsură al atenuatorului β1053 circuit care este în acelaşi
timp un exemplu tipic de aplicaţie.
Tipuri de diode 33
Fig. 5.31a Circuit de măsură pentru atenuatorul B1053

Atenuarea semnalului de intrare, de frecvenţă înaltă, este

ajustabilă cu ajutorul tensiunii continue VCO, aplicată pe baza
tranzistorului BC 170B.
Pentru VCO = 1 V, dioda de transfer D2 este străbătută de un
curent mic (rezistenţa ei echivalentă este deci mai mare, de ordinul
1kΩ) iar D1 şi D3 sunt parcurse de un curent direct important (rezistenţa
lor echivalentă este mică, de ordinul 10-20Ω). În consecinţă, atenuarea
semnalului de înaltă frecvenţă este mare.
La creşterea tensiunii VCO, D2 se deschide din ce în ce mai mult
iar D1 şi D3 au un curent din ce în ce mai mic, ceea ce conduce la Fig. 5.31b. Schema de interconexi-
scăderea apreciabilă a atenuării intrare-ieşire. une internă a atenuatorului B1053
Plaja de variaţie a atenuării este de peste 40 dB la 100 MHz scăzând la 30 dB la 500 MHz din
cauza elementelor parazite ale capsulei (capacităţi, inductanţe).
Fotodioda PIN permite lucrul cu frecvenţe ale semnalului luminos cu două-trei ordine de mărime
mai mare decât în cazul fotodiodelor obişnuite. O asemenea fotodiodă are în zona p şi zona n o regiune
semiconductoare intrinsecă I. Se asigură astfel o distanţiere mai mare între regiunea p şi regiunea n,
capacitatea dispozitivului micşorându-se considerabil.

9. Dioda IMPATT
Denumirea provine de la „IMPact Avalanche Transit Time” din limba engleză şi se referă la diode
(cu siliciu) cu efect pronunţat de avalanşă prin şoc .
Structura diodei este compusă din două regiuni puternic dopate între care se găseşte regiunea
nedopată, (structură de tipul n++p+-i-p++); un exemplu tipic de diodă IMPATT utilizată în domeniul de
frecvenţă 8...12 GHz), are grosimea stratului activ p+ de aproximativ 10 μm şi diametrul structurii de
aproximativ 250 μm, tensiunea de străpungere 50 V şi capacitatea joncţiunii de cca. 3 pF. Pentru realizarea
diodelor IMPATT se utilizează diverse materiale semiconductoare (Ge; Si; GaAs) în tehnologia mesa sau
planar.
În circuite, dioda este polarizată în sens invers, peste tensiunea continuă fiind suprapusă o tensiune
alternativă; când cele două tensiuni se însumează are loc o multiplicare prin avalanşă a purtătorilor,
producând impulsuri de curent. Datorită timpului de trecere „impulsurile „ sunt defazate faţă de tensiunea
aplicată, dioda prezentând şi o rezistenţă negativă dacă acest defazaj depăşeşte 90º. Datorită acestui fapt
dioda poate produce, într-un circuit rezonant, oscilaţii de frecvenţă foarte înaltă (gigahertzi).
Funcţionarea acestor diode are loc în regim de străpungere prin avalanşă şi se bazează pe faptul că
la frecvenţele din gama 5...100 GHz diodele prezintă o rezistenţă dinamică echivalentă negativă. Circuitul
echivalent al unei diode IMPATT (fig.5.32) conţine o rezistenţă r ce înglobează atât rezistenţa dinamică
negativă cât şi o rezistenţele pozitive parazite în serie cu o reactanţă X (având caracter capacitiv şi fiind
determinată, în primul rând, de capacitatea joncţiunii la tensiunea de străpungere.

Fig. 5.32. Circuit echivalent de microunde al diodelor IMPATT

Valoarea negativă pe are o are rezistenţa r pe o anumită plajă de frecvenţe din intervalul amintit
permite utilizarea diodelor IMPATT în circuite de generare sau de amplificare a semnalelor de înaltă
frecvenţă. În primul caz, frecvenţa de oscilaţie este determinată de circuitul oscilant format din capacitatea
diodei şi inductanţa sarcinii (inclusiv inductanţele parazite ale capsulei, conexiunilor, etc.)
Pentru polarizarea în circuit a diodei IMPATT se recomandă folosirea unui generator de curent
constant. Curentul de polarizare trebuie crescut treptat până la valoarea de lucru. Conectarea sau
deconectarea bruscă a alimentării pot duce la distrugerea dispozitivului.
Puterea generală, Pout, creşte cu curentul de polarizare, atingând un maxim. Acest fenomen,
denumit saturaţia puterii, este însoţit de regulă de oscilaţii de frecvenţă mai joasă în circuitul de polarizare.
În acest regim de funcţionare (la saturaţia puterii), dioda poate fi de asemenea distrusă la modificarea
acordului circuitului. De aceea, se recomandă ca circuitul să fie acordat la un nivel redus al puterii de
testare (de exemplu la un curent de polarizare egal cu 40% din curentul de lucru indicat pentru dispozitivul
Tipuri de diode 34
respectiv) urmând ca ulterior să se mărească treptat curentul de polarizare până la valoarea nominală, fără
a mai schimba apoi acordul circuitului.
Curentul de polarizare şi radiatorul trebuie în aşa fel alese încât temperatura maximă a joncţiunii să
nu depăşească 200ºC, ceea ce generează o funcţionare îndelungată a diodei.

10. Dioda Gunn

Aceste tipuri de diode se deosebesc de cele precedate, care sunt disponibile planar, prin aceea că
funcţionarea lor se bazează pe procese care apar în volumul unui semiconductor care nu are joncţiuni pn.
Aceste componente relativ noi, au produs o revoluţie în domeniul generării frecvenţelor ultra-înalte
în dispozitive solide, deoarece în gama microundelor ele pot furniza puteri mult mai mari decât oricare
dispozitive semiconductoare plane.
Aceste dispozitive prezintă o rezistivitate negativă pe seama trecerii electronilor sub acţiunea unor
câmpuri electrice puternice dintr-o regiune cu o anumită conductivitate, într-o altă regiune, cu altă valoare
de conductivitate, unde mobilitatea lor este mult mai mică.
Dioda Gunn a fost realizată de Gunn în anul 1963, folosind ca material semiconductor GaAs.
Practic, o diodă Gunn se obţine prin creştere (mai rar) şi prin epitaxie (cel mai frecvent); în figura
5.33 se prezintă schematic o diodă Gunn, care funcţionează în gama 1-2 GHz, realizată prin epitaxie.
Această diodă poate furniza o putere în impuls de cca 25W.

Start de contact (Ag)

GaAs tip n
(~1018 atomi/cm3)
GaAs tip n
(~1015 atomi/cm3)
GaAs tip n
(~1018 atomi/cm3)

Fig. 5.33 Structură de diodă Gunn realizată epitaxial.

11. Fotodioda
Fotodiodele sunt diode semiconductoare polarizate invers, bazate pe efectul fotoelectric intern.
Sunt astfel construite în cât joncţiunea pn să poată fi iluminată şi curentul invers prin joncţiune depinde –
între anumite limite – de intensitatea fluxului luminos incident.
Ele sunt dispozitive optoelectronice, care transformă radiaţiile electromagnetice în energie electrică
sau invers. La baza funcţionării lor stă efectul fotoelectric.
Efectul fotoelectric este fenomenul care însoţeşte absorbţia sau radiaţia luminoasă de către un corp
solid. Efectul fotoelectric extern constă în eliberarea de electroni de către un corp prin iluminarea acestuia
cu un fascicul de lumină (emisiune fotoelectrică). Există o energie minimă a cuantelor de lumină
(fotonilor) hf0, dependentă de material, pentru ca acestea să fie capabile să extragă electroni de pe suprafaţa
metalelor sau semiconductoarelor. Dacă energia fotonilor este mai mare, electronii emişi (fotoelectronii)
pot să se deplaseze conform ecuaţiei:
hF = mV2/2 + hf0 în care:
h – constanta lui Planck;
f0 – frecvenţa corespunzătoare energiei minime a fotonului (lucru de extracţie);
m – masa electronului;
V – viteza maximă a electronului emis.
Efectul fotoelectric extern este aplicat la celulele fotoelectrice, care constau dintr-un tub vidat sau
cu gaze inerte, cu doi electrozi, conectat la o tensiune continuă. Tubul conduce numai dacă catodul este
iluminat.
Tipuri de diode 35
Efectul fotoelectric intern constă în eliberarea electronilor sub acţiunea luminii în interiorul unui
semiconductor. Fotoelectronii rămân în semiconductor şi îi măresc conductivitatea. Se aplică la producerea
fotorezistenţelor. Fotoconductivitatea descoperită la seleniul pur a fost evidenţiată şi în alte substanţe.
Efectul fotoelectric intern cu strat de baraj apare la joncţiunea dintre un metal şi un semiconductor
sau dintre două semiconductoare dopate (cu elemente donoare sau acceptoare de electroni) unde sub
acţiunea luminii se produce un câmp electric imprimat foto voltaic. Se aplică la fabricarea fotoelementelor
(convertoare care transformă direct energia luminoasă – solară – în energie electrică), fotodiodelor sau
fototranzistoarelor.
Prin fotodiode în lipsa iluminării trece un curent foarte mic – curentul de saturaţie al unei joncţiuni
– numit „curent de întuneric”. Pentru fotodiodele cu germaniu acest curent este de 10-20 μA, iar pentru
cele cu siliciu de 1-2 μA. Când joncţiunea este iluminată, curentul prin circuit creşte, cu atât mai mult, cu
cât iluminarea este mai puternică. Aceasta se produce deoarece cuantele de energie absorbite de
semiconductor din fluxul luminos incident sparg un număr de legături covalente, producând perechi
electroni – goluri. Câmpul electric aplicat din exterior determină deplasarea golurilor spre minusul bateriei
şi a electronilor spre plusul acesteia (fig. 5.34).

Lumina
p
I RS
E
n

+ -
Fig. 5.34 Fotodioda în circuit

Fotodiodele se utilizează în general exclusiv polarizate invers, deci în cadranul III al caracteristicii
I-U din fig. 5.35.
Curentul invers al fotodiodei iluminate poartă numele de curent de iluminare şi are valori mult mai
mari decât ale curentului de întuneric.

Fig. 5.35 Caracteristica I-U a fotodiodei în funcţie de iluminarea ei

Curentul de iluminare este proporţional cu fluxul luminos incident pe suprafaţa fotosensibilă, fiind
independent de valoarea tensiunii inverse (până în apropierea tensiunii de străpungere).
Tipuri de diode 36
În cazul fotodiodelor cu siliciu (material preferat pentru realizarea acestor dispozitive) tensiunile de
străpungere sunt de ordinul zeci şi sute de volţi.
Fotodioda poate fi folosită ca celulă fotovoltaică (convector fotoelectric), dacă lucrează fără
polarizare (inversă) exterioară, în cadranul IV (fig. 5.35) sub acţiunea luminii producându-se un câmp
electric imprimat fotovoltaic; dacă s-ar conecta o rezistenţă de sarcină la bornele ei, prin ea ar circula un
curent electric (foarte redus) proporţional cu iluminarea externă.
Intersecţiile caracteristicilor din cadranul IV cu axele marchează „curenţii de scurtcircuit”,
respectiv „tensiunile electromotoare” (în gol) Eq.
Spre deosebire de celula fotoelectrică, fotodiodele au sensibilitatea mai mare, dimensiuni mai mici
şi fiabilitate sporită dar un timp de răspuns mai scăzut.
Pentru a răspunde la semnalele luminoase cu frecvenţe ridicate s-au realizat fotodiodele Schottky şi
fotodiodele PIN (vezi Cap. V. Tipuri de diode: Dioda Schottky respectiv Dioda PIN).
Principalii parametrii ai unei fotodiode sunt:
1. Sensibilitatea, S este raportul dintre valoarea curentul invers şi valoarea iluminării la care se obţine
acest curent (la o anumită tensiune inversă aplicată). Se măsoară în nA/1x sau mA/1m.
2. Tensiunea inversă, UR este tensiunea până la care dispozitivul poate fi utilizat în circuit, garantându-se
buna lui funcţionare.
3. Curentul de întuneric, ID este indicat de producător la o anumită valoare a tensiunii.
4. Timpul de creştere, tr şi de scădere, tj reprezintă intervalul temporal în care curentul variază de la 10%
la 90% şi respectiv 90% la 10% din valoarea finală la iluminare cu un puls luminos dreptunghiular (fig.
5.36)
5. Sensibilitatea spectrală, S indică răspunsul fotodiodei la diferite lungimi de undă ale luminii incidente.
6. Caracteristica de directivitate a unei fotodiode reprezintă variaţia relativă a curentului în funcţie de
unghiul de incidenţă a luminii pe suprafaţa fotosensibilă.

Fig. 5.36 Răspunsul fotodiodei în funcţie de timp la un impuls de timp la un impuls luminos dreptunghiular

Fotodiodele având o sensibilitate de ordinul sutelor de mA/lumen îşi găsesc aplicaţii în circuite de
comandă, control şi diverse echipamente de automatizare (de ex. la comanda automată a iluminatului
exterior).
Tipuri de diode 37
Poate cea mea spectaculoasă utilizare a lor este realizarea tuburilor videocaptoare (captatoare de
imagine) care transformă informaţia purtată de lumină într-o informaţie electrică, aceste tuburi fiind partea
esenţială a unei camere de luat vederi în televiziune.

12. Dioda detectoare

Diodele detectoare sunt destinate să lucreze în gama undelor metrice, decimetrice şi chiar
centimetrice în scheme de conversie a frecvenţei (diode amestecătoare) şi de demodulare a semnalelor de
radio şi videofrecvenţă.
Detecţia este o funcţie asemănătoare redresării cu deosebirea că semnalele prelucrate nu mai au
frecvenţe de ordinul 50 Hz-20 kHz, ci se situează de regulă în domeniul sute kHz – sute MHz.
Aceste diode au puteri disipate foarte reduse (nesemnificative) iar capacităţile asociate joncţiunii
pn trebuie să fie – la asemenea frecvenţe – foarte mici.
În consecinţă, la construcţia acestor diode s-au adoptat soluţii specifice domeniului frecvenţelor
înalte de lucru, în scopul realizării unor capacităţi şi inductanţe parazite cât mai mici, prin realizarea unor
structuri cu suprafeţe cât mai mici şi pentru a permite introducerea diodelor direct în unele subansamble
componente ale instalaţiilor (camere rezonante, fidere coaxiale, etc).
Caracteristica curent-tensiune a acestor diode nu se deosebeşte cu nimic de caracteristica diodelor
redresoare.
Schema echivalentă a unei diode detectoare este dată în fig. 5.37 unde:

Ri – rezistenţa internă a joncţiunii;

C – capacitatea joncţiunii;
Rs – rezistenţa serie a joncţiunii;
Ls – inductanţa serie a joncţiunii;
Cc – capacitatea intrinsecă a diodei.
Fig. 5.37 Schema echivalentă a unei diode de înaltă frecvenţă

În fig. 5.38 se arată schema detectorului video dintr-un televizor. Dioda EFD-106 este o diodă de
detecţie a semnalului video.

Fig. 5.38 Schema detectorului video din televizorul Electra

Catod
13. Dioda electroluminiscentă (LED)
Ele sunt cunoscute şi sub numele de
LED-uri (în limba engleză Light Emitting
Diode). Simbolul şi structura diodei
electroluminiscente este prezentat în fig. 5.39.
Anod
Fig. 5.39 Simbolul
şi structura diodei
electroluminiscente
Tipuri de diode 38
Diodele electroluminiscente se realizează din compuşi ai galiului (Ga) cu elemente trivalente sau
pentavalente formând GaAs, GaP, GaAsP, etc. Joncţiunile realizate cu GaAs emit radiaţii electromagnetice
în domeniul infraroşu, iar introducerea atomilor de fosfor va deplasa maximul de emisie spre regiunea
vizibilă a spectrului.
Astăzi se realizează LED-uri emiţând lumină de culoare roşie, galbenă sau verde (cu GaP lumina
este roşie sau verde în funcţie de dopant, cu GaAsP lumina este roşie, cu SiC lumina este galbenă).
Parametrii electrici ai diodelor electroluminiscente sunt identici cu cei ai diodelor obişnuite:
- curentul direct maxim (IFmax) are valori de ordinul zecilor de miliamperi.
- tensiunea de deschidere a joncţiunii UF variază de la 1,2 V pentru diodele electroluminiscente ce emit în
infraroşu până la 3 V pentru cele ce emit lumină verde.
- tensiunea inversă UR poate avea valoarea maximă de câţiva volţi.
Dioda electroluminiscentă se caracterizează prin:
- caracteristica spectrală – exprimând dependenţa intensităţii luminii emise de lungimea de undă a acesteia.
- randamentul de conversie.
Parametrul ce defineşte calitatea unei LED este intensitatea radiaţiei electromagnetice emise. În
acest sens, diodele electroluminiscente ce emit în domeniul vizibil sunt caracterizate de intensitatea
luminoasă IV, măsurată în milicandele, iar cele cu emisie în infraroşu, de intensitatea radiantă, Ie măsurată
în mW/steradian.
Atât IV cât şi Ie variază liniar în funcţie de curentul ce trece prin dispozitiv, pentru o gamă largă de
valori ale acestuia. (fig.5.40) IV
2

20 40 60
Fig. 5.40mA
Dependenţa intensităţii luminoase a unui LED cu curentul direct
La curenţi mari, dependenţa nu mai este liniară, aceasta datorându-se pe de o parte încălzirii
dispozitivului, iar pe de altă parte unor efecte cuantice ce apar în cazul densităţilor mari de curent de
joncţiune.
Ca şi în cazul dispozitivelor a căror funcţionare se bazează pe absorbţia luminii, la diodele
electroluminiscente se definesc doi timpi de răspuns: timpul de creştere tr şi timpul de scădere tf. Ei
reprezintă intervalele temporale în care intensitatea luminoasă (sau radiantă) creşte de la 10% la 90%
respectiv scade de la 90% la 10% din valoarea maximă atinsă atunci când diodei electroluminiscente i se
aplică un impuls dreptunghiular de curent.
Ei sunt de ordinul nanosecundelor în cazul emisiei în infraroşu.
Pe caracteristica curent-tensiune a diodei elctroluminiscente, punctul de funcţionare M se alege pe
porţiunea din cadranul I deoarece lumina se emite atunci când dispozitivul este direct polarizat. (fig. 5.41)
Curentul IF care corespunde acestui punct este limitat de o rezistenţă electrică R conectată în serie
cu LED-ul.

Fig. 5.41
Caracteristica curent-
tensiune pentru un LED
Fig. 5.42 Montarea
LED-ului într- un circuit
Tipuri de diode 39
Valoarea acestei rezistente se determină în funcţie de curentul IF, tensiunile UF şi U cu relaţia :
U U F
R
IF
UF este tensiunea directă pe diodă electroluminiscentă, iar U tensiunea la bornele sursei de alimentare (fig.
5.42). Curentul mic necesar „aprinderii” LED-urilor fac ca acestea să fie preferate becurilor cu
incandescenţă, iar tensiunea redusă necesară funcţionării lor – becurilor cu descărcare în gaz inert.
Printr-o tehnologie specială se pot realiza diode electroluminescente a căror lumină emisă să aibă
caracteristicile luminii laser – monocromaticitate pronunţată, directivitate, coerenţă şi o intensitate deosebit
de mare.
Acest tip de dispozitiv poartă numele de diodă laser sau laser cu injecţie.
Dispozitivul format dintr-un emiţător şi un receptor de lumină, aşezaţi faţă în faţă la distanţă mică,
în aceeaşi capsulă poartă numele de cuplor optic (sau opto-cuplor).
Există o diversitate foarte mare de cuploare optice.
Teoretic, se poate folosi orice fel de dispozitiv fotoemisiv (bec cu incandescenţă sau cu descărcare,
diode electroluminescente) şi orice tip de fotodetector (celulă fotovoltaică, fotorezistor, fotodiodă,
fototranzistor, fototiristor), cu condiţia ca spectrul de emisie să corespundă într-o oarecare măsură cu
sensibilitatea spectrală a detectorului de lumină.
a b c

d e f
Fig. 5.43 Structuri posibile pentru cuploarele optice
În fig. 5.43 sunt prezentate structuri posibile de optocuploare:
a. bec cu incandescenţă fotorezistor
b. LED – fotodiodă
c. LED – fototranzistor
d. LED – celulă fotovoltaică
e. LED – fototiristor
f. LED –fotodarlington (fototranzistor în conexiune Darlington).
Diodele electroluminiscente sunt folosite pe scară largă în construcţia afişoarelor numerice. În fig.
5.44 este arătat un astfel de afişor cu şapte segmente (notate a, b, c, d, e, f, g) cu care se pot afişa cifre de la
0 la 9. Fiecare segment conţine un LED care necesită pentru alimentare circa 1,6 V la mA.

d
Fig.5.44 e/g /c
Afişor numeric f/ /b
a

LED-urile cu anodul comun, sunt alimentate prin câte un rezistor de limitare a curentului; prin
intermediul unor diode cu siliciu ele pot fi deschise (luminate) sau stinse selectiv în funcţie de poziţia
comutatorului de comandă K.
Fiecare poziţie a comutatorului se traduce printr-o combinaţie de segmente aprinse care reprezintă
o cifră.
Denumirea „decodor” dată circuitelor de acest fel provine din faptul că la intrare se aplică un
semnal în „cod zecimal” prin unul din conductoarele orizontale şi la ieşire se obţine un semnal pe anumite
conductoare verticale, conform altui cod astfel încât să rezulte imaginea unei anumite cifre.
Tipuri de diode 40
Deci se face o schimbare a codului, o decodificare.
În schemă se pot utiliza elemente de afişare ROL 77 şi diode redresoare 1 N4001 sau similare.

14. Dioda de impulsuri (de comutaţie)

Diodele de impulsuri sunt diodele special construite pentru a lucra în regim de comutaţie.
Capacitatea lor electrică, prin construcţie este foarte mică.
Caracteristica unei diode de impulsuri nu se deosebeşte cu nimic de caracteristica generală a unei
diode.
Alături de caracteristica curent tensiune la diodele de impulsuri în cataloage se prezintă variaţia
capacităţii joncţiunii pn cu tensiunea inversă.
Diodele semiconductoare în regim de comutaţie sunt caracterizate prin: valoarea statică a
rezistenţelor în sens direct (de dorit cât mai mică) şi în sens invers (de dorit cât mai mare); parametrii
proceselor tranzitorii de comutaţie şi anume timpul de comutare directă td (de la stare de blocare la stare de
conducţie), şi timpul de comutare inversă tinv (de la starea de conducţie la starea de blocare).
Viteza de lucru a schemelor de comutaţie cu diode este limitată de timpul de comutare invers, care
este relativ mare (50 μs la tipurile de diode obişnuite şi până la 1 μs la diodele speciale de comutaţie dopate
cu aur).
Acest timp de comutare invers se compune din timpul de revenire, trev în care are loc (la tensiune
constantă UD) eliminarea sarcinilor acumulate în joncţiune şi timpul de cădere tc – comparabil cu timpul de
comutare directă td şi deci mult mai mic decât trev (fig. 5.45).

Fig. 5.45 Variaţia tensiunii şi curentului la bornele unei diode în timpul procesului de comutare.

td = 1 mμs ÷ 20 mμs
tinv = trev + tc = (50 + 1μs) + (~20 mμs)
U U D U U D
ID  1 I inv  2
R R
 ID 
trev = τp ln 1  
 I inv 
S-a notat:
Tipuri de diode 41
τp = durata de viaţă a purtătorilor de sarcină minoritari
Pentru realizarea unor scheme cu viteză de comutare ridicată se recomandă pentru proiectare
următoarele:
- durata impulsului de curent de comandă a conectării în sens direct să fie cât mai mică.
- amplitudinea impulsului de curent de comandă a comutării în sens invers să fie cât mai mare
- impedanţa circuitului extern diodei să fie cât mai mică
- temperatura mediului ambiant să fie cât mai scăzută.
Măsurători experimentale arată că nu se pot stabili legături generale între parametrii statici şi timpii
de comutare ai diodelor.
Comportarea în regim tranzitoriu a diodei se determină mai corect prin măsurători în scheme de
lucru.
Cei mai importanţi parametrii legaţi de regimul de comutaţie sunt:
- capacitatea joncţiunii la polarizare nulă
- capacitatea joncţiunii în regim de conducţie inversă
- timpul de comutaţie inversă
- sarcina acumulată în regim de conducţie directă.
Este bine de amintit aici că se pot realiza diode cu timpi de comutaţie de valori mici, 1 ns (diode
Schottky) dacă la construcţia lor se foloseşte joncţiunea metal – semiconductor care are un comportament
similar celui al joncţiunii pn; aceste diode se folosesc şi în domeniul frecvenţelor foarte înalte (GHz) şi în
redresoare de eficienţă ridicată.
În fig. 5.46a se arată un exemplu de folosire a diodelor de impulsuri într-un circuit logic SAU iar în
fig. 5.46b într-un circuit logic SI. Aceste circuite logice sunt larg folosite în aparatele electronice numerice
(de exemplu în calculatoarele electronice).

Fig. 5.46 Circuite logice cu două nivele, cu diode (logica pozitivă): a. Circuit SAU; b. Circuit SI.
Diodele de comutaţie sunt comutate în direct sau în invers chiar de semnalul care trebuie
„prelucrat”. Mai există şi „diode pentru comutare electronică” care sunt „deschise” şi „închise” cu ajutorul
unei tensiuni continue, permiţând, sau nu, trecerea semnalului alternativ. În fig. 5.47 (vezi anexa nr.5) se dă
un exemplu de folosire a lor în dispozitivul de permutare a liniilor în televizorul color.
Tipuri de diode 42

Fig.5.47. Schema comutatorului electronic în televiziunea color